TWI360363B - - Google Patents

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TWI360363B
TWI360363B TW092127852A TW92127852A TWI360363B TW I360363 B TWI360363 B TW I360363B TW 092127852 A TW092127852 A TW 092127852A TW 92127852 A TW92127852 A TW 92127852A TW I360363 B TWI360363 B TW I360363B
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TW
Taiwan
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light
layer
emitting layer
nitrogen
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TW092127852A
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Takashi Arakane
Toshihiro Iwakuma
Chishio Hosokawa
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co
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Description

(1) 1360363 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明’係關於有機電致發光元件，尤其是關於利用 磷光性發光’在低驅動電壓下，發光效率高之有機電致 發光元件。 【先前技術】 有機電致發光元件（電致發光在以下簡稱爲EL)，施 φ 加電場，藉由陽極所注入之正孔與陰極所注入之電子再結 合能量，利用螢光性物質發光原理之自行發光元件。 Eastman.Kodak公司之C.W.Tang等人對層合型元件所致 低電壓驅動有機EL元件之報告（C.W.Tang , S.A.Vanslyke ’ (Applied Physics Letters)，51 巻，913 頁，1 987 年等）被 提出以來，使有機材料用作構成材料之有機EL元件相關 之硏究大爲盛行。Tang等人，以三（8 -羥基喹啉酚 (quinolinol)鋁）爲發光層，並使三苯二胺衍生物用於正孔 · 輸送層。層合構造之有利處，有在於提高對發光層之正孔 注入效率，將由陰極注入之電子奁阻斷（block)，使得藉再 結合所生成激發子（exc it on)之生成效率提高，在發光層内 所生成之激發子予以關閉等。如此例可知，有機EL元件 之元件構造，有正孔輸送（注入）層，電子輸送發光層之2 層型，或正孔輸送（注入）層，發光層，電子輸送（注入）層 之3層型等。在此等層合型構造元件，爲提高所注入正孔 與電子之再結合效率，則就元件構造或形成方法予以下功 -5- 1360363
夫。 有機EL元件之發光材料方面周知有，三（8-喹喏啉並 基）銘錯合物等之蟄合（cheate)錯合物，香豆素衍生物，四 苯基丁二烯衍生物，雙苯乙烯基亞芳基衍生物，氧二氮茂 (oxadiazole)衍生物等之發光材料，由該等可得到藍色至 紅色之可視領域之發光之報告被提出，可期待色彩顯示元 件之實現（例如，日本特開平8 -2 3 96 5 5号公報，日本特開 7- 1 3 8561号公報等可参照p 又，近年在有機EL元件之發光層，除了發光材料以 外亦有利用有機磷光材料者被提案出（例如，可參照D. F. O' Brien and M. A. Baldo et al ”改良的能量轉移電致磷光 裝置”應用物理信函 Vol. 74 No. 3， pp442-444，
January 18， 1 999 ； M.A. Baldo et al ”基於電致磷光 之超高效率綠色有機發光裝置”應用物理信函 Vol. 75 No. 1， pp4-6， July 5， 1 999等）。 # 此等有機EL元件之發光層中，利用有機磷光材料激 發狀態之一重線（singlet)狀態與三重線（triplet)狀態，可 達成高度發光效率。在考慮到有機EL元件内電子與正孔 再結合之際因旋轉多重度之不同，被認爲一重線激發子與 三重線激發子以1: 3之比率產生，故使用磷光性發光材料 時，則可達成僅使用螢光之元件之3〜4倍之發光效率。 在此等有機EL元件中，以不使3重線之激發狀態或3 重線之激發子消光之方式，依次序使用陽極，正孔輸送層 ，有機發光層，電子輸送層（正孔阻止層）’電子注入層’ -6- (3) (3)1360363 陰極般之層予以層合之構成（例如，可参照美國專利第6， 097， 147號說明書，國際專利公報 WO01/41512號說明 書）。在具有此構成之有機EL元件，則有以下之特徴。 將電子注入層與發光層予以接合時，因激發狀態被消 光，故使用比發光層的能隙更廣或比發光層之三重線能量 更大之可保有三重線能量之正孔阻止層。 正孔阻止層可限制來自有機發光層之正孔之移動，使 正孔在發光層中更有效率的蓄積，使得與電子之再結合確 率提高爲可行。 正孔阻止層與陰極金屬直接接合時，因壽命或效率等 之性能會顯著降低，故在正孔阻止層與陰極之間有必要設 置能隙比正孔阻止層更小的電子注入層。 但是，一般判斷在該等習知之電子注入構成有其問題 。亦即，正孔阻止層能隙廣，對於來自他層之電荷注入輸 送，作爲能量障壁之工作電阻（working resistance)爲大， 故驅動電壓會上昇。進而用於正孔阻止層之大多數化合物 ’雖能保有高度正孔阻止能但易於劣化無法賦予長壽命元 件。 又，習知之元件方面，電子注入層與發光層直接接合 ’使得形成電子注入層之電子輸送材料之三重線能量比形 成發光層之主材料之三重線能量更大之方式所成之元件亦 爲周知（例如’日本特開2002-100476號公報）。但是，使 電子輸送材料之三重線能量變大之元件，可免除消光之一 重線能量比三重線能量一般大至0. 3 e V以上，其結果造 (4) 1360363 成電子輸送材料之能隙變得極大成爲3ev以上。此種情形 ，來自陰極之電子注入之能量障壁極大而產生驅動電壓之 .高電壓化，又在能量障壁爲大之情況’持續注入電流時易 :產生劣化，有元件壽命短等之問題。 再者，使發光層之主材料以電子輸送材料形成之元件 亦爲周知。 (例如，國際專利公報WOO/93642說明書）。但是，用 此元件之主材料因游離電位（ionization potential)爲 5.9 eV以上，故無法在主材料注入正孔，而主材料無法輸 送正孔而會有驅動電壓變高之問題。 【發明內容】 本發明係爲解決前述課題而完成者，其目的爲提供一 種在使用磷光性發光之有機EL元件中，於低驅動電壓下 ，發光效率高之有機EL元件。 • 本發明者人等，爲達成前述目的經一再重複銳意硏究 結果，在第一發明，在至少由磷光性之發光材料與主材料 所成發光層與陰極間，設置與發光層接合之電子注入層並 省略正孔阻止層，進而，使電子注入層中電子輸送材料之 能隙，比發光層中主材料之能隙更小。習知該項技藝人士 對習知所可理解，藉由此等方式，在發光層所產生激發狀 態因電子注入層而致失活，而只能得到效率極低之元件。 但是，本發明可進而使發光層具電子輸送性，使電子與正 孔再結合之領域，自電子注入層與發光層之界面分離而免 i -8- (5) (5)1360363 於失活。進而，在發光層中之主材料，良好地使正孔注入 方式，來將主材料之游離電位成爲5.9 eV以下，而如習知 般有機EL元件，不用正孔阻止層而可得到高效率元件， 進而在發光層中之主材料可注入正孔並可輸送，而可使驅 動電壓降低，不會用到易於劣化之正孔阻止層而可得到長 壽命之元件。又，因有機EL元件之構成可以簡素化而變 得容易製做。再者，可確認因含有能隙比發光層中主材料 之能隙爲小之電子輸送材料，故有促進來自陰極之電子注 入效果，亦有低電壓化之效果。 又，第二之發明，係在至少爲磷光性之發光材料與主 材料所成發光層與陰極間，設置與發光層接合之電子注入 層，將電子注入層中電子輸送材料之三重線能量，比發光 層中主材料之三重線能量更小。藉此使電子輸送材料之能 隙變窄，而可使來自陰極之電子注入良好的進行。就熟習 該項技藝人士對習知之理解，由此方式，可使發光層所產 生激發狀態被電子注入層所失活，而只能得到效率極低之 元件。但是，本發明可進而使發光層具有電子輸送性，而 使電子與正孔之再結合領域自電子注入層與發光層之界面 分離而免於失活。進而，在發光層中主材料可良好地使正 孔注入之方式，使主材料之游離電位在5.9 eV以下，而與 習知有機EL元件相異，不必使用能隙廣之電子注入層而 可得到高效率元件，就使電子注入之能量障壁變小之效果 而言則可改善元件之壽命。進而在發光層中之主材料可注 入正孔並可輸送，而可使驅動電壓降低。又，有機EL元 -9- (6) 1360363 件之構成可簡素化，可容易地製作。 亦即，本第一發明，係提供一種有機EL元件，在陰 ，極與陽極間，在具有至少由磷光性之發光材料與主材料戶斤 :成發光層之有機EL元件中，在發光層與陰極間，具有與 發光層接合之電子注入層，發光層有電子輸送性，前述主^ 材料之游離電位爲5.9 eV以下’電子注入層中電子輸送材 料之能隙，比發光層中主材料之能隙更小爲其特徴者。 φ 又，本第二發明，係提供一種有機EL元件，在陰極 與陽極間，在具有至少由磷光性之發光材料與主材料所$ 發光層之有機EL元件中，在發光層與陰極間，具有與發 光層接合之電子注入層，發光層有電子輸送性，前述主材 料之游離電位爲5.9 eV以下，電子注入層中電子輸送材料 之三重線能量’比發光層中主材料之三重線能量更小爲其 特徴者。 如前述’在本第一發明及本第二發明（以下，本發明） 發光層爲電子輸送性者爲必須事項，本發明之電子輸 送性，係指下述（1)或（2 )之任一者。 (1)發光層中主材料之電子移動度爲i〇-6cm2/vs以上（ 較佳爲1 0_5cm2/VS以上）之化合物。關於電子移動度則可 以飛行時間法（TO F)或空間電荷限制電流之過渡測定來計 測。關於 T0F 法’係於 Synthetic Metals(Synth.Met.) 1 1 1/1 12，（2 000)3 3 1頁所記載，關於空間電荷限制電流之 過渡測定’在固體之電子輸送，Pergamon Press，1981年 ，第346〜348頁有所記載。 -10- (7) 1360363 (2)在發光層陽極側領域中，正孔與電子之再結合比 陰極側中再結合更多。此係將發光層領域予以2分化，在 成爲所謂（陰極/電子注入層/陰極側發光層/陽極側發光層/ 正孔輸送層/陽極側）層構成之情況，與僅在陽極側發光層 添加磷光發光性化合物之元件AN，與僅在陰極側發光層 添加磷光發光性化合物之元件CA兩者加以比較之情況， 則與以元件AN —方再結合爲大之場合相當。此際，應留 意到藉由電子注入層或正孔輸送層使發光層之激發狀態不 φ 致消光之方式。又，使僅有發光層陽極側界面添加磷光發 光性化合物之元件AN ’，與僅在陰極側界面添加磷光發光 性化合物之元件C A ’之效率加以比較，在元件AN ’之效率 爲大之情形，發光層可謂具有電子輸送性。 又，本發明中所謂電子輸送性並非表示無正孔輸送性 。因此電子輸送性，係在計測正孔移動度之際，即使保有 比icr7cm2/vs更大之値亦無問題。 在本發明之有機EL元件中，還原性滲雜物（dopant) φ ，被添加於電子注入層，或添加於陰極與該陰極接合之層 之界面領域較佳。藉由此等方式可使元件之電壓降低。 本發明之有機EL元件中，在陰極與陽極間，具有添 加有磷光性發光材料之正孔輸送層較佳。如此一來在正孔 輸送層產生之激發狀態亦與發光相聯繫使發光效率更形提 闻。 又，前述正孔輸送層中正孔輸送材料之三重線能量， 比前述發光層中磷光性發光材料之激發能量更大者爲佳。 -11 - (8) 1360363 如此一來’正孔輸送材料所致發光層之激發狀態並不消光 而使發光效率更形提高。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 本第一發明之有機EL元件，係在陰極與陽極間，具 有至少由磷光性發光材料與主材料所成發光層之有機EL •&件中’在發光層與陰極聞，具有與發光層接合之電子注 入層’而發光層爲電子輸送性，前述主材料之游離電位爲 5.9 eV以下（較佳爲，5.8 eV以下），電子注入層中之電子 輸送材料之能隙，比發光層中之主材料之能隙更小》 本第二發明之有機EL元件，係在陰極與陽極間，在 具有至少由磷光性之發光材料與主材料所成發光層之有機 EL元件中，在發光層與陰極間，具有與發光層接合之電 子注入層，發光層爲電子輸送性，前述主材料之游離電位 ^5.9 eV以下（較佳爲，5.8 eV以下），電子注入層中之電 子輸送材料之三重線能量，比發光層中之主材料之三重線 能量更小。 前述發光層中，主材料爲電子輸送性者較佳，此主材 料之電子輸送度爲l(T6cm2/VS以上較佳。 關於發光層中之主材料，習知所使用之聚乙烯咔唑或 雙咔唑等之聚咔唑化合物，除去例外的情形，爲正孔輸送 性且電子之輸送能力小。在以此等正孔輸送性材料爲主材 料使用之際，發光層之陰極側界面成爲主要再結合領域。 -12- (9) (9)1360363 此時，在發光層與陰極間介在電子注入層，同時使電子注 入層與發光層接合，在電子注入層使含有能隙比形成發光 層之能隙爲小之電子輸送材料，以發光層之陰極側界面爲 中心所產生激發狀態因電子注入層所致失活，而只能得到 效率極低之元件。又，即使在形成電子注入層之電子輸送 材料之三重線能量比形成發光層之主材料之三重線能量爲 小之情形，以發光層之陰極側界面爲中心所產生之激發狀 態會因電子注入層而失活，僅能得到效率極低元件。 一方面，在本發明因發光層爲電子輸送性，電子與正 孔再結合之領域自電子注入層與發光層之界面分離，可免 於所產生激發狀態之失活。 又，本發明發光層中之主材料，游離電位爲5.9 eV以 下。藉由此種方式，因正孔輸送材料之游離電位爲5.3〜 5.7 eV，可使能量障壁成爲- 0.2〜〇.6eV，而對主材料可注 入正孔。再者’主材料間使正孔變成可輸送，故可以使用 驅動電壓爲低之化合物。 BU述發光層中之主材料，以昨哩（carbazolyl)基或氮 雜咔唑基連結於含氮環之化合物，或咔唑基或氮雜咔唑基 藉由亞芳基連接於含氮環之化合物較佳。 該咔唑基，氮雜味唑基，含氮環及亞芳基，可各自具 有取代基’取代基有’例如，氫原子，鹵原子，羥基，胺 基’硝基，氰基’烷基’鏈烯基，環烷基，烷氧基，芳香 族烴基’芳香族雜環基，芳烷基，芳基氧基，烷氧羰基， 羧基等。 -13- (10) 1360363 又’作爲前述發光層中之主材料更佳爲，下述〜般式 (1)或（2)所示化合物。 (Cz-)mA (1) (式中，Cz爲取代或無取代之咔唑基，或取代或無取 代之氮雜咔哩基。A爲芳基取代含氮環基，二芳基取代含 環基’或三芳基取代含氮環基。m爲1〜3之整数。、
Cz — An (2) (式中’ Cz爲取代或無取代之咔唑基，或取代或無取 代之氮雜咔唑基。A爲芳基取代含氮環基，二芳基取代含 氮環基’或三芳基取代含氮環基。η爲1〜3之整数。） 前述主材料中較佳之含氮環有，吡啶，唯啉 tuinoline) ’ 吡畊，嘧啶，Q奎喔啉（qUinoxaiine)，三哄， 咪唑，咪唑并吡啶，嗒哄，苯并咪唑等β 又’ 一般式（1)及（2)中，在Cz之部位，游離電位之値 爲5.6 e v〜5.8 e V則可以判明。 在本發明之有機EL元件中，發光層中所含磷光性之 發光材料，就可使元件之外部量子效率更加提高之點而言 ’以有機金屬錯合物較佳，有機金屬錯合物之金屬原子方 面’有例如含有釕，鍺，鈀，銀，銶，餓，銥，白金，金 者。 -14- (11) (11)1360363 該等有機金屬錯合物以下述—般式（3)所示有機金屬 錯合物爲佳。
