JPH10233579A - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導体回路の少なくとも一部を無電解めっき膜
で構成することによって生じる導体回路間の絶縁信頼性
の低下を有効に防止できる技術を提案すること。 【解決手段】 基板の樹脂絶縁層表面に、少なくとも一
部が無電解めっき膜からなる導体回路が形成され、その
導体回路上に、さらに層間樹脂絶縁層が形成された多層
プリント配線板において、前記樹脂絶縁層表面のうちの
導体回路非形成部分に残存する無電解めっき用触媒核の
量が、金属イオン換算で２μｇ／ｃｍ² 以下であること
を特徴とする多層プリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板およびその製造方法に関し、とくに、導体回路間のシ
ョートが少ない多層プリント配線板とその製造方法につ
いて提案する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成し、次いで、この層間絶縁材層の
表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化
面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部
分に無電解めっきを施してバイアホール、導体回路を形
成し、このような工程を複数回繰り返すことにより、多
層化したビルドアップ多層配線基板が得られる。

【０００３】このようなビルドアップ多層配線基板にお
いて、導体回路はめっきレジストの非形成部分に設けら
れ、そのめっきレジストは内層にそのまま残存する。そ
のため、かかる配線基板にＩＣチップ等を搭載すると、
ヒートサイクル時にＩＣチップと樹脂絶縁層との熱膨張
率の差により基板が反る。その結果、密着性の悪いめっ
きレジストと導体回路との境界部分に応力が集中し、こ
の境界部分に接触する層間樹脂絶縁層にクラックが発生
してしまうという問題があった。

【０００４】このようなクラックの発生を抑制する手段
として、めっきレジストを除去した後、導体回路表面に
粗化層を形成する（例えば、無電解めっきにより銅−ニ
ッケル−リン合金からなる粗化層を形成する）ことによ
り、かかる導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層との密
着性を改善する方法がある。ここで、めっきレジストを
除去した導体回路を形成する方法として、めっきレジ
ストを形成して、そのレジスト非形成部分に無電解めっ
きを施した後、めっきレジストを除去する方法と、無
電解めっきの薄膜を全面に形成した基板に、めっきレジ
ストを形成して、そのレジスト非形成部分に電解めっき
を施した後、めっきレジストとめっきレジスト下の無電
解めっき膜を除去する方法がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
およびの方法はいずれも、導体回路非形成部分（導体
回路間）に無電解めっきを析出させるための触媒核を付
与することになり、導体回路間における絶縁性の低下を
招きやすい。また、上記の方法においては、除去しき
れなかった無電解めっき膜が残渣となり、やはり絶縁性
の低下を招きやすい。

【０００６】そのため、このままの状態で、上記クラッ
クの発生を抑制するために無電解めっきによる粗化層を
形成しようとすると、導体回路非形成部分（導体回路
間）に触媒核や無電解めっき膜が残存するために、その
部分にも銅−ニッケル−リン合金などの粗化層が形成さ
れ、導体回路間をショートさせてしまうという問題があ
った。

【０００７】そこで本発明は、上述した課題を解決する
ためになされたものであり、その主たる目的は、導体回
路の少なくとも一部を無電解めっき膜で構成することに
よって生じる導体回路間の絶縁信頼性の低下を有効に防
止できる技術を提案することにある。また本発明の他の
目的は、導体回路非形成部分（導体回路間）にめっきを
析出させることなく、無電解めっきによる粗化層を導体
回路表面のみに形成し得る技術を提案することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究を行った結果、以下に示す内容を要
旨構成とする発明に想到した。 (1) 基板の樹脂絶縁層表面に、少なくとも一部が無電解
めっき膜からなる導体回路が形成され、その導体回路上
に、さらに層間樹脂絶縁層が形成された多層プリント配
線板において、前記樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非
形成部分に残存する無電解めっき用触媒核の量が、金属
イオン換算で２μｇ／ｃｍ² 以下であることを特徴とす
る多層プリント配線板である。

【０００９】(2) 基板の樹脂絶縁層表面に、少なくとも
一部が無電解めっき膜からなる導体回路が形成され、そ
の導体回路上に、さらに層間樹脂絶縁層が形成された多
層プリント配線板において、前記樹脂絶縁層表面のうち
の導体回路非形成部分が、導体回路下の樹脂絶縁層表面
に対して窪んでいることを特徴とする多層プリント配線
板である。好ましくは 0.1〜10μｍの深さで窪んでいる
のがよい。

