TWI484614B - 佈線結構及其製造方法，以及電子裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI484614B
TWI484614B TW101124242A TW101124242A TWI484614B TW I484614 B TWI484614 B TW I484614B TW 101124242 A TW101124242 A TW 101124242A TW 101124242 A TW101124242 A TW 101124242A TW I484614 B TWI484614 B TW I484614B
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Tsuyoshi Kanki
Shoichi Suda
Yoshihiro Nakata
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Fujitsu Ltd
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Description

佈線結構及其製造方法，以及電子裝置及其製造方法 發明領域
於此中所討論的實施例是有關於一種佈線結構及其製造方法，以及電子裝置及其製造方法。
 發明背景
近期，電子電路之佈線結構的微型化係根據諸如在電子裝置之尺寸上之縮減、在性能上之加強、在價格上的降低等等的需求而為。
一種可靠度測試是對一開發出來的佈線結構執行以確認是否具備足夠的可靠性。如此之可靠度測試的例子包括HAST(Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test(高加速溫度與濕度應力測試))測試。該HAST測試是為一用於藉由在高溫度與高濕度下施加電壓在佈線之間來評估在佈線間之絕緣電阻的測試。
以下是參考文件：
[文件1]日本早期公開專利公告第2007-220934號案
[文件2]日本早期公開專利公告第64-64237號案
 發明概要
根據本發明之一特徵一種佈線結構包括：一形成於一基體上的絕緣薄膜；數條形成於該絕緣薄膜上的佈線；及一誘導層(inducing layer)，其是形成在該絕緣薄膜上位於一 在該數條佈線之間的區域內，該等佈線的構成原子(constituent atoms)是在該誘導層內擴散。
本發明之目的和優點將會藉著在申請專利範圍中所特別指出的元件與組合來被實現與達成。
要了解的是，前面的大致說明以及後面的詳細描述皆是為範例與解釋而已並非是本發明的限制。
2‧‧‧佈線結構
2a‧‧‧佈線結構
2b‧‧‧佈線結構
2c‧‧‧佈線結構
2d‧‧‧佈線結構
2e‧‧‧佈線結構
2f‧‧‧佈線結構
2g‧‧‧佈線結構
2h‧‧‧佈線結構
2i‧‧‧佈線結構
2j‧‧‧佈線結構
2k‧‧‧佈線結構
2l‧‧‧佈線結構
2m‧‧‧佈線結構
2n‧‧‧佈線結構
2o‧‧‧佈線結構
4‧‧‧電子裝置
4a‧‧‧電子裝置
4b‧‧‧電子裝置
4c‧‧‧電子裝置
4d‧‧‧電子裝置
4e‧‧‧電子裝置
4f‧‧‧電子裝置
4g‧‧‧電子裝置
4h‧‧‧電子裝置
4i‧‧‧電子裝置
4j‧‧‧電子裝置
4k‧‧‧電子裝置
4l‧‧‧電子裝置
4m‧‧‧電子裝置
4n‧‧‧電子裝置
4o‧‧‧電子裝置
10‧‧‧樹脂層
12‧‧‧晶片
14‧‧‧電極
15‧‧‧介層孔
16‧‧‧絕緣薄膜
17‧‧‧凹陷部份
22‧‧‧佈線
24‧‧‧誘導層
24a‧‧‧誘導層
24b‧‧‧誘導層
24c‧‧‧誘導層
24d‧‧‧誘導層
26‧‧‧障壁薄膜
28‧‧‧絕緣薄膜
30‧‧‧開孔
32‧‧‧介層孔
34‧‧‧電極焊墊
36‧‧‧防焊薄膜
38‧‧‧開孔
40‧‧‧錫凸塊
42‧‧‧電路基板
44‧‧‧電極
46‧‧‧支撐基體
48‧‧‧黏著層
50‧‧‧結構
52‧‧‧種子層
54‧‧‧光阻薄膜
56‧‧‧開孔
58‧‧‧種子層
60‧‧‧光阻薄膜
62‧‧‧開孔
64‧‧‧種子層
66‧‧‧光阻薄膜
68‧‧‧開孔
100‧‧‧矽基體
102‧‧‧絕緣薄膜
104‧‧‧電極
106‧‧‧I-V錶
108‧‧‧探針
第1圖是為一描繪一第一實施例之電子裝置的橫截面圖；第2圖是為該第一實施例之電子裝置的平面圖；第3圖是為一描繪該第一實施例之電子裝置已安裝於一電路基板上之狀態的橫截面圖；第4A和4B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第5A和5B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第6A和6B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第三部份)；第7A和7B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第四部份)；第8A和8B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第五部份)；第9A和9B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第六部份)； 第10A和10B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第七部份)；第11A和11B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第八部份)；第12A和12B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第九部份)；第13A和13B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第十部份)；第14A和14B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第十一部份)；第15A和15B圖是為描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第十二部份)；第16圖是為一描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第十三部份)；第17圖是為一描繪一用於製造第一實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第十四部份)；第18圖是為一描繪一絕緣特性評估電路的圖示；第19圖是為一描繪絕緣特性之測量結果的圖表(第一部)；第20圖是為一描繪該第一實施例之變化(第一部)之電子裝置的橫截面圖；第21A和21B圖是為描繪一用於製造該第一實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)； 第22A和22B圖是為描繪一用於製造該第一實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第23圖是為一描繪該第一實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第24A和24B圖是為描繪一用於製造該第一實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第25圖是為一描繪該用於製造該第一實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第26圖是為一描繪該第一實施例之變化(第三部)之電子裝置的橫截面圖；第27A和27B圖是為描繪一用於製造該第一實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第28A和28B圖是為描繪一用於製造該第一實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第29圖是為一描繪一第二實施例之電子裝置的橫截面圖；第30A和30B圖是為描繪一用於製造該第二實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第31圖是為一描繪該用於製造該第二實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)； 第32圖是為一描繪絕緣特性之測量結果的圖表(第二部)；第33圖是為一描繪該第二實施例之變化(第一部)之電子裝置的橫截面圖；第34A和34B圖是為描繪一用於製造該第二實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第35A和35B圖是為描繪該用於製造該第二實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第36圖是為一描繪該第二實施例之變化(第二部)之電子裝置的製程橫截面圖；第37A和37B圖是為描繪一用於製造該第二實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第38圖是為一描繪該用於製造該第二實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第39圖是為一描繪該第二實施例之變化(第三部)之電子裝置的橫截面圖；第40A和40B圖是為描繪一用於製造該第二實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第41A和41B圖是為描繪該用於製造該第二實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部 份)；第42圖是為一描繪一第三實施例之電子裝置的橫截面圖；第43A和43B圖是為描繪一用於製造該第三實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第44圖是為一描繪該用於製造該第三實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第45圖是為一描繪絕緣特性之測量結果的圖表(第三部)；第46圖是為一描繪該第三實施例之變化(第一部)之電子裝置的橫截面圖；第47A和47B圖是為描繪一用於製造該第三實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第48A和48B圖是為描繪該用於製造該第三實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第49圖是為一描繪該第三實施例之變化(第二部)之電子裝置的橫截面圖；第50A和50B圖是為描繪一用於製造該第三實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第51圖是為一描繪該用於製造該第三實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)； 第52圖是為一描繪該第三實施例之變化(第三部)之電子裝置的橫截面圖；第53A和53B圖是為描繪一用於製造該第三實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第54A和54B圖是為描繪該用於製造該第三實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第55圖是為一描繪一第四實施例之電子裝置的橫截面圖；第56A和56B圖是為描繪一用於製造該第四實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第57圖是為一描繪該用於製造該第四實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第58圖是為一描繪絕緣特性之測量結果的圖表(第四部)；第59圖是為一描繪該第四實施例之變化(第一部)之電子裝置的橫截面圖；第60A和60B圖是為描繪一用於製造該第四實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第61A和61B圖是為描繪該用於製造該第四實施例之變化(第一部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)； 第62圖是為一描繪該第四實施例之變化(第二部)之電子裝置的橫截面圖；第63A和63B圖是為描繪一用於製造該第四實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第64圖是為一描繪該用於製造該第四實施例之變化(第二部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第65圖是為一描繪該第四實施例之變化(第三部)之電子裝置的橫截面圖；第66A和66B圖是為描繪一用於製造該第四實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；第67A和67B圖是為描繪該用於製造該第四實施例之變化(第三部)之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)；第68圖是為一描繪一變化實施例之電子裝置的橫截面圖；第69A和69B圖是為描繪一用於製造該變化實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第一部份)；及第70圖是為一描繪該用於製造該變化實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖(第二部份)。
 較佳實施例之詳細說明
在形成數條佈線於一第一絕緣薄膜上，以及對一有一 第二絕緣薄膜被形成俾可覆蓋該數條佈線之佈線結構執行一HAST測試的情況中，遷移是沿著一在該第一絕緣薄膜與該第二絕緣薄膜之間的介面前進，而因此導致絕緣崩潰。如此的遷移是以集中及壓倒的形式在一局部部份前進。
也被構想的是使位於一在數條佈線之間之區域內之第一絕緣薄膜的較高部份經歷蝕刻，以及與在一個由一佈線所覆蓋之區域內之第一絕緣薄膜之表面之高度比較起來降低位在該在數條佈線之間之區域內之第一絕緣薄膜之表面的高度。
然而，在與位於一由佈線所覆蓋之區域內之第一絕緣薄膜之表面之高度比較起來已降低在該位於數條佈線之間之區域內之第一絕緣薄膜之表面的高度的情況中，適足的可靠度未被得到。
然而，也構想的是形成一用於抑制佈線之構成原子之擴散的障壁薄膜俾可覆蓋佈線的上和側表面。
然而，簡單地形成如此之障壁薄膜不必產生適足的可靠度。
在任一情況中，遷移是以一集中且壓倒的形式在一局部部份前進，導致絕緣崩潰的結果。
[第一實施例]
關於一第一實施例之佈線結構與其製造方法，以及一使用該佈線結構之電子裝置與其製造方法的說明將會配合第1至17圖來完成。
現在，雖然本實施例之佈線結構應用於電子裝置的範 例將會作說明，應用本實施例之佈線結構的對象不受限為電子裝置。例如，本實施例的佈線結構是可以應用於電路基板。
[電子裝置]
首先，本實施例的電子裝置將會配合第1至3圖來作說明。第1圖是為一描繪本實施例之電子裝置的橫截面圖。第2圖是為本實施例之電子裝置的平面圖。第1圖相當於第2圖中的橫截面A-A’。第3圖是為一描繪本實施例之電子裝置已安裝在一電路基板上之狀態的橫截面圖。
如在第1圖中所示，一晶片(裸晶片)12是埋藏在一樹脂層(基板、樹脂層鑄造、密封樹脂層)10。作為樹脂層10的材料，一有機樹脂是被使用，例如。作為如此之有機樹脂，一環氧樹脂是被使用，例如。該晶片12是為一半導體晶片，例如。作為如此之半導體晶片12，一LSI(大型積體電路)是被使用，例如。該樹脂層10的厚度是為大約200 μm至1 mm，例如。該晶片12的厚度是為大約200 μm至600 μm，例如。
該晶片12是形成有電極(表面電極、外部連接電極)14。該晶片之電極14的一側(在第1圖中之紙上之之上側的表面)，即，晶片12之電極14的上表面是從樹脂層10曝露。
連接到電極14的介層孔15是形成在電極14上。作為介層孔15的材料，銅(Cu)是被使用，例如。介層孔15的高度是為大約2 μm至20 μm。現在，我們可以說，介層孔15的高度是為大約5 μm，例如。
一絕緣薄膜16是形成在該形成有介層孔15的樹脂層10上。該等介層孔15是由該絕緣薄膜16埋藏。該等介層孔15的一表面(在第1圖中之紙上之上側的表面)，即，該等介層孔15的上表面是從絕緣薄膜16露出。作為該絕緣薄膜16的材料，一有機樹脂是被使用，例如。作為如此之有機樹脂，一酚樹脂(phenol resin)是被使用，例如。更特別地，作為該絕緣薄膜16的材料，一正片-型光敏性酚樹脂是被使用，例如。該絕緣薄膜16的薄膜厚度是為大約2 μm至20 μm，例如。現在，我們可以說，該絕緣薄膜16的薄膜厚度是為5 μm，例如。
注意的是，一正片-型光敏性酚樹脂是被使用作為絕緣薄膜16的原因是因為該正片-型光敏性酚樹脂具有很多雜質和大洩漏電流。
數條分別連接至該等介層孔15的佈線22是形成於該絕緣薄膜16的一表面(在第1圖中之紙上之上側的表面)，即，該絕緣薄膜16的上表面。作為該等佈線22的材料，Cu是被使用，例如。在一位於該數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16是形成有凹陷部份17。因此，在該位於該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16之上表面的高度是比在一由該等佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜之上表面的高度低。換句話說，在該未由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之上表面的高度是比在該由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16的高度低。該等凹陷部份17的深度是為大約800 nm，例如。
