JPH1040840A - 放射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにその放射線励起蛍光面を含むｘ線イメージ管 - Google Patents
放射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにその放射線励起蛍光面を含むｘ線イメージ管Info
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- JPH1040840A JPH1040840A JP20756096A JP20756096A JPH1040840A JP H1040840 A JPH1040840 A JP H1040840A JP 20756096 A JP20756096 A JP 20756096A JP 20756096 A JP20756096 A JP 20756096A JP H1040840 A JPH1040840 A JP H1040840A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、ライトガイド効果が高く、Ｘ線入
力窓の解像度を向上可能な蛍光面を含むＸ線イメージ管
を提供することにある。 【解決手段】この発明のＸ線イメージ管１０は、同一の
蛍光体材料により形成され、相互に、同じ結晶面に強く
配向している第１の蒸着層と第２の蒸着層を含む蛍光面
２ｂを有する。この蛍光面は、第１の蒸着層を形成した
後、真空中または空気中で２００〜４５０゜Ｃの温度で
熱処理されることにより、引き続き蒸着される第２の蒸
着層が柱状に成長する。すなわち、結晶界面が低減され
ることからライトガイド効果の高い柱状結晶となる。こ
れにより、Ｘ線イメージ管におけるＸ線入力窓の解像度
が向上される。
力窓の解像度を向上可能な蛍光面を含むＸ線イメージ管
を提供することにある。 【解決手段】この発明のＸ線イメージ管１０は、同一の
蛍光体材料により形成され、相互に、同じ結晶面に強く
配向している第１の蒸着層と第２の蒸着層を含む蛍光面
２ｂを有する。この蛍光面は、第１の蒸着層を形成した
後、真空中または空気中で２００〜４５０゜Ｃの温度で
熱処理されることにより、引き続き蒸着される第２の蒸
着層が柱状に成長する。すなわち、結晶界面が低減され
ることからライトガイド効果の高い柱状結晶となる。こ
れにより、Ｘ線イメージ管におけるＸ線入力窓の解像度
が向上される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、放射線により得
られる画像を可視光画像あるいは電気的画像信号に変換
するイメージ管あるいは蛍光板に係り、より詳細には、
放射線源から出力されて対象物を透過した放射濃度分布
あるいは放射線像を捕獲して、対応する光電子を放出す
る放射線励起蛍光面の改良に関する。
られる画像を可視光画像あるいは電気的画像信号に変換
するイメージ管あるいは蛍光板に係り、より詳細には、
放射線源から出力されて対象物を透過した放射濃度分布
あるいは放射線像を捕獲して、対応する光電子を放出す
る放射線励起蛍光面の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】イメージ管のうち良く知られているＸ線
イメージ管は、人体や物体の内部構造を調べるために有
用であり、人体や物体に照射されたＸ線の透過濃度分布
またはＸ線像を、可視光像あるいは電気的画像信号に変
換するために用いられる。
イメージ管は、人体や物体の内部構造を調べるために有
用であり、人体や物体に照射されたＸ線の透過濃度分布
またはＸ線像を、可視光像あるいは電気的画像信号に変
換するために用いられる。
【０００３】Ｘ線イメージ管は、真空外囲器内に配設さ
れたＸ線入力部分 (入力面) 、入力面と所定間隔で入力
面に対向された出力蛍光面、蛍光出力面の近傍に位置さ
れた加速電極、並びに、入力面と出力蛍光面との間に位
置された集束電極を有している。
れたＸ線入力部分 (入力面) 、入力面と所定間隔で入力
面に対向された出力蛍光面、蛍光出力面の近傍に位置さ
れた加速電極、並びに、入力面と出力蛍光面との間に位
置された集束電極を有している。
【０００４】入力面は、基板を透過したＸ線により励起