【００１０】なお、上記 (1)または(2) に記載の多層プ
リント配線板において、導体回路は、その表面の少なく
とも一部に粗化層、望ましくは銅−ニッケル−リンの合
金めっきにより形成したものを有することが好ましい。

【００１１】(3) 基板に形成した樹脂絶縁層表面に、無
電解めっき用触媒核を付与して無電解めっき膜を形成
し、次いで、めっきレジストを設けて電解めっき処理を
施してからそのめっきレジストを除去してそのレジスト
下の無電解めっき膜をエッチング処理することにより、
導体回路を形成する方式の多層プリント配線板の製造方
法において、前記樹脂絶縁層表面に形成した導体回路上
に、さらに層間樹脂絶縁層を形成するに当たり、前記樹
脂絶縁層表面のうちの導体回路非形成部分をエッチング
処理することにより、該部分に残存する無電解めっき用
触媒核の量を金属イオン換算で２μｇ／ｃｍ² 以下にす
ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法であ
る。

【００１２】(4) 基板に形成した樹脂絶縁層表面に、無
電解めっき用触媒核を付与して無電解めっき膜を形成
し、次いで、めっきレジストを設けて電解めっき処理を
施してからそのめっきレジストを除去してそのレジスト
下の無電解めっき膜をエッチング処理することにより、
導体回路を形成する方式の多層プリント配線板の製造方
法において、前記樹脂絶縁層表面に形成した導体回路上
に、さらに層間樹脂絶縁層を形成するに当たり、前記樹
脂絶縁層表面のうちの導体回路非形成部分にエッチング
処理による窪みを設けることを特徴とする多層プリント
配線板の製造方法である。前記窪みは、導体回路下の樹
脂絶縁層表面に対して 0.1〜10μｍの深さで窪んで形成
することが好ましい。

【００１３】なお、上記 (3)または(4) に記載の製造方
法において、エッチング処理は酸または酸化剤を用いて
行うことが好ましい。また、上記 (3)または(4) に記載
の製造方法において、樹脂絶縁層表面に形成した導体回
路上に、さらに層間樹脂絶縁層を形成するに当たり、そ
の導体回路表面の少なくとも一部に粗化層、より望まし
くは銅−ニッケル−リンの合金めっきにより形成するこ
とが好ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板およ
びその製造方法は、樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非
形成部分をエッチング処理することにより、該部分に残
存する無電解めっき用触媒核の量を、金属イオン換算で
２μｇ／cm² 以下とした点に特徴がある。また、本発明
の多層プリント配線板およびその製造方法は、樹脂絶縁
層表面のうちの導体回路非形成部分が、エッチングによ
り、導体回路下の樹脂絶縁層表面に対して窪んでいる点
にさらに他の特徴がある。

【００１５】これにより、本発明によれば、無電解めっ
き膜の形成に使用された触媒核や無電解めっき膜の残渣
が除去されているので、絶縁信頼性に優れる多層プリン
ト配線板を提供することができる。しかも、本発明によ
れば、導体回路非形成部分（導体回路間）の触媒核が除
去されているので、導体回路表面を粗化するための無電
解めっきを施した場合でもその部分にめっきが析出せ
ず、導体回路間をショートさせることもない。

【００１６】このような本発明において、上記触媒核の
残存量は、0.01〜1.0 μｇ／cm² に調整することがより
好ましい。この理由は、触媒核の残存量を少なくしよう
とすると、樹脂絶縁層のみならず、導体回路まで溶解さ
せてしまう場合があるからである。なお、触媒核の残存
量は、次のようにして測定した。 ．触媒核が付着した基板を６Ｎ塩酸に浸漬し、そのま
ま24時間放置する。 ．触媒核を構成する金属イオン（パラジウムなど）の
塩酸液中での濃度を、原子吸光法により測定する。 ．上記で測定した濃度から、基板の導体回路非形成
部分に付着していた触媒核量を金属イオン量で計算し、
この金属イオン量を基板に露出した触媒核付与面の面積
で除して、触媒核量から基板に露出した触媒核付与面の
面積当たりの金属イオン量を計算する。

