TWI344868B - Apparatus and method for cleaning of objects,in particular of thin discs - Google Patents
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Description
1344868 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明大體係關於用於清潔諸如半導體晶圓、玻璃基 板、光遮罩、光碟或其類似物之薄圓片之裝置及方法。特 定言之’本發明係關於用於在已藉由自塊體進行鑛切而製 造半導體晶圓之後預清潔此等半導體晶圓之裝置及方法。 定義 7 根據本發明,術語"薄圓片”應理解為係指具有在8〇 與300 μιη之間的範圍中(例如15〇 0111至17〇 μπι)之極小厚度 之此等物件。圓片之形狀為任意的,且可(例如)分別為實 質上之圓形(半導體晶圓)或實質上矩形或方形(太陽能晶 圓)’其中拐角視需要可為有角、圓形或斜切。此等物件 由於其小厚度而非常易碎。本發明係關於對此等物件之預 清潔。 在下文中,藉由參考有角太陽能晶圓(簡稱,•晶圓··)來舉 例說明根據本發明之裝置及方法。 然而,本發明並不限於對晶圓之僅預清潔。實際上,本 發明大體包含清潔在載體器件中以彼此間之界定距離順序 地固持之薄圓片。 【先前技術】 為製造晶圓’有必要向載體器件上塗覆常常以矩形石夕塊 形式存在且稱為基板塊或鎊鍵之起始材料。此載體器件 常由金屬載體組成,作為載體材料之玻璃板安裝至該金屬 載體上。待處理之基板塊膠接至玻璃板上。或者,然而, I27540.doc 亦可提供其他材料用於形成載體器件β 為製造複數個晶圓,有必要完全鋸穿呈板狀方式之由單 或多晶矽組成之基板塊,以使得各別切痕延伸進入玻璃 板。在(例如)藉由使用習知環形鋸或線鋸執行鋸切之後, 由於黏接,以此種方式製造之晶圓仍然以長側面(邊緣)(亦 即,面向載體器件之側面(邊緣))黏附至玻璃板。在基板塊 完全分隔為個別晶圓且因此在個別晶圓之間形成間隙狀之 中間空間之後,原基板塊以梳狀、扇形之物件的形式存 在。 為藉由使用精確線鑛執行濕式機械鑛切處理,實質上需 要兩種材料,第-,具有針對必要硬度之研磨性之碳化石夕 或發揮同樣作用之粒子;第二,作為載劑或冷卻劑之乙二 醇或油。更準確地,並非鋸切矽之線,而是碳化矽粒子 (與諸如聚乙二醇之乙二醇或在所謂之"漿體"中之油混雜) 在執行實際工作Q在鋸切處理期間,以視需要可含有其他 化學添加劑之此介質來清洗線。藉由線之移動,粒子發揮 其研磨,亦即腐#作用。作為—實例,藉由16()微米線之 每一切#卜可研磨約210微米之石夕。此切割切屬亦稱為鑛 口損耗;其可藉由使用具有例如曝米之直徑的較細之線 而減少。在㈣處理期間,纟晶圓表面亦發生有關反應物 之眾多化學反應。在鑛切之後,㈣、來自漿體成份與石夕 之反應產物及聚結存在於晶圓之間,且常常由於其稠度而 黏附於晶圓表面處。 在自載體器件移除現具有圓片&形狀之個別晶圓之前, 127540.doc 1344868 進行一預清潔。藉由預清潔,存在於在晶圓表面上兩個各 別基板之間形成的中間空間中之漿體將被洗去。此預清潔 為本發明之標的物。 此項技術之現狀 此項技術中已知用於移除漿體之預清潔。因為射出流體 流之嗔淋頭在梳狀物件上方經手動導引,故預清潔通常手 動地執行。因此達成至少部分地衝出基板塊之間隙中存在 之漿體。然而,主要部分剩餘於間隙狀中間空間中。
然而,因為必須自所有側面喷淋載體器件且因為歸因於 連續轉動而僅可能部分地排出漿體,故此手動處理係困難 的。此外,尤其是載體器件之持久轉動帶來個別晶圓脫落 玻璃板且被破壞之風險。 在具有晶圓之載體器件可移交至隨後處理過程之前晶 圓之表面通常已變乾。此外’漿體仍然黏附於彼處,使得 隨後處理過程受到嚴重影響。 此手動處理之一常見缺點在於不能夠保證關於表面性質 的恆定品質’且因此不能夠保證標準化及可再現結果之事 實。 【發明内容】 本發明之目標 本發明之目標因此包括提供—種可至少部分地自相鄰薄 圓片的中間空間自動移除漿體之裝置及方法。 解決方案 本發明之基本原理為提供一 種可藉以以自動方式(自動 127540.doc 1344868 地)進行組織為不同處理步驟之清潔處理之裝置及方法。 根據本發明之裝置為請求们之標的物,而根據本發明 T方法由請求項11之特徵界定。較佳實施例為各別附屬請 求項之主題。 本發明之優點 為允許自中間空間向外大量移除槳體,提議-種實質上 由載體器件'噴淋器件及洗盤組成之裝置。 至少由基板塊所施加至之载體材料組成之載體器件包含 藉由鋸切基板塊而製造之薄圓片(例如,晶圓)。此等薄圓 片連續地,亦即接連地配置,其中各別中間空間形成於個 別晶圓之間4淋器件以如τ方式設計:其產生主要進入 中間空間且較佳地沿晶圓之整個長度之流體流。整個清潔 處理意欲發生於可充入流體之洗盤内。洗盤經適當地定尺 寸以使得載體器件完全配合於該洗盤中。 在嘴淋處理期間,不填充洗盤。其實際上用於收集且排 出穿過晶圓流動之流體。