一用於誘導佈線22之構成原子(金屬、金屬離子)之擴散(移動)的誘導層24是形成在該位於該數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。換句話說，與絕緣薄膜16和28比較起來該佈線22之構成原子在它那裡會是容易擴散的該層24是形成在該位於該數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。在這裡，與絕緣薄膜16和28比較起來是為佈線22之原子的Cu在該誘導層24中會是容易擴散。該誘導層24是藉由改變該絕緣薄膜16的表面部份來形成。更特別地，該誘導層(改變層)24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。該誘導層24是為該絕緣薄膜16的粗糙化部份。因此，該誘導層24是形成在該位於該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16的表面部份上。該誘導層24是形成在該等形成於該在該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上之凹陷部份17的底和側部份上。
該誘導層24業已被粗糙化，而據此，其之吸濕性(吸收能力)是比絕緣薄膜16和28的高。在吸濕性方面的高是有助於佈線22的構成原子在誘導層24中容易被拿取，以及容易擴散到該誘導層24內。
而且，該誘導層24已被粗糙化，而據此，其之密度是比絕緣薄膜16和28的低。在密度方面的低有助於佈線22的構成原子在誘導層24中容易拿取，以及容易擴散至該誘導層24內。
該誘導層24的厚度是為5 nm至300 nm，例如。現在，我們可以說的是，該誘導層24的厚度是為大約100 nm。
該誘導層24的絕緣特性是比絕緣薄膜16和28的低。在絕緣特性方面的高/低影響佈線22之構成原子之移動的容易度。該等絕緣薄膜16和28在絕緣特性方面是相當高的，而據此，佈線22的構成原子在該等絕緣薄膜16和28中是相當難以移動的。另一方面，誘導層24的絕緣特性是相當低的，而據此，佈線22的構成原子在該誘導層24中是相當容易移動。
一障壁薄膜26是形成在該等佈線22的上和側表面上。該障壁薄膜26是用於抑制佈線22的構成原子擴散至該絕緣薄膜28內。作為該障壁薄膜26的材料，鈷鎢磷光體(CoWP)是被使用，例如。該障壁薄膜26的薄膜厚度是大約5 nm到100 nm，例如。現在，我們可以說的是，該障壁薄膜26的厚度是為大約20 nm，例如。
這樣，本實施例的佈線結構2是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成於該在該數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
該絕緣薄膜28是形成在該絕緣薄膜16的一表面側上(在第1圖中之紙上的上側)，即，在該絕緣薄膜16上俾可覆蓋形成有障壁薄膜26的佈線22。作為該絕緣薄膜28的材料，一有機樹脂是被使用，例如。該絕緣薄膜28的薄膜厚度是大約5 μm至30 μm，例如。現在，我們可以說的是，該絕緣薄膜28的薄膜厚度是為10 μm，例如。
注意的是，一正片-型光敏性酚樹脂被使用作為絕緣薄膜28的原因是為因為該正片-型光敏性酚樹脂具有很多雜 質和大洩漏電流。
延伸至該等佈線22的開孔(接觸孔)30是形成在該絕緣薄膜28上。介層孔(導電栓塞)32是形成在該等開孔30內。與介層孔32一體形成的電極焊墊34是形成在絕緣薄膜28的一表面側上(在第1圖中之紙上的上側)，即，在該絕緣薄膜28上。作為介層孔32與電極焊墊34的材料，Cu是被使用，例如。
一電鍍薄膜(圖中未示)是形成在該等電極焊墊34的上和側表面上。作為如此之電鍍薄膜，由鎳(Ni)薄膜與金(Au)薄膜形成的一層疊薄膜(圖中未示)是被使用，例如。
一防焊薄膜36是形成在該絕緣薄膜28的一表面側上(在第1圖中之紙上的上側)，即，在該絕緣薄膜28上。露出電極焊墊34的開孔38是形成在該防焊薄膜36上。錫凸塊(錫球)40是形成在電極焊墊34的一表面側上(在第1圖中之紙上的上側)，即，在該等電極焊墊34上。該等錫凸塊40是分別經由電極焊墊34和佈線22電氣連接至該晶片12的電極14。這樣，本實施例的電子裝置(晶圓級封裝)4是形成。
如在第3圖中所示，本實施例的電子裝置4是安裝在該電路基板42上，例如。電極44是形成在電路基板42的表面上。該等電極44是電氣連接至一形成在電路基板42上的佈線(圖中未示)或其類似。作為電極44的材料，Au、Cu或其類似是被使用，例如。作為該電路基板42，一樹脂基板或陶瓷基板或其類似是被使用，例如。
電子裝置4的電極焊墊34，與電路基板42的電極44是以 錫凸塊40連接，例如。這樣，根據本實施例，該用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該於數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。因此，根據本實施例，遷移並非極度地在一局部部份前進，而遷移是以一全面且平均的形式逐漸地前進。因此，根據本實施例，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此，具有高可靠性的佈線結構2，以及具有該佈線結構的電子裝置4可以被提供。
此外，根據本實施例，該等凹陷部份17是形成在該位於該數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而該誘導層24是形成在該等凹陷部份17的底和側部份上。因此，根據本實施例，遷移的前進路徑是繞行一個相當於該等凹陷部份17之深度的量，而直到絕緣崩潰發生為止的時間會進一步延長。
[電子裝置的製造方法]
接著，一種用於製造本實施例之電子裝置的方法將會配合第4A至17圖來作說明。第4A至17圖是為描繪該用於製造本實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，如在第4A圖中所示，一黏著層48是形成在一支撐基體46上。作為該支撐基體46、矽基體、不鏽(SUS)基體、玻璃基體、或其類似是被使用，例如。該支撐基體46的厚度是希望設定成比該樹脂層10的厚度厚。作為該黏著層48，一藉著熱的施加而能夠被剝離的黏著層，即，一會被執行熱燒灼的黏著層是形成。該黏著層48的厚度是大約100 μm，例如。
接著，如在第4B圖中所示，該晶片12是設置在該黏著層48上。作為該晶片12，一半導體晶片是被使用，例如。該等電極14是形成在該晶片12上。在設置晶片12於黏著層48上之時，該晶片12是設置以致於晶片12的電極14是與黏著層48接觸。因此，該晶片12是設置在該黏著層48上。
接著，如在第5A圖中所示，該樹脂層10是形成在已設置有晶片12之黏著層48的整個表面上。作為樹脂層10的材料，一有機樹脂是被使用，例如。更特別地，作為樹脂層10的材料，一環氧樹脂是被使用，例如。該樹脂層10是充填於在晶片12與黏著層48之間的空間內。因此，晶片12之電極14的側表面是由樹脂層10覆蓋。因此，晶片12是處於由樹脂層10埋藏的狀態。
接著，如在第5B圖中所示，該支撐基體46和黏著層48是自樹脂層10和晶片12剝離。那就是說，該支撐基體46和黏著層48是從埋藏晶片12的樹脂層10移去。在使用能夠執行熱燒灼之黏著層作為黏著層48的情況中，藉著在把支撐基體與黏著層48自樹脂層10與晶片12剝離之時執行熱處理，該黏著層48的黏著能力會被降低。這樣，晶片12是埋藏於樹脂層10的一種結構(偽-晶圓，樹脂基體)50是得到。該結構50的一表面(相鄰於黏著層48的表面)是處於晶片12之電極14被露出的狀態。塗意的是，如此的技術是稱為偽SOC(System On Chip)。
接著，結構50的上和下側是顛倒(見第6A圖)。接著， 例如，藉著濺鍍方法，一黏附層(障壁層)(圖中未示)是形成在結構50的一表面上(在第6A圖中之紙上之上側的表面)，即，在結構50上的整個表面上，例如。作為該黏附層的材料，鈦(Ti)是被使用，例如。黏附層的厚度是大約20 nm，例如。
接著，例如，藉著濺鍍方法，一種子層52是形成在形成有黏附層之結構50之一表面側(在第6B圖中之紙上的上側)的整個表面上(見第6B圖)。作為該種子層52的材料，Cu是被使用，例如。該種子層52的厚度是大約100 nm，例如。
接著，如在第7A圖中所示，例如，藉著旋塗方法，一光阻薄膜54是形成在結構50之一表面側(在第7A圖中之紙上的上側)的整個表面上。該光阻薄膜54的薄膜厚度是大約8 μm，例如。
接著，利用光刻技術，開孔56是形成在光阻薄膜54中。在使在光阻薄膜54上之開孔56之圖案曝光之時，一步進器、接觸對準器、或其類似是被使用，例如。作為於顯影該光阻薄膜54之時的顯影溶液，TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)是被使用，例如。
接著，光阻薄膜54被改造。如此的改造是藉由親水性地改進光阻薄膜54的表面俾有助於電鍍。於改造光阻薄膜54之時，O2 電漿照射、紫外線照射、或其類似是被使用，例如。
接著，如在第7B圖中所示，介層孔(導電栓塞)15是，例如，藉著電鍍方法來形成。作為用於形成介層孔15的電 鍍液，一硫酸銅電鍍液是被使用，例如。介層孔15的高度是大約2 μm至20 μm，例如。
接著，該光阻薄膜54被剝離。作為在剝離光阻薄膜54之時的剝離液體，NMP(N-MehtylPyrrolidone)或丙酮或其類似是被使用，例如。
接著，例如，根據濕蝕刻，曝露在介層孔15四周的該種子層52和黏附層被移除(見第8A圖)。作為蝕刻種子層52之時所使用的蝕刻溶液，硫酸鉀溶液、氯化鐵溶液、銨-過氧化重硫酸鹽(ammonium-peroxodisulfate)溶液、或其類似是被使用，例如。作為用於蝕刻黏附層的蝕刻溶液，氟化銨(ammonium fluoride)溶液是被使用，例如。要注意的是，黏附層的蝕刻方法未受限為濕蝕刻。例如，黏附層能夠以乾蝕刻來蝕刻。於乾蝕刻黏附層之時，CF4 氣體可以被使用作為蝕刻氣體，例如。
接著，如在第8B圖中所示，該絕緣薄膜16是，例如，藉著旋塗方法來形成在該結構50之一表面側(在第8B圖中之紙上的上側)的整個表面上，即，在結構50的整個表面上。作為該絕緣薄膜16的材料，一有機樹脂是被使用，例如。作為如此之有機樹脂，一酚樹脂是被使用，例如。更特別地，作為該絕緣薄膜16的材料，一正片-型光敏性酚樹脂是被使用，例如。該絕緣薄膜16的薄膜厚度是大約3 μm至25 μm，例如。
接著，如在第9A圖中所示，例如，根據CMP(化學機械研磨)方法，絕緣薄膜16的一表面側(在第9A圖中之紙上 的上側)被研磨直到介層孔15的表面露出為止。因此，絕緣薄膜的表面被平坦化。絕緣薄膜16的薄膜厚度變成大約2 μm至20 μm，例如。
接著，例如，具有大約20 nm之薄膜厚度的一黏附層(圖中未示)是，例如，藉著濺鍍方法來形成在形成有絕緣薄膜16之該結構50之一表面側(在第9A圖中之紙上的上側)的整個表面上。作為黏附層的材料，Ti是被使用，例如。黏附層的厚度是大約20 nm，例如。
接著，一種子層58是，例如，藉著濺鍍方法來形成在形成有黏附層之該結構50之一表面側(在第9B圖中之紙上的上側)的整個表面上。作為種子層58的材料，Cu是被使用，例如。種子層的厚度是大約10 nm，例如。
接著，一光阻薄膜60是，例如，藉著旋塗方法來形成在形成有種子層58之該結構50之一表面側(在第10A圖中之紙上的上側)的整個表面上。該光阻薄膜60的薄膜厚度是大約3 μm，例如。
接著，一開孔62是利用光刻技術來形成在一光阻薄膜60中(見第10A圖)。如此的開孔62是用於形成該等佈線22。
接著，該光阻薄膜60被改造。如此的改造是藉由親水性地改進光阻薄膜60的表面俾有助於電鍍。於改造光阻薄膜60之時，O2 電漿照射、紫外線照射、或其類似是被使用，例如。
接著，如在第10B圖中所示，例如，根據電鍍方法，佈線22被形成，例如。佈線22的高度是大約1 μm至5 μm，例 如。作為佈線22的材料，Cu是被使用，例如。作為用於形成佈線22的電鍍液，硫酸銅電鍍液是被使用，例如。
接著，光阻薄膜60被剝離。作為在剝離光阻薄膜60之時的剝離液體，NMP或丙酮或其類似是被使用，例如。
接著，曝露在佈線22四周之一部份的黏附層和種子層58是遭遇蝕刻移除。作為於蝕刻種子層58之時所使用的蝕刻溶液，硫酸鉀溶液、氯化鐵溶液、銨-過氧化重硫酸鹽(ammonium-peroxodisulfate)溶液、或其類似是被使用，例如。作為用於蝕刻黏附層的蝕刻溶液，氟化銨(ammonium fluoride)溶液或其類似是被使用，例如。
要注意的是，黏附層的蝕刻方法未受限為濕蝕刻。例如，黏附層能夠以乾蝕刻來蝕刻。於乾蝕刻黏附層之時，CF4 氣體可以被使用作為蝕刻氣體，例如。這樣，經由介層孔15電氣地連接到晶片12之電極14的佈線(重新佈線層)22是形成(見第11A圖)。
接著，例如，根據乾蝕刻，在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16是遭遇蝕刻。於乾蝕刻絕緣薄膜16之時，O2 氣體是被使用，例如。因此，在未由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之上表面的高度與在由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16的高度比較走來是被降低。那就是說，該等凹陷部份17是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。絕緣薄膜16的蝕刻量(蝕刻的深度)是大約800 nm，例如。
接著，如在第12A圖中所示，例如，根據無電電鍍方法， 一障壁薄膜26是形成在佈線22的上表面和側表面上。該障壁薄膜26是用於抑制佈線22的構成原子擴散至絕緣薄膜28內。作為障壁薄膜26的材料，CoWP是被使用，例如。障壁薄膜26的薄膜厚度是大約5 nm至100 nm，例如。現在，我們可以說的是，障壁薄膜26的薄膜厚度是大約20 nm，例如。
接著，用於誘導佈線22之構成原子(金屬、金屬離子)之擴散的誘導層24是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。那就是說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的層24是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。如此的誘導層24可以藉由粗糙化絕緣薄膜16的表面部份來形成，例如。絕緣薄膜16的粗糙化可以藉電漿處理來執行，例如。在對絕緣薄膜16執行電漿處理之時，Ar電漿是被使用，例如。在產生Ar電漿之時要施加到電極的高頻電力是大約300W，例如。用於電漿處理的時間是大約三分鐘，例如。誘導層24的厚度是大約5 nm至100 nm，例如，現在，我們可以說的是，誘導層24的厚度是大約50 nm，例如。該誘導層24是因此形成於該等形成在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上之凹陷部份17的底和側部份上。這樣，本實施例的佈線結構2是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。
接著，絕緣薄膜28是，例如，藉著旋塗方法來形成在形成有佈線結構2之該結構50之一表面側(在第13A圖中之 紙上的上側)的整個表面上，即，在結構50的整個表面上。作為絕緣薄膜28的材料，一有機樹脂是被使用，例如。作為如此之有機樹脂，一酚樹脂是被使用，例如。更特別地，作為絕緣薄膜28的材料，一正片-型光敏性酚樹脂是被使用，例如。該絕緣薄膜28的薄膜厚度是大約5 μm，例如。
接著，延伸至佈線22的開孔30是利用光刻技術來形成在絕緣薄膜28上(見第13A圖)。該等開孔30是用於埋藏介層孔(導電栓塞)32。
接著，一黏附層(圖中未示)是，例如，藉著濺鍍方法來形成在形成有絕緣薄膜28之該結構50之一表面側(在第13A圖中之紙上的上側)的整個表面上，即，在結構50的整個表面上。作為黏附層的材料，Ti是被使用，例如。黏附層的厚度是大約20 nm，例如。
接著，一種子層64是，例如，藉著濺鍍方法來形成在形成有黏附層之該結構50之一表面側(在第13B圖中之紙上的上側)的整個表面上。作為種子層64的材料，Cu是被使用，例如。種子層64的厚度是大約100 nm，例如。
接著，一光阻薄膜66是，例如，藉著旋塗方法來形成在該結構50之一表面側(在第14A圖中之紙上的上側)的整個表面上，即，該結構50的整個表面。該光阻薄膜66的薄膜厚度是大約8 μm，例如。
接著，開孔68是利用光刻技術來形成在光阻薄膜66中(見第14A圖)。如此的開孔68是用於形成該等電極焊墊34。
接著，光阻薄膜66被改造。如此的改造是藉由親水性 地改進光阻薄膜66的表面俾有助於電鍍。於改造光阻薄膜66之時，O2 電漿照射、紫外線照射、或其類似是被使用，例如。
接著，介層孔32與電極焊墊34是，例如，藉著電鍍方法來形成在光阻薄膜66的開孔68之內。介層孔32和電極焊墊34是一體地形成。作為介層孔32與電極焊墊34的材料，Cu是被使用，例如。
接著，光阻薄膜66被剝離。作為在剝離光阻薄膜66之時的剝離液體，NMP或丙酮或其類似是被使用，例如。
