TWI408023B - Laser processing device - Google Patents

Laser processing device Download PDF

Info

Publication number
TWI408023B
TWI408023B TW097135455A TW97135455A TWI408023B TW I408023 B TWI408023 B TW I408023B TW 097135455 A TW097135455 A TW 097135455A TW 97135455 A TW97135455 A TW 97135455A TW I408023 B TWI408023 B TW I408023B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser beam
plasma
spectrum
chuck
axis direction
Prior art date
Application number
TW097135455A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200922725A (en
Inventor
Kenji Asano
Hiroshi Morikazu
Kunimitsu Takahashi
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of TW200922725A publication Critical patent/TW200922725A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI408023B publication Critical patent/TWI408023B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
    • G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/443—Emission spectrometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
    • G01N2021/8416—Application to online plant, process monitoring and process controlling, not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/069—Supply of sources
    • G01N2201/0696—Pulsed
    • G01N2201/0697—Pulsed lasers

Description

雷射加工裝置 發明領域
本發明係有關於一種於半導體晶圓等被加工物形成雷射加工孔之雷射加工裝置。
 發明背景
在半導體裝置之製程中，以於略呈圓板形之半導體晶圓表面排列成格子狀之切割道之分割預定線劃分複數個區域，於此劃分之區域形成IC、LSI等裝置。藉沿切割道切斷半導體晶圓，分割形成有裝置之區域，而製造各半導體晶片。
為謀求裝置之小型化、高機能化，層積複數個裝置，連接設置於所層積之裝置之接合墊之模組構造已實用化。此模組構造係於設有半導體晶圓之處形成貫穿孔(通孔)，於此貫穿孔(通孔)植入與接合墊連接之鋁等導電性材料之構造(參照專利文獻1)。
【專利文獻1】 日本專利公開公報2003-163323號
設置於上述半導體晶圓之貫穿孔(通孔)以鑽頭形成。然而，設置於半導體晶圓之貫穿孔(通孔)小至直徑90~300μm，而有因鑽頭之鑿孔，生產性差之問題。
為解決上述問題，提出一種晶圓之鑿孔方法，其係對於基板表面形成複數個裝置並於該裝置形成有接合墊之晶圓，從基板之裡面側照射脈衝雷射光線，而可以良好效率 形成到達接著合墊之通孔(參照專利文獻2)。
【專利文獻2】 日本專利公開公報2007-67082號
 發明揭示
然而，從基板之裡面側照射脈衝雷射光，形成到達接合墊之通孔時，在形成於基板之通孔到達接合墊之時間點不易停止脈衝雷射光線之照射，而有接合墊熔融，形成開孔之問題。
本發明即是鑑於上述情形而發明者，其主要技術課題係提供可不於接合墊開孔，而在晶圓之基板形成到達接合墊之通孔之雷射加工裝置。
為解決上述主要技術課題，根據本發明，提供一種包含有保持晶圓之夾盤及對保持於該夾盤之晶圓照射脈衝雷射光線之雷射光線照射機構的雷射加工裝置，其特徵在於包含有電漿檢測機構及控制機構；該電漿檢測機構係具有接收藉從該雷射光線照射機構對被加工物照射雷射光線而產生之電漿的電漿受光機構及解析以該電漿受光機構接收之電漿之光譜的光譜解析機構者；該控制機構係依該電漿檢測機構之光譜解析機構之光譜解析信號，判定被加工物之材質，以控制該雷射光線照射機構者。
上述光譜解析機構包含將以該電漿受光機構引導之電漿光分解成光譜之分光器、及測量以該分光器分解之光譜 之波長之波長計。
又，光譜解析機構包含將以該電漿受光機構引導之電漿光分解成光譜之分光器、及分別配置於經該分光器分解之光譜之第1設定波長及第2設定波長之位置之第1光檢器及第2光檢器。
再者，光譜解析機構包含將以該電漿受光機構引導之電漿光分成第1光程及第2光程之分束鏡、配設於第1光程且使第1設定波長之光通過之第1帶通濾波器、檢測通過該第1帶通濾波器之光之第1光檢器、配設於該第2光程且使第2設定波長之光通過之第2帶通濾波器、及檢測通過該第2帶通濾波器之光之第2光檢器。
在本發明之雷射加工裝置中，由於包含有具有接收藉從該雷射光線照射機構對被加工物照射雷射光線而產生之電漿之電漿受光機構及解析以該電漿受光機構接收之電漿之光譜的光譜解析機構之電漿檢測機構及依該電漿檢測機構之光譜解析機構之光譜解析信號，判定被加工物之材質，控制該雷射光線照射機構的控制機構，故對表面形成有接合墊之晶圓之基板從裡面照射雷射光線，於基板形成到達接合墊之雷射加工孔時，可依光譜解析機構之光譜解析信號，檢測形成於基板之雷射加工孔到達接合墊。因而，由於檢測出雷射加工孔到達接合墊後，可停止對晶圓之雷射光線之照射，故無接合墊熔融，而形成孔之情形。
 用以實施發明之最佳形態
以下，參照附加圖式，就依本發明構成之雷射加工裝置之較佳實施形態更詳細說明。
第1圖顯示根據本發明構成之雷射加工裝置之立體圖。第1圖所示之雷射加工裝置包含有靜止基台2、於該靜止基台2配設成可於以箭號X所示之加工進給方向(X軸方向)移動，並且保持被加工物之夾盤機構3、於靜止基台2配設成可於與以上述箭號X顯示之方向(X軸方向)垂直相交之以箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)移動之雷射光線照射單元支撐機構4、於該雷射光線照射單元支撐機構4配設成可於以箭號Z顯示之方向(z軸方向)移動之雷射光線照射單元5。
上述夾盤機構3具有於靜止基台2上配設成沿以箭號X顯示之加工進給方向(X軸方向)平行之一對引導軌道31、31、於該引導軌道31、31上配設成可於以箭號X所示之加工進給方向(X軸方向)移動之第1滑動塊32、於該第1滑動塊32上配設成可於以箭號Y方向之分度進給方向(Y軸方向)移動之第2滑動塊33、以圓筒構件34支撐於該第2滑動塊33上之蓋台35、作為被加工物保持機構之夾盤36。此夾盤36具有由多孔性材料形成之吸附夾頭361，以圖中未示之吸引機構將作為被加工物之圓盤狀半導體晶圓保持於吸附夾頭361上。以配設於圓筒構件34內之圖中未示之脈衝馬達，使如此構成之夾盤36旋轉。此外，於夾盤36配設有用以固定後述之環狀框架之夾362。