根據一較佳實施例,喷淋處理發 生於洗盤中,該洗盤之液面以如下方式加以調整:基板塊 之車乂低力(10%至50% ’ X其較佳約晶圓表面之鄕)處於 流體内。 由於載體器件移交至根據本發明之裝置的"藍狀"附屬器 件,故界定清潔處理之初始位置。基本上,只要保證流體 可實質上不受阻礙地到達晶圓間的中間空間且基板塊以及 Μ分離之基板經牢固地固持’此附屬器件之設計並未經 預定。根據-較佳實施例’以在縱向方向上彼此平行地延 127540.doc 1344868 伸:兩個棒對之形式提供此器件,其中-對充當支擇物且 另一對自側面支持晶圓。-旦將附屬器件帶入裝置中,則 . ®定至載體器件上之基板塊的梳狀物件以如下方式定向: :巾間空間開放且因此可自側壁及洗盤之底部自由地到達。 • 纟此初始位置中,載體器件位於由其承載之基板上方。 在於下文中闡明之根據本發明的清潔處理之第一步驟之 ' w可有利地進行待處理之基板之乙:醇預儲存。 對於根據本發明之清潔處理之第—步驟而言,意欲啟動 籲㈣ϋ件。根據本發明,喷淋器件包含設計成兩部分組態 之至少一噴淋元件,其中一各別部分以如下方式橫向配置 於洗盤之-長側面:兩個部分皆平行於洗盤之縱轴延伸, 且相對於其流動方向以相對之方向安置。因此’喷淋器件 係以如下方式设計:流體流被指向至相鄰晶圓之各別中間 空間中,從而清洗掉雜質。至少一噴淋元件或兩部分喷淋 元件之一部分分別裝備有經由至少一喷嘴桿功能上彼此連 接之複數個喷嘴(馨孔之開口),以使得其可因此以相同流 體體積饋入。才見待處理之基板土免之長度及即將到來之饋送 壓力而疋,噴淋元件可分為在兩個側面上之若干區段,其 中區段中之每一者特徵在於存在一各別喷嘴桿。可(若必 • 要獨立於彼此地)調整喷淋元件之兩個部分之位置。可 改變噴淋元件或其部分或區段中之一者距洗盤之側壁之垂 直冋度以及距離。此外,喷淋元件或其部分或區段中之一 者可平行於橫向洗盤壁移動。若必要,沿洗盤一側面配置 之至少一噴嘴桿可實現可視需要指向反向於或遠離洗盤壁 127540.doc -10- 1344868 的上下方向及/或平行於洗盤壁之前後方向的振盪移動。 有利地,可因此補償流動特性之可能的不均勻性。平行於 噴嘴柃之軸的振盪之另一優點為可避免可因(例如)個別噴 嘴之阻塞而出現的不同流動特性。藉由此等移動,使極端 地黏附至彼此之基板群集進人振盡,藉此增強對此等群集 之中間空間之清潔。若根據本發明存在或使用複數個喷淋 疋件,則此等噴淋元件相對於洗盤之深度配置於不同水平 面上。 較佳地’將喷嘴桿設計為矩形,其中指向相對之洗盤壁 的側面之上部及/或下部區域尤其較佳向背面斜切,以使 得配置於此等斜切區域中之喷嘴輕微地向上或向下定向, 從而導致該等喷嘴不能夠平行於纟中間區域中配置之喷嘴 而發射。藉由斜切區域,可達成甚至可更加有效地移除位 於兩個相鄰基板之間之汙點。較佳地,喷嘴桿各自提供至 少-斷流器,藉由該斷流器可在整個噴嘴桿上達成最可能 均勻的流動特性。 噴孔較佳不為圓形,而為橢圓形或最佳為星形,且具有 較佳在0.1 _2至〇,5 最佳為〇 2_2之橫截面面積, 其中噴孔較佳設計為在出σ處之直徑比入σ處的直#小約 〇.3 mm之圓錐形。喷孔之幾何形狀較佳允許將氣體帶入流 體抓中’藉此達成對清潔結果之積極作用。較佳地,在各 別喷嘴桿中之喷嘴以行及列配置,其中行彼此間較佳間隔 4 mm,i列彼此之間較佳間隔3 _。最佳地,喷嘴之幾 何形狀使得產生最可能長遠(例如,彻叫的流體喷射, I27540.doc 1344868 該流體喷射較佳具有為約! mm之直徑,且即使當應用低流 動速度時仍為滿動的。以此方式’噴射對物件之作用為 ”柔和"的。 根據-較佳實施例,以如下方式控制在至少一嗔淋元件 之兩個側面上存在之噴嘴桿:僅在一側面上發射流體,而 另-側面上之喷嘴不發射流體。在短時期之處理之後,改 變侧面,以使得流體在基板塊上經指向而分別自左或自右 交替。若喷淋元件之-部分(-側)包含各自具有—喷嘴桿 之複數個區段,則此處較佳亦必須保證直接相對之喷嘴不 同時啟動。對於熟習此項技術者而言,明顯此可以不同方 式達成。舉例而言,啟動在—側面上之所有存在的喷嘴桿 之喷嘴,而不啟動在相對側面上之全部噴嘴。或者,以如 下方式控制鄰接區段之喷嘴或噴嘴桿:^時啟動直接鄰 接之區段’其中此處亦對於兩個側面,必須保證不同時啟 動直接相對之噴嘴、喷嘴桿或區段。藉由此交替 最佳清潔。 取 此外’提供向至少-喷淋元件輸送流體之構件。作 理參數,流體(或分別地’液體)之量及其流動速度對於青 潔處理為蚊性的。可由此項技術巾已知之合適方 於一噴淋元件之全部心的流 體壓力可調整為在(Μ巴與U巴之間 與0 5巴之間之佶 牧佳為在0.2巴 v , ^ -<^ faj 〇 較佳地’除上述至少一噴淋元件或者其部分或區段中之 一者的移動之外,視需要’或者噴淋器件相對於不可動載 127540.doc -12- 體器件移動,或者載體器件相對於不可動喷淋器件移動, 從而在清潔處理期間自中間空間移除漿體。或者,亦可提 供為載體器件與喷淋器件二者相對於彼此移動。 抑為允許流體流經由中間空間流動,以如下方式定位載體 器件:各別開放侧面指向洗盤之兩個側壁及洗盤之底部之 方向上。藉由交替,亦即,根據本發明之噴淋器件的一侧 面或另一側面之啟動,可達成漿體自一側面以及另一側面 而自中間空間清洗出。 