(式中，A1表示取代或無取代之芳香族烴環基或芳香 族雜環基，较佳爲苯基，聯苯基，萘基，蒽基，噻吩基， 吡啶基，喹啉基’異喹啉基，前述取代基表示氟原子等之 鹵原子；甲基’乙基等之碳數I〜30之烷基；乙烯基等之 鏈烯基；甲氧羰基’乙氧羰基等之碳數1〜30之烷氧羰基 ;甲氧基，乙氧基等碳數1〜30之烷氧基；苯氧基，苄氧 基等之芳氧基；二甲基胺基，二乙基胺基等之二烷胺基， 乙醯基等之醯基’三氟甲基等之鹵化烷基，氰基。 A2表示，使氮作爲形成雜環之原子方式含有之取代或 無取代之芳香族雜環基，較佳爲吡啶基’嘧啶基，吡啡基 ，三畊基，苯并噻唑基，苯并噁唑基，苯并咪唑基’ D奎咐 基，異D奎啉基，鸣喔琳基，啡D定（phenanthridine)基，前述 取代基有例如與A 1相同之物者。 含有A1之環與含有A2之環可形成一個縮合環’如此 之化合物有例如7，8-苯并喹啉基等。 -15- (12) 1360363 Q爲選自周期表7〜11族之金屬，較佳爲釕，鍺，鈀 ，銀，銶，餓，銥，白金，金。 L 表示2座型之配子，較佳爲選自乙醯丙酮 (acetylacetonato)等之β -二酮型配位基或焦蜜石酸。 m及η表示整数，Q爲二價金屬之場合，n = 2，m = 0 ，Q爲三價金屬之場合，n = 3且m = 0，或n = 2且m=l。） 前述一般式（3)所示有機金屬錯合物之具体例係如以 t所示，但並非限定於任何下述之化合物。 (K-l) (K-2)
-16- (13)1360363 (K-5) (Κ-6)
(Κ-9)
(Κ-10) (Κ-11) (Κ-12)
-17- (14)1360363 (K-13) (Κ-14)
(Κ-17)
(Κ-19) (Κ-18)
18- (15) 1360363 (K-20)
本發明之電子注入層所用電子輸送材料，係如前述， 電子輸送材料之能隙比發光層中之主材料更小，或電子輸 送材料之三重線能量比發光層中之主材料更小，藉以提高 電子注入性。 電子注入層中電子輸送材料之能隙，以2.8 e V以下較 佳’ 2·75 eV以下更佳。較佳之電子輸送材料方面，有含 氮雜環化合物。此係定義爲具有氮原子之雜環化合物，例 如含氮錯合物或含氮環化合物。 含氮錯合物，以下述（4)〜（6)之任一所示化合物較佳 -19- (16) 1360363 (4) M + Q或M + Q’（式中，M +爲一價金屬離子） (5) M2 + Q2，M2 + QQ'或 M2 + Qf2(式中，M2+爲二價金屬 離子） (6) M3 + Q3，M3 + Q2Q’，M3 + QQ'2或 M3 + Qf3(式中，M3h 爲三價金屬離子） 在此，Q及Q’爲各自獨立，下述一般式（7)及（8a)〜 所示配位基。
I A2、 (7) φ (式中，A1及A2爲取代或無取代之芳香族環） —O-Ar7 (8 a) 一ο-έ-Αθ (8 b) —0-Z-tAr,c? (S c) (式中，Z表示Si，Ge或Sn之任一原子，
Ar7〜Ar1()表示各自獨立，取代或無取代之芳香族烴基或 芳香族雜環基） 又，Q及Q’可各自爲吲哚，例如苯并咪唑，苯并噻 唑，苯并噁唑衍生物等。 -20- (17)I36〇363 該等中，特佳之Q及Q’’係如下述—般式（9)所示者
(式中’ R2〜R7表示各自獨立之氫原子，鹵原子，羥 基取代或無取代之胺基’硝基’氰基，取代或無取代之 ^基，取代或無取代之鏈烯基，取代或無取代之環烷基， 取代或無取代之烷氧基’取代或無取代之芳香族烴基，取 代或無取代之芳香族雜環基’取代或無取代之芳烷基，取 代或無取代之芳氧基，取代或無取代之烷氧羰基或羧基。 R2〜R7，爲該等中之二種來形成環亦可。） 則述R2〜R?所示各基之具体例，有以下所示之物。 _原子有例如，氟，氯，溴，碘。 取代或無取代之胺基以_Νχΐχ2表示，χι及x2之例有 ’各自獨立之，氫原子，甲基，乙基，丙基，異丙基，正 丁基，S-丁基’異丁基，第三丁基，正戊基，正己基， 正庚基’正辛基，羥甲基，丨_羥乙基，2_羥乙基，2_羥異 丁基’ 1，2-二羥基乙基，1，3-二羥基異丙基，2，3-二 羥基-第三丁基，1，2，3_三羥基丙基，氯甲基，丨·氯乙 -21 - (18) 1360363 基，2-氯乙基，2-氯異丁基，1，2-二氯乙基，1，3-二氯 異丙基，2，3 -二氯-第三丁基，1，2，3 -三氯丙基，溴甲 基，1-溴乙基，2_溴乙基，2-溴異丁基，1，2-二溴乙基， 1，3-二溴異丙基，2，3 -二溴第三丁基，1，2，3-三溴丙 基，碘代甲基，1-碘代乙基，2-碘代乙基，2-碘代異丁基 ，1，2 -二碘代乙基，1，3 -二碘代異丙基，2，3 -二碘代-第三丁基，1，2，3_三碘代丙基，胺基甲基，1-胺基乙基 鲁2-胺基乙基，2-胺基異丁基，1，2-二胺基乙基，1，3-二胺基異丙基，2，3-二胺基-第三丁基，1，2，3-三胺基 丙基，氰基甲基，1-氰基乙基，2-氰基乙基，2-氰基異丁 基，1，2-二氰基乙基，1，3-二氰基異丙基，2，3-二氰 基-第三丁基，1，2，3 -三氰基丙基，硝基甲基，1-硝基 乙基，2 -硝基乙基，2 -硝基異丁基，1，2 -二硝基乙基，1 ，3-二硝基異丙基，2，3-二硝基-第三丁基，1，2，3-三 硝基丙基，苯基，1-萘基，2 -萘基，1-蒽基，2 -蒽 •I nthryl)基，9-恵基’ 1-非基’ 2-非基’ 3-非基’ 4 -菲基 ，9-菲基，1_並四苯基，2-並四苯基，9-並四苯基，4-苯 乙烯基苯基，1-嵌二萘基（pyrenyl)基，2-嵌二萘基，4-嵌 二萘基，2-聯苯基，3-聯苯基，4-聯苯基，p-聯三苯基-4-基，p-聯三苯基-3-基，p-聯三苯基-2-基，間聯三苯基-4-基，間聯三苯基-3-基，間聯三苯基-2-基，鄰甲苯基，間 甲苯基，對甲苯基，對第三丁基苯基，對-(2-苯基丙基）苯 基，3-甲基-2-萘基，4-甲基-卜萘基，4-甲基-1-蒽基，4’-甲基聯苯基，4”-第三丁 -對-聯三苯基-4-基，2_吡咯基， -22- (19) (19)1360363 3-吡咯基，吡嗪基（pyrazinyl)D(t嗪基，2-吡啶基，3-吡啶 基，4-吡啶基，2-吲哚基，3-吲哚基，4-吲哚基，5-吲哚 基，6 -吲哚基，7 _吲哚基，1 -異吲哚基，3 -異吲哚基，4 -異吲哚基，5-異吲哚基，6-異吲哚基，7-異吲哚基，2-呋 喃基，3-呋喃基，2-苯并呋喃基，3-苯并呋喃基，4-苯并 呋喃基，5-苯并呋喃基，6-苯并呋喃基，7-苯并呋喃基， 1-異苯并呋喃基，3 -異苯并呋喃基，4 -異苯并呋喃基，5-異苯并呋喃基，6-異苯并呋喃基，7-異苯并呋喃基，2-Q奎 啉基，3 -喹啉基，4 -喹啉基，5 -喹啉基，6 -喹啉基，7 -Π奎 啉基，8 -H奎啉基，1-異喹啉基，3 -異喹啉基，4 -異喹啉基 ’ 5 -異B奎琳基’ 6 -異嗤琳基> 7 -異哇琳基’ 8 -異嗤咐基> 2 - D奎喔啉基，5 -喹喔啉基，6 -喹喔啉基，1 -咔唑基，2 -味 唑基，3 -咔唑基，4 -咔唑基，1 -啡啶基，2 -啡啶基，3 -啡 啶基，4 _啡啶基，6 -啡啶基，7 -啡啶基，8 -啡啶基，9 -啡 啶基，1 0 -啡啶基，1 -吖啶基，2 -吖啶基，3 -吖啶基，4 -吖 啶基，9-吖啶基，1，7-二氮雜菲-2-基，1，7-二氮雜菲-3-基，1，7-二氮雜菲-4-基，1，7-二氮雜菲-5-基，1，7-二氮雜菲-6-基，1，7-二氮雜菲-8-基，1，7-二氮雜菲- 9-基，1，7-二氮雜菲-10-基，1，8-二氮雜菲-2-基，1，8-二氮雜菲-3-基，1，8-二氮雜菲-4-基，1，8-二氮雜菲- 5-基，1，8-二氮雜菲-6-基，1，8-二氮雜菲-7-基，1，8-二 氮雜菲-9-基，1，8-二氮雜菲-10-基，1，9-二氮雜菲-2-基 ，1.9-二氮雜菲-3-基，1，9-二氮雜菲-4-基，1，9-二氮雜 菲-5-基，1，9-二氮雜菲-6-基，1，9-二氮雜菲-7-基，1， -23- (20) 1360363 9-二氮雜菲-8-基，1，9-二氮雜菲-10-基，1，10-二氮雜 菲-2-基，1，10-二氮雜菲-3-基，1，10-二氮雜菲-4-基，1 ，10-二氮雜菲-5-基，1，9 -二氮雜菲-1-基，2，9-二氮雜 菲-3-基，2，9-二氮雜菲-4-基，2，9-二氮雜菲-5-基，2, 9-二氮雜菲-6-基，2，9-二氮雜菲-7-基，2，9-二氮雜菲-8-基，2，9-二氮雜菲-10-基，2，8-二氮雜菲-1-基，2，8-二氮雜菲-3-基，2，8-二氮雜菲-4-基，2，8-二氮雜菲- 5-•I，2，8-二氮雜菲-6-基，2，8-二氮雜菲-7-基，2，8-二 氮雜菲-9-基，2，8-二氮雜菲-10-基，2，1-二氮雜菲-1-基 ，2，7-二氮雜菲-3-基，2，7-二氮雜菲-4-基，2，7-二氮 雜菲-5-基，2，7-二氮雜菲-6-基，2，7-二氮雜菲-8-基，2 ’7 -—氣雑非-9-基，2’ 7 - 一氣雑非-10 -基，1_啡哄基’ 2_ 啡哄基，1_吩噻嗪基（phenothiazinly)，2 -吩噻嗪基，3 -吩 噻曉基，4 -吩噻嗪基，l-(phenoxazinyl)吩惡曉基，2 -吩惡 嗪基，3-吩惡嗪基，4-吩惡嗪基，2-噁唑基，4-噁唑基， •-噁唑基，2-氧二氮茂基（oxadiazolyl)，5-氧二氮茂基， 3-呋吖基，2·噻吩基，3-噻吩基，2-甲基吡咯（pyrrolyl)-l-基，2 -甲基吡咯-3-基，2 -甲基吡咯-4 -基，2 -甲基吡咯- 5-基，3 -甲基吡咯-1-基，3 -甲基吡咯-2-基，3 -甲基吡咯-4-基，3-甲基吡咯-5-基，2-第三丁吡咯-4·基，3-(2-苯基丙 基）批咯-1-基，2 -甲基-1-吲哚基，4 -甲基-1-吲哚基，2 -甲 基-3-吲哚基，4-甲基-3-吲哚基，2-第三丁 -1-吲哚基，4-第三丁 -1-吲哚基，2-第三丁 -3-吲哚基，4-七-丁 3-吲哚基 等。 -24- (21) (21)1360363 取代或無取代之烷基之例有，甲基，乙基，丙基，異 丙基，正丁基，s-丁基，異丁基，第三丁基，正戊基，正 己基，正庚基，正辛基，羥甲基，1-羥乙基，2-羥乙基， 2-羥異丁基，1，2-二羥乙基，1，3-二羥異丙基，2，3-二 羥基-第三丁基，1，2，3 -三羥丙基，氯甲基，1-氯乙基 ，2-氯乙基，2-氯異丁基，1，2-二氯乙基，1，3-二氯異 丙基，2，3 -二氯-第三丁基，1，2， 3 -三氯丙基，溴甲 基，1-溴乙基，2-溴乙基，2-溴異丁基，1，2-二溴乙基， 1，3-二溴異丙基，2，3-二溴-第三丁基，1，2，3-三溴丙 基，碘代甲基，1-碘代乙基，2-碘代乙基，2-碘代異丁基 ，1，2 -二碘代乙基，1，3 -二碘代異丙基，2，3 -二碘代-第三丁基，1，2，3-三碘代丙基，胺基甲基，1-胺基乙基 ，2-胺基乙基，2-胺基異丁基，1，2-二胺基乙基，1，3-二胺基異丙基，2，3-二胺基-第三丁基，1，2，3-三胺基 丙基，氰基甲基，1-氰基乙基，2-氰基乙基，2-氰基異丁 基，1，2-二氰基乙基，1，3-二氰基異丙基，2，3-二氰 基-第三丁基，1，2，3 -三氰基丙基，硝基甲基，1-硝基 乙基，2 -硝基乙基，2 -硝基異丁基，I，2_二硝基乙基，1 ，3 -二硝基異丙基，2，3-二硝基-第三丁基，1，2，3三 硝基丙基等。 取代或無取代之鏈烯基之例有，乙烯基，芳基，1-丁 烯基，2-丁烯基，3-丁烯基，1，3-丁二烯基，1-甲基乙烯 基，苯乙烯基，2，2-二苯基乙烯基，1，2-二苯基乙烯基 ，1-甲基芳基，1，1-二甲基芳基，2-甲基芳基，1-苯基芳 -25- (22) 1360363 基，2-苯基芳基，3-苯基芳基，3，3-二苯基芳基，1，2-二甲基芳基，1-苯基-1-丁烯基，3-苯基-1-丁烯基等。 取代或無取代之環烷基之例有例如，環丙基，環丁基 ，環戊基，環己基，4-甲基環己基等。 取代或無取代之烷氧基，爲-ΟΥ所示基，Υ之例有， 甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁基，s-丁基，異丁基， 第三丁基，正戊基，正己基，正庚基，正辛基，羥基甲基 # 1-羥基乙基，2-羥基乙基，2-羥基異丁基，1，2-二羥乙 基，1，3 -二羥基異丙基，2，3-二羥基-第三丁基，1，2 ，3-三羥基丙基，氯甲基，1-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異 丁基，1，2-二氯乙基，1，3-二氯異丙基，2，3-二氯-第 三丁基，1，2，3 -三氯丙基，溴甲基，1-溴乙基，2 -溴乙 基，2 -溴異丁基，1，2 -二溴乙基，1，3 -二溴異丙基，2 ，3-二溴-第三丁基，1，2，3-三溴丙基，碘代甲基，1-碘 代乙基，2-碘代乙基，2-碘代異丁基，1，2-二碘代乙基 _1，3 -二碘代異丙基，2，3 -二碘代-第三丁基，1，2，3-三碘代丙基，胺基甲基，1-胺基乙基，2-胺基乙基，2_胺 基異丁基，1，2 -二胺基乙基，1，3 -二胺基異丙基，2， 3-二胺基-第三丁基，1，2，3-三胺基丙基，氰基甲基，1-氰基乙基，2-氰基乙基，2-氰基異丁基，1，2-二氰基乙 基，1，3-二氰基異丙基，2，3-二氰基-第三丁基，1，2 ，3三氰基丙基，硝基甲基，1-硝基乙基，2 -硝基乙基， 2 -硝基異丁基，1，2 -二硝基乙基，1，3 -二硝基異丙基， 2，3-二硝基-第三丁基，1，2，3-三硝基丙基等。 -26- 1360363 (23) 有， 例基 之蒽 基 9 烴， 族基 香蒽 芳 2之， 代 基 取 無-m 或1-代 ’ 取基 萘 讎 2 基 苯 基 菲 ’ 基 基菲 萘2- (phenanthryl)基，3-菲基，4-菲基，9-菲基，1-並四苯基 (naphthacenyl)，2-並四苯基，9-並四苯基，1·嵌二萘基， 2-嵌二萘基’ 4-嵌二萘基，2-聯苯基’ 3-聯苯基，4_聯苯 基’ P-聯二苯基-4基，P-聯三苯基-3基’ P-聯三苯基·2基 ，間聯三苯基-4基，間聯三苯基-3基，間聯三苯基_2基， 鄰甲苯基’間甲苯基，對甲苯基，對第三丁苯基，對（2_ 苯基丙基）苯基，3-甲基-2-萘基，4-甲基-1-萘基，4-甲基- 1- 蒽基’ 4’-甲基聯苯基，4”-第三丁 -Ρ-聯三苯基-4基等。 取代或無取代之芳香族雜環基之例有，1 -吡咯 (pyrrolyl)基，2-吡咯基，3-吡咯基，吡嗪基（pyrazinyl)， 2- 吡啶基，3-毗啶基，4-吡啶基，1-吲哚基（indolyl) ’ 2-吲哚基’ 3 -吲哚基，4 -吲哚基，5 -吲哚基，6 -吲哚基’ 7 -吲哚基’ 1 -異吲哚基，2 -異吲哚基，3 -異吲哚基，4 -異吲 哚基，5 -異吲哚基，6 -異吲哚基，7 -異吲哚基，2 -呋喃基 ’ 3 -呋喃基’ 2 -苯并呋喃基（benzofuranyl)，3 -苯并咲喃基 ’ 4 -苯并呋喃基，5 -苯并呋喃基，6 -苯并呋喃基’ 7·苯并 呋喃基，1-異苯并呋喃基，3 -異苯并呋喃基，4 -異苯并呋 喃基’ 5 -異苯并呋喃基，6 -異苯并呋喃基，7 -異苯并呋喃 基’ 2·喹啉基，3 -喹啉基，4 -喹啉基，5 -曈啉基，6 -11奎啉 基，7 -α奎啉基，8 -喹啉基，1-異喹啉基，3 -異曈啉基，4_ 異鸣啉基，5 -異D奎啉基，6 -異喹啉基，7 -異曈啉基’ 8 -異 U奎咐基’ 2-Π奎喔琳基（quinoxalinyl)，5 -哇喔琳基，6 -喳喔 (24) 1360363 啉基，1-味唑基，2-咔唑基，3-咔唑基，4-咔唑基，9-咔 唑基，1-啡啶基（phenanthridinyl)，2-啡啶基，3-啡啶基 ，4 ·啡啶基，6 -啡啶基，7 -啡啶基，8 -啡啶基，9 -啡啶基 ，10-啡啶基，1-吖啶基（acridinyl)，2-吖啶基，3-吖啶基 ，4 -吖啶基，9 -吖啶基，1，7 -二氮雜菲-2 -基，1，7 -二氮 雜菲-3·基，1，7-二氮雜菲- -4-基，1，7-二氮雜菲-5-基 ，1，7_二氮雜菲-6-基，1，7-二氮雜菲-8-基，1，7-二氮 菲-9-基，1，7-二氮雜菲-10-基，1，8-二氮雜菲-2-基， 1，8-二氮雜菲-3-基，1，8-二氮雜菲-4-基，1，8-二氮雜 菲-5-基，1，8-二氮雜菲-6-基，1，8-二氮雜菲-7-基，1， 8-二氮雜菲-9-基，1，8-二氮雜菲-10-基，1，9-二氮雜菲-2-基，1，9-二氮雜菲-3-基，1，9-二氮雜菲-4-基，1，9-二氮雜菲-5-基，1，9-二氮雜菲-6-基，1，9-二氮雜菲- 7-基，1，9-二氮雜菲-8-基，1，9-二氮雜菲-10-基，1，10-二氮雜菲-2-基，1，10-二氮雜菲-3-基，1，10-二氮雜菲-·-基，1，10-二氮雜菲-5-基，2，9-二氮雜菲-1-基，2，9-二氮雜菲-3-基，2，9-二氮雜菲-4-基，2，9-二氮雜菲- 5-基，2，9-二氮雜菲-6-基，2，9-二氮雜菲-7-基，2，9-二 氮雜菲-8-基，2，9-二氮雜菲-10-基，2，8-二氮雜菲-1-基 ，2，8-二氮雜菲-3-基，2，8-二氮雜菲-4-基，2，8-二氮 雜菲-5-基，2，8-二氮雜菲-6-基，2，8-二氮雜菲-7-基，2 ，8_二氮雜菲-9-基，2，8-二氮雜菲-10-基，2，7-二氮雜 菲-卜基，2，7-二氮雜菲-3-基，2，7-二氮雜菲-4-基，2， 7-二氮雜菲-5-基，2，7-二氮雜菲-6-基，2，7-二氮雜菲- -28- (25) 1360363 8-基，2，7-二氮雜菲-9-基，2，7-二氮雜菲-10-基，1-啡 哄基，2-啡畊基，1-吩噻嗪基，2 -吩噻嗪基，3 -吩噻嗪基 ，4-吩噻嗪基，10-吩噻嗪基，1-吩惡嗪基，2-吩惡嗪基，
