JP2010206089A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】浮遊容量を低減しつつ、積層体の強度及びインダクタンス値を向上させることができる電子部品を提供する。
【解決手段】積層体12は、相対的に小さな空孔率を有する第1の磁性材料及び相対的に大きな第2の空孔率を有する第2の磁性材料からなる。コイルLは、積層体12に内蔵され、かつ、複数のコイル導体18が接続されることにより構成されている。z軸方向から平面視したときに、コイルLと積層体12の側面とに挟まれている領域R6は、第1の磁性材料により形成され、z軸方向においてコイル導体18に挟まれている領域R1,R2は、第2の磁性材料により形成されている。
【選択図】図2
【解決手段】積層体12は、相対的に小さな空孔率を有する第1の磁性材料及び相対的に大きな第2の空孔率を有する第2の磁性材料からなる。コイルLは、積層体12に内蔵され、かつ、複数のコイル導体18が接続されることにより構成されている。z軸方向から平面視したときに、コイルLと積層体12の側面とに挟まれている領域R6は、第1の磁性材料により形成され、z軸方向においてコイル導体18に挟まれている領域R1,R2は、第2の磁性材料により形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイルを含む電子部品に関する。
従来の電子部品として、例えば、特許文献1に記載の積層セラミック電子部品が知られている。図12は、特許文献1に記載のセラミック電子部品100の断面構造図である。
図12に示すセラミック電子部品100は、積層体112、外部電極114a,114b及びコイルLを備えている。積層体112は、直方体状をなしており、内層部112a及び外層部112b,112cからなっている。内層部112aは、30%〜80%の空孔率を有する磁性体層が積層されてなり、内部にコイルLを内蔵している。外層部112b,112cはそれぞれ、内層部112aの積層方向の両端に設けられ、10%以下の空孔率を有する磁性体層が積層されてなる。
外部電極114aは、積層方向の下側に位置する積層体112の下面を覆うように設けられている。外部電極114bは、積層方向の上側に位置する積層体112の上面を覆うように設けられている。コイルLは、積層方向と平行なコイル軸を有し、外部電極114a,114b間に接続されている。
以上のような構成を有するセラミック電子部品100では、30%〜80%という空孔率が比較的に大きな磁性体層により内層部112aが作製されているので、内層部112aにおける誘電率が比較的に小さくなる。その結果、セラミック電子部品100での浮遊容量が低減される。更に、セラミック電子部品100では、10%以下という空孔率が比較的に小さな磁性体層により外層部112b,112cが作製されているので、磁束が外層部112b,112c内を通過し易くなる。その結果、磁束が漏れ出すことが抑制され、セラミック電子部品100のインダクタンス値が向上する。
しかしながら、セラミック電子部品100では、積層体112の大部分を占める内層部112aが比較的に大きな空孔率を有する磁性体層により作製されている。磁性体層の空孔率が大きいと、積層体112の強度が下がるので、積層体112において十分な強度を確保することが困難となる。更に、セラミック電子部品100では、コイルLは、内層部112aに内蔵されている。したがって、コイルLが発生した磁束の大半は、内層部112aを通過する。そのため、セラミック電子部品100では、依然として、十分なインダクタンス値を確保することが困難である。
そこで、本発明の目的は、浮遊容量を低減しつつ、積層体の強度及びインダクタンス値を向上させることができる電子部品を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、第1の空孔率を有する第1の磁性材料及び該第1の空孔率よりも大きい第2の空孔率を有する第2の磁性材料からなる本体と、前記本体に内蔵され、かつ、複数のコイル導体が接続されることにより構成されている螺旋状のコイルと、を備え、前記コイルのコイル軸が延在している方向から平面視したときに、該コイルと前記本体の表面とに挟まれている第1の領域は、前記第1の磁性材料により形成され、前記コイル軸が延在している方向において前記コイル導体に挟まれている第2の領域は、前記第2の磁性材料により形成されていること、を特徴とする。
本発明によれば、浮遊容量を低減しつつ、積層体の強度及びインダクタンス値を向上させることができる。
以下に本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
(電子部品の構成)
