KR20160110535A - 방사선 검출 패널의 제조장치 및 방사선 검출 패널의 제조방법 - Google Patents

방사선 검출 패널의 제조장치 및 방사선 검출 패널의 제조방법 Download PDF

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Abstract

방사선 검출 패널의 제조방법은, 증발원으로부터 연직 상방측에서, 광전변환기판(21)의 증착면이 증발원에 노출되고 연직축에 대하여 비스듬한 상태로 광전변환기판을 배치한다. 증발원에 의해 신틸레이터재를 증발시켜 연직 상방을 향하여 방사하며, 상기 증착면상에 신틸레이터재를 증착시켜 형광체막을 형성한다.

Description

방사선 검출 패널의 제조장치 및 방사선 검출 패널의 제조방법{DEVICE FOR PRODUCING RADIATION DETECTION PANEL AND METHOD FOR PRODUCING RADIATION DETECTION PANEL}
본 발명은 방사선 검출 패널의 제조장치 및 방사선 검출 패널의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 방사선 검출 패널로서 X선 검출 패널이 실용화되어 오고 있다. X선 검출 패널은 X선(방사선)을 광으로 변환하는 형광체막과, 그 광을 전기신호로 변환하는 광전변환소자를 포함하고 있다. 이와 같은 X선 검출 패널은 종래의 X선 이미지관에 비하여 X선 평면검출장치의 전체적인 소형 경량화에 공헌할 수 있다. X선 평면검출장치는 검사대상물을 투과한 X선에서 얻어지는 화상정보를 디지털 전기정보로 변환한다. X선 평면검출장치는 디지털 화상처리나 디지털 화상보존 등, 디지털 정보처리의 많은 편리성을 누릴 수 있다.
상기 X선 평면검출장치는 환자의 진단이나 치료에 사용되는 의료용이나 치과용, 비파괴 검사 등의 공업용, 구조 해석 등의 과학연구용 등, 넓은 분야에서 사용되고 있다. 각각의 분야에서 디지털 정보처리에 의한 고정밀 화상 추출, 고속도 화상검출이 가능해짐으로써, 원하지 않는 X선(방사선) 피폭량의 감소나 신속한 검사, 신속한 진단 등의 효과를 기대할 수 있다.
X선 평면검출장치의 형광체막에는 신틸레이터재의 기술을 전용하는 경우가 많다. 신틸레이터재는 종래의 X선 이미지관에서 사용되고 있는 세슘(Cs) 및 요오드(I)를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다. 요오드화 세슘(이하 CsI)을 주성분으로 하여 기둥 형상 결정을 이루는 상기 신틸레이터재는 다른 입자형상 결정을 이루는 신틸레이터재에 비교하여 광가이드 효과에 의한 감도와 해상도의 향상을 도모할 수 있다.
X선 평면검출장치의 감도가 높은 상태를 확보하기 위해서는 X선으로부터 변환되는 광(형광)의 양을 충분히 얻을 필요가 있고, 형광체막은 어느 정도의 두께를 가질 필요가 있다. CsI를 주성분으로 한 신틸레이터재를 사용하는 경우, 형광체막의 두께를 500㎛ 정도로 하는 경우가 많다.
한편, 형광체막은 막두께의 증가에 따라 화상의 해상도를 저하시키는 경향이 있다. 형광체막이 고감도와 고해상도를 달성하기 위해서는 신틸레이터재의 기둥형상 결정을 보다 가늘고 또한 두께 방향으로 보다 일정하게 형성할 수 있는 증착방법이 바람직하다.
또한, 신틸레이터재의 성막방법에 관해서는 종래의 X선 이미지관의 제조방법이나 X선 평면검출장치의 제조방법 등에서 개시되어 있다. 또한, 유사한 제조방법으로서는 휘진성 형광체를 사용한 방사선 상(像)변환 패널의 제조방법이 알려져 있다.
또한, 광전변환기판의 표면에 신틸레이터재를 증착시키는 제조장치는 진공 챔버와, 진공 챔버 내에 배치된 도가니를 구비하고 있다. 신틸레이터재를 증착시킬 때, 진공챔버 내에서 도가니의 상방에 광전변환기판을 수평으로 배치한다. 그 후, 도가니에서 신틸레이터재를 가열하여 증발시킨다. 이에 의해, 증발된 신틸레이터재는 광전변환기판의 표면에 증착된다. 또한, 광전변환기판을 수평면 내에서 회전시키면서, 신틸레이터재를 광전변환기판의 표면에 증착시키는 경우도 있다.
일본 공개특허공보 평10-40840호 일본 공개특허공보 제2003-262673호 일본 공개특허공보 제2005-164534호 일본 공개특허공보 제2009-236705호
그런데, 신틸레이터재의 증착을 실시하는 X선 검출 패널을 제조하기 위한 장치 및 방법에서는 생산성의 향상이나, 형성된 형광체막의 해상도 특성을 고려할 필요가 있다. 그러나, 일반적으로 개시되어 있는 증착방법은 상술한 과제를 해결하는 수단으로서는 불충분하다.
본 발명은 이상의 점을 감안하여 이루어진 것으로 그 목적은 생산성의 향상을 도모할 수 있고, 해상도 특성이 양호한 방사선 검출 패널을 형성할 수 있는 방사선 검출 패널의 제조장치 및 방사선 검출 패널의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
일 실시형태에 관한 방사선 검출 패널의 제조장치는, 신틸레이터재를 증발시켜 연직 상방을 향하여 방사시키는 증발원과, 상기 증발원으로부터 연직 상방측에 위치하고, 광전변환기판의 증착면이 상기 증발원에 노출되고 연직축에 대하여 비스듬해지는 상태로 상기 광전변환기판을 유지하는 유지기구를 구비한다.
또한, 일 실시형태에 관한 방사선 검출 패널의 제조장치는, 신틸레이터재를 증발시켜 방사시키는 증발원과, 상기 증발원으로부터 방사되는 상기 신틸레이터재가 광전변환기판의 증착면 상에 증착되도록 상기 광전변환기판을 유지하는 유지기구와, 상기 광전변환기판의 맞은편에 상기 유지기구를 넘어 위치하고 상기 유지기구에 간격을 두고 배향 배치되며, 상기 유지기구에 대향하여 흑색화 처리가 실시된 표면을 갖는 열전도체를 구비한다.
또한, 일 실시형태에 관한 방사선 검출 패널의 제조방법은, 증발원으로부터 연직 상방측에, 광전변환기판의 증착면이 상기 증발원에 노출되고 연직축에 대하여 비스듬해지는 상태로 상기 광전변환기판을 배치하고, 상기 증발원에 의해 신틸레이터재를 증발시켜 연직 상방을 향하여 방사하며, 상기 증착면상에 상기 신틸레이터재를 증착시켜 형광체막을 형성한다.
또한, 일 실시형태에 관한 방사선 검출 패널의 제조방법은, 광전변환기판의 증착면상에 신틸레이터재를 증착시켜 형광체막을 형성하며, 상기 증착면 상에 상기 신틸레이터재를 증착시킬 때, 증착 초기의 상기 광전변환기판의 온도를 70℃ 내지 140℃의 범위 내로 제어하고, 상기 증착 초기 이후의 상기 광전변환기판의 온도를 125℃ 내지 190℃의 범위 내로 제어한다.
도 1은 일 실시형태에 관한 X선 검출 패널의 제조방법을 사용하여 제조된 X선 검출 패널을 포함하는 X선 평면검출장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 상기 X선 평면검출장치의 일부를 도시한 분해사시도이다.
도 3은 상기 일 실시형태에 관한 진공증착장치를 도시한 개략 구성도이다.
도 4는 광전변환기판의 회전속도에 대한 MTF 상대값의 변화를 그래프로 도시한 도면이다.
도 5는 상기 진공증착장치의 일부를 도시한 모식도로, 도가니 및 광전변환기판을 도시한 도면이다.
도 6은 상기 진공증착장치의 일부를 도시한 다른 모식도로, 도가니 및 광전변환기판을 도시한 도면이다.
도 7은 입사각(θ1)을 40°, 45°, 50°, 60°, 70°, 75°로 한 경우의 비(L/R)에 대한 성분비(Dh/Dv)의 변화를 그래프로 도시한 도면이다.
도 8은 도 3 및 도 5에 도시한 진공챔버, 도가니 및 광전변환기판에 좌표를 대응시킨 좌표계를 도시한 도면이다.
도 9는 도 8에 도시한 좌표계를 도시한 도면으로, 각 순간에서의 점(P)의 기둥형상 결정의 성장방향의 성분을 도시한 도면이다.
도 10은 소정 조건에서 입사각을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 기판중심으로부터의 길이(동경(動徑))에 대한 결정성장벡터의 수직성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다.
도 11은 상기 소정 조건에서 입사각을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 기판 중심으로부터의 길이(동경)에 대한 결정성장벡터의 동경방향의 성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다.
도 12는 다른 소정 조건에서 입사각을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 기판중심으로부터의 길이(동경)에 대한 결정성장벡터의 수직성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시하는 도면이다.