3 -吩惡嗪基，4 -吩惡嗪基，10 -吩惡嗪基，2 -噁唑基，4 -噁 唑基，5 -噁唑基，2 -氧二氮茂基，5 -氧二氮茂基，3 -呋吖 基，2 -噻吩基，3 -噻吩基，2 -甲基吡咯-1基，2 -甲基吡咯-3基，2 -甲基吡咯-4基，2 -甲基吡咯-5基，3 -甲基吡咯-1基 ，3 -甲基吡咯-2基，3 -甲基吡略-4基，3 -甲基吡咯-5基， 2-第三丁吡咯-4基，3-(2-苯基丙基）吡咯-1基，2-甲基-1-口引晚基’ 4 -甲基-1-卩引哄基’ 2 -甲基-3-卩引晚基’ 4 -甲基- 3-吲哚基，2-第三丁 -1-吲哚基，4-第三丁 -1-吲哚基，2-第 三丁 -3-吲哚基，4-第三丁 -3-吲哚基等。
取代或無取代之芳烷基之例有，苄基，1-苯基乙基， 2-苯基乙基，1-苯基異丙基，2-苯基異丙基，苯基-第三 丁基，α-萘甲基，l-α-萘乙基，2-α-萘乙基，Ι-a-萘異丙 基，2_α-萘異丙基，β-萘甲基，l-β-萘乙基，2-β-萘乙基 ，l-β-萘異丙基，2-β-萘異丙基，1-吡咯甲基，2-(1-吡咯） 乙基，對甲基苄基，間甲基苄基，鄰甲基苄基，對氯苄基 ，間氯苄基，鄰氯苄基，對溴苄基，間溴苄基，鄰溴苄基 ，對碘代苄基，間碘代苄基，鄰碘代苄基，對羥基苄基， 間羥基苄基，鄰羥基苄基，對胺基苄基，間胺基苄基，鄰 胺基苄基，對硝基苄基，間二硝基苄基，鄰硝基苄基，對 氰基苄基，間氰基苄基，鄰氰基苄基，1-羥基-2-苯基異 丙基，1-氯-2-苯基異丙基等。 -29- 1360363 (26) 取代或無取代之芳基氧基，以-〇Z’表示，Z’之例有苯 基，1-萘基，2-萘基，1-蒽基’ 2-蒽基，9-蒽基，1-菲基 ，2-菲基，3-菲基，4·菲基，9-菲基，1-萘噻吩甲基 (naphthathenyl)基，2-萘噻吩甲基，9-萘噻吩甲基，1-嵌 二萘基，2-嵌二萘基，4-嵌二萘基，2-聯苯基，3-聯苯基 ，4-聯苯基，對聯三苯基-4基，對聯三苯基-3基，對聯三 苯基-2基，間聯三苯基-4基，間-聯三苯基-3基，間聯三苯 •Κ -2基，鄰甲苯基，間甲苯基，對甲苯基，對第三丁苯基 ’對（2-苯基丙基）苯基，3-甲基-2-萘基，4_甲基-1·萘基， 4-甲基-1-蒽基，4’-甲基聯苯基，4”-第三丁基對聯三苯 基-4-基，2-吡咯基，3-吡咯基，吡嗪基，2-吡啶基，3-吡 啶基’ 4 -吡啶基’ 2 -吲哚基，3 -吲哚基，4 -吲哚基，5 -吲 哚基’ 6-吲哚基，7-吲哚基，1-異吲哚基，3-異吲哚基， 4-異吲哚基，5-異吲哚基，6-異吲哚基，7-異吲哚基，2-呋喃基，3 -呋喃基’ 2 -苯并呋喃基，3 -苯并呋喃基，4 -苯 I呋喃基’ 5-苯并呋喃基，6-苯并呋喃基，7-苯并呋喃基 ’ 1-異苯并呋喃基，3 -異苯并呋喃基，4_異苯并呋喃基， 5_異苯并呋喃基’ 6 -異苯并咲喃基，7 -異苯并呋喃基，2-D奎啉基’ 3-D奎啉基，4-喹啉基，5-D奎啉基，6_D奎啉基，7_ 11奎啉基，8-D奎啉基，1-異喹啉基，3-異鸣啉基，4-異D奎啉 基，5 -異唼啉基，6 -異喹啉基，7 -異喹啉基，8 -異D奎啉基 ’ 2 -哇喔啉基，5 - D奎喔琳基，6 - D奎喔啉基，1 -味哩基，2 -味唑基，3-咔唑基，4_昨唑基，1-啡啶基，2-啡啶基，3-啡啶基’ 4 ·啡啶基’ 6 -啡啶基，7 -啡啶基，8 -啡啶基，9 - -30- (27) (27)1360363 啡啶基，1 〇 -啡啶基，1 -吖啶基，2 -吖啶基，3 -吖啶基，4 -V 陡基，9 -卩丫 Β定基，1 ’ 7 -二氮雜菲（phenathroline)-2 基’ 1，7 - 一氮雜非-3-基’ 1 ’ 7 - 一氣雑非-4-基’ 1，7 - 一氣雜 菲-5-基，1，7-二氮雜菲-6-基，1，7-二氮雜菲-8-基，1， 7-二氮雜菲-9-基，1，7-二氮雜菲-10-基，1，8-二氮雜菲-2-基，1，8-二氮雜菲-3-基，1，8-二氮雜菲-4-基，1，8-二氮雜菲-5-基，1，8-二氮雜菲-6-基，1，8-二氮雜菲- 7-基，1，8-二氮雜菲-9基，1，8-二氮雜菲-10-基，1，9-二 氮雜菲-2-基，1，9-二氮雜菲-3-基，1，9-二氮雜菲-4-基 ，1，9-二氮雜菲-5-基，1，9-二氮雜菲-6-基，1，9-二氮 雜菲-7-基，1，9-二氮雜菲-8-基，1，9-二氮雜菲-10-基， 1，10-二氮雜菲-2-基，1，10-二氮雜菲-3-基，1，10-二 氮雜菲-4-基，1，10-二氮雜菲-5-基，2，9-二氮雜菲-1-基 ，2，9-二氮雜菲-3-基，2，9-二氮雜菲-4-基，2，9-二氮 雜菲-5-基，2，9二二氮雜菲-6-基，2，9-二氮雜菲-7-基， 2，9 -二氮雜菲-8-基，2，9 -二氮雜菲-10-基，2，8 -二氮 雜菲-1-基，2，8-二氮雜菲-3-基，2，8-二氮雜菲-4-基，2 ，8-二氮雜菲-5-基，2，8-二氮雜菲-6-基，2，8-二氮雜 菲-7-基，2，8-二氮雜菲-9-基，2，8-二氮雜菲-10-基，2 ，7-二氮雜菲-1-基，2，7-二氮雜菲-3-基，2，1-二氮雜 菲-4-基，2，7-二氮雜菲-5-基，2，7-二氮雜菲-6-基，2， 7-二氮雜菲-8-基，2，7-二氮雜菲-9-基，2，7-二氮雜菲- 1 0 -基，1 -啡啡基（p h e n a z i n y 1 )，2 -啡畊基，1 -吩噻嗪基， 2 -吩噻嗪基，3 -吩噻嗪基，4 -吩噻嗪基，1-吩惡嗪基，2- -31 - (28) 1360363 吩惡嗪基，3-吩惡嗪基，4-吩惡嗪基，2-噁唑（oxazolyl)基 ，4-噁唑基，5-噁唑基，2-氧二氮茂基，5-氧二氮茂基， 3- 呋吖基（furazanyl)，2-噻吩基，3·噻吩基，2 -甲基吡咯-1·基，2-甲基吡咯-3-基，2-甲基吡咯-4-基，2-甲基吡咯-5-基，3-甲基吡咯-1-基，3-甲基吡咯-2-基，3-甲基吡咯- 4- 基，3-甲基吡咯-5-基，2-第三丁基吡咯-4-基，3-(2-苯 基丙基）吡咯-1-基，2-甲基-1-吲哚基，4-甲基-1-吲哚基， 鲁-甲基-3-吲哚基，4-甲基-3-吲哚基，2-第三丁基1-吲哚基 ，4-第三丁基1-吲哚基，2-第三丁基3-吲哚基，4-第三丁 基-吲哚基等。 取代或無取代之烷氧羰基係以-COOY表示，Y之例有 甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁基，s-丁基，異丁基， 第三丁基，正戊基，正己基，正庚基，正辛基，羥甲基， 1·羥乙基，2-羥乙基，2-羥異丁基，1，2-羥乙基，丨，3_ 二羥異丙基，2，3·二羥基·第三丁基，1，2，3-三羥丙基 擊氯甲基，1-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異丁基，1，2-二氯 乙基，1，3-二氯異丙基，2，3-二氯-第三丁基，1，2，3_ 三氯丙基，溴甲基，1-溴乙基，2-溴乙基，2-溴異丁基， 1，2-二溴乙基，1，3-二溴異丙基，2，3-二溴-第三丁基 ，1，2，3-三溴丙基，碘代甲基，1-碘代乙基，2-姚代乙 基，2-碘代異丁基，1，2·二碘代乙基，1，3-二碘代異丙 基，2，3-二碘代-第三丁基，1，2，3-三碘代丙基，胺基 甲基，1·胺基乙基，2-胺基乙基，2-胺基異丁基，1 , 2_二 胺基乙基，1，3 -二胺基異丙基，2，3-二胺基-第三丁基 -32- (29) (29)1360363 ，1 ’ 2’ 3-三胺基丙基，氰基甲基，1-氰基乙基，2-氰基 乙基，2-氰基異丁基，1，2-二氰基乙基，1，3-二氰基異 丙基，2，3-二氰基-第三丁基，1，2，3-三氰基丙基，硝 基甲基，1-硝基乙基，2 -硝基乙基，2·硝基異丁基，1，2-二硝基乙基，1，3 -二硝基異丙基，2，3-硝基-第三丁基 ’ 1，2 ’ 3-三硝基丙基等。 又，形成環時之2價基之例有，四亞甲基，五亞甲基 ’六亞甲基’二苯基甲烷-2，2·-二基，二苯基乙烷-3， 3’-二基，二苯基丙烷-4，4'-二基等。 前述各取代基有例如，氫原子，鹵原子，羥基，胺基 ’硝基’氰基，院基，鏈烧基，環院基，院氧基，芳香族 烴基’芳香族雜環基，芳烷基，芳基氧基，烷氧羰基或羧 基等，具体例則有與前述相同之物。 以上之中，特佳之電子輸送材料之含氮錯合物，有單 一種類之含氮環衍生物所配位之金屬錯合物，前述含氮環 ，若爲喹啉，苯基吡啶，苯并喹啉或二氮雜菲 (phenanthroline)則較佳。又，前述金屬錯合物，爲喹啉酚 之金屬錯合物或其衍生物則較佳。具体而言，以8 -鸣啉酚 衍生物爲配位基之金屬錯合物，有例如三（8 -喹啉酚）A 1錯 合物’三（5，7-二氯-8-卩奎啉酚）A1錯合物，三（5，7-二溴-8-D奎啉酚）A1錯合物，三（2-甲基-8-喹啉酚）A1錯合物，三 (5-甲基-8-喹啉酚）A1錯合物，三（8_喹啉酚）Zn錯合物，三 (8-卩奎啉酚）In錯合物，三（8-喹啉酚）Mg錯合物，三（8-Q奎 啉酚）Cu錯合物，三（8-喹啉酚）Ca錯合物，三（8-卩奎啉酚 (30) 1360363 )Sn錯合物，三（8-Q奎啉酚）Ga錯合物，三 合物等之單獨1種或2種以上之組合。 該等金屬錯合物係，因能隙小故自陰 優異，相對於電子輸送之耐久性亦高，可 件。 又，較佳電子輸送材料之含氮環化合 有吡啶，曈啉，吡哄，嘧啶，喹喔啉，三 φ吡啶等之化合物，尤其是可使能隙爲小 縮合芳香族環連結之化合物，或含氮環透 合芳香族環連結之化合物較佳。此含氮環 及亞芳基，可具有各自之取代基，取代基 原子，鹵原子，羥基，胺基，硝基，氰基 ，環烷基，烷氧基，芳香族烴基，芳香族 ，芳基氧基，烷氧羰基，羧基等。 又，較佳之前述縮合芳香族環，有 _^>yrene)，菲，熒恵（fluororanthene)，窟 萘並萘（naphthacene)或戊省（pentacene)等 更佳之電子輸送材料之含氮環化合物 唑或將此縮環之咪唑并吡啶，苯並咪唑等 之縮合環，具有1〜4個之氮原子，例如， 造，例如下述一般式（A)〜（B)所示者》 (8 -喹啉酚）P b錯 極之電子注入性 賦予長哥命之兀 物，作爲含氮環 哄，咪唑，咪唑 ，故以含氮環與 過亞芳基之與縮 ，縮合芳香族環 方面有例如，氫 ，烷基，鏈烯基 雜環基，芳烷基 例如萘，蒽，芘 ，耷它（perylene)， ◊ ，係含氮環，咪 之6圓環與5圓環 具有苯並咪唑構 -34- 1360363
—般式（A)及（B)中，L爲一價或二價之連結基，例如 ，碳，矽，氮，硼，氧，硫黄，金屬（例如，鋇，鈹），芳 香族烴環，芳香族雜環等，該等之中以碳原子，氮原子， 砂原子’硼原子，氧原子，硫黄原子’芳香族烴基，芳香 族雜基較佳，以碳原子’矽原子，芳香族烴基，芳香族雜 基更佳。 L之芳香族烴基及芳香族雜基可具有取代基，取代基 較佳爲烷基，鏈烯基，炔基，芳香族烴基，胺基，烷氧 基，芳基氧基，醯基’烷氧羰基，芳基氧羰基，醯氧基， 酿胺基’院氧羯胺基，芳基氧羰胺基，磺醯基胺基，胺磺 醯基（sulfamoyl) ’胺甲醯基，烷硫基，芳基硫基，磺醯基 原子，氰基’芳香族雜環基，更佳爲烷基，芳基，烷 氧基’芳基氧基’鹵原子，氰基，芳香族雜環基，再佳爲 院基’芳基’烷氧基，芳基氧基，芳香族雜環基，特佳爲 烷基，芳基’烷氧基’芳香族雜環基。 又’ 一般式（A)及（B)中，L爲一價之場合，l表示-L’-Ai^-A!·2，L，，Ar1’ Ar2有，縮合芳香族環之蒽，萘， 窟’菲’熒蒽，芘’菲或芳香族雜環之吡啶，嘧啶，三畊 -35- 1360363 p2) ’再者不進行縮環之芳香族環，有苄基，聯苯基，聯三苯 基等之殘基較佳。該等之殘基可被取代，L，係可爲單鍵。 Ar1特佳爲惠殘基，萘殘基，窟殘基，Ar2特佳爲，萘殘基 ’聯苯殘基，苄殘基。 —般式（A)及（B )所示化合物之具体例，有以下之例示 化合物寺’但並非限定於該等例示化合物。又，在下述例 不中’一般式（A)及（B)中（）内之含氮環殘基部分係記載爲 翁Ar。
-36- (33) 1360363 HA r — L’一A r 1 —A r (A-l) (A-2) (A-3) (A-4) (A-5) (A-6) (A-7) (A-8) (A-9) (A-10) (A-ll) (A-12) (A-13) (A-14)
L， Ol Ar1 C^O XX c^o XX οφο Ok 0^0 XK c^o XX ccjo XX cc^o Ό. C^O XX Ό. 0^0 XX c^o XX (ψ5 XX 0^0 Ok α^ο -37-
Af2Ό
ΌΟ
X) (34) 1360363 HA r -L’—A r 1 -A r 2 HAr (A-15) (A-16)
HjC
Et'
Or (A-17) h厂广ό (A-18) 0 H3c ό CH3ό (Α-19) (Α-20) (Α-21) (Α-22) (Α-23)
L， XX Ok XX XX XXχχ
XX
XX
Ar1
Ar2 ΌΟ ΧΟ
Χ)0
ΌΟ ΌΟ ΧΟ ΧΟ -38- (35)1360363 HA r - L，一A r 1 —A r 2 (A-24) (A-25) (A-26) (A-27) (A-28) (A-29) (A-30) (A-31) (A-32) (A-33) (A-34) (A-35) HAr l , Ar1 Ar2
-39- (36)1360363
(A-36) (A-37) (A-38) (A-39) (A-40) (A-41) (B-1) (B-2) (B-3)
-40 (37) (37)1360363 L爲二價之場合’一般式（a)及（B)爲HAr-L’-Ar1 -L’-HAr所示者較佳。L，及Ar1之例及較佳例如同 前述，亦可具有取代基，L’亦可爲單鍵。 R及R’各自表示氫原子’脂肪族烴基，芳香族烴基或 雜環基。 R及R’之脂肪族烴基爲直鏈，分支或環狀烷基（較佳 爲碳數1〜20，更佳爲碳數1〜12，特佳爲碳數1〜8之烷基 ’例如’甲基’乙基，異丙基，第三丁基，正辛基，正癸 基’正十六基，環丙基’環戊基，環己基等。），鏈烯基（ 較佳爲碳數2〜20，更佳爲碳數2〜12，特佳爲碳數2〜8之 鏈烯基，例如，乙烯，烯丙基，2 -丁烯基，3 -戊烯基等。 )’炔基（較佳爲碳數2〜 2〇’更佳爲碳數2〜12，特佳爲碳數2〜8之炔基，例如， 丙炔基（propargyl)，3-戊醯基等。），而以烷基較佳。 R及R’之芳香族烴基，爲單環或縮合環，較佳爲碳數 6〜30，更佳爲碳數6〜20，再佳爲碳數6〜12之芳香族烴 基，例如苯基，2-甲基苯基，3-甲基苯基，4-甲基苯基， 2-甲氧基苯基，3-三氟甲基苯基，五氟苯基，1-萘基，2-萘等。 R及R’之雜環基爲單環或縮合環，較佳爲碳數1〜20 ’更佳爲碳數1〜12，再佳爲碳數2〜10之雜環基，較佳爲 含有氮原子，氧原子，硫黄原子，硒原子之至少一種之芳 香族雜環基。此雜環基之例有例如，吡咯啶，哌啶，哌畊 ，味啉，噻吩，硒吩（selenophen)，呋喃，吡咯，咪唑， -41 - (38) 1360363 吡唑，吡啶，吡畊，嗒畊，嘧啶，三唑，三哄，吲哚，吲 哗，嘌哈，噻哗啉（thi azoline )，噻哩，噻二哗，哼哗啉 (oxazoline)，Of哩，氧二氮茂，〇奎啉，異D奎咐，敢曉 (phthalazine)，瞭陡（naphthyridine)，咱嗎啉（quinoxaline) ，喹嗤啉（quinazoline)，噌啉（cinnoline)，蝶陡（pteridine) ，吖啶，二氮雜菲，啡畊（phenazine)，四唑，苯并咪唑， 苯并噁唑，苯并噻唑，苯并三唑，四氮雜苯登 鲁t etrazineden)，昨哩，AY庚因（azepine)等，較佳爲，呋喃 ，噻吩，吡啶，吡哄，嘧啶，嗒畊，三畊，咱啉，酞嗪 (phthalazine)，暸啶，喳喔咻，D奎唑啉，更佳爲呋喃，噻 吩，吼Π定，喹啉，再佳爲喹琳。 R及R’所示脂肪族烴基，芳香族烴基及雜環基可具有 取代基，取代基方面與前述L所示基之取代基所例舉者相 同，又較佳之取代基亦相同》 R及R’較佳爲脂肪族烴基，芳香族烴基或雜環基，更 爲脂肪族烴基（較佳爲碳數6〜30，更佳爲碳數6〜20, 再佳爲碳數6〜12者）或芳香族烴基，更佳爲脂肪族烴基（ 較佳爲碳數1〜20，更佳爲碳數1〜12，再佳爲碳數2〜10 者）。 η爲，1〜2之整数。 又，電子輸送材料之含氮環化合物中具有咪唑并11比啶 構造之物有例如下述一般式（C)所示者。 -42- (39) 1360363
