TWI514936B - Flexible circuit board - Google Patents

Description

撓性電路基板 發明領域

本發明係有關於一種撓性電路基板，特別是有關於一種散熱性優良之撓性電路基板。

發明背景

迄今，可安裝電路元件之電路基板已知有撓性電路基板。撓性電路基板係於作為底層之絕緣膜之表面上以銅箔等形成有配線層者，較輕且薄，進而具備可柔軟彎曲之特性，故近年不僅使用於電子機器，亦使用於諸如以LED(Light Emitting Diode)為光源之照明裝置等。

另，近年，對電子機器之操作、控制之高速、高度化或照明裝置之發光亮度之提高等之要求日益增加，為因應上述要求，而有對撓性電路基板流入大電流之情形。然而，對撓性電路基板流入大電流，將使來自配線層所連接之電阻及發光元件等電路元件之發熱量增大，其結果將發生因熱破壞而損傷電路元件，或縮短電路元件之壽命等問題。

其次，作為用於配線層或電路元件之產熱之散熱之方法，已知有於安裝有電路元件之部分之背面積層鋁板等散熱板之構造。將上述之電路基板安裝成可使散熱板與機器之機殼密著，即可經散熱板朝機殼散逸電路元件之產熱。另，相關之技術已揭露於專利文獻1~3中。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1：特開平5-191013號公報

專利文獻2：新型登錄第2537639號公報

專利文獻3：特開2000-167979號公報

然而，上述習知技術尚有以下之問題。

<問題1：翹曲之發生>

以線膨脹係數代表值為17×10^-6 /K而厚35~70μm之銅箔形成配線層，對此並採用線膨脹係數代表值為23×10^-6 /K而厚1~3mm之鋁板作為散熱板時，配線層與散熱板分別由不同線膨脹係數與厚度之材質所形成而構成所謂雙金屬構造，故溫度上昇時鋁板將發生翹曲，而使鋁板與機器之機殼之密著面積減少。故而，鋁板之散熱功能將降低，而無法充分散逸電路元件之產熱。

<問題2：厚度之增加>

採用鋁板作為散熱板時，為確保充分之散熱性，鋁板之厚度須為1~3mm，其結果則使電路基板整體增厚。進而，若為避免鋁板翹曲所導致鋁板之剝離，而增厚用於對電路基板黏著鋁板之絕緣黏著材層，將使電路基板整體進而增厚。

相對於此，可供安裝電路基板之機器已實現100μm單位之薄型化，若採用具上述厚度之電路基板，將造成機器薄型化之妨礙。另，在此雖說明使用鋁板作為散熱板，但此外亦已知採用陶瓷基板、厚銅板採用金屬基板作為散熱板之構造，上述情形亦與鋁板相同，均有電路基板整體增厚之問題。

<問題3：形狀加工之困難性>

視可供安裝電路基板之機器不同，可能需要按照機器之機殼形狀對電路基板實施彎曲加工(專利文獻1)。然而，就散熱板採用鋁板、陶瓷基板或金屬基板等時，若實施彎曲加工，發生破裂、龜裂、配線層之斷線之可能性甚高，故而僅可在平面板形狀下使用該等電路基板。因此，有礙機器之機械尺寸設計。另，亦已知於鋁板之彎曲部設置狹縫以利於彎曲鋁板之方法，但此時熱傳導將受狹縫所妨礙，而有降低鋁板之散熱功能之問題(專利文獻2)。

<問題4：平面性之維持>

為取代上述之鋁板、陶瓷基板或金屬基板，已提案有一種採用薄銅箔作為散熱層之撓性電路基板。相對於鋁之導熱率為160W/m‧K，銅之導熱率為394W/m‧K，故使用薄銅箔作為散熱層時，可減薄撓性電路基板整體之厚度，並確保不遜於鋁板之充分散熱功能。

