JP4957737B2 - セラミック電子部品およびその製造方法ならびに集合部品 - Google Patents
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Description
P1>P2
を満足することを特徴としている。
D1<D2
を満足することを特徴としている。
12,42,57 第1の主面
13 第2の主面
14,62 第1の側面
15,63 第2の側面
18 コンデンサ本体
19,20 外部端子電極
21 ギャップ
24 第1の凹溝
25 第2の凹溝
27,66 第1の稜部
28,46 第1の領域
29,47 第2の領域
30 誘電体層
31 第1の内部電極
32 第2の内部電極
37 第2の稜部
41 集合部品
43 外部端子電極用導電性ペースト膜
48 第1のブレイク誘導穴
49 第2のブレイク誘導穴
51,52 ビア導体
55 セラミック電子部品
56 セラミック素体
58 外部導体
Claims (18)
- 互いに対向する第1および第2の主面ならびに前記第1および第2の主面間を結ぶ第1ないし第4の側面を有する、セラミック素体と、
前記セラミック素体の少なくとも前記第1の主面上に形成された外部導体と
を有し、
少なくとも前記第1の側面には、前記第1および第2の主面間を結ぶ方向に延び、かつ少なくとも前記第1の主面にまで達するように形成された複数の凹溝が形成され、
前記第1の主面における前記第1の側面に接する第1の稜部には、
前記外部導体の端縁が位置している少なくとも2つの第1の領域と、
隣り合う2つの前記第1の領域間に位置し、かつ前記外部導体の端縁が位置していない少なくとも1つの第2の領域と
が形成され、
前記複数の凹溝は、
前記第2の領域には至らないようにして、前記第1の領域において所定のピッチで形成された複数の第1の凹溝と、
前記第2の領域のみに、あるいは、前記第2の領域から前記第1の領域に部分的に至るようにして、所定のピッチで形成された複数の第2の凹溝と
を含み、
前記第1の凹溝同士のピッチをP1、前記第2の凹溝同士のピッチをP2としたとき、
P1>P2
を満足することを特徴とする、セラミック電子部品。 - 隣り合う前記第2の凹溝は互いに重なり合っている、請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 隣り合う前記第2の凹溝は互いに独立している、請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 互いに対向する第1および第2の主面ならびに前記第1および第2の主面間を結ぶ第1ないし第4の側面を有する、セラミック素体と、
前記セラミック素体の少なくとも前記第1の主面上に形成された外部導体と
を有し、
少なくとも前記第1の側面には、前記第1および第2の主面間を結ぶ方向に延び、かつ少なくとも前記第1の主面にまで達するように形成された複数の凹溝が形成され、
前記第1の主面における前記第1の側面に接する第1の稜部には、
前記外部導体の端縁が位置している少なくとも2つの第1の領域と、
隣り合う2つの前記第1の領域間に位置し、かつ前記外部導体の端縁が位置していない少なくとも1つの第2の領域と
が形成され、
前記複数の凹溝は、
前記第2の領域には至らないようにして、前記第1の領域に形成された複数の第1の凹溝と、
前記第2の領域に形成された少なくとも1つの第2の凹溝と
を含み、
前記第1の凹溝の前記第1の稜部に沿った長さをD1、前記第2の凹溝の前記第1の稜部に沿った長さをD2としたとき、
D1<D2
を満足することを特徴とする、セラミック電子部品。 - 前記外部導体は、前記第1の領域に前記端縁を位置させている第1の外部導体と、前記第2の領域に前記端縁を位置させている第2の外部導体とを含み、前記第1の外部導体と前記第2の外部導体とは、前記第1の主面上において互いに独立して形成されている、請求項1ないし4のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 当該セラミック電子部品は、積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層を介して互いに対向するように設けられた第1および第2の内部電極とを備える、積層セラミックコンデンサを構成するものであり、前記第1の外部導体は前記第1の内部電極と電気的に接続され、前記第2の外部導体は前記第2の内部電極と電気的に接続されている、請求項5に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体層ならびに前記第1および第2の内部電極は、前記第1の主面に対して垂直方向に延びている、請求項6に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体層ならびに前記第1および第2の内部電極は、前記第1の主面に対して平行方向に延びていて、前記第1の外部導体は第1のビア導体を介して前記第1の内部電極と電気的に接続され、前記第2の外部導体は第2のビア導体を介して前記第2の内部電極と電気的に接続されている、請求項6に記載のセラミック電子部品。