上述第1滑動塊32之下面設有與上述一對引導軌道31、31嵌合之一對被引導溝321、321，同時，於其上方設有沿以箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)形成平行之一對引導軌道322、322。如此構成之第1滑動塊32構造成藉被引導溝321嵌合於一對引導軌道31、31，而可沿一對引導軌道31、31於以箭號X所示之加工進給方向(X軸方向)移動。圖中所示之實施形態之夾盤機構3具有使第1滑動塊32沿一對引導軌道31、31於以箭號X所示之加工進給方向(X軸方向)移動之加工進給機構37。此加工進給機構37具有平行地配設於上述一對引導軌道31與31間之陽螺桿371、用以旋轉驅動該陽螺桿371之脈衝馬達372等驅動源。陽螺桿371之一端旋轉自如地支撐於固定在上述靜止基台2之軸承塊373，另一端傳動連結於上述脈衝馬達372之輸出軸。此外，陽螺桿371螺合於形成在突出設置於第1滑動塊323之中央部下面之圖中未示陰螺紋塊之貫穿陰螺孔。因而，藉以脈衝馬達372正轉及逆轉驅動陽螺桿371，使第1滑動塊32沿引導塊31、31於箭號X顯示之加工進給方向(X軸方向)移動。
圖中所示之實施形態之雷射加工裝置具有用以檢測上述夾盤36之加工進給量、亦即X軸方向位置之X軸方向位置檢測機構374。X軸方向位置檢測機構374由沿引導軌道31配設之線性標度374a、配設於第1滑動塊32，沿第1滑動塊32及線性標度374a移動之讀取頭374b構成。此X軸方向位置檢測機構374之讀取頭374b在圖中所示之實施形態中，每隔1μm將1脈衝之脈衝信號傳送至後述之控制機構。然後，後 述之控制機構藉計數輸入之脈衝信號，檢測夾盤36之加工進給量、亦即X軸方向之位置。此外，當使用脈衝馬達372作為上述加工進給機構37之驅動源時，藉計數將驅動信號輸出至脈衝馬達372之後述控制機構之驅動脈衝，亦可檢測夾盤36之加工進給量、亦即X軸方向之位置。又，使用伺服馬達作為上述加工進給機構37之驅動源時，將檢測伺服馬達之轉速之旋轉編碼器輸出之脈衝信號傳送至後述之控制機構，藉計數控制機構輸入之脈衝信號，亦可檢測夾盤36之加工進給量、亦即X軸方向之位置。
於上述第2滑動塊33於下面設有與設置於上述第1滑動塊32之上面之一對引導軌道322、322嵌合之一對被引導溝331、331，藉將此被引導溝331、331嵌合於一對引導軌道322、322，構造成可於以箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)移動。在圖中所示之實施形態之夾盤機構3具有第1分度進給機構38，其係使第2滑動塊33沿設置於第1滑動塊32之一對引導軌道322、322於箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)移動者。此第1分度進給機構38具有平行地配設於上述一對引導軌道322與322間之陽螺桿381、用以旋轉驅動該陽螺桿381之脈衝馬達382等之驅動源。陽螺桿381之一端旋轉自如地支撐於固定在上述第1滑動塊32上面之軸承塊383，另一端傳動連結於上述脈衝馬達382之輸出軸。此外，陽螺桿381螺合於形成在突出設置於第2滑動塊33之中央部下面之圖中未示陰螺紋塊之貫穿陰螺孔。因而，藉以脈衝馬達382正轉及逆轉驅動陽螺桿381，可使第2滑動塊33沿引導軌 道322、322於以箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)移動。
圖中所示之實施形態之雷射加工裝置具有用以檢測上述第2滑動塊33之分度進給量、亦即Y軸方向位置之Y軸方向位置檢測機構384。此Y軸方向位置檢測機構384由沿引導軌道322配設之線性標度384a、配設於第2滑動塊33，沿第2滑動塊33及線性標度384a移動之讀取頭384b構成。此Y軸方向位置檢測機構384之讀取頭384b在圖中所示之實施形態中，每隔1μm便將1脈衝之脈衝信號傳送至後述之控制機構。然後，後述之控制機構藉計數輸入之脈衝信號，檢測夾盤36之分度進給量、亦即Y軸方向之位置。此外，當使用脈衝馬達382作為上述分度進給機構38之驅動源時，藉計數將驅動信號輸出至脈衝馬達382之後述控制機構之驅動脈衝，亦可檢測夾盤36之分度進給量、亦即Y軸方向之位置。又，使用伺服馬達作為上述第1分度進給機構38之驅動源時，將檢測伺服馬達之轉速之旋轉編碼器輸出之脈衝信號傳送至後述之控制機構，藉計數控制機構輸入之脈衝信號，亦可檢測夾盤36之分度進給量、亦即Y軸方向之位置。
上設雷射光線照射單元支撐機構4具有於靜止基台2上沿箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)平行配設之一對引導軌道41、41、於該引導軌道41、41上配設成可於箭號Y顯示之方向移動之可動支撐基台42。此可動支撐基台42由於引導軌道41、41上配設成可移動之移動支撐部421、安裝於該移動支撐部421之裝設部422構成。於箭號Z顯示之方向(Z軸方向)延伸之一對引導軌道423、423平行設置於裝設部 422之一側面。圖中所示之實施形態之雷射光線照射單元支撐機構4具有用以使可動支撐基台42沿一對引導軌道41、41於箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)移動之第2分度進給機構43。此第2分度進給機構43具有平行地配設於上述一對引導軌道41與41間之陽螺桿431、用以旋轉驅動該陽螺桿431之脈衝馬達432等之驅動源。陽螺桿431之一端旋轉自如地支撐於固定在上述靜止基台2之圖中未示之軸承塊，另一端傳動連結於上述脈衝馬達432之輸出軸。此外，陽螺桿431螺合於形成在突出設置於構成可動支撐基台42之移動支撐部421之中央部下面之圖中未示陰螺紋塊之陰螺孔。因此，藉以脈衝馬達432正轉及逆轉驅動陽螺桿431，可使可動支撐基台42沿引導軌道41、41於以箭號Y顯示之分度進給方向(Y軸方向)移動。
圖中所示之實施形態之雷射光線照射單元5具有單元支撐器51、安裝於該單元支撐器51之雷射光線照射機構52。單元支撐器51設有可滑動地嵌合於設置上述裝設部422之一對引導軌道423、423之一對被引導溝511、511，藉將此被引導溝511、511嵌合於上述引導軌道423、423，而支撐成可於箭號Z顯示之方向(Z軸方向)移動。
圖中所示之實施形態之雷射光線照射單元5具有使單元支撐器51沿一對引導軌道423、423於箭號Z顯示之方向(Z軸方向)移動之移動機構53。移動機構53具有配設於一對引導機構423、423間之陽螺桿(圖中未示)、用以旋轉驅動該陽螺桿之脈衝馬達532等之驅動源，藉以脈衝馬達532將圖中 未示之陽螺桿正轉及逆轉驅動，可使單元支撐器51及雷射光束照射機構52沿引導軌道423、423於箭號Z顯示之方向(Z軸方向)移動。此外，在圖中所示之實施形態中，藉將脈衝馬達532正轉驅動，可使雷射光線照射裝置52移動至上方移動，藉將脈衝馬達532逆轉驅動，使雷射光線照射裝置52移動下方。
上述雷射光線照射裝置52具有實質上配置成水平之圓筒形殼體521、如第2圖所示，配設於殼體521內之脈衝雷射光線振盪機構6、使脈衝雷射光線振盪機構6振盪之雷射光線之光軸偏轉至加工進給方向(X軸方向)之聲光偏轉機構7、將通過該聲光偏轉機構7之脈衝雷射光線照射至保持於上述夾盤36之被加工物之集光器8。
上述脈衝雷射光線振盪機構6由YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器構成之脈衝雷射光線振盪器61、附設於其之多重頻率設定機構62構成。脈衝雷射光線振盪器61使以多重頻率設定機構62設定之預定頻率之脈衝雷射光線(LB)振盪。多重頻率設定機構62設定脈衝雷射光線振盪器61振盪之脈衝雷射光線之多重頻率。
上述聲偏轉機機構7具有使雷射光線振盪機構6振盪之雷射光線(LB)之光軸偏轉至加工進給方向(X軸方向)之聲光元件71、生成施加於該聲光元件71之RF(radio frequency)之RF振盪器72、將以該RF振盪器72生成之RF之功率放大，施加至聲光元件71之RF放大器73、調整以RF振盪器72生成之RF之頻率之偏轉角度調整機構74、調整以RF振盪器72生 成之RF之振幅之輸出調整機構75。上述聲光元件71可對應於施加之RF之頻率，調整將雷射光線之光軸偏轉之角度，同時，可對應於施加之RF之振幅，調整雷射光線之輸出。此外，上述偏轉角度調整機構74及輸出調整機構75以後述控制機構控制。