接著，露出在電極焊墊34四周之一部份的黏附層和種子層64是遭遇蝕刻移除。作為在蝕刻種子層64之時所使用的蝕刻溶液，硫酸鉀溶液、氯化鐵溶液、銨-過氧化重硫酸鹽(ammonium-peroxodisulfate)溶液、或其類似是被使用，例如。作為用於蝕刻黏附層的蝕刻溶液，氟化銨(ammonium fluoride)溶液或其類似是被使用，例如。
要注意的是，黏附層的蝕刻方法未受限為濕蝕刻。例如，黏附層能夠以乾蝕刻來蝕刻。於乾蝕刻黏附層之時，CF4 氣體可以被使用作為蝕刻氣體，例如。這樣，經由介層孔32電氣連接到佈線22的電極焊墊34是形成(見第14B圖)。
接著，由一Ni薄膜與一Au薄膜製成的一層疊薄膜(圖中未示)是，例如，藉著無電電鍍方法來形成在電極焊墊34的表面上。Ni薄膜的薄膜厚度是大約20 nm至1 μm，例如。現在，Ni薄膜的薄膜厚度是大約200 nm。Au薄膜的薄膜厚度是大約200 nm至1 μm，例如。現在，我們可以說的是，Au 薄膜的薄膜厚度是大約300 nm。
接著，防焊薄膜36是，例如，藉旋塗方法來形成在該結構50之一表面側(在第15A圖中之紙上的上側)的整個表面上，即，在結構50的整個表面上。該防焊薄膜36的薄膜厚度是10 μm至30 μm，例如。
接著，延伸至電極焊墊34的開孔38是利用光刻技術來形成於防焊薄膜36中。
接著，錫凸塊(錫球)40是形成於該等在開孔38之內露出的電極焊墊34上。該等錫凸塊40是分別經由電極焊墊34和佈線22來電氣連接到晶片12的電極14。這樣，本實施例之具有佈線結構2的電子裝置(晶圓級封裝體)是形成(見第15B圖)。
本實施例的電子裝置4是安裝於該電路基板42上，例如。於安裝本實施例之電子裝置4在電路基板42上之時，首先，如在第16圖中所示，本實施例的電子裝置4是設置在該電路基板42上。作為該電路基板42，一樹脂基板或陶瓷基板或其類似是被使用，例如。用於連接電子裝置4之凸塊40的電極44是形成在電路基板42的表面上。作為電極44的材料，Au、Cu、或其類似是被使用，例如。該等電極44是電氣連接到形成於電路基板42上的佈線(圖中未示)。於設置電子裝置4在電路基板42上之時，電子裝置4是設置在電路基板42上俾可與電子裝置4的凸塊40，以及電路基板42的電極44互相連接。這樣，本實施例的電子裝置4是設置在該電路基板42上。
接著，在電子裝置4側的電極焊墊34，以及在電路基板42側的電極44是藉由執行熱處理(迴焊)來利用錫凸塊40連接。這樣，本實施例的電子裝置4是設置在該電路基板42上。
如上所述，根據本實施例，用於誘導佈線22之構成原子(金屬離子)之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。因此，根據本實施例，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以一全面且平均的形式逐漸地前進。因此，根據本實施例，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此，具有高可靠度的佈線結構2，以及具有該佈線結構2的電子裝置能夠被提供。
此外，根據本實施例，該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而該誘導層24是形成在該等凹陷部份17的底和側部份上。因此，根據本實施例，遷移的前進路徑是繞道一個相等於凹陷部份17之深度的量，而直到絕緣崩潰發生為止的時間會進一步延長。
(評估結果)
接著，本實施例之佈線結構的估算結果將會作說明。
第18圖是為一描繪一絕緣特性評估電路的圖示。第19圖是為一描繪絕緣特性測量結果的圖表。在第19圖中的水平軸代表每增額長度的施加電壓，而在第19圖中的垂直軸代表漏電流。
如在第18圖中所示，一絕緣薄膜102是形成在一具有低 電阻的矽基體100上。由Au形成的電極104是形成在該絕緣薄膜102上。一I-V錶106的其中一個輸入端，以及該矽基體100是電氣地接地。該I-V錶106的另一輸入端是經由探針108來電氣連接至該等電極104。
如果利用如在第18圖中所示之評估電路測量在施加電壓與漏電流之間的關係，如在第19圖中所示的測量結果是被得到。
在第19圖中所示的範例1對應於本實施例。就範例1而言，由正片-型光敏性酚樹脂形成的絕緣薄膜102是形成在矽基體100上，該絕緣薄膜102是藉由執行電漿處理來被粗糙化，而該等電極104是形成在該經粗糙化的絕緣薄膜102上。
就比較範例1而言，由正片-型光敏性酚樹脂的絕緣薄膜是形成在矽基體100上，而紫外線照射是對這絕緣薄膜102執行。
從第19圖會了解的是，就範例1而言，漏電流與比較範例1比較起來是比較大的。因此，根據範例1，會見到的是具有是為相當低之絕緣特性的絕緣薄膜102會被得到。
範例1之經粗糙化的絕緣薄膜102相當於藉由粗糙化絕緣薄膜16(見第1圖)之表面部份來形成之本實施例的誘導層24(見第1圖)。就一具有低絕緣特性的絕緣薄膜而言，佈線22(見第1圖)的構成原子(金屬離子)是容易擴散。因此，根據本實施例，遷移不極度地在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，根據本實施例， 直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構2，以及具有該佈線結構2的電子裝置4能夠被提供。
接著，本實施例之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
於一HAST測試之時的溫度是設定成130℃，而在該HAST測試之時的濕度是設定成85%。偏壓電壓設定成3.5V。就該HAST測試而言，絕緣電阻相等於或者大於1 x 106 Ω是維持150小時或以上的情況是被決定為OK。
作為範例2，一HAST測試是對本實施例的佈線結構2執行，即，誘導層24是藉由粗糙化絕緣薄膜16之表面部份來形成的佈線結構2。就範例2而言，95%的測試樣品是被決定為OK。
另一方面，就比較範例2而言，其中，一HAST測試是對紫外線處理已對絕緣薄膜16執行的佈線結構執行，被決定為OK的測試樣品的數目是僅5%。這樣，根據本實施例，可以見到的是，具有高可靠度的佈線結構2能夠被得到。
(變化(第一部))
接著，關於本實施例之變化(第一部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第20圖至第22B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第20圖來作說明。第20圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
如在第20圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第1圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。因此，於該在該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度不是設定比在由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度低。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
這樣，本變化的電子裝置4a是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
就本變化而言，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第21A至22B圖來作說明。第21A至22B圖是為描繪用於製 造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，它們的說明將會被省略(見第21A圖)。
接著，以與以上配合第12A圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，障壁薄膜26是形成在佈線22的上和側表面上(見第21B圖)。
接著，以與以上配合第12B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成於該在該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第22A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，它們的說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2a之本變化的電子裝置(晶圓級封裝體)4a是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成於該在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第22B圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4a能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說 明。
HAST測試的條件是以與以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試之條件相同的方式設定。
作為範例3，一HAST測試是對本變化的佈線結構2a執行。就範例3而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，該誘導層24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。就該範例3而言，50%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，作為比較範例3，一HAST測試是對紫外線處理已對絕緣薄膜16執行的佈線結構執行。就比較範例3而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，紫外線處理是對絕緣薄膜16的表面部份執行。就比較範例3而言，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，本變化也具有若干程度的可靠度。然而，本著得到適足高的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
(變化(第二部))
接著，關於本實施例之變化(第二部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第23圖至第25圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第23圖來作說明。第23圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26也未形成。
如在第23圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第1圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第1圖)未形成。這樣，具有佈線結構2b的電子裝置4b是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且一配置也能夠被完成，其中，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26未形成。
就本變化而言，該誘導層24是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間 能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第24A至25圖來作說明。第24A至25圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，它們的說明將會被省略(見第24A圖)。
接著，以與以上配合第12B圖所述之用於製造電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第24B圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，它們的說明將會被省略。這樣，具有佈線結構2b之本變化的電子裝置4b是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第25圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4b能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是以與以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試之條件相同的方式設定。
作為範例4，一HAST測試是對本變化的佈線結構執行。就範例4而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成該障壁薄膜26於該等佈線22的上和側表面上之下，該誘導層24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。就該範例4而言，15%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，作為比較範例4，一HAST測試是對紫外線處理已對絕緣薄膜16執行的佈線結構執行。就比較範例4而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，紫外線處理是對絕緣薄膜16的表面部份執行。就比較範例4而言，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，以及形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
(變化(第三部))
接著，關於本實施例之變化(第三部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第26圖至第28B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第26圖來作說明。第26圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第26圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。因此，位於該在該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度不是設定比在該由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度低。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第1圖)未形成。這樣，具有佈線結構2c的電子裝置4c是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，雖然該等凹陷部份17是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形 成。
就本變化而言，該誘導層24是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第27A至28B圖來作說明。第27A至28B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，它們的說明將會被省略(見第27A圖)。
接著，以與以上配合第11B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，位在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16是遭遇蝕刻(見第27B圖)。
接著，以與以上配合第12B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜上(見第28A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，它們的說明將會被省略。這樣， 具有佈線結構2c之本變化的電子裝置4c是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第28B圖)。
在這之後，以與以上配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，該電子裝置4c是安裝在該電路基板42上。這樣，本變化的電子裝置被製成。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是以與以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試之條件相同的方式設定。
範例5是為一實施例，其中，一HAST測試是對本變化的佈線結構執行。就範例5而言，該等凹陷部份17是形成於該位在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26未形成，而該誘導層24是藉由粗糙化該絕緣薄膜16的表面部份來形成。由於該HAST測試結果，在範例5的情況中45%的測試樣品被決定是OK。
