TWI476510B - 防護膠膜框架及微影用防護膠膜 - Google Patents

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Description

防護膠膜框架及微影用防護膠膜
本發明係關於製造LSI、超級LSI等之半導體裝置或液晶顯示面板時的用作為微影用遮罩的灰塵遮擋使用之微影用防護膠膜(pellicle)及防護膠膜框架(pellicle trame)。
在LSI、超級LSI等之半導體製造或液晶顯示面板等的製造中，係將光照射於半導體晶圓或液晶用原板上來製作圖案，但若此時所使用之曝光原版上附著有灰塵，該灰塵會吸收光線或使光線偏轉，而造成轉印之圖案發生變形或邊緣變粗糙，除此之外，還會使得基底被污染變黑，而有損害到尺寸、品質、外觀等的問題。又，在本發明中，「曝光原版」係指微影用遮罩(亦簡稱為「遮罩」)及光罩(reticle)的總稱。以遮罩為例說明如下。
此等作業通常是在無塵室中進行，但即使在無塵室內，要經常保持曝光原版的清潔仍相當困難，所以，採用於曝光原版表面貼合能使曝光用光線良好地通過的灰塵遮擋用之防護膠膜的方法。
防護膠膜之基本構成，係由防護膠膜框架及張貼於此防護膠膜框架上之防護膠膜所構成。防護膠膜係由能使曝光用之光線(g光、i光、248nm、193nm等)良好地穿透之硝化纖維素、醋酸纖維素、氟系聚合物等所構成。於防護膠膜框架之上邊部塗布防護膠膜之易溶溶劑，然後將防護膠膜風乾而予以黏著、或是以丙烯酸樹脂、環氧樹脂或氟樹脂等的黏著劑予以黏著。又，為了於防護膠膜框架之下邊部裝設曝光原版，設置由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂及矽樹脂等構成之黏著層、及用以保護黏著層之目的的光罩黏著劑保護用襯片。
防護膠膜係設置成圍繞曝光原版表面所形成之圖案區域。防護膠膜係為了防止灰塵附著於曝光原版上而設置者，所以，此圖案區域與防護膠膜外部係被隔離成不會讓防護膠膜外部之灰塵附著於圖案面。
近年來，隨著LSI之設計規則朝著0.25次微米級的微細化發展的進程，曝光光源亦逐漸趨向於短波長化，亦即，從迄今為止作為主流之水銀燈的g光(436nm)、i光(365nm)，漸漸地轉移至KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等。隨著微細化之進程，對遮罩及矽晶圓所要求之平坦性，亦變得越來越嚴格。
防護膠膜係在遮罩完成後，為了防止圖案上附著灰塵而被貼合於遮罩上。當將防護膠膜貼合於遮罩上時，會有遮罩之平坦度發生變化的情況。當遮罩之平坦度變差時，如上述，可能會產生焦點偏離等的問題。另外，當平坦度改變時，描繪於遮罩上之圖案形狀亦會發生改變，還會帶來在遮罩之重疊精度上出現問題的障礙。
因貼合防護膠膜所引起之遮罩平坦度改變的主要因素有好幾個，但已瞭解到其中最大之因素在於防護膠膜框架的平坦度。
為了防止防護膠膜框架的變形所引起之遮罩的變形，日本特開2009-25562號公報中揭示如下方法：將防護膠膜框架桿的剖面積設為6mm2 以下，或者於防護膠膜框架使用楊氏係數為50GPa以下的材料。
作為防護膠膜框架而言，其剖面形狀多為長方形，而在日本特開平9-68793號公報中揭示一種防護膠膜框架，其中防護膠膜框架之剖面，具有內周面之上端側比下端側還朝內側突出的形狀。
(專利文獻)
近年來，對遮罩所要求之平坦性，也從在圖案面為平坦度2μm之要求漸漸地變得越來越嚴格，出現了在65nm節點之後為0.5μm以下、更佳為0.25μm的要求。
一般，防護膠膜框架之平坦度為20～80μm左右，當將使用此種平坦度差之防護膠膜框架的防護膠膜貼合於遮罩上時，框架之形狀會被轉印至遮罩上，而會發生遮罩的變形。於貼合時，防護膠膜係以約200～400N(20～40kg重)的大力被壓貼於遮罩上。因遮罩表面之平坦度比防護膠膜框架還平坦，故當結束將防護膠膜壓貼於遮罩時，因防護膠膜框架欲返回原來之形狀，所以，防護膠膜框架會使得遮罩發生變形。
當遮罩發生了變形時，會有遮罩之平坦度變差的情況，此情況下，會在曝光裝置內產生散焦的問題。另一方面，雖亦有遮罩變形反而使得平坦度變良好之情況，但即使在此情況下，形成於遮罩表面之圖案亦會發生歪曲，其結果會產生曝光時轉印於晶圓上之圖像亦變得歪曲的問題。此圖案之歪曲，在遮罩之平坦度變差的情況下亦會發生，所以，結果在因貼合防護膠膜而使得遮罩變形的情況，必定會產生圖像亦變形的問題。
本發明所欲解決之課題在於，第一，提供一種防護膠膜框架，即使在將防護膠膜貼合於曝光原版上，仍可減低因防護膠膜框架之變形所引起的曝光原版之變形。
本發明所欲解決之課題在於，第二，提供一種微影用防護膠膜，其具有此種防護膠膜框架。