進而，配線層亦由銅箔所形成，故係以同種材料形成配線層與散熱層，而可解決上述之散熱板之翹曲問題、厚度增加之問題。進而，使用銅箔作為散熱層時，與使用鋁板時相較，可輕易對撓性電路基板實施彎曲加工，故亦具有易於實施形狀加工之效果。

然而，上述撓性電路基板則有以下之問題。即，在撓性電路基板之製造程序、運送程序、對機殼之安裝程序等時，作為散熱層之銅箔將凹凸變形而損及平面性，而有對機殼密著之散熱層之密著面積減少之問題(平面性問題)。一旦散熱層與機殼之密著面積減少，兩者間之熱阻力將提高，而無法自散熱層朝機殼有效地導熱，故將大幅降低散熱層之散熱功能。另，散熱層之凹凸變形之主要原因乃因銅箔彈性小而柔軟，故容易受衝擊等而使銅箔發生塑性變形。

另，採用較厚之銅箔時，亦將因銅箔愈柔軟而愈易發生塑性變形、凹凸變形，而損及平面性。專利文獻3中雖已揭露對輥軋銅箔之配線依補強目的而貼合較厚電解銅箔之技術，但用於維持銅箔之彈性(硬度)或平面性之技術思想則完全未揭露。

本發明即有鑑於上述習知技術而設計者，目的在提供一種撓性電路基板，包含散熱層，而可實現薄型化並易於實施彎曲加工，且可維持散熱層之平面性。

為達成上述目的，本發明係一種撓性電路基板，至少包含可與電路元件電性連接之配線層、絕緣層及散熱層，其中前述配線層係由拉伸強度250MPa以下且厚度在50μm以下之銅箔所形成，前述散熱層則由拉伸強度400MPa以上且厚度在70μm以上之銅箔所形成。

依據上述構造，配線層與散熱層均由銅箔所形成，故可輕易對撓性電路基板實施彎曲加工，並配合機殼之形狀而將撓性電路基板加工成所欲之形狀。又，配線層與散熱層均為銅箔，故溫度上昇時不致發生一方之翹曲剝離。因此，可避免用於避免剝離之絕緣黏著材層之厚膜化，而實現撓性電路基板之薄型化。

進而，散熱層係由拉伸強度400MPa以上之高彈性(較硬)銅箔所形成，故撓性電路基板之製造程序、運送程序、對機殼之安裝程序等時，作為散熱層之銅箔不易發生凹凸變形，而可維持散熱層之平面性。其結果，即可降低散熱層與機殼之間之熱阻力，並有效地自散熱層朝機殼散熱。又，散熱層係作為用以維持撓性電路基板之形狀之補強機構而作用，而可使所安裝之電路元件之安裝位置、狀態安定。

另，在撓性電路基板之製造程序中實施加熱處理時，可能因該處理而改變銅箔之拉伸強度，但此之所謂「拉伸強度」係指撓性電路基板之完成狀態(有進行加熱處理時之經過其熱歷程後之狀態)下之拉伸強度。

又，前述散熱層宜由厚度250μm以下之銅箔所形成。

依據上述構造，散熱層之厚度在250μm以下，而可實現撓性電路基板之薄型化，且更易於實施彎曲加工。

又，前述散熱層宜包含：第1領域，積層有前述配線層或前述絕緣層;及，第2領域，自前述第1領域延伸而未積層前述配線層及前述絕緣層;且，使用前述第2領域作為散熱體領域。

依據上述構造，延伸散熱層而擴大散熱層之表面積，並以擴大後之領域(第2領域)作為散熱體領域，即可增加散熱層之散熱量。即，可進而提昇散熱功能。

又，前述散熱體領域宜設有散熱片。

依據上述構造，設置散熱片可增大散熱體領域之導熱面積，故可更為增加散熱體領域之散熱量。即，可進而提昇散熱功能。

由上，依據本發明，可提供一種撓性電路基板，包含散熱層，而可實現薄型化並易於實施彎曲加工，且可維持散熱層之平面性。

圖式簡單說明

第1(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第2(a)~(e)圖係說明第1實施例之撓性電路基板之製造程序者。