- 前記凹溝は、前記第1および第2の主面の双方にまで達するように形成されている、請求項1ないし8のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記凹溝は、前記第1の主面にまでのみ達するように形成されている、請求項1ないし8のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 隣り合う前記第1の凹溝と前記第2の凹溝との間のピッチは、前記第1の凹溝同士のピッチ以下である、請求項1ないし10のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記外部導体は、前記第2の主面上にも形成されている、請求項1ないし11のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記第1の主面における前記第1の側面に対向する前記第2の側面に接する第2の稜部についても、前記第1の稜部と同様の構成を有する、請求項1ないし12のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記外部導体は、その少なくとも表面がCuから構成される、請求項1ないし13のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 互いに対向する第1および第2の主面を有し、外部導体が少なくとも前記第1の主面上に形成されるとともに、複数のブレイク誘導穴が前記第1および第2の主面間を結ぶ方向に延びるように形成され、各前記ブレイク誘導穴は、少なくとも前記第1の主面上にその開口端を位置させており、複数の前記ブレイク誘導穴は、所定のブレイクラインに沿って分布するように配列されている、集合部品を準備する工程と、
前記ブレイクラインに沿って、前記集合部品を分割することにより、複数のセラミック電子部品を取り出す工程と
を備える、セラミック電子部品の製造方法であって、
前記集合部品は、これを前記第1の主面側から見たとき、前記ブレイクライン上において、前記外部導体と交差する第1の領域と、前記外部導体と交差しない第2の領域とを有し、
前記複数のブレイク誘導穴は、
前記第2の領域に至らないようにして、前記第1の領域に形成される複数の第1のブレイク誘導穴と、
前記第2の領域のみに、あるいは、前記第2の領域から前記第1の領域に部分的に至るようにして、所定のピッチで形成された複数の第2のブレイク誘導穴と
を含み、
前記第1のブレイク誘導穴同士のピッチは、前記第2のブレイク誘導穴同士のピッチよりも広くされることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。 - 互いに対向する第1および第2の主面を有し、外部導体が少なくとも前記第1の主面上に形成されるとともに、複数のブレイク誘導穴が前記第1および第2の主面間を結ぶ方向に延びるように形成され、各前記ブレイク誘導穴は、少なくとも前記第1の主面上にその開口端を位置させており、複数の前記ブレイク誘導穴は、所定のブレイクラインに沿って分布するように配列されている、集合部品を準備する工程と、
前記ブレイクラインに沿って、前記集合部品を分割することにより、複数のセラミック電子部品を取り出す工程と
を備える、セラミック電子部品の製造方法であって、
前記集合部品は、これを前記第1の主面側から見たとき、前記ブレイクライン上において、前記外部導体と交差する第1の領域と、前記外部導体と交差しない第2の領域とを有し、
前記複数のブレイク誘導穴は、
前記第2の領域には至らないようにして、前記第1の領域に形成された複数の第1のブレイク誘導穴と、
前記第2の領域に形成された少なくとも1つの第2のブレイク誘導穴と
を含み、
前記第2のブレイク誘導穴の前記ブレイクラインに沿った長さは、前記第1のブレイク誘導穴の前記ブレイクラインに沿った長さよりも長くされることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。 - 所定のブレイクラインに沿って分割することにより、複数のセラミック電子部品を取り出すことができる集合部品であって、
互いに対向する第1および第2の主面を有し、外部導体が少なくとも前記第1の主面上に形成されるとともに、複数のブレイク誘導穴が前記第1および第2の主面間を結ぶ方向に延びるように形成され、各前記ブレイク誘導穴は、少なくとも前記第1の主面上にその開口端を位置させており、複数の前記ブレイク誘導穴は、前記ブレイクラインに沿って分布するように配列されていて、
当該集合部品は、これを前記第1の主面側から見たとき、前記ブレイクライン上において、前記外部導体と交差する第1の領域と、前記外部導体と交差しない第2の領域とを有し、
前記複数のブレイク誘導穴は、
前記第2の領域に至らないようにして、前記第1の領域に形成される複数の第1のブレイク誘導穴と、
前記第2の領域のみに、あるいは、前記第2の領域から前記第1の領域に部分的に至るようにして、所定のピッチで形成された複数の第2のブレイク誘導穴と
を含み、
前記第1のブレイク誘導穴同士のピッチは、前記第2のブレイク誘導穴同士のピッチよりも広くされていることを特徴とする、集合部品。 - 所定のブレイクラインに沿って分割することにより、複数のセラミック電子部品を取り出すことができる集合部品であって、
互いに対向する第1および第2の主面を有し、外部導体が少なくとも前記第1の主面上に形成されるとともに、複数のブレイク誘導穴が前記第1および第2の主面間を結ぶ方向に延びるように形成され、各前記ブレイク誘導穴は、少なくとも前記第1の主面上にその開口端を位置させており、複数の前記ブレイク誘導穴は、前記ブレイクラインに沿って分布するように配列されていて、
当該集合部品は、これを前記第1の主面側から見たとき、前記ブレイクライン上において、前記外部導体と交差する第1の領域と、前記外部導体と交差しない第2の領域とを有し、
前記複数のブレイク誘導穴は、
前記第2の領域には至らないようにして、前記第1の領域に形成された複数の第1のブレイク誘導穴と、
前記第2の領域に形成された少なくとも1つの第2のブレイク誘導穴と
を含み、
前記第2のブレイク誘導穴の前記ブレイクラインに沿った長さは、前記第1のブレイク誘導穴の前記ブレイクラインに沿った長さよりも長くされていることを特徴とする、集合部品。
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JP5559717B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2014-07-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
