TWI375114B - Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof - Google Patents

Description

1375114 九、發明說明 [發明所屬之技術領域】 ~ 本發明是關於半導體積體電路、’ CCD (電荷結合元 '件）、LCD (液晶顯示元件）用彩色濾光片及磁頭等之微 細加工所使用之光罩技術。 【先前技術】 φ 近年來，爲了因應隨著大規模積體電路之高積體化， 而要求電路圖案之微細化，高度之半導體微細加工技術則 成爲極爲重要之要素技術。例如，大規模積體電路之高積 體化是要求必須有構成電路之配線圖案之細線化技術，或 構成單元之層間的配線用之接觸孔圖案的微細化技術。加 速大規模積體電路之圖案微細化，是因爲其高速動作和低 消耗電力化之故，其最有效之方法則是圖案之微細化。

因爲如此之高度微細加工幾乎是藉由使用光罩之光微 _ 影技術而所施行者，故光罩和曝光裝置或光阻材料成爲支 撐微細化技術的基本技術。因此，以實現具有上述被微細 化之配線圖案或被微細化之接觸孔圖案之光罩的目的’持 續開發在光罩素材上形成更微細且更正確之圖案的技術° 爲了在光罩基板上形成高精度之光罩圖案，須以高精 度圖案製作形成在光罩素材上之光阻圖案爲前提。將半導 體基板予以微細加工之時的光微影因藉由縮小投影法所實 行，故形成於光罩之圖案尺寸雖然成爲形成在半導體基板 上之圖案尺寸之4倍左右大小，但是該事態並不是指緩和I 1375114 形成於光罩上之圖案的精度，企圖謀求以比曝光後在半導 體基板上所取得之圖案精度還高之精度，來形成光罩圖 案。 再者，因爲於最近以光微影在半導體基板上所描繪之 電路圖案之尺寸，成爲比曝光光線之波長小許多，故當使 用形成有將電路圖案原樣地放大4倍之光罩圖案而執行縮 小曝光時，由於曝光光線之干擾等的影響，無法將如同光 罩圖案般之形狀複製在光阻膜上。 在此，就以超解像罩幕而言，標準上使用適用藉由執 行所謂之光接近效果修正（Optical Proximity Effect Correction ： OPC )，使複製特性惡化之光接近效果之修 正技術的OPC罩幕，或使相鄰之開口圖案之相位予以180 °變化而使鄰接之開口圖案之中間的光振幅成爲零的相位 位移罩幕。例如，在0PC罩幕上必須形成電路圖案之1 /2 以下之尺寸之 0PC圖案（錘頭或輔助桿（Assist Bar))。 如此一來，不僅用以在半導體基板上取得電路圖案之 光微影而已，即使在用以對光罩素材圖案形成的光微影 中，亦謀求高精度之圖案製作技術。雖然當作光微影性能 指標之一的有「限界解像度」，但是光罩之圖案製作工程 中之光微影，是求取與半導體基板上之電路圖案製作工程 中之光微影同等，或是更高之高限界解像度。 但是，爲了形成光罩圖案，通常是在透明基板上設置 有遮光層的光罩素材上，形成光阻膜，對該光阻膜照射電

S -6- 1375114 子線，執行圖案描繪，並顯像光阻膜而取得光阻圖案。然 後，將該光阻圖案當作遮光層用之蝕刻罩幕，圖案製作遮 光層而取得光罩圖案。爲了以如此之手法取得細微之光罩 圖案，許則光阻膜之膜薄化和遮光層之材料極爲重要。 雖然對應於形成之光罩圖案之微細化，光阻圖案也被 微細化，但是，當不薄化光阻膜之膜厚，僅微細化光阻圖 案時，當作遮光層用之蝕刻罩幕而發揮功能之光阻部之縱 Φ 橫比（光阻膜厚和圖案寬度之比）則變大。 —般而言，光阻圖案之縱橫比變大時，其圖案形狀容 易惡化，將此圖案複製至作爲蝕刻罩幕之遮光層上的精度 則降低。再者，於更極端之時，也發生光阻圖案之一部分 倒塌或產生剝離而使圖案脫落之情形。因此，隨著光罩圖 案之微細化，必須不能太過薄化當作遮光層圖案製作用之 蝕刻罩幕使用的光阻膜厚而使縱橫比變大。 另外，針對將光阻當作蝕刻罩幕施予圖案製作時之遮 % 光膜材料，已經提案有很多材料。其中，鉻化合物膜對於 其蝕刻之資訊量爲多，實用上經常以鉻化合物當作遮光膜 材料使用，事實上以確立標準加工工程。例如，日本特開 2003-1 95479號公報、日本特開2003 - 1 9548 3號公報及日 本新型第3 093 632號公報中揭示有以鉻化合物形成具有 ArF曝光用之光罩素材求取之遮光特性之遮光膜的光罩素 材之構成例。 鉻化合物之遮光膜一般雖然是藉由含氧氯系乾蝕刻而 被圖案製作，但是該蝕刻條件是達到即使對光阻等之有機 1375114 膜也擁有不可忽視程度的蝕刻效果爲多。因此，當將膜厚 比較薄之光阻膜當作罩幕而實行遮光膜之蝕刻時，在該蝕 刻中光阻接受損傷而使得光阻圖案之形狀產生變化，要將 原來之光阻圖案正確複製在遮光膜上則有困難。 但是，要使爲有機膜之光阻同時並存高解像度及高圖 案製作精度和鈾刻耐性在技術上則有困難，只要跟隨著以 往圖案製作之製程，爲了取得高解像性，不得不薄膜化光 阻膜，相反的，爲了擔保圖案製作工程中之蝕刻耐性，限 制了光阻膜之薄膜化，形成在高解像度和蝕刻耐性之間產 生折衷關係的結果。 因此，爲了降低光阻之負荷，形成更高精度之光罩圖 案，必須最適合地選擇遮光膜材料而提案出光罩素材的新 構造。 【發明內容】

