CN103681760B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了有机发光显示装置,其通过防止衰减现象能够实现在高电流时的发光效率的提高和面板功效的提高。该有机发光显示装置包括形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极。空穴注入层、空穴传输层、至少第一发光层和第二发光层以及电子传输层被顺序地堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间。所述第一发光层包括不同的基质,同时掺杂有不同剂量的相同掺杂剂。所述第一发光层包括第一基质和第二基质,所述第二发光层包括第一基质和与所述第二基质不同的第三基质。所述第一发光层和所述第二发光层被掺杂有相同剂量的相同的黄色磷光‑绿色磷光掺杂剂。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本申请涉及有机发光显示装置,更具体地,涉及通过防止衰减(roll-off)现象能够实现在高电流时的发光效率的提高和面板功效的提高的有机发光显示装置。
背景技术
在屏幕上呈现各种信息的图像显示装置是信息时代的核心技术。如此的图像显示装置正朝着薄化、亮度增加、便携性增强以及性能增强的方向发展。目前,能够通过控制有机发光层的发光来显示图像的有机发光显示装置被突出作为能够消除阴极射线管(CRT)的结构重并且体积大的缺点的平板显示装置。
作为采用布置在电极之间的薄发光层的自发光装置的如此的有机发光显示装置的优点在于,它可以具有诸如纸张这样的薄膜结构。具体地,OLED包括阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)和阴极。
具体地,有机发光显示装置被认为是具有竞争性的应用,原因在于,它不需要单独的光源,同时可以实现紧凑性和显著的颜色显示。
近来,有机发光显示装置采用具有堆叠结构的白光OLED,该堆叠结构包括具有蓝色荧光发光层的第一堆叠结构和具有黄色磷光-绿色磷光发光层的第二堆叠结构。在如此的OLED中,从蓝色荧光发光层发出的蓝光与从黄色磷光-绿色磷光发光层发出的黄光和绿光混合,由此呈现白光。
在该情形中,黄色磷光-绿色磷光发光层可能出现衰减现象,其中,由于在较高电流时的三重态激子淬灭(TTA)的增加,发光效率降低。结果,在高电流时的发光效率可能降低。
根据传统白光OLED的黄色磷光-绿色磷光波长范围包括绿色波长和红色波长。根据传统黄色磷光-绿色磷光波长范围的半峰全宽(FWHM)较小,如在图1中所示。FWHM表示在一半的峰值高度处的宽度。当FWHM区域较小时,根据绿色波长的光的强度和根据红色波长的光的强度降低。即,光的强度与FWHM区域成比例。例如,当FWHM区域较小时,光的强度降低。因为根据传统白光OLED的FWHM区域较小,所以根据绿色波长的光的强度和根据红色波长的光的强度降低,由此导致颜色再现范围的减小。结果,发生了面板功效的降低。
发明内容
因此,本发明涉及有机发光显示装置,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供有机发光显示装置,其通过防止衰减(roll-off)现象能够实现在高电流时的发光效率的提高和面板功效的提高。
本发明的另外的优点、目的和特征将在接下来的描述中部分地阐明,并且,根据下面的描述或者根据本发明的实践,对于本领域技术人员而言,部分将变得清楚。本发明的目的和其它优点将通过在书写的说明书、权利要求以及附图中具体地指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和根据本发明的目的的其它优点,如这里具体实施和广泛描述的,一种有机发光显示装置包括:形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;以及被顺序地堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层、空穴传输层、至少两个发光层和电子传输层,其中,所述至少两个发光层分别包括不同的基质,同时分别掺杂有不同剂量的相同掺杂剂。
