TWI489490B - A manufacturing apparatus for a radiation detection panel, and a method for manufacturing a radiation detection panel - Google Patents

A manufacturing apparatus for a radiation detection panel, and a method for manufacturing a radiation detection panel Download PDF

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Wataru Matsuyama
Toyoo Yamamoto
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Description

放射線檢測面板之製造裝置及放射線檢測面板之製造方法
本發明之實施形態係關於放射線檢測面板之製造裝置及放射線檢測面板之製造方法。
近年來，作為放射線檢測面板，X射線檢測面板正實用化。X射線檢測面板包含將X射線(放射線)轉換為光之螢光體膜，及將該光轉換為電信號之光電轉換元件。該X射線檢測面板與先前之X射線影像管相比，可有助於X射線平面檢測裝置整體之小型輕量化。X射線平面檢測裝置將以透過檢測對象物之X射線獲得之圖像資訊轉換為數位電資訊。X射線平面檢測裝置可享有數位圖像處理或數位圖像保存等數位資訊處理之較多便利性。
該X射線平面檢測裝置於用於患者之診斷或治療之醫療用或牙科用、非破壞檢查等之工業用、構造分析等科學研究用等廣闊領域中使用。各個領域中藉由利用數位資訊處理之高精度圖像抽取、高精度圖像檢測成為可能，而可期待非所望之X射線(放射線)照射量之降低、或迅速檢測、迅速診斷等效果。
X射線平面檢測裝置之螢光體膜多轉用閃爍體材之技術。閃爍體材由以於先前之X射線影像管使用之銫(Cs)及碘(I)為主成分之材料形成。以碘化銫(以下稱作CsI)為主成分而形成柱狀結晶之上述閃爍體材與其他形成粒子狀結晶之閃爍體材相比，可謀求利用光導引效果所帶來之感度與 解像度之提高。
為確保X射線平面檢測裝置之感度較高之狀態，需要充分獲得自X射線轉換而來之光(螢光)量，螢光體膜需要具有某程度之厚度。於使用以CsI為主成分之閃爍體材之情形時，較多地使螢光體膜之厚度為500 μm左右。
另一方面，螢光體膜有伴隨膜厚之增加而導致圖像之解像度降低之傾向。為使螢光體膜達成高感度與高解像度，較為理想的是可使閃爍體材之柱狀結晶更細、且於厚度方向更均勻地形成之蒸鍍方法。
再者，關於閃爍體材之成膜方法，於先前之X射線影像管之製造方法或X射線平面檢測裝置之製造方法等中有揭示。又，作為類似之製造方法，已知有使用光激發螢光體之放射線像轉換面板之製造方法。
又，使閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板之表面之製造裝置具有真空腔室與配置於真空腔室內之坩堝。於使閃爍體材蒸鍍時，於真空腔室內於坩堝上方水平配置光電轉換基板。其後以坩堝加熱閃爍體材而使之蒸發。藉此，蒸發之閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板之表面。進而，亦有時一面使光電轉換基板於水平面內旋轉一面使閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板表面。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-40840號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-262673號公報
[專利文獻3]日本專利特開2005-164534號公報
[專利文獻4]日本專利特開2009-236705號公報
且說，用以製造進行閃爍體材之蒸鍍之X射線檢測面板之裝置及方法中，必需考慮生產率之提高或形成之螢光體膜之解像度特性。但通常揭示之蒸鍍方法作為解決上述問題之方法並不充分。
本發明係鑑於以上情況而完成者，其目的在於提供一種可謀求生產率之提高，且可形成解像度特性良好之放射線檢測面板之放射線檢測面板之製造裝置及放射線檢測面板之製造方法。
一實施形態之放射線檢測面板之製造裝置包括：蒸發源，其使閃爍體材蒸發並向鉛直上方放射；及保持機構，其位於較上述蒸發源更靠鉛直上方側，以使光電轉換基板之蒸鍍面露出於上述蒸發源且相對於鉛直軸成為傾斜之狀態保持上述光電轉換基板。
又，一實施形態之放射線檢測面板之製造裝置包括：蒸發源，其使閃爍體材蒸發並放射；保持機構，其以使自上述蒸發源放射之上述閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板之蒸鍍面上之方式保持上述光電轉換基板；及熱傳導體，其自上述光電轉換基板朝向並越過上述保持機構而設置，與上述保持機構隔開間隔而配向配置，具有與上述保持機構對向 且經實施黑化處理之表面。
又，一實施形態之放射線檢測面板之製造方法係於較蒸發源更靠鉛直上方側，以使光電轉換基板之蒸鍍面露出於上述蒸發源且相對於鉛直軸成為傾斜之狀態配置上述光電轉換基板。藉由蒸發源而使閃爍體材蒸發並向鉛直上方放射，使上述閃爍體蒸鍍於上述蒸鍍面上而形成螢光體膜。
又，一實施形態之放射線檢測面板之製造方法係使閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板之蒸鍍面上而形成螢光體膜，於使上述閃爍體材蒸鍍於上述蒸鍍面上時，將蒸鍍初期之上述光電轉換基板之溫度控制於70℃至140℃之範圍內，且將上述蒸鍍初期之後的上述光電轉換基板之溫度控制於125℃至190℃之範圍內。
以下，一面參照圖式一面對一實施形態之X射線檢測面板之製造裝置及X射線檢測面板之製造方法進行詳細說明。首先對使用上述X射線檢測面板之製造方法製造之X射線檢測面板之構成進行說明。此處，亦對利用X射線檢測面板之X射線平面檢測裝置之整體構成進行說明。
圖1係概略地表示X射線平面檢測裝置之剖面圖。如圖1所示，X射線平面檢測裝置係大型之X射線平面檢測裝置。X射線平面檢測裝置包括X射線檢測面板2、防潮蓋3、支撐基板4、電路基板5、X射線遮蔽用鉛板6、散熱絕緣片7、連接構件8、框體9、可撓性電路基板10及入射窗11。
