JP2013048195A - 配線構造及びその製造方法並びに電子装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】信頼性の高い配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を有する電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基体１０には半導体チップ１２が埋め込まれおり、チップの電極１４の上面は基体から露出している。基体上に形成された絶縁膜１６と、絶縁膜上に形成されたチップ電極とビア１５で接続された複数の配線２２と、複数の配線の間の領域における絶縁膜の上面が低く凹部１７形成され、配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４とを有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線構造及びその製造方法並びに電子装置及びその製造方法
近時、電子機器の小型化、高性能化、低価格化等の要求に伴い、電子回路の配線構造の微細化が進められている。
開発された配線構造に対しては、十分な信頼性を有するか否かを確認するための信頼性試験が行われる。かかる信頼性試験の１つとして、ＨＡＳＴ（Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test、不飽和加圧蒸気試験）試験がある。ＨＡＳＴ試験は、高温・高湿下で配線間に電圧を印加し、配線間の絶縁耐性を評価する試験である。
特開２００７−２２０９３４号公報 特開昭６４−６４２３７号公報
しかしながら、提案されている配線構造では、必ずしも十分に高い信頼性が得られない場合があった。
本発明の目的は、信頼性の高い配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を有する電子装置及びその製造方法を提供することにある。
実施形態の一観点によれば、基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする配線構造が提供される。
実施形態の他の観点によれば、基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法が提供される。
実施形態の更に他の観点によれば、基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする電子装置が提供される。
実施形態の更に他の観点によれば、基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
開示の配線構造及びその製造方法等によれば、複数の配線の間の領域における絶縁膜上に、配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する。このため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。
図１は、第１実施形態による電子装置を示す断面図である。 図２は、第１実施形態による電子装置の平面図である。 図３は、第１実施形態による電子装置を回路基板に実装した状態を示す断面図である。 図４は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図５は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図６は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 図７は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 図８は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。 図９は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。 図１０は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。 図１１は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。 図１２は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。 図１３は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。 図１４は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。 図１５は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。 図１６は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１３）である。 図１７は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１４）である。 図１８は、絶縁性の評価回路を示す図である。 図１９は、絶縁性の測定結果を示すグラフ（その１）である。 図２０は、第１実施形態の変形例（その１）による電子装置を示す断面図である。 図２１は、第１実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図２２は、第１実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図２３は、第１実施形態の変形例（その２）による電子装置を示す断面図である。 図２４は、第１実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図２５は、第１実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図２６は、第１実施形態の変形例（その３）による電子装置を示す断面図である。 図２７は、第１実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図２８は、第１実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図２９は、第２実施形態による電子装置を示す断面図である。 図３０は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図３１は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図３２は、絶縁性の測定結果を示すグラフ（その２）である。 図３３は、第２実施形態の変形例（その１）による電子装置を示す断面図である。 図３４は、第２実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図３５は、第２実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図３６は、第２実施形態の変形例（その２）による電子装置を示す断面図である。 図３７は、第２実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図３８は、第２実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図３９は、第２実施形態の変形例（その３）による電子装置を示す断面図である。 図４０は、第２実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図４１は、第２実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図４２は、第３実施形態による電子装置を示す断面図である。 図４３は、第３実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図４４は、第３実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図４５は、絶縁性の測定結果を示すグラフ（その３）である。 図４６は、第３実施形態の変形例（その１）による電子装置を示す断面図である。 図４７は、第３実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図４８は、第３実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図４９は、第３実施形態の変形例（その２）による電子装置を示す断面図である。 図５０は、第３実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図５１は、第３実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図５２は、第３実施形態の変形例（その３）による電子装置を示す断面図である。 図５３は、第３実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図５４は、第３実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図５５は、第４実施形態による電子装置を示す断面図である。 図５６は、第４実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図５７は、第４実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図５８は、絶縁性の測定結果を示すグラフ（その４）である。 図５９は、第４実施形態の変形例（その１）による電子装置を示す断面図である。 図６０は、第４実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図６１は、第４実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図６２は、第４実施形態の変形例（その２）による電子装置を示す断面図である。 図６３は、第４実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図６４は、第４実施形態の変形例（その２）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図６５は、第４実施形態の変形例（その３）による電子装置を示す断面図である。 図６６は、第４実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図６７は、第４実施形態の変形例（その３）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図６８は、変形実施形態による電子装置を示す断面図である。 図６９は、変形実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図７０は、変形実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
第１の絶縁膜上に複数の配線を形成し、かかる複数の配線を覆うように第２の絶縁膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行うと、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面に沿ってマイグレーションが進行し、やがて絶縁破壊に至ってしまう。かかるマイグレーションは、一部の箇所において集中的かつ極度に進行する。
複数の配線の間の領域における第１の絶縁膜の上部をエッチングし、複数の配線の間の領域における第１の絶縁膜の表面の高さを、配線により覆われている領域における第１の絶縁膜の表面の高さより低くすることも考えられる。
しかしながら、複数の配線の間の領域における第１の絶縁膜の表面の高さを、配線により覆われている領域における第１の絶縁膜の表面の高さより単に低くしても、十分な信頼性は得られなかった。
配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜を配線の上面及び側面を覆うように形成することも考えられる。
しかしながら、かかるバリア膜を単に形成しても、必ずしも十分な信頼性は得られなかった。
いずれの場合にも、一部の箇所においてマイグレーションが集中的かつ極度に進行し、絶縁破壊に至っていた。
［第１実施形態］
第１実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法について図１乃至図１７を用いて説明する。
なお、ここでは、本実施形態による配線構造を電子装置に適用する場合を例に説明するが、本実施形態による配線構造が用いられる対象は電子装置に限定されるものではない。例えば、本実施形態による配線構造を回路基板に適用してもよい。
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図２は、本実施形態による電子装置の平面図である。図１は、図２のＡ−Ａ′線断面に対応している。図３は、本実施形態による電子装置を回路基板に実装した状態を示す断面図である。
図１に示すように、樹脂層（基材、モールド樹脂層、封止樹脂層）１０には、チップ（ベアチップ）１２が埋め込まれている。樹脂層１０の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂が用いられている。チップ１２は、例えば半導体チップである。かかる半導体チップ１２としては、例えばＬＳＩ（Large Scale Integration）が用いられている。樹脂層１０の厚さは、例えば２００μｍ〜１ｍｍ程度とする。チップ１２の厚さは、例えば２００μｍ〜６００μｍ程度とする。
チップ１２には、電極（表面電極、外部接続電極）１４が形成されている。チップ１２の電極１４の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、チップ１２の電極１４の上面は、樹脂層１０から露出している。
電極１４上には、電極１４に接続されたビア１５が形成されている。ビア１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。ビア１５の高さは、例えば２μｍ〜２０μｍ程度とする。ここでは、ビア１５の高さを、例えば５μｍ程度とする。
ビア１５が形成された樹脂層１０上には、絶縁膜１６が形成されている。ビア１５は、絶縁膜１６により埋め込まれている。ビア１５の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、ビア１５の上面は、絶縁膜１６から露出している。絶縁膜１６の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂が用いられている。より具体的には、絶縁膜１６の材料として、例えば、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁膜１６の膜厚は、例えば２μｍ〜２０μｍ程度とする。ここでは、絶縁膜１６の膜厚を、例えば５μｍ程度とする。
なお、絶縁膜１６として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
