TWI471685B - 防護膠膜框架及微影用防護膠膜 - Google Patents

防護膠膜框架及微影用防護膠膜 Download PDF

Info

Publication number
TWI471685B
TWI471685B TW99120416A TW99120416A TWI471685B TW I471685 B TWI471685 B TW I471685B TW 99120416 A TW99120416 A TW 99120416A TW 99120416 A TW99120416 A TW 99120416A TW I471685 B TWI471685 B TW I471685B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protective film
frame
film frame
flatness
mask
Prior art date
Application number
TW99120416A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201109839A (en
Inventor
Toru Shirasaki
Kishore Chakravorty
David Mushell
Grace Ng
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co, Intel Corp filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW201109839A publication Critical patent/TW201109839A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI471685B publication Critical patent/TWI471685B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Description

防護膠膜框架及微影用防護膠膜
本發明係關於製造LSI、超級LSI等之半導體裝置或液晶顯示面板時的用作為微影用遮罩的灰塵遮擋使用之微影用防護膠膜(pellice)及防護膠膜框架(pellicle trame)。
在LSI、超級LSI等之半導體製造或液晶顯示面板等的製造中，係將光照射於半導體晶圓或液晶用原板上來製作圖案，但若此時所使用之曝光原版上附著有灰塵，該灰塵會吸收光線或使光線偏轉而造成轉印後之圖案發生變形或邊緣變粗糙，除此之外，還會使得基底被污染變黑，而有損害到尺寸、品質、外觀等的問題。又，本發明中，「曝光原版」係指微影用遮罩(亦簡稱為「遮罩」)及光澤(reticle)的總稱。以遮罩為例說明如下。
此等作業通常是在無塵室中進行，但即使在無塵室內，要經常保持曝光原版的清潔仍相當困難，所以，採用於曝光原版表面貼合能使曝光用光線良好地通過的灰塵遮擋用之防護膠膜的方法。
防護膠膜之基本構成，係由防護膠膜框架及張貼於此防護膠膜框架上之防護膠膜所構成。防護膠膜係由能使曝光用之光線(g光、i光、248nm、193nm等)良好地穿透之硝化纖維素、醋酸纖維素、氟系聚合物等所構成。於防護膠膜框架之上邊部塗布防護膠膜之易溶溶劑，然後將防護膠膜風乾而予以黏著、或是以丙烯酸樹脂、環氧樹脂或氟樹脂等的黏著劑予以黏著。又，為了於防護膠膜框架之下邊部裝設曝光原版，設置由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂及矽樹脂等構成之黏著層、及用以保護黏著層之目的的光罩黏著劑保護用襯片。
防護膠膜係設置成圍繞曝光原版表面所形成之圖案區域。防護膠膜係為了防止灰塵附著於曝光原版上而設置者，所以，此圖案區域與防護膠膜外部係被隔離成不會讓防護膠膜外部之灰塵附著於圖案面。
近年來，隨著LSI之設計規則朝著0.25次微米級的微細化發展的進程，曝光光源亦逐漸趨向於短波長化，亦即，從迄今為止作為主流之水銀燈的g光(436nm)、i光(365nm)，漸漸地轉移至KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等。隨著微細化之進程，對遮罩及矽晶圓所要求之平坦性，亦變得越來越嚴格。
防護膠膜係在遮罩完成後，為了防止圖案上附著灰塵而被貼合於遮罩上。當將防護膠膜貼合於遮罩上時，會有遮罩之平坦度發生變化的情況。當遮罩之平坦度變差時，如上述，可能會產生焦點偏離等的問題。另外，當平坦度改變時，描繪於遮罩上之圖案形狀亦會發生改變，還會帶來在遮罩之重疊精度上出現問題的障礙。
因貼合防護膠膜所引起之遮罩平坦度改變的主要因素，有好幾個，但已瞭解到其中最大之因素在於防護膠膜框架的平坦度。
為了防止防護膠膜框架的變形所引起之遮罩的變形，日本特開2009-25562號公報中揭示如下方法：將防護膠膜框架的剖面積設為6mm2 以下，或者於防護膠膜框架使用楊氏係數為50GPa以下的材料。
