TWI547994B - Film forming device - Google Patents

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TWI547994B TW102126392A TW102126392A TWI547994B TW I547994 B TWI547994 B TW I547994B TW 102126392 A TW102126392 A TW 102126392A TW 102126392 A TW102126392 A TW 102126392A TW I547994 B TWI547994 B TW I547994B
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Description

成膜裝置
本發明之實施形態係關於一種成膜裝置。
於基板上進行成膜的方法之一已知有一種電漿激發原子層沉積(PE-ALD：Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)法。PE-ALD法中，係藉由將基板暴露於前驅體氣體，來將含有欲形成於基板上之薄膜構成元素的前驅體氣體化學吸附在該基板。接著，將基板暴露於吹淨氣體，來將過剩吸附於該基板的前驅體氣體加以去除。然後，藉由將基板暴露於含有所欲形成之薄膜構成元素之反應氣體的電漿，來在基板上形成所欲薄膜。PE-ALD法中，係藉由重複此般工序，來在基板上產生包含於前驅體氣體之原子或分子的被處理膜。
實施此般PE-ALD法之裝置已知有一種枚葉式成膜裝置及半批次式成膜裝置。該等成膜裝置中之半批次式成膜裝置由於可在複數基板同時進行成膜，故產能較枚葉式成膜裝置優異。具體而言，半批次式成膜裝置中，係在個別的處理室內設置供給前驅體氣體之區域及產生反應氣體之電漿的區域，複數基板會依序通過該等區域。如此般，半批次式成膜裝置由於會在不同區域同時進行前驅體氣體之供給及反應氣體電漿之產生，故具有產能較枚葉式成膜裝置要高的優點。
半批次式成膜裝置有下述專利文獻1及專利文獻2所記載者存在。專利文獻1所記載之成膜裝置係具備有晶座單元及氣體噴射單元。晶座單元係支撐基板者，構成為以旋轉軸線中心旋轉。氣體噴射單元係對向設置於晶座單元，包含有供給前驅體氣體之第1區域、供給吹淨氣體之吹淨區域、供給反應氣體自由基之第2區域、及供給吹淨氣體之其他吹淨區域。第1區域、吹淨區域、第2區域及其他吹淨區域係配列於周圍方向，各區域間係設有沿徑向延伸之排氣管線。
又，專利文獻2所記載之成膜裝置係具備有旋轉台、噴淋頭及電漿源。 旋轉台係支撐基板者，可旋轉於旋轉軸線中心。噴淋頭及電漿源係對向配置於旋轉台，而配列於周圍方向。噴淋頭係具有略扇形之俯視形狀，而供給前驅體氣體。電漿源亦具有略扇形之俯視形狀，而供給反應氣體，藉由從梳形電極供給高頻電功率，來產生反應氣體之電漿。噴淋頭周圍及電漿源周圍係設有排氣孔，噴淋頭與電漿之間係設有供給吹淨氣體之噴淋板。
【先前技術文獻】
專利文獻1：日本特開2010-157736號公報
專利文獻2：日本特開2011-222960號公報
然而，作為電漿激發源，近年來可產生低電子溫度且高密度電漿之微波乃受到矚目。使用微波作為電漿激發源之成膜裝置中，一般而言，係採用在處理室上方設置介電體窗，在該介電體窗上方設置導波管之構成。
另一方面，半批次式成膜裝置中，由於基板係旋轉於旋轉軸線中心，故需要相對於旋轉軸線在延伸於放射方向之區域產生電漿。然而，將微波作為電漿激發源之成膜裝置的上述構成中，會隨著處理容器內之壓力增加，使得電漿產生位置在介電體窗下方整體區域中之一部分局部化，又，局部化之電漿產生位置的控制會變得困難。
從而，本技術領域中，便需要在藉由供給微波來在處理容器內激發電漿之半批次式成膜裝置中，改善電漿產生位置之控制性。
本發明一側面之成膜裝置係具備有載置台、處理容器、氣體供給部及電漿產生部。載置台係具有複數基板載置區域。載置台係以複數基板載置區域會移動於周圍方向之方式而可旋轉地設置於軸線中心。處理室係區劃出收納載置台之處理室。處理室包含有第1區域及第2區域。藉由載置台的旋轉而相對於軸線移動於周圍方向之基板載置區域會依序通過第1區域及第2區域。氣體供給部會從對向於載置台所設置之噴射部將前驅體氣體供給至第1區域。電漿產生部係包含有在載置台上方且第2區域上方區劃導波路徑之一個以上之導波管、連接至該一個以上之導波管的微波產生器、以及透過設於一個以上之導波管下側導體部之複數開口而延伸至第2區域之介電體製的複數突出部。複數突出部係相對於該軸線而配列於放射方向。
該成膜裝置中，傳遞於導波路徑而從導波管漏出之微波會集中至從導波管下側導體部之開口延伸至第2區域之複數突出部。從而，電漿產生位置會集中在複數突出部附近。故該成膜裝置的電漿產生位置之控制性優異。又，複數突出部係相對於為載置台旋轉中心之該軸線而配列於放射方向。從而，該成膜裝置中，可在相對於該軸線而延伸於放射方向之區域中產生電漿。
一實施形態中，成膜裝置可更具備有複數活塞(plunger)，係透過該導波管而對向於該複數突出部之導波管側一端般地加以設置；該複數活塞可具有可調整至導波管之距離的反射板。依此實施形態，藉由調整活塞之反射板位置，便可將導波管之導波路徑內的駐波之波峰位置相對於導波管之複數開口位置來進行相對調整。藉此，由於可相對地調整漏出於排列於放射方向之複數突出部的微波功率，故可相對於該軸線調整放射方向之電漿密度分布。於是，半批次式成膜裝置中，該軸線起之距離較遠的基板區域之周速度便會較該軸線起之距離較近的基板區域要快。從而，藉由以該軸線起之距離越大，則微波強度越強之方式來調整活塞之反射板位置，便可相對於基板將電漿處理加以均勻化。
一實施形態中，複述的突出部可以為棒狀的形狀。其他實施形態中，複數的突出部可以為在與該軸線正交之剖面中具有弧形的形狀。又，一實施形態中，複數突出部可進一步地沿著以該軸線為中心之複數同心圓而加以配列。依此實施形態，便可放大相對於該軸線之周圍方向的電漿產生區域。