絶縁膜１６の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、絶縁膜１６の上面には、ビア１５にそれぞれ接続された複数の配線２２が形成されている。配線２２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７が形成されている。このため、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の上面の高さは、配線２２により覆われている領域における絶縁膜１６の上面の高さより低くなっている。換言すれば、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６の上面の高さは、配線２２により覆われている領域における絶縁膜１６の上面の高さより低くなっている。凹部１７の深さは、例えば８００ｎｍ程度とする。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子（金属、金属イオン）の拡散（移動）を誘導する誘導層２４が形成されている。換言すれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４が形成されている。ここでは、配線２２の構成原子であるＣｕが、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、誘導層２４において拡散しやすくなっている。誘導層２４は、絶縁膜１６の表層部を改質することにより形成されたものである。より具体的には、誘導層（改質層）２４は、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより形成されたものである。誘導層２４は、絶縁膜１６のうちの粗化された部分である。このため、誘導層２４は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表層部に形成されている。誘導層２４は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に形成された凹部１７の底部及び側部に形成されている。
誘導層２４は、粗化されているため、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも吸湿性（吸収性）が高くなっている。吸湿性が高いことは、誘導層２４内に配線２２の構成原子が取り込まれやすく、誘導層２４内に配線２２の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。
また、誘導層２４は、粗化されているため、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも密度が低くなっている。密度が低いことは、誘導層２４内に配線２２の構成原子が取り込まれやすく、誘導層２４内に配線２２の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。
誘導層２４の厚さは、例えば５ｎｍ〜３００ｎｍ程度とする。ここでは、誘導層２４の厚さを、１００ｎｍ程度とする。
誘導層２４の絶縁性は、絶縁膜１６及び絶縁膜２８の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線２２の構成原子の移動しやすさに影響する。絶縁膜１６及び絶縁膜２８は絶縁性が比較的高いため、配線２２の構成原子は絶縁膜１６及び絶縁膜２８において比較的移動しにくい。一方、誘導層２４は絶縁性が比較的低いため、配線２２の構成原子は誘導層２４において比較的移動しやすい。
配線２２の上面及び側面には、バリア膜２６が形成されている。バリア膜２６は、配線２２の構成原子が絶縁膜２８中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜２６の材料としては、例えば、コバルト・タングステン・リン（ＣｏＷＰ）が用いられている。バリア膜２６の膜厚は、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍ程度とする。ここでは、バリア膜２６の膜厚を、例えば２０ｎｍ程度とする。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、本実施形態による配線構造２が形成されている。
絶縁膜１６の一方の面側（図１における紙面上側）、即ち、絶縁膜１６上には、バリア膜２６が形成された配線２２を覆うように絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁膜２８の膜厚は、例えば５μｍ〜３０μｍ程度とする。ここでは、絶縁膜２８の膜厚を、例えば１０μｍ程度とする。
なお、絶縁膜２８の材料として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
絶縁膜２８には、配線２２に達する開口部（コンタクトホール）３０が形成されている。
開口部３０内には、ビア（導体プラグ）３２が形成されている。
絶縁膜２８の一方の面側（図１における紙面上側）、即ち、絶縁膜２８上には、ビア３２と一体に形成された電極パッド３４が形成されている。ビア３２及び電極パッド３４の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
電極パッド３４の上面及び側面には、めっき膜（図示せず）が形成されている。かかるめっき膜としては、例えばニッケル（Ｎｉ）膜と金（Ａｕ）膜との積層膜（図示せず）が用いられている。
絶縁膜２８の一方の面側（図１における紙面上側）、即ち、絶縁膜２８上には、ソルダーレジスト膜３６が形成されている。
ソルダーレジスト膜３６には、電極パッド３４を露出する開口部３８が形成されている。
電極パッド３４の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、電極パッド３４上には、例えば半田バンプ（半田ボール）４０が形成されている。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２２等を介して、チップ１２の電極１４にそれぞれ電気的に接続されている。
こうして、配線構造２を有する本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）４が形成されている。
本実施形態による電子装置４は、例えば、図３に示すように、回路基板４２上に実装される。回路基板４２の表面には、電極４４が形成されている。電極４４は、回路基板４２に形成された配線（図示せず）等に電気的に接続されている。電極４４の材料としては、例えばＡｕやＣｕ等が用いられている。回路基板４２としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。
電子装置４の電極パッド３４と回路基板４２の電極４４とは、例えば半田バンプ４０を用いて接合される。
このように、本実施形態によれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成されている。このため、本実施形態によれば、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行するのではなく、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態によれば、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造２及びその配線構造を有する電子装置４を提供することができる。
しかも、本実施形態によれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７が形成されており、誘導層２４は凹部１７の底部及び側部に形成されている。このため、本実施形態によれば、凹部１７の深さの分だけマイグレーションの進行経路が迂回され、絶縁破壊に至るまでの時間をより長くすることができる。
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図４乃至図１７を用いて説明する。図４乃至図１７は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、図４（ａ）に示すように、支持基板４６上に、粘着層４８を形成する。支持基板４６としては、例えばシリコン基板、ステンレス（ＳＵＳ）基板、ガラス基板等を用いる。支持基板４６の厚さは、樹脂層１０の厚さより厚く設定することが好ましい。粘着層４８としては、例えば、加熱することにより剥離することが可能な粘着層、即ち、熱剥離が可能な粘着層を形成する。粘着層４８の厚さは、例えば１００μｍ程度とする。
次に、図４（ｂ）に示すように、粘着層４８上にチップ１２を配置する。チップ１２としては、例えば半導体チップを用いる。チップ１２には、電極１４が形成されている。粘着層４８上にチップ１２を配する際には、チップ１２の電極１４が粘着層４８に接するように、チップ１２を配置する。こうして、粘着層４８上にチップ１２が配置される。
次に、図５（ａ）に示すように、チップ１２が配された粘着層４８上の全面に、樹脂層１０を形成する。樹脂層１０の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。より具体的には、樹脂層１０の材料として、例えばエポキシ系樹脂を用いる。樹脂層１０は、チップ１２と粘着層４８との間の空間にも充填される。このため、チップ１２の電極１４の側面は、樹脂層１０により覆われる。こうして、チップ１２が樹脂層１０により埋め込まれた状態となる。
次に、図５（ｂ）に示すように、支持基板４６及び粘着層４８を、樹脂層１０及びチップ１２から剥離する。即ち、チップ１２が埋め込まれた樹脂層１０から、支持基板４６及び粘着層４８を除去する。粘着層４８として熱剥離が可能な粘着層を用いた場合には、支持基板４６及び粘着層４８を樹脂層１０及びチップ１２から剥離する際に、熱処理を行うことにより、粘着層４８の粘着力を低下させる。こうして、チップ１２が樹脂層１０中に埋め込まれた構造体（擬似ウェハ、樹脂基板）５０が得られる。構造体５０の一方の面（粘着層４８と接していた面）には、チップ１２の電極１４が露出した状態となる。
なお、このような技術は、擬似ＳＯＣ（System On Chip）技術と称される。
次に、構造体５０の上下を反転させる（図６（ａ）参照）。
次に、構造体５０の一方の面（図６（ａ）における紙面上側の面）上、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、密着層（バリア膜）（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）を用いる。密着層の厚さは、例えば２０ｎｍ程度とする。
次に、密着層が形成された構造体５０の一方の面側（図６（ｂ）における紙面上側）の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層５２を形成する（図６（ｂ）参照）。シード層５２の材料としては、例えばＣｕを用いる。シード層５２の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。
次に、図７（ａ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図７における紙面上側）の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜５４を形成する。フォトレジスト膜５４の膜厚は、例えば８μｍ程度とする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜５４に開口部５６を形成する。フォトレジスト膜５４に開口部５６のパターンを露光する際には、例えば、ステッパやコンタクトアライナー等を用いる。フォトレジスト膜５４を現像する際の現像液としては、例えばＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）を用いる。
次に、フォトレジスト膜５４を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜５４の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜５４を改質する際には、例えば、Ｏ２プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。
次に、図７（ｂ）に示すように、例えば電気めっき法により、ビア（導体プラグ）１５を形成する。ビア１５を形成する際に用いるめっき浴としては、例えば硫酸銅めっき浴を用いる。ビア１５の高さは、例えば２μｍ〜２０μｍ程度とする。
次に、フォトレジスト膜５４を剥離する。フォトレジスト膜５４を剥離する際の剥離液としては、例えばＮＭＰ（N-MethylPyrrolidone）やアセトン等を用いる。
次に、例えばウェットエッチングにより、ビア１５の周囲に露出しているシード層５２及び密着層を除去する（図８（ａ）参照）。シード層５２をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。
なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばＣＦ４ガスを用いることができる。
次に、図８（ｂ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図８（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁膜１６を形成する。絶縁膜１６の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁膜１６の材料として、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁膜１６の膜厚は、例えば３μｍ〜２５μｍ程度とする。
次に、図９（ａ）に示すように、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）法により、ビア１５の表面が露出するまで、絶縁膜１６の一方の面側（図９（ａ）における紙面上側）を研磨する。これにより、絶縁膜１６の表面が平坦化される。絶縁膜１６の膜厚は、例えば２μｍ〜２０μｍ程度となる。
次に、絶縁膜１６が形成された構造体５０の一方の面側（図９（ａ）における紙面上側）の全面に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚２０ｎｍ程度の密着層（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばＴｉを用いる。密着層の厚さは、例えば２０ｎｍ程度とする。
次に、密着層が形成された構造体５０の一方の面側（図９（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層５８を形成する（図９（ｂ）参照）。シード層５８の材料としては、例えばＣｕを用いる。シールド層５８の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。
次に、シード層５８が形成された構造体５０の一方の面側（図１０（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜６０を形成する。フォトレジスト膜６０の膜厚は、例えば３μｍ程度とする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜６０に開口部６２を形成する（図１０（ａ）参照）。かかる開口部６２は、配線２２を形成するためのものである。
次に、フォトレジスト膜６０を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜６０の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜６０を改質する際には、例えば、Ｏ２プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。
次に、図１０（ｂ）に示すように、例えば電気めっき法により、例えば配線２２を形成する。配線２２の高さは、例えば１μｍ〜５μｍ程度とする。配線２２の材料としては、例えばＣｕを用いる。配線２２を形成する際に用いるめっき浴としては、例えば硫酸銅めっき浴を用いる。
次に、フォトレジスト膜６０を剥離する。フォトレジスト膜６０を剥離する際の剥離液としては、例えば、ＮＭＰやアセトン等を用いる。
次に、配線２２の周囲に露出している部分のシード層５８及び密着層を、エッチング除去する。シード層５８をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。
なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばＣＦ４ガスを用いることができる。
こうして、チップ１２の電極１４にビア１５を介して電気的に接続された配線（再配線層）２２が形成される（図１１（ａ）参照）。
次に、例えばドライエッチングにより、配線２２により覆われていない領域の絶縁膜１６をエッチングする。絶縁膜１６のドライエッチングする際には、例えばＯ２ガスを用いる。これにより、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６の上面の高さが、配線２２により覆われている領域における絶縁膜１６の高さより低くなる。即ち、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６に、凹部１７が形成される。絶縁膜１６のエッチング量（掘り込み量）は、例えば８００ｎｍ程度とする。
次に、図１２（ａ）に示すように、例えば無電解めっき法により、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する。バリア膜２６は、配線２２の構成原子が絶縁膜２８中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜２６の材料としては、例えばＣｏＷＰを用いる。バリア膜２６の膜厚は、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍ程度とする。ここでは、バリア膜２６の膜厚を、例えば２０ｎｍ程度とする。
次に、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子（金属、金属イオン）の拡散を誘導する誘導層２４を形成する。即ち、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４を形成する。かかる誘導層２４は、例えば、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより形成し得る。絶縁膜１６の粗化は、例えばプラズマ処理により行うことができる。絶縁膜１６に対してプラズマ処理を行う際には、例えばＡｒプラズマを用いる。Ａｒプラズマを生じさせる際に電極に印加する高周波電力は、例えば３００Ｗ程度とする。プラズマ処理の時間は、例えば３分程度とする。誘導層２４の厚さは、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍ程度とする。ここでは、誘導層２４の厚さを、例えば５０ｎｍ程度とする。誘導層２４は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に形成された凹部１７の底部及び側部に形成されることとなる。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、本実施形態による配線構造２が形成される。
次に、配線構造２が形成された構造体５０の一方の面側（図１３（ａ）における紙面上側）の全面、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁膜２８を形成する。絶縁膜２８の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁膜２８の材料として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁膜２８の膜厚は、例えば５μｍ程度とする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、配線２２に達する開口部３０を絶縁膜２８に形成する（図１３（ａ）参照）。開口部３０は、ビア（導体プラグ）３２を埋め込むためのものである。
次に、絶縁膜２８が形成された構造体５０の一方の面側（図１３（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、密着層（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばＴｉを用いる。密着層の厚さは、例えば２０ｎｍ程度とする。
次に、密着層が形成された構造体５０の一方の面側（図１３（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層６４を形成する（図１３（ｂ）参照）。シード層６４の材料としては、例えばＣｕを用いる。シード層６４の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。
次に、構造体５０の一方の面側（図１４（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜６６を形成する。フォトレジスト膜６６の膜厚は、例えば８μｍ程度とする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜６６に開口部６８を形成する（図１４（ａ）参照）。かかる開口部６８は、電極パッド３４を形成するためのものである。
次に、フォトレジスト膜６６を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜６６の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜６６を改質する際には、例えば、Ｏ２プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。
次に、フォトレジスト膜６６の開口部６８内に、例えば電気めっき法により、ビア３２及び電極パッド３４を形成する。ビア３２及び電極パッド３４は、一体的に形成される。ビア３２及び電極パッド３４の材料としては、例えばＣｕを用いる。
次に、フォトレジスト膜６６を剥離する。フォトレジスト膜６６を剥離する際の剥離液としては、例えばＮＭＰやアセトン等を用いる。
次に、電極パッド３４の周囲に露出している部分のシード層６４及び密着層をエッチング除去する。シード層６４をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。
なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばＣＦ４ガスを用いることができる。
こうして、ビア３２を介して配線２２にそれぞれ電気的に接続された電極パッド３４が形成される（図１４（ｂ）参照）。
次に、例えば無電解めっき法により、電極パッド３４の表面に、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜（図示せず）を形成する。Ｎｉ膜の膜厚は、例えば２０ｎｍ〜１μｍ程度とする。ここでは、Ｎｉ膜の膜厚を２００ｎｍ程度とする。Ａｕ膜の膜厚は、例えば２００ｎｍ〜１μｍ程度とする。ここでは、Ａｕ膜の膜厚を３００ｎｍ程度とする。
次に、構造体５０の一方の面側（図１５（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、ソルダーレジスト膜３６を形成する。ソルダーレジスト膜３６の膜厚は、例えば１０μｍ〜３０μｍ程度とする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、ソルダーレジスト膜３６に電極パッド３４に達する開口部３８を形成する。
次に、開口部３８内に露出する電極パッド３４上に、半田バンプ（半田ボール）４０を形成する。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２２等を介してチップ１２の電極１４にそれぞれ電気的に接続される。
こうして、配線構造２を有する本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）４が形成される（図１５（ｂ）参照）。
本実施形態による電子装置４は、例えば回路基板４２上に実装される。
本実施形態による電子装置４を回路基板４２上に実装する際には、まず、図１６に示すように、本実施形態による電子装置４を回路基板４２上に配置する。回路基板４２としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板４２の表面には、電子装置４のバンプ４０と接続するための電極４４が形成されている。電極４４の材料としては、例えばＡｕやＣｕ等を用いる。電極４４は、回路基板４２に形成された配線（図示せず）等に電気的に接続されている。電子装置４を回路基板４２上に配置する際には、電子装置４のバンプ４０と回路基板４２の電極４４とが互いに接するように、電子装置４を回路基板４２上に配置する。
こうして、本実施形態による電子装置４が回路基板４２上に配置される。
次に、熱処理（リフロー）を行うことにより、電子装置４側の電極パッド３４と回路基板４２側の電極４４とを半田バンプ４０により接合する（図１７参照）。
こうして、本実施形態による電子装置４が回路基板４２上に実装される。
このように、本実施形態によれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子（金属イオン）の拡散を誘導する誘導層２４を形成する。このため、本実施形態によれば、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態によれば、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造２及びその配線構造２を有する電子装置４を提供することができる。
しかも、本実施形態によれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、かかる凹部１７の底部及び側部に誘導層２４を形成する。このため、本実施形態によれば、凹部１７の深さの分だけマイグレーションの進行経路を迂回することができ、絶縁破壊に至るまでの時間をより長くすることができる。
（評価結果）
次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。
図１８は、絶縁性の評価回路を示す図である。図１９は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図１９における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図１９における縦軸は、リーク電流を示している。
図１８に示すように、低抵抗のシリコン基板１００上には、絶縁膜１０２が形成されている。絶縁膜１０２上には、Ａｕの電極１０４が形成されている。Ｉ−Ｖメータ１０６の入力端子の一方及びシリコン基板１００は、グラウンドに電気的に接続されている。Ｉ−Ｖメータ１０６の入力端子の他方は、プローブ針１０８を介して電極１０４に電気的に接続されている。
図１８に示すような評価回路を用いて、印加電圧とリーク電流との関係を測定したところ、図１９に示すような測定結果が得られた。
図１９に示す実施例１は、本実施形態に対応するものである。実施例１では、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成し、プラズマ処理を行うことにより絶縁膜１０２を粗化し、粗化された絶縁膜１０２上に電極１０４を形成した。
比較例１では、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成し、かかる絶縁膜１０２に対して紫外線照射を行った。
図１９から分かるように、実施例１では、比較例１と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例１によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜１０２が得られることが分かる。
実施例１の粗化された絶縁膜１０２は、絶縁膜１６（図１参照）の表層部を粗化することにより形成された本実施形態の誘導層２４（図１参照）に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線２２（図１参照）の構成原子（金属イオン）が拡散しやすい。従って、本実施形態によれば、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態によれば、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造２及びその配線構造２を有する電子装置４を提供することができる。
次に、本実施形態による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
ＨＡＳＴ試験の際の温度は、１３０℃とした。ＨＡＳＴ試験の際の湿度は、８５％とした。バイアス電圧は、３．５Ｖとした。ＨＡＳＴ試験では、１×１０６Ω以上の絶縁抵抗を１５０時間以上保持した場合をＯＫとした。
実施例２として、本実施形態による配線構造２、即ち、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより誘導層２４を形成した配線構造２に対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例２では、試験サンプル数の９５％がＯＫとなった。
これに対し、絶縁膜１６に対して紫外線処理を行った配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例２では、ＯＫとなった試験サンプル数はわずか５％であった。
このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２が得られることが分かる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図２０乃至図２２を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図２０を用いて説明する。図２０は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７が形成されていないものである。
図２０に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７（図１参照）が形成されていない。このため、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面の高さが、配線２２により覆われている領域の絶縁膜１６の表面の高さに対して低く設定されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成されている。誘導層２４は、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより形成されたものである。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、本変形例による電子装置４ａが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図２１及び図２２を用いて説明する。図２１及び図２２は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図２１（ａ）参照）。
次に、図１２（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する（図２１（ｂ）参照）。
次に、図１２（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４を形成する（図２２（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、配線構造２ａを有する本変形例による電子装置（ウェハレベルパッケージ）４ａが形成される（図２２（ｂ）参照）。
こうして形成された本実施形態による電子装置４ａは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
ＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例３として、本変形例による配線構造２ａに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例３では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより誘導層２４を形成した。実施例３では、試験サンプル数の５０％がＯＫとなった。
一方、比較例３として、絶縁膜１６に対して紫外線処理を行った配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った。比較例３では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６の表層部に対して紫外線処理を行った。比較例３では、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。
但し、十分に高い信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成することが好ましい。
（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図２３乃至図２５を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図２３を用いて説明する。図２３は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図２３に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７（図１参照）は形成されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成されている。誘導層２４は、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより形成されたものである。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図１参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、配線構造２ｂを有する電子装置４ｂが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４が形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図２４及び図２５を用いて説明する。図２４及び図２５は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図２４（ａ）参照）。
次に、図１２（ｂ）を用いて上述した電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４を形成する（図２４（ｂ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、配線構造２ｂを有する本変形例による電子装置４ｂが形成される（図２５参照）。
こうして形成された本変形例による電子装置４ｂは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例４として、本変形例による配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例４では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより誘導層２４を形成した。実施例４では、試験サンプル数の１５％がＯＫとなった。
一方、比較例４として、絶縁膜１６に対して紫外線処理を行った配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った。比較例４では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部に対して紫外線処理を行った。比較例４では、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
（変形例（その３））
次に、本実施形態の変形例（その３）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図２６乃至図２８を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図２６を用いて説明する。図２６は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図２６に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に、凹部１７が形成されている。このため、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面の高さは、配線２２により覆われている領域における絶縁膜１６の表面の高さに対して低く設定されている。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成されている。誘導層２４は、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより形成されたものである。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図１参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、配線構造２ｃを有する電子装置４ｃが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４が形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図２７及び図２８を用いて説明する。図２７及び図２８は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図２７（ａ）参照）。
次に、図１１（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域の絶縁膜１６をエッチングする（図２７（ｂ）参照）。
次に、図１２（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４を形成する（図２８（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４が形成された、配線構造２ｃを有する本変形例による電子装置４ｃが形成される（図２８（ｂ）参照）。
この後、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、電子装置４ｃが回路基板４２上に実装される。
こうして、本変形例による電子装置が製造される。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例５は、本変形例による配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行ったものである。実施例５では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、配線２２の上部及び側部を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部を粗化することにより誘導層２４を形成した。ＨＡＳＴ試験の結果、実施例５の場合には、試験サンプル数の４５％がＯＫとなった。
比較例５は、絶縁膜１６に対して紫外線処理を行った配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行ったものである。比較例５では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部に対して紫外線処理を行った。比較例５の場合には、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
［第２実施形態］
第２実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及び電子装置の製造方法について図２９乃至図３１を用いて説明する。図１乃至図２８に示す第１実施形態による配線構造及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図２９を用いて説明する。図２９は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
本実施形態による電子装置は、絶縁膜１６の表層部にダメージを加えることにより誘導層２４ａが形成されているものである。
第１実施形態による電子装置と同様に、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７が形成されている。凹部１７の深さは、例えば８００ｎｍ程度とする。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成されている。換言すれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４ａが形成されている。誘導層２４は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に形成された凹部１７の底部及び側部に形成されている。誘導層２４ａは、絶縁膜１６の表層部を改質することにより形成されたものである。より具体的には、誘導層（改質層）２４ａは、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。従って、誘導層２４ａは、絶縁膜１６のうちのダメージが与えられた部分である。
誘導層２４ａは、ダメージが与えられているため、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも吸湿性（吸収性）が高くなっている。吸湿性が高いことは、誘導層２４ａ内に配線２２の構成原子が取り込まれやすく、誘導層２４ａ内に配線２２の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。また、誘導層２４ａは、ダメージが与えられているため、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも密度が低くなっている。密度が低いことは、誘導層２４ａ内に配線２２の構成原子が取り込まれやすく、誘導層２４ａ内に配線２２の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。
誘導層２４ａの厚さは、例えば５ｎｍ〜３００ｎｍ程度とする。ここでは、誘導層２４ａの厚さを１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とする。
誘導層２４ａの絶縁性は、第１実施形態による誘導層２４と同様に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線２２の構成原子の移動（拡散）しやすさに影響する。絶縁膜１６及び絶縁膜２８は絶縁性が比較的高いため、配線２２の構成原子は絶縁膜１６及び絶縁膜２８において比較的移動しにくい。一方、誘導層２４ａは絶縁性が比較的低いため、配線２２の構成原子は誘導層２４ａにおいて比較的移動しやすい。
配線２２の上面及び側面には、第１実施形態による電子装置と同様に、バリア膜２６が形成されている。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｄを有する本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）４ｄが形成されている。
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図３０及び図３１を用いて説明する。図３０及び図３１は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する工程までは、図４（ａ）乃至図１２（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図３０（ａ）参照）。
次に、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａを形成する（図３０（ｂ）参照）。即ち、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４ａを形成する。かかる誘導層２４ａは、例えば、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより形成し得る。絶縁膜１６へのダメージの付与は、例えば絶縁膜１６をアルカリ性の薬液に浸漬することにより行うことができる。かかるアルカリ性の薬液としては、例えばアンモニアを含むアルカリ性の薬液を用いる。かかるアルカリ性の薬液のｐＨは、例えば１０．０以上とする。かかる薬液の温度は、例えば５０℃以上とする。かかる薬液に絶縁膜１６を浸漬する時間は、５分間程度とする。誘導層２４ａの厚さは、例えば５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度とする。ここでは、誘導層２４ａの厚さを、例えば１００ｎｍ程度とする。
なお、ここでは、アルカリ性の薬液として、アンモニアを含むアルカリ性の薬液を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、アルカリ性の薬液として、ＴＭＡＨを含むアルカリ性の薬液や、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を含むアルカリ性の薬液等を用いてもよい。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、本実施形態による配線構造２ｄが形成される。
この後の本実施形態による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｄを有する本実施形態による電子装置４ｄが形成される（図３１参照）。
この後、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、電子装置４ｄが回路基板４２上に実装される。
（評価結果）
次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。
図３２は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図３２における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図３２における縦軸は、リーク電流を示している。評価回路としては、図１８に示す第１実施形態の同様の評価回路を用いた。
図３２に示す実施例６は、本実施形態に対応するものである。実施例６では、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成し、アルカリ性の薬液に浸漬することにより絶縁膜１０２にダメージを与えた。
一方、比較例１は、上述したように、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成し、かかる絶縁膜１０２に対して紫外線照射を行ったものである。
図３２から分かるように、実施例６では、比較例１と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例６によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜１０２が得られることが分かる。
実施例６のダメージが与えられた絶縁膜１０２は、絶縁膜１６（図２９参照）の表層部にダメージを与えることにより形成された誘導層２４ａ（図２９参照）に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線２２（図２９参照）の構成原子が拡散しやすい。従って、本実施形態においても、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造２ｄ及びその配線構造２ｄを有する電子装置４ｄを提供し得ることが分かる。
