TWI447832B - Equipment and methods for cleaning objects - Google Patents

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TWI447832B
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Description

淨化物體之設備與方法
本發明係關於一種用於淨化薄及/或易碎片材(例如半導體晶圓、玻璃基板、光罩、光碟或諸如此類的物體)的設備及方法。特定言之，本發明係關於一種用於對由塊料鋸切而成的半導體晶圓進行預淨化之設備及方法。
"易碎片材"此概念在本發明中係指厚度在80μm至300μm之間(例如150μm至170μm之間)之厚度極小的物體。該等片材可具有任意形狀，舉例言之可基本呈圓形(半導體晶圓)或基本呈矩形或正方形(太陽能晶圓)，其中，片材之隅角可選擇性地呈角形、倒圓或斜切。該等物體由於厚度小而極其易碎。本發明即關於此類物體的淨化。
為便於理解起見，下文將藉由角形太陽能晶圓(簡稱"晶圓")對本發明之設備及本發明之方法進行示範性說明。
然本發明並非僅限於對晶圓之淨化。本發明亦包括對薄及/或易碎片材之淨化，該等片材彼此間以一定間距依次被固定在承載裝置中。
製備晶圓時，須將基材安置在承載裝置上，該基材通常以矩形矽塊形式存在，亦被稱為基板塊或晶錠。該承載裝置通常由金屬支架構成，該金屬支架上安裝有作為承載材料的玻璃板。其中，待加工基板塊係黏接於玻璃板上。作為替代方案，亦可用其他材料構建該承載裝置。
製備多個晶圓時，須將由單晶或多晶矽構成之基板塊從頭至尾完全鋸切成片狀，在此情況下，鋸痕將深入玻璃板中。用傳統圓鋸或鋼絲鋸鋸切完畢後，以此種方式製成之晶圓的一個縱邊(棱)(也就是面對承載裝置之縱邊)會藉由黏接連接繼續附著在玻璃板上。當基板塊被完全分割成單個晶圓，且該等單個晶圓之間產生縫隙狀間隙後，最初的基板塊即以一梳形扇形結構存在。
在以精密鋼絲鋸進行濕法機械鋸切的過程中，基本上需要使用兩種材料，其一為碳化矽或具有相同效果及必要硬度之磨蝕性顆粒，另一材料為作為載體及冷卻劑的乙二醇、水或油。確切言之，實施此項工作者並非是在矽上進行鋸切的鋼絲，而是碳化矽顆粒，其與乙二醇(例如聚乙二醇)或油混合成所謂的"研磨漿"。在鋸切過程中，鋼絲會被此種可能含有其他化學添加劑之介質沖刷。該等顆粒透過鋼絲之運動而發揮其研磨作用，也就是侵蝕作用。舉例言之，160微米鋼絲之每次切入均可磨碎約210微米的矽。此種切口亦稱鋸口，在使用直徑約為80微米之較細鋼絲的情況下，可減小該切口之尺寸。在鋸切過程中，相關反應物亦會於晶圓表面發生大量化學反應。鋸切完畢後，晶圓之間存在研磨漿、反應產物及由研磨漿成分及矽構成的聚集物，該等物體因其濃稠性而往往附著於晶圓表面。
自承載裝置上取下已呈片狀之單個晶體之前，須先進行淨化。該淨化步驟之目的係洗去在每兩個基板之間的間隙中位於晶圓表面的研磨漿。此種淨化即為本發明之標的。
先前技術中已存在用於清除研磨漿之預淨化方法。該等方法通常為手動實施，具體方式係手動用有流體射出的蓮蓬頭噴淋該梳形結構。藉此可至少部分沖去基板塊縫隙內的研磨漿。然絕大部分研磨漿仍殘留於縫隙狀間隙中。
此種手動處理的困難之處在於須對承載裝置進行全面噴淋，而且由於需要不斷轉動承載裝置，因此只能排出部分研磨漿。此外，單個晶圓亦可能因承載裝置之不斷翻轉而自玻璃板上脫落，遭到毀壞。
在可將裝有晶圓之承載裝置移送至下一加工過程之前，晶圓表面通常已變乾。此外，晶圓表面仍有研磨漿附著，此點會令後續加工過程受到極大影響。
此種手動處理有一共同缺點，即無法確保表面性質之品質穩定性，因而亦無法確保可標準化及可重複之結果。
此外，先前技術中亦存在用於淨化此類基板之自動設備。此類設備雖是設計用於已呈片狀之薄基板，然僅在一定條件下適用於近來日趨被廣泛使用之高度易碎基板，該等基板之所以易碎是因為厚度極薄且直徑很大。此外，該等習知設備亦存在如下不足之處，即需要在預淨化後實施附加淨化步驟，如此，方能對基板進行符合預期的進一步處理。
WO 2008/071364揭示一種設備及相應之方法，藉由此二者已可對薄及/或易碎物體(例如半導體晶圓)進行充分柔和之淨化。
本發明之目的在於對WO 2008/071364所揭示的技術方案進行優化，其中，該優化係對總系統之淨化效率的優化。
本發明之核心構想在於提供一種用於淨化薄及/或易碎晶圓的設備及方法，藉由此二者可令分成不同處理步驟之淨化過程自行(自動)進行。
本發明之設備為請求項1之標的，本發明之方法則由請求項10之特徵定義。各種有利之實施方式為各附屬項之標的。
為能充分清除間隙中的研磨漿，提供一種設備，該設備主要是由承載裝置、噴淋裝置及槽構成。
承載裝置至少由承載材料構成，其上安置有基板塊，該承載裝置包括鋸切基板塊所產生之薄片材(例如晶圓)。該等晶圓依次(即一個接一個)排列，其中，在單個晶圓之間會形成間隙。據此，該等晶圓藉由其一側邊固定在承載裝置上。每兩個相鄰晶圓之間各形成一間隙。該噴淋裝置之設計最好能夠在晶圓之整個縱向延伸範圍內產生一主要射入各間隙的流體流，藉此將淨化流體送入各間隙。整個淨化過程在可灌注流體的槽中進行。該槽之尺寸需能夠將承載裝置容置在槽內。
實施本發明各淨化步驟時，槽中所灌注之淨化液體量至少需能夠使待加工物體之表面浸沒在該液體中。
