TWI570940B - 半導體裝置和其製造方法 - Google Patents

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TWI570940B
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坂倉真之
山崎舜平
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半導體能源研究所股份有限公司
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    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Description

半導體裝置和其製造方法
本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法，此半導體裝置具有包括薄膜電晶體(也稱為TFT)的電路。例如，本發明係關於以電光裝置作為其一部分的電子裝置，這些電光裝置典型為液晶顯示板或具有有機發光元件或無機發光元件的發光顯示裝置。
注意，本說明書中的半導體裝置意味著能夠以半導體電特性而工作的一般裝置，包括諸如電光裝置、半導體電路、以及電子裝置之類的所有類型的裝置。
近年來，利用形成在具有絕緣表面的基板上的半導體薄膜(厚度約為幾奈米到幾百奈米)來製造薄膜電晶體(TFT)的技術，已經受到了注意。這種薄膜電晶體被廣泛地應用於諸如IC或電光裝置之類的電子裝置，尤其是被迅速開發成了用於影像顯示裝置的開關元件。
採用有機化合物作為發光體並以其厚度薄、重量輕、反應快、以及直流低電壓驅動為特徵的發光元件，有望被應用於下一代平板顯示器。在這些顯示裝置中，發光元件 排列成矩陣的顯示裝置具有廣闊的視角和優異的可見度。
在薄膜電晶體在具有絕緣表面的基板上被排列成矩陣的發光顯示裝置中，由於基板表面上的佈線或電極而形成凹凸部分。當用塗敷方法在其上形成絕緣膜時，難以具有均勻的厚度。此外，由於用塗敷方法成膜過程中的離心力，故凸部上的膜厚度變薄。存在的問題是絕緣膜厚度薄的凸部的抗壓性下降。
當為了提高絕緣膜抗壓性而簡單地使膜厚增大時，整個絕緣膜的應力增大。於是存在絕緣膜剝離或基板翹曲的危險。
此外，薄膜電晶體被排列在矩陣中的發光顯示裝置具有參考文獻1所述的結構，具體地說是一種絕緣膜被提供在相鄰圖素之間的結構(參考文獻1：日本專利申請公開No.2002-164181)。
提供在相鄰圖素之間的絕緣膜被稱為堤壩、隔板、屏障、堤防等，並被提供在薄膜電晶體的源極佈線或汲極佈線或電源線上方。具體地說，在提供於不同層中的這些佈線的交叉部分處，形成了比其他部分更大的步階。
即使在用塗敷方法形成相鄰圖素之間的絕緣膜的情況下，也由於這種步階而存在著局部形成薄的部分從而降低抗壓性的問題。
考慮到上述問題而提出了本發明。本發明的目的是實 現一種具有高絕緣性或高抗壓性的高可靠的發光裝置。
在本發明中，虛擬材料被安置在大步階部分附近，確切地說是各佈線的交叉部分周圍，以便減小形成在其上的絕緣膜的不均勻性(凹凸部分)。
當上部佈線的端部和下部佈線的下部被對準時，容易產生局部的薄部分。於是，本發明的一個特點是以不對準的方式來安置上部佈線和下部佈線，以便不使這些端部對準。而且，本發明的一個特點是將上部佈線和下部佈線安置成上部佈線的線寬大於下部部分的線寬，以便上部佈線和下部佈線的端部不對準。
確切地說，當上部佈線和下部佈線被平行安置時，從頂部看，上部佈線的側面和下部佈線的側面較佳的為不對準。
此外，在形成下部佈線的過程中，下部佈線較佳的被形成為具有錐形剖面，並較佳的進行蝕刻來使佈線寬度更小。換言之，下部佈線被形成為具有錐形剖面，並進行蝕刻來使佈線寬度更小。於是，即使當上部佈線和下部佈線的端部在掩模設計中被對準，在下部佈線和上部佈線的形成過程中實際上也能夠將上部佈線和下部佈線形成為其端部不對準。
在(常溫下的)塗敷中，黏度為10-60cp(centipoise釐泊)的絕緣材料溶液被塗敷和乾燥，以便得到即使在步階部分處也具有均勻厚度的絕緣膜。
利用本發明，能夠大幅度改善將絕緣膜夾在中間的二 個佈線層(上部佈線和下部佈線)之間的絕緣性和抗壓性。
上述方法不僅是設計的問題，而且是本發明人的發明，已經製造了發光裝置，用此裝置顯示了影像，並對其進行了充分的研究。
本發明的結構是一種半導體裝置，它包含：絕緣表面上的第一佈線、第二佈線、金屬層；覆蓋第一佈線、第二佈線、金屬層的第一絕緣層；第一絕緣層上的電極，其中的電極與第二佈線相接觸；以及覆蓋電極、第一絕緣層、第一佈線、第二佈線、金屬層的第二絕緣層，其中，第一佈線、第二佈線、金屬層由相同的材料組成，且其中，電極被提供在金屬層與第一佈線之間。
而且，本發明的結構是一種半導體裝置，它包含：絕緣表面上的第一佈線和第二佈線；覆蓋第一佈線和第二佈線的第一絕緣層；第一絕緣層上的第一電極、第二電極、金屬層，其中的金屬層處於電浮置狀態；覆蓋第一絕緣層、第一電極、金屬層、第一佈線、第二佈線的第二絕緣層；第二電極上的發光層；發光層上的第三電極，其中，第二佈線的材料與第一佈線的材料相同，且金屬層由相同於第一電極的材料組成，且其中，第一電極被提供在金屬層與第一佈線之間。
上述結構的一個特點在於，第二電極、第三電極、以及發光層重疊的部分組成了發光元件。
發光元件包括一個藉由施加電場而呈現電致發光的包 含有機化合物的層(以下稱為EL層)、一個陽極、以及一個陰極。來自有機化合物的發光包括從單重激發態返回到基態時產生的發光(熒光)以及從三重激發態返回到基態時產生的發光(磷光)。本發明能夠被應用於採用任何一種發光的情況。
上述結構的一個特點在於第二絕緣層是覆蓋第二電極附近部分的隔板。
上述結構的一個特點在於金屬層是電浮置的電極。
而且，上述結構的一個特點在於半導體裝置具有以第一佈線作為閘極電極的第一薄膜電晶體以及以第二佈線作為閘極電極的第二薄膜電晶體。
而且，非晶半導體膜、包括結晶結構的半導體膜、包括非晶結構的化合物半導體膜等能夠被適當地當成薄膜電晶體(也稱為TFT)的通道形成區。而且，半非晶半導體膜(也稱為微晶半導體膜)也能夠被當成TFT的通道形成區。半非晶半導體膜具有非晶結構與晶體結構(也包括單晶結構和多晶結構)之間的中間結構以及就自由能而言穩定的第三條件，並包括具有晶格畸變短程有序的結晶區。
