JP5490119B2 - プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリ - Google Patents
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Description
内部電極部材と温度制御されたアルミニウムバッキング板との間に界面ゲル及び導電性で且つ熱伝導性のガスケットを配されたシリコン製上部シャワーヘッド電極に対するウエハのプラズマ処理実行時における温度試験の非限定的な実施例が提示される。界面ゲルは、内部電極部材の中心近くの2つの同心環状ブリッジゾーン内に配され、導電性で且つ熱伝導性の2つの同心環状ガスケットは、外縁部の近くに配された(実施例1)。内部電極部材の中心近くの2つの同心環状ブリッジゾーンは、約r=1.5インチ(約3.8cm)及び約r=3インチ(約7.6cm)であった。外縁近くの導電性で且つ熱伝導性の2つの同心環状ガスケットは、約r=4.5インチ(約11cm)及び約r=6.25インチ(約16cm)であった。ブラケットフォトレジストウエハに対して酸化物エッチングが実施された。しかしながら、任意の適切なウエハ処理システムにおける使用に対して任意の特定のタイプのウエハ処理装置又はウエハ処理システムが適応されてよく、非限定例として、デポジション、酸化、エッチング(ドライエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング(RIE)、磁気強化型反応性イオンエッチング(MERIE)、電子サイクロトロン共鳴(ECR)を含む)などに適応されたものが挙げられる。プラズマ酸化物エッチング試験は、約2500Wと27MHz、及び約3500Wと2MHzの2つの周波数で底部電極を通して約6kWの総電力を送られて実施された。チャンバ圧力は、約45ミリトールに維持され、プラズマは、約300sccmのAr、18sccmのC4F8、及び19sccmのO2でチャンバに流し込まれたプロセスガスから生成された。上部電極は、約120℃の温度に維持され、下部電極は、約20℃の温度に維持された。プロセス時間は、約5分間であった。導電性で且つ熱伝導性のガスケットは、厚さ0.012インチのBergquist Q-pad IIであった。界面ゲルは、厚さ0.02インチ(約0.51mm)のGeltech Lambda Gel COH-4000であった。実施例1のシリコン製上部シャワーヘッド電極を使用した第1回目のプロセス実行では、上部電極の中心から縁端にかけての最大温度差は9.5℃であり、上部電極の中心から中間にかけての電極温度差は、7.7℃であった。図9は、ブランケットフォトレジストウエハに対するプラズマ酸化物エッチングの第1回目の実行時における、上部電極の中心(約r=1.5インチ(約3.8cm))、上部電極の中間(約r=3インチ(約7.6cm))、及び上部電極の縁端(約r=5インチ(約13cm))の各場所における温度の試験結果を示している。上部電極の平均中心温度は、171.75±0.75℃であった。酸化物エッチング中に測定された、上部電極の平均中間温度は165.30±0.5℃、平均縁端温度は163.50±0.5℃であった。試験中の第2回目の熱サイクル上でウエハ障害が発生し、プロセス実行がやり直しされた。障害サイクルからのデータは、図には示されたが計算には使用されなかった。
[適用例1] プラズマ処理装置内でプラズマを発生させるための複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
上面、底面、及びそれらの間の第1のガス通路を含むバッキング板であって、前記底面は、ブリッジ領域及び非ブリッジ領域を有し、前記第1のガス通路は、前記プラズマ処理装置の内部にプロセスガスを供給するために非ブリッジ領域内に出口を有する、バッキング板と、
上面、プラズマ曝露底面、及びそれらの間に伸びて前記第1のガス通路と流体連通している第2のガス通路を有する電極板であって、前記第2のガス通路は、前記電極板の前記上面の非ブリッジ領域内に入口を有する、電極板と、
前記ブリッジ領域のそれぞれにおいて向き合う面の間に配された界面ゲルであって、前記電極板と前記バッキング板との間に熱接触を確立し、前記電極板と前記バッキング板との熱膨張係数の不一致に起因する温度サイクル中における前記バッキング板に相対的な前記電極板の側方への移動中に前記熱接触を維持する界面ゲルと、
を備え、前記電極板は、前記移動を可能にするように前記バッキング板に結合された
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例2] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルは導電性である複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例3] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記電極板は、前記電極板の外縁に係合して前記電極板を前記バッキング板に弾性的に押し付けるクランプ部材によって前記バッキング板に結合され、前記クランプ部材と前記バッキング板との間には、熱伝導性で且つ導電性のガスケットが配された複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例4] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記電極板は、エラストマ系の接着接合によって前記バッキング板に結合された複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例5] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記バッキング板は、内部バッキング板及び外部バッキングリングを含み、前記外部バッキングリングは、前記内部バッキング板を取り囲み、前記第1のガス通路は、前記内部バッキング板内にあり、随意として前記外部バッキングリング内にあり、
前記電極板は、前記内部バッキング板に結合された内部シャワーヘッド電極、及び前記外部バッキングリングに結合された外部リング電極を含み、前記第2のガス通路は、前記内部シャワーヘッド電極内にあり、随意として前記外部リング電極内にある
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例6] 適用例5に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
(a)前記内部バッキング板及び前記内部シャワーヘッド電極の互いに向き合う面は、互いに平行であり、且つ/又は(b)前記電極板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、グラファイト、若しくはシリコン炭化物であり、前記バッキング板は、アルミニウム、グラファイト、若しくはシリコン炭化物である複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例7] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、更に、
前記電極板表面と前記バッキング板表面との間で少なくとも1つのブリッジ領域内に配された少なくとも1つの熱伝導性で且つ導電性のガスケットを備えた複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例8] 適用例7に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルは、2つの内部ブリッジ領域において、向き合う面の間に第1及び第2の連続的な又は分割されたリングを含み、前記熱伝導性で且つ導電性の少なくとも1つのガスケットは、2つの外部ブリッジ領域において、前記向き合う面の間に第1及び第2の連続的な又は分割されたリングを含む