以可將承載裝置移送至本發明設備之"籃式"輔助裝置確定淨化過程之起始位置。原則上該輔助裝置的設計方式並無特別的限制，只要能夠確保該流體可基本不受阻礙地到達晶圓之間的間隙，以及能夠確保基板塊及可能脫落之晶圓穩定即可。根據一種有利的實施方式，該輔助裝置之形式為兩對沿縱向彼此平行延伸的桿件，其中一對桿件起支架作用，另一對桿件則為晶圓提供側面支承。輔助裝置被送入該設備後，固定於承載裝置上之基板塊的梳形結構的定向為使該等間隙同時朝該槽之側壁及該槽之底部敞開，即暢通無阻。在該起始位置上，承載裝置位於其所承載的基板上方。
下文將對本發明之淨化過程的第一步驟進行說明，一種有利的方式是在該第一步驟之前對待處理之基板進行乙二醇預處理(Glykolvorlagerung)。
本發明之淨化過程的第一步驟係啟動噴淋裝置。本發明之噴淋裝置包括至少一個噴淋元件，該噴淋元件由兩部分構成，其中，在該槽之縱側各布置一個部分，且此二部分均平行於該槽之縱軸延伸，且就其流動方向而言為相對定位。據此，噴淋裝置之設計使流體朝每兩個相鄰晶圓之間的間隙的方向流動，並將污染物沖走。此外，本發明之設備亦包括一交替控制裝置，藉由該控制裝置可對該至少一個噴淋元件的兩個部分進行控制，以便使直接面對面的噴嘴不會同時被啟動，其中，此種啟動係涉及流體之射出或吸入。
該至少一個噴淋元件或該兩部分噴淋元件的一個部分具有多個噴嘴(開口或鑽孔)，該等噴嘴在功能上藉由至少一個噴嘴條彼此相連，因而可為每一個噴嘴提供相同的液體量("啟動")。
根據本發明，噴淋元件之其中一個部分的噴嘴可以藉由過壓或負壓加以啟動，其中，該至少一個噴淋元件之直接面對面的噴嘴不會同時以相同模式(射出/吸入)被啟動。
根據待加工基板塊之長度及可供使用之輸出壓力可將布置於兩側之該噴淋元件分成多個區段，該等區段則由自身之噴嘴條之存在加以標示。
噴淋元件之兩個部分的位置是可以調整的，必要時可分別對這兩備部分的位置進行調節。噴淋元件或噴淋元件之其中一個部分或其中一個區段的高度及其與槽緣之間距均可調。據此可選擇性地令噴淋裝置具有相對於固定式承載裝置的可動性，或令承載裝置具有相對於固定式噴淋裝置的可動性，抑或令承載裝置及噴淋裝置二者均具有相對可動性。在噴淋元件採用兩部分式設計之情況下，較佳然非必須之方案係令各單個部分以相同方式進行運動，如平行或逆向運動。然必要時亦可藉由非平行運動令淨化性能得到改良。此外，噴淋元件或噴淋元件之其中一個部分或其中一個區段亦可進行平行於側面槽緣的移動。理想情況下，該至少一個布置於該槽一側的噴嘴條可進行振盪運動，該振盪運動可選擇性地朝上或朝下定向，背離槽緣或朝向槽緣定向，及/或平行於槽緣向前或向後定向。藉此可有利地對可能存在於流動特性中的不均勻性進行補償。進行平行於噴嘴條軸之振盪的另一優點在於，可防止因個別噴嘴堵塞而令流動狀態出現偏差。此外，藉由此種運動亦可令緊密黏接於一起的基板發生振動，從而令此類基板之間隙的淨化效果得到改良。
若在本發明範圍內存在或使用多個噴淋元件，則該等噴淋元件最好是布置在該槽深度的不同水平上。
噴嘴條最好是設計成矩形，其中，該噴嘴條指向位於相對側之槽緣的側邊在其上部及/或下部區域內最好是向後斜切，在此情況下，布置在斜切區域內的噴嘴可輕易地向上或向下定向，其結果為，該等噴嘴無法平行於中部噴嘴射出流體。該等斜切區域可進一步改良兩個相鄰基板間的去汙效果。該等噴嘴條最好各具有至少一個擋流器，藉由該等擋流器可在整個噴嘴條上實現儘可能均勻之流動特性。
為能產生層狀射流，須對噴嘴孔進行幾何定義。一有利的方式是將噴嘴孔計成圓形，其斷面積較佳為0.1mm2 至0.5mm2 ，最佳為0.2mm2 ，其中，該等噴嘴孔最好是設計成圓錐形。
根據一種有利的替代性實施方式，噴嘴孔設計成橢圓形或星形。此種機何形狀之噴嘴孔可向液體流中被動送入氣體，從而對淨化結果產生有利影響。
作為替代或補充方案，可設置一系統，該系統可主動將氣泡送入噴嘴所射出的淨化液體流內。本發明之設備在必要情況下所產生之氣泡的尺寸較佳處於1μm至500μm之範圍內。
噴嘴在相應噴嘴條中最好是成列及成行布置。最好是將該等噴嘴之幾何結構設計為可產生盡可能遠的可及距離(例如400mm)的液體射流。
根據本發明，以某種方式對噴淋裝置之至少一個噴淋元件存在於兩側的噴嘴條進行控制，令只有其中一側射出液體，而位於另一側之噴嘴不射出液體。根據一種特別有利的實施方式，在此段時間內為位於另一側之噴嘴加載負壓(啟動)，令其吸入液體。其中一種特別有利的方式是使其中一側所射出之液體量恰好與另一側所吸入之液體量相等。藉由對兩側進行此種不同模式(射出/吸入)之協調啟動，可提高噴嘴之層狀射流的速度，從而令淨化結果得到改良及/或減小為達淨化目的所需移動之液體量。經過短暫的處理時間後，將兩側交換，以令液體交替地自左側或自右側射向基板塊。若本發明之噴淋元件的其中一個部分(即其中一側)包括多個分別具有一噴嘴條的區段，則亦須確保直接面對面的噴嘴不會同時以相同模式被啟動。若該等區段緊密相鄰，則須注意，位於同一側之相鄰區段不得以相反模式啟動，否則自其中一區段射出的淨化液體會立即被相鄰區段吸入，而不是按本發明之設計穿過基板塊之間隙。熟習該項技術者應該清楚，此點可以不同之方式方法加以實現。舉例言之，一可能的方式是以流體射出模式啟動其中一側所存在之全部噴嘴條的所有噴嘴，位於另一側之所有噴嘴則以流體吸入模式啟動。另外一種可能的方式是控制側面相鄰之區段的噴嘴或噴嘴條，以便使直接相鄰之區段不會同時以同一模式被啟動，其中直接面對面的噴嘴或噴嘴條或區段也不會同時以同一模式被啟動，此點亦適用於兩側。