されて蛍光を出射する蛍光面、蛍光面から出射された蛍
光に対応する光電子を出力する光電面を有している。
されて蛍光を出射する蛍光面、蛍光面から出射された蛍
光に対応する光電子を出力する光電面を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したＸ線イメージ
管の入力蛍光面とその製造方法の１つとして、所定の圧
力の下で、蒸着により、ＣｓＩ：Ｎａ (ナトリウムで活
性したヨウ化セシウム)の柱状結晶を含む蛍光体層を基
板上に形成する方法が提案されている。しかしながら、
単なる蒸着では、基板近傍で、結晶が柱状に成長すると
はかぎらず、十分なライトガイド効果が得られないこと
が知られている。
管の入力蛍光面とその製造方法の１つとして、所定の圧
力の下で、蒸着により、ＣｓＩ：Ｎａ (ナトリウムで活
性したヨウ化セシウム)の柱状結晶を含む蛍光体層を基
板上に形成する方法が提案されている。しかしながら、
単なる蒸着では、基板近傍で、結晶が柱状に成長すると
はかぎらず、十分なライトガイド効果が得られないこと
が知られている。
【０００６】一方、特開昭５７−７０５１号公報には、
基板上に、結晶粒子の平均径が１５(マイクロメート
ル、以下μｍと示す) 以下の粒状の結晶からなる第１の
蛍光体層とこの第１の蛍光体層のそれぞれの結晶粒子を
種 (核) として互いに光学的に分離された柱状結晶から
なる第２蛍光体層とを有する蛍光面が開示されている。
しかしながら、この方法でも基板近傍では結晶が柱状に
成長せず、結晶粒子間の界面による光の散乱の影響によ
りライトガイド効果が不十分になる問題がある。
基板上に、結晶粒子の平均径が１５(マイクロメート
ル、以下μｍと示す) 以下の粒状の結晶からなる第１の
蛍光体層とこの第１の蛍光体層のそれぞれの結晶粒子を
種 (核) として互いに光学的に分離された柱状結晶から
なる第２蛍光体層とを有する蛍光面が開示されている。
しかしながら、この方法でも基板近傍では結晶が柱状に
成長せず、結晶粒子間の界面による光の散乱の影響によ
りライトガイド効果が不十分になる問題がある。
【０００７】上述したように、ライトガイド効果のある
柱状結晶を含む蛍光体層を得るためのさまざま方法が提
案されているが、基板近傍での結晶の乱れなどにより、
実質的に、ライトガイド効果の高い良好な柱状結晶を得
ることは困難である。このことから、Ｘ線入力部の蛍光
層として、高い解像度が得られない問題がある。
柱状結晶を含む蛍光体層を得るためのさまざま方法が提
案されているが、基板近傍での結晶の乱れなどにより、
実質的に、ライトガイド効果の高い良好な柱状結晶を得
ることは困難である。このことから、Ｘ線入力部の蛍光
層として、高い解像度が得られない問題がある。
【０００８】この発明の目的は、ライトガイド効果の高
い柱状結晶を形成することにより、高解像度を有する放
射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにＸ線イメージ
管を提供するものである。
い柱状結晶を形成することにより、高解像度を有する放
射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにＸ線イメージ
管を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記問題点
に基づきなされたもので、基板面上に蒸着された蛍光体
層を具備する放射線励起蛍光面において、上記蛍光面
は、少なくとも結晶粒子の平均的大きさが１５μｍ以下
の粒子状の蛍光体結晶を上記基板面上に形成する第１の
蒸着工程と、この第１の蒸着工程により形成された蛍光
体結晶と上記基板を熱処理する工程と、上記第１の蒸着
工程により形成された上記粒子状の蛍光体結晶の上に、
基板に対して垂直な方向に蛍光体を柱状に成長させる第
２の蒸着工程と、からなることを特徴とする放射線励起
蛍光面の製造方法を提供するものである。
に基づきなされたもので、基板面上に蒸着された蛍光体
層を具備する放射線励起蛍光面において、上記蛍光面
は、少なくとも結晶粒子の平均的大きさが１５μｍ以下
の粒子状の蛍光体結晶を上記基板面上に形成する第１の
蒸着工程と、この第１の蒸着工程により形成された蛍光
体結晶と上記基板を熱処理する工程と、上記第１の蒸着