【００１７】本発明において、樹脂絶縁層表面のうちの
導体回路非形成部分のエッチング処理は、酸や酸化剤に
より行うことが好ましい。酸としては、塩酸や硫酸、ギ
酸、酢酸などがあり、酸化剤としては、クロム酸や過マ
ンガン酸などがある。特に、クロム酸の濃度は、 700〜
900 ｇ／ｌがよい。この範囲内では、導体回路を過剰に
溶解させることなく、樹脂絶縁層表面をエッチングでき
るからである。また、処理温度は50〜80℃、浸漬時間は
１〜５分程度がよい。

【００１８】このようなエッチング処理による樹脂絶縁
層の除去量、即ち窪みの深さは、0.1〜10μｍ、好まし
くは１〜６μｍ、より好ましくは３〜５μｍがよい。こ
の理由は、導体回路非形成部分の樹脂絶縁層表面に残存
する触媒核や無電解めっき膜をエッチングして溶解除去
する場合に、残存する無電解めっき膜を確実に除去する
ことができ、かつ不必要な窪みにより、その上に形成さ
れる層間樹脂絶縁層の平滑性を低下させることがないか
らである。また、樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非形
成部分（導体回路間の樹脂絶縁層表面）を過剰にエッチ
ングすると、導体回路下の樹脂絶縁層まで溶解し、いわ
ゆるアンダーカットを生じ、このアンダーカットの部分
に気泡が残留しやすくなる上、導体回路の密着強度を低
下させるため好ましくない。この点、窪みの深さが上記
範囲にあれば、このようなアンダーカットを小さくする
ことができる。

【００１９】本発明においては、上記樹脂絶縁層として
無電解めっき用接着剤を使用する場合、上記エッチング
処理により形成された樹脂絶縁層の窪みの壁面もまた粗
化される（図１(i) ，図13参照）。その結果、本発明に
よれば、導体回路上にさらに形成される層間樹脂絶縁層
との密着性が向上し、高温、多湿条件下で発生しやすい
層間剥離を抑制することができる。

【００２０】本発明では、導体回路が電解めっき膜と無
電解めっき膜とで構成され、より内層側に無電解めっき
膜が形成され、より外層側に電解めっき膜が形成されて
いることが望ましい。この理由は、電解めっき膜は無電
解めっき膜より柔らかく展性に富む。このため、電解め
っき膜を含む導体回路は、ヒートサイクル時に基板のそ
りが発生しても、層間樹脂絶縁層の寸法変化に追従でき
るからである。しかも、導体回路表面に粗化層が設けら
れていると、層間樹脂絶縁層と強固に密着し、層間樹脂
絶縁層の寸法変化に導体回路がより追従しやすくなる。

【００２１】このため、ＩＣチップを搭載して−55℃〜
125 ℃のヒートサイクル試験を行った場合、導体回路を
起点とする層間樹脂絶縁層のクラックの発生を抑制で
き、また剥離も見られない。さらに、より内層側に電解
めっき膜よりも硬い無電解めっき膜を形成した導体回路
によれば、ピール強度を低下させることもない。ピール
強度は、導体回路の内層側面の硬さが硬い程大きくなる
ためである。

【００２２】ここで、上記導体回路を構成する無電解め
っき膜の厚さは、0.1 〜５μｍの範囲内であることが望
ましく、１〜５μｍが好適である。この理由は、無電解
めっき膜が厚すぎると、導体回路非形成部分の膜がエッ
チング除去できず、逆に薄すぎると、導体回路のピール
強度の低下を招いたり、また電解めっきを施す際の抵抗
値が大きくなって、めっき膜の厚さにバラツキが発生し
てしまうからである。

【００２３】また、上記導体回路を構成する電解めっき
膜の厚さは、10〜40μｍの範囲内であることが望まし
く、10〜20μｍが好適である。この理由は、電解めっき
膜が厚すぎるとピール強度の低下を招き、逆に薄すぎる
と層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからである。

【００２４】このような導体回路表面の少なくとも一部
には粗化層が形成されていることが好ましい。この粗化
層を形成する理由は、ヒートサイクル試験にて、導体回
路とその上層の層間樹脂絶縁層との密着不良に起因して
生じる層間樹脂絶縁層のクラックを有効に防止するため
である。

【００２５】この粗化層は、銅−ニッケル−リンからな
る合金めっき層であることが好ましい。かかる合金層
は、針状結晶層であり、層間樹脂絶縁層との密着性に優
れるからである。