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例9] 適用例7に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記熱伝導性で且つ導電性のガスケットは、異なる物理特性を有する2枚又は3枚以上の積み重ねられた層を含む複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例10] 適用例7に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルの少なくとも一部分、及び前記ガスケットは、前記電極板表面と前記バッキング板表面との間に0.5〜1W/mKの、1〜5W/mKの、及び/又は5W/mKを超える熱伝導性を有する複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例11] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルは、シリコーンベースの複合材料、低分子量のシロキサン、及び熱伝導性充填剤の一様分布、又はこれらの組み合わせを含む複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例12] 適用例11に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記熱伝導性充填剤は、窒化ホウ素(BN)、酸化アルミニウム(Al 2 O 3 )、シリコン、シリコン炭化物、及びこれらの組み合わせの1つである複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例13] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記バッキング板及び前記電極板の前記向き合う面の間のブリッジ領域の隙間距離は、±25μm(0.001インチ)未満で変動する複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例14] 適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
(a)前記界面ゲルは、シート材料であり、
(b)前記ブリッジ領域は、1〜3の、3〜6の、6〜8の、又は8〜12の、連続的な又は分割された環状ゾーンを含み、
(c)前記ブリッジ領域は、前記電極板及び前記バッキング板の前記向き合う面の表面積の1〜5%、5〜10%、10〜15%、15〜20%、20〜30%、30〜40%、40〜50%、50〜60%、60〜70%、70〜80%、80〜90%、又は90〜95%を含む
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。
[適用例15] プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
電極板の上面に対し、所定のパターンでブリッジ領域内に界面ゲルを付着することであって、前記電極板は、プラズマ曝露底面、及び前記上面と前記底面との間に伸びて非ブリッジ領域内に入口を有する複数のガス通路を有することと、
バッキング板の底面を前記電極板の前記上面に位置合わせすることであって、前記バッキング板は、上面、及び前記上面と前記底面との間に伸びて非ブリッジ領域内に出口を有する複数のガス通路を有することと、
クランプ又は接着接合によって前記電極板の前記上面を前記バッキング板の前記底面に取り付けることであって、前記界面ゲルは、前記電極板の前記上面と前記バッキング板の前記底面との間でブリッジ領域内を側方に広がり、前記バッキング板の前記ガス通路は、前記電極板の前記ガス通路と流体連通することと
を備えた結合方法。
[適用例16] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記電極板の前記上面を前記バッキング板の前記底面に取り付けることは、更に、
ネジ及び/又はクランプリングを使用して前記電極板の外縁をクランプし、前記電極を前記バッキング板に弾性的に押し付けることであって、前記クランプリングは、前記クランプリングと前記バッキング板との間に熱伝導性で且つ導電性のガスケットを、そして前記クランプリングと前記電極との間に誘電体リングを有する、こと、並びに/或いは
エラストマ系の接着接合によって前記電極板を前記バッキング板に接着接合すること、
を含む方法。
[適用例17] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記電極板の前記上面に対して前記界面ゲルを付着することは、複数の連続的な又は分割されたリングの形で前記界面ゲルを塗布することを含む方法。
[適用例18] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記電極板の前記上面に対して前記界面ゲルを付着することは、前記電極板をその中心点を中心に回転させ、ディスペンサによって、前記ディスペンサの出口を、前記回転する電極に、前記中心点に相対的な複数の半径方向位置で接触させて、環状又は半環状のゾーンを堆積させることを含む方法。
[適用例19] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、更に、
位置合わせ固定具内で、前記界面ゲルを間に介在させた状態で前記バッキング板を前記電極板に押し付けることを備える方法。
[適用例20] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
(a)前記取り付けることは、更に、前記電極板の前記上面と前記バッキング板の前記底面を、圧縮下で、静重量下で、又は随意として真空バッグ内で大気圧によって押し合わせることによって、前記ブリッジ領域内に前記界面ゲルを着座させることを含み、
(b)前記電極板は、シリコン、グラファイト、又はシリコン炭化物の板であり、前記バッキング板は、アルミニウム、グラファイト、又はシリコン炭化物の板であり、
(c)前記電極板の前記上面に対して前記界面ゲルを付着することは、転写シートを使用することを含み、
(d)前記バッキング板の前記底面を前記界面ゲルにあてがうことは、前記バッキング板の前記底面をあてがう前に前記界面ゲルから転写シートを剥ぎ取ることを含み、且つ/或いは
(e)前記電極板は、内部シャワーヘッド電極及び外部リング電極を含み、前記バッキング板は、円形内部バッキング板及び外部バッキングリングを含み、前記界面ゲルは、前記内部シャワーヘッド電極と前記内部バッキング板との間及び/又は前記外部リング電極と前記外部バッキング電極との間でブリッジ領域内に配される、方法。
[適用例21] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、更に、
前記電極板の前記上面と前記バッキング板の前記底面との間で少なくとも1つのブリッジ領域内に熱伝導性で且つ導電性のガスケットを付着することを備える方法。
[適用例22] 適用例15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記バッキング板の前記底面を前記電極板の前記上面に位置合わせすることは、更に、位置合わせピン、位置合わせ穴、位置合わせマーク、光センサ、又はこれらの組み合わせを使用することを含み、前記バッキング板及び/又は前記電極板は、前記位置合わせピン、前記位置合わせ穴、及び/又は前記位置合わせマークを含む方法。
[適用例23] プラズマ処理装置内で半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板サポート上に基板を配することと、
適用例1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリによって、前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内の前記シャワーヘッド電極アセンブリと前記基板との間で、前記プロセスガスからプラズマを発生させることと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、