先前技術中之全部習知設備皆適用於此種交替控制之實施。最好是使用電閥或氣動閥及單向或雙向泵及諸如此類的設備。舉例言之，可藉由泵來提供本發明所需之過壓或負壓，該泵之輸入端與以吸入模式工作的噴嘴條相連，其輸出端與以射出模式工作的噴嘴條相連。在使用雙向泵的情況下，只需改變該泵之輸送方向即可實現本發明之交替控制。若使用單向泵，則須搭配使用可切換之多向閥。作為替代或補充方案，亦可設置多個泵，該等泵分別用於提供負壓或過壓及/或為相應之噴嘴條服務。藉由本發明之交替控制可使淨化過程以最佳方式進行。為改良射出及吸入性能，可設置兩種不同的噴嘴類型。在此情況下自然須設置相應之構件，例如止回閥，此類構件令每種噴嘴僅能實現單向流動。此外，可為每個噴嘴單獨設置相應構件，或為同一類型的噴嘴組設置相應構件，該等噴嘴組須分別與一相應的共用輸入或排出管相連。亦可將同一類型之噴嘴集成於相應的噴嘴條。
此外亦設置有向該至少一個噴淋元件輸送流體的構件。流體(例如液體)量及流體流速等過程參數對淨化過程具有決定性作用。藉由適當之習知構件可變這兩個參數。根據本發明，一噴淋元件之全部出口處的流體壓力可調節至介於0.1巴與1.0巴之間的值，較佳可調節至介於0.2巴與0.5巴之間的值。
作為該至少一個噴淋元件或噴淋元件之其中一個部分或其中一個區段如上所述之運動的一個補充措施，可以選擇性地令噴淋裝置進行相對於固定式承載裝置的運動，或令承載裝置進行相對於固定式噴淋裝置的運動，以實現淨化過程，即清除間隙中的研磨漿。作為替代方案，亦可令承載裝置及噴淋裝置彼此進行相對運動。
為使流體流能夠穿過各間隙，承載裝置之定位應使各敞開側均指向該槽之二側壁及該槽之底部。藉由對本發明之噴淋裝置進行交替啟動，既可自其中一側，亦可自另一側沖走間隙內之研磨漿。
藉由提高該流體之體積流量，可令該等在自由端處彼此黏連之晶圓有利地保持一定間距，此點藉由上述以不同模式進行之逆向工作模式得到強化。
使用大體積流量的另外一個優點是至少會使晶圓發生輕微振動，從而令附著於晶圓表面的研磨漿更易清除。
為進一步優化淨化過程，設置至少一個超音波裝置及/或兆頻超音波裝置，該超音波裝置及/或兆頻超音波裝置在該槽內部選擇性地固定或可動地布置在該槽底部及/或該至少一個噴淋元件的任意一個部分上。該裝置在下文統稱為包括"超音波源"及發射"超音波"的"超音波裝置"。根據第一實施方式，該等超音波源係布置在該槽底部，而且基本上是向上方朝基板塊方向發射超音波。根據另一替代或補充實施方式，該等超音波源係布置在該至少一個噴嘴條上，而且是自側面朝基板塊方向，特定言之向相鄰基板之間隙內發射超音波。尤佳者係以某一方式布置超音波源及噴淋元件之其中一個部分的噴嘴(例如採取可旋轉布置方式)，以便可以相繼進行超音波之發射及啟動噴嘴以射出或吸入流體。熟習該項技術者應該清楚，只要能對上述組件進行選擇性控制或啟動，該等組件自然亦可採用並排、前後相連或是堆疊方式布置。
此外，該等超音波源可朝晶圓傾斜定向或平行於晶圓布置。
可以在由該至少一個噴淋元件所實施之淨化過程結束後立即進行該超音波淨化過程，亦可使該超音波淨化過程作為由該至少一個噴淋元件所實施之淨化過程的一部分。然根據晶圓之污染程度，在藉由該至少一個噴淋元件進行處理之前(即當流體處於靜止狀態時)，先進行該超音波淨化過程，以便對特別頑固的污染物進行相應之預處理，亦為有利之舉。為此可採取以下措施，即或者只令布置在基板塊下方的超音波源工作，或者令位於噴嘴條上的超音波源工作，然尤佳者係令全部超音波源同時工作。其中，超音波源之工作既可間歇進行，亦可連續進行，此點既適用於不同超音波源(單個超音波源或超音波源組交替工作)，亦適用於全部超音波源(所有超音波源同時接通及斷開)。此外亦可採取下述措施，即：布置在噴嘴條上的超音波源或超音波裝置亦在噴淋裝置所實施的淨化過程(即當流體處於流動狀態時)中進行工作，藉此為流動之淨化液體施加超音波振動。其中，該支援性工作既可單側(例如在射出噴嘴側)進行，亦可在兩側進行。最後，布置在槽底部的超音波源可在兆頻超音波範圍內進行發射，布置在該至少一個噴淋裝置上的超音波源可在超音波範圍內進行發射，反之亦可。為能實施該過程，須在其內部布置有承載裝置的槽中灌注流體。最好是使用冷流體，以便實現對超音波的最佳傳遞。最好是將溫度調節至介於15℃與25℃之間，以抑制化學反應，確保上述處理基本為機械處理。
此外，本發明亦關於一種藉由上述設備對薄及/或易碎晶圓進行淨化的方法，其中，該等晶圓藉由其一側邊固定在承載裝置上，每兩個相鄰晶圓之間各形成一間隙，該設備基本由噴淋裝置、槽及交替控制裝置構成，其中，藉由該噴淋裝置將流體送入各間隙中，該噴淋裝置包括至少一個噴淋元件，該噴淋元件採用兩部分式設計，具有多個噴嘴，在該槽之縱側各布置一個部分，令此二部分平行於該槽之縱軸延伸，且就其流動方向而言為相對定位，該槽內可灌注流體，且其尺寸可將承載裝置容置在該槽中，藉由該交替控制裝置可對該至少一個噴淋元件的兩個部分進行控制，以便使直接面對面的噴嘴不會同時被啟動。本發明方法之特徵在於下列處理步驟：
a)將裝有晶圓之承載裝置裝入空槽或部分灌注流體的槽內；
b)藉由噴淋裝置實施淨化過程，其中，該啟動係涉及流體之射出或吸入。
根據一種有利的實施方式，本發明之方法包括一附加處理步驟c)，即在存在流體之情況下藉由超音波裝置實施淨化步驟，其中，亦可選擇性地在處理步驟a)之前實施該步驟。
在必要時對基板塊預先進行過此種超音波處理後，將該槽清空，藉由該至少一個噴淋元件開始另一淨化過程，其中，可藉由對流體施加超音波及/或兆頻超音波來強化該淨化過程。可按需要重複實施該過程，其實現方式係相應令"噴淋元件淨化過程"及"超音波淨化過程"循環交替進行。