此外，上述結構的一個特點在於第二絕緣層包含溶劑並藉由用塗敷方法塗敷黏度為10cp或以上和60cp或以下的材料的溶液來形成。
在本發明的半導體裝置中，可以提供保護電路(諸如保護二極體)來防止受到靜電放電的損傷。
而且，在本發明的半導體裝置中，在其中發光元件被排列成矩陣的發光裝置的情況下，用來驅動發光裝置的螢幕顯示的方法不受特殊的限制，例如可以採用逐點驅動方法、逐行驅動方法、逐幀驅動方法等。典型地採用逐行驅動方法，並可以適當地採用分時灰度驅動方法或區域灰度驅動方法。此外，待要輸入到發光裝置源線中的視頻訊號可以是類比訊號或數位訊號，並可以根據視頻訊號來適當地設計驅動電路等。
而且，採用數位視頻訊號的發光裝置被分類成其中視頻訊號在恆定電壓(CV)下被輸入到圖素中的類型以及其中視頻訊號在恆定電流(CC)下被輸入到圖素中的類型。其中視頻訊號在恆定電壓(CV)下被輸入到圖素中的發光裝置被進一步分類成其中訊號在恆定電壓下被輸入到發光元件的類型(CVCV)以及其中訊號在恆定電流下被輸入到發光元件的類型(CVCC)。其中視頻訊號在恆定電流(CC)下被輸入到圖素中的發光裝置被分類成其中恆定電壓被施加到發光元件作為訊號的類型(CCCV)以及其中恆定電流被施加到發光元件作為訊號的類型(CCCC)。
利用本發明，在由塗敷方法所形成的絕緣膜被用於膜之間的情況下，有效地防止了提供在不同層中的佈線之間的短路。因此，能夠改善半導體裝置製造技術的成品率。而且，還能夠提高製造的半導體裝置的可靠性。
10‧‧‧玻璃基板
11‧‧‧第一絕緣層
12‧‧‧第一佈線
13‧‧‧第二佈線
14‧‧‧金屬層
15‧‧‧第二絕緣層
16‧‧‧第三絕緣層
17a‧‧‧鈦層
17b‧‧‧鋁層
18‧‧‧第四絕緣層
72‧‧‧發光層
73‧‧‧第三電極
19‧‧‧第一半導體層
77‧‧‧第二半導體層
78‧‧‧電源線
76‧‧‧連接電極
71‧‧‧第二電極
75‧‧‧源極佈線
74‧‧‧附近
21‧‧‧閘極金屬層
22‧‧‧第一絕緣層
23a‧‧‧第一鈦膜
23b‧‧‧鋁膜
23c‧‧‧第二鈦膜
24‧‧‧第二絕緣層
20‧‧‧玻璃基底
25‧‧‧上電極
61‧‧‧閘極金屬層
62‧‧‧第一絕緣層
63a‧‧‧第一鈦層
63b‧‧‧鋁層
63c‧‧‧第二鈦膜
64‧‧‧第二絕緣層
60‧‧‧玻璃基板
41、42‧‧‧第一佈線
31、32‧‧‧第二佈線
33、34‧‧‧電極
50‧‧‧第一電極層
51、52‧‧‧薄膜電晶體
53‧‧‧閘極佈線層
54‧‧‧源或汲極佈線層
55‧‧‧電源線
56a、56b、56c、56d‧‧‧導電層
58‧‧‧源或汲極電極層
57‧‧‧導電層
59‧‧‧附近
610‧‧‧基板
611‧‧‧底絕緣膜
612‧‧‧半導體層
613‧‧‧絕緣膜
616‧‧‧抗蝕劑掩模
614a‧‧‧第一導電層
614b‧‧‧第二導電層
615a‧‧‧第一導電層
615b‧‧‧第二導電層
614c‧‧‧第三導電層
615c‧‧‧第三導電層
617‧‧‧鎢
618‧‧‧第一雜質區
619‧‧‧掩模
620a‧‧‧第二雜質區
620b‧‧‧第三雜質區
621‧‧‧掩模
622‧‧‧第四雜質區
640a‧‧‧絕緣膜
640b‧‧‧無機絕緣膜
641-647‧‧‧電極
636‧‧‧頂閘極型TFT
637‧‧‧頂閘極型TFT
638‧‧‧頂閘極型TFT
639‧‧‧TFT
623‧‧‧第一電極
624‧‧‧有機化合物
625‧‧‧第二電極
626‧‧‧保護層
633‧‧‧密封基板
628‧‧‧密封劑
627‧‧‧填充劑
632‧‧‧FPC
631‧‧‧各向異性導電膜
629‧‧‧絕緣體
1209‧‧‧FPC
1208‧‧‧端部份
1202‧‧‧圖素部份
1203‧‧‧閘極側驅動電路
1201‧‧‧源極側驅動電路
1210‧‧‧基板
1207‧‧‧連接區
1204‧‧‧密封基板
1205‧‧‧密封劑
1301‧‧‧驅動器IC
1310‧‧‧基板
1309‧‧‧FPC
1308‧‧‧端部份
1307‧‧‧連接區
1302‧‧‧圖素部份
1305‧‧‧密封劑
1304‧‧‧密封基板
2101‧‧‧主體
2102‧‧‧顯示部份
2104‧‧‧操作鍵
2106‧‧‧快門
2201‧‧‧主體
2202‧‧‧機殼
2203‧‧‧顯示部份
2204‧‧‧鍵盤
2205‧‧‧外部連接埠
2206‧‧‧滑鼠
2401‧‧‧主體
2402‧‧‧機殼
2403‧‧‧顯示部份A
2404‧‧‧顯示部份B
2405‧‧‧記錄媒體讀出部份
2406‧‧‧操作鍵
2407‧‧‧揚聲器部份
1901‧‧‧機殼
1902‧‧‧支座
1903‧‧‧顯示部份
1904‧‧‧揚聲器部份
1905‧‧‧視頻輸入端
901‧‧‧主體(A)
904‧‧‧操作開關
905‧‧‧微音器
910‧‧‧鉸鏈
902‧‧‧主體(B)
908‧‧‧顯示板(A)
909‧‧‧顯示板(B)
903‧‧‧機殼
907‧‧‧電路板
900‧‧‧行動電話
圖1A和1B是俯視圖和剖面圖，顯示發光裝置的圖素部分(實施例模式1)；圖2A和2B是照片和示意圖，顯示佈線周圍的剖面(實施例模式2)；圖3是俯視圖，顯示作為例子的圖素佈局(實施例模式2)；圖4A和4B是俯視圖和剖面圖，顯示作為例子的圖素佈局(實施例模式3)；圖5A-5C顯示發光裝置的各製造步驟(實施例模式4)；圖6A-6D顯示發光裝置的各製造步驟(實施例模式4)；圖7顯示發光裝置的一個製造步驟(實施例模式4)；圖8A和8B各顯示主動矩陣型EL顯示裝置的結構(實施例模式5)；圖9A-9D各顯示電子裝置的一個例子(實施例模式6)；圖10顯示電子裝置的一個例子(實施例模式6)；圖11A和11B顯示一個比較例；和圖12A和12B是俯視圖和剖面圖，顯示發光裝置的圖素部分(實施例模式1)。
以下說明本發明的各個實施例模式。本發明不局限於下列說明，本技術領域的熟練人員容易理解的是，能夠以各種方式修正此處所公開的各種模式和細節而不偏離本發明的構思與範圍。應該指出的是，不應該將本發明解釋為局限於下面提出的各個實施例模式的說明。