針對遮光膜材料已知有許多檢討例，例如日本特開 2001 -3 1 2043號公報中，揭示有使用鉬當作ArF曝光用之 遮光層的例。於該例中，使用遮光層當作鉬金屬膜，使用 氧化鉬膜當作反射防止層，爲了降低蝕刻該兩層之時的光 阻的負荷，是以對光阻比較難以產生損傷之氟系之氣體電 漿實行蝕刻。但是，例如即使選擇如此之條件，只要僅以 光阻當作罩幕來蝕刻遮光層和反射防止層之兩層，對降低 光阻之負荷則有限界，對於要充分滿足以高精度形成爲細 之光罩圖案之要求則有困難。 -8- 1375114 另外，所知之手法也有藉由使用硬式罩幕，減輕乾蝕 刻時之光阻之負擔，例如日本特開昭63-85553號公報中 揭示有將形成在金屬矽化物膜上之Si02膜當作蝕刻罩幕 ‘而實行金屬矽化物膜之乾蝕刻的手法。但是，Si02膜因缺 乏導電性，故於電子束曝光時則容易引起帶電的問題。再 者，光罩素材之缺陷檢查是根據反射率而所執行爲一般， 雖然於ArF曝光用罩幕之缺陷檢查使用257nm之波長光， H 但是爲了正確之缺陷檢查，在該波長之光中必須爲 10〜20%左右之反射率。但是，當將Si02當作蝕刻罩幕使 用時，則有該Si02膜之反射率過高，成爲缺陷檢查之障 礙的問題。 如此一來，以往之光罩素材之構造中，要充分要求以 高精度形成微細之光罩圖案則有困難，該是在將求取曝光 光線短且高解像度之25 Onm以下之波長的光，當作曝光光 線使用之光微影用光罩（KrF : 248nm、ArF : 193nm、 φ F2 : 157nm )中成爲問題，尤其，在用以形成65nm以下 之尺寸的光阻圖案的光阻罩幕中尤其爲嚴重。因此，選擇 用以降低對光阻造成的負荷，形成更高精度之光罩圖案之 遮光膜之材料極爲重要。 本發明是鑒於如此之問題所創作出者，其目的爲提供 一種具備有藉由減輕對形成光罩圖案之時之當作罩幕使用 之光阻所造成之負荷，能夠以高精度形成微細光罩圖案之 構造之遮光膜的光罩素材，及使用此所製作出之光罩。 本發明爲了解決如此之課題，第1發明是具備有對於 -9- 1375114 曝光光線在透明基板上順序疊層第1遮光性膜和第2遮光 性膜的遮光性膜，上述第1遮光性膜是包含有以在氟系乾 蝕刻中實質上不被蝕刻之鉻（Cr)爲主成分的層，上述第 2遮光性膜是包含有以能夠施予氟系乾蝕刻之含矽化合物 爲主成分的層。 上述含矽化合物爲矽之氧化物、氮化物或氧化氮化 物，或是矽和遷移金屬之氧化物、氮化物或氧化氮化物爲 佳，並且，上述遷移金屬爲從鈦（Ti)、釩（V)、鈷 (Co)、鎳（Ni)、鍩（Zr)、鈮（Nb)、鉬（.Mo)、 給（Hf)、鉅（Ta)、鎢（W)所選擇的至少1種金屬元 素爲更佳。 相對於上述第2遮光性膜之曝光光線的光學濃度爲 0.2〜3.0較佳，又以0.5〜2.5爲更佳。再者，上述第2遮光 性膜之膜厚爲l〇nm以上55nm以下較佳，又以25nm以上 55nm以下爲更佳。 並且’上述第2遮光性膜之曝光波長中的消光係數k 是持有從上述基板側至表面側逐漸減少的特性（p r 〇 fi 1 e ) 爲佳，又上述第1遮光性膜爲以金屬鉻、鉻氧化物、鉻氮 化物、鉻氧氮化物、鉻氧化碳化物、鉻氮化碳化物或是鉻 氧氮化碳化物爲主成分之膜爲佳。 上述第1遮光性膜是相對於上述第1遮光性膜之曝光 光線的光學濃度爲0.3〜3.0較佳，又以〇·5~2·0爲更佳， 該膜厚爲5nm以上50nm以下較佳，更佳爲5nm以上 2 5nm以下，又以5nm以上1 5nm以下爲最佳。 -10- 1375114 上述第1遮光性膜和上述第2遮光性膜之至少一方， ' 可以具有使多數層予以順序疊層的多層構造，在上述透明 基板和上述遮光性膜之間可以具備有光學膜。再者，上述 ‘光學膜可以爲包含有相位移位層的膜。 上述相位移位層爲半穿透（halftone )相位移位層， 該半穿透相位移位膜爲矽之氧化物、氮化物或氧化氮化 物，或是矽和遷移金屬之氧化物、氮化物或氧化氮化物。 φ 再者，上述光學膜爲例如能夠氟系乾蝕刻之膜，以與 上述第2遮光性膜相同之條件下，施予氟系乾蝕刻而予以 蝕刻除去的時間（清除時間：Clear Time )，是比上述第 2遮光性膜之清除時間長》 並且，上述第2遮光性膜也可以設爲具有反射防止功 能。 第2發明是一種光罩之製造方法，其具備有準備具有 遮光性膜之光罩素材之步驟，該遮光性膜是在透明基板 % 上，順序疊層以在氟系乾蝕刻中實質上不被蝕刻之鉻爲主 成分之第1遮光性膜，和以能夠施予氟系乾蝕刻之含矽化 合物爲主成分之第2遮光性膜；第1步驟，使用被形成在 上述第2遮光性膜上之光阻罩幕，將該第2遮光性膜施予 氟系乾蝕刻而予以圖案製作；第2步驟，以被上述圖案製 作之第2遮光性膜或光阻膜當作罩幕，將上述第1遮光性 膜施予含氧氯系乾蝕.刻而予以圖案製作。 再者，第3發明是光罩之製造方法，其具備有準備具 有遮光性膜之光罩素材之步驟，該遮光性膜是在被設置在 -11 - 1375114 透明基板上之能夠施予氟系乾蝕刻之光學膜上，順序疊層 以在氟系乾蝕刻中實質上不被蝕刻之鉻爲主成分之第1遮 光性膜，和以能夠施予氟系乾蝕刻之含矽化合物爲主成分 之第2遮光性膜；第1步驟，使用被形成在上述第2遮光 性膜上之第1光阻罩幕，將該第2遮光性膜施予氟系乾蝕 刻而予以圖案製作：第2步驟，除去上述第1光阻罩幕， 在被上述圖案製作之第2遮光性膜上設置第2光阻罩幕， 第3步驟，以被上述圖案製作之第2遮光性膜當作硬式罩 幕，將上述第1遮光性膜施予含氧氯系乾蝕刻而予以圖案 製作，第.4步驟，以上述第2光阻罩幕和上述第1及第2 遮光性膜之至少一方當作罩幕，藉由氟系乾蝕刻將上述光 學膜予以圖案製作，第5步驟，除去上述第1遮光性膜中 之不被上述第2遮光性膜覆蓋之部分。 並且，第4發明是一種光罩之製造方法，其具備有準 備具有遮光性膜之光罩素材之步驟，該遮光性膜'是在被設 置在透明基板上之能夠施予氟系乾蝕刻之光學膜上，順序 疊層以在氟系乾蝕刻中實質上不被蝕刻之鉻爲主成分之第 1遮光性膜，和以能夠施予氟系乾蝕刻之含矽化合物爲主 成分之第2遮光性膜；第1步驟，使用被形成在上述第2 遮光性膜上之第1光阻罩幕，將該第2遮光性膜施予氟系 乾蝕刻而予以圖案製作；第2步驟，將上述被圖案製作之 第2遮光性膜或是上述第1光阻罩幕當作罩幕，將上述第 1遮光性膜施予含氧氯系乾蝕刻而予以圖案製作，第3步 驟，除去上述第1.光阻罩幕，在被上述圖案製作之第2遮 -12- δ 1375114