又，圖中所示之實施形態之雷射光線照射裝置52具有雷射光線吸收機構76，其係當對上述聲光元件71施加預定頻率之RF時，如第2圖虛線所示，用以吸收經聲光元件71偏轉之雷射光線者。
上述集光器8具有裝設置於殼體521之前端，使以上述聲光偏轉機構7偏轉之脈衝雷射光線朝向下方，轉換方向之方向轉換鏡81、將以該方向轉換鏡81轉換方向之雷射光線聚集之集光透鏡82。
圖中所示之實施形態之脈衝雷射裝置52如以上構成，以下，參照第2圖，就其作用作說明。
從後述之控制機構對聲光偏轉機構7之偏轉角度調整機構74施加5V之電壓，對聲光元件71施加對應於5V之頻率之RF時，從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線之光軸如第2圖點鏈線所示偏轉，而於集光點Pa集光。又，從後述之控制機構對偏轉角度調整機構74施加10V之電壓，對聲光元件71施加對應於10V之頻率之RF時，從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線之光軸如第2圖實線所示偏轉，在從上述集光點Pa於加工進給方向(X軸方向)，在第2圖左方變位預定量之集光點Pb集光。另一方面，從後述之 控制機構對偏轉角度調整機構74施加15V之電壓，對聲光元件71施加對應於15V之頻率之RF時，從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線之光軸如第2圖二點鏈線所示偏轉，而在從上述集光點Pb於加工進給方向(X軸方向)，在第2圖左方變位預定量之集光點Pc集光。又，從後述之控制機構對偏轉角度調整機構74施加0V之電壓，對聲光元件71施加對應於0V之頻率之RF時，從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線之光軸如第2圖虛線所示，被引導至雷射光線吸收機構76。如此，使以聲光元件71偏轉之雷射光線對應於對偏轉角度調整機構74施加之電壓偏轉至加工進給方向(X軸方向)。
返圖第1圖，繼續說明，圖中所示之實施形態之雷射加工裝置具有電漿檢測機構9，其係安裝於雷射光線照射單元5之單元支撐器51，檢測從雷射光線照射機構52對被加工物照射雷射光線而產生之電漿者。如第3圖所示，此電漿檢測機構9具有接收藉對被加工物照射從該雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線而產生之電漿之的電漿受光機構91及解析以該電漿受光機構91接收之電漿之光譜的光譜解析機構92。電漿受光機構91由透鏡盒910、配設於透鏡盒910之集光透鏡911、將以該集光透鏡911集光之電漿光引導至光譜解析機構92之光纖912構成。如此構成之電漿受光機構91以集光透鏡911將從雷射光線照機構52之集光器8照射之雷射光線對被加工物W照射而產生之電漿集光，將以此集光透鏡911集光之電漿光藉由光纖912引導至光譜解析 機構92。
上述光譜解析機構92由將以光線912引導之電漿光分解成光譜之分光器921、測量以該分光器921分解之光譜之波長之波長測量器922構成。此波長測量器922在圖中所示之實施形態中，由CCD線感測器構成，將對應於經分解之光譜之光度之電壓信號傳送至後述之控制機構。如此構成之光譜解析機構92將以光纖912引導之電漿光以分光器921分解成光譜。如此，以分光器921分解之光譜中，矽之光譜之波長為386nm，鋁之光譜之波長為395nm。此外，形成被加工物之物質與電漿之波長之關係記憶於後述控制機構之記憶體。因而，後述之控制機構於以波長測量器922測量之光譜之波長在386nm附近時，以從雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線加工之被加工物W便可判定為矽，以波長測量器922測量之光譜之波長在395nm附近時，以從雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線加工之被加工物W便可判定為鋁。
接著，參照第4圖，就光譜解析機構之另一實施形態作說明。
第4圖所示之光譜解析機構92a由將以光線912引導之電漿光分解成光譜之分光器921、第1光檢器923及第2光檢器924構成，第1光檢器923及第2光檢器924將光譜解析信號傳送至後述控制機構。第1光檢器923配置於以分光器921分解之光譜之波長為第1設定波長、例如386nm之位置，第2光檢器924配置於以分光器921分解之光譜之波長為第2設 定波長、例如395nm之位置。因而，後述之控制機構於從第1光檢器923輸入光譜解析信號時，以從雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線加工之被加工物W可判定為矽，從第2光檢器924輸入光譜解析信號時，以從雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線加工之被加工物W可判定為鋁。
接著，參照第5圖，就光譜解析機構之又另一實施形態作說明。
第5圖所示之光譜解析機構92b由將以光纖921引導之電漿光分成第1光程925及第2光程926之分束鏡927、配設於第1光程925，使波長為第1設定波長、例如386nm之光通過之第1帶通濾波器928、檢測通過該第1帶通濾波器928之光之第1光檢器923、配設於第2光程926，使波長為第2設定波長、例如395nm之光通過之第2帶通濾波器929、檢測通過該第2帶通濾波器929之光之第2光檢器924構成，第1光檢器923及第2光檢器924將光譜解析信號傳送至後述控制機構。如此構成之光譜解析機構92b係以光纖912引導之電漿光中僅波長386nm之光通過第1帶通濾波器928，以第1光檢器923檢測，以光纖922引導之電漿光中僅波長395nm之光通過第2帶通濾波器929，以第2光檢器924檢測。因而，後述控制機構於從第1光檢器923輸入光譜解析信號時，以從雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線加工之被加工物W判可判定為矽，從第2光檢器924輸入光譜解析信號時，以從雷射光線照射機構52之集光器8照射之雷射光線加 工之被加工物W可判定為鋁。
返回第1圖，繼續說明，圖中所示之實施形態之雷射加工裝置具有拍攝機構10，其係配設於殼體521之前端部，拍攝要以上述雷射光線照射機構52雷射加工之加工區域者。此拍攝機構10除了以可視光線拍攝之一般拍攝元件(CCD)外，當以對被加工物照射紅外線之紅外線照明機構、捕捉以該紅外線照明機構照射之紅外線之光學系統、輸出對應於以該光學系統捕捉之紅外線之電信號的拍攝元件(紅外線CCD)等構成，將所拍攝之影像信號傳送至後述控制機構。
依第1圖，繼續說明，圖中所示之雷射加工裝置具有控制機構20。控制機構20具有以電腦構成，根據控制程式，進行運算處理之中央處理裝置(CPU)201、儲存控制程式等之唯讀記憶體(ROM)202、儲存後述控制圖、被加工物之設定值之資料或運算結果之可讀取之隨機存取記憶體(RAM)203、計數器204、輸入介面205及輸出介面206。於控制機構20之輸入介面205輸入上述X軸方向位置檢測機構374、Y軸方向位置檢測機構384、光譜解析機構92(92a、92b)及拍攝機構10等之檢測信號。然後，從控制機構20之輸出介面206將控制信號輸出至上述脈衝馬達372、脈衝馬達382、脈衝馬達432、脈衝馬達532、脈衝雷射光線照射機構52、顯示機構200等。此外，上述隨機存取記憶體(RAM)203具有記憶形成被加工物之物質與電漿之波長之關係的第1記憶區域203、記憶後述晶圓之設計值之資料之第2記憶區 域203及其他記憶區域。
圖中所示之實施形態之雷射加工裝置如以上構成，以下，就其作用作說明。
