TWI798249B - 用於電漿處理設備之冷卻聚焦環及其相關基座總成與設備 - Google Patents

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Abstract

一種可利用於供處理基板之電漿處理設備中的基座總成包括底板。基座總成可進一步包括經配置來支撐基板的定位盤。基座總成可進一步包括聚焦環，其相對於定位盤排列，以致當基板安置在定位盤上時，聚焦環的至少一部分至少部分地圍繞基板的外圍。又，聚焦環可與定位盤分隔，以致在其間界定間隙。基座總成可進一步包括熱傳導構件，其與定位盤分隔。熱傳導構件可與聚焦環熱連通並由內絕緣環包圍，且經配置與聚焦環及底板熱連通。

Description

用於電漿處理設備之冷卻聚焦環及其相關基座總成與設備
本申請案主張2017年9月18日提申之發明名稱為「Cooled Focus Ring for Plasma Processing Apparatus」的美國專利臨時申請案第62/559,778號之優先權，基於各種目的，該案以參考方式合併至本文。
本案一般關於使用在(例如)用於處理基板(如半導體基板)之處理設備中的聚焦環。
電漿處理器具可用來製造裝置，如積體電路、微機械裝置、平板顯示器、及其他裝置。可能要求用於現代電漿蝕刻應用中的電漿處理器具提供高電漿均勻度及複數電漿控制，其包含獨立的電漿曲線、電漿密度、及離子能量控制。在某些情況下，可能會要求電漿處理器具在多種處理氣體中及在多種不同條件下(如氣流、氣壓等)維持穩定的電漿。
可利用基座總成來支撐電漿處理設備內的基板及其他處理器具(如熱處理器具)。基座總成可包括圍繞基座底板的絕緣環。在電漿處理器具中，聚焦環可結合基座總成來使用。在基板(如半導體晶圓)處理期間，聚焦環可能處在不易除 熱的環境中(如真空)。如此，在基板處理期間，可能難以冷卻聚焦環。然而不充足地冷卻聚焦環，會對聚焦環壽命有負面影響，這一般是不樂見的。
本案的態樣及優點將部分地敍述在下文描述中，或可從該描述自明，或可透過實施例的實行而習得。
本案之一示例態樣有關於一種可利用於供處理基板之電漿處理設備中的基座總成。基座總成可包括底板及經配置來支撐基板的定位盤。又，基座總成可進一步包括聚焦環，其相對於定位盤排列，以致當基板安置在定位盤上時，聚焦環的至少一部分至少部分地圍繞基板的外圍。聚焦環也可與定位盤分隔，以致在其間界定間隙。又，基座總成也可包括熱傳導構件，其與定位盤分隔。熱傳導構件可與聚焦環及底板兩者熱連通。
本案之其他態樣有關於用於冷卻使用在基板(如半導體基板)之處理器具中的聚焦環之系統、方法、設備、及裝置。
在參照下文描述及所附申請專利範圍之下將更佳理解本案之這些及其他特徵、態樣、及優點。合併在說明書中並構成其一部分的附圖圖解本發明的實施例，並連同說明書描述用來解釋本發明之原理。
符號 英文 中文
100:Plasma processing apparatus 電漿處理設備
101:Process chamber 處理室
102:Interior space 內部空間
104:Pedestal assembly 基座總成
106:Substrate 基板
110:Dielectric window 介電窗
112:Central portion 中央部
114:Angled peripheral portion 斜向外圍部
120:Showerhead 噴頭
130:Primary inductive element 初級感應元件
140:Secondary inductive element 次級感應元件
142:Planar coil 平面線圈
144:Magnetic flux concentrator 磁通集中器
150:Unitary body 單體
152:Metal shield 金屬屏蔽
154:First Faraday shield 第一法拉第屏蔽
160:First RF generator 第一RF產生器
162:Matching network 匹配網路
170:Second RF generator 第二RF產生器
172:Matching network 匹配網路
200:Window 視窗
210:Puck 定位盤
220:Inner insulator ring 內絕緣環
222:Outer insulator ring 外絕緣環
224:Gap 間隙
230:Clamp ring 夾環
240:Baseplate 底板
242:Gap 間隙
244:Passage 通道
246:First portion 第一部
248:Second portion 第二部
249:Gap 間隙
250:Thermal conductive member 熱傳導構件