光性膜上設置第2光阻罩幕，第4步驟，以上述第2光阻 罩幕和上述第1及第2遮光性膜之至少一方當作罩幕，藉 由氟系乾蝕刻將上述光學膜予以圖案製作，第5步驟，除 去上述第1遮光性膜中之不被上述第2遮光性膜覆蓋之部 分。 第3及第4發明，在上述第4步驟中，不被上述第2 光阻罩幕覆蓋之部分的上述第2遮光性膜之清除時間是設 φ 定成比上述光學膜之清除時間短爲佳。並且，在第3及第 4發明中，可以將上述光學膜設定成相位移位層的膜。 若依據本發明，因使第1遮光性膜和第2遮光性膜之 成膜材料互相具有不同蝕刻特性，並以最適合選擇該些予 以組合，故可以減輕對當作形成光罩圖案之時的罩幕使用 之光阻的負荷，其結果可以高精度形成微細之光罩圖案。 【實施方式】 Φ 以下，參照圖面針對用以實施本發明之最佳形態予以 說明。 本發明者爲了減輕形成光罩之圖案實當作罩幕使用之 光阻的負擔，而精心硏究之結果，得到以往之光罩素材之 問題’是因以遮光膜相同之鉻系材料形成被設置在鉻系 材料之遮光膜上之反射防止膜’故反射防止膜和遮光膜之 (乾）蝕刻特性爲類似者，其結果，必須以單一光阻罩幕 加工反射防止膜和遮光膜之點的結論。然後，發現藉由對 具有反射防止功能之遮光性膜（實質性之反射防止膜：以 -13- ~B75m 下，有稱爲「第2遮光性膜之情形」）和當作實質性之遮 光膜而發揮功能之遮光性膜（以下，有稱爲「第1遮光性 膜」之情形）適當選擇乾蝕刻特定互相不同之材料而予以 組合，則可減輕光罩圖案形成時之光阻罩幕之負擔。 因此，於本發明中，就以具有反射防止功能之第2遮 光性膜與當作實質性之遮光膜發揮功能之第1遮光性膜之 材料而言，是選擇蝕刻特性不同之材料（異種材料系）， 採用利用該蝕刻選擇性而減輕光罩圖案形成時之光阻罩幕 之負擔的新穎構造。 詳細如後述，若利用第1遮光性膜和第2遮光性膜之 材料蝕刻選擇性，僅有第2遮光性膜之蝕刻罩幕，使用光 阻罩幕，能夠將被圖案製作之第2遮光性膜當作硬式罩幕 而執行第1遮光性膜之蝕刻。尤其，作爲第2遮光性膜之 材料若選擇對光阻負荷比較輕之氟系乾蝕刻能夠加工之材 料（例如，矽化合物或金屬矽化合物，尤其金屬矽氧化 物、金屬矽氮化物、或者金屬氮氧化氮化物等），光阻罩 幕之負荷則大幅度降低，光阻圖案之形狀變化則顯著減 少，可以將原來之光阻圖案正確複製於具有反射防止功能 之第2遮光性膜。然後，將該被圖案製作之第2遮光性膜 當作硬式罩幕，藉由蝕刻以鉻爲主成分之第1遮光性膜 (鉻系遮光膜），使特定之光罩圖案正確地複製在當作實 質性之遮光膜發揮功能的第1遮光性膜上。並且，能夠使 用殘存之光阻罩幕蝕刻以鉻爲主成分之第1遮光性膜（鉻 系遮光膜）。 -14- 1375114 再者，本發明之光罩素材之構成因也能夠爲了縮短使 备 用光阻罩幕而所實行之蝕刻時間，薄化光阻膜厚，故即使 使光罩圖案予以微細化，縱橫比也不會過大，可以迴避因 光罩圖案惡化而引起圖案複製精度之低下，或因光阻圖案 之一部分剝離而引起圖案掉落等之不良狀況。 如此一來，若選擇能夠對光阻負荷比較輕之氟系乾蝕 刻加工之材料當作具有反射防止功能之第2遮光性膜之材 φ 料，在該第2遮光性膜上形成膜厚比較薄之光阻罩幕而圖 案製作第2遮光性材料，並將該第2遮光性膜當作硬式罩 幕而鈾刻第1遮光性膜（鉻系遮光膜）時，爲了在光罩素 材之圖案製作工程中擔保光阻之蝕刻耐性而限制光阻膜之 薄膜化的制約則不存在，可成爲用以取得高解像度之光阻 膜之薄膜化。即是，以往光罩素材之構造所持有之問題點 (高解像性和蝕刻耐性之間之折衷之關係）被解決，減輕 對光阻之負擔，能夠以高精度形成微細之光罩圖案。 0 以下，藉由實施例，更詳細說明本發明。 (實施例1:光罩素材之基本構造） 第1圖A及第1圖B爲用以說說明本發明之光罩素材 之基本構造例的截面槪略圖，該光罩素材之基板構造是如 第1圖A所示般，光學性地在透明基板11之一方主面上 設置遮光性膜12，該遮光性膜12是依序疊層第1遮光性 膜1 3和第2遮光性膜1 4而所構成。就以基板1 1而言， 可以使用石英玻璃或CF2或是氧化鋁等之一般透明基板。 1375114 再者，第1遮光性膜13在氟素系之乾蝕刻（F系乾蝕 刻）中實質上爲不被蝕刻之膜，其主成分爲鉻。並且’第 2遮光性膜14爲以能夠F系乾蝕刻之含矽化合物爲主成 分的膜。並且，第2遮光性膜14爲以能夠F系乾蝕刻之 含矽化合物爲主成分之膜。 在此，第2遮光性膜14之主成分的含矽化合物是可 以選擇例如矽之氧化物、氮化物或氧化氮化物，或是矽和 遷移金屬之氧化物、氮化物或是氧化氮化物。如此之遮光 性膜因可以確保導電性，於執行藉由電子線之描繪時之帶 電抑制效果優良，尤其，含有遷移金屬之時，可以強烈期 待該特徵。再者，如後述般，即使反射率之波長依存性也 優良。 就以矽含有化合物之遷移金屬而言，可以設爲例如從 鈦（Ti)、釩（V)、鈷（Co)、鎳（Ni)、錐（Zr)、 鈮（Nb)、鉬（Mo)、鈴（Hf)、鉬（Ta)、鎢（W) 所選擇的至少1種金屬元素，但是由乾蝕刻加工性或藥品 耐性及導電性之觀點來看以鉬爲最佳。含有如此遷移金屬 之膜，是具備有當作藥品耐性或導電性及光學特性優良之 反射防止膜的功能。 屬於第2遮光性膜14之材料的含矽化合物之組成 (原子數比：at%)是被設定成砂爲1〇〜95at°/〇、氧爲 0〜60at%、氮爲0〜57at°/。、遷移金屬爲〇〜35at°/c>之範圍，最 佳爲使遷移金屬至少含有0.2at%以上。並且，即使因應所 需，使該含较化合物含有30at%以下之碳亦可。 1375114 對該第2遮光性膜之曝光光線的光學濃度，是被膜設 * 計成相對於順序疊層第1遮光性膜和第2遮光性膜之遮光 性膜之曝光光線的光學濃度成爲2.5以上，較佳爲0.2〜3.0 之範圍，更佳爲0.5〜2.5之範圍。再者，第2遮光性膜14 之厚度雖然因應檢查所使用之光波長而合適予以設計，但 是一般藉由設定成10〜4 5 nm之膜厚而取得反射防止效果。 並且，於ArF曝光用光罩製作所使用之光罩素材之時，將 φ 第2遮光性膜14之厚度設爲15〜3 Onm爲佳。 第2遮光性膜14之曝光波長之消光係數k之特性最 佳是被設計成從基板1 1側逐漸向表面側減少。如此之特 性是可以藉由使屬於第2遮光性膜14之材料的含矽化合 物中之遷移金屬濃度予以變化來予以實現。具體而言，當 提高遷移金屬濃度時，消光係數k變大，相反的可以藉由 降低遷移金屬濃度，縮小消光係數k。即是，若組成設計 成膜中之遷移金屬濃度從基板1 1側向表面側逐漸降低即 參可。 再者，即使依據使含矽化合物中之輕元素（氧、氮、 碳）濃度予以變化，亦可以實現上述消光係數k之特性。 具體而言，當提高輕元素濃度時，消光係數k變小，相反 的，可以藉由降低輕元素濃度增大消光係數k。即是，若 組成設計成膜中之輕元素濃度從基版1 1側至表面側逐漸 變高亦可。 當設計成如此之消光係數特性時，第2遮光性膜1 4 之遮光性變高，可以提高第1遮光性膜13之膜厚設計之 5 -17- 1375114 自由度。依此，除了可控制圖案製作時之第1遮光性膜13 之側面蝕刻量，亦可於當作「反射防止膜」發揮功能之 時，改善反射率之波長特性。 再者，當將第2遮光性膜14之組成設計成在第1遮 光性膜1 3之界面區域中，矽成爲不飽和狀態時，則可以 提昇與第1遮光性膜】3之密著性，另外，當將表面側之 組成設計成矽成爲飽和（或是過飽和）時，除可謀求短波 長域之反射率低減化，而提昇半導體基板上之圖案複製特 性之外，亦可以提昇藥品特性。 第1遮光性膜13爲以鉻爲主成分之膜，例如以金屬 鉻、鉻氧化物、鉻氮化物、鉻氧氮化物、鉻氧化碳化物、 鉻氮化碳化物或是鉻氧氮化碳化物爲主成分。第1遮光性 膜13之組成是被設定成第1遮光性膜13之組成是鉻爲 30~95at%，氧爲 0~60at%，氮爲 0~50at%，碳爲 0〜20at% 之範圍。 相對於該第1遮光性膜13之曝光光線之光學濃度， 是膜設計成使相對於序順疊層第1遮光性膜13和第2遮 光性膜14之遮光性膜12之曝光光線的光學濃度成爲2.5 以上，較佳爲0.3〜3.0之範圍，又更佳爲〇.5~2.0之範 圍。再者，其膜厚較佳被設定成5 nm以上50nm以下，又 更佳爲5nm以上25nm以下。藉由設計成爲如此之膜厚， 則可以充分將導電性抑制成相當低，亦可抑制圖案製作工 程中之側面蝕刻。 通常將第2遮光性膜14當作所謂之「反射防止 1375114 膜」，將第1遮光性膜13當作所謂之「遮光膜」使用， * 但是在本明細書中將疊層該兩層者一體稱爲「遮光性 膜」》並且，該些膜之構成可成爲各種設計。例如，將第 2遮光性膜Μ之基板11側之組成設計成氧或氮含有量極 低，而在功能上成爲「遮光膜」之一部分，相反地，可以 將第1遮光性膜13之第2遮光性膜14側之組成設計成氧 或氮之含量比較高，在機能上成爲「反射防止膜」之一部 φ 分。本說明書中，第1遮光性膜13當作「反射防止膜」 之一部分發揮功能時，也當作實質性之「遮光膜」使用， 第2遮光性膜14當作「遮光膜」之一部分發揮機能時， 也當作實質性之「反射防止膜」使用。 構成本發明之光罩素材之第1遮光性膜13及第2遮 光性膜14當然可以以單一層構成各個，即使將該些膜之 雙方或一方設成疊層複數層之多層膜亦可。於採用如此之 多層構造時，是將各遮光性膜之構成要素的層中之至少1 φ 層之組成，設爲上述組成範圍爲佳。再者，即使取代多層 構造，使膜組成傾斜性變化（傾斜構造）亦可》 當第2遮光性膜（反射防止膜）採用如此之傾斜構造 時，可以使取得相對於檢查所使用之光爲最佳之反射率的 波長區域變寬。再者，藉由提高遮光性膜之最表面之輕元 素含量（或是，設置輕元素含有量高之膜），則可以提高 表面之化學安定性。並且，藉由提高第1遮光性膜（遮光 膜）之基板側之l〇nm左右之區域之輕元素含有率，降低 鉻含有率，則可以抑制蝕刻面內不均勻。 -19- 1375114

再者，如第1圖B所示般’並不直接在基板11之主 面上設置遮光性膜12’即使在基板11和遮光性膜12之間 (即是，基板π和第1遮光性膜13之間）設置第3光學 膜15亦可。當作如此之第3光學膜1 5例如蝕刻阻止 (Etching Stopper )膜或半透明膜或相位移位膜等。於設 定成設置有如此之第3光學膜15之構造時’是膜設計成 相對於該第3光學膜15和第1遮光性膜13和第2遮光性 膜14之曝光光線之光學濃度之總合成爲2.5以上。並 且，當然亦可設置第4或第5之光學膜。