所述至少两个发光层包括:第一发光层,所述第一发光层包括第一基质,同时掺杂有黄色磷光-绿色磷光掺杂剂;以及第二发光层,所述第二发光层包括与所述第一基质不同的第二基质,同时按照与所述第一发光层不同的剂量掺杂有与所述第一发光层相同的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
所述第一基质可以具有低于或等于所述空穴传输层的最高占有分子轨道(HOMO)能级的第一HOMO能级。所述第一HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级可以具有-0.05到-0.5eV的差异。
所述第一HOMO能级可以为-6.0到-5.0eV,并且所述第一基质可以具有-2.5到-2.3eV的第一最低未占有分子轨道(LUMO)能级,同时具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的空穴迁移率。
基于所述第一发光层的体积,所述第一发光层的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂可以以1%到10%的剂量被掺杂在所述第一发光层中。
所述第二发光层可以具有高于或等于所述电子传输层的LUMO能级的第二LUMO能级。所述第二LUMO能级与所述电子传输层的所述LUMO能级可以具有-0.05到-0.5eV的差异。
所述第二发光层可以具有-6.5到-5.0eV的第二HOMO能级以及-3.0到-2.0eV的第二LUMO能级。所述第二基质可以具有9.0×10-5到1.0×10-3cm2/Vs的电子迁移率。
基于所述第二发光层的体积,所述第二发光层的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂可以以10%到20%的剂量被掺杂在所述第二发光层中。
所述第一基质和所述第二基质中的每一个可以均具有2.0到3.0eV的三重态能级。
从所述第一发光层至达到所述第二电极的位置的厚度通过下面的表达式1来表示:
[表达式1]
其中,“H’”表示从所述第一发光层至达到所述第二电极的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述掺杂剂的光致发光峰值波长。
从所述第二发光层至达到所述第二电极的位置的厚度可以通过下面的表达式2来表示:
[表达式2]
其中,“H”表示从所述第二发光层至达到所述第二电极的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述掺杂剂的光致发光峰值波长。
在本发明的另一个方面,一种有机发光显示装置包括:形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;第一堆叠,所述第一堆叠包括顺序地堆叠在所述第一电极上的空穴注入层、第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第二电子传输层;第二堆叠,所述第二堆叠包括顺序地堆叠在所述第一堆叠和所述第二电极之间的第一空穴传输层、第二空穴传输层、至少两个发光层和第一电子传输层;以及电荷生成层,所述电荷生成层被形成在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间,以调节在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的电荷平衡,其中,所述至少两个发光层分别包括不同的基质,同时分别掺杂有不同剂量的相同的黄色-绿色掺杂剂。
在本发明的另一个方面,一种有机发光显示装置包括:形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;以及被顺序地堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层、空穴传输层、至少第一发光层和第二发光层以及电子传输层,其中,所述第一发光层包括第一基质和第二基质,所述第二发光层包括所述第一基质和第三基质,并且所述第一发光层和所述第二发光层被掺杂有相同剂量的相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