次に、本実施形態による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件同様とした。
実施例７として、本実施形態による配線構造２ｄ、即ち、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより誘導層２４ａを形成した配線構造２ｄに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例７では、試験サンプル数の９５％がＯＫとなった。
一方、絶縁膜１６に対して紫外線処理を行った配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例２の場合には、上述したように、ＯＫとなった試験サンプル数はわずか５％であった。
このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２ｄが得られることが分かる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図３３乃至図３５を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図３３を用いて説明する。図３３は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成していないものである。
図３３に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に、凹部１７（図２９参照）が形成されていない。このため、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面の高さは、配線２２により覆われている領域の絶縁膜１６の表面の高さに対して低く設定されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成されている。誘導層２４ａは、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｅを有する電子装置４ｅが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ａが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図３４及び図３５を用いて説明する。図３４及び図３５は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図３４（ａ）参照）。
次に、図１２（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する（図３４（ｂ）参照）。
次に、図３０（ｂ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａを形成する（図３５（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｅを有する本変形例による電子装置４ｅが形成される（図３５（ｂ）参照）。
こうして形成された本変形例による電子装置４ｅは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例８として、本変形例による配線構造２ｅに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例８では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより誘導層２４ａを形成した。実施例８では、試験サンプル数の６０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６の表層部に対して紫外線処理を行った比較例３の場合には、上述したように、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成することが好ましい。
（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図３６乃至図３８を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図３６を用いて説明する。図３６は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図３６に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７（図２９参照）が形成されていない。このため、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面の高さは、配線２２により覆われている領域の絶縁膜１６の表面の高さに対して低く設定されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成されている。誘導層２４ａは、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図２９参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｆを有する本変形例による電子装置４ｆが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ａが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図３７及び図３８を用いて説明する。図３７及び図３８は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図３７（ａ）参照）。
次に、図３０（ｂ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａを形成する（図３７（ｂ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｆを有する本変形例による電子装置４ｆが形成される（図２５参照）。
こうして形成された本変形例による電子装置４ｆは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例９として、本変形例による配線構造２ｆに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例９では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることより誘導層２４ａを形成した。実施例９では、試験サンプル数の１０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部に対して紫外線処理を行った比較例４の場合には、上述したように、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
（変形例（その３））
次に、本実施形態の変形例（その３）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図３９乃至図４１を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図３９を用いて説明する。図３９は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図３９に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７が形成されている。このため、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面の高さは、配線２２により覆われている領域の絶縁膜１６の表面の高さに対して低く設定されている。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成されている。誘導層２４ａは、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図２９参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｇを有する本変形例による電子装置４ｇが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ａが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図４０及び図４１を用いて説明する。図４０及び図４１は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図４０（ａ）参照）。
次に、図１１（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域の絶縁膜１６をエッチングする（図４０（ｂ）参照）。
次に、図３０（ｂ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａを形成する（図４１（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ａが形成された、配線構造２ｇを有する本変形例による電子装置４ｇが形成される（図４１（ｂ）参照）。
こうして形成された本変形例による電子装置４ｇは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１０として、本変形例による配線構造２ｇに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１０では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部にダメージを与えることにより誘導層２４ａを形成した。実施例１０では、試験サンプル数の５０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、バリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６の表層部に紫外線処理を行った配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例５の場合には、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このように、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得る。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
［第３実施形態］
第３実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及び電子装置の製造方法について図４２乃至図４５を用いて説明する。図１乃至図４１に示す第１又は第２実施形態による配線構造及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図４２を用いて説明する。図４２は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
本実施形態による電子装置は、絶縁膜１６上に、絶縁膜１６とは別個の誘導層２４ｂが形成されているものである。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７が形成されている。凹部１７の深さは、例えば８００ｎｍ程度とする。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子（金属イオン）の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成されている。換言すれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４ｂが形成されている。誘電体層２４ｂは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に形成された凹部１７の底部及び側部に形成されている。誘導層２４ｂは、絶縁膜１６の表層部を改質することにより形成されたものではなく、絶縁膜１６とは別個に形成されたものである。誘導層２４ｂは、配線２２の構成原子をイオン化し得る膜である。より具体的には、誘導層２４ｂは、負イオン系の不純物を含む膜である。更に具体的には、誘導層２４ｂは、ハロゲンイオンを含む膜である。ここでは、誘導層２４ｂとして、ネガ型のフェノール系樹脂層を用いている。ネガ型のフェノール系樹脂は、負イオン系の不純物の濃度が高い材料である。このような誘導層２４ｂは、配線２２の構成原子をイオン化しやすいため、配線２２の構成原子が誘導層２４ｂに沿って拡散しやすい。誘導層２４ｂの厚さは、例えば１０〜１００ｎｍ程度とする。誘導層２２におけるハロゲンイオンの濃度は、例えば１００ｐｐｍ以上とする。
誘導層２４ｂの絶縁性は、第１実施形態による誘導層２４と同様に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線２２の構成原子の移動しやすさに影響する。絶縁膜１６及び絶縁膜２８は絶縁性が比較的高いため、配線２２の構成原子は絶縁膜１６及び絶縁膜２８において比較的移動しにくい。一方、誘導層２４ｂは絶縁性が比較的低いため、配線２２の構成原子は誘導層２４ｂにおいて比較的移動しやすい。
配線２２の上面及び側面には、第１実施形態による電子装置と同様に、バリア膜２６が形成されている。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｈを有する本実施形態による電子装置４ｈが形成されている。
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図４３及び図４４を用いて説明する。図４３及び図４４は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する工程までは、図４（ａ）乃至図１２（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図４３（ａ）参照）。
次に、バリア膜２６により覆われた配線２２が形成された構造体５０上の全面に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂを形成する。即ち、構造体５０上の全面に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４ｂを形成する。かかる誘導層２４ｂは、配線２２の構成原子をイオン化し得る膜である。より具体的には、誘導層２４ｂは、負イオン系の不純物を含む膜である。更に具体的には、誘導層２４ｂは、ハロゲンイオンを含む膜である。ここでは、誘導層２４ｂとして、ネガ型のフェノール系樹脂層を形成する。誘導層２４ｂの材料としてネガ型のフェノール系樹脂を用いる場合、誘導層２４ｂは、例えば噴霧法又はスピンコート法により形成し得る。誘導層２４ｂ中に含まれるハロゲンイオンの濃度は、例えば１００ｐｐｍ以上とする。誘導層２４ｂがネガ型のフェノール系樹脂の場合、ハロゲンイオンとしてＣｌイオンが含まれている。ハロゲンイオンを含む誘導層２４ｂは、配線２２の構成原子をイオン化しやすいため、配線２２の構成原子が誘導層２４ｂに沿って拡散しやすい。誘導層２４ｂの厚さは、例えば１０〜１００ｎｍ程度とする。
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、誘導層２４ｂをパターニングする。これにより、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成される（図４３（ｂ）参照）。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、本実施形態による配線構造２ｈが形成される。
