JP6344689B2 - 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置 - Google Patents

基板、発光装置、照明用光源、および照明装置 Download PDF

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Description

本開示は、基板、発光装置、照明用光源、および照明装置に関し、特に、半導体発光素子が実装される基板、半導体発光素子を用いた発光装置、並びに、これを用いた照明用光源および照明装置に関する。
近年、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光素子は、高効率で省スペースな光源として各種機器に広く利用されている。半導体発光素子は、例えば、液晶表示装置におけるバックライト光源として、あるいは、ベースライト、直管形ＬＥＤランプ等の照明装置における照明用光源として用いられている。
ＬＥＤは、発光装置としてユニット化されて各種機器に内蔵されている。このような発光装置として、基板上にＬＥＤチップが実装されたＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の発光装置が関連技術に開示されている。例えば、基板上に直線状に配列された複数のＬＥＤからなる素子列と、複数のＬＥＤ（素子列）を一括封止する直線状の蛍光体含有樹脂とを有する発光装置が開示されている。
特開２０１１−１７６０１７号公報
本開示は、半導体発光素子が実装される基板であって、光取り出し効率を向上させることのできる基板および当該基板を用いた発光装置等を提供する。
種々の実施形態における発光装置は、基板と、基板に実装された半導体発光素子とを有する。基板は、板状の基材と、基材上の一部に形成された銅箔層とを有する。基板を上面視したときに、半導体発光素子が実装された素子実装領域を囲むように設けられ、かつ、銅箔層のない部分を第一領域とする。同じく基板を上面視したときに、第一領域を囲むように設けられた部分と、素子実装領域とを含み、銅箔層が形成された部分を第二領域とする。基板は、第一領域上と第二領域上とを覆い、第二領域上よりも第一領域上に厚く形成された白色のレジスト層をさらに有する。
以上の構成により、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
実施の形態における基板の構成概要を示す上面図 図１に示す基板におけるレジスト層の一部を示す上面図 図１に示す基板に係る銅箔層の一部を示す上面図 図１における基板の３−３線における断面の概要を示す断面図 異なる厚みのレジスト層それぞれにおける光の反射率の測定結果の一例を示す図 レジスト層の下に銅箔層がある場合とない場合における光の反射率の測定結果の一例を示す図 実施の形態における発光装置の端部の斜視図 図５Ａに示す発光装置の側面図 図１の基板の変形例１における基板の構成概要を示す上面図 図１の基板の変形例２における基板の構成概要を示す上面図 図１の基板の変形例３における基板の構成概要を示す上面図 図１の基板の変形例４における基板の構成概要を示す上面図 図１の基板の変形例５における基板の構成概要を示す上面図 実施の形態における照明装置の概観斜視図 実施の形態における他の照明装置の第１具体例を示す図 実施の形態における他の照明装置の第２具体例を示す図 実施の形態における他の照明装置の第３具体例を示す図 実施の形態におけるさらに他の照明用光源の斜視図 実施の形態におけるさらに他の照明装置の斜視図
本実施の形態の説明に先立ち、従来の発光装置における課題を説明する。発光装置において、光取り出し効率の向上が求められている。例えば、ＬＥＤを実装する樹脂等の基板において、基板の主面（ＬＥＤが実装される面）の光反射率は高い方が好ましい。
また、ＬＥＤは、自身の発熱によって、発光効率の低下を招く。ＬＥＤの光取り出し効率を向上させるために、発光装置の放熱特性を向上させることも必要である。
つまり、発光装置に用いられる基板において、高光反射特性および高放熱特性の双方が要求される。
しかしながら、例えば、基板における光反射率を向上させるために、基板の主面に光反射層を厚く形成すると、光反射層の上に実装されるＬＥＤの放熱特性が低下する。つまり、高光反射特性および高放熱特性は、一般に相反する。
本開示は、このような知見に基づいてなされたものであり、本願発明者らが鋭意検討した結果、光取り出し効率を向上させることのできる基板および当該基板を用いた発光装置等についての着想を得た。
本開示における発光装置の一態様は、基板と、基板に実装された半導体発光素子とを有する。基板は、板状の基材と、基材上の一部に形成された銅箔層とを有する。基板を上面視したときに、半導体発光素子が実装された素子実装領域を囲むように設けられ、かつ、銅箔層のない部分を第一領域とする。同じく基板を上面視したときに、第一領域を囲むように設けられ部分と、素子実装領域とを含み、銅箔層が形成された部分を第二領域とする。基板は、第一領域上と第二領域上とを覆い、第二領域上よりも第一領域上に厚く形成された白色のレジスト層をさらに有する。
以下に、本開示の実施形態ついて、図面を参照しながら説明する。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
また、以下で説明する実施の形態は、包括的または具体的な例を示す。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であり、本開示の限定ではない。
（基板）
図１は、本実施の形態における基板１００の構成概要を示す上面図である。なお、図１では、基板１００の特徴を明確に示すために、基板１００の一部の上面図を示している。
また、図１を含み、各図面に付されたＸ、Ｙ、Ｚによって示される直交座標系は、説明の便宜を考慮して付したものであり、基板１００等の絶対的な姿勢を限定するものではない。
例えば、基板１００の上面図とは、基板１００を、ＬＥＤが実装された面の側から見た場合の図であり、Ｚ軸正の方向から基板１００を見た場合の図である。また、ある要素について上面視と言う場合も同様に、Ｚ軸正の方向からある要素を見た場合を指す。さらに、これらの基準となるＺ軸は特定の方向（例えば、鉛直方向または水平方向など）に限定されない。
基板１００は、ＬＥＤを実装するための基板であり、板状の基材１０９と、基材１０９上に所定の形状に形成された銅箔層１１０と、銅箔層１１０を覆うように形成されたレジスト層１２０とを有する。銅箔層１１０は、基材１０９上の一部に形成されている。
基板１００には、複数のＬＥＤを直線状に並べて実装することができる。具体的には、各々のＬＥＤは、基板１００における素子実装領域１５０（１つのＬＥＤが実装可能な領域）に実装される。
また、レジスト層１２０は、白色樹脂材を素材とする白色レジストの被膜であり、第一領域１２１と第二領域１２２を覆っている。第一領域１２１および第二領域１２２について、図２Ａから図３を参照して後述する。