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る電子部品10の外観斜視図である。図2ないし図4は、電子部品10の断面構造図である。より詳細には、図2(a)、図2(b)及び図3はそれぞれ、図4のI−I、J−J及びK−Kにおける電子部品10の断面構造図である。図4(a)は、図2(b)のA−A、C−C、E−E及びG−Gにおける電子部品10の断面構造図である。図4(b)は、図2(b)のB−B、D−D、F−F及びH−Hにおける電子部品10の断面構造図である。図1ないし図4において、z軸方向は、積層方向を示す。また、x軸方向及びy軸方向は、電子部品10の辺に沿った方向である。x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交している。また、x軸方向、y軸方向及びz軸方向の正方向及び負方向は、積層体12の中心を基準とする。
(電子部品の構成)
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る電子部品10の外観斜視図である。図2ないし図4は、電子部品10の断面構造図である。より詳細には、図2(a)、図2(b)及び図3はそれぞれ、図4のI−I、J−J及びK−Kにおける電子部品10の断面構造図である。図4(a)は、図2(b)のA−A、C−C、E−E及びG−Gにおける電子部品10の断面構造図である。図4(b)は、図2(b)のB−B、D−D、F−F及びH−Hにおける電子部品10の断面構造図である。図1ないし図4において、z軸方向は、積層方向を示す。また、x軸方向及びy軸方向は、電子部品10の辺に沿った方向である。x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交している。また、x軸方向、y軸方向及びz軸方向の正方向及び負方向は、積層体12の中心を基準とする。
電子部品10は、図1に示すように、積層体12、外部電極14a,14b及びコイルLを備えている。積層体12は、磁性材料(例えば、Ni−Cu−Zn系フェライト)からなる磁性体層が積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体12は、コイルLを内蔵している。
外部電極14aは、図1ないし図3に示すように、積層体12のz軸方向の負方向側の面に設けられている。外部電極14bは、図1ないし図3に示すように、積層体12のz軸方向の正方向側の面に設けられている。
コイルLは、図2及び図3に示すように、コイル導体18(18a〜18h)及びビアホール導体b(b1〜b15)により構成されており、図2及び図4に示すように、積層体12の中心を通過しかつz軸方向に平行であるコイル軸AXを有している。コイル導体18は、図4(a)及び図4(b)に示すように、コイル軸AXの周囲を1/2のターン数で旋廻しており、2種類の形状を有している。より具体的には、コイル導体18a,18c,18e,18gは、図4(a)に示すように、x軸方向の負方向側の辺に沿ってy軸方向に延在している線状導体と、y軸方向の正方向側の辺に沿ってx軸方向に延在している線状導体とにより構成されている。また、コイル導体18b,18d,18f,18hは、図4(b)に示すように、x軸方向の正方向側の辺に沿ってy軸方向に延在している線状導体と、y軸方向の負方向側の辺に沿ってx軸方向に延在している線状導体とにより構成されている。また、コイル導体18a,18c,18e,18gとコイル導体18b,18d,18f,18hとは、両端部においてz軸方向から平面視したときに重なっている。
上記のように構成されたコイル導体18a〜18hは、図2及び図3に示すように、z軸方向の正方向側に向かってこの順に並んでいる。そして、コイル導体18a〜18gは、z軸方向に隣り合っているもの同士で、ビアホール導体b5〜b11により、両端部の重なった部分において互いに接続されている。具体的には、ビアホール導体b5は、z軸方向に延在しており、コイル導体18aとコイル導体18bとを接続している。ビアホール導体b6は、z軸方向に延在しており、コイル導体18bとコイル導体18cとを接続している。ビアホール導体b7は、z軸方向に延在しており、コイル導体18cとコイル導体18dとを接続している。ビアホール導体b8は、z軸方向に延在しており、コイル導体18dとコイル導体18eとを接続している。ビアホール導体b9は、z軸方向に延在しており、コイル導体18eとコイル導体18fとを接続している。ビアホール導体b10は、z軸方向に延在しており、コイル導体18fとコイル導体18gとを接続している。ビアホール導体b11は、z軸方向に延在しており、コイル導体18gとコイル導体18hとを接続している。