【００２６】この合金層の組成は、銅、ニッケル、リン
の割合で、それぞれ90〜96wt％、１〜５wt％、 0.5〜２
wt％であることが望ましい。これらの組成割合のとき
に、針状の構造を示すからである。

【００２７】このような粗化層は、厚みを１〜10μｍと
することが望ましく、１〜５μｍが好適である。この理
由は、厚すぎると粗化層自体が損傷したり剥離しやす
く、一方、薄すぎると層間樹脂絶縁層との密着性が低下
するからである。

【００２８】本発明では、配線基板を構成する上記樹脂
絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ま
しい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸
あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理
によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱
性樹脂中に分散されてなるものが最適である。

【００２９】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒子径0.8〜2.0
μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒子径 0.1〜0.8 μｍの
耐熱性樹脂粉末との混合物、から選ばれるいずれか少な
くとも１種を用いることが望ましい。これらは、より複
雑なアンカーを形成できるからである。

【００３０】次に、本発明の多層プリント配線板を製造
する一方法について説明する。 (1) まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成した
配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンの形
成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるいは、
ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基
板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形
成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに
無電解めっきを施して行う方法がある。

【００３１】さらに必要に応じて、上記配線基板表面に
銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成することがで
きる。この粗化層は、無電解めっきにより形成される。
その無電解めっきには、銅イオン濃度、ニッケルイオン
濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×10^-2〜
4.1×10^-2 mol／ｌ、 2.2×10^-3〜 4.1×10^-3 mol／
ｌ、0.20〜0.25 mol／ｌである組成のめっき液を用いる
ことが望ましい。この理由は、かかる組成範囲で析出す
る皮膜は、その結晶構造が針状構造になり、アンカー効
果に優れるからである。なお、上記めっき液には上記化
合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。

【００３２】この他に、粗化層の形成方法としては、酸
化（黒化）−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グして粗化面を形成する方法、あるいはメック社製の商
品名「メックエッチボンド」なるエッチング液で粗化処
理する方法がある。なお、コア基板には、スルーホール
が形成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配
線層を電気的に接続することができる。また、スルーホ
ールおよびコア基板の導体回路間には樹脂が充填され
て、平滑性を確保してもよい。

【００３３】(2) 前記(1) で作製した配線基板の上に、
層間樹脂絶縁層を形成する。特に本発明では、層間樹脂
絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用いるこ
とが望ましい（図１(a) 参照）。

【００３４】(3) 次に、硬化した前記接着剤層の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって
溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する（図１(b) 参
照）。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、
あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸
を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイア
ホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからで
ある。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガ
ン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望
ましい。

【００３５】(4) 次に、接着剤層表面を粗化した配線基
板に、無電解めっき用触媒核を付与する。触媒核の付与
には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いること
が望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウム
コロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加
熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核として
はパラジウムがよい。

【００３６】(5) 次に、接着剤層表面に無電解めっきを
施し、接着剤層の粗化面全面に無電解めっき膜を形成す
る（図１(c) 参照）。このときの無電解めっき膜の厚み
は、１〜５μｍとする。

【００３７】(6) 次に、無電解めっき膜上にめっきレジ
ストを形成する（図１(d) 参照）。めっきレジスト組成
物としては、特にクレゾールノボラックやフェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾール
硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他に
市販品を使用することもできる。

【００３８】(7) 次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールを形成
する（図１(e) 参照）。ここで、上記電解めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましい。

【００３９】(8) さらに、めっきレジストを除去した
後、めっきレジスト下の無電解めっき膜を、過酸化水素
と硫酸の混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液で溶解除去し
て、独立した導体回路とする（図１(f) 参照）。

【００４０】(9) 次に、導体回路非形成部分に位置する
接着剤層の表面をクロム酸でエッチング処理し、その部
分の接着剤層表面を 0.1〜10μｍ、好ましくは１〜６μ
ｍ、より好ましくは３〜５μｍ溶解させ、窪みを形成す
る（図１(g) 参照）。