252:Gap 間隙
260:Focus ring 聚焦環
262:Gap 間隙
264‧‧‧Body 主體
266‧‧‧Top surface 頂表面
268‧‧‧Bottom surface 底表面
270‧‧‧First portion 第一部
272‧‧‧Second portion 第二部
274‧‧‧Third portion 第三部
276‧‧‧Protrusion 突出部
280‧‧‧Gap 間隙
282‧‧‧Gap 間隙
290‧‧‧First thermal pad 第一熱墊
292‧‧‧Second thermal pad 第二熱墊
294‧‧‧Heat path 熱路徑
300‧‧‧Fastener 緊固件
對於本項技藝具一般知識者完整而可具以實施的揭示內容更加具體地敍述於說明書的其餘部分中，包含對附圖之參照，圖中：第一圖繪出依照本案示例實施例的一示例電漿處理設備；第二圖提供在第一圖中繪出之示例基座總成一部分的橫斷面視圖；第三圖提供依照本案示例實施例之一底板的橫斷面視圖；第四圖提供依照本案示例實施例之一聚焦環的橫斷面視圖；第五圖提供依照本案示例實施例之基座總成的一部分之放大圖；第六圖提供依照本案示例實施例之基座總成的一部分之放大圖；及第七圖提供依照本案示例實施例之一示例基座總成的一部分之橫斷面視圖。
現在將詳細參照本發明之具體實施例，在圖式中圖解其一或多個示範例。所提出各示範例是要解釋本發明，並非要做為本發明的限制。事實上，熟悉該項技藝者應能輕易看出，本發明中可有各種修改及變異而不會偏離本案的範疇及精 神。舉例來說，繪出或描述為一具體實施例之某部分的特徵，可配合另一具體實施使用，以產出又更進一步的具體實施例。因此，本發明企圖涵蓋此等在後附權利請求項範圍之內的修飾及變異、以及其等效者。
本案之示範態樣有關於可結合處理設備來使用的基座總成，例如電漿處理設備(如電漿蝕刻器)。電漿處理設備可包括處理室，其界定內部空間。基座總成可位在處理室內。基座總成可包括定位盤(如靜電夾頭)，其經配置以在電漿處理期間支撐基板(如半導體晶圓)。基座總成也可包括聚焦環，其圍繞在定位盤上的基板的外圍，並可用來(例如)降低基板上或其附近的電漿處理(如蝕刻速率)的非均勻性。
基座總成也可包含底板。底板可界定一或多條供流體(例如水)流過的通道以降低(如冷卻)底板的溫度。聚焦環可透過在聚焦環及底板結構之間促進熱連通(如熱傳輸)的熱傳導構件，熱耦合至底板。更具體地，來自聚焦環的熱，可經由熱傳導構件，從聚焦環傳輸到底板。
在某些實施例中，基座總成可包括第一熱墊及第二熱墊。第一熱墊可位在聚焦環及熱傳導構件之間。第二熱墊可位在熱傳導構件及底板之間。第一熱墊可由彈性材料形成，以在聚焦環及熱傳導構件之間提供良好的熱接觸。第二熱墊可由彈性材料形成，以在熱傳導構件及底板之間提供良好的熱接觸。如在本文所使用者，彈性材料係在變形(如彎曲、拉伸、 壓縮等)之後能至少部分地回復至初始形狀的任何材料。例如在某些實施例中，第一熱墊及/或第二熱墊可為膠帶。如此，第一熱墊可改善從聚焦環至熱傳導構件的熱傳輸，且第二熱墊可促進從熱傳導構件至底板的熱傳輸。
在某些實施例中，聚焦環可具有經適配的形狀，以改善通過熱傳導構件至底板之熱傳輸。例如，聚焦環可有階梯狀底表面。底表面的一部分可接觸第一熱墊，以提供與熱傳導構件之熱連結。
聚焦環可具有一形狀及配置，以致聚焦環並不接觸定位盤。例如，聚焦環可具有主體及從主體延伸出的突出部。突出部及定位盤可界定間隙，以致聚焦環不接觸定位盤。如此，提供了主要的熱傳導路徑，經由第一熱墊、熱傳導構件及第二熱墊，可供聚焦環及底板之間進行熱傳導。
本案之示例性態樣可有數種技術效果及優點。例如，提供具有溫度經調節的底板之一條主要熱傳導路徑可提供聚焦環之更精確的熱控制。此外，使用彈性熱墊可在嚴苛的環境(如在電漿處理室)內協助在聚焦環及熱傳導構件之間建立良好的熱接觸。
本案之示例態樣有關於可用於供處理基板的電漿處理設備中之基座總成。基座總成包括底板。基座總成包含定位盤，其經配置以支撐基板。基座總成包括聚焦環，其相對於定位盤排列，以致當基板安置在定位盤上時，聚焦環的至少一 部分至少部分地圍繞基板的外圍。基座總成包括與定位盤相隔離的熱傳導構件，熱傳導構件與聚焦環及底板熱連通。定位盤及聚焦環之間界定有間隙。
在某些實施例中，聚焦環包括突出部，其至少部分重疊定位盤地延伸。在基板由定位盤支撐時，聚焦環的突出部可位在基板之至少一部分及定位盤之至少一部分之間。突出部可與聚焦環主體一體形成。
在某些實施例中，基座總成進一步包括第一熱墊及第二熱墊。第一熱墊可接觸聚焦環及熱傳導構件。第二熱墊可接觸熱傳導構件及底板。在某些實施例中，第一熱墊及第二熱墊包括彈性材料，如膠帶。
