TWI503852B - Electronic parts and manufacturing methods thereof - Google Patents

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TWI503852B
TWI503852B TW101121038A TW101121038A TWI503852B TW I503852 B TWI503852 B TW I503852B TW 101121038 A TW101121038 A TW 101121038A TW 101121038 A TW101121038 A TW 101121038A TW I503852 B TWI503852 B TW I503852B
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Mitsuru Odahara
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Description

電子零件及其製造方法
本發明係關於一種電子零件及其製造方法，更特定而言，係關於具備絕緣體層積層而構成之積層體之電子零件及其製造方法。
作為習知電子零件，例如已知專利文獻1記載之積層線圈零件。圖15係專利文獻1記載之積層線圈零件100之透視圖。
積層線圈零件100具備陶瓷積層體110、線圈導體120及外部電極130。陶瓷積層體110係複數個陶瓷層積層而構成。線圈導體120係藉由連接內部導體層121與通孔122而構成，為具有與陶瓷積層體110之積層方向平行之線圈軸之螺旋狀線圈。二個外部電極130係分別設在位於與積層方向正交之方向之構裝面，連接於線圈導體120之兩端。以上之積層線圈零件100，電路基板之焊墊與外部電極130係藉由焊料接合構裝在電路基板。
然而，在專利文獻1記載之積層線圈零件100，會有空氣殘留在焊料之虞。更詳細而言，外部電極130僅設在構裝面，呈平面狀。積層線圈零件100對電路基板構裝時，若空氣混入焊料內，則空氣夾入在外部電極130與焊墊間，空氣無法排出至焊料外。如上述，若空氣殘留在焊料內，則會有在焊墊與外部電極130之間產生連接不良之虞。
專利文獻1：日本特開平2005-322743號公報
因此，本發明之目的在於提供一種可抑制空氣殘留在將電路基板之焊墊與外部電極加以連接之焊料內之電子零件及其製造方法。
本發明一形態之電子零件，具備：積層體，長方形之複數個絕緣體層積層而構成，具有該複數個絕緣體層之邊相連接而構成之構裝面；複數個第1引出導體，在該構裝面從該絕緣體層間露出；以及第1外部電極，在該構裝面覆蓋該複數個第1引出導體；在該構裝面設有該第1外部電極之第1形成區域，從構成該構裝面之該絕緣體層之邊延伸之延伸方向俯視時，該第1形成區域之中央彎曲成較該第1形成區域之兩端突出。
本發明一實施形態之電子零件之製造方法，具備：第1步驟，獲得設有該第1引出導體及該元件導體之未燒成之該積層體；以及第2步驟，將該積層體燒成。
根據本發明，可抑制空氣殘留在將電路基板之焊墊與外部電極加以連接之焊料內。
以下，說明本發明實施形態之電子零件及其製造方法。
(電子零件之構成)
以下，參照圖式說明本發明實施形態之電子零件。
圖1係實施形態之電子零件10之俯視圖。圖2係圖1之電子零件10之積層體12之分解圖。圖3(a)係圖1之電子零件10之積層體12之外觀立體圖。圖3(b)係圖1之電子 零件10之外觀立體圖。圖4係圖3(a)之X-X之剖面構造圖。圖4中，省略外部電極14a,14b。以下，將電子零件10之積層方向定義成y軸方向，將從y軸方向俯視時沿著電子零件10之短邊之方向定義成z軸方向，將沿著電子零件10之長邊之方向定義成x軸方向。x軸、y軸及z軸彼此正交。
電子零件10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、外部電極14a,14b、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g、引出導體22,26、線圈L及通孔導體v11~v24。
積層體12呈長方體狀，內設有線圈L。積層體12具有底面S1、上面S2、側面S3,S4及端面S5,S6。底面S1係積層體12之z軸方向之負方向側之面，為電子零件10構裝於電路基板時與該電路基板對向之構裝面。上面S2係積層體12之z軸方向之正方向側之面。側面S3係積層體12之y軸方向之負方向側之面。側面S4係積層體12之y軸方向之正方向側之面。端面S5係積層體12之x軸方向之負方向側之面。端面S6係積層體12之x軸方向之正方向側之面。
積層體12，如圖2所示，係藉由絕緣體層16a~16j從y軸方向之負方向側往正方向側依序排列積層而構成。絕緣體層16a~16j分別呈長方形，例如藉由由Ni-Cu-Zn系肥粒鐵構成之磁性體材料製作。以下，將絕緣體層16a~16j之y軸方向之負方向側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16j之y軸方向之正方向側之面稱為背面。
底面S1係藉由絕緣體層16a~16j之z軸方向之負方向 側之長邊相連而構成。上面S2係藉由絕緣體層16a~16j之z軸方向之正方向側之長邊相連而構成。側面S3係藉由絕緣體層16a之表面構成。側面S4係藉由絕緣體層16j之背面構成。端面S5係藉由絕緣體層16a~16j之x軸方向之負方向側之短邊相連而構成。端面S6係藉由絕緣體層16a~16j之x軸方向之正方向側之短邊相連而構成。