を備える方法。
[適用例24] 適用例23に記載の方法であって、
前記処理することは、前記基板をプラズマエッチングすることを含む方法。
[適用例25] プラズマ処理装置内でプラズマを発生させるための電極板であって、
バッキング板の底面に組み付けられる上面、プラズマ曝露底面、及びそれらの間に伸びるガス通路と、
前記上面上に所定のパターンでブリッジ領域内に配された界面ゲル、及び非ブリッジ領域内に入口を有するガス通路と、
を備える電極板。
[適用例26] 適用例24に記載の電極板であって、更に、
前記界面ゲルを覆う転写シート、及び/又は前記電極板の前記上面上で少なくとも1つのブリッジ領域内に配された熱伝導性で且つ導電性のガスケットを備える電極板。
Claims (26)
- プラズマ処理装置内でプラズマを発生させるための複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
上面、底面、及びそれらの間の第1のガス通路を含むバッキング板であって、前記底面は、ブリッジ領域及び非ブリッジ領域を有し、前記第1のガス通路は、前記プラズマ処理装置の内部にプロセスガスを供給するために非ブリッジ領域内に出口を有する、バッキング板と、
上面、プラズマ曝露底面、及びそれらの間に伸びて前記第1のガス通路と流体連通している第2のガス通路を有する電極板であって、前記第2のガス通路は、前記電極板の前記上面の非ブリッジ領域内に入口を有する、電極板と、
前記ブリッジ領域のそれぞれにおいて向き合う面の間に配された界面ゲルであって、前記電極板と前記バッキング板との間に熱接触を確立し、前記電極板と前記バッキング板との熱膨張係数の不一致に起因する温度サイクル中における前記バッキング板に相対的な前記電極板の側方への移動中に前記熱接触を維持する界面ゲルと、
を備え、前記電極板は、前記移動を可能にするように前記バッキング板に結合された
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルは導電性である複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1または請求項2に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記電極板は、前記電極板の外縁に係合して前記電極板を前記バッキング板に弾性的に押し付けるクランプ部材によって前記バッキング板に結合され、前記クランプ部材と前記バッキング板との間には、熱伝導性で且つ導電性のガスケットが配された複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記電極板は、エラストマ系の接着接合によって前記バッキング板に結合された複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記バッキング板は、内部バッキング板及び外部バッキングリングを含み、前記外部バッキングリングは、前記内部バッキング板を取り囲み、前記第1のガス通路は、前記内部バッキング板内にあり、随意として前記外部バッキングリング内にあり、
前記電極板は、前記内部バッキング板に結合された内部シャワーヘッド電極、及び前記外部バッキングリングに結合された外部リング電極を含み、前記第2のガス通路は、前記内部シャワーヘッド電極内にあり、随意として前記外部リング電極内にある
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項5に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
(a)前記内部バッキング板及び前記内部シャワーヘッド電極の互いに向き合う面は、互いに平行であり、且つ/又は(b)前記電極板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、グラファイト、若しくはシリコン炭化物であり、前記バッキング板は、アルミニウム、グラファイト、若しくはシリコン炭化物である複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、更に、
前記電極板表面と前記バッキング板表面との間で少なくとも1つのブリッジ領域内に配された少なくとも1つの熱伝導性で且つ導電性のガスケットを備えた複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項7に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルは、前記電極板及び前記バッキング板の向き合う面の間に第1及び第2の連続的な又は分割されたリングを含み、前記熱伝導性で且つ導電性の少なくとも1つのガスケットは、前記電極板及び前記バッキング板の前記向き合う面の間に第1及び第2の連続的な又は分割されたリングを含む
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項7に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記熱伝導性で且つ導電性のガスケットは、異なる物理特性を有する2枚又は3枚以上の積み重ねられた層を含む複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項7に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルの少なくとも一部分、及び前記ガスケットは、前記電極板表面と前記バッキング板表面との間に少なくとも0.5W/mKの熱伝導性を有する複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記界面ゲルは、シリコーン、シロキサン、及び熱伝導性充填剤、又はこれらの組み合わせを含む複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項11に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記熱伝導性充填剤は、窒化ホウ素(BN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、シリコン、シリコン炭化物、及びこれらの組み合わせの1つである複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記バッキング板及び前記電極板の前記向き合う面の間のブリッジ領域の隙間距離は、±25μm(0.001インチ)未満で変動する複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリであって、
(a)前記界面ゲルは、シート材料であり、
(b)前記ブリッジ領域は、1〜12の、連続的な又は分割された環状ゾーンを含み、
(c)前記ブリッジ領域は、前記電極板及び前記バッキング板の前記向き合う面の表面積の1〜95%を含む
複合シャワーヘッド電極アセンブリ。 - プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
電極板の上面に対し、所定のパターンでブリッジ領域内に界面ゲルを付着することであって、前記電極板は、プラズマ曝露底面、及び前記上面と前記底面との間に伸びて非ブリッジ領域内に入口を有する複数のガス通路を有することと、
バッキング板の底面を前記電極板の前記上面に位置合わせすることであって、前記バッキング板は、上面、及び前記上面と前記底面との間に伸びて非ブリッジ領域内に出口を有する複数のガス通路を有することと、
クランプ又は接着接合によって前記電極板の前記上面を前記バッキング板の前記底面に取り付けることであって、前記界面ゲルは、前記電極板の前記上面と前記バッキング板の前記底面との間でブリッジ領域内を側方に広がり、前記バッキング板の前記ガス通路は、前記電極板の前記ガス通路と流体連通することと
を備え、
前記界面ゲルは、前記電極板と前記バッキング板との間に熱接触を確立し、前記電極板と前記バッキング板との熱膨張係数の不一致に起因する温度サイクル中における前記バッキング板に相対的な前記電極板の側方への移動中に前記熱接触を維持する