[實施例模式1]
參照圖1A和1B，實施例模式1描述了一個例子，其中，藉由提供虛擬材料，防止了出現待要形成在虛擬材料上的絕緣膜的局部薄部分。
圖1A是俯視圖，顯示發光裝置的圖素部分，而圖1B是沿虛線A-B的剖面圖。
下面來描述用來得到圖1A和1B所示結構的步驟。
第一絕緣層11被形成在具有絕緣表面的玻璃基板10上，並在其上形成第一佈線12、第二佈線13、以及金屬層14。金屬層14也可以是導電層。金屬層14當成虛擬材料，並可以是處於電浮置狀態的電極亦即浮置電極。此外，第一絕緣層還當成薄膜電晶體的閘極絕緣膜。薄膜電晶體的閘極電極在與形成第一佈線12、第二佈線13、以及金屬層14相同的步驟中被形成。
第二絕緣層15和第三絕緣層16被層疊以覆蓋這些佈線和金屬層。
利用掩模對第二絕緣層15和第三絕緣層16進行選擇 性蝕刻，以便形成接觸孔以達及第二佈線13。
然後，形成有金屬材料組成的第一電極。此處，第一電極具有其中層疊鈦層17a和鋁層17b的結構。此外，在與第一電極相同的步驟中形成薄膜電晶體的源極電極或汲極電極。
第二電極被形成在第三絕緣層16上。第二電極被電連接到薄膜電晶體的源極電極或汲極電極。
然後，用塗敷方法，利用包括溶劑的絕緣材料來形成第四絕緣層18。在此階段中，能夠得到圖1A和1B所示的狀態。
要指出的是，圖1B顯示還未完成的發光裝置。至少包括有機化合物和無機化合物之一的發光層72以及第三電極73被層疊在第四絕緣層18上。形成第三電極73之後的剖面圖被示於圖12B。此發光元件包括第二電極71、至少包括有機化合物和無機化合物之一的發光層72、以及第三電極73。特別要指出，在鋁層17b的上端部與第三電極73之間存在短路的危險。在本實施例模式中，藉由形成當成虛擬材料的金屬層14，防止了第四絕緣層被局部地減薄。而且，圖12A是俯視圖，顯示比圖1A更廣闊的圖素區。源極佈線75被電連接到以第一半導體層19作為主動層的薄膜電晶體。第一半導體層19藉由接觸孔被電連接到第一電極，且第一電極藉由接觸孔被電連接到第二佈線13。而且，第二佈線13當成閘極電極，此閘極電極藉由第二絕緣層15而重疊第二半導體層77。第二半 導體層77被電連接到電源線78和連接電極76，且連接電極76被電連接到第二電極71。同時，連接電極76、源極佈線75、以及電源線78由相同於第一電極的材料組成。第四絕緣膜18當成覆蓋第二電極71端部的隔板，且第四絕緣層18的附近在圖12A中由參考號74示出。如圖12A所示，藉由在重疊第二佈線13的第一電極與第四絕緣膜18附近74之間提供金屬層14，本發明防止了第四絕緣層18的膜厚被局部地減薄。
此外，第一佈線12還具有減小第四絕緣層18凹凸部分的功能。在實施例模式1中，藉由以某種間距安置第一佈線12和金屬層14，使之環繞第一電極，減小了第四絕緣層18的不平坦性。
金屬層14的頂部形狀採用L形；但對形狀沒有特殊的限制，也可以採用多個矩形形狀。
[實施例模式2]
參照圖2A、2B、3，實施例模式2描述了一個例子，其中，上部佈線的端部和下部佈線的端部不對準。
實際上，發光裝置被製造成具有一種佈局，其中，上部佈線的端部和下部佈線的端部的位置不同，圖2A顯示其部分剖面的照片。圖2B顯示對應於圖2A的示意圖。
在圖2B中，閘極金屬層21、第一絕緣層22、第一鈦膜23a、鋁膜23b、第二鈦膜23c、以及第二絕緣層24，被提供在玻璃基板20上。構成發光元件各部分的包括有 機化合物的層和上電極25，被形成在第二絕緣層24上。要指出的是圖2B中未示出發光元件的下電極。
此外，作為比較例，發光元件被形成為具有一種佈局，其中，上部佈線的端部和下部佈線的端部被對準，且其部分剖面被示於圖11A。圖11B是對應於圖11A的示意圖。在圖11B中，閘極金屬層61、第一絕緣層62、第一鈦膜63a、鋁膜63b、第二鈦膜63c、以及第二絕緣層64，被提供在玻璃基板60上。包括構成發光元件的有機化合物和上電極65的層被形成在第二絕緣層64上。圖11B中未示出發光元件的下電極。如圖11A所示，當上部佈線(63a-63c)的端部和下部佈線(閘極金屬層61)的端部被對準時，第二佈線層64的厚度在上部佈線的上端部中變小。最小的厚度約為0.1微米。在其中不形成上部佈線的區域內第二佈線層64的厚度約為1微米。因此，第二佈線層64在各部分中的厚度是不同的，最大厚度是最小厚度的10倍。
另一方面，如圖2A所示，在上部佈線(23a-23c)的端部和下部佈線(閘極金屬層21)的端部的位置彼此不同的情況下，能夠增大上部佈線的上端部與閘極電極25之間的距離。在其中不形成上部佈線的區域內，第二絕緣層24的厚度等於第二絕緣層64的厚度，約為1微米；但第二絕緣層24的最小厚度可以約為0.2微米或以上。
此外，圖素佈局的例子被示於圖3。
在圖3中，半導體層(圖3中虛線所環繞的區域)被 形成在絕緣表面上，閘極絕緣膜被形成在其上，且第一佈線41和42被同時形成在其上。一個中間層絕緣膜或二個絕緣膜被形成在第一佈線層上，且第二佈線31和32以及電極33和34被同時形成在中間層絕緣膜上。要指出的是，電極33是用來連接二個TFT的連接電極。電極34被連接到發光元件的陰極和陽極之一。
在圖3中，可見二個佈線的交叉部分亦即重疊部分。這些佈線被排列成各佈線的端部亦即各佈線的側面彼此不對準。具體地說，與第二佈線32相比，第一佈線層41和42的佈線寬度較小，且各佈線被排列成第二佈線32的側面和第一佈線41的側面不對準，且第二佈線32的側面和第一佈線42的側面不對準。
利用圖3所示的佈線佈局，當用塗敷方法將絕緣膜形成在這些佈線上時，有可能防止絕緣膜被局部地減薄。因此，藉由對絕緣膜進行圖形化而得到的絕緣體(提供在相鄰發光元件之間的隔板)能夠防止各電極之間的短路。
此外，本實施例模式能夠與實施例模式1自由組合。
[實施例模式3]
參照圖4A和4B，實施例模式3描述了一種圖素結構，其中組合了實施例模式1和實施例模式2。
包括在顯示裝置圖素區中的一個圖素的俯視圖被示於圖4A。在圖4A中，圖素包括薄膜電晶體51、薄膜電晶體52、第一電極層50、閘極佈線層53、源或汲極佈線層 54、電源線55、以及導電層56a、56b、56c、56d。薄膜電晶體52的源或汲極電極層58藉由導電層57被電連接到第一電極50。用相同於閘極佈線層53的材料和步驟來形成導電層57。