線圈L，如圖2所示，包含線圈導體18a~18d及通孔導體v1~v3。線圈L為線圈導體18a~18d藉由通孔導體v1~v3連接而構成之螺旋線圈。線圈L具有往y軸方向延伸之線圈軸，從y軸方向之負方向側俯視時，呈繞順時針方向旋繞並朝向y軸方向之負方向側行進之螺旋狀。又，線圈L具有端部t1,t2。線圈L之端部t1位於較線圈L之端部t2更靠y軸方向之正方向側。
線圈導體18a~18d，如圖2所示，分別設在絕緣體層16d~16g上。線圈導體18a~18d分別藉由由Ag構成之導電性材料構成，藉由線狀導體折曲而構成橢圓形狀之一部分。此外，線圈導體18a~18d，從y軸方向俯視時，彼此重疊而呈橢圓形。以下，將線圈導體18a~18d之順時針方向之上游側之端部僅稱為上游端，將線圈導體18a~18d之順時針方向之下游側之端部僅稱為下游端。線圈L之端部t1為線圈導體18d之上游端，線圈L之端部t2為線圈導體18a之下游端。
通孔導體v1~v3將線圈導體18a~18d加以連接。更詳細而言，通孔導體v1將線圈導體18a之上游端與線圈導體 18b之下游端加以連接。通孔導體v2將線圈導體18b之上游端與線圈導體18c之下游端加以連接。通孔導體v3將線圈導體18c之上游端與線圈導體18d之下游端加以連接。
引出導體22設在絕緣體層16g之表面，在底面S1從絕緣體層16f,16g間露出。更詳細而言，引出導體22呈往x軸方向延伸之長方形，沿著絕緣體層16g之z軸方向之負方向側之長邊設置。引出導體22設在絕緣體層16g之z軸方向之長邊之x軸方向之正方向側之端部附近，與絕緣體層16g之x軸方向之正方向側之短邊未接觸。藉此，引出導體22在底面S1呈往x軸方向延伸之線狀露出。又，引出導體22連接於線圈導體18d之上游端。
虛擬引出導體20a~20g分別設在絕緣體層16b~16f,16h,16i之表面，在底面S1從絕緣體層16a~16g之間露出。虛擬引出導體20a~20g與引出導體22呈相同形狀，從y軸方向俯視時，在一致之狀態下重疊。藉此，引出導體22及虛擬引出導體20a~20g，如圖3(a)所示，在長方形之形成區域A1內從底面S1露出。
引出導體22及虛擬引出導體20a~20g之厚度，如圖4所示，大於線圈導體18a~18d之厚度。
又，虛擬引出導體20a,20b及虛擬引出導體20f,20g在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更外側(亦即，y軸方向之正方向側及負方向側)。
引出導體26設在絕緣體層16d之表面，在底面S1從絕緣體層16c,16d間露出。更詳細而言，引出導體26呈往 x軸方向延伸之長方形，沿著絕緣體層16d之z軸方向之負方向側之長邊設置。引出導體26設在絕緣體層16d之z軸方向之長邊之x軸方向之負方向側之端部附近，與絕緣體層16d之x軸方向之負方向側之短邊未接觸。藉此，引出導體26在底面S1呈往x軸方向延伸之線狀露出。又，引出導體26連接於線圈導體18a之下游端。
虛擬引出導體24a~24g分別設在絕緣體層16b,16c,16e~16i之表面，在底面S1從絕緣體層16a~16g之間露出。虛擬引出導體24a~24g與引出導體26呈相同形狀，從y軸方向俯視時，在一致之狀態下重疊。藉此，引出導體26及虛擬引出導體24a~24g，如圖3(a)所示，在長方形之形成區域A2內從底面S1露出。
引出導體26及虛擬引出導體24a~24g之厚度，大於線圈導體18a~18d之厚度。
又，虛擬引出導體24a,24b及虛擬引出導體24f,24g在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更外側(亦即，y軸方向之正方向側及負方向側)。
通孔導體v11~v17分別在y軸方向貫通絕緣體層16b~16h，從y軸方向俯視時彼此重疊。通孔導體v11將虛擬引出導體20a與虛擬引出導體20b加以連接。通孔導體v12將虛擬引出導體20b與虛擬引出導體20c加以連接。通孔導體v13將虛擬引出導體20c與虛擬引出導體20d加以連接。通孔導體v14將虛擬引出導體20d與虛擬引出導體20e加以連接。通孔導體v15將虛擬引出導體20e與引出導體 22加以連接。通孔導體v16將引出導體22與虛擬引出導體20f加以連接。通孔導體v17將虛擬引出導體20f與虛擬引出導體20g加以連接。藉此，引出導體22與虛擬引出導體20a~20g被連接。
通孔導體v18~v24分別在y軸方向貫通絕緣體層16b~16h，從y軸方向俯視時彼此重疊。通孔導體v18將虛擬引出導體24a與虛擬引出導體24b加以連接。通孔導體v19將虛擬引出導體24b與引出導體26加以連接。通孔導體v20將引出導體26與虛擬引出導體24c加以連接。通孔導體v21將虛擬引出導體24c與虛擬引出導體24d加以連接。通孔導體v22將虛擬引出導體24d與虛擬引出導體24e加以連接。通孔導體v23將虛擬引出導體24e與虛擬引出導體24f加以連接。通孔導體v24將虛擬引出導體24f與虛擬引出導體24g加以連接。藉此，引出導體26與虛擬引出導體24a~24g被連接。
外部電極14a，如圖3(b)所示，以在底面S1覆蓋虛擬引出導體20a~20g及引出導體22之方式，藉由直接鍍敷形成在積層體12之底面S1之形成區域A1。外部電極14b，如圖3(b)所示，以在底面S1覆蓋虛擬引出導體24a~24g及引出導體26之方式，藉由直接鍍敷形成在積層體12之底面S1之形成區域A2。外部電極14a,14b分別與形成區域A1,A2相同呈長方形，在與底面S1相鄰之側面S3,S4及端面S5,S6未設置。又，外部電極14a較外部電極14b位在x軸方向之正方向側。作為外部電極14a,14b之材料可舉出 例如Cu、Ni、Sn等。
