TW201344780A - 在有冷卻製程環與加熱工作件支撐表面的情況下所進行的電漿反應器靜電夾持 - Google Patents

在有冷卻製程環與加熱工作件支撐表面的情況下所進行的電漿反應器靜電夾持 Download PDF

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David Palagashvili
Michael G Chafin
Ying-Sheng Lin
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Abstract

藉由熱隔離製程環與靜電夾盤之隔離圓片(puck)，以及藉由提供一熱傳導及電隔離熱環，來阻止半導體製程環之不希望的加熱，其中該熱傳導及電隔離熱環接觸半導體製程環及底層的金屬基底兩者，該底層的金屬基底具有內部冷卻劑流動通道。

Description

在有冷卻製程環與加熱工作件支撐表面的情況下所進行的電漿反應器靜電夾持 相關申請案之交叉引用
本申請案主張由Michael D.Willwerth等人於2012年10月1日提出申請的標題為「PLASMA REACTOR ELECTROSTATIC CHUCK WITH COOLED PROCESS RING AND HEATED WORKPIECE SUPPORT SURFACE」之美國專利申請案第13/632,306號的優先權，該申請案主張由Michael D.Willwerth等人於2012年4月24日提出申請的標題為「PLASMA REACTOR ELECTROSTATIC CHUCK WITH COOLED PROCESS RING AND HEATED WORKPIECE SUPPORT SURFAC」之美國臨時申請案第61/637,448號的權益。
Michael D.Willwerth等人提出「PLASMA REACTOR ELECTROSTATIC CHUCK WITH COOLED PROCESS RING AND HEATED WORKPIECE SUPPORT SURFACE」。
本發明係關於在有冷卻製程環與加熱工作件支撐表面的情況下所進行的電漿反應器靜電夾持。
本揭示案關於用於在諸如半導體晶圓之工作件上蝕刻 諸如介電膜之薄膜的反應性離子蝕刻製程及反應器腔室。此類製程可使用諸如氟碳或氟烴氣體之蝕刻製程氣體，該蝕刻製程氣體之電漿副產物包括蝕刻物種及聚合物物種。使用此類氣體之電漿增強反應性離子蝕刻製程產生薄膜之蝕刻及聚合物之沉積兩種效果。吾人已發現工作件之邊緣附近之蝕刻速率分佈及聚合物沉積速率分佈之均勻性受環繞工作件之邊緣之製程環溫度的影響。最開始、緊接著電漿處理之前，製程環的溫度與固持工作件的陰極的溫度相同。位於陰極下方之金屬基底層包括用於冷卻陰極的冷卻劑流動通道。在電漿處理期間，製程環溫度增加，使得連續的工作件經受影響整個工作件表面上之蝕刻速率分佈之不同的製程條件。在點燃電漿後處理連續的工作件時，第一工作件之整個工作件表面上之蝕刻速率分佈將不同於後續工作件之蝕刻速率分佈，引起工作件之間的非均勻性。
製程環溫度增加到高於工作件之溫度，影響工作件外圍附近的蝕刻速率。另外，製程環之較高溫度與工作件相對較低溫度影響工作件外圍附近之聚合物沉積。此變化不利地影響工作件外圍附近蝕刻速率及聚合物沉積速率分佈均勻性。
本發明提供一種使用聚合蝕刻物種在諸如半導體晶圓之工作件上執行電漿增強蝕刻之方法。該方法提供對工作件之外圍附近之聚合物沉積速率及蝕刻速率之控制。在電漿反應器之腔室中執行方法，該腔室包括形成工作件支撐表面之隔離圓片及接觸隔離圓片之金屬基底層。該方法包括以下步驟：提供一半導體製程環，該半導體製程環覆蓋隔離圓片之週邊部分，以及維持製程環及隔離圓片之間的縫隙，以防止製程環與隔離圓片之間的直接熱接觸。該方法進一步包括以下步驟：提供一熱環，該熱環介於基底層與半導體製程環之間且與基底層及半導體製程環接觸，熱環係熱導體及電絕緣體。該方法亦包括以下步驟：將工作件固持在隔離圓片之工作件支撐表面上，將製程氣體引入腔室且將電漿源功率耦合至腔室內部。該方法亦包括以下步驟：藉由使冷卻劑流動通過基底層中的冷卻劑流動通道，而將製程環冷卻至低於第一溫度，以及藉由將電功率施加於隔離圓片內部之加熱元件，而將工作件加熱至高於第二溫度。
參照第1A、1B及1C圖，電漿反應器具有由圓柱形側壁102、頂板104及底板106界定之腔室100，底板106之周邊邊緣接觸側壁102。頂板104可為接收來自製程氣體供應108之製程氣體之氣體分配板。電漿源功率可 感應地耦合或電容性地耦合進腔室100。
