CN101361167A - 清洗物体，特别是薄圆片的装置和方法 - Google Patents

清洗物体，特别是薄圆片的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101361167A
CN101361167A CNA2007800017797A CN200780001779A CN101361167A CN 101361167 A CN101361167 A CN 101361167A CN A2007800017797 A CNA2007800017797 A CN A2007800017797A CN 200780001779 A CN200780001779 A CN 200780001779A CN 101361167 A CN101361167 A CN 101361167A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid bath
spray
carrier arrangement
liquid
spray equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007800017797A
Other languages
English (en)
Inventor
N·伯格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rena Sondermaschinen GmbH
Original Assignee
Rena Sondermaschinen GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rena Sondermaschinen GmbH filed Critical Rena Sondermaschinen GmbH
Publication of CN101361167A publication Critical patent/CN101361167A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/02—Devices for holding articles during cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67326—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明涉及用于清洗薄晶片(6)的装置，其中将晶片(6)的一侧固定在载体装置(2)，和其中在2个相邻晶片之间形成间隙(7)，和其中该装置基本上包括喷淋装置(15)，通过它将流体喷入到各个间隙(7)中，和可以用液体充满的液槽(14)，它的尺寸是这样，它能容纳载体装置(2)。按照本发明，可选择地或者喷淋(15)相对不动的载体装置(2)是可以移动的，或者相对不动的喷淋装置(15)载体装置(2)可以移动，或者载体装置(2)以及喷淋装置(15)两者互相可以相对移动。该方法突出之处在于，在优选的清洗过程中，将载体装置(2)放入液槽后首先用热的流体进行喷淋清洗，接着在冷的液体中进行超声波清洗和用热的液体进行又一次喷淋清洗。

Description

清洗物体，特别是薄圆片的装置和方法
技术领域
本发明整体涉及清洗薄圆片，例如半导体晶片、玻璃基片、光掩模、小型盘或类似的物体。特别是，本发明涉及已从坯锭锯下制成半导体晶片后的预清洗的装置和方法。
定义
按照本发明术语“薄圆片”必须理解为指的这样的物体，有在范围为80到300微米之间、如150-170μm(微米)的非常小的厚度的物体。圆片的形状是任意的，和可以是如大体圆的(半导体晶片)或者大体矩形或方形(太阳能晶片)的，其中边角可选地可以是成角的、圆的、或侧角的。由于它们很小的厚度，这些物体都是极其易碎的。本发明涉及这些物体的预清洗。
下面，通过参考成角的太阳能晶片(简称“晶片”)示范性解释按照本发明的装置和方法。
但是，本发明并不局限于仅预清洗晶片。而是，本发明整体包括顺序夹持在载体装置中互相之间有限定距离的薄圆片的清洗。
背景技术
为了制造晶片必须将通常以矩形的硅坯锭形式存在和称为基片坯锭或晶锭的开始材料加到载体装置上。这种载体装置一般由金属支架组成，在支架上安装作为载体材料的玻璃板。将要处理的基片坯锭粘到玻璃板上。但是，另一种是也可以装设其他材料作为载体装置的构成。
为了制造许多晶片需要完全锯完以板状方式单晶或多晶硅组成的基片坯锭，从而各次切割伸展到玻璃板中。通过使用常规的环形锯或线锯进行切割之后，以这种方式制造的晶片，由于粘接力沿着一条长边(边缘)，即朝向载体装置的一边仍然粘接在玻璃板。在将基片坯锭完全分离成各个晶片之后在各晶片之间产生如间隙状的空间，从而使原先的基片坯锭以梳子状扇形的物体形式存在。
为了通过使用精密的线锯进行湿式机加工锯的方法，基本上需要2种材料；第1，碳化硅或对所需硬度有磨蚀特性的相同作用的颗粒；第2，乙二醇或油作为载体和冷却剂。更精确地说，不是线锯来锯硅坯锭，而是碳化硅颗粒，它与乙二醇如聚乙二醇或油混合成所谓的“浆”来执行实际的工作。在锯的过程中用这种介质冲洗该线锯，该介质可选择地可以包含别的化学添加剂。通过线锯的运动颗粒表现出它们的研磨，即消蚀的效果。作为例子，使用160微米的线锯每次切割磨去约210微米的硅。这种切割碎屑也称为锯口损失；通过使用较薄的线锯如有80微米直径的线锯可以减小这种损失。在锯的过程，还在晶片的表面上产生所含反应物的多个化学反应。在锯之后，浆料、反应的生成物和由浆料成份和硅的惟集体存在于各晶片之间并由于它们的紧密性常粘接在晶体的表面上。
在将有圆片形状的各个晶片从载体装置上取下之前，先进行预清洗。通过预清洗将洗去存在于两个基片之间的间隙中晶片表面上的废浆料。这种预清洗是本发明的主题。
现有技术