一實施形態中，一個以上之導波管可包含有分別沿著與該複數同心圓平行之複數同心圓而延伸之複數導波管。又，其他一實施形態中，一個以上之導波管可相對於該軸線而延伸於放射方向。
一實施形態中，噴射部可具有複數氣體噴淋部，該複數氣體噴淋部各提供相對於該軸線而為相互不同距離之區域的一個以上之噴射口，氣體供給部可構成為可個別地調整從該複數氣體噴淋部所噴射之前驅體氣體之流量。依此實施形態，可從該軸線起之距離不同的區域供給不同流量之前驅體氣體。如上述般，半批次式成膜裝置中，該軸線起之距離較遠的基板區域之周速度便會較該軸線起之距離較近的基板區域要快。從而，藉由該線 起之距離較大之區域所噴射之前驅體氣體流量大於該軸線起之距離較近之區域所噴射之前驅體氣體流量，便可將基板整面較均勻地暴露在前驅體氣體。
如以上所說明，依本發明一側面及實施形態，便可提供一種為藉由供給微波來在處理容器內激發電漿之半批次式成膜裝置，且電漿產生位置之控制性優異之成膜裝置。
10‧‧‧成膜裝置
12‧‧‧處理容器
14‧‧‧載置台
14a‧‧‧基板載置區域
16‧‧‧氣體供給部(前驅體氣體)
16a‧‧‧噴射部
16a1,16a2‧‧‧氣體噴淋部
16h‧‧‧噴射口
18‧‧‧排氣部
18a‧‧‧排氣口
20‧‧‧氣體供給部(吹淨氣體)
20a‧‧‧噴射口
22‧‧‧電漿產生部
24‧‧‧驅動機構
48‧‧‧微波產生器
70‧‧‧導波管
70a‧‧‧下側導體部
70h‧‧‧開口
72‧‧‧突出部
74‧‧‧活塞
74a‧‧‧反射板
74b‧‧‧位置調整機構
76‧‧‧氣體供給部(反應氣體)
C‧‧‧處理室
R1‧‧‧區域
R2‧‧‧區域
WG‧‧‧導波路徑
Z‧‧‧軸線(旋轉軸線)
圖1係概略顯示一實施形態相關之成膜裝置之剖視圖。
圖2係概略顯示一實施形態相關之成膜裝置之俯視圖。
圖3係顯示從圖2所示之成膜裝置將處理容器上部去除後狀態之俯視圖。
圖4為圖1所示之成膜裝置的放大剖視圖，係氣體供給部16、排氣部18及氣體供給部20之放大剖視圖。
圖5係顯示圖1所示之成膜裝置的氣體供給部16之噴射部、排氣部18之排氣口及氣體供給部20之噴射口的仰視圖。
圖6係區劃出氣體供給部16之噴射部、排氣部18之排氣口及氣體供給部20之噴射口的一實施形態相關之單元的立體分解圖。
圖7係從上方觀看圖6所示之單元的俯視圖。
圖8為圖1所示成膜裝置之放大剖視圖，係顯示電漿產生部之放大剖視圖。
圖9係概略顯示其他實施形態相關之成膜裝置的俯視圖。
圖10係顯示用於實驗例之電漿處理裝置構成的立體圖。
圖11係顯示實驗例1之電漿發光狀態的影像。
圖12係顯示實驗例2之電漿發光狀態的影像。
圖13係顯示以模擬所求得之圖10所示電漿處理裝置之電場強度比的圖式。
以下，便參照圖式來就各種實施形態加以詳細說明。另外，各圖式中，係對相同或相當之部分賦予相同符號。
圖1為一實施形態相關之成膜裝置的剖視圖。圖2係概略顯示一實施形 態相關之成膜裝置之俯視圖。圖1係顯示沿著圖2之I-I線的剖面。圖3係顯示從圖2所示之成膜裝置將處理容器上部去除後狀態之俯視圖。圖1、圖2、圖3所示之成膜裝置10係具備有處理容器12、載置台14、供給前驅體氣體之氣體供給部16、排氣部18、供給吹淨氣體之氣體供給部20、以及電漿產生部22。
處理容器12為延伸於軸線Z方向之略圓筒狀容器。處理容器12係在其內部區劃出處理室C。處理容器12可由例如所謂內面施有耐電漿處理(例如耐酸鋁處理或Y2O3火焰噴塗處理)之鋁的金屬所構成。一實施形態中，如圖1所示，處理容器12係包含下部12a及上部12b。下部12a係具有上方開口之筒形狀，包含有區劃出處理室C之側壁及底壁。上部12b為從上方區劃出處理室C之蓋體。上部12b係以封閉下部12a之上部開口的方式組裝在下部12a的頂部。該等下部12a及上部12b之間可設有用以密封處理室C之密封構件。
藉由處理容器12所區劃出之處理室C內係設有載置台14。載置台14具有略圓板形狀。載置台14係構成為可以軸線Z中心旋轉。一實施形態中，載置台14係藉由驅動機構24而被旋轉驅動於軸線Z中心。驅動機構24係具有所謂馬達之驅動裝置24a及旋轉軸24b，而被組裝在處理容器12之下部12a。旋轉軸24b係以軸線Z為其中心軸線而延伸至處理室C內，藉由驅動裝置24a之驅動力而旋轉於軸線Z中心。此旋轉軸24b係被支撐在載置台24之中央部分。藉由該構成，載置台14便可旋轉於軸線Z中心。另外，處理容器12之下部12a與驅動機構24之間亦可設置密封處理容器C般的所謂O型環之密封構件。
如圖1及圖3所示，載置台14上面係設有一個以上之基板載置區域14a。一實施形態中，複數基板載置區域14a係相對於軸線Z而配列在周圍方向。基板載置區域14a係構成為具有與該區域所載置之基板W直徑略相同，或具有較基板直徑要稍大之直徑的凹部。處理室C中之載置台14下方係設有用以加熱基板載置區域14a所載置之基板W的加熱器26。基板W係透過處理容器12所設置之閘閥GV而藉由所謂機械臂之搬送裝置而被搬送置處理室C，並載置在基板載置區域14a。又，以成膜裝置10處理後的基板W係藉由搬送裝置透過閘閥GV而從處理室C被取出。該處理室C係包 含有相對於軸線Z而配列於周圍方向之第1區域R1及第2區域R2。基板載置區域14a所載置之基板W會隨著載置台14之旋轉而依序通過第1區域R1及第2區域R2。
以下，除了圖2及圖3，請再參照圖4及圖5。圖4係圖1所示之成膜裝置的放大剖視圖，係氣體供給部16、排氣部18及氣體供給部20之放大剖視圖。圖5係顯示圖1所示之成膜裝置的氣體供給部16之噴射部、排氣部18之排氣口及氣體供給部20之噴射口的仰視圖，為下方，即觀看氣體供給部16之噴射部、排氣部18之排氣口及氣體供給部20之噴射口的仰視圖。如圖2~圖4所示，第1區域R1上方係以對向於載置台14上面之方式設有氣體供給部16之噴射部16a。換言之，處理室C所包含之區域中，對向於噴射部16a之區域則為第1區域R1。
如圖4及圖5所示，噴射部16a係形成有複數噴射口16h。氣體供給部16係由該等複數噴射口16h將前驅體氣體供給至第1區域R1。藉由將前驅體氣體供給至第1區域R1，通過第1區域R1之基板W表面便會化學吸附前驅體氣體。該前驅體氣體例如為DCS(二氯矽烷)。