用相同於源或汲極佈線層54和電源線55的材料和步驟來形成導電層56a、56b、56c、56d，並被提供來減小由於各佈線的層疊而引起的膜厚巨大變化。導電層56a、56b、56c、56d被電絕緣於其他佈線。在其中閘極佈線層53與源或汲極佈線層54或電源線55交叉的區域內，各佈線層被層疊，從而大幅度增大了膜厚。但藉由將導電層56a、56b、56c、56d置於交叉部分周圍，增大了其上形成的當成隔板的絕緣層的覆蓋，從而能夠防止膜厚不均勻性所引起的缺陷形成。部分導電層56a覆蓋著閘極佈線層53。為了防止寄生電容增大，導電層56b、56c、56d以彼此一定間距覆蓋著閘極佈線層53。而且，形成當成隔板的絕緣膜，以便覆蓋第一電極層50的端部，當成隔板的絕緣膜附近在圖4A中用參考號59示出。圖4B顯示沿圖4A中A-B線的剖面圖。如圖4B所示，導電層56a被提供在當成隔板的絕緣膜附近59與薄膜電晶體51或52的閘極電極之間。
此外，藉由將各佈線安置成用相同材料在相同步驟中所形成的導電層的側面與閘極佈線層的側面不對準，有可能防止當成隔板的絕緣膜的厚度被局部地減薄。
因此，產率得到了提高，並能夠以良好的成品率來製 造可靠性高的顯示裝置。
[實施例模式4]
參照圖5A-5C、6A-6D、7，實施例模式4描述了主動矩陣發光裝置的製造方法。
底絕緣膜611被形成在基板610上。當在基板610側上抽出光以顯示影像時，發光玻璃基板或石英基板可以被當成基板610。此外，可以採用能夠承受技術溫度的透光塑膠基板。此外，當在與基板610相對的面上抽出光以顯示影像時，除了上述基板之外，還可以採用其表面各提供有絕緣膜的矽基板，金屬基板或不銹鋼基板。此處，玻璃基板被當成基板610。要指出的是，玻璃基板的折射率約為1.55。
由諸如氧化矽膜、氮化矽膜、或氮氧化矽膜之類的絕緣膜形成的基板膜，被形成作為底絕緣膜611。此處顯示採用單層結構用於基板膜的例子；但也可以採用其中層疊上述二個或多個絕緣膜的結構。此外，若基板的不均勻性或雜質從基板的擴散不引起問題，則形成或不形成基板膜就無關緊要。
然後，半導體層612被形成在底絕緣膜上。用下列方法來形成半導體層612：用已知的方法(例如濺射方法、LPCVD方法、或電漿CVD方法)來形成具有非晶結構的半導體膜，並用已知的晶化方法(例如雷射晶化方法、熱晶化方法、或採用鎳之類的催化劑的熱晶化方法)進行晶 化，以便得到結晶的半導體膜。用第一光掩模將結晶的半導體膜圖形化成所需的形狀，以便得到半導體層612。應該指出的是，若採用電漿CVD方法，則可以相繼層疊底絕緣膜和具有非晶結構的半導體膜，而不暴露於空氣。半導體膜被形成為具有25-80nm(較佳的為30-70nm)的厚度。對結晶半導體膜的材料沒有特殊的限制；但較佳的可以採用矽、矽鍺(SiGe)合金等。
此外，連續波雷射器可以被用於具有非晶結構的半導體膜的晶化處理。當對非晶半導體膜進行晶化時，較佳的用能夠連續振蕩的固體雷射器來施加基波的二次到四次諧波，以便得到具有大晶粒直徑的晶體。典型地說，可以使用Nd：YVO4雷射器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。當採用連續波雷射器時，從10W輸出的連續波YVO4雷射器發射的雷射被非線性光學元件轉換成諧波。還有一種藉由將YVO4晶體和非線性光學元件置於諧振腔中來發射諧波的方法。然後，較佳的用光學系統將諧波形成為在輻照表面上具有矩形或橢圓形狀並將其發射到待要處理的目標上。此時要求約為每平方釐米0.01-100MW(較佳為每平方釐米0.1-10MW)的能量密度。可以藉由以大約10-2000cm/s的速度相對於雷射而移動半導體膜，來對半導體膜進行輻照。
然後清除抗蝕劑掩模。然後，若有需要，則將少量的雜質元素(硼或磷)加入到半導體膜中，以便控制TFT的臨界值。此處採用了離子摻雜方法，其中乙硼烷 (B2H6)被電漿激發而不用質量分離。
然後，用包括氫氟酸的蝕刻劑，從半導體層的表面清除氧化物膜，並同時清洗半導體層的表面。
然後，絕緣膜613被形成來覆蓋半導體層。用電漿CVD方法或濺射方法，絕緣膜613被形成為具有1-200nm的厚度。在單層或包括矽的絕緣膜的疊層被形成為具有10-50nm的薄的厚度之後，較佳的用微波產生的電漿進行表面氮化處理。絕緣膜613當成稍後要形成的TFT的閘極絕緣膜。
接著，厚度為20-100nm的第一導電膜和厚度為100-400nm的第二導電膜被層疊在絕緣膜613上。在本實施例模式中，厚度為50nm的氮化鉭膜和厚度為370nm的鎢膜被相繼層疊在絕緣膜613上，並被圖形化，以便用下列方法形成各個閘極電極和各個佈線。
此處，TaN膜和W膜被層疊作為導電膜；但沒有特殊的限制。可以採用選自Ta、W、Ti、Mo、Al、或Cu的元素、或主要包括這些元素的合金材料或化合物材料的單層或疊層。也可以採用摻有磷之類雜質元素的多晶矽膜為典型的半導體膜。此外，本發明不局限於雙層結構。例如，可以採用三層結構，其中，50nm厚的鎢膜、厚度為500nm的鋁和矽的合金膜(Al-Si)、以及30nm厚的氮化鈦膜被相繼層疊。
ICP(感應耦合電漿)蝕刻方法可以被用來蝕刻第一導電膜和第二導電膜(第一蝕刻處理和第二蝕刻處理)。 採用了ICP蝕刻方法，並恰當地調整了蝕刻條件(施加到線圈電極的電能量、施加到基板側上的電極的電能量、基板側上電極的溫度等)，致使薄膜能夠被蝕刻成具有所希望的錐形。
在形成抗蝕劑組成的掩模之後，進行第一蝕刻處理。第一蝕刻條件包括在1Pa的壓力下將700W的RF(13.56MHz)功率施加到線圈電極，使用CF4、Cl2、O2作為蝕刻氣體，以及將其氣體流速比設定為25：25：10(sccm)。基板側(樣品台)也接收150W的RF功率(13.56MHz)，以便施加基本上負的自偏壓。基板側電極的面積(尺寸)為12.5cm×12.5cm，而線圈電極是直徑為25cm的圓盤(此處是提供有線圈的石英圓盤)。在這種第一蝕刻條件下，W膜被蝕刻，以便使端部削尖。然後，第一蝕刻條件被轉換到第二蝕刻條件而無須清除抗蝕劑掩模616。第二蝕刻條件包括使用CF4和Cl2作為蝕刻氣體，將其氣體流速比設定為30：30(sccm)，以及在1Pa的壓力下提供500W的RF(13.56MHz)功率給線圈電極以產生電漿，進行大約30秒蝕刻。基板側(樣品台)也接收20W的RF功率(13.56MHz)，以便施加基本上負的自偏壓。在其中使用CF4和Cl2的混合物的第二蝕刻條件下，W膜和TaN膜幾乎被同等程度蝕刻。第一蝕刻條件和第二蝕刻條件構成第一蝕刻處理。