作為防護膠膜框架而言，其剖面形狀多為長方形，而在日本特開平9-68793號公報中揭示一種防護膠膜框架，其中防護膠膜框架之剖面，具有內周面之上端側比下端側還朝內側突出的形狀。
(專利文獻)
近年來，對遮罩所要求之平坦性，也從在圖案面為平坦度2μm之要求漸漸地變得越來越嚴格，出現了在65nm節點之後為0.5μm以下、更佳為0.25μm的要求。
一般，防護膠膜框架之平坦度為20～80μm左右，當將使用此種平坦度差之框架的防護膠膜貼合於遮罩上時，框架之形狀會被轉印至遮罩上，而會發生遮罩的變形。於貼合時，防護膠膜係以約200～400N(20～40kg重)的大力被壓貼於遮罩上。因遮罩表面之平坦度比防護膠膜框架還平坦，故當結束將防護膠膜壓貼於遮罩時，因防護膠膜框架欲返回原來之形狀，所以，防護膠膜框架會使得遮罩發生變形。
本發明所欲解決之課題在於，第一，提供一種防護膠膜框架，即使在將防護膠膜貼合於曝光原版上，仍可減低因防護膠膜框架之變形所引起的曝光原版之變形。本發明所欲解決之課題在於，第二，提供一種微影用防護膠膜，其具有此種防護膠膜框架。
本發明之上述課題，係藉由以下之手段(1)及(10)所達成。並與作為較佳實施態樣之(2)至(9)一併列記如下。
(1)一種防護膠膜框架，其特徵為：防護膠膜框架桿之剖面，係在上邊與下邊平行且剖面積為20mm2 以下之四邊形的至少一側邊具有包含曲線之凹陷部的形狀。
(2)如(1)記載之防護膠膜框架，其中該曲線係從由圓、橢圓、雙曲線及拋物線所構成之凸狀曲線選出。
(3)如(1)或(2)記載之防護膠膜框架，其中該凹陷部係僅由凸狀曲線所構成。
(4)如(1)或(2)記載之防護膠膜框架，其中該凹陷部包含至少一條直線。
(5)如(4)記載之防護膠膜框架，其中該凹陷部包含至少一條與該上邊平行之直線。
(6)如(1)至(5)中任一項記載之防護膠膜框架，其中該防護膠膜框架桿之剖面積為6mm2 以下。
(7)如(1)至(6)中任一項記載之防護膠膜框架，其係由楊氏係數為1~80GPa之材料所構成。
(8)如(1)至(7)中任一項記載之防護膠膜框架，其係由鋁合金所構成。
(9)如(1)至(8)中任一項記載之防護膠膜框架，其中防護膠膜框架之平坦度為20μm以下。
(10)一種微影用防護膠膜，係藉由防護膠膜黏著劑將防護膠膜張貼於(1)至(9)中任一項記載之防護膠膜框架的一端面，且於另一端面設置曝光原版黏著劑。
根據本發明，可提供一種能減低因防護膠膜框架之變形而引起曝光原版變形的防護膠膜框架及微影用防護膠膜。
本發明之防護膠膜框架，其特徵為：防護膠膜框架桿之剖面，係在上邊與下邊平行且剖面積為20mm2 以下之四邊形的至少一側邊具有包含曲線之凹陷部的形狀。
以下，參照圖面來說明本發明。
如第1圖之剖面圖所示，由於本發明之微影用防護膠膜10，係由防護膠膜貼合用黏著層2將防護膠膜1張貼於防護膠膜框架3的上端面者，故此時，用以使微影用防護膠膜10黏著於曝光原版(遮罩或光罩)5之黏著用黏著層4，通常形成於防護膠膜框架3的下端面，且在該黏著用黏著層4之下端面，可剝離地黏貼有襯片(未圖示)。另外，於防護膠膜框架3設置未圖示之氣壓調整用孔(通氣口)，另外，為了除去微粒，亦可於此通氣口設置除塵用過濾器(未圖示)。
亦還可於防護膠膜框架設置夾具孔。該夾具孔之深度方向的形狀，不需特定，只要不貫穿即可，亦可為於圓柱前端具有錐形的凹部。
設置前述氣壓調整用孔及夾具孔之部位，係以其剖面形狀為設有包含凸狀曲線的凹陷部之前的四邊形較為適宜，又以矩形更為適宜。
如第2圖所示，本發明之防護膠膜框架，係在其防護膠膜框架之剖面為上邊12與下邊14平行且剖面積為20mm2 以下的基本四邊形(以下，亦稱為「基本四邊形」；由四邊12,17,14及19所圍繞。)的對向之兩側邊17及19的至少一側邊具有包含曲線之凹陷部的形狀。此防護膠膜框架之剖面，係在基本四邊形中具有由包含凸狀曲線之凹陷部所形成之中間部16來連接包括上邊12之上邊部13與包括下邊14之下邊部15而得的形狀。
如上述，因將防護膠膜貼合於遮罩上而引起的遮罩之歪曲，主要被認為可能是因防護膠膜之防護膠膜框架的歪曲所引起。於貼合時，防護膠膜框架發生變形，而該防護膠膜框架欲返回原狀時之變形應力，會使遮罩發生變形。此變形應力係依存於構成防護膠膜框架之材料的楊氏係數及其變形量。根據本發明，藉由將防護膠膜框架之剖面積縮小為比基本四邊形還小，可製成變形應力較小的防護膠膜框架。亦即，防護膠膜框架之上邊係用以張貼防護膠膜，並且下邊設置黏著劑而黏著於遮罩，所以，上邊及下邊均需要某種程度的寬度。然而，連接上邊部與下邊部之中間部，可設計為比上下兩邊還窄之寬度。
在具有剖面為基本四邊形之形狀的框架中，此種防護膠膜框架桿係可藉由從四邊形的對向之側邊的至少一邊側 削去具有包含曲線之凹陷部的形狀而製造。又，設置該氣壓調整用孔及夾具孔之防護膠膜框架的部位，還可不用凹陷部，設置夾具孔之防護膠膜框架的部位，係以不用切削而設置非貫穿的夾具孔較為適宜。
另外，作為其他方法，該防護膠膜框架還可在具有既定剖面形狀之模具中，藉由射出成型工程塑膠來製造。
基本四邊形之形狀，只要是上邊與下邊平行即可，並無限定，而作為基本四邊形，其包括含正方形之矩形、梯形、平行四邊形，其中以矩形較為適宜。作為梯形而言，其上邊可比下邊短，亦可比下邊長。