在某些實施例中，第一熱墊的熱傳導度可相異於第二熱墊的熱傳導度。在某些實施例中，熱傳導構件的熱傳導度可相異於第一熱墊的熱傳導度或第二熱墊的熱傳導度。在某些實施例中，基座總成可包括緊固件，其經配置以提供壓縮連接，在熱傳導構件及底板之間壓縮第二熱墊。
在某些實施例中，基座總成包括內絕緣環，其至少部分地包圍熱傳導構件及底板。在某些實施例中，底板可界定一或多條可供流體流穿的通道，以調節底板的溫度。在某些實施例中，熱傳導構件係包括鋁的環。
在某些實施例中，底板可為階梯狀的，以致底板包含在第二部上方垂直延伸的第一部。定位盤可安置在底板的 第一部上方。在某些實施例中，第二熱墊可接觸底板的第二部。
本案之另一示例性態樣有關於用於處理基板的電漿處理設備。設備可包括處理室，其界定有內部空間。設備可包括安置在內部空間之內的基座總成。基座總成可包括內絕緣環。基座總成可包括底板，其至少部分地由內絕緣環包圍。基座總成可包括定位盤，其經配置以支撐基板。基座總成可包括聚焦環，當在基板位在定位盤上時，聚焦環至少部分地圍繞基板外圍。聚焦環可包括頂表面及相對的底表面。基座總成可包括接觸聚焦環的底表面之第一熱墊。基座總成可包括接觸底板之第二熱墊。基座總成可包括耦合在第一熱墊及第二熱墊之間之熱傳導構件。第一熱墊、第二熱墊及熱傳導構件可形成熱通道，從聚焦環把熱傳導至底板。聚焦環可具有主體及從主體延伸出的突出部。當基板受到定位盤的支撐時，突出部位在基板及定位盤之間。在定位盤及基板突出部之間界定有間隙。
在某些實施例中，第一熱墊及第二熱墊包含彈性材料。在某些實施例中，底板可為階梯狀的，以致底板包含在第二部上方垂直延伸的第一部。定位盤可安放於底板的第一部上方；及其中第二熱墊接觸底板的第二部。在某些實施例中，基座總成可包括緊固件，其經配置以提供壓縮連接，在熱傳導構及底板之間壓縮第二熱墊。
基於說明及討論的緣故，參照「基板」或「晶圓」來討論本案之態樣。利用本文提供的揭示內容，本項技藝中具 一般知識者將瞭解，本案的示例性態樣可結合任何半導體基板或其他合適的基板或工件來使用。此外，與數值結合使用的語詞「約」欲指所述數值的10%之內。
第一圖繪出依照本案示例實施例的電漿處理設備100。為了說明及討論，參照第一圖中所示的電漿處理設備100來討論本案。利用本文提供的揭示內容，本項技藝中具一般知識者將瞭解，本案的示例實施例可與其他處理器具及/或設備共同使用，而不偏離本案的範圍，例如電漿剥除器具、熱處理器具等。
電漿處理設備100包括處理室101，其界定內部空間102。使用基座總成104在內部空間102內支撐基板106，例如半導體晶圓。介電窗110位在基座總成104上方，並作為內部空間102的天花板。介電窗110包括相對平坦的中央部112及傾斜的外圍部114。介電窗110在中央部112內包括一空間，可供噴頭120將處理氣體餵入內部空間102。
電漿處理設備100進一步包括複數感應元件，例如初級感應元件130及次級感應元件140，用於在內部空間102中產生感應電漿。感應元件130、140可包括線圈或天線元件，當供應RF電力時，在電漿處理設備100內部空間102內的處理氣體中感應電漿。例如，第一RF產生器160可經配置以經由匹配網路162提供電磁能量至初級感應元件130。第二RF產生器170可經配置以經由匹配網路172提供電磁能量至次級感應元件140。
雖本案參照初級感應元件及次級感應元件，但本項技藝中具一般知識者應可認知的是，初級及次級等術語僅因方便而使用。次級線圈可獨立於初級線圈來操作。初級線圈可獨立於次級線圈來操作。又在某些實施例中，電漿處理設備可只具有單一的感應耦合元件。
依照本案之態樣，電漿處理設備100可包括金屬屏蔽152，其設置在次級感應元件140四周。金屬屏蔽152將初級感應元件130及次級感應元件140分隔，以降低感應元件130、140之間的串音。電漿處理設備100可進一步包括第一法拉第屏蔽154，設置在初級感應元件130及介電窗110之間。第一法拉第屏蔽154可為開槽金屬屏蔽，其降低初級感應元件130及處理室101之間的電容耦合。如圖所示，第一法拉第屏蔽154可貼合介電窗110的傾斜部。
在某些實施例中，為了便於製造及其他目的，金屬屏蔽152及第一法拉第屏蔽154可形成單體150。初級感應元件130的多匝線圈可安置在單體150金屬屏蔽/法拉第屏蔽的法拉第屏蔽154旁。次級感應元件140可安置在金屬屏蔽/法拉第屏蔽單體150的金屬屏蔽152附近，如介於金屬屏蔽152及介電窗110之間。
初級感應元件130及次級感應元140在金屬屏蔽152相對側邊上的排列，允許初級感應元件130及次級感應元 140具有獨特的結構配置及執行不同的功能。例如，初級感應元件130可包括多匝線圈，其位在處理室101的外圍部旁。初級感應元件130可用於進行基礎電漿生成，及在固有暫態點火階段期間可用於可靠的啟動。初級感應元件130可耦合至強力的RF產生器及昂貴的自動調協匹配網路，並可在增加的RF頻率之下操作，例如約13.56MHz。