所述第一基质可以具有高于或等于所述电子传输层的LUMO能级的第一LUMO能级。所述第一LUMO能级与所述电子传输层的所述LUMO能级可以具有+0.05到+0.2eV的差异。
所述第一基质可以具有-6.0到-5.0eV的HOMO能级,同时具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的空穴迁移率。
所述第二基质可以具有低于或等于所述空穴传输层的HOMO能级的第二HOMO能级。所述第二HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级可以具有-0.05到-0.5eV的差异。
所述第二基质可以具有-2.5到-2.3eV的第二最低未占有分子轨道(LUMO)能级,同时具有9.0×10-4到1.0×10-3cm2/Vs的空穴迁移率。
所述第三基质可以具有低于或等于所述空穴传输层的HOMO能级的第三HOMO能级。所述第三HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级可以具有-0.05到-0.5eV的差异。
所述第三基质可以具有-2.5到-2.3eV的第三最低未占有分子轨道(LUMO)能级,同时具有9.0×10-4到1.0×10-3cm2/Vs的空穴迁移率。
所述第三基质可以具有比所述第二基质更高的空穴迁移率。所述第一基质、所述第二基质和所述第三基质中的每一个可以均具有2.0到3.0eV的三重态能级。
基于相应的所述第一发光层或所述第二发光层的体积,所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂可以以8%到25%的剂量被掺杂在相应的所述第一发光层或所述第二发光层中。
在本发明的另一个方面,一种有机发光显示装置包括:形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;第一堆叠,所述第一堆叠包括顺序地堆叠在所述第一电极上的空穴注入层、第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第二电子传输层;第二堆叠,所述第二堆叠包括顺序地堆叠在所述第一堆叠和所述第二电极之间的第一空穴传输层、第二空穴传输层、至少两个的第一发光层和第二发光层、以及第一电子传输层;第一电荷生成层,所述第一电荷生成层被形成在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间,以调节在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的电荷平衡,第三堆叠,所述第三堆叠包括堆叠在所述第二堆叠和所述第二电极之间的第五空穴传输层、第四发光层和第三电子传输层;以及第二电荷生成层,所述第二电荷生成层被形成在所述第二堆叠和所述第三堆叠之间,以调节在所述第二堆叠和所述第三堆叠之间的电荷平衡,其中,所述第一发光层包括第一基质和第二基质,所述第二发光层包括所述第一基质和与所述第二基质不同的第三基质,并且所述第一发光层和所述第二发光层被掺杂有相同剂量的相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
所述第三发光层和所述第四发光层中的每一个可以均包括基质和作为掺杂剂的蓝色荧光材料,以发射蓝光。
将理解的是,前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的,并且旨在提供要求保护的本发明的进一步的说明。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被合并在本说明书中以构成其一部分的附图例示了本发明的实施方式,并且与说明书一起用来说明本发明的原理。在附图中:
图1是描绘根据传统白光有机发光装置(OLED)的电致发光峰值波长的曲线图;
图2A到图2D是在根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中的R、G、B和W像素的等效电路图;
图3是例示图2A到图2D的R、G、B和W子像素区域的有机发光显示装置的截面图;
