TWI552179B - 陶瓷電子零件及其製造方法以及集合零件 - Google Patents

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Description

陶瓷電子零件及其製造方法以及集合零件
本發明，係有關陶瓷電子零件及其製造方法以及集合零件，尤其，有關在主面上形成有外部端子電極般的外部導體，藉由將集合零件沿著既定裂斷線裂斷而獲得之陶瓷電子零件及其製造方法、以及能藉由分割而將複數個陶瓷電子零件取出之集合零件。
近年來，在手機或個人電腦等電子機器中採用了許多以積層陶瓷電容器為代表之積層陶瓷電子零件。一般而言，積層陶瓷電子零件具有長方體形狀的陶瓷坯體、及形成於陶瓷坯體外表面的一對外部端子電極。在很多情況下，外部端子電極係藉由使用浸漬法在陶瓷坯體端部塗布導電性糊料並烘烤而形成，在此情況下，各外部端子電極以陶瓷坯體的一個端面為中心跨越5個面而形成。
但，近年來，在電子零件的構裝形式變得多樣化、用途特殊化型電子零件的需求增大等之背景下，陶瓷電子零件之外部端子電極的形狀或配置亦朝多樣化進行，且提出有例如在陶瓷坯體的1個面上或者相對向的2個面上形成外部端子電極之類型者(例如，參照專利文獻1及2)。
如此，在陶瓷坯體的1個面上或相對向的2個面上形成外部端子電極的情況下，能利用浸漬法以外的方法形成外部端子電極。例如，能採用如下的方法：在構成複數個陶瓷電子零件用的複數個陶瓷坯體之集合零件的主面上印刷外部端子電極用導電性糊膜並烘烤後，將集合零件分割，取出各陶瓷電子零件用的陶瓷坯體(例如，參照專利文獻3，特別是段落[0003])。
在此，由於待分割的集合零件係以經過燒結而形成的硬陶瓷構成，所以，若以如切塊機(dicer)之切割手段進行分割，則有可能使各陶瓷電子零件的陶瓷坯體破損或出現缺口之虞。為解決此問題，上述專利文獻3，提出以板狀的切割刀壓著切割未燒成的集合零件，但該方法，會產生切斷後的生片彼此容易黏在一起的問題。
因此，作為能想到的方法，可舉出在製造陶瓷多層基板等時經常使用的裂斷(break)法。在裂斷法中，於未燒成的集合零件形成裂斷槽，燒成後，沿著裂斷槽將集合零件分割，因此，不會發生使用上述切塊機或板狀切割刀時的問題。另外，由於能以集合零件的狀態進行鍍敷步驟或測試步驟，故生產效率亦優異。
作為裂斷法，雖已提出各種方案，但其中專利文獻4所揭示之裂斷法很有意義。根據專利文獻4所記載的技術，藉由形成非連續之直線狀的裂斷槽，在進行作業步驟之處理時，能防止集合零件意外破損。
另一方面，近年來，由於謀求實現多層配線基板的小型化，故提案有將陶瓷電子零件埋入多層配線基板內部的技術。例如，在專利文獻5揭示有一種積層用模組之製造方法，其具有如下之步驟：在基板內部埋入陶瓷電子零件時，例如，以使在陶瓷電子零件的主面所形成的外部端子電極成為在上之方式，將陶瓷電子零件收納於芯基板內部，形成絕緣層以覆蓋芯基板與陶瓷電子零件，以雷射光貫穿絕緣層，形成到達外部端子電極表面的通孔，在通孔中填充導電體，將配線電路與外部端子電極電氣連接。
在上述埋入過程中，對雷射光照射要求具有很高的精度。因為如果不小心使雷射光射到陶瓷坯體，則有可能損害到陶瓷電子零件的特性之虞。
因此，較佳係待埋入的陶瓷電子零件的外部端子電極盡可能面積大，例如，關於專利文獻1及2中所示之類型之積層陶瓷電子零件，如圖17所示，需要設計成僅留有必要的間隙1，以使外部端子電極2及3的各自面積儘量擴大。
但，可知當使用沿著形成有非連續的孔狀連線式之裂斷槽之既定裂斷線進行裂斷的裂斷法，以製作形成有上述間隙窄的複數個外部端子電極之陶瓷電子零件時，容易發生“裂斷不良”的問題。該“裂斷不良”，係指在因裂斷而出現的陶瓷坯體側面之沿著間隙部分的部分沒有整齊地被裂斷，從而在側面形成突起(被裂斷的另外一側形成凹陷)，或以間隙部分為起點在陶瓷坯體出現破損或缺口。
如專利文獻4所記載般，若以相等間距形成用以導引裂斷之非連續的大小相同之凹部時，在窄的間隙部分不形成裂斷導引用的凹部，而能容易地隔著間隙部分配置2個裂斷導引用凹部。此種情況下，在佔據主面大半之外部端子電極形成部，雖然能很容易地將拉伸應力集中於裂斷導引用凹部間，但另一方面，在面積窄並且處於比外部端子電極形成部略低的位置之間隙部分，很難將拉伸應力集中。因此，能推測容易發生以間隙部分為起點的“裂斷不良”。
專利文獻1：日本特開2006-216622號公報
專利文獻2：日本特開2006-339337號公報
專利文獻3：日本特開平9-260187號公報
專利文獻4：日本特開2003-273272號公報
專利文獻5：日本特開2005-064446號公報
因此，本發明之目的在於，提供能解決上述問題之陶瓷電子零件及其製造方法、以及能藉由分割將複數個陶瓷電子零件取出之集合零件。
本發明之陶瓷電子零件，具有：陶瓷坯體，具有彼此對向之第1及第2主面、以及連結第1及第2主面間之第1～第4側面；及外部導體，形成於陶瓷坯體之至少第1主面上。
此種陶瓷電子零件，至少在第1側面，形成有延伸於連結第1及第2主面間之方向、並且至少到達第1主面之複數個凹槽。另外，該等凹槽，相當於在集合零件用以導引裂斷而沿著既定裂斷線設置之裂斷導孔的一半。
在第1主面之與第1側面相接之第1稜部，形成有：外部導體端緣所在之至少2個第1區域；及位於相鄰之2個第1區域之間並且外部導體端緣所不在之至少1個第2區域。
又，其特徵在於：該複數個凹槽，包含配置成跨設於第1區域及第2區域之至少1個跨設凹槽。
在第2區域，相鄰之第2凹槽可彼此重疊，亦可各自獨立。