比較範例5是為一範例，其中，一HAST測試是對紫外線處理已對絕緣薄膜16執行的佈線結構執行。就比較範例5而言，該等凹陷部份17是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26未形成，而紫外線處理是對絕緣薄膜16的表面部 份執行。在比較範例5中被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
[第二實施例]
關於第二實施例之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及電子裝置製造方法的說明將會配合第29至31圖來完成。與在第1至28B圖中所示之第一實施例之佈線結構及其製造方法等等相同的組件是由相同的標號標示，而且其之說明將會被省略或簡化。
(電子裝置)
首先，本實施例的電子裝置將會配合第29圖來作說明。第29圖是為一描繪本實施例之電子裝置的橫截面圖。
就本實施例的電子裝置而言，一誘導層24a是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
以與第一實施例之電子裝置相同的方式，該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。該等凹陷部份17的深度是大約800 nm，例如。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條導線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。換句話說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的該層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24是 形成在該等形成於在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16中之凹陷部份17的底和側部份上。該誘導層24a是藉由改造絕緣薄膜16的表面部份來形成。更特別地，該誘導層(改造層)24a是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。據此，該誘導層24a是為絕緣薄膜16的一損毀部份。
該誘導層24a已被損毀，而據此，其之吸濕性(吸濕能力)是比絕緣薄膜16和28的高。在吸濕性方面的高是有助於佈線22的構成原子在誘導層24a中容易被拿取，而且是容易地擴散至該誘導層24a內。而且，該誘導層24a已被損毀，而據此，其之密度是比絕緣薄膜16和28的低。在密度方面的低是有助於佈線22的構成原子在誘導層24a中容易被拿取，而且是容易擴散至該誘導層24a內。
該誘導層24a的厚度是大約5 nm至300 nm，例如。現在，我們可以說的是，該誘導層24a的厚度是大約10 nm至100 nm。
以與第一實施例之誘導層24相同的方式，該誘導層24a的絕緣特性是比絕緣薄膜16和28的低。在絕緣特性方面的高/低影響佈線22之構成原子之移動(散發)的容易度。該等絕緣薄膜16和28在絕緣特性方面是相當高，而據此，在該等絕緣薄膜16和28中佈線22的構成原子是相當難以移動。另一方面，誘導層24a的絕緣特性是相當低，而據此，在誘導層24a中佈線22的構成原子是相當容易移動。
以與第一實施例之電子裝置相同的方式，該障壁薄膜26是形成在佈線22的上和側表面上。這樣，具有佈線結構 2d之本變化的電子裝置(晶圓級封裝體)4d是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
(電子裝置的製造方法)
接著，一用於製造本實施例之電子裝置的方法將會配合第30A至31圖來作說明。第30A至31圖是為描繪用於製造本實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於形成該障壁薄膜26於該等佈線22之上和側表面上的製程是與在第4A至12A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第30A圖)。
接著，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第30B圖)。那就是說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的該層24a是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。如此的誘導層24a可以藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。關於該絕緣薄膜16的損毀可以藉由把該絕緣薄膜16浸在一鹼性化學製品內來執行，例如。作為如此的鹼性化學製品，包括氨(ammonia)的一鹼性化學製品是被使用，例如。這鹼性化學製品的pH是10.0或以上，例如。這鹼性化學製品的溫度是為50℃或更高，例如。把該絕緣薄膜16浸泡至這化學製品內的時間是大約5分鐘。該誘導層24a的 厚度是大約50 nm至300 nm，例如。現在，我們可以說的是，該誘導層24a的厚度是大約100 nm，例如。
要注意的是，雖然在這裡有關於一包括氨之鹼性化學製品是被使用作為一鹼性化學製品之情況的說明業已完成，要被使用的鹼性化學製品未受限為這。例如，一包括TMAH的鹼性化學製品、一包括KOH(氫氧化鉀)的鹼性化學製品、或其類似是可以被使用作為一鹼性化學製品。
這樣，本實施例的佈線結構2d是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
用於製造本實施例之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具有佈線結構2d之本實施例的電子裝置4d是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成於該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上(見第31圖)。
在這之後，以與以上配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，該電子裝置4d是安裝在該電路基板42上。
(評估結果)
接著，本實施例之佈線結構的評估結果將會作說明。
第32圖是為一描繪一絕緣特性測量結果的圖示。在第32圖中的水平軸代表每增額長度的施加電壓，而在第32圖 中的垂直軸代表漏電流。作為該評估電路，與在第18圖中所描繪之第一實施例的相同的評估電路是被使用。
在第32圖中所示的範例6對應於本實施例。就範例6而言，由正片-型光敏性酚樹脂形成的絕緣薄膜102是形成在矽基體100上，而該絕緣薄膜102是藉由浸泡至一鹼性化學製品內來被損毀。
另一方面，如上所述，比較範例1是為一範例，其中，由正片-型光敏性酚樹脂形成的絕緣薄膜102是形成在該矽基體100上，而紫外線照射是對這絕緣薄膜102執行。
從第32圖會了解的是，就範例6而言，漏電流與比較範例1比較起來是增加的。因此，根據範例6，會見到的是具有是為相當低之絕緣特性的絕緣薄膜102會被得到。
在範例6中被損毀的絕緣薄膜102相當於藉由損毀絕緣薄膜16(見第29圖)之表面部份來形成的誘導層24(見第29圖)。就一具有低絕緣特性的絕緣薄膜而言，佈線22(見第29圖)的構成原子(金屬離子)是容易擴散。據此，就本實施例而言，遷移不極度地在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本實施例而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構2d，以及具有該佈線結構2d的電子裝置4d能夠被提供。
接著，本實施例之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本實施例之HAST測試的條件是如同以上所述之第一 實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例7，一HAST測試是對該佈線結構2d執行，其中，該誘導層24a已藉由損毀本實施例的佈線結構2d，即，絕緣薄膜16的表面部份，來形成。就範例7而言，95%的測試樣品是被決定為OK。
另一方面，在比較範例7的情況中，其中，如以上所述，一HAST測試是對紫外線處理已對絕緣薄膜16執行的佈線結構執行，被決定為OK的測試樣品的數目是僅5%。
如上所述，會見到的是，根據本實施例，具有高可靠度的佈線結構2d會被得到。
(變化(第一部))
接著，關於本實施例之變化(第一部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第33圖至第35B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第33圖來作說明。第33圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
如在第33圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第29圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。因此，於該在該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度不是設定比在由佈線22所 覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度低。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24a是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
這樣，具有佈線結構2e的電子裝置4e是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
就本變化而言，該誘導層24a是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構，以及具有該佈線結構的電子裝置能夠被提供。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第34A至35B圖來作說明。第34A至35B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略 (見第34A圖)。
接著，以與以上配合第12A圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，障壁薄膜26是形成在佈線22的上和側表面上(見第34B圖)。
接著，以與以上配合第30B圖所述之用於製造第二實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成於該在該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第35A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2e之本變化的電子裝置4e是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成於該在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第35B圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4e能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例8，一HAST測試是對本變化的佈線結構2e執行。就範例8而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條 佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，該誘導層24a是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。就該範例8而言，60%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例3的情況中，其中，如以上所述，在沒有形成凹陷部份17於該位在該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，紫外線處理是對絕緣薄膜16的表面部份執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，就本變化而言，在某程度的可靠度是被得到。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
(變化(第二部))
接著，關於本實施例之變化(第二部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第36圖至第38圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第36圖來作說明。第36圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第36圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第29圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域 內的絕緣薄膜16中。因此，於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度不是設定比在該由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度低。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第29圖)未形成。這樣，具有佈線結構2f之本變化的電子裝置4f是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26也是未形成。
就本變化而言，該誘導層24a是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第37A至38圖來作說明。第37A至38圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第37A圖)。
接著，以與以上配合第30B圖所述之用於製造第二實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第37B圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具有佈線結構2f之本變化的電子裝置4f是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第25圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4f能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試之條件一樣設定。
作為範例9，一HAST測試是對本變化的佈線結構2f執行。就範例9而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條 佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，該誘導層24是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。就該範例9而言，10%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例4的情況中，其中，如以上所述，在沒有形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成該障壁薄膜26在佈線22的上和側表面上之下，紫外線處理是對絕緣薄膜16的表面部份執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，以及形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
(變化(第三部))
接著，關於本實施例之變化(第三部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第39至41B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第39圖來作說明。第39圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，雖然凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋該等佈線22之上和側 表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第39圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。因此，位於該在該數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度是設定比在該由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16之表面的高度低。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第29圖)未形成。這樣，具有佈線結構2g之本變化的電子裝置4g是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，雖然該等凹陷部份17是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