在现有技术中已知除去废浆料的预清洗。它们常常由人工进行，在梳子状物体上人工引导流出流体的喷淋头。从而达到使存在于基片坯锭间隙中的废浆料至少部分被洗掉。但是，大部分仍留于间隙状的空间内。
但是，由于必须从所有的侧面喷淋该载体装置和因为在连续转动中仅可能部分排干该废浆料。因此这种人工处理是很困难的。还有，特别是载体装置老是转动存在着使各个晶片与玻璃板断开并损坏的风险。
等到可将带有晶片的载体装置送到下一道处理工序，晶片的表面一般已经变干了。还有，废浆料仍粘在那里，从而使下面的处理工序受到严重影响。
这个人工处理的普遍缺点在于不能保证恒定的质量从而无法获得有关表面特性的标准化的和可重复生产的结果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种装置和方法，通过它们可以自动地从相邻薄圆片的间隙中至少部分除去废浆料。
(解决办法)
按照本发明的装置是权利要求1的主题，而通过权利要求11的特性定义按照本发明的方法。优选的各实施例是各个子权利要求的主题。
(本发明的优点)
为了从间隙中大量除去废浆料，推荐一种由载体装置、喷淋装置、和液槽组成的装置。
载体装置至少由载体材料组成，基片坯锭加在载体材料上，装置包括由基片坯锭锯割生产的薄圆片(如晶片)。这些圆片顺序排列，即一个挨着一个，其中在各个晶片之间形成各自的间隙。以这样的方法设计喷淋装置，它产生的液体流主要进入到间隙中并优选地是沿着晶片的整个长度。打算使整个清洗过程在可以充满液体的液槽内进行。液体槽的合适尺寸是可将载体装置完全装入到槽中。
在喷淋过程中，液槽是不充满的。而是用作收集和排出从晶片流出的液体。按照优选的实施例，喷淋在液槽中进行，槽的液面是这样调节，使基片坯锭的下部(10到50％，特别优选的是约晶片表面的30％)在液体内。
清洗方法的初始位置定义为，将载体装置送入到按照本发明装置的“筐形”辅助设施上。基本上，这种辅助设施的设计不是预定的，只要它能保证流体基本上可以无阻碍地到达晶片之间的间隙和牢固地夹持基片坯锭以及可以分离的各个基片。按照优选的实施例，提供的这个装置是在纵向互相平行伸展的2对杆，其中一对用于支持和另一对从侧边支撑晶片。一旦将辅助装置装入该装置内，就以这样的方式定位要固定在载体装置中的基片坯锭的梳子状物体，使间隙打开和朝向侧壁及朝向液槽底部的两个方向上可自由地接触该间隙。在这个初始位置，将载体装置定位在它承载的基片的上面。
在下面提出的按照本发明的清洗过程的第一步之前先将要处理的基片预先存储在乙二醇中是有利的。
按照本发明清洗过程的第一步是打算起动喷淋装置。按照本发明，喷淋装置包括至少一个设计成两部分结构的喷淋元件，其中将一个部分以这样的方式侧向布置在液槽的长边，两部分平行于液槽的纵槽伸展，相对它们的流动方向，将两部分定位在相反的方向。因此，以这样的方式设计喷淋装置，引导流体流入到相邻晶片的各个间隙中，冲洗掉杂质。至少一个喷淋元件或两部分喷淋元件的一部分，装设许多喷嘴(钻孔的开口)，通过至少一个喷嘴杆它们功能上互相连接，从而可以用相同的流体量供料给这些喷嘴。取决于要处理的基片坯锭的长度和现有的供料压力，可将喷淋元件在两侧上分成几段，其中每段的特征在于有一个各自的喷嘴杆。可以调节喷淋元件两部分的位置(如果需要，两部分互相分离)。可以改变喷淋元件或它的两部分中的一部分或各段的垂直高度和到液槽侧壁的距离。还有，平行于液槽的侧壁可以移动喷淋元件或它的两部分中的一部分或各段。如果需要，沿着液槽一边布置的至少一个喷嘴杆可以实现摇摆运动，可选择地可在上下方向上摆动，朝向或离开液槽的壁，和/或平行于液槽的壁向前和向后。因而可以有利地补偿流动特征可能的不均匀性。平行于喷嘴杆轴线的摆动的另一个优点是避免可能产生的不同的流动特征，如个别喷嘴的堵塞。通过这些运动，将互相极其粘接的基片组放入到摆动中，从而提高这些组的间隙的清洗。如果按照本发明有或使用许多的喷淋元件，将它们布置在相对液槽深度的不同水平上。
优选地，将喷嘴杆设计成矩形，其中将指向液槽相对壁的杆侧边的上部和/或下部特别优选地向后倒角，从而使布置在这些倒角部分的喷嘴略为朝上或朝下，造成它们不能喷出平行于布置在中间部分喷嘴喷出的液流。通过倒角部分达到可以更加有效地除去位于相邻2个基片之间的污点。优选地每个喷嘴杆装设至少一个流量开关，通过它达到在整个喷嘴杆上最大可能的均匀的流量特征。
喷嘴孔优选地不是圆形，而是椭圆形或最优选的星形，和有优选的横截面积0.1至0.5，最优选的为0.2mm2，其中优选地将它们设计成这样的锥形，出口的直径约为0.3mm小于其进口的直径。喷嘴孔的几何形状优选地能吸入气体到流体中，从而获得清洗结果下面的增益。优选地，将在各个喷嘴杆中的喷嘴布置面行和列，其中列优选地互相间隔4mm，和行优选地互相间隔3mm。最优选地，使喷嘴的几何尺寸是这样，产生可能到达最远的射流(如400mm)，其优选的直径约为1mm即使在供给低的流速时仍然是湍流。以这种方式，在该物体上射流的效果是“软的”。
按照优选的实施例，以这样的方式控制存在于至少一个喷淋元件两侧上的喷嘴杆，仅在一侧喷出流体，而在另一侧上的喷嘴不喷出流体。在经过一段短期的处理后，改变各侧边的喷射，从而引志指向基片坯锭的流体分别交替从左边或右边。如果喷淋元件的一部分(一侧)包括许多段，每段有喷嘴杆，优选地必须保证指向相反方向的喷嘴不是同时起动。对本发明所属技术领域的普通技术人员来说很清楚可用不同的方式达到这个目的。例如，起动在一侧上的所有现有的喷嘴杆的所有喷嘴，而不起动在相反侧上全部的喷嘴。另一种是，以这样的方式控制邻接段的喷嘴或喷嘴杆，不同时起动直接邻接的各段，其中这里还要考虑到两侧，必须保证不同时起动直接相对的喷嘴、喷嘴杆或各段。通过这种交替的控制，达到最优的清洗。
还有，装设机构将流体输送到至少一个喷淋元件。作为过程的参数，在其他各参数中，对清洗过程来说，流体量(或液体量)和它的流速是决定性的。通过现有技术已知的合适机构可以改变这两个参数。按照本发明，对一个喷淋元件的所有开口可以调节流体的压力在0.1和1.0巴之间，优选地在0.2和0.5巴之间。