在本發明之較佳實施形態中，外部導體，包含使端緣位於該至少2個第1區域中之一區域之第1外部導體、及使端緣位於該至少2個第1區域中之另一區域之第2外部導體，第1外部導體與第2外部導體係在第1主面上彼此獨立形成。
在上述實施形態，當本發明之陶瓷電子零件係構成積層陶瓷電容器時，該積層陶瓷電容器，具備：積層之複數個電介質層、及隔著電介質層彼此對向設置之第1及第2內部電極；第1外部導體與第1內部電極形成電氣連接；第2外部導體與第2內部電極形成電氣連接。
如上述，當陶瓷電子零件構成積層陶瓷電容器時，電介質層與第1及第2內部電極能延伸於與第1主面垂直的方向，亦能延伸於與第1主面平行的方向。在後者的情況下，第1外部導體經由第1貫通導體而與第1內部電極形成電氣連接，第2外部導體經由第2貫通導體而與第2內部電極形成電氣連接。
本發明之陶瓷電子零件，凹槽能形成為到達第1及第2主面之雙方，亦能形成為僅到達第1主面。
另外，較佳係跨設凹槽與相鄰於該跨設凹槽之其他凹槽間之間距，小於其他凹槽彼此之間距。或是，各凹槽亦可皆配置成相等間距。
本發明亦可適用於在第2主面上亦形成有外部導體之陶瓷電子零件。
本發明之陶瓷電子零件，較佳係第1主面之與第1側面相對向之第2側面相接之第2稜部，亦具有與第1稜部同樣之構成。
本發明之陶瓷電子零件被埋入配線基板而使用，在使用雷射光以在配線基板形成到達外部導體之貫通導體的情況下，較佳係外部導體至少其表面係由Cu構成。
另外，本發明亦適合製造如上述之陶瓷電子零件之方法。
本發明之陶瓷電子零件之製造方法，具有：準備集合零件之步驟，該集合零件具有彼此對向之第1及第2主面，至少在第1主面上形成外部導體，並且以在連結第1及第2主面間之方向延伸的方式形成複數個裂斷導孔，各裂斷導孔使其開口端位於至少第1主面上，複數個裂斷導孔係排列成沿著既定裂斷線分布；及沿著裂斷線將集合零件分割，藉此取出複數個陶瓷電子零件之步驟。
另外，該裂斷導孔，能使其開口端位於至少第1主面上，因此，能在使開口端位於第1及第2主面的兩個面上，並且以具有往厚度方向貫穿集合零件之貫穿部的方式形成；亦能在僅使開口端位於第1主面上，並且以具有往厚度方向不貫穿集合零件之凹部的方式形成。
從第1主面側觀察時，該集合零件在裂斷線上具有與外部導體交叉之第1區域、及不與外部導體交叉之第2區域。
又，其特徵在於：複數個裂斷導孔，包含配置成跨設於第1區域及第2區域之至少1個跨設裂斷導孔。
本發明亦適合能有利地利用於上述陶瓷電子零件之製造方法的集合零件，更具體而言，適合可藉由沿既定裂斷線進行分割以取出複數個陶瓷電子零件之集合零件。
本發明之集合零件，具有彼此對向之第1及第2主面。至少在第1主面上形成外部導體，並且以在連結第1及第2主面間之方向延伸的方式形成複數個裂斷導孔。各裂斷導孔使其開口端位於至少第1主面上。另外，複數個裂斷導孔係排列成沿著裂斷線分布。
從第1主面側觀察時，該集合零件在裂斷線上具有與外部導體交叉之第1區域、及不與外部導體交叉之第2區域。
又，其特徵在於：複數個裂斷導孔，包含配置成跨設於第1區域及第2區域之至少1個跨設裂斷導孔。
[發明效果]
依本發明，為獲得例如間隙窄的複數個外部端子電極形成在主面上之陶瓷電子零件，該陶瓷電子零件，在陶瓷坯體的主面之與一個側面相接之稜部，形成有外部導體的端緣所在之至少2個第1區域、及位於相鄰之2個第1區域間並且外部導體的端緣所不在之至少1個第2區域；當沿著排列有複數個裂斷導孔之既定裂斷線將集合零件裂斷時，能順利地進行裂斷，難以發生陶瓷坯體的側面出現突起或凹陷、陶瓷坯體損傷或缺口等之“裂斷不良”的問題。
因此，在實施如下步驟時，亦即，在使形成於陶瓷電子零件的主面之外部導體例如在上，並將陶瓷電子零件收納於配線基板內部的狀態下，以雷射光貫穿配線基板的一部分，形成到達外部導體表面之通孔，並藉由在通孔內填充導電體，將配線電路與外部導電體形成電氣連接時，即使為了以不需高精度進行雷射光照射，而擴大被埋入之陶瓷電子零件之外部導體的面積，亦能將用以獲得此種電子零件之集合零件順利並良好地進行裂斷。
圖1至圖4係表示作為本發明之第1實施形態的陶瓷電子零件之積層陶瓷電容器11的圖。在此，圖1係俯視圖，圖2係前視圖，圖3及圖4係截面圖。另外，在圖1及圖2中，L、W及T分別表示長度方向、寬度方向及厚度方向，圖3為LT截面圖，圖4為WT截面圖。另外，在圖3中，(a)及(b)表示彼此不同的截面。
如圖1及圖2所示，積層陶瓷電容器11具有作為陶瓷坯體的電容器本體18，該電容器本體18具有彼此對向之第1主面及第2主面12及13、及連結第1主面及第2主面12及13間之第1～第4側面14～17。
另外，在電容器本體18之第1主面12上，隔著間隙21，以彼此獨立之方式形成作為外部導體的第1及第2外部端子電極19及20，在第2主面13上，亦同樣形成第1及第2外部端子電極19及20。第1及第2外部端子電極19及20皆包含底層22及在底層22上所形成的鍍膜23。
另外，在電容器本體18的第1及第2側面14及15，形成複數個凹槽24及25。凹槽24及25，形成為延伸於連結第1及第2主面12及13間的方向，並且到達第1及第2主面12及13兩者。在電容器本體18的第3及第4側面16及17亦形成凹槽26。
另外，在與第1主面12之第1側面14相接的第1稜部27，形成存在有第1或第2外部端子電極19或20的端緣之2個第1區域28、及位於相鄰之2個第1區域28之間且不存在第1及第2外部端子電極19及20的任意一個端緣之1個第2區域29。