就本變化而言，該誘導層24a是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第40A至41B圖來作說明。第40A至41B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第40A圖)。
接著，以與以上配合第11B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，位在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16是遭遇蝕刻(見第40B圖)。
接著，以與以上配合第30B圖所述之用於製造第二實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第41A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具有佈線結構2g之本變化的電子裝置4g是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24a是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第41B圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4g是以與以上配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法 相同的方式來安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例10，其中，一HAST測試是對本變化的佈線結構2g執行。就範例10而言，在形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之時沒有形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，該誘導層24a是藉由損毀該絕緣薄膜16的表面部份來形成。就範例10而言，50%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例5的情況中，其中，一HAST測試是對在形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16中之時沒有形成障壁薄膜26之下紫外線處理已對絕緣薄膜16之表面部份執行的佈線結構執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
[第三實施例]
關於第三實施例之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及電子裝置製造方法的說明將會配合第42至45圖來完成。與在第1至41B圖中所示之第一或第二實施例之佈線結構及其製造方法等等相同的組件是由相 同的標號標示，而且其之說明將會被省略或簡化。
(電子裝置)
首先，本實施例的電子裝置將會配合第42圖來作說明。第42圖是為一描繪本實施例之電子裝置的橫截面圖。
就本實施例的電子裝置而言，一誘導層24b是與絕緣層16獨立地形成在該絕緣層16上。
該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。該等凹陷部份17的深度是大約800 nm，例如。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條導線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。換句話說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的該層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24b是形成在該等形成於在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16中之凹陷部份17的底和側部份上。該誘導層24b不是藉由改造該絕緣薄膜16的表面部份來形成，而是與該絕緣薄膜16獨立地形成。該誘導層24b是為一會離子化該等佈線22之構成原子的薄膜。更明確地，該誘導層24b是為一包括陰離子雜質(anionic impurities)的薄膜。此外，明確地，該誘導層24b是為一包括鹵離子(halogen ions)的薄膜。一負片-型酚樹脂層是在這裡被使用作為該誘導層24b。該負片-型酚樹脂層是為一種材料，其中，陰離子雜質的濃度是高。如此之誘導層24b容易離子化該等佈線22的構成原子，而據此， 該等佈線22的構成原子是容易沿著該誘導層24b擴散。該誘導層24b的厚度是大約10至100 nm。在誘導層22中之鹵離子的濃度是100 ppm或以上，例如。
以與第一實施例之誘導層24相同的方式，該誘導層24b的絕緣特性是比該等絕緣薄膜16和28的絕緣特性低。在絕緣特性方面的高/低影響佈線22之構成原子之移動的容易度。該等絕緣薄膜16和28在絕緣特性方面是相當高的，而據此，該等佈線22的構成原子在該等絕緣薄膜16和28中是相當難以移動。另一方面，該誘導層24b的絕緣特性是相當低的，而據此，該等佈線22的構成原子在該誘導層24b中是相當容易移動。
以與第一實施例之電子裝置相同的方式，該障壁薄膜26是形成在該等佈線22的上和側表面上。這樣，具有佈線結構2h之本實施例的電子裝置4h是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
(電子裝置的製造方法)
接著，一用於製造本實施例之電子裝置的方法將會配合第43A至44圖來作說明。第43A至44圖是為描繪用於製造本實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於形成該障壁薄膜26於該等佈線22之上和側表面上的製程是與在第4A至12A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省 略(見第43A圖)。
接著，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在形成有由障壁薄膜26覆蓋之佈線22之結構50的整個表面上。那就是說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的該誘導層24b是形成在該結構50的整個表面上。如此的誘導層24b是為一會離子化該等佈線22之構成原子的薄膜。更明確地，該誘導層24b是為一包括陰離子雜質的薄膜。再明確地，該誘導層24b是為一包括鹵離子的薄膜。在這裡一負片-型酚樹脂層是形成作為該誘導層24b。在一負片-型酚樹脂層被使用作為誘導層24b之材料的情況中，該誘導層24b可以藉由噴灑方法或旋塗方法來形成，例如。
被包括在誘導層24b內之鹵離子的濃度是100 ppm或以上，例如。在誘導層24b是為一負片-型酚樹脂層的情況中，一C1離子被包括作為鹵離子。包括鹵離子的誘導層24b容易離子化該等佈線22的構成原子，而據此，該等佈線22的構成原子容易沿著該誘導層24b擴散。該誘導層24b的厚度是大約10至100 nm，例如。
接著，該誘導層24b是利用光刻技術來遭遇圖案化。因此，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第43B圖)。這樣，本實施例的佈線結構2h是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。
用於製造本實施例之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2h之本實施例的電子裝置4h是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第44圖)。
本實施例的電子裝置4h是以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式來安裝在該電路基板42上。
(評估結果)
接著，本實施例之佈線結構的評估結果將會作說明。
第45圖是為一描繪一絕緣特性測量結果的圖示。在第45圖中的水平軸代表每增額長度的施加電壓，而在第45圖中的垂直軸代表漏電流。作為該評估電路，與在第18圖中所描繪之第一實施例的相同的評估電路是被使用。
在第45圖中所示的範例11對應於本實施例。就範例11而言，由正片-型光敏性酚樹脂形成的絕緣薄膜102是形成在矽基體100上。
作為比較範例6，由黏附促進劑(adhesion promoter)(黏附加速劑(adherence accelerator)、黏附衝擊改性劑(adhesion impact modifier)形成的絕緣薄膜102是形成在該矽基體100上。作為如此的黏附促進劑，由三甲氧基氨基矽烷(trimethoxy aminosilane)形成的矽烷接合劑是被使用。
從第45圖會了解的是，就範例11而言，漏電流與比較範例6比較起來是增加的。因此，根據範例11，會見到的是，具有相當低之絕緣特性的絕緣薄膜102會被得到。
範例11的絕緣薄膜102相當於形成在絕緣薄膜16(見第42圖)上的誘導層24b(見第42圖)。就一具有低絕緣特性的絕緣薄膜而言，佈線22(見第42圖)的構成原子是容易擴散。據此，就本實施例而言，遷移不極度地在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本實施例而言，會見到的是，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構，以及具有該佈線結構的電子裝置能夠被提供。
接著，本實施例之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本實施例之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例12，一HAST測試是對本實施例的佈線結構2h執行，即，誘導層24b是形成於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上的佈線結構2h。就範例12而言，90%的測試樣品是被決定為OK。
另一方面，在比較範例7的情況中，其中，一HAST測試是對在它那裡由黏附促進劑(黏附加強薄膜)形成之絕緣薄膜是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK的測試樣品的數目是僅5%。
如上所述，會見到的是，根據本實施例，具有高可靠度的佈線結構2h會被得到。
(變化(第一部))
接著，關於本實施例之變化(第一部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第46圖至第48B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第46圖來作說明。第46圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
如在第46圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第42圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
這樣，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
這樣，本變化的佈線結構2i是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
就本變化而言，該誘導層24b是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構，以及具有該佈線結構的電子裝置能夠被提供。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第47A至48B圖來作說明。第47A至48B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第47A圖)。
接著，以與以上配合第12A圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，障壁薄膜26是形成在佈線22的上和側表面上(見第47B圖)。
接著，以與以上配合第43B圖所述之用於製造第三實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成於該在該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第48A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2i之本變化的電子裝置4i是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成於該在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第48B圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4i能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例13，一HAST測試是對本變化的佈線結構2i執行。就範例13而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，該誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。就該範例13而言，60%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例8的情況中，其中，一HAST測試是對該在它那裡一黏附加強薄膜是在沒有形成凹陷部份17於該位在該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下形成於該絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，就本變化而言，在某程度的可靠度是被得到。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜 16中。
(變化(第二部))
接著，關於本實施例之變化(第二部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第49圖至第51圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第49圖來作說明。第49圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第49圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第42圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第42圖)未形成。
這樣，具有佈線結構2j之本變化的電子裝置4j是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26也是未形成。
就本變化而言，該誘導層24b是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第50A至51圖來作說明。第50A至51圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第50A圖)。
接著，以與以上配合第43B圖所述之用於製造第三實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第50B圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具 有佈線結構2j之本變化的電子裝置4j是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第51圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4j能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試之條件一樣設定。
作為範例14，一HAST測試是對本變化的佈線結構2i執行。就範例14而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，由負片-型酚樹脂形成的誘導層24b是形成在該絕緣薄膜16上。就該範例14而言，10%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例9的情況中，其中，一HAST測試是對該在它那裡一黏附加強薄膜是在沒有形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成該障壁薄膜26之下形成在該絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄 膜16中，以及形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