圖5A顯示完成第一蝕刻處理時的剖面。在此階段，閘極電極和佈線被形成，其中，第一導電層614a是下 層，而第二導電層614b是下層。形成了端電極，其中，第一導電層615a是下層，而第二導電層615b是上層。
接著，保持抗蝕劑掩模616而進行第二蝕刻處理。第三蝕刻條件包括使用CF4和Cl2作為蝕刻氣體，將其氣體流速比設定為30：30(sccm)，以及在1Pa的壓力下將500W的RF(13.56MHz)功率提供給線圈電極以產生電漿，進行60秒蝕刻。基板側(樣品台)也接收20W的RF功率(13.56MHz)，以便施加基本上負的自偏壓。然後，第三蝕刻條件被轉換到第四蝕刻條件而無須清除抗蝕劑掩模。第四蝕刻條件包括使用CF4、Cl2、O2作為蝕刻氣體，將其氣體流速比設定為20：20：20(sccm)，以及在1Pa的壓力下將500W的RF(13.56MHz)功率施加到線圈電極以產生電漿，進行大約20秒蝕刻。基板側(樣品台)也接收20W的RF功率(13.56MHz)，以便施加基本上負的自偏壓。第三蝕刻條件和第四蝕刻條件構成第二蝕刻處理。利用這一第二蝕刻處理，形成了第三導電層614c和615c。然後清除抗蝕劑組成的掩模。
在上述第二蝕刻處理中或在清除抗蝕劑組成的掩模中，形成了包括鎢(W)(厚度約為10nm)的薄膜。此階段中的剖面圖被示於圖5B。
然後，用閘極電極作為掩模來進行整個摻雜的第一摻雜處理，以便將賦予n型導電性的雜質元素加入到半導體層。離子摻雜方法或離子注入方法可以被用來進行第一摻雜處理。離子摻雜方法的條件是劑量為每平方釐米1.5× 1013原子，而加速電壓為50-100keV。典型地用磷(P)或砷(As)作為賦予n型導電性的雜質元素。利用此第一摻雜步驟，藉由絕緣膜613和包括鎢的薄膜617來進行摻雜，以便以自對準的方式形成第一雜質區(n--區)618。此階段的剖面圖被示於圖5C。由於提供了包括鎢的薄膜，故與第一導電層614a重疊的半導體層很難被賦予n型導電性的雜質元素摻雜。此外，由於存在包括鎢的薄膜，故也有可能防止賦予n型導電性的雜質元素被加入到第一導電層614a下面的部分。
接著清除包括鎢的薄膜617。
然後，在形成抗蝕劑組成的掩模619之後，進行第二摻雜步驟，以便用高濃度的賦予n型導電性的雜質元素對半導體進行摻雜。此階段的剖面圖被示於圖6A。掩模619被提供來保護形成圖素部分的p通道TFT的半導體層的通道形成區及其週邊區域，和圖素部分中的部分n通道TFT，以及形成驅動電路部分中p通道TFT的半導體層的通道形成區及其週邊區域。
第二離子摻雜步驟的離子摻雜方法的條件是劑量為每平方釐米1×1013-5×1015原子，而加速電壓為60-100keV。藉由這一摻雜步驟，形成了第二雜質區(n+區)620a和第三雜質區(n-區)620b。第二雜質區620a包括藉由絕緣膜613加入的高濃度n型雜質，並藉由藉由第一導電層614a和絕緣膜613的摻雜而形成了第三雜質區(n-區)620b，並與第一導電層614a重疊。圖素部分的n通道 TFT被掩模部分地覆蓋，不與第一導電層614a重疊的第一雜質區(n--區)618因而被形成在通道形成區與第二雜質區620a之間。此外，在驅動電路部分的n通道TFT中，使摻雜以自對準的方式進行，致使重疊第一導電層614a的第三雜質區620b與第二雜質區620a之間的邊界與第一導電層614a的端部對準。
然後，在清除掩模619之後，形成一個由抗蝕劑組成的新掩模621，並用高濃度的賦予p型導電性的雜質元素(典型為硼)進行對半導體摻雜的第三摻雜步驟。此階段的剖面圖示於圖6B。掩模621被提供來保護形成圖素部分的n通道TFT的半導體層的通道形成區及其週邊區域以及形成驅動電路部分中的n通道TFT的半導體層的通道形成區及其週邊區域。
用第三摻雜步驟，半導體層藉由絕緣膜613被摻雜，以便形成包括高濃度p型雜質的第四雜質區(p+區)622。此外，第四雜質區622在第一摻雜步驟中是一個摻有磷(P)的區域(n--區)；但賦予p型導電性的雜質元素以濃度1.5-3倍於磷(P)的濃度被加入，導電性從而是p型。
然後清除抗蝕劑掩模。藉由上述各步驟，就在各個半導體層中形成了具有n型或p型導電性的雜質區。此階段的剖面被示於圖6C。
然後，用濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等來形成包括氫的絕緣膜640a，然後對加入到半導體層中 的雜質元素進行啟動和氫化。用PCVD方法得到的氧氮化矽膜(SiNO膜)被當成包括氫的絕緣膜640a。此處，包括氫的絕緣膜640a的厚度是50-200nm。此外，當利用典型為鎳的促進晶化的金屬元素來對半導體膜進行晶化時，也可以與啟動同時執行吸雜，以便減少通道形成區中的鎳。注意，包含氫的絕緣膜640a是第一中間層絕緣膜，且包含氧化矽。
然後，用濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等來形成無機絕緣膜640b，這是第二層中間層絕緣膜。諸如氧化矽膜、氮化矽膜、或氮氧化矽膜之類的絕緣膜單層或疊層，被當成無機絕緣膜640b。此處，無機絕緣膜640b的厚度是600-800nm。
用塗敷方法得到的矽氧烷樹脂可以被當成無機絕緣膜640b的一個層。矽氧烷樹脂相當於一種包括Si-O-Si鍵的樹脂。矽氧烷的骨架結構由矽(Si)和氧(O)鍵組成。 作為取代基，可以採用至少包括氫的有機原子團(例如烷基原子團或芳香族碳氫化合物)。氟基原子團也可以被當成取代基。而且，至少包括氫的有機原子團和氟基原子團可以被當成取代基。
然後，用光掩模形成抗蝕劑組成的掩模，並對絕緣膜640a和640b以及絕緣膜613進行選擇性蝕刻，以便形成接觸孔。然後清除抗蝕劑組成的掩模。