如圖3及圖4所示，積層陶瓷電容器11，具備積層而成之複數個電介質層30、及隔著電介質層30以彼此對向的方式設置之複數組第1及第2內部電極31及32。在本實施形態，電介質層30以及第1及第2內部電極31及32，相對於第1主面12，即相對於構裝面，延伸於垂直方向。第1及第2內部電極31及32，分別具有電容部33及34及拉出部35及36，並分別與第1及第2外部端子電極19及20形成電氣連接。
圖5係表示圖1之局部放大圖。如圖5所示，上述複數個凹槽24及25，被分為配置成跨設於第1區域28及第2區域29之跨設凹槽25及除此以外之凹槽24。
上述跨設凹槽25以外之凹槽24，具有沿著第1稜部27且長度為D1的半圓形狀，複數個凹槽24以間距P1彼此等間距地配置。在此，所謂的間距，係指連結各相鄰之凹槽24之沿著第1稜部27的中點之距離。另外，凹槽24的形狀，並不限於圖中所示的半圓形狀，亦可為三角形、四角形、橢圓等形狀。
跨設凹槽25，沿著第1稜部27的長度為D2，形成具有3個面積相同之截面半圓狀之槽以間距P2互相重疊並連結的方式配置之形態。在本實施形態，跨設凹槽25形成於第2區域29全域。因此，能使配置成跨設於一方之第1區域28及第2區域29之跨設凹槽25、與配置成跨設於另一方之第1區域28及第2區域29之跨設凹槽25共通。又，構成跨設凹槽25之上述截面半圓狀之槽，亦可置換為三角形、四角形、橢圓等截面形狀。
較佳係當將凹槽24間之間距設為P1，將構成跨設凹槽25之截面半圓狀之槽間之間距設為P2時，滿足P1＞P2的關係。凹槽24及25，雖然相當於後述之製程中的裂斷步驟結束後之裂斷導孔48及49(參照圖7)的一半，但，如此在相當於第1及第2外部端子電極19及20間之間隙21部分的第2區域29，藉由縮短裂斷導孔的間距，能實現順利的裂斷，可確實抑制構造缺陷。
另外，對於相鄰之凹槽24與構成跨設凹槽25之最端緣之截面半圓狀之槽間之間距P3，較佳為具有P1≧P3之關係。由於如此能使裂斷導孔集中在跨設凹槽25附近，故能實現更順利地裂斷。
另外，關於尺寸的較佳條件如下。
較佳係跨設凹槽25以外之凹槽24的長度D1為80～120μm。
較佳係跨設凹槽25的長度D2為160～240μm。
較佳係跨設凹槽25以外之凹槽24之間距P1為150～250μm。
較佳係構成跨設凹槽25之截面半圓狀之槽之間距P2為40～60μm。
較佳係相鄰之凹槽24與構成跨設凹槽25之最端緣之截面半圓狀之槽間之間距P3為150～250μm。
較佳係在電容器本體18的第3側面16所形成之凹槽26及在第4側面17所形成之凹槽26分別以相等的間距配置。
相當於第2區域29的長度之間隙21的尺寸G較佳係140～160μm。
較佳係D1＜G。
較佳係D2≧G。
在本實施形態，在第1主面12之與第1側面14相對向之第2側面15相接的第2稜部37，亦與第1稜部27同樣，存在第1及第2區域28及29，凹槽24及25滿足與第1稜部27之情況同樣的關係。但，本發明可適用於第2區域所存在之各稜部，只要在至少1個稜部滿足上述關係即可。
另外，關於第1及第2外部端子電極19及20、凹槽24、25、26的配置，在第1主面12及第2主面13同樣配置。
電容器本體18的厚度較佳係0.3～1.5mm。
作為電容器本體18所具備之構成電介質層30之電介質陶瓷，能使用以BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等為主成分的電介質陶瓷。另外，亦能使用在這些主成分中添加Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分之電介質陶瓷。較佳係電介質層30的各厚度為1～10μm。
作為構成內部電極31及32之導電成分，能使用例如Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等金屬。較佳係內部電極31及32的各厚度為1～10μm。
作為構成外部端子電極19及20之底層22之導電成分，能使用例如Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等金屬。底層22使用由燒結金屬構成之厚膜導體而形成、或藉由直接實施鍍敷而形成。在底層22能包含玻璃，亦能包含與構成電介質層30之陶瓷同種類之陶瓷。底層22的厚度較佳係5～40μm。
作為構成外部端子電極19及20之鍍膜23之金屬，能使用例如Ni、Cu、Sn、Sn-Pb合金、Au等。鍍膜23能以複數層形成。鍍膜23的每一層的厚度較佳係1～10μm。另外，在底層22與鍍膜23之間，雖然未圖示，但亦能形成緩和應力用之樹脂層。
在將本發明之陶瓷電子零件埋入配線基板使用的情況下，較佳係外部導體之至少表面由Cu構成。例如，在將本實施形態之積層陶瓷電容器11埋入配線基板使用的情況下，構成外部端子電極19及20的最外層之鍍膜23較佳係以鍍銅形成。如上述專利文獻5所記載，在埋入時，雖然以雷射光貫穿配線基板之絕緣層而形成到達外部端子電極表面的通孔，但由於鍍銅容易將雷射(特別是CO2雷射)光反射，故能抑制雷射光對零件的損壞。
其次，針對積層陶瓷電容器11之製程的一個例子進行說明。
(1)準備陶瓷生片、內部電極用導電性糊料、及外部端子電極用導電性糊料。在陶瓷生片或各種導電性糊料中，雖然含有黏合劑及溶劑，但亦能使用公知之有機黏合劑或有機溶劑。
(2)在陶瓷生片上，藉由例如網版印刷等，以既定圖案印刷內部電極用導電性糊料，形成內部電極用導電性糊膜。