借助於增加流體之體積流量,產生另一優點:在自由端 黏貼至一起之晶圓以彼此間一距離而固持。 增加體積流量之另一優點在於,晶圓至少輕微地振動, 以使得黏附至晶圓表面之漿體可更加容易地脫落。 為最佳化清潔處理,提供配置於洗盤内且視需要為不可 動或可移動之至少-超音器件。此外,超音源可經配置或 指向而傾斜或平行於晶圓。此清潔處理有利地直接跟隨於 以至少一喷淋元件之清潔處理之後。為執行此處理,有必 要向載體器件配置於其中的洗盤充入流體。較佳地,使用 冷流體以便致能超音波之最佳傳遞。較佳地,溫度調整為 在15 C與25°c之間之值,以便防止化學反應且確保本質上 之機械處理。 藉由超音波之清潔處理較佳可由用於在洗盤内產生流體 μ的至少一不可動或可移動之交叉流器件來支援,其中具 至少一喷淋元件之上述噴淋器件行使此交叉流器件之功 食匕因此’父又流器件經設計以使得流體流指向至兩個相 i27540.doc 1344868 鄰晶圓之各別中間空間中,藉此清洗掉因超音波而鬆動之 粒子 至乂 交又流器件或兩部分器件之一部分分別且有 經由至少一噴嘴桿功能上彼此連接之複數個噴嘴(開口或 鑿孔),且可因此以相同流體體積饋入。視待處理之基板 塊之長度及即將到來之饋送壓力而定,交又流器件可在兩 個側面上分為若干區段,其中區段中之每一者特徵在於存 在一噴嘴桿。可(若必要,獨立於彼此地)調整交又流器件 之兩個部分之位置。可改變交叉流器件或其部分或區段中 之一者距洗盤壁之高度以及距離。此外,交又流器件或其 部分或區段中之一者可平行於橫向洗盤壁移動。較佳地, 僅在交又流器件之噴嘴位於液面以下時啟動交又流器件。 若必要,在洗盤一側面配置之至少一喷嘴桿可執行可視需 要指向反向於或遠離洗盤壁的上下方向及/或平行於洗盤 壁之前後方向之振盪移動。以此方式,可有利地形成或可 使用位置獨立之流體渦流。平行於喷嘴桿之轴的振盪之另 一優點為,可避免(例如)由於個別喷嘴之阻塞而可能出現 之不同流動特性。藉由此移動,使極端地黏附至彼此之基 板群集設定為振盪,藉此改良對此等群集之中間空間之清 潔。若根據本發明存在或使用複數個交又流器件,則此等 交又流器件相對於洗盤之深度配置於不同水平面上。 較佳地,喷嘴桿設計為矩形,其中指向相對洗盤壁的側 面之上部及/或下部區域尤其較佳為向背面斜切,以使得 配置於斜切區域甲之喷嘴輕微地調整為向上或向下,且因 此不能夠平行於在中間區域中配置之喷嘴而發射。藉由斜 I27540.doc 1344868 切區域,可達成甚至可更加有效地移除位於兩個相鄰基板 之間之汙點。較佳地,喷嘴桿具有斷流器,藉由斷流器可 在整個噴嘴桿上達成最可能均勻之流動特性。 較佳地,喷孔不為圓形,而為橢圓形或最佳為星形,且 具有較佳在0.1 mm2至〇·5 mm2,最佳為〇 2 mm2之橫截面面 積’其中噴孔較佳設計為在出口處之直徑比入口處之直徑 小約0.3 mm之圓錐形。喷孔之幾何形狀較佳允許將氣體帶 入流體流中’藉此達成對清潔結果之積極作用。較佳地, 在各別噴嘴桿中之噴嘴以行及列配置,其中行彼此間較佳 間隔4 mm,且列彼此之間較佳間隔3 mm。最佳地,喷嘴 之幾何形狀使得產生一最可能長遠(例如,4〇〇 mm)之流體 喷射’該流體喷射較佳具有為約1 mm之直徑,且即使當應 用低流動速度時仍為湍動的。以此方式,喷射對物件之作 用為"柔和的。 根據一較佳實施例,以如下方式控制在交又流器件之兩 個側面上存在之喷嘴桿:僅在一側面上發射流體,而另一 側面上之喷嘴不發射流體。在短時期之處理之後,改變側 面,以使得流體在基板塊上經定向而分別自左或自右交 替。若根據本發明之交又流器件之一部分(一側)包含各自 具有一噴嘴桿之複數個區段,則此處較佳亦必須保證直接 相對之喷嘴不同時啟動。藉由此交替控制達成最佳清潔。 在對基板塊之超音處理之後,倒空洗盤,且開始藉由至 ^噴淋元件之另一清潔處理。視需要而定,可藉由在循 %藉由噴淋元件之清潔處理"與”藉由超音之清潔處理"之 127540.doc -15- 1344868 間改變而重複該處理。
根據本發明之一特定實施例,首先借助於具有溫熱流體 之喷淋器件清潔基板塊,若必要,該溫熱流體含有諸如界 面活性劑之合適化學添加劑,其中其溫度較佳在35。〇與 40C之間。隨後,在一冷流體内進行超音清潔。若必要, 重複兩個處理。作為最終處理,提供使用具有冷流體之噴 淋器件之清潔處理。後者具有之優點為以冷流體噴淋防止 晶圓變乾而最後使得剩餘漿體堅固地黏附至晶圓。
根據本發明,喷淋流體含水且較佳調整為在15。〇與 之間之溫度’纟中在3代與机之間之溫度尤其較佳。較 佳地,其包含量為0至1體積%之合適之不發、泡 '非離子界 :活性劑’其中相對於整個流體體積之0.1至0.5體積%之 里尤其較佳。較佳地,界面活性劑具有為約13.0之(平 =)P值以使得噴淋流體之pH值可有利地調整為小於 2.〇之較佳值,且調整為在iQ 5與η 〇之間之尤其較佳 值°此外’若必要’噴淋流體可包含驗或酸以及其他化與 品。 干 …十奴明之較佳實施例之方法可包含 之額外處理步驟。A t 膠移除 為此目的,載體器件及附屬器件(若必 要)傳遞至含有液體夕老 1 之组人物A $ ^ 理槽中,該液體相對於所使用膠