在以上述方式構成之電子零件10，在與包含引出導體22、虛擬引出導體20a~20g及線圈導體18a~18d之x軸方向垂直之圖4所示之剖面具有以下說明之構成。首先，將包含引出導體22及虛擬引出導體20a~20g之區域設為剖面區域E1。將包含線圈導體18a~18d且剖面區域E1以外之其餘區域設為剖面區域E2。剖面區域E1為與y軸平行之線L1與底面S1所夾之區域，該線L1通過線圈導體18a~18d與虛擬引出導體20a~20g及引出導體22之間。剖面區域E2為與y軸平行之線L1與上面S2所夾之區域，該線L1通過線圈導體18a~18d與虛擬引出導體20a~20g及引出導體22之間。
如圖4所示，引出導體22及虛擬引出導體20a~20g佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。
又，雖未圖示，但將包含引出導體26及虛擬引出導體24a~24g之區域設為剖面區域E1。將包含線圈導體18a~18d且剖面區域E1以外之其餘區域設為剖面區域E2。剖面區域E1為線L1與底面S1所夾之區域，該線L1通過較連結虛擬引出導體24a~24g及引出導體26之z軸方向之正方向側之端部所得之線更靠z軸方向之正方向側。剖面區域E2為線L1與上面S2所夾之區域，該線L1通過較連結虛擬引出導體24a~24g及引出導體26之z軸方向之正方向側之端部所得之線更靠z軸方向之正方向側。
引出導體22及虛擬引出導體20a~20g佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。
又，在電子零件10，如圖4所示，形成區域A1,A2，從構成底面S1之絕緣體層16a~16j之長邊延伸之延伸方向(x軸方向)俯視時，形成區域A1,A2之中央彎曲成較形成區域A1,A2之兩端更往z軸方向之負方向側突出。在本實施形態之電子零件10，底面S1，從x軸方向俯視時，中央彎曲成較兩端更往z軸方向之負方向側突出。底面S1之彎曲量D，如圖4所示，為底面S1最突出部分(一般而言，底面S1之y軸方向之中央)與底面S1之y軸方向之兩端在z軸方向之距離。
又，外部電極14a,14b係設在形成區域A1,A2。因此，外部電極14a,14b，從x軸方向俯視時，外部電極14a,14b之中央彎曲成較外部電極14a,14b之兩端更往z軸方向之負方向側突出。
(電子零件之製造方法)
以下，參照圖式說明電子零件10之製造方法。此外，以下，針對同時製作複數個電子零件10時之電子零件10之製造方法進行說明。
首先，準備待作為圖2之絕緣體層16a~16j之陶瓷坯片。具體而言，將以既定比率秤量氧化鐵(Fe2 O3 )、氧化鋅(ZnO)、氧化銅(CuO)及氧化鎳(NiO)後之各材料作為原材料放入球磨機，進行濕式調合。將所得之混合物乾燥後粉碎，將所得之粉末以800℃進行1小時預燒。將所得之預燒粉末 以球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後解碎，獲得平均粒徑為2μm之肥粒鐵陶瓷粉末。
對此肥粒鐵陶瓷粉末添加耦合劑(乙酸乙烯、水溶性丙烯酸等)與可塑劑、濕潤材、分散劑，以球磨機進行混合，之後，藉由減壓進行脫泡。將所得之陶瓷漿料藉由刮刀法在載片上形成為片狀並使其乾燥，製作待作為絕緣體層16a~16j之陶瓷坯片。
接著，如圖2所示，在待作為絕緣體層16a~16h之陶瓷坯片之各個形成通孔導體v1~v24。具體而言，對待作為絕緣體層16a~16h之陶瓷坯片照射雷射束形成通孔。接著，對此通孔藉由印刷塗布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等之導電性糊。
接著，如圖2所示，在待作為絕緣體層16b~16i之陶瓷坯片之z軸方向之負方向側之主面(以下，稱為表面)上形成線圈導體18a~18d、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26。具體而言，在待作為絕緣體層16b~16j之陶瓷坯片之表面上，藉由網版印刷法或光微影法等方法塗布以Ag、Pd、Cu、Au或該等之合金等為主成分之導電性糊，形成線圈導體18a~18d、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26。此外，形成線圈導體18a~18d、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26之步驟與對通孔填充導電性糊之步驟，在相同步驟進行亦可。
接著，如圖2所示，將待作為絕緣體層16a~16j之陶瓷坯片依序排列積層/壓接，獲得未燒成之母積層體。待作為 絕緣體層16a~16j之陶瓷坯片之積層/壓接，在逐片積層進行預壓接獲得母積層體後，藉由靜水壓加壓等加壓未燒成之母積層體以進行正式壓接。
接著，藉由切刀將母積層體裁切成既定尺寸之積層體12。藉此獲得未燒成之積層體12。對此未燒成之積層體12進行脫結合劑處理及燒成。脫結合劑處理例如在低氧環境氣氛中以500℃ 2小時之條件進行。燒成例如以800℃~900℃ 2.5小時之條件進行。