結合方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記電極板の前記上面を前記バッキング板の前記底面に取り付けることは、更に、
ネジ及び/又はクランプリングを使用して前記電極板の外縁をクランプし、前記電極板を前記バッキング板に弾性的に押し付けることであって、前記クランプリングは、前記クランプリングと前記バッキング板との間に熱伝導性で且つ導電性のガスケットを、そして前記クランプリングと前記電極板との間に誘電体リングを有する、こと、並びに/或いは
エラストマ系の接着接合によって前記電極板を前記バッキング板に接着接合すること、
を含む方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記電極板の前記上面に対して前記界面ゲルを付着することは、複数の連続的な又は分割されたリングの形で前記界面ゲルを塗布することを含む方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記電極板の前記上面に対して前記界面ゲルを付着することは、前記電極板をその中心点を中心に回転させ、ディスペンサによって、前記ディスペンサの出口を、前記回転する電極に、前記中心点に相対的な複数の半径方向位置で接触させて、環状又は半環状のゾーンを堆積させることを含む方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、更に、
位置合わせ固定具内で、前記界面ゲルを間に介在させた状態で前記バッキング板を前記電極板に押し付けることを備える方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
(a)前記取り付けることは、更に、前記電極板の前記上面と前記バッキング板の前記底面を、圧縮下で、静重量下で、又は随意として真空バッグ内で大気圧によって押し合わせることによって、前記ブリッジ領域内に前記界面ゲルを着座させることを含み、
(b)前記電極板は、シリコン、グラファイト、又はシリコン炭化物の板であり、前記バッキング板は、アルミニウム、グラファイト、又はシリコン炭化物の板であり、
(c)前記電極板の前記上面に対して前記界面ゲルを付着することは、転写シートを使用することを含み、
(d)前記バッキング板の前記底面を前記界面ゲルにあてがうことは、前記バッキング板の前記底面をあてがう前に前記界面ゲルから転写シートを剥ぎ取ることを含み、且つ/或いは
(e)前記電極板は、内部シャワーヘッド電極及び外部リング電極を含み、前記バッキング板は、円形内部バッキング板及び外部バッキングリングを含み、前記界面ゲルは、前記内部シャワーヘッド電極と前記内部バッキング板との間及び/又は前記外部リング電極と前記外部バッキング電極との間でブリッジ領域内に配される、方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、更に、
前記電極板の前記上面と前記バッキング板の前記底面との間で少なくとも1つのブリッジ領域内に熱伝導性で且つ導電性のガスケットを付着することを備える方法。 - 請求項15に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリのためのコンポーネントを結合する方法であって、
前記バッキング板の前記底面を前記電極板の前記上面に位置合わせすることは、更に、位置合わせピン、位置合わせ穴、位置合わせマーク、光センサ、又はこれらの組み合わせを使用することを含み、前記バッキング板及び/又は前記電極板は、前記位置合わせピン、前記位置合わせ穴、及び/又は前記位置合わせマークを含む方法。 - プラズマ処理装置内で半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板サポート上に基板を配することと、
請求項1に記載の複合シャワーヘッド電極アセンブリによって、前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内の前記シャワーヘッド電極アセンブリと前記基板との間で、前記プロセスガスからプラズマを発生させることと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、
を備える方法。 - 請求項23に記載の方法であって、
前記処理することは、前記基板をプラズマエッチングすることを含む方法。 - プラズマ処理装置内でプラズマを発生させるための電極板であって、
該電極板の上面は、ブリッジ領域と非ブリッジ領域とを備え、バッキング板の底面、プラズマ曝露底面、及びそれらの間に伸び前記非ブリッジ領域に入口を備えるガス通路に組み付けられ、
前記上面上には、所定のパターンで前記ブリッジ領域内に界面ゲルが配され、該界面ゲルは、前記電極板と前記バッキング板との間に熱接触を確立し、前記電極板と前記バッキング板との熱膨張係数の不一致に起因する温度サイクル中における前記バッキング板に相対的な前記電極板の側方への移動中に前記熱接触を維持する
電極板。 - 請求項25に記載の電極板であって、更に、
前記界面ゲルを覆う転写シート、及び/又は前記電極板の前記上面上で少なくとも1つのブリッジ領域内に配された熱伝導性で且つ導電性のガスケットを備える電極板。
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US7645341B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
US8216418B2 (en) * | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
US8187414B2 (en) | 2007-10-12 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers |
US8673080B2 (en) | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
MY166000A (en) * | 2007-12-19 | 2018-05-21 | Lam Res Corp | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
KR101553423B1 (ko) | 2007-12-19 | 2015-09-15 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 진공 프로세싱 장치용 필름 점착제 |
US8187413B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket |
US8161906B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8147648B2 (en) | 2008-08-15 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US20100140222A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Sun Jennifer Y | Filled polymer composition for etch chamber component |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8402918B2 (en) * | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
US8272346B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
KR101110080B1 (ko) * | 2009-07-08 | 2012-03-13 | 주식회사 유진테크 | 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법 |