このような基本的な構成を有する基板１００の各要素について以下に説明する。
［基材］
基材１０９は、長尺状で矩形の板材である。基材１０９は、その長手方向（Ｘ軸方向）の長さをＬ１とし、短手方向（Ｙ軸方向）の長さをＬ２とする。基材１０９のアスペクト比Ｌ１／Ｌ２は、Ｌ１／Ｌ２≧１０であることが好ましい。
例えば、Ｌ１＝２８０ｍｍ、Ｌ２＝１５ｍｍ（アスペクト比１８．６７）で、厚みが１．０ｍｍの基材１０９を用いることができる。
基材１０９として、非透明の樹脂を母材とする基材が採用される。例えば、基材１０９は、エポキシ系の樹脂とガラス繊維とによって構成された板状の材料であり、例えばガラスコンポジット材と呼ばれる材料によって構成されている。
このガラスコンポジット材が用いられた基板は、ガラス不織布基材エポキシ樹脂銅張積層板（Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｅｐｏｘｙ ｍａｔｅｒｉａｌ−３（ＣＥＭ−３））と呼ばれる。基板１００は、ＣＥＭ−３で実現できる。
［銅箔層］
銅箔層１１０は、基板１００に実装されるＬＥＤに電力を供給する配線として機能する金属層であり、基材１０９の表面に所定形状に形成されている。
このような銅箔層１１０を有する基板１００において、各種電極端子は、レジスト層１２０のない部分、つまり、銅箔層１１０の露出した部分（図１におけるドットが付された部分）に形成されている。
具体的には、基板１００は、素子実装領域１５０を挟んで配置された、ワイヤ接続部１８１ａ、１８１ｂと、外部からの電力供給を受ける電極端子１１８ａ、１１８ｂとを有する。
電極端子１１８ａは正極端子であり、複数のワイヤ接続部１８１ａのそれぞれと電気的に接続されている。また、電極端子１１８ｂは負極端子であり、複数のワイヤ接続部１８１ｂのそれぞれと電気的に接続されている。
ワイヤ接続部１８１ａは、ＬＥＤの正極と電気的に接続される。ワイヤ接続部１８１ｂは、ＬＥＤの負極と電気的に接続される。ワイヤ接続部１８１ａ、１８１ｂに接続されたＬＥＤは、電極端子１１８ａ、１１８ｂから電力を供給されて発光する。
また、銅箔層１１０は、基板１００に実装されるＬＥＤの熱の放熱特性を向上させる部材としても機能する。
基板１００において、複数のＬＥＤは銅箔層１１０によって並列に接続される。ただし、銅箔層１１０のパターンを変更することで、複数のＬＥＤを直列に接続することも可能である。複数のＬＥＤを直列に接続する銅箔層１１０のパターンの例を、図１０を参照して後述する。
なお、図１において、電極端子１１８ａおよび１１８ｂの左側にも、銅箔層１１０の露出部分（ドットの付された矩形領域）が存在する。これらは、例えば、電極端子１１８ａおよび１１８ｂと接続されるコネクタ（図示せず）の取り付けに用いられる部分である。
また、基材１０９上において、上面視においてＬＥＤ３０（図３参照）が実装される素子実装領域１５０を囲むように設けられた、銅箔層１１０が形成されていない第一領域１２１が存在する。同じく、上面視において、第一領域１２１を囲むように設けられ部分と、素子実装領域１５０とを含み、銅箔層１１０が形成された第二領域１２２が存在する。これにより、後述するレジスト層１２０の第一領域１２１と第二領域１２２の厚みの差を生じさせている。
［レジスト層］
レジスト層１２０は、銅箔層１１０を覆うように形成された絶縁膜であり、上述のように白色レジストの被膜によって実現されている。
この白色レジストには、例えば、光を反射する粒子（例えば、酸化チタン粒子）が母材となるエポキシ系の樹脂に含有されている。白色レジストで基板１００のＬＥＤ実装面を覆うことにより、高い光反射率を有する基板１００を実現できる。
つまり、レジスト層１２０は、銅箔層１１０を覆う絶縁膜としての機能と、ＬＥＤからの光を反射する膜としての機能とを有する。
すなわち、レジスト層１２０は、基板１００を用いた発光装置における光の取り出し効率を高める（光束の増加）。
なお、レジスト層１２０に用いる白色レジストの素材は特に限定されない。例えばフッ素系樹脂またはシリコーンを母材とする白色レジストによってレジスト層１２０を形成してもよい。
また、レジスト層１２０は、上述のように、互いに厚みの異なる第一領域１２１と第二領域１２２とを有している。
以下、図２Ａ〜図４Ｂを用いて、レジスト層１２０における領域による厚みの違いおよびその効果等の、基板１００の特徴について説明する。
図２Ａは、基板１００の素子実装領域１５０近傍におけるレジスト層１２０の一部を示す上面図であり、図２Ｂは、同じく素子実装領域１５０近傍の銅箔層１１０の一部を示す上面図である。すなわち、図２Ｂは、レジスト層１２０を形成する前の状態を示している。
図３は、図１における基板１００の３−３線における断面の概要を示している。なお、図３は、基板１００の１つの素子実装領域１５０にＬＥＤ３０が実装された状態の断面概要を示している。また、ＬＥＤ３０は、断面ではなく簡易的に矩形の側面で示している。
図２Ａに示すように、基材１０９上の銅箔層１１０のない第一領域１２１が素子実装領域１５０を囲むように設けられている。そして、レジスト層１２０が第一領域１２１と素子実装領域１５０を覆っている。
また、レジスト層１２０は、第一領域１２１を囲むように設けられた部分と素子実装領域１５０とを含む銅箔層１１０のある第二領域１２２を覆っている。すなわち、素子実装領域１５０は、第一領域１２１以外の領域であって、銅箔層１１０が形成されている領域であり、第二領域１２２の一部である。
銅箔層１１０は、図２Ｂに示すように、素子実装領域１５０の下方に位置する第一部分１１１と、上面視における第一領域１２１の外側に位置する第二部分１１２とを有する。
また、銅箔層１１０は、第一部分１１１と第二部分１１２とを接続する接続部１１５を有することが好ましい。すなわち、第二領域１２２において銅箔層１１０は、素子実装領域１５０に位置する部分と、第一領域１２１の外側に位置する部分とを接続する接続部１１５を有することが好ましい。
なお、図２Ａおよび図２Ｂにおける一点鎖線は、第一領域１２１に外接する円を表している。
このように、基材１０９上において、素子実装領域１５０の周辺の領域、つまり、第一部分１１１と第二部分１１２との間に、銅箔層１１０がない領域がある。この領域を跨ぐように、接続部１１５が配置されている。
接続部１１５により、素子実装領域１５０に実装されるＬＥＤ３０の熱が、第一部分１１１から第二部分１１２へと伝導する。その結果、基材１０９上において比較的大きな表面積を有する銅箔層１１０（図１参照）の全体が、ＬＥＤ３０の放熱に有効的に使用される。
また、図１に示すように、複数の素子実装領域１５０のそれぞれに対応して接続部１１５が設けられている。つまり、基板１００には、複数のＬＥＤ３０が直線状に並べて実装される。レジスト層１２０は、複数のＬＥＤ３０に対応して設けられた、複数の素子実装領域１５０と、複数の第一領域１２１とを覆っている。また、銅箔層１１０は、複数の素子実装領域１５０に対応する複数の接続部１１５を有している。