ビアホール導体b1〜b4は、z軸方向に直線に並ぶように互いに接続されており、外部電極14aとコイル導体18aとを接続している。ビアホール導体b12〜b15は、z軸方向に直線に並ぶように互いに接続されており、外部電極14bとコイル導体18hとを接続している。これにより、外部電極14a,14b間に螺旋状のコイルLが接続されている。
ところで、電子部品10は、浮遊容量を低減しつつ、積層体12の強度及びインダクタンス値を向上させるための構造を有している。そこで、以下に、かかる構造について、図2ないし図4を参照しながら詳細に説明する。
図2ないし図4に示すように、積層体12は、低空孔率部12a及び高空孔率部12bを有している。低空孔率部12aは、比較的に小さい空孔率(本実施形態では、10%以下)を有する磁性体材料により構成された領域である。高空孔率部12bは、低空孔率部12aよりも大きい空孔率(本実施形態では、30%以上80%以下)を有する磁性体材料により構成された領域である。ここで、空孔率とは、以下の式(1)に定義される。
空孔率=(空孔を有しない磁性体材料の密度−空孔を有する磁性体材料の密度)/空孔を有しない磁性体材料の密度×100 ・・・(1)
高空孔率部12bは、コイルLの内部に設けられている。より詳細には、コイルLは、前記の通り螺旋状をなしている。よって、積層体12内には、図2(b)に示すように、コイル導体18a〜18h及びビアホール導体b5〜b11により囲まれる直方体状の領域R3が形成される。高空孔率部12bは、該領域R3を含んでいる。
更に、コイル導体18a〜18hは、1つおきに同じ形状を有するもの同士でz軸方向において互いに重なり合っている。例えば、図2(a)及び図2(b)では、コイル導体18aとコイル導体18cとがz軸方向において互いに重なり合っている。これにより、図2(a)及び図2(b)に示すように、コイル導体18aとコイル導体18cとに挟まれた領域R1が形成される。そして、高空孔率部12bは、該領域R1を含んでいる。同様に、コイル導体18bとコイル導体18dとがz軸方向において互いに重なり合っている。これにより、図2(b)及び図3に示すように、コイル導体18bとコイル導体18dとに挟まれた領域R2が形成される。そして、高空孔率部12bは、該領域R2を含んでいる。なお、領域R1,R2以外にも、コイル導体18同士がz軸方向において互いに重なり合うことによって形成される領域が存在する。高空孔率部12bは、これらの領域も含んでいるが、詳細については領域R1,R2と同様であるのでこれ以上の説明を省略する。
また、図2及び図3(特に、図2(a)及び図3)に示すように、高空孔率部12bは、領域R4,R5も含んでいる。領域R4は、z軸方向の最も負方向側に位置しているコイル導体18aのz軸方向の負方向側に隣接する領域である。領域R5は、z軸方向の最も正方向側に位置しているコイル導体18hのz軸方向の正方向側に隣接する領域である。なお、領域R4,R5は、z軸方向から平面視したときに、コイルLと重なっている。
低空孔率部12aは、積層体12において高空孔率部12bを除く領域を含んでいる。具体的には、低空孔率部12aは、図2ないし図4に示すようにz軸方向から平面視したときに、コイル導体18(コイルL)と積層体12の表面(すなわち、x軸方向及びy軸方向の両端に位置する側面)とに挟まれている領域R6を含んでいる。このとき、図2ないし図4に示すように、コイル導体18は、その外周部分(すなわち、コイル導体18の外側の側面)において低空孔率部12aに接触している。したがって、低空孔率部12aと高空孔率部12bとの境界線は、図2ないし図4に示すように、コイルLの外周部分と一致している。
更に、低空孔率部12aは、領域R4と外部電極14aとの間の領域及び領域R5と外部電極14bとの間の領域も含んでいる。これにより、低空孔率部12aは、高空孔率部12bの周囲を取り囲んでいる。
(電子部品の製造方法)
次に、電子部品10の製造方法について図面を参照しながら説明する。図5ないし図9は、電子部品10の工程断面図及び製造工程における電子部品10をz軸方向から平面視した図である。なお、図5ないし図9では、一つの電子部品10が作製される工程が図示されているが、実際には、複数個の電子部品10が同時に作製される。
次に、電子部品10の製造方法について図面を参照しながら説明する。図5ないし図9は、電子部品10の工程断面図及び製造工程における電子部品10をz軸方向から平面視した図である。なお、図5ないし図9では、一つの電子部品10が作製される工程が図示されているが、実際には、複数個の電子部品10が同時に作製される。