舉例而言，在電漿源功率之感應耦合的情況下，各自的內部及外部線圈天線110、112經由各自的射頻阻抗匹配元件118、120連接至各自的射頻源功率產生器114、116。在此情況下，頂板或氣體分配板104可由非導電材料製成以允許來自線圈天線110、112之射頻功率經由頂板104感應耦合進入腔室100。
在射頻源功率之電容耦合的情況下，不存在線圈天線110及112，且頂板104係導電電極。射頻產生器122係經由阻抗匹配124耦接至頂板104。一般而言，側壁102及底板106可由金屬製成並接地連接。真空泵132經由底板106抽空腔室100。
工作件支撐基座200係提供在腔室100內且具有頂工作件支撐表面200a及低於底板106之底端200b，且軸向桿235自底端200b向上延伸並穿過底板106。
基座200包括形成頂工作件支撐表面200a之圓盤形的隔離圓片或頂層205。圓片205包含接近頂表面200a之內部靜電夾持(ESC)電極210。圓片205亦包含內部及外部電阻加熱元件215、216。圓片205下方係圓盤形的金屬基底220，金屬基底220可由鋁製成。工作件支撐表面200a係用於支撐諸如半導體晶圓之工作件206之圓片205的頂表面。內部冷卻劑通道225係提供在金屬基底220中。圓盤形的絕緣體或平面的絕緣體層230位於金屬基底220下方，且圓盤形的絕緣體或平面的絕緣體層 230可由例如二氧化矽或氮化矽材料製成。導電支撐碟237位於絕緣體230下方且可支撐環繞絕緣體230、基底220及圓片205之圓柱形壁239。
射頻偏壓功率產生器240係經由阻抗匹配244耦接至ESC電極210。或者，射頻偏壓產生器可耦接至金屬基底220。
製程環218覆蓋圓片205之邊緣。製程環218可由諸如結晶體之半導體材料製成。絕緣環222提供基底220與基座側壁239之間之電絕緣。裙部224自底板延伸並環繞基座側壁239。
冷卻劑供應器289耦接至內部冷卻劑通道225。直流工作件嵌位電壓源290耦合至ESC電極210。內部及外部加熱器元件215及216連接至各自的交流電源供應器300及302。
在一個實施例中，內區溫度感測器330延伸穿過工作件支撐表面200a中之開口，且外區溫度感測器332延伸穿過工作件支撐表面200a中之另一開口。經由基座提供自溫度感測器330、332至感測器電路333之電(或光學)連接。
待解決的問題：
製程環218覆蓋並直接熱接觸圓片205以由加熱元件216加熱製程環218。然而，製程環218藉由圓片205與金屬基底220分離。此分離有利地提供半導體製程環 218與金屬基底220之間之電分離。問題係此類分離阻止製程環218與經冷卻的金屬基底220之間之直接熱傳導，使得製程環218之全部冷卻係經由穿過圓片205之間接熱路徑達成。因此，金屬基底220直接冷卻圓片205而間接冷卻製程環218。因此，工作件206比製程環218更快速地得到冷卻。在電漿處理期間，製程環溫度增加到高於工作件206之溫度，影響工作件外圍附近的蝕刻速率。另外，製程環218之較高溫度與工作件206之相對較低溫度影響工作件外圍附近之聚合物沉積。此變化不利地影響工作件外圍附近之蝕刻速率及聚合物沉積速率。舉例而言，製程環218之較高溫度及工作件206之較低溫度有助於使工作件上之聚合物沉積速率高於製程環218上之聚合物沉積速率。
問題之解決方案：
熱傳導環400佈置在製程環218及金屬基底220之間，以增強製程環218之冷卻。另外，藉由在製程環218及圓片205之間提供氣隙410來阻止加熱器元件216對製程環218之加熱。
熱傳導環400之材料具有非常高的熱傳導率，足以近似製程環218與金屬基底220之間之直接熱接觸。然而，熱傳導環400之材料係近似完美絕緣體的電絕緣材料。用於熱傳導環之適合材料之一個實例係氮化鋁。在一個實例中，熱傳導環400具有120瓦特/m-°K(W/m-°K)之 熱傳導率及約1014Ω-m或更高之電體積電阻率。熱環傳導率可處於100-380瓦特/m-°K之範圍內，而熱環電阻率可高於1013Ω-m。
在一個實施例中，雙面熱傳導帶層405可佈置在製程環218及熱傳導環400之間。熱傳導帶具有類似於熱傳導環400之熱傳導率的熱傳導率，且可具有數公釐之厚度。在一些情況下，熱傳導帶可由氮化鋁箔或類似材料製成，熱傳導帶在兩個表面上均有黏結膜。此類雙面熱傳導帶可購自Shin-Etsu MicroSi,Inc.。熱傳導帶之目的係提高通過製程環218與熱傳導環400之間之界面之熱傳導率。