图4是例示根据本发明的第一实施方式的白光OLED的立体图;
图5是根据本发明的第一实施方式的白光OLED的能带图;
图6是例示根据本发明的第二实施方式的白光OLED的立体图;
图7A是例示具有位置不同的发光层的白光OLED的截面图,图7B是说明根据在图7A中例示的位置的电致发光峰值(EL峰值)波长的曲线图;
图8是说明根据本发明的第一实施方式和第二实施方式的第一发光层和第二发光层的位置的截面图;
图9描绘根据本发明的第一实施方式或第二实施方式的白光OLED的EL峰值波长和根据比较示例的白光OLED的EL峰值波长;
图10是根据本发明的第三实施方式的白光OLED的能带图;以及
图11是例示根据本发明的第四实施方式的白光OLED的立体图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开的优选实施方式,其示例在附图中示出。只要可能,在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在本发明的下面的描述中,当其中包含的已知的功能和构造的详细描述可能使得本发明的主题不清楚时,将省略这些描述。
下面,将参考图2A到图8描述本发明的优选实施方式。
图2A到图2D是在根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中的R、G、B和W像素的等效电路图。图3是例示图2A到图2D的R、G、B和W子像素区域的有机发光显示装置的截面图。图4是例示根据本发明的实施方式的白光有机发光装置(OLED)的立体图。图5是在图4中例示的白光OLED的能带图。
根据本发明的例示的实施方式的有机发光显示装置包括:具有显示区域的基板,该显示区域通过以矩阵形式形成的多个子像素区域限定;和密封基板,用于保护在上述基板上形成的子像素抵抗潮湿或氧气的作用。
所述多个子像素区域被划分为R子像素区域、G子像素区域、B子像素区域和W子像素区域。如在图2A中所示,所述多个子像素区域可以被布置为使得R、G、B和W子像素区域被对齐以具有1行×4列的布置,同时与选通线平行,如在图2A中所示。尽管在图2A的情形中,多个子像素区域以R、G、B和W子像素区域的顺序布置,但是它们可以按照R、B、G和W子像素区域的顺序或者按照W、R、G和B子像素区域的顺序布置。即,子像素区域的布置顺序可以根据用户的希望而改变,不限制于特定的顺序。
R、B、G和W子像素区域也可以被布置为具有2行×2列的布置,如在图2B和2C中所例示的。例如,如在图2B中所例示的,R子像素区域可以被形成在其中第“2i-1”条数据线DL2i-1(“i”是等于或大于1的自然数)和第“2i-1”条选通线GL2i-1交叉的区域中,G子像素区域可以被形成在其中第“2i”条数据线DL2i和第“2i-1”条选通线GL2i-1交叉的区域中,B子像素区域可以被形成在其中第“2i-1”条数据线DL2i-1和第“2i”条选通线GL2i交叉的区域中,W子像素区域可以被形成在其中第“2i”条数据线DL2i和第“2i”条选通线GL2i交叉的区域中。
可选地,如在图2C中所例示的,R子像素区域可以被形成在其中第“2i-1”条数据线DL2i-1和第“2i-1”条选通线GL2i-1交叉的区域中,B子像素区域可以被形成在其中第“2i”条数据线DL2i和第“2i-1”条选通线GL2i-1交叉的区域中,G子像素区域可以被形成在其中第“2i-1”条数据线DL2i-1和第“2i”条选通线GL2i交叉的区域中,W子像素区域可以被形成在其中第“2i”条数据线DL2i和第“2i”条选通线GL2i交叉的区域中。
另一方面,如在图2D中所示,R、B、G和W子像素区域可以被布置为使得相同的子像素区域在选通线的方向上对齐。例如,R子像素区域可以被布置在第一条选通线上,G子像素区域可以被布置在第二条选通线上,B子像素区域可以被布置在第三条选通线上,W子像素区域可以被布置在第四条选通线上。
如在图2A到图2D中所示,R、G、B和W子像素区域中的每一个都包括单元驱动器200和连接到该单元驱动器200的白光有机发光装置(OLED)。