工程により形成された上記粒子状の蛍光体結晶の上に、
基板に対して垂直な方向に蛍光体を柱状に成長させる第
２の蒸着工程と、からなることを特徴とする放射線励起
蛍光面の製造方法を提供するものである。
【００１０】また、この発明は、基板面上に蒸着された
第１の蒸着層と第２の蒸着層の少なくとも２つの層から
なる蛍光面を具備する放射線励起蛍光面において、上記
第１の蒸着層と第２の蒸着層とは、同一の蛍光体材料に
より形成され、相互に、同じ結晶面に強く配向している
ことを特徴とする放射線励起蛍光面を提供するものであ
る。
第１の蒸着層と第２の蒸着層の少なくとも２つの層から
なる蛍光面を具備する放射線励起蛍光面において、上記
第１の蒸着層と第２の蒸着層とは、同一の蛍光体材料に
より形成され、相互に、同じ結晶面に強く配向している
ことを特徴とする放射線励起蛍光面を提供するものであ
る。
【００１１】さらに、この発明は、Ｘ線源あるいはＸ線
が放射される方向に突出された突出面を有し、Ｘ線源か
らのＸ線あるいはＸ線投影像を取り込むＸ線入力窓と、
このＸ線入力窓を前記突出面の背面方向から支持する支
持枠と、前記背面方向から前記Ｘ線入力窓の前記突出面
の背面に一体に形成され、前記Ｘ線入力窓に照射された
Ｘ線あるいはＸ線投影像に対応する光電子像を生成する
入力スクリーンと、を具備するＸ線イメージ管におい
て、前記Ｘ線入力窓は、１５０゜Ｃ以下かつ１Ｐａ以下
の圧力のもとで第１の蒸着工程により平均的大きさが１
５μｍ以下に形成された結晶粒子を含む第１の蛍光体層
を真空中または空気中で２００〜４５０゜Ｃの温度で熱
処理し、１〜１×１０-2Ｐａの圧力のもとで第２の蒸着
工程により上記第１の蛍光体層の結晶粒子から基板に対
して垂直な方向に蛍光体を柱状に成長させた第２の蛍光
体層を含む蛍光面を有することを特徴とするＸ線イメー
ジ管を提供するものである。
が放射される方向に突出された突出面を有し、Ｘ線源か
らのＸ線あるいはＸ線投影像を取り込むＸ線入力窓と、
このＸ線入力窓を前記突出面の背面方向から支持する支
持枠と、前記背面方向から前記Ｘ線入力窓の前記突出面
の背面に一体に形成され、前記Ｘ線入力窓に照射された
Ｘ線あるいはＸ線投影像に対応する光電子像を生成する
入力スクリーンと、を具備するＸ線イメージ管におい
て、前記Ｘ線入力窓は、１５０゜Ｃ以下かつ１Ｐａ以下
の圧力のもとで第１の蒸着工程により平均的大きさが１
５μｍ以下に形成された結晶粒子を含む第１の蛍光体層
を真空中または空気中で２００〜４５０゜Ｃの温度で熱
処理し、１〜１×１０-2Ｐａの圧力のもとで第２の蒸着
工程により上記第１の蛍光体層の結晶粒子から基板に対
して垂直な方向に蛍光体を柱状に成長させた第２の蛍光
体層を含む蛍光面を有することを特徴とするＸ線イメー
ジ管を提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について詳細に説明する。
の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】図１は、この発明の実施の形態が適用され
るＸ線イメージ管の一例を示す概略断面図である。
るＸ線イメージ管の一例を示す概略断面図である。
【００１４】図１に示されるように、Ｘ線イメージ管１
０は、ガラス等から形成される円筒状の真空容器 (外囲
器) １、真空容器１内の一端部に配置され、図示しない
Ｘ線源を出射されて対象物を通過したＸ線すなわちＸ線
投影像を捕獲するＸ線入力面２、Ｘ線入力面２と対向す
る真空容器１の他の一端部に配置され、Ｘ線入力面２で
捕獲されたＸ線すなわちＸ線投影像に対応する可視光像
または電気的画像信号を出力する画像出力部 (出力蛍光
面) ３を有している。
０は、ガラス等から形成される円筒状の真空容器 (外囲
器) １、真空容器１内の一端部に配置され、図示しない
Ｘ線源を出射されて対象物を通過したＸ線すなわちＸ線
投影像を捕獲するＸ線入力面２、Ｘ線入力面２と対向す
る真空容器１の他の一端部に配置され、Ｘ線入力面２で
捕獲されたＸ線すなわちＸ線投影像に対応する可視光像
または電気的画像信号を出力する画像出力部 (出力蛍光
面) ３を有している。
【００１５】入力面２は、図示しないＸ線源からのＸ線
６を透過する基板２ａ上に蛍光体層を形成した蛍光面２