本發明之上述課題，係藉由以下之手段(1)及(12)所達成。並與作為較佳實施態樣之(2)至(12)一併列記如下。
(1)一種防護膠膜框架，其特徵為：防護膠膜框架桿之剖面，係在上邊與下邊平行之基本四邊形的兩側邊具有四邊形形狀之凹陷部的形狀
(2)如(1)記載之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊平行之邊的長方形。
(3)如(1)記載之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊平行之上邊的梯形。
(4)如(1)記載之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中至少一個為具有與該上邊垂直之上邊的梯形。
(5)如(1)記載之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為梯形，該凹陷部當中至少一個為具有與該上邊平行之上邊的梯形。
(6)如(1)至(5)中任一項記載之防護膠膜框架，其中該基本四邊形之剖面積為4mm2 以上、20mm2 以下。
(7)如(1)至(6)中任一項記載之防護膠膜框架，其中該防護膠膜框架桿之剖面積為1mm2 以上、6mm2 以下。
(8)如(1)至(7)中任一項記載之防護膠膜框架，其係由楊氏係數為1~80GPa之材料所構成。
(9)如(1)至(8)中任一項記載之防護膠膜框架，其係由選自鋁合金、鎂合金、及聚碳酸酯樹脂構成之群中的材料所構成。
(10)如(1)至(9)中任一項記載之防護膠膜框架，其係由鋁合金所構成。
(11)如(1)至(10)中任一項記載之防護膠膜框架，其中防護膠膜框架之平坦度為0μm以上、20μm以下。
(12)一種微影用防護膠膜，其特徵為：藉由防護膠膜黏著劑將防護膠膜張貼於(1)至(11)中任一項記載之防護膠膜框架的一端面，且於另一端面設置曝光原版黏著劑。
根據本發明，提供一種可減低防護膠膜框架之變形引起的曝光原版之變形的防護膠膜框架及微影用防護膠膜。
如第1圖所示，由於本發明之微影用防護膠膜10，係藉由防護膠膜貼合用黏著層2而將防護膠膜1張貼於防護膠膜框架3的上端面者，故此時，用以使微影用防護膠膜10黏著於曝光原版(遮罩或光罩)5之黏著用黏著層4，通常形成於防護膠膜框架3的下端面，且在該黏著用黏著層4之下端面，可剝離地黏貼有襯片(未圖示)。另外，於防護膠膜框架3設置未圖示之氣壓調整用孔(通氣口)，另外，為了除去微粒，亦可於此通氣口設置除塵用過濾器(未圖示)。
亦可於防護膠膜框架設置夾具孔。該夾具孔之深度方向的形狀，不需指定，只要不貫穿即可，亦可為於圓柱前端具有錐形的凹部。
設置氣壓調整用孔之部位的剖面形狀，係以貼合氣壓調整用過濾器之外側面為平面為宜，亦可於內側具有凹陷部。另外，設置夾具孔之部位的剖面形狀，係以不具有凹陷部之基本四邊形為宜，又以矩形為較佳。
如第2圖所示，本發明之防護膠膜框架3，其特徵為：防護膠膜框架桿之剖面，係在上邊12及下邊14平行的基本四邊形(以下，亦稱為「基本四邊形」。由四邊12,17,14,19所構成。)的對向之兩側邊17及19具有四邊形形狀之凹陷部18的形狀。換言之，具有藉由中間部16來連接包括上邊12之上邊部13及包括下邊14之下邊部15而得的形狀。
如上述，因將防護膠膜貼合於遮罩上而引起的遮罩之歪曲，主要被認為是因防護膠膜之防護膠膜框架的歪曲所引起。於貼合時，防護膠膜框架發生變形，而該防護膠膜框架欲返回原狀時之變形應力，會使遮罩發生變形。此變形應力係依存於構成防護膠膜框架之材料的楊氏係數及其變形量。根據本發明，藉由將防護膠膜框架之剖面積縮小為比基本四邊形還小，可製成變形應力較小的防護膠膜框架。亦即，防護膠膜框架之上邊係用以張貼防護膠膜，並且下邊設置黏著劑而黏著於遮罩，所以，上邊及下邊均需要某種程度的寬度。然而，連接上邊及下邊之中央部係於兩側面設置凹陷部，而可形成比上下兩邊均窄的寬度。
此種防護膠膜框架桿，係可藉由於剖面為基本四邊形之兩側邊設置四邊形形狀之凹陷部來製造。又，如前述，設置氣壓調整用孔之部位的外側面、及設置夾具孔之部位的兩側面，亦可不用凹陷部，而以設置既定之貫穿孔或非貫穿的夾具孔為宜。
如日本特開2009-25562號公報所揭示，藉由將剖面積設為6mm2 以下，即使不改變材質，防護膠膜框架變得更容易變形。為了在保持為基本四邊形的形狀下來減小防護膠膜框架桿之剖面積，需要使上下兩邊變窄或減低高度。但是，因上述陳述之理由，上邊及下邊均需要一定的寬度。另一方面，當過度降低高度時，防護膠膜及遮罩之圖案面的距離減小，防護膠膜之散焦性能劣化，使得附著於防護膠膜上之異物移入轉印圖案的危險性增大。另外，若防護膠膜框架之高度變低時，還會使防護膠膜框架之操縱性變難等之問題變得更為顯著。因此，要在保持為基本四邊形的形狀下來減小剖面積，會伴隨著種種的困難。