まず、相対的に小さい空孔率を有する磁性体材料のスラリー(以下、第1のスラリーと称す)を作成する。具体的には、酸化第二鉄(Fe2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)及び酸化銅(CuO)を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を800℃で1時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤(酢酸ビニル、水溶性アクリル等)と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、第1のスラリーが得られる。
次に、相対的に高い空孔率を有する磁性体材料のペースト(以下、第2のペーストと称す)を作成する。具体的には、酸化第二鉄(Fe2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)及び酸化銅(CuO)を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を800℃で1時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤(酢酸ビニル、水溶性アクリル等)と可塑剤、湿潤材、分散剤及び消失物質を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、第2のスラリーが得られる。なお、消失物質とは、積層体12の焼成時の加熱により消失する物質であり、例えば、ポリメタクリル酸メチルである。
次に、積層体12を作製する。第1のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図5(a)に示すセラミックグリーン層20aを形成する。この際、セラミックグリーン層20aには、ビアホール導体b1を形成するためのビアホールを設ける。次に、図5(b)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層20aのビアホールに対して、スクリーン印刷法により、Ag,Pd,Cu,Auやこれらの合金などの導電性ペーストを充填して、ビアホール導体b1を形成する。図5(a)及び図5(b)に示す工程を、更に2回ずつ繰り返すことにより、図5(c)に示すように、セラミックグリーン層20b,20c及びビアホール導体b2,b3を形成する。
次に、セラミックグリーン層20c上に第1のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図5(d)に示すセラミックグリーン層20dを形成する。この際、セラミックグリーン層20dを「ロ」字型に形成する。
次に、セラミックグリーン層20c上であって、セラミックグリーン層20dにより囲まれた領域内に、第2のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図5(e)に示すセラミックグリーン層22aを形成する。この際、セラミックグリーン層22aには、ビアホール導体b4を形成するためのビアホールを設ける。次に、図5(f)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22aのビアホールに対して、導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、ビアホール導体b4を形成する。
次に、セラミックグリーン層20d上に第1のスラリーをスクリーン印刷により塗布することにより、図6(a)に示すセラミックグリーン層20eを形成する。この際、セラミックグリーン層20dと同様に、セラミックグリーン層20eを「ロ」字型に形成する。
次に、図6(b)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22a上に導電性ペーストを塗布して、コイル導体18aを形成する。
次に、コイル導体18a及びセラミックグリーン層22a上であって、セラミックグリーン層20eにより囲まれた領域内に、第2のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図6(c)に示すセラミックグリーン層22bを形成する。この際、セラミックグリーン層22bには、ビアホール導体b5を形成するためのビアホールを設ける。
次に、図6(d)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22bのビアホールに対して、導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、ビアホール導体b5を形成する。同時に、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22b上に導電性ペーストを塗布して、コイル導体18bを形成する。