ｂおよび光電面２ｃが順に積層されて形成される。
６を透過する基板２ａ上に蛍光体層を形成した蛍光面２
ｂおよび光電面２ｃが順に積層されて形成される。
【００１６】図１に示したＸ線イメージ管では、被写体
７に照射されたＸ線６は、被写体７のＸ線吸収能に応じ
て二次元的に変調され、Ｘ線像として、外囲器１の前面
から入力面２に入射される。
７に照射されたＸ線６は、被写体７のＸ線吸収能に応じ
て二次元的に変調され、Ｘ線像として、外囲器１の前面
から入力面２に入射される。
【００１７】入力面２に入射したＸ線像は、基板２ａを
透過して蛍光面２ｂの蛍光体を励起し、入射面２に入射
されたＸ線像に対応する蛍光を出射する。
透過して蛍光面２ｂの蛍光体を励起し、入射面２に入射
されたＸ線像に対応する蛍光を出射する。
【００１８】蛍光面２ｂから出射された蛍光は、光電面
２ｃにより光電子８に変換されて、集束電極５によって
集束されながら加速電極４により加速されて出力蛍光面
３に案内され、可視光として出力蛍光面３に結像され
る。
２ｃにより光電子８に変換されて、集束電極５によって
集束されながら加速電極４により加速されて出力蛍光面
３に案内され、可視光として出力蛍光面３に結像され
る。
【００１９】図２は、図１に示したＸ線イメージ管に適
用される入力面の断面の電子顕微鏡写真である。
用される入力面の断面の電子顕微鏡写真である。
【００２０】図２に示されるように、入力面２は、例え
ば、Ａｌ (アルミニウム) あるいはアルミニウム合金等
の基板２ａ上に形成された第１の蛍光体 (蒸着) 層 (ア
ルカリハライド蛍光体) １１と、この第１の蛍光体層１
１上に柱状に成長された第２の蛍光体 (蒸着) 層 (アル
カリハライド蛍光体) １２とを含む蛍光面２ｂ並びに蛍
光面２ｂに積層された光電面２ｃを有している。
ば、Ａｌ (アルミニウム) あるいはアルミニウム合金等
の基板２ａ上に形成された第１の蛍光体 (蒸着) 層 (ア
ルカリハライド蛍光体) １１と、この第１の蛍光体層１
１上に柱状に成長された第２の蛍光体 (蒸着) 層 (アル
カリハライド蛍光体) １２とを含む蛍光面２ｂ並びに蛍
光面２ｂに積層された光電面２ｃを有している。
【００２１】第１の蛍光体 (蒸着) 層１１は、基板２ａ
を、１パスカル (以下Ｐａと示す)以下、例えば、０．
５Ｐａの圧力の下で、１５０゜Ｃ以下、好ましくは、１
００゜Ｃ、に加熱しながら、アルカリハライド蛍光体、
例えば、ＣｓＩ：Ｎａ (ナトリウムで活性したヨウ化セ
シウム) を、基板２ａに蒸着することで形成される。
を、１パスカル (以下Ｐａと示す)以下、例えば、０．
５Ｐａの圧力の下で、１５０゜Ｃ以下、好ましくは、１
００゜Ｃ、に加熱しながら、アルカリハライド蛍光体、
例えば、ＣｓＩ：Ｎａ (ナトリウムで活性したヨウ化セ
シウム) を、基板２ａに蒸着することで形成される。
【００２２】この工程により、平均粒径が１５μｍ以下
のＣｓＩ：Ｎａの結晶粒子 (層) が基板２ａ上に形成さ
れる。
のＣｓＩ：Ｎａの結晶粒子 (層) が基板２ａ上に形成さ
れる。
【００２３】次に、真空中または空気中で、基板２ａ上
に蒸着された第１の蛍光体 (蒸着)層１１を、２００〜
４５０゜Ｃで所定の時間加熱し、例えば、３００゜Ｃ
で、５時間加熱することにより熱処理し、第１の蛍光体
層１１を、例えば、 (２，０，０) 面 [結晶格子を示
す] に、強く配向させる。すなわち、基板２ａ上の第１
の蛍光体層１１を形成したのち熱処理することにより、
第１の蛍光体層１１の配向が所定の方向に設定される。
に蒸着された第１の蛍光体 (蒸着)層１１を、２００〜
４５０゜Ｃで所定の時間加熱し、例えば、３００゜Ｃ
で、５時間加熱することにより熱処理し、第１の蛍光体
層１１を、例えば、 (２，０，０) 面 [結晶格子を示
す] に、強く配向させる。すなわち、基板２ａ上の第１
の蛍光体層１１を形成したのち熱処理することにより、
第１の蛍光体層１１の配向が所定の方向に設定される。
【００２４】続いて、上述したように強く配向された第
１の蛍光体層１１を種子 (核) 結晶として、１〜１×１
０-2Ｐａ、好ましくは、０．５Ｐａの圧力のもとで基板
２ａおよび第１の蛍光体層１１を、３００゜Ｃ程度、よ
り好ましくは、１５０゜Ｃに加熱しながら、アルカリハ
ライド蛍光体、例えば、ＣｓＩ：Ｎａを、第１の蛍光体