第3(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第4(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第5(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第6(a)~(c)圖係第2實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第7(a)~(b)圖係說明第2實施例之撓性電路基板之組裝者。

用以實施發明之形態

以下，參照圖示而以用於實施本發明之形態為例加以詳細說明。但，以下之實施例所揭露之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等，若未特別加以特定揭露，即非意指僅以其等限定本發明之範圍。

<第1實施例> [1-1：有關撓性電路基板之概略構造]

參照第1(a)圖、第1(b)圖說明本實施例之撓性電路基板之概略構造。第1(a)圖、第1(b)圖係顯示本實施例之撓性電路基板之概略截面者。

撓性電路基板係於散熱層3b(厚100μm~150μm)之上側依序積層導熱性黏著材層4、聚醯亞胺膜2(絕緣層：厚約3μm)、配線層3a(厚18μm或35μm)，進而於散熱層3b之下側設有附保護紙6之高導熱黏著劑層5(厚約50μm)者。又，配線層3a之一側則殘留焊盤部及連接端子部(以其等為連接部8)而為抗蝕層7(厚約20μm)所覆蓋保護。藉此，而可保護配線層3a避免受衝擊等，並於連接部8電性連接所安裝之電路元件與配線層3a。另，本實施例中採用LED1作為電路元件，為適當反射LED1所射出之光以提昇亮度，而就抗蝕層7採用白色抗蝕劑。

LED1之安裝位置係凡可確實與連接部8連接之位置即可，並無特別之限制。即，如第1(a)圖所示，亦可在與聚醯亞胺膜2之間設置空隙而安裝LED1，且，亦可如第1(b)圖所示，直接於散熱層3b上面安裝LED1。另，採用第1(a)圖所示之構造時，於LED1與聚醯亞胺膜2之間之空隙形成配線層3a(虛設圖形)，即可經虛設圖形而朝散熱層3b有效率地傳導LED1之產熱。又，如第1(b)圖所示，若於散熱層3b上面直接安裝LED1，則可更有效地藉散熱層3b散逸LED1之產熱。

[1-2：有關散熱之機制]

本實施例之撓性電路基板係藉剝離保護紙6並朝機器機殼貼附因此而露出之高導熱黏著劑層5，而對機器進行裝設。一旦於已完成對機器之裝設之狀態下對LED1通電，則LED1之產熱將自配線層3a經聚醯亞胺膜2、導熱性黏著材層4而朝散熱層3b傳導，並朝平面方向(與厚度方向垂直之方向)擴散於散熱層3b內，進而自散熱層3b經高導熱黏著劑層5、保護紙6而朝機殼傳導。藉此，而可朝機殼散逸LED1之產熱，以適當冷卻LED1。

在此，為降低LED1通往機殼之導熱路徑之熱阻力，即，為更有效率地朝機殼散逸LED1之產熱，高導熱黏著劑層5宜具備高導熱性。又，依據相同之理由，用於黏著聚醯亞胺膜2與散熱層3b之導熱性黏著材層4亦宜具備導熱性。

[1-3：有關可應用於配線層與散熱層之材料]

本實施例中，配線層3a與散熱層3b均由銅箔所形成。進而，形成散熱層3b之銅箔之特徵在撓性電路基板製成後之階段具備拉伸強度400MPa以上之特性。以下，即就可應用於配線層3a與散熱層3b之材料加以詳細說明。

配線層3a可採用精銅箔(純度99.90%以上)、無氧輥軋銅箔(純度99.96%以上)或電解銅箔(純度99.90%以上)。該等銅箔之導體電阻較低、彈性小，而易於實施彎曲加工。使用該等材料，進而形成厚度50μm以下，即可形成對來自外部之衝擊不致發生斷裂而可柔軟變形之配線層3a。

