CN101930167B - 防护膜框架及光刻用防护膜 - Google Patents

防护膜框架及光刻用防护膜 Download PDF

Info

Publication number
CN101930167B
CN101930167B CN2010102140925A CN201010214092A CN101930167B CN 101930167 B CN101930167 B CN 101930167B CN 2010102140925 A CN2010102140925 A CN 2010102140925A CN 201010214092 A CN201010214092 A CN 201010214092A CN 101930167 B CN101930167 B CN 101930167B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pellicle frame
pellicle
mask
flatness
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2010102140925A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101930167A (zh
Inventor
白崎享
戴维·穆舍尔
基肖尔·查克拉瓦蒂
格蕾斯·额
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Intel Corp
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd, Intel Corp filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN101930167A publication Critical patent/CN101930167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101930167B publication Critical patent/CN101930167B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种防护膜框架，即使将防护膜贴合于曝光底版上，仍可极力减轻因防护膜框架的变形所引起的曝光底版的变形；及提供一种具有此种防护膜框架的光刻用防护膜。本发明的防护膜框架的特征在于，防护膜框架的剖面，是在上边与下边平行且面积为20mm2以下的四边形的至少一侧边具有包含曲线的凹陷部的形状。

Description

防护膜框架及光刻用防护膜
技术领域
本发明涉及制造LSI、超级LSI等半导体装置或液晶显示面板时作为光刻用掩模的灰尘遮挡而使用的、光刻用防护膜(pellicle)及防护膜框架(pellicle frame)。
背景技术
在LSI、超级LSI等的半导体制造或液晶显示面板等的制造中，光照射于半导体晶片或液晶用原板上来制作图案，但若此时所使用的曝光底版上附着有灰尘，该灰尘会吸收光线或使光线偏转，因而造成转印后的图案发生变形或边缘变粗糙，除此的外，还会使得基底被污染变黑，而存在损害尺寸、质量、外观等的问题。此外，在本发明中，“曝光底版”是指光刻用掩模(也简称为“掩模”)及光罩(reticle)的总称。以掩模为例说明如下。
这些作业通常是在无尘室中进行，但即使在无尘室内，要经常保持曝光底版的清洁仍相当困难，所以，采用在曝光底版表面贴合能使曝光用光线良好地通过的用于遮挡灰尘的防护膜的方法。
对于防护膜的基本构成，包括防护膜框架及贴设于此防护膜框架上的防护胶膜(pellicle film)。防护胶膜是由能使曝光用的光线(g光、i光、248nm、193nm等)良好地穿透的硝化纤维素、醋酸纤维素、氟系聚合物等构成。在防护膜框架的上边部涂布防护胶膜的易溶溶剂，然后将防护胶膜风干而予以粘接、或是以丙烯酸树脂、环氧树脂、氟树脂等粘接剂予以粘接。进而，为了在防护膜框架的下边部安装曝光底版，设置由聚丁烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂及硅酮树脂等构成的粘合层、及用来保护粘合层的光罩粘合剂保护用衬片。
防护膜中设置成围绕在曝光底版表面所形成的图案区域。防护膜是为了防止灰尘附着于曝光底版上而设置的，所以，其图案区域与防护膜外部以不会让防护膜外部的灰尘附着于图案面的方式被隔离。
近年来，随着LSI的设计规则朝着0.25次微米(subquarter-micron)级的微细化发展，曝光光源也逐渐趋于短波长化，即，从迄今为止作为主流的水银灯的g光(436nm)、i光(365nm)开始渐渐地转移至KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等。随着微细化的进程，对掩模及硅晶片所要求的平坦性也变得越来越严格。