接觸製程環218及金屬基底220兩者之熱傳導環400之引入及製程環218與圓片205之間之氣隙410之安放使得能夠不同地控制製程環218之溫度及工作件206之溫度。具體而言，製程環218及工作件206可維持在彼此不同的溫度。有利地，將製程環218維持在高於工作件206之溫度的溫度。在工作實例中，維持製程環218之溫度在高於工作件206之溫度之5℃-15℃的範圍中。
在經修改的實施例中，藉由在熱傳導環400內提供單獨受控制的加熱器元件430，可獨立於晶圓206之溫度控制製程環218之溫度。加熱器元件430可經由延伸穿過金屬基底220之絕緣導體接收來自加熱器電源供應器435之電功率。另外，溫度感測器440可耦接至或提供於熱傳導環內並經由金屬基底220耦接至感測器電路 333。控制器450經由感測器電路333感測工作件溫度及製程環溫度。控制器450單獨地控管冷卻劑供應器289之流動速率及/或溫度以及由加熱器電源供應器300、302及435輸出之電功率之位準，以使工作件維持在目標工作件溫度同時使製程環維持在目標製程環溫度。藉由程式化控制器450獨立地選擇工作件目標溫度及製程環目標溫度。
按照以下方法操作反應器：由金屬基底220中之冷卻劑冷卻製程環218(經由熱傳導環400)至期望的製程環溫度。同時，由加熱器215及216加熱工作件206至期望的工作件溫度。在一個實施例中，期望的工作件溫度高於期望的製程環溫度。舉例而言，製程環溫度可在30℃-80℃之較低範圍中，而工作件溫度在90℃-100℃之較高範圍中。藉由控制工作件206及製程環218之間之溫度差，控制工作件外圍附近之蝕刻速率及聚合物沉積速率。
雖然上文係關於本發明之實施例，但在不偏離本發明之基本範疇的情況下可設計出本發明之其他及進一步實施例，且本發明之範疇係由以下申請專利範圍決定。
100‧‧‧腔室
102‧‧‧圓柱形側壁
104‧‧‧頂板
106‧‧‧底板
108‧‧‧製程氣體供應
110‧‧‧線圈天線
112‧‧‧線圈天線
114‧‧‧產生器
116‧‧‧產生器
118‧‧‧射頻阻抗匹配元件
120‧‧‧射頻阻抗匹配元件
122‧‧‧射頻產生器
124‧‧‧阻抗匹配
132‧‧‧真空泵
200‧‧‧工作件支撐基座
200a‧‧‧頂工作件支撐表面
200b‧‧‧底端
205‧‧‧隔離圓片或頂層
206‧‧‧工作件
210‧‧‧電極
215‧‧‧加熱元件
216‧‧‧加熱元件
218‧‧‧製程環
220‧‧‧金屬基底
222‧‧‧絕緣環
224‧‧‧裙部
225‧‧‧冷卻劑通道
230‧‧‧絕緣體層
235‧‧‧軸向桿
237‧‧‧碟
239‧‧‧基座側壁
240‧‧‧產生器
244‧‧‧阻抗匹配
289‧‧‧冷卻劑供應器
290‧‧‧嵌位電壓源
300‧‧‧交流電源供應器、加熱器電源供應器
302‧‧‧交流電源供應器、加熱器電源供應器
330‧‧‧溫度感測器
332‧‧‧溫度感測器
333‧‧‧感測器電路
400‧‧‧熱傳導環
405‧‧‧雙面熱傳導帶層
410‧‧‧氣隙
430‧‧‧加熱器元件
435‧‧‧加熱器電源供應器
440‧‧‧溫度感測器
450‧‧‧控制器
因此，以可詳細理解獲得本發明之示範性實施例之方式，可參照於隨附圖式中圖示之實施例來進行上文簡要 概述之本發明的更特定描述。應領會本文不論述某些熟知製程以免模糊本發明。
第1A、1B及1C圖描繪根據一個實施例之電漿反應器，其中：第1A圖係描繪電漿反應器之整個腔室之剖面正視圖；第1B圖係描繪工作件支撐基座之第1A圖之一部分之放大視圖；第1C圖係詳細圖示製程環及熱環之第1B圖之一部分的放大視圖。
為了促進理解，在可能的情況下，已使用相同的元件符號指示諸圖所共有之相同的元件。應考慮一個實施例之元件及特徵結構可有利地併入其他實施例而無需進一步詳述。然而應注意，隨附圖式僅圖示本發明之示範性實施例且因此不視為對本發明之範疇具有限制性，因為本發明可允許其他等效實施例。
106‧‧‧底板
200‧‧‧工作件支撐基座
200a‧‧‧頂工作件支撐表面
200b‧‧‧底端
205‧‧‧隔離圓片或頂層
206‧‧‧工作件
210‧‧‧電極
215‧‧‧加熱元件
216‧‧‧加熱元件
218‧‧‧製程環
220‧‧‧金屬基底
222‧‧‧絕緣環
224‧‧‧裙部
225‧‧‧冷卻劑通道
230‧‧‧絕緣體層
235‧‧‧軸向桿
237‧‧‧碟
239‧‧‧基座側壁
240‧‧‧產生器
244‧‧‧阻抗匹配
289‧‧‧冷卻劑供應器
290‧‧‧嵌位電壓源
300‧‧‧交流電源供應器
302‧‧‧交流電源供應器
330‧‧‧溫度感測器
332‧‧‧溫度感測器
333‧‧‧感測器電路
400‧‧‧熱傳導環
405‧‧‧雙面熱傳導帶層
410‧‧‧氣隙
430‧‧‧加熱器元件
435‧‧‧加熱器電源供應器
440‧‧‧溫度感測器
450‧‧‧控制器