次に、セラミックグリーン層20e上に第1のスラリーをスクリーン印刷により塗布することにより、図6(e)に示すセラミックグリーン層20fを形成する。この際、セラミックグリーン層20d,20eと同様に、セラミックグリーン層20fを「ロ」字型に形成する。
次に、コイル導体18b及びセラミックグリーン層22b上であって、セラミックグリーン層20fにより囲まれた領域内に、第2のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図6(f)に示すセラミックグリーン層22cを形成する。この際、セラミックグリーン層22cには、ビアホール導体b6を形成するためのビアホールを設ける。
次に、図7(a)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22cのビアホールに対して、導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、ビアホール導体b6を形成する。同時に、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22c上に導電性ペーストを塗布して、コイル導体18cを形成する。この後、図6(d)、図6(e)、図6(f)及び図7(a)に示す工程を、更に2回ずつ繰り返すことにより、図7(b)に示すように、コイル導体18d〜18g、セラミックグリーン層20g〜20j,22d〜22g及びビアホール導体b7〜b10を形成する。
次に、セラミックグリーン層20j上に第1のスラリーをスクリーン印刷により塗布することにより、図7(c)に示すセラミックグリーン層20kを形成する。この際、セラミックグリーン層20d〜20jと同様に、セラミックグリーン層20kを「ロ」字型に形成する。
次に、コイル導体18g及びセラミックグリーン層22g上であって、セラミックグリーン層20kにより囲まれた領域内に、第2のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図8(a)に示すセラミックグリーン層22hを形成する。この際、セラミックグリーン層22hには、ビアホール導体b11を形成するためのビアホールを設ける。
次に、図8(b)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22hのビアホールに対して、導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、ビアホール導体b11を形成する。同時に、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22h上に導電性ペーストを塗布して、コイル導体18hを形成する。
次に、セラミックグリーン層20k上に第1のスラリーをスクリーン印刷により塗布することにより、図8(c)に示すセラミックグリーン層20lを形成する。この際、セラミックグリーン層20d〜20kと同様に、セラミックグリーン層20lを「ロ」字型に形成する。
次に、コイル導体18h及びセラミックグリーン層22h上であって、セラミックグリーン層20lにより囲まれた領域内に、第2のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図8(d)に示すセラミックグリーン層22iを形成する。この際、セラミックグリーン層22iには、ビアホール導体b12を形成するためのビアホールを設ける。
次に、図9(a)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層22iのビアホールに対して、導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、ビアホール導体b12を形成する。
次に、セラミックグリーン層20l,22i上に、第1のスラリーをスクリーン印刷法により塗布することにより、図9(b)に示すセラミックグリーン層20mを形成する。この際、セラミックグリーン層20mには、ビアホール導体b13を形成するためのビアホールを設ける。
