JP6497615B2 - 実装基板及びそれを用いたｌｅｄモジュール - Google Patents

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Description

本発明は、実装基板及びそれを用いたＬＥＤ（Light Emitting Diode）モジュールに関し、より詳細には、ＬＥＤチップを実装可能な実装基板及びそれを用いたＣＯＢ（Chip On Board）型のＬＥＤモジュールに関する。
従来、ＬＥＤモジュールとしては、ＣＯＢ型のＬＥＤモジュールが知られている（特許文献１、２）。
特許文献１に記載されたＣＯＢ型のＬＥＤモジュールは、例えば、樹脂基板と、樹脂基板の第１の主面に実装されたＬＥＤチップと、金属配線と、電極端子と、レジストと、蛍光体含有樹脂からなる封止部材と、を備えている。金属配線は、樹脂基板の第１の主面にパターン形成されている。金属配線の金属材料は、例えば、銅である。レジストは、ＬＥＤチップ及び電極端子との接続部分における金属配線を除いて、樹脂基板の第１の主面の全面を覆うように形成されている。レジストは、白色樹脂材料により形成されている。
特許文献２に記載されたＣＯＢ型のＬＥＤモジュールは、装置基板と、装置基板の表面全体に被着された白色の反射層と、反射層上に形成された回路パターンと、ＬＥＤチップと、を備え、ＬＥＤチップが白色の反射層に、接着層により接着されている。回路パターンは、銅はくからなる。
特開２０１４−１７０９４７号公報 特開２００８−１４０９３４号公報
ＬＥＤチップを実装する実装基板及びそれを用いたＣＯＢ型のＬＥＤモジュールにおいては、特許文献１、２のように銅により形成された構成要素がある場合、銅の酸化や腐食により信頼性が低下してしまう懸念がある。
本発明の目的は、信頼性の向上を図ることが可能な実装基板及びそれを用いたＬＥＤモジュールを提供することにある。
本発明の実装基板は、ＬＥＤチップを実装可能な実装基板である。本発明の実装基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に形成された複数の接続用導体部と、前記複数の接続用導体部を覆う第１白色レジスト層であって前記複数の接続用導体部の各々を露出させる複数の第１開口部を有する前記第１白色レジスト層と、前記第１白色レジスト層を覆う第２白色レジスト層であって前記複数の第１開口部内に複数の第２開口部を１つずつ有する前記第２白色レジスト層と、を備える。前記第２白色レジスト層は、平面視において、前記複数の接続用導体部の各々における周部を覆っている。前記第１白色レジスト層は、エポキシ樹脂系の白色レジストにより形成されている。前記第２白色レジスト層は、フッ素樹脂系の白色レジストにより形成されている。
本発明のＬＥＤモジュールは、前記実装基板と、前記実装基板に実装された前記ＬＥＤチップと、を備える。前記ＬＥＤチップは、第１電極と、第２電極と、を備える。前記ＬＥＤチップは、接着層を介して前記実装基板に接着されている。前記ＬＥＤチップは、前記第１電極が前記実装基板における前記複数の接続用導体部のうちの１つからなる第１接続用導体部に第１ワイヤを介して電気的に接続されている。前記ＬＥＤチップは、前記第２電極が前記実装基板における前記複数の接続用導体部のうちの別の１つからなる第２接続用導体部に第２ワイヤを介して電気的に接続されている。
本発明の実装基板では、信頼性の向上を図ることが可能となる。
本発明のＬＥＤモジュールでは、信頼性の向上を図ることが可能となる。
図１Ａは、実施形態１の実装基板を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図２Ａは、実施形態１の実装基板を示す要部概略平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図３Ａは、実施形態１のＬＥＤモジュールを示す概略平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図４Ａは、実施形態１のＬＥＤモジュールを示す要部概略平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。
下記の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、各構成要素の大きさの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