优选地除了至少一个喷淋元件或者它的一部分或者各段，可选择地或者相对不动的载体装置运动喷淋装置，或者相对不动的喷淋装置运动载体装置，以便在清洗过程中从间隙内除去废浆料。另一种是也可以提供载体装置和喷淋装置两者是互相相对运动的。
为了能使流体流过间隙，以这样的方式定位载体装置，使各开口侧指向液槽的两侧壁和液槽底部的方向。按照本发明通过交替，即一侧或另一侧起动喷淋装置，达到从一侧以及另一侧将废料冲洗出间隙。
藉助增加流体的体积流量，产生进一步的效益，使在晶片自由端连在一起的各晶片相互保持一定的距离。
增加流量的进一步效益包括晶片至少轻微地振动，从而粘接在晶片表面的废浆料可以更容易地出来。
为了使清洗方法最优化装设至少一个超声波装置，将它设置在液槽内和可选地是不动的或运动的。还有，可以布置超声波源或斜着指向或平行于该晶片。这种清洗方法有利地直接跟随在用至少一个喷淋元件的清洗方法之后。为了进行这种清洗方法需要用流体充满装设载体装置的液槽。优选地使用冷的流体以便能最佳地传送超声波。优选地将温度调节在15和25℃之间以便防止化学反应和保证必要的机构处理。
优选地通过至少一个不动或运动的横向流动装置在液槽内产生液体流可以支持用超声波的清洗方法，其中上述的喷淋装置用它的至少一个喷淋元件来执行这种横向流动装置的功能。因此，这样说明横向流动装置，它引导液体进入到2个相邻晶片的各自间隙内，从而冲洗掉被超声松动的微粒。至少一个横向流动装置或两部分装置的一部分分别有许多喷嘴(开口或钻孔)，它们通过至少一根喷嘴杆在功能上互相连接和因此可以用相同的流体量供料。取决于要处理的基片坯锭的长度和现有的供料压力，可将横向流动装置在两侧上分成几段，其中每段的特征在于有一根喷嘴杆。横向流动装置两部分的位置(如果需要，互相分离)是可调节的。横向流动装置或者它两部分的一部分或各段的高度以及到液槽壁的距离是可以改变的。还有，可使横向流动装置或它的一部分或各段平行于液槽侧壁运动。优选地，仅当横向流动装置的喷嘴位于流体液面之下时才起动它。如果需要，布置在液槽一侧的至少一根喷嘴杆可以进行摇摆运动，该摇摆运动可选择地可以引导在上下方向上，朝向或离开液槽壁，和/或平行于液槽壁向前和向后。在这种方式中可能产生与位置无关的有益的流体涡流并可以利用它。平行于喷嘴杆轴线摇摆的进一步优点是避免可能产生的，如由于个别喷嘴堵塞造成的不同的流动特性。通过这种运动使互相粘接很紧的基片组产生振动，从而改善这样基片组间隙的清洗。按照本发明，如果有或使用许多横向流动装置，将它们布置在相对液槽深度的不同水平上。
优选地，将喷嘴杆设计成矩形，其中指向相反的液槽壁的侧边的上部和/或下部特别优选地向后倒角，从而使布置在倒角部分的喷嘴略为调节成向上或向下，这样就不能喷出平行于布置在中间部分喷嘴喷出的液流。通过倒角部分达到可以更加有效地除去位于相邻两基片之间的污点。优选地，喷嘴杆有流量开关，通过它达到整个喷嘴杆上最大可能的平均流动特征。
优选地，喷嘴孔不是圆形，而椭圆形式最优选的星形，和有优选的横截面积0.1-0.5，最优选的为0.2mm2，其中优选地将它们设计成这样的锥形，出口的直径约为0.3mm小于其进口的直径。喷嘴孔的几何形状优选地能吸入气体到流体中，从而获得清洗结果的正面增益。优选地，将在各个喷嘴杆中的喷嘴布置成行和列，其中列优选地互相间隔4mm，和行优选地互相间隔3mm。最优选地，使喷嘴的几何尺寸是这样，产生可能到达最远的射流(如400mm)，其优选的直径约为1mm和即使在供给低的流速时仍然是湍流。以这种方式，在该物体上射流的效果是“软的”。
按照优选的实施例，以这样的方式控制存在于横向流动装置两侧上的喷嘴杆，仅在一侧喷出流体，而在另一侧上的喷嘴不喷出流体。在经过一段短期的处理后，改变各侧边的喷射，从而引导指向基片坯锭的流体分别交替从左边或右边。如果按照本发明横向流动装置的一部分(一侧)包括许多段，每段有喷嘴杆，优选地这里也必须保证指向相反方向的喷嘴不是同时起动。通过这种交替控制，达到最优的清洗。
在基片坯锭的超声波处理之后，排干液槽，用至少一个喷淋元件开始另一次清洗过程。取决于各种要求，通过在“用喷淋元件清洗过程”和“用超声波清洗过程”之间循环的变化可以重复该过程。
按照本发明一个特别的实施例，首先借助喷淋装置用热的流体对基片坯锭进行清洗，如果需要，流体含有合适的化学添加剂，如表面活性剂，其中它的温度优选是在35℃和40℃之间。接着，在冷流体内进行超声波清洗。如果需要，可以重复两个过程。用冷的流体使用喷淋装置进行清洗作为最终的清洗过程。后者的优点是，用冷流体喷淋能防止晶片干透，避免最终造成剩余的废浆料牢固地粘接在晶片上。
按照本发明，喷淋流体是水和优选地调节到15到40℃之间的温度，其中在30和40℃之间的温度是特别优选的。优选地，它包含合适的非发泡、非离子表面活性剂，含量在0到1％体积百分比，其中相对整个液体体积的0.1到0.5％体积百分比含量是特别优选的。优选地，表面活性剂有约13.0的(平均)pH值，从而可以有利地调节喷淋流体的pH值到小于12.0的优选值，和到10.5和11.0之间的特别优选的值。还有如果需要的话，喷淋流体可以包含碱或酸以及别的化学剂。
如果需要，按照本发明的优选实施例的方法可以包括除胶的附加的过程步骤。为了这个目的，将载体装置，如果需要还有辅助装置移送到处理箱中，该箱含有对所使用的胶的组份是合适的液体。例如，已经证明使用含有醋酸的水样流体是特别合适的，其中特别优选的是将它的温度和pH值分别调节约40℃或3.0到4.0的值。接着，冲洗晶片，通过将与辅助装置一起的装置移送到充满水的冲洗箱中是优选的。
该方法其他主要的优点是，可将它很容易集成为晶片的连续处理过程。已经证明按照本发明可以精确地和重复的调节过程的参数是特别有利的，因而也能以恒定的质量水平处理大量的晶片。
在下面的描述中以及在各图中和在各权利要求中给出别的有利的实施例。