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WO2013104110A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 3M Innovative Properties Company | Hole-drilled sintered ferrite sheet, antenna isolator, and antenna module |
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Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5297448A (en) * | 1977-01-27 | 1977-08-16 | Toshiba Corp | Action limiting circuit at wrong set number time |
DE58901771D1 (de) * | 1988-09-07 | 1992-08-06 | Siemens Ag | Loetvorrichtung mit mindestens einer durch elekrische widerstandswaerme erhitzbaren buegelelektrode. |
JPH0682572B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1994-10-19 | 株式会社村田製作所 | 多連チップ抵抗器の製造方法 |
JPH0330409A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 |
JPH0687085A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-03-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック基板の分割方法 |
JPH09260187A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
JPH10270282A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP4423707B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2010-03-03 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2001035740A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Taiyo Kagaku Kogyo Kk | 外部端子電極具備電子部品及びその製造方法 |
JP2002368351A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 片面型プリント配線基板の分割方法及び片面型プリント配線基板 |
JP3888263B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2007-02-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP3885938B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-02-28 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品、ペースト塗布方法及びペースト塗布装置 |
JP3916136B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2007-05-16 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | セラミック基板 |
US7054136B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-05-30 | Avx Corporation | Controlled ESR low inductance multilayer ceramic capacitor |
JP2005064446A (ja) | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層用モジュールの製造方法 |
JP2005079427A (ja) | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント基板およびプリント基板の製造方法 |
JP2005086131A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
JP4650007B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP4539440B2 (ja) | 2005-06-01 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサの実装構造 |
JP4746423B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-08-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板内蔵用コンデンサの製造方法及び配線基板内蔵用コンデンサ |
US7808770B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
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