之,·且&物為適當的。I 舉例而言,已證明使用含有乙酸之含 水blL體特別適合,其由^ * r尤其較佳其溫度及pH值分別調卷5 約40X:或3.0至4_〇之估 刀N凋整至 值。隨後’清洗晶圓,較佳藉 附屬器件將晶圓傳遞5㈠ 又住错由使用 圓得遞至充滿水之清洗槽中進行晶圓之清 127540.doc 16 1344868 洗0 理另一!本優點為其可容易地整合至晶圓之隨後處 - 已證明,根據本發明,可準確地且 整處理參數為尤苴古&叶 』丹规地調 為尤-有利的’藉此亦致能具有恆定品質水 之大虿之處理。 干 在下文描述以及圖式及中請專利範圍中給出另 實施例。 另扪之 【實施方式】
圖1中描緣待清潔之基板w。基板塊工安裝於由玻璃板3 及安裝元件4組成之載體器件2上。在此實施例中,基板塊 、其側面5平面膠接至玻璃板3上。士刀痕到達玻璃板3中 之已執仃之鋸切處理導致形成亦稱為晶圓6之個別基板。 在個別晶圓6之間形成各別中間空間7,在中間空間7中存 在所謂之漿體(圖式中未展示)’將藉由根據本發明之清潔 處理而移除該漿體。
為如圖4及圖5所描繪而將與載體器件2連接之基板塊1傳 遞至根據本發明之裝置,如圖2及圖3所描繪,藉由附屬器 件8傳遞載體器件2。較佳地’附屬器件8包含與根據圖认 圖5的裝置相互作用之橫向地配置之構件9。為允許收納不 同尺寸之載體器件2,提供能夠可撓地安置以用於收納載 體器件2之收納器件1〇。此外,附屬器件8係以如下方式設 計:如圖3中所描繪,基板塊1佔據一保護免受對物件的非 σ人所樂見之腐银之位置。在此處所表示之例示性實施例 中,棒11配置為所提供構件9之間的連接元件,構件9封閉 127540.doc •17- 處於其間之基板塊1。 為執行清潔處理,裝置12如圖5所示裝載附屬器件8。裝 置12本身具有包含可充入流體之洗盤14之外殼13。洗盤14 經定尺寸以使得附屬裝置8可由洗盤14完全佔據。 較佳地,洗盤14係以如下方式設計:其可在各別構件9 處收納附屬器件8。 裝置12進一步包含喷淋器件15。噴淋器件15實質上由設 計為兩個部分且平行於載體器件2之縱向延伸而延伸之喷 淋元件16組成。 、 在圖5中描繪之例示性實施例中,喷淋元件在超音處理 另門用作交又流器件17。因此亦具有兩部分設計之此交又 流器件具有在洗盤14内產生用於清潔基板塊1的交又流之 噴嘴狀構件。 此外,在外殼13之底側提供具有超音源之超音器件1 $。 根據需要,此超音器件1 8接通或切斷,且其用於額外地鬆 動或移除在中間空間中存在之漿體。 作為圖5中描繪之超音器件18之替代,可提供在洗盤14 内亦可移動至任何位置之行動超音器件代替固定不可動安 裝。 操作原理: 清潔處理如下: 在將载體器件2與附屬器件8—起引入裝置12之後(圖 5),載體器件2佔據一位置,根據該位置,個別晶圓6指向 底部20。此意謂中間空間7各自朝向側面且在洗盤14之底 127540.doc -18- 1344868 部20之方向上開放。 此清潔處理以喷淋器件15之啟動而開始。離開喷淋元件 16之流體流21進入各別中間空間7,至少部分地通過中間 空間7 ’然後在洗盤14之底部20之方向上再次離開。歸因 於如上文詳細闡明之根據本發明之處理,可自各別中間空 間7移除漿體。視污染程度而定,此清潔處理可如所要多 -人重複。流體流21本身較佳溫度受控,且可展現在攝氏25 度與攝氏40度之間之溫度。 根據一較佳實施例,隨後進行使用超音器件18之超音清 潔。為此,洗盤14有必要充入流體以便自超|源傳輸音 波。 後,倒空洗盤14且開始已描述之喷淋處理。 以此方式,可如所要多次重複個別步驟。 、在移除如此預清潔之基板W之前,較佳再次,但以冷 流體進行喷淋處理。因此, θ _ 了至乂防止剩餘漿體直接地在 晶圓上變乾。 借助於根據本發明之裝置丨且藉 法, 儿糟由執仃根據本發明之方 自動地預清潔薄、易碎圓>!轡盔7 於半導體及…广 能。尤其在製造用 干导體及太陽能工業之晶圓中 立gp较„人 有乂要在鋸切處理之後 移除所謂之漿體》此漿體 之表面m,— 黏附至各別晶圓 助於根據本發明之方法_ 仃手動處理。然而,借 月之方法’使得晶圓6之古σ 清潔變為可能。 之呵質且自動之預 根據矽晶圓之處理揭示本發明。春缺 田…、’根據本發明亦可 127540.doc • 19- 1344868 處理由諸如塑膠之其他材料製成之圓片狀基板。 【圖式簡單說明】 圖1展示載體器件2之尹思圖’載體器件2本質上由待清 潔之基板塊1組成; 圖2展示用於收納根據圖1之載體器件2的附屬器件8之透 視圖; 圊3展示與圖2對照的已裝載有載體器件2之附屬器件8之 透視圖; 圖4展示根據本發明之具有呈兩部分噴淋元件16之形式 之噴淋器件的裝置之較佳實施例的示意圖; 圖5展示根據本發明之分別具有噴淋元件16或交又流器 件17的裝置之一較佳實施例的示意圖,但與圖4比照已具 有處於初始位置之插入之載體器件(A);展示具有對超音 器件18及喷淋元件16或交又流器件17(分別配置於兩個側 面)之更詳細表示的另一較佳實施例之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 基板塊 2 載體器件 3 玻璃板 4 安裝元件 5 一側面 6 晶圓 7 中間空間 8 附屬器件 127540.doc •20- 1344868 9 構件 10 收納器件 11 棒 12 裝置 13 外殼 14 洗盤 15 噴淋器件 16 噴淋元件 17 父叉流益件 18 超音器件 19 超音源 20 底部 21 流體流 127540.doc -21 -