以下では、本実施形態の実装基板２について、図１Ａ、１Ｂ、２Ａ及び２Ｂに基づいて説明し、実装基板２を用いたＬＥＤモジュール１について図３Ａ、３Ｂ、４Ａ及び４Ｂに基づいて説明する。
実装基板２は、ＬＥＤチップ３を実装可能に構成されている。実装基板２は、樹脂とガラスとを含む絶縁基板２０と、絶縁基板２０の表面２０１に形成された複数の接続用導体部２１と、複数の接続用導体部２１を覆う第１白色レジスト層２５と、第１白色レジスト層２５を覆う第２白色レジスト層２６と、を備える。複数の接続用導体部２１の各々は、銅はく２１１と、銅はく２１１上に部分的に形成されためっき層２１２と、を備え、めっき層２１２が銅よりも耐酸化性及び耐腐食性の高い金属により形成されている。第１白色レジスト層２５は、複数の接続用導体部２１の各々におけるめっき層２１２を露出させる複数の第１開口部２５１が形成されている。第２白色レジスト層２６は、平面視において、複数の接続用導体部２１の各々におけるめっき層２１２の周部を覆っている。以上の構成により、実装基板２は、信頼性の向上を図ることが可能となる。絶縁基板２０は、電気絶縁性を有する基板である。第１白色レジスト層２５は、複数の接続用導体部２１の各々を覆う電気絶縁性のカバー層としての機能と、可視光を反射する反射層としての機能と、を有する。「平面視において、」とは、絶縁基板２０の厚さ方向において第２白色レジスト層２６の表面側から見た形状において、を意味する。なお、図１Ａ及び２Ａでは、第２白色レジスト層２６の表面におけるＬＥＤチップ３が搭載されるチップ搭載予定領域２６３を模式的に図示してある。また、図１Ｂでは、実装基板２に実装されるＬＥＤチップ３を模式的に図示してある。
本願発明者らは、特許文献１に記載されたＣＯＢ型のＬＥＤモジュールにおいて、銅により形成された金属配線のうちＬＥＤチップとの接続部分に金めっき層を形成することで信頼性の向上を図ることを考案した。そして、本願発明者らは、白色樹脂材料により形成されているレジストにおいて接続部分を露出させる開口部の内壁面の形状や、レジストにおける開口部の周部の欠けの発生などに起因して、金属配線の一部が露出してしまうことがあるという知見を得た。
実装基板２の各構成要素については、以下に、より詳細に説明するが、説明の便宜上、ＬＥＤチップ３の一例について説明してから、実装基板２について説明する。
ＬＥＤチップ３は、青色光を放射する青色ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ３は、ＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、図４Ｂに示すように、基板３０１と、バッファ層３０２と、ｎ型半導体層３０３と、発光層３０４と、ｐ型半導体層３０５と、を備える。ＧａＮ系青色ＬＥＤチップとは、発光層３０４の半導体材料としてＧａＮ系材料を採用した窒化物半導体発光素子である。ＧａＮ系材料としては、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮなどが挙げられる。基板３０１は、サファイア基板である。ＬＥＤチップ３は、４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域に主発光ピーク波長がある発光スペクトルを有するのが好ましい。
ＬＥＤチップ３は、バッファ層３０２とｎ型半導体層３０３と発光層３０４とｐ型半導体層３０５とを含む多層膜３０６が、基板３０１の表面上に形成されている。ＬＥＤチップ３は、多層膜３０６の一部を、多層膜３０６の表面側（ｐ型半導体層３０５の表面側）からｎ型半導体層３０３の途中までエッチングすることで除去してある。要するに、ＬＥＤチップ３は、多層膜３０６の一部をエッチングすることで形成されたメサ構造３０７を有している。これにより、ＬＥＤチップ３は、ｐ型半導体層３０５の表面とｎ型半導体層３０３の露出した表面との間に段差３０７１が形成されている。ＬＥＤチップ３は、ｎ型半導体層３０３の露出した表面上に第１電極３１が形成され、ｐ型半導体層３０５の表面上に第２電極３２が形成されている。よって、ＬＥＤチップ３は、上述のように、ＬＥＤチップ３の厚さ方向の一面側に、第１電極３１と、第２電極３２と、が配置されている。ＬＥＤチップ３は、第１電極３１が負電極を構成し、第２電極３２が正電極を構成する。要するに、ＬＥＤチップ３は、第１電極３１と第２電極３２とが互いに異なる極性の電極を構成している。