一般式（C)中，Ari’，爲取代或無取代之核碳數6〜60 之（較佳爲核碳數6〜40)芳基，或取代或無取代之核碳數3 〜60(較佳爲核碳數3〜40)之雜芳基。
Ar1’之取代或無取代之芳基之例有，苯基，〗_萘基， $ 2 -萘基’ 1-蒽基，2 -蒽基，9-蒽基，1-菲基，2 -菲基，3-菲基’ 4-非基’ 9 -菲基，1-並四苯基（naphthacenyl)，2·並 四本基’ 9 -並四本基，1-窟基，2 -窟基，6 -窟基，1-嵌二 萘基，2-嵌二萘基，4-嵌二萘基，2·聯苯基，3·聯苯基， 4 -聯苯基’ p -對聯三苯-4 -基，p_苯基-3_基，ρ·聯三苯基· 2-基，間聯三苯基-4-基，間聯三苯基-3-基，間聯三苯基· 2-基’鄰甲苯基’間甲苯基，對甲苯基，對第三丁苯基， 對（2 -苯基丙基）苯基’ 3 -甲基-2 -萘基，4 -甲基-1-萘基，4· φ 甲基-1-蒽基，4，-甲基聯苯基，4”-第三丁基-Ρ-聯三苯基_ 4-基，螢蒽（flroranthenyl)基，芴基（firoreniy)，螺環聯芴 所成1價之基’全氟苯基’全氟萘基，全氟蒽基，全氟聯 苯基’ 9-苯基蒽所成1價之基’ 萘）惠所成1價之基， 萘）蒽所成1價之基，6_苯基窟所成1價之基，9_[4-( 二苯基胺基）苯基]蒽所成1價之基等，苯基，萘基，聯苯 基’聯三苯基’ 9-(10-苯基）蒽基，9-[ΐ〇-(ι，-萘）]蒽基，9-[1〇-(2’-萘）]蒽基等較佳。 -43- (40) 1360363
Ar1'之取代或無取代之雜芳基之例有，吼略基 (pyrrolyl)，呋喃基，噻吩基’吡啶基，n|啉基，異η奎啉 基，苯并呋喃基，咪唑基，嘧啶基，咔唑基，硒苯基，氧 二氮茂基，三唑基等，以吡啶基’喹啉基，異喹啉基較佳 —般式（C)中’ Ar2’爲氫原子，取代或無取代之核碳數 6〜6〇(較佳爲核碳數6〜40)之芳基’取代或無取代之核碳 3〜6〇(較佳爲核碳數3〜40)之雜芳基，取代或無取代之 碳數1〜2〇(較佳爲碳數1〜6)之烷基，或取件 ^似代或無取代之 碳數1〜20(較佳爲碳數1〜6)之院氧基。 則有例如與前述
Ar2’之取代或無取代之芳基之例 Arn相同者。
Ar
Ar2'之取代或無取代之雜芳基之例則有 相同者。 例如與前述
Ar2’之取代或無取代之烷基之 甲基，乙基 ’異丙基，正丁基，s-丁基，異丁基，第=了甘 朱〜丁基’正戊 基’正己基，正庚基，正辛基，羥甲基，7甘 蛵乙基，2-經 乙基’ 2-羥異丁基，1，2-二羥乙基，1，3_〜 〜W與内基， 2，3·二羥基-第三丁基，I，2，3-三羥基丙甚 % n棊，氯甲基， 1-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異丁基，1，2·-备 〜風乙基，1， 3-二氯異丙基’ 2，3-二氯-第三丁基，1，2, , — & 3·二氯丙基 ，溴甲基，1-溴乙基，2-溴乙基，2-溴異丁甚 , j 进，1，2 ·二溴 乙基，1，3-二溴異丙基，2，3-二溴-第3丁裒 Έ J 棊，1 ， 2 , 3- 三溴丙基，碘代甲基，1-碘代乙基，2-碘代 、Ί〜乙基，2-碘代 -44- (41) (41)1360363 異丁基，1，2 -二碘代乙基，1，3 -二碘代異丙基，2，3-二碘代-第三丁基，1，2，3 -三碘代丙基，胺基甲基，1-胺基乙基，2-胺基乙基，2-胺基異丁基，1，2-二胺基乙 基，1，3-二胺基異丙基，2，3-二胺基-第三丁基，1，2 ，3-三胺基丙基，氰基甲基，1-氰基乙基，2-氰基乙基， 2-氰基異丁基，1，2-二氰基乙基，1，3-二氰基異丙基， 2，3 -二氰基-第三丁基，1，2，3三氰基丙基，硝基甲基 ，1-硝基乙基，2-硝基乙基，2-硝基異丁基，1，2-二硝基 乙基，1，3-二硝基異丙基，2，3-二硝基-第三丁基，1， 2，3 -三硝基丙基，環丙基，環丁基，環戊基，環己基， 4-甲基環己基，1-金剛烷基基，2-金剛烷基基，1-正莰基 (norbornyl)基，2-正莰基等，而以甲基，乙基，第三丁基 較佳。
Ar2’之取代或無取代之烷氧基爲以-OY所示基，Y之 例有甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁基，s -丁基，異丁 基，第三丁基，正戊基，正己基，正庚基，正辛基，羥甲 基，1-羥乙基，2-羥乙基，2-羥異丁基，1，2-二羥乙基， 1，3 -二羥異丙基，2，3 -二羥-第三丁基，1，2，3-三羥 基丙基，氯甲基，1-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異丁基，1 ，2-二氯乙基，1，3-二氯異丙基，2，3-二氯-第三丁基， 1，2，3 -三氯丙基，溴甲基，1-溴乙基，2 -溴乙基，2 -溴 異丁基，1，2 -二溴乙基，1，3-二溴異丙基，2，3-二溴-第三丁基，1，2，3-三溴丙基，碘代甲基，1-碘代乙基， 2-碘代乙基，2-碘代異丁基，1，2-二碘代乙基，1，3-二 -45 - (42) 1360363 碘代異丙基，2 ’ 3-二碘代-第三丁基，丨’ 2，夂三碘代丙 基，胺基甲基’ 1-胺基乙基，2-胺基乙基，2-胺基異丁基 ，1，2 -二胺基乙基’ 1，3 -二胺基異丙基，2，1 — &廿 第三丁基，1，2, 3-三胺基丙基，氰基甲基，丨氰基乙基 ，2-氰基乙基，2_氰基異丁基，1，2_二氰基乙基，丨，3 二氰基異丙基’ 2’ 3-二氰基-第三丁基’ 1，2，3_三氛基 丙基，硝基甲基’丨·硝基乙基’ 2-硝基乙基，2_硝基異丁 馨g，1，2 -二硝基乙基，丨，3 -二硝基異丙基，2，3 _硝 基-第三丁基，1，2，3 -三硝基丙基等，而以甲基，乙基 ，第三丁基較佳。 但是’一般式（C)中’ Ar1，及Ar2'之之任〜種，爲取代 或無取代之核碳數10〜60之縮合環基’或取代或無取代之 核碳數3〜60之單雜縮合環基。 一般式（C)之L1及L2爲，各自獨立之，單鍵，取代或 無取代之核碳數6〜60(較佳爲核碳數6〜40)之亞芳基，取 或無取代之核碳數3〜60(較佳爲核碳數3〜40)之雜亞芳 基’或取代或無取代之伸芴基。 L1及L2之取代或無取代之亞芳基之例有’自前述 Ar 相同之芳基進而除去氫原子之2價之基者。 又’一般式（C)中，L1及/或L2，以選自 -46 - (43) 1360363
所成群之基較佳。
進而、一般式（C)中’前述Ar1’以下述一般式（a)〜⑴ 所示基較佳。
-47- (44) 1360363
(i) ⑴ (式中’式中’ R1〜R92爲，各自獨立之氫原子，_ ，取代或無取代之碳數1〜20之院基’取代或無取代之 碳數1〜20之烷氧基，取代或無取代之核碳數6〜 40之芳基氧基，取代或無取代之核碳數12〜80之二芳基 基，取代或無取代之核碳數6〜40之芳基，取代或無取代 之核碳數3〜40之雜芳基，或取代或無取代之核碳數18\ 120之二芳基胺基芳基，L3爲，選自單鍵及
所成群之基。） 一般式（C)之R〃，爲氫原子，取代或無取代之核碳數 6〜60之芳基，取代或無取代之核碳數3〜60之雜芳基，取 代或無取代之碳數1〜20之烷基，或取代或無取代之碳數1 -48- (45) (45)1360363 〜2 0之院氧基。 R”之取代或無取代之芳基之例，有與前述Ar 11同樣之 物。 R”之取代或無取代之雜芳基之例，有與前述Ari'同樣 之物。 R”之取代或無取代之烷基之例，有與前述Ar2'同樣之 物。 R”之取代或無取代之烷氧基之例，有與前述Ar2·同樣 之物。 —般式（C)所示化合物之具体例，有例如以下之例示 化合物等但並非限定於該等例示化合物。
-49- (46)1360363
A〆 L1 L2 (c-1) a XX (C-2) a Ok (C-3) a \ XX (C-4) a XX (C-5) a Ok (C-6) a Ok (C-7) a .Ok (C-8) a \ Ok
Ar2 *
-50- (47)1360363
Ar1 L1 L2 (09) a \ XX (C-10) a 、 XX (C-ll) a \ XX (C-12) a XX (C-13) a XX (C-14) a \ XX (C-15) a \ XX (016) a \ XX (C-17) a XX (C-18) a XX (C-19) a \ Ό. (C-20) a 、 Ok
Ar2》
-51 - (48) (48)
1360363
Ar1 (C-21)
(C-22) CX
(C-25) 〇^X (026)
(C-27)
-52- 1360363 (C-30) (C-31) (C-32) (C-33) (C-34) (C-35) (C-36) (C-37) (038) (C-39)
-53 (50) 1360363 又，一般式（C)所示含氮環化合物可具有取代基，取 代基較佳爲烷基，鏈烯基，炔基，芳香族烴基，胺基，院 氧基，芳基氧基，醯基，烷氧羰基，芳基氧羰基，醯氧基 ，醯胺基，烷氧羰胺基，芳基氧羰胺基，擴醯基 (sulfonyl)胺基，胺擴醯基，胺甲醯基，院基硫代基，芳 基硫代基，磺醯基，鹵原子，氰基，芳香族雜環基，更佳 爲烷基，芳基，烷氧基，芳基氧基，鹵原子，氰基，芳香 #雜環基，再佳爲烷基，芳基，烷氧基，芳基氧基，芳香 族雜環基，特佳爲烷基，芳基，烷氧基，芳香族雜環基。 該等之含氮環化合物，能隙小故自陰極之電子注入性 優異，對於電子輸送之耐久性亦高，可賦予長壽命之元件 〇 本發明中，還原性滲雜物，可添加於前述電子注入層 ，或添加於陰極與該陰極接合之層的界面領域較佳，還原 性滲雜物之功函數，以2.9 eV以下較佳。以使此電子注入 %率上昇之化合物定義。該還原性滲雜物，係使含有之電 子注入層或界面領域之至少一部份予以還原而予非離子化 〇 對界面領域之還原性滲雜物之添加形態，以形成層狀 或島狀較佳》 此還原性滲雜物，以使用至少一種選自鹼金屬，鹼金 屬錯合物，鹼金屬化合物，鹼土類金屬，鹼土類金屬錯合 物，鹼土類金屬化合物，稀土類金屬，稀土類金屬錯合物 ’稀土類金屬化合物較佳。前述鹼金屬化合物，鹼土類金 -54 - (51) (51)1360363 屬化合物，及稀土類金屬化合物，有各種氧化物或鹵化物 前述鹼金屬，有Na(功函數：2.36 eV)，K(功函數： 2.28 eV)，Rb(功函數：2.16 eV)，Cs(功函數：1.95eV)等 ，功函數2.9 eV以下特佳。該等之中較佳爲K，Rb，Cs ’ 更佳爲Rb或Cs，最佳爲Cs。 前述鹼土類金屬，有Ca(功函數：2.9 eV)，Sr(功函 數：2.0〜2.5^)，83(功函數：2.52 6乂）等，以功函數2.9 eV以下者特佳。 前述稀土類金屬，有Sc，Y，Ce，Tb，Yb等，以功 函數2.9 eV以下者特佳。 以上之金屬中較佳之金屬，尤其是還原能力高，對電 子注入域之比較少量之添加，可使有機EL元件之發光亮 度提高且長壽命化。 前述鹼金屬化合物有，Li20，CS20，K20等之鹼氧化 物，LiF，NaF，CsF，KF 等之鹼鹵化物等，LiF，Li20， NaF之鹼氧化物或鹼氟化物較佳 前述鹼土類金屬化合物有，BaO，SrO，CaO及將該 寺混合之 BaxSr^xCKCXxcl)或 BaxCai.x0(0<x<l)等，而以 BaO，SrO，CaO 較佳。 前述稀土類金屬化合物，有YbF3，ScF3，Sc03，Y2〇3 Ce2〇3’ GdF3’ TbF3等’而以 YbF3，ScF3，TbF3 較佳 o 前述鹼金屬錯合物’鹼土類金屬錯合物，稀土類金屬 -55- (52) 1360363 錯合物，各種金屬離子方面可含有鹼金屬離子，鹼土類金 屬離子，稀土類金屬離子之至少一種者並無特別限定。又 ，配位基以喹啉酚，苯並曈啉酚，吖啶醇，菲啶醇，羥基 苯基哼唑，羥基苯基噻唑，羥基二芳基氧二氮茂，羥基二 芳基噻二唑，羥基苯基吡啶，羥基苯基苯並咪唑，羥基苯 並三唑，羥基氟甲硼烷，雙吡啶，二氮雜菲，酞菁，卟啉 (porphyrin)，環戊二燃，β-二酮類，甲亞胺（azomethine) •I頁，及該等衍生物等較佳，但並非只限定於該等。 形成方法，係藉電阻加熱（electric resistance heating) 蒸鍍法使還原性滲雜物蒸鍍，並使形成界面領域之發光材 料或電子注入材料之有機物同時蒸鍍，以在有機物中使還 原滲雜物分散方法較佳。分散濃度方面莫耳比爲有機物： 還原性滲雜物=1〇〇: 1〜1: 100，較佳爲5: 1〜1: 5。 使還原性滲雜物形成層狀之情形，在使爲界面之有機 層之發光材料或電子注入材料形成爲層狀後，使還原滲雜 %以單獨存在方式藉由電阻加熱蒸鍍法來蒸鏟，較佳爲以 層厚0.1〜15 nm形成。 在使還原性滲雜物形成爲島狀之場合，爲界面有機層 之發光材料或電子注入材料形成爲島狀後，使還原滲雜物 以單獨方式藉由電阻加熱蒸鍍法來蒸鍍，較佳爲以島厚 0.05〜lnm形成。 又，本發明之有機EL元件之電子注入層中，主成分 與還原性滲雜物之比率’莫耳比之主成分：還原性滲雜物 =5: 1〜1: 5較佳，以2: 1〜1: 2更佳。 -56- 1360363 在本發明之有機EL元件中，陰極與陽極間，具有添 加磷光性發光材料之正孔輸送層較佳。用於此正孔輸送層 之正孔輸送材料，其三重線能量比前述發光層中之磷光性 發光材料之激發能量更大爲佳。 又，習知所用之下述TPD或NPD，
其三重線能量各自爲2.46 eV， 2.51 eV，相對於此 ’本發明所用發光層中之磷光性發光材料，例如前述之 (K-10)之三重線能量爲2.55 eV’會造成發光層之激發狀態 失活。亦即，正孔輸送材料之三重線能量比2.5 5 eV爲大 者則失活程度小發光效率會變高。 本發明所用三重線能量比2 · 5 5 eV更大之正孔輸送材 料之具体例，以以下所示一般式（1 〇)，（丨2 )，（ 1 4)〜（1 7)及 (19)者較佳’該等無縮合芳香族環者較佳。 -57- (54) 1360363
[式中，η爲0〜3之整数，R1〜R3係各自爲取代或無 取代之碳數1〜30之烷基，取代或無取代之碳數1〜30之院 氧基，取代或無取代之核碳數6〜30之芳基，取代或無取 代之核碳數6〜30之芳基烷基。B爲環己烯，金剛烷基等 之脂肪族環殘基’較佳爲下述一般式（1 1)所示脂肪族環殘 基。
(式中’ Y爲’取代或未取代之烷基或取代或無取代 之芳基。η爲2〜7之整数，m爲〇〜2之整数。）] A-B-A (12) [式中’ A爲下述一般式（13)所示二胺衍生物殘基’ b 爲金剛烷基脂肪族環狀基，較佳爲前述一般式（11)所示脂 肪族環殘基。] •58- (13) (55) 1360363
R4 R
[(式中，R1〜R9爲氫原子，鹵原子，取代或無取代之 烷基，取代或無取代之烷氧基’取代或無取代之硫代烷氧 基，氰基，胺基，單或二取代胺基，羥基，氫硫基，取代 或無取代之芳基氧基，取代或無取代之芳基硫基，取代或 無取代之芳香族環基’取代或無取代之雜環基（但是，R| 〜R3’ R4〜R6及R7〜R9中之至少之—個並非氫原子。又 ’鄰接之取代基彼此之間可形成取代或無取代之脂肪族式 環，取代或無取代之碳環式芳香族環，取代或無取代之雜 環式芳香族環基，取代或無取代之雜環亦可。），χ爲苯 基，聯苯基，或聯三苯基） A r * — X Ν — A rs (14) A r 1 A r9 (Ar〜Ar爲，各爲無取代或烷基，烷氧基所取代之 碳數ό〜18之方香族基’可互爲相同或相異，而αγ6 ^ (56) (56)1360363 之中至少之一爲聯苯基或聯三苯基較佳，X爲單鍵，伸苯 基，聯苯基’Ν-烷基或Ν-芳基咔唑所成2價基。）
(式中’ Ar1，Ar2爲取代或無取代之核碳數6〜18之芳 基’ R爲取代或無取代之碳數1〜30之烷基，取代或無取 代之烷氧基或核碳數6〜18之芳基。X爲單鍵，烯烴基，-Ο -或-S -所不連結基’ X爲可有可無。）所示二胺化合物。
(式中’ Ar1爲取代或無取代之核碳數6〜18之芳基， ΑΓ〜ΑΓ爲’各自取代或無取代之核碳數6〜18之亞芳基 ，表不，單鍵，-〇_，_s_，烯烴之連結基，該等之連結 基可有可無’ X2及χ3各自表示單鍵，-〇-，-S-，烯烴基， 該等可爲相同或相異。）所示三胺化合物。 -60- 1360363
(式中，R1〜R12各自表示，氫原子，鹵原子，烷基， 芳烷基，鏈烯基，氰基，胺基，醯基，烷氧羰基，羧基 ，烷氧基，烷胺基，芳烷胺基，鹵化烷基，羥基，芳基氧 基，取代或無取代之芳香族烴環基或芳香族雜環基，R1與 R2，R3 與 R4，R5 與 R6，R7 與 R8，R9 與 RIQ，R11 與 R12， 在各自鄰接之取代基彼此之間可形成環。 X爲以下所示3價之連結基，