在燒成步驟，在絕緣體層16a~16j、線圈導體18a~18d、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26產生收縮。然而，由陶瓷構成之絕緣體層16a~16j之收縮率較由導體構成之線圈導體18a~18d、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26之收縮率大。因此，相對含有較少導體之剖面區域E2相較於相對含有較多導體之剖面區域E1大幅收縮。因此，如圖4所示，剖面區域E2之y軸方向之寬度較剖面區域E1之y軸方向之寬度小。藉此，剖面區域E2之y軸方向之兩端往z軸方向拉伸。其結果，底面S1彎曲成中央較兩端更往z軸方向之負方向側突出。
接著，對積層體12施加筒式研磨加工，進行去角。接著，藉由施加Ni鍍敷及Sn鍍敷，形成外部電極14a,14b。具體而言，在積層體12之底面S1，虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26露出。因此，藉由鍍敷工法，以虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26為起點使導體膜成長，如圖3(b)所示，形成外部電極14a,14b。藉 由以上步驟，完成圖1所示之電子零件10。
(效果)
根據本實施形態之電子零件10，可抑制空氣殘留在將電路基板之焊墊與外部電極14a,14b加以連接之焊料內。更詳細而言，在專利文獻1記載之積層線圈零件100，外部電極130僅設在構裝面，呈平面狀。在積層線圈零件100對電路基板100構裝時，若空氣混入焊料內，則空氣夾入在外部電極130與焊墊，空氣無法排出至焊料外。如上述，若空氣殘留在焊料內，則會有在焊墊與外部電極130之間產生不良之虞。
因此，在電子零件10，形成區域A1,A2，如圖4所示，從x軸方向俯視時，形成區域A1,A2之中央彎曲成較形成區域A1,A2之兩端更突出。藉此，外部電極14a,14b，從x軸方向俯視時，外部電極14a,14b之中央彎曲成較外部電極14a,14b之兩端更往z軸方向之負方向側突出。因此，外部電極14a,14b透過焊料接合於焊墊時，外部電極14a,14b之y軸方向之兩端與焊墊之間隔較外部電極14a,14b之y軸方向之中央與焊墊之間隔大。因此，空氣即使夾入外部電極14a,14b與焊墊之間，亦容易排出至焊料外。其結果，在電子零件10，可抑制空氣殘留在將電路基板之焊墊與外部電極14a,14b加以連接之焊料內。
又，根據電子零件10，可抑制電子零件10相對電路基板以傾斜狀態構裝。更詳細而言，在電子零件10，形成區域A1,A2，如圖4所示，從x軸方向俯視時，形成區域A1, A2之中央彎曲成較形成區域A1,A2之兩端更突出。藉此，外部電極14a,14b，從x軸方向俯視時，外部電極14a,14b之中央彎曲成較外部電極14a,14b之兩端更往z軸方向之負方向側突出。因此，外部電極14a,14b透過焊料接合於焊墊時，外部電極14a,14b之y軸方向之兩端與焊墊之間隔較外部電極14a,14b之y軸方向之中央與焊墊之間隔大。亦即，在電子零件10之外部電極14a,14b之y軸方向之兩端與焊墊之間之焊料，較具有未彎曲之構裝面之電子零件之外部電極與焊墊之間之焊料多。藉此，在電子零件10，將外部電極14a,14b拉至電路基板之表面張力，較具有未彎曲之構裝面之電子零件之將外部電極14a,14b拉至電路基板之表面張力大。因此，外部電極14a,14b穩定地吸附於焊墊。其結果，可抑制電子零件10相對電路基板以傾斜狀態構裝。
電子零件10，從x軸方向俯視時，為了使底面S1彎曲，具有以下說明之構造。更詳細而言，由陶瓷構成之絕緣體層16a~16j之收縮率較由導體構成之線圈導體18a~18d、虛擬引出導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26之收縮率大。因此，如圖4所示，引出導體22,26及虛擬引出導體20a~20g,24a~24g佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。是以，相對含有較少導體之剖面區域E2相較於相對含有較多導體之剖面區域E1大幅收縮。因此，如圖4所示，剖面區域E2之y軸方向之寬度較剖面區域E1之y軸方向之寬度小。藉此，剖面區域 E2之y軸方向之兩端往Z軸方向拉伸。其結果，底面S1彎曲成中央較兩端更往z軸方向之負方向側突出。
又，在電子零件10，虛擬引出導體20a,20b,24a,24b及虛擬引出導體20f,20g,24f,24g，在y軸方向係設在較線圈L之端部t1,t2更外側(亦即，y軸方向之正方向側及負方向側)。藉此，剖面區域E1之y軸方向之收縮量與剖面區域E2之y軸方向之收縮量之差變更大。其結果，在電子零件10，底面S1之彎曲量D變更大。
再者，剖面區域E1之y軸方向之寬度變大虛擬引出導體20a,20b,24a,24b及虛擬引出導體20f,20g,24f,24g之厚度量。其結果，剖面區域E1之y軸方向之寬度與剖面區域E2之y軸方向之寬度之差變大。藉此，剖面區域E2之y軸方向之兩端較z軸方向更強被拉伸。其結果，在電子零件10，底面S1之彎曲量D變更大。
再者，在電子零件10，虛擬引出導體20c~20e,24c~24e在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更內側。藉此，剖面區域E1之y軸方向之收縮量與剖面區域E2之y軸方向之收縮量之差變更大。其結果，在電子零件10，底面S1之彎曲量D變更大。
又，在電子零件10，引出導體22,26及虛擬引出導體20a~20f,24a~24f之厚度，如圖4所示，較線圈導體18a~18d之厚度大。藉此，能使引出導體22,26及虛擬引出導體20a~20g,24a~24g佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。其結果，在電子零件10， 底面S1之彎曲量D變更大。