また、ＬＥＤチップ３は、基板３０１の裏面上に、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）３０８が形成されている。ＤＢＲ３０８は、発光層３０４から放射された光を反射するように設計してある。
ＬＥＤチップ３の平面視形状は、長方形状である。「ＬＥＤチップ３の平面視形状」とは、基板３０１の厚さ方向に沿った方向から見たＬＥＤチップ３の外周形状であり、基板３０１の外周形状と同じである。
実装基板２は、ＬＥＤチップ３を実装する基板である。本実施形態において、「実装する」とは、ＬＥＤチップ３を配置して機械的に接続すること及び電気的に接続することを含む概念である。
実装基板２は、図１Ｂに示すように、複数のＬＥＤチップ３を実装可能に構成されている。これにより、実装基板２を用いたＬＥＤモジュール１（図３Ａ、３Ｂ、４Ａ及び４Ｂ参照）では、光出力の高出力化を図ることが可能となる。ＬＥＤモジュール１では、複数のＬＥＤチップ３の電気的な接続形態として、複数のＬＥＤチップ３が直列接続された接続形態を採用している。実装基板２は、予め決定された複数のＬＥＤチップ３の接続形態に基づいて、複数の接続用導体部２１の各々が所定のパターンに形成されている。複数の接続用導体部２１としては、ＬＥＤチップ３の第１電極３１が接続される第１接続用導体部２２と、ＬＥＤチップ３の第２電極３２が接続される第２接続用導体部２３と、端子部となる第３接続用導体部２７及び第４接続用導体部２８と、がある。実装基板２は、平面視において、隣り合う２つのチップ搭載予定領域２６３の間にある第１接続用導体部２２の銅はく２１１と第２接続用導体部２３の銅はく２１１とが繋がっており、電気的に接続されている。また、実装基板２は、平面視において、第３接続用導体部２７の銅はく２１１と第３接続用導体部２７に隣り合う第１接続用導体部２２の銅はく２１１とが繋がっており、電気的に接続されている。また、実装基板２は、平面視において、第４接続用導体部２８の銅はく２１１と第４接続用導体部２８に隣り合う第２接続用導体部２３の銅はく２１１とが繋がっており、電気的に接続されている。したがって、ＬＥＤモジュール１では、例えば、外部の電源装置などから第３接続用導体部２７と第４接続用導体部２８との間に給電することにより、複数のＬＥＤチップ３を発光させることができる。
また、実装基板２は、図２Ａ及び２Ｂに示すように、複数の接続用導体部２１を囲むように形成された導体部２４を備えている。導体部２４は、銅はく２１１により構成されている。導体部２４は、平面視において第２白色レジスト層２６におけるＬＥＤチップ３の搭載予定領域を包含するパターンに形成されている。これにより、実装基板２は、放熱性を向上させることが可能となる。
実装基板２は、長尺状に形成されている。実装基板２の平面視形状は、細長の長方形状である。「実装基板２の平面視形状」とは、実装基板２の厚さ方向に沿った方向から見た実装基板２の外周形状である。
実装基板２は、絶縁基板２０と複数の接続用導体部２１と導体部２４とを含むプリント配線板２９を備え、プリント配線板２９の表面に、第１白色レジスト層２５が形成され、第１白色レジスト層２５上に第２白色レジスト層２６が形成されている。
複数の接続用導体部２１の各々は、第１白色レジスト層２５により覆われていない領域において、銅はく２１１の表面に、めっき層２１２が積層されている。めっき層２１２は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。
めっき層２１２は、一例として、Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層との積層構造を有する。めっき層２１２は、例えば、Ｎｉ層とＡｕ層との積層構造でもよい。めっき層２１２は、めっき層２１２における最表層がＡｕ層により構成されているのが好ましい。これにより、実装基板２では、めっき層２１２の最表層がＡｇ層により構成される場合や、めっき層２１２を備えていない場合に比べて、耐酸化性、耐腐食性、耐硫化性などを向上させることが可能となる。