【００４１】(10)そして、導体回路の表面に粗化層を形
成する（図１(h) 参照）。粗化層の形成方法としては、
銅−ニッケル−リン合金層による粗化層を無電解めっき
により析出させる方法がある。この合金の無電解めっき
には、硫酸銅１〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.1〜6.0ｇ
／ｌ、クエン酸10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100 ｇ
／ｌ、ホウ酸10〜40ｇ／ｌ、界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌ
からなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。

【００４２】(10)そしてさらに、前記 (2)〜(8) を繰り
返すことにより、層間樹脂絶縁層と上層の導体回路を形
成する（図１(i) 参照）。

【００４３】

【実施例】

（実施例１） (1) ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を70重
量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）４
重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリ
ス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東亜合成
製、商品名：アロニックスＭ325 ）10重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン（関東化学製）５重量部、光増
感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）0.5 重量
部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子の平均
粒径 5.5μｍのものを35重量部、平均粒径 0.5μｍのも
のを５重量部を混合した後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピ
ロリドン）を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌
機で粘度12Pa・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練し
て感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を得た。

【００４４】(2) 前記(1) で得た感光性接着剤溶液を、
基板に、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分
間放置してから、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μ
ｍの無電解めっき用接着剤層２を形成した（図１(a)参
照）。 (3) 前記基板を、クロム酸に２分間浸漬し、接着剤層表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接
着剤層２の表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬してから水洗した（図１(b)参照）。

【００４５】(4) 前記接着剤層２に粗面を形成した（粗
化深さ20μｍ）基板に対し、パラジウム触媒（アトテッ
ク製）を付与することにより、接着剤層２およびバイア
ホール用開口の表面に触媒核を付与した（図示しな
い）。

【００４６】(5) 以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗面全体に厚さ３μｍの無電解銅めっき
膜12を形成した（図１(c)参照）。 〔無電解めっき液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００４７】(6) 前記(5) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、このド
ライフィルム上にマスクを載置して、 100mJ／cm² で露
光してから 0.8％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μｍのめっきレジスト３を設けた（図１(d)参照）。

【００４８】(7) 次に、めっきレジスト非形成部分に、
以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅
めっき膜13を形成した（図１(e)参照）。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製 商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／dm² 時間 30分 温度 室温

【００４９】(8) めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜
12を、硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13か
らなる厚さ18μｍの導体回路４を形成した（図１(f)参
照）。

【００５０】(9) 導体回路４を形成した基板を70℃で80
0g／l のクロム酸に５分間浸漬して、導体回路非形成部
分に位置する無電解めっき用接着剤層２の表面を、３μ
ｍエッチング処理して溶解除去させ、触媒核が付着した
面を除去して窪み18を形成した（図１(g)参照）。

【００５１】(10)基板を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌか
らなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該導体回路
の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化
層11を形成した（図１(h)参照）。 (11)無電解めっき用接着剤層２′および上層の導体回路
５を (1)〜(8) を繰り返してさらに形成した（図１(i)
参照）。

【００５２】（実施例２） Ａ．無電解めっき用接着剤組成物の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消
泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰを3.
6 重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 1.0μｍのものを7.2 重量部、平均粒径0.5μｍのも
のを3.09重量部を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2
重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合した。 これらを混合して無電解めっき用接着剤組成物を調製し
た。

【００５３】Ｂ．下層の層間樹脂絶縁剤の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡
剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰを3.6
重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 0.5μｍのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2
重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合した。 これらを混合して、２層構造の層間樹脂絶縁層を構成す
る下層側の絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製
した。

【００５４】Ｃ．樹脂充填剤の調製 ．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製、分子量310, YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSi
Ｏ₂ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サ
ンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を３本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5
重量部。 これらを混合して樹脂充填剤10を調製した。

【００５５】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした（図２参照）。まず、この銅張積層板をドリル
削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチ
ングすることにより、基板１の両面に内層銅パターン４
とスルーホール９を形成した。

【００５６】(2) 内層銅パターン４およびスルーホール
９を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒
化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／
ｌ）、Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ
／ｌ），NaBH₄ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理に
より、内層銅パターン４およびスルーホール９の表面に
粗化層11を設けた（図３参照）。

【００５７】(3) 樹脂充填剤10を、基板の片面にロール
コータを用いて塗布することにより、導体回路４間ある
いはスルーホール９内に充填し、70℃，20分間で乾燥さ
せ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤10を導体
回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、70℃，20
分間で加熱乾燥させた（図４参照）。