於第6圖顯示作為雷射加工之被加工物之半導體晶圓30的平面圖。第6圖所示之半導體晶圓30以於矽基板300之表面300a排列成格子狀之複數分割預定線301劃分複數個區域，於此劃分之區域分別形成IC、LSI等裝置302。此各裝置302皆為相同之結構。如第7圖所示，於裝置302之表面形成有複數個接合墊303(303a~303j)。此接合墊303(303a~303j)在圖中所示之實施形態中以鋁形成。此外，在圖中所示之實施形態中，303a與303f、303b與303g、303c與303h、303d與303i、303e與303j之X方向位置相同。於此複數個接合墊303(303a~303j)部分別形成從裡面300b到達接合墊303之加工孔(通孔)。各裝置302之接合墊303(303a~303j)之X方向(在第7圖中為左右方向)之間隔A及隔著形成於各裝置302之303之分割預定線301，於X方向(在第7圖中為左右方向)相鄰之接合墊、亦即接著墊303e與303a之間隔B在圖中所示之實施形態中，設定成相同之間隔。各裝置302之接著墊303(303a~303j)之Y方向(在第7圖中為上下方向)之間隔C及隔著形成於各裝置302之303之分割預定線301，於Y方向(在第7圖中為上下方向)相鄰之接合墊、亦即接合墊303f與303a及303j與303e之間隔D在圖中所示之實施形態中，設定成相同之間隔。關於如此構成之半導體晶圓30，配設於第6圖所示之各行E1....En及各列F1....Fn之裝 置302之個數與上述各間隔A,B,C,D及X,Y座標值之設計值之資料儲存於上述隨機存取記憶體(RAM)203之第2記憶區域203b。
就使用上述雷射加工裝置，於形成於半導體晶圓30之各裝置302之接合墊303(303a~303j)部形成雷射加工孔(通孔)之雷射加工之實施形態作說明。
如第8圖所示，半導體晶圓30將表面300a貼附於裝設在環狀框架40，由聚烯等合成樹脂片構成之保護帶50。因而，半導體晶圓30之裡面300b成為上側。如此進行，藉由保護帶50支撐於環狀框架40之半導體晶圓30之保護帶50側載置於第1圖所示之雷射加工裝置之夾盤36上。然後，藉使圖中未示之吸引機構作動，半導體晶圓30藉由保護帶50，吸引保持於夾盤36上。因而，半導體30以裡面300b為上側而保持。環狀框架40以夾362固定。
如上述，吸引保持有半導體晶圓30之夾盤36以加工進給機構37定位於拍攝機構10之正下方。當夾盤36定位於拍攝機構10之正下方時，夾盤36上之半導體晶圓30呈定位於第9圖所示之座標位置之狀態。在此狀態下，執行形成於保持在夾盤36之半導體晶圓30之格子狀分割預定線301是否平行地配設於X軸方向及Y軸方向之對準作業。即，以拍攝機構10拍攝保持於夾盤36之半導體晶圓30，執行型樣匹配等影像處理，進行對準作業。此時，形成有半導體晶圓30之分割預定線301之表面300a位於下側，由於拍攝機構10如上述具有以紅外線照明機構、捕捉紅外線之光學系統及輸 出對應於於紅外線之電信號之拍攝元件(紅外線CCD)等構成之拍攝機構，故可從半導體晶圓30之裡面300b透過，拍攝分割預定線301。
接著，移動夾盤36，將形成於半導體晶圓30之裝置302之最上面之行E1在第9圖中最左端之裝置302定位於拍攝機構10之正下方。然後，將形成於裝置302之電極303(303a~303j)在第9圖左上之電極303a定位於拍攝機構10之正下方。在此狀態下，當拍攝機構10檢測出電極303a時，將其座標值(a1)作為第1加工進給開始位置座標值，傳送至控制機構20。控制機構20將該座標值(a1)作為第1加工進給開始位置座標值而儲存於隨機存取記憶體(RAM)203(加工進給開始位置檢測步驟)。此時，由於拍攝機構10與雷射光線照射機構52之集光器8於X軸方向間隔預定間隔而配設，故X座標值係儲存加了上述拍攝機構10與集光器8之間隔之值。
如此進行，當檢測出在最第9圖最上面之行E1之裝置302之第1加工進給開始位置座標值(a1)時，將夾盤36於Y軸方向分度進給分割預定線301之間隔，同時，於X軸方向移動，將在第9圖中從最上面算起第2行E2之最左端之裝置302定位於拍攝機構10之正下方。將形成於裝置302之電極303(303a~303j)之第7圖左上之電極303a定位於拍攝機構10之正下方。在此狀態，拍攝機構10檢測出電極303a時，將其座標值(a2)作為第2加工進給開始位置座標值，傳送至控制機構20。然後，控制機構20將此座標值(a2)作為第2加工 進給開始位置座標值，儲存於隨機存取記憶體(RAM)203。此時，由於拍攝機構10與雷射光線照射機構52之集光器8如上述於X軸方向間隔預定間隔而配置，故X座標值係儲存加了上述拍攝機構10與集光器8之間隔之值。之後，控制機構20反覆執行上述分度進給與加工進給開始位置檢測步驟至第9圖最下面之行En為止，檢測形成於各行之裝置302之加工進給開始位置座標值(a3~an)，將之儲存於隨機存取記憶體(RAM)203。
接著，執行於形成於半導體晶圓30之各裝置302之各電極303(303a~303j)部鑿設雷射加工孔(通孔)之鑿孔步驟。鑿孔步驟係先使加工進給機構37作動，使夾盤36移動，將儲存於上述隨機存取記憶體(RAM)203之第1加工進給開始位置座標值(a1)定位於雷射光線照射機構52之集光器8之正下方。如此，第1加工進給開始位置座標值(a1)定位於集光器8之正下方之狀態為第10(a)圖所示之狀態。控制機構20從第10(a)圖所示之狀態控制上述加工進給機構37，以使夾盤36於第10(a)圖中箭號X1所示之方向以預定之移動速度加工進給，同時，使雷射光線照射機構52作動，從集光器8照射脈衝雷射光線。此外，從集光器8照射之雷射光線之集光點P對位於半導體晶圓30之表面30a附近。此時，控制機構20依加工進給量檢測機構374之讀取頭374b之檢測信號，輸出用以控制聲光學偏轉機構7之偏轉角度調整機構74及輸出調整機構75之控制信號。
另一方面，RF振盪器72輸出對應於偏轉角度調整機構 74及輸出調整機構75之控制信號之RF。從RF振盪器72輸出之RF之功率以RF放大器73放大，對聲光元件71施加。結果，聲光元件71將從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線之光軸在第2圖點鏈線顯示之位置至二點鏈線所示之位置之範圍偏轉，同時，調整從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線之輸出。結果，可對第1加工進給開始位置座標值(a1)照射預定輸出之脈衝雷射光線。
就上述鑿孔步驟之加工條件之一例作說明。
光源：LD激發Q開關Nd：YV04波長：355nm多重頻率：2kHz脈衝能量：0.1Mj集光點徑：Φ10μm
執行上述鑿孔步驟時，控制機構20使上述電漿檢測機構9作動，從光譜解析機構92(92a、92b)輸入檢測信號。然後，控制機構20於光譜解析機構為第3圖所示之光譜解析機構9時，若以波長測量器922測量之光譜之波長為386nm時，控制機構20判斷為正將矽基板加工，而繼續上述鑿孔步驟。另一方面，當以波長測量器922測量之光譜之波長為395nm時，控制機構20判斷為以鋁形成之接合墊303已加工，而對聲光偏轉機構7之偏轉角度調整機構74施加0V之電壓，對聲光元件71施加對應於0V之頻率之RF，從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線如第2圖虛線所示，引導至雷射光線吸收機構76。因而，脈衝光線不照射保持於 夾盤36之半導體晶圓30。如此，當對接合墊303照射1脈衝時，以電漿檢測機構9之光譜解析機構檢測出接合墊303已加工，而停止對接合墊303之脈衝雷射光線之照射，故無接合墊303熔融，形成孔之情形。結果，如第10(b)圖所示，可於半導體晶圓30之矽基板300形成到達接合墊303之加工孔304。
此外，光譜解析機構為第4圖及第5圖所示之光譜解析機構92a或光譜解析機構92b時，控制機構20從光譜解析機構92a或光譜解析機構92b之第1光檢器923輸入光譜解析信號時，判斷為正將矽基板300加工，而繼續上述鑿孔步驟。另一方面，從第2光檢器924輸入光譜解析信號時，控制機構20判斷為以鋁形成之接合墊303已加工，而對聲光偏轉機構7之偏轉角度調整機構74施加0V之電壓，對聲光元件71施加對應於0V之頻率之RF，將從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線如第2圖虛線所示，引導至雷射光線吸收機構76。因而，脈衝雷射光線不照射保持於夾盤36之半導體晶圓30。