そのため、各々の接続部１１５は、基板１００に実装されるＬＥＤ３０それぞれの放熱に寄与する。
また、レジスト層１２０において、銅箔層１１０が形成されていない第一領域１２１上の部分の厚みは、第二領域１２２上の部分よりも厚い。すなわち、白色のレジスト層１２０は、第一領域１２１上と第二領域１２２上とを覆い、第二領域１２２上よりも第一領域１２１上において厚く形成されている。
具体的には、図３に示すように、第一領域１２１におけるレジスト層１２０の厚みをＴ１とし、第二領域１２２における厚みをＴ２とし、銅箔層１１０の厚みをＴ３とした場合を想定する。
この場合、Ｔ３は例えば３５μｍであり、Ｔ２は例えば２０μｍであり、Ｔ１は例えば５５μｍである。
レジスト層１２０の厚い部分である第一領域１２１において、光反射率が高い。そのため、ＬＥＤ３０の発する光の取り出し効率が向上する。レジスト層１２０の厚みと光反射率との関係は、図４Ａを参照して後述する。
なお、第一領域１２１および第二領域１２２において異なる厚さを有するレジスト層１２０は、例えばスクリーン印刷によって形成される。
具体的には、銅箔層１１０が形成された基材１０９の上にマスクをセットし、その上から、白色レジストをスキージで押し広げ、乾燥させる。これにより、表面が平坦化されたレジスト層１２０が銅箔層１１０を覆うように形成される。
その結果、例えば図３に示すように、銅箔層１１０のない部分において厚く、銅箔層１１０のある部分において薄く、レジスト層１２０が形成される。
つまり、基材１０９上において、銅箔層１１０が形成されていない第一領域１２１が、白色レジストを貯留する領域（レジスト貯留領域）として機能する。これにより、レジスト層１２０は第一領域１２１において厚くなる。
さらに、銅箔層１１０は、複数の素子実装領域１５０に対応する複数の接続部１１５を有し、複数の接続部１１５のそれぞれは、上面視において、複数の素子実装領域１５０の並び方向に対して直交しない方向に設けられてもよい。（図１参照）。すなわち、基板１００上に複数の素子実装領域１５０が直線状に並んで配列され、複数の素子実装領域１５０の各々に対応する複数の第一領域１２１及び複数の接続部１１５が設けられている。そして、複数の接続部１１５の各々は、上面視において、複数の素子実装領域１５０の並び方向に対して直交しない方向に延びている。このような構成が好ましい。
この場合、上述のように、スキージで白色レジストを基材１０９上に押し広げる際に、複数の接続部１１５のそれぞれが、白色レジストの基材１０９上の広がりの障害になり難い。これにより、白色レジストを、基材１０９および銅箔層１１０それぞれに沿って隙間なく塗布することが可能となり、その結果、例えば、第一領域１２１におけるレジスト層１２０の厚みの均一性がより向上する。
なお、複数の素子実装領域１５０の並び方向は、基板１００（基材１０９）の長手方向と一致しているが、これらは一致していなくてもよい。
また、ＬＥＤ３０は、銅箔層１１０が形成されている部分に形成された第二領域１２２の一部である素子実装領域１５０に実装される。つまり、銅箔層１１０が存在し、かつ、レジスト層１２０が薄く形成された領域にＬＥＤ３０が実装される。そのため、レジスト層１２０が放熱特性に与える影響は小さい。素子実装領域１５０において、レジスト層１２０が厚い場合（例えば、第一領域におけるレジスト層１２０の厚さの場合）と比べて、基板１００の放熱特性が向上する。
なお、ＬＥＤ３０は、半導体発光素子の一例であり、単色の可視光を発するベアチップである。ＬＥＤ３０は、例えば、ダイアタッチ材（ダイボンド材）によって基板１００にダイボンディングされる。
具体的には、ＬＥＤ３０は、通電されると青色光を発光する青色ＬＥＤチップである。青色ＬＥＤチップから放出される青色光は、光波長変換体により例えば黄色光に変換される。この青色ＬＥＤチップとして、例えばＩｎＧａＮ系材料で構成された、中心波長４４０ｎｍ以上、４７０ｎｍ以下の光を発する窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。
また、ＬＥＤ３０は、図３に示すように、金ワイヤ３５によって、ワイヤ接続部１８１ａおよび１８１ｂと電気的に接続されている。つまり、ＬＥＤ３０のチップ上面において電流を供給するためのｐ側電極及びｎ側電極が形成されている。ｐ側電極とワイヤ接続部１８１ａとが、金ワイヤ３５によってワイヤボンディングされている。また、ｎ側電極とワイヤ接続部１８１ｂとが、金ワイヤ３５によってワイヤボンディングされている。
次に、レジスト層１２０の厚みの違いによる、光の反射率の違いについて、図４Ａを参照して説明する。
図４Ａは、銅箔層１１０の上に形成した異なる厚みのレジスト層１２０のそれぞれにおける光の反射率の測定結果の一例を示す図である。
なお、この測定に用いられるレジスト層１２０の白色レジストには、母材のエポキシ系樹脂に、光を反射する粒子（光反射粒子、例えば、酸化チタン粒子）が含有されている。また、基材１０９として、上述のエポキシ系の樹脂とガラス繊維とによって構成された板状の材料を使用している。レジスト層１２０の下の銅箔層１１０の厚みは、３５μｍである。また、図４Ａのグラフの横軸は光の波長である。
図４Ａに示すように、光の波長が４２０ｎｍを超えた辺りから、レジスト層１２０の厚みが大きいほど、光の反射率が高くなっている。
これは、レジスト層１２０における光の反射は、レジスト層１２０の表面（光が入射する面）における光の反射だけでなく、レジスト層１２０の内部に進入した光の光反射粒子による反射も加わるからである。すなわち、レジスト層１２０の厚みが大きいほど、レジスト層１２０の内部で反射される光の量が多くなる。その結果、光の反射率が高くなる。
第一領域１２１では、第二領域１２２に比べて、レジスト層１２０が厚い。さらに、第一領域１２１は、基材１０９における銅箔層１１０が形成されていない部分に形成されている。これにより、第一領域１２１において、銅箔層１１０による光の吸収に起因する光の反射率の低下が抑制される。
図４Ｂは、レジスト層の下に銅箔層がある場合とない場合における光の反射率の測定結果の一例を示す図である。
なお、測定に用いられるレジスト層および基材は、図４Ａの測定で用いられたレジスト層１２０および基材１０９と同じ素材である。また、レジスト層のいずれも厚みは５０μｍである。
図４Ｂに示すように、光の波長がおよそ４５０ｎｍを超えた辺りから、銅箔層がない方が、銅箔層がある場合よりも光の反射率が僅かではあるが、高くなっている。これは、レジスト層を透過した光の一部が銅箔層に吸収される影響が、光反射率に現れた結果と考えられる。また、基材は、銅箔層よりも光を吸収し難い（光反射率が高い）ため、上記測定結果が得られたと考えられる。
つまり、素子実装領域１５０を囲むように設けられた第一領域１２１におけるレジスト層１２０の厚みが比較的大きい。かつ、第一領域１２１の下に銅箔層１１０が形成されていない。これにより、素子実装領域１５０に実装されるＬＥＤ３０から第一領域１２１に向かう光の大部分は、レジスト層１２０で反射されて、外部に向けて放出される。その結果、光の取り出し効率が向上する。