然後在用濺射方法層疊金屬膜之後，用光掩模形成抗蝕劑組成的掩模，並對層疊的金屬膜進行選擇性蝕刻，以 便形成電極641-647，當成TFT的源極電極或汲極電極。清除抗蝕劑組成的掩模。此處，層疊的金屬膜具有三層結構，由100nm厚的Ti膜、包括少量矽的350nm厚的Al膜、以及100nm厚的Ti膜組成。
此外，電極641-647側面的線寬或位置可以被適當地設定成使其側面不重疊提供在下方的第一導電層和第三導電層。
藉由上述各步驟，就在同一個基板上製造了用多晶矽膜作為主動層的頂閘極型TFT 636、637、638、639，此階段的剖面被示於圖6D。
安置在驅動電路部分中的TFT 636是一種具有重疊閘極電極的低濃度雜質區(也稱為LDD區)的n通道TFT，而TFT 637是p通道TFT。在驅動電路部分中，TFT 636和TFT 637被互補連接，以便形成CMOS電路，並能夠實現各種電路。
此外，安置在圖素部分中的TFT 638是一種在一個TFT中具有多個通道形成區的n通道TFT。TFT 638是一種具有不重疊閘極電極的低濃度雜質區(也稱為LDD區)的多閘極型TFT。此外，在圖素部分中，提供了TFT 639，TFT 639被電連接到稍後待要形成的發光元件。此處，作為TFT 639，顯示一種單閘極型p通道TFT；不存在特殊的限制，也可以採用多閘極型TFT。
然後，形成第一電極623亦即有機發光元件的陽極(或陰極)。作為第一電極623，高功函數材料例如選自 Ni、W、Cr、Pt、Zn、Sn、In、或Mo的元素、或包括這種元素作為主要成分的合金材料例如TiN、TiSixNy、WSix、WNx、WSixNy、或NbN的單層或疊層，可以被形成為具有100-800nm的厚度。
具體地說，由發光導電材料組成的透明導電膜，例如包括氧化鎢的氧化銦、包括氧化鎢的氧化銦鋅、包括氧化鈦的氧化銦、包括氧化鈦的氧化銦錫等，可以被當成第一電極623。不言自明，也可以採用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、摻有氧化矽的氧化銦錫(ITSO)等。
下面說明各個透光導電材料的組成比例子。在包含氧化鎢的氧化銦中，在其組成比中，氧化鎢可以是1.0重量百分比，氧化銦可以是99.0重量百分比。在包含氧化鎢的氧化銦鋅中，在其組成比中，氧化鎢可以是1.0重量百分比，氧化鋅可以是0.5重量百分比，氧化銦可以是98.5重量百分比。在包含氧化鈦的氧化銦中，在其組成比中，氧化鈦可以是1.0-5.0重量百分比，氧化銦可以是99.0-95.0重量百分比。在氧化銦錫(ITO)中，在其組成比中，氧化錫可以是10.0重量百分比，氧化銦可以是90.0重量百分比。在氧化銦鋅(IZO)中，在其組成比中，氧化鋅可以是10.7重量百分比，氧化銦可以是89.3重量百分比。而且，在包含氧化鈦的氧化銦錫中，在其組成比中，氧化鈦可以是5.0重量百分比，氧化錫可以是10.0重量百分比，氧化銦可以是85.0重量百分比。上述這些組成比僅僅是一些例子，組成比可以被適當地設定。
接著，對用塗敷方法得到的絕緣膜(例如包括烷基原子團的SiOx膜或有機樹脂膜)進行圖形化，以便形成覆蓋第一電極623端部的絕緣體629(也稱為堤壩、隔板、屏障、堤防等)。
然後，用蒸發方法或塗敷方法形成包括有機化合物的層624。接著，形成第二電極625亦即有機發光元件的陰極(或陽極)。諸如MgAg、MgIn、或AlLi之類的合金、或透明導電膜(例如ITO)，被當成第二電極625。
然後，用蒸發方法或濺射方法形成保護層626。保護層626保護著第二電極625。當發光元件的光藉由保護層626射出時，透明材料被較佳的用於保護層626。要指出的是，若無需要，則可以不提供保護層626。
然後，用密封劑628固定密封基板633，以便密封發光元件。換言之，在發光顯示裝置中，顯示區的周圍被密封劑環繞，並被成對的基板密封。但TFT的中間層絕緣膜被提供在基板的整個表面上。因此，當密封劑的圖形被繪製在中間層絕緣膜周圍邊緣內時，存在著濕氣或雜質可以從位於密封劑圖形外面的部分中間層絕緣膜進入的可能性。結果，對於當成TFT中間層絕緣膜的絕緣膜的周圍，密封劑覆蓋著密封劑圖形內部，較佳的覆蓋絕緣膜的邊緣部分，致使重疊密封劑的圖形。注意，密封劑628環繞的區域由填充劑627填充。或者用乾燥的惰性氣體來填充密封劑628環繞的區域。
最後，利用已知的方法，用各向異性導電膜631將 FPC 632固定到端電極(圖7)。在相同於第一電極623的步驟中得到的透明導電膜較佳的被用於端電極的頂層，並被形成在第三導電層615c上，以便當成與閘極佈線同時形成的端電極層。
藉由上述各步驟，就在一個基板上形成了圖素部分、驅動電路、以及端部分。
在本實施例模式中，線寬或位置被適當地設定成使電極641-647的側面不與排列在下方的第一導電層和第三導電層的側面重疊，從而確保絕緣體629的厚度。因此，有可能防止厚度被局部地減薄，從而防止電極641-647與第二電極625重疊部分內出現短路。
此外，在發光裝置中，發光裝置的一個表面或二個表面可以被當成發光顯示表面。在用透明導電膜來形成第一電極623和第二電極625的情況下，發光元件產生的光經由基板610和密封基板633，在相反的側上射出。在此情況下，透明材料較佳的被用於密封基板633或填充劑627。
此外，在用金屬膜形成第二電極625且用透明導電膜形成第一電極623的情況下，發光元件中產生的光僅僅經由基板610射出，換言之，得到了底部發射結構。在此情況下，無須使用透明材料作為密封基板633或填充劑627。
當用金屬膜形成第一電極623且用透明導電膜形成第二電極625時，發光元件中產生的光僅僅藉由密封基板 633射出，換言之，得到了頂部發射結構。在此情況下，無須使用透明材料作為基板610。
而且，需要考慮功函數來選擇第一電極623和第二電極625的材料。但依賴於其圖素結構，第一電極和第二電極各可以是陽極或陰極。當驅動TFT的極性是p通道型時，第一電極較佳的當成陽極，而第二電極當成陰極。當驅動TFT的極性是n通道型時，第一電極較佳的當成陰極，而第二電極當成陽極。