Claims (19)

  1. 一種在一電漿反應器之一腔室內之一工作件上執行一電漿增強蝕刻製程之方法，該電漿反應器包含：一隔離圓片，位於該腔室中，以及位於該隔離圓片中之一ESC電極；一金屬基底層，該金屬基底層位於該隔離圓片下方並接觸該隔離圓片，且該金屬基底層的一直徑超過該隔離圓片之一直徑，該金屬基底層耦合至一共同電位；一射頻(RF)電漿偏壓功率產生器，該射頻電漿偏壓功率產生器具有耦接至該ESC電極之一功率端子以及耦合至該共同電位之一回程端子；該方法包含以下步驟：提供覆蓋該隔離圓片之一週邊部分之一半導體製程環以及提供該製程環與該隔離圓片之間之一縫隙，該縫隙阻止該製程環與該隔離圓片之間之直接熱接觸；在該基底層與該半導體製程環之間提供一熱環，且該熱環與該基底層及該半導體製程環接觸，該熱環係一熱導體與一電絕緣體；將一工作件固持在該隔離圓片之一表面上，將一製程氣體引入到該腔室並將電漿源功率耦合至該腔室之內部；藉由使冷卻劑流動通過該基底層中之冷卻劑流動通道來冷卻該製程環至低於一第一溫度；以及 藉由將電功率施加於該隔離圓片內部之一加熱元件來加熱該工作件至高於一第二溫度。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該第二溫度高於該第一溫度。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該引入一製程氣體之步驟包含以下步驟：引入一製程氣體，該製程氣體之電漿副產物包含蝕刻劑物種及聚合物種，藉此該生成一電漿之步驟在該腔室中產生該等電漿副產物。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該引入一製程氣體之步驟包含以下步驟：引入包含氟碳物種或氟烴物種之一製程氣體。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該縫隙係一熱隔離縫隙。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該縫隙係一氣隙。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該熱環具有超過約100瓦特/m-°K之一熱傳導率及高於1013Ω-m之一電阻率。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該熱環包含氮化鋁。
  9. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：週期性地感測該半導體製程環之該溫度及該工作件之該溫度，以及比較該等溫度與各自的目標溫度。
  10. 如請求項9所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：回應於該比較步驟，調整通過該金屬基底層之該冷卻劑之流動速率並調整施加至該加熱元件之該電功率。
  11. 如請求項2所述之方法，其中該第一溫度及該第二溫度之間之該差異係在5℃至15℃之一範圍中。
  12. 一種電漿反應器，包含：一腔室、在該腔室中之一隔離圓片以及在該隔離圓片中之一ESC電極；一金屬基底，該金屬基底位於該隔離圓片下方並接觸該隔離圓片，且該金屬基底之一直徑超過該隔離圓片之一直徑，該金屬基底耦合至一共同電位；一射頻(RF)電漿偏壓功率產生器，該射頻電漿偏壓功率產生器具有耦接至該ESC電極之一功率端子及耦合至該共同電位之一回程端子；一製程環，覆蓋該隔離圓片之一週邊部分，以及一縫隙，該縫隙使該製程環與該隔離圓片分離，藉此該製程環不機械地接觸該隔離圓片；一熱環，該熱環位在該金屬基底及該半導體製程環 之間且該熱環與該金屬基底及該半導體製程環接觸，該熱環係一熱導體及一電絕緣體；一電漿源功率施用器、一製程氣體源以及耦合至該製程氣體源之氣體分配孔；位在該金屬基底層中之冷卻劑流動通道，以及耦合至該冷卻劑流動通道之一冷卻劑源；位在該圓片中之電加熱器元件，以及耦合至該加熱器元件之一電功率源。
  13. 如請求項12所述之電漿反應器，其中該縫隙係一氣隙。
  14. 如請求項12所述之電漿反應器，其中該製程環包含一半導體材料。
  15. 如請求項12所述之電漿反應器，其中該熱環具有超過約100瓦特/m-°K之一熱傳導率及高於1013Ω-m之一電阻率。
  16. 如請求項12所述之電漿反應器，其中該熱環包含氮化鋁。
  17. 如請求項12所述之電漿反應器，該電漿反應器進一步包含該熱環與該製程環之間之一熱帶層。
  18. 如請求項12所述之電漿反應器，該電漿反應器進一步包含該熱環與該金屬基底之間之一熱帶層。
  19. 如請求項12所述之電漿反應器，該電漿反應器進一步包含：一溫度感測器，該溫度感測器經耦接以感測該製程環之一溫度；一溫度感測器，該溫度感測器經耦接以感測該工作件之一溫度；一控制器，該控制器回應於該等溫度感測器以控管該冷卻劑源及該電功率源。
TW101137162A 2012-04-24 2012-10-08 在有冷卻製程環與加熱工作件支撐表面的情況下所進行的電漿反應器靜電夾持 TW201344780A (zh)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570766B (zh) * 2014-07-18 2017-02-11 Plasma processing device and temperature control method thereof
TWI776800B (zh) * 2016-06-07 2022-09-11 美商應用材料股份有限公司 具有射頻耦合的高功率靜電吸盤設計
US11488796B2 (en) 2019-04-24 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Thermal break for high-frequency antennae