防护膜是在掩模完成后，为了防止图案上附着灰尘而被贴合于掩模上。当将防护膜贴合于掩模上时，掩模的平坦度会发生变化。当掩模的平坦度变差时，如上所述，可能会产生焦点偏离等问题。另外，当平坦度改变时，描绘于掩模上的图案形状也会发生改变，还会引起在掩模的重合精度上出现问题的障碍。
由贴合防护膜而引起的掩模平坦度改变的主要原因有好几个，但已知其中最大的因素在于防护膜框架的平坦度。
为了防止防护膜框架的变形所引起的掩模的变形，日本特开2009-25562号公报中公开了如下方法：将防护膜框架的剖面积设为6mm2以下，或者在防护膜框架中使用杨氏系数(Young’s modulus)为50GPa以下的材料。
作为防护膜框架，其剖面形状多为长方形，而在日本特开平9-68793号公报中公开了一种防护膜框架，其防护膜框架的剖面具有内周面的上端侧比下端侧还朝内侧突出的形状。
近年来，对掩模所要求的平坦性，也与在图案面上平坦度2μm这样的要求相比渐渐变得越来越严格，在65nm节点之后，出现了0.5μm以下、优选为0.25μm的要求。
通常，防护膜框架的平坦度为20～80μm左右，像这样将采用了平坦度差的防护膜框架的防护膜贴合于掩模上时，框架的形状会被转印至掩模上，而会发生掩模的变形。当进行贴合时，防护膜以约200～400N(20～40kg重)的大力被压贴于掩模上。因为掩模表面的平坦度比防护膜框架更加平坦，所以当将防护膜压贴于掩模的过程结束时，因防护膜框架会恢复原来的形状，所以，防护膜框架会使掩模变形。
发明内容
本发明要解决的课题在于，第一，提供一种防护膜框架，即使在将防护膜贴合于曝光底版上时，也可以减轻因防护膜框架的变形所造成的曝光底版的变形。本发明要解决的课题在于，第二，提供一种光刻用防护膜，其具有上述的防护膜框架。
本发明的上述课题，通过以下的方案(1)及(10)来实现。并与作为优选实施方式的(2)～(9)一并列述如下。
(1).一种防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面，为在上边与下边平行且面积为20mm2以下的四边形的至少一侧边具有包含曲线的凹陷部的形状。
(2).根据(1)所述的防护膜框架，其中，所述曲线从由圆、椭圆、双曲线及抛物线所构成的凸状曲线中选择。
(3).根据(1)或(2)所述的防护膜框架，其中，所述凹陷部仅由凸状曲线所构成。
(4).根据(1)或(2)所述的防护膜框架，其中，所述凹陷部包含至少一条直线。
(5).根据(4)所述的防护膜框架，其中，所述凹陷部包含至少一条与所述上边平行的直线。
(6).根据(1)～(5)中的任一项所述的防护膜框架，其中，所述防护膜框架杆的剖面积为6mm2以下。
(7).根据(1)～(6)中的任一项所述的防护膜框架，其由杨氏系数为1～80GPa的材料所构成。
(8).根据(1)～(7)中的任一项所述的防护膜框架，其由铝合金构成。
(9).根据(1)～(8)中的任一项所述的防护膜框架，防护膜框架的平坦度为20μm以下
(10).一种光刻用防护膜，其借助防护胶膜粘接剂将防护胶膜贴设于(1)～(9)中任一项所述的防护膜框架的一端面，且于另一端面设置曝光底版粘接剂。
根据本发明，可以提供一种能够减轻因防护膜框架的变形而引起的曝光底版的变形的防护膜框架及光刻用防护膜。
附图说明
图1为表示防护膜的构成例的示意剖面图的一例。
图2为表示防护膜框架杆的剖面形状的一例的图。
图3为表示防护膜框架杆的剖面形状的变化例的图。
符号说明
1防护胶膜
2粘接层
3防护膜框架
4粘接用粘合层
5曝光底版
10防护膜
12上边
13上边部
14下边
15下边部
16中间部
17侧边
18含曲线形状的凹陷部
19侧边
具体实施方式
本发明的防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面，为在上边与下边平行且面积为20mm2以下的四边形的至少一侧边具有包含曲线的凹陷部的形状。
以下，参照附图，说明本发明。
如图1中的剖面图所示，本发明的光刻用防护膜10，借助防护胶膜贴合用粘接层2而将防护胶膜1贴设于防护膜框架3的上端面，所以，此时，用于使光刻用防护膜10粘合于曝光底版(掩模或光罩)5的粘接用粘合层4，通常形成于防护膜框架3的下端面，且在该粘接用粘合层4的下端面，可剥离地粘贴有衬片(未图示)。另外，在防护膜框架3上可以设置有未图示的气压调整用孔(通气口)，进而，为了除去微粒，也可在此通气口上设置除尘用过滤器(未图示)。
也可在防护膜框架设置夹具孔。该夹具孔的深度方向的形状没有特别限制，只要不贯穿即可，也可为在圆柱前端具有锥形的凹部。
设置上述气压调整用孔及夹具孔的部位，优选其剖面形状为设有包含凸状曲线的凹陷部之前的四边形，更优选矩形。