圖2係表示X射線平面檢測裝置之一部分之分解立體圖。 如圖1及圖2所示，X射線檢測面板2具有光電轉換基板21與螢光體膜22。光電轉換基板21包括0.7 mm厚之玻璃基板、及二維地形成於玻璃基板上之複數個光檢測部28。光檢測部28具有作為開關元件之TFT(thin film transistor，薄膜電晶體)26、及作為光感測器之PD(photodiode，光二極體)27。TFT26及PD27係以例如a-Si(非晶矽)作為基材而形成。對於光電轉換基板21之沿著平面之方向之尺寸，例如為正方形時一邊為50 cm。再者，於大型X射線平面檢測裝置中，光電轉換基板21之一邊長度例如為13至17英吋。
螢光體膜22直接形成於光電轉換基板21上。螢光體膜22位於光電轉換基板21之X射線之入射側。螢光體膜22係將X射線轉換為光(螢光)之構件。再者，PD27係將以螢光體膜22轉換而得之光轉換為電信號者。
螢光體膜22藉由使閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板21上而形成。作為閃爍體材，可使用將碘化銫(CsI)作為主成分之材料。螢光體膜22之厚度設定於100至1000 μm範圍內。更適當而言，評估感度與解像度，而使螢光體膜22之厚度設定於200至600 μm範圍內。
該實施形態中，螢光體膜22之厚度調整為500 μm。作為閃爍體材，使用於作為主成分之CsI中添加有鉈(Tl)或碘化鉈(TlI)之材料。藉此，螢光體膜22可藉由入射X射線而放出適當波長之光(螢光)。
例如，添加之碘化鉈(TlI)為數%或其以下，由此閃爍體材中之碘化銫(CsI)濃度比例占95%以上為佳。
如圖1所示，防潮蓋3完全覆蓋螢光體膜22而封接於螢光體膜22。防潮蓋3由例如鋁合金形成。若防潮蓋3之厚度變大，則入射至螢光體膜22之X射線量衰減，從而導致X射線檢測面板2之感度下降。因此，較為理想的是使防潮蓋3之厚度儘可能小。於設定防潮蓋3之厚度時，考慮各種參數(防潮蓋3形狀之穩定性、能承受製造之強度、入射至螢光體膜22之X射線之衰減量)之平衡。防潮蓋3之厚度設定於50至500 μm範圍內。本實施形態中，防潮蓋3之厚度調整為200 μm。
於光電轉換基板21之外周部形成有用以與外部連接之複數個焊墊。複數個焊墊用於供光電轉換基板21之驅動用之電信號之輸入及輸出信號之輸出。
上述X射線檢測面板2及防潮蓋3之集合體係積層較薄之構件而構成，因此上述集合體係較輕且強度較低者。因此X射線檢測面板2經由黏著片固定於支撐基板4之平坦一表面。支撐基板4由例如鋁合金形成，具有用以穩定保持X射線檢測面板2所必需之強度。
於支撐基板4之另一表面，隔著鉛板6與散熱絕緣片7而固定有電路基板5。電路基板5以螺絲等固定於支撐基板4。電路基板5及X射線檢測面板2經由可撓性電路基板10連接。可撓性電路基板10與光電轉換基板21之連接係使用利用ACF(anisotropic conductive film，異方性導電薄膜)之熱壓接法。藉由該方法而確保複數個微細之信號線之電性連接。於電路基板5上安裝有與可撓性電路基板10對應之連 接器。電路基板5經由上述連接器等而與X射線檢測面板2電性連接。電路基板5係電性驅動X射線檢測面板2、且電性處理來自X射線檢測面板2之輸出信號者。
框體9收納有X射線檢測面板2、防潮蓋3、支撐基板4、電路基板5、鉛板6、散熱絕緣片7、連接構件8。框體9具有形成於與X射線檢測面板2對向之位置之開口。連接構件8固定於框體9且對支撐基板4進行支撐。
入射窗11安裝於框體9之開口。入射窗11封閉框體9之開口。入射窗11會透過X射線，因此X射線透過入射窗11入射至X射線檢測面板2。入射窗11形成為板狀，具有保護框體9內部之功能。較為理想的是，入射窗11由X射線吸收率較低之材料較薄地形成。藉此可降低於入射窗11產生之X射線之散射與X射線量之衰減。而且可實現較薄且較輕之X射線檢測裝置。X射線檢測裝置如上所述般形成。
其次，對用於X射線檢測面板2之製造裝置之真空蒸鍍裝置進行說明。
圖3係表示真空蒸鍍裝置30之概略構成圖。如圖3所示，真空蒸鍍裝置30包括真空腔室31、作為將閃爍體材加熱熔融而使之蒸發之蒸發源之坩堝32、加熱器33、34、蓋35、熱傳導體36、保持機構37、作為溫度調整部之散熱部38及監視器39。
真空腔室31形成為與寬度方向(水平方向)相比於高度方向(垂直方向、鉛直方向)較大之箱狀。於真空腔室31安裝有未圖示之真空排氣裝置(真空泵)，真空排氣裝置可將真 空腔室31內保持於大氣壓以下之壓力。真空蒸鍍裝置30利用於將壓力設定為大氣壓以下之期望值之環境下進行之真空蒸鍍法。
坩堝32配置於真空腔室31內之下方。於坩堝32內投入於作為主成分之CsI中添加有TlI之閃爍體材。例如可利用碘化銫(CsI)之濃度比例為95%以上之閃爍體材。此外亦有投入碘化銫(CsI)之濃度100%之閃爍體材，自其他較小之坩堝蒸發少量碘化鉈(TlI)之方法。即便於後者之情形時，柱狀結晶之構造亦由碘化銫(CsI)決定。關於真空腔室31內之坩堝32之配置之作用效果的說明相同。
坩堝32之中央之前端部形成為筒狀(煙囪狀)。於真空腔室31之高度方向延伸。位於坩堝32前端之蒸發口32a向真空腔室31上方開口。閃爍體材以通過蒸發口32a之中心之鉛直軸為中心而向鉛直上方放射。
加熱器33設定於坩堝32周圍。加熱器33加熱坩堝32，坩堝32之溫度以成閃爍體材之熔點以上之方式調整。此處，加熱器33將坩堝32加熱至約700℃。再者，坩堝32之溫度可由未圖示之溫度計測量，坩堝32之溫度之監視與加熱器33之驅動可由未圖示之加熱器驅動部進行。
如上所述，藉由加熱坩堝32，閃爍體材之蒸發元素通過坩堝32之蒸發口32a向真空腔室31上方放射。又，坩堝32之前端部形成為筒狀，因此可進行指向性較高之閃爍體材之放射。根據以上所述，可集中於光電轉換基板21所處之方向而進行閃爍體材之放射。再者，藉由調整坩堝32前端 部之長度而可調整閃爍體材放射之指向性。
本實施形態中，為製造大型之X射線檢測面板2，需要於光電轉換基板21上蒸鍍較多量(例如400 g)之閃爍體材。因此，坩堝32利用大型者，於坩堝32內投入數kg(例如6 kg)以上之閃爍體材。
加熱器34設置於坩堝32之前端部周圍，加熱坩堝32之前端部。藉此可防止坩堝32之前端部堵塞。
蓋35覆蓋坩堝32及加熱器33、34。蓋35抑制來自坩堝32及加熱器33、34之熱傳導之擴散。於蓋35上形成有冷卻液(例如水)流動之冷卻路。
熱傳導體36位於真空腔室31內之上方，固定於真空腔室31中。熱傳導體36例如形成為厚度3 mm之板狀。作為形成熱傳導體36之材料，例如可利用鋁。熱傳導體36具有藉由熱傳導而將散熱部38之熱傳遞至光電轉換基板21及保持構件37、或者將光電轉換基板21及保持機構37之熱傳遞至散熱部38之功能。又，熱傳導體36亦具有防止閃爍體材向散熱部38等附著之功能。