この後の本実施形態による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｈを有する本実施形態による電子装置４ｈが形成される（図４４参照）。
こうして形成された本実施形態による電子装置４ｈは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
（評価結果）
次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。
図４５は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図４５における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図４５における縦軸は、リーク電流を示している。評価回路としては、図１８に示す第１実施形態の同様の評価回路を用いた。
図４５に示す実施例１１は、本実施形態に対応するものである。実施例１１では、ネガ型のフェノール系樹脂の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成した。
比較例６として、アドヒージョンプロモータ（密着促進剤、密着性強化剤）の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成した。かかるアドヒージョンプロモータとしては、トリメトキシアミノシランのシランカップリング剤を用いた。
図４５から分かるように、実施例１１では、比較例６と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例１１によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜１０２が得られることが分かる。
実施例１１の絶縁膜１０２は、絶縁膜１６（図４２参照）上に形成された誘導層２４ｂ（図４２参照）に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線２２（図４２参照）の構成原子が拡散しやすい。従って、本実施形態においても、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供し得ることが分かる。
次に、本実施形態による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１２として、本実施形態による配線構造２ｈ、即ち、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｂが形成された配線構造２ｈに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１２では、試験サンプル数の９０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上にアドヒージョンプロモータの絶縁膜（密着性強化膜）を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例７の場合には、ＯＫとなった試験サンプル数はわずか５％であった。
このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２ｈが得られることが分かる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図４６乃至図４８を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図４６を用いて説明する。図４６は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成していないものである。
図４６に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７（図４２参照）が形成されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成されている。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、本変形例による配線構造２ｉが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｂが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図４７及び図４８を用いて説明する。図４７及び図４８は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図４７（ａ）参照）。
次に、図１２（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する（図４７（ｂ）参照）。
次に、図４３（ｂ）を用いて上述した第３実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂを形成する（図４８（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｉを有する本変形例による電子装置４ｉが形成される（図４８（ｂ）参照）。
こうして形成された本変形例による電子装置４ｉは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１３として、本変形例による配線構造２ｉに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１３では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｂを形成した。実施例１３では、試験サンプル数の６０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例８では、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成することが好ましい。
（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図４９乃至図５１を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図４９を用いて説明する。図４９は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図４９に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７（図４２参照）が形成されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成されている。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図４２参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｊを有する本変形例による電子装置４ｊが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｂが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図５０及び図５１を用いて説明する。図５０及び図５１は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図５０（ａ）参照）。
次に、図４３（ｂ）を用いて上述した第３実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂを形成する（図５０（ｂ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｊを有する本変形例による電子装置４ｊが形成される（図５１参照）。
こうして形成された本実施形態による電子装置４ｊは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１４として、本変形例による配線構造２ｉに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１４では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上にネガ型のフェノール系樹脂の誘導層２４ｂを形成した。実施例１４では、試験サンプル数の１０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、バリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例９では、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。
ただし、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
（変形例（その３））
次に、本実施形態の変形例（その３）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図５２乃至図５４を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図５２を用いて説明する。図５２は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図５２に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に、凹部１７が形成されている。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成されている。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図４２参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｋを有する電子装置４ｋが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｂが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図５３及び図５４を用いて説明する。図５３及び図５４は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図５３（ａ）参照）。
次に、図１１（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域の絶縁膜１６をエッチングする（図５３（ｂ）参照）。
次に、図３０（ｂ）を用いて上述した第３実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂを形成する（図５４（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｂが形成された、配線構造２ｋを有する本変形例による電子装置４ｋが形成される（図５４（ｂ）参照）。
こうして形成された電子装置４ｋは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１５として、本変形例による配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１５では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上に誘導層２４ｂを形成した。実施例１５では、試験サンプル数の４０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、バリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例１０では、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このように、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得る。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
［第４実施形態］
第４実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及び電子装置の製造方法を図５５乃至図５８を用いて説明する。図１乃至図５４に示す第１乃至第３実施形態による配線構造及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図５５を用いて説明する。図５５は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
本実施形態による電子装置は、絶縁膜１６上に、比較的吸湿性の高い材料の誘導層２４ｃが形成されているものである。
第１実施形態による電子装置と同様に、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７が形成されている。凹部１７の深さは、例えば８００ｎｍ程度とする。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成されている。換言すれば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４ｃが形成されている。誘導層２４ｃは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に形成された凹部１７の底部及び側部に形成されている。誘導層２４ｃは、絶縁膜１６の表層部を改質することにより形成されたものではなく、絶縁膜１６とは別個に形成されたものである。誘導層２４ｃは、比較的吸湿性の高い材料により形成されている。より具体的には、誘導層２４ｃは、ポリアクリル酸を含む膜である。更に具体的には、誘導層２４ｃは、ポリアクリル酸系の界面活性剤を用いて形成されたものである。ポリアクリル酸系の材料は、比較的吸湿性の高い材料である。このような誘導層２４ｃは、配線２２の構成原子を取り込みやすいため、配線２２の構成原子が誘導層２４ｃ内において拡散しやすい。誘導層２４ｃの厚さは、例えば１０〜１００ｎｍ程度とする。
誘導層２４ｃの絶縁性は、第１実施形態による誘導層２４と同様に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線２２の構成原子の移動しやすさに影響する。絶縁膜１６及び絶縁膜２８は絶縁性が比較的高いため、配線２２の構成原子は絶縁膜１６及び絶縁膜２８において比較的移動しにくい。一方、誘導層２４ｃは絶縁性が比較的低いため、配線２２の構成原子は誘導層２４ｃにおいて比較的移動しやすい。
配線２２の上面及び側面には、第１実施形態による電子装置と同様に、バリア膜２６が形成されている。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｌを有する本実施形態による電子装置４ｌが形成されている。
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図５６及び図５７を用いて説明する。図５６及び図５７は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する工程までは、図４（ａ）乃至図１２（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図５６（ａ）参照）。