基本四邊形之剖面積為20mm2 以下。當超過20mm2 時，要增大框架之高度時，會有裝置上之限度，所以，會使框架寬度變得過大，防護膠膜之內部尺寸變得過小，而會產生圖案區域被大幅限制的不良情形。
基本四邊形之剖面積，係以15mm2 以下較為適宜，又以12mm2 以下更為適宜。另外，基本四邊形之剖面積，係以2mm2 以上較為適宜，又以4mm2 以上更為適宜。當位在上述數值之範圍內時，可微細地抑制框架寬度，所以，具有可充分大地取得圖案區域之優點。
本發明中，凹陷部可為包含具凹凸之曲線的形狀，以於一方向包含凸狀或凹狀之曲線的形狀為宜，又，以此曲線係從由圓、橢圓、雙曲線及拋物線所構成之凸狀曲線選出為宜。
以包含凸狀曲線之凹陷部，係僅由凸狀曲線所構成為 宜。作為僅由凸狀曲線所構成之形狀，可例示半圓、局部圓、半橢圓、局部橢圓、局部雙曲線及局部拋物線。在橢圓、雙曲線及拋物線之圓錐曲線的局部形狀中，以是包含其頂點附近之局部曲線為宜。凹陷部所包含之凸狀曲線，可為從側邊朝向內側呈現凸狀或者凹狀。
本發明中，以凹陷部係包含該凸狀曲線及至少一條直線為宜。作為此凹陷部之形狀，可例示將該凸狀曲線及與該凸狀曲線交差之直線作為弦而圍成之弓形形狀、包含該凸狀曲線及至少一條直線的形狀。在後例中包含有四分之一圓、四分之一橢圓。以該凹陷部係包含至少一條與該上邊平行之直線較為適宜。亦可為二條與該上邊平行之直線及朝側邊側凸起之凹陷部。
基本四邊形之形狀係上邊及下邊平行。作為此四邊形係包括含正方形之矩形、梯形、平行四邊形，又以矩形為宜。作為梯形，其上邊可比下邊短，亦可比下邊長。
本發明之防護膠膜框架，係以在上邊部及下邊部之兩側，於上下方向具有既定厚度為宜。
另外，本發明之防護膠膜框架桿之剖面，雖具有包含凸狀曲線之凹陷部，但將既定之曲線部分以近似於此曲線之6角形以上的多角形來替代而成的形狀，亦可作為均等物而同樣予以使用。
參照第3圖，說明防護膠膜框架桿之剖面形狀。
(a)之形狀為本發明之防護膠膜框架的一剖面形狀，上邊與下邊平行且剖面積為20mm2 以下之基本四邊形的縱長矩形之兩側邊的大致中央具有局部圓形的凹陷部，並藉由中等狹窄程度之中間部16來連接上邊部13及下邊部15之形狀。
(b)之形狀係僅於基本四邊形的矩形之側邊的一側具有半圓形之凹陷部。
(c)之形狀係於矩形之一側邊具有四分之一圓形之凹陷部，且直線部分與上邊平行。
(d)之形狀係於矩形之兩側邊具有局部圓形之凹陷部，且直線部分均與上邊平行。
(e)之形狀係從矩形之一側邊具有2條直線及略微凹狀之曲線所構成的凹陷部。
從變形應力為小之觀點考慮，在該剖面形狀例中，以(a)及(d)為宜，又以(d)更佳。
又，亦能以平行四邊形或梯形作為基本四邊形，並變形為從其兩側邊或一側邊具有包含凸狀曲線之凹陷部的形狀。
中間部係在上邊部及下邊部之中間部具有寬度窄之區域，但如該(c)所例示，亦可在靠近上邊部或下邊部處，中間部寬度較寬。
本發明之防護膠膜框架，係根據遮罩之形狀而適宜設計者，通常防護膠膜框架之平面形狀為環狀、矩形或正方形，且具備能覆蓋設於遮罩之電路圖案部的大小及形狀。矩形(包括正方形)之防護膠膜框架的角部，可作成圓角。防護膠膜框架之高度係以約1～10mm為宜更以約2～7mm較佳，尤以約3~6mm更佳。防護膠膜框架之上邊及下邊，係以寬度約2mm為適。
另外，以上邊部及下邊部之厚度至少為0.4mm以上為宜，以0.4~0.8mm較佳宜。
該防護膠膜框架桿之剖面積，係以6mm2 以下為適宜，以1~6mm2 以上較佳里，尤以3mm2 以上更佳。像本發明這樣，藉由減小防護膠膜框架之中間部的寬度，可容易地達成此小的剖面積。如此，藉由減小剖面積，可在一定材質中減小變形應力，其結果，還可減小遮罩之變形。
假設基本四角形之剖面積為100%，則防護膠膜框架桿之剖面積所佔比例越少，越可改善框架之平坦度、遮罩之平坦度，故而較為理想。具體而言，以25~85%較佳，以35~75%較佳，尤其以40~60%更佳。當落在上述數值之範圍內時，不僅可確保框架所需要之強度，還能提高框架及遮罩之平坦度，故而較為理想。
以本發明之防護膠膜框架係由楊氏係數為1~80GPa之材料所構成為宜。
作為構成防護膠膜框架之上述材料，以例示鋁、鎂合金、合成樹脂等為宜，又以使用鋁、鎂合金或聚碳酸酯樹脂較佳，尤其以鋁更佳。
鋁可使用習知使用之鋁合金材料，又以使用JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052材料等為宜，只要具有上述之剖面形狀，且能確保作為防護膠膜框架之強度，並沒有特別的限制。以防護膠膜框架表面，係在設置聚合物被膜之前，藉由噴砂器或化學研磨進行粗面化為宜。本發明中，有關此框架表面之粗面化的方法，可採用習知之方法。以對於鋁合金材料，藉不鏽鋼、金剛砂、玻璃珠粒等對表面實施衝擊處理，再藉由NaOH等進行化學研磨，將表面粗面化之方法為宜。
本發明之防護膠膜框架，亦可取代習知常用之鋁合金材料等楊氏係數為69GPa的材料的使用，而以楊氏係數為1GPa以上、50GPa以下之材料構成為宜。作為楊氏係數為上述範圍內的材料，可例示鎂合金之44GPa、丙烯酸樹脂之3GPa、聚碳酸酯樹脂之2.5GPa。