另一方面，控制機構20輸入X軸方向位置檢測機構374之讀取頭374b之檢測信號，以計數器204，計數此檢測信號。然後，當計數器204之計數值到達下個接合墊303座標值後，控制機構20控制雷射照射光線機構52，執行上述鑿孔步驟。之後控制機構20每當計數器204之計數值到達接合墊303之座標值，控制機構20使雷射光線照射機構52作動，執行上述鑿孔步驟。然後，如第10(b)圖所示，於形成於半 導體晶圓30之E1行之最右端之裝置302之接合墊303之第10(b)圖最右端的電極303e位置上，執行上述鑿孔步驟後，停止上述加工進給機構37之作動，而停止夾盤36之移動。結果，如第10(b)圖所示，於半導體晶圓30之矽基板300形成到達接合墊303之加工孔304。
接著，控制機構20控制上述第1分度進給機構38，以將雷射光線照射機構52之集光器8於垂直於紙面之方向分度進給。另一方面，控制機構20輸入Y軸方向位置檢測機構384之讀取頭384b之檢測信號，以計數器204計數此檢測信號。然後，計數器204之計數值到達相當於接合墊303之第7圖Y軸方向之間隔C之值後，停止第1分度進給機構38之作動，而停止雷射光線照射機構52之集光器8之分度進給。結果，集光器8定位於與上述接合墊303e相對之電極303j(參照第7圖)之正上方。此狀態為第11(a)圖之狀態。在第11(a)圖顯示之狀態下，控制機構20控制上述加工進給機構37，以使夾盤36於第11(a)圖中箭號X2所示之方向以預定之移動速度加工進給，同時，使雷射光線照射機構52作動，而執行上述鑿孔步驟。接著，控制機構20如上述以計數器204計數X軸方向位置檢測機構374之讀取頭374b之檢測信號，每當該計數值到達接合墊303時，控制機構使雷射光線照射機構52作動，執行上述鑿孔步驟。然後，如第11(b)圖所示，於形成於半導體晶圓30之E1行之最右端之裝置302之接合墊303f執行上述鑿孔步驟後，停止上述加工進給機構37之作動，而停止夾盤36之移動。結果，在半導體30之矽基板300， 如第11(b)圖所示，於接合墊303之裡面側形成雷射加工孔304。
如以上進行，於形成在半導體晶圓30之E1行之裝置302之電極303之裡面側形成雷射加工孔304後，控制機構20使加工進給機構37及第1分度進給機構38作動，將形成於半導體晶圓30之E2行之裝置302之接合墊303之儲存於上述隨機存取記憶體(RAM)203之第2加工進給開始位置座標值(a2)定位於雷射光線照射機構52之集光器8之正下方。接著，控制裝置20控制雷射光線照射機構52、加工進給機構37及第1分度進給機構38，於形成於半導體晶圓30之E2行之裝置302之接合墊303的裡面側執行上述鑿孔步驟。之後，亦對形成半導體晶圓30之E3~En行之裝置302之裡面側執行上述鑿孔步驟。結果，於半導體晶圓30之矽基板300，於形成於各裝置302之接合墊303之裡面側形成雷射加工孔304。
此外，在上述鑿孔步驟中，第7圖之X軸方向之間隔A區域與間隔B區域及第7圖之Y軸方向之間隔C區域與間隔D區域不照射脈衝雷射光。如此，為不對半導體晶圓30照射脈衝光線，上述控制機構20對聲光偏轉機構7之偏轉角度調整機構74施加0V之電壓。結果，對聲光元件71施加對應於0V之頻率之RF，從脈衝雷射光線振盪機構6振盪之脈衝雷射光線(LB)如第2圖虛線所示引導至雷射光線吸收機構76，故不對半導體晶圓30照射。
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧夾盤機構
4‧‧‧雷射光線照射單元支撐機構
5‧‧‧雷射光線照射單元
6‧‧‧脈衝雷射光線振盪機構
7‧‧‧聲光偏轉機構
8‧‧‧集光器
9‧‧‧電漿檢測機構
10‧‧‧拍攝機構
20‧‧‧控制機構
30‧‧‧半導體晶圓
31‧‧‧引導軌道
32‧‧‧第1滑動塊
33‧‧‧第2滑動塊
34‧‧‧圓筒構件
35‧‧‧蓋台
36‧‧‧夾盤
37‧‧‧加工進給機構
38‧‧‧第1分度進給機構
40‧‧‧環狀框架
41‧‧‧引導軌道
42‧‧‧可動支撐基台
43‧‧‧第2分度進給機構
50‧‧‧保護帶
51‧‧‧單元支撐器
52‧‧‧雷射光線加工裝置
53‧‧‧移動機構
61‧‧‧脈衝雷射光線振盪器
62‧‧‧多重頻率設定機構
71‧‧‧聲光元件
72‧‧‧RF振盪器
73‧‧‧RF放大器
74‧‧‧偏轉角度調整機構
75‧‧‧輸出調整機構
76‧‧‧雷射光線吸收機構
81‧‧‧方向轉換鏡
82‧‧‧集光透鏡
91‧‧‧電漿受光機構
92‧‧‧光譜解析機構
92a‧‧‧光譜解析機構
92b‧‧‧光譜解析機構
200‧‧‧顯示機構
201‧‧‧中央處理裝置
202‧‧‧唯讀記憶體
203‧‧‧隨機存取記憶體
203a‧‧‧第1記憶區域
203b‧‧‧第2記憶區域
204‧‧‧計數器
205‧‧‧輸入介面
206‧‧‧輸出介面
300‧‧‧矽基板
300a‧‧‧表面
300b‧‧‧裡面
301‧‧‧分割預定線
302‧‧‧裝置
303(303a~303j)‧‧‧接合墊
304‧‧‧雷射加工孔
321‧‧‧被引導溝
322‧‧‧引導軌道
331‧‧‧被引導溝
361‧‧‧吸附夾頭
362‧‧‧夾
371‧‧‧陽螺桿
372‧‧‧脈衝馬達
373‧‧‧軸承塊
374‧‧‧X軸方向位置檢測機構
374a‧‧‧線性標度
374b‧‧‧讀取頭
381‧‧‧陽螺桿
382‧‧‧脈衝馬達
383‧‧‧軸承塊
384‧‧‧Y軸方向位置檢測機構
384a‧‧‧線性標度
384b‧‧‧讀取頭
421‧‧‧移動支撐部
422‧‧‧裝設部
423‧‧‧引導軌道
431‧‧‧陽螺桿
432‧‧‧脈衝馬達
511‧‧‧被引導溝
521‧‧‧殼體
532‧‧‧脈衝馬達
910‧‧‧透鏡盒
911‧‧‧集光透鏡
912‧‧‧光纖
921‧‧‧分光器
922‧‧‧波長測量器
923‧‧‧第1光檢器
924‧‧‧第2光檢器
925‧‧‧第1光程
926‧‧‧第2光程
927‧‧‧分束鏡
928‧‧‧第1帶通濾波器
929‧‧‧第2帶通濾波器
X‧‧‧方向
X1‧‧‧方向
X2‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
P‧‧‧集光點
Pa‧‧‧集光點
Pb‧‧‧集光點
Pc‧‧‧集光點
a1~an‧‧‧座標值
A‧‧‧間隔
B‧‧‧間隔
C‧‧‧間隔
D‧‧‧間隔
W‧‧‧被加工物
E1~En‧‧‧行
F1~Fn‧‧‧列
第1圖係依本發明構成之雷射加工裝置之立體圖。
第2圖係裝設於第1圖所示之雷射加工裝置之雷射光線照射機構之結構方塊圖。
第3圖係裝設於第1圖所示之雷射加工裝置之電漿受光機構之結構方塊圖。
第4圖係顯示構成第3圖所示之電漿受光機構之光譜解析機構之另一實施形態之結構方塊圖。
第5圖係顯示構成第3圖所示之電漿受光機構之光譜解析機構之又另一實施形態之結構方塊圖。
第6圖係作為晶圓之半導體晶圓之平面圖。
第7圖係將第6圖所示之半導體晶圓之一部份擴大顯示之平面圖。
第8圖係顯示將第6圖所示之半導體晶圓貼附於裝設在環狀框架之保護帶之表面之狀態的立體圖。
第9圖係顯示與第6圖所示之半導體晶圓保持於第1圖所示之雷射加工裝置之夾盤之預定位置的狀態之座標之關係的說明圖。
第10(a)圖~第10(b)圖係以第1圖所示之雷射加工裝置執行之鑿孔步驟之說明圖。
第11(a)圖~第11(b)圖係以第1圖所示之雷射加工裝置執行之鑿孔步驟之說明圖。
8‧‧‧集光器
9‧‧‧電漿檢測機構
91‧‧‧電漿受光機構
92‧‧‧光譜解析機構
910‧‧‧透鏡盒
911‧‧‧集光透鏡
912‧‧‧光纖
921‧‧‧分光器
922‧‧‧波長測量器
W‧‧‧被加工物

Claims (1)