根據本發明之一特別設計方案，先在使用噴淋裝置之情況下藉由一理想情況下含有適當化學添加劑(例如表面活性劑)的熱流體對基板塊進行淨化，其中，該流體之溫度最好是介於35℃與40℃之間。隨後在一冷流體內進行超音波淨化。必要時可以重複實施此二過程。
最後一個過程係在使用噴淋裝置之情況下藉由冷流體實施的淨化過程。使用冷流體之優點在於，藉由冷流體之噴淋可防止晶圓"乾透"，從而避免可能殘留之研磨漿牢固的附著在晶圓上。
根據本發明，該噴淋流體含水，且較佳調節至介於15℃與40℃之間的溫度，其中，介於30℃與40℃之間的溫度為尤佳溫度。該噴淋流體較佳包括適當之不起泡的非離子表面活性劑，其含量為0Vol.%至1Vol.%，其中，占流體總量之0.1Vol.%至0.5Vol.%的表面活性劑含量為尤佳含量。該表面活性劑或該等表面活性劑較佳具有約13.0之(平均)pH值，其中，噴淋流體之pH值可有利地調節至小於12.0的較佳值，尤佳可調節至介於10.5與11.0之間的值。此外，該噴淋流體亦可包括鹼或酸及其他化學藥品。
根據一種有利的實施方式，本發明之方法還可包括用於去除黏附劑的其他處理步驟。為此須視情況藉由輔助裝置將承載裝置移送至處理槽，該處理槽含有與所用黏附劑之特性匹配的液體。事實證明，特別合適者係使用含乙酸之水性液體，該液體之溫度尤佳調節至40℃左右的值，pH值調節為3.0至4.0。隨後對晶圓進行沖洗，其較佳實現方式係藉由輔助裝置將該等晶圓移送至一注水沖洗槽。仍可藉由上述之至少一個超音波裝置及/或兆頻超音波裝置為該過程提供支援。
該方法之另一重要優點在於，該方法可簡單劃入該等晶圓之後續加工過程。特別有利者係為，在本發明範圍內可對過程參數進行精確及可重複之調節，藉此亦可在相同品質水平上實現對更大數量之晶圓的處理。
其他有利設計方案可自下文之說明、附圖及申請專利範圍中獲得。
圖1展示一待淨化基板塊1。基板塊1安置在由玻璃板3及緊固元件4構成的承載裝置2上。在本實施例中，基板塊1藉由其一側邊5平黏在玻璃板3上。經由已實施過之鋸切過程(其鋸痕深入玻璃板3中)，產生單個基板，該等單個基板亦稱晶圓6。在單個晶圓6之間形成的間隙7中存在有所謂的研磨漿(未在圖示中繪出)，該研磨漿係需要藉由本發明之淨化過程加以清除之對象。
為能將與承載裝置2相連之基板塊1移送至本發明如圖4及圖5所示的設備，須藉由如圖2及圖3之輔助裝置8移送承載裝置2。輔助裝置8最好是包括多個布置於側面的構件9，該等構件與圖4及圖5所示之設備共同作用。為能容置大小不同之承載裝置2，提供一夾緊裝置10，該夾緊裝置可靈活定位，以便固定承載裝置2。此外，輔助裝置8之設計可以使基板塊1如圖3所示處於一可防止與物體發生非期望碰撞的位置。在本實施例中，構件9之間布置有用作連接元件的桿件11，該等桿件11將基板塊1包圍於其中。
為實施淨化過程，須將輔助裝置8裝在如圖5之設備12中。設備12自身具有一外殼13，該外殼包括一可灌注流體的槽14。槽14之尺寸可以將輔助裝置8完全容置於槽14內。
最好是將槽14設計為可在相應構件9處將輔助裝置8固定。
此外，設備12具有噴淋裝置15。噴淋裝置15基本由噴淋元件16構成，該噴淋元件採用兩部分式設計，平行於承載裝置2之縱向延伸而延伸。
在圖5A及圖5B所示之實施例中，噴淋元件16是在超音波處理過程中使用，以產生具有輔助作用的橫向流。該噴淋元件具有多個噴嘴形結構，該等噴嘴形結構在槽14內部產生用於淨化基板塊1之橫向流。
此外，外殼13的底面上設置有帶超音波源之超音波裝置18。該超音波裝置18可按需要接通或斷開，用於輔助性地鬆動及清除位於間隙7內之研磨漿。
作為如圖5之超音波裝置18的替代方案，亦可用移動式超音波裝置代替此種採用固定安裝方式的固定式裝置，該移動式超音波裝置亦可在槽14內部的任意位置間移動。
圖5C展示本發明之噴淋元件16的詳圖。其中，流體流21於該噴淋元件左側沿水平方向射出，為此，噴淋元件包括多個相應之噴嘴(未在圖示中繪出)。在右上及右下方用虛線表示的區域內布置有兩個組件，這兩個組件最好具有與該噴淋元件相同之幾何形狀。根據一種有利的實施方式，該等區域表示一超音波裝置17及一抽吸裝置的功能。作為替代方案，該等區域可具有一超音波裝置及一兆頻超音波源的功能，此二者在所示位置上朝上及朝下發射，其中，噴淋元件在此情況下須設計為既能射出流體亦能吸入流體。為能在本發明範圍內對所示噴淋元件之相應零件進行最佳使用，以某一方式布置超音波裝置17及噴淋元件16之其中一個部分的噴嘴(例如採取可旋轉布置方式)，令超音波之發射及啟動噴嘴以射出或吸入流體可相繼進行。熟習該項技術者士應該清楚，只要能對上述組件進行選擇性控制或啟動，該等組件自然亦可採用並排、前後相連或堆疊方式布置。
淨化過程如下：將承載裝置2與輔助裝置8一起裝入設備12後(圖5)，承載裝置2所處之位置令單個晶圓6朝底部20方向定向。這表示間隙7是朝側面及朝槽14之底部20方向敞開。
該淨化過程之較佳開始方式為，先在灌注有淨化流體的槽內用超音波及/或兆頻超音波(必要時亦可交替用超音波及兆頻超音波)照射基板塊一段時間。藉由此種方式已可令待清除研磨漿發生鬆動。
隨後啟動噴淋裝置15。自噴淋元件16射出的流體流21到達各間隙7，至少部分穿過該等間隙後朝槽14之底部20方向自該等間隙中流出或被位於對面以吸入模式工作的噴嘴吸入。
尤佳之做法係在用液體流及/或超音波進行淨化時，藉由上述專用噴嘴形狀及/或專用系統主動向液體流內送入氣泡。若噴嘴或噴嘴條在此過程中平行於基板塊之延伸方向進行水平運動，則同樣為尤佳之舉措。藉由本發明如上文詳加說明之處理方式可清除各間隙7中的研磨漿。可視具體污染程度重複任意次數實施該淨化過程，該淨化過程必要時亦可包括超音波淨化。最好是將流體流21的溫度控制在介於25攝氏度與40攝氏度之間。