Claims (1)
1344868 第096148149號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年1月)十、申請專利範圍: 10M月 修(¾ 正替換頁
定尺寸以使得其收容 可以'^如 〇 至少一嘴 此以相同 一種用於清潔薄晶圓(6)之裝置,其中該等晶圓(6)以一 側面固定至-載體器件(2) ’且其中一中間空間⑺形成 於兩個相鄰晶圓(6)之間,該裝置實質上由以下各物組 成: 一噴淋器件(15),流體由該喷淋器件(15)注射至該等 各別中間空間(7)中,該噴淋器件(15)具有複數個喷嘴及 一兩部分設計之至少—喷淋元件⑽,該喷淋元件(16) 之每各別。P刀α —如下方式橫向地配置於該洗盤(14) 之一長側面:兩個部分平行於該洗盤之縱軸延伸,且相 對於其流動方向定位於相對之方向上;及 一洗盤(14),其可充入流體且經 該載體器件(2), 特徵在於該至少一噴淋元件(16)之兩個部分 下方式加以控制:直接相對之喷嘴不同時啟動 如研求項1之裝置,其特徵在於該等喷嘴經由 嘴桿而功能上彼此連接,以使得該等喷嘴可因 流體體積饋入。 3.項1或2之裝置,其特徵在於該至少一喷淋元件 ⑽在兩個側面上分為若干區段,其中該等區段中之每 一者具有一喷嘴桿。 I IS求項1或2之袭置,其特徵在於該喷淋元件(16)之兩 個部分之位置係可調整的。 )之兩 月求項1或2之袭置,其特徵在於,或者該喷淋器件 127540-J〇〇〇i3Id〇c 1344868 丨10犛1月3邊修(更)正替換頁 (15) 可相對於該不可動載體器件(2)而移動,或者該载體 器件(2)可相對於該不可動喷淋器件(15)而移動,或者該 載體器件(2)與該喷淋器件(15)可相對於彼此而移動。 6. 如請求項1或2之裝置,其特徵在於至少一超音器件(18) 經提供,其配置於視需要不可動或可移動之該洗盤(14) 内。 7. 如請求項1或2之裝置,其特徵在於若干噴淋元件(16)相 對於該洗盤(14)之深度配置於不同水平面上。 8·如請求項1或2之裝置,其特徵在於該至少一噴淋元件 (16) 在該洗盤(14)内可垂直地調整。 9·如請求項6之裝置,其特徵在於該超音器件(18)包含經配 置向該載體器件(2)之水平定向傾斜之超音源(19)。 10. 如請求項6之裝置,其特徵在於該等超音源(19)配置為旋 轉。 11. 一種用於借助於一裝置清潔薄晶圓(6)之方法,其中該等 晶圓(6)以—側面固定至一載體器件(2),且其中在兩個 相鄰晶圓之間形成一中間空間(7),且其中該裝置實質上 由一藉以將流體注射至該等各別中間空間(7)中之喷淋器 件(15)及—洗盤(14)組成’該洗盤14可充入流體且經^ 尺寸而使得其可收容該載體器件(2),其中該噴淋器件 (15)包含具有複數個喷嘴及一兩部分設計之至少—噴淋 元件(16),該噴淋元件(16)之每一各別部分以一如下方 式橫向地配置於該洗盤(14)之-長側面:兩個部分平行 於該洗盤之縱軸延伸,且相對於其流動方向而定位於相 127540-1000131.doc -2 -
、月冷慝埋,其中直接相對 之喷嘴不同時啟動。 如π求項11之方法,其特徵在於包含一額外之步輝C), 在流體之存在下’在洗盤(14)内利用超音波裝置 執行清潔處理。 月求項12之方法,其特徵在於該處理步驟b)在該處理 步驟C)之前及之後執行。 14.如請求項12或13之方法,其特徵在於料處理步驟_ c)可相繼地執行若干次。
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DE102008004548A1 (de) * | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Rec Scan Wafer As | Waferstapelreinigung |
WO2009114043A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-17 | Automation Technology, Inc. | Solar wafer cleaning systems, apparatus and methods |
DE102008053598A1 (de) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zum Lösen von Wafern von einem Waferträger und Vorrichtung dafür |