  1. 一種雷射加工裝置，包含有保持於基板表面形成複數個裝置並於該裝置形成有接合墊之晶圓的夾盤，及對保持於該夾盤之晶圓照射脈衝雷射光線而形成從裡面到達接合墊之通孔的雷射光線照射機構，該雷射加工裝置之特徵在於具備：電漿檢測機構，具有接收藉從該雷射光線照射機構對被加工物照射雷射光線而產生之電漿的電漿受光機構、及解析以該電漿受光機構接收之電漿之光譜的光譜解析機構；及控制機構，係依該電漿檢測機構之光譜解析機構之光譜解析信號，判定被加工物之材質，以檢測出接合墊已加工，而停止對接合墊照射脈衝雷射光線的方式來控制該雷射光線照射機構，且該光譜解析機構包含將以該電漿受光機構引導之電漿光分解成光譜之分光器，及分別配置於經該分光器分解之光譜之第1設定波長及第2設定波長之位置之第1光檢器及第2光檢器。
TW097135455A 2007-11-21 2008-09-16 Laser processing device TWI408023B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007301270A JP5011072B2 (ja) 2007-11-21 2007-11-21 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200922725A TW200922725A (en) 2009-06-01
TWI408023B true TWI408023B (zh) 2013-09-11

Family

ID=40577248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097135455A TWI408023B (zh) 2007-11-21 2008-09-16 Laser processing device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090127233A1 (zh)
JP (1) JP5011072B2 (zh)
KR (1) KR101364389B1 (zh)
CN (1) CN101439443A (zh)
DE (1) DE102008043820A1 (zh)
TW (1) TWI408023B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI571345B (zh) * 2012-02-20 2017-02-21 Disco Corp The laser processing method and laser processing apparatus
TWI609732B (zh) * 2012-02-09 2018-01-01 Disco Corp 雷射加工裝置

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10493559B2 (en) * 2008-07-09 2019-12-03 Fei Company Method and apparatus for laser machining
WO2011056892A1 (en) * 2009-11-03 2011-05-12 Applied Spectra, Inc. Method for real-time optical diagnostics in laser ablation and laser processing of layered and structured materials
DE102010021596A1 (de) 2010-05-26 2011-12-01 Technische Universität München Verfahren und Vorrichtung zum Schmelzschweißen
KR101237847B1 (ko) 2010-10-13 2013-02-27 광주과학기술원 레이저 유도 붕괴 분광법을 이용한 ｃｉｇｓ 박막 내 물질 분포의 실시간 측정 장치가 구비된 ｃｉｇｓ 박막 태양전지 제조 공정 시스템
ITTO20110352A1 (it) * 2011-04-21 2012-10-22 Adige Spa Metodo per il controllo di un processo di taglio laser e sistema di taglio laser implementante tale metodo
JP5912293B2 (ja) * 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5869259B2 (ja) 2011-08-24 2016-02-24 株式会社ディスコ 穿孔方法およびレーザー加工装置
JP5878330B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
US9157802B2 (en) * 2011-12-14 2015-10-13 Gwangju Institute Of Science And Technology System for real-time analysis of material distribution in CIGS thin film using laser-induced breakdown spectroscopy
JP5969767B2 (ja) * 2012-01-27 2016-08-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5947056B2 (ja) * 2012-02-24 2016-07-06 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6034030B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-30 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6017809B2 (ja) * 2012-03-19 2016-11-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2013198905A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Disco Corp レーザー加工装置
JP5902540B2 (ja) * 2012-04-02 2016-04-13 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
DE102012212278B4 (de) * 2012-07-13 2016-12-15 Arges Gmbh Anordnung zum Erzeugen von Bohrungen oder Schweißnähten
JP6110136B2 (ja) * 2012-12-28 2017-04-05 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6219665B2 (ja) * 2013-10-10 2017-10-25 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6367048B2 (ja) * 2014-08-28 2018-08-01 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
EP3088123A4 (en) * 2015-03-10 2017-04-19 Technology Research Association For Future Additive Manufacturing Optical processing head and 3-dimensional fabrication device
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
WO2016181695A1 (ja) * 2015-05-11 2016-11-17 株式会社日立製作所 溶接装置および溶接品質検査方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