次に、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子（金属イオン）の拡散を誘導する誘導層２４ｃを形成する（図５６（ｂ）参照）。即ち、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、絶縁膜１６及び絶縁膜２８よりも、配線２２の構成原子が拡散しやすい層２４ｃを形成する。誘導層２４ｃは、比較的吸湿性の高い材料により形成されている。より具体的には、誘導層２４ｃとして、ポリアクリル酸を含む材料を用いる。更に具体的には、誘導層２４ｃとして、ポリアクリル酸系の界面活性剤を用いる。ポリアクリル酸系の材料は、比較的吸湿性の高い材料である。このような誘導層２４ｃは、配線２２の構成原子を取り込みやすいため、配線２２の構成原子が誘導層２４ｃ内において拡散しやすい。誘導層２４ｃの厚さは、例えば１０〜１００ｎｍ程度とする。誘導層２４ｃは、配線２２により覆われていない領域の絶縁膜１６を、例えば薬液に浸漬することにより形成することができる。ポリアクリル酸系界面活性剤の誘導層２４ｃを形成する場合には、薬液として、ポリアクリル酸ナトリウム水溶液を用いる。薬液中のポリアクリル酸ナトリウムの濃度は、例えば１〜１０ｗｔ％程度とする。薬液に浸漬する時間は、例えば１０分程度とする。こうして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、ポリアクリル酸を含む誘導層２４ｃが形成される。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、本実施形態による配線構造２ｌが形成される。
この後の本実施形態による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｌを有する本実施形態による電子装置４ｌが形成される（図５７参照）。
こうして形成された電子装置４ｌは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
（評価結果）
次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。
図５８は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図５８における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図５８における縦軸は、リーク電流を示している。評価回路としては、図１８に示す第１実施形態の同様の評価回路を用いた。
図５８に示す実施例１６は、本実施形態に対応するものである。実施例１６では、ポリアクリル酸系の界面活性剤の絶縁膜１０２をシリコン基板１００上に形成した。
図４５から分かるように、実施例１６では、密着性強化膜を形成した上述した比較例６と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例１６によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜１０２が得られることが分かる。
実施例１６の絶縁膜１０２は、絶縁膜１６（図５５参照）上に形成された誘導層２４ｃ（図５５参照）に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線２２（図５５参照）の構成原子が拡散しやすい。従って、本実施形態においても、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供し得ることが分かる。
次に、本実施形態による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様として。
実施例１７として、本実施形態による配線構造２ｌ、即ち、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｃが形成された配線構造２ｌに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１７では、試験サンプル数の９０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例７では、上述したように、ＯＫとなった試験サンプル数はわずか５％であった。
このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２ｌが得られることがわかる。
（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図５９乃至図６１を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図５９を用いて説明する。図５９は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成していないものである。
図５９に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７（図５５参照）が形成されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成されている。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｍを有する本変形例による電子装置４ｍが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｃが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造２ｍ及びその配線構造２ｍを有する電子装置４ｍを提供することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図６０及び図６１を用いて説明する。図６０及び図６１は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図６０（ａ）参照）。
次に、図１２（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する（図６０（ｂ）参照）。
次に、図５６（ｂ）を用いて上述した電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃを形成する（図６１（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｍを有する本変形例による電子装置４ｍが形成される（図６１（ｂ）参照）。
こうして形成された本実施形態による電子装置４ｍは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１８として、本変形例による配線構造２ｍに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１８では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６上に誘導層２４ｃを形成した。実施例１８では、試験サンプル数の５０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った上述した比較例８の場合には、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成することが好ましい。
（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図６２乃至図６４を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図６２を用いて説明する。図６２は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図６２に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７（図５５参照）は形成されていない。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成されている。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図５５参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｎを有する本変形例による電子装置４ｎが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｃが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図６３及び図６４を用いて説明する。図６３及び図６４は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図６３（ａ）参照）。
次に、図４３（ｂ）を用いて上述した第３実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃを形成する（図６３（ｂ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｎを有する本変形例による電子装置４ｎが形成される（図６４参照）。
こうして形成された本実施形態による電子装置４ｎは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例１９として、本変形例による配線構造２ｎに対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例１９では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上にポリアクリル酸を含む誘導層２４ｃを形成した。実施例１９では、試験サンプル数の１０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成せず、バリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例９では、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。
但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
（変形例（その３））
次に、本実施形態の変形例（その３）による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図６５乃至図６７を用いて説明する。
まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図６５を用いて説明する。図６５は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
本変形例による電子装置は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成していないものである。
図６５に示すように、本変形例では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６には、凹部１７が形成されている。
複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成されている。
本変形例では、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６（図５５参照）は形成されていない。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｏを有する本変形例による電子装置４ｏが形成されている。
このように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、且つ、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成しなくてもよい。
本変形例においても、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に誘導層２４ｃが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図６６及び図６７を用いて説明する。図６６及び図６７は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の周囲に露出するシード層５８等をエッチングする工程までは、図４（ａ）乃至図１１（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図６６（ａ）参照）。
次に、図１１（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域の絶縁膜１６をエッチングする（図６７（ｂ）参照）。
次に、図５６（ｂ）を用いて上述した第４実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃを形成する（図６７（ａ）参照）。
この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｃが形成された、配線構造２ｏを有する本変形例による電子装置４ｏが形成される（図６７（ｂ）参照）。
こうして形成された電子装置４ｏは、図１６及び図１７を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板４２上に実装することができる。
次に、本変形例による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について説明する。
本変形例によるＨＡＳＴ試験の条件は、上述した第１実施形態による配線構造に対するＨＡＳＴ試験の条件と同様とした。
実施例２０として、本変形例による配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った。実施例２０では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成する一方、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上に誘導層２４ｃを形成した。実施例２０では、試験サンプル数の４０％がＯＫとなった。
一方、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に凹部１７を形成し、バリア膜２６を形成せず、絶縁膜１６上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してＨＡＳＴ試験を行った比較例１０の場合には、ＯＫとなった試験サンプル数は０％であった。
このように、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得る。
但し、十分な信頼性を確保する観点からは、配線２２の上面及び側面を覆うバリア膜２６を形成することが好ましい。
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、第１実施形態では、Ａｒガスを用いて生成されたプラズマを用いて絶縁膜１６の表面をプラズマ処理する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ４ガス、Ｃｌ２ガス、又は、これらの混合ガスを用いて生成されたプラズマを用いて、絶縁膜１６の表面をプラズマ処理してもよい。
また、上記実施形態では、チップ１２が埋め込まれた樹脂層（基材）１０上に、配線構造を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上述したような配線構造２，２ａ〜２ｏを、例えば、半導体基板（基材）上に形成する配線構造に適用してもよい。また、上述したような配線構造２，２ａ〜２ｏを、例えば、回路基板の配線構造に適用してもよい。
また、上記実施形態では、複数の配線２２の間の領域に形成する凹部１７の深さを８００ｎｍ程度とする場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。少なくとも凹部１７を形成すれば、マイグレーションの進行経路を迂回することが可能であるため、信頼性の向上には寄与し得る。但し、凹部１７の深さを深くするに伴って迂回する経路が長くなるため、凹部１７の深さは深めに設定することが好ましい。例えば、凹部１７の深さは、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。より好ましくは、凹部１７の深さを５００ｎｍ以上とする。
また、上記実施形態では、絶縁膜１６，２８の材料として、フェノール系樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、絶縁膜１６，２８の材料として、ポリイミド系樹脂等を用いてもよい。