CN105088191B (zh) * | 2009-07-15 | 2018-07-13 | 应用材料公司 | Cvd 腔室的流体控制特征结构 |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20110120651A1 (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with improved impact protection |
US9034142B2 (en) * | 2009-12-18 | 2015-05-19 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead for high temperature operations |
US8845806B2 (en) * | 2010-10-22 | 2014-09-30 | Asm Japan K.K. | Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions |
SG192967A1 (en) | 2011-03-04 | 2013-09-30 | Novellus Systems Inc | Hybrid ceramic showerhead |
JP5762798B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 天井電極板及び基板処理載置 |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9058960B2 (en) * | 2012-05-09 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | Compression member for use in showerhead electrode assembly |
US9840778B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same |
JP2013254901A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Toshiba Corp | シール材およびエッチング装置 |
US9447499B2 (en) | 2012-06-22 | 2016-09-20 | Novellus Systems, Inc. | Dual plenum, axi-symmetric showerhead with edge-to-center gas delivery |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US10316409B2 (en) | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US9610591B2 (en) * | 2013-01-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable gas distribution plate |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US8883029B2 (en) * | 2013-02-13 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Method of making a gas distribution member for a plasma processing chamber |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US10808317B2 (en) * | 2013-07-03 | 2020-10-20 | Lam Research Corporation | Deposition apparatus including an isothermal processing zone |
US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
GB201315341D0 (en) * | 2013-08-29 | 2013-10-09 | Airbus Operations Ltd | An aircraft structure and method of manufacture |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10075992B2 (en) * | 2014-02-27 | 2018-09-11 | Intel IP Corporation | Techniques to enable Wi-Fi direct services application service platform capability negotiation |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
CN104952678A (zh) * | 2014-03-28 | 2015-09-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于等离子体处理的电极组件及其制造方法 |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10741365B2 (en) | 2014-05-05 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with porous baffle |
US9911579B2 (en) * | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10378107B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
KR102481432B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 커버 플레이트 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US10062548B2 (en) * | 2015-08-31 | 2018-08-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Gas injection system for ion beam device |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
CN108140550B (zh) * | 2015-10-08 | 2022-10-14 | 应用材料公司 | 具有减少的背侧等离子体点火的喷淋头 |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10373810B2 (en) * | 2016-02-21 | 2019-08-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having an extended detachable gas distribution plate |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