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US8261730B2 (en) * | 2008-11-25 | 2012-09-11 | Cambridge Energy Resources Inc | In-situ wafer processing system and method |
US8065995B2 (en) * | 2008-11-25 | 2011-11-29 | Cambridge Energy Resources Inc | Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw |
US7700535B1 (en) * | 2009-01-12 | 2010-04-20 | Ppt Research | Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture |
US8562748B1 (en) | 2009-01-30 | 2013-10-22 | WD Media, LLC | Multiple cleaning processes in a single tank |
US8163093B1 (en) | 2009-02-11 | 2012-04-24 | Wd Media, Inc. | Cleaning operations with dwell time |
EP2415070A4 (en) * | 2009-04-01 | 2012-09-26 | Cabot Microelectronics Corp | SELF-CLEANING WIRE SAW TYPE APPARATUS AND METHOD |
DE102009035343A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger |
DE102009035342A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Substraten an einem Träger |
DE102009035341A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger |
JP2011061120A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd | ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置 |
GB0919379D0 (en) * | 2009-11-04 | 2009-12-23 | Edwards Chemical Man Europ Ltd | Wafer prcessing |
GB2476315A (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | Rec Wafer Norway As | Cleaning a stack of thin wafers |
WO2012053500A1 (ja) * | 2010-10-19 | 2012-04-26 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板カセット |
DE102010052635B4 (de) * | 2010-11-29 | 2014-01-02 | Rena Gmbh | Halte-Reinigungsvorrichtung und Verfahren zum abschnittsweisen Reinigen gesägter Wafer |
DE102011018523A1 (de) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Schott Solar Ag | Herstellung von gesägten Wafern durch Vereinzelung mit einem kalten Fluid |
DE102011110592A1 (de) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Rena Gmbh | Verfahren zum Konditionieren von flachen Gegenständen |
DE102012001721A1 (de) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Rena Gmbh | Spüleinrichtung zum Abspülen einer Behandlungsflüssigkeit und Verfahren dazu |
US20140150826A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Wafer cleaning apparatus and methods |
CN103302071B (zh) * | 2013-05-16 | 2015-12-23 | 昆山市超声仪器有限公司 | 超声波洗瓶机用翻转装置 |