プリント配線板２９は、一例として、ＣＥＭ−３（Composite Epoxy Materials-3）の規格を満たすガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂銅張積層板から形成されている。よって、絶縁基板２０は、上述のように、樹脂とガラスとを含んでいる。これにより、絶縁基板２０は、熱伝導率を向上させることが可能となる。絶縁基板２０は、例えば、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのが好ましい。絶縁基板２０は、樹脂系基板（有機系基板）であればよい。樹脂系基板は、樹脂を主成分とし、板状にする際の芯となる基材として、ガラスにより形成された基材を備えている。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを採用することができる。基材としては、例えば、ガラス布、ガラス不織布などを採用することができる。また、複数の接続用導体部２１及び導体部２４それぞれにおける銅はく２１１は、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂銅張積層板の銅はくをパターニングすることで形成されている。
第１白色レジスト層２５は、絶縁基板２０の表面２０１側において、複数の接続用導体部２１それぞれのめっき層２１２が形成されていない領域及び導体部２４を覆っている。
第２白色レジスト層２６は、絶縁基板２０の表面２０１側において、第１白色レジスト層２５を覆っている。
第２白色レジスト層２６は、平面視において、複数の接続用導体部２１の各々におけるめっき層２１２の周部を全周にわたって覆っているのが好ましい。これにより、実装基板２では、めっき層２１２と第１白色レジスト層２５における第１開口部２５１の内周面との間から銅はく２１１が露出するのをより確実に抑制することが可能となり、信頼性のさらなる向上を図ることが可能となる。
実装基板２は、第１白色レジスト層２５が、エポキシ樹脂系の白色レジストにより形成され、第２白色レジスト層２６が、フッ素樹脂系の白色レジストにより形成されているのが好ましい。これにより、実装基板２では、信頼性の向上を図れ、かつ、耐候性を向上させることが可能となる。実装基板２は、第２白色レジスト層２６がエポキシ樹脂系の白色レジストあるいはシリコーン樹脂系の白色レジストにより形成されている場合に比べて、耐候性を向上させることが可能となり、反射率の経時変化を抑制することが可能となる。また、実装基板２では、第２白色レジスト層２６の反射率を第１白色レジスト層２５の反射率よりも高くすることが可能となる。「エポキシ樹脂系」とは、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂を含む。「フッ素樹脂系」とは、フッ素樹脂、変性フッ素樹脂を含む。「シリコーン樹脂系」とは、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂を含む。
第１白色レジスト層２５の材料がエポキシ樹脂系の白色レジストあるいはシリコーン樹脂系の白色レジストの場合、第１白色レジスト層２５は、塗布法及びフォトリソグラフィ技術を利用して形成することができる。したがって、実装基板２では、第１白色レジスト層２５における第１開口部２５１の開口形状の精度を向上させることが可能となる。
第２白色レジスト層２６の材料がフッ樹脂系の白色レジストの場合、第２白色レジスト層２６は、印刷法により形成することができる。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法などを採用することができる。
第１白色レジスト層２５の材料は、エポキシ樹脂系の白色レジストに限らず、シリコーン樹脂系の白色レジストでもよい。エポキシ樹脂系の白色レジスト及びシリコーン樹脂系の白色レジストは、白色顔料として、窒化物あるいは酸化物を含有しているのが好ましい。これにより、実装基板２では、白色顔料が窒化物である場合、白色顔料が酸化物である場合に比べて、第１白色レジスト層２５の熱伝導性を向上させることが可能となる。窒化物は、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどである。酸化物は、例えば、二酸化チタンなどである。