CN109075059B (zh) * | 2016-06-15 | 2023-12-01 | 应用材料公司 | 用于高功率等离子体蚀刻处理的气体分配板组件 |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10266947B2 (en) * | 2016-08-23 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Rotary friction welded blank for PECVD heated showerhead |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10141161B2 (en) | 2016-09-12 | 2018-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Angle control for radicals and reactive neutral ion beams |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10851457B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-12-01 | Lam Research Corporation | PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10964514B2 (en) * | 2017-10-17 | 2021-03-30 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processing chamber |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
KR20200087267A (ko) | 2017-12-08 | 2020-07-20 | 램 리써치 코포레이션 | 리모트 플라즈마 막 증착을 인에이블하도록 다운스트림 챔버로 라디칼 및 전구체 가스를 전달하기 위해 개선된 홀 패턴을 갖는 통합된 샤워헤드 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
KR102560283B1 (ko) * | 2018-01-24 | 2023-07-26 | 삼성전자주식회사 | 샤워 헤드를 설계하고 제조하는 장치 및 방법 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10957572B2 (en) * | 2018-05-02 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gasket for substrate support assembly |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
TWI728456B (zh) | 2018-09-11 | 2021-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 相對於基板的薄膜沉積方法 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
WO2020086173A2 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-30 | Applied Materials, Inc. | Heat conductive spacer for plasma processing chamber |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
CN111383880B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理器的安装结构及相应的等离子体处理器 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524775B (zh) * | 2019-02-01 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子处理器以及用于等离子处理器的上电极组件 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR102198929B1 (ko) | 2019-02-28 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
KR102697639B1 (ko) | 2019-08-16 | 2024-08-22 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 내에서 차동 보우를 보상하기 위한 공간적으로 튜닝 가능한 증착 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112837985B (zh) * | 2019-11-22 | 2023-01-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 上电极组件以及等离子体处理设备 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
US20210287881A1 (en) * | 2020-03-12 | 2021-09-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for tuning semiconductor processes |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
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TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
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USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
US20220118407A1 (en) * | 2020-10-19 | 2022-04-21 | Wyatt Technology Corporation | Electrical field flow fractionator |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
JP2023015765A (ja) | 2021-07-20 | 2023-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置で使用する上部電極アセンブリ、上部電極アセンブリの製造方法、及び、上部電極アセンブリの再生方法 |
TWI827971B (zh) * | 2021-09-01 | 2024-01-01 | 建佳科技股份有限公司 | 用於半導體製程的烘烤夾具及其應用設備 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
KR20230140126A (ko) | 2022-03-29 | 2023-10-06 | 주식회사 에스엠티 | 겔 가스킷용 필름 및 이를 구비한 포장 박스 |
WO2024118869A1 (en) * | 2022-12-01 | 2024-06-06 | Vulcanforms Inc. | Electrostatic recoater |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06333878A (ja) | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Anelva Corp | プラズマエッチング装置 |
US5569356A (en) | 1995-05-19 | 1996-10-29 | Lam Research Corporation | Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof |
US6073577A (en) | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