一實施形態中，如圖5所示，區劃出噴射部16a之緣部係含有由周圍方向區劃出該噴射部16a之兩個緣部16e。該等兩個緣部16e係以隨著接近軸線Z而相互接近的方式延伸。兩個緣部16e可例如對於軸線Z而延伸於放射方向。亦即，噴射部16a係設於略扇形俯視形狀之區域。複數噴射口16h係橫跨該等兩個緣部16e之間而加以設置。於是，隨著載置台14旋轉之基板W內各位置的速度便會依軸線Z起之距離而不同。亦即，越遠離軸線Z之位置，則其速度越快。該實施形態中，係構成為以越遠離軸線Z之基板W內的位置，則對向地設有越多的噴射口16h之方式來構成噴射部16a。從而，便可減低基板W各位置暴露在前驅體氣體之時間差異。
又，一實施形態中，噴射部16a係含有複數氣體噴淋部。該等氣體噴淋部係設於軸線Z起之相異距離的區域。圖2、圖4、及圖5所示之實施形態中，噴射部16a係含有兩個氣體噴淋部16a1及16a2，氣體噴淋部16a1係設於較氣體噴淋部16a2要靠近軸線Z之區域。亦即，噴射部16a係於藉由軸線Z起之距離所分割之2區域分別提供氣體噴淋部16a1及16a2。氣體供給部16如後述般，係構成為可個別地調整該等氣體噴淋部16a1及16a2所噴 射之前驅體氣體之流量。
如圖4及圖5所示，噴射部16a周圍係設有排氣口18a，排氣口18係由該排氣口18a進行第1區域R1之排氣。排氣部18之排氣口18a係對向於載置台14上面，如圖5所示，係沿著包圍噴射部16a外周之封閉迴路延伸。如此般，成膜裝置10中，窄幅之排氣口18a便會包圍噴射部16a周圍。
又，如圖4及圖5所示，排氣口18a周圍係設有氣體供給部20之噴射口20a，氣體供給部20會從該噴射口20a噴射吹淨氣體。氣體供給部20之噴射口20a係對向於載置台14上面，沿著包圍排氣口18a外周之封閉迴路延伸。氣體供給部20所供給之吹淨氣體可使用例如所謂N2氣體之非活性氣體。此般吹淨氣體吹拂至基板W時，會將多餘化學吸附在該基板W之前驅體氣體從基板去除。
成膜裝置10中，藉由從排氣口18a之排氣及噴射口20a之吹淨氣體的噴射，便可抑制被供給至第1區域R1之前驅體氣體漏出至第1區域R1外，又，會抑制第2區域R2中如後述般被供給之反應氣體或其自由基等侵入至第1區域R1。亦即，排氣部18及氣體供給部20會將第1區域R1及第2區域R2分離。又，噴射口20a及排氣口18a由於係具有沿著包圍噴射部16a外周之封閉迴路所延伸之帶狀俯視形狀，故噴射口20a及排氣口18a之各自寬度會變窄。從而，便能確保第2區域R2相對於軸線Z而延伸於周圍方向之角度範圍，並實現第1區域R1與第2區域R2之分離。一實施形態中，第1區域R1與第2區域R2之間所延伸之排氣口18a的寬度W2及噴射口20a之寬度W3(參照圖5)係較基板載置區域14a之直徑W1(參照圖3)要小。
一實施形態中，成膜裝置10可具備有區劃出相關噴射部16a、排氣口18a及噴射口20a之單元U。該單元U係構成為可個別地控制氣體噴淋部16a1及16a2所噴射之前驅體氣體之流量。以下，亦參照圖6及圖7。圖6係區劃出氣體供給部16之噴射部、排氣部18之排氣口及氣體供給部20之噴射口的一實施形態相關之單元的立體分解圖。圖7係從上方觀看圖6所示之單元的俯視圖。另外，圖7係顯示單元U之上面，圖5係顯示單元U之下面。
如圖4~圖7所示，單元U係由第1構件M1、第2構件M2、第3件M3及第4構件M4所構成，而具有依序重疊第1~第4構件M1~M4之構造。 單U係以接觸至處理容器12上部12b下面的方式被組裝在處理容器12，處理容器12上部12b下面與第1構件M1之間係設有密封構件30。該密封構件30係沿著第1構件M1上面之外緣延伸。
第1~第4構件M1~M4係具有略扇形之俯視形狀。第1構件M1在其下部側中係區劃出收納第2~第4構件M2~M4之凹部。又，第2構件M2在其下部側中係區劃出收納第3~第4構件M3~M4之凹部。第3件M3與第4構件M4具有略相同之平面尺寸。
單元U中，係形成有貫穿第1~第3構件M1~M3之氣體供給管線60a1。氣體供給管線60a1在其上端中係與處理容器12上部12b所設置之氣體供給管線12p1連接。該氣體供給管線12p1係透過閥16v1及所謂質流控制器之流量控制器16c1而連接有前驅體氣體之氣體源16g1。又，氣體供給管線60a1下端係連接至形成在第3構件M3與第4構件M4之間的緩衝室60b1。該緩衝室60b1係連接有第4構件M4所設置之氣體噴淋部16a1之複數噴射口16h。
又，單元U中，係形成有貫穿第1~第3構件M1~M3之氣體供給管線60a2。氣體供給管線60a2在其上端中係與處理容器12上部12b所設置之氣體供給管線12p2連接。該氣體供給管線12p2係透過閥16v2及所謂質流控制器之流量控制器16c2而連接有前驅體氣體之氣體源16g2。又，氣體供給管線60a2下端係連接至形成在第3構件M3與第4構件M4之間的緩衝室60b2。緩衝室60b2係藉由該緩衝室60b2與緩衝室60b1之間所設置之區隔壁PW而從緩衝室60b1分離。該緩衝室60b2係連接有第4構件M4所設置之氣體噴淋部16a2之複數噴射口16h。
處理容器12上部12b與第1構件M1之間係以包圍氣體供給管線12p1與氣體供給管線60a1之連接部分的方式設置有所謂O型環之密封構件32a1。藉由該密封構件32a1，便可防止被供給至氣體供給管線12p1與氣體供給管線60a1之前驅體氣體從處理容器12上部12b與第1構件M1之邊界漏出。又，第1構件M1與第2構件M2之間，以及第2構件M2與第3構件M3之間係分別以包圍氣體供給管線60a1之方式設有所謂O型環之密封構件32b1、32c1。藉由密封構件32b1及32c1，便可防止被供給至氣體供給管線60a1之前驅體氣體從第1構件M1與第2構件M2之邊界，以及第2 構件M2與第3構件M3之邊界漏出。