次級感應元件140可用於校正及支持功能，及在穩態操作期間用來改善電漿的穩定性。由於次級感應元件140主要可用於校正及支持功能及在穩態操作期間用來改善電漿的穩定性，所以次級感應元件140無需耦合至如同初級感應元件130一般強力的RF產生器，並可相異地且有成本效益地加以設計，以克服與先前設計相伴隨的障礙。如在下文詳細討論的，次級感應元件140也可在較低頻率下操作，例如約2MHz，允許次級感應元件140非常的緊密，並貼合至介電窗頂部上的有限空間中。
初級感應元件130及次級感應元件140可在不同頻率下操作。頻率可充分不同，以降低初級感應元件130及次級感應元件140之間電漿內的串音。例如，施加在初級感應元件130上的頻率可大於施加在次級感應元件140上的頻率至少約1.5倍。在某些實施例中，施加在初級感應元件130上的頻率可約13.56MHz，而施加在次級感應元件140上的頻率可約1.75MHz至約2.15MHz。也可使用其他合適的頻率，例如約 400KHz、約4MHz及約27MHz。雖然以將初級感應元件130敘述成相對於次級感應元件140在較高頻率下操作來討論本案，但本項技藝中具一般知識者利用本文提供的揭示內容應可瞭解到，次級感應元件140可在較高頻率下操作而不偏離本案範圍。
次級感應元件140可包括平面線圈142及磁通集中器144。磁通集中器144可由鐵磁體材料製成。使用磁通集中器結合合適的線圈，可提供次級感應元件140的高電漿耦合及良好能量傳輸效率，並可明顯地降低其對於金屬屏蔽152的耦合。在次級感應元件140上使用較低的頻率，如約2MHz，可增加表層，其也改善電漿加熱效率。
依照本案之態樣，不同的感應元件130、140可執行不同的功能。具體地，初級感應元件130可在點火期間用來執行電漿生成的基本功能，及為次級感應元件140提供足夠的起動注給(priming)。初級感應元件130可耦合至電漿及接地屏蔽兩者，以穩定電漿電位。與初級感應元件130關聯的第一法拉第屏蔽154避免視窗噴濺，並可用來供應至接地的耦合。
在有初級感應元件130所提供之良好電漿起動注給之下可操作額外的線圈，如此，可較佳地具有對電漿良好的電漿耦合及良好的能量轉移效率。包括磁通集中器144的次級感應元件140提供良好的磁通傳輸至電漿體積，同時從圍繞的金屬屏蔽152優良地解耦合次級感應元件140。使用次級感應元 件140的磁通集中器144及對稱驅動進一步降低線圈末端與周圍接地元件之間的電壓振幅。這樣可降低圓頂噴濺，但同時提供一些小電容耦合至電漿，其可用來協助點火。在某些實施例中，可結合次級感應元件140來使用第二法拉第屏蔽，以降低次級感應元件140的電容耦合。
第二圖繪出相對應於第一圖視窗200之基座總成一部分的放大視圖。如圖所示，基座總成104可包括定位盤210，其經配置以支撐基板106，如半導體晶圓。在某些實施例中，定位盤210可包括靜電夾頭，其具有一或多個經配置而透過靜電荷來握持基板的夾鉗電極。定位盤210也可包括溫度調節系統(如流體通道、電加熱器等)，其能用來控制基板106上的溫度曲線。
如圖所示，基座總成104可包括內絕緣環220及外絕緣環222。更具體地，外絕緣環222可包圍內絕緣環220。在某些實施例中，內絕緣環220及外絕緣環222皆可包圍定位盤210的至少一部分。又，內絕緣環220及外絕緣環222可彼此分隔，以致其間沿著徑向R界定有間隙。可替代地或額外地，基座總成104可包括夾環230，其上方可支撐外絕緣環222。
在某些實施例中，內絕緣環220的厚度TI可相異於外絕緣環222的厚度TO。更具體地，內絕緣環220的厚度TI可小於或大於外絕緣環222的厚度TO。然而在可替換的實施例中，內絕緣環220的厚度TI及外絕緣環222的厚度TO可彼此相等。
如圖所示，基座總成104可包括底板240，其經配置以支撐定位盤210。在某些實施例中，底板240可至少部分由內絕緣環220包圍。更具體地，底板240及內絕緣環220可彼此互相隔開，以致其間沿著徑向R界定有間隙242。可替換地或額外地，底板240可界定一或多條通道244，可供流體流經其中。當流體(如水)進入通道244時，流體的溫度相較於底板240的溫度可較冷。然而在流體流經通道244時，來自底板240的熱可傳輸到流體。依此方式，可降低底板240的溫度(如冷卻)。如將於下文更詳細討論，流體經由通道244的流動可冷卻與底板240熱連通(如直接或間接地)的基座總成104之一或更多額外的元件。
現在結合參照第二及三圖，底板240可包括第一部246及第二部248。如圖所示，第一部246可從第二部248沿著垂直方向V延伸，垂直方向V與徑向R實質上呈正交。在某些實施例中，定位盤210及底板240第一部246可在垂直方向V上彼此隔開。