また、第二領域１２２のレジスト層１２０は、素子実装領域１５０において、比較的薄く形成されている（図３参照）。そのため、ＬＥＤ３０で発生する熱は、レジスト層１２０から大きな影響を受けることなく、ＬＥＤ３０直下の銅箔層１１０の部分（第一部分１１１）に、伝導される。これにより、ＬＥＤ３０の熱に対する基板１００の放熱特性が向上し、光の取り出し効率も向上する。
次に、基板１００を用いた発光装置の一例について、図５Ａ、図５Ｂを参照して説明する。
（発光装置）
図５Ａ、図５Ｂは、本実施の形態における発光装置２００の構成概要を示す図である。具体的には、図５Ａは、発光装置２００の端部の斜視図であり、図５Ｂは、発光装置２００の側面図である。
発光装置２００は、基板１００と、基板１００に実装されたＬＥＤ３０とを有する。
基板１００は、図１に示すように板状の基材１０９と基材１０９上の一部に形成された銅箔層１１０とを有する。基板１００は、上面視において、ＬＥＤ３０を実装した素子実装領域１５０を囲むように設けられ、銅箔層１１０がない第一領域１２１を有する。同様に基板１００は、上面視において、第一領域１２１を囲むように設けられた領域と、素子実装領域１５０とを含み、銅箔層１１０が形成された第二領域１２２を有する。基板１００は、図２Ａに示すように、第一領域１２１上と第二領域１２２上とを覆い、第二領域１２２上よりも第一領域１２１上に厚く形成された白色のレジスト層１２０とを有する。
第二領域１２２において銅箔層１１０は、素子実装領域１５０に位置する部分と、第一領域１２１の外側に位置する部分とを接続する接続部１１５を有していてもよい。
基板１００に複数の素子実装領域１５０のそれぞれにＬＥＤ３０が実装されている。
また、光波長変換体を含む封止部材４０によって、直線状に配置された複数のＬＥＤ３０が一括封止されている。つまり、封止部材４０は、複数のＬＥＤ３０（ＬＥＤ素子列）を一括封止するようにＬＥＤ素子列の素子配列方向（ＬＥＤ３０の並び方向）に沿って基板１００上に直線状に形成されている。複数の接続部１１５も封止部材４０により一括封止されていてもよい。
また、封止部材４０は、上述のように光波長変換体である蛍光体を含んでいる。封止部材４０は、ＬＥＤ３０を封止してＬＥＤ３０を保護するだけでなく、ＬＥＤ３０からの光を所定の波長に波長変換（色変換）する。
封止部材４０は、基板１００の長手方向の両端縁付近まで形成されている。かつ、封止部材４０の基板１００の短手方向の断面形状は、略半円状である。また、各々のＬＥＤ３０に接続された金ワイヤ３５（図３参照）も封止される。そのため、封止部材４０は金ワイヤ３５を保護する絶縁部材としても機能する。
封止部材４０の素材として、例えば、蛍光体粒子を含有する絶縁性樹脂材料を用いることができる。蛍光体粒子として、例えば、ＬＥＤ３０が青色ＬＥＤチップである場合、封止部材４０から白色光を放出するように、青色光を黄色光に波長変換する蛍光体粒子を用いることができる。
例えば、蛍光体粒子として、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の黄色蛍光体粒子を用いることができる。これにより、ＬＥＤ３０から発せられた青色光の一部は、封止部材４０に含まれる黄色蛍光体粒子によって黄色光に波長変換される。
つまり、黄色蛍光体粒子が青色光に励起されて蛍光発光する。そして、黄色蛍光体粒子に吸収されなかった（波長変換されなかった）青色光と、黄色蛍光体粒子によって波長変換された黄色光とが封止部材４０の中で拡散及び混合され、封止部材４０から白色光として出射される。なお、封止部材４０に、シリカ等の光拡散材をさらに含有させてもよい。
封止部材４０は、黄色蛍光体粒子をシリコーン樹脂に均一に分散させた蛍光体含有樹脂である。封止部材４０は、ディスペンサーを用いて形成することができる。
例えば、基板１００上の所定位置にディスペンサーの吐出ノズルを対向配置する。そして、吐出ノズルから樹脂材料（蛍光体含有樹脂）を吐出しながら吐出ノズルを素子配列方向（基板の長手方向）に沿って移動させる。この方法で、ライン状の樹脂材料を塗布することができる。なお、樹脂材料を塗布した後は、所定の方法によって樹脂材料を硬化させる。これにより、封止部材４０を形成することができる。
以上のようにして、白色光を放出する発光装置２００を作ることができる。
また、封止部材４０の内部で混合された光は、ＬＥＤ３０を囲むように配置された第一領域１２１において、高効率で反射される。その結果、混合された光は効率よく、封止部材４０の外部に放出される。つまり、発光装置２００は、高い光取り出し特性を有する発光装置２００である。
なお、上面視において第一領域１２１におけるレジスト層１２０の全体が封止部材４０に覆われている必要はない。第一領域１２１の、封止部材４０の外部に位置する部分において、レジスト層１２０は、封止部材４０から放出された光を反射する。
また、銅箔層１１０のパターン（レイアウト）は、図１に示されるパターンに限定されず、様々なパターンが採用されうる。以下、銅箔層１１０のパターンについての各種の変形例を、基板１００との差分を中心に、図６〜図１０を参照して説明する。
なお、以下に説明する各変形例における基板のそれぞれは、上記の発光装置２００における基板１００に代えて、複数のＬＥＤ３０を実装する基板として用いることができる。
（基板の変形例１）
図６は、基板１００の変形例１における基板１０１の構成概要を示す上面図である。
基板１００と基板１０１における複数の接続部１１５の方向が配光特性に与える影響について説明する。図１に示す基板１００と図６に示す基板１０１とは、上面視における接続部１１５の方向の規則性が異なる。接続部１１５の方向とは、上面視における、素子実装領域１５０を起点として接続部１１５が第一部分１１１から第二部分１１２に延びる方向である。
複数の接続部１１５の方向の規則性とは、例えば、複数の接続部１１５の方向（姿勢）が、所定の個数ごとに繰り返されている値である。例えば、複数の接続部１１５を順次観察した場合に、４つごとに同一方向の接続部１１５が存在する場合、規則性は４である。この数値が大きいほど、規則性が低いと呼ぶ。なお、全ての接続部１１５の方向が同じ場合、規則性は１となる。他の変形例でも同じである。
基板１００は、図１に示すように、それぞれの素子実装領域１５０を起点として、右下に延びる接続部１１５と左上に延びる接続部１１５との組が、連続して基板１００の長手方向に並べられている。この場合、基板１００において、複数の接続部１１５の方向の規則性は２である。
一方、基板１０１において、図６に示すように、それぞれの素子実装領域１５０を起点として、右下に延びる接続部１１５ａ、左上に延びる接続部１１５ｂ、左下に延びる接続部１１５ｃ、および、右上に延びる接続部１１５ｄの組が、連続して基板１０１の長手方向に並べられている。この場合、複数の接続部１１５の方向の規則性は４である。