根據一種有利的實施方式，隨後係藉由超音波裝置18進行再度超音波淨化。為此，仍須在槽14中灌注流體，以便對超音波源之音波進行傳遞。
隨後將槽14清空，開始實施上文所述之噴淋過程，必要情況下重複實施該噴淋過程，必要時亦可在該噴淋過程之前進行超音波及/或兆頻超音波照射，以及/抑或在該噴淋過程之後進行超音波及/或兆頻超音波照射。藉由此種方式可任意重複實施單個步驟。在取下已淨化之基板塊1之前，最好是再實施一次噴淋過程，然此次噴淋過程應使用冷流體。藉此可避免仍存在於間隙中的研磨漿至少直接在晶圓表面變乾。
藉由本發明之設備12以及藉由本發明方法之應用，可令易碎之薄片材得到自行(自動)淨化。尤其在製備半導體及太陽能工業用晶圓時，須在鋸切過程結束後立即清除所謂的研磨漿。此種研磨漿極牢固地附著於晶圓表面，因而迄今為止，必須以手動方式處理。然藉由本發明之方法可對晶圓6進行品質極佳的自動淨化。
以上係以矽晶圓處理為例對本發明展開的說明。本發明自然亦適用於對其他材料(例如塑料)之片狀基板進行處理。
1．．．基板塊
2．．．承載裝置
3．．．玻璃板
4．．．緊固元件
5．．．一側邊
6．．．晶圓
7．．．間隙
8．．．輔助裝置
9．．．構件
10．．．夾緊裝置
11．．．桿件
12．．．設備
13．．．外殼
14．．．槽
15．．．噴淋裝置
16．．．噴淋元件
17．．．超音波裝置/噴嘴條
18．．．超音波裝置/槽
19．．．超音波源
20．．．底部
21．．．流體流
22．．．轉向箭頭
圖1為承載裝置2之示意圖，基本由待淨化基板塊1構成；
圖2為輔助裝置8的透視圖，該輔助裝置係用於容置如圖1之承載裝置2；
圖3為輔助裝置8的透視圖，不同於圖2之處在於，承載裝置2已容置於該輔助裝置中；
圖4為本發明設備的一個有利的實施例的示意圖，該設備具有形式為兩部分噴淋元件16的噴淋裝置；
圖5為帶噴淋元件16之本發明設備的一個有利的實施例的示意圖，不同於圖4之處在於，承載裝置已被置於起始位置(A)；另一個有利的實施例之示意圖，更詳細展示超音波裝置18及兩側布置之噴淋元件16(B)；噴淋元件16之示意圖，該噴淋元件具有超音波裝置17及用於射出及吸入流體流之噴嘴(C)。
1．．．基板塊
2．．．承載裝置
14．．．槽
16．．．噴淋元件
17．．．超音波裝置/噴嘴條
18．．．超音波裝置/槽
20．．．底部
21．．．液體流

Claims (14)

  1. 一種用於淨化薄或易碎晶圓(6)的設備，其中，該等晶圓(6)藉由其一側邊固定在承載裝置(2)上，且其中兩個相鄰晶圓(6)之間各形成一間隙(7)，其由下列構成：一槽(14)，該槽內可灌注流體，其尺寸能夠將該承載裝置(2)容置在該槽中，一噴淋裝置(15)，藉由該噴淋裝置將流體送入各自的間隙(7)中，該噴淋裝置具有至少一個噴淋元件(16)，該噴淋元件具有多個噴嘴且採用一兩部分之設計，其中，每一部分各在該槽(14)之一長側上縱向布置，其布置方式是使該兩部分均平行於該槽之縱軸延伸，且相對於其流動方向而定位於相對之方向，一交替控制裝置，藉由該交替控制裝置該至少一個噴淋元件(16)的該兩部分均可彼此從另一部分獨立控制，其中，該至少一個噴淋元件(16)的該兩部分可以一用於射出之高壓及一用於吸入流體之低壓來啟動。
  2. 如請求項1之設備，其特徵在於，該噴淋元件(16)之每個部分的噴嘴在功能上藉由至少一個噴嘴條彼此相連，因而可為每一個噴嘴提供相同的高壓或低壓。
  3. 如請求項1或2之設備，其特徵在於，該至少一個噴淋元件(16)在兩側分成多個區段，該等區段各具有一噴嘴條。
  4. 如請求項1或2之設備，其特徵在於，該噴淋元件(16)之兩個部分的位置皆可調整。
  5. 如請求項1或2之設備，其特徵在於，該噴淋裝置(15)可進行相對於固定式承載裝置(2)的運動，或該承載裝置(2)可相對於固定式噴淋裝置(15)運動，抑或該承載裝置(2)及該噴淋裝置(15)可同時進行相對運動。
  6. 如請求項1或2之設備，其特徵在於，至少一個超音波裝置(18)選擇性地採取固定或可動布置在該槽(14)內部。
  7. 如請求項1或2之設備，其特徵在於，該至少一個噴淋元件(16)的每個部分均具有至少一個超音波或兆頻超音波裝置(23)。
  8. 如請求項1或2之設備，其特徵在於，該設備另具有一系統，該系統可將氣泡送入由該等噴嘴射出的淨化液體流內。
  9. 如請求項8之設備，其特徵在於，該等氣泡具有一尺寸，該尺寸是在1μm至500μm之範圍內。
  10. 如請求項7之設備，其特徵在於，該超音波裝置(23)及該噴淋元件(16)之其中一個部分的噴嘴的布置及控制方式係使超音波之發射及用於流體的射出或吸入的該等噴嘴的啟動可相繼進行。
  11. 一種藉由一設備對薄或易碎晶圓(6)進行淨化的淨化方法，其中，該等晶圓(6)藉由其一側邊固定在承載裝置 (2)上，且其中每兩個相鄰晶圓之間各形成一間隙(7)，且其中該設備由下列構成：一槽(14)，該槽可注入流體，且其尺寸能夠將該承載裝置(2)容置在該槽中；一噴淋裝置(15)，其中，藉由該噴淋裝置將流體送入各自的間隙(7)中，該噴淋裝置包括至少一噴淋元件(16)，該至少一噴淋元件包括多個噴嘴及一兩部分之設計，每一部分各在該槽(14)之一長側上縱向布置，其布置方式是使該兩部分均平行於該槽之縱軸延伸，且相對於其流動方向而定位於相對之方向，及一交替控制裝置，藉由該交替控制裝置該至少一個噴淋元件(16)該兩部分均可彼此從另一部分獨立進行控制，該方法包括：藉由一用於射出之高壓及一用於吸入流體之低壓，啟動該至少一噴淋元件(16)的該兩部分；將具有晶圓(6)的該承載裝置(2)插入該槽(14)內後，以該噴淋裝置(15)進行淨化過程，其中該槽(14)為空槽或部分灌注；而且，在啟動該噴淋元件的該兩部分時，以下列方式實施該淨化流程：該噴淋元件上的直接面對面的噴嘴並非同時以相同模式啟動。