(變化(第三部))
接著，關於本實施例之變化(第三部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第52至54B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第52圖來作說明。第52圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，雖然凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第52圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第42圖)未形成。這樣，具有佈線結構2k的電子裝置4k是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，雖然該等凹陷部份17是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
就本變化而言，該誘導層24b是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第53A至54B圖來作說明。第53A至54B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第53A圖)。
接著，以與以上配合第11B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，位在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16是遭遇蝕刻(見第53B圖)。
接著，以與以上配合第30B圖所述之用於製造第二實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第54A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2k之本變化的電子裝置4k是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24b是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第54B圖)。
以此方式形成的電子裝置4k是以與以上配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式來安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例15，一HAST測試是對本變化的佈線結構執行。就範例15而言，在形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之時沒有形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，該誘導層24b是形成在該絕緣薄膜16上。就範例15而言，40%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例10的情況中，其中，一HAST測試是對該在它那裡一黏附加強薄膜是在形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16中之時沒有形成該障壁薄膜26之下形成在該絕緣薄膜16上的佈線結構執 行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
[第四實施例]
關於第四實施例之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及電子裝置製造方法的說明將會配合第55至58圖來完成。與在第1至54B圖中所示之第一至第三實施例之佈線結構及其製造方法等等相同的組件是由相同的標號標示，而且其之說明將會被省略或簡化。
(電子裝置)
首先，本實施例的電子裝置將會配合第55圖來作說明。第55圖是為一描繪本實施例之電子裝置的橫截面圖。
就本實施例的電子裝置而言，一由具有相當高之吸濕性之材料形成的誘導層24c是形成在該絕緣層16上。
該等凹陷部份17是以與第一實施例之電子裝置相同的方式形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。該等凹陷部份17的深度是大約800 nm，例如。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條導線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。換句話說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的該層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24c是形成在該等形成於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄 膜16中之凹陷部份17的底和側部份上。該誘導層24c不是藉由改造該絕緣薄膜16的表面部份來形成，而是與該絕緣薄膜16獨立地形成。該誘導層24c是由一具有相當高之吸濕性的材料形成。更明確地，該誘導層24c是為一包括聚丙烯酸(polyacrylic acid)的薄膜。再明確地，該誘導層24c是為一形成有一聚丙烯酸表面活化劑(polyacrylic surface activating agent)的薄膜。一聚丙烯酸材料是為一具有相當高之吸濕性的材料。如此的誘導層24c容易拿取在其內之佈線22的構成原子，而據此，佈線22的構成原子容易在該誘導層24c之內擴散。該誘導層24c的厚度是大約10至100 nm，例如。
以與第一實施例之誘導層24相同的方式，該誘導層24c的絕緣特性是比該等絕緣薄膜16和28的絕緣特性低。在絕緣特性方面的高/低影響佈線22之構成原子之移動的容易度。該等絕緣薄膜16和28在絕緣特性方面是相當高的，而據此，該等佈線22的構成原子在該等絕緣薄膜16和28中是相當難以移動。另一方面，該誘導層24c的絕緣特性是相當低的，而據此，該等佈線22的構成原子在該誘導層24c中是相當容易移動。
以與第一實施例之電子裝置相同的方式，該障壁薄膜26是形成在該等佈線22的上和側表面上。這樣，具有佈線結構2l之本實施例的電子裝置4l是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
(電子裝置的製造方法)
接著，一用於製造本實施例之電子裝置的方法將會配合第56A至57圖來作說明。第56A至57圖是為描繪用於製造本實施例之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於形成該障壁薄膜26於該等佈線22之上和側表面上的製程是與在第4A至12A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第56A圖)。
接著，用於誘導佈線22之構成原子(金屬離子)之擴散的誘導層24c是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第56B圖)。那就是說，與絕緣薄膜16和28比較起來佈線22之構成原子在它那裡會容易擴散的該層24c是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24c是由一具有相當高之吸濕性的材料形成。更明確地，一包括聚丙烯酸的材料是被使用作為該誘導層24c。再明確地，一聚丙烯酸表面活化劑是被使用作為該誘導層24c。
一聚丙烯酸材料是為一具有相當高之吸濕性的材料。如此之誘導層24c容易拿取在其內之佈線22的構成原子，而據此，該等佈線22的構成原子在該誘導層24c之內容易擴散。該誘導層24c的厚度是大約10至100 nm，例如。該誘導層24c可以藉由把位在該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16浸泡在一化學製品內來形成。在形成該由聚丙烯酸表面活化劑形成的誘導層24c的情況中，一聚丙烯酸鈉溶 液是被使用作為一化學製品。在該化學製品之內之聚丙烯酸鈉溶液的濃度是1到10 wt%，例如。浸泡誘導層24c在該化學製品內的時間是大約10分鐘，例如。這樣，包括聚丙烯酸的誘導層24c是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。
這樣，本實施例的佈線結構2l是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。
用於製造本實施例之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具有佈線結構2l之本實施例的電子裝置4l是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第57圖)。
以此方式形成的電子裝置4l是以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式來安裝在該電路基板42上。
(評估結果)
接著，本實施例之佈線結構的評估結果將會作說明。
第58圖是為一描繪一絕緣特性測量結果的圖示。在第58圖中的水平軸代表每增額長度的施加電壓，而在第58圖中的垂直軸代表漏電流。作為該評估電路，與在第18圖中所描繪之第一實施例的相同的評估電路是被使用。
在第58圖中所示的範例16對應於本實施例。就範例16而言，由聚丙烯酸表面活化劑形成的絕緣薄膜102是形成在矽基體100上。
從第45圖可以了解的是，就比較範例16而言，漏電流與形成有黏附加強薄膜的比較範例6比較起來是增加的。因此，根據範例16，會見到的是，具有相當低之絕緣特性的絕緣薄膜102會被得到。
範例16的絕緣薄膜102相當於形成在絕緣薄膜16(見第55圖)上的誘導層24c(見第55圖)。就一具有低絕緣特性的絕緣薄膜而言，佈線22(見第55圖)的構成原子是容易擴散。據此，就本實施例而言，遷移不極度地在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本實施例而言，會見到的是，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構，以及具有該佈線結構的電子裝置能夠被提供。
接著，本實施例之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本實施例之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例17，一HAST測試是對本實施例的佈線結構2l執行，即，誘導層24c是形成於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上的佈線結構2l。就範例17而言，90%的測試樣品是被決定為OK。
另一方面，就比較範例7而言，其中，如上所述，一HAST 測試是對該在它那裡黏附加強薄膜是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK的測試樣品的數目是僅5%。
如上所述，會見到的是，根據本實施例，具有高可靠度的佈線結構2l會被得到。
(變化(第一部))
接著，關於本實施例之變化(第一部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第59圖至第61B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第59圖來作說明。第59圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
如在第59圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第59圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
這樣，本變化的佈線結構2m是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
就本變化而言，該誘導層24c是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間會適足地延長，藉此具有高可靠度的佈線結構2m，以及具有該佈線結構2m的電子裝置4m能夠被提供。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第60A至61B圖來作說明。第60A至61B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第60A圖)。
接著，以與以上配合第12A圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，障壁薄膜26是形成在佈線22的上和側表面上(見第60B圖)。
接著，以與以上配合第56B圖所述之用於製造電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成於該在該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第61A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2m之本變化的電子裝置4m是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成於該在未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第61B圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4m能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例18，一HAST測試是對本變化的佈線結構2m執行。就範例18而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，該誘導層24c是形成在該絕緣薄膜16上。就該範例18而言，50%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在以上所述之比較範例8的情況中，其中，一HAST測試是對該在它那裡一黏附加強薄膜是在沒有形成凹陷部份17於該位在該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下形成於該絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，就本變化而言，在某程度的可靠度是被得到。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
(變化(第二部))
接著，關於本實施例之變化(第二部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第62圖至第64圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第62圖來作說明。第62圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，凹陷部份17不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第62圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17(見第55圖)不是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第55圖)未形成。這樣，具有佈線結構2n之本變化的電子裝置4n是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原 子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，該等凹陷部份17不是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而且用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26也是未形成。
就本變化而言，該誘導層24c是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第63A至64圖來作說明。第63A至64圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第63A圖)。
接著，以與以上配合第43B圖所述之用於製造第三實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第63B圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上 配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具有佈線結構2n之本變化的電子裝置4n是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第64圖)。