附图说明
图1表示载体装置2的示意图，主要包括要清洗的基片坯锭1；
图2表示用于接纳按照图1的载体装置2的辅助装置8的透视图；
图3表示与图2不同的已经装载载体装置2的辅助装置8的透视图；
图4表示按照本发明装置优选实施例的示意图，其喷淋装置有2部分喷淋元件16的形式；
图5表示按照本发明装置的优选实施例的示意图，分别有喷淋元件16或横向流动装置17，但与图4不同已经插入载体装置在开始位置(图A)；
表示另一个优选实施例的示意图，有分别布置在两侧的喷淋元件16或横向流动装置17和超声波装置18的更详细的表示(图B)。
具体实施方式
在图1中说明要清洗的基片坯锭。将基片坯锭1安装在载体装置2上，该装置由玻璃板3和安装元件4组成。在这个实施例中，将基片坯锭1的一侧5平的胶粘到玻璃板3上。已经进行过的锯的工序切割达到玻璃板3中，结果生成各个基片也称为晶片6。在各个晶片6之间形成间隙7，在间隙中存在所谓的废浆料(在图中未表示)，按照本发明的清洗方法要将其除去。
为了将与载体装置2连接的基片坯锭移送到按照本发明如在图4和5中说明的装置，使载体装置2与在图2和3中说明的辅助装置一起移送。优选地，辅助装置8包括侧向布置的机构9，它与按照图4和5的装置互相配合。为了能够接纳不同尺寸的载体装置2，装设的接纳装置10可以伸缩地定位以便接纳载体装置2。还有，以这样的方式设计辅助装置8，使在图3中说明的基片坯锭1所处的位置可保护它免受与别的物体不希望的碰撞。在这里表示的示范性实施例中，布置的杆11作为装设的机构9之间的连接元件，从而将基片坯锭1包围在它们之间。
为了进行清洗过程，装置12如在图5中所示装有辅助装置8。装置12本身有壳体13，壳体包括能用液体充满的液槽14。液槽14的尺寸是这样，使它可以完全接纳辅助装置8。
优选地，以这样的方式设计液槽14，它可以接纳带各种机构9的辅助装置8。
装置12还包括喷淋装置15。喷淋装置15基本上由喷淋元件16组成，将该元件设计成两部分和能沿着载体装置2的纵向平行移动。
在图5说明的示范性实施例中，使用喷淋元件作为在超声波处理时的横向流动装置17。这种横向流动装置，从而也有两部分的设计，它有喷嘴状的机构在液槽14内产生横向流动用于清洗基片坯锭1。
还有，在壳体13的底侧装设有超声波源的超声波装置18。按照需要，接通或断开这个超声波装置18，它用于辅助地松散或除去在间隙中存在的废浆料。
作为在图5中说明的超声波装置18的一种替代，与固定的不动的安装相反，可以在液槽14内装设可动的超声波装置，可将它移动到任何位置。
操作原理：
清洗过程如下：
在已将载体装置2与辅助装置8一起装入到装置12之后(图5)，使载体装置2所处的位置能将各个晶片6朝向底20。这意味着每个间隙7对液槽14的两侧和底20的方向都是开口的。
通过起动喷淋装置15开始清洗过程。从喷淋元件16喷出的液流21在它通过液槽14的底部20出口之前进入到各个间隙7中，至少部分通过间隙。由于按照本发明如上面详细提出的处理，从各个间隙7可以除去废浆料。取决于污染的程度，如需要那样常常可以重复这种清洗过程。优选地控制液流21本身的温度，和可以有摄氏25-40度的温度。
按照优选的实施例，接着用超声波装置18进行超声波清洗。为此，需要用流体充满液槽14以便从超声波源传送声波。
接着排空液槽14和开始已经描述过的喷淋方法。
以这种方式，如需要那样常常可以重复各个步骤。
在将预清洗的基片坯锭取出之前，优选地再进行喷淋过程；但是要用冷的液体。因为，这样可以防止剩余的废浆料至少不会直接地干燥在晶片上。
藉助按照本发明的装置1和通过实行按照本发明的方法已经有可能自动地预清洗薄、易碎的圆片。特别是在为半导体和太阳能工业制造晶片时需要在锯切割之后立即除去所谓的废浆料。这种废浆料非常牢固地粘接在各个晶片的表面上，从而目前必须要进行人工的处理。但是，藉助按照本发明的方法已经可以高质量和自动预清洗晶片6。
通过对硅晶片处理的描述公开了本发明。当然，按照本发明也可以处理由其他材料，如塑料制成的圆片状基片。
参考数字的说明
1.基片坯锭
2.载体装置
3.玻璃板
4.安装元件
5.一侧
6.晶片
7.间隙
8.辅助装置
9.机构
10.接受装置
11.杆
12.装置
13.壳体
14.液槽
15.喷淋装置
16.喷淋元件
17.槽向流动装置
18.超声波装置
19.超声波源
20.底
21.液流

Claims (17)

1.用于清洗薄晶片(6)的装置，其中将晶片(6)的一侧固定在载体装置(2)，在2个相邻晶片(6)之间形成间隙(7)，该装置基本上包括
-喷淋装置(1 5)，通过它将流体喷入到各个间隙(7)中，和
-可以用液体充满的液槽(14)，它的尺寸使得能容纳载体装置(2)，
其特征在于喷淋装置(15)包括具有许多喷嘴和两部分设计的至少一个喷淋元件(16)，每个部分以这样的方式侧向布置在液槽(14)的一个长边，两部分平行于液槽的纵轴移动，并相对它们的流动方向，定位在相反的方向，其中以这样的方式可以控制至少一个喷淋元件(16)的两部分，不同时启动直接相对的喷嘴。
2.按照权利要求1的装置，其特征在于各喷嘴通过至少一根喷嘴杆互相功能的连接，从而它们可以用相同的流体量供料。
3.按照权利要求1或2的装置，其特征在于至少一个喷淋元件(16)在两侧被分成几段，其中每段有一根喷嘴杆。
4.按照权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于喷淋元件(16)两部分的位置(如果需要，互相分离的)是可调的。
5.按照前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于或者喷淋装置(15)相对不动的载体装置(2)是可以移动的，或者载体装置(2)相对不动的喷淋装置(15)是可以移动，或者载体装置(2)以及喷淋装置(15)可以相对彼此移动。