  12. 如請求項11之方法，其特徵在於，該方法包括一附加處理步驟來實施該淨化過程：在存在流體之情況下藉由一超音波裝置(17；18)實施該淨化 步驟。
  13. 如請求項11或12之方法，其特徵在於，在淨化過程中，主動將氣泡送入由該等噴嘴所射出的淨化液體之流內。
  14. 如請求項13之方法，其中，該等氣泡具有一尺寸，該尺寸是在1μm至500μm之範圍內。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007058260A1 (de) * 2007-11-27 2009-05-28 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung eines gesägten Waferblocks
KR101177038B1 (ko) * 2007-12-10 2012-08-27 레나 게엠베하 물품의 세정 장치 및 방법
ATE545907T1 (de) * 2007-12-10 2012-03-15 Rena Gmbh Vorrichtung und verfahren zum reinigen von gegenständen
DE102008004548A1 (de) * 2008-01-15 2009-07-16 Rec Scan Wafer As Waferstapelreinigung
WO2009114043A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-17 Automation Technology, Inc. Solar wafer cleaning systems, apparatus and methods
DE102008053598A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zum Lösen von Wafern von einem Waferträger und Vorrichtung dafür
DE102008053597A1 (de) 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Reinigungsvorrichtung für einen Waferblock
DE102008053596A1 (de) 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung eines Waferblocks sowie Trägereinrichtung für einen Waferblock
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US7700535B1 (en) * 2009-01-12 2010-04-20 Ppt Research Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
EP2415070A4 (en) * 2009-04-01 2012-09-26 Cabot Microelectronics Corp SELF-CLEANING WIRE SAW TYPE APPARATUS AND METHOD
DE102009035343A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger
DE102009035342A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Substraten an einem Träger
DE102009035341A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger
JP2011061120A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
GB0919379D0 (en) * 2009-11-04 2009-12-23 Edwards Chemical Man Europ Ltd Wafer prcessing
GB2476315A (en) * 2009-12-21 2011-06-22 Rec Wafer Norway As Cleaning a stack of thin wafers
WO2012053500A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板カセット
DE102010052635B4 (de) * 2010-11-29 2014-01-02 Rena Gmbh Halte-Reinigungsvorrichtung und Verfahren zum abschnittsweisen Reinigen gesägter Wafer