도 13은 다른 소정 조건에서 입사각을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 기판 중심으로부터의 길이(동경)에 대한 결정성장벡터의 동경방향의 성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다.
도 14는 도 3에 도시한 광전변환기판, 열전도체, 유지기구 및 방열부를 도시한 도면으로, 열전도체의 기능을 설명하는 모식도이다.
이하, 도면을 참조하면서 일 실시형태에 관한 X선 검출 패널의 제조장치 및 X선 검출 패널의 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다. 처음에, 상기 X선 검출 패널의 제조방법을 사용하여 제조된 X선 검출 패널의 구성에 대해서 설명한다. 여기에서는 X선 검출 패널을 이용하는 X선 평면검출장치의 전체적인 구성에 대해서도 설명한다.
도 1은 X선 평면검출장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, X선 평면검출장치는 대형의 X선 평면검출장치이다. X선 평면검출장치는 X선 검출 패널(2), 방습커버(3), 지지기판(4), 회로기판(5), X선 차폐용 납 플레이트(6), 방열 절연 시트(7), 접속부재(8), 하우징(9), 플렉시블 회로기판(10), 및 입사창(11)을 구비하고 있다.
도 2는 X선 평면검출장치의 일부를 도시한 분해사시도이다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, X선 검출 패널(2)은 광전변환기판(21)과, 형광체막(22)을 구비하고 있다. 광전변환기판(21)은 0.7㎜ 두께의 유리기판과, 유리기판상에 2차원적으로 형성된 복수의 광검출부(28)를 구비하고 있다. 광검출부(28)는 스위칭 소자로서의 TFT(박막 트랜지스터)(26) 및 포토센서로서의 PD(포토다이오드)(27)를 구비하고 있다. TFT(26) 및 PD(27)는 예를 들어 a-Si(아몰퍼스 실리콘)을 기재로 하여 형성되어 있다. 광전변환기판(21)의 평면을 따른 방향의 사이즈는 예를 들어 정방형이고, 한 변이 50㎝이다. 또한, 대형의 X선 평면검출장치에 있어서, 광전변환기판(21)의 한 변의 길이는 예를 들어 13 내지 17인치이다.
형광체막(22)은 광전변환기판(21)상에 직접 형성되어 있다. 형광체막(22)은 광전변환기판(21)의 X선의 입사측에 위치하고 있다. 형광체막(22)은 X선을 광(형광)으로 변환하는 것이다. 또한, PD(27)는 형광체막(22)에서 변환된 광을 전기신호로 변환하는 것이다.
형광체막(22)은 광전변환기판(21) 상에 신틸레이터재를 증착시킴으로써 형성되어 있다. 신틸레이터재로서는 요오드화 세슘(CsI)을 주성분으로 하는 재료를 사용할 수 있다. 형광체막(22)의 두께는 100 내지 1000㎛의 범위 내로 설정되어 있다. 보다 적절하게는 감도와 해상도를 평가하여 형광체막(22)의 두께는 200 내지 600㎛의 범위 내로 설정되어 있다.
상기 실시형태에서 형광체막(22)의 두께는 500㎛로 조정되어 있다. 신틸레이터재로서는 주성분인 CsI에 탈륨(Tl) 또는 요오드화 탈륨(TlI)을 첨가한 재료를 사용하고 있다. 이에 의해, 형광체막(22)은 X선이 입사됨으로써 적절한 파장의 광(형광)을 방출할 수 있다.
예를 들어, 첨가하는 요오드화 탈륨(TlI)은 수 % 내지 그 이하이고, 따라서 신틸레이터재 중의 요오드화 세슘(CsI) 농도 비율은 95% 이상을 차지하면 바람직하다.
도 1에 도시한 바와 같이, 방습커버(3)는 형광체막(22)을 완전히 덮고, 형광체막(22)에 밀착되어 있다. 방습커버(3)는 예를 들어 알루미늄 합금으로 형성되어 있다. 방습커버(3)의 두께가 커지면, 형광체막(22)에 입사되는 X선량이 감쇠하고, X선 검출 패널(2)의 감도의 저하를 초래한다. 이 때문에, 방습커버(3)의 두께는 가능한 작게 하는 편이 바람직하다. 방습커버(3)의 두께를 설정하는 데에 있어서는 각종 파라미터(방습커버(3)의 형상의 안정성, 제조에 견디는 강도, 형광체막(22)에 입사되는 X선의 감쇠량)의 밸런스를 고려하고 있다. 방습커버(3)의 두께는 50 내지 500㎛의 범위 내로 설정되어 있다. 이 실시형태에서 방습커버(3)의 두께는 200㎛로 조정되어 있다.
광전변환기판(21)의 외주부에는 외부와 접속하기 위한 복수의 패드가 형성되어 있다. 복수의 패드는 광전변환기판(21)의 구동을 위한 전기신호의 입력 및 출력신호의 출력에 사용된다.
상기 X선 검출 패널(2) 및 방습커버(3)의 집합체는 얇은 부재를 적층하여 구성되어 있으므로, 상기 집합체는 가볍고 강도가 낮은 것이다. 이를 위해 X선 검출 패널(2)은 점착시트를 통하여 지지기판(4)의 평탄한 한 면에 고정되어 있다. 지지기판(4)은 예를 들어 알루미늄 합금으로 형성되고, X선 검출 패널(2)을 안정적으로 유지하기 위해 필요한 강도를 갖고 있다.
지지기판(4)의 타 면에는 납 플레이트(6)와 방열절연시트(7)를 통하여 회로기판(5)이 고정되어 있다. 회로기판(5)은 나사 등으로 지지기판(4)에 고정되어 있다. 회로기판(5) 및 X선 검출 패널(2)은 플렉시블 회로기판(10)을 통하여 접속되어 있다. 플렉시블 회로기판(10)과 광전변환기판(21)의 접속에는 ACF(비등방성 도전필름)을 이용한 열압착법이 사용된다. 이 방법에 의해 복수의 미세한 신호선의 전기적 접속이 확보된다. 회로기판(5)에는 플렉시블 회로기판(10)에 대응하는 커넥터가 실장되어 있다. 회로기판(5)은 상기 커넥터 등을 통하여 X선 검출 패널(2)에 전기적으로 접속되어 있다. 회로기판(5)은 X선 검출 패널(2)을 전기적으로 구동하고, 또한 X선 검출 패널(2)로부터의 출력신호를 전기적으로 처리하는 것이다.
하우징(9)은 X선 검출 패널(2), 방습커버(3), 지지기판(4), 회로기판(5), 납플레이트(6), 방열절연시트(7), 접속부재(8)를 수용하고 있다. 하우징(9)은 X선 검출 패널(2)과 대향한 위치에 형성된 개구를 갖고 있다. 접속부재(8)는 하우징(9)에 고정되어 지지기판(4)을 지지하고 있다.
입사창(11)은 하우징(9)의 개구에 부착되어 있다. 입사창(11)은 하우징(9)의 개구를 밀폐하고 있다. 입사창(11)은 X선을 투과하므로, X선은 입사창(11)을 투과하여 X선 검출 패널(2)에 입사된다. 입사창(11)은 판형상으로 형성되고, 하우징(9) 내부를 보호하는 기능을 갖고 있다. 입사창(11)은 X선 흡수율이 낮은 재료로 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 입사창(11)에서 발생하는 X선의 산란과 X선량의 감쇠를 감소시킬 수 있다. 그리고, 얇고 가벼운 X선 검출장치를 실현할 수 있다. X선 검출장치는 상기와 같이 형성되어 있다.
다음에, X선 검출 패널(2)의 제조장치에 이용하는 진공증착장치에 대해서 설명한다.
도 3은 진공증착장치(30)를 도시한 개략 구성도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 진공증착장치(30)는 진공챔버(31), 신틸레이터재를 가열 용융하여 증발시키는 증발원으로서의 도가니(32), 히터(33, 34), 커버(35), 열전도체(36), 유지기구(37), 온도조정부로서의 방열부(38) 및 모터(39)를 구비하고 있다.
진공챔버(31)는 폭방향(수평방향)에 비하여 높이 방향(수직방향, 연직방향)으로 큰 상자 형상으로 형성되어 있다. 진공챔버(31)에는 도시하지 않은 진공배기장치(진공펌프)가 부착되고, 진공배기장치는 진공챔버(31) 내를 대기압 이하의 압력으로 유지할 수 있다. 진공증착장치(30)는 압력을 대기압 이하의 원하는 값으로 설정한 환경하에서 실시하는 진공증착법을 이용하고 있다.
도가니(32)는 진공챔버(31) 내의 하방에 배치되어 있다. 도가니(32) 내에는 주성분인 CsI에 TlI가 첨가된 신틸레이터재가 투입된다. 예를 들어, 요오드화 세슘(CsI)의 농도비율이 95% 이상의 신틸레이터재를 이용할 수 있다. 그 밖에는 요오드화 세슘(CsI)의 농도 100%의 신틸레이터재를 투입하고, 소량의 요오드화 탈륨(TlI)을 별도의 작은 도가니로부터 증발시키는 방법도 있다. 후자의 경우에도 기둥형상 결정의 구조는 요오드화 세슘(CsI)에 의해 결정되므로, 진공챔버(31) 내의 도가니(32)의 배치에 관한 작용효과의 설명은 동일하다.