单元驱动器200包括连接到一条选通线GL和一条数据线DL的切换薄膜晶体管TS,在切换薄膜晶体管TS、电源线PL和白光OLED的第一电极之间连接的驱动薄膜晶体管TD,和在电源线PL和切换薄膜晶体管TS的漏极电极之间连接的存储电容器C。每一个子像素区域可以具有包括切换晶体管、驱动晶体管、电容器和OLED的结构,或除了上述的元件之外还包括另外的晶体管和另外的电容器的结构。尽管在上述的情形中,驱动薄膜晶体管直接地连接到白光OLED的第一电极,但是另外的薄膜晶体管可以形成在驱动薄膜晶体管和白光OLED之间。
切换薄膜晶体管TS的栅极电极连接到选通线GL。切换薄膜晶体管TS的源极电极连接到数据线DL。切换薄膜晶体管TS的漏极电极连接到驱动薄膜晶体管TD的栅极电极和存储电容器C。驱动薄膜晶体管TD的源极电极连接到电源线PL。驱动薄膜晶体管TD的漏极电极连接到所述第一电极。存储电容器C连接在电源线PL和驱动薄膜晶体管TD之间。
当扫描脉冲被提供到选通线GL时,切换薄膜晶体管TS被导通,从而将提供到数据线DL的数据信号提供到存储电容器C和驱动薄膜晶体管TD的栅极电极。响应于提供到驱动薄膜晶体管TD的栅极电极的数据信号,驱动薄膜晶体管TD控制电流I从电源线提供到OLED,由此调节OLED的发光量。即使当切换薄膜晶体管TS被断开时,驱动薄膜晶体管TD也通过在存储电容器C中改变的电压来提供恒定的电流I,直到下一帧的数据信号被提供,如此,OLED继续发光。
如在图3中所例示的,驱动薄膜晶体管TD包括:栅极电极102,其在形成在基板100的同时连接到选通线GL;栅极绝缘膜112,其形成在基板100上,包括在栅极电极102上;和氧化物半导体层114,其被形成为在栅极绝缘膜112被插入在氧化物半导体层114和栅极电极102之间的条件下,与栅极电极102重叠。驱动薄膜晶体管TD还包括:蚀刻阻挡器106,其形成在氧化物半导体层114上,以保护氧化物半导体层114抵抗氧化,同时防止对氧化物半导体层114的损坏;源极电极108,其连接到数据线DL;和漏极电极110,其形成为与源极电极108相对。第一保护膜118形成在栅极绝缘膜112上,包括在驱动薄膜晶体管TD上。
氧化物半导体层114由包括从Zn、Cd、Ga、In、Sn、Hf和Zr中选择的至少一种金属的氧化物制成。当薄膜晶体管包括上述氧化物半导体层114时,与包括硅半导体层的薄膜晶体管比较时,实现了电荷迁移率高和电流泄漏低的优点。包括硅半导体层的薄膜晶体管通过高温工艺形成,并且经历结晶过程。因此,当如此的薄膜晶体管具有扩大的区域时,在结晶过程中的均匀性降低。结果,在设置扩大的区域时存在缺点。另一方面,包括氧化物半导体层114的薄膜晶体管可以通过低温工艺形成,并且在设置扩大的区域时可以是有利的。
R滤色器124R在R子像素区域中形成在第一保护膜118上,以使得发射红光(R)。G滤色器124G在G子像素区域中形成在第一保护膜118上,以使得发射绿光(G)。B滤色器124B在B子像素区域中形成在第一保护膜118上,以使得发射蓝光(B)。没有滤色器在W素区域中形成在第一保护膜118上,以使得发射白光(W)。第二保护膜116形成在第一保护膜118上,包括在R滤色器124R、G滤色器124G和B滤色器124B上。
白光OLED包括:连接到驱动薄膜晶体管TD的漏极电极的第一电极240、与第一电极240相对的第二电极230、形成有堤形孔(bank hole)132以露出第一电极240的堤形(bank)绝缘膜130、和设置在第一电极240和第二电极230之间的发光层250。
图3例示了其中从发光层250发射的光向下射出的底部发光。然而,根据本发明的实施方式,OLED可以按照顶部发光或两侧发光的形式来发射光。因此,关于发光类型没有限制。
第一电极240是阳极,并且由诸如透明导电氧化物(TCO)(例如,铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))这样的透明导电材料制成。
第二电极230是阴极,并且由反射金属材料制成。反射金属材料可以包括铝(Al)、金(Au)、钼(MO)、铬(Cr)、铜(Cu)、LiF、或铝和LiF的合金。
在下文中,将更加详细地描述白光OLED。
[第一实施方式]
图4是例示根据本发明的第一实施方式的白光OLED的结构的立体图。图5是在图4中例示的白光OLED的能带图。