如图2所示，在本发明的防护膜框架中，防护膜框架的剖面的特征在于，具有以下形状，即在上边12与下边14平行且面积为20mm2以下的基本的四边形(以下，也称为“基本四边形”。由四边12、17、14、19构成。)的对向的两侧边17及19的至少一侧边具有包含曲线的凹陷部的形状。该防护膜框架的剖面，是在基本四边形中具有通过包含凸状曲线的凹陷部所形成的中间部16来连接包括上边12的上边部13与包括下边14的下边部15而成的形状。
如上所述，由于将防护膜贴合于掩模上而引起的掩模的形变被认为主要是由于防护膜的防护膜框架的形变所致。在贴合时，防护膜框架发生变形，而该防护膜框架欲恢复原状时的变形应力会使掩模发生变形。该变形应力依存于构成防护膜框架的材料的杨氏系数及其变形量。根据本发明，通过将防护膜框架的剖面积缩小为比基本四边形更小，可制成变形应力较小的防护膜框架。即，由于防护膜框架的上边贴设防护胶膜，并且下边设置粘接剂而粘接于掩模，所以，上边及下边均需要某种程度的宽度。然而，连接上边部与下边部的中间部，可设定为比上下两边更窄的宽度。
在具有剖面为基本四边形的形状的框架中，这样的防护膜框架杆可通过从四边形的对向的侧边的至少一边侧削去具有包含曲线的凹陷部的形状来制造。此外，设置所述气压调整用孔及夹具孔的防护膜框架的部位，可以不形成凹陷部，设置夹具孔的防护膜框架的部位，优选不用切削而形成非贯穿的夹具孔。
另外，作为其它方法，上述防护膜框架还可在具有规定剖面形状的模具中，通过将工程塑料进行注塑成型来制造。
基本四边形的形状，只要是上边与下边平行即可，没有特别限制，作为基本四边形，包括含正方形的矩形、梯形、平行四边形，其中优选矩形。作为梯形而言，其上边可比下边短，也可比下边长。
基本四边形的面积为20mm2以下。当超过20mm2时，要增大框架的高度时会有装置上的局限，所以框架宽度会变得过大，防护膜的内部尺寸会变得过小，从而产生图案区域被大幅地限制的不良情况。
基本四边形的面积，优选为15mm2以下，更优选12mm2以下。另外，基本四边形的面积优选为2mm2以上，更优选为4mm2以上。处于上述数值范围内时，可以微细地抑制框架宽度，所以具有可充分大地获得图案区域的优点。
在本发明中，凹陷部可为包含具凹凸的曲线的形状，优选在一方向包含凸状或凹状的曲线的形状，该曲线进一步优选从由圆、椭圆、双曲线及抛物线所构成的凸状曲线中选出。
包含凸状曲线的凹陷部优选仅由凸状曲线构成。作为仅由凸状曲线构成的形状，可例示半圆、局部圆、半椭圆、局部椭圆、局部双曲线及局部抛物线。在椭圆、双曲线及抛物线的圆锥曲线的局部形状中，优选包含其顶点附近的局部曲线。凹陷部所包含的凸状曲线，可为从侧边朝向内侧呈现凸状或者凹状。
在本发明中，凹陷部优选包含上述凸状曲线及至少一条直线。作为该凹陷部的形状，可例示将上述凸状曲线和与该凸状曲线交差的直线作为弦而围成的弓形形状、包含上述凸状曲线及至少一条直线的形状。在后者的例子中包含有四分之一圆、四分之一椭圆。以上述凹陷部优选包含至少一条与该上边平行的直线。也可为二条与该上边平行的直线及向侧边侧凸起的凹陷部。
基本四边形的形状为上边及下边平行。作为这样的四边形，包括含正方形的矩形、梯形、平行四边形，优选矩形。作为梯形，其上边可比下边短，也可比下边长。
本发明的防护膜框架，优选在上边部及下边部的两侧，在上下方向具有规定厚度。
另外，本发明的防护膜框架杆的剖面，虽具有包含凸状曲线的凹陷部，但通过近似于此曲线的6角形以上的多角形来替代规定的曲线部分而成的形状，也可作为均等物而同样予以使用。
参照图3，说明防护膜框架杆的剖面形状。
(a)的形状为本发明的防护膜框架的一剖面形状，其为如下形状，上边与下边平行且面积为20mm2以下的基本四边形的纵长矩形的两侧边的大致中央具有局部圆形的凹陷部，并通过中间狭窄的中间部16来连接上边部13及下边部15。
(b)的形状中，仅在基本四边形的矩形的侧边的一侧具有半圆形的凹陷部。
(c)的形状中，在矩形的一侧边具有四分之一圆形的凹陷部，且直线部分与上边平行。
(d)的形状中，在矩形的两侧边具有局部圆形的凹陷部，且直线部分均与上边平行。
(e)的形状中，从矩形的一侧边具有2条直线及略微凹状的曲线所构成的凹陷部。
从变形应力为小的观点考虑，在上述剖面形状例中，优选(a)及(d)，更优选(d)。
此外，也可以变形为以下形状：以平行四边形或梯形作为基本四边形，从其两侧边或一侧边具有包含凸状曲线的凹陷部。
中间部是在上边部及下边部的中间部具有宽度窄的区域，但也可如该(c)所例示，在靠近上边部或下边部处，中间部宽度较宽。
本发明的防护膜框架是根据掩模的形状而适当设计的，通常防护膜框架的平面形状为环状或矩形状、正方形状，且具备能覆盖设于掩模的电路图案部的大小及形状。矩形(包括正方形)的防护膜框架的角，可以进行圆角处理。防护膜框架的高度优选约1～10mm，更优选约2～7mm，特别优选3～6mm。防护膜框架的上边及下边，优选宽度约2mm。