CN106312310B (zh) * 2015-07-01 2018-05-08 湖南大学 基于激光诱导等离子体光谱的激光焊接优化方法及其装置
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
CN107105564B (zh) * 2015-10-14 2019-03-26 天津大学 激光焊小孔等离子体电特性检测方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
DE102016208264A1 (de) * 2016-05-13 2017-11-16 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung, insbesondere zur Regelung, eines Schneidprozesses
JP6382901B2 (ja) * 2016-09-29 2018-08-29 ファナック株式会社 レーザー加工システム
JP6831246B2 (ja) * 2017-01-11 2021-02-17 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
KR102636879B1 (ko) 2018-09-07 2024-02-15 삼성전자주식회사 플라즈마 센싱 장치, 이를 포함하는 플라즈마 모니토링 시스템 및 플라즈마 공정 제어 방법
JP7173802B2 (ja) * 2018-09-13 2022-11-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2020066015A (ja) * 2018-10-23 2020-04-30 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP7239298B2 (ja) * 2018-10-23 2023-03-14 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2020066045A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 株式会社ディスコ レーザー加工方法
CN109950162B (zh) * 2019-03-22 2020-12-22 中国电子科技集团公司第三十八研究所 提升焊盘超声键合质量的激光表面处理方法
JP7285694B2 (ja) * 2019-05-23 2023-06-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置の光軸調整方法
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN111250870A (zh) * 2020-01-15 2020-06-09 武汉理工大学 一种fs激光器加工非单层材料的实时监测方法
KR20220048938A (ko) * 2020-10-13 2022-04-20 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102021121112A1 (de) 2021-08-13 2023-02-16 Precitec Gmbh & Co. Kg Analysieren eines Laserbearbeitungsprozesses basierend auf einem Spektrogramm

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005034885A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Fanuc Ltd レーザ溶接装置
CN1644296A (zh) * 2004-01-20 2005-07-27 日立比亚机械股份有限公司 激光加工设备
CN1754967A (zh) * 2004-09-15 2006-04-05 通用电气公司 用于监视激光冲击处理的系统和方法
TWI259118B (en) * 2002-11-06 2006-08-01 Ultratech Inc Laser scanning apparatus and methods for thermal processing
US20070045254A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Disco Corporation Wafer drilling method

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4213704A (en) * 1977-12-19 1980-07-22 The Singer Company Method and apparatus for sensing the position of a writing laser beam
SE435427B (sv) * 1979-10-29 1984-09-24 Asea Ab Anordning for metning av strom, genomflytande en eller flera ljusemitterande strukturer
JPS6410683A (en) * 1987-07-03 1989-01-13 Nec Corp Apparatus for controlling spectral width of laser
JP2696848B2 (ja) * 1987-08-19 1998-01-14 日本電気株式会社 レーザトリミング装置及びレーザトリミング方法
US5170041A (en) * 1988-02-17 1992-12-08 Itt Corporation Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors
US4847479A (en) * 1988-06-06 1989-07-11 Trw Inc. System for controlling the wavelength and colinearity of multiplexed laser beams
US4956538A (en) * 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
JP2846150B2 (ja) * 1991-06-06 1999-01-13 三菱重工業株式会社 レーザ溶接モニタリング方法及びその装置
JPH0595035A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Tadahiro Omi 分析装置
US5319183A (en) * 1992-02-18 1994-06-07 Fujitsu Limited Method and apparatus for cutting patterns of printed wiring boards and method and apparatus for cleaning printed wiring boards
US5430270A (en) * 1993-02-17 1995-07-04 Electric Power Research Institute, Inc. Method and apparatus for repairing damaged tubes
US5653897A (en) * 1993-02-17 1997-08-05 Electric Power Research Institute Rotating fiber optic coupler for high power laser welding applications