保持機構37與熱傳導體36對向，位於較熱傳導體36更靠真空腔室31中心側。保持機構37於使光電轉換基板21之蒸鍍面露出之狀態下保持光電轉換基板21。光電轉換基板21以其蒸鍍面相對於真空腔室31之高度方向成銳角之方式傾斜之狀態予以保持。
散熱部38與熱傳導體36對向，位於較熱傳導體36更靠真空腔室31之側壁側。散熱部38與真空腔室31連接，使散熱 部38中產生之熱可傳遞至真空腔室31。詳情雖未圖示，但散熱部38係熱傳導體及加熱器之集合體。散熱部38之加熱器係加熱光電轉換基板21者。再者，光電轉換基板21之溫度可由未圖示之溫度計測量，光電轉換基板21之溫度之監視與散熱部38之加熱器之驅動可由未圖示之加熱器驅動部進行。
散熱部38之加熱器產生之熱藉由熱傳導而經由熱傳導體36傳遞至光電轉換基板21。散熱部38之加熱器產生之熱亦可進而經由散熱部38之熱傳導體或保持機構37傳遞至光電轉換基板21。
另一方面，於光電轉換基板21產生之熱藉由熱傳導而經由熱傳導體36傳遞至散熱部38之熱傳導體。於光電轉換基板21產生之熱亦可進而經由保持機構37傳遞至散熱部38之熱傳導體。傳遞至散熱部38之熱傳導體之熱傳達至真空腔室31。
馬達39氣密安裝於真空腔室31。馬達39之軸通過形成於散熱部38之貫通口及形成於熱傳導體36之貫通口而設置。再者，保持機構37安裝於馬達39之軸上，且可裝卸於軸。光電轉換基板21之中心與馬達39之軸對向。而且藉由使馬達39運轉而使保持機構37旋轉。如此一來，光電轉換基板21以沿著光電轉換基板21中心之法線之軸為旋轉軸旋轉。
本實施形態中，真空蒸鍍裝置30包括各為2個之熱傳導體36、保持機構37、散熱部38及馬達39。因此真空蒸鍍裝置30可於2片光電轉換基板21上同時形成螢光體膜22。一 保持機構37之位置與另一保持機構37之位置相對於通過蒸發口32a之鉛直軸而對稱。以光電轉換基板21之蒸鍍面彼此互相相向之方式，2台保持機構37分別傾斜配置。一光電轉換基板21之蒸鍍面與另一光電轉換基板21之蒸鍍面之於內側形成之角度α為銳角。如上述般形成有真空蒸鍍裝置30。
自坩堝32之蒸發口放射之閃爍體材之蒸發元素蒸鍍於位於真空腔室31上方之光電轉換基板21。此時，閃爍體材之蒸發元素自傾斜方向入射至光電轉換基板21。此處，設閃爍體材向光電轉換基板21之入射角為θ。入射角θ係光電轉換基板21之法線與閃爍體材之入射方向(連結蒸發口32a之中心與光電轉換基板21蒸鍍面之任意點之假想線)於內側形成之角。
本實施形態中，於光電轉換基板21之中心，θ=60°。於光電轉換基板21之最上部(真空腔室31之頂壁側之光電轉換基板21之端部)，θ=70°。於光電轉換基板21之最下部(坩堝32側之光電轉換基板21之端部)，θ=45°。
上述真空蒸鍍裝置30與θ=0°之真空蒸鍍裝置相比，可降低真空腔室31之體積。藉此可降低真空排氣裝置等裝置之負載。又可縮短抽真空所花費之時間，因此可謀求生產率之提高。
又，上述真空蒸鍍裝置30中可大幅提高閃爍體材之利用效率。
其次，作為X射線檢測面板2之製造方法，對使用真空蒸 鍍裝置30之螢光體膜22之製造方法進行說明。
若開始螢光體膜22之製造，則首先準備真空蒸鍍裝置30與包含光檢測部28之光電轉換基板21。繼而將光電轉換基板21安裝於保持機構37。其後將安裝有光電轉換基板21之保持機構37搬入真空腔室31內，並安裝於馬達39之軸上。
其次，封閉真空腔室31，使用真空排氣裝置將真空腔室31內抽真空。繼而使馬達39運轉而使光電轉換基板21旋轉。再者，開始馬達39運轉之時序無特別限制，可進行各種變更。例如亦可基於坩堝32之溫度之監視結果而調整開始馬達39運轉之時序。
其次，使用加熱器33、34開始坩堝32之加熱與形成於蓋35之冷卻路之冷卻液之循環。其後藉由坩堝32內之閃爍體材蒸發，而於光電轉換基板21上蒸鍍閃爍體材。再者，蒸鍍於光電轉換基板21上之閃爍體材具有熱量，因此於蒸鍍期間光電轉換基板21被加熱。如上所述，藉由於光電轉換基板21上蒸鍍閃爍體材，而於光電轉換基板21上形成螢光體膜22(圖2)。藉此，螢光體膜22之製造結束。
接下來，對真空腔室31內之壓力進行說明。
入射至光電轉換基板21上之閃爍體材之蒸發元素於光電轉換基板21上形成結晶。於蒸鍍初期階段形成於光電轉換基板21上者係微小之結晶粒，若繼續蒸鍍則結晶粒最終變為柱狀結晶而成長。柱狀結晶之成長方向與蒸發元素之入射方向相反。因此於蒸發元素傾斜入射至光電轉換基板21之情形時，柱狀結晶於其傾斜方向成長。
抑制該柱狀結晶之成長，而使柱狀結晶於沿著光電轉換基板21之法線方向成長，因此先前向蒸鍍中之真空腔室31內導入氬(Ar)氣等惰性氣體，而使真空腔室31內之壓力上升至1×10-2 至1 Pa左右。蒸發元素藉由上述惰性氣體之存在而飛散，自多個方向朝光電轉換基板21入射。其結果，柱狀結晶之成長方向成為沿著光電轉換基板21之法線之方向。
然而，於藉由惰性氣體之導入而使真空腔室31內之壓力上升之情形時，蒸發元素向光電轉換基板21之入射方向遍及所有方向，因此亦於柱狀結晶變粗之方向促進柱狀結晶之成長。其結果，柱狀結晶變粗，X射線檢測面板2之解像度下降。為克服該問題，本實施形態中，於使閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板21上時，不導入惰性氣體而進行。而且利用維持抽真空而使壓力成為1×10-2 Pa之狀態之環境下進行之真空蒸鍍法。藉此可降低柱狀結晶變粗之成長，從而可促進向沿著光電轉換基板21之法線方向之結晶之成長。
下面，對光電轉換元件21之旋轉速度進行說明。
為使蒸發元素向光電轉換基板21之入射方向平均化，於使閃爍體材蒸鍍於光電轉換基板21上時，使光電轉換基板21旋轉。藉此，可使螢光體膜22之厚度遍及光電轉換基板21整個表面而均勻。
又，可使結晶成長矢量之朝向平均化，從而可總體上使柱狀結晶於沿著光電轉換基板21之法線方向成長。此處，結晶成長矢量之朝向係柱狀結晶之成長方向。其結果，可 形成更細之柱狀結晶，因此可謀求X射線檢測面板2之解像度之提高。
對於上述結晶成長矢量朝向之平均化而言，光電轉換基板21之旋轉速度為主要要素。此處，本案發明者對相對於光電轉換基板21之旋轉速度之MTF(Modulation transfer function：調製傳遞函數)值進行調查。將調查結果示於圖4。圖4係以曲線圖表示相對於光電轉換基板21之旋轉速度之MTF相對值之變化之圖。圖4係對設光電轉換基板21之旋轉速度為2 rpm、4 rpm、6 rpm之情形之於光電轉換基板周邊部之MTF值、與設光電轉換基板21之旋轉速度為2 rpm、6 rpm、10 rpm之情形之於光電轉換基板21中心部之MTF值製圖。