雖然有將第3光學膜15設爲半穿透（halftone)相位 移位層（半穿透相位移位層）之時，則與上述第2遮光性 膜1 4相同，以設爲可氟系乾蝕刻之膜組成爲佳，就以成 膜材料而言，適合選擇矽之氧化物、氮化物或氧化氮化 物，或者矽和遷移金屬之氧化物、氮化物或氧化氮化物 等。再者，最佳爲在與第2遮光性膜14相同條件下，組 成或膜厚被設計成施予氟系乾蝕刻之時之清除時間（被蝕 刻除去時間），比第2遮光性膜1 4之清除時間長。 將第2遮光性膜14或第3光學膜15之成膜材料，設 爲矽或矽和遷移金屬之氧化物或氮化物或是氧化氮化物之 時的成膜’是可以藉由如日本特開平7-140635號公報所 揭示之公知手法來實行。例如，適當組合矽和鉬或是矽化 鉬之靶材，在反應性氣體環境中或是反應性氣體和氬等之 惰性氣體之混合氣體環境中執行反應性濺鍍而成膜。 同樣的’即使將第1遮光性膜Π之主成分設爲鉻氧 -20- 1375114 化物、鉻氮化物、鉻氧氮化物、鉻氧化碳化物、鉻氮化碳 化物或是鉻氧氮化物之時，也能夠採用將鉻當作靶材執行 反應性濺鍍等之公知手法。 就以該些之濺鍍方式而言，即使使用直流（DC)電 源，或是高頻（RF)亦可，即使爲磁電管或是其他方式亦 可。就以濺鍍氣體而言，可以使用 Ar、Ne等之惰性氣 體。再者，反應性氣體是配合目的之組成適當選擇。例 如，於形成CrO之膜時，使用含有〇2等之氧，於形成 CrON膜之時，混合使用N2' N02、N20、NO等之含氮之 氣體，和02、N20、NO、N02等之含氧之氣體，於形成 CrONC膜之時，混合使用CO、C02、CH4等之含碳之氣 體，和N2、N〇2、N20、NO等之含氮之氣體’和02、 N20、NO、N〇2等之含氧之氣體。 (實施例2:光罩素材之製造過程） 本實施例是說明用以取得在實施例1中所說明之構成 的本發明光罩素材的製造過程。 [第1遮光性膜（遮光膜）] 第2圖是用以說明本發明之光罩素材所具備之第1遮 光性膜之成膜所使用之濺鍍裝置之構成的槪略截面圖’於 該圖中，11是表示6吋之角形石英基板之透明基板，101 是表示腔室，l〇2a是表示第1靶材，l〇2b是第2紀材’ 103是濺鍍氣體導入口 ’ 1〇4是氣體排氣口 ’ 105是基板旋 -21 - Γ37Μ14 轉台，106a及106b各爲用以將偏壓施加至第1及第2靶 材之電源。 本實施例是使用鉻靶當作第1靶材l〇2a，藉由僅濺鍍 該靶材，形成鉻之第〗遮光性膜。濺鍍氣體是使用Ar’ 以lOsccm之流量將 Ar氣體導入至腔室101內，並以 4sccm之流量將1^2氣體導入至腔室101內，將腔室內氣體 壓設爲O.lPa。然後，將成膜前加熱溫度設爲120°C，將 1000W之放電電力施加至Cr靶，一面以30rpm使基板11 旋轉，一面形成膜厚4Gnm之氮化鉻膜，將此設爲第1遮 光性膜（遮光膜）。並且，該氮化鉻膜之組成是鉻（Cr) 和氮（N )之組成比（原子比）爲9 : 1之CrN ( Cr : N = 9 : 1 )膜。 [第2遮光性膜（反射防止膜）] 使用第2圖所示之構成的濺鍍裝置，在第1遮光性膜 (遮光膜）上形成第2遮光性膜（反射防止膜），成爲本 發明之光罩素材之遮光性膜。並且，在此所使用之靶材是 第1靶材102a使用矽（Si)單晶，第2靶材l〇2b使用矽 化鉬（M〇Si3 )多晶。進行氣體流量設定使成膜中之腔室 氣體壓力成爲O.lPa，一面以30rpm使基板旋轉，一面形 成矽化鉬化合物膜（MoSiN )膜。 具體而言，以20SCCm之流量將Ar氣體導入至腔室 101內，並以Osccm之流量將仏氣體導入至腔室101內， 將腔室內氣體壓設爲O.lPa，將700W之放電電力施加至 -22- 1375114

MoSi3靶，將300W之放電電力施加至Si靶，一面以 3〇rpm使基板η旋轉，一面開始成膜，接著，以5sccm 之流量將Ar氣體導入至腔室101內，並以50sccm之流量 將N2氣體導入至腔室1〇1內，將腔室內氣體壓設爲 O.lPa，一面連續性使成膜條件變化成M〇Si3靶之放電電 力成爲100W，Si靶之放電電力成爲900W，一面形成膜厚 約成爲20nm之膜。若設爲如此之成膜條件，則可以成爲 φ 持有膜中之遷移金屬含有量或氮含有量爲漸漸變化之組成 傾斜之「傾斜構造」之膜》 [第3光學膜] 第3光學膜之形成也與第1及第2遮光性膜相同，使 用第2圖所示之構成之濺鍍裝置而所執行。如之前所說明 般，將該第3光學膜設爲半穿透相位移位層之時，以矽之 氧化物、氮化物或氧化氮化物，或是矽和遷移金屬之氧化 φ 物、氮化物或氧化氮化物來加以形成爲佳。因此，因應以 何種化合物形成半穿透相位移位層，適當選擇濺鍍用之靶 材，以上述第2遮光性膜大槪相同之條件下來形成。 並且，亦可以使半穿透相位移位層成爲疊層互相不同 組成膜之複合膜。如此之半穿透相位移位層是膜組成被設 計成由上述列舉之材料所構成之單層膜或多層膜之透過率 爲2〜40%，相位移位量約成爲180°。具體之成膜例則如下 述般。 首先，以使用Si單晶作爲第1靶材102a，使用

-23- 1375114

MoZrSi4燒結體當作第2靶材102b，施加560W之放電電 力至MoZrSi4靶，將1 000W之放電電力施加至Si靶，一 面以30rpm使基板11旋轉，一面執行濺鍍成膜，在基板 11上形成l〇nm厚度之光學調整層。濺鍍氣體爲流量 8sccm之Ar、流量20sccm之N2及流量5seccm之〇2混合 氣體。再者，濺鍍時之腔室內氣體壓力設定成〇.15Pa。 接著，將放電電力變更成M〇ZrSi4靶成爲430W，Si 靶成爲 1 000W，將濺鍍氣體變更成 15sccm之 Ar ' lOOsccm之N2及lsccm之〇2之混合氣體，一面以30rpm 使基板11予以旋轉，一面以氣體壓力0.25 Pa形成厚度 40nm之低應力層" 並且，將放電電力變更成M〇ZrSi4靶成爲l〇〇W，Si 靶成爲1 000W，將濺鍍氣體變更成5sccm之Ar、50sccm 之N2及5sccm之〇2之混合氣體，一面以30rpm使基板 11予以旋轉，一面以氣體壓力O.lPa形成厚度20nm之表 面層。 如此一來，將半穿透相位移位層構成由光學調整層和 低應力層和表面層之3層所構成之疊層構造 [當作第2遮光性膜之硬式罩幕之實用性] 使用具備有以上述條件所形成之第1及第2遮光性膜 之光罩素材，執行確認當作第2遮光性膜之硬式罩幕之實 用性。在第2遮光性膜上塗佈化學放大型光阻（膜厚 lOOnm)，以電子線微影予以圖案形成而形成光阻罩幕， 1375114 將此當作罩幕對第2遮光性膜（反射防止膜）施予氟系乾 鈾刻（CF4流量 80sccm、施加偏壓 6(^W、腔室內壓力 2Pa)而執行圖案製作。 以掃描型電子顯微鏡觀察圖案製作完成後之光罩素材 之結果，其蝕刻截面形狀爲良好，可以確認到第1遮光性 膜（遮光膜）之蝕刻實質上無進行。由該結果，可以確認 出第2遮光性膜（反射防止膜）可以充分當作圖案製作第 Φ 1遮光性膜（遮光膜）之時的硬式罩幕使用。 [光學濃度] 使用具備有以上述條件形成之第1及第2遮光性膜之 光罩素材，以分光度計測量自基板側使光射入至此之時的 遮光性膜之光學濃度。 第3圖是表示在以上述條件所形成之CrN(Cr:N = 9:1)之第1遮光性膜（膜厚4 0nm )上，具備有膜厚爲 φ 23.4nm之MoSiN之第2遮光性膜之光罩素材之光學濃度 (OD)乏波長依存性的圖式。如該圖所示般，波長193nm 之光的光學濃度是取得3.0左右之値，確認出可以將ArF 曝光之光學濃度設爲2.5以上。 並且，如第3圖所示之光罩之第2遮光性膜，首先以 2〇Sccm之流量將濺鍍氣體導入至腔室1〇1內，以〇3^111 之流量將N2氣體導入至腔室101內’將腔室內氣體壓設 爲O.lPa，將初期放電電力設定成MoSi3靶爲700W，Si靶 爲3 00W而開始形成膜，之後，接著，以5sccm之流量將

-25- 1375114

Ar氣體導入至腔室101內，以5Sccm之流量將N2氣體導 入至腔室101內，將腔室內氣體壓設爲O.lPa，一面連續 性使成膜條件予以變化，一面形成膜以使最終放電電力 MoSi3靶成爲100W，Si靶成爲900W。 [反射率之波長依存性] 使用具備有以上述條件所形成之第1及第2遮光性膜 之光罩素材，以分光'光度計測量從遮光性膜側使光射入至 此之時的反射光之強度而測定反射率之波長依存性。 第4圖是表示測量相對於從波長190nm至600nm之 範圍之光的反射率之結果的圖，表1是有關No.l至4之 評估試料之各個成膜條件。並且，評估試料Νο·1~3是將 第2遮光性膜設爲單層構造者，評估試料Νο.4是將第2 遮光性膜設爲兩層構造。 由第4圖所示之結果可知，除可使ArF曝光波長（λ = 193nm)之光中的反射率成爲10%以下，加以設定低反射 率之外，亦可使檢查波長（λ=257ηιη)之光中的反射率縮 小在10·〜20%之範圍。 如此一來’確認出若第2遮光性膜（反射防止膜）之 膜厚在15〜30nm之範圍時，則可以將相對於2 5 7nm之波 長之光的反射率設爲1 0〜2 0 %，能夠以一般性之缺陷檢查 裝置執行檢查。 在此，評估試料No .3是第2遮光性膜成膜時之濺鍍 功率被設爲一定’膜中之遷移金屬組成不具有傾斜。此 -26- 1375114 時，比起以其他成膜條件（膜中之遷移金屬組成持有傾斜 之成膜條件）所形成之膜，反射率之波長依存性變大，有 難以控制檢查波長之反射率的傾向。該是因爲比起使遷移 金屬和氮含有量之雙方設爲傾斜構造之其他條件，消光係 數k之基板側和表層側之差變小，多重反射條件變銳利之 故。再者’評估試料No. 3所具備之第2遮光性膜，雖然 膜中之遷移金屬含有量（at% )較少，但是如此之組成， 是表示由於在長波長域的消光係數k變小，故反射率之波 長依存性變大的傾向。 表1 成膜 條件 第2遮光 性膜構成 濺鍍功率 MoSi3(W) 濺鍍功率 Si(W) Ar流量 (SCCM) N2流量 (SCCM) 成膜 時間 (sec) 總膜 厚(A) No.l 單層 700—100 300—900 20-^5 0^50 200 197 No.2 單層 700-^ 100 300—900 20—5 0—50 250 234 No.3 單層 100 900 20—5 0—50 250 195 No.4 雙層(第1層） 700, 100 300—900 20—5 0—50 200 214 (第2層） 100 900 5 50 50