US5514849A (en) * 1993-02-17 1996-05-07 Electric Power Research Institute, Inc. Rotating apparatus for repairing damaged tubes
CA2162573A1 (en) * 1994-03-10 1995-09-14 Tsutomu Fukuda Coating removal apparatus
JPH0910971A (ja) * 1995-06-23 1997-01-14 Hitachi Ltd レーザ加工方法
JPH1085967A (ja) * 1996-09-20 1998-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ誘起プラズマ検出方法とそれを用いるレーザ制御方法およびレーザ加工機
US6285002B1 (en) * 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
JP3343680B2 (ja) * 1999-07-12 2002-11-11 日本酸素株式会社 レーザー分光分析装置
JP3756723B2 (ja) * 1999-07-27 2006-03-15 松下電工株式会社 プリント配線板の加工方法
JP2001219287A (ja) * 2000-02-09 2001-08-14 Sumitomo Metal Ind Ltd レーザ溶接の監視方法
US6924898B2 (en) * 2000-08-08 2005-08-02 Zygo Corporation Phase-shifting interferometry method and system
TWI286623B (en) * 2000-09-06 2007-09-11 Hannstar Display Corp Process for repairing defect applied in liquid crystal display
JP3603843B2 (ja) * 2001-02-23 2004-12-22 日産自動車株式会社 レーザー溶接部の品質モニタリング方法およびその装置
JP2003163323A (ja) 2001-11-27 2003-06-06 Sony Corp 回路モジュール及びその製造方法
DE10210518A1 (de) * 2002-03-09 2003-10-02 Mtu Aero Engines Gmbh Verfahren zur Entschichtung von Triebwerksbauteilen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7485847B2 (en) * 2004-12-08 2009-02-03 Georgia Tech Research Corporation Displacement sensor employing discrete light pulse detection
DE602006007580D1 (de) * 2006-08-07 2009-08-13 Lvd Co Anordnung und Verfahren zur On-Line-Überwachung des Laserprozesses eines Werkstückes unter Verwendung eines Wärmekameradetektors und eines Schiefspiegels
JP2008186870A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Disco Abrasive Syst Ltd ビアホールの加工方法
JP5912293B2 (ja) * 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI259118B (en) * 2002-11-06 2006-08-01 Ultratech Inc Laser scanning apparatus and methods for thermal processing
JP2005034885A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Fanuc Ltd レーザ溶接装置
CN1644296A (zh) * 2004-01-20 2005-07-27 日立比亚机械股份有限公司 激光加工设备
CN1754967A (zh) * 2004-09-15 2006-04-05 通用电气公司 用于监视激光冲击处理的系统和方法
US20070045254A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Disco Corporation Wafer drilling method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI609732B (zh) * 2012-02-09 2018-01-01 Disco Corp 雷射加工裝置
TWI571345B (zh) * 2012-02-20 2017-02-21 Disco Corp The laser processing method and laser processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP5011072B2 (ja) 2012-08-29
US20090127233A1 (en) 2009-05-21
CN101439443A (zh) 2009-05-27
JP2009125756A (ja) 2009-06-11
KR20090052799A (ko) 2009-05-26
DE102008043820A1 (de) 2009-05-28
TW200922725A (en) 2009-06-01
KR101364389B1 (ko) 2014-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI408023B (zh) Laser processing device
JP5912293B2 (ja) レーザー加工装置
TWI575632B (zh) Perforation method and laser processing device
JP4885658B2 (ja) 加工孔の深さ検出装置およびレーザー加工機
TWI609732B (zh) 雷射加工裝置
KR102316369B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
KR101953918B1 (ko) 레이저 가공 장치
CN109465541B (zh) 高度检测装置和激光加工装置
TWI597118B (zh) Laser processing method and laser processing device
TW201318745A (zh) 雷射加工裝置之集光點位置檢測方法
KR20130075656A (ko) 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 가공 장치
KR20120131096A (ko) 레이저 가공 장치
JP6000551B2 (ja) レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法
JP4885650B2 (ja) 表面位置検出装置およびレーザー加工機
JP2012094591A (ja) ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置
JP6219665B2 (ja) レーザー加工装置
JP2007283370A (ja) レーザー加工装置