DE102011018523A1 (de) * 2011-03-23 2012-09-27 Schott Solar Ag Herstellung von gesägten Wafern durch Vereinzelung mit einem kalten Fluid
DE102011110592A1 (de) 2011-08-18 2013-02-21 Rena Gmbh Verfahren zum Konditionieren von flachen Gegenständen
DE102012001721A1 (de) * 2012-01-31 2013-08-01 Rena Gmbh Spüleinrichtung zum Abspülen einer Behandlungsflüssigkeit und Verfahren dazu
US20140150826A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) Wafer cleaning apparatus and methods
CN103302071B (zh) * 2013-05-16 2015-12-23 昆山市超声仪器有限公司 超声波洗瓶机用翻转装置
JP2015028971A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
TWM508112U (zh) * 2015-04-30 2015-09-01 Chung King Entpr Co Ltd 用於太陽能電池之基板載具
KR101932410B1 (ko) 2015-08-18 2018-12-31 주식회사 엘지화학 일체형 세척 및 건조 장치
DE102016107840A1 (de) * 2016-04-27 2017-11-02 Elwema Automotive Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Werkstücken aus Metall
CN107717640A (zh) * 2016-08-10 2018-02-23 云南民族大学 一种超声波辅助研磨抛光的方法
KR101905671B1 (ko) * 2016-11-15 2018-10-10 한국에너지기술연구원 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법
GB201819238D0 (en) 2018-11-27 2019-01-09 Rolls Royce Plc Finishing a surface of a component made by additive manufacturing
CN110369393B (zh) * 2019-08-13 2021-04-06 安徽晶天新能源科技有限责任公司 一种硅片生产用超声波清洗机
CN111604305B (zh) * 2020-05-18 2022-06-21 聊城市洛溪信息科技有限公司 一种细纺锭子清洗设备用夹持装置的无极调节方法
CN112570370B (zh) * 2020-11-24 2022-04-29 森弘鑫智能设备(苏州)有限公司 一种超声波自动清洗装置
JP2022138907A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 キオクシア株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
CN113866097A (zh) * 2021-09-09 2021-12-31 中国科学院大气物理研究所 光学仪器镜面自动清洁系统及其使用方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873071A (en) * 1973-08-01 1975-03-25 Tatebe Seishudo Kk Ultrasonic wave cleaning apparatus
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers
US20060060232A1 (en) * 2004-04-15 2006-03-23 Tokyo Electron Limited Liquid treatment device and liquid treatment method
WO2007065665A1 (de) * 2005-12-06 2007-06-14 Stangl Semiconductor Equipment Ag Vorrichtung und verfahren zum reinigen eines gesägten waferblocks

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2254824A (en) * 1939-01-04 1941-09-02 George P Large Washing machine
US4358204A (en) * 1980-09-22 1982-11-09 Sidney Ellner Ultrasonic cleaning apparatus