另，本實施例中，雖將配線層3a之拉伸強度設為250MPa以下，但該拉伸強度代表在撓性電路基板之製造程序(留待後述說明)中實施加熱處理，而經過其熱歷程後之數值。一般而言，配線層3a所使用之高純度銅箔，尤其輥軋銅箔，具有受加熱處理而軟化，且降低拉伸強度之性質。即，即便為加熱處理拉伸強度400MPa之銅箔，亦可能經加熱處理後經過100℃以上之熱歷程，而於加熱後降為250MPa以下之拉伸強度。即，在此說明之配線層3a(以下說明之散熱層3b亦相同)之拉伸強度係指加熱處理後，即經過熱歷程後之拉伸強度。

散熱層3b則採用具備即便在撓性電路基板之製造程序中受加熱處理亦不致軟化(=拉伸強度不致大幅降低)之耐熱性之銅箔。更具體而言，係使用具備在熱層合、爐內硬化溫度(150℃~200℃)下不致軟化之耐熱性之高彈性銅箔。具備上述耐熱性之高彈性銅箔可舉為業經合金化之銅箔，本實施例中，係使用日鑛金屬公司出品之輥軋銅箔(HS1200)。該輥軋銅箔具備即便經過300℃之熱歷程亦不致大幅降低拉伸強度之性質，故即便在撓性電路基板製成後之階段，亦可將散熱層3b之拉伸強度保持於400MPa以上。另，散熱層3b之厚度若在70μm以上，則可充分散逸LED1之產熱。若為250μm以下，則可更輕易地對撓性電路基板實施彎曲加工。

如上所述，採用高彈性銅箔作為散熱層3b，即可在撓性電路基板之製造程序、運送程序、對機殼之安裝程序等中，降低散熱層3b發生凹凸變形而損及平面性之可能性。故而，不致減少與機殼密著之散熱層3b之密著面積，而可高程度維持散熱功能。又，使用高彈性銅箔作為散熱層3b時，散熱層3b係作為維持撓性電路基板之形狀之補強機構而作用，故可使配線層3a上安裝之LED1之安裝位置、狀態安定。

在此，補充說明可應用於配線層3a之精銅箔、可應用於散熱層3b之高彈性銅箔之特性之差異。如上所述，高純度之精銅箔具備受加熱處理而軟化，且加熱後拉伸強度將大幅降低之特性。而，高彈性銅箔具備即便受加熱處理亦不易軟化且不易降低拉伸強度之特性。以下，則說明對精銅箔與高彈性銅箔(日鑛金屬公司出品：HS1200)實施退火處理(進行200℃之加熱30分鐘之處理)後之「拉伸強度」、「延展率」、「楊氏模數」之變化。

<精銅箔(厚35μm)>

‧退火處理前

拉伸強度：450MPa、延展率：2.0%、楊氏模數：105GPa

‧退火處理後

拉伸強度：230MPa、延展率：20.0%、楊氏模數：105GPa

<精銅箔(厚150μm)>

‧退火處理前

拉伸強度：420MPa、延展率：2.0%、楊氏模數：105GPa

‧退火處理後

拉伸強度：240MPa、延展率：40.0%、楊氏模數：105GPa

<高彈性銅箔(HS1200)(厚150μm)>

‧退火處理前

拉伸強度：520MPa、延展率：2.0%、楊氏模數：105GPa

‧退火處理後

拉伸強度：510MPa、延展率：6.0%、楊氏模數：105GPa

由上可知，精銅箔經退火處理而大幅降低拉伸強度，相對於此，高彈性銅箔即便經退火處理亦幾乎未降低拉伸強度。另，在此雖未舉出，但可應用於配線層3a之材料之無氧輥軋銅箔或電解銅箔亦具備與精銅箔相同之特性。

[1-4：有關撓性電路基板之製造程序]