然而，根據本發明，藉由從具有剖面為基本四邊形之形狀的防護膠膜框架桿，於兩側邊設置四邊形形狀之凹陷部，可確保上下兩邊之寬度，且可一面確保防護膠膜框架的高度，一面將防護膠膜框架桿之剖面積縮小為比基本四邊形還小。
基本四邊形之形狀，為上邊與下邊平行。作為此基本四邊形，包括含正方形之矩形、梯形、平行四邊形，以矩形為較佳。作為梯形，上邊可比下邊短，亦可比下邊長。
本發明之防護膠膜框架，係以上邊部及下邊部於此等之全寬具有一定的厚度為宜。
另外，防護膠膜框架桿之剖面，係於基本四邊形之對向的兩側邊具有四邊形形狀的凹陷部，僅於基本四邊形之一側邊具有四邊形形狀的凹陷部，而不包括U字形形狀。
本發明中，防護膠膜框架桿之剖面形狀，係以於縱長之長方形的對向之兩側邊具有矩形凹陷部為宜。換言之，剖面形狀係藉由寬度比上邊及下邊窄之中間部來垂直地連接上邊部及下邊部的I字形狀為較佳。
參照第3圖，說明本發明如下：
(a)之形狀係該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊平行之邊的長方形防護膠膜框架的剖面的一例。以該凹陷部雙方為長方形為宜。此情況下，作為上述I字形狀之一例，係於此等大致中央由具有一定寬度之中間部16來連接全寬度具有一定厚的上邊部13及下邊部15之形狀。
(b)之形狀與(a)之形狀，係在中間部16為從上邊及下邊之中央朝端側方向偏移的形狀之點存在差異。
(c)之形狀係該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊平行之上邊的梯形的一例。以該凹陷部雙方均為梯形為宜。此情況下，在中間部與上邊部及下邊部不垂直而具有傾斜之點，與(a)及(b)存在差異。
(d)之形狀係該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊垂直之上邊的梯形的一例。以該凹陷部雙方均為具有與該上邊垂直之上邊的梯形為宜。此情況下，如(d)所示，為藉由中間部來連接上邊部及下邊部之形狀，上邊部及下邊部係隨著靠近中央而變厚。
(e)之形狀係該基本四邊形為梯形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊平行之上邊的梯形的一例。以該凹陷部雙方均為具有與該上邊平行之上邊的梯形為宜。此情況下，成為藉由中間部來連接上邊部及下邊部之形狀。在形成該凹陷部之前或之後，該上邊部及下邊部之側邊，如第3(e)圖所示，亦能以與上邊及下邊垂直之方式進行加工。
同樣，亦可將防護膠膜框架桿之剖面，設為以平行四邊形作為基本四邊形，於兩側邊具有四邊形形狀之凹陷部的形狀。
中間部係以寬度一定為宜，亦可在隨著靠近上邊部或下邊部寬度變寬。
本發明之防護膠膜框架係根據遮罩之形狀而適宜設計者，通常防護膠膜框架之平面形狀為環狀或矩形、正方形狀，且具備能覆蓋設於遮罩之電路圖案部的大小及形狀。矩形(包括正方形)之防護膠膜框架的角部，亦可為曲面或藉由1以上之平面進行倒角。
防護膠膜框架之高度係以約1～10mm為宜，以約2～7mm為較佳，尤以約3～6mm為更佳。防護膠膜框架之上邊及下邊，係以寬度約2mm為宜。
另外，以上邊部及下邊部均具有0.1mm以上之厚度為宜，以0.3～0.8mm為較佳。
本發明之防護膠膜框架的基本四邊形之面積為20mm2 以下，以4～20mm2 為宜。
該防護膠膜框架桿之剖面積，係以6mm2 以下為宜。另外，以1～6mm2 為宜。像本發明這樣，藉由減小防護膠膜框架之中間部的寬度，可容易地達成此小的剖面積。如此，藉由減小剖面積，可減小變形應力，其結果，還可減小遮罩之變形。
作為構成防護膠膜框架之材質，以使用楊氏係數為1～80GPa之材料為宜，以例示鋁、鎂合金、合成樹脂等為較佳，以使用鋁、鎂合金或合成樹脂等為宜，以使用鋁、鎂合金或聚碳酸酯樹脂更為適宜，又較佳使用以鋁。
鋁可使用習知使用之鋁合金材料，又以使用JISA7075、JISA6061、JISA5052材料等為宜，只要具有上述之剖面形狀，且能確保作為防護膠膜框架之強度，並沒有特別的限制。
防護膠膜框架表面，係以在設置聚合物被膜之前，藉由噴砂或化學研磨進行粗化為宜。本發明中，有關此框架表面之粗化的方法，可採用習知之方法。對於鋁合金材料，以藉由不鏽鋼、金剛砂、玻璃珠粒等對表面實施噴砂處理，再藉由NaOH等進行化學研磨，將表面粗面化之方法為宜。
本發明之防護膠膜框架，亦可取代習知常用之鋁合金材料等楊氏係為69GPa的材料的使用，而以楊氏係數為1～50GPa之材料構成為宜。作為楊氏係數為上述範圍內的材料，可例示鎂合金之44GPa、丙烯酸樹脂之3GPa、聚碳酸酯樹脂之2.5GPa。
當使用此種低楊氏係數之材料時，即使在剖面積超過6mm2 、12mm2 之I字形狀的情況，仍可減小變形應力，從而可減小遮罩之變形。