基座總成104也可包括熱傳導構件250，其與底板240熱連通。在某些實施例中，熱傳導構件250可由底板240支撐，且由內絕緣環220包圍。更具體地，熱傳導構件250及內絕緣環220可彼此隔開，以致其間沿著徑向R界定間隙252。在某些實例中，界定在熱傳導構件250及內絕緣環220之間的間隙252的厚度TU可相等於界定在底板240及內絕緣環220之間的間 隙242的厚度TL。如此，可在內絕緣環220以及底板240和熱傳導構件250兩者之間界定均勻的間隙。
應該理解的是，熱傳導構件250可由任何合適的熱傳導性材料組成。例如，熱傳導構件250可為鋁組成的環狀結構。
現在結合參照第二、四及五圖，基座總成104可包括聚焦環260，其與熱傳導構件250熱連通。在某些實例中，聚焦環260相對於定位盤210排列，以致當基板106安放在定位盤210上時，至少部分的聚焦環260至少部分地包圍基板106的外圍。可替換地或額外地，定位盤210及聚焦環260之間可界定間隙262。
如圖所示，聚焦環260可包括主體264，其延伸在頂表面266及底表面268之間。在某些實例中，主體264可包括第一部270、第二部272及第三部274。如圖所示，第一、二及三部270、272及274分別可在頂表面266及底表面268之間沿著垂直方向V延伸。在某些實例中，第一部270、第二部272及第三部274在垂直方向上可分別具有不同的厚度，以致底表面268為階梯狀表面。例如，第一部270的厚度T1可小於第二部272的厚度T2，及第二部272的厚度T2可小於第三部274的厚度T3。如此，底表面268(如前述)可為階梯狀表面，其促進熱從聚焦環260傳輸到熱傳導構件250。
在某些實例中，當聚焦環260由熱傳導構250支撐 時，主體264的第二部272可與內絕緣環220隔開。更具體地，第二部272可與內絕緣環220沿著垂直方向V隔開，以致其間界定有界隙280。此外，聚焦環260第一部270可與外絕緣環222沿著垂直方向V隔開，以致其間界定有間隙282。
如圖所示，聚焦環260可包括突出部276，其與主體264一體成形並沿著徑向R延伸，以致突出部276至少部分地重疊定位盤210。更具體地，突出部276可從主體264的第三部274延伸，並在基板106受到定位盤210支撐時，可位在基板106的至少部分及定位盤210的至少部分之間。
現在參照第二至第六圖，聚焦環260可由熱傳導構件250支撐。更具體地，聚焦環260的底表面268可接觸(如碰觸)熱傳導構件250。然而在可替換的實施例中，基座總成104可包括第一熱墊290，其位在熱傳導構件250及聚焦環260之間。可替換或額外地，基座總成104可包括第二熱墊292，其位在熱傳導構件250及底板240之間。在某些實例中，第二熱墊292可接觸(如碰觸)底板240的第二部248並可與底板240的第一部246隔開。更具體地，第二熱墊292可與第一部246沿著徑向R來隔開，以致其間界定有間隙249。
在某些實例中，第一熱墊290及第二熱墊292可由任何合適的彈性材料來形成。例如，第一熱墊290及第二熱墊可包含單側膠帶或雙側膠帶。
應理解到，第一熱墊290的熱傳導度k1及第二熱墊 292的熱傳導度k2可包括任何合適的數值。在某些實例中，第一熱墊290的熱傳導度k1可相異於(如大於或小於)第二熱墊292的熱傳導度k2。然而在可替換的實例中，第一熱墊290的熱傳導度k1及第二熱墊292的熱傳導度k2可彼此相等。
也應理解到，熱傳導構件250的熱傳導度k3可包括任何合適的數值。在某些實例中，熱傳導構件250的熱傳導度k3可相異於第一熱墊290的熱傳導度k1、第二熱墊292的熱傳導度k2、或兩者。然而在可替換的實例中，熱傳導構件250的熱傳導度k3可同等於第一熱墊290的熱傳導度k1、第二熱墊292的熱傳導度k2、或兩者。
現在參照第二至第六圖，當流體流過底板240界定的通道244時，聚焦環260可得到冷卻。當流體流過通道244時，來自底板240的熱可傳輸到流體。此外，來自聚焦環260的熱可傳輸到(例如經由傳導)底板240，因為第一熱墊290、熱傳導構件250、及第二熱墊292共同界定一條熱路徑294，可供熱從聚焦環260傳導至底板240。依此方式，聚焦環260可在基板106處理期間受到冷卻。
如第七圖所示，在某些實施例中，基座總成104可包括緊固件300，其經配置來提供壓縮連接，在熱傳導構件250及底板240之間壓縮第二熱墊292。如此，可改善從熱傳導構件250至底板240的熱傳導。應該理解的是，緊固件300可包含配置成提供壓縮連接的任何合適緊固件。