參照第2圖說明撓性電路基板之製造程序。第2(a)~2(e)圖係依序顯示撓性電路基板之製造程序者。

製造撓性電路基板時，首先，準備配線層用之低彈性之銅箔3a之單面上貼附有聚醯亞胺膜2之單面銅貼板、片狀之導熱性黏著材層4、散熱層用之高彈性之厚銅箔3b(第2(a)圖)。其次，經導熱性黏著材層4而積層單面銅貼板之聚醯亞胺膜2側與厚銅箔3b，進而予以加熱、加壓而製造積層體(第2(b)圖)。另，如上所述，本實施例所使用之厚銅箔3b具備即便受此時之加熱處理亦不致軟化之性質。

於製成之積層體之配線層3a上形成預定之負片之抗蝕刻光阻層(未圖示)，並蝕刻去除露出部分之銅而形成配線圖形(第2(c)圖)。藉此，而形成包含預定圖形之配線層3a。進而，除配線圖形上之預定開口部以外，以覆蓋膜或面層(阻焊劑)等被覆層9覆蓋配線層3a，而絕緣保護配線層3a(第2(d)圖)。

然後，對自被覆層9露出之配線圖形實施防銹處理或鍍焊料、鍍錫、鍍金等預定之表面處理，並安裝LED、IC等電路元件。且，視需要而對撓性電路基板施以形狀加工而構成所欲之形狀(第2(e)圖)。以上之製造程序即可製得包含厚銅箔作為散熱層3b之撓性電路基板。

[1-5：有關散熱孔]

參照第3圖說明撓性電路基板之散熱孔(導熱路徑)。本實施例之撓性電路基板除第1圖之構造以外，亦可採用諸如第3圖所示之包含散熱孔之構造。

第3(a)圖係顯示具備TH(Through Hole)之散熱孔之一形態者。層構造雖與第1(a)圖相同，但藉NC鑽機等而鑽設有自配線層3a貫通至散熱層3b之孔洞而形成銅鍍層10所構成之TH。LED1之正下方形成有TH之散熱孔，而可經TH有效率地朝散熱層3b傳導LED1之產熱。

第3(b)圖係顯示具備BVH(Blind Via Hole)之散熱孔之一形態者。與第3(a)圖不同，通達散熱層3b表面之非貫通孔係藉雷射等而鑽設，並藉銅鍍層10而形成BVH。與第3(a)圖相同，於LED1之正下方形成有BVH之散熱孔，而可經BVH有效率地朝散熱層3b傳導LED1之產熱。

[1-6：有關雙面構造]

參照第4圖說明具有雙面構造之撓性電路基板。以上雖已說明於聚醯亞胺膜2之單側形成有配線層3a之單面構造，但亦可採用於聚醯亞胺膜2之兩側形成有配線層3a之雙面構造。

第4(a)圖係顯示以TH連接兩面之兩面撓性電路基板之一形態者。兩面撓性電路基板係經導熱性黏著材層4而與散熱層3b積層者。兩面撓性電路基板上安裝之LED1之產熱則可經TH等而朝背面之銅鍍層10傳導，並經導熱性黏著材層4而朝散熱層3b傳導。圖示之形態中，為提高層間絕緣性，而將較薄之聚醯亞胺層2形成於散熱層3b上。

第4(b)圖係顯示以BVH(Blind Via Hole)連接兩面之兩面撓性電路基板之一形態者。圖示例中，與第3(b)圖相同，BVH直接通達散熱層3b，故兩面撓性電路基板上安裝之LED1之產熱可更有效率地傳導至散熱層3b

[1-7：有關多層構造]

參照第5圖說明具備多層構造之撓性電路基板。本實施例中，可採用配線層3a構成多層之多層構造。

第5(a)圖係表面安裝有LED1及IC11之形態。配線層3a係3層構造者，散熱層3b之上側則經導熱性黏著材層4與聚醯亞胺膜2而形成有配線層3a，進而於其上側經層間黏著材層4而積層有兩面撓性電路基板。其次，連接各配線層3a之BVH則由銅鍍層10所形成。