【００５８】(4) 前記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やス
ルーホール９のランド表面に樹脂充填剤10が残らないよ
うに研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次い
で、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時
間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤10を
硬化した（図５参照）。

【００５９】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および内層導体回路４上面
の粗化層11を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤
10と内層導体回路４の側面とが粗化層11を介して強固に
密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤10と
が粗化層11を介して強固に密着した配線基板を得た。即
ち、この工程により、樹脂充填剤10の表面と内層銅パタ
ーン４の表面が同一平面となる。ここで、充填した硬化
樹脂のＴｇ点は155.6 ℃、線熱膨張係数は44.5×10^-6／
℃であった。

【００６０】(5) 前記(4) の処理で露出した内層導体回
路４およびスルーホール９のランド上面に厚さ 2.5μｍ
のCu−Ni−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）11を形成
し、さらに、その粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層
を設けた（図６参照、但し、Sn層については図示しな
い）。その形成方法は以下のようである。即ち、基板を
酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジ
ウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付
与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸
ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナ
トリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ
／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施
し、銅導体回路４上面およびスルーホール９のランド上
面にCu−Ni−Ｐ合金の粗化層11を形成した。ついで、ホ
ウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50
℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層11
の表面に厚さ0.3 μｍのSn層を設けた（Sn層については
図示しない）。

【００６１】(6) 前記(5) の基板の両面に、Ｂの層間樹
脂絶縁剤（粘度1.5 Pa・ｓ) をロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プ
リベーク）を行い、絶縁剤層2aを形成した。さらにこの
絶縁剤層2aの上にＡの無電解めっき用接着剤（粘度７Pa
・ｓ）をロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分
間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行
い、接着剤層2bを形成した（図７参照）。

【００６２】(7) 前記(6) で絶縁剤層2aおよび接着剤層
2bを形成した基板の両面に、85μｍφの黒円が印刷され
たフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯によ
り 500mJ／cm² で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプ
レー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により30
00mJ／cm² で露光し、100 ℃で１時間、その後 150℃で
３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、
フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μ
ｍφの開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚さ
35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）２を形成した（図
８参照）。なお、バイアホールとなる開口には、スズめ
っき層を部分的に露出させた。

【００６３】(8) 開口が形成された基板を、クロム酸に
19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の接着剤層2bの表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、
当該層間樹脂絶縁層２の表面を粗面（深さ４μｍ）と
し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから
水洗いした（図９参照）。さらに、粗面化処理した該基
板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与す
ることにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホ
ール用開口６の内壁面に触媒核を付けた。

【００６４】(9) 以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.7 μｍの無電解銅めっ
き膜12を形成した（図10参照）。 〔無電解めっき液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００６５】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、マスク
を載置して、100 mJ／cm² で露光、0.8 ％炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト３を設け
た（図11参照）。

【００６６】(11)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ20μｍの電解銅めっき
膜13を形成した（図12参照）。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 30分 温度 室温

【００６７】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜
12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μｍの導体回路（バイアホールを含む）５を
形成した。さらに、70℃で800g／l のクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の
無電解めっき用接着剤層の表面を１〜２μｍエッチング
処理し、その表面に残存するパラジウム触媒を除去して
窪み18を形成した（図13参照）。

【００６８】(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層11を形成した（図14参
照）。このとき、形成した粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ
線分析装置）で分析したところ、Cu : 98mol％、Ni :
1.5 mol％、Ｐ: 0.5mol％の組成比であった。さらに、
ホウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度
50℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、前記
粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層に
ついては図示しない）。

【００６９】(14)前記(6) 〜(13)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層プリント
配線板を得た。但し、Sn置換は行わなかった（図15〜20
参照）。

【００７０】(15)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに
溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノ
マーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604
）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学
製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、
Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光
開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、
光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2
ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.
4、６rpm の場合はローターNo.3によった。

【００７１】(16)前記(14)で得られた多層配線基板に、
Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ
／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活
性剤 0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にて
Cu−Ni−Ｐ合金めっきを施し、導体回路表面に粗化層11
を形成した。その多層配線基板の両面に、上記ソルダー
レジスト組成物を20μｍの厚さで塗布した。次いで、70
℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パ
ターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォ
トマスクフィルムを密着させて載置し、1000mJ／cm² の
紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80
℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃
で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイ
アホールとそのランド部分を含む）を開口した（開口径
200μｍ）ソルダーレジスト層（厚み20μｍ）14を形成
した。