本發明的這些及其他修飾及變型可由本項技藝具一般知識者加以實施而不偏離在後附申請專利範圍內更詳細描述的本發明的精神及範圍。又，應該瞭解的是，可全部地或部分地互換各種實施例的態樣。再者，本項技藝具一般知識者將理解到，前述描述僅作為示例而已，且無意限制在後附申請專利範圍進一步描述的本發明。
106:Substrate 基板
200:Window 視窗
210:Puck 定位盤
220:Inner insulator ring 內絕緣環
222:Outer insulator ring 外絕緣環
224:Gap 間隙
230:Clamp ring 夾環
240:Baseplate 底板
242:Gap 間隙
244:Passage 通道
249:Gap 間隙
250:Thermal conductive member 熱傳導構件
252:Gap 間隙
260:Focus ring 聚焦環
276:Protrusion 突出部
290:First thermal pad 第一熱墊
292:Second thermal pad 第二熱墊

Claims (19)

  1. 一種用於供處理一基板之一電漿處理設備中的基座總成，該基座總成包含：一底板；一定位盤，經配置以支撐該基板；一聚焦環，相對於該定位盤來安置，以致當該基板安放在該定位盤上時，該聚焦環的至少一部分至少部分地圍繞該基板的一外圍；一熱傳導構件，與該定位盤互相隔離，該熱傳導構件與該聚焦環及該底板熱連通；一內絶緣環至少部分圍繞該熱傳導構件及該底板；及一外絶緣環至少部分圍繞該內絶緣環，其中該聚焦環包含一在垂直方向具有一第一厚度的第一部，一在該垂直方向具有一第二厚度的第二部，以及一在該垂直方向具有一第三厚度的第三部，該第一厚度小於該第二厚度且該第二厚度小於該第三厚度，其中該聚焦環具有一階梯狀底表面，其中對應該第一部或該第二部至少其中一者的該階梯狀底表面的一部分，在該垂直方向上至少部分地重疊於該內絶緣環與該外絶緣環，其中該定位盤及該聚焦環之間界定一第一間隙，其中該底板與該定位盤共同界定出沿著一垂直方向的 中心軸，其中該聚焦環包含一具有一表面的突出部，其在該垂直方向及一輻射方向上至少部分重疊該定位盤，該輻射方向垂直地延伸至該中心軸，其中該熱傳導構件與該內絶緣環彼此分隔開來，如此則沿著輻射方向在二者間界定出一第二間隙，其中該底板與該內絶緣環彼此分隔開來，如此則沿著輻射方向在二者間界定出一第三間隙，且其中該第二間隙的一第一厚度等同於該第三間隙的一第二厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項的基座總成，其中當該基板由該定位盤支撐時，該聚焦環的該突出部位在該基板的至少一部分及該定位盤的至少一部分之間。
  3. 如申請專利範圍第1項的基座總成，其中該突出部與該聚焦環的一主體一體成形。
  4. 如申請專利範圍第1項的基座總成，其進一步包含一第一熱墊及一第二熱墊，該第一熱墊接觸該聚焦環及該熱傳導構件，該第二熱墊接觸該熱傳導構件及該底板。
  5. 如申請專利範圍第4項的基座總成，其中該第一熱墊及該第二熱墊包含一彈性材料。
  6. 如申請專利範圍第5項的基座總成，其中該第一熱墊及該第二熱墊包含一膠帶。
  7. 如申請專利範圍第1項的基座總成，其中該聚焦環在該輻射方向上至少部分地重疊該外絶緣環，其中該聚焦環與該內絶緣環在該垂直方向上界定有一間隙，且其中該內絶緣環與該熱傳導構件在該輻射方向上界定有一間隙。
  8. 如申請專利範圍第4項的基座總成，其中該第一熱墊的熱傳導度異於該第二熱墊的熱傳導度。
  9. 如申請專利範圍第4項的基座總成，其中該熱傳導構件的熱傳導度異於該第一熱墊的熱傳導度或該第二熱墊的熱傳導度。
  10. 如申請專利範圍第1項的基座總成，其中該底板界定一或多個通道，一流體流經該通道以調節該底板的溫度。
  11. 如申請專利範圍第1項的基座總成，其中該熱傳導構件係由鋁構成的一圓環。
  12. 如申請專利範圍第4項的基座總成，其中該底板係階梯狀的，以致該底板包含在一第二部上方垂直延伸的一第一部。
  13. 如申請專利範圍第12項的基座總成，其中該定位盤安放於該底板的該第一部上方。
  14. 如申請專利範圍第13項的基座總成，其中該第二熱墊接觸該底板的該第二部。
  15. 如申請專利範圍第4項的基座總成，其中該基座總成包含一 緊固件，其經配置以提供一壓縮連接，將該第二熱墊壓縮在該熱傳導構件及該底板之間。