次に、図9(c)に示すように、スクリーン印刷法により、セラミックグリーン層20mのビアホールに対して、導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填して、ビアホール導体b13を形成する。この後、図9(b)及び図9(c)に示す工程を、更に2回ずつ繰り返すことにより、図9(d)に示すように、セラミックグリーン層20n,20o及びビアホール導体b14,b15を形成する。これにより、未焼成のマザー積層体が完成する。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体12にカットする。これにより未焼成の積層体12が得られる。この未焼成の積層体12には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において500℃で2時間の条件で行う。焼成は、例えば、870℃〜900℃で2.5時間の条件で行う。焼成において、セラミックグリーン層22a〜22i中の消失物質は消失する。これにより、セラミックグリーン層20a〜20oは、低空孔率層12aを構成し、セラミックグリーン層22a〜22iは、高空孔率層12bを構成するようになる。
以上の工程により、焼成された積層体12が得られる。積層体12には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体12の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極14a,14bとなるべき銀電極が形成される。銀電極の焼き付けは、800℃で60分間行われる。
最後に、銀電極の表面に、Niめっき/Snめっきを施すことにより、外部電極14a,14bを形成する。以上の工程を経て、図1に示すような電子部品10が完成する。
(効果)
電子部品10によれば、以下に説明するように、浮遊容量を低減することができる。より詳細には、コイルLは、図2ないし図4に示すように、高空孔率部12b内に設けられている。高空孔率部12bは、大きい空孔率を有している。空孔内に存在する空気の比誘電率は、全ての物質中で最小の1である。そのため、高空孔率部12b全体の誘電率は、低空孔率部12aに比べて小さくなる。その結果、電子部品10において、コイル導体18間に発生する浮遊容量を低減できる。
電子部品10によれば、以下に説明するように、浮遊容量を低減することができる。より詳細には、コイルLは、図2ないし図4に示すように、高空孔率部12b内に設けられている。高空孔率部12bは、大きい空孔率を有している。空孔内に存在する空気の比誘電率は、全ての物質中で最小の1である。そのため、高空孔率部12b全体の誘電率は、低空孔率部12aに比べて小さくなる。その結果、電子部品10において、コイル導体18間に発生する浮遊容量を低減できる。
特に、電子部品10では、z軸方向においてコイル導体18に挟まれている領域(例えば、領域R1,R2)が、高空孔率部12bとされている。コイル導体18に挟まれている領域では、コイル導体18同士が近接した状態で対向するので、大きな浮遊容量が発生しやすい。そこで、かかる領域を高空孔率部12bとすることにより、より効果的に、電子部品10において、コイル導体18間に発生する浮遊容量を低減することができる。
更に、高空孔率部12bは、領域R4,R5も含んでいる。領域R4は、z軸方向の最も負方向側に位置しているコイル導体18aのz軸方向の負方向側に隣接する領域である。領域R5は、z軸方向の最も正方向側に位置しているコイル導体18hのz軸方向の正方向側に隣接する領域である。よって、コイルLと外部電極14a,14bとの間には、高空孔率部12bが存在することになる。これにより、コイルLと外部電極14a,14bとの間の浮遊容量を低減することができる。
また、電子部品10によれば、以下に説明するように、インダクタンス値を向上させることができる。より詳細には、図12に示す従来のセラミック電子部品100では、空孔率が相対的に大きい内層部112a内にコイルLが内蔵されており、空孔率が相対的に小さい外層部112b,112cは、コイルLの積層方向の上側及び下側にしか存在しない。空孔率が大きくなれば、透磁率は、低下する。そのため、磁束は、透磁率が小さいコイルLの側方の領域(図12の領域R10)を通過する磁束に関してロスが発生することになる。そのため、セラミック電子部品100において、十分なインダクタンス値を得ることは困難であった。
そこで、電子部品10では、z軸方向から平面視したときに、コイルLと積層体12の表面とに挟まれている領域R6を、低空孔率部12aとしている。これにより、領域R6における透磁率が大きくなる。よって、電子部品10における磁束は、セラミック電子部品100における磁束よりも、透磁率が大きい領域を長く通過することができるようになる。その結果、電子部品10において、セラミック電子部品100よりも、インダクタンス値を向上させることができる。
特に、電子部品10では、低空孔率部12aは、コイルLに接している。そのため、コイルLの外側近傍をz軸方向に通過する磁束も、低空孔率部12a内を確実に通過するようになる。その結果、電子部品10は、より効果的に、インダクタンス値を向上させることができる。