同樣地，處理容器12上部12b與第1構件M1之間係以包圍氣體供給管線12p2與氣體供給管線60a2之連接部分的方式，設有密封構件32a2。藉由該密封構件32a2，便可防止被供給至氣體供給管線12p2與氣體供給管線60a2之前驅體氣體從處理容器12上部12b與第1構件M1之邊界漏出。又，第1構件M1與第2構件M2之間，以及第2構件M2與第3構件M3之間係分別以包圍氣體供給管線60a2之方式設有密封構件32b2、32c2。藉由密封構件32b2及32c2，便可防止被供給至氣體供給管線60a2之前驅體氣體從第1構件M1與第2構件M2之邊界，以及第2構件M2與第3構件M3之邊界漏出。
再者，第3構件M3與第4構件M4之間係以包圍緩衝室60b1及60b2的方式設有密封構件32d。藉由密封構件32d，便可防止被供給至緩衝室60b1及60b2之前驅體氣體從第3構件M3與第4構件M4之邊界漏出。
如此般地，單元U中用以將前驅體氣體供給至氣體噴淋部16a1之氣體供給管線與將前驅體氣體供給至氣體噴淋部16a2之氣體供給管線會被加以分離。又，氣體供給部16係含有氣體噴淋部16a1用之流量控制器16c1及氣體噴淋部16a2用之流量控制器16C2。從而，可個別地調整從氣體噴淋部16a1及氣體噴淋部16a2所噴射之前驅體氣體之流量。藉此，便可以越為遠離軸線Z之基板位置，則越會暴露在較多的前驅體氣體之方式，來使得氣體噴淋部16a2之前驅體氣體流量較氣體噴淋部16a1之前驅體氣體之流量要多。另外，亦可將用以將前驅體氣體供給至氣體噴淋部16a1之管線與用以將前驅體氣體供給至氣體噴淋部16a2之管線透過分流器連接至共通的氣體源，此情況，亦可藉由分流器來調整供給至氣體噴淋部16a1與氣體噴淋部16a2之前驅體氣體的分配比。
又，單元U中，係形成有貫穿第1~第2構件M1~M2的排氣管線18q。排氣管線18q係在其上端中與處理容器12上部12b所設置之排氣管線12q連接。此排氣管線12q係連接至所謂真空泵之排氣裝置34。又，排氣管線18q係在其下端中與第2構件M2下面與第3構件M3上面之間所設置之空間18d連接。又，如上所述第2構件M2係區劃出收納第3構件M3及第4構件M4之凹部，區劃出該凹部之第2構件M2內側面與第3構件M3與第 4構件側端面之間係設有間隔18g。空間18d係連接至此間隔18g，間隔18g下端係具有作為上述排氣口18a之功能。
處理容器12上部12b與第1構件M1之間係以包圍排氣管線18q與排氣管線12q之連接部分的方式設置有所謂O型環之密封構件36a。藉由此密封構件36a，可防止流通於排氣管線18q及排氣管線12q之排氣氣體從處理容器12上部12b與第1構件M1之邊界漏出。又，第1構件M1與第2構件M2之間係以包圍排氣管線18q方式設置有所謂O型環之密封構件36b。藉由此密封構件36b，可防止流通於排氣管線18q之排氣氣體從第1構件M1與第2構件M2之邊界漏出。
再者，單元U中，係形成有貫穿第1構件M1之氣體供給管線20r。氣體供給管線20r係於其上端與處理容器12上部12b所設置之氣體供給管線12r連接。氣體供給管線12r係透過閥20v及所謂質流控制器之流量控制器20c而連接有吹淨氣體之氣體源20g。又，氣體供給管線20r下端係連接至第1構件M1下面與第2構件M2上面之間所設置之空間20d。又，如上所述第1構件M1係區劃出收納第2~第4構件M2~M4之凹部，區劃出該凹部之第1構件M1內側面與第2構件M2側面之間係設有間隔20p。該間隔20p係連接至空間20d。又，該間隔20p下端係具有作為氣體供給管線20之噴射口20a之功能。
處理容器12上部12b與第1構件M1之間係以包圍氣體供給管線12r與氣體供給管線20r之連接部分的方式，設有所謂O型環之密封構件38。藉由該密封構件38，便會防止流通於氣體供給管線20r及氣體供給管線12r之吹淨氣體從上部12b與第1構件M1之邊界漏出。
以下，再參照圖1~圖3，並進一步參照圖8。圖8為圖1所示成膜裝置之放大剖視圖，係顯示電漿產生部之放大剖視圖。如圖1~圖3及圖8所示，成膜裝置10係具備電漿產生部22。電漿產生部22係藉由將反應氣體供給至第2區域R2，將微波供給至該第2區域R2，來在第2區域R2中產生反應氣體之電漿。一實施形態中，在第2區域R2中，可將化學吸附於基板W之前驅體氣體氮化。在將基板W所沉積之膜氮化的情況，反應氣體可使用例如N2氣體或NH3氣體。
電漿產生部22可具有用以供給微波至第2區域R2之一個以上的導波 管70。圖1~圖3所示之實施形態中，電漿產生部22係具有相對於軸線Z而延伸於放射方向之五個導波管70。該等導波管70為矩形導波管，係搭載在處理容器12上部12b上，區劃出相對於軸線Z而延伸於放射方向之導波路徑WG。又，該等導波管70係相對於軸線Z而配列於周圍方向。導波管70各自連接有微波產生器48。微波產生器48會產生例如約2.45GHz之微波，並將該微波供給至導波管70。
導波管70各自包含有從下方區劃出導波路徑WG之下側導體部70a。下側導體部70a係連接至處理容器12上部12b之上面。下側導體部70a及處理容器上部12b係形成有於軸線Z方向貫穿該等下側導體部70a及處理容器上部12b之複數開口70h。該等複數開口70h係相對於軸線Z而配列於放射方向。又，一實施形態中，該等開口係沿著以軸線Z為中心之複數同心圓(圖中以參考符號CC1、CC2及CC3表示)而加以配列。該等複數開口70h係貫通有介電體製之複數突出部72。
突出部72可例如由石英所構成。本實施形態中，複數突出部72係具有延伸於軸線Z方向之棒狀，亦即圓柱狀之形狀。複數突出部72各自一端係位於對應之導波路徑WG內，又，另端係突出至第2區域R2。如上述般，複數開口70h由於係相對於軸線Z而配列於放射方向，故貫通該等開口70h之複數突出部72會相對於軸線Z而整列於放射方向。又，一實施形態中，如圖2及圖3所示，貫通複數導波管70所設置之開口的複數突出部72係沿著以軸線Z為中心之複數同心圓(圖中以參考符號CC1、CC2及CC3表示)而加以配列。