以此方式形成之本變化的電子裝置4n能夠以與配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試之條件一樣設定。
作為範例19，一HAST測試是對本變化的佈線結構2n執行。就範例19而言，在沒有形成該等凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，包括聚丙烯酸的誘導層24c是形成在該絕緣薄膜16上。就該範例19而言，10%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例9的情況中，其中，一HAST測試是對該在它那裡一黏附加強薄膜是在沒有形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之下，以及在沒有形成該障壁薄膜26之下形成在該絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，可以見到的是，本變化也會有助於在可靠度上 某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，以及形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
(變化(第三部))
接著，關於本實施例之變化(第三部)之佈線結構及其製造方法，以及使用該佈線結構之電子裝置及其製造方法的說明將會配合第65至67B圖來完成。
首先，本變化的佈線結構及具有該佈線結構的電子裝置將會配合第65圖來作說明。第65圖是為一描繪本變化之電子裝置的橫截面圖。
本變化的電子裝置是為一電子裝置，在該電子裝置中，雖然凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，用於覆蓋該等佈線22之上和側表面的障壁薄膜26是未形成。
如在第65圖中所示，就本變化而言，該等凹陷部份17是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中。
用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
就本變化而言，用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26(見第55圖)未形成。這樣，具有佈線結構2o的電子裝置4o是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散 的誘導層24c是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。
如上所述，一配置能夠被完成，其中，雖然該等凹陷部份17是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中，而用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26也是未形成。
就本變化而言，該誘導層24c是形成於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上，而據此，遷移不極度在一局部部份前進，而遷移是以全面且平均的形式逐漸地前進。因此，就本變化而言，直到絕緣崩潰發生為止的時間能夠適足地延長，其會有助於在可靠度上的改進。
接著，一種用於製造本變化之電子裝置的方法將會配合第66A至67B圖來作說明。第66A至67B圖是為描繪用於製造本變化之電子裝置之方法的製程橫截面圖。
首先，從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於使露出在佈線22四周之種子層58等等遭遇蝕刻的製程是與在第4A至11A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略(見第66A圖)。
接著，以與以上配合第11B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式，未由佈線22所覆蓋的絕緣薄膜16是遭遇蝕刻(見第67B圖)。
接著，以與以上配合第56B圖所述之用於製造第四實施例之電子裝置之方法相同的方式，用於誘導佈線22之構成 原子之擴散的誘導層24c是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第67A圖)。
用於製造本變化之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。
這樣，具有佈線結構2o之本變化的電子裝置4o是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24c是形成於該位於未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第67B圖)。
以此方式形成的電子裝置4o是以與以上配合第16和17圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置之方法相同的方式來安裝在該電路基板42上。
接著，本變化之佈線結構的HAST測試結果將會作說明。
本變化之HAST測試的條件是如同以上所述之第一實施例之佈線結構之HAST測試的條件一樣設定。
作為範例20，一HAST測試是對本變化的佈線結構執行。就範例20而言，在形成凹陷部份17於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16中之時沒有形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26之下，該誘導層24c是形成在該絕緣薄膜16上。就範例20而言，40%的測試樣品被決定是OK。
另一方面，在比較範例10的情況中，其中，一HAST測試是對該在它那裡一黏附加強薄膜是在形成凹陷部份17於 該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16中之時沒有形成該障壁薄膜26之下形成在該絕緣薄膜16上的佈線結構執行，被決定為OK之測試樣品的數目是0%。
因此，本變化也會有助於在可靠度上某種程度的改進。然而，本著得到適足的可靠度，是希望形成用於覆蓋佈線22之上和側表面的障壁薄膜26。
[變化]
除了以上所述的實施例之外，各種變化能夠被完成。例如，就該第一實施例而言，雖然絕緣薄膜16之表面是利用由Ar氣體所產生之電漿來遭遇電漿處理的一範例業已作描述，本揭示不受限為這樣。例如，該絕緣薄膜16的表面可以利用以O2 氣體、CF4 氣體、Cl2 氣體、或由這些形成之混合氣體所產生的電漿來遭遇電漿處理。
而且，就以上的實施例而言，雖然佈線結構是形成於一埋藏有晶片12之樹脂層(基體)10上的一範例業已作描述，本揭示不受限為這樣。例如，如以上所述的佈線結構2、2a至2o可以應用於一形成在一半導體基體(基體)上的佈線結構，例如。或者，如上所述的佈線結構2、和2a至2o可以應用到一電路基板的佈線結構，例如。
而且，就以上的實施例而言，雖然要形成於該在數條佈線22之間之區域中之凹陷部份17之深度是大約800 nm的一範例業已作描述，凹陷部份17的深度不受限為這樣。形成至少該等凹陷部份17致使遷移的前進路徑被繞行，藉此這有助於在可靠度方面的改進。然而，要被繞行的路徑是 由於凹陷部份17的深度變深而延長，而據此，是希望設定該等凹陷部份17的深度更深。例如，是希望設定該等凹陷部份17的深度為100 nm或更深。更希望的是設定該等凹陷部份17的深度為500 nm或更深。
而且，就以上的實施例而言，雖然一酚樹脂被使用作為絕緣薄膜16和28之材料的一範例業已作描述，絕緣薄膜16和28的材料不受限為這樣。例如，一聚醯亞胺樹脂或其類似可以被使用作為該等絕緣薄膜16和28的材料。
而且，就以上的實施例而言，雖然一光敏性有機樹脂被使用作為絕緣薄膜16和28之材料的一範例業已作描述，該等絕緣薄膜16和28的材料不受限為光敏性有機樹脂。例如，一非光敏性有機樹脂可以被使用作為該等絕緣薄膜16和28的材料。
而且，就以上的實施例而言，雖然一有機樹脂被使用作為絕緣薄膜16和28之材料的一範例業已作描述，該等絕緣薄膜16和18的材料不受限為這樣。該等絕緣薄膜16和18可以是諸如二氧化矽薄膜或其類似般的無機材料，例如。
而且，就以上的實施例而言，雖然Ti被使用作為黏附層(圖中未示)之材料的一範例業已作描述，該黏附層的材料不受限為這樣。例如，鉭(Ta)、鎢(W)、鋯(Zr)、鉻(Cr)、或其類似是可以被使用作為該黏附層的材料。而且，由Ti、Ta、W、Zr與Cr形成的合金可以被使用作為該黏附層的材料。而且，由Ti、Ta、W、Zr與Cr形成的氮化物是可以被使用作為該黏附層的材料。
而且，就以上的實施例而言，雖然Cu被使用作為種子層52,58，和64之材料的一範例業已作描述，該等種子層52,58，和64的材料不受限為這樣。例如，鎳(Ni)、鈷(Co)、或其類似是可以被使用作為該等種子層52,58，和64的材料。
而且，就以上的實施例而言，雖然黏附層與種子層52,58，和64是藉著濺鍍方法來形成的一範例業已作描述，用於形成該黏附層與該等種子層52,58，和64的方法不受限為這樣。例如，黏附層與種子層52,58，和64可以藉無電電鍍方法或CVD(化學蒸氣沉積)方法來形成。
而且，就以上的實施例而言，雖然光阻薄膜54,60，和66被改造的一範例業已作描述，一配置是可以被完成，其中，該等光阻薄膜54,60，和66的改造不被執行。
而且，就以上的實施例而言，雖然佈線22是藉電鍍方法來形成的一範例業已作描述，用於形成佈線22的方法不受限為這樣。例如，該等佈線22可以藉無電電鍍方法來形成。
而且，就以上的實施例而言，雖然CoWP被使用作為障壁薄膜26之材料的一範例業已作描述，該障壁薄膜26的材料不受限為這樣。一包括Co的材料，即，一Co材料是可以廣泛地被使用作為該障壁薄膜26的材料。而且，一包括Ni的材料，即，一Ni材料是可以被使用作為該障壁薄膜26的材料。更明確地，NiP是可以被使用作為該障壁薄膜26的材料。由NiP形成的障壁薄膜26是藉無電電鍍方法來形成。
而且，SiN材料、SiC材料、SiO材料、或由這些形成的 複合化合物是可以被使用作為該障壁薄膜26的材料。由SiN、SiC、或SiO形成的障壁薄膜26是可以藉CVD方法來形成，例如。
而且，Ti、Ta、W、Zr、或由這些形成的化合物，或由這些形成的氮化物是可以被使用作為該障壁薄膜26的材料。如此的障壁薄膜26可以藉CVD方法來形成，例如。
而且，就以上的實施例而言，雖然包括鹵離子之誘導層24b是與該絕緣薄膜16獨立地形成於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16上的一範例業已作描述，用於形成該誘導層24b的方法不受限為這樣。例如，該誘導層可以藉由把鹵離子貼附在該位於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16的表面上，或者藉由把鹵離子引入該位於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16的表面部份內來形成。
第68圖是為一描繪該變化實施例之電子裝置的橫截面圖。如在第68圖中所示，一用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24d是形成在該位於該在數條佈線22之間之區域內的絕緣薄膜16上。該誘導層24d是形成在該形成於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16中之凹陷部份17的底和側部份上。該誘導層24d是藉由把鹵離子貼附於該位在該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16的表面上，或者藉由把鹵離子引入至該位於該在數條佈線22之間之區域內之絕緣薄膜16的表面部份內來形成。
第69A至70圖是為描繪一用於製造該變化實施例之電 子裝置之方法的製程橫截面圖。從一用於形成該黏著層48於該支撐基體46上的製程到一用於形成該障壁薄膜26於該等佈線22之上和側表面上的製程是與在第4A至第12A圖中所示之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之描述將會被省略(見第69A圖)。
接著，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24d是形成於該在該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜上。該誘導層24d可以是藉由把鹵離子貼附到該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16的表面上，或者藉由把鹵離子引入至該位於未由佈線22所覆蓋之區域內之絕緣薄膜16的表面部份內來形成。鹵離子可以藉由使絕緣薄膜16遭遇使用CF4 氣體或CCl4 氣體等等的電漿處理來被貼附或引入至該絕緣薄膜16。而且，鹵離子也可以藉由把絕緣薄膜16浸泡至一包括氯的化學製品內，更明確地，一Cl2 溶液，來被貼附或引入至該絕緣薄膜16。這樣，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24d是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上。
用於製造該變化實施例之電子裝置的方法在這之後是與以上配合第13A至15B圖所述之用於製造第一實施例之電子裝置的方法相同，而據此，其之說明將會被省略。這樣，具有一佈線結構2p之該變化實施例的電子裝置4p是形成，其中，用於誘導佈線22之構成原子之擴散的誘導層24是形成在該位於該未由佈線22所覆蓋之區域內的絕緣薄膜16上(見第70圖)。
於此中所述的所有例子和條件語言是傾向於為了幫助讀者了解本發明及由發明人所提供之促進工藝之概念的教育用途，並不是把本發明限制為該等特定例子和條件，且在說明書中之該等例子的組織也不是涉及本發明之優劣的展示。雖然本發明的實施例業已詳細地作描述，應要了解的是，在沒有離開本發明的精神與範疇之下，對於本發明之實施例之各式各樣的改變、替換、與變化是能夠完成。
2‧‧‧佈線結構
4‧‧‧電子裝置
10‧‧‧樹脂層
12‧‧‧晶片
14‧‧‧電極
15‧‧‧介層孔
16‧‧‧絕緣薄膜
17‧‧‧凹陷部份
22‧‧‧佈線
24‧‧‧誘導層
26‧‧‧障壁薄膜
28‧‧‧絕緣薄膜
30‧‧‧開孔
32‧‧‧介層孔
34‧‧‧電極焊墊
36‧‧‧防焊薄膜
38‧‧‧開孔
40‧‧‧錫凸塊

Claims (17)

  1. 一種佈線結構，包含：一形成於一基體之上的絕緣薄膜；數條形成於該絕緣薄膜上的佈線；及一誘導層，其是形成在該絕緣薄膜上於一在該等數條佈線之間之區域內，該等佈線的構成原子是在該誘導層中擴散，其中一凹陷部份是形成在該絕緣薄膜中於該等數條佈線之間之區域內；以及其中該誘導層是形成在該凹陷部份的底和側部分上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之佈線結構，其中，該誘導層是形成在該絕緣薄膜的表面部份上於該等數條佈線之間之區域內，而且是為該絕緣薄膜的一經粗糙化的部份。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之佈線結構，其中，該誘導層是形成在絕緣薄膜的表面部份上於該等數條佈線之間之區域內，而且是為該絕緣薄膜的一損毀部份。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之佈線結構，其中，該誘導層包括鹵離子。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之佈線結構，其中，該誘導層包括聚丙烯酸。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之佈線結構，更包含：一形成於該等佈線之上和側表面上，而且抑制該等佈線之構成原子之擴散的障壁薄膜；及 另一被形成俾可覆蓋該等數條佈線的絕緣薄膜。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之佈線結構，其中，該絕緣薄膜是為一有機樹脂薄膜。