JP2015028971A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法 |
TWM508112U (zh) * | 2015-04-30 | 2015-09-01 | Chung King Entpr Co Ltd | 用於太陽能電池之基板載具 |
KR101932410B1 (ko) | 2015-08-18 | 2018-12-31 | 주식회사 엘지화학 | 일체형 세척 및 건조 장치 |
DE102016107840A1 (de) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | Elwema Automotive Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Werkstücken aus Metall |
CN107717640A (zh) * | 2016-08-10 | 2018-02-23 | 云南民族大学 | 一种超声波辅助研磨抛光的方法 |
KR101905671B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2018-10-10 | 한국에너지기술연구원 | 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법 |
GB201819238D0 (en) | 2018-11-27 | 2019-01-09 | Rolls Royce Plc | Finishing a surface of a component made by additive manufacturing |
CN110369393B (zh) * | 2019-08-13 | 2021-04-06 | 安徽晶天新能源科技有限责任公司 | 一种硅片生产用超声波清洗机 |
CN111604305B (zh) * | 2020-05-18 | 2022-06-21 | 聊城市洛溪信息科技有限公司 | 一种细纺锭子清洗设备用夹持装置的无极调节方法 |
CN112570370B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-04-29 | 森弘鑫智能设备(苏州)有限公司 | 一种超声波自动清洗装置 |
JP2022138907A (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-26 | キオクシア株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
CN113866097A (zh) * | 2021-09-09 | 2021-12-31 | 中国科学院大气物理研究所 | 光学仪器镜面自动清洁系统及其使用方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2254824A (en) * | 1939-01-04 | 1941-09-02 | George P Large | Washing machine |
US3873071A (en) * | 1973-08-01 | 1975-03-25 | Tatebe Seishudo Kk | Ultrasonic wave cleaning apparatus |
US4358204A (en) * | 1980-09-22 | 1982-11-09 | Sidney Ellner | Ultrasonic cleaning apparatus |
DE3731410A1 (de) * | 1987-09-18 | 1989-04-06 | Duerr Gmbh & Co | Verfahren und anlage zum flutwaschen |
US5069235A (en) | 1990-08-02 | 1991-12-03 | Bold Plastics, Inc. | Apparatus for cleaning and rinsing wafers |
JPH0669176A (ja) * | 1992-01-17 | 1994-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ洗浄装置 |
US5279316A (en) * | 1992-08-18 | 1994-01-18 | P.C.T. Systems, Inc. | Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers |
US5337446A (en) * | 1992-10-27 | 1994-08-16 | Autoclave Engineers, Inc. | Apparatus for applying ultrasonic energy in precision cleaning |