(3)將印刷有內部電極用導電性糊膜之陶瓷生片以既定片數積層，在其上下積層既定片數之沒有印刷內部電極用導電性糊膜之外層用陶瓷生片，製作生的集合零件。視需要，以靜水壓衝壓等手段朝生的集合零件之積層方向施加壓力。
(4)如圖6所示，在生的集合零件41之第1主面42上，藉由網版印刷等以既定圖案印刷外部端子電極用導電性糊料，形成外部端子電極用導電性糊膜43。藉由沿著用虛線表示的裂斷線44及45進行裂斷，能從集合零件41取出複數個積層陶瓷電容器11。從第1主面42側觀察集合零件41時，在裂斷線44上具有與外部端子電極用導電性糊膜43交叉的第1區域46、及不與外部端子電極用導電性糊膜43交叉的第2區域47。
在與生的集合零件41之第1主面42相反的第2主面上亦同樣形成外部端子電極用導電性糊膜。
(5)如圖7的放大圖所示，在集合零件41形成複數個裂斷導孔48～50。裂斷導孔48～50以在連結第1主面42與第2主面之間的方向上延伸的方式形成，在本實施形態，在第1主面42與第2主面之間貫通，使其開口端位於第1主面42及第2主面上。複數個裂斷導孔48～50以沿著裂斷線44及55分布的方式排列。複數個裂斷導孔48～50亦包含孔狀接線狀態的孔。
另外，在本實施形態，從整體觀察集合零件41時，沿著與待取出之積層陶瓷電容器11之電容器本體18之第1及第2側面14及15平行的方向，複數個裂斷導孔48以相等的間距配置。另一方面，沿著與電容器本體18之第3及第4側面16及17平行的方向，複數個裂斷導孔50以相等的間距配置。
另外，裂斷導孔49，係形成跨設於前述第1區域46與第2區域，形成3個面積相同之截面圓形之孔互相重疊並連結的方式配置之形態。以下，亦有將「裂斷導孔49」稱為「跨設裂斷導孔49」之情形。上述截面圓形之各孔的直徑以及裂斷導孔48及50之各孔的直徑較佳係皆相同。
作為形成裂斷導孔48～50之手段，能使用雷射或NC打孔機等。
在圖7中，當從裂斷導孔48及49的分布方向觀察時，印刷有外部端子電極用導電性糊膜43的部分係圖6所示之第1區域46，此為最終成為積層陶瓷電容器11之第1區域28的部分，在該部分形成有複數個第1裂斷導孔48。
在圖7中，同樣地，當從裂斷導孔48及49的分布方向觀察時，沒有印刷外部端子電極用導電性糊膜43的部分係圖6所示之第2區域47，此為最終成為積層陶瓷電容器11之第2區域29的部分，在該部分形成有跨設裂斷導孔49。
例如，為形成圖5所示之跨設凹槽25，只要縮短照射間距，重複進行雷射照射形成複數個孔，藉此形成跨設裂斷導孔49即可。另外，為形成後述之圖10所示之跨設凹槽25，只要在維持雷射光照射的狀態下，以既定距離移動雷射光來形成跨設裂斷導孔49即可。
為了定點地在間隙部分藉由一次雷射照射形成1個孔，例如，由於每次皆需對間隙部分進行感測(sensing)來形成孔等，使得用於形成裂斷導孔之步驟時間變長。但，如上所述，在形成複數個窄間距之孔或長孔的情況下，即使多少發生位置偏離，亦能在間隙部分準確地配置孔，並能縮短用於形成裂斷導孔之步驟時間。
(6)進行生的集合零件41之燒成。燒成溫度雖然根據陶瓷生片、內部電極用導電性糊料及外部端子電極用導電性糊料之各材料而異，但例如以900～1300℃為較佳。藉此，將包含在陶瓷生片之陶瓷及內部電極用導電性糊料進行燒結，獲得電容器本體18，並且，外部端子電極用導電性糊料亦進行燒結，外部端子電極19及20之底層22形成在電容器本體18上。
(7)在集合零件41之狀態下實施鍍敷，在外部端子電極19及20之底層22上形成鍍膜23。
另外，本發明在使用電鍍的方面上具有特殊意義。理由如下：在集合零件41中，待取出之各積層陶瓷電容器11之第1及第2外部端子電極19及20，在除去裂斷導孔48～50以外的部分係分別連結，僅在集合零件41的端緣部配置之積層陶瓷電容器11之第1及第2外部端子電極19及20連接電鍍之供電端子，即能對各外部端子電極進行供電。
(8)在集合零件41之狀態下，分別測定待取出之複數個積層陶瓷電容器11的特性。
(9)沿著裂斷線44及45分割集合零件41，取出複數個積層陶瓷電容器11。
另外，外部端子電極19及20的底層22，如上所述，能與用以獲得電容器本體18的燒成同時進行燒成而形成，或者亦能在用以獲得電容器本體18的燒成之後，在裂斷之前，藉由塗布導電性糊料並進行烘烤而形成。
圖8係用以說明本發明之第2實施形態之與圖5對應的圖。在圖8中，對相當於圖5所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
在圖8所示之積層陶瓷電容器11a，跨設凹槽25的形成態樣與圖5所示之形成態樣不同。即，在該積層陶瓷電容器11a，形成2個跨設凹槽25。2個跨設凹槽25以彼此獨立之狀態形成，一方之跨設凹槽25配置成跨設於一方之第1區域28及第2區域29，另一方之跨設凹槽25配置成跨設於另一方之第1區域28及第2區域29。
在本實施形態的情況，跨設凹槽25間之排列間距P2、其他之凹槽24間之排列間距P1、以及相鄰之凹槽24及25間之排列間距P3設成彼此相等。藉此，當形成凹槽24及25時，由於不必改變雷射照射或NC打孔等之間距，故可提高製造效率。
圖9係用以說明本發明之第3實施形態之與圖5對應的圖。在圖9中，對相當於圖5所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
在圖9所示之積層陶瓷電容器11b，於跨設凹槽25之各兩側連結凹槽24，在第1區域28與第2區域29之各邊界區域，形成有3個連續之凹槽24及25。