도가니(32)의 중앙의 선단부는 통형상(굴뚝형상)으로 형성되고, 진공챔버(31)의 높이 방향으로 연장되어 있다. 도가니(32)의 선단에 위치하는 증발구(32a)는 진공챔버(31)의 상방을 향하여 개구하고 있다. 신틸레이터재는 증발구(32a)의 중심을 통과하는 연직축을 중심으로 연직 상방으로 방사된다.
히터(33)는 도가니(32)의 주위에 설치되어 있다. 히터(33)는 도가니(32)를 가열하여 도가니(32)의 온도가 신틸레이터재의 융점 이상이 되도록 조정되어 있다. 여기에서는 히터(33)는 도가니(32)를 약 700℃로 가열하고 있다. 또한, 도가니(32)의 온도는 도시하지 않은 온도계로 계측할 수 있고, 도가니(32) 온도의 모니터링과, 히터(33)의 구동은 도시하지 않은 히터 구동부에서 실시할 수 있다.
상기와 같이 도가니(32)가 가열됨으로써 신틸레이터재의 증발원소가 도가니(32)의 증발구(32a)를 통과하여 진공챔버(31)의 상방에 방사된다. 또한, 도가니(32)의 선단부는 통형상으로 형성되어 있으므로, 지향성이 높은 신틸레이터재의 방사를 실시할 수 있다. 상기의 측면에서 광전변환기판(21)이 위치하는 방향으로 집중하여 신틸레이터재의 방사를 실시할 수 있다. 또한, 도가니(32)의 선단부의 길이를 조정함으로써 신틸레이터재의 방사의 지향성을 조정할 수 있다.
상기 실시형태에서 대형의 X선 검출 패널(2)을 제조하기 위해, 광전변환기판(21)에는 다량(예를 들어 400g)의 신틸레이터재를 증착할 필요가 있다. 이 때문에, 도가니(32)에는 대형의 것을 이용하고, 도가니(32) 내에는 수 ㎏(예를 들어 6㎏) 이상의 신틸레이터재가 투입되어 있다.
히터(34)는 도가니(32)의 선단부의 주위에 설치되고, 도가니(32)의 선단부를 가열하고 있다. 이에 의해, 도가니(32)의 선단부가 폐색되는 것을 방지할 수 있다.
커버(35)는 도가니(32) 및 히터(33, 34)를 덮고 있다. 커버(35)는 도가니(32) 및 히터(33, 34)로부터의 열전도의 확산을 억제한다. 커버(35)에는 냉각액(예를 들어 물)이 흐르는 냉각로가 형성되어 있다.
열전도체(36)는 진공챔버(31) 내의 상방에 위치하고, 진공챔버(31)에 고정되어 있다. 열전도체(36)는 예를 들어 두께 3㎜의 판형상으로 형성되어 있다. 열전도체(36)를 형성하는 재료로서는, 예를 들어 알루미늄을 이용할 수 있다. 열전도체(36)는 열전도에 의해 방열부(38)의 열을 광전변환기판(21) 및 유지기구(37)에 전달하거나, 광전변환기판(21) 및 유지기구(37)의 열을 방열부(38)에 전달하는 기능을 갖고 있다. 또한, 열전도체(36)는 방열부(38)등에의 신틸레이터재의 부착을 방호하는 기능도 갖고 있다.
유지기구(37)는 열전도체(36)에 대향하여, 열전도체(36)보다 진공챔버(31)의 중심측에 위치하고 있다. 유지기구(37)는 광전변환기판(21)의 증착면을 노출시킨 상태에서 광전변환기판(21)을 유지한다. 광전변환기판(21)은 증착면이 진공챔버(31)의 높이 방향에 대하여 예각을 이루도록 기울어진 상태로 유지되어 있다.
방열부(38)는 열전도체(36)에 대향하여 열전도체(36)보다 진공챔버(31)의 측벽측에 위치하고 있다. 방열부(38)는 진공챔버(31)에 접속되어, 방열부(38)에 발생하는 열은 진공챔버(31)에 전달 가능하다. 상세하게는 도시하지 않지만, 방열부(38)는 열전도체 및 히터의 집합체이다. 방열부(38)의 히터는 광전변환기판(21)을 가열하는 것이다. 또한, 광전변환기판(21)의 온도는 도시하지 않은 온도계로 계측할 수 있고, 광전변환기판(21)의 온도의 모니터링과, 방열부(38)의 히터의 구동은 도시하지 않은 히터 구동부에서 실시할 수 있다.
방열부(38)의 히터가 발생하는 열은 열전도에 의해 열전도체(36)를 통하여 광전변환기판(21)에 전달된다. 방열부(38)의 히터가 발생하는 열은 방열부(38)의 열전도체나 유지기구(37)를 추가로 개재하여 광전변환기구(21)에 전달되어도 좋다.
한편, 광전변환기판(21)에 발생하는 열은 열전도에 의해 열전도체(36)를 통하여 방열부(38)의 열전도체에 전달된다. 광전변환기판(21)에 발생하는 열은 유지기구(38)를 추가로 개재하여 방열부(38)의 열전도체에 전달되어도 좋다. 방열부(38)의 열전도체에 전달된 열은 진공챔버(31)에 전달된다.
모터(39)는 진공챔버(31)에 기밀하게 부착되어 있다. 모터(39)의 샤프트는 방열부(38)에 형성된 관통구 및 열전도체(36)에 형성된 관통구를 통하여 위치하고 있다. 또한, 유지기구(37)는 모터(39)의 샤프트에 부착되고 샤프트에 착탈 가능하다. 광전변환기판(21)의 중심은 모터(39)의 샤프트에 대향하고 있다. 그리고, 모터(39)를 가동시킴으로써 유지기구(37)가 회전한다. 그러면, 광전변환기판(21)은 광전변환기판(21)의 중심의 법선을 따른 축을 회전축으로 하여 회전한다.
이 실시형태에서 진공증착장치(30)는 열전도체(36), 유지기구(37), 방열부(38) 및 모터(39)를 2개씩 구비하고 있다. 이 때문에, 진공증착장치(30)는 2매의 광전변환기판(21)에 동시에 형광체막(22)을 형성할 수 있다. 한쪽의 유지기구(37)의 위치와 다른쪽 유지기구(37)의 위치는 증발구(32a)를 통과하는 연직축에 대하여 대칭이다. 광전변환기판(21)의 증착면끼리 서로 마주 향하도록 2대의 유지기구(37)는 각각 비스듬히 배치되어 있다. 한쪽의 광전변환기판(21)의 증착면과 다른쪽 광전변환기판(21)의 증착면의 내측에 이루는 각도 α는 예각이다. 상기와 같이 진공증착장치(30)가 형성되어 있다.
도가니(32)의 증발구로부터 방사되는 신틸레이터재의 증발원소는 진공챔버(31)의 상방에 위치한 광전변환기판(21)에 증착된다. 그 때, 신틸레이터재의 증발원소는 광전변환기판(21)에 비스듬한 방향으로부터 입사된다. 여기에서 광전변환기판(21)으로의 신틸레이터재의 입사각을 θ로 한다. 입사각(θ)은 광전변환기판(21)의 법선과 신틸레이터재의 입사방향(증발구(32a)의 중심과 광전변환기판(21) 증착면의 임의의 점을 연결하는 가상선)이 내측에 이루는 각이다.
상기 실시형태에서는 광전변환기판(21)의 중심에서 θ=60°이다. 광전변환기판(21)의 최상부(진공챔버(31)의 천정벽측의 광전변환기판(21)의 단부)에서 =70°이다. 광전변환기판(21)의 최하부(도가니(32)측의 광전변환기판(21)의 단부)에서 θ=45°이다.
상기 진공증착장치(30)는 θ=0°가 되는 진공증착장치에 비하여 진공챔버(31)의 체적을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 진공배기장치 등의 장치 부하를 감소시킬 수 있다. 또한, 진공 형성에 소요되는 시간을 단축시키므로 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 상기 진공증착장치(30)에서는 신틸레이터재의 이용 효율을 대폭 향상시킬 수 있다.
다음에, X선 검출 패널(2)의 제조방법으로서 진공증착장치(30)를 사용한 형광체막(22)의 제조방법에 대해서 설명한다.
형광체막(22)의 제조가 개시되면 우선 진공증착장치(30)와, 광검출부(28)를 포함하는 광전변환기판(21)을 준비한다. 계속해서, 광전변환기판(21)을 유지기구(37)에 부착한다. 그 후, 광전변환기판(21)이 부착된 유지기구(37)를 진공챔버(31) 내에 반입하고 모터(39)의 샤프트에 부착한다.
이어서, 진공챔버(31)를 밀폐하고, 진공배기장치를 사용하여 진공챔버(31) 내를 진공으로 형성한다. 계속해서, 모터(39)를 가동시켜 광전변환기판(21)을 회전시킨다. 또한, 모터(39)의 가동을 개시하는 타이밍은 특별히 한정되는 것은 아니고 여러가지 변경 가능하다. 예를 들어, 도가니(32) 온도의 모니터링 결과에 기초하여 모터(39)의 가동을 개시하는 타이밍을 조정해도 좋다.