當使用此種低楊氏係數之材料時，即使在剖面積超過6mm2 而為12mm2 的情況，仍可減小防護膠膜框架之變形應力，從而可減小遮罩之變形。
本發明之防護膠膜框架桿之剖面積，係以12mm2 以下為宜。
在將防護膠膜框架之剖面積設為1～6mm2 之情況，較佳是設於3～6mm2 之情況，越是使用低楊氏係數之材料，藉由相乘效應，越可進一步減小遮罩之變形。
本發明中，以將防護膠膜框架之平坦度設為0μm以上、20μm以下較為適宜，又以設為0μm以上、10μm以下更為適宜。當防護膠膜框架之平坦度良好時，在將防護膠膜貼合於遮罩上時，可減小施加於防護膠膜框架之變形應力，其結果，可減小遮罩之變形量。
又，上述防護膠膜框架之[平坦度]，係在防護膠膜框架上之被適宜分開的8點位置(其中以防護膠膜框架之各角部的4點及四邊中央的4點，合計8點較為適宜)測量高度，計算出假想平面，而以從距該假想平面之各點的距離中的最高點減去最低點的差所算出之值。防護膠膜框架之平坦度，可藉由「具有XY軸程式台之雷射位移計」來測量，本發明中使用自製之位移機。
本發明中，在防護膠膜框架之曝光原版黏著面及/或防護膠膜黏著面，以在曝光原版黏著面及/或防護膠膜黏著面與防護膠膜框架之內外側面所構成之角部施以C倒角較為適宜。又，C倒角係指以45度之角度切割交叉之面部分(即角部)所進行之加工。
本發明中，為了吸收散光，防護膠膜框架係以具有黑色氧化被膜及/或黑色聚合物被膜較為適宜。另外，在防護膠膜框架為鋁合金製之情況，尤以具有黑色陽極氧化被膜(黑色耐酸鋁被膜)及/或聚合物之電鍍塗布膜之鋁合金製防護膠膜框架更為適宜。
作為防護膠膜框架表面之黑色陽極氧化被膜的形成方法，一般可在以NaOH等之鹼性處理浴進行數十秒鐘的處理後，在稀釋硫酸水溶液中進行陽極氧化，然後進行黑色染色、封孔處理，而於表面設置黑色的氧化被膜。
另外，聚合物被膜(聚合物塗層)可藉由各種方法設置，但一般可列舉噴霧式塗布、靜電塗布、電沈積塗布等。本發明中，以藉由電沈積塗布來設置聚合物被膜較為適宜。
有關電沈積塗布，可使用熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂之任一種。另外，對於上述各硬化型樹脂，亦可使用陰離子電沈積塗布、陽離子電沈積塗布的任一種塗布。本發明中，因還要求抗紫外線性能，所以，從塗層之穩定性、外觀及強度考量，以硬化型樹脂之陰離子電沈積塗布較為適宜。
本發明之微影用防護膠膜，可藉由於上述防護膠膜框架之任一框架，於屬上邊之一端面透過防護膠膜黏著劑張貼防護膠膜，並於屬下邊之另一端面設置曝光原版黏著劑而製造。
有關防護膠膜之種類，並無特別限制，例如，可使用習知之準分子雷射所使用的非晶質氟聚合物等。作為非晶質氟聚合物之例子，可列舉Cytop(旭硝子(株)製商品名)、鐵弗龍(登錄商標)AF(杜邦公司製商品名)等。此等聚合物亦可於防護膠膜製作時根據需要溶解於溶劑中使用，例如，能以氟系溶劑等適當溶解。
[實施例]
以下，藉由實施例來具體例示並說明本發明。又，實施例及比較例中之「遮罩」，係作為「曝光原版」之例子所記載者，當然其同樣亦可應用於光罩(retide)。
以下，參照實施例，具體說明本發明，但本發明不只限定於下述實施例。
(實施例1)
將使Cytop CTX-S(旭硝子(株)製商品名)溶解於全氟三丁胺中的5%溶液滴在矽晶圓上，藉由旋轉塗布法以830rpm使晶圓旋轉，而擴散於晶圓上。然後，在室溫下乾燥30分鐘後，再以180℃進行乾燥，形成均勻之膜。將塗布有黏著劑之鋁框貼合於此膜上，只將膜剝離而作為防護膠膜。製作所需枚數之上述Cytop CTX-S膜，使用於實施例1至8及比較例。
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為4.33mm2 )的防護膠膜框架。又，剖面形狀係從高度為3.5mm、寬度為2.0mm之矩形的兩側面，以高度為2.5mm、深度為0.75mm之尺寸在其中央部除去半徑為1.42mm之圓弧而得的形狀。上邊部及下邊部之厚度為在此等端部為0.5mm，中央帶部之寬度亦為0.5mm。又，於防護膠膜框架之四個角部施以C倒角。
從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.27μm。另外，最大變形範圍雖變化了48nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度及最大變形範圍的測量結果。
又，遮罩之平坦度係使用Tropel公司之UltraFlat而測得。另外，框架之平坦度係使用具有XY軸程式台之雷射位移計所測得。
另外，「遮罩之最大變形範圍」係定義為，對遮罩之形狀進行二次測量，在遮罩各點之高度的差中的各正/負側之最大變化量之絕對值的和。又，在因貼合防護膠膜而造成遮罩變形時，即使在平坦度未變化的情況，最大變形範圍仍成為較大值，所以，作為遮罩之變形/歪曲的指標，最大變形範圍比平坦度更為有效。