6.按照前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于装设至少一个超声波装置(18)，将它布置在液槽(14)内可选择地固定或可以移动。
7.按照前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于相对液槽(14)的深度将几个喷淋元件(16)布置在不同的水平上。
8.按照前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于至少一个喷淋元件(16)在液槽(16)内是垂直可调的。
9.按照权利要求6至8中任一项所述的装置，其特征在于超声波装置(18)包括超声波源(19)，将它布置成相对载体装置的水平取向是倾斜的。
10.按照权利要求6至9中任一项所述的装置，其特征在于布置的超声波源(19)是转动的。
11.通过装置清洗薄晶片(6)的方法，其中将晶片(6)的一侧固定在载体装置(2)，在2个相邻晶片之间形成间隙(7)，该装置基本上包括喷淋装置(15)，通过它将流体喷入到各个间隙(7)中，和可以用液体充满的液槽(14)，它的尺寸使得它容纳载体装置(2)，其特征在于下面的过程步骤：
a)将带有基片坯锭(1)的载体装置(2)插入到空的或部分充满的液槽(14)中；
b)用喷淋装置(15)进行清洗过程；
c)用超声波装置(18)在存在液体的条件下进行清洗过程。
12.按照权利要求11所述的方法，其特征在于喷淋装置(15)包括具有许多喷嘴和两部分设计的至少一个喷淋元件(16)，每个部分以这样的方式侧向布置在液槽(14)的一个长边，两部分平行于液槽的纵轴移动，并相对它们的流动方向，定位在相反的方向，和其中以这样的方式可以控制至少一个喷淋元件(16)的两部分，不同时启动直接相对的喷嘴。
13.按照权利要求11或12所述的方法，其特征在于在过程步骤c)之前和之后进行过程步骤b)。
14.按照权利要求11或12所述的方法，其特征在于将过程步骤b)和c)在一个接着另一个之后进行几次。
15.按照权利要求11至14中任一项所述的方法，其特征在于用热的液体进行过程步骤b)。
16.按照权利要求11至15中任一项所述的方法，其特征在于用冷的液体进行过程步骤c)。
17.按照权利要求11至16中任一项所述的方法，其特征在于最终的清洗过程包括使用冷的液体用喷淋装置(15)进行清洗的过程。
CNA2007800017797A 2006-12-15 2007-12-10 清洗物体，特别是薄圆片的装置和方法 Pending CN101361167A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006059810A DE102006059810A1 (de) 2006-12-15 2006-12-15 Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Gegenständen, insbesondere von dünnen Scheiben
DE102006059810.5 2006-12-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101361167A true CN101361167A (zh) 2009-02-04

Family

ID=39106175

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007800017797A Pending CN101361167A (zh) 2006-12-15 2007-12-10 清洗物体，特别是薄圆片的装置和方法
CN2007800015698A Expired - Fee Related CN101361166B (zh) 2006-12-15 2007-12-10 用于对物品尤其对薄的盘片进行清洗的设备和方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800015698A Expired - Fee Related CN101361166B (zh) 2006-12-15 2007-12-10 用于对物品尤其对薄的盘片进行清洗的设备和方法

Country Status (14)

Country Link
US (1) US20080295860A1 (zh)
EP (1) EP2102896B1 (zh)
JP (1) JP4763061B2 (zh)
KR (2) KR20080089629A (zh)
CN (2) CN101361167A (zh)
AT (1) ATE519221T1 (zh)
DE (2) DE202006020339U1 (zh)
DK (1) DK2102896T3 (zh)
ES (1) ES2371117T3 (zh)
NO (1) NO20082527L (zh)
RU (1) RU2390391C2 (zh)
TW (2) TWI344868B (zh)
UA (1) UA92773C2 (zh)
WO (2) WO2008071365A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017063B (zh) * 2008-01-15 2013-10-09 Rec沃佛普特有限公司 用于清洗晶片堆的设备和方法
CN111604305A (zh) * 2020-05-18 2020-09-01 匡仁栩 一种细纺锭子清洗设备用夹持装置的无极调节方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007058260A1 (de) * 2007-11-27 2009-05-28 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung eines gesägten Waferblocks