[化學性安定性（藥品耐性）] 使用上述具備有以上述條件所形成之第1及第2之遮 光性膜的光罩素材，執行化學性安定性（藥品耐性）之確 認。具體而言，藉由分光光度計測量各1小時浸泡在氨過 水（氨水：過氧化氫水：水=1 : 1 : 3 0 (容量比）），及 硫酸過水（硫酸；過氧化氫水=4 :1 (容量比））之後的反 射率變化量。其結果，即使在上述任一條件中波長3 65nm 中之反射率變化皆爲2%以下，確認出表示實用上充分之 -27- T37M14 化學性安定性（藥品耐性）。 (實施例3:二元式光罩之製程） 本實施例是說明使用本發明之光罩素材而用以取得光 罩之製程。在此，光罩以二元式罩幕予以說明。 第5圖A至第5圖E是用以說明二元式光罩之製程的 圖式，首先，在設置在基板11上之遮光性膜12上塗佈光 阻膜16(第5圖A)，在該光阻16上形成電路圖案描繪 用之光阻圖案17(第5圖B)。並且，以塗佈光阻膜16 之前，先施予用以降低基板表面之表面能量的表面處理爲 佳。該是在之後的製程中，用以防止形成有微細圖案之光 阻罩幕剝落或倒塌的處理。 就以該表面處理方法之最好方法而言，有在半導體製 造工程中常使用之HMDS(hexamethyldislazance)或以其 他之有機矽系之表面處理劑使基板表面（實際爲遮光性膜 表面）予以烷基矽（Alkylsilyl)化之方法，使基板表面 暴露於含有該些表面處理劑之氣體中，或是直接將表面處 理劑塗佈在基板表面上等之方法。 所使用之光阻因應製作光罩圖案所使用之描繪裝置而 選擇適當者，就以微細圖案製作一般所使用之電子束 (EB)描繪用光阻而言，一般使用聚合物中含有芳香族骨 格之正型或負型之光阻。並且，於形成更微細圖案之光罩 製作，以使用化學放大型光阻爲佳。 光阻膜16是設成良好取得圖案形狀，並且能夠發揮 -28- 1375114 蝕刻罩幕之功能之範圍的膜厚。尤其，製作求取微細圖案 形成之ArF曝光用光罩之時的光阻膜1 6必須爲縱橫比不 變大之比較薄的薄，以3 5 0nm以下爲佳，更佳爲250nm 以下。 另外，光阻膜16之膜厚下限是綜合性考慮所使用之 光阻材料之蝕刻耐性等之條件而決定，使用一般之光阻材 料時，則以75nm以上爲佳，更佳爲lOOnm以上》並且， φ 於採用藉由組合使用矽樹脂之光阻和使用芳香族樹脂之下 層膜之「多層光阻法」，或組合芳香族化學放大型光阻和 矽表面處理劑之「表面成像法」之時，能夠使光阻膜16 之總厚比上述値更薄。並且，光阻之塗佈條件或乾燥方法 當然因應所使用之光阻而適當選擇。 對光阻膜16之描繪雖然能夠藉由光照射之方法而予 以執行，但是一般爲了形成微細圖案，最佳採用EB照射 之方法。例如，光阻使用化學放大型而藉由EB照射此而 Φ 予以描繪之時，通常以3〜3 0// C/cm2之能量密度範圍之電 '子.車執行描繪，於該描繪之後，執行加熱處理及顯像處理 . 取得光阻圖案17。 '將却.此所取得之光阻圖案1 7當作罩幕，執行持有當 ' 作反射防止膜之功能的第2遮光性膜14之圖案製作（第5 圖C)。第2遮光性膜14因爲以含有矽化合物爲主成分 ’之膜’故能夠以氟.系（F系）或是非含氧氯系（ci系）之 乾蝕刻予以蝕刻，但是本發明中，如此氟系乾餓刻所使用 之氣體.雖.然爲CF4或C2F6等之含氟氣體，但是即使因應 -29- 所需添加氧等之氣體亦可。 該蝕刻工程因實質上不蝕刻以鉻爲主成分之膜的第1 遮光性膜13,故光阻圖案17僅當作第2遮光性膜14之蝕 刻罩幕發揮功能。因此，光阻圖案17之厚度因可在發揮 當作第2遮光性膜14之蝕刻罩幕功能之範圍下予以薄膜 化，故即使因應所需添加氧等之氣體亦可，故可以抑制縱 橫比之增大而提高圖案製作之精度。 接著，作爲蝕刻罩幕被圖案製作之光阻17和第2遮 光性膜14,是將第1遮光性膜13執行含氧氯系（（C1 + 0 系）乾鈾刻而予以圖案製作（第5圖D) »在此，含氧氯 系乾蝕刻之條件並不特別限制，即使爲以往將鉻化合物膜 予以乾蝕刻時所使用之眾知者亦可。例如，將氯氣體和氧 氣體之混合比（Cl2氣體：02氣體）體積流量比設爲1: 2~20 : 1，因應所需混合氦等之惰性氣體。並且，當以對 氯氣體以5%以上之體積流量比混合氧氣體之時，則確認 出當作第2遮光性膜使用之含矽化合物的實質蝕刻不執 行。 如此一來，完成遮光性膜之圖案製作，殘留在第2遮 光性膜14上之光阻圖案17被剝離（第5圖E)，以硫酸 和過氧化氫水混合液或氨水和過氧氫水之混合液等之洗淨 液執行最終洗淨而完成二元式罩幕。 (實施例4 :相位移位罩幕之製程） 本實施例中，是說明用以使用本發明之光罩素材而取 -30- 1375114 得相位移位罩幕之製程。 第6圖A至第6圖I是用以說明相位移位罩幕之製程 的圖式，首先，在使相位移位層15介於中間而被設置在 基板11上之遮光性膜12之上方塗佈第1光阻膜18(第6 圖A)，在該光阻膜18形成電路圖案描畫用之第1光阻 圖案19(第6圖B)。並且，如同上述般於塗佈光阻膜 18之前，以先施予用以降低基板表面能量之表面處理爲 φ 佳。再者，在此選擇最佳所使用之光阻或膜厚也如同上述 般。 將如此所取得之第1光阻圖案19當作罩幕，以氟乾 蝕刻執行持有當作反射防止膜之功能的第2遮光性膜1 4 之圖案製作（第6圖C)。 在此狀態下，剝離第1光阻圖案19 (第6圖D )，重 新塗佈第2光阻膜而施予圖案製作，形成第2光阻圖案20 (第6圖E)。該第2光阻圖案20是被形成最終在所欲 φ 之區域殘留遮光性膜12。並且，一般之相位移位罩幕是最 終應取得之遮光性膜1 2之圖案之微細度是比相位移位層 1 5之圖案微細度低。因此，材料是選擇至完成所有蝕刻爲 止，在以光阻所覆蓋之部分的第2遮光性膜上不產生物性 變化1 5之圖案微細度，並且重視高解像性不如以重視蝕 刻性而當作保護膜之第2光阻膜。 接著’將被圖案製作之第2光阻圖案20和第2遮光 性膜14當作蝕刻罩幕’將第1遮光性膜13執行含氧氯系 (C1 + 0))系）乾蝕刻而予以圖案製作（第6圖F)。該 -31 - 13/5114 含氧氯系乾蝕刻之條件也如之前所說明般，例如，將氯氣 體和氧氣體之混合比（C12氣體：〇2氣體）體積流量比設 爲1 : 2〜20 : 1，因應所需混合氦等之惰性氣體。如此一 來，完成遮光性膜12之圖案製作。 如之前所說明般，相位移位層1 5之成膜材料以能夠 氟系乾蝕刻，使用矽或矽和遷移金屬之氧化物、氮化物或 是氧化氮化物等，其圖案製作是藉由氟系乾蝕刻所實行。 並且，該工程中，不被第2光阻圖案20所覆蓋之第2遮 光性膜14接受蝕刻，故爲當作實效之蝕刻罩幕發揮功能 之鉻系材料所構成之第1遮光性膜13，將此當作罩幕圖案 複製至相位移位層15(第6圖G)。 本實施例中，組成或膜厚是被設計成以與第2遮光性 膜1 4相同之條件下施予氟系乾蝕刻之時的相位移位層1 5 之清除時間（被蝕刻除去時間），比第2遮光性膜14之 清除時間長。當執行如此之清除時間設定時，第2遮光性 膜14在相位移位層15之蝕刻工程中完全被除去，在蝕刻 完成階段，於不被第2光阻圖案20所保護之相位移位層 15之上方’僅殘留有由鉻系材料所構成之第1遮光性膜 1 3。並且’該相位移位層1 5之蝕刻條件可以依據眾知之 一般手法。 然後’不需要遮光性膜之第1遮光性膜13是以鉻系 材料之一般性蝕刻條件被除去（第6圖Η )，最後，殘存 於第2遮光性膜14上之第2光阻圖案20被剝離（第6圖 I )，以硫酸和過氧化氫水之混合液或氨水和過氧化氫水 -32- 1375114 之混合液等之洗淨液執行最終洗淨而完成相位移位罩幕。 並且，如第7圖A〜第7圖I所示般，第2光阻圖案 2〇即使設置於第1遮光性膜13之蝕刻後亦可。此時，在 遮光膜12上塗佈第1光阻膜18(第7圖A)，在該光阻 膜18上形成電路圖案描畫用之第1光阻圖案19(第7圖 B)，將該第1光阻圖案1 9當作罩幕以氟系乾蝕刻執行第 2遮光性膜14之圖案製作（第7圖C)。然後，將第2遮 φ 光性膜14(和第1光阻圖案19)當作蝕刻罩幕，對第1 遮光性膜13執行含氧氯系（C1 + 0 )系）乾蝕刻而予以圖 案製作（第7圖D )。 於該狀態下，剝離第1光阻圖案19 (第7圖E )，重 新塗佈第2光阻膜，施予圖案製作而形成第2光阻圖案20 (第7圖F)。然後，藉由氟系乾蝕刻施予相位移位層J 5 之圖案製作，將由鉻系材料所構成之第1遮光性膜1 3當 作實效性之蝕刻罩幕，在相位移位層1 5上複製圖案（第7 φ 圖G)。不需要遮光性膜之第1遮光性膜13是以鉻系材 料之一般蝕刻條件被除去（第7圖Η )，最後剝離殘存於 第2遮光性膜14上之第2光阻圖案2〇 (第7圖I )，以 硫酸和過氧化氫水之混合液或氨水和過氧化氫之混合液等 之洗淨液執行最後洗淨而完成相位移位罩幕。 (實施例5:具備有鉻化合物之第2遮光性膜之二元式光 罩素材） 本比較例中，是針對將第2遮光性膜設爲鉻化合物之 -33- 1375114