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097630A (zh) * 2014-05-14 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置以及等离子刻蚀设备
JP6442296B2 (ja) * 2014-06-24 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
CN106683969B (zh) * 2015-11-06 2018-09-11 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理装置运行方法
US20190088512A1 (en) * 2017-09-18 2019-03-21 Mattson Technology, Inc. Cooled Focus Ring for Plasma Processing Apparatus
KR20210039422A (ko) * 2018-07-30 2021-04-09 노드슨 코포레이션 플라즈마로 작업편을 처리하기 위한 시스템
JP2021027152A (ja) * 2019-08-05 2021-02-22 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN112992634B (zh) * 2019-12-12 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备
CN113130279B (zh) * 2019-12-30 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法
US20230170192A1 (en) * 2021-11-29 2023-06-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for realtime wafer potential measurement in a plasma processing chamber

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4465552A (en) * 1983-08-11 1984-08-14 Allied Corporation Method of selectively etching silicon dioxide with SF6 /nitriding component gas
US6219219B1 (en) * 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
US6353210B1 (en) * 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
TWI246873B (en) * 2001-07-10 2006-01-01 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device
US20040025791A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Applied Materials, Inc. Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
CN101303997B (zh) * 2003-04-24 2010-06-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、聚焦环和基座
US8034180B2 (en) * 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8157951B2 (en) * 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US20090274590A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed
US20100018648A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
WO2010019430A2 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
JP5743895B2 (ja) * 2008-10-31 2015-07-01 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ
EP2223704A1 (en) 2009-02-17 2010-09-01 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Treating device for treating a body part of a patient with a non-thermal plasma
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5584517B2 (ja) * 2010-05-12 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570766B (zh) * 2014-07-18 2017-02-11 Plasma processing device and temperature control method thereof
TWI776800B (zh) * 2016-06-07 2022-09-11 美商應用材料股份有限公司 具有射頻耦合的高功率靜電吸盤設計
US11532497B2 (en) 2016-06-07 2022-12-20 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
US11948826B2 (en) 2016-06-07 2024-04-02 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
US11488796B2 (en) 2019-04-24 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Thermal break for high-frequency antennae
TWI803744B (zh) * 2019-04-24 2023-06-01 美商應用材料股份有限公司 用於高頻天線的熱保護器及利用熱保護器的處理工具與高頻發射模組

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Publication number Publication date
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