在將防護膠膜框桿之剖面形狀設為I字形狀且將剖面積設為3～6mm2 之情況，越是使用低楊氏係數之材料，藉由相乘效應，越可進一步減小遮罩之變形。
本發明中，在防護膠膜框架之曝光原版黏著面及/或防護膠膜黏著面，以將在曝光原版黏著面及/或防護膠膜黏著面與防護膠膜框架之內外側面所構成之角部施以C倒角為宜。又，C倒角係指以45度之角度切割交叉之面部分(即角部)所進行之加工。
平坦之防護膠膜框架之平坦度約為20～80μm。本發明中，以將防護膠膜框架之平坦度設為0μm以上、20μm以下為宜，又以設為0μm以上、10μm以下更為較佳。
當防護膠膜框架之平坦度良好時，在將防護膠膜貼合於遮罩上時，可減小防護膠膜框架之變形量，其結果可減小變形應力，其結果，可將遮罩之變形抑制為更小。
又，上述防護膠膜框架之平坦度，係在防護膠膜框架上之被適宜分開的8點位置(其中以防護膠膜框架之各角部的4點及四邊中央的4點，合計8點為宜)測量高度，計算出假想平面，而以從距該假想平面之各點的距離中的最高點減去最低點的差所算出之值。
防護膠膜框架之平坦度，可藉由「具有XY軸程式台之雷射位移計」來測量，本發明中使用自製之位移機。
又，使用Tropel公司之UltraFlat來測量遮罩的平坦度。
另外，將對遮罩貼附防護膠膜所引起之遮罩的最大變形範圍，作為遮罩之變形/歪曲的指標使用。遮罩之平坦度及最大變形範圍的定義與測量方法，記載於實施例中。
本發明中，為了吸收散光，防護膠膜框架係以具有黑色氧化被膜及/或黑色聚合物被膜為宜。另外，在防護膠膜框架為鋁合金製之情況，尤以具有黑色陽極氧化被膜(黑色耐酸鋁被膜)及/或聚合物之電鍍塗布膜之鋁合金製防護膠膜框架更為適宜。
作為防護膠膜框架表面之黑色陽極氧化被膜的形成方法，一般可在以NaOH等之鹼性處理浴進行數十秒鐘的處理後，在稀釋硫酸水溶液中進行陽極氧化，然後進行黑色染色、封孔處理，而於表面設置黑色的氧化被膜。
另外，聚合物被膜(聚合物塗層)可藉由各種方法設置，但一般可列舉噴霧式塗布、靜電塗布、電鍍塗布等。本發明中，以藉由電鍍塗布來設置聚合物被膜為宜。
有關電鍍塗布，可使用熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂之任一種。另外，對於上述各硬化型樹脂，亦可使用陰離子電鍍塗布、陽離子電鍍塗布的任一種塗布。本發明中，因還要求抗紫外線性能，所以，從塗層之穩定性、外觀及強度考量，以硬化型樹脂之陰離子電鍍塗布為宜。
本發明之微影用防護膠膜，可藉由於上述防護膠膜框架之任一框架，於屬上邊之一端面透過防護膠膜黏著劑張貼防護膠膜，並於屬下邊之另一端面設置曝光原版黏著劑而可製造。
有關防護膠膜之種類，並無特別限制，例如，可使用習知之準分子雷射所使用的非晶質氟聚合物等。作為非晶質氟聚合物之例子，可列舉Cytop(旭硝子(株)製商品名)、鐵弗龍(註冊商標)AF(杜邦公司製商品名)等。此等聚合物亦可於防護膠膜之製作時根據需要溶解於溶劑中使用，例如，能以氟系溶劑等適當溶解。
[實施例]
以下，藉由實施例來具體例示並說明本發明。又，實施例及比較例中之「遮罩」，係作為「曝光原版」之例子所記載者，當然其同樣亦可應用於光罩(reticle)。
以下，參照實施例，具體說明本發明，但本發明不只限定於下述實施例。
(實施例1)
將使Cytop CTX-S(旭硝子(株)製商品名)溶解於全氟三丁胺中的5%溶液滴在矽晶圓上，藉由旋轉塗布法以830rpm使晶圓旋轉，而擴散於晶圓上。然後，在室溫下乾燥30分鐘後，再以180℃進行乾燥，形成均勻之膜。將塗布有黏著劑之鋁框貼合於此膜上，只將膜剝離而作為防護膠膜。製作所需枚數之上述Cytop CTX-S膜，使用於實施例1至10及比較例。
製作鋁合金(以下亦稱為「Al合金」)製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為3.25mm2 )的防護膠膜框架。又，剖面形狀係具有從高度為3.5mm、寬度為2.0mm的矩形之兩側面，在其中央部除去高度為2.5mm、寬度為0.75mm的矩形之形狀的I字形。上邊及下邊之厚度為0.5mm，中央帶部之寬度亦為0.5mm。又，於防護膠膜框架之四個角部施以C倒角。
從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.26μm。另外，最大變形範圍雖變化了40nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度及最大變形範圍的測量結果。
又，遮罩之平坦度係使用Tropel公司之UltraFlat而測得。另外，框架之平坦度係使用具有XY軸程式台之雷射位移計所測得。