-61 - (58) 1360363
Arl爲’取代或無取代之芳香族烴環基，芳香族雜環 基’或’以下所示一般式（）所示基。
(18) (式中，R13〜R18爲，各自表示，氫原子’鹵原子， 烷基，芳烷基，鏈烯基，氰基，取代或無取代之胺基，藤 基，烷氧羰基’羧基，烷氧基，烷胺基，芳烷胺基，鹵代 烷基，羥基，芳氧基，取代或無取代之芳香族烴環基或芳 g族雜環基，R13與R14，R15與R16，R17與R18爲’以各自 鄰接之取代基彼此之間形成環亦可。
-62- (59) (59)1360363 (式中，R爲，烷基，芳烷基，取代或無取代之胺基 ’醯基，烷氧羰基，羧基，烷氧基’烷胺基’芳烷胺基’ 鹵化烷基，羥基，芳氧基，取代或無取代之芳香族烴環基 或芳香族雜環基。） 本發明之有機EL元件之元件構成，有陽極/發光層/ 電子注入層/陰極，陽極/正孔注入層/發光層/電子注入層/ 陰極，陽極/正孔注入層/正孔輸送層/發光層/電子注入層/ 陰極，陽極/絶緣層/正孔注入層/正孔輸送層/發光層/電子 注入層/陰極等之構造。 本發明之有機EL元件，在電子注入層與陰極之間可 設置絶緣体或半導体所構成之無機化合物層或電子輸送層 。該等之層，可有效防止電流之漏出，並可提高電子注入 性。 此等絶緣体，係使用選自鹼金屬硫族化合物 (chalcogenide)，鹼土類金屬硫族化合物，鹼金屬之鹵化 物及鹼土類金屬之鹵化物所成群之至少一種金屬化合物較 佳。電子輸送層若由該等鹼金屬硫族化合物等所構成時， 就可使電子注入性更加提高之點而言爲佳。具体而言，較 佳之鹼金屬硫族化合物，有例如，Li20，LiO，Na2S， Na2Se ’ NaO等，較佳之鹼土類金屬硫族化合物，有例如 ’ CaO’ BaO，SrO，BeO - BaS，CaSe。又’較佳之鹼金 屬之鹵化物，有例如，LiF，NaF，KF，LiCl，KC1， NaCl等。又，較佳之鹼土類金屬之鹵化物，有例如，
CaF2，BaF2’ SrF2’ MgF2’ BeF2等之氟化物或氟化物以外 -63- (60) 1360363 之鹵化物。 構成電子輸送層之半導体，有含有至少Ba，Ca, Sr ’ Yb，A1，Ga，In > Li ’ Na，Cd ’ Mg，Si，Ta，Sb 及 Zn之一種之元素的氧化物，氮化物或氧化氮化物等之一 種單獨或二種以上之組合。又，構成電子輸送層之無機化 合物，以微結晶或非晶質之絶緣性薄膜較佳。電子輸送層 若由該等之絶緣性薄膜所構成時，爲了形成更爲均質之薄 •I，則可減少暗點（dark spot)等之像素缺陷。又，此等無 機化合物，有上述之鹼金屬硫族化合物，鹼土類金屬硫族 化合物，鹼金屬之鹵化物及鹼土類金屬之鹵化物等。 正孔注入•輸送層，有助於對發光層之正孔注入，並 爲可輸送至發光領域爲止之層，故正孔移動度大，離子化 能量則通常小至5 · 5 e V以下。此等正孔注入·輸送層以在 更低之電界強度，使正孔輸送至發光層之材料較佳，再者 正孔之移動度，例如在施加1 04〜1 06V/cm之電界時，以 0(T6cm2/V ·秒以上較佳，1 〇_5cm2/v .秒以上更佳。 再者’有機EL元件之陽極，係擔負將正孔注入正孔 輸送層或發光層之任務，具有4.5 eV以上之功函數極有效 。本發明所用陽極材料之具体例，有酸化銦錫合金（IT0) ，酸化錫（NESA)，金，銀，白金，銅等。又，陰極，係 爲了使電子注入電子輸送層或發光層，則以功函數小之材 料較佳。陰極材料並無特別限定，具体而言，有銦，鋁， 鎂’鎂-銦合金，鎂-鋁合金，鋁-鋰合金，鋁-钪-鋰合金， 錶·銀合金％。 -64 - (61) (61)1360363 本發明之有機EL元件中各層之形成方法並無特別限 定’可使用習知之真空蒸鍍法，旋轉塗敷法等之形成方法 。本發明之有機EL元件所用有機薄膜層，可以真空蒸鍍 法，分子線蒸鍍法（MBE法）或者溶解於溶媒之溶液之浸漬 (d i p p i n g)法，旋轉塗敷法，澆鑄法，棒塗覆法，輥輪塗敷 法等塗布法之公知方法所形成者。 本發明之有機EL元件中各有機薄膜層之膜厚並無特 9 別限制，一般膜厚過薄時針孔（pinhole)等之缺陷易於產生 ’相反的過厚時高印加電壓爲必要會使效率悪化，故通常 爲数nm至Ιμηι之範圍較佳。 其次，依實施例更詳細說明本發明，但本發明並不限 定於該等。 又，化合物之三重線能量，一重線能量及游離電位， 係依以下方式測定。 (1)三重線能量之測定 測定最低激發三重線能量準位Τ1。亦即，測定試料 之磷光光譜，（ΙΟμπιοΙ/升ΕΡΑ(二乙基乙醚：異戊烷：乙 醇=5 : 5 : 2容積比）溶液，77Κ，石英晶胞，SPEX公司 FLUOROLOGII)，相對於磷光光譜之短波長側之立起，來 求得畫出接線與橫軸之交點的波長（發光端）。將此波長換 算成能量値。 (2)—重線能量（能隙）之測定 -65- (62) 1360363 測定激發一重線能量之値。亦即，使用試料之甲苯溶 液（10·5莫耳/升）並使用曰立公司製紫外可視吸光計來測定 吸收光譜。相對於光譜之長波長側之立起，來求得畫出接 線與横軸之交點的波長（吸收端）。此波長換算爲能量値。 U)游離電位之測定
理硏計器公司製，在大氣下以光電子分光裝置AC-I α #用材料粉末來測定。 實施例1 在25mmx75mmxl.lmm厚附有ΙΤΟ透明電極之玻璃基 板（Geomatec公司製）於異丙基醇中進行超音波洗淨5分後 ’進行UV臭氧洗淨30分。洗淨後之附有透明電極之玻璃 基板，使之安裝於真空蒸鍍裝置之基板保持架，首先在有 透明電極形成之側之面上使前述透明電極覆蓋之方式成膜 %膜厚10nm之銅酞菁膜（以下簡稱爲「CuPc膜」）。此 CuPc膜，係作爲正孔注入層來作用。在CuPc膜上成膜爲 膜厚30nm之下述TPAC。此TPAC膜係作爲正孔輸送層作 用。再者，在 TPAC膜上將膜厚30nm之下述化合物 PB 102予以蒸鍍成膜爲發光層。同時添加前述（K-3)磷光性 之Ir金屬錯合物。（K-3)之濃度爲發光層中7重量％。此膜 係作爲發光層來作用。在此膜上設置膜厚20nm之三（8-£]奎 啉酚）A1錯合物（以下，稱爲Alq)。此Alq膜係作爲電子注 入層來作用。其後，將爲還原性滲雜物之Li(Li來源： -66 - (63) 1360363
Saesgater公司製）與Alq，莫耳比Alq: Li=l: 1進行二元 蒸鍍’作爲陰極側之電子注入層係形成Alq : Li膜i〇nm。 在此Alq: Li膜上使金屬A1蒸鍍以形成金屬陰極來製作 有機EL元件。 發光層中主材料種類，游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量’發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物）之 種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種類， 能隙及三重線能量之値，以及正孔輸入層之材料如表1所 示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓6.6V可得到發光亮度89cd/m2，發光效率15.0 cd/A之青 綠色發光。又，計測EL光譜顯示發光峰値波長爲47 7nm ，並產生來自Ir金屬錯合物之發光。該等結果如表1所示 。又，如後述使用電子注入層之Alq之能隙比發光層之主 材料及Ir錯合物之能隙更小，電子注入層所用之Alq之 三重線能量，比發光層之主化合物及三重線能量更小，儘 管如此，在低電壓亦得到高效率的青綠色發光。 ?H3
T PAC
-67- (64) 1360363 比較例1 (使用正孔輸送性發光層與正孔阻止層之比較例） 在25mmx75mmxl.lmm厚附有ITO透明電極之玻璃基 板（Geomatec公司製）於異丙基醇中進行超音波洗淨5分後 ，進行UV臭氧洗淨30分。將洗淨後附有透明電極之玻璃 基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板保持架，首先在形成透明 電極之側之面上，以覆蓋前述透明電極之方式，使膜厚 φΟηπι之銅酞菁膜（以下簡稱「CuPc膜」）成膜。此CuPc 膜，係作爲正孔注入層作用。接續CuPc膜之成膜，在此 膜上使膜厚30nm之前述NPD成膜。此NPD膜係作爲正孔 輸送層作用。進而，接續NPD膜之成膜，在膜上將膜厚 3 Onm之正孔輸送性之下述CBP作爲主材料使蒸鍍之，使 發光層成膜。同時添加作爲磷光性之Ir金屬錯合物之前 述（K-3)。（K-3)之濃度係發光層中7重量％。此膜係，作爲 發光層作用。在此膜上設置膜厚1 Onm之（1，1 聯苯基）-金酸鹽（aurate))雙（2-甲基8-D奎喏啉並基）鋁（以下，稱爲 BAlq)。此BAlq膜係作爲正孔阻止層作用。其後，將還原 性滲雜物之Li(Li來源：Saesgater公司製）與 Alq，在莫 耳比Alq : Li=l : 1予以二元蒸鍍，作爲陰極側之電子注 入層形成 Alq: Li膜10nm。在此 Alq: Li膜上，使金屬 A1蒸鍍以形成金屬陰極，來製作有機EL元件。 發光層中主材料種類，游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量，發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物）之 種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種類， -68- 1360363 能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表1所 又，關於所獲得之元件’對特性予以評價，在直流電 壓7.2V雖可得到發光亮度98cd/m2，發光效率3.2 cd/A之 青綠色發光’但與實施例比較卻爲非常低之發光效率。此 係在發光層將正孔輸送性之化合物作爲主材料使用，故發 光層之激發狀態失活，造成消光。該等之結果如表1所示
比較例2 (使用正孔輸送性發光層之比較例） 在實施例1中，作爲發光層之主材料，除了使用正孔 輸送性之前述CBP以替代化合物PB102以外其他則同樣 方式，來製作有機EL元件。 發光層中主材料種類，游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量，發光層中之磷光性發光材料（金屬錯合物） (66) 1360363 種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種類， 能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表丨所 不 ° 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓6.8V只能獲得發光亮度1.2cd/m2，發光效率〇，3cd/A 之青綠色發光，發光效率非常低。此係發光層上正孔輸送 性之化合物係作爲主材料使用，使得發光層之激發狀態失 •^，造成消光。又與比較例1比較，爲了得到某種程度之 發光效率，則可判明正孔阻止層爲必要。該等結果如表1 所示。 實施例2 在實施例1中，作爲發光層之主材料，除了使用電子 輸送性之下述P B 1 1 5以替代化合物P R 1 〇 2以外，其他則相 同，以製作有機EL元件。 Φ 發光層中主材料種類，游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量，發光層中磷光性之發光材料（金屬錯合物） 之種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種類 ’能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表1 所示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓6.5V可獲得發光亮度I02cd/m2，發光效率14.8cd/A之 青綠色發光之極高效率。該等結果如表！所示》 -70- (67) (67)1360363
實施例3 在實施例1中，除了使用前述BA lq以替代形成電子注 入層之Alq及Alq: Li，並在BAlq之陰極側20nm處添加 L i以外’其他則爲相同，以製作有機e L元件。此時，發 光層則直接接合於電子注入層，進而陰極接合於BAlq層 〇 發光層中主材料之種類，游離電位，能隙（一重線能 量）及三重線能量，發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物 )之種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種 類，能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表 1所示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓7.8V可獲得發光亮度93cd/m2，發光效率12.3 cd/A之青 綠色發光之極高效率。該等結果如表1所示。 實施例4 在25mmx75mmxl.lmm厚附有ITO透明電極之玻璃基 板（Geomatec公司製）在異丙基醇中以超音波洗淨5分後， 進行UV臭氧洗淨30分。將洗淨後附有透明電極之玻璃基 -71 - (68) 1360363 板安裝於真空蒸鍍裝置之基板保持架，首先在有透明電極 形成之側之面上，以覆蓋前述透明電極之方式成膜爲膜厚 5 0nm之前述NPD »此NPD膜係作爲正孔輸送層作用。進 而，在NPD膜上以膜厚30nm之電子輸送性之前述PB115 爲主材料加以蒸鍍成膜爲發光層。同時添加前述（K-10)作 爲磷光性之Ir金屬錯合物。（K-10)之濃度爲發光層中5重 量％。此膜係作爲發光層來作用。在此膜上使膜厚10 nm 搴 A lq作爲電子注入層蒸鍍《其後，將爲還原性滲雜物之 Li(Li來源：Saesgater公司製）與 Alq，在莫耳比 Alq: Li = 1 : 1予以二元蒸鍍，作爲陰極側之電子注入層以形成 Alq: Li膜30nm。在此 Alq: Li膜上使金屬 A1蒸鍍，形 成金屬陰極來製作有機EL元件。 發光層中主材料種類’游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量’發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物）之 種類及三重線能量’電子注入層中電子輸送材料之種類， 隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表1所 示0 又’關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓4.5V可得到發光亮度620cd/m2，發光效率32.5cd/A之 綠色發光。該等結果如表1所示。 比較例3(使用正孔輸送性發光層之比較例） 在實施例4中’作爲發光層之主材料，除了使用正孔 輸送性之前述C B P以替代化合物p B〗丨5以外，其他則相 -72- (69) (69)1360363 问’以製作有機EL元件。 發光層中主材料之種類，游離電位，能隙（一重線能 量）及三重線能量’發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物 )種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種類 ’能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表1 所示。 又’關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓5.1V無法獲得發光亮度101cd/m2，發光效率5.7cd/A之 綠色發光’發光效率低落。此係因在發光層正孔輸送性之 化合物作爲主材料使用，故發光層之激發狀態失活，造成 消光。該等之結果如表1所示。 比較例4 (使用含有游離電位比5 · 9 e V更大之主材料的電子 輸送性發光層的比較例） 在實施例4中’作爲發光層之主材料，除了使用電子 輸送性之下述B C P以替代化合物p B 1 1 5以外，其他則同 樣，來製作有機EL元件。 發光層中主材料種類，游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量，發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物）之 種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種類， 能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表1所 示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓6.2V可得到發光亮度3 2 0cd/m2，發光效率30.2cd/A之 -73- (70) 1360363 綠色發光，而避免發光層之消光。但是，爲獲得與實施例 4之有機EL兀件同程度之發光效率，1.7V高之電壓爲必 要。此係因BCP之游離電位高，故正孔無法注入。該等 之結果如表1所示。