KR101177038B1 (ko) * 2007-12-10 2012-08-27 레나 게엠베하 물품의 세정 장치 및 방법
ATE545907T1 (de) * 2007-12-10 2012-03-15 Rena Gmbh Vorrichtung und verfahren zum reinigen von gegenständen
WO2009114043A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-17 Automation Technology, Inc. Solar wafer cleaning systems, apparatus and methods
DE102008053598A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zum Lösen von Wafern von einem Waferträger und Vorrichtung dafür
DE102008053597A1 (de) 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Reinigungsvorrichtung für einen Waferblock
DE102008053596A1 (de) 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung eines Waferblocks sowie Trägereinrichtung für einen Waferblock
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US7700535B1 (en) * 2009-01-12 2010-04-20 Ppt Research Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
EP2415070A4 (en) * 2009-04-01 2012-09-26 Cabot Microelectronics Corp SELF-CLEANING WIRE SAW TYPE APPARATUS AND METHOD
DE102009035343A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger
DE102009035342A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Substraten an einem Träger
DE102009035341A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger
JP2011061120A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
GB0919379D0 (en) * 2009-11-04 2009-12-23 Edwards Chemical Man Europ Ltd Wafer prcessing
GB2476315A (en) * 2009-12-21 2011-06-22 Rec Wafer Norway As Cleaning a stack of thin wafers
WO2012053500A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板カセット
DE102010052635B4 (de) * 2010-11-29 2014-01-02 Rena Gmbh Halte-Reinigungsvorrichtung und Verfahren zum abschnittsweisen Reinigen gesägter Wafer
DE102011018523A1 (de) * 2011-03-23 2012-09-27 Schott Solar Ag Herstellung von gesägten Wafern durch Vereinzelung mit einem kalten Fluid
DE102011110592A1 (de) 2011-08-18 2013-02-21 Rena Gmbh Verfahren zum Konditionieren von flachen Gegenständen
DE102012001721A1 (de) * 2012-01-31 2013-08-01 Rena Gmbh Spüleinrichtung zum Abspülen einer Behandlungsflüssigkeit und Verfahren dazu
US20140150826A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) Wafer cleaning apparatus and methods
CN103302071B (zh) * 2013-05-16 2015-12-23 昆山市超声仪器有限公司 超声波洗瓶机用翻转装置
JP2015028971A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
TWM508112U (zh) * 2015-04-30 2015-09-01 Chung King Entpr Co Ltd 用於太陽能電池之基板載具
KR101932410B1 (ko) 2015-08-18 2018-12-31 주식회사 엘지화학 일체형 세척 및 건조 장치