如圖4所示，不對設光電轉換基板21之旋轉速度為10 rpm之情形之於光電轉換基板21周邊部之MTF值、與設光電轉換基板21之旋轉速度為4 rpm之情形之於光電轉換基板21中心部之MTF值製圖。然而，可知即便改變光電轉換基板21之旋轉速度，於光電轉換基板21周邊部之MTF值與於光電轉換基板21中心部之MTF值亦大致同樣地推移。又，可知若光電轉換基板21之旋轉速度未達4 rpm，則MTF值急劇下降。
另一方面可知，若光電轉換基板21之旋轉速度為4 rpm以上，則MTF值漸增。因此於使光電轉換基板21旋轉時，較為理想的是使光電轉換基板21之旋轉速度為4 rpm以上。又，更理想的是，蒸鍍中將光電轉換基板21之旋轉速 度保持於固定。
繼而，對光電轉換基板21中心之入射角θ之下限值進行說明。
本實施形態中，對以於光電轉換基板21之中心成為θ=60°之方式形成真空蒸鍍裝置30之情形進行說明，但不限於此，可進行各種變更。真空蒸鍍裝置30亦可以於光電轉換基板21之中心成為θ<60°之方式形成。但入射角θ愈接近0°則光電轉換基板21之蒸鍍面愈朝向真空腔室31之底壁，因此真空腔室31之寬度變寬，其結果，真空腔室31之體積增加。上述情況於光電轉換基板21大型之情形時較為顯著。
又，真空腔室31之體積壓縮率與sinθ(入射角θ之sin)大致成比例。換言之，真空腔室31之體積與cosθ大致成比例。因此於0°≦θ<45°之範圍內，真空腔室31之體積壓縮率比較緩慢，另一方面，於θ=45°之情形時，真空腔室31之體積壓縮率逐漸成為70%左右。θ>45°之情形時與θ=45°之情形相比，體積壓縮率進而變化，真空腔室31之體積壓縮率進而變高。藉此可獲得真空腔室31之體積更有效率之減效果。
因此若考慮真空排氣裝置等之裝置負載、生產率、閃爍體材之利用效率，則較為理想的是使真空蒸鍍裝置30以於光電轉換基板21之中心成為θ≧45°之方式形成。
其次，對光電轉換基板21中心之入射角θ之上限值進行說明。
圖5係表示上述真空蒸鍍裝置30之一部分之模式圖，且係表示坩堝32及光電轉換基板21之圖。如圖5所示，設光電轉換基板21之蒸鍍面之中心之入射角θ於此處為θ1 。設坩堝32之蒸發口32a至光電轉換基板21(蒸鍍面)中心之距離(直線距離)為R。於沿著光電轉換基板21之平面之方向，使自光電轉換基板21(蒸鍍面)之中心起之長度為L。
於完全之真空狀態下，於蒸發元素之入射方向之相反側成長結晶。蒸鍍中光電轉換基板21旋轉，因此根據蒸鍍矢量Va(Va1、Va2、Va3)之相乘結果而決定光電轉換基板21之各個部位之柱狀結晶之成長方向。此處，蒸鍍矢量之方向係蒸鍍元素之入射方向。
圖6係表示上述真空蒸鍍裝置30之一部分之其他模式圖，且係表示坩堝32及光電轉換基板21之圖。如圖6所示可知，於光電轉換元件21之最上部，結晶成長矢量朝向光電轉換基板21內側(例如參照結晶成長矢量Vb2)。可知於光電轉換基板21之最下部，結晶成長矢量朝向光電轉換基板21之外側(例如參照結晶成長矢量Vb1)。蒸鍍中光電轉換基板21旋轉，因此結晶成長矢量Vb(Vb1、Vb2)之沿著光電轉換基板21之平面之方向之成分互相抵消。
此處，設結晶成長矢量Vb之沿著光電轉換基板21之平面之方向之成分為Dh。設結晶成長矢量Vb之沿著光電轉換基板21之法線之方向之成分為Dv，作為簡單之模擬，於假設結晶成長矢量Vb之大小與距離R之平方成反比之情形時，於自光電轉換基板21之中心起長度L之位置，成分 Dh、Dv分別以下式表示。
向沿著光電轉換基板21之平面之方向之柱狀結晶成長之影響度可藉由成分Dh與成分Dv之比即成分比(Dh/Dv)而評估。此處，x係以光電轉換基板21與坩堝32之蒸發口32a之距離之相對尺寸為特徵之值，且係長度L與距離R之比(L/R)(x=L/R)。
圖7係以曲線圖表示設入射角θ1 為40°、45°、50°、60°、70°、75°之情形之相對於長度L與距離R之比(L/R)之結晶成長矢量之成分比(Dh/Dv)之變化之圖。圖7之縱軸中，設光電轉換基板21之內側方向為+，且設光電轉換基板21之外側方向為-而表示。圖7係使用上述數1、2而表示模擬之結果。如圖7所示，於光電轉換基板21之一邊長度為50 cm之情形時，長度L為0至25 cm範圍內。另一方面，根據上述真空蒸鍍裝置30之構造，距離R為150 cm左右(100數10至200 cm)係有現實性之距離。因此，比(L/R)之範圍成為0.15至0.2。可知當考慮該範圍時，若入射角θ1 為70°以下，則可為(Dh/Dv)<1。
由於實際之柱狀結晶之成長會受到稱作餘弦法則之蒸發時向前方之蒸發量之偏倚或微量殘留氣體等之影響，因此 成分比(Dh/Dv)變得較圖7所示之值更小(接近0)。
根據上述情況，若結合上述入射角θ之下限值，則較佳為45°≦θ1 ≦70°。以上對簡單之模擬結果進行說明。
此處，本案發明者等更精密且準確地模擬由光電轉換基板21之旋轉所得之效果。其結果，若為50°≦θ1 ≦65°，則可知結晶垂直性(向沿著光電轉換基板21之法線方向之結晶成長之促進性)佳。若為55°≦θ1 ≦60°，則可知結晶鉛直性更佳，且可知柱狀結晶之傾斜大致為零。
其次，對上述精密且準確之模擬內容進行說明。
此處，為作成傾斜蒸鍍模型式，重點在於採取何種座標系。對此考慮光電轉換基板21之旋轉，如圖8般設定座標系。圖8係表示使座標與真空腔室31、坩堝32及光電轉換基板21對應之座標系。
如圖8所示，設光電轉換基板21之蒸鍍面為X-Y平面，設光電轉換基板21之旋轉軸(沿著蒸鍍面中心之法線之軸)為Z。將蒸發口32a之中心設為點O。通過點O之坩堝32之中心軸(鉛直軸)位於X-Z平面上。設坩堝32之中心軸與X軸之交點為T。例如點T相當於真空蒸鍍裝置30之頂點。可假設閃爍體材之蒸發元素(蒸鍍粒子)自點O放射，且可假設以坩堝32之中心軸為對稱軸向周圍放射。
入射角θ1 係以傾斜蒸鍍為特徵之參數，且係座標系原點與點O之線段與Z軸於內側所成之角度。點P位於光電轉換基板21之蒸鍍面(X-Y平面)上，表示蒸鍍位置。若設動徑(座標系原點至點P之直線距離)為L，且設旋轉角為Φ，則 可如下述般表示點P之X軸之座標XP 、Y軸之座標YP 及Z軸之座標ZP 。
XP =L×cosΦ
TP =L×sinΦ
ZP =0
又，動徑L為座標系原點至點P之直線距離LO 以下。即L≦LO ，更現實而言係L<LO 。此外，使坩堝32之中心軸(線段OT)與向點P之入射方向(線段OP)之於內側形成之角度為η。
此處，首先導出通式。導出通式時，假設以下4點。
(1)真空腔室31內處於充分高真空狀態，自坩堝32放出之蒸發元素直接到達光電轉換基板21之蒸鍍面。
(2)蒸發元素呈相對於坩堝32之中心軸對稱(軸對稱)地放射。