(實施例2)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×115mm×3.0mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為3.79mm2 )的防護膠膜框架。又，剖面形狀係具有從高度為3.0mm、寬度為2.0mm的矩形之兩側面，以高度為2.0mm、深度為0.75mm之尺寸在其中央部除去半徑為1.042mm之圓弧而得的形狀。上邊及下邊之厚度為在此等端部為0.5mm，中央帶部之寬度亦為0.5mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為10μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度時，平坦度為0.26μm。另外，最大變形範圍變化了36nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例3)
製作鎂合金(亦稱為「Mg合金」)製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為4.33mm2 )的剖面形狀與實施例1相同的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鎂合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.24μm，平坦度沒有變化。另外，最大變形範圍雖然變化了38nm，但與後述之比較例相比可抑制為非常低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例4)
製作聚碳酸酯樹脂(亦稱為「PC樹脂」)製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(a)圖所示，剖面積為4.33mm2 )的剖面形狀與實施例1相同之防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於聚碳酸酯樹脂製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.25μm而沒有變化。另外，最大變形範圍雖變化了27nm，但與比較例相比可抑制為較低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例5)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(b)圖所示，剖面積為4.55mm2 )的防護膠膜框架。又，剖面形狀係具有從高度為3.5mm、寬度為2.0mm的矩形之一側面，以高度為2.5mm、深度為1.25mm之尺寸在其中央部除去半徑為1.25mm之圓弧而得的形狀。上邊部及下邊部之厚度為在此等一端部為0.5mm，中央帶部之寬度為0.75mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.27μm。另外，最大變形範圍雖變化了52nm，但與後述之比較例相比可抑制為較低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例6)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(c)圖所示，剖面積為5.23mm2 )的防護膠膜框架。又，剖面形狀係具有從高度為3.5mm、寬度為2.0mm的矩形之一側面，以高度為1.5mm、深為度1.5mm之尺寸除去半徑為1.5mm之四分之一圓弧而得的形狀。上邊部之厚度，在一端部為0.5mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.28μm，沒有變化。另外，最大變形範圍雖變化了63nm，但與後述之比較例相比可抑制為較低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例7)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(d)圖所示，剖面積為3.92mm2 )的防護膠膜框架。又，剖面形狀係具有從高度為3.5mm、寬度為2.0mm的矩形之一側面，以高度為2.5mm、深度為0.9mm之尺寸除去半徑為3.92mm之單側圓弧，並從相對之側面以同樣之尺寸上下顛倒地除去相同的3.92mm之單側圓弧而得的形狀。上邊及下邊之厚度，在此等之端部為0.5mm。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度為0.26μm。另外，最大變形範圍雖變化了37nm，但與後述之比較例相比可抑制為較低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(實施例8)
製作聚碳酸酯樹脂製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、上邊及下邊之寬度為2mm(剖面形狀如第3(d)圖所示，剖面積為3.92mm2 )的與實施例7相同之防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於聚碳酸酯樹脂製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度變化為0.25μm。另外，最大變形範圍雖變化了26nm，但與後述之比較例相比可抑制為較低的值。又，表1匯總了平坦度的測量結果。