本實施形態的情況，跨設凹槽25與相鄰於跨設凹槽25之其他凹槽24間之排列間距P2，係小於跨設凹槽25以外之凹槽24間之排列間距P1。藉此，由於凹槽24及25集中於第1區域28與第2區域29之各邊界區域，故能實現順利的裂斷，抑制構造缺陷。
圖10係用以說明本發明之第4實施形態之與圖5對應的圖。在圖10中，對相當於圖5所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
在圖10所示之積層陶瓷電容器11c，跨設凹槽25雖配置成跨設於第1區域28及第2區域29，但並非如圖5所示般複數個半圓狀之槽彼此重疊連結，而是1個獨立之凹槽。將跨設凹槽25以外之凹槽24之沿著第1稜部27的長度設為D1，將跨設凹槽25之沿著第1稜部27的長度設為D2時，較佳係滿足D1<D2。
在用以獲得滿足此種條件之積層陶瓷電容器11c之集合零件，作為裂斷導孔，雖然以不及於與相當於外部端子電極19及20間之間隙21部分的第2區域29對應之區域的方式，形成在與第1區域28對應之區域形成的複數個裂斷導孔、及在與第2區域29對應之區域形成的跨設裂斷導孔，但，使跨設裂斷導孔之沿著裂斷線的長度(相當於D2)比其他裂斷導孔之沿著裂斷線的長度(相當於D1)為長。
因此，根據本實施形態，亦能實現順利的裂斷，抑制構造缺陷。
另外，在本實施形態，亦與第1實施形態的情況同樣，較佳係凹槽24的長度D1為80～120μm，跨設凹槽25的長度D2為160～240μm，凹槽24的間距P1為150～250μm，相鄰之凹槽24與跨設凹槽25間之間距P3為150～250μm，相當於第2區域29的長度之間隙21的尺寸G為140～160μm，D1＜G、及D2≧G。
圖11係用以說明本發明之第5實施形態之與圖2對應的圖。在圖11中，對相當於圖2所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
在圖11所示之積層陶瓷電容器11d，其特徵在於：凹槽24及25，以只到達第1主面12、而不到達第2主面13的方式形成。
在用以獲得具有此種構成之積層陶瓷電容器11d之集合零件，裂斷導孔以不到達第2主面的方式形成。例如，當形成複數個貫穿之裂斷導孔時，裂斷雖然變得容易，但在製造過程的操作時，存在無意中損壞集合零件的問題。對此，藉由以半貫穿狀態形成裂斷導孔，在操作時，能避免無意中損壞集合零件。
另外，如圖11所示，凹槽24及25亦能為截面呈錐形的形狀。例如，當利用雷射光形成為凹槽24及25之裂斷導孔的情況下，由於雷射光的能量衰減，射入位置越遠，則雷射光的力量越弱。其結果，會形成呈錐形形狀之裂斷導孔。另外，不僅在半貫穿之裂斷導孔的情況下，在圖2所示之成為全貫穿之凹槽24及25之裂斷導孔的情況下，亦能形成錐形。
圖12係用以說明本發明之第6實施形態之與圖3對應的圖。在圖12中，對相當於圖3所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
在圖12所示之積層陶瓷電容器11e，第1及第2外部端子電極19及20只形成在第1主面12上。即使是此種類型之積層陶瓷電容器11e，本發明亦能有效地發揮功能。
圖13及圖14係本發明之第7實施形態的說明圖，圖13與圖3同樣是LT截面圖，圖14是LW截面圖。另外，在圖14中，(a)及(b)表示彼此不同的截面。在圖13及圖14中，對相當於圖3等所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
在圖13及圖14所示之積層陶瓷電容器11f，電介質層30及第1及第2內部電極31及32，相對於第1主面12，即，相對於構裝面，延伸於平行方向，第1外部端子電極19經由第1貫通導體51而與第1內部電極31形成電氣連接，第2外部端子電極20經由第2貫通導體52而與第2內部電極32形成電氣連接。
即使是此種類型之積層陶瓷電容器11f，本發明亦能有效地發揮功能。
以上，雖與積層陶瓷電容器關聯對本發明進行說明，但本發明亦可適用於積層陶瓷電容器以外的陶瓷電子零件。
圖15係用以說明本發明之第8實施形態之與圖1對應的圖。在圖15中，對相當於圖1所示之要件，賦予相同的參照符號，並省略重複的說明。
圖15所示之陶瓷電子零件55，並不限於構成積層陶瓷電容器之陶瓷電子零件。此種陶瓷電子零件55雖然具備與上述電容器本體18對應之陶瓷坯體56，但在陶瓷坯體56之第1主面57上所形成的外部導體58，具有第1及第2導體部59及60、及將此等第1及第2導體部59及60彼此連結之連結部61。連結部61的寬度設為比較窄，其結果，在第1主面57之第1側面62側、及與第1側面62相對向之第2側面63側，分別形成第1及第2缺口64及65。
本實施形態，在與第1主面57之第1側面62相接之第1稜部66，形成外部導體58的端緣所設置之至少2個第1區域28，及位於相鄰之2個第1區域28之間並且外部導體58的端緣所未設置之至少1個第2區域29。又，以跨設於第1區域28及第2區域29之方式配置跨設凹槽25，於第1區域28配置其他凹槽24。
以下，對用以確認本發明之效果所實施之實驗例進行說明。
根據上述製程，製成作為實施例及比較例的試樣之積層陶瓷電容器。作為實施例及比較例的試樣之積層陶瓷電容器的設計如以下之表1所示。
為獲得上述積層陶瓷電容器，分別製成實施例及比較例之集合零件。由實施例之集合零件所獲得之積層陶瓷電容器，具有圖5所示之構造，滿足具有配置成跨設於第1區域及第2區域之至少1個跨設凹槽之條件，另一方面，由比較例之集合零件所獲得之積層陶瓷電容器，具有圖16所示之構造，未滿足具有配置成跨設於第1區域及第2區域之凹槽之條件。