圖示之形態中，為形成高密度之配線層3a，而自圖中左側形成有可連接全部配線層3a之階狀之階孔、可傳導LED1之產熱之散熱孔、可連接表面側之二層之表面孔、可連接最表層與最內層之跳孔之多種通孔之組合。LED1之產熱即可通過散熱孔而有效率地朝散熱層3b傳導。

第5(b)圖係顯示於表面安裝有LED1並於多層構造內部安裝有IC11之形態。配線層3a係4層構造者，於散熱層3b之上側經導熱性黏著材層4與聚醯亞胺膜2而形成有第1配線層3a，其上側則經第1層間黏著材層4而積層有包含第2配線層3a之單面撓性電路基板。

單面撓性電路基板與第1層間黏著材層4均於IC11之安裝部分設有凹部，而於前述凹部內將IC11安裝於第1配線層3a上。IC11上覆蓋有塗布材11a，而填滿凹部無空隙。進而於其上，經第2層間黏著材層4而積層有包含第3配線層3a與最外層之第4配線層3a之兩面撓性電路基板。

於預定部位鑽設貫通孔或非貫通孔，並藉銅鍍層10形成TH或BVH，可連接配線層3a之間。圖示之形態中，自左側形成有可傳導LED1之產熱之散熱孔、可連接第4配線層3a與第2配線層3a之跳孔、可連接第4配線層3a與第3配線層3a之表面孔(散熱孔)、貫通全層之TH。IC11安裝於內部，故表面上可另行安裝其它電路元件。圖示例中，安裝有2個LED1。

另，雖未圖示，但上述之形態中，藉於通孔內充填銅鍍層10之填孔電鍍形成填孔，即可進而提高通孔之導熱效率。又，亦可藉印刷而朝通孔內填入高導熱性糊劑。又，亦可將散熱層3b作為平面接地層使用。

又，具備多層構造之撓性電路基板中，亦可於預定位置上，除形成於內部之配線層3a等以外，均形成中空構造，進而凹切高導熱黏著劑層5、保護紙6而以其位置作為彎折部。以上構造尤其可減少外側之配線層3a所承受之應力，並抑制配線層3a發生斷線。又，對機殼貼附撓性電路基板時，若機殼側之彎曲角度與彎折部之彎曲角度不一致，則可就高導熱黏著劑層5、保護紙6已凹切之量縮小其差距。另，彎折部之配線層3a之數量就彎折性之觀點而言宜在3層以內。

[1-8：效果之驗證]

基於二種驗證測試(操作測試、彎曲形狀維持測試)以及與習知之電路基板之比較實驗之結果，而驗證本實施例之效果。

(操作測試) (1)測試方法

於測試片之短邊中心之距端部約30mm附近放上單手拇指之先端，並於其背側靠上食指而進行夾持，再觀察在約1秒內揮甩約90度角而停止後之形狀變化。測試樣本數為各種類均為5個。

(2)測試片

構造：經絕緣層28μm(聚醯亞胺膜厚3μm與黏層材層厚25μm)而對作為散熱層之厚150μm之厚銅箔熱壓接作為配線層之厚35μm之精銅箔而成之平板。

尺寸：

A型：寬30mm×長300mm

B型：寬200mm×長200mm

(3)評價基準(指壓處之變形狀態)

◎...幾無變化，○...維持面狀態而變形為平緩之曲面狀態，△...未維持面狀態而已略微立體變形，×...未維持面狀態而已大幅立體變形。

(彎曲形狀維持測試) (1)測試方法

於測試片之短邊中心之距端部約30mm附近放上單手拇指之先端，並於其背側靠上食指而進行夾持，再觀察以凹折面朝上在約1秒內揮甩約90度角而停止後之彎曲角度變化。測試樣本數為各種類均為5個。