再者，一實施形態中，電漿產生部22係具有複數活塞74。另外，圖2中，係省略活塞74。活塞74各自具有反射板74a及位置調整機構74b。複數活塞74係以對向於複數突起部74上端之方式而加以設置。具體而言，複數活塞各自係以其反射板74a透過導波管70而對向於複數突起部72上端之方式而被組裝在該導波管70。活塞74各自之位置調整機構74b係具有調整反射板74a之從導波路徑WG之軸線方向距離的功能。
又，電漿產生部22係含有氣體供給部76。氣體供給部76係將反應氣體供給至第2區域R2。在如上述般將基板W所化學吸附之含Si前驅體氣體氮化的情況，該反應氣體可以為例如N2氣體或NH3氣體。一實施形態中， 氣體供給部76可包含有氣體供給管線76a及噴射口76b。氣體供給管線76a係以例如在正交於軸線Z之面內包圍第2區域R2之方式而形成於處理容器12上部12b。又，處理容器12上部12b係形成有連接至氣體供給管線76a之噴射口76b。一實施形態中，複數噴射口76b亦可設在上部12b。又，氣體供給管線76a係透過閥76v及所謂質流控制器之流量控制器76c而連接有反應氣體之氣體源76g。又，處理容器12下部12a如圖3所示，係在載置台14外緣下方中形成有排氣口22e。該排氣口22e係連接有圖8所示之排氣裝置52。
依此般構成之電漿產生部22，會藉由氣體供給部76將反應氣體供給至第2區域R2。又，藉由微波產生器48所產生之微波會傳遞於複數導波管70而從複數突出部72漏出至第2區域R2。藉此，第2區域R2中會產生反應氣體的電漿，藉由反應氣體的電漿來處理基板W上所化學吸附之前驅體氣體。
該成膜裝置10中，從複數導波管70所漏出之微波並非第2區域R2之上方所有區域，而是集中於具有被受限面積之複數突出部72。從而，電漿產生位置會集中在複數突出部72附近。因此，該成膜裝置10的電漿產生位置之控制性優異。又，如上述般，複數突初步72係相對軸線Z而配列於放射方向，故相對於軸線Z而延伸於放射方向之區域中便可產生電漿。從而，依成膜裝置10，便可將旋轉移動於軸線Z周圍之基板W所有區域暴露在反應氣體之電漿。又，如上述般，成膜裝置10中，複數突出部72係沿複數同心圓加以配列。從而，便可相對軸線Z而擴大於周圍方向之電漿產生區域。
又，如上述般，成膜裝置10中，係設有透過導波管70，亦即導波路徑WG而對向於突出部72般之活塞74之反射板74a，可藉由位置調整機構74b來調整該反射板74a軸線Z方向之導波路徑WG起的距離。藉由如此般地調整反射板74a之位置，便可相對於導波管70複數開口70h之位置來相對地調整導波管70之導波路徑WG內的駐波波峰位置。藉此，便可相對地調整漏出至相對於軸線Z而排列於放射方向之複數突出部72的微波功率，甚至可相對於軸線Z調整放射方向之微波密度分布。如上述般，成膜裝置10中，軸線Z起之距離越遠之基板W區域的周速度係較軸線Z起之距離越近之基板W區域要快。從而，藉由以成比例於軸線Z起之距離來加強漏出至 突出部72之微波強度之方式來調整活塞74之反射板74a的位置，便可相對於基板W將電漿處理均勻化。
以上，已就成膜裝置10詳細說明。如上述般，成膜裝置10具有電漿產生位置之控制性優異的效果，但該效果尤其在處理容器12內之壓力為1Torr(133.3Pa)以上之高壓情況會有效發揮。以下，便說明該理由。
如下述式(1)所示，處理容器12內之構成電漿的電子、離子之流動動作可以下述輸送方程式來表示。
【數1】Γ=Γe=Γi=-D▽n...(1)
其中，電漿為未含負離子之電漿。式(1)中，Γ、Γe、Γi分別表示電漿、電子、離子之流束，D為兩極性擴散係數，n為電漿密度。又，兩極性擴散係數D可以下述式(2)表示。
式(2)中，μ e，μ i分別為電子、離子的移動度，De，Di分別為電子、離子的擴散係數。粒子種s之移動度、擴散係數分別以下式(3)、式(4)表示。
式(3)、(4)中，qs為粒子種s之電荷量，kB為波茲漫常數，Ts為粒子種s之溫度，ms為粒子種s之質量，νsm為粒子種s與中性粒子之衝撞頻率。離子係假設均為1價的陽離子，則將式(3)、(4)代入式(2)時便會成為式(5)。
於式，在處理容器12內之壓力高的情況與低的情況兩者中投入相同功率之微波，使得電子、離子之生成量相同時，則電漿之巨觀流束Γ在兩者的情況便會保持相等。又，當處理容器12內壓力變高時，粒子種s與中性粒子之衝撞頻率νsm會變大，由式(5)，當處理容器12內壓力變高時，兩極性擴散係數D會較處理容器12內壓力較小之情況要小。從而，依式(1)之關係，為了使得處理容器12內之壓力較高的情況之電漿流束Γ等同於處理容器12內之壓力較低的情況之電漿流束Γ，則需要較強的電漿密度分布。又，電子引發激發衝撞或電離衝撞等之非彈性衝撞的頻率也會變高，而使得從電子產生至因非彈性衝撞所致能量失去的移動距離變短。因此，當處理容器12內壓力變高時，即便在較廣區域中將電漿擴散，仍可產生電漿局部化之現象。又，在將微波通過大面積平板介電體而在處理容器內產生的情況，電漿產生位置會依介電體內之駐波模式所決定，縱使以槽孔板等來限定微波投入位置，亦難以獲得充分的電漿產生位置控制性。
另一方面，成膜裝置10中，由於微波會集中在與區域R2相接而面積受到限制之複數突出部72，故即便在高壓力下，仍可將電漿產生位置控制在突出部72附近。因此，成膜裝置10即便在高壓力下，仍有優異的電漿產生位置控制性。
以下，便參照圖9，就其他實施形態相關之成膜裝置10加以說明。圖9係概略顯示其他實施形態相關之成膜裝置的俯視圖。成膜裝置10A在電漿產生部構成中，係與成膜裝置10有所不同。成膜裝置10A中，與圓柱狀突出部72有所不同，係採用在正交於軸線Z之平面的剖面形狀為弧狀且帶狀之複數突出部72A。該等複數突出部72A係沿著以軸線Z為中心之複數同心圓(圖中以參考符號CC1、CC2及CC3表示)而加以配列，又，係相對於軸線Z而配列於放射方向。
又，成膜裝置10A中，與導波管70有所不同，係採用在第2區域R2上方中沿著以軸線Z為中心之圓弧延伸之複數導波管70A。該等導波管70A係沿著軸線Z方向中平行之同心圓而延伸於將複數突出部72A加以整列之複數同心圓CC1~CC3。該等導波管70A之下側導體部及處理容器12上部12b係設有複數突出部72A貫通之開口。另外，雖圖9未顯示，但成膜裝置10A中，反射板74a亦可透過導波路徑WG設置對向於突出部72A般之複 數活塞74。