如在图4中所示的,根据本发明的第一实施方式的白光OLED具有如下的结构,其中,空穴注入层214、第一空穴传输层224a、第二空穴传输层224b、至少两个发光层226a和226b、和电子传输层228被顺序地堆叠在第一电极240和第二电极230之间。所述至少两个发光层226a和226b包括不同的基质,同时包括相同的掺杂剂。在所述至少两个发光层226a和226b中的掺杂剂的剂量是不同的。在下文中,将结合如下的示例来描述所述至少两个发光层226a和226b,即,在所述示例中,所述至少两个发光层226a和226b由第一发光层226a和第二发光层226b构成。
第一发光层226a包括第一基质1Host和黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。第二发光层226b包括第二基质2Host和黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。通过分别在第一基质1Host和第二基质2Host中共同沉积不同剂量的相同掺杂剂来形成第一发光层226a和第二发光层226b。第一发光层226a的第一基质1Host和第二发光层226b的第二基质2Host具有不同的最高占有分子轨道(HOMO)能级和不同的最低未占有分子轨道(LUMO)能级。
即,如在图5中所示,第一基质1Host具有第一HOMO能级和第一LUMO能级。第一HOMO能级低于或等于第二空穴传输层224b的HOMO能级。在第一HOMO能级和第二空穴传输层224b的HOMO能级之间的差异为-0.05到-0.5eV。因此,空穴从第二空穴传输层224b到第一发光层226a的第一基质1Host中的注入被平稳地执行。例如,第一HOMO能级为-6.0到-5.0eV,第一LUMO能级为-2.5到-2.3eV。第一基质1Host展现出5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的高空穴迁移率。基于第一发光层226a的体积,在第一发光层226a中的掺杂剂的剂量为1到10%。第一基质1Host的三重态能级为2.0到3.0eV。
第二基质2Host具有第二HOMO能级和第二LUMO能级。第二LUMO能级高于或等于电子传输层228的LUMO能级。在第二LUMO能级和电子传输层228的LUMO能级之间的差异为-0.05到-0.5eV。因此,电子从电子传输层228到第二发光层226b的第二基质2Host中的注入被平稳地执行。例如,第二HOMO能级为-6.5到-5.0eV,第二LUMO能级为-3.0到-2.0eV。第二基质2Host展现出9.0×10-5到1.0×10-3cm2/Vs的高空穴迁移率。基于第二发光层226b的体积,在第二发光层226b中的掺杂剂的剂量为10到20%。第二基质2Host的三重态能级为2.0到3.0eV。
因此,在第一发光层226a中的掺杂剂的剂量低于在第二发光层226b中的剂量。一般地,发光层的电流量和发光层的亮度是成反比例的(cd/A)。由于该关系,可能存在衰减现象,其中,当发光层的电流量增加时,发光层的亮度逐渐地减小。通过调节在第一发光层226a中的掺杂剂的剂量和在第二发光层226b中的掺杂剂的剂量不同,可以消除或减少该衰减现象。
即,基于基质的物理特性,被最优化以改变其中根据电流量生成激子的区的剂量被施加到发光层,从而消除衰减现象。
[第二实施方式]
另一方面,可以实现具有包括参考图4描述的OLED结构的多堆叠结构的白光OLED。
图6是例示根据本发明的第二实施方式的白光OLED的立体图。图6的白光OLED具有包括图4的白光OLED结构的多堆叠结构。
如在图6中所例示的,根据本发明的第二实施方式的白光OLED具有包括第一堆叠210、电荷生成层222和第二堆叠220的多堆叠结构。包括多堆叠结构的如此的OLED包括在不同堆叠中的不同颜色的发光层。在该情形中,通过混合从堆叠中的各个发光层发射的光束,实现白光。图6例示了其中从发光层218、226a和226b发射的光束向下射出的底部发光。然而,根据本发明的实施方式,OLED可以按照顶部发光或两侧发光的形式来发射光。因此,关于发光类型没有限制。
第一电极240是阳极,并且由诸如透明导电氧化物(TCO)(例如,铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))这样的透明导电材料制成。