이어서, 모터(33, 34)를 사용한 도가니(32)의 가열과, 커버(35)에 형성된 냉각로에서의 냉각액의 순환을 개시한다. 그 후, 도가니(32) 내의 신틸레이터재가 증발함으로써, 광전변환기판(21)상에 신틸레이터재가 증착한다. 또한, 광전변환기판(21)상에 증착하는 신틸레이터재는 열을 갖고 있으므로, 증착기간에서 광전변환기판(21)은 가열된다. 상기와 같이, 광전변환기판(21)상에 신틸레이터재를 증착함으로써 광전변환기판(21)상에 형광체막(22)(도 2)이 형성된다. 이에 의해, 형광체막(22)의 제조가 종료된다.
다음에, 진공챔버(31) 내의 압력에 대해서 설명한다.
광전변환기판(21) 상에 입사된 신틸레이터재의 증발원소는 광전변환기판(21)상에 결정을 형성한다. 증착 초기의 단계에서 광전변환기판(21) 상에 형성되는 것은 미소한 결정입자이지만, 증착을 계속하면 이윽고 결정입자가 기둥형상 결정이 되어 성장한다. 기둥형상 결정의 성장방향은 증발원소의 입사방향의 반대이다. 따라서, 증발원소가 광전변환기판(21)에 비스듬히 입사하는 경우, 기둥형상 결정은 그 비스듬한 방향으로 성장하게 된다.
이와 같은 기둥형상 결정의 성장을 억제하고, 광전변환기판(21)의 법선을 따른 방향으로 기둥형상 결정을 성장시키기 위해, 이전에는 증착 중의 진공챔버(31) 내에 아르곤(Ar) 가스 등의 불활성 가스를 도입하고, 진공챔버(31) 내의 압력을 1×10-2 내지 1Pa 정도로 상승시키고 있었다. 증발원소는 상기 불활성 가스의 존재에 의해 비약하여, 광전변환기판(21)에 여러 방향으로부터 입사된다. 그 결과, 기둥형상 결정의 성장방향은 광전변환기판(21)의 법선에 따른 방향이 된다.
그러나, 불활성 가스의 도입에 의해 진공챔버(31) 내의 압력을 높인 경우, 광전변환기판(21)으로의 증발원소의 입사방향은 전방향에 걸치므로, 기둥형상 결정의 성장은 기둥형상 결정이 굵어지는 방향으로도 촉진된다. 결과적으로는 기둥형상 결정이 굵어지고, X선 검출 패널(2)의 해상도가 저하된다. 이 문제를 극복하기 위해, 본 실시형태에서는 광전변환기판(21)상에 신틸레이터재를 증착시킬 때, 불활성 가스의 도입없이 실시하고 있다. 그리고, 진공을 형성하여 압력이 1×10-2Pa 이하가 되는 상태를 유지한 환경하에서 실시하는 진공증착법을 이용하고 있다. 이에 의해, 기둥형상 결정이 굵어지는 성장을 감소시킬 수 있고, 광전변환기판(21)의 법선에 따른 방향으로의 결정성장을 촉진시킬 수 있다.
다음에, 광전변환기판(21)의 회전속도에 대해서 설명한다.
광전변환기판(21)으로의 증발원소의 입사방향을 평균화하기 위해, 광전변환기판(21)상에 신틸레이터재를 증착시킬 때, 광전변환기판(21)을 회전시키고 있다. 이에 의해, 형광체막(22)의 두께를 광전변환기판(21) 전면에 걸쳐 일정하게 할 수 있다.
또한, 결정성장벡터의 방향을 평균화할 수 있고, 종합적으로 광전변환기판(21)의 법선을 따른 방향으로 기둥형상 결정을 성장시킬 수 있다. 여기에서, 결정성장벡터의 방향은 기둥형상 결정의 성장방향이다. 그 결과, 보다 가는 기둥형상 결정을 형성할 수 있으므로, X선 검출 패널(2)의 해상도의 향상을 도모할 수 있다.
상기 결정성장벡터의 방향의 평균화에는 광전변환기판(21)의 회전속도가 주요한 요소가 된다. 여기에서, 본원 발명자는 광전변환기판(21)의 회전속도에 대한 MTF(modulation transfer function) 값에 대해서 조사했다. 조사결과를 도 4에 도시한다. 도 4는 광전변환기판(21)의 회전속도에 대한 MTF 상대값의 변화를 그래프로 도시한 도면이다. 도 4에는 광전변환기판(21)의 회전속도를 2rpm, 4rpm, 6rpm으로 한 경우의 광전변환기판(21)의 주변부에서의 MTF 값과, 광전변환기판(21)의 회전속도를 2rpm, 6rpm, 10rpm으로 한 경우의 광전변환기판(21)의 중심부에서의 MTF 값을 도시했다.
도 4에 도시한 바와 같이 광전변환기판(21)의 회전속도를 10rpm으로 한 경우의 광전변환기판(21)의 주변부에서의 MTF 값과, 광전변환기판(21)의 회전속도를 4rpm으로 한 경우의 광전변환기판(21)의 중심부에서의 MTF 값은 도시되어 있지 않다. 그러나, 광전변환기판(21)의 회전속도를 바꾸어도, 광전변환기판(21)의 주변부에서의 MTF 값과, 광전변환기판(21)의 중심부에서의 MTF 값은 거의 동일하게 추이하는 것을 알 수 있다. 또한, 광전변환기판(21)의 회전속도가 4rpm 미만이 되면, MTF 값이 급저하되는 것을 알 수 있다.
한편, 광전변환기판(21)의 회전속도가 4rpm 이상에서는 MTF 값이 약간 증가하는 것을 알 수 있다. 따라서, 광전변환기판(21)을 회전시킬 때, 광전변환기판(21)의 회전속도를 4rpm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 증착 중에는 광전변환기판(21)의 회전속도를 일정하게 유지하면 보다 바람직하다.
다음에, 광전변환기판(21)의 중심에서의 입사각(θ)의 하한에 대해서 설명한다.
본 실시형태에서는 광전변환기판(21)의 중심에서 θ=60°가 되도록 진공증착장치(30)를 형성한 경우에 대해서 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니고 여러 가지 변형 가능하다. 진공증착장치(30)는 광전변환기판(21)의 중심에서 θ＜60°가 되도록 형성되어 있어도 좋다. 그러나, 입사각(θ)이 0°에 가까워질수록, 광전변환기판(21)의 증착면은 진공챔버(31)의 저벽을 향하므로, 진공챔버(31)의 폭이 넓어지고, 그 결과 진공챔버(31)의 체적이 증가하게 된다. 상기의 것은 광전변환기판(21)이 대형인 경우에 현저하다.
또한, 진공챔버(31)의 체적압축률은 sinθ(입사각(θ)의 sin)에 거의 비례하는 것이다. 다시 말하면, 진공챔버(31)의 체적은 cosθ에 거의 비례한다. 이 때문에, 0°≤θ≤ 45°의 범위 내에서는 진공챔버(31)의 체적압축률은 비교적 완만하지만, 한편에서 θ=45°인 경우에, 진공챔버(31)의 체적압축률은 겨우 70% 정도가 된다. 45°＜ θ인 경우에는 θ=45°인 경우에 비하여 체적압축률이 보다 변화되고, 진공챔버(31)의 체적압축률이 보다 높아진다. 이에 의해, 진공챔버(31)의 체적의 보다 효율적인 삭감 효과를 얻을 수 있다.
이 때문에, 진공배기장치 등의 장치 부하, 생산성, 신틸레이터재의 이용효율을 고려하면, 진공증착장치(30)를, 광전변환기판(21)의 중심에서 45°≤ θ가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
다음에, 광전변환기판(21)의 중심에서의 입사각(θ)의 상한에 대해서 설명한다.
도 5는 상기 진공증착장치(30)의 일부를 도시한 모식도이고, 도가니(32) 및 광전변환기판(21)을 도시한 도면이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 광전변환기판(21)의 증착면의 중심에서의 입사각(θ)을, 여기에서는 θ1으로 한다. 도가니(32)의 증발구(32a)로부터 광전변환기판(21)(증착면)의 중심까지의 거리(직선거리)를 R로 한다. 광전변환기판(21)의 평면을 따른 방향에서, 광전변환기판(21)(증착면)의 중심으로부터의 길이를 L로 한다.
완전한 진공상태에서는 증발원소의 입사방향의 반대측으로 결정 성장한다. 증착 중에 광전변환기판(21)은 회전하므로, 증착 벡터(Va)(Va1, Va2, Va3)의 적산(積算)결과로부터 광전변환기판(21)의 각각의 부분의 기둥형상 결정의 성장방향이 결정된다. 여기에서, 증착벡터의 방향은 증발원소의 입사방향이다.