フッ素樹脂系の白色レジストは、白色顔料として、窒化物を含有しているのが好ましい。これにより、実装基板２では、白色顔料が窒化物である場合、白色顔料が酸化物である場合に比べて、第２白色レジスト層２６の熱伝導性を向上させることが可能となる。
実装基板２は、絶縁基板２０の裏面２０２に導体部を備えた構成としてもよい。これにより、実装基板２では、実装基板２の反りを抑制すること可能となる。よって、実装基板２では、絶縁基板２０から複数の接続用導体部２１、導体部２４、第１白色レジスト層２５及び第２白色レジスト層２６へ伝わる応力を低減することが可能となり、信頼性の向上を図ることが可能となる。
ＬＥＤモジュール１は、図３Ａ、３Ｂ、４Ａ及び４Ｂに示すように、実装基板２と、実装基板２に実装されたＬＥＤチップ３と、を備える。ＬＥＤチップ３は、第１電極３１と、第２電極３２と、を備え、ＬＥＤチップ３の厚さ方向の一面側に第１電極３１及び第２電極３２が配置されている。ＬＥＤチップ３は、ＬＥＤチップ３の厚さ方向の他面を実装基板２における第２白色レジスト層２６側として接着層５を介して実装基板２に接着されている。ＬＥＤチップ３は、第１電極３１が実装基板２における複数の接続用導体部２１のうちの１つからなる第１接続用導体部２２に第１ワイヤ４１を介して電気的に接続されている。ＬＥＤチップ３は、第２電極３２が実装基板２における複数の接続用導体部２１のうちの別の１つからなる第２接続用導体部２３に第２ワイヤ４２を介して電気的に接続されている。よって、ＬＥＤモジュール１は、信頼性の向上を図ることが可能となる。
ＬＥＤモジュール１は、さらに、実装基板２の表面側でＬＥＤチップ３と第１ワイヤ４１と第２ワイヤ４２とを覆っている封止部６を備える。封止部６は、ＬＥＤチップ３から放射される光を透過するように構成されている。これにより、ＬＥＤモジュール１は、信頼性の向上を図ることが可能となる。封止部６は、ＬＥＤチップ３と第１ワイヤ４１と第２ワイヤ４２とを封止して保護する機能を有する。封止部６は、電気絶縁性を有する。なお、図１Ｂ及び２Ｂでは、第１ワイヤ４１と第２ワイヤ４２とを模式的に図示してある。
以下では、ＬＥＤモジュール１における実装基板２及びＬＥＤチップ３以外の構成要素について、より詳細に説明する。
接着層５の材料は、透光性材料であるのが好ましい。接着層５の材料である透光性材料は、可視光に対する透過率が高い材料が好ましい。接着層５の材料は、例えば、シリコーン系樹脂である。シリコーン系樹脂としては、例えば、熱硬化型のシリコーン樹脂、２液硬化型のシリコーン樹脂、光硬化型のシリコーン樹脂などを採用することができる。
第１ワイヤ４１及び第２ワイヤ４２の各々は、金ワイヤにより構成されているのが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、例えば、第１ワイヤ４１及び第２ワイヤ４２の各々がアルミニウムワイヤである場合に比べて、信頼性の向上を図ることが可能となる。
封止部６は、透光性材料により形成されている。透光性材料は、例えば、シリコーン樹脂である。透光性樹脂は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、フッ素系樹脂、低融点ガラス、ゾルゲルガラスなどを採用してもよい。透光性材料は、可視光に対する透過率が高い材料が好ましい。
封止部６は、一例として、ＬＥＤチップ３から放射される光によって励起されて発光する蛍光体粒子を含有している。言い換えれば、封止部６は、ＬＥＤチップ３から放射された光の一部を波長変換して異なる波長の光を放射する波長変換材料として、蛍光体粒子を備えている。これにより、ＬＥＤモジュール１では、ＬＥＤチップ３から放射される光（以下、「第１の光」ともいう）と蛍光体粒子から放射される光（以下、「第２の光」ともいう）との混色光を得ることが可能となる。ＬＥＤモジュール１の光源色は、第１の光と第２の光との混色光の色である。蛍光体粒子は、第１の光によって励起されて第１の光よりも長波長域の第２の光を放射する。蛍光体粒子は、一例として、第２の光として黄色の光を放射する黄色蛍光体粒子である。黄色蛍光体粒子は、例えば、５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長域に主発光ピーク波長がある発光スペクトルを有するのが好ましい。黄色蛍光体粒子の組成は、例えば、Ｅｕで付活されたＳｒＳｉ2Ｏ2Ｎ2などである。