  8. 一種用於製造一佈線結構的方法，包含：形成一絕緣薄膜於一基體之上；形成數條佈線於該絕緣薄膜上；及形成一誘導層於該絕緣薄膜上一在該等數條佈線之間之區域內，該等佈線的構成原子是在該誘導層中擴散，其中一凹陷部份是形成在該絕緣薄膜中於該等數條佈線之間之區域內；以及其中該誘導層是形成在該凹陷部份的底和側部分上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，更包含：在該誘導層的形成之前，於該等數條佈線的形成之後，藉由使位於該等數條佈線之間之該區域內的該絕緣薄膜遭遇蝕刻來形成一凹陷部份於該絕緣薄膜中在一於該等數條佈線之間之區域內；其中，就該誘導層的形成而言，該誘導層是形成在該凹陷部份的底和側部份上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，其中，就該誘導層的形成而言，該誘導層是藉由粗糙化位於該等數條佈線之間之該區域內之該絕緣薄膜的表面部份來形成。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方 法，其中，就該誘導層的形成而言，該誘導層是藉由損毀位於該等數條佈線之間之該區域內之該絕緣薄膜的表面部份來形成。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，其中，就該誘導層的形成而言，包括鹵離子的該誘導層是形成在該絕緣薄膜上在該等數條佈線之間之該區域內。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，其中，就該誘導層的形成而言，包括鹵離子的該誘導層是藉由把鹵離子貼附或引入至該絕緣薄膜於該等數條佈線之間之該區域內來形成。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，其中，就該誘導層的形成而言，包括聚丙烯酸的該誘導層是形成在絕緣薄膜上在該等數條佈線之間之該區域內。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，更包含：形成一被構築來限制該等佈線之構成原子之擴散的障壁薄膜在該等佈線的上和側表面上；及形成另一絕緣薄膜俾可覆蓋該等數條佈線。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造一佈線結構之方法，其中，該絕緣薄膜是為一有機樹脂薄膜。
  17. 一種電子裝置，包含：一形成於一基體之上的絕緣薄膜； 數條形成於該絕緣薄膜上的佈線；及形成在該絕緣薄膜上於一在該等數條佈線之間之區域內的一誘導層，該等佈線的構成原子是在該誘導層中擴散，其中一凹陷部份是形成在該絕緣薄膜中於該等數條佈線之間之區域內；以及其中該誘導層是形成在該凹陷部份的底和側部分上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI692839B (zh) * 2018-09-25 2020-05-01 日商東芝股份有限公司 半導體裝置及其製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9171782B2 (en) * 2013-08-06 2015-10-27 Qualcomm Incorporated Stacked redistribution layers on die
US20160365311A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Macronix International Co.Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices with combined array and periphery patterning in self-aligned double patterning
US9793231B2 (en) 2015-06-30 2017-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Under bump metallurgy (UBM) and methods of forming same
JP6563366B2 (ja) * 2016-06-13 2019-08-21 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
KR102069659B1 (ko) * 2017-08-31 2020-01-23 해성디에스 주식회사 반도체 패키지 기판 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 기판

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6286207B1 (en) * 1998-05-08 2001-09-11 Nec Corporation Resin structure in which manufacturing cost is cheap and sufficient adhesive strength can be obtained and method of manufacturing it
US20050274689A1 (en) * 2004-05-10 2005-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Printed wiring board, production process thereof and semiconductor device
US20100190029A1 (en) * 2007-06-27 2010-07-29 Fujifilm Corporation Metal layer laminate having roughened metal surface layer and method for producing the same

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0680740B2 (ja) 1987-09-03 1994-10-12 シャープ株式会社 半導体装置の多層配線形成方法
DE69233801D1 (de) * 1991-07-24 2011-02-17 Denki Kagaku Kogyo Kk Verfahren zur Herstellung eines Schaltungssubstrates mit einem montierten Halbleiterelement
US5480048A (en) * 1992-09-04 1996-01-02 Hitachi, Ltd. Multilayer wiring board fabricating method
JP3361903B2 (ja) * 1994-01-06 2003-01-07 凸版印刷株式会社 プリント配線板の製造方法
US6175084B1 (en) * 1995-04-12 2001-01-16 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal-base multilayer circuit substrate having a heat conductive adhesive layer
US6310300B1 (en) * 1996-11-08 2001-10-30 International Business Machines Corporation Fluorine-free barrier layer between conductor and insulator for degradation prevention
JP3152633B2 (ja) * 1996-12-19 2001-04-03 イビデン株式会社 多層プリント配線板およびその製造方法
JP2937933B2 (ja) * 1997-03-24 1999-08-23 富山日本電気株式会社 多層プリント配線板の製造方法
EP0948247B1 (en) * 1998-04-01 2005-08-31 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method For Making A Multi-Layer Printed Wiring Board
JP2000294922A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Victor Co Of Japan Ltd 多層プリント配線板用の絶縁樹脂組成物
KR100854555B1 (ko) * 1999-07-08 2008-08-26 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP1096674B1 (en) * 1999-10-29 2013-03-27 Kyocera Corporation Circuit substrate
JP2001210937A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Kyocera Corp 配線基板
JP2001274537A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及び配線基板の製造方法
KR100380722B1 (ko) * 2001-06-12 2003-04-18 삼성전기주식회사 접착강도가 개선된 절연필름 및 이를 포함하는 기판
TW532052B (en) * 2001-06-27 2003-05-11 Ngk Spark Plug Co Production method of a distribution substrate
WO2003016782A1 (en) * 2001-08-09 2003-02-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led illuminator and card type led illuminating light source
JP2003332483A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Hitachi Ltd 配線基板とそれを用いた電子装置
US20040091688A1 (en) * 2002-11-11 2004-05-13 Morio Gaku Heat-resistant film base-material-inserted B-staged resin composition sheet excellent in adhesion to resin, multilayer board using the sheet and manufacturing process of the multilayer board
KR20070039151A (ko) * 2002-12-13 2007-04-11 가부시키가이샤 가네카 열가소성 폴리이미드 수지 필름, 적층체 및 그것을포함하는 인쇄 배선판의 제조 방법
JP4217778B2 (ja) * 2003-04-11 2009-02-04 古河電気工業株式会社 抵抗層付き導電性基材、抵抗層付き回路基板及び抵抗回路配線板
JP2005236249A (ja) * 2003-07-15 2005-09-02 Toray Ind Inc フレキシブル配線基板およびその製造方法
US7892651B2 (en) * 2004-09-14 2011-02-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composite metal foil, laminate and process for the production of printed wiring board using the laminate
JP2006108352A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Seiko Epson Corp 配線基板及びその製造方法
JP4895073B2 (ja) * 2004-12-15 2012-03-14 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂ペースト及びこれを用いたフレキシブル配線板
TWI409167B (zh) * 2005-04-19 2013-09-21 Kaneka Corp 纖維-樹脂複合體、層疊體及印刷布線板、以及印刷布線板之製造方法
JP4927503B2 (ja) * 2005-12-15 2012-05-09 古河電気工業株式会社 キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板
US7989081B2 (en) * 2006-01-25 2011-08-02 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composite copper foil, printed wiring board, and production processes thereof
JP4692319B2 (ja) 2006-02-17 2011-06-01 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
WO2008032770A1 (fr) * 2006-09-15 2008-03-20 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Plaqué composite métallique pour la fabrication d'un tableau de connexion flexible et tableau de connexions flexible
CN101795859A (zh) * 2007-11-13 2010-08-04 三星精密化学株式会社 具有均匀介电常数的预浸料、以及使用该预浸料的覆金属层压板和印制线路板
KR101070798B1 (ko) * 2008-01-15 2011-10-06 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5180598B2 (ja) * 2008-01-21 2013-04-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR20090117249A (ko) * 2008-05-09 2009-11-12 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2009283671A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Sharp Corp プリント配線板の製造方法
JP2010016061A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Nippon Mektron Ltd プリント配線板およびその製造方法
KR100993342B1 (ko) * 2008-09-03 2010-11-10 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
WO2010035451A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 積水化学工業株式会社 半硬化体、硬化体、積層体、半硬化体の製造方法及び硬化体の製造方法
JP4686750B2 (ja) * 2008-09-24 2011-05-25 積水化学工業株式会社 硬化体及び積層体
JP5188915B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-24 富士フイルム株式会社 配線形成方法
KR101807901B1 (ko) * 2010-08-10 2017-12-11 히타치가세이가부시끼가이샤 수지 조성물, 수지 경화물, 배선판 및 배선판의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6286207B1 (en) * 1998-05-08 2001-09-11 Nec Corporation Resin structure in which manufacturing cost is cheap and sufficient adhesive strength can be obtained and method of manufacturing it
US20050274689A1 (en) * 2004-05-10 2005-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Printed wiring board, production process thereof and semiconductor device
US20100190029A1 (en) * 2007-06-27 2010-07-29 Fujifilm Corporation Metal layer laminate having roughened metal surface layer and method for producing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI692839B (zh) * 2018-09-25 2020-05-01 日商東芝股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US11227826B2 (en) 2018-09-25 2022-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having chip stacked and molded
US11923287B2 (en) 2018-09-25 2024-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device having chip stacked and molded

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