DE102016107840A1 (de) * 2016-04-27 2017-11-02 Elwema Automotive Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Werkstücken aus Metall
CN107717640A (zh) * 2016-08-10 2018-02-23 云南民族大学 一种超声波辅助研磨抛光的方法
KR101905671B1 (ko) * 2016-11-15 2018-10-10 한국에너지기술연구원 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법
GB201819238D0 (en) 2018-11-27 2019-01-09 Rolls Royce Plc Finishing a surface of a component made by additive manufacturing
CN110369393B (zh) * 2019-08-13 2021-04-06 安徽晶天新能源科技有限责任公司 一种硅片生产用超声波清洗机
CN112570370B (zh) * 2020-11-24 2022-04-29 森弘鑫智能设备(苏州)有限公司 一种超声波自动清洗装置
JP2022138907A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 キオクシア株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
CN113866097A (zh) * 2021-09-09 2021-12-31 中国科学院大气物理研究所 光学仪器镜面自动清洁系统及其使用方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2254824A (en) * 1939-01-04 1941-09-02 George P Large Washing machine
US3873071A (en) * 1973-08-01 1975-03-25 Tatebe Seishudo Kk Ultrasonic wave cleaning apparatus
US4358204A (en) * 1980-09-22 1982-11-09 Sidney Ellner Ultrasonic cleaning apparatus
DE3731410A1 (de) * 1987-09-18 1989-04-06 Duerr Gmbh & Co Verfahren und anlage zum flutwaschen
US5069235A (en) 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0669176A (ja) * 1992-01-17 1994-03-11 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ洗浄装置
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers
US5337446A (en) * 1992-10-27 1994-08-16 Autoclave Engineers, Inc. Apparatus for applying ultrasonic energy in precision cleaning
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
JPH07263397A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Hitachi Ltd 超音波洗浄方法
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
JP3274389B2 (ja) 1996-08-12 2002-04-15 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
JPH10223585A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法
US6132523A (en) * 1997-09-19 2000-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Method of cleaning a substrate in a cleaning tank using plural fluid flows
US6119706A (en) * 1997-09-22 2000-09-19 Lucent Technologies Inc. Apparatus for cleaning electronic components
JP4126571B2 (ja) * 1998-04-01 2008-07-30 株式会社東京精密 ウェーハ剥離洗浄装置
US6139591A (en) 1998-03-04 2000-10-31 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer separating and cleaning apparatus and process
TW499696B (en) 1999-04-27 2002-08-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
JP2000308857A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Tokyo Electron Ltd 液処理方法及び液処理装置
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