도 6은 상기 진공증착장치(30)의 일부를 도시한 다른 모식도이고, 도가니(32) 및 광전변환기판(21)을 도시한 도면이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 광전변환기판(21)의 최상부에서는 결정성장벡터는 광전변환기판(21)의 내측을 향하는 것을 알 수 있다(예를 들어, 결정성장벡터(Vb2) 참조). 광전변환기판(21)의 최하부에서는 결정성장벡터는 광전변환기판(21)의 외측을 향하는 것을 알 수 있다(예를 들어, 결정성장벡터(Vb1) 참조). 증착중에 광전변환기판(21)은 회전하므로, 결정성장벡터(Vb)(Vb1, Vb2)의 광전변환기판(21)의 평면을 따른 방향의 성분은 서로 상쇄된다.
여기에서, 결정성장벡터(Vb)의 광전변환기판(21)의 평면을 따른 방향의 성분을 Dh로 한다. 결정성장벡터(Vb)의 광전변환기판(21)의 법선을 따른 방향의 성분을 Dv로 한다. 간단한 시뮬레이션으로서 결정성장벡터(Vb)의 크기가 거리(R)의 2승에 반비례하는 것으로 가정한 경우, 광전변환기판(21)의 중심으로부터 길이(L)의 위치에서 성분(Dh, Dv)은 각각 다음의 식으로 표시된다.
Figure pat00001
Figure pat00002
광전변환기판(21)의 평면을 따른 방향으로의 기둥형상 결정의 성장의 영향도는 성분(Dh)과 성분(Dv)의 비인 성분비(Dh/Dv)를 갖고 평가할 수 있다. 여기에서, x는 광전변환기판(21)과 도가니(32)의 증발구(32a)와의 거리의 상대치수를 특징짓는 값으로, 길이(L)와 거리(R)의 비(L/R)이다(x=L/R).
도 7은 입사각(θ1)을 40°, 45°, 50°, 60°, 70°, 75°로 한 경우의, 길이(L)와 거리(R)의 비(L/R)에 대한 결정성장벡터의 성분비(Dh/Dv)의 변화를 그래프로 도시한 도면이다. 도 7의 종축에서는 광전변환기판(21)의 내측방향을 +로 하고, 광전변환기판(21)의 외측방향을 -로서 나타내고 있다. 도 7은 상기 수학식 1, 수학식 2를 사용하여 시뮬레이션한 결과를 나타내고 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 광전변환기판(21)의 한변의 길이가 50㎝인 경우, 길이(L)는 0 내지 25㎝의 범위 내이다. 한편, 상기 진공증착장치(30)의 구조로부터 거리(R)는 150㎝ 전후(100 수 10 내지 200㎝)가 현질적인 거리이다. 따라서, 비(L/R)의 범위는 0.15 내지 0.2가 된다. 이 범위를 고려하면, 입사각(θ1)이 70°이하이면 (Dh/Dv)＜1로 할 수 있는 것을 알 수 있다.
실제의 기둥형상 결정의 성장에는 코사인측이라고 불리는 증발시의 전방으로 증발량의 편중이나, 미량의 잔류가스 등의 영향을 받으므로, 성분비(Dh/Dv)는 도 7에 도시한 값보다 더욱 작아진다(0에 가깝다).
상기의 측면에서, 상술한 입사각(θ)의 하한과 병행시키면, 45°≤θ1≤ 70°인 것이 적절하다. 이상, 간단한 시뮬레이션의 결과에 대해서 설명했다.
여기에서 본원 발명자 등은 광전변환기판(21)의 회전에 의한 효과를 보다 정밀하고 정확하게 시뮬레이션했다. 그 결과, 50°≤θ1≤ 65°이면 결정수직성(광전변환기판(21)의 법선을 따른 방향으로의 결정성장의 촉진성)이 좋은 것을 알 수 있다. 55°≤θ1≤ 60°이면, 결정수직성이 더욱 좋은 것을 알 수 있고, 기둥형상 결정의 경사가 거의 제로가 되는 것을 알 수 있다.
다음에, 상기 정밀하고 정확한 시뮬레이션한 내용에 대해서 설명한다.
여기에서 비스듬한 증착의 모델식을 작성하기 위해서는 어떠한 좌표계를 취하는지가 중요하다. 그래서, 광전변환기판(21)의 회전을 고려하여 좌표계를 도 8과 같이 설정했다. 도 8은 진공챔버(31), 도가니(32) 및 광전변환기판(21)에 좌표를 대응시킨 좌표계를 도시한 도면이다.
도 8에 도시한 바와 같이 광전변환기판(21)의 증착면을 X-Y 평면으로 하고, 광전변환기판(21)의 회전축(증착면의 중심의 법선을 따른 축)을 Z로 한다. 증발구(32a)의 중심을 점(O)으로 하고 있다. 점(O)을 통과하는 도가니(32)의 중심축(연직축)은 X-Z 평면상에 위치하고 있다. 도가니(32)의 중심축과 X축의 교점을 T로 한다. 예를 들어, 점(T)은 진공증착장치(30)의 정점에 상당한다. 신틸레이터재의 증발원소(증착입자)는 점(O)으로부터 방사된다고 가정할 수 있고, 도가니(32)의 중심축을 대칭축으로 하여 주위로 방사된다고 가정할 수 있다.
입사각(θ1)은 비스듬한 증착을 특징짓는 파라미터이고, 좌표계 원점과 점(O)의 선분과, Z축과의 내측에 이루는 각도이다. 점(P)는 광전변환기판(21)의 증착면(X-Y 평면)상에 있고 증착위치를 나타내고 있다. 동경(좌표계 원점으로부터 점(P)까지의 직선거리)를 L, 회전각을 φ로 하면, 점(P)의 X축의 좌표(XP), Y축의 좌표(YP), 및 Z축의 좌표(ZP)를 다음과 같이 나타낼 수 있다.
XP = L x cosΦ
YP = L x sinΦ
ZP = 0
또한, 동경(L)은 좌표계 원점으로부터 점(P)까지의 직선거리(L0) 이하이다. 즉, L≤L0이고, 보다 현실적으로는 L＜L0 이다. 그 밖에, 도가니(32)의 중심축(선분 OT)과, 점(P)으로의 입사방향(선분 OP)의 내측이 이루는 각도를 η로 한다.
여기에서, 우선 일반식을 도출한다. 일반식을 도출할 때, 다음의 4가지를 가정하고 있다.
(1) 진공챔버(31) 내는 충분히 고진공의 상태에 있고, 도가니(32)로부터 방출된 증발원소는 직접 광전변환기판(21)의 증착면에 도달한다.
(2) 증발원소는 도가니(32)의 중심축에 관하여 대칭(축대칭)으로 방사된다.
(3) 각 순간에서의 기둥형상 결정의 성장방향은 증발원소의 입사방향의 반대이다.
(4) 광전변환기판(21)은 일정하게 회전한다. 즉, 각도(φ)는 일정하게 변화된다.
그리고, 일반식을 도출하기 위해 상기 좌표계로부터 점(P)의 좌표를 수학식 3에, 점(O)의 좌표를 수학식 4에, 점(T)의 좌표를 수학식 5에, 점(O)으로부터 점(T)를 향하는 벡터를 수학식 6에, 점(O)로부터 점(P)를 향하는 벡터를 수학식 7에 나타낸다.
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
또한, 수학식 6에 기초하는 수학식을 수학식 8에, 수학식 7에 기초하는 수학식을 수학식 9에 각각 나타낸다.
Figure pat00008
Figure pat00009
도 9는 도 8에 도시한 좌표계를 도시한 도면이고, 각 순간에서의 점(P)의 기둥형상 결정의 성장방향(결정성장벡터)의 성분을 도시한 도면이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 광전변환기판(21)(증착면)에 수직인 방향의 성분을 Da, 동경방향의 성분을 Db, 회전방향(φ방향)의 성분을 Dc로 한다. 또한, 각 성분의 상대값에 주목하여, 모든 성분에 관한 계수는 1로 한다. 성분 Da를 수학식 10에, 성분 Db를 수학식 11에, 성분 Dc를 수학식 12에 나타낸다.
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
f(η)는 증발원소의 분포를 나타내는 함수이고, 축대칭성으로부터 η의 함수이다. 또한, η 자체가 θ1, φ, L, L0, R에 의존하는 함수이고, 즉 η(θ1, φ, L, L0, R)이다.
상기의 점에서, 장기적으로 본 경우의, 점(P)의 기둥형상 결정의 성장방향의 성분을 구할 수 있다. 또한, 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, η 및 f는 φ의 우함수인 것에 주의한다. 그리고, 광전변환기판(21)을 회전하는 효과를 고려하기 위해서는 φ로 적분하면 좋다.
광전변환기판(21)(증착면)에 수직인 방향의 성분을 수학식 13에, 동경방향의 성분을 수학식 14에 나타낸다.
Figure pat00013
Figure pat00014
또한, 회전방향(φ방향)의 성분에 관해서는 φ에 관한 기함수의 적분이 되므로, 제로(0)가 된다.
보다 구체적으로 계산을 실시하기 위해서는 f(η)의 함수형이 필요하다. 상술한 바와 같이 미소평면으로부터 증발에서의 각도 분포는 cos측에서 잘 근사할 수 있다. 따라서, f(η)=cos(η)의 근사모델을 채용한다. 구체적으로는 수학식 15 및 수학식 16에 도시한 관계식을 이용한다.