CrON膜之時的二元式光罩素材之諸特性予以說明。並 且，該二元式光罩素材之第1遮光性膜（遮光膜）是鉻和 氮之組成比（原子比）爲9 : 1之CrN膜（膜厚約爲 40nm )，該成膜條件因與之前所說明之實施例2之條件相 同，故省略重複說明。 使用第2圖所示之濺鍍裝置在CrN之第1遮光性膜上 形成CrON之第2遮光性膜。具體而言，使用Ar作爲濺 鍍氣體，以15sccm之流量導入Ar氣體，以30sccm之流 量導入N2氣體，以15sccm之流量導入02氣體至腔室1〇1 內’腔室內壓力設定成O.lPa»然後，將成膜前之加熱溫 度設爲120°C，施加1 000W之放電電力至Cr靶，一面以 30rpm使基板11予以旋轉，一面形成膜厚約20nm之氧氮 化鉻膜，將此設爲反射防止膜。並且，該氧氮化鉻膜之組 成爲鉻（Cr )和氮（N )之組成比（原子比）爲4:1:5 之CrON膜。表2是有關於疊層如此之第1及第2之遮光 性膜之二元式光罩素材之諸特性。 表2 遮光性膜之構造 評估項目 單位 測量條件 測量値 光學濃度 λ= 193nm 3.24 PrnXT/PrXF 反射率 % λ= 193nm 16.7 Ι^Γν^1>Ι/ν^ΠΝ 薄片電阻 ohm/Q 4探針法 27 膜厚 A α-step 589 [光學濃度] 胃8 @是表示以分光光度計測量自基板側使光射入至 本比較例之二元式光罩素材之時的遮光性膜之光學濃度之 -34- 1375114 波長依存性之結果的圖式，如該圖所示般，確認出取得 3.0左右之値，當作波長193 nm之光的光學濃度，可以·將 ArF曝光之光學濃度設爲2.5以上。 [反射率之波長依存性] 以分光光度計測量自遮光性膜側使光射入至本比較例 之光罩素材之時的反射光之強度而測量反射率之波長依存 參性。 第9圖是表示測量相對於波長190nm至600nm範圍 之光的反射率之強度的結果之圖式，確認出ArF曝光波長 (入=193 nm)之光中之反射率超過15%，要充分降低曝 光波長域之反射率（1 〇% )則有困難。並且，相對該比較 例之遮光性膜之 2 5 7nm之波長之光的反射率被設爲 10〜20%，設計成可以一般缺陷檢查裝置執行檢查。 如此一來，當將第2遮光性膜設爲鉻化合物之時，當 φ 將25 7nm之波長光之反射率設爲10~20%之範圍時，則無 法將ArF曝光波長之光之反射率設爲1 0%以下，對此設置 有含以含矽化合物爲主成物之層的第2遮光性膜之本發明 之光罩素材，是能夠將 ArF曝光波長之光之反射率設爲 10%以下，並將2 5 7nm之波長之光的反射率設爲10〜2〇% 之範圍。 (實施例6 ··光罩素材之製程：第2例） 本實施例是針對用以取得在實施例1中所說明之構成 -35- 1375114 之本發明之光罩素材之製程的第2例予以說明。 [第1遮光性膜（遮光膜）] 即使在本實施例中，用於形成本發明之光罩素材所具 有之第1遮光性膜的濺鍍裝置之構成是如同第2圖所示， 於該圖中，11是6吋之角形石英基板的透明基板，101是 腔室，102 a是第1靶，102 b是第2靶，103是濺鍍氣體導 入口，104是氣體排氣口，105是基扳旋轉台，106a及 106b各爲用以將偏壓施加至第1及第2靶之電源。 本實施例是使用鉻靶當作第1靶材l〇2a，藉由僅濺鍍 該靶材，形成鉻之第1遮光性膜。作爲濺鍍氣體是使用 Ar，以lOsccm之流量將Ar氣體導入至腔室101內，以 4sccm之流量將N2導入至腔室101內，將腔室內氣體壓設 定成O.lPa。然後，將成膜前之加熱溫度設爲120°C，施 加1000W之放電電力至Cr粑，一面以30rpm使基板11 予以旋轉，一面形成膜厚約l〇nm之氮化鉻膜，將此設爲 第1遮光性膜（遮光膜）。並且，該氧氮化鉻膜之組成爲 鉻（Cr )和氮（N )之組成比（原子比）爲9 : 1之CrN 膜（Cr : N= 9 : 1 )。 [第2遮光性膜] 使用第2圖所示之構成的濺鍍裝置，在第1遮光性膜 (遮光膜）上形成第2遮光性膜（反射防止膜）’成爲本 發明之光罩素材之遮光性膜。並且，在此所使用之靶材’ -36- 1375114 是以矽（Si )單晶當作第 1靶材 102a，以矽化鉬 (Mo Si2 )多晶當作第2靶材102b。執行設定氣體流量以 使成膜中之腔室內氣體壓成爲O.lPa，一面以30rpm使基 板旋轉，一面形成氧化鉬化合物膜（Mo SiN膜）之多層 膜。 具體而言，作爲濺銨氣體是以2〇Sccm之流量將Ar導 入至腔室101內，以lOsccm之流量將化氣體導入至腔室 φ 101內而將腔室內體壓設爲O.lPa，且對M〇Si2靶施加 200W之放電電力，對Si靶施加800W之放電電力，而一 面以30rpm使基板11旋轉一面開始成膜。當膜厚到達 33nm時，接著以5sccm之流量將Ar氣體導入至腔室101 內，以50sccm之流量將比氣體導入至腔室101內而將腔 室內氣體壓力設爲O.lPa’ 一面連續性使成膜條件變化成 MoSi3靶之放電電力成爲200W’ Si靶之放電電力成爲 800W，一面形成膜厚約成爲18nm之膜。若設爲如此之成 φ 膜條件，則可以成爲具有持有膜中之遷移金屬含有量或氮 含有量爲漸漸變化之組成傾斜之「傾斜構造」之反射防止 機能層的遮光膜（膜厚：33 + 18=51 nm)。並且’第2遮 光性膜之膜厚是以設爲1 0nm以上5 5nm以下爲佳。 [第3光學膜] 第3光學膜之形成也與第1及第2遮光性膜相同’使 用第2圖所示之構成之濺鍍裝置而所執行。如之前所說明 般，將該第3光學膜設爲半穿透相位移位層之時’以矽之 -37- 氧化物、氮化物或氧化氮化物，或是矽和遷移金屬之氧化 物、氮化物或氧化氮化物來加以形成爲佳。因此，因應以 何種化合物形成半穿透相位移位層，適當選擇濺鍍用之靶 材，以上述第2遮光性膜大槪相同之條件下來形成。 並且，亦可以使半穿透相位移位層成爲疊層互相不同 組成膜之複合膜。如此之半穿透相位移位層是膜組成被設 計成由上述列舉之材料所構成之單層膜或多層膜之透過率 爲2~40%，相位移位量約成爲180°。具體之成膜例則如下 述般。 首先，以使用Si單晶作爲第1靶材102a，使用 MoZrSi4燒成體當作第2靶材102b，施加560W之放電電 力至MoZrSi4靶，將1 000W之放電電力施加至Si靶，一 面以30rpm使基板11旋轉，一面執行濺鍍成膜，在基板 11上形成l〇nm厚度之光學調整層。濺鍍氣體爲流量 8sccm之Ar、流量20sccm之N2及流量5seccm之〇2混合 氣體。再者，濺鍍時之腔室內氣體壓力設定成0.15 Pa。 接著，將放電電力變更成MoZrSi4靶成爲430W，Si 靶成爲 1 000W，將濺鍍氣體變更成 15sccm之 Ar、 lOOsccm之N2及lsccm之〇2之混合氣體，一面以30rpm 使基板11予以旋轉，一面以氣體壓力〇·2 5Pa形成厚度 40nm之低應力層。 並且，將放電電力變更成M〇ZrSi4靶成爲l〇〇W，Si 耙成爲1000W，將灘鍍氣體變更成5sccm之Ar、50sccm 之N2及5sccm之02之混合氣體，一面以30rpm使基板 -38- 1375114 11予以旋轉，一面以氣體壓力O.lPa形成厚度20nm之表 面層。 如此一來，將半穿透相位移位層構成由光學調整層和 低應力層和表面層之3層所構成之疊層構造 [遮光性之乾蝕刻截面形狀評估] 使用具備有以上述條件所形成之第1及第2遮光性膜 φ 之光罩素材，執行遮光性膜之乾蝕刻截面形狀之確認。首 先，在第 2遮光性膜上，塗佈化學放大型光阻（膜厚 200nm )以電子線微影予以圖案形成，形成光阻罩幕，將 此當作罩幕對第2遮光性膜（反射防止膜）施予氟系乾蝕 刻（SF6 流量 18sccm，〇2 流量 45sccm，RIE 電壓 200V， ICP功率325W，腔室內壓力5mTorr)而執行圖案製作。 並且，在該階段中，以掃描型電子顯微鏡（SEM)觀 察圖案製作完成後之遮光性膜之截面的結果，可以確認出 • 實質上不進行對第1遮光性膜（遮光膜）蝕刻。由該結 果，可以確認出第2遮光性膜（反射防止膜），能夠充分 當作圖案製作第1遮光性膜（遮光膜）之時的硬式罩幕使 用。再者，確認出第1遮光膜能夠充分當作對氟系乾蝕刻 予以阻止的蝕刻阻止層。