なお、接続部１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄにおいて、説明の便宜上、互いに異なる符号を用いている。つまり、これら接続部は、接続部１１５と同じく、基材１０９上に形成された銅箔層１１０の一部であって、上にレジスト層１２０が形成されている。
このように、それぞれの素子実装領域１５０を基準とした場合の複数の接続部１１５の方向の規則性を低くすることで、より優れた配光特性を得ることができる。
その理由について説明する。銅箔層１１０の一部である接続部１１５の上に、レジスト層１２０が存在する。つまり、上面視において接続部１１５は、第二領域１２２の一部である。接続部１１５の上に、第一領域１２１よりも薄いレジスト層１２０が存在する。そのため、複数の接続部１１５のそれぞれの上方に位置するレジスト層１２０の光反射率は、その近傍に配置された第一領域１２１よりも低い。つまり、接続部１１５が存在する部分は、その周りの第一領域１２１との比較において暗い部分（輝度の低い部分）として視認され得る。規則性が高いほど、第一領域１２１の同じ位置に暗い部分が現れ、規則性が低いほど、異なる位置に暗い部分が現れる。基板上の同じ位置に暗い部分が現れると目立つので好ましくない。また、この暗い部分は、配光特性を不均一にするので好ましくない。
これを改善するために、基板１０１において、それぞれの接続部１１５の方向の規則性を低下させている。これにより、例えば、基板１０１を発光装置２００（図５Ａおよび図５Ｂ参照）に適用すると、点在する暗い部分を外観上目立たなくすることができる。すなわち、基板１０１を用いた発光装置は、均一性の高い配光特性を有する。
なお、図１および図６に示す、複数の接続部１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）の配置位置または姿勢のパターンのそれぞれは、基板１００（１０１）上に離散的に生じ得る暗い部分を目立たなくする効果を有するパターンの一例である。
すなわち、発光装置２００において、暗部の目立たない、均一性の高い配光特性を得るために、基板は以下の構成にすることが好ましい。
基板１０１に、複数の素子実装領域１５０が直線状に並んで配列され、基板１０１は、複数の素子実装領域１５０の各々に対応する複数の第一領域１２１及び複数の接続部１１５を有する。そして、複数の接続部１１５の１つは、上面視において、複数の接続部１１５の他の接続部１１５とは異なる方向に延びている。このような構成が好ましい。
（基板１００の変形例２）
図７は、基板１００の変形例２における基板１０２の構成概要を示す上面図である。
基板１０２の接続部１１５は、２つの部分に分かれている。具体的には、基板１０２は、接続部１１５として、素子実装領域１５０の下方に位置する部分（第一部分１１１）と、上面視における第一領域１２１の外側に位置する部分（第二部分１１２）の２箇所のそれぞれとを接続する第一接続部１１５ｅおよび第二接続部１１５ｆを有する。
また、基板１０２において、複数の接続部１１５のそれぞれは、上面視において、隣り合う２つの接続部１１５の各々の素子実装領域１５０を起点として、配置位置および姿勢が異なるように、基材１０９上に形成されている。
このように、ひとつの素子実装領域１５０から、２つの接続部（第一接続部１１５ｅ、第二接続部１１５ｆ）が分岐することにより、ＬＥＤ３０が発する熱を分けて第二部分１１２に伝導することができる。その結果、基板１０２の放熱特性を高めることができる。
すなわち、高い放熱特性を得るために、基板１０２において、素子実装領域１５０から延びる接続部１１５は、上面視において素子実装領域１５０から互いに異なる方向に延びている複数の接続部のひとつであることが好ましい。
（基板１００の変形例３）
図８は、基板１００の変形例３における基板１０３の構成概要を示す上面図である。
基板１０３において、上面視における複数の接続部１１５のそれぞれの方向が、複数の素子実装領域１５０の並び方向と平行になるように形成されている。
これにより、例えば、複数の素子実装領域１５０の並び方向に沿って形成される封止部材４０によって、複数の接続部１１５の上方が覆われる。
封止部材４０は、上述のように、例えば黄色蛍光体粒子である光波長変換体を含んでいるため、封止部材４０の内部で光の拡散が生じる。そのため、複数の接続部１１５の上方が封止部材４０で覆われている場合、複数の接続部１１５の存在に起因する、基板１０３上に離散的に生じる暗い部分を、封止部材４０によって目立たなくすることができる。
また、上面視における、複数の素子実装領域１５０の並び方向と接続部１１５の方向とを一致させることが好ましい。この構成により、封止部材４０が比較的細く形成された場合でも、全ての接続部１１５の上方を、封止部材４０で覆うことができる。
なお、例えば図１に示す基板１００のように、上面視において、複数の接続部１１５それぞれの方向が、複数の素子実装領域１５０の並び方向に対して斜めになっている場合であっても、上記効果を得ることは可能である。つまり、図１に示す基板１００において、全ての接続部１１５の上方を封止部材４０で覆うように封止部材４０を形成すればよい。
（基板１００の変形例４）
図９は、基板１００の変形例４における基板１０４の構成概要を示す上面図である。
基板１０４は、上面視において、銅箔層１１０のある第二領域１２２に囲まれ、銅箔層１１０のない第三領域１２３を有してる。第二領域１２２よりも第三領域１２３においてレジスト層１２０が厚い。
つまり、基板１０４において、素子実装領域１５０を囲むように設けられた銅箔層１１０のない領域（第一領域１２１）の他に、素子実装領域１５０から比較的に遠い位置に、銅箔層１１０のない領域（第三領域１２３）が存在する。より詳細には、基板１０４において、上面視における第一領域１２１の外側の領域に、銅箔層１１０のない領域が点在する。
つまり、第三領域１２３におけるレジスト層１２０の厚さは、第一領域１２１（図３参照）と同じく、比較的厚い。そのため、レジスト層１２０において、第一領域１２１の外側に、光比較的高い反射率を有する第三領域１２３が存在する。
基板１０４を発光装置２００（図５Ａおよび図５Ｂ参照）に適用し、例えば直管形ＬＥＤランプである照明用光源に適用する場合、第三領域１２３によって配光特性が向上する。
具体的には、後述する図１３に示す照明用光源５００において、発光装置２００のＬＥＤ３０から発せられた光の一部は、発光装置２００が内部に配置された透光性の外殻部材（例えば直管形ＬＥＤランプにおけるガラス管）５１０の内面で反射される。この反射光が、第三領域１２３で反射され、外殻部材５１０を透過して外部に放出される。
つまり、基板１０４を有する照明用光源５００において、外殻部材５１０の内面での反射光（散乱光）を、効率よく外殻部材５１０の外部に取り出す要素として第三領域１２３が機能する。
このように、基板１０４によれば、基板１０４を有する発光装置が透光性の外殻部材５１０の内方に配置された照明用光源５００において、より優れた配光特性を得ることができる。
（基板１００の変形例５）
