JP6675156B2 - フォトマスクブランクの設計方法 - Google Patents
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Description
請求項1:
透明基板上に、遮光膜と導電性反射膜とを有する光学膜が形成され、
該導電性反射膜が、透明基板と離間する遮光膜表層側に、遮光膜に接して配置されたフォトマスクブランクの設計方法であって、
前記フォトマスクブランクが、露光光を透過させて、透明基板上に形成された膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであり、
前記導電性反射膜が前記フォトマスクブランクの最表層として形成されており、
前記遮光膜が、15原子%以上40原子%以下のクロムと、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素とからなるクロム化合物からなり、前記導電性反射膜がクロムを60原子%以上含有し、
前記光学膜が有する前記導電性反射膜として、前記透明基板から離間する側の前記露光光の波長以上で波長500nm以下の所定の波長の光に対する反射率を膜厚で除して求められる、膜厚1nm当たりの反射率が2.5%/nm以上であり、シート抵抗が2,000Ω/□以下である膜を選定することを特徴とするフォトマスクブランクの設計方法。
本発明のフォトマスクブランクとしては、透明基板上に、200nm以下の波長の露光光に対する遮光部及び透光部を有する膜パターンが形成され、透光部から前記露光光を透過させて膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となるフォトマスクブランクが好適である。そして、本発明のフォトマスクブランクとしては、透明基板と、遮光膜と、金属を主成分として含有し、遮光膜に対向する側の露光光の波長以上で波長500nm以下の所定の波長の光に対する反射率を膜厚で除して求められる、膜厚1nm当たりの反射率が2.5%/nm以上である導電性反射膜とを有するものが好適である。本発明における前記所定の波長の典型例としては、例えば、露光波長である193nm(ArFエキシマレーザ)、157nm(F2レーザ)、欠陥検査波長である257nm、アライメントマークの読取り波長の一例として405nm(固体レーザダイオード)などが挙げられる。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板に、金属クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとして不活性ガスであるArガスを20sccm供給して、異なる膜厚の金属クロム膜をそれぞれ異なるスパッタリング時間で成膜した。不活性ガスのみで成膜された金属クロム膜の膜厚と、波長193nm、248nm及び488nmの光の反射率との関係を図1に示す。また、膜厚と、図1の反射率をそれぞれ膜厚で除して得られる、膜厚1nm当たりの反射率との関係を図2に示す。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板上に、MoSiONからなる厚さ72nm、露光光(波長193nm)に対する透過率6.0%、位相差177°のハーフトーン位相シフト膜を成膜した。次に、このハーフトーン位相シフト膜の上に、DCマグネトロンスパッタ成膜により、金属クロムターゲットを用い、反応性ガスとして窒素ガス50sccm及びメタンガス5sccm、不活性ガスとしてArガス10sccmを供給して、遮光膜としてCrNC膜を46nmの厚さで成膜した。更に、この遮光膜の上に、DCマグネトロンスパッタ成膜により、金属クロムターゲットを用い、反応性ガスとして窒素ガス35sccm、不活性ガスとしてArガス20sccmを供給して、導電性反射膜としてCrN膜(Cr:N=9:1(原子比))を3nmの厚さで成膜した。
DCマグネトロンスパッタ成膜により、152mm角、厚さ6mmの石英基板上に、MoSiONからなる厚さ72nm、露光光(波長193nm)に対する透過率6.0%、位相差177°のハーフトーン位相シフト膜を成膜した。次に、このハーフトーン位相シフト膜の上に、DCマグネトロンスパッタ成膜により、金属クロムターゲットを用い、反応性ガスとして窒素ガス50sccm及びメタンガス5sccm、不活性ガスとしてArガス10sccmを供給して、遮光膜としてCrNC膜を46nmの厚さで成膜した。更に、この遮光膜の上に、DCマグネトロンスパッタ成膜により、金属クロムターゲットを用い、反応性ガスとして窒素ガス50sccm及び酸素ガス10sccm、不活性ガスとしてArガス10sccmを供給して、導電性反射膜としてCrON膜(Cr:O:N=5:6:3(原子比))を3nmの厚さで成膜した。
Claims (1)
- 透明基板上に、遮光膜と導電性反射膜とを有する光学膜が形成され、
該導電性反射膜が、透明基板と離間する遮光膜表層側に、遮光膜に接して配置されたフォトマスクブランクの設計方法であって、
前記フォトマスクブランクが、露光光を透過させて、透明基板上に形成された膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであり、
前記導電性反射膜が前記フォトマスクブランクの最表層として形成されており、
前記遮光膜が、15原子%以上40原子%以下のクロムと、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素とからなるクロム化合物からなり、前記導電性反射膜がクロムを60原子%以上含有し、
前記光学膜が有する前記導電性反射膜として、前記透明基板から離間する側の前記露光光の波長以上で波長500nm以下の所定の波長の光に対する反射率を膜厚で除して求められる、膜厚1nm当たりの反射率が2.5%/nm以上であり、シート抵抗が2,000Ω/□以下である膜を選定することを特徴とするフォトマスクブランクの設計方法。
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