另外，优选上边部及/或下边部至少具有0.4mm以上的厚度，更优选具有0.4～0.8mm。
上述防护膜框架杆的剖面积优选6mm2以下，优选为1～6mm2，更优选3mm2以上。如本发明这样，通过减小防护膜框架的中间部的宽度，可容易地实现这样小的剖面积。由此，通过减小剖面积，可以减小变形应力，其结果是还可减小掩模的变形。
将基本四边形的面积设为100％，防护膜框架杆的剖面积所占比例越少则越可改善框架的平坦度、掩模的平坦度，因此是优选的。具体而言，优选25～85％，更优选35～75％，进一步优选40～60％。当处于上述数值的范围内时，不仅可确保框架所需的强度，还能提高框架及掩模的平坦度，因此而优选。
本发明的防护膜框架，优选使用杨氏系数为1～80GPa的材料来构成。
作为构成防护膜框架的上述材料，优选可以例示铝、镁合金、合成树脂等，更优选使用铝、镁合金或聚碳酸酯树脂，特别优选使用铝。
作为铝，优选可使用以往使用的铝合金材料，更优选使用JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052材料等，只要具有上述的剖面形状，且能确保作为防护膜框架的强度，并没有特别的限制。防护膜框架表面，优选在设置聚合物被膜之前，通过喷砂器或化学研磨进行粗化。本发明中，有关该框架表面的粗化的方法，可采用以往公知的方法。对于铝合金材料，优选利用不锈钢、金刚砂、玻璃珠等对表面实施喷砂处理，再通过NaOH等进行化学研磨，将表面粗化的方法。
本发明的防护膜框架，也可取代公知常用的铝合金材料等杨氏系为69GPa的材料，而优选使用杨氏系数为1～50GPa的材料来构成。作为杨氏系数为上述范围内的材料，可例示镁合金的44GPa、丙烯酸树脂的3GPa、聚碳酸酯树脂的2.5GPa。
当使用这些低杨氏系数的材料时，即使在剖面积超过6mm2、为12mm2的情况下，仍可减小变形应力，从而可减小掩模的变形。
本发明的防护膜框架杆的剖面积，优选为12mm2以下。
在将防护膜框架的剖面积设为1～6mm2时，优选设于3～6mm2，越是使用低杨氏系数的材料，通过倍增效应，越能够进一步减小掩模的变形。
本发明中，优选将防护膜框架的平坦度设为0μm以上20μm以下，更优选设为0μm以上10μm以下。当防护膜框架的平坦度良好时，在将防护膜贴合于掩模上时，可减小施加于防护膜框架的变形应力，其结果，可减小掩模的变形量。
需要说明的是，上述防护膜框架的“平坦度”，是指测量在防护膜框架上的被适度分开的位置的8个点的高度，优选以防护膜框架的各角部的4点及四边中央的4点共8个点的高度，计算出假想平面，通过从该假想平面到各点的距离中的最高点减去最低点的差所算出的值。防护膜框架的平坦度，可通过“具有XY轴程序台的激光位移计”来测量，本发明中使用自制的位移机。
在本发明中，在防护膜框架的曝光底版粘接面和/或防护胶膜粘接面上，优选在曝光底版粘接面和/或防护胶膜粘接面与防护膜框架的内外侧面所构成的角部进行倒角处理，更优选进行C倒角处理。需要说明的是，C倒角是指以45度的角度切割交叉的面部分即角部，所进行的加工。
本发明中，为了吸收杂散光，防护膜框架优选具有黑色氧化被膜和/或黑色聚合物被膜。另外，在防护膜框架为铝合金制的情况下，特别优选具有黑色阳极氧化被膜(黑色耐酸铝被膜)和/或聚合物的电镀涂布膜的铝合金制防护膜框架。
作为防护膜框架表面的黑色阳极氧化被膜的形成方法，通常可以采用如下方法，以NaOH等的碱性处理浴进行数十秒钟的处理后，在稀释硫酸水溶液中进行阳极氧化，然后进行黑色染色、封孔处理，而在表面上设置黑色的氧化被膜。
另外，聚合物被膜(聚合物涂层)可通过各种方法设置，但通常可列举喷雾式涂布、静电涂布、电沉积涂布等。本发明中，优选通过电沉积涂布来设置聚合物被膜。
有关电沉积涂布，可使用热固化型树脂、紫外线固化型树脂的任一种。另外，对于上述各固化型树脂，也可使用阴离子电沉积涂布、阳离子电沉积涂布的任一种涂布。本发明中，因还要求抗紫外线性能，所以，从涂层的稳定性、外观及强度考虑，优选热固化型树脂的阴离子电沉积涂布。
本发明的光刻用防护膜，可通过在上述防护膜框架的任一种中，在作为上边的一端面借助防护胶膜粘接剂贴设防护胶膜，并在作为下边的另一端面设置曝光底版粘接剂而制造。
有关防护胶膜的种类并无特别限制，例如，可使用公知的准分子激光中所使用的非晶质氟聚合物等。作为非晶质氟聚合物的例子，可列举Cytop(旭硝子(股份有限公司)制商品名)、Teflon(注册商标)AF(杜邦公司制商品名)等。这些聚合物也可在防护胶膜的制作时根据需要溶解于溶剂中使用，例如，能以氟系溶剂等适宜溶解。
实施例
以下，通过实施例来具体例示并说明本发明。此外，实施例及比较例中的“掩模”作为“曝光底版”的例子而记载，当然其同样也可应用于光罩(reticle)。