  16. 一種用於處理一基板的電漿處理設備，該設備包含：一處理室，界定一內部空間；及一基座總成，安置在該內部空間之內，該基座總成包含：一底板；一定位盤，經配置來支撐該基板；一聚焦環，當該基板安放在該定位盤上時，該聚焦環至少部分地圍繞該基板的一外圍，該聚焦環包含一頂表面及一相對的底表面；一第一熱墊，接觸該聚焦環的該底表面；一第二熱墊，接觸該底板；一熱傳導構件，耦合在該第一熱墊及該第二熱墊之間；一內絶緣環至少部分圍繞該熱傳導構件及該底板；及一外絶緣環至少部分圍繞該內絶緣環，其中該聚焦環包含一在垂直方向具有一第一厚度的第一部，一在該垂直方向具有一第二厚度的第二部，以及一在該垂直方向具有一第三厚度的第三部，該第一厚度小於該第二厚度且該第二厚度小於該第三厚度，其中該聚焦環具有一階梯狀底表面， 其中對應該第一部或該第二部至少其中一者的該階梯狀底表面的一部分，在該垂直方向上至少部分地重疊於該內絶緣環與該外絶緣環，其中該第一熱墊、該第二熱墊以及該熱傳導構件形成一熱路徑，可供熱從該聚焦環傳導至該底板；其中該底板與該定位盤共同界定出沿著一垂直方向的中心軸，其中該聚焦環具有一主體及從該主體延伸出一突出部，當該基板由該定位盤支撐時，該突出部位在該基板及該定位盤之間，該突出部具有一表面，其在該垂直方向及一輻射方向上至少部分地重疊該定位盤，該輻射方向垂直地延伸至該中心軸，其中在該定位盤及該突出部之間界定有一第一間隙，其中該底板為階梯狀，使得該底板包含一垂直延伸於一第二部的第一部，該內部絶緣環於該輻射方向上至少部分地重疊該底板的該第二部，其中該熱傳導構件與該內絶緣環彼此分隔開來，如此則沿著輻射方向在二者間界定出一第二間隙，其中該底板與該內絶緣環彼此分隔開來，如此則沿著輻射方向在二者間界定出一第三間隙，且其中該第二間隙的一第一厚度等同於該第三間隙的一第二厚度。
  17. 如申請專利範圍第16項的電漿處理設備，其中該第一熱墊及該第二熱墊包含一彈性材料。
  18. 如申請專利範圍第16項的電漿處理設備，該定位盤安置在該底板的該第一部上方；且其中該第二熱墊接觸該底板的該第二部。
  19. 如申請專利範圍第16項的電漿處理設備，其中該基座總成包含一緊固件，其經配置以提供一壓縮連接，將該第二熱墊壓縮在該熱傳導構件及該底板之間。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230038656A (ko) * 2020-07-15 2023-03-21 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱을 위한 배제 링
KR20220027509A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 장치에서의 웨이퍼 디척킹 방법
KR20220102201A (ko) * 2021-01-12 2022-07-20 삼성전자주식회사 척 어셈블리, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조방법
TWI825711B (zh) * 2021-06-25 2023-12-11 美商得昇科技股份有限公司 電漿處理設備

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0818558B1 (en) * 1996-07-12 2002-03-13 Applied Materials, Inc. Components peripheral to the pedestal in the gas flow path within a chemical vapor deposition chamber
US6723202B2 (en) * 2000-04-25 2004-04-20 Tokyo Electron Limited Worktable device and plasma processing apparatus for semiconductor process
TW201112326A (en) * 2009-09-18 2011-04-01 Advanced Micro Fab Equip Inc Structure for reducing deposition of polymer on the back of substrate
CN102194634A (zh) * 2010-03-01 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 聚焦环和基板载置系统
US20120238040A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus and plasma etching method
US20140209245A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Tokyo Electron Limited Mounting table and plasma processing apparatus