如此般，介電體製之複數突出部只要係從導波管具有延伸至第2區域R2內的被限制面積的話，則可以具有任意形狀。
以下，便就驗證藉由將微波集中至以被限制面積接觸至處理容器內的處理區域之介電體，而可控制電漿產生位置之實驗例1及實驗例2，以及模擬加以說明。圖10係顯示用於實驗例之電漿處理裝置構成之立體圖。
圖10所示之電漿處理裝置100係於處理容器112上部具備4個介電體製之桿體SP1~SP4。桿體SP1~SP4具有40mm的直徑及353mm的長度，並以100mm之間隔相互平行地配列。又，如圖6所示，該等桿體係以桿體SP1,SP3,SP2,SP4之順序配列於一個方向。
又，電漿處理裝置100係具備有兩個矩形導波管114及116。矩形導波管114及116的剖面尺寸為EIA規格WR-430基準之109.2mm x 54.6mm。導波管114及116係延伸於與桿體SP1~SP4之延伸方向正交的方向，該等之間係以介設有桿體SP1~SP4之方式加以設置。導波管114其反射端係具有活塞118，導波管116其反射端係具有活塞120。導波管114之導波路徑內係位有桿體SP1及SP2之一端，桿體SP1及SP2之另端則在導波管116之導波路徑前方終結。具體而言，桿體SP1及SP2各自一端係以30mm的長度深入到導波管114內。又，導波管116之導波路徑內係位有桿體SP3及SP4之一端，SP3及SP4另端係在導波管114之導波路徑前方終結。具體而言，桿體SP3及SP4各自一端係以30mm的長度深入到導波管116內。
導波管114係組裝有活塞122及124。活塞122係具有反射板122a及位置調整裝置122b。反射板122a係斜過導波管144之導波路徑而對向於桿體SP1之一端。位置調整機構122b係具有調整從區劃導波路徑之導波管114一面(參考符號114a)起之反射板122a的位置之功能。又，活塞124係具有反射板124a及位置調整裝置124b。反射板124a係透過導波管114之導波路徑而對向於桿體SP2之一端。位置調整機構124b可調整從導波管一面114a起之反射板124a的位置。
又，導波管116係組裝有活塞126及128。活塞126係具有反射板126a及位置調整裝置126b。反射板126a係透過導波管116之導波路徑而對向於桿體SP3之一端。位置調整機構126b可調整從區劃出導波路徑之導波管一 面(參考符號116a)起之反射板126a的位置。又，活塞128係具有反射板128a及位置調整裝置128b。反射板128a係透過導波管116之導波路徑而對向於桿體SP4之一端。位置調整機構128b可調整從區劃出導波路徑之導波管一面116a起之反射板128a的位置。
實驗例1及2中，係將Ar氣體供給至具有上述構成之電漿處理裝置100的處理容器112內，並將頻率2.45GHz且功率1kW之微波供給至導波管114。又，實驗例1及2中，係將導波管114一面114a起之反射板122a的距離d1及導波管114一面114a起之反射板124a之距離d2作為參數而加以改變。又，實驗例1及2中，桿體SP1及桿體SP2間之距離係設定在200mm。又，實驗例1中，係將處理容器112內壓力設定在100mTorr(13.33Pa)，實驗例2中，係將處理容器112內壓力設定在1Torr(133.3Pa)。又，活塞118之反射板118a與桿體SP1之軸線的距離為85mm。
然後，在實驗例1及實驗例2兩者中，從桿體SP1及SP2下方拍攝電漿的發光狀態。圖11係顯示實驗例1之電漿發光狀態的影像。圖12係顯示實驗例2之電漿發光狀態的影像。圖11及圖12中，係對應於距離d1及距離d2之設定值，以陣列狀來顯示在該距離d1及距離d2之設定值下所拍攝之電漿發光狀態的影像。
圖11及圖12所示影像中，亮度較高的部分係顯示桿體SP1及SP2附近之電漿發光。從而，實驗例1及實驗例2之結果，確認到可將電漿產生位置控制在桿體SP1及SP2附近。這因如此，確認到藉由從導波路徑所延伸之介電體製構件以被限制面積接觸到處理容器內之處理空間，便可將電漿產生位置集中至該介電體製構件附近。
又，如圖11及圖12所示，確認到藉由調整距離d1及d2，亦即導波管114之導波路徑起之反射板122a的距離，及導波管114之導波路徑起之反射板124a的距離，便能相對地改變桿體SP1附近之電漿亮度及桿體SP2附近之電漿亮度的比。從而，實驗例1及2之結果，藉由調整距離d1及d2，確認到可調整桿體SP1附近之電漿密度與桿體SP2附近之電漿密度的比。這因如此，確認到在從導波路徑所延伸之介電體製複數構件以被限制面積接觸到處理容器內之處理空間的構成中，藉由調整活塞之反射板的導波路徑起之距離，便可調整集中於介電體製構件附近之電漿的密度分布。 又，藉由模擬，來計算與實驗例1及實驗例2為同樣設定之電漿處理裝置100之電場強度。該模擬中，係將距離d1及距離d2作為參數而加以改變，來計算桿體SP1內之電場強度P1及桿體SP2內之電場強度P2，以求得P1/(P1+P2)來作為電場強度的比。此結果顯示於圖13。圖13中，橫軸係顯示距離d1之設定值，縱軸係顯示距離d2之設定值。圖13中，係對應於距離d1之設定值及距離d2之設定值，顯示在該距離d1之設定值及距離d2之設定值下所計算之電場強度的比P1/(P1+P2)。又，圖13中，顯示與實驗例1及2之距離d1及距離d2之設定值為相同設定值之電場強度的比P1/(P1+P2)之部分係以圓來加以包圍。該模擬的結果，圖13之以圓來包圍之部分的電場強度比P1/(P1+P2)確認到會整合於實驗例1及2之電漿發光狀態。又，如圖13所示，從該模擬結果亦確認到，藉由調整活塞反射板之導波路徑起之距離，可調整集中於介電體製之複數構件附近的電漿密度分布。
以上，雖已就各種實施形態加以說明，但並不限於上述實施形態而可為各種變形樣態。例如，圖1~圖3及圖9等所示之導波管及介電體製之複數突出部的個數、形狀及配置僅單為範例，只要可發揮上述效果，可任意地加以變更。又，上述實施形態中，雖係例示了具有兩個氣體噴淋部之前驅體氣體之噴射部，但前驅體氣體之噴射部亦可係在軸線Z起相互不同距離之區域具有三個以上之氣體噴淋部。又，前驅體氣體之氣體供給部亦可構成為可對該等三個以上之氣體噴淋部個別地調整前驅體氣體之流量。