接著，對第1遮光性膜施予氯系乾蝕刻（Cl2流量 18sccm，〇2 流量 55sccm，He 流量 lOseem，RIE 電壓 600V，ICP功率400W，腔室壓力6mTorr)，完成遮光性 膜所以之圖案製作。施行如此之圖案製作後，藉由SEM 3 -39- 觀察確認該截面形狀（有無發生側面蝕刻）。將該結果表 示於表3。並且，該表所示之遮光性膜任一者皆是第1遮 光性膜（Cr膜）之膜厚爲 10nm，第 2 遮光性膜 (MoSiN/MoSi ( N )疊層膜之膜厚爲lnm» 表3 第2遮光性膜中之最少含氮量(at%) 遮光性之乾飩刻截面形狀 0 發生側面蝕刻 5 良好 10 良好 45 良好 第10圖A-第10圖C是用以說明第2遮光性膜中之 最小含氮量各爲〇at% (第10圖A ) ，5at% (第10圖B ) 及1 Oat% (第10圖C)之時的遮光性膜之乾蝕刻截面形狀 之SEM像。由該些SEM像明顯可知，遮光性膜之乾鈾刻 後之截面形狀之樣子（有無發生側面蝕刻）是依存於第2 遮光性膜中之含氮量，當氮含有量至少爲5 at%以上時， 則抑制側面蝕刻之發生，取得良好之截面形狀。當考慮該 結果時，第2遮光膜中之氮含有量則以5at %以上20 at %以 下爲佳。 表4是表示以與上述相同之手法調查遮光性膜之乾蝕 刻截面形狀之第1遮光性膜和第2遮光性膜之膜厚依存性 的結果。 -40- 1375114 表4 第1遮光性膜 之膜厚(nm) 第2遮光讎 之膜厚(nm) 乾蝕刻截面形狀 3 51 良好 10 51 良好 15 45 良好 20 45 發生側面蝕刻 由該表所示之結果’可知第1遮光性膜之膜厚若在 3〜1 5 nm之範圍時，則可以取得不發生側面蝕刻之良好蝕 # 刻剖面。當考慮該結果，則以將第2遮光性膜之膜厚設爲 2 5nm以上55nm以下，並且，將第1遮光性膜之膜厚設定 成5nm以下15nm以下爲佳。 [光學濃度] 使用具備有以上述條件在石英基板上形成之第1及第 2遮光性膜之光罩素材，以分光度計測量自基板側使光射 入至此之時的遮光性膜之光學濃度。 第1 1圖是表示在以上述條件所形成之CrN ( Cr : N = 9: 1)之第1遮光性膜（膜厚l〇nm)上，具備有膜厚爲 51nm之MoSiN之第2遮光性膜之光罩素材之光學濃度 (OD )之波長依存性的圖式。如該圖所示般，可以確認 在第2遮光性膜中之最小氮含有量爲20at%以下之寬廣範 圍之含有量區域中，能夠取得3.0左右之値當作波長 193 nm之光中之光學濃度，並將ArF曝光之光學濃度設爲 2.5以上。 -41 - 1375114 [反射率之波長依存性] 第12圖是表示以分光光度計測量使光從 射入至具備有以上述成膜條件之第1及第2遮 罩素材之時的反射光之強度，而測定反射率之 之結果的圖式。並且，測量波長區域爲193~ 圍。 如該圖所示之結果明顯可知’除了能夠使 長（又=19311111)之光中的反射率成爲1〇%以 射率之外，又可以使檢查波長（λ = 25 7)之 率縮小在1〇~20%之範圍。 如此一來，確認出以多層構成第2遮光性 止膜），從氮含有量少之層往氮含有量多之層 量設爲傾斜構造，並且氮含有量多之層（包含 之膜厚若爲15~30nm之範圍時，則可以將相 波長之光的反射率設爲1〇〜2 0%，可以一般性 執行檢查。 [化學性安定性（藥品耐性）] 使用上述具備有以上述條件所形成之第1 光性膜的光罩素材，執行化學性安定性（藥品 認。具體而言，藉由分光光度計測量各1小時 水（氨水：過氧化氫水：水=1 : 1 : 30 (容量 硫酸過水（硫酸；過氧化氫水=4 : 1 (容量比） 射率變化量。其結果，即使在上述任一條件中 遮光性膜側 :光性膜的光 波長依存性 6 0 0 n m之範 ArF曝光波 下設成低反 光中的反射 膜（反射防 ，將氮含有 傾斜構造） 對於 2 5 7nm 之缺陷裝置 及第2之遮 耐性）之確 浸泡在氨過 比）），及 )之後的反 波長3 6 5 nm 1375114 中之反射率變化皆爲2%以下，確認出表示實用上充分之 化學性安定性（藥品耐性）。 ' 以上，雖然藉由實施例針對本發明之光罩素材及使用 • 此所製作出之光罩予以說明，但是上述實施例只不過是用 以實施本發明之例，本發明並不限定於此。將該些實施例 作各種變形之例也包含於本發明之範圍內，並且，由上述 記載可知在本發明之範圍內能做出各樣之實施例。 產業上之利用可行性 本發明是提供以高精度形成微細之光罩圖案的光罩及 用以提供此之光罩素材。 【圖式簡單說明】 第1圖Α及第1圖Β是用以說明本發明之光罩素材之 基本構造例的截面槪略圖。 • 第2圖是用以說明使用於本發明之光罩素材之成膜的 濺鍍裝置之構成的槪略截面圖。 第3圖是表示在CrN(Cr:N = 9: 1)之第1遮光性膜 上，具備有膜厚爲23.4nm之Mo SiN之第2遮光性膜的光 罩素材之光學濃度（OD)之波長依存性。 第4圖是表示測量相對於波長190nm至600nm範圍 之光的反射率的結果之圖式。 第5圖A〜E是用以說明二元式光罩之製程的圖式。 第6圖A〜I是用以說明相位移位罩幕之第1製程的圖 • -η. -43- 1375114 式》 第7圖A〜I是用以說明相位位移罩幕之第2製程的圖 式。 第8圖是表示以分光光度計對具備有將鉻化合物當作 第2遮光性膜之二元式光罩素材，測量自基板側使光射入 之時之遮光性之光學濃度之波長依存性之結果的圖式。 第9圖是表示測量具備有將鉻化合物當作第2遮光性 膜之二元式光罩素材，該相對於波長190nm至600nm範 圍之光的反射率之結果的圖式。 第10圖A〜C是用以說明第2遮光性膜中之最小含氮 量各爲Oat% (第1 0圖A ) 、5at% (第10圖B )及10at%

(第10圖C)之時的遮光性膜之乾蝕刻截面形狀之SEM 第11圖是表示實施例6中之CrN ( Cr : N = 9 : 1 )之 第1遮光性膜（膜厚l〇nm)上’具備有膜厚爲51nm之 MoSiN之第2遮光膜的光罩素材之光學濃度（〇D)和最 小含氮量之關係圖。 第12圖是表示以分光光度計對實施例6中之具備有 第1及第2遮光性膜之光罩素材測量自遮光性膜側使光 予以射入之時的反射光之強度’而測量反射率之波長依存 性之結果的圖式。 【主要元件符號說明】 Π :透明基板 -44- 1375114 12 :遮光性膜 13 :第1遮光性膜 14 :第2遮光性膜

1 5 :光學膜（相位移位層） 1 6 :光阻膜 1 7 :光阻圖案 1 8 :第1光阻膜 1 9 :第1光阻圖案 20:第2光阻圖案 101 :腔室 102a :第1靶材 102b :第2靶材 103 :濺鍍氣體導入口

104 :氣體排氣口 105·基板旋轉台 106a、 106b:電源 -45-

Claims (1)