TW201705278A (zh) * 2015-07-22 2017-02-01 日立全球先端科技股份有限公司 電漿處理裝置
US20170186590A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai Temperature adjusting apparatus and method for a focus ring

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4151749B2 (ja) * 1998-07-16 2008-09-17 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置およびその方法
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP2007258500A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 基板支持装置
JP2008251742A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台
JP5719599B2 (ja) * 2011-01-07 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9070536B2 (en) * 2012-04-24 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck with cooled process ring and heated workpiece support surface
CN202651058U (zh) * 2012-07-06 2013-01-02 中微半导体设备(上海)有限公司 一种控制基座外缘聚焦环温度的组件
JP2015109249A (ja) * 2013-10-22 2015-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6261287B2 (ja) * 2013-11-05 2018-01-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0818558B1 (en) * 1996-07-12 2002-03-13 Applied Materials, Inc. Components peripheral to the pedestal in the gas flow path within a chemical vapor deposition chamber
US6723202B2 (en) * 2000-04-25 2004-04-20 Tokyo Electron Limited Worktable device and plasma processing apparatus for semiconductor process
TW201112326A (en) * 2009-09-18 2011-04-01 Advanced Micro Fab Equip Inc Structure for reducing deposition of polymer on the back of substrate
CN102194634A (zh) * 2010-03-01 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 聚焦环和基板载置系统
US20120238040A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus and plasma etching method
US20140209245A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Tokyo Electron Limited Mounting table and plasma processing apparatus
TW201705278A (zh) * 2015-07-22 2017-02-01 日立全球先端科技股份有限公司 電漿處理裝置
US20170186590A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai Temperature adjusting apparatus and method for a focus ring

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