(比較例)
製作鋁合金製且外形尺寸為149mm×122mm×3.5mm、寬度為2mm(剖面形狀為長方形，剖面積為7.00mm2 )的防護膠膜框架。從塗布遮罩黏著劑之側測量此框架的平坦度，平坦度為20μm。於此框架之一端面塗布遮罩黏著劑，於另一端面塗布膜黏著劑。然後，將先前剝離之防護膠膜貼合於鋁合金製框架之膜黏著劑側，切斷框架外周之膜，製作完成防護膠膜。
將製作完成之防護膠膜，以載重20kg貼合於邊長為142mm的方形且平坦度為0.25μm之遮罩上。然後，再次測量附有防護膠膜之遮罩的平坦度，平坦度變化為0.29μm。另外，最大變形範圍變化了100nm。
匯總以上之結果，並顯示於以下的表1中。
1．．．防護膠膜
2．．．黏著層
3．．．防護膠膜框架
4．．．黏著用黏著層
5．．．曝光原版
10．．．防護膠膜
12．．．上邊
13．．．上邊部
14．．．下邊
15．．．下邊部
16．．．中間部
17．．．側邊
18．．．包含曲線形狀之凹陷部
19．．．側邊
第1圖為顯示防護膠膜之構成例的概念剖面圖之一例。
第2圖為防護膠膜框架桿之剖面形狀的一例之示意圖。
第3圖為防護膠膜框架桿之剖面形狀的變化例之示意圖。
12．．．上邊
13．．．上邊部
14．．．下邊
15．．．下邊部
16．．．中間部
17．．．側邊
18．．．三角形
19．．．側邊

Claims (12)

  1. 一種防護膠膜框架，其特徵為：防護膠膜框架桿之剖面，係在上邊與下邊平行且剖面積為20mm2 以下之矩形之兩側邊具有不包含該上邊與該下邊且包含曲線之凹陷部的形狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該曲線係從由圓、橢圓、雙曲線及拋物線所構成之凸狀曲線選出。
  3. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該凹陷部係僅由凸狀曲線所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該凹陷部包含至少一條直線。
  5. 如申請專利範圍第4項之防護膠膜框架，其中該凹陷部包含至少一條與該上邊平行之直線。
  6. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該防護膠膜框架桿之剖面積為1mm2 以上、6mm2 以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其係由楊氏係數為1~80GPa之材料所構成。
  8. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其係由選自鋁合金、鎂合金、及聚碳酸酯樹脂構成之群中的材料所構成。
  9. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其係由鋁合金所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中該矩形之剖面積為4mm2 以上、20mm2 以下。
  11. 如申請專利範圍第1項之防護膠膜框架，其中防護膠膜框架之平坦度為0μm以上、20μm以下。
  12. 一種微影用防護膠膜，係藉由防護膠膜黏著劑將防護膠膜張貼於如申請專利範圍第1至11項中任一項之防護膠膜框架的一端面，且於另一端面設置曝光原版黏著劑。
TW99120416A 2009-06-24 2010-06-23 防護膠膜框架及微影用防護膠膜 TWI471685B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009149777A JP5411596B2 (ja) 2009-06-24 2009-06-24 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201109839A TW201109839A (en) 2011-03-16
TWI471685B true TWI471685B (zh) 2015-02-01

Family

ID=42667238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW99120416A TWI471685B (zh) 2009-06-24 2010-06-23 防護膠膜框架及微影用防護膠膜

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8221945B2 (zh)
EP (1) EP2267527B1 (zh)
JP (1) JP5411596B2 (zh)
KR (1) KR101780064B1 (zh)
CN (1) CN101930167B (zh)
HK (1) HK1148825A1 (zh)
