JP7239298B2 - レーザー加工方法 - Google Patents
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Description
上記したように、アライメントを終えた状態で、レーザー光線照射工程を実施する。チャックテーブル28に保持された基板10の各デバイス12、電極パッド12aの座標位置は、制御手段100に記憶され管理されており、上記したアライメントが実施されることで、基板10上の電極パッド12aを任意の位置に正確に位置付けることが可能になっている。
レーザー光線の波長 :343nm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :2W
パルスエネルギー :40μJ
パルス幅 :10ps
スポット径 :50μm
上記したレーザー光線照射工程が実施されると共に、基板10を構成するリチウムタンタレートから発せられる第一のプラズマ光と、電極パッド12aから発せられる第二のプラズマ光とを検出する検出工程を実施する。該検出工程について、以下に説明する。
上記した検出工程によれば、第一のプラズマ光と、第二のプラズマ光の発生状態を検出することができる。この検出工程において第二のプラズマ光を検出することにより、レーザー光線LBの照射を停止するレーザー照射終了工程を実施する。該レーザー照射終了工程について、より具体的に説明する。
(図3を参照。)のパルスを破線で示している。なお、下記の各実験において変更を明示したパラメータ以外の加工条件は、上記した実施形態の加工条件に沿って実施しており、以下の説明ではその余の加工条件に関する説明は省略している。
パルスレーザー光線の波長 :343nm
繰り返し周波数 :50kHz(基準繰り返し周波数)
平均出力 :2W
パルスエネルギー :40μJ
パルス幅 :10ps
スポット径 :50μm
図6(1)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz:レーザー光線LBの時間間隔0.02ms)をそのまま使用して、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aには穴が開いた。
図6(2)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるレーザー光線LBのうち、偶数番目を間引いて、すなわち1個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を25kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.04ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aには穴が開いた。
図6(3)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるレーザー光線LBのうち、2個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を略16.7kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.06ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aには穴が開いた。
図6(4)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるレーザー光線LBのうち、3個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を12.5kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.08ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aに僅かに穴が開いた。
図6(5)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるレーザー光線LBのうち、4個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を10kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.1ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aの裏面に凹みは見られたが、穴は開かなかった。
図6(6)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるレーザー光線LBのうち、5個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を8.3kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.12ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aの裏面に凹みは見られたが、穴は開かなかった。
図6(7)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるパルスレーザー光線LBのうち、6個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を7.1kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.14ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aの裏面に僅かな凹みは見られたが、穴は開かなかった。
図6(8)に示すように、上記したレーザー加工条件の基準繰り返し周波数(50kHz)によるパルスレーザー光線LBのうち、7個ずつ間引いて実質的に繰り返し周波数を6.25kHz(レーザー光線LBの時間間隔0.16ms)として、一の電極パッド12aに対応する位置に細孔16を形成するレーザー加工を実施し、第二のプラズマ光を検出することによりレーザー光線LBの照射を停止した。その結果、電極パッド12aに穴が開かず、凹みも観察されなかった。
上記した実験結果から、本発明者らは、パルスレーザー光線発振器51によって発生させられるレーザー光線LBの実質的な繰り返し周波数を10kHz以下、すなわち、同一の細孔16に照射されるレーザー光線LBの時間間隔を0.1ms以上に設定することで、電極パッド12aに細孔16が至った際に、第二のプラズマ光を充分に検出することができ、電極パッドに穴が開くという問題が解消することを見出した。さらに、レーザー光線LBの時間間隔を0.15ms以上に設定することにより、電極パッド12aに大きな凹みを生じさせることなく、電極パッド12aに細孔16が至ったことをプラズマ光の検出により適切に判定することができ、レーザー光線照射工程において、パルス状に照射するレーザー光線LBの時間間隔を、0.15ms以上に設定することがより好ましいことも見出した。
10:基板
12:デバイス
12a:電極パッド
121:内接円
122a:照射領域
14:分割予定ライン
16:細孔
20:保持手段
21:X軸方向可動板
22:Y軸方向可動板
24:支柱
26:カバー板
28:チャックテーブル
30:移動手段
40:吸着チャック
42:クランプ
50:レーザー光線照射手段
52:集光器
54:第一の音響光学偏向手段
55:第二の音響光学偏向手段
57:レーザー光線吸収手段
60:撮像手段
70:プラズマ検出手段
71:プラズマ光受光手段
72:ビームスプリッター
72a:第一の光路
72b:第二の光路
73:第一のバンドパスフィルター
74:第一のホトデテクター
76:第二のバンドパスフィルター
77:第二のホトデテクター
100:制御手段
Claims (3)
- 電極パッドを備えたデバイスが表面に形成された基板の裏面にレーザー光線を照射して電極パッドに至る細孔を形成するレーザー加工方法であって、
電極パッドに対応する裏面からパルス状のレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、
レーザー光線の照射によって基板に細孔が形成されると共に基板から発せられる第一のプラズマ光と電極パッドから発せられる第二のプラズマ光とを検出する検出工程と、
該検出工程において、該第二のプラズマ光を検出した際、レーザー光線の照射を停止するレーザー照射終了工程と、
を少なくとも含み、
該レーザー光線照射工程において、レーザー光線の照射位置を1パルス毎に変化させる分散照射を実施して、同一の細孔に照射されるレーザー光線の時間間隔を、該同一の細孔に先に照射されたレーザー光線により発生する該第一のプラズマ光が消滅した後、該第二のプラズマ光を発生させる次のレーザー光線が照射されるように0.1ms以上に設定するレーザー加工方法。 - 該レーザー光線照射工程において、該時間間隔を、0.15ms以上に設定する請求項1に記載のレーザー加工方法。
- 該検出工程では、第一のホトデテクターにより基板から発せられる第一のプラズマ光を検出すると共に、第二のホトデテクターにより電極パッドから発せられる第二のプラズマ光を検出し、第二のホトデテクターによって出力される電圧値が、予め設定された電圧値の閾値を超えた場合に、レーザー光線の照射を終了させる請求項1又は2に記載のレーザー加工方法。
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