而且，在發光裝置中，用來顯示影像的驅動方法不受特殊的限制，例如可以採用逐點驅動方法、逐行驅動方法、或逐幀驅動方法。典型地採用逐行驅動方法，並可以適當地採用分時灰度驅動方法或區域灰度驅動方法。此外，待要輸入到發光裝置源線中的視頻訊號可以是類比訊號或數位訊號，並可以根據視頻訊號來適當地設計驅動電路等。
而且，採用數位視頻訊號的發光裝置被分類成其中視頻訊號在恆定電壓(CV)下被輸入到圖素中的類型以及其中視頻訊號在恆定電流(CC)下被輸入到圖素中的類型。其中視頻訊號在恆定電壓(CV)下被輸入到圖素中的發光裝置被進一步分類成其中訊號在恆定電壓下被輸入到發光元件的類型(CVCV)以及其中訊號在恆定電流下被輸入到發光元件的類型(CVCC)。其中視頻訊號在恆定電流(CC)下被輸入到圖素中的發光裝置被分類成其中恆定電壓被施加到發光元件作為訊號的類型(CCCV) 以及其中恆定電流被施加到發光元件作為訊號的類型(CCCC)。
而且，可以在發光裝置中提供保護電路(例如保護二極體)，以便防止靜電放電損傷。
本實施例模式可以與實施例模式1-3中的任何一個自由組合。
[實施例模式5]
參照圖8A和8B，實施例模式5描述了一個例子，其中FPC或驅動器IC被安裝在發光顯示板中。
作為例子，圖8A是發光裝置的俯視圖，其中，FPC 1209被固定到4個端部分1208。包括發光元件和TFT的圖素部分1202、包括TFT的閘極側驅動電路1203、以及包括TFT的源側驅動電路1201，被形成在基板1210上。當TFT的主動層各由具有結晶結構的半導體膜組成時，這些電路可以被形成在一個基板上。因此，能夠製造其中實現板上系統的EL顯示板。
注意，用保護膜覆蓋接觸部分之外的基板1210部分，並在保護膜上提供包含光催化物質的底層。
提供來將圖素部分夾在中間的二個連接區1207，被提供來使發光元件的第二電極與下部佈線相接觸。注意，發光元件的第一電極被電連接到提供在圖素部分中的TFT。
密封基板1204被環繞圖素部分和驅動電路的密封劑 1205以及密封劑環繞的填充劑固定到基板1210。此外，也可以採用其中使用包括透明乾燥劑的填充劑的結構。乾燥劑可以被置於不與圖素部分重疊的區域內。
圖8A所示的結構是尺寸比較大的XGA級(例如對角尺寸為4.3英寸)發光裝置的一個較佳例子。圖9B是採用COG模式的一個例子，COG模式適合於其幀被縮小的小尺寸發光裝置(例如對角尺寸為1.5英寸)。
在圖8B中，驅動器IC 1301被安裝在基板1310上，且FPC 1309被安裝在位於驅動器IC端部處的端部分1308上。從改善產率的觀點看，待要安裝的多個驅動器IC 1301較佳的被形成在一邊為300-1000mm或以上的矩形基板上。換言之，以驅動電路部分和輸入-輸出端為一單元的多個電路圖形，較佳被形成在一個基板上並被分隔開，以便作用當成驅動器IC。此驅動器IC可以被製成長邊為15-80mm而短邊為1-6mm的矩形。或者，驅動器IC一邊的長度可以對應於圖素區一邊的長度或驅動電路一邊的長度加上圖素部分一邊的長度。
就外部尺寸而言，驅動器IC由於具有更長的邊而優越於IC晶片。與採用IC晶片的情況相比，當採用長邊形成為15-80mm的驅動器IC時，對應於圖素部分安裝所要求的驅動器IC的數目小，從而改善了製造過程的成品率。當驅動器IC被形成在玻璃基板上時，由於對母基板的形狀沒有限制，故產率不受損失。與從圓形矽晶片獲取IC晶片的情況相比，這是一個很大的優點。
此外，可以採用TAB模式，在此情況下，多個帶被固定，且驅動器IC可以被安裝在各帶上。如在COG模式的情況中那樣，單個驅動器IC可以被安裝在單個帶上。在此情況下，用來固定驅動器IC的金屬片等，被較佳的固定於其上，以便提高強度。
提供在圖素部分1302與驅動IC 1301之間的連接區1307，被提供來使發光元件的第二電極與下部佈線相接觸。注意，發光元件的第一電極被電連接到為圖素部分提供的TFT。
密封基板1304被環繞圖素部分1302的密封劑1305和密封劑環繞的填充劑固定到基板1310上。
當採用非晶半導體膜作為圖素部分中TFT的主動層時，難以在同一個基板上形成驅動電路，於是，即使當具有大尺寸時，也採用圖8B所示的結構。
此處，主動矩陣發光裝置被示為顯示裝置的一個例子，當然，本發明也可以被應用於主動矩陣液晶顯示裝置。在主動矩陣液晶顯示裝置中，排列成矩陣的各圖素電極被驅動，以便在螢幕上顯示圖形。具體地說，電壓被施加在選定的圖素電極與對應於此圖素電極的相對電極之間，提供在元件基板中的圖素電極與提供在相對基板中的相對電極之間的液晶於是被光調制。此光調制可以被觀察者識別為影像的圖形。相對基板和元件基板以均勻的間距被排列，其間的空間被填充以液晶。可以在減壓下滴注液晶材料，使氣泡不由於具有封閉圖形的密封劑而進入，且 基板可以彼此黏貼。或者，可以採用浸入方法(抽吸方法)，其中，在提供具有開口部分的密封圖形並黏貼TFT基板之後，利用毛細管現象，注入液晶。
此外，本發明能夠被應用於具有光學快門和高速閃爍RGB三色後照光光源的逐場驅動系統而沒有濾色器的液晶顯示裝置。
如上所述，藉由實施本發明，換言之，利用實施例模式1-4的任何一種結構或製造方法，能夠完成各種電子裝置。
[實施例模式6]
作為根據本發明的半導體裝置和電子裝置，可以提出諸如視頻相機或數位相機之類的相機；風鏡式顯示器(頭戴顯示器)；導航系統；音頻再生裝置(諸如汽車音響或音響)；諸如膝上個人電腦之類的個人電腦；遊戲機；移動資訊終端(移動電腦，行動電話，移動遊戲機，電子書等)；提供有記錄媒體的影像再生裝置(具體地說是能夠重現諸如數位萬能碟盤(DVD)之類的記錄媒體的內容並具有顯示影像的顯示器的裝置)等。這些電子裝置的具體例子被示於圖9A-9D和圖10。
圖9A顯示一種數位相機，它包括主體2101、顯示部分2102、成像部分、操作鍵2104、快門2106等。圖9A顯示從顯示部分2102側看到的數位相機，在圖9A中未示出成像部分。根據本發明，能夠製造高度可靠的數位相 機。
圖9B顯示一種膝上個人電腦，它包括主體2201、機殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、滑鼠2206等。根據本發明，能夠製造高度可靠的膝上個人電腦。