図１０は、基板１００の変形例５における基板１０５の構成概要を示す上面図である。
基板１０５において、銅箔層１１０のパターンは、複数のＬＥＤ３０を直列接続するように形成されている。具体的には、上面視において、隣り合う素子実装領域１５０の間に、第二領域１２２の銅箔層１１０と電気的に分離された連結部１１０ａが配置されている。
図１０に示す例において、左から１つ目から６つ目までの素子実装領域１５０それぞれの間に、計５つの連結部１１０ａが形成されている。基板１０５において、複数の素子実装領域１５０のそれぞれにＬＥＤ３０が実装された場合、図１０における左端のＬＥＤ３０から６番目のＬＥＤ３０までが直列に接続される。
具体的には、連結部１１０ａにおいて、連結部１１０ａを挟んで存在する２つのＬＥＤ３０の一方のｐ側電極に接続された金ワイヤ３５（図３参照）と、他方のｎ側電極に接続された金ワイヤ３５とが接続される。その結果、６個のＬＥＤ３０が直列接続される。
なお、図１０における左端のＬＥＤ３０から７番目以降のＬＥＤ３０において、同様に６個ずつが直列接続される。これら直列接続された６個のＬＥＤ３０からなるＬＥＤ３０群が並列に接続される。
このように、基板１０５に実装される複数のＬＥＤ３０の接続形態に直列接続が含まれる場合であっても、図１０に示すように、素子実装領域１５０を囲むように第一領域１２１を設けることは可能である。
つまり、基板１０５において、基板１００と同様に、実装されるＬＥＤ３０の周囲に、光反射率が高い領域が存在する。その結果、基板１０５を用いた発光装置２００の光取り出し効率が向上する。
なお、直列接続されるＬＥＤ３０の個数は６に限らない。また、基板１０５に実装される複数のＬＥＤ３０の接続形態に並列接続が含まれているが、基板１０５に実装される全てのＬＥＤ３０が直列に接続されてもよい。
（照明装置）
次に、本開示の実施の形態における照明装置について、図１１を参照して説明する。
図１１は、本実施の形態における照明装置１の概観斜視図である。照明装置１は、発光装置２００を適用した例である。
ベースライト型の照明装置１は、発光装置２００と、発光装置２００に発光のための電力を供給する照明器具２とを有する。
照明装置１はさらに、照明器具２と発光装置２００とを取り付けるための取付部材３を有する。発光装置２００は、取付部材３とともに照明器具２に直付けされている。
照明器具２は、発光装置２００の点灯を制御するための点灯回路等（図示せず）が内蔵されている。また、照明器具２は、取付部材３の貫通孔４に対応するように設けられたねじ穴（図示せず）を有する。すなわち、取付部材３の貫通孔４の位置と照明器具２のねじ穴の位置とは一致する。
照明器具２は、例えばアルミ鋼板をプレス加工等することによって成形することがでる。照明器具２は例えば天井等に直付けされる。
取付部材３は、長尺状であり、例えば、アルミニウム等などのメタルベース基板を用いることができる。取付部材３において複数の貫通孔４が設けられている。取付部材３と照明器具２とを固定する場合、取付部材３の貫通孔４と照明器具２のねじ穴とを一致させて貫通孔４にねじ５を通して、ねじ５と貫通孔４及びねじ穴とを螺合させる。
照明器具２において、貫通孔４は、取付部材３の対向する長辺側のそれぞれに互い違いに設けられている。例えば、図１１に示すように、取付部材３の長辺の一方側に４つの貫通孔を設けて、これらと対向しないように長辺の他方側に３つの貫通孔を設けることができる。取付部材３と発光装置２００との固定方法は特に限定されないが、取付部材３と発光装置２００とは例えば接着剤等によって固定されている。
なお、照明装置１は、取付部材３を有していなくてもよく、例えば、照明器具２に発光装置２００が直接取り付けられてもよい。
ここで、本実施の形態における他の照明装置の具体例について、図１２Ａ〜図１２Ｃを参照して説明する。図１２Ａ〜図１２Ｃは、他の照明装置の第１〜第３具体例を示す図である。
図１２Ａに示す照明装置１Ａでは、凸型の照明器具２Ａにおいて２つの傾斜面の各々に３つの発光装置２００が取り付けられている。また、図１２Ｂに示す照明装置１Ｂでは、長方形の照明器具２Ｂの表面に６つの発光装置２００が取り付けられている。また、図１２Ｃに示す照明装置１Ｃでは、正方形の照明器具２Ｃに４つの発光装置２００が取り付けられている。
なお、照明装置１Ａ〜１Ｃの各々において照明器具２Ａ〜２Ｃに取り付けられる発光装置２００の数は、一例であって、これらの数に限定されるものではない。また、発光装置２００の取り付けにおいて、各図に示すように、例えば、上述のような取付部材３を用いる。
なお、図示しないが、照明装置１Ａ〜１Ｃの各々において、発光装置２００を覆うように透明カバーを設けてもよい。
また、１つの発光装置２００に対して１つの取付部材３を用いたが、これに限らない。例えば、１つの取付部材３に複数個の発光装置２００を固定してもよい。
また、照明装置１Ａ〜１Ｃの各々において、取付部材３の貫通孔４は基板の長辺の両側に設けられていたが、貫通孔を一方の長辺のみ（片側のみ）に設けていてもよい。
また、照明装置１Ａ〜１Ｃの各々において、取付部材３に貫通孔４を設けることによってねじ穴を形成したが、ねじ５を通す構造として、貫通孔ではなく切り欠きでもよい。例えば、取付部材３の長辺に半円形の切り欠きを設けて、この切り欠きを利用してねじ止め固定できる。
また、取付部材３としては、所定の規格に適合した部材が用いられてもよい。
（照明用光源）
次に、本開示の実施の形態における照明用光源について図１３を参照して説明する。図１３は、本実施の形態における照明用光源５００の斜視図である。
照明用光源５００は、発光装置２００を適用した例である。
照明用光源５００は、直管蛍光灯に代替する直管形ＬＥＤランプである。例えば、全長が４フィートの直管蛍光灯と同じである直管形ＬＥＤランプである。
照明用光源５００は、発光装置２００と、発光装置２００が内方に配置された透光性の外殻部材５１０とを有する。
照明用光源５００は、外殻部材５１０内に複数の発光装置２００を有し、外殻部材５１０の両端に一対の口金５２０及び５３０を有する。また、外殻部材５１０は、ガラス製又は樹脂製であって長尺筒状の部材である。
複数の発光装置２００、例えば、コネクタ線５４０によって互いに電気的に接続されている。また、図示しないが、外殻部材５１０において、発光装置２００を発光させるための点灯回路および、発光装置２００を載置するためのヒートシンク（金属基台）を有してもよい。
（照明装置）
次に、本開示の実施の形態におけるさらに他の照明装置について図１４を用いて説明する。
図１４は、本実施の形態における照明装置１Ｄの斜視図である。
図１４に示すように、ベースライト型の照明装置１Ｄは、照明用光源を有する。照明装置１Ｄは、例えば、照明用光源５００と、照明用光源５００に発光のための電力を供給する照明器具２Ｄとを有する。
照明器具２Ｄは、器具本体６と、器具本体６に取り付けられた一対のソケット７とを有する。一対のソケット７は、照明用光源５００を器具本体６と電気的に接続するとともに、照明用光源５００を保持する。