更に、電子部品10によれば、以下に説明するように、積層体12の強度を向上させることができる。より詳細には、従来のセラミック電子部品100では、空孔率が相対的に小さな外層部112bは、内層部112aを積層方向から挟むようにしか設けられていない。そのため、積層体112の積層方向の中央部は、空孔率が相対的に大きな内層部112aによって形成されている。空孔率が大きくなれば、積層体112の強度は低下する。よって、セラミック電子部品100では、積層体112の積層方向の中央部において、十分な強度を確保することが困難であった。
一方、電子部品10では、積層体12のz軸方向の中央部は、空孔率が相対的に小さな低空孔率部12a及び空孔率が相対的に大きな高空孔率部12bにより構成されている。よって、電子部品10は、セラミック電子部品100に比べて、積層体12のz軸方向の中央部において、高い強度を有している。特に、電子部品10では、低空孔率部12aは、コイルLに接している。そのため、積層体12内において、低空孔率部12aの領域が広くなり、積層体12の強度がより向上する。
なお、電子部品10では、セラミック電子部品100と異なり、積層体12の表面に樹脂をコーティングする必要が必ずしもない。より詳細には、従来のセラミック電子部品100では、空孔率が相対的に大きい内層部112aが積層体112の表面に露出している。そのため、積層体112の表面には、比較的に多数の空孔が存在している。したがって、セラミック電子部品100では、積層体112の表面の保護のために、積層体112の表面に樹脂がコーティングされる。
一方、電子部品10では、積層体12の表面は、低空孔率部12aで覆われている。そのため、積層体12の表面には、殆ど空孔が存在しない。よって、積層体12の表面に樹脂をコーティングする必要が必ずしもない。その結果、電子部品10の製造工程が削減され、電子部品10の製造コストが低減される。
更に、セラミック電子部品100では、積層体112の表面に樹脂がコーティングされることにより、積層体112に対して応力が発生する。このような応力は、コイルLを変形させて、インダクタンス値を低下させる原因となる。よって、樹脂によるコーティングの必要がない電子部品10では、よりインダクタンス値を向上させることができる。
なお、電子部品10において、領域R3は、高空孔率部12bに含まれるものとしたが、低空孔率部12aに含まれていてもよい。これにより、電子部品10のインダクタンス値が向上する。
(実験結果及びシミュレーション結果)
ところで、電子部品10が奏する作用効果をより明確にするために、本願発明者は以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、電子部品10に相当するモデルM1を作製すると共に、セラミック電子部品100に相当するモデルM2を作製した。なお、この際、モデルM1とモデルM2との条件をそろえるために、コイルのターン数やチップサイズ等をそろえた。図10は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は、インピーダンスを示し、横軸は、周波数を示す。
ところで、電子部品10が奏する作用効果をより明確にするために、本願発明者は以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、電子部品10に相当するモデルM1を作製すると共に、セラミック電子部品100に相当するモデルM2を作製した。なお、この際、モデルM1とモデルM2との条件をそろえるために、コイルのターン数やチップサイズ等をそろえた。図10は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は、インピーダンスを示し、横軸は、周波数を示す。
図10によれば、モデルM1のインピーダンスの方が、モデルM2のインピーダンスよりも大きくなっていることが分かる。よって、モデルM1(電子部品10)の方が、モデルM2(セラミック電子部品100)よりも大きなインダクタンス値を取得できていることが分かる。よって、電子部品10では、インダクタンス値が向上していることが分かる。
また、本願発明者は、電子部品10において、より好ましい設計値を求めるために、以下に説明する実験及びシミュレーションを行った。図11(a)は、マザー積層体をz軸方向から透視した図である。図11(b)は、図11(a)において、一つの積層体12をz軸方向から透視した図である。