本申請發明人為了使可抑制電子零件10相對電路基板以傾斜狀態構裝更為明確，進行以下說明之實驗。圖5係顯示電子零件10構裝於電路基板200之情形之圖。
本申請發明人將具有以下條件之電子零件10逐一製作成第1樣本至第14樣本。表1係顯示第1樣本至第14樣本之彎曲量D之表。彎曲量D之測定，係使用KEYENCE公司製之數位顯微鏡VHX-500以500倍之倍率觀察第1樣本至第14樣本之剖面，使用測距機能進行。
晶片尺寸：0603尺寸(mm)
電極尺寸：0.15mm×0.28mm
本申請發明人，如圖5所示，透過焊料300使外部電極14a,14b接合於焊墊202，藉此將第1樣本至第14樣本構裝於電路基板200。接著，測定電子零件10對電路基板200之傾斜θ。傾斜θ，如圖5所示，為底面S1之法線相對於電路基板200之法線之傾斜。傾斜θ之測定係藉由CNC影像測定系統NEXIV(型式：VMR-3020，廠商：尼康股份有限公司)進行。表2係表示實驗結果之表。
如表2所示，可知隨著彎曲量D變大，傾斜θ變小。因此，可知藉由底面S1彎曲，可抑制電子零件10以傾斜狀態構裝於電路基板200。
又，在電子零件10之構裝後，為了確認電子零件10 是否以正常位置及姿勢構裝，藉由影像處理進行外觀檢查。此時，若傾斜θ為5°以上，則除了電子零件10之上面S2之外，側面S3或側面S4被檢測，判定電子零件10構裝不良。因此，較佳為傾斜θ為5°以下。因此，彎曲量D為0.08μm之第1樣本，傾斜θ為5.9°，相對於此，彎曲量D為0.15μm之第2樣本，傾斜θ為4.9°。因此，彎曲量D較佳為0.15μm以上。
又，從以嘴部吸附電子零件10之觀點觀之，彎曲量D較佳為12.5μm以下。圖6係顯示電子零件10被嘴部600吸附之情形之圖。
電子零件10，如圖6(a)所示，黏貼在載帶台紙500上。在電子零件10之構裝時，藉由嘴部600吸附電子零件10之上面S2，將電子零件10從載帶台紙500移除。
此處，若底面S1之彎曲量D變大，則如圖6(b)所示，會有電子零件10在載帶台紙500上傾斜之虞。因此，不易藉由嘴部600吸附電子零件10之上面S2。根據本申請發明人之實驗，在彎曲量D為12.5μm之第12樣本，雖未產生吸附錯誤，但在彎曲量D為15.15μm之第13樣本，產生吸附錯誤。因此，從吸附錯誤之抑制之觀點來看，較佳為，彎曲量D為12.5μm以下。
(第1變形例)
以下，參照圖式說明第1變形例之電子零件10a。圖7係第1變形例之電子零件10a之剖面構造圖。關於電子零件10a之外觀立體圖則援引圖3。
在電子零件10a，在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更外側之虛擬引出導體20a,20b,20f,20g,24a,24b,24f,24g之厚度T2大於在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更內側之虛擬引出導體20c~20e,24c~24e及引出導體22,26之厚度T1。此外，在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更內側之虛擬引出導體20c~20e,24c~24e及引出導體22,26之厚度與線圈導體18a~18d之厚度T1相等。
根據以上之電子零件10a，虛擬引出導體20a,20b,20f,20g,24a,24b,24f,24g之厚度T2大於線圈導體18a~18d之厚度T1。藉此，能使引出導體22,26及虛擬引出導體20a~20g,24a~24g佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。其結果，在電子零件10a，底面S1之彎曲量D變大。
又，在電子零件10a，虛擬引出導體20c~20e,24c~24e及引出導體22,26之厚度T1與線圈導體18a~18d之厚度T1相等。因此，可藉由網版印刷同時形成待形成在相同絕緣體層16上之虛擬引出導體20c~20e,24c~24e、引出導體22,26及線圈導體18a~18d。其結果，可減少電子零件10a之製程數。
(第2變形例)
以下，參照圖式說明第2變形例之電子零件10b。圖8係第2變形例之電子零件10b之剖面構造圖。關於電子零件10b之外觀立體圖則援引圖3。
在電子零件10b，在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2 更外側之絕緣體層16a~16c,16g~16j之厚度T4小於在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更內側之絕緣體層16d~16f之厚度T3。
根據以上之電子零件10b，絕緣體層16a~16c,16g~16j之厚度T4變薄，因此虛擬引出導體20a,20b,20e,20f,24a,24b,24e,24f佔剖面區域E1之較線圈L之端部t1,t2更外側之部分之面積比變大。因此，剖面區域E1之較線圈L之端部t1,t2更外側之部分更不易收縮。其結果，在電子零件10b，底面S1之彎曲量D變更大。
(第3變形例)
以下，參照圖式說明第3變形例之電子零件10c。圖9係第3變形例之電子零件10c之剖面構造圖。關於電子零件10c之外觀立體圖則援引圖3。