B C P 實施例5 在實施例2中，作爲正孔輸送層之材料，除了使用下 述TCTA以替代TPAC，使用前述（K-23)以替代作爲磷光 性之Ir金屬錯合物來添加（K-3)，使用前述（A-7)以替代作 爲電子注入層中之電子輸送材料之Alq以外，其他則同樣 I來製作有機EL元件。 發光層中主材料種類，游離電位，能隙（一重線能量） 及三重線能量，發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物）之 種類及三重線能量，電子注入層中之電子輸送材料之種類 ’能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表1 所示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，可得到在 直流電壓6.0V發光亮度104cd/m2，發光效率20.8cd/A之 青綠色發光之極高效率。該等之結果如表1所示。 -74- (71) 1360363
實施例6 在實施例5中’作爲電子注入層中電子輸送材料，除 了使用前述（C-1 5)以外以替代（A_7)，其他則同樣，來製作 有機EL元件。
發光層中主材料之種類，游離電位，能隙（一重線能 量）及三重線能量，發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物 )之種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種 類’能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表 1所示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓6.1¥可得到發光亮度1〇5。£1/〇12，發光效率23.1〇£1/八之 青綠色發光之極高效率。該等之結果如表1所示。 比較例5 (使用正孔輸送性發光層之比較例） 在實施例5中，作爲發光層之主材料，除了使用正孔 輸送性之前述CBP以替代化合物PB1 15以外’其他則同 樣，來製作有機EL元件。 -75- (72) 1360363 發光層中主材料之種類，游離電位，能隙（一重線能 量）及三重線能量，發光層中磷光性發光材料（金屬錯合物 )之種類及二重線能量，電子注入層中電子輸送材料之種 類，能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如表 1所示。 又，關於所獲得之元件，對特性予以評價，在直流電 壓6.3V只能得到發光亮度102cd/m2，發光效率L2cd/A之 馨I綠色發光，與實施例5比較，發光效率很明顯得偏低。 此係在發光層以正孔輸送性之化合物爲主材料使用，使得 發光層之激發狀態失活，造成消光。該等之結果如表1所 示。 比較例6(使用含有游離電位比5.9 eV更大之主材料電子輸 送性發光層的比較例） 在實施例5中，作爲發光層之主材料，除了使用電子 •fe送性之下述TPBI(2，2'，2"-(1，3，5-伸苯基）三[1-苯 基-1H-苯并咪唑）：日本特開平10-106749號公報之合成法 記載），以替代化合物PB 1 1 5以外，其他則同樣，來製作 有機EL元件。 發光層中主材料之種類，游離電位，能隙（一重線能 量）及三重線能量’發光層中之磷光性發光材料（金屬錯合 物）之種類及三重線能量，電子注入層中電子輸送材料之 種類，能隙及三重線能量之値，以及正孔輸送層之材料如 表1所示。 -76- (73) 1360363 又’關於所獲得之元件，對特性予以評價’在直流電 壓7.6V可得到發光亮度102cd/m2，發光效率14.6cd/A之 青綠色發光，可避免發光層之消光。但是，爲獲得與實施 例5之有機EL元件同程度之發光效率，高至1.6V之電壓 爲必要。此係’因T P B I之游離電位高，故正孔難以注入 。該等結果如表1所示。
-77- 1360363
_ * 有機EL元件之特性評惯 發光色 靑綠色 宵綠色 靑綠色 綠色 宵綠色 i宵綠色 綠色 綠色 宵綠色 青綠色 宵綠色 靑綠色 發光效率 ,15.0 14.8 12,3 32.5 CM <n CO d 卜 in 30.2 20.8 23.1 CM CT) 14.6 發光亮度 E •Ό 〇> 0〇 102 CO 05 620 GO O) CSJ 101 320 I 104 105 102 102 電壓 CD CO ιο CO GO 卜· in — <N GO CD τ- in CM CO o CO CO cd <D 正孔輸送 _B 正孔輸送 材料之種 類 ,TPAC TPAC TPAC TPAC TPAC TPAC TPAC TPAC TCTA TCTA TCTA 電子注入層 電子輸送材料 三重線能 量 ,2.51 2.51 不明 2.51 不明 2.51 2.51 2.51 卜 c\i 2.74 卜 oi 卜 Csj 能級距離 卜 csi N (N 2.85 N. CN| 2.85 卜 CNI 卜 Csj 卜 CN I 2.97 3.04 2.97 2.97 種類 cr < σ < σ- < CO a < BAIq% cr < σ- < CT < < ίο ό < < 發光層 三重線能 量 ,2.76 2.76 2.76 2.55 2.76 2.76 2.55 2.55 I 2.75 2.75 2.75 2.75 m 種類 K-3 CO ύ K-3 K-10 CO K-3 K-10 K-10 I K-23 K-23 K-23 K-23 主材料 三重線能 a 2.81 σ> eg 2.81 O) csi 2.81 2.81 2.81 2.69 O) CNI σ> CNI 2.81 〇〇 rsi 能級距離 3.48 OJ CO 3.48 CM cr> 3.56 3.56 3.56 m CO CM CO CM CO 3.56 寸 電離電位 5.74 5.71 ,5.74 I 5.71 5.86 5.86 5.86 寸 (b 5.71 5.71 5*86 卜 CO 種類 PB102 PB115 PB102 PB115 CBP CBP CBP BCP I PB115 PB115 CBP TPBI H施例1 0施例2 0施例3 0施例4 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 K施例5 ΪΓ施例6 比較例5 比較例6 i/^Iiniwatblva^一匡鎰五※ -78- (75) (75)1360363 如表1所示’在實施例1〜6之有機el元件中，發光 層中主材料之能隙比電子注入層中電子輸送材料之能隙更 大’故有能量移動產生，激發狀態有消光之可能性。又， 發光層中主材料之三重線能量及金屬錯合物之三重線能量 ’比電子注入層中電子輸送材料之三重線能量更大，故會 產生能量移動，激發狀態亦有消光之可能性。但是，藉由 使用電子輸送性之發光層，可有高發光效率。 又，使實施例4與比較例4，及實施例5與比較例6各自 比較之，因發光層中主材料之游離電位小，故判明可低電 壓驅動。 相對於該等，比較例1〜3及比較例5之元件顯示激發 狀態之消光，使發光效率降低。 産業上之利用可能性 如以上之詳細説明，本發明之有機電致發光元件’係 構成元件之發光層及電子注入層滿足特定之條件’而用於 電子輸送性之發光層者’故用於磷光性之發光’且發光效 率高。因此，作爲全彩用之有機電致發光元件爲有用。 -79-

Claims (1)

1360363 拾、申請專利範圍 1—種有機電致發光元件，其爲在陰極及陽極間，具 有至少由磷光性之發光材料與主材料所成發光層之有機電 致發光元件中，於發光層與陰極之間具有與發光層接合之 電子注入層， 前述主材料之游離電位爲5.9eV以下， 電子注入層中電子輸送材料之能隙比發光層中主材料 #能級距離爲小， 前述主材料爲，以咔唑（carbazolyl)基或氮雜咔唑基 連結於含氮環之化合物，或咔唑基或氮雜咔唑基藉由亞芳 基連接於含氮環之化合物（咔唑基，氮雜咔唑基，含氮環 及亞芳基，亦可各自具有取代基）， 前述含氮環爲吡陡，曈啉（quinoline)，Dfct哄，嚼d定， 喹喔啉（quinoxaline)，三哄，咪唑，咪唑并吡啶，嗒畊或 苯并咪唑。 # 2.—種有機電致發光元件，其爲在陰極及陽極間，具 有至少由磷光性之發光材料與主材料所成發光層之有機電 致發光元件中，於發光層與陰極之間具有與發光層接合之 電子注入層， 前述主材料之游離電位爲5.9eV以下，電子注入層中 電子輸送材料之三重線能量，比發光層中主材料之三重線 能量更小， 前述主材料爲，以咔哩（carbazolyl)基或氮雜咔哩基 連結於含氮環之化合物，或咔唑基或氮雜咔唑基藉由亞芳 -80- 1360363 基連接於含氮環之化合物（咔唑基，氮雜昨唑基，含氮環 及亞芳基，亦可各自具有取代基）， 前述含氮環爲吡啶，喹啉（quinoline)，吡哄，嘧啶， 喹喔啉（quinoxaline)，三畊，咪唑，咪唑并吡啶，嗒畊或 苯并咪唑。 3. 如申請專利範圍第1或2項之有機電致發光元件，其 中，還原性滲雜物（dopant)，被添加於電子注入層，或添 加於陰極與該陰極接合之層之界面領域者。 4. 如申請專利範圍第1或2項之有機電致發光元件，其 中，在陰極與陽極間，具有添加有磷光性發光材料之正孔 輸送層。 5 .如申請專利範圍第4項之有機電致發光元件，其中 前述正孔輸送層中之正孔輸送材料之三重線能量，比發光 層中磷光性發光材料之激發能量更大者。 6.如申請專利範圍第1或2項之有機電致發光元件，其 中，前述發光層中之主材料爲電子輸送性。 7 ·如申請專利範圍第6項之有機電致發光元件，其中 ，前述發光層中主材料之電子輸送度爲10_6cm2/Vs以上者 〇 8 ·如申請專利範圍第1或2項之有機電致發光元件，其 中，前述電子輸送材料爲單一種類之含氮環衍生物所配位 之金屬錯合物。 9 ·如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中 ，前述含氮環爲暗琳（quinoline)，苯并卩比卩定，苯并哇啉， -81 - 1360363 二氮雜菲（phenanthroline)。 1〇·如申請專利範圍第8項之有機電致發光天 ，目II述金屬錯合物爲卩奎啉酸（qUin〇lin〇l)之金屬 其衍生物。 11. 如申請專利範圍第1或2項之有機電致發 其中’前述電子輸送材料爲含氮環與縮合芳香趙 之化合物’或含氮環藉由亞芳基與縮合芳香族g •^物（含氮環’縮合芳香族環^亞芳基可各自具 者。 12. 如申請專利範圍第n項之有機電致發光 中前述縮合芳香族環爲萘，蒽，芘（pyrene)， (fluororanthene)，窟（chrysene)，菲（perylene)， naphthacene)或戊省（pentacene)。 1 3 ·如申請專利範圍第1丨項之有機電致發光 中前述含氮環爲6圓環與5圓環之縮合環，具有1 •者。 :件，其中 錯合物或 光元件， 環相連結 !連結之化 有取代基） :元件，其 菲，熒蒽 萘並萘（ :元件，其 〜4個氮原 • 82 -
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Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7476452B2 (en) * 2000-06-30 2009-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridine ligands, and devices made with such compounds
US7867629B2 (en) 2003-01-10 2011-01-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogenous heterocyclic derivative and organic electroluminescent element employing the same
JP4693336B2 (ja) * 2003-01-14 2011-06-01 出光興産株式会社 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1589789B1 (en) * 2003-01-24 2015-07-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP4736336B2 (ja) * 2003-03-26 2011-07-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置
WO2005006816A1 (ja) * 2003-07-11 2005-01-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0329364D0 (en) 2003-12-19 2004-01-21 Cambridge Display Tech Ltd Optical device
KR100581918B1 (ko) 2004-06-03 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2005123873A1 (ja) * 2004-06-17 2005-12-29 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5151001B2 (ja) * 2004-07-15 2013-02-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP4829486B2 (ja) * 2004-08-04 2011-12-07 Ｊｎｃ株式会社 有機電界発光素子
US7579090B2 (en) * 2004-09-20 2009-08-25 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
US7767316B2 (en) * 2004-09-20 2010-08-03 Global Oled Technology Llc Organic electroluminescent devices and composition
JP4362461B2 (ja) * 2004-11-05 2009-11-11 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子
KR100708655B1 (ko) * 2004-11-27 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100669790B1 (ko) * 2004-11-27 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2006067976A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Pioneer Corporation 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
WO2006109878A1 (en) 2005-04-11 2006-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and vapor deposition apparatus