在用以獲得此等集合零件而進行的燒成，適用將最高溫度設為1200℃、在燒成爐中維持25小時、並將燒成環境氣氛設為還原性環境氣氛之燒成條件。各集合零件，設成能取出36個積層陶瓷電容器。
將上述集合零件裂斷取出積層陶瓷電容器，關於在該積層陶瓷電容器所形成的凹槽等各部分的尺寸，在實施例中，以圖5所示之各部分的尺寸來表示，在比較例中，以圖16所示之各部分的尺寸來表示，則如以下之表2所示。
以顯微鏡檢查所獲得之實施例及比較例之各積層陶瓷電容器的外觀。其結果，在實施例，所獲得之積層陶瓷電容器中，沒有裂斷不良的情況發生。另一方面，在比較例，所獲得之36個積層陶瓷電容器中，確認出3個有裂斷不良的情況發生。
11、11a、11b、11c、11d、11e、11f．．．積層陶瓷電容器
12、42、57．．．第1主面
13．．．第2主面
14、62．．．第1側面
15、63．．．第2側面
18．．．電容器本體
19、20．．．外部端子電極
21．．．間隙
24．．．凹槽
25．．．跨設凹槽
27、66‧‧‧第1稜部
28、46‧‧‧第1區域
29、47‧‧‧第2區域
30‧‧‧電介質層
31‧‧‧第1內部電極
32‧‧‧第2內部電極
37‧‧‧第2稜部
41‧‧‧集合零件
43‧‧‧外部端子電極用導電性糊膜
48‧‧‧裂斷導孔
49‧‧‧跨設裂斷導孔
51、52‧‧‧貫通導體
55‧‧‧陶瓷電子零件
56‧‧‧陶瓷坯體
58‧‧‧外部導體
圖1係表示作為本發明之第1實施形態的陶瓷電子零件之積層陶瓷電容器11的俯視圖。
圖2係圖1所示之積層陶瓷電容器11的前視圖。
圖3係圖1所示之積層陶瓷電容器11的LT截面圖，(a)表示第1內部電極31通過的截面，(b)表示第2內部電極32通過的截面。
圖4係圖1所示之積層陶瓷電容器11的WT截面圖。
圖5係圖1之局部放大圖。
圖6係表示在用以製造圖1所示之積層陶瓷電容器11而製作之集合零件41的第1主面42上，形成有外部端子電極用導電性糊膜43的狀態之俯視圖。
圖7係表示在圖6所示之集合零件41上，形成有複數個裂斷導孔48～50的狀態之放大俯視圖。
圖8係用以說明本發明之第2實施形態之與圖5對應的圖。
圖9係用以說明本發明之第3實施形態之與圖5對應的圖。
圖10係用以說明本發明之第4實施形態之與圖5對應的圖。
圖11係用以說明本發明之第5實施形態之與圖2對應的圖。
圖12係用以說明本發明之第6實施形態之與圖3對應的圖，(a)表示第1內部電極31通過的截面，(b)表示第2內部電極32通過的截面。
圖13係用以說明本發明之第7實施形態，其係積層陶瓷電容器11f的LT截面圖。
圖14係圖13所示之積層陶瓷電容器11f的LW截面圖，(a)表示第1內部電極31通過的截面，(b)表示第2內部電極32通過的截面。
圖15係用以說明本發明之第8實施形態之與圖1對應的圖。
圖16係與表示實驗例中製造的比較例之積層陶瓷電容器之與圖5對應的圖。
圖17係表示將外部端子電極2及3的面積盡可能設計得較大之習知之陶瓷電子零件的俯視圖。
41．．．集合零件
42．．．第1主面
43．．．外部端子電極用導電性糊膜
46．．．第1區域
47．．．第2區域
48．．．裂斷導孔
49．．．跨設裂斷導孔
50．．．裂斷導孔

Claims (14)

  1. 一種陶瓷電子零件，其特徵在於，具有：陶瓷坯體，具有彼此對向之第1及第2主面、以及連結該第1及第2主面間之第1~第4側面；及外部導體，形成於該陶瓷坯體之至少該第1主面上；至少在該第1側面，形成有延伸於連結該第1及第2主面間之方向、並且至少到達該第1主面之複數個凹槽；在該第1主面之與該第1側面相接之第1稜部，形成有：該外部導體端緣所在之至少2個第1區域；及位於相鄰之2個該第1區域之間、並且該外部導體端緣所不在之至少1個第2區域；各該凹槽皆配置成相等間距；該複數個凹槽，包含配置成跨設於該第1區域及該第2區域之至少1個跨設凹槽。
  2. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，在該第2區域，相鄰之該凹槽彼此重疊。
  3. 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，在該第2區域，相鄰之該凹槽彼此獨立。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件，其中，該外部導體，包含使該端緣位於該至少2個第1區域中之一區域之第1外部導體、及使該端緣位於該至少2個第1區域中之另一區域之第2外部導體，該第1外部導體與該第2外部導體係在該第1主面上彼此獨立形成。
  5. 如申請專利範圍第4項之陶瓷電子零件，其中，該陶瓷電子零件係構成具備被積層之複數個電介質層、及隔著該電介質層彼此對向設置之第1及第2內部電極的積層陶瓷電容器，該第1外部導體與該第1內部電極形成電氣連接，該第2外部導體與該第2內部電極形成電氣連接。
  6. 如申請專利範圍第5項之陶瓷電子零件，其中，該電介質層與該第1及第2內部電極延伸於與第1主面垂直的方向。