另外，「遮罩之最大變形範圍」係定義為，對遮罩之形狀進行二次測量，在遮罩各點之高度的差中的各正/負側之最大變化量之絕對值的和。又，在因貼合防護膠膜而造成遮罩變形時，即使在平坦度未變化的情況，最大變形範圍仍成為較大值，所以，作為遮罩之變形/歪曲的指標，最大變形範圍比平坦度更為有效。
(實施例2)
製作鎂合金製且外形尺寸為149mm×115mm×3.0mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為3.00mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為10μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.24μm，平坦度沒有變化。另外，最大變形範圍雖變化了30nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例3)
製作鎂合金(以下亦稱為「Mg合金」)製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為3.25mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鎂合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.24μm，平坦度沒有變化。另外，最大變形範圍雖變化了28nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例4)
製作聚碳酸酯樹脂(以下亦稱為「PC樹脂」)製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為3.25mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於聚碳酸酯樹脂製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.25μm而沒有變化。另外，最大變形範圍雖變化了20nm，但與比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例5)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×115mm×4.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為3.75mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.27μm。另外，最大變形範圍雖變化了50nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例6)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(b)圖所示，剖面積為3.25mm2 )的防護膠膜框架。將此框架之外側面側削去了1mm之深度，並將內側面側削去了0.5mm的深度。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.24μm。另外，最大變形範圍雖變化了40nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例7)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(c)圖所示，剖面積為3.25mm2 )的防護膠膜框架。又，從框架之外側面削去上邊為1mm、下邊為0.5mm、高度為2.5mm之梯形形狀，並從內側削去上邊為0.5mm、下邊為1.0mm、高度為2.5mm之梯形形狀。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.25μm。另外，最大變形範圍雖變化了35nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例8)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(d)圖所示，剖面積為4.00mm2 )的防護膠膜框架。又，從兩內外側面進行加工，連接上邊及下邊之中央部，為寬度為0.5mm，高度為1.5mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.27μm。另外，最大變形範圍雖變化了45nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例9)