以下，参照实施例，具体说明本发明，但本发明不只限定于下述实施例。
(实施例1)
使Cytop CTX-S(旭硝子(股份有限公司)制商品名)溶解于全氟三丁胺中得到5％溶液，将该溶液滴在硅晶片上，通过旋转涂布法以830rpm使晶片旋转而扩散于晶片上。然后，在室温下干燥30分钟后，再以180℃进行干燥，形成均匀的膜。将涂布有粘接剂的铝框贴合于此膜上，只将膜剥离而制成防护胶膜。制作所需片数的上述Cytop CTX-S膜，在实施例1～8及比较例中使用。
制作铝合金(以下称为“Al合金”)制、外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(a)所示，剖面积为4.33mm2)的防护膜框架。需要说明的是，剖面形状如下，从高度为3.5mm、宽度为2.0mm的矩形的两侧面，以高度为2.5mm、深度为0.75mm的尺寸在其中央部除去半径为1.42mm的圆弧而得的形状。上边部及下边部的厚度在它们的端部为0.5mm，中央带部的宽度也为0.5mm。此外，在防护膜框架的四个角部施以C倒角处理。
从涂布有掩模粘接剂一侧测量该框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于铝合金制框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制作完成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.27μm。另外，掩模的最大变形范围虽变化了48nm，但与比较例相比可抑制为非常低的值。此外，表1汇总了平坦度及最大变形范围的测量结果。
需要说明的是，掩模的平坦度使用Tropel公司的UltraFlat测得。另外，框架的平坦度使用具有XY轴程序台的激光位移计测得。
另外，“掩模的最大变形范围”是指，测量掩模的形状2次，在掩模各点的高度之差中正/负侧各自的最大变化量的绝对值之和。此外，在因贴合防护膜而造成掩模变形时，即使在平坦度未变化的情况，有时最大变形范围仍为较大值，所以，作为掩模的变形/形变的指标，最大变形范图比平坦度更为有效。
(实施例2)
制作铝合金制、外形尺寸为149mm×115mm×3.0mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(a)所示，剖面积为3.79mm2)的防护膜框架。此外，剖面形状如下，具有从高度为3.0mm、宽度为2.0mm的矩形的两侧面，以高度为2.0mm、深度为0.75mm的尺寸在其中央部除去半径为1.042mm的圆弧而得的形状。上边及下边的厚度在它们的端部为0.5mm，中央带部的宽度也为0.5mm。从涂布有掩模粘接剂一侧测量该框架的平坦度，平坦度为10μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于铝合金制框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.26μm。另外，最大变形范围虽变化了36nm，但与比较例相比可抑制为非常低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(实施例3)
制作镁合金(以下称为“Mg合金”)制、外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(a)所示，剖面积为4.33mm2)的剖面形状与实施例1相同的防护膜框架。从涂布有掩模粘接剂一侧测量该框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于镁合金制框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制作完成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.24μm。另外，掩模的最大变形范围虽变化了38nm，但与比较例相比可抑制为非常低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(实施例4)
制作聚碳酸酯树脂(以下称为“PC树脂”)制、外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(a)所示，剖面积为4.33mm2)的剖面形状与实施例1相同的防护膜框架。从涂布有掩模粘接剂一侧测量该框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于聚碳酸酯树脂制框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制作完成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度为0.25μm未变化。另外，掩模的最大变形范围虽变化了27nm，但与比较例相比可抑制为非常低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(实施例5)