【００７２】(17)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ
＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口
部に厚さ５μｍのニッケルめっき層15を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上
に厚さ0.03μｍの金めっき層16を形成した。

【００７３】(18)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ（はんだ体）17を形成し、はん
だバンプ17を有するプリント配線板を製造した（図21参
照）。

【００７４】（比較例）実施例２の工程(12)における触
媒核の除去を省略したこと以外は、実施例２と同様にし
てはんだバンプを有するプリント配線板を製造した。

【００７５】このようにして製造した実施例１、２およ
び比較例の配線板について、導体回路非形成部分に位置
する接着剤層表面に残存するＰｄ触媒量を評価した。な
お、本評価では、基板から露出した触媒核付与面の面積
を計算する手間を省くため、実施例１、２と同様の条件
であるが、無電解めっき、電解めっきを施さない基板を
製造し、実施例１、２と同様の条件で触媒核を除去し、
この基板を５cm角に切り取って、これを試験体とした。
比較例についても触媒核を除去しないこと以外は同様に
した。この試験体は、触媒核付与面が表裏面に存在する
ため、その面積は５×５×２＝50cm² である。 ．触媒核が付着した試験体を６Ｎ塩酸に浸漬し、その
まま24時間放置した。 ．触媒核を構成するパラジウムイオンの塩酸液中での
濃度を、原子吸光法により測定した。測定装置は、〔SA
S 7500A （セイコー電子工業（株）製）〕を使用した。 ．上記で測定した濃度から、試験体に付着していた
触媒核量をパラジウムイオン換算で計算し、試験体の触
媒核付与面の単位面積当たりのパラジウムイオン量を計
算して評価した。

【００７６】その結果、実施例１、２のパラジウムイオ
ン量は、それぞれ0.05μｇ／cm² 、0.1 μｇ／cm² であ
った。これに対し、比較例では、８μｇ／cm² であっ
た。このため、実施例１、２においては、基板の導体回
路非形成部分に銅−ニッケル−リンの析出は見られなか
ったが、比較例においては、その部分に銅−ニッケル−
リンの析出が観察された。また、導体回路間の導通を導
通チェッカーを用いて確認したところ、実施例１、２で
は、導体回路間のショートは見られなかったが、比較例
では、ショートが観察された。

【００７７】また、ＰＣＴ試験（pressure cooker tes
t）を２気圧、湿度100 ％、温度121℃、1000時間実施し
たところ、比較例では、導体回路とその上に形成された
無電解めっき用接着層との間に剥離が観察されたが、実
施例１、２では剥離は観察されなかった。実施例１で
は、窪み18の底面だけでなく壁面も粗化されており、樹
脂絶縁層２と導体回路上に形成される無電解めっき用接
着層２′との密着性に優れているため、導体回路とその
上に形成される無電解めっき用接着層２′との密着性に
も優れると考えられる。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト配線板によれば、導体回路表面の粗化層を無電解めっ
きにより形成しても導体回路間のショートが発生せず、
導体回路間の絶縁信頼性を確保することが可能である。
また、導体回路の上層に形成される層間樹脂絶縁層であ
る無電解めっき用接着剤層との密着性にも優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図２】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図３】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図４】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図５】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図６】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図７】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図８】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図９】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図10】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図11】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図12】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図13】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図14】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図15】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図16】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図17】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図18】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図19】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図20】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【図21】実施例２における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層） ２′導体回路上に形成される層間樹脂絶縁層（無電解め
っき用接着剤層） 2a 絶縁剤層 2b 接着剤層 ３ めっきレジスト ４ 内層導体回路（内層銅パターン） ５ 外層導体回路（外層銅パターン） ６ バイアホール用開口 ７ バイアホール（BVH ） ８ 銅箔 ９ スルーホール 10 充填樹脂（樹脂充填剤） 11 粗化層 12 無電解銅めっき膜 13 電解銅めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだバンプ 18 窪み