(3)各瞬間之柱狀結晶之成長方向與蒸發元素之入射方向相反。
(4)光電轉換基板21均勻地旋轉。即角度Φ均勻地變化。
而且，為導出通式，自上述座標系將點P之座標表示於數3，將點O之座標表示於數4，將點T之座標表示於數5，將自點O向點T之矢量表示於數6，將自點O向點P之矢量表示於數7。
又，分別將基於數6之數式表示於數8，將基於數7之數式表示於數9。
圖9係表示圖8所示之座標系之圖。且係表示各瞬間之點P之柱狀結晶之成長方向(結晶成長矢量)之成分之圖。如圖9所示，設與光電轉換基板21(蒸鍍面)垂直之方向之成分為Da，設動徑方向之成分為Db，設旋轉方向(Φ方向)之成分為Dc。再者，著眼於各成分之相對值，設所有成分之係數為1。將成分Da表示於數10，將成分Db表示於數11，將成分Dc表示於數12。
f(η)係表示蒸發元素之分佈之函數，且根據軸對稱性而為η之函數。又，η自身係依賴於θ1 、Φ、L、LO 、R之函數，即η(θ1 、Φ、L、LO 、R)。
根據以上情況，可求得長期來看之情形之點P之柱狀結晶的成長方向之成分。再者，如根據圖8可知，注意到η及f係Φ之偶函數。而且由於考慮使光電轉換基板21旋轉之效果，只要以Φ定積分即可。
將與光電轉換基板21(蒸鍍面)垂直之方向之成分表示於數13，將動徑方向之成分表示於數14。
再者，關於旋轉方向(Φ方向)之成分，成為與Φ相關之奇函數之積分，因此成為零(0)。
為更具體地進行計算，需要f(η)之函數式。如上所述， 自微小平面之蒸發之分佈角度可按cos法則較佳地近似。藉此，採用f(η)=cos(η)之近似模型。具體而言利用數15及數16所示之關係式。
再者，注意到T係不包含Φ之函數。若考慮以上內容，則可求得使用cos法則之蒸鍍模型式。將使用cos法則之蒸鍍模型式表示於數17、數18及數19。數17係表示與光電轉換基板21(蒸鍍面)垂直之方向之成分，數18係表示動徑方向之成分。數19係表示旋轉方向(Φ方向)之成分。
再者，如上所述，關於旋轉方向(Φ方向)之成分，成為與Φ相關之奇函數之積分，因此成為零。
若為獲得該等數值而進行數值積分，或解析性地求得積分，則可模擬蒸鍍狀態。將與根據上述cos法則之精確解 而求得之光電轉換基板21(蒸鍍面)垂直之方向之成分表示於圖10。
圖10係以曲線圖表示設入射角θ1 為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之垂直成分之相對長度相對於自光電轉換基板21(蒸鍍面)之中心起之長度(動徑)L之變化之圖。圖10中，作為距離LO 及距離R，假設實際值而為LO =1 m、R=1.5 m。將長度L為0至0.5m範圍內作為評估對象。若係一邊長度為17英吋之光電轉換基板21，則長度L之最大值為0.3m(=0.43÷2×)，滿足L≦0.5m。
如根據圖10可知，即便長度L變化，亦有結晶成長矢量之垂直成分之均一性佳之特徵。即，於45°≦θ1 ≦70°，可知結晶成長矢量之垂直成分之均一性佳。而且，亦可換言確保蒸鍍膜厚(螢光體膜22之厚度)之均一性。又，可知藉由入射角θ1 切換，而使結晶成長矢量之垂直成分(蒸鍍膜厚)整體偏移。而且，可知隨著入射角θ1 變大，蒸鍍效率下降。
另一方面，將動徑方向之成分示於圖11。圖11係以曲線圖表示設入射角θ1 為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之動徑方向之成分之相對長度相對於自光電轉換基板21(蒸鍍面)中心起之長度(動徑)L之變化之圖。圖11中，LO =1 m，R=1.5 m。將長度L為0至0.5 m範圍內作為評估對象。
圖11之縱軸中，使光電轉換基板21之內側方向為-，使 光電轉換基板21之外側方向為+表示。若為-則柱狀結晶向內側方向傾斜，相反若為+則柱狀結晶向外側方向傾斜。
如根據圖11可知，於光電轉換基板21(蒸鍍面)之中心(旋轉軸)之位置上，藉由光電轉換基板21之旋轉而獲得結晶成長矢量之動徑成分之平均化效果，動徑方向之成分變為零。另一方面，隨著長度L變大(L>0)，而存在結晶成長矢量之動徑成分變大之傾向。上述傾向表示較大依賴於入射角θ1 。當觀察結果時，若為55°≦θ1 ≦60°，則柱狀結晶之傾斜成為約零，當觀察結晶成長矢量之動徑成分與垂直成分之比率時，若L≦0.3 m，則動徑成分與垂直成分之比限於±3%以內。即便為50°≦θ1 ≦65°，只要L≦0.3 m，則動徑成分與垂直成分之比限於±10%以內。可期待獲得實用上具有非常良好之垂直性之結晶。
如上所述，圖10及圖11係表示設為LO =1 m、R=1.5 m而進行評估之情形之結果。其次，將設為LO =1 m、R=1.5 m而進行評估之情形之結果示於圖12及圖13。
圖12係以曲線圖表示設入射角θ1 為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之垂直成分之相對長度相對於自光電轉換基板21(蒸鍍面)之中心起之長度(動徑)L之變化之圖。圖13係以曲線圖表示設入射角θ1 為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之動徑方向之成分之相對長度相對於自光電轉換基板21(蒸鍍面)之中心起之長度(動徑)L之變化之圖。圖12及圖13中，將長度L為0至0.5 m範圍內作為評估對象。
如圖12及圖13所示，結果顯示與圖10及圖11(R=1.5 m)類似之傾向。但可知距離R變短則結晶成長矢量之垂直成分之均一性相應地下降，從而結晶成長矢量之動徑成分之傾斜變動變大。
然而，即便於此情形時，亦得出與圖10及圖11所示之例相同之結論。當觀察結果時，若為55°≦θ1 ≦60°，則柱狀結晶之傾斜成為約零。當觀察結晶成長矢量之動徑成分與垂直成分之比率時，若為L≦0.3 m，則動徑成分與垂直成分之比限於±6.5%以內。以成為55°≦θ1 ≦60°之方式配置光電轉換基板21，並將入射角θ設定於特定範圍內，藉此可期待結晶垂直性之進而提高。
即便為50°≦θ1 ≦65°，若L≦0.3m，則動徑成分與垂直成分之比限於-13%至+10%之範圍內，可期待獲得垂直性佳之結晶。因此於需要垂直性更佳之閃爍體材之結晶之情形時，更理想的是設為50°≦θ1 ≦65°。
其次，對蒸鍍期間之光電轉換基板21之溫度進行說明。
於一般之蒸鍍中，採用藉由加熱被蒸鍍基板而提高蒸鍍膜之附著力之方法。其目標在於藉由提高入射至被蒸鍍基板之蒸發元素與被蒸鍍基板表面之活性狀態而提高蒸鍍膜之附著力。
且說，光電轉換基板21係於玻璃基板上形成有以a-Si為基材之TFT26或PD27之基板。又，上述之光電轉換基板21之構成之說明中雖省略，但於光電轉換基板21之上層形成有保護層。保護層係確保光電轉換基板21之表面之平滑 化、保護及電絕緣性者。保護層根據其尋求之功能，而由有機膜或有機膜與較薄之無機膜之積層膜形成。