制作铝合金制且外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(b)所示，剖面积为4.55mm2)的防护膜框架。需要说明的是，剖面形状如下，具有从高度为3.5mm、宽度为2.0mm的矩形的一侧面，以高度为2.5mm、深度为1.25mm的尺寸在其中央部除去半径为1.25mm的圆弧而得的形状。上边部及下边部的厚度在它们的一端部为0.5mm，中央带部的宽度为0.75mm。从涂布有掩模粘接剂的一侧测量此框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于铝合金框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.27μm。另外，最大变形范围虽变化了52nm，但与比较例相比可抑制为较低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(实施例6)
制作铝合金制且外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(c)所示，剖面积为5.23mm2)的防护膜框架。需要说明的是，剖面形状如下，具有从高度为3.5mm、宽度为2.0mm的矩形的一侧面，以高度为1.5mm、深为度1.5mm的尺寸除去半径为1.5mm的四分之一圆弧而得的形状。上边部的厚度，在一端部为0.5mm。从涂布掩模粘接剂的一侧测量此框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于铝合金制框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.28μm。另外，虽然最大变形范围变化了63nm，但与比较例相比可抑制为非常低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(实施例7)
制作铝合金制、外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(d)所示，剖面积为3.92mm2)的防护膜框架。需要说明的是，剖面形状如下，具有从高度为3.5mm、宽度为2.0mm的矩形的一侧面，以高度为2.5mm、深度为0.9mm的尺寸除去半径为3.92mm的单侧圆弧，并从相对的侧面以同样的尺寸上下颠倒地除去相同的3.92mm的单侧圆弧而得的形状。上边及下边的厚度，在它们的端部为0.5mm。从涂布掩模粘接剂的一侧测量此框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于铝合金框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度为0.26μm。另外，虽然最大变形范围变化了37nm，但与比较例相比可抑制为较低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(实施例8)
制作聚碳酸酯制且外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、上边及下边的宽度为2mm(剖面形状如图3(d)所示，剖面积为3.92mm2)的剖面形状与实施例7相同的防护膜框架。需要说明的是，从涂布掩模粘接剂的一侧测量此框架的平坦度，平坦度为20μm。在该框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合在聚碳酸酯制框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.25μm未变化。另外，虽然最大变形范围变化了26nm，但与比较例相比可抑制为较低的值。此外，表1汇总了平坦度的测量结果。
(比较例)
制作铝合金制、外形尺寸为149mm×122mm×3.5mm、宽度为2mm(剖面形状为长方形，剖面积为7.00mm2)的防护膜框架。从涂布有掩模粘接剂的一侧测量此框架的平坦度，平坦度为20μm。在此框架的一端面涂布掩模粘接剂，在另一端面涂布膜粘接剂。然后，将先前剥离的防护胶膜贴合于铝框的膜粘接剂侧，切断框架外周的膜，制成防护膜。
将制成的防护膜，以负荷20kg贴合于边长为142mm的方形且平坦度为0.25μm的掩模上。然后，再次测量附有防护膜的掩模的平坦度，平坦度变为0.29μm。另外，最大变形范围变化了100nm。
汇总以上的结果，并在以下的表1中示出。