GV‧‧‧閘閥
W‧‧‧基板
W1‧‧‧直徑
C‧‧‧處理室
Z‧‧‧軸線
R1,R2‧‧‧區域
10‧‧‧成膜裝置
14‧‧‧載置台
14a‧‧‧基板載置區域
22e‧‧‧排氣口
70‧‧‧導波管
72‧‧‧突出部

Claims (8)

  1. 一種成膜裝置，係具備有：載置台，係具有複數基板載置區域，以該複數基板載置區域會移動於周圍方向之方式可旋轉地設置於軸線中心；處理容器，係收納該載置台，區劃出包含有藉由該載置台之旋轉使得相對於該軸線而移動於周圍方向之該基板載置區域會依序通過第1區域及第2區域之處理室；氣體供給部，係從對向於載置台所設置之噴射部將前驅體氣體供給至該第1區域；以及電漿產生部，係在該第2區域中產生反應氣體之電漿；該電漿產生部係包含有：一個以上之導波管，係在該載置台上方且該第2區域上方區劃導波路徑；微波產生器，係連接至該一個以上之導波管；以及介電體製的複數突出部，係透過設於該一個以上之導波管下側導體部之複數開口而延伸至該第2區域；該複數突出部係相對於該軸線而配列於放射方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中更具備有複數活塞(plunger)，係透過該導波管而對向於該複數突出部之導波管側一端般地加以設置；該複數活塞係具有可調整至導波管之距離的反射板。
  3. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該複數突出部係具有棒狀的形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該複數突出部係在與該軸線正交之剖面中具有弧形的形狀。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置，其中該複數 突出部係進一步地沿著以該軸線為中心之複數同心圓而加以配列。
  6. 如申請專利範圍第5項之成膜裝置，其中該一個以上之導波管係包含有分別沿著與該複數同心圓平行之複數同心圓而延伸之複數導波管。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置，其中該一個以上之導波管係相對於該軸線而延伸於放射方向。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置，其中該噴射部係具有設於相對於該軸線而為相互不同距離之區域的複數氣體噴淋部，該複數氣體噴淋部各提供一個以上之噴射口；該氣體供給部係構成為可個別地調整從該複數氣體噴淋部所噴射之該前驅體氣體之流量。
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Families Citing this family (223)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6305314B2 (ja) * 2014-10-29 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置およびシャワーヘッド
JP6258184B2 (ja) * 2014-11-13 2018-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6479550B2 (ja) * 2015-04-22 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI723024B (zh) * 2015-06-26 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6569520B2 (ja) 2015-12-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6569521B2 (ja) * 2015-12-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10370763B2 (en) 2016-04-18 2019-08-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
JP6608332B2 (ja) * 2016-05-23 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10748745B2 (en) 2016-08-16 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Modular microwave plasma source
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10707058B2 (en) 2017-04-11 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Symmetric and irregular shaped plasmas using modular microwave sources
US11037764B2 (en) 2017-05-06 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Modular microwave source with local Lorentz force