ＬＥＤモジュール１を一般照明用の光源として利用する場合、ＬＥＤモジュール１の光源色は、例えば、ＪＩＳ Ｚ９１１２：２０１２で定義されているＬＥＤの光源色の相関色温度に基づいて設定するのが好ましい。ＪＩＳ Ｚ ９１１２：２０１２では、ＬＥＤの光源色が、ＸＹＺ表色系における色度によって、昼光色、昼白色、白色、温白色及び電球色の５種類に区分される。
ＬＥＤモジュール１は、種々の照明装置の光源として用いることが可能である。照明装置としては、例えば、直管形ＬＥＤランプ、電球形ＬＥＤランプ、照明器具、などが挙げられる。なお、直管形ＬＥＤランプについては、例えば、社団法人日本電球工業会で規定されている「Ｌ型ピン口金ＧＸ１６ｔ−５付直管形ＬＥＤランプシステム（一般照明用）」（ＪＥＬ ８０１：２０１０）の規格を満たすのが好ましい。
封止部６は、レンズ状に形成されているのが好ましい。これにより、ＬＥＤモジュール１は、光取り出し効率を向上させることが可能となる。封止部６は、一例として、シリンドリカルレンズ状に形成されている。これにより、ＬＥＤモジュール１では、光取り出し効率の向上を図れ、かつ、色むらを抑制することが可能となる。「色むら」とは、光の照射方向によって色度が変化している状態である。封止部６は、シリンドリカルレンズ状に形成されている場合、平面視形状がライン状である。
ＬＥＤモジュール１の製造にあたっては、まず、プリント配線板２９を準備し、その後、以下の第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を順次行う。
第１工程では、プリント配線板２９の表面に第１白色レジスト層２５を形成する。第１白色レジスト層２５は、塗布法及びフォトリソグラフィ技術を利用して形成する。
第２工程では、第１白色レジスト層２５上に第２白色レジスト層２６を印刷法によって形成する。
第３工程では、ダイボンド装置等により、ダイ（die）であるＬＥＤチップ３を実装基板２の搭載領域に接着層５を介して接着する。
第４工程では、ワイヤボンディング装置などにより、ＬＥＤチップ３の第１電極３１と第１接続用導体部２２とを第１ワイヤ４１を介して電気的に接続し、かつ、ＬＥＤチップ３の第２電極３２と第２接続用導体部２３とを第２ワイヤ４２を介して電気的に接続する。要するに、第４工程では、ワイヤボンディングを行う。
第５工程では、ディスペンサシステム（dispenser system）などを利用して封止部６を形成する。
以上説明したＬＥＤモジュール１の製造方法によれば、ＬＥＤモジュール１の信頼性を向上させることが可能となる。
実施形態に記載した材料、数値等は、好ましい例を示しているだけであり、それに限定する主旨ではない。更に、本願発明は、その技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、構成に適宜変更を加えることが可能である。
例えば、実装基板２の平面視形状は、細長の長方形状に限らず、長方形状、正方形状、円形状などでもよい。
また、ＬＥＤチップ３における基板３０１は、サファイア基板に限らず、例えば、ＧａＮ基板でもよい。また、ＬＥＤチップ３における多層膜３０６は、基板３０１の表面に近い側から順に、ｐ型半導体層３０５、発光層３０４、ｎ型半導体層３０３が積層された構造でもよい。また、多層膜３０６は、多層膜３０６がｎ型半導体層３０３とｐ型半導体層３０５とが積層された構造でもよい。また、ＬＥＤチップ３は、基板３０１の裏面にＤＢＲ３０８を備えていない構成でもよい。
また、ＬＥＤモジュール１は、複数のＬＥＤチップ３の接続形態として、例えば、複数のＬＥＤチップ３が直並列接続された接続形態を採用してもよいし、複数のＬＥＤチップ３が並列接続された接続形態を採用してもよい。
また、ＬＥＤモジュール１は、実装基板２にＬＥＤチップ３が１個だけ実装される構成としてもよい。実装基板２の平面視形状は、ＬＥＤチップ３の数及び配置に応じて適宜変更することができる。封止部６の形状は、ＬＥＤチップ３の数及び配置に応じて適宜変更することができる。
また、蛍光体粒子は、黄色蛍光体粒子に限らず、例えば、黄緑色の光を発光する黄緑色蛍光体粒子、緑色の光を放射する緑色蛍光体粒子、赤色の光を放射する赤色蛍光体粒子などを採用することができる。