TW (1) TWI471685B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5411595B2 (ja) * 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5481106B2 (ja) * 2009-06-24 2014-04-23 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
KR101990345B1 (ko) 2009-10-02 2019-06-18 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클의 제조 방법
JP4889778B2 (ja) * 2009-10-02 2012-03-07 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
JP4974389B2 (ja) * 2009-10-30 2012-07-11 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
KR20130067325A (ko) 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
JP6156998B2 (ja) * 2013-10-22 2017-07-05 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR102242562B1 (ko) * 2014-09-04 2021-04-20 삼성전자주식회사 극자외선(euv) 마스크 보호장치 및 그 보호장치를 포함한 euv 노광 장치
JP6304884B2 (ja) 2014-09-22 2018-04-04 信越化学工業株式会社 ペリクルの貼り付け方法
JP6293041B2 (ja) 2014-12-01 2018-03-14 信越化学工業株式会社 ペリクルフレームおよびこれを用いたペリクル
JP6347741B2 (ja) 2014-12-25 2018-06-27 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR102186010B1 (ko) * 2016-01-26 2020-12-04 한양대학교 산학협력단 Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
JP6607574B2 (ja) * 2016-08-24 2019-11-20 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びペリクル
JP7139133B2 (ja) * 2018-04-03 2022-09-20 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム、ペリクル、及びペリクルフレームの製造方法
TWI670562B (zh) * 2018-06-21 2019-09-01 美商微相科技股份有限公司 光罩保護組件結構
JP6975702B2 (ja) * 2018-11-30 2021-12-01 信越化学工業株式会社 ペリクルフレームおよびペリクル

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0968793A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
TW200622478A (en) * 2004-12-28 2006-07-01 Shinetsu Chemical Co Pellicle and pellicle frame for photolithography
TW200745742A (en) * 2006-04-07 2007-12-16 Shinetsu Chemical Co Pellicle for lithography
CN101349874A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117117A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Ltd ペリクル保護膜用フレ−ム
JPS6249153U (zh) * 1985-09-12 1987-03-26
JPS6358348A (ja) * 1986-08-28 1988-03-14 Fujitsu Ltd レクチルの表面保護用具
JPH0190044U (zh) * 1987-12-07 1989-06-14
JPH01292343A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03235321A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Toshiba Corp Ｘ線露光用マスク