JP2888409B2 (ja) * | 1993-12-14 | 1999-05-10 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ洗浄槽 |
JPH07263397A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 超音波洗浄方法 |
US5950643A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
JP3274389B2 (ja) | 1996-08-12 | 2002-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法 |
JP3286539B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2002-05-27 | 信越半導体株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
JPH10223585A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Canon Inc | ウェハ処理装置及びその方法並びにsoiウェハの製造方法 |
US6132523A (en) * | 1997-09-19 | 2000-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of cleaning a substrate in a cleaning tank using plural fluid flows |
US6119706A (en) * | 1997-09-22 | 2000-09-19 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus for cleaning electronic components |
JP4126571B2 (ja) * | 1998-04-01 | 2008-07-30 | 株式会社東京精密 | ウェーハ剥離洗浄装置 |
US6139591A (en) | 1998-03-04 | 2000-10-31 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer separating and cleaning apparatus and process |
TW499696B (en) | 1999-04-27 | 2002-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
JP2000308857A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
TW434668B (en) * | 2000-01-27 | 2001-05-16 | Ind Tech Res Inst | Wafer rinse apparatus and rinse method of the same |
DE60141123D1 (de) * | 2000-02-14 | 2010-03-11 | Panasonic Corp | Geschirrspülmaschine |
US6418945B1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-07-16 | Semitool, Inc. | Dual cassette centrifugal processor |
US20020166569A1 (en) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning |
US20040025901A1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-02-12 | Semitool, Inc. | Stationary wafer spin/spray processor |
US6668844B2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-12-30 | Semitool, Inc. | Systems and methods for processing workpieces |
KR100780789B1 (ko) * | 2004-04-15 | 2007-11-30 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 |
DE102005058269B4 (de) * | 2005-12-06 | 2011-12-01 | Stangl Semiconductor Equipment Ag | Vorrichtung zum Reinigen eines gesägten Waferblocks |
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