Figure pat00015
Figure pat00016
또한, T는 φ를 포함하지 않는 함수인 것에 주의한다. 이상을 고려하면, cos측을 이용한 증착모델식을 구할 수 있다. cos측을 사용한 증착모델식을 수학식 17, 수학식 18 및 수학식 19에 나타낸다. 수학식 17은 광전변환기판(21)(증착면)에 수직인 방향의 성분을 나타내고, 수학식 18은 동경방향의 성분을 나타낸다. 수학식 19는 회전방향(φ방향)의 성분을 나타내고 있다.
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
또한, 상술한 바와 같이 회전방향(φ방향)의 성분에 관해서는 φ에 관한 기함수의 적분이 되므로 제로가 된다.
이들의 수치를 얻기 위해서는 수치적분을 실시하거나, 해석적으로 적분을 구하면 증착상태를 시뮬레이션할 수 있다. 상기의 COS측의 엄밀해(嚴密解)로부터 구한 광전변환기판(21)(증착면)에 수직인 방향의 성분을 도 10에 도시한다.
도 10은 입사각(θ1)을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 광전변환기판(21)(증착면)의 중심으로부터의 길이(동경)(L)에 대한 결정성장벡터의 수직성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다. 도 10에서 거리(L0) 및 거리(R)로서는 현실적인 값을 가정하고 있고 LO=1m, R=1.5m이다. 길이(L)는 0 내지 0.5m의 범위 내를 평가의 대상으로 했다. 한변의 길이가 17인치의 광전변환기판(21)이면, 길이(L)의 최대값은 0.3m(=0.43÷2×√2)이고, L≤0.5m를 만족하고 있다.
도 10으로부터 알 수 있는 바와 같이, 길이(L)가 변화되어도 결정성장벡터의 수직성분의 균일성이 좋다는 특징이 있다. 즉, 45°≤θ1≤ 70°에서 결정성장벡터의 수직성분의 균일성이 좋은 것을 알 수 있다. 그리고, 증착막 두께(형광체막(22)의 두께)의 균일성이 확보된다고 바꾸어 말할 수도 있다. 또한, 입사각(θ1)이 바뀜으로써, 결정성장벡터의 수직성분(증착막 두께)가 전체적으로 시프트할 수 있다. 그리고, 입사각(θ1)이 커짐에 따라서 증착효율이 저하되는 것을 알 수 있다.
한편, 동경방향의 성분을 도 11에 도시한다. 도 11은 입사각(θ1)을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 광전변환기판(21)(증착면)의 중심으로부터의 길이(동경)(L)에 대한 결정성장벡터의 동경방향의 성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다. 도 11에서 L0=1m, R=1.5m이다. 길이(L)는 0 내지 0.5m의 범위 내를 평가의 대상으로 했다.
도 11의 종축에서는 광전변환기판(21)의 내측방향을 -로 하고, 광전변환기판(21)의 외측방향을 +로서 나타내고 있다. -이면 기둥형상 결정이 내측방향으로 경사지고, 반대로 +이면 기둥형상 결정이 외측방향으로 경사진다.
도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 광전변환기판(21)(증착면)의 중심(회전축)의 위치에서는 광전변환기판(21)의 회전에 의해 결정성장벡터의 동경성분이 평균화의 효과가 얻어지고, 동경방향의 성분은 제로가 된다. 한편, 길이(L)가 커짐에 따라(L＞0), 결정성장벡터의 동경성분이 커지는 경향이 있다. 상기 경향은 입사각(θ1)에 크게 의존하는 것을 나타내고 있다. 결과를 보면 55°≤θ1≤ 60°에서는 기둥형상 결정의 경사가 거의 제로가 된다. 결정성장벡터의 동경성분과 수직성분의 비율을 보면, L≤0.3m이면 동경성분과 수직성분의 비가 ±3% 이내에 모인다. 50°≤θ1≤ 65°이어도 L≤0.3m이면 동경성분과 수직성분의 비가 ±10% 이내에 모인다. 실용적으로 매우 좋은 수직성을 갖는 결정이 얻어지는 것을 기대할 수 있다.
상술한 바와 같이 도 10 및 도 11에는 L0=1m, R=1.5m로서 평가한 경우의 결과를 나타냈다. 다음에, L0=1m, R=1m로서 평가한 경우의 결과를 도 12 및 도 13에 도시한다.
도 12는 입사각(θ1)을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 광전변환기판(21)(증착면)의 중심으로부터의 길이(동경)(L)에 대한 결정성장벡터의 수직성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다. 도 13은 입사각(θ1)을 45°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 75°로 한 경우의, 광전변환기판(21)(증착면)의 중심으로부터의 길이(동경)(L)에 대한 결정성장벡터의 동경방향의 성분의 상대길이의 변화를 그래프로 도시한 도면이다. 도 12 및 도 13에서 길이(L)는 0 내지 0.5m의 범위 내를 평가의 대상으로 했다.
도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 결과는 도 10 및 도 11(R=1.5m)와 유사한 경향을 도시하고 있다. 단, 거리(R)가 짧아지는 만큼, 결정성장벡터의 수직성분의 균일성이 저하되고, 결정성장벡터의 동경성분의 기울기 변화가 커지는 것을 알 수 있다.
그러나, 이 경우도 도 10 및 도 11에 도시한 예와 동일한 결론에 이른다. 결과를 보면, 55°≤θ1≤ 60°에서는 기둥형상 결정의 경사가 거의 제로가 된다. 결정성장벡터의 동경성분과 수직성분의 비율을 보면, L≤0.3m이면 동경성분과 수직성분의 비가 ±6.5% 이내에 모인다. 55°≤θ1≤ 60°가 되도록 광전변환기판(21)을 배치하고 입사각(θ)을 소정 범위로 설정함으로써 한층 결정수직성의 향상을 기대할 수 있다.
50°≤θ1≤ 65°이어도 L≤0.3m이면, 동경성분과 수직성분의 비가 -13% 내지 +10%의 범위 내에 모이고, 수직성이 좋은 결정이 얻어지는 것을 기대할 수 있다. 따라서, 보다 수직성이 좋은 신틸레이터재의 결정이 필요한 경우, 50°≤θ1≤ 65°로 설정하는 것이보다 바람직하다.
다음에, 증착기간에서의 광전변환기판(21)의 온도에 대해서 설명한다.
통상의 증착에서는 피증착 기판을 가열함으로써 증착막의 부착력을 높이는 방법이 채용되고 있다. 이 목표는 피증착 기판에 입사된 증발원소와 피증착 기판의 표면과의 활성상태를 높임으로써 증착막의 부착력을 높이는 것이다.
그런데, 광전변환기판(21)은 유리기판 상에 a-Si를 기재로 한 TFT(26)이나 PD(27)이 만들어 넣어진 기판이다. 또한, 상술한 광전변환기판(21)의 구성의 설명에서는 생략했지만, 광전변환기판(21)의 상층에는 보호층이 형성되어 있다. 보호층은 광전변환기판(21)의 표면의 평활화, 보호 및 전기절연성을 확보하는 것이다. 보호층은 그 구해지는 기능으로부터 유기막, 또는 유기막과 얇은 무기막의 적층막으로 형성되어 있다.
광전변환기판(21)의 표면에 신틸레이터재를 증착시킬 때, 광전변환기판(21)의 온도를 상승시키면, 광전변환기판(21)이 손상을 받거나 형광체막(22)의 부착력이 저하되는 등, 신뢰성의 저하를 일으킬 우려가 있다. 또한, X선 이미지관에서는 알루미늄으로 형성된 기판상에 신틸레이터재를 증착시키는 방법 및 구성을 채용하고 있으므로, 증착시의 기판의 온도를 문제로 하는 일은 없다.
상기의 측면에서 TFT(26) 및 PD(27), 또한 배선부의 접속부 등을 고려하면, 광전변환기판(21)의 온도를 200 수십℃ 이내로 억제하는 것이 바람직하다. 또한, 유기막(보호막)을 고려하면, 광전변환기판(21)의 온도를 상기 온도보다 낮게 억제하는 것이 바람직하다.
유기막의 재료로서는 광학적 특성이나 포토에칭패턴 형성기능 등의 요청으로부터, 특히 아크릴계나 실리콘계 등의 유기수지제가 이용되는 경우가 많다. 상기 이외에는 에폭시계 수지 등도 보호막의 재료가 될 수 있지만, 어느 유기수지에도 유리전이점이 존재하고, 상기 유리전이점 이상의 온도에서는 유기막의 열팽창 계수의 증가나, 유기막의 연화가 시작된다.
따라서, 증착시의 보호막(광전변환기판(21))의 온도가 대폭 유리전이점을 초과하면 증착막이 안정된다. 특히, 광전변환기판(21) 상에 형광체막(22)의 형성이 시작되는 증착 초기에 증착막의 안정도에 주는 영향은 크다. 한편, 형광체막(22)(결정막)의 형성을 고려한 경우, 증착 중의 광전변환기판(21)의 온도는 보다 높은 온도인 것이 바람직하다.