(2)測試片

構造：經絕緣層28μm(聚醯亞胺膜厚3μm與黏層材層厚25μm)而對作為散熱層之厚150μm之厚銅箔熱壓接作為配線層之厚35μm之精銅箔而成之平板。

尺寸：

A型：寬30mm×長200mm。於長向之中心100mm之部位依凹折角度90度、R1mm彎折配線面而成。

B型：寬30mm×長200mm。於長向之中心100mm之部位依凸折角度90度、R1mm彎折配線面而成。

(3)評價基準(角度90度以上之開度)

◎...維持角度90度，○...開度最大亦控制在93度以內，△...開度最大亦控制在110度以內，×...開度在110度以上。

上述二種驗證測試之測試結果顯示於表1。

由表1可知，散熱層3b所使用之厚銅箔之拉伸強度為420MPa時，A型、B型均符合彎曲形狀維持測試之基準，操作測試雖在B型確認略微變形，但A型亦符合基準。由此結果可知，厚銅箔之拉伸強度若在約400MPa以上，則作為撓性電路基板可避免意外之凹凸變形之發生而維持平面性，並可彎折而加工成立體形狀。即，可兼顧平面性之維持與形狀加工性。

又，厚銅箔之拉伸強度為520MPa時，A型、B型均在彎曲形狀維持測試中完全維持形狀，操作測試在A型亦幾無變形，B型亦符合基準。由此結果可知，厚銅箔之拉伸強度若在約500MPa以上，可更適用於兼顧平面性之維持與形狀加工性。

其次，使用習知之電路基板與本實施例之撓性電路基板，就個別電路基板安裝發熱量為1.9W之LED，而比較由構件之熱阻力值計算對LED通電後之電路基板上昇溫度所得之結果。在此，係以貼合有作為散熱構造之鋁板之電路基板作為比較對象。比較結果則顯示於表2。

如表2所示，本實施例之撓性電路基板(上表)在對LED通電後之上昇溫度為100℃，相對於此，習知之電路基板(下表)則為110℃，即，可知本實施例之撓性電路基板可更有效地散逸LED1之產熱。一般而言，已知LED之溫度若降低10℃則可延長壽命為約2倍。故而，可知使用本實施例之撓性電路基板，即可延長LED之壽命。又，電路基板整體之厚度係本實施例之撓性電路基板遠薄於習知之電路基板。即，依據本實施例，可實現撓性電路基板之薄型化，並發揮優於習知之電路基板之散熱功能，故可實現電路基板及其所附裝於內之機器之小型化、所安裝之電路元件之壽命延長。

[1-9：本實施例之效果]

依據本實施例，配線層3a與散熱層3b均由銅箔所形成，故可對應所附裝機器之形狀而輕易將撓性電路基板加工成所欲之形狀。又，與習知之構造相較，可減薄散熱層3b之厚度，故可實現撓性電路基板之薄型化。

進而，散熱層3b係由拉伸強度400MPa以上且厚70μm以上之高彈性厚銅箔所形成，故在撓性電路基板之製造程序、運送程序、對機殼之安裝程序等中，將不致發生散熱層3b之凹凸變形。即，可維持散熱層3b之平面性，故可高程度維持撓性電路基板之散熱功能。

如上所述，依據本實施例，可提供一種撓性電路基板，包含散熱層，而可實現薄型化並易於實施彎曲加工，且可維持散熱層之平面性。

<第2實施例>

參照第6、7圖說明可應用本發明之第2實施例。撓性電路基板之層構造與第1實施例相同故省略其說明，在此僅就與第1實施例不同之構造加以說明。

[2-1：有關散熱體]

第6(a)圖係顯示第1實施例之撓性電路基板之一形態者。如上所述，第1實施例之撓性電路基板可輕易實施彎曲加工，故可將撓性電路基板加工成諸如圖示之階狀。上述形狀之撓性電路基板則可應用於諸如汽車之頭燈等。