Claims (12)

1.一种防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面，为在上边与下边平行且面积为20mm2以下的矩形的两侧边具有不包括所述上边和所述下边的且包含曲线的凹陷部的形状。
2.根据权利要求1所述的防护膜框架，其中，所述曲线从由圆、椭圆、双曲线及抛物线所构成的凸状曲线中选择。
3.根据权利要求1所述的防护膜框架，其中，所述凹陷部仅由凸状曲线所构成。
4.根据权利要求1所述的防护膜框架，其中，所述凹陷部包含至少一条直线。
5.根据权利要求4所述的防护膜框架，其中，所述凹陷部包含至少一条与所述上边平行的直线。
6.根据权利要求1所述的防护膜框架，其中，所述防护膜框架杆的剖面积为1mm2以上6mm2以下。
7.根据权利要求1所述的防护膜框架，其由杨氏系数为1～80GPa的材料所构成。
8.根据权利要求1所述的防护膜框架，其由选自铝合金、镁合金、及聚碳酸酯树脂中的材料构成。
9.根据权利要求1所述的防护膜框架，其由铝合金构成。
10.根据权利要求1所述的防护膜框架，其中，所述四边形的面积为4mm2以上20mm2以下。
11.根据权利要求1所述的防护膜框架，其中，防护膜框架的平坦度为0μm以上20μm以下。
12.一种光刻用防护膜，其借助防护胶膜粘接剂将防护胶膜贴设于权利要求1至11中任一项所述的防护膜框架的一端面，且于另一端面设置曝光底版粘接剂。
CN2010102140925A 2009-06-24 2010-06-24 防护膜框架及光刻用防护膜 Active CN101930167B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-149777 2009-06-24
JP2009149777A JP5411596B2 (ja) 2009-06-24 2009-06-24 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101930167A CN101930167A (zh) 2010-12-29
CN101930167B true CN101930167B (zh) 2013-05-15