1375114 十、申請專利範圍 1. 一種光罩素材’其特徵爲：具備有對於曝光光線在 透明基板上順序疊層第1遮光性膜和第2遮光性膜的遮光 性膜， 上述遮光性膜係直接或者隔著光學膜而被設置在上述 基板上， 上述第1遮光性膜是由以在氟系乾鈾刻中實質上不被 蝕刻之以鉻（Cr)爲主成分的層所構成， 上述第2遮光性膜是由以能夠施予氟系乾蝕刻之含矽 化合物爲主成分的層所構成， 上述遮光性膜直接被設置在上述基板上之時，上述第 1遮光性膜和上述第2遮光性膜之光學濃度之總合爲2.5 以上， 上述遮光性膜隔著上述光學膜而被設置在上述基板上 之時，上述第1遮光性膜和上述第2遮光性膜和上述光學 膜之光學濃度之總合爲2.5以上。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之光罩素材，其中， 上述含矽化合物爲矽之氧化物、氮化物或氧化氮化物，或 是矽和遷移金屬之氧化物、氮化物或氧化氮化物。 3 ·如申請專利範圍第2項所記載之光罩素材，其中， 上述遷移金屬爲從鈦（Ti)、釩（V)、鈷（Co)、鎳 (Ni )、锆（Zr )、鈮（Mb )、鉬（Mo )、铪（Hf)、 鉬（Ta)、鎢（W)所選擇的至少1種金屬元素。 4.如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載 -46 - 1375114 之光罩素材’其中，相對於上述第2遮光性膜之曝光光線 的光學濃度爲0.2〜3.0。 5. 如申請專利範圍第4項所記載之光罩素材，其中， 相對於上述第2遮光性膜之曝光光線的光學濃度爲 0.5〜2.5。 6. 如申請專利範圍第丨項至第3項中之任—項所記載 之光罩素材，其中，上述第2遮光性之膜厚爲1〇ηιη以上 H 5 5 nm以下。 7. 如申請專利範圍第6項所記載之光罩素材，其中， 上述第2遮光性之膜厚爲25 nm以上55 nm以下。 8 ·如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載 之光罩素材，其中，上述第2遮光性膜之曝光波長中的消 光係數k是持有從上述基板側至表面側逐漸減少的特性 (profile) ° 9.如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記載 • 之光罩素材，其中，上述第1遮光性膜爲以金屬鉻、鉻氧 化物、鉻氮化物、鉻氧氮化物、鉻氧化碳化物、鉻氮化碳 化物或是鉻氧氮化碳化物爲主成分之膜。 1 0 ·如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記 載之光罩素材，其中，相對於上述第1遮光性膜之曝光光 線的光學濃度爲0.3〜3.0。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項所記載之光罩素材’其 中，相對於上述第1遮光性膜之曝光光線的光學濃度爲 0.5〜2.0。 -47- 1375114 1 2 .如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記 載之光罩素材，其中’上述第1遮光性膜之膜厚爲5 nm& 上5 Onm以下。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載之光罩素材，其 中，上述第1遮光性膜之膜厚爲以上2 5nm以下。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所記載之光罩素材’其 中’上述第1遮光性膜之膜厚爲5nm以上15nm以下。 1 5 .如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記 載之光罩素材，其中，上述第1遮光性膜和上述第2遮光 性膜之至少一方，具有使多數層予以順序疊層的多層構 造。 .1 6 .如申請專利範圍第1至第3項中之任一項所記載 之光罩素材，其中，在上述透明基板和上述遮光性膜之間 具備有光學膜。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所記載之光罩素材’其 中，上述光學膜爲包含有相位移位層的膜。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所記載之光罩素材’其 中，上述相位移位層爲半穿透（halftone )相位移位層， 該半穿透相位移位膜爲矽之氧化物、氮化物或氧化氮化 物，或是矽和遷移金屬之氧化物、氮化物或氧化氮化物。 19.如申請專利範圍第16項所記載之光罩素材，其 中，上述光學膜爲能夠氟系乾蝕刻之膜，以與上述第2遮 光性膜相同之條件下，施予氟系乾蝕刻而予以蝕刻除去的 時間（清除時間：Clear Time )，是比上述第2遮光性膜 -48 - 1375114 之清除時間長。 20. 如申請專利範圍第1項至第3項中之任一項所記 載之光罩素材，其中，上述第2遮光性膜具有反射防止功 能。 21. —種光罩，其特徵爲：使用申請專利範圍第1項 至第20項中之任一項所記載之光罩素材所製造出。 22. —種光罩之製造方法，其特徵爲：具備有 準備具有遮光性膜之光罩素材之步驟，該遮光性膜是 直接在透明基板上或是在形成於上述透明基板上之光學膜 上，順序疊層以在氟系乾蝕刻中實質上不被蝕刻之鉻爲主 成分之第1遮光性膜，和以能夠施予氟系乾蝕刻之含矽化 合物爲主成分之第2遮光性膜； 第1步驟，使用被形成在上述第2遮光性膜上之光阻 罩幕，將該第2遮光性膜施予氟系乾蝕刻而予以圖案製 作；及 第2步驟，以被上述圖案製作之第2遮光性膜或光阻 膜當作罩幕，將上述第1遮光性膜施予含氧氯系乾蝕刻而 予以圖案製作， 將上述遮光性膜直接設置在上述基板上之時，將上述 第1遮光性膜和上述第2遮光性膜之光學濃度之總合設爲 2.5以上， 將上述遮光性膜隔著上述光學膜而設置在上述基板上 之時，將上述第1遮光性膜和上述第2遮光性膜和上述光 學膜之光學濃度之總合設爲2.5以上。 -49- 1375114 23.—種光罩之製造方法，其特徵爲：具備有 準備具有遮光性膜之光罩素材之步驟，該遮光性膜是 直接在透明基板上或是在被設置於上述透明基板上之能夠 施予氟系乾蝕刻之光學膜上，順序疊層以在氟系乾蝕刻中 實質上不被蝕刻之鉻爲主成分之第1遮光性膜，和以能夠 施予氟系乾鈾刻之含矽化合物爲主成分之第2遮光性膜； 第1步驟，使用被形成在上述第2遮光性膜上之第1 光阻罩幕，將該第2遮光性膜施予氟系乾蝕刻而予以圖案 製作； 第2步驟，除去上述第1光阻罩幕，在被上述圖案製 作之第2遮光性膜上設置第2光阻罩幕； 第3步驟，以被上述圖案製作之第2遮光性膜當作硬 式罩幕，將上述第1遮光性膜施予含氧氯系乾蝕刻而予以 圖案製作： 第4步驟，以上述第2光阻罩幕和上述第1及第2遮 光性膜之至少一方當作罩幕，藉由氟系乾蝕刻將上述光學 膜予以圖案製作；及 第5步驟，除去上述第1遮光性膜中之不被上述第2 遮光性膜覆蓋之部分， 將上述遮光性膜直接設置在上述基板上之時，將上述 第1遮光性膜和上述第2遮光性膜之光學濃度之總合設爲 2.5以上， 將上述遮光性膜隔著上述光學膜而設置在上述基板上 之時，將上述第1遮光性膜和上述第2遮光性膜和上述光 -50- S 1375114 學膜之光學濃度之總合設爲2.5以上。 24.—種光罩之製造方法，其特徵爲：具備有 準備具有遮光性膜之光罩素材之步驟，該遮光性膜是 直接在透明基板上或是在被設置於上述透明基板上之能夠 施予氟系乾蝕刻之光學膜上，順序疊層以在氟系乾蝕刻中 實質上不被蝕刻之鉻爲主成分之第1遮光性膜，和以能夠 施予氟系乾蝕刻之含矽化合物爲主成分之第2遮光性膜； 第1步驟，使用被形成在上述第2遮光性膜上之第1 光阻罩幕，將該第2遮光性膜施予氟系乾蝕刻而予以圖案 製作； 第2步驟，將上述被圖案製作之第2遮光性膜或是上 述第1光阻罩幕當作罩幕，將上述第1遮光性膜施予含氧 氯系乾蝕刻而予以圖案製作： 第3步驟，除去上述第1光阻罩幕，在被上述圖案製 作之第2遮光性膜上設置第2光阻罩幕； 第4步驟，以上述第2光阻罩幕和上述第1及第2遮 光性膜之至少一方當作罩幕，藉由氟系乾蝕刻將上述光學 膜予以圖案製作；及 第5步驟，除去上述第1遮光性膜中之不被上述第2 遮光性膜覆蓋之部分， 將上述遮光性膜直接設置在上述基板上之時，將上述 第1遮光性膜和上述第2遮光性膜之光學濃度之總合設爲 2.5以上， 將上述遮光性膜隔著上述光學膜而設置在上述基板上 -51 - 1375114 之時，將上述第1遮光性膜和上述第2遮光性膜和上述光 學膜之光學濃度之總合設爲2.5以上。 25. 如申請專利範圍第23項或第24項所記載之光罩 之製造方法，其中，上述第4步驟中，不被上述第2光阻 罩幕覆蓋之部分的上述第2遮光性膜之清除時間是設定成 比上述光學膜之清除時間短。 26. 如申請專利範圍第23項或第24項所記載之光罩 之製造方法，其中，上述光學膜爲含有相位移位層的膜。 -52 1375114 七 定一 指Γ 表 為代 圖件 表元 代之 定圖 指表 :案代 圖本本 表、、 第 符 明 說 lill 單 }簡 1號 11 透 明基 板 12 遮 光性 膜 13 第 1遮 光 性 膜 14 第 2遮 光 性 膜 15 相 位移 位 層 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式·