第6(b)圖係顯示本實施例之撓性電路基板之概略構造者。一如圖示，撓性電路基板形成有自散熱層3b中積層有配線層等之第1領域僅擴大散熱層3b而成之第2領域15。藉此，而可延伸散熱層3b而擴大散熱層3b之表面積，並以擴大之領域(第2領域15)作為散熱體領域，而增加來自散熱層3b之散熱量。即，可進而提高散熱功能。

進而，如第6(c)圖所示，亦可於散熱體領域設有業經凸折、凹折處理之散熱片15a。依據上述構造，設置散熱片15a即可增大散熱體領域之導熱面積，故可進而增加散熱體領域之散熱量。即，可進而提高散熱功能。

[2-2：有關製造程序]

第7圖係顯示本實施例之撓性電路基板之製造程序者。如第7(a)圖所示，彎折已朝四方延伸之散熱層3b之固有部分，即可藉彎折而成之領域形成散熱體領域。另，彎折部四隅之圓孔係為避免龜裂而設。又，如第7(b)圖所示，可對已朝四方延伸之散熱層3b分別施以凸折、凹折處理，而形成設有散熱片15a之散熱體領域。

如上所述，依據本實施例，可提供一種撓性電路基板，包含散熱層，而可實現薄型化並易於實施彎曲加工，且可維持散熱層之平面性。又，設置散熱體領域，進而設置散熱片，則可進而提高散熱層之散熱功能。

<其它實施例>

第1、第2實施例中，雖已說明使用聚醯亞胺膜2作為底層之構造，但可應用作為底層之材質不限於此。若為可彎曲變形之材質，其它材料即可採用作為底層。

第1、第2實施例中，雖已說明使用LED1、IC11作為電路元件之構造，但可應用作為電路元件之元件不限於此。此外，亦可使用CPU等半導體元件。CPU及液晶驅動用IC之半導體已隨著高速化而飛快提高資料之處理速度，故供其等安裝之撓性電路基板需要更高度之散熱功能。此時，亦可獲致與上述說明相同之效果。

1．．．LED

2．．．聚醯亞胺膜

3a．．．配線層

3b．．．散熱層

4．．．導熱性黏著材層

5．．．高導熱黏著劑層

6．．．保護紙

7．．．抗蝕層

8．．．連接部

9．．．被覆層

10．．．銅鍍層

11．．．IC

11a．．．塗布材

15．．．第2領域

15a．．．散熱片

第1(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第2(a)~(e)圖係說明第1實施例之撓性電路基板之製造程序者。

第3(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第4(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第5(a)~(b)圖係第1實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第6(a)~(c)圖係第2實施例之撓性電路基板之概略截面圖。

第7(a)~(b)圖係說明第2實施例之撓性電路基板之組裝者。

1．．．LED

2．．．聚醯亞胺膜

3a．．．配線層

3b．．．散熱層

4．．．導熱性黏著材層

5．．．高導熱黏著劑層

6．．．保護紙

7．．．抗蝕層

8．．．連接部

Claims (4)

1. 一種撓性電路基板，至少包含可與電路元件電性連接之配線層、絕緣層及散熱層，其特徵在於：前述配線層係由拉伸強度250MPa以下且厚度在50μm以下之銅箔所形成，前述散熱層則由拉伸強度400MPa以上且厚度在70μm以上之銅箔所形成。
2. 如申請專利範圍第1項之撓性電路基板，前述散熱層係由厚度250μm以下之銅箔所形成。
3. 如申請專利範圍第1或2項之撓性電路基板，前述散熱層包含：第1領域，積層有前述配線層或前述絕緣層；及第2領域，自前述第1領域延伸而未積層前述配線層及前述絕緣層；且，使用前述第2領域作為散熱體領域。
4. 如申請專利範圍第3項之撓性電路基板，前述散熱體領域設有散熱片。