在電子零件10c，在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更外側之虛擬引出導體20a,20b,20f,20g,24a,24b,24f,24g之距離底面S1之高度較在y軸方向設在較線圈L之端部t1,t2更內側之虛擬引出導體20c~20e,24c~24e及引出導體22,26之距離底面S1之高度高。
根據以上之電子零件10c，虛擬引出導體20a,20b,20e,20f,24a,24b,24e,24f佔剖面區域E1之較線圈L之端部t1,t2更外側之部分之面積比變更大。因此，剖面區域E1之較線圈L之端部t1,t2更外側之部分更不易收縮。其結果，在電子零件10c，底面S1之彎曲量D變更大。
(第4變形例)
以下，參照圖式說明第4變形例之電子零件10d。圖10(a)係第4變形例之電子零件10d之積層體12之外觀立體圖。圖10(b)係第4變形例之電子零件10d之外觀立體圖。
在電子零件10d，引出導體22、虛擬引出導體20a~20g在端面S6露出。藉此，外部電極14a跨越底面S1與端面S6形成，呈L字型。
又，引出導體26、虛擬引出導體24a~24g在端面S5露出。藉此，外部電極14b跨越底面S1與端面S5形成，呈L字型。
在以上之電子零件10d，焊料附著在設在外部電極14a之側面S6之部分及設在外部電極14b之側面S5之部分。藉此，焊料將電子零件10d拉至電路基板之表面張力較焊料將電子零件10拉至電路基板之表面張力大。其結果，在電子零件10d，更強固地構裝在電路基板。
此外，外部電極14a,14b形成在側面S3,S4亦可。
(第5變形例)
以下，參照圖式說明第5變形例之電子零件10e。圖11係第5變形例之電子零件10e之俯視圖。圖12係第5變形例之電子零件10e之積層體12之分解圖。圖13(a)係第5變形例之電子零件10e之積層體12之外觀立體圖。圖13(b)係第5變形例之電子零件10e之外觀立體圖。圖14係圖13(a)之X-X之剖面構造圖。圖14中，省略外部電極14a,14b。以下，將電子零件10e之積層方向定義成x軸方向，將從x軸方向俯視時之上下方向定義成z軸方向，將從x軸方向俯 視時之左右方向定義成y軸方向。x軸、y軸及z軸彼此正交。
電子零件10e，如圖11及圖12所示，具備積層體12、外部電極14a,14b、虛擬引出導體20a,20b,24a,24b、引出導體22,26、線圈L及通孔導體v4~v9。
積層體12呈長方體狀，內設有線圈L。積層體12具有底面S1、上面S2、側面S3,S4及端面S5,S6。底面S1係積層體12之y軸方向之負方向側之面，為電子零件10構裝於電路基板時與該電路基板對向之構裝面。上面S2係積層體12之z軸方向之正方向側之面。側面S3係積層體12之x軸方向之負方向側之面。側面S4係積層體12之x軸方向之正方向側之面。端面S5係積層體12之y軸方向之負方向側之面。端面S6係積層體12之y軸方向之正方向側之面。
積層體12，如圖12所示，係藉由絕緣體層16a~16l從x軸方向之正方向側往負方向側依序排列積層而構成。絕緣體層16a~16l分別呈正方形，例如藉由由Ni-Cu-Zn系肥粒鐵構成之磁性體材料製作。以下，將絕緣體層16a~16l之x軸方向之正方向側之面稱為表面，將絕緣體層16a~16l之x軸方向之正方向側之面稱為背面。
底面S1係藉由絕緣體層16a~16l之z軸方向之負方向側之邊相連而構成。上面S2係藉由絕緣體層16a~16l之z軸方向之正方向側之邊相連而構成。側面S3係藉由絕緣體層16l之背面構成。側面S4係藉由絕緣體層16a之表面構 成。端面S5係藉由絕緣體層16a~16l之y軸方向之負方向側之邊相連而構成。端面S6係藉由絕緣體層16a~16l之y軸方向之正方向側之邊相連而構成。
線圈L，如圖12所示，包含線圈導體18a~18d及通孔導體v1~v3。線圈L為線圈導體18a~18d藉由通孔導體v1~v3連接而構成之螺旋線圈。線圈L具有往x軸方向延伸之線圈軸，從x軸方向之正方向側俯視時，呈繞逆時針方向旋繞並朝向x軸方向之負方向側行進之螺旋狀。又，線圈L具有端部t1,t2。線圈L之端部t1位於較線圈L之端部t2更靠x軸方向之正方向側。
線圈導體18a~18d，如圖12所示，分別設在絕緣體層16e~16h上。線圈導體18a~18d分別藉由由Ag構成之導電性材料構成，藉由線狀導體折曲而構成字型。此外，線圈導體18a~18d，從x軸方向俯視時，彼此重疊而呈正方形。以下，將線圈導體18a~18d之逆時針方向之上游側之端部僅稱為上游端，將線圈導體18a~18d之逆時針方向之下游側之端部僅稱為下游端。線圈L之端部t1為線圈導體18a之上游端，線圈L之端部t2為線圈導體18d之下游端。
通孔導體v1~v3將線圈導體18a~18d加以連接。更詳細而言，通孔導體v1將線圈導體18a之下游端與線圈導體18b之上游端加以連接。通孔導體v2將線圈導體18b之下游端與線圈導體18c之上游端加以連接。通孔導體v3將線圈導體18c之下游端與線圈導體18d之上游端加以連接。
引出導體22設在絕緣體層16d之表面，在底面S1及 端面S5,S6從絕緣體層16c,16d間露出。更詳細而言，引出導體22呈往y軸方向延伸之長方形，沿著絕緣體層16d之Z軸方向之負方向側之邊設置，與絕緣體層16d之y軸方向之兩側之邊相接。藉此，引出導體22在底面S1呈往y軸方向延伸之線狀露出，且在端面S5,S6呈往z軸方向延伸之線狀露出。
虛擬引出導體20a,20b分別設在絕緣體層16b,16c之表面，在底面S1從絕緣體層16a~16c之間露出。虛擬引出導體20a,20b與引出導體22呈相同形狀，從y軸方向俯視時，在一致之狀態下重疊。藉此，引出導體22及虛擬引出導體20a,20b，如圖13(a)所示，在長方形之形成區域A1內從底面S1露出。