層１１上に、好ましくは、５００μｍ蒸着する。ここ
で、第２の蛍光体層１２は、第１の蛍光体層１１の結晶
面と同じ結晶面に強く配向された状態で、柱状に成長さ
れる。これにより、第１の蛍光体層１１の各結晶粒子を
核として、第１の蛍光体層１１上に、第２の蛍光体層１
２が柱状結晶として形成される。従って、第２の蛍光体
層１２は、第１の蛍光体層１１の結晶粒子の直径に実質
的に等しい直径に成長される。なお、第１および第２の
蛍光体としては、好ましくは、同一の材料が利用され
る。
１の蛍光体層１１を種子 (核) 結晶として、１〜１×１
０-2Ｐａ、好ましくは、０．５Ｐａの圧力のもとで基板
２ａおよび第１の蛍光体層１１を、３００゜Ｃ程度、よ
り好ましくは、１５０゜Ｃに加熱しながら、アルカリハ
ライド蛍光体、例えば、ＣｓＩ：Ｎａを、第１の蛍光体
層１１上に、好ましくは、５００μｍ蒸着する。ここ
で、第２の蛍光体層１２は、第１の蛍光体層１１の結晶
面と同じ結晶面に強く配向された状態で、柱状に成長さ
れる。これにより、第１の蛍光体層１１の各結晶粒子を
核として、第１の蛍光体層１１上に、第２の蛍光体層１
２が柱状結晶として形成される。従って、第２の蛍光体
層１２は、第１の蛍光体層１１の結晶粒子の直径に実質
的に等しい直径に成長される。なお、第１および第２の
蛍光体としては、好ましくは、同一の材料が利用され
る。
【００２５】図３は、図２に示した蛍光面の断面をさら
に拡大した電子顕微鏡写真である。なお、図４は、比較
のために、これまでに利用されているＸ線イメージ管の
Ｘ線入力窓の断面を図３に示したと同一の倍率で拡大し
た電子顕微鏡写真である。
に拡大した電子顕微鏡写真である。なお、図４は、比較
のために、これまでに利用されているＸ線イメージ管の
Ｘ線入力窓の断面を図３に示したと同一の倍率で拡大し
た電子顕微鏡写真である。
【００２６】図３から明らかなように、蛍光面２ｂ中の
結晶の界面は、図４に示す例に比較して、低減されてい
ることが認められる。
結晶の界面は、図４に示す例に比較して、低減されてい
ることが認められる。
【００２７】以上説明したように、ＡｌまたはＡｌ合金
基板上に、アルカリハライド蛍光体による蛍光面の核と
なる第１の蛍光体層すなわち結晶粒子 (層) を形成し、
第１の蛍光体層を３００°Ｃで、５時間熱処理して、第
２の蛍光体層を第１の蛍光体層の結晶粒子から柱状に成
長させることにより、ライトガイド効果の高い良好な柱
状結晶が得られる。これにより、Ｘ線入力部の蛍光面に
要求される高い解像度が容易に提供される。
基板上に、アルカリハライド蛍光体による蛍光面の核と
なる第１の蛍光体層すなわち結晶粒子 (層) を形成し、
第１の蛍光体層を３００°Ｃで、５時間熱処理して、第
２の蛍光体層を第１の蛍光体層の結晶粒子から柱状に成
長させることにより、ライトガイド効果の高い良好な柱
状結晶が得られる。これにより、Ｘ線入力部の蛍光面に
要求される高い解像度が容易に提供される。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＸ線イ
メージ管は、同一の蛍光体材料により形成され、相互
に、同じ結晶面に強く配向している第１の蒸着層と第２
の蒸着層を含む蛍光面を有する。この蛍光面は、第１の
蛍光体層を形成した後、真空中または空気中で２００〜
４５０゜Ｃの温度で熱処理されることにより、引き続き
蒸着される第２の蛍光体層が柱状に成長する。すなわ
ち、結晶界面が低減されることからライトガイド効果の
高い柱状結晶となる。これにより、Ｘ線イメージ管にお
けるＸ線入力窓の解像度が向上される。
メージ管は、同一の蛍光体材料により形成され、相互
に、同じ結晶面に強く配向している第１の蒸着層と第２
の蒸着層を含む蛍光面を有する。この蛍光面は、第１の
蛍光体層を形成した後、真空中または空気中で２００〜
４５０゜Ｃの温度で熱処理されることにより、引き続き
蒸着される第２の蛍光体層が柱状に成長する。すなわ
ち、結晶界面が低減されることからライトガイド効果の
高い柱状結晶となる。これにより、Ｘ線イメージ管にお
けるＸ線入力窓の解像度が向上される。
【図１】この発明の実施の形態が適用されるＸ線イメー
ジ管を示す概略断面図。
ジ管を示す概略断面図。
【図２】図１に示したＸ線イメージ管に利用される蛍光