まず、実験に用いたサンプルについて説明する。マザー積層体は、例えば、ダイサー等によりカットされる。ダイサーは、図11の点線に示されるカット線を通過する。この際、ダイサーにより削り取られる切り代50(図11の斜線領域)が存在する。本実験では、ダイサーの刃の厚みを100μmとし、切り代50の幅D1を50μmとした。また、サンプルにおいて、積層体12の幅D2を600μmとした。ただし、積層体12は、z軸方向から平面視したときに、正方形状をなしているものとする。そして、コイルLの周囲において環をなしている低空孔率部12aの幅D3の平均を変化させて、D3/D2を変化させた。表1は、サンプルS1〜S5のD3/D2を示した表である。また、図12に示す従来のセラミック電子部品100をサンプルS6として作製した。
本実験では、サンプルS1〜S6の強度をEIAJ−RCX−0104/0104に規定の試験方法により測定した。強度の測定では、サンプルS1〜S6の側面に、直径0.4mmの押し治具を0.5mm/sの速度で移動させながら押し付けた。そして、サンプルS1〜S6に破損が生じたときの力を測定した。表2は、測定結果を示した表である。
本実験では、強度が9.8N以上のサンプルについて、適合品と判断し、強度が9.8Nより小さいサンプルについて、不適合品と判断した。その結果、強度の観点からは、サンプルS1〜S4及びサンプルS6については、適合品であり、サンプルS5については、不適合品であった。
次に、前記サンプルS1〜S6に相当するモデルを作製して、100MHzにおけるインピーダンスをコンピュータによりシミュレーションした。表3は、コンピュータシミュレーションの結果を示した表である。
表3によれば、サンプルS1〜S3,S5では、十分なインピーダンスを得られていることが分かる。一方、サンプルS4,S6では、サンプルS1〜S3,S5に比べて、インピーダンスが大きく減少していることが分かる。よって、インピーダンスの観点からは、サンプルS1〜S3,S5については、適合品であり、サンプルS4,S6については、不適合品であった。
以上より、強度及びインピーダンスの両方の観点から、適合品と判断できるのは、サンプルS1〜S3である。よって、電子部品10では、D3/D2は、1/12以上1/6以下であることが望ましい。
本発明は、電子部品に有用であり、特に、浮遊容量を低減しつつ、積層体の強度及びインダクタンス値を向上させることができる点において優れている。
AX コイル軸
L コイル
R1〜R6 領域
b1〜b15 ビアホール導体
10 電子部品
12 積層体
12a 低空孔率部
12b 高空孔率部
14a,14b 外部電極
18a〜18h コイル導体
20a〜20o,22a〜22i セラミックグリーン層
L コイル
R1〜R6 領域
b1〜b15 ビアホール導体
10 電子部品
12 積層体
12a 低空孔率部
12b 高空孔率部
14a,14b 外部電極
18a〜18h コイル導体
20a〜20o,22a〜22i セラミックグリーン層
Claims (4)
- 第1の空孔率を有する第1の磁性材料及び該第1の空孔率よりも大きい第2の空孔率を有する第2の磁性材料からなる本体と、
前記本体に内蔵され、かつ、複数のコイル導体が接続されることにより構成されている螺旋状のコイルと、
を備え、
前記コイルのコイル軸が延在している方向から平面視したときに、該コイルと前記本体の表面とに挟まれている第1の領域は、前記第1の磁性材料により形成され、
前記コイル軸が延在している方向において前記コイル導体に挟まれている第2の領域は、前記第2の磁性材料により形成されていること、
を特徴とする電子部品。 - 前記第1の空孔率は、10%以下であり、
前記第2の空孔率は、30%以上80%以下であること、
を特徴とする請求項1に記載の電子部品。 - 前記本体は、前記コイル軸が延在している方向から平面視したときに、正方形状をなしており、
前記コイル軸が延在している方向から平面視したときに、前記コイルの周囲において環をなしている前記第1の領域の幅の平均は、前記本体の一辺の長さの1/12以上1/6以下であること、
を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の電子部品。 - 前記コイル導体は、前記コイル軸の周囲を旋廻していると共に、外周部分において前記第1の磁性体材料と接触していること、
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品。
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2009
- 2009-03-05 JP JP2009052167A patent/JP2010206089A/ja active Pending
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