當於光電轉換基板21之表面蒸鍍閃爍體材時，若使光電轉換基板21之溫度上升，則有光電轉換基板21受損，或者螢光體膜22之附著力下降等引起可靠性下降之虞。再者，X射線影像管採用於由鋁形成之基板上蒸鍍閃爍體材之方法及構成，因此無蒸鍍時之基板溫度之問題。
根據以上所述，若考慮TFT26及PD27，進而考慮佈線部之連接部等，則較為理想的是將光電轉換基板21之溫度抑制於200數十℃以內。再者，若考慮有機膜(保護膜)，則較為理想的是將光電轉換基板21之溫度抑制為低於上述溫度。
作為有機膜之材料，根據光學特性或光蝕刻圖案形成功能等要求，尤其多地利用丙烯酸系或聚矽氧系等有機樹脂劑。除上述以外，環氧系樹脂等亦可成為保護膜之材料，但於任一有機樹脂均存在玻璃轉移點，於該玻璃轉移點以上之溫度，開始有機膜之熱膨脹係數之增加或有機膜之軟化。
因此，若蒸鍍時之保護膜(光電轉換基板21)之溫度大幅超過玻璃轉移點，則蒸鍍膜變為穩定。尤其於開始向光電轉換基板21上形成螢光體膜22之蒸鍍初期，對蒸鍍膜之穩定度之影響較大。另一方面，於考慮螢光體膜22(結晶膜)之形成之情形時，較為理想的是蒸鍍中之光電轉換基板21之溫度為更高之溫度。
此處，本案發明者對在蒸鍍期間螢光體膜22相對於光電轉換基板21之溫度之狀態變化進行調查。而且，調查於所形成之螢光體膜22是否有剝離之產生來判斷螢光體膜22之品質。於調查時，於蒸鍍初期、及蒸鍍初期之後改變蒸鍍期間之光電轉換基板21之溫度而進行。此處，所謂蒸鍍期間係開始向光電轉換基板21上形成螢光體膜22之時序。具體言之，藉由打開設置於坩堝32前端部(蒸發口)之擋閘而可設定其時序。將調查結果示於以下表1。
如表1所示，於分別將蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度調整為100℃，將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度調整為125℃時，於所形成之螢光體膜22無剝離之產生，即便經過強制試驗，於螢光體膜22亦無剝離之產生。此處，所謂強制試驗，例如係將環氧樹脂等硬化收縮性樹脂以固定量塗佈於螢光體膜22上，使之局部性地強制承受 由硬化收縮所引起之膜應力之方法。
於分別將蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度調整為125℃，將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度調整為160℃至170℃時，於所形成之螢光體膜22無剝離之產生，即便經過強制試驗，於螢光體膜22亦無剝離之產生。
於分別將蒸鍍初期光電轉換基板21之溫度調整為140℃，將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度調整為170℃至190℃時，於所形成之螢光體膜22無剝離之產生，但經過強制試驗時，於螢光體膜22產生剝離。
於分別將蒸鍍初期光電轉換基板21之溫度調整為150℃至180℃，將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度調整為180℃至195℃時，於所形成之螢光體膜22產生剝離。
關於螢光體膜22向光電轉換基板21之附著穩定性，尤其蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度影響較大。若蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度超過140℃，則推測於形成之螢光體膜22產生剝離之風險大幅增加。因此較為理想的是，蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度抑制於140℃以下。
又，於蒸鍍初期之後，如上所述，即便於125℃之溫度條件下，亦可形成無膜剝離之適當之螢光體膜22。再者，即便於較125℃低之溫度側亦可成膜，但另一方面蒸鍍初期之後的溫度條件與螢光體膜22之結晶成長條件有關，因此亦假定對感度等螢光體膜22之特性之影響。藉此125℃以上為適當之範圍。
因此，於蒸鍍初期之後，較為理想的是使光電轉換基板 21之溫度為125℃至190℃範圍內，藉此可無剝離產生地形成螢光體膜22。如上所述，自螢光體膜22向光電轉換基板21之附著穩定性觀點，判斷蒸鍍期間之光電轉換基板21之溫度之上限值。
另一方面，蒸鍍期間之光電轉換基板21之溫度下限值因特性面而受限制。此處，本案發明者發現X射線檢測面板2之感度特性與蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度有相關性。
於蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度為65℃至85℃之範圍內，雖有各種原因之影響，平均而言感度特性相對於蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度而以約0.6之比率成比例。因此當蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度變低時，X射線檢測面板2之感度特性亦變低。
又，若蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度下降，則結果存在蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度亦下降之傾向。其結果，設想對上述結晶成長帶來影響。又，可確認出上述之感度下降現象。因此若考慮X射線檢測面板2顯現低感度之風險，則較為理想的是蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度為70℃以上。
根據上述之研究結果，本實施形態中，較為理想的是當於光電轉換基板21上蒸鍍閃爍體材時，將蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度控制於70℃至140℃之範圍內，且將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度控制於125℃至190℃範圍內。
又，更理想的是，將蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度控制於70℃至125℃之範圍內，將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度控制於125℃至170℃範圍內。