また、上記実施形態では、絶縁膜１６，２８の材料として感光性の有機樹脂を用いる場合を例に説明したが、絶縁膜１６，２８の材料は感光性の有機樹脂に限定されるものではない。絶縁膜１６，２８の材料として、例えば、非感光性の有機樹脂を用いてもよい。
また、上記実施形態では、絶縁膜１６，１８の材料として有機樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。絶縁膜１６，１８が、例えば、シリコン酸化膜等の無機材料であってもよい。
また、上記実施形態では、密着層（図示せず）の材料としてＴｉを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、密着層の材料として、タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），ジルコニウム（Ｚｒ），クロム（Ｃｒ）等を用いてもよい。また、密着層の材料として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｒの合金を用いてもよい。また、密着層の材料として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｒの窒化物を用いてもよい。
また、上記実施形態では、シード層５２，５８，６４の材料としてＣｕを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、シード層５２，５８，６４の材料として、ニッケル（Ｎｉ）やコバルト（Ｃｏ）等を用いてもよい。
また、上記実施形態では、密着層（図示せず）やシード層５２，５８，６４をスパッタリング法により形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、無電解めっき法や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学気相堆積）法により、密着層やシード層５２，５８，６４を形成してもよい。
また、上記実施形態では、フォトレジスト膜５４，６０，６６を改質する場合を例に説明したが、フォトレジスト膜５４，６０，６６の改質を行わなくてもよい。
また、上記実施形態では、配線２２を電気めっき法により形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、無電解めっき法により配線２２を形成してもよい。
また、上記実施形態では、バリア膜２６の材料としてＣｏＷＰを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。バリア膜２６の材料として、Ｃｏを含む材料、即ち、Ｃｏ系の材料を広く用いることができる。また、バリア膜２６の材料として、Ｎｉを含む材料、即ち、Ｎｉ系の材料を用いてもよい。より具体的には、バリア膜２６の材料として、ＮｉＰを用いてもよい。ＮｉＰのバリア膜２６は、例えば無電解めっき法により形成し得る。
また、バリア膜２６の材料として、ＳｉＮ系の材料、ＳｉＣ系の材料、ＳｉＯ系の材料、又は、これらの複合化合物を用いてもよい。ＳｉＮ系、ＳｉＣ系、又は、ＳｉＯ系のバリア膜２６は、例えばＣＶＤ法により形成し得る。
また、バリア膜２６の材料として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ、又は、これらの化合物、又は、これらの窒化物を用いてもよい。このようなバリア膜２６は、例えばＣＶＤ法により形成し得る。
また、上記実施形態では、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、ハロゲンイオンを含む誘導層２４ｂを、絶縁膜１６と別個に形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面にハロゲンイオンを付着することにより、又は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表層部にハロゲンイオンを導入することにより、誘導層を形成してもよい。図６８は、変形実施形態による電子装置を示す断面図である。図６８に示すように、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上には、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｄが形成されている。誘導層２４ｄは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６に形成された凹部１７の底部及び側部に形成されている。誘導層２４ｄは、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表面にハロゲンイオンを付着させることにより、又は、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６の表層部にハロゲンイオンを導入することにより形成されたものである。図６９及び図７０は、変形実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。支持基板４６上に粘着層４８を形成する工程から配線２２の上面及び側面にバリア膜２６を形成する工程までは、図４（ａ）乃至図１２（ａ）に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図６９（ａ）参照）。次に、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｄを形成する。誘導層２４ｄは、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６の表面にハロゲンイオンを付着することにより、又は、配線２２により覆われていない領域における絶縁膜１６の表層部にハロゲンイオンを導入することにより形成することができる。例えば、ＣＦ４ガスやＣＣｌ４ガス等を用いたプラズマ処理を絶縁膜１６に対して行うことにより、絶縁膜１６にハロゲンイオンを付着又は導入することが可能である。また、塩素を含む薬液、より具体的には、Ｃｌ２水溶液に絶縁膜１６を浸漬することにより、絶縁膜１６にハロゲンイオンを付着又は導入することも可能である。こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｄが形成される。この後の変形実施形態による電子装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線２２の間の領域における絶縁膜１６上に、配線２２の構成原子の拡散を誘導する誘導層２４ｄが形成された、配線構造２ｐを有する変形実施形態による電子装置４ｐが形成される（図７０参照）。
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基体上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層と
を有することを特徴とする配線構造。
（付記２）
付記１記載の配線構造において、
前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜に凹部が形成されており、
前記誘導層は、前記凹部の底部及び側部に形成されている
ことを特徴とする配線構造。
（付記３）
付記１又は２記載の配線構造において、
前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちの粗化された部分である
ことを特徴とする配線構造。
（付記４）
付記１又は２記載の配線構造において、
前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちのダメージが与えられた部分である
ことを特徴とする配線構造。
（付記５）
付記１又は２記載の配線構造において、
前記誘導層は、ハロゲンイオンを含む
ことを特徴とする配線構造。
（付記６）
付記１又は２記載の配線構造において、
前記誘導層は、ポリアクリル酸を含む
ことを特徴とする配線構造。
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の配線構造において、
前記配線の上面及び側面に形成され、前記配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜と、
前記複数の配線を覆うように形成された他の絶縁膜とを更に有する
ことを特徴とする配線構造。
（付記８）
請求項１乃至７のいずれかに記載の配線構造において、
前記絶縁膜は、有機樹脂膜である
ことを特徴とする配線構造。
（付記９）
基体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程と
を有することを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１０）
付記９記載の配線構造の製造方法において、
前記複数の配線を形成する工程の後、前記誘導層を形成する工程の前に、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜に凹部を形成する工程を更に有し、
前記誘導層を形成する工程では、前記凹部の底部及び側部に前記誘導層を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１１）
付記９又は１０記載の配線構造の製造方法において、
前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部を粗化することにより、前記誘導層を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１２）
付記９又は１０記載の配線構造の製造方法において、
前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部にダメージを与えることにより、前記誘導層を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１３）
付記９又は１０記載の配線構造の製造方法において、
前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、ハロゲンイオンを含む前記誘導層を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１４）
付記９又は１０記載の配線構造の製造方法において、
前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜にハロゲンイオンを付着又は導入することにより、ハロゲンイオンを含む前記誘導層を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１５）
付記９又は１０記載の配線構造の製造方法において、
前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、ポリアクリル酸を含む前記誘導層を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１６）
付記９乃至１５のいずれかに記載の配線構造の製造方法において、
前記配線の上面及び側面に、前記配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜を形成する工程と、
前記複数の配線を覆うように他の絶縁膜を形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１７）
付記９乃至１６のいずれかに記載の配線構造の製造方法において、
前記絶縁膜は、有機樹脂膜である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
（付記１８）
基体上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層と
を有することを特徴とする電子装置。
（付記１９）
基体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
２，２ａ〜２ｐ…配線構造
４，４ａ〜４ｐ…電子装置
１０…樹脂層、基材
１２…チップ
１４…電極
１５…ビア
１６…絶縁膜
１７…凹部
２２…配線
２４…誘導層
２６…バリア膜
２８…絶縁膜
３０…開口部
３２…ビア
３４…電極パッド
３６…ソルダーレジスト膜
３８…開口部
４０…半田バンプ
４２…回路基板
４４…電極
４６…支持基板
４８…粘着層
５０…構造体
５２…シード層
５４…フォトレジスト膜
５６…開口部
５８…シード層
６０…フォトレジスト膜
６２…開口部
６４…シード層
６６…フォトレジスト膜
６８…開口部
１００…シリコン基板
１０２…絶縁膜
１０４…電極
１０６…Ｉ−Ｖメータ
１０８…プローブ針

Claims (10)

  1. 基体上に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、
    前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層と
    を有することを特徴とする配線構造。
  2. 請求項１記載の配線構造において、
    前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜に凹部が形成されており、
    前記誘導層は、前記凹部の底部及び側部に形成されている
    ことを特徴とする配線構造。
  3. 請求項１又は２記載の配線構造において、
    前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちの粗化された部分である
    ことを特徴とする配線構造。
  4. 請求項１又は２記載の配線構造において、
    前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちのダメージが与えられた部分である
    ことを特徴とする配線構造。
  5. 請求項１又は２記載の配線構造において、
    前記誘導層は、ハロゲンイオンを含む
    ことを特徴とする配線構造。
  6. 請求項１又は２記載の配線構造において、
    前記誘導層は、ポリアクリル酸を含む
    ことを特徴とする配線構造。
  7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線構造において、
    前記配線の上面及び側面に形成され、前記配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜と、
    前記複数の配線を覆うように形成された他の絶縁膜とを更に有する
    ことを特徴とする配線構造。
  8. 基体上に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
    前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程と
    を有することを特徴とする配線構造の製造方法。
  9. 基体上に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、
    前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層と
    を有することを特徴とする電子装置。
  10. 基体上に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、
    前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程と
    を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
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