KR100635975B1 (ko) | 2000-02-14 | 2006-10-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재 |
US6753498B2 (en) | 2000-07-20 | 2004-06-22 | Tokyo Electron Limited | Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system |
US6412437B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process |
US20020127853A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-12 | Hubacek Jerome S. | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
JP4583618B2 (ja) | 2001-01-30 | 2010-11-17 | 日本高周波株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4402860B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-01-20 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
FR2827019B1 (fr) * | 2001-07-06 | 2003-09-26 | Defontaine Sa | Dispositf de graissage automatique de roulements a billes equipant notamment des eoliennes |
US6786175B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-09-07 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor |
US6827815B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
JP3868341B2 (ja) | 2002-04-22 | 2007-01-17 | 日清紡績株式会社 | 耐熱性に優れたプラズマエッチング電極及びそれを装着したドライエッチング装置 |
EP1512164B1 (en) * | 2002-05-23 | 2016-01-06 | Lam Research Corporation | Multi-part electrode for a semiconductor processing plasma reactor and method of replacing a portion of a mutli-part electrode |
JP2005019606A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置におけるガスシャワーヘッドまたはターゲットプレートを電極に固定する装置 |
TWI488236B (zh) * | 2003-09-05 | 2015-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Focusing ring and plasma processing device |
US7677480B2 (en) * | 2003-09-29 | 2010-03-16 | Bowles Fluidics Corporation | Enclosures for fluidic oscillators |
US7645341B2 (en) | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
US8317968B2 (en) | 2004-04-30 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing |
US20060051517A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Eastman Kodak Company | Thermally controlled fluidic self-assembly method and support |
JP2006287162A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nisshinbo Ind Inc | 複合型電極板、それの使用方法及びそれを装着したプラズマエッチング装置 |
US8679252B2 (en) | 2005-09-23 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof |
JP2008016727A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 伝熱構造体及び基板処理装置 |
US7718029B2 (en) * | 2006-08-01 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Self-passivating plasma resistant material for joining chamber components |
US7854820B2 (en) * | 2006-10-16 | 2010-12-21 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
US8702866B2 (en) * | 2006-12-18 | 2014-04-22 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly with gas flow modification for extended electrode life |
US7862682B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
US8216418B2 (en) * | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
MY166000A (en) | 2007-12-19 | 2018-05-21 | Lam Res Corp | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
KR101553423B1 (ko) | 2007-12-19 | 2015-09-15 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 진공 프로세싱 장치용 필름 점착제 |
US8187413B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket |
US8679288B2 (en) | 2008-06-09 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
US8206506B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8221582B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
US8147648B2 (en) | 2008-08-15 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
US8449679B2 (en) | 2008-08-15 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly |
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