面の電子顕微鏡写真。
面の電子顕微鏡写真。
【図３】図２に示した蛍光面を拡大した電子顕微鏡写
真。
真。
【図４】今日Ｘ線イメージ管に利用されている蛍光面の
一例を図３と等しい倍率で拡大した電子顕微鏡写真。
一例を図３と等しい倍率で拡大した電子顕微鏡写真。
１ …真空容器、 ２ …Ｘ線入力面、 ２ａ…基板、 ２ｂ…蛍光面、 ２ｃ…光電面、 １１ …第１の蛍光体層 (アルカリハライド蛍光体) 、 １２ …第２の蛍光体層 (アルカリハライド蛍光体) 。
Claims (7)
- 【請求項１】基板面上に蒸着された蛍光面を具備する放
射線励起蛍光面において、 上記蛍光面は、少なくとも結晶粒子の平均的大きさが１
５μｍ以下の粒子状の蛍光体結晶を上記基板面上に形成
する第１の蒸着工程と、 この第１の蒸着工程により形成された蛍光体結晶と上記
基板を熱処理する工程と、 上記第１の蒸着工程により形成された上記粒子状の蛍光
体結晶の上に上記基板に対して垂直な方向に蛍光体を柱
状に成長させる第２の蒸着工程と、からなることを特徴
とする放射線励起蛍光面の製造方法。 - 【請求項２】上記放射線励起蛍光面は、 上記基板を１５０゜Ｃ以下かつ１Ｐａ以下の圧力の下で
上記第１の蒸着工程により第１の蛍光体層を形成し、上
記第１の蒸着工程により形成された蛍光体結晶と上記基
板を、真空中または空気中で２００〜４５０゜Ｃの温度
で熱処理し、１〜１×１０-2Ｐａの圧力のもとで上記第
１の蒸着工程により形成された上記粒子状の蛍光体結晶
を含む上記第１の蛍光体層の上に、上記第２の蒸着工程
により、上記基板に対して垂直な方向に蛍光体を柱状に
成長させて第２の蛍光体層を形成することを特徴とする
請求項１記載の放射線励起蛍光面の製造方法。 - 【請求項３】基板面上に蒸着された第１の蒸着層と第２
の蒸着層の少なくとも２つの層からなる蛍光面を具備す
る放射線励起蛍光面において、 上記第１の蒸着層と第２の蒸着層とは、同一の蛍光体材
料により形成され、相互に、同じ結晶面に強く配向して
いることを特徴とする放射線励起蛍光面。 - 【請求項４】上記放射線励起蛍光面は、 基板面上に蒸着された第１の蒸着層の蛍光体結晶粒子の
平均直径に概ね等しい直径で柱状に成長された柱状結晶
蛍光体を含む第２の蒸着層からなることを特徴とする請
求項３記載の放射線励起蛍光面。 - 【請求項５】Ｘ線源あるいはＸ線が放射される方向に突
出された突出面を有し、Ｘ線源からのＸ線あるいはＸ線
投影像を取り込むＸ線入力窓と、このＸ線入力窓を前記
突出面の背面方向から支持する支持枠と、前記背面方向
から前記Ｘ線入力窓の前記突出面の背面に一体に形成さ
れ、前記Ｘ線入力窓に照射されたＸ線あるいはＸ線投影
像に対応する光電子像を生成する入力スクリーンと、を
具備するＸ線イメージ管において、 前記Ｘ線入力窓は、１５０゜Ｃ以下かつ１Ｐａ以下の圧
力のもとで第１の蒸着工程により平均的大きさが１５μ
ｍ以下に形成された結晶粒子を含む第１の蛍光体層を、
真空中または空気中で２００〜４５０゜Ｃの温度で熱処
理し、１〜１×１０-2Ｐａの圧力のもとで第２の蒸着工
程により上記第１の蛍光体層の結晶粒子から基板に対し
て垂直な方向に蛍光体が柱状に成長させた第２の蛍光体
層を含む蛍光面を有することを特徴とするＸ線イメージ
管。 - 【請求項６】Ｘ線源あるいはＸ線が放射される方向に突
出された突出面を有し、Ｘ線源からのＸ線あるいはＸ線
投影像を取り込むＸ線入力窓と、このＸ線入力窓を前記
突出面の背面方向から支持する支持枠と、前記背面方向
から前記Ｘ線入力窓の前記突出面の背面に一体に形成さ
れ、前記Ｘ線入力窓に照射されたＸ線あるいはＸ線投影
像に対応する光電子像を生成する入力スクリーンと、を
具備するＸ線イメージ管において、 前記Ｘ線入力窓は、基板と基板面上に蒸着された第１の
蒸着層と第２の蒸着層の少なくとも２つの層からなる蛍
光面を有し、上記蛍光面の各層は、同一の蛍光体材料に
より形成され、相互に、同じ結晶面に強く配向している
ことを特徴とするＸ線イメージ管。 - 【請求項７】前記Ｘ線入力窓は、基板と基板面上に蒸着
された第１の蒸着層と第２の蒸着層の少なくとも２つの
層からなる蛍光面を有し、上記蛍光面の各層は、同一の
蛍光体材料により形成され、相互に、同じ結晶面に強く
配向していることを特徴とする請求項５記載のＸ線イメ
ージ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20756096A JPH1040840A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 放射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにその放射線励起蛍光面を含むｘ線イメージ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20756096A JPH1040840A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 放射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにその放射線励起蛍光面を含むｘ線イメージ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1040840A true JPH1040840A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16541768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20756096A Pending JPH1040840A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 放射線励起蛍光面及びその製造方法ならびにその放射線励起蛍光面を含むｘ線イメージ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1040840A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089015A1 (ja) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | 株式会社 東芝 | 放射線検出パネルの製造装置及び放射線検出パネルの製造方法 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP20756096A patent/JPH1040840A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013089015A1 (ja) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | 株式会社 東芝 | 放射線検出パネルの製造装置及び放射線検出パネルの製造方法 |
| KR20160110535A (ko) | 2011-12-16 | 2016-09-21 | 도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | 방사선 검출 패널의 제조장치 및 방사선 검출 패널의 제조방법 |
| US9880292B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-01-30 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing radiation detection panel |
| US9964652B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-05-08 | Toshiba Electronic Tubes & Devices Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing radiation detection panel |
| US10007004B2 (en) | 2011-12-16 | 2018-06-26 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Apparatus and method of manufacturing radiation detection panel |
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