JPWO2006112265A1 (ja) * 2005-04-14 2008-12-11 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7745019B2 (en) * 2005-04-28 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device and method of manufacturing light emitting element
US20060244373A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing thereof
JP5107237B2 (ja) 2005-05-30 2012-12-26 チバ ホールディング インコーポレーテッド エレクトロルミネセント素子
WO2006132012A1 (ja) * 2005-06-09 2006-12-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2007004729A1 (en) 2005-07-06 2007-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2007029402A1 (ja) * 2005-09-08 2007-03-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7651791B2 (en) 2005-12-15 2010-01-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and electroluminescence device employing the same
JP5064678B2 (ja) * 2005-12-16 2012-10-31 キヤノン株式会社 有機発光素子
US20070215889A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Aromatic amine compound, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance using the aromatic amine compound
JP2014197696A (ja) * 2006-05-17 2014-10-16 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物
US7768195B2 (en) * 2006-05-25 2010-08-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device with improved luminous efficiency
WO2008015949A1 (fr) * 2006-08-04 2008-02-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Composant organique électroluminescent
JP5358962B2 (ja) * 2007-02-06 2013-12-04 住友化学株式会社 組成物及び該組成物を用いてなる発光素子
KR101030007B1 (ko) * 2007-06-15 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 헤테로방향환 함유 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한유기 발광 소자
US8431242B2 (en) 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
US8420229B2 (en) * 2007-10-26 2013-04-16 Global OLED Technologies LLC OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants
US8076009B2 (en) 2007-10-26 2011-12-13 Global Oled Technology, Llc. OLED device with fluoranthene electron transport materials
WO2009066779A1 (ja) * 2007-11-22 2009-05-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
JP5390396B2 (ja) 2007-11-22 2014-01-15 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ材料含有溶液
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
US7947974B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Global Oled Technology Llc OLED device with hole-transport and electron-transport materials
JP5416944B2 (ja) * 2008-10-23 2014-02-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US7931975B2 (en) 2008-11-07 2011-04-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device containing a flouranthene compound
US8088500B2 (en) 2008-11-12 2012-01-03 Global Oled Technology Llc OLED device with fluoranthene electron injection materials
US7968215B2 (en) 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
JP5210187B2 (ja) * 2009-01-22 2013-06-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US8216697B2 (en) 2009-02-13 2012-07-10 Global Oled Technology Llc OLED with fluoranthene-macrocyclic materials
JP2010226059A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toshiba Corp 有機電界発光素子
US20100244677A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Begley William J Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative
US9153790B2 (en) * 2009-05-22 2015-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP2010278354A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
EP2462203B1 (en) 2009-08-04 2016-03-02 Merck Patent GmbH Electronic devices comprising multi cyclic hydrocarbons
EP2484665A4 (en) * 2009-10-02 2013-03-20 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT
WO2011046182A1 (ja) 2009-10-16 2011-04-21 出光興産株式会社 含フルオレン芳香族化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011055608A1 (ja) * 2009-11-06 2011-05-12 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
WO2011076314A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent formulations
EP2517275B1 (en) 2009-12-22 2018-11-07 Merck Patent GmbH Formulations comprising phase-separated functional materials
JP5897472B2 (ja) 2009-12-22 2016-03-30 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネセンス機能性界面活性剤
JP6014304B2 (ja) * 2010-01-15 2016-10-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR20130020883A (ko) 2010-03-11 2013-03-04 메르크 파텐트 게엠베하 요법 및 미용에서의 섬유
JP2013522816A (ja) 2010-03-11 2013-06-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光ファイバー
JPWO2011148909A1 (ja) * 2010-05-24 2013-07-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011147522A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 Merck Patent Gmbh Compositions comprising quantum dots
JP2013201153A (ja) * 2010-06-08 2013-10-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012005009A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 出光興産株式会社 イミダゾピリジン誘導体及びそれを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4680322B1 (ja) * 2010-07-09 2011-05-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
KR20130095620A (ko) * 2010-07-12 2013-08-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
US9691983B2 (en) 2010-07-16 2017-06-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition containing polymer compound and light-emitting device using the same
US20130226268A1 (en) 2010-07-26 2013-08-29 Merck Patent Gmbh Nanocrystals in devices
WO2012013272A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Merck Patent Gmbh Quantum dots and hosts
EP2662368A4 (en) 2010-12-20 2014-06-25 Idemitsu Kosan Co AROMATIC HETEROCYCLE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING THE SAME
CN103329621A (zh) * 2011-01-20 2013-09-25 出光兴产株式会社 有机电致发光元件
KR101831015B1 (ko) 2011-01-20 2018-02-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
US9492681B2 (en) 2011-02-14 2016-11-15 Merck Patent Gmbh Device and method for treatment of cells and cell tissue
TWI680600B (zh) 2011-02-28 2019-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
KR20190014600A (ko) 2011-03-23 2019-02-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
WO2012126566A1 (en) 2011-03-24 2012-09-27 Merck Patent Gmbh Organic ionic functional materials
KR101650996B1 (ko) 2011-03-25 2016-08-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
WO2012152366A1 (en) 2011-05-12 2012-11-15 Merck Patent Gmbh Organic ionic compounds, compositions and electronic devices
WO2012163464A1 (en) 2011-06-01 2012-12-06 Merck Patent Gmbh Hybrid ambipolar tfts
WO2013013754A1 (en) 2011-07-25 2013-01-31 Merck Patent Gmbh Copolymers with functionalized side chains
TWI727297B (zh) 2011-08-25 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物
KR20140092332A (ko) * 2011-10-21 2014-07-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 유기 일렉트로 루미네선스 소자용 재료
CN107342368B (zh) 2011-11-22 2019-05-28 出光兴产株式会社 芳香族杂环衍生物、有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
US9425422B2 (en) * 2012-09-12 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP6133583B2 (ja) * 2012-12-03 2017-05-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102178256B1 (ko) * 2013-03-27 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10439156B2 (en) 2013-05-17 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, lighting device, and electronic device