黄緑色蛍光体粒子は、例えば、５３０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長域に主発光ピーク波長がある発光スペクトルを有するのが好ましい。黄緑色蛍光体粒子の組成は、例えば、Ｃｅで付活されたＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）である。
緑色蛍光体粒子は、例えば、４９０ｎｍ〜５４０ｎｍの波長域に主発光ピーク波長がある発光スペクトルを有するのが好ましい。緑色蛍光体粒子の組成は、例えば、Ｃｅで付活されたＣａＳｃ2Ｏ4、Ｃｅで付活されたＣａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12、Ｅｕで付活された（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ2Ｏ4、Ｅｕで付活されたＳｒＧａ2Ｓ4などである。
赤色蛍光体粒子は、例えば、６００ｎｍ〜６７０ｎｍの波長域に主発光ピーク波長を有するのが好ましい。赤色蛍光体粒子の組成は、例えば、Ｅｕで付活されたＣａＡｌＳｉＮ3、Ｅｕで付活された（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3などである。要するに、赤色蛍光体粒子としては、例えば、ＣＡＳＮ、ＳＣＡＳＮなどを採用することができる。
また、ＬＥＤモジュール１では、接着層５が、ＬＥＤチップ３から放射される光によって励起されて発光する蛍光体粒子を含有していてもよい。接着層５の蛍光体粒子は、封止部６の蛍光体粒子と同じでもよいし、異なってもよい。
１ ＬＥＤモジュール
２ 実装基板
３ ＬＥＤチップ
５ 接着層
６ 封止部
２０ 絶縁基板
２１ 接続用導体部
２２ 第１接続用導体部
２３ 第２接続用導体部
２５ 第１白色レジスト層
２６ 第２白色レジスト層
３１ 第１電極
３２ 第２電極
４１ 第１ワイヤ
４２ 第２ワイヤ
２０１ 表面
２１１ 銅はく
２１２ めっき層
２５１ 第１開口部
２６１ 第２開口部

Claims (5)

  1. ＬＥＤチップを実装可能な実装基板であって、
    絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に形成された複数の接続用導体部と、前記複数の接続用導体部を覆う第１白色レジスト層であって前記複数の接続用導体部の各々を露出させる複数の第１開口部を有する前記第１白色レジスト層と、前記第１白色レジスト層を覆う第２白色レジスト層であって前記複数の第１開口部内に複数の第２開口部を１つずつ有する前記第２白色レジスト層と、を備え、
    前記第２白色レジスト層は、平面視において、前記複数の接続用導体部の各々における周部を覆っており、
    前記第１白色レジスト層は、エポキシ樹脂系の白色レジストにより形成され、
    前記第２白色レジスト層は、フッ素樹脂系の白色レジストにより形成されている、
    ことを特徴とする実装基板。
  2. 前記第２白色レジスト層は、平面視において、前記複数の接続用導体部の各々における周部を全周にわたって覆っている、
    ことを特徴とする請求項１記載の実装基板。
  3. 請求項１又は２に記載の実装基板と、前記実装基板に実装された前記ＬＥＤチップと、を備え、
    前記ＬＥＤチップは、第１電極と、第２電極と、を備え、
    前記ＬＥＤチップは、接着層を介して前記実装基板に接着され、前記第１電極が前記実装基板における前記複数の接続用導体部のうちの１つからなる第１接続用導体部に第１ワイヤを介して電気的に接続され、前記第２電極が前記実装基板における前記複数の接続用導体部のうちの別の１つからなる第２接続用導体部に第２ワイヤを介して電気的に接続されている、
    ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
  4. 前記実装基板の表面側で前記ＬＥＤチップと前記第１ワイヤと前記第２ワイヤとを覆っている封止部を備え、
    前記封止部は、前記ＬＥＤチップから放射される光を透過するように構成されている、
    ことを特徴とする請求項３記載のＬＥＤモジュール。
  5. 前記封止部は、前記ＬＥＤチップから放射される光によって励起されて発光する蛍光体粒子を含有している、
    ことを特徴とする請求項４記載のＬＥＤモジュール。
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