Family

ID=42667238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102140925A Active CN101930167B (zh) 2009-06-24 2010-06-24 防护膜框架及光刻用防护膜

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8221945B2 (zh)
EP (1) EP2267527B1 (zh)
JP (1) JP5411596B2 (zh)
KR (1) KR101780064B1 (zh)
CN (1) CN101930167B (zh)
HK (1) HK1148825A1 (zh)
TW (1) TWI471685B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481106B2 (ja) * 2009-06-24 2014-04-23 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5411595B2 (ja) * 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP4974389B2 (ja) * 2009-10-30 2012-07-11 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
KR101990345B1 (ko) 2009-10-02 2019-06-18 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클의 제조 방법
JP4889778B2 (ja) * 2009-10-02 2012-03-07 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
KR20130067325A (ko) 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
JP6156998B2 (ja) * 2013-10-22 2017-07-05 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR102242562B1 (ko) * 2014-09-04 2021-04-20 삼성전자주식회사 극자외선(euv) 마스크 보호장치 및 그 보호장치를 포함한 euv 노광 장치
JP6304884B2 (ja) 2014-09-22 2018-04-04 信越化学工業株式会社 ペリクルの貼り付け方法
JP6293041B2 (ja) 2014-12-01 2018-03-14 信越化学工業株式会社 ペリクルフレームおよびこれを用いたペリクル
JP6347741B2 (ja) 2014-12-25 2018-06-27 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR102186010B1 (ko) * 2016-01-26 2020-12-04 한양대학교 산학협력단 Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
JP6607574B2 (ja) 2016-08-24 2019-11-20 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びペリクル
JP7139133B2 (ja) * 2018-04-03 2022-09-20 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム、ペリクル、及びペリクルフレームの製造方法
TWI670562B (zh) * 2018-06-21 2019-09-01 美商微相科技股份有限公司 光罩保護組件結構
JP6975702B2 (ja) * 2018-11-30 2021-12-01 信越化学工業株式会社 ペリクルフレームおよびペリクル

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101349874A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架
CN101349875A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117117A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Ltd ペリクル保護膜用フレ−ム
JPS6249153U (zh) * 1985-09-12 1987-03-26
JPS6358348A (ja) * 1986-08-28 1988-03-14 Fujitsu Ltd レクチルの表面保護用具
JPH0190044U (zh) * 1987-12-07 1989-06-14
JPH01292343A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03235321A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Toshiba Corp Ｘ線露光用マスク
JPH0619125A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Tosoh Corp ペリクルの製造法
JP3347224B2 (ja) * 1994-09-09 2002-11-20 三菱電機株式会社 ペリクル
JPH0968793A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP2000122266A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Oki Electric Ind Co Ltd ペリクル
JP2004235461A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Nikon Corp 露光システム
JP4388467B2 (ja) * 2004-12-28 2009-12-24 信越化学工業株式会社 フォトリソグラフィ用ペリクル及びペリクルフレーム
KR101164460B1 (ko) * 2006-04-07 2012-07-18 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 리소그래피용 펠리클
US8323855B2 (en) * 2007-03-01 2012-12-04 Nikon Corporation Pellicle frame apparatus, mask, exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2008256925A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
WO2009008294A1 (ja) * 2007-07-06 2009-01-15 Asahi Kasei E-Materials Corporation 大型ペリクルの枠体及び該枠体の把持方法
US8349525B2 (en) * 2009-06-18 2013-01-08 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask fabricating method and conveying apparatus, and exposure apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101349874A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架
CN101349875A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100138822A (ko) 2010-12-31
KR101780064B1 (ko) 2017-10-10
EP2267527A3 (en) 2013-04-03
EP2267527B1 (en) 2021-05-12
EP2267527A2 (en) 2010-12-29
JP2011007935A (ja) 2011-01-13
HK1148825A1 (en) 2011-09-16
TW201109839A (en) 2011-03-16
JP5411596B2 (ja) 2014-02-12
US20100330467A1 (en) 2010-12-30
TWI471685B (zh) 2015-02-01
CN101930167A (zh) 2010-12-29
US8221945B2 (en) 2012-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101930167B (zh) 防护膜框架及光刻用防护膜
CN101930165B (zh) 防护膜框架及光刻用防护膜
CN101930166B (zh) 防护膜框架及光刻用防护膜
US7362417B2 (en) Pellicle frame and pellicle for photolithography using the same
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
TWI411874B (zh) 防塵薄膜組件
EP3470921B1 (en) Pellicle frame and pellicle
CN101551587A (zh) 平板印刷用防护薄膜组件
TWI415168B (zh) 微影用防護薄膜組件
US20090042107A1 (en) Pellicle for high numerical aperture exposure device
CN105739234A (zh) 防尘薄膜组件
TWI547773B (zh) 防塵薄膜組件
KR20170114977A (ko) 펠리클
JPH0212151A (ja) ｇ線、ｉ線共用ペリクル

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1148825

Country of ref document: HK

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1148825

Country of ref document: HK