其次，對於真空腔室31內部產生之熱傳導進行說明。
圖14係表示圖3所示之光電轉換基板21、熱傳導體36、保持機構37及散熱部38之圖，且係說明熱傳導體36之功能之模式圖。如上所述，為形成螢光體膜22而使坩堝32利用大型者，且於坩堝32內投入數kg(例如6 kg)以上之閃爍體材。為高於CsI之熔融溫度而將坩堝32之溫度加熱至約700℃。
由此，如圖3及圖8所示，來自坩堝32之放射(輻射)熱較大，因此強烈加熱位於真空腔室31內之上方之光電轉換基板21。再者，蒸鍍中之蒸發元素將熱能帶入光電轉換基板，因此光電轉換基板21之溫度較大地上升。
因此，以與光電轉換基板21及保持機構37之所有區域對向之方式配置熱傳導體36。此處，使與光電轉換基板21及保持機構37對向之熱傳導體36之面為表面S1，且使與散熱部38對向之熱傳導體36之面為背面S2。藉此，熱傳導體36可於表面S1側吸收來自光電轉換基板21及保持機構37之放射熱，因此可抑制光電轉換基板21之過熱，從而可將光電轉換基板21之溫度控制於上述之適當值。
又，熱傳導體36可自背面S2側向散熱部38發散放射熱。於未驅動散熱部38之加熱器之情形時，散熱部38發揮藉由熱傳導而將熱傳遞至真空腔室31之效果。
對向之兩者間之距離越短越可高效傳遞放射熱。因此本實施形態中，使熱傳導體36介於保持機構37(光電轉換基板21)與散熱部38之間，極力縮短熱傳導體36與保持機構37(光電轉換基板21)間之距離、以及熱傳導體36與散熱部38間之距離。
又，使表面S1與背面S2之放射率分別接近1，且較為理想的是利用熱傳導率較高之材料形成熱傳導體36，藉此可進而抑制光電轉換基板21之過熱。
本實施形態中，對熱傳導體36之表面S1及背面S2分別實施黑化處理。藉此熱傳導體36可確保較高之放射率。其原因在於，與由鋁等形成之金屬光澤面之放射率為數10%相比，實施了黑化處理之表面S1及背面S2之放射率顯示約為95%。可知來自表面S1及背面S2之放射接近完全黑體放射。再者，若亦對保持機構37之表面及散熱部38之表面實施提高放射率之表面處理(黑化處理)則更有效。
根據如上構成之X射線檢測面板之製造方法，於製造放射線面板時，以於光電轉換基板21之中心成為45°≦θ1 ≦70°之方式配置光電轉換基板21。其次，於光電轉換基板21上蒸鍍閃爍體材而形成螢光體膜22。
藉由於光電轉換基板21之中心設為45。≦θ，而可降低真空排氣裝置等之裝置負載，從而可謀求生產率或閃爍體材之利用效率之提高。尤其於大型之X射線檢測面板2之製造中可提高生產率。又，藉由於光電轉換基板21之中心設為θ≦70°，可成為(Dh/Dv)<1，從而可形成更細之柱狀結 晶，因此可有助於X射線檢測面板2之解像度之提高。
利用使壓力為1×10-2 Pa以下之環境下進行之真空蒸鍍法。藉此可降低柱狀結晶變粗之成長，從而可促進向沿著光電轉換基板21之法線之方向之結晶成長。
使光電轉換基板21之旋轉速度為4 rpm以上。藉此MTF值漸增，因此可有助於X射線檢測面板2之解像度之提高。
當於光電轉換基板21上蒸鍍閃爍體材時，將蒸鍍初期之光電轉換基板21之溫度控制於70℃至140℃範圍內，將蒸鍍初期之後的光電轉換基板21之溫度控制於125℃至190℃範圍內。藉此可無剝離產生地形成螢光體膜22，從而可有助於感度特性優良之X射線檢測面板2之形成。
根據上述內容，可獲得能謀求生產率之提高，且能形成有助於X射線檢測面板2之解像度特性之提高之螢光體膜22之X射線檢測面板2之製造方法。又可獲得能形成製造良率高之螢光體膜22之X射線檢測面板2之製造方法。
雖說明了本發明之一實施形態，但實施形態係作為例子而提示者，並未意圖限定發明範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施，於不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變形包含於發明範圍或主旨內，並且包含於技術方案之範圍中所記載之發明及與其均等之範圍內。
例如上述之實施形態中，同時製造2片X射線檢測面板2，但即便於僅製造1片X射線檢測面板2之情形、或同時製造3片X射線檢測面板2之情形時，亦可獲得上述效果。於 同時製造3片X射線檢測面板2之情形時，真空蒸鍍裝置30包括各為3個之熱傳導體36、保持機構37、散熱部38及馬達39。例如3個保持機構37可於以坩堝32之中心軸(鉛直軸)為中心之圓周方向均相差120℃偏移地等間隔配置。
亦可於坩堝32內僅投入CsI。此時，向與坩堝32(大型坩堝)分開準備之坩堝(小型坩堝)內投入TlI，即便同時蒸鍍CsI、TlI亦可獲得上述效果。
熱傳導體36之形狀不限於板狀，可為塊構造等各種變形。熱傳導體36只要形成為對應於光電轉換基板21之配置、保持機構37之形狀、及與散熱部38之位置關係等之形狀即可。上述實施形態中，為提高熱傳導率而利用鋁形成熱傳導體36，但不限於鋁，亦可進行各種變形，亦可利用銅(Cu)等材料形成熱傳導體36。
上述實施形態中，閃爍體材利用以碘化銫(CsI)為主成分之材料，但不限於此，即便於閃爍體材利用其他材料，亦可獲得與上述實施形態類似之效果。
上述技術不限於向X射線檢測面板之製造裝置及製造方法之應用，可應用於各種放射線檢測面板之製造裝置及製造方法。
2‧‧‧X射線檢測面板
3‧‧‧防潮蓋
4‧‧‧支撐基板
5‧‧‧電路基板
6‧‧‧X射線遮蔽用鉛板
7‧‧‧散熱絕緣片
8‧‧‧連接構件
9‧‧‧框體
10‧‧‧可撓性電路基板
11‧‧‧入射窗
21‧‧‧光電轉換基板
22‧‧‧螢光體膜
26‧‧‧薄膜電晶體
27‧‧‧光電二極體
28‧‧‧光檢測部
30‧‧‧真空蒸鍍裝置
31‧‧‧真空腔室
32‧‧‧坩堝
32a‧‧‧蒸發口
33‧‧‧加熱器
34‧‧‧加熱器
35‧‧‧蓋
36‧‧‧熱傳導體
37‧‧‧保持機構
38‧‧‧散熱部
39‧‧‧監視器
S1‧‧‧表面
S2‧‧‧背面
Va1‧‧‧蒸鍍矢量
Va2‧‧‧蒸鍍矢量
Va3‧‧‧蒸鍍矢量
Vb1‧‧‧結晶成長矢量
Vb2‧‧‧結晶成長矢量
Z‧‧‧旋轉軸
圖1係概略性地表示包含使用一實施形態之X射線檢測面板之製造方法製造之X射線檢測面板之X射線平面檢測裝置之剖面圖。
圖2係表示上述X射線平面檢測裝置之一部分之分解立體 圖。
圖3係表示上述一實施形態之真空蒸鍍裝置之概略構成圖。
圖4係以曲線圖表示MTF相對值相對於光電轉換基板之旋轉速度之變化之圖。
圖5係表示上述真空蒸鍍裝置之一部分之模式圖，且係表示坩堝及光電轉換基板之圖。