DE60141123D1 (de) * 2000-02-14 2010-03-11 Panasonic Corp Geschirrspülmaschine
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
US20020166569A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning
US20040025901A1 (en) * 2001-07-16 2004-02-12 Semitool, Inc. Stationary wafer spin/spray processor
US6668844B2 (en) * 2001-07-16 2003-12-30 Semitool, Inc. Systems and methods for processing workpieces
KR100780789B1 (ko) * 2004-04-15 2007-11-30 동경 엘렉트론 주식회사 액 처리 장치 및 액 처리 방법
DE102005058269B4 (de) * 2005-12-06 2011-12-01 Stangl Semiconductor Equipment Ag Vorrichtung zum Reinigen eines gesägten Waferblocks

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017063B (zh) * 2008-01-15 2013-10-09 Rec沃佛普特有限公司 用于清洗晶片堆的设备和方法
CN111604305A (zh) * 2020-05-18 2020-09-01 匡仁栩 一种细纺锭子清洗设备用夹持装置的无极调节方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080089629A (ko) 2008-10-07
TW200941617A (en) 2009-10-01
RU2008130519A (ru) 2010-01-27
CN101361166A (zh) 2009-02-04
WO2008071365A1 (de) 2008-06-19
EP2102896B1 (de) 2011-08-03
RU2390391C2 (ru) 2010-05-27
WO2008071364A1 (de) 2008-06-19
CN101361166B (zh) 2010-06-23
DE202006020339U1 (de) 2008-04-10
DK2102896T3 (da) 2011-11-21
US20080295860A1 (en) 2008-12-04
TWI344868B (en) 2011-07-11
JP4763061B2 (ja) 2011-08-31
ES2371117T3 (es) 2011-12-27
NO20082527L (no) 2009-09-10
JP2009529781A (ja) 2009-08-20
TWI447832B (zh) 2014-08-01
UA92773C2 (ru) 2010-12-10
KR20080069676A (ko) 2008-07-28
DE102006059810A1 (de) 2008-06-19
EP2102896A1 (de) 2009-09-23
ATE519221T1 (de) 2011-08-15
TW200848171A (en) 2008-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101361167A (zh) 清洗物体，特别是薄圆片的装置和方法
CN101896994B (zh) 用于清洁的设备和方法
CN101001715A (zh) 工件的激光加工
JP2009285769A (ja) 切削装置
KR101300787B1 (ko) 절단된 웨이퍼들의 국지적 세정을 위한 유지/세정 장치 및 방법
CN101605615B (zh) 超声波洗涤方法
KR101177038B1 (ko) 물품의 세정 장치 및 방법
CN207952128U (zh) 一种多线切硅片脱胶超声清洗装置
JP6233570B2 (ja) ウエハ洗浄装置
JPH1170456A (ja) 固定砥粒ワイヤソーのワイヤクリーニング装置
JP7300842B2 (ja) 被洗浄物の洗浄方法
US20140150826A1 (en) Wafer cleaning apparatus and methods
JP2006218551A (ja) 切削装置
CN114536213B (zh) 清洁抛光垫的设备和抛光装置
CN111976043B (zh) 一种晶棒切割装置及晶棒切割方法
JPH04240749A (ja) ダイシング装置
JP2006123030A (ja) 高圧液噴射式切断装置
JP4429044B2 (ja) 高圧液噴射式切断装置
WO2009098042A1 (en) Device for cleaning flat substrates
RU2271927C2 (ru) Устройство и способ разделения материалов
JP2006066793A (ja) ウエハ洗浄方法及びその装置
JP4763262B2 (ja) 高圧液噴射式切断装置
JPH118211A (ja) Ｉｃウェハのダイシング装置の装置構造、ダイシング方法、及びｉｃウェハの洗浄方法
JPH11260765A (ja) Ｉｃウェハのダイシング装置の装置構造、ダイシング方法、及びｉｃウェハの洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20090204