器具本体６は、例えばアルミ鋼板をプレス加工等することによって成形することができる。また、器具本体６の内面は、照明用光源５００から発せられた光を所定方向（例えば、下方）に反射させる。
このように構成される照明器具２Ｄは、例えば天井等に固定具を介して装着される。なお、照明器具２Ｄにおいて、照明用光源５００の点灯を制御するための電源回路等が内蔵されている。また、照明用光源５００を覆うように透光性のカバー部材を設けていてもよい。
（その他）
以上、本開示における基板および発光装置等について、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本開示は、これらの実施の形態及び変形例に限定されるものではない。
例えば、基板１００〜１０５それぞれの上面視における形状は、例えば図１に示されるような長尺状でなくてもよい。基板の形状として、例えば、正方形、矩形以外の多角形、円形、および、直線と曲線とで構成される形状など、各種の形状が採用され得る。
また、基板１００〜１０５それぞれにおいて、複数のＬＥＤ３０は直線状に並べられているが、複数のＬＥＤ３０の配置の態様に特に限定はない。例えば、複数のＬＥＤ３０がマトリクス状に配置されてもよく、また、例えば、複数のＬＥＤ３０が円または楕円状に配置されてもよい。
また、例えば、レジスト層１２０が形成される第一領域１２１は、上面視において、素子実装領域１５０を囲むように略円形に形成されている（例えば、図２Ａ参照）。しかし、第一領域１２１の形状に特に限定はなく、例えば、上面視において、全体として多角形になるように形成されていてもよい。
また、基板１００等の基板において、素子実装領域１５０は少なくとも１つ存在すればよい。つまり、第一領域１２１および接続部１１５等（図２Ａ，図２Ｂ参照）のそれぞれは、基板１００等の基板において、素子実装領域１５０に対応して少なくとも１つ存在すればよい。
また、基板１００等の基板上に形成された銅箔層１１０は、接続部１１５を有しなくてもよい。つまり、銅箔層１１０のＬＥＤ３０直下の第一部分１１１（図２Ｂ参照）と、第一領域１２１の外側に相当する第二部分１１２とは、分離されていてもよい。
この場合であっても、第一部分１１１が、例えば、第一部分１１１と接する基材１０９に熱を伝導する部材として機能する。つまり、第一部分１１１が熱伝導部材として機能する。
また、素子実装領域１５０下の第一部分１１１は、第二部分１１２と物理的に分離されてもよい。銅箔層１１０が、接続部１１５を有しない場合であっても、素子実装領域１５０は第二領域１２２に含まれる。
また、上記の実施の形態及び変形例では、発光装置２００を、照明用光源および照明装置に用いる例について説明したが、これに限定されない。
上記の実施の形態及び変形例における発光装置２００は、複写機のランプ光源、誘導灯または看板装置等の光源等、その他の電子機器の光源としても用いることができる。その他に、検査用ライン光源のような産業用途の光源としても利用することができる。
また、発光装置２００において、光波長変換体を含む封止部材４０は必須の構成要素ではない。例えば、ＬＥＤ３０の発光色をそのまま生かした照明用に発光装置２００を採用する場合、発光装置２００は光波長変換体を有していなくてもよい。
また、発光装置２００を直管形ＬＥＤランプに適用した例を示したが、発光装置２００は、電球形ＬＥＤランプまたは丸管形ランプにも適用可能である。
また、上記の実施の形態及び変形例において、発光装置２００は、青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体とによって白色光を放出するように構成したが、これに限らない。例えば、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂を用いて、これと青色ＬＥＤチップと組み合わせることによりに白色光を放出するようにしてもよい。また、青色以外の色を発光するＬＥＤチップを用いてもよい。
また、上記の実施の形態及び変形例において、発光装置２００に用いる半導体発光素子はＬＥＤとしたが、半導体レーザ、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）又は無機ＥＬ等の発光素子を用いてもよい。
なお、その他、各実施の形態および各変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、および、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態および各変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 照明装置
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ 照明器具
３０ ＬＥＤ（半導体発光素子）
４０ 封止部材
１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５ 基板（基板）
１０９ 基材
１１０ 銅箔層
１１０ａ 連結部
１１１ 第一部分（素子実装領域に位置する部分）
１１２ 第二部分（第一領域の外側に位置する部分）
１１５、１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ 接続部
１２０ レジスト層
１２１ 第一領域
１２２ 第二領域
１２３ 第三領域
１５０ 素子実装領域
２００ 発光装置
５００ 照明用光源
５１０ 外殻部材

Claims (19)

  1. 半導体発光素子が実装される基板であって、
    板状の基材と、
    前記基材上の一部に形成された銅箔層と、
    上面視において、前記半導体発光素子が実装される領域である素子実装領域を囲むように設けられ、前記銅箔層がない、前記基材上の領域である第一領域と、
    上面視において、前記第一領域を囲むように設けられた領域と、前記素子実装領域とを含み、前記銅箔層が形成された、前記銅箔層上の領域である第二領域と、
    前記第一領域上と前記第二領域上とを覆い、前記第二領域上よりも前記第一領域上に厚く形成された白色のレジスト層とを備え、
    前記基材及び前記レジスト層は、前記銅箔層よりも光の反射率が高い材料で形成されており、
    前記レジスト層は、厚みが大きいほど光の反射率が高くなる
    基板。
  2. 前記第二領域において前記銅箔層は、前記素子実装領域に位置する部分と前記第一領域の外側に位置する部分とを接続する接続部を有する
    請求項１記載の基板。
  3. 前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記第一領域は複数の第一領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記複数の素子実装領域が直線状に並んで配列され、
    前記複数の素子実装領域の各々に対応する前記複数の第一領域及び前記複数の接続部とを備え、