JPH0619125A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Tosoh Corp ペリクルの製造法
JP3347224B2 (ja) * 1994-09-09 2002-11-20 三菱電機株式会社 ペリクル
JP2000122266A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Oki Electric Ind Co Ltd ペリクル
JP2004235461A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Nikon Corp 露光システム
JP5454136B2 (ja) * 2007-03-01 2014-03-26 株式会社ニコン ペリクルフレーム装置、マスク、レチクル装置、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP2008256925A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
CN102681334B (zh) * 2007-07-06 2015-09-30 旭化成电子材料株式会社 从容纳容器取出大型表膜构件的取出方法
JP2009025559A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
US8349525B2 (en) * 2009-06-18 2013-01-08 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask fabricating method and conveying apparatus, and exposure apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0968793A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
TW200622478A (en) * 2004-12-28 2006-07-01 Shinetsu Chemical Co Pellicle and pellicle frame for photolithography
TW200745742A (en) * 2006-04-07 2007-12-16 Shinetsu Chemical Co Pellicle for lithography
CN101349874A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架

Also Published As

Publication number Publication date
US8221945B2 (en) 2012-07-17
US20100330467A1 (en) 2010-12-30
CN101930167A (zh) 2010-12-29
KR20100138822A (ko) 2010-12-31
HK1148825A1 (en) 2011-09-16
JP2011007935A (ja) 2011-01-13
KR101780064B1 (ko) 2017-10-10
CN101930167B (zh) 2013-05-15
EP2267527B1 (en) 2021-05-12
JP5411596B2 (ja) 2014-02-12
TW201109839A (en) 2011-03-16
EP2267527A2 (en) 2010-12-29
EP2267527A3 (en) 2013-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI471685B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
TWI476510B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
TWI476511B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
JP5411200B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP4889778B2 (ja) ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
TWI411874B (zh) 防塵薄膜組件
TWI415168B (zh) 微影用防護薄膜組件
JP2008256925A (ja) ペリクル
JP4974389B2 (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP7347789B2 (ja) ペリクル枠体及びペリクル
TWI431413B (zh) 微影用防塵薄膜組件