JP2008210828A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板1と薄膜誘導素子13との間には、熱硬化性樹脂6a中に軟磁性体粉末6bを混入したものからなる磁性膜6が設けられている。これにより、シリコン基板1に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子13の渦電流損を低減することができる。
【選択図】 図1
Description
請求項2に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記磁性膜下における前記半導体基板上に薄膜誘導素子用配線が設けられ、前記薄膜誘導素子の内端部は前記磁性膜に設けられた開口部を介して前記薄膜誘導素子用配線の接続パッド部に接続されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記磁性膜は、前記半導体基板上の全面に設けられ、樹脂中に磁性体粉末が混入されたものからなることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明に係る半導体装置は、請求項3に記載の発明において、前記配線および前記薄膜誘導素子と前記磁性膜との間に樹脂からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記磁性膜は、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に設けられた磁性シートからなり、前記磁性シートの配置領域を除く前記半導体基板上に樹脂からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記磁性膜は、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に成膜された磁性体膜からなり、前記磁性体膜の配置領域を除く前記半導体基板上に樹脂からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明に係る半導体装置は、請求項5または6に記載の発明において、前記配線および前記薄膜誘導素子と前記磁性膜および前記絶縁膜との間に樹脂からなる上層絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明に係る半導体装置は、請求項7に記載の発明において、前記絶縁膜および前記上層絶縁膜は同一の材料によって同時に形成されていることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明に係る半導体装置は、請求項9に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明に係る半導体装置は、請求項10に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に磁性膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項12に記載の発明において、前記半導体基板上に薄膜誘導素子用配線を形成し、前記薄膜誘導素子用配線を含む前記半導体基板上の少なくとも一部に、前記薄膜誘導素子用配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する磁性膜を形成し、前記磁性膜上に前記薄膜誘導素子をその内端部を前記磁性膜の開口部を介して前記薄膜誘導素子用配線の接続パッド部に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
図1(A)はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図1(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはCSPと呼ばれるものであり、平面方形状のシリコン基板(半導体基板)1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド2a、2b、2cが集積回路に接続されて設けられている。この場合、符号2b、2cで示す接続パッドは、後述する渦巻き形状の薄膜誘導素子13の両端部に接続されるものであり、図1(A)では互いに隣接して配置されている。
図12(A)はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の要部の透過平面図を示し、図12(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置において、図1(A)、(B)に示す半導体装置と異なる点は、薄膜誘導素子13下における薄膜誘導素子用配線5を含む絶縁膜3の上面に磁性膜31を設け、磁性膜31の配置領域を除く薄膜誘導素子用配線5を含む絶縁膜3の上面にポリイミド系樹脂等からなる保護膜(絶縁膜)32を設けた点である。
図13はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の要部の断面図を示す。この半導体装置において、図12(B)に示す半導体装置と異なる点は、磁性膜31および保護膜32の上面にポリイミド系樹脂等からなる上層保護膜(上層絶縁膜)35を設けた点である。この場合、薄膜誘導素子用下地金属層10を含む薄膜誘導素子13の内端部は、磁性膜31および上層保護膜35にレーザ加工等により形成された開口部33、36を介して薄膜誘導素子用配線5の接続パッド部に接続されている。下地金属層9を含む配線12の一端部は、絶縁膜3、保護膜32および上層保護膜35にレーザ加工等により形成された開口部4a、34、37を介して接続パッド2aに接続されている。
図14はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の要部の断面図を示す。この半導体装置において、図13に示す半導体装置と異なる点は、保護膜32および上層保護膜35を別々に形成するのではなく、ポリイミド系樹脂等の同一の樹脂材料を用いて1回のスクリーン印刷やスピンコート法等により同時に形成することにより、製造工程数を低減した点である。
図15はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の要部の断面図を示す。この半導体装置において、図1(B)に示す半導体装置と異なる点は、磁性膜6の上面にポリイミド系樹脂等からなる保護膜(絶縁膜)41を設けた点である。この場合、薄膜誘導素子用下地金属層10を含む薄膜誘導素子13の内端部は、磁性膜6および保護膜41にレーザ加工等により形成された開口部8、42を介して薄膜誘導素子用配線5の接続パッド部に接続されている。下地金属層9を含む配線12の一端部は、絶縁膜3、磁性膜6および保護膜41にレーザ加工等により形成された開口部4a、7a、43を介して接続パッド2aに接続されている。このようにした場合には、保護膜41の膜厚の分だけ、薄膜誘導素子13をシリコン基板1から離間させることができるので、薄膜誘導素子13の特性劣化がより一層低減し、Q値を増大させることができる。
2a、2b、2c 接続パッド
3 絶縁膜
5 薄膜誘導素子用配線
6 磁性膜
6a 熱硬化性樹脂
6b 軟磁性体粉末
12 配線
13 薄膜誘導素子
14 薄膜誘導素子用配線
15 柱状電極
16 封止膜
17 半田ボール
31 磁性膜
Claims (13)
- 半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置において、少なくとも前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に磁性膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記磁性膜下における前記半導体基板上に薄膜誘導素子用配線が設けられ、前記薄膜誘導素子の内端部は前記磁性膜に設けられた開口部を介して前記薄膜誘導素子用配線の接続パッド部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記磁性膜は、前記半導体基板上の全面に設けられ、樹脂中に磁性体粉末が混入されたものからなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3に記載の発明において、前記配線および前記薄膜誘導素子と前記磁性膜との間に樹脂からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記磁性膜は、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に設けられた磁性シートからなり、前記磁性シートの配置領域を除く前記半導体基板上に樹脂からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記磁性膜は、前記薄膜誘導素子下における前記半導体基板上に成膜された磁性体膜からなり、前記磁性体膜の配置領域を除く前記半導体基板上に樹脂からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5または6に記載の発明において、前記配線および前記薄膜誘導素子と前記磁性膜および前記絶縁膜との間に樹脂からなる上層絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項7に記載の発明において、前記絶縁膜および前記上層絶縁膜は同一の材料によって同時に形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板上の同一の層上に複数の配線および渦巻き形状の薄膜誘導素子が設けられた半導体装置の製造方法において、少なくとも前記薄膜誘導素子を形成すべき領域下における前記半導体基板上に磁性膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記半導体基板上に薄膜誘導素子用配線を形成し、前記薄膜誘導素子用配線を含む前記半導体基板上の少なくとも一部に、前記薄膜誘導素子用配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する磁性膜を形成し、前記磁性膜上に前記薄膜誘導素子をその内端部を前記磁性膜の開口部を介して前記薄膜誘導素子用配線の接続パッド部に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043355A JP2008210828A (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008210828A true JP2008210828A (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=39786913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007043355A Pending JP2008210828A (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008210828A (ja) |
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JP2010040817A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090805 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100106 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100120 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100212 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20111111 |