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP6809392B2 (ja) * 2017-06-19 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11393661B2 (en) 2018-04-20 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Remote modular high-frequency source
US11081317B2 (en) 2018-04-20 2021-08-03 Applied Materials, Inc. Modular high-frequency source
US10504699B2 (en) 2018-04-20 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Phased array modular high-frequency source
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
JP7242612B2 (ja) * 2020-07-22 2023-03-20 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4910396B1 (zh) * 1970-12-31 1974-03-09
JP2006059798A (ja) * 2004-06-22 2006-03-02 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
WO2009119805A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 独立行政法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2010239103A (ja) * 2008-08-29 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd 活性化ガスインジェクター、成膜装置及び成膜方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5387288A (en) * 1993-05-14 1995-02-07 Modular Process Technology Corp. Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna
JP2004186303A (ja) 2002-12-02 2004-07-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4087761B2 (ja) * 2003-08-19 2008-05-21 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
KR101096950B1 (ko) * 2004-03-19 2011-12-20 샤프 가부시키가이샤 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US7723236B2 (en) * 2005-01-18 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Gas setting method, gas setting apparatus, etching apparatus and substrate processing system
JP5213150B2 (ja) * 2005-08-12 2013-06-19 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法
JP4910396B2 (ja) 2006-01-12 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2007220638A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Shibaura Mechatronics Corp マイクロ波導入器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
TWI465599B (zh) 2008-12-29 2014-12-21 K C Tech Co Ltd 原子層沉積裝置
JP5075846B2 (ja) 2009-01-20 2012-11-21 株式会社アルバック 真空処理装置
JP5812606B2 (ja) 2010-02-26 2015-11-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4910396B1 (zh) * 1970-12-31 1974-03-09
JP2006059798A (ja) * 2004-06-22 2006-03-02 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
WO2009119805A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 独立行政法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2010239103A (ja) * 2008-08-29 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd 活性化ガスインジェクター、成膜装置及び成膜方法

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Publication number Publication date
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