여기에서, 본원 발명자는 증착기간에 광전변환기판(21)의 온도에 대한 형광체막(22)의 상태의 변화에 대해서 조사했다. 그리고, 형성된 형광체막(22)에 박리의 발생이 있는지의 여부를 조사하고, 형광체막(22)의 품질을 판정했다. 조사할 때, 증착 기간의 광전변환기판(21)의 온도를 증착초기와, 증착초기 이후에서 바꾸어 실시했다. 여기에서, 증착 초기라는 것은 광전변환기판(21) 상에의 형광체막(22)의 형성을 개시하는 타이밍이다. 구체적으로는 도가니(32)의 선단부(증발구)에 설치한 셔터를 개방함으로써 그 타이밍을 설정할 수 있다. 다음의 표 1에 조사 결과를 나타낸다.
표 1에 나타낸 바와 같이 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 100℃, 증착 초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 125℃로 각각 조정한 바, 형성된 형광체막(22)에 박리의 발생은 없고, 강제시험을 거쳐도 형광체막(22)에 박리의 발생은 없었다. 여기에서, 강제시험이라는 것은 예를 들어 에폭시 수지 등의 경화수축성 수지를 형광체막(22)상에 일정량 도포하여, 경화 수축에 의한 막 응력을 국소적으로 강제 부과하는 방법이다.
Figure pat00020
증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 125℃, 증착 초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 160 내지 170℃로 각각 조정한 바, 형성된 형광체막(22)에 박리의 발생은 없고, 강제시험을 거쳐도 형광체막(22)에 박리의 발생은 없었다.
증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 140℃, 증착 초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 170 내지 190℃로 각각 조정한 바, 형성된 형광체막(22)에 박리의 발생은 없었지만, 강제시험을 거치면 형광체막(22)에 박리가 발생했다.
증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 150 내지 180℃, 증착 초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 180 내지 195℃로 각각 조정한 바, 형성된 형광체막(22)에 박리가 발생했다.
형광체막(22)의 광전변환기판(21)으로의 부착 안정성에 관해서는 특히 증착초기의 광전변환기판(21)의 온도의 영향이 크다. 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도가 140℃를 초과하면, 형성된 형광체막(22)에 박리가 발생하는 위험이 대폭 증가하는 것이 예상된다. 따라서, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도는 140℃ 이하로 억제한 편이 바람직하다.
또한, 증착초기 이후에서는 125℃의 온도 조건에서도 막 박리가 없는 적절한 형광체막(22)을 형성할 수 있었던 것은 상술한 바와 같다. 또한, 125℃보다 저온측에서도 성막은 가능하지만, 한편 증착 초기 이후의 온도조건은 형광체막(22)의 결정성장조건에 관련되므로, 감도 등의 형광체막(22)의 특성으로의 영향도 상정된다. 따라서, 125℃ 이상이 적정 범위이다.
이 때문에, 증착 초기 이후에서는 광전변환기판(21)의 온도를 125℃ 내지 190℃의 범위 내로 한 편이 바람직하고, 이에 의해 형광체막(22)을 박리의 발생 없이 형성할 수 있다. 상기와 같이 형광체막(22)의 광전변환기판(21)으로의 부착안정성의 관점에서, 증착기간에서의 광전변환기판(21)의 온도의 상한이 판정된다.
한편, 증착기간에서의 광전변환기판(21)의 온도의 하한은 특성면에서 제약을 받는다. 여기에서, 본원 발명자들은 X선 검출 패널(2)의 감도 특성이 증착초기의 광전변환기판(21)의 온도와 상관성이 있는 것을 발견했다.
증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도가 65℃ 내지 85℃의 범위 내에서는 여러 요인의 영향이 있기는 하지만, 평균적으로는 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도에 대하여 약 0.6배의 비율로 감도 특성이 비례한다. 따라서, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도가 낮아지면 X선 검출 패널(2)의 감도 특성도 낮아진다.
또한, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도가 저하되면, 결과적으로는 증착초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도도 저하되는 경향이 된다. 그 결과, 상술한 결정 성장에 영향이 상정된다. 또한, 상기와 같은 감도저하 현상을 확인할 수 있었다. 이 때문에, X선 검출 패널(2)이 저감도를 나타내는 위험을 고려하면, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도는 70℃ 이상이 바람직하다.
상술한 검토결과로부터 본 실시형태에서 광전변환기판(21) 상에 신틸레이터재를 증착시킬 때, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 70℃ 내지 140℃의 범위 내로 제어하고, 증착초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 125℃ 내지 190℃의 범위 내로 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 70℃ 내지 125℃의 범위 내로 제어하고, 증착초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 125℃ 내지 170℃의 범위 내로 제어한 편이 보다 바람직하다.
다음에, 진공챔버(31) 내부에서 일어나는 열전도에 대해서 설명한다.
도 14는 도 3에 도시한 광전변환기판(21), 열전도체(36), 유지기구(37) 및 방열부(38)를 도시한 도면이고, 열전도체(36)의 기능을 설명하는 모식도이다. 상술한 바와 같이, 형광체막(22)을 형성하기 위해, 도가니(32)로 대형의 것을 이용하고, 도가니(32) 내에는 수 ㎏(예를 들어 6㎏) 이상의 신틸레이터재가 투입된다. 도가니(32)의 온도는 CsI의 용융 온도보다 높게 하기 위해 약 700℃로 가열된다.
도 3 및 도 8에 도시한 바와 같이, 따라서 도가니(32)로부터의 방사(복사)열은 크므로, 진공챔버(31) 내의 상방에 위치한 광전변환기판(21)은 강하게 가열된다. 또한, 증착 중의 증발원소가 광전변환기판에 열에너지를 가져오므로, 광전변환기판(21)의 온도는 크게 상승한다.
그래서, 광전변환기판(21) 및 유지기구(37)의 전역에 대향하도록 열전도체(36)를 배치하고 있다. 여기에서, 광전변환기판(21) 및 유지기구(37)와 대향한 열전도체(36)의 면을 표면(S1), 방열부(38)와 대향한 열전도체(36)의 면을 이면(S2)으로 한다. 이에 의해, 열전도체(36)는 광전변환기판(21) 및 유지기구(37)로부터의 방사열을 표면(S1)측에서 흡수시킬 수 있으므로, 광전변환기판(21)의 과열을 억제하고, 광전변환기판(21)의 온도를 상술한 적정한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.
또한, 열전도체(36)는 이면(S2)측으로부터 방열부(38)에 방사열을 발산할 수 있다. 방열부(38)의 히터를 구동하지 않는 경우, 방열부(38)는 열전도에 의해 열을 진공챔버(31)에 전달하는 역할을 수행하고 있다.
방사열은 대향하는 양자간의 거리가 짧으면 보다 효율 좋게 전달할 수 있다. 이 때문에, 본 실시형태에서는 열전도체(36)를 유지기구(37)(광전변환기판(21))와 방열부(38)의 사이에 개재시키고, 열전도체(36) 및 유지기구(37)(광전변환기판(21))간의 거리, 및 열전도체(36) 및 방열부(38)간의 거리를 매우 짧게 하고 있다.
또한, 표면(S1)과 이면(S2)의 방사율을 각각 1에 근접시켜, 열전도율이 높은 재료를 이용하여 열전도체(36)를 형성하는 것이 바람직하고, 이에 의해 광전변환기판(21)의 과열을 한층 억제할 수 있다.
본 실시형태에서 열전도체(36)의 표면(S1) 및 이면(S2)에는 각각 흑색화 처리가 실시되고 있다. 이에 의해, 열전도체(36)는 높은 방사율을 확보할 수 있다. 이는 알루미늄 등으로 형성된 금속 광택면의 방사율이 수 10% 정도인데 비하여, 흑색화 처리가 실시된 표면(S1) 및 이면(S2)의 방사율은 약 95%를 나타내기 때문이다. 표면(S1) 및 이면(S2)으로부터의 방사는 완전 흑체방사에 가까운 것을 알 수 있다. 또한, 유지기구(37)의 표면 및 방열부(38)의 표면에도 방사율을 높이는 표면처리(흑색화 처리)를 실시하면 보다 효과적이다.
이상과 같이 구성된 X선 검출 패널의 제조방법에 따르면 방사선 패널을 제조할 때, 광전변환기판(21)의 중심에서 45°≤θ≤ 70°가 되도록 광전변환기판(21)을 배치하고 있다. 이어서, 광전변환기판(21)상에 신틸레이터재를 증착시키고 형광체막(22)을 형성하고 있다.
광전변환기판(21)의 중심에서 45°≤ θ로 함으로써, 진공배기장치 등의 장치 부하를 감소시킬 수 있고, 생산성이나 신틸레이터재의 이용효율의 향상을 도모할 수 있다. 특히 대형의 X선 검출 패널(2)의 제조에서 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 광전변환기판(21)의 중심에서 θ≤70°로 함으로써, (Dh/Dv)＜1로 할 수 있으며, 더욱 가는 기둥형상 결정을 형성할 수 있으므로, X선 검출 패널(2)의 해상도의 향상에 기여할 수 있다.