引出導體26設在絕緣體層16i之表面，在底面S1及端面S5,S6從絕緣體層16h,16i間露出。更詳細而言，引出導體26呈往y軸方向延伸之長方形，沿著絕緣體層16i之z軸方向之負方向側之邊設置，與絕緣體層16i之y軸方向之兩側之邊相接。藉此，引出導體26在底面S1呈往y軸方向延伸之線狀露出，且在端面S5,S6呈往z軸方向延伸之線狀露出。
虛擬引出導體24a,24b分別設在絕緣體層16j,16k之表面，在底面S1從絕緣體層16i~16k之間露出。虛擬引出導體24a,24b與引出導體26呈相同形狀，從y軸方向俯視時，在一致之狀態下重疊。藉此，引出導體26及虛擬引出導體24a,24b，如圖13(a)所示，在長方形之形成區域A2 內從底面S1露出。
通孔導體v4~v6分別在x軸方向貫通絕緣體層16b~16d，從x軸方向俯視時彼此重疊。通孔導體v4將虛擬引出導體20a與虛擬引出導體20b加以連接。通孔導體v5將虛擬引出導體20b與引出導體22加以連接。通孔導體v6將引出導體22與線圈導體18a之上游端加以連接。
通孔導體v7~v9分別在x軸方向貫通絕緣體層16h~16j，從x軸方向俯視時彼此重疊。通孔導體v7將線圈導體18d之下游端與引出導體26加以連接。通孔導體v8將引出導體26與虛擬引出導體24a加以連接。通孔導體v9將虛擬引出導體24a與虛擬引出導體24b加以連接。
外部電極14a，如圖13(b)所示，以在底面S1及端面S5,S6覆蓋虛擬引出導體20a,20b及引出導體22之方式，藉由直接鍍敷形成。藉此，外部電極14a形成在積層體12之底面S1之形成區域A1。外部電極14b，如圖13(b)所示，以在底面S1及端面S5,S6覆蓋虛擬引出導體24a,24b及引出導體26之方式，藉由直接鍍敷形成。藉此，外部電極14b形成在積層體12之底面S1之形成區域A2。又，外部電極14a較外部電極14b位在x軸方向之正方向側。作為外部電極14a,14b之材料可舉出例如Cu、Ni、Sn等。
在以上述方式構成之電子零件10e，在與包含引出導體22、虛擬引出導體20a,20b及線圈導體18a~18d之y軸方向垂直之圖14所示之剖面具有以下說明之構成。首先，將包含引出導體22及虛擬引出導體20a,20b之區域設為剖面 區域E1。將包含線圈導體18a~18d且剖面區域E1以外之其餘區域設為剖面區域E2。剖面區域E1為與x軸平行之線L2與底面S1所夾之區域，該線L2通過線圈導體18a~18d與虛擬引出導體20a,20b之間。剖面區域E2為與x軸平行之線L2與上面S2所夾之區域，該線L2通過線圈導體18a~18d與虛擬引出導體20a,20b之間。
如圖14所示，引出導體22及虛擬引出導體20a,20b佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。
又，在與包含引出導體26、虛擬引出導體24a,24b及線圈導體18a~18d之y軸方向垂直之剖面具有以下說明之構成。首先，將包含引出導體26及虛擬引出導體24a,24b之區域設為剖面區域E1。將包含線圈導體18a~18d且剖面區域E1以外之其餘區域設為剖面區域E2。剖面區域E1為與x軸平行之線L2與底面S1所夾之區域，該線L2通過線圈導體18a~18d與虛擬引出導體24a,24b之間。剖面區域E2為與x軸平行之線L2與上面S2所夾之區域，該線L2通過線圈導體18a~18d與虛擬引出導體24a,24b之間。
引出導體26及虛擬引出導體24a,24b佔剖面區域E1之面積比大於線圈導體18a~18d佔剖面區域E2之面積比。
又，在電子零件10e，如圖14所示，形成區域A1,A2，從構成底面S1之絕緣體層16a~16l之邊延伸之延伸方向(y軸方向)俯視時，形成區域A1,A2之中央彎曲成較形成區域A1,A2之兩端更往z軸方向之負方向側突出。
又，外部電極14a,14b係設在形成區域A1,A2。因此，外部電極14a,14b，從y軸方向俯視時，外部電極14a,14b之中央彎曲成較外部電極14a,14b之兩端更往z軸方向之負方向側突出。
根據以上述方式構成之電子零件10e，與電子零件10同樣地，可抑制空氣殘留在將電路基板之焊墊與外部電極14a,14b加以連接之焊料內。
又，電子零件10e，焊料附著在設在外部電極14a之端面S5,S6之部分及設在外部電極14b之端面S5,S6之部分。藉此，焊料將電子零件10e拉至電路基板之表面張力較焊料將電子零件10拉至電路基板之表面張力大。其結果，在電子零件10e，更強固地構裝在電路基板。
又，在電子零件10e，外部電極14a,14b未設在側面S3,S4。因此，可抑制因線圈L產生之磁通通過產生之渦電流損耗，可抑制線圈L之Q值降低。
再者，線圈L之線圈軸與側面S3,S4正交且外部電極14a,14b未設在側面S3,S4。因此，線圈L與外部電極14a,14b之間之浮游電容變小。其結果，線圈L之高頻特性提升。
(其他實施形態)
本發明之電子零件並不限於電子零件10a~10e，在其要旨範圍內可進行變更。
此外，虛擬引出導體20,24彼此不藉由通孔導體連接亦可。
此外，在電子零件10，線圈導體18a~18d、虛擬引出 導體20a~20g,24a~24g及引出導體22,26皆具有相等厚度亦可。
此外，電子零件10,10a~10e具備之電路元件並不限於線圈L。因此，電路元件為電容器等亦可。
此外，組合電子零件10,10a~10e之構成亦可。
本申請係根據2011年6月15日申請之日本申請2011-133196號主張優先權，參照其整體揭示內容並記載於本說明書。