圖6係表示上述真空蒸鍍裝置之一部分之其他模式圖，且係表示坩堝及光電轉換基板之圖。
圖7係以曲線圖表示設入射角θ1 為40°、45°、50°、60°、70°、75°之情形之成分比(Dh/Dv)相對於比(L/R)之變化之圖。
圖8係表示使座標與圖3及圖5所示之真空腔室、坩堝及光電轉換基板對應之座標系之圖。
圖9係表示圖8所示之座標系之圖，且係表示各瞬間之點P之柱狀結晶成長方向之成分之圖。
圖10係以曲線圖表示特定條件下設入射角為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之垂直成分之相對長度相對於自基板中心起之長度(動徑)之變化之圖。
圖11係以曲線圖表示上述特定條件下設入射角為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之動徑方向之成分之相對長度相對於自基板中心起之長度(動徑)之變化之圖。
圖12係以曲線圖表示上述特定條件下設入射角為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之垂直成分之相對長度相對於自基板中心起之長度(動徑)之變化之圖。
圖13係以曲線圖表示上述特定條件下設入射角為45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°之情形之結晶成長矢量之動徑方向之成分之相對長度相對於自基板中心起之長度(動徑)之變化之圖。
圖14係表示圖3所示之光電轉換基板、熱傳導體、保持機構及散熱部之圖，且係說明熱傳導體之功能之模式圖。
21‧‧‧光電轉換基板
30‧‧‧真空蒸鍍裝置
31‧‧‧真空腔室
32‧‧‧坩堝
32a‧‧‧蒸發口
33‧‧‧加熱器
34‧‧‧加熱器
35‧‧‧蓋
36‧‧‧熱傳導體
37‧‧‧保持機構
38‧‧‧散熱部
39‧‧‧監視器

Claims (19)

  1. 一種放射線檢測面板之製造裝置，其包括：蒸發源，其使閃爍體材蒸發並向鉛直上方放射；保持機構，其位於較上述蒸發源更靠鉛直上方側，以使光電轉換基板之蒸鍍面露出於上述蒸發源且相對於鉛直軸成為傾斜之狀態保持上述光電轉換基板；及熱傳導體，其自上述光電轉換基板朝向並越過上述保持機構而設置，與上述保持機構隔開間隔而對向配置。
  2. 如請求項1之放射線檢測面板之製造裝置，其中進而包括：驅動部，其安裝於上述保持機構，與上述保持機構一同使上述光電轉換基板旋轉。
  3. 如請求項2之放射線檢測面板之製造裝置，其中上述蒸發源具有使上述閃爍體材放射之蒸發口；且當設連結上述蒸發口之中心與上述蒸鍍面之任意點之假想線、與上述蒸鍍面之法線於內側所成之角度為θ時，上述保持機構以於上述蒸鍍面之中心成為45°≦θ≦70°之方式保持上述光電轉換基板；且上述驅動部使上述光電轉換基板以沿著上述蒸鍍面之中心之法線之軸為旋轉軸而與上述保持機構一同旋轉。
  4. 如請求項3之放射線檢測面板之製造裝置，其中上述保持機構以於上述蒸鍍面之中心成為50°≦θ≦65°之方式保持上述光電轉換基板。
  5. 如請求項3之放射線檢測面板之製造裝置，其中進而包 括：真空腔室，其收納上述蒸發源及上述保持機構，且形成為安裝有上述驅動部之矩形箱狀；且上述角度θ係於與上述真空腔室之高度方向及寬度方向平行之平面上規定之角度，上述真空腔室之體積與cosθ大致成比例。
  6. 如請求項1之放射線檢測面板之製造裝置，其中進而包括：另一保持機構，其位於較上述蒸發源更靠鉛直上方側，以使另一光電轉換基板之另一蒸鍍面露出於上述發光源且相對於上述鉛直軸成為傾斜之狀態保持上述另一光電轉換基板；且上述蒸鍍面與上述另一蒸鍍面於內側所成之角度為銳角。
  7. 如請求項6之放射線檢測面板之製造裝置，其中上述蒸發源具有使上述閃爍體材放射之蒸發口；且上述保持機構之位置與上述另一保持機構之位置相對於通過上述蒸發口之上述鉛直軸而對稱。
  8. 如請求項1之放射線檢測面板之製造裝置，其中上述熱傳導體係具有與上述保持機構對向且經實施黑化處理之表面。
  9. 如請求項8之放射線檢測面板之製造裝置，其中上述熱傳導體進而具有經實施黑化處理之背面。
  10. 如請求項8之放射線檢測面板之製造裝置，其中進而包括：溫度調整部，其自上述保持機構朝向並越過上述熱傳導體而設置，通過上述熱傳導體調整上述光電轉換基 板之溫度。
  11. 如請求項10之放射線檢測面板之製造裝置，其中上述溫度調整部於使上述閃爍體材蒸鍍於上述蒸鍍面上時，將蒸鍍初期之上述光電轉換基板之溫度控制於70℃至140℃之範圍內，且將上述蒸鍍初期之後的上述光電轉換基板之溫度控制於125℃至190℃之範圍內。
  12. 一種放射線檢測面板之製造方法，其包括如下步驟於較蒸發源更靠鉛直上方側，以使光電轉換基板之蒸鍍面露出於上述蒸發源且相對於鉛直軸成為傾斜之狀態配置上述光電轉換基板；藉由上述蒸發源而使閃爍體材蒸發並向鉛直上方放射，使上述閃爍體蒸鍍於上述蒸鍍面上而形成螢光體膜；且於使上述閃爍體材蒸鍍於上述蒸鍍面上時，將蒸鍍初期之上述光電轉換基板之溫度控制於70℃至140℃之範圍內，且將上述蒸鍍初期之後的上述光電轉換基板之溫度控制於125℃至190℃之範圍內。
  13. 如請求項12之放射線檢測面板之製造方法，其中於使上述閃爍體材蒸鍍於上述蒸鍍面上時，使上述光電轉換基板旋轉。
  14. 如請求項13之放射線檢測面板之製造方法，其中於配置上述光電轉換基板時，若設上述閃爍體材之入射方向與上述蒸鍍面之法線於內側所成之角度為θ，則以於上述蒸鍍面之中心成為45°≦θ≦70°之方式配置上述光電轉換 基板，於使上述光電轉換基板旋轉時，使上述光電轉換基板以沿著上述蒸鍍面之中心之法線之軸為旋轉軸而旋轉。
  15. 如請求項14之放射線檢測面板之製造方法，其中於配置上述光電轉換基板時，以於上述蒸鍍面之中心成為50°≦θ≦65°之方式配置上述光電轉換基板。
  16. 如請求項13之放射線檢測面板之製造方法，其中利用在維持抽真空而使壓力成為1×10-2 Pa以下之狀態之環境下進行之真空蒸鍍法。
  17. 如請求項13之放射線檢測面板之製造方法，其中於使上述光電轉換基板旋轉時，使上述光電轉換基板之旋轉速度為4rpm以上。
  18. 如請求項12之放射線檢測面板之製造方法，其中將上述蒸鍍初期之上述光電轉換基板之溫度控制於70℃至125℃之範圍內，且將蒸鍍初期之後的上述光電轉換基板之溫度控制於125℃至170℃範圍內。
  19. 如請求項12之放射線檢測面板之製造方法，其中於上述閃爍體材使用以碘化銫(CsI)為主成分之材料。
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