압력을 1×10-2Pa 이하로 한 환경하에서 실시하는 진공증착법을 이용하고 있다. 이에 의해, 기둥형상 결정이 굵어지는 성장을 감소시킬 수 있다. 광전변환기판(21)의 법선을 따른 방향으로의 결정성장을 촉진시킬 수 있다. 광전변환기판(21)의 회전속도를 4rpm 이상으로 하고 있다. 이에 의해, MTF 값이 약간 증가하므로, X선 검출 패널(2)의 해상도의 향상에 기여할 수 있다.
광전변환기판(21)상에 신틸레이터재를 증착시킬 때, 증착 초기의 광전변환기판(21)의 온도를 70℃ 내지 140℃의 범위 내로 제어하고, 증착초기 이후의 광전변환기판(21)의 온도를 125℃ 내지 190℃의 범위 내로 제어하고 있다. 이에 의해, 형광체막(22)을 박리의 발생없이 형성할 수 있고, 감도 특성이 우수한 X선 검출 패널(2)의 형성에 기여할 수 있다.
상기의 측면에서, 생산성의 향상을 도모할 수 있고, X선 검출 패널(2)의 해상도 특성의 향상에 기여하는 형광체막(22)을 형성할 수 있는 X선 검출 패널(2)의 제조방법을 얻을 수 있다. 또한, 제조수율이 높은 형광체막(22)을 형성할 수 있는 X선 검출 패널(2)의 제조방법을 얻을 수 있다.
본 발명의 하나의 실시형태를 설명했지만, 실시형태는 예로서 제시한 것이고 발명의 범위를 한정하려는 의도는 없다. 이들 신규의 실시형태는 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 여러가지 생략, 치환, 변경을 실시할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함되고 또한 특허청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.
예를 들어, 상술한 실시형태에서는 2매의 X선 검출 패널(2)을 동시에 제조했지만, 1매의 X선 검출 패널(2)만을 제조하는 경우나, 3매의 X선 검출 패널(2)을 동시에 제조하는 경우이어도 상술한 효과를 얻을 수 있다. 3매의 X선 검출 패널(2)을 동시에 제조하는 경우, 진공증착장치(30)는 열전도체(36), 유지기구(37), 방열부(38) 및 모터(39)를 3개씩 구비하고 있다. 예를 들어, 3개의 유지기구(37)는 도가니(32)의 중심축(연직축)을 중심으로 한 둘레방향으로 120°씩 어긋나게 하여 등간격으로 배치할 수 있다.
도가니(32) 내에는 CsI만이 투입되어 있어도 좋다. 이 경우, 도가니(32)(대형 도가니)와는 별도로 준비한 도가니(소형 도가니)에 TlI를 투입하고 CsI와 TlI을 동시에 증착해도 상술한 효과를 얻을 수 있다.
열전도체(36)의 형상은 판형상으로 한정되는 것은 아니고, 블럭 구조 등 여러가지 변경 가능하다. 열전도체(36)는 광전변환기판(21)의 배치, 유지기구(37)의 형상, 방열부(38)와의 위치관계 등에 대응한 형상으로 형성되어 있으면 좋다. 상술한 실시형태에서는 열전도율을 높이기 위해 알루미늄을 이용하여 열전도체(36)를 형성했지만, 알루미늄에 한정되는 것은 아니고 여러가지 변형 가능하며, 구리(Cu) 등의 재료를 이용하여 열전도체(36)가 형성되어 있어도 좋다.
상술한 실시형태에서는 신틸레이터재에 요오드화 세슘(CsI)을 주성분으로 하는 재료를 이용했지만 이에 한정되는 것은 아니고, 신틸레이터재에 다른 재료를 이용해도 상술한 실시형태와 유사한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 기술은 X선 검출 패널의 제조장치 및 제조방법으로의 적용에 한정되는 것은 아니고, 각종 방사선 검출 패널의 제조장치 및 제조방법에 적용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 요오드화 세슘(CsI)을 주성분으로 하는 신틸레이터재를 증발시켜 연직 상방을 향하여 방사시키는 증발원,
    상기 증발원으로부터 연직 상방측에 위치하고, 광전변환기판의 증착면이 상기 증발원에 노출되며 또한 연직축에 대하여 비스듬해지는 상태로 상기 광전변환기판을 유지하는 유지기구,
    상기 광전변환기판의 맞은편에 상기 유지기구를 넘어 위치하고, 상기 유지기구에 간격을 두고 대향 배치되는 열전도체,
    상기 유지기구의 맞은편에 상기 열전도체를 넘어 위치하고, 상기 열전도체를 통하여 상기 광전변환기판의 온도를 조정하는 온도조정부,
    상기 유지기구에 부착되고, 4rpm 이상의 회전속도를 일정하여 유지하여 상기 유지기구와 함께 상기 광전변환기판을 회전시키는 구동부, 및
    상기 증발원, 상기 유지기구, 상기 열전도체, 상기 온도조정부 및 상기 구동부를 수용하고, 불활성 가스의 도입없이 압력이 1×10-2Pa 이하가 되는 상태로 유지되는 진공챔버를 구비하고,
    상기 열전도체는 상기 온도조정부의 열을 상기 광전변환기판에 전달하는 기능 및 상기 광전변환기판의 열을 흡수하여 상기 온도조정부에 전달하는 기능을 가지고,
    상기 증발원은 상기 신틸레이터재를 방사시키는 증발구를 구비하고,
    상기 증발구의 중심과 상기 증착면의 임의의 점을 연결하는 가상선과, 상기 증착면의 법선과의 내측에 이루는 각도를 θ로 하면,
    상기 유지기구는 상기 증착면의 중심에서 50°≤θ≤ 65°가 되도록 상기 광전변환기판을 유지하고,
    상기 구동부는 상기 증착면의 중심의 법선을 따른 축을 회전축으로 하여 상기 유지기구와 함께 상기 광전변환기판을 회전시키는, 방사선 검출 패널의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 증발원으로부터 연직 상방측에 위치하고, 다른 광전변환기판의 다른 증착면이 상기 증발원에 노출되며 또한 상기 연직축에 대하여 비스듬해지는 상태로 상기 다른 광전변환기판을 유지하는 다른 유지기구를 추가로 구비하고,
    상기 증착면과 상기 다른 증착면과의 내측에 이루는 각도는 예각인, 방사선 검출 패널의 제조장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 증발원은 상기 신틸레이터재를 방사시키는 증발구를 구비하고,
    상기 유지기구의 위치와 상기 다른 유지기구의 위치는 상기 증발구를 통과하는 상기 연직축에 대하여 대칭인, 방사선 검출 패널의 제조장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도체는 상기 유지기구에 대향하여 흑색화 처리가 실시된 표면을 갖는, 방사선 검출 패널의 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 열전도체는 흑색화 처리가 실시된 이면을 추가로 갖는, 방사선 검출 패널의 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도조정부는 상기 증착면상에 상기 신틸레이터재를 증착시킬 때, 형광체막을 형성을 개시하는 타이밍인 증착 초기의 상기 광전변환기판의 온도를 70℃ 내지 140℃의 범위 내로 제어하고, 상기 증착초기 이후의 상기 광전변환기판의 온도를 125℃ 내지 190℃의 범위 내로 제어하는, 방사선 검출 패널의 제조장치.
  7. 증발원으로부터 연직상방측에서, 광전변환기판의 증착면이 상기 증발원에 노출되고 또한 연직축에 대하여 비스듬해지는 상태로 상기 광전변환기판을 배치하며,
    상기 증발원에 의해, 요오드화 세슘(CsI)을 주성분으로 하는 신틸레이터재를 증발시키고 연직 상방을 향하여 방사하며, 상기 증착면상에 상기 신틸레이터재를 증착시키고 형광체막을 형성하며,
    상기 광전변환기판을 배치할 때, 상기 신틸레이터재의 입사방향과 상기 증착면의 법선과의 내측에 이루는 각도를 θ로 하면, 상기 증착면의 중심에서 50°≤θ≤ 65°가 되도록 상기 광전변환기판을 배치하며,
    상기 증착면상에 상기 신틸레이터재를 증착시킬 때, 상기 증착면의 중심의 법선을 따른 축을 회전축으로 하여 4rpm 이상의 회전속도를 일정하여 유지하여 상기 광전변환기판을 회전시키고,
    진공을 형성하여 압력이 1×10-2Pa 이하가 되는 상태를 유지한 환경하에서 불활성 가스의 도입없이 실시하는 진공증착법을 이용하는, 방사선 검출 패널의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 증착면상에 상기 신틸레이터재를 증착시킬 때, 상기 형광체막의 형성을 개시하는 타이밍인 증착 초기의 상기 광전변환기판의 온도를 70℃ 내지 140℃의 범위 내로 제어하고,
    상기 증착 초기 이후의 상기 광전변환기판의 온도를 125℃ 내지 190℃의 범위 내로 제어하는, 방사선 검출 패널의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 증착 초기의 상기 광전변환기판의 온도를 70℃ 내지 125℃의 범위 내로 제어하고,
    상기 증착 초기 이후의 상기 광전변환기판의 온도를 125℃ 내지 170℃의 범위 내로 제어하는, 방사선 검출 패널의 제조방법.
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