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の樹脂絶縁層表面に、少なくとも一
   部が無電解めっき膜からなる導体回路が形成され、その
   導体回路上に、さらに層間樹脂絶縁層が形成された多層
   プリント配線板において、 前記樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非形成部分に残存
   する無電解めっき用触媒核の量が、金属イオン換算で２
   μｇ／ｃｍ² 以下であることを特徴とする多層プリント
   配線板。
2. 【請求項２】 基板の樹脂絶縁層表面に、少なくとも一
   部が無電解めっき膜からなる導体回路が形成され、その
   導体回路上に、さらに層間樹脂絶縁層が形成された多層
   プリント配線板において、 前記樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非形成部分が、導
   体回路下の樹脂絶縁層表面に対して窪んでいることを特
   徴とする多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 樹脂絶縁基板上に少なくとも一部が無電
   解めっき膜からなる導体回路が形成され、その導体回路
   上にさらに層間樹脂絶縁層が形成された多層プリント配
   線板において、 前記導体回路間の樹脂絶縁層表面は、導体回路下の樹脂
   絶縁層表面に対して窪んでなることを特徴とする多層プ
   リント配線板。
4. 【請求項４】 前記樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非
   形成部分は、導体回路下の樹脂絶縁層表面に対して 0.1
   〜10μｍの深さで窪んでいることを特徴とする請求項２
   または３に記載の多層プリント配線板。
5. 【請求項５】 前記導体回路は、その表面の少なくとも
   一部に粗化層を有することを特徴とする請求項１〜４の
   いずれか１項記載の多層プリント配線板。
6. 【請求項６】 前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合
   金めっき層である請求項５記載の多層プリント配線板。
7. 【請求項７】 基板に形成した樹脂絶縁層表面に、無電
   解めっき用触媒核を付与して無電解めっき膜を形成し、
   次いで、めっきレジストを設けて電解めっき処理を施し
   てからそのめっきレジストを除去してそのレジスト下の
   無電解めっき膜をエッチング処理することにより、導体
   回路を形成する方式の多層プリント配線板の製造方法に
   おいて、 前記樹脂絶縁層表面に形成した導体回路上に、さらに層
   間樹脂絶縁層を形成するに当たり、前記樹脂絶縁層表面
   のうちの導体回路非形成部分をエッチング処理すること
   により、該部分に残存する無電解めっき用触媒核の量を
   金属イオン換算で２μｇ／ｃｍ² 以下にすることを特徴
   とする多層プリント配線板の製造方法。
8. 【請求項８】 基板に形成した樹脂絶縁層表面に、無電
   解めっき用触媒核を付与して無電解めっき膜を形成し、
   次いで、めっきレジストを設けて電解めっき処理を施し
   てからそのめっきレジストを除去してそのレジスト下の
   無電解めっき膜をエッチング処理することにより、導体
   回路を形成する方式の多層プリント配線板の製造方法に
   おいて、 前記樹脂絶縁層表面に形成した導体回路上に、さらに層
   間樹脂絶縁層を形成するに当たり、前記樹脂絶縁層表面
   のうちの導体回路非形成部分にエッチング処理による窪
   みを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造
   方法。
9. 【請求項９】 基板上に樹脂絶縁層を形成した後、無電
   解めっき膜を形成し、ついでその上にめっきレジストを
   設け、電解めっき処理を施し、さらにめっきレジストを
   除去した後、エッチング処理して導体回路を設ける多層
   プリント配線板の製造方法において、 前記エッチング処理後、導体回路間の樹脂絶縁層の表面
   をエッチングして窪みを設け、さらに層間樹脂絶縁層を
   形成することを特徴とする多層プリント配線板の製造方
   法。
10. 【請求項10】 前記エッチング処理は、酸または酸化剤
    を用いて行うことを特徴とする請求項７〜９のいずれか
    １項記載の多層プリント配線板の製造方法。
11. 【請求項11】 前記導体回路非形成部分の窪みは、導体
    回路下の樹脂絶縁層表面に対して 0.1〜10μｍの深さで
    窪んで形成することを特徴とする請求項８または９に記
    載の多層プリント配線板の製造方法。
12. 【請求項12】 前記樹脂絶縁層表面に形成した導体回路
    上に、さらに層間樹脂絶縁層を形成するに当たり、その
    導体回路表面の少なくとも一部に粗化層を形成すること
    を特徴とする請求項７〜11のいずれか１項記載の多層プ
    リント配線板の製造方法。
13. 【請求項13】 前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合
    金めっきにより形成することを特徴とする請求項12記載
    の多層プリント配線板の製造方法。