JP2014236099A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20160163987A1 (en) 2013-07-29 2016-06-09 Merck Patent Gmbh Electro-optical device and the use thereof
US20160181537A1 (en) 2013-07-29 2016-06-23 Merck Patent Gmbh Electroluminescence Device
KR102065366B1 (ko) 2013-08-30 2020-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN106461830B (zh) * 2014-05-01 2019-08-27 富士胶片株式会社 红外线传感器、近红外线吸收组合物、感光性树脂组合物、化合物及其应用
JP6695863B2 (ja) 2014-09-05 2020-05-20 メルク パテント ゲーエムベーハー 調合物と電子素子
WO2016107663A1 (de) 2014-12-30 2016-07-07 Merck Patent Gmbh Formulierungen und elektronische vorrichtungen
JP6800879B2 (ja) 2015-03-30 2020-12-16 メルク パテント ゲーエムベーハー シロキサン溶媒を含む有機機能性材料の調合物
EP3581633B1 (en) 2015-06-12 2021-01-27 Merck Patent GmbH Esters containing non-aromatic cycles as solvents for oled formulations
WO2017036572A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
US11005042B2 (en) 2015-12-10 2021-05-11 Merck Patent Gmbh Formulations containing ketones comprising non-aromatic cycles
JP7051684B2 (ja) 2015-12-15 2022-04-11 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子調合物のための溶媒として芳香族基を含むエステル
KR20180095028A (ko) 2015-12-16 2018-08-24 메르크 파텐트 게엠베하 둘 이상의 상이한 용매의 혼합물을 함유하는 제형
KR20180096676A (ko) 2015-12-16 2018-08-29 메르크 파텐트 게엠베하 고체 용매를 함유하는 제형
KR20180110125A (ko) 2016-02-17 2018-10-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
DE102016003104A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Merck Patent Gmbh Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter
KR20190019138A (ko) 2016-06-16 2019-02-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
KR102374183B1 (ko) 2016-06-17 2022-03-14 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
JP6980757B2 (ja) 2016-08-04 2021-12-15 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
US10950792B2 (en) 2016-10-31 2021-03-16 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
JP7046938B2 (ja) 2016-10-31 2022-04-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
US10892414B2 (en) 2016-12-06 2021-01-12 Merck Patent Gmbh Process for making electronic device
JP7091337B2 (ja) 2016-12-13 2022-06-27 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
US20200098996A1 (en) 2016-12-22 2020-03-26 Merck Patent Gmbh Mixtures comprising at least two organofunctional compounds
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
KR20190131554A (ko) 2017-03-31 2019-11-26 메르크 파텐트 게엠베하 유기 발광 다이오드 (oled) 를 위한 인쇄 방법
CN110476267B (zh) 2017-04-07 2023-04-18 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备以及照明装置
WO2018189050A1 (en) 2017-04-10 2018-10-18 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
WO2018202603A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
WO2019016184A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Merck Patent Gmbh FORMULATION OF AN ORGANIC FUNCTIONAL MATERIAL
WO2019115573A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20200125660A (ko) 2018-02-26 2020-11-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
EP3807367B1 (en) 2018-06-15 2023-07-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
KR102654919B1 (ko) * 2018-07-23 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN108963098B (zh) * 2018-08-03 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 一种qled显示面板及其制备方法、显示装置
CN112740432A (zh) 2018-09-24 2021-04-30 默克专利有限公司 用于生产粒状材料的方法
TW202034551A (zh) 2018-11-06 2020-09-16 德商麥克專利有限公司 用於形成電子裝置的有機元件之方法
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
WO2021213917A1 (en) 2020-04-21 2021-10-28 Merck Patent Gmbh Emulsions comprising organic functional materials
EP4169082A1 (de) 2020-06-23 2023-04-26 Merck Patent GmbH Verfahren zur herstellung einer mischung
WO2022122607A1 (en) 2020-12-08 2022-06-16 Merck Patent Gmbh An ink system and a method for inkjet printing
CN117355364A (zh) 2021-05-21 2024-01-05 默克专利有限公司 用于连续纯化至少一种功能材料的方法和用于连续纯化至少一种功能材料的装置
WO2023012084A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Merck Patent Gmbh A printing method by combining inks
TW202349760A (zh) 2021-10-05 2023-12-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
WO2023237458A1 (en) 2022-06-07 2023-12-14 Merck Patent Gmbh Method of printing a functional layer of an electronic device by combining inks

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
EP0723701B1 (en) * 1994-08-11 2000-01-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Solid-state image intensifier and x-ray examination apparatus comprising a solid-state image intensifier
US5834894A (en) * 1995-09-14 1998-11-10 Casio Computer Co., Ltd. Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage
TW476227B (en) 1997-10-09 2002-02-11 Univ Princeton Optoelectronic devices containing highly transparent non-metallic cathodes
JP3266573B2 (ja) * 1998-04-08 2002-03-18 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6137223A (en) * 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6830828B2 (en) * 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
ATE344532T1 (de) 1999-05-13 2006-11-15 Univ Princeton Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
US6461747B1 (en) * 1999-07-22 2002-10-08 Fuji Photo Co., Ltd. Heterocyclic compounds, materials for light emitting devices and light emitting devices using the same
US6278236B1 (en) 1999-09-02 2001-08-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with electron-injecting layer having aluminum and alkali halide
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
US6660410B2 (en) * 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
US6645645B1 (en) * 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
ATE482476T1 (de) * 2000-07-17 2010-10-15 Fujifilm Corp Lichtemittierendes element und azolverbindung
JP4578642B2 (ja) * 2000-08-09 2010-11-10 富士フイルム株式会社 有機発光素子
EP1325671B1 (en) * 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4344494B2 (ja) * 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP2002151267A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP4040249B2 (ja) * 2000-11-16 2008-01-30 富士フイルム株式会社 発光素子
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
US7998595B2 (en) * 2001-02-14 2011-08-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device, luminescent material and organic compound
EP1371708A4 (en) * 2001-02-14 2004-06-16 Sanyo Electric Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE, LUMINESCENT MATERIAL, AND ORGANIC COMPOUND
JP4994564B2 (ja) * 2001-03-02 2012-08-08 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 二重ドープ層燐光有機発光装置
JP2002352957A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003077673A (ja) * 2001-06-19 2003-03-14 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100917347B1 (ko) * 2001-08-29 2009-09-16 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 금속 착물들을 포함하는 캐리어 블로킹층들을 갖는 유기발광 디바이스들
JP4011325B2 (ja) * 2001-10-31 2007-11-21 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4316387B2 (ja) * 2002-03-22 2009-08-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20040247933A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Bipolar asymmetric carbazole-based host materials for electrophosphorescent guest-host OLED systems

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