圖9C顯示一種提供有記錄媒體的攜帶型影像再生裝置(具體地說是DVD播放機)，它包括主體2401、機殼2402、顯示部分A 2403、顯示部分B 2404、記錄媒體(諸如DVD)讀出部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A 2403主要顯示影像資訊，而顯示部分B 2404主要顯示字元資訊。這種提供有記錄媒體的影像再生裝置的範疇包括家用遊戲機等。根據本發明，能夠製造高度可靠的影像再生裝置。
圖9D顯示一種顯示裝置，它包括機殼1901、支座1902、顯示部分1903、揚聲器部分1904、視頻輸入端1905等。利用由上述實施例模式所述的製造方法製造的薄膜電晶體用於顯示部分1903和驅動器電路，來製造此顯示裝置。液晶顯示裝置和發光裝置等是顯示裝置的一些例子。具體地說，包括了用來顯示資訊的所有類型的顯示裝置，例如電腦顯示裝置、用來接收電視廣播的顯示裝置、以及用於廣告的顯示裝置。根據本發明，能夠製造高度可靠的顯示裝置，特別是具有22-50英寸大螢幕的大尺寸顯示裝置。
在圖10所示的行動電話中，包括操作開關904和微 音器905等的主體(A)901，被鉸鏈910連接到包括顯示板(A)908、顯示板(B)909、揚聲器906等的主體(B)902，並可用鉸鏈910開合。顯示板(A)908和顯示板(B)909與電路板907一起被置於主體(B)902的機殼903內。顯示板(A)908和顯示板(B)909的圖素部分被安置成可藉由形成在機殼903中的開口被看到。
至於顯示板(A)908和顯示板(B)909，可以根據行動電話900的功能而適當地確定諸如圖素數目之類的指標。例如，顯示板(A)908和顯示板(B)909能夠分別被組合成主螢幕和副螢幕。
根據本發明，能夠實現高度可靠的移動資訊終端。
依賴於其功能或應用，根據本實施例模式的行動電話能夠以各種方式被改變。例如，藉由在鉸鏈910中實現成像元件，就可以成為裝配有相機的行動電話。即使當操作開關904、顯示板(A)908、以及顯示板(B)909被置於一個機箱內時，也能夠得到上述效果。而且，即使當本實施例模式的結構被應用於配備有多個顯示部分的資訊顯示終端時，也能夠得到相似的效果。
如上所述，藉由實施本發明，換言之，利用實施例模式1-5的任何一種製造方法或結構，能夠完成各種電子裝置。
由於能夠有效地防止半導體裝置製造過程中或製造之後發生短路，故本發明是有效的。
12‧‧‧第一佈線
13‧‧‧第二佈線
14‧‧‧金屬層
17b‧‧‧鋁層
19‧‧‧第一半導體層

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置，包含：在第一絕緣層之上的第一佈線、第二佈線及金屬層；在該第一佈線、該第二佈線及該金屬層之上的第二絕緣層；在該第二絕緣層之上的第三絕緣層；在該第三絕緣層之上且電連接該第二佈線的第一電極；在該第三絕緣層之上的第二電極；在該第一電極之上且覆蓋該第二電極之端部的第四絕緣層；在該第二電極之上的發光層；以及在該發光層之上的第三電極，其中該第二佈線被置於該第一佈線與該金屬層之間，以及其中該金屬層設置於該第一電極與該第四絕緣層的附近之間。
  2. 一種半導體裝置，包含：在第一絕緣層之上的第一佈線、第二佈線及金屬層；在該第一佈線、該第二佈線及該金屬層之上的第二絕緣層；在該第二絕緣層之上的第三絕緣層；在該第三絕緣層之上且電連接該第二佈線的第一電極； 在該第三絕緣層之上的第二電極；在該第一電極之上且覆蓋該第二電極之端部的第四絕緣層；在該第二電極之上的發光層；在該發光層之上的第三電極；以及第一電晶體，包含：第一半導體層；在該第一半導體層之上的該第一絕緣層；在該第一絕緣層之上的該第一佈線；在該第一佈線之上的該第二絕緣層；在該第二絕緣層之上的該第三絕緣層；以及各在該第三絕緣層之上且電連接該第一半導體層的源極佈線和該第一電極，其中該第二佈線被置於該第一佈線與該金屬層之間，以及其中該金屬層設置於該第一電極與該第四絕緣層的附近之間。
  3. 一種半導體裝置，包含：在第一絕緣層之上的第一佈線、第二佈線及金屬層；在該第一佈線、該第二佈線及該金屬層之上的第二絕緣層；在該第二絕緣層之上且電連接該第二佈線的第一電極；在該第二絕緣層之上的第二電極； 在該第一電極之上且覆蓋該第二電極之端部的第四絕緣層；在該第二電極之上的發光層；以及在該發光層之上的第三電極，其中該第二佈線被置於該第一佈線與該金屬層之間，以及其中該金屬層設置於該第一電極與該第四絕緣層的附近之間。
  4. 一種半導體裝置，包含：在第一絕緣層之上的第一佈線、第二佈線及金屬層；在該第一佈線、該第二佈線及該金屬層之上的第二絕緣層；在該第二絕緣層之上且電連接該第二佈線的第一電極；在該第二絕緣層之上的第二電極；在該第一電極之上且覆蓋該第二電極之端部的第四絕緣層；在該第二電極之上的發光層；在該發光層之上的第三電極；以及第一電晶體，包含：第一半導體層；在該第一半導體層之上的該第一絕緣層；在該第一絕緣層之上的該第一佈線；在該第一佈線之上的該第二絕緣層；以及 各在該第二絕緣層之上且電連接該第一半導體層的源極佈線和該第一電極，其中該第二佈線被置於該第一佈線與該金屬層之間，以及其中該金屬層設置於該第一電極與該第四絕緣層的附近之間。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的半導體裝置，其中該第一絕緣層設置在具有絕緣表面的玻璃基板之上。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的半導體裝置，其中該金屬層處於電浮置狀態。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的半導體裝置，其中該金屬層的頂部形狀採用L形。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的半導體裝置，其中該第一電極具有其中層疊鈦層和鋁層的結構。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的半導體裝置，其中該發光層包含有機化合物和無機化合物至少其中之一。
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