  7. 如申請專利範圍第5項之陶瓷電子零件，其中，該電介質層與該第1及第2內部電極延伸於與該第1主面平行的方向，該第1外部導體經由第1貫通導體而與該第1內部電極形成電氣連接，該第2外部導體經由第2貫通導體而與該第2內部電極形成電氣連接。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件，其中，該凹槽形成為到達該第1及第2主面之雙方。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件，其中，該凹槽形成為僅到達該第1主面。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件，其中，在該第2主面上亦形成該外部導體。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件，其中，該第1主面之與該第1側面相對向之該第2側面相接之第2稜部，亦具有與該第1稜部同樣之構成。
  12. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之陶瓷電子零件，其中，該外部導體至少其表面由Cu構成。
  13. 一種陶瓷電子零件之製造方法，具有：準備集合零件之步驟，該集合零件具有彼此對向之第1及第2主面，至少在該第1主面上形成外部導體，並且以在連結該第1及第2主面間之方向延伸的方式形成複數個裂斷導孔，各該裂斷導孔使其開口端位於至少該第1主面上，複數個該裂斷導孔排列成沿著既定裂斷線分布；及沿著該裂斷線將該集合零件分割，藉此取出複數個陶瓷電子零件之步驟；其特徵在於：從第1主面側觀察時，該集合零件在該裂斷線上具有與該外部導體交叉之第1區域、及不與該外部導體交叉之第2區域；該複數個裂斷導孔，包含配置成跨設於該第1區域及該第2區域之至少1個跨設裂斷導孔。
  14. 一種集合零件，可藉由沿既定裂斷線進行分割以取出複數個陶瓷電子零件，其特徵在於：具有彼此對向之第1及第2主面，至少在該第1主面上形成外部導體，並且以在連結該第1及第2主面間之方向延伸的方式形成複數個裂斷導孔，各該裂斷導孔使其開口端位於至少該第1主面上，複數個該裂斷導孔係排列成沿著該裂斷線分布；從第1主面側觀察時，該集合零件在該裂斷線上具有與該外部導體交叉之第1區域、及不與該外部導體交叉之第2區域； 該複數個裂斷導孔，包含配置成跨設於該第1區域及該第2區域之至少1個跨設裂斷導孔。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101141402B1 (ko) * 2011-03-09 2012-05-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
CN103597563B (zh) 2011-06-15 2016-03-23 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电子部件的制造方法
KR20130123661A (ko) * 2012-05-03 2013-11-13 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법
JP6101465B2 (ja) * 2012-09-27 2017-03-22 ローム株式会社 チップ部品
JP2017037930A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品
US10607695B2 (en) * 2015-11-24 2020-03-31 Intel Corporation Provision of structural integrity in memory device
JP2017183574A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品内蔵型基板
JP2017220523A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR102059443B1 (ko) * 2017-09-06 2019-12-27 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
JP2019176109A (ja) 2018-03-29 2019-10-10 太陽誘電株式会社 受動部品及び電子機器
JP7308021B2 (ja) * 2018-10-12 2023-07-13 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品、セラミック電子部品の製造方法およびセラミック電子部品実装回路基板
CN112449515A (zh) * 2019-08-27 2021-03-05 Oppo广东移动通信有限公司 壳体及其制作方法
CN113555648B (zh) * 2020-04-01 2022-05-13 比亚迪股份有限公司 电池线束、电池模组及电动汽车
JP2021174970A (ja) * 2020-04-30 2021-11-01 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの実装構造
KR20220064493A (ko) * 2020-11-12 2022-05-19 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
JP2022128810A (ja) * 2021-02-24 2022-09-05 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260187A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法