製作聚碳酸酯樹脂製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(d)圖所示，剖面積為4.00mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於聚碳酸酯樹脂製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.25μm而沒有變化。另外，最大變形範圍雖變化了25nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例10)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、寬度為上邊為1.5mm，下邊為2.5mm(剖面形狀如第3(e)圖所示，剖面積為3.25mm2 )的防護膠膜框架。上邊為1.5mm，下邊為2.5mm，連接上邊及下邊之中央部，寬度為0.5mm，高度為2.5mm。另外，上邊部、下邊部之厚度為0.5mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.26μm。另外，最大變形範圍雖變化了40nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(比較例)
製作鋁合金製、外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、寬度為2mm(剖面形狀為長方形，剖面積為7.0mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度變化為0.29μm。另外，最大變形範圍更大地變化了100nm。
匯總以上之結果，並顯示於以下的表1中。
1．．．防護膠膜
2．．．黏著層
3．．．防護膠膜框架
4．．．黏著用黏著層
5．．．曝光原版
10．．．防護膠膜
12．．．上邊
13．．．上邊部
14．．．下邊
15．．．下邊部
16．．．中間部
17．．．側邊
18．．．四邊形形狀之凹陷部
19．．．側邊
第1圖為顯示防護膠膜之構成例的概念剖面圖之一例。
第2圖為防護膠膜框架桿之剖面形狀的一例之示意圖。
第3圖為防護膠膜框架桿之剖面形狀的變化例之示意圖。
3．．．防護膠膜框架
12．．．上邊
13．．．上邊部
14．．．下邊
15．．．下邊部
16．．．中間部
17．．．側邊
18．．．四邊形形狀之凹陷部
19．．．側邊

Claims (11)

  1. 一種防護膠膜框架，其特徵為：防護膠膜框架桿之剖面，係在上邊與下邊平行之基本四邊形的兩側邊具有四邊形形狀之凹陷部的形狀，且具有藉由寬度比該上邊及該下邊窄的中間部來垂直地連接含有該上邊的上邊部及含有該下邊的下邊部的形狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中之至少一個為具有與該上邊平行之邊的長方形。
  3. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為長方形，該凹陷部當中至少一個為具有與該上邊垂直之上邊的梯形。
  4. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該基本四邊形為梯形，該凹陷部當中至少一個為具有與該上邊平行之上邊的梯形。
  5. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該基本四邊形之剖面積為4mm2 以上、20mm2 以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該防護膠膜框架桿之剖面積為1mm2 以上、6mm2 以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其係由楊氏係數為1~80GPa之材料所構成。
  8. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其係由選自鋁合金、鎂合金、及聚碳酸酯樹脂構成之群中的材料所構 成。
  9. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其係由鋁合金所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中防護膠膜框架之平坦度為0μm以上、20μm以下。
  11. 一種微影用防護膠膜，其特徵為：藉由防護膠膜黏著劑將防護膠膜張貼於如申請專利範圍第1至10項中任一項之防護膠膜框架的一端面，且於另一端面設置曝光原版黏著劑。
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