DE3731410A1 (de) * 1987-09-18 1989-04-06 Duerr Gmbh & Co Verfahren und anlage zum flutwaschen
US5069235A (en) 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0669176A (ja) * 1992-01-17 1994-03-11 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ洗浄装置
US5337446A (en) * 1992-10-27 1994-08-16 Autoclave Engineers, Inc. Apparatus for applying ultrasonic energy in precision cleaning
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
JPH07263397A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Hitachi Ltd 超音波洗浄方法
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
JP3274389B2 (ja) 1996-08-12 2002-04-15 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
JPH10223585A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法
US6132523A (en) * 1997-09-19 2000-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Method of cleaning a substrate in a cleaning tank using plural fluid flows
US6119706A (en) * 1997-09-22 2000-09-19 Lucent Technologies Inc. Apparatus for cleaning electronic components
JP4126571B2 (ja) * 1998-04-01 2008-07-30 株式会社東京精密 ウェーハ剥離洗浄装置
US6139591A (en) 1998-03-04 2000-10-31 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer separating and cleaning apparatus and process
TW499696B (en) 1999-04-27 2002-08-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
JP2000308857A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Tokyo Electron Ltd 液処理方法及び液処理装置
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
DE60141123D1 (de) * 2000-02-14 2010-03-11 Panasonic Corp Geschirrspülmaschine
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
US20020166569A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning
US20040025901A1 (en) * 2001-07-16 2004-02-12 Semitool, Inc. Stationary wafer spin/spray processor
US6668844B2 (en) * 2001-07-16 2003-12-30 Semitool, Inc. Systems and methods for processing workpieces

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873071A (en) * 1973-08-01 1975-03-25 Tatebe Seishudo Kk Ultrasonic wave cleaning apparatus
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers
US20060060232A1 (en) * 2004-04-15 2006-03-23 Tokyo Electron Limited Liquid treatment device and liquid treatment method
WO2007065665A1 (de) * 2005-12-06 2007-06-14 Stangl Semiconductor Equipment Ag Vorrichtung und verfahren zum reinigen eines gesägten waferblocks

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