JP2007173627A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板内蔵用コンデンサの製造方法及び配線基板内蔵用コンデンサ

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3603850A (en) * 1969-11-14 1971-09-07 Mallory & Co Inc P R Ceramic capacitor with counterelectrode
JPS5297448U (zh) * 1976-01-19 1977-07-21
US4661884A (en) * 1986-03-10 1987-04-28 American Technical Ceramics Corp. Miniature, multiple layer, side mounting high frequency blocking capacitor
JPH0682572B2 (ja) * 1989-04-05 1994-10-19 株式会社村田製作所 多連チップ抵抗器の製造方法
JPH0687085A (ja) * 1992-09-10 1994-03-29 Taiyo Yuden Co Ltd セラミック基板の分割方法
US5572779A (en) * 1994-11-09 1996-11-12 Dale Electronics, Inc. Method of making an electronic thick film component multiple terminal
JPH10270282A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP4423707B2 (ja) * 1999-07-22 2010-03-03 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2001035740A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Taiyo Kagaku Kogyo Kk 外部端子電極具備電子部品及びその製造方法
JP2002368351A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 片面型プリント配線基板の分割方法及び片面型プリント配線基板
JP3885938B2 (ja) * 2002-03-07 2007-02-28 Ｔｄｋ株式会社 セラミック電子部品、ペースト塗布方法及びペースト塗布装置
JP3916136B2 (ja) 2002-03-12 2007-05-16 株式会社住友金属エレクトロデバイス セラミック基板
US7054136B2 (en) * 2002-06-06 2006-05-30 Avx Corporation Controlled ESR low inductance multilayer ceramic capacitor
JP2005064446A (ja) 2003-07-25 2005-03-10 Dainippon Printing Co Ltd 積層用モジュールの製造方法
JP2005079427A (ja) 2003-09-02 2005-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント基板およびプリント基板の製造方法
JP2005086131A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法
JP4650007B2 (ja) * 2005-02-01 2011-03-16 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JP4539440B2 (ja) 2005-06-01 2010-09-08 株式会社村田製作所 積層コンデンサの実装構造
TWI423282B (zh) * 2005-12-22 2014-01-11 Ngk Spark Plug Co 電容器與配線板及其製造方法
JP2008198905A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Hitachi Metals Ltd セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール
US7808770B2 (en) * 2007-06-27 2010-10-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic capacitor
JP4957737B2 (ja) * 2008-05-14 2012-06-20 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法ならびに集合部品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260187A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法
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