本發明在電子零件及其製造方法有用，尤其是在可抑制空氣殘留在將電路基板之焊墊與外部電極加以連接之焊料內之點優異。
A1,A2‧‧‧形成區域
L‧‧‧線圈
S1‧‧‧底面
S2‧‧‧上面
S3,S4‧‧‧側面
S5,S6‧‧‧端面
t1,t2‧‧‧端部
10,10a~10e‧‧‧電子零件
12‧‧‧積層體
14a,14b‧‧‧外部電極
16a~16l‧‧‧絕緣體層
18a~18d‧‧‧線圈導體
20a~20g,24a~24g‧‧‧虛擬引出導體
22,26‧‧‧引出導體
E1,E2‧‧‧剖面區域
圖1(a)~(c)係實施形態之電子零件之俯視圖。
圖2係圖1之電子零件之積層體之分解圖。
圖3(a)係圖1之電子零件之積層體之外觀立體圖。圖3(b)係圖1之電子零件之外觀立體圖。
圖4係圖3(a)之X-X之剖面構造圖。
圖5係顯示電子零件構裝於電路基板之情形之圖。
圖6(a)、(b)係顯示電子零件被嘴部吸附之情形之圖。
圖7係第1變形例之電子零件之剖面構造圖。
圖8係第2變形例之電子零件之剖面構造圖。
圖9係第3變形例之電子零件之剖面構造圖。
圖10(a)係第4變形例之電子零件之積層體之外觀立體圖。圖10(b)係第4變形例之電子零件之外觀立體圖。
圖11(a)~(c)係第5變形例之電子零件之俯視圖。
圖12係第5變形例之電子零件之積層體之分解圖。
圖13(a)係第5變形例之電子零件之積層體之外觀立體圖。圖13(b)係第5變形例之電子零件之外觀立體圖。
圖14係圖13(a)之X-X之剖面構造圖。
圖15係專利文獻1記載之積層線圈零件之透視圖。
A1‧‧‧形成區域
D‧‧‧彎曲量
L‧‧‧線圈
L1‧‧‧線
S1‧‧‧底面
S2‧‧‧上面
S3,S4‧‧‧側面
10‧‧‧電子零件
12‧‧‧積層體
18b~18d‧‧‧線圈導體
20a~20g‧‧‧虛擬引出導體
22‧‧‧引出導體
E1,E2‧‧‧剖面區域

Claims (12)

  1. 一種電子零件，具備：積層體，由長方形之複數個絕緣體層積層而構成，具有該複數個絕緣體層之邊相連接而構成之構裝面；複數個第1引出導體，在該構裝面從該絕緣體層間露出；第1外部電極，在該構裝面覆蓋該複數個第1引出導體；以及電路元件，藉由複數個元件導體所構成；在該構裝面設有該第1外部電極之第1形成區域，從構成該構裝面之該絕緣體層之邊延伸之延伸方向俯視時，係彎曲成該第1形成區域之中央較該第1形成區域之兩端突出；在與包含該第1引出導體及該元件導體之該延伸方向垂直之剖面，通過該複數個元件導體與該第1引出導體之間之於被積層方向平行之直線與前述構裝面夾持之區域，將不包含該複數個元件導體且包含該第1引出導體及該構裝面之區域設為第1剖面區域，且將不包含該第1引出導體且包含該複數個元件導體且該第1剖面區域以外之其餘區域設為第2剖面區域時，該第1引出導體佔該第1剖面區域之面積比大於該元件導體佔該第2剖面區域之面積比。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，一部分該第1引出導體在積層方向係設在該電路元件之兩端外側。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，在積層方 向設在該電路元件之兩端外側之該第1引出導體之厚度，大於在積層方向設在該電路元件之兩端內側之該第1引出導體之厚度。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該第1引出導體之厚度大於該元件導體之厚度。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，在積層方向設在該電路元件之兩端外側之該絕緣體層之厚度，小於在積層方向設在該電路元件之兩端內側之該絕緣體層之厚度。
  6. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其中，在積層方向設在該電路元件之兩端外側之該第1引出導體距離該構裝面之高度，較在積層方向設在該電路元件之兩端內側之該第1引出導體距離該構裝面之高度高。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其具備：在該構裝面從該絕緣體層間露出的複數個第2引出導體；以及在該構裝面覆蓋該複數個第2引出導體的第2外部電極；該第1外部電極與該第2外部電極排列在該延伸方向；在該構裝面設有該第2外部電極之第2形成區域，從該延伸方向俯視時，彎曲成該第2形成區域之中央較該第2形成區域之兩端突出。
  8. 如申請專利範圍第7項之電子零件，其中，從該延伸 方向俯視時，該構裝面最突出部分與該構裝面兩端在該構裝面之法線方向之距離為0.15μm以上12.5μm以下。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該第1外部電極係以鍍敷形成。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該積層體經燒成。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件，其中，該構裝面係於構裝時與電路基板對向之面。
  12. 一種電子零件之製造方法，係製造申請專利範圍第1項之電子零件，其特徵在於，具備：獲得設有該第1引出導體及該元件導體之未燒成之該積層體的第1步驟；以及將該積層體燒成的第2步驟。
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