    前記複数の接続部の各々は、上面視において、前記複数の素子実装領域の並び方向に対して直交しない方向に延びている
    請求項２記載の基板。
  4. 前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記第一領域は複数の第一領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記複数の素子実装領域が直線状に並んで配列され、
    前記複数の素子実装領域の各々に対応する前記複数の前記第一領域及び前記複数の接続部を備え、
    前記複数の接続部の１つは、上面視において、前記複数の接続部の他の接続部とは異なる方向に延びている
    請求項２記載の基板。
  5. 前記接続部は、上面視において前記素子実装領域から互いに異なる方向に延びている複数の接続部のひとつである
    請求項２記載の基板。
  6. 前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記複数の接続部は、上面視において前記複数の素子実装領域の並び方向と平行に延びる
    請求項２記載の基板。
  7. 前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記複数の素子実装領域のうち、少なくとも一組の隣り合う２つの素子実装領域の間に、前記第二領域における前記銅箔層と電気的に分離された連結部をさらに備える
    請求項２記載の基板
  8. 上面視において、前記第二領域に囲まれ、前記銅箔層がない、前記基材上の領域である第三領域を更に備え、
    前記レジスト層は、さらに前記第三領域上を覆い、かつ、前記第二領域上よりも前記第三領域上において厚い
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板。
  9. 基板と、
    前記基板に実装された半導体発光素子とを備え、
    前記基板は、
    板状の基材と、
    前記基材上の一部に形成された銅箔層と、
    上面視において、前記半導体発光素子が実装された素子実装領域を囲むように設けられ、前記銅箔層がない、前記基材上の領域である第一領域と、
    上面視において、前記第一領域を囲むように設けられた領域と、前記素子実装領域とを含み、前記銅箔層が形成された、前記銅箔層上の領域である第二領域と、
    前記第一領域上と前記第二領域上とを覆い、前記第二領域上よりも前記第一領域上に厚く形成された白色のレジスト層とを備え、
    前記基材及び前記レジスト層は、前記銅箔層よりも光の反射率が高い材料で形成されており、
    前記レジスト層は、厚みが大きいほど光の反射率が高くなる
    発光装置。
  10. 前記第二領域において前記銅箔層は、前記素子実装領域に位置する部分と前記第一領域の外側に位置する部分とを接続する接続部を有する
    請求項９記載の発光装置。
  11. 前記半導体発光素子は複数の半導体発光素子のひとつであり、
    前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記第一領域は複数の第一領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記基板には、直線状に並んだ前記複数の素子実装領域の各々に前記複数の半導体発光素子が直線状に並んで実装されており、
    前記複数の素子実装領域の各々に対応する前記複数の第一領域及び前記複数の接続部とを備え、
    前記複数の接続部の各々は、上面視において、前記複数の素子実装領域の並び方向に対して直交しない方向に延びている
    請求項１０記載の発光装置。
  12. 前記半導体発光素子は複数の半導体発光素子のひとつであり、
    前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記第一領域は複数の第一領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記基板には、直線状に並んだ前記複数の素子実装領域の各々に前記複数の半導体発光素子が直線状に並んで実装されており、
    前記複数の素子実装領域の各々に対応する前記複数の第一領域及び前記複数の接続部とを備え、
    前記複数の接続部の１つは、上面視において、前記複数の接続部の他の接続部とは異なる方向に延びている
    請求項１０記載の発光装置。
  13. 前記接続部は、上面視において、前記素子実装領域から互いに異なる方向に延びる複数の接続部のひとつである
    請求項１０記載の発光装置。
  14. 前記半導体発光素子は複数の半導体発光素子のひとつであり、
    前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記第一領域は複数の第一領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記基板には、直線状に並んだ前記複数の素子実装領域の各々に前記複数の半導体発光素子が直線状に並んで実装されており、
    前記複数の素子実装領域の各々に対応する前記複数の第一領域及び前記複数の接続部とを備え、
    前記複数の半導体発光素子および前記複数の接続部を一括封止する直線状の封止部材とをさらに備える
    請求項１０記載の発光装置。
  15. 前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記接続部は複数の接続部のひとつであり、
    前記複数の接続部は、上面視において前記複数の素子実装領域の並び方向と平行に延びる
    請求項１０記載の発光装置。
  16. 前記素子実装領域は複数の素子実装領域のひとつであり、
    前記複数の素子実装領域のうち、少なくとも一組の隣り合う２つの素子実装領域の間に、前記第二領域における前記銅箔層と電気的に分離された連結部をさらに備える
    請求項１０記載の発光装置。
  17. 上面視において前記第二領域に囲まれ、前記銅箔層がない、前記基材上の領域である第三領域をさらに備え、
    前記レジスト層は、さらに前記第三領域上を覆い、かつ、前記第二領域上よりも前記第三領域上の方が厚い
    請求項９〜１６のいずれか１項に記載の発光装置。
  18. 請求項９〜１７のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置が内方に配置された透光性の外殻部材と
    を備える照明用光源。
  19. 請求項９〜１７のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置が取り付けられ、前記発光装置に発光のための電力を供給する照明器具と
    を備える照明装置。
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