第二电极230是阴极,并且由反射金属材料制成。反射金属材料可以包括铝(Al)、金(Au)、钼(MO)、铬(Cr)、铜(Cu)、LiF、或铝和LiF的合金。
第一堆叠210具有如下的结构,其中,空穴注入层(HIL)214、第三空穴传输层(HTL)216a、第四空穴传输层216b、第三发光层(ETL)218和第二电子传输层(ETL)212被顺序地堆叠在第一电极240和电荷生成层222之间。在该情形中,第三发光层218包括基质和作为掺杂剂的蓝色荧光材料,以发射蓝光。
电荷生成层222被形成在堆叠210和220之间,以调节在堆叠210和220之间的电荷平衡。电荷生成层222包括:N型有机层222a,布置为与第一堆叠210相邻,以将电子注入到第一堆叠210中;和P型有机层222b,布置为与第二堆叠220相邻,以将空穴注入到第二堆叠220中。
第二堆叠220具有参考图4描述的结构。即,第二堆叠220具有如下的结构,其中,第一空穴传输层224a、第二空穴传输层224b、至少两个发光层226a和226b、和第一电子传输层228被顺序地堆叠在电荷生成层222和第二电极230之间。所述至少两个发光层226a和226b包括不同的基质,同时包括相同的掺杂剂。在所述至少两个发光层226a和226b中的掺杂剂的剂量是不同的。在下文中,将结合如下的示例来描述所述至少两个发光层226a和226b,即,在所述示例中,所述至少两个发光层226a和226b由第一发光层226a和第二发光层226b构成。第一发光层226a和第二发光层226b的构造与图4和图5中的相同,如此,将不给出其描述。
在具有上述构造的根据本发明的第二实施方式的白光OLED中,第一发光层226a和第二发光层226b可以根据其位置调节光的强度。将参考图7A和7B对此进行描述。
图7A是例示具有位置不同的发光层的白光OLED的截面图。图7B是说明根据在图7A中例示的位置的电致发光峰值(EL峰值)波长的曲线图。
根据情形A的白光OLED具有多堆叠结构,该多堆叠结构包括具有蓝色荧光发光层的第一堆叠和具有黄色磷光-绿色磷光发光层的第二堆叠。第二堆叠的黄色磷光-绿色磷光发光层被形成在第一位置P1。
根据情形B的白光OLED具有多堆叠结构,该多堆叠结构包括具有蓝色荧光发光层的第一堆叠和具有黄色磷光-绿色磷光发光层的第二堆叠。第二堆叠的黄色磷光-绿色磷光发光层被形成在从第一位置P1向左移位的第二位置P2。该位置对应于第二堆叠220的第一发光层226a的位置。
根据情形C的白光OLED具有多堆叠结构,该多堆叠结构包括具有蓝色荧光发光层的第一堆叠和具有黄色磷光-绿色磷光发光层的第二堆叠。第二堆叠的黄色磷光-绿色磷光发光层被形成在从第一位置P1向右移位的第三位置P3。该位置对应于第二堆叠220的第二发光层226b的位置。
如上所述,根据情形A、B和C的白光OLED在第二堆叠的黄色磷光-绿色磷光发光层的位置方面不同。在白光OLED中,发光层的电致发光峰值位置可以根据发光层的位置的变化而改变。将参考图7B的曲线图对此进行描述。
图7B描绘根据在第二堆叠中的黄色磷光-绿色磷光发光层的电致发光峰值(EL峰值)波长的曲线图,而没有描绘根据在第一堆叠中的蓝色荧光发光层的EL峰值波长的曲线图。
被描绘的第一个曲线,即,第一曲线28是在图7A的情形A(其中,第二堆叠的发光层被布置在第一位置P1)中的EL峰值波长的曲线。被描绘的第二个曲线,即,第二曲线20是在图7A的情形B(其中,第二堆叠的发光层被布置在第二位置P2)中的EL峰值波长的曲线。被描绘的第三个曲线,即,第三曲线22是在图7A的情形C(其中,第二堆叠的发光层被布置在第三位置P3)中的EL峰值波长的曲线。
第二曲线20的EL峰值位于从第一曲线28的EL峰值向左移位的位置。第三曲线22的EL峰值位于从第一曲线28的EL峰值向右移位的位置。因此,发光层的EL峰值的位置可以依赖于发光层的位置。
详细地,通过发射出发光层的材料的固有颜色的光致发光峰值(PL峰值)波长与白光OLED的有机堆叠结构的发射率峰值(EM峰值)的乘积来确定白光OLED的电致发光峰值(EL峰值)波长。
被描绘的第四个曲线,即,第四曲线24是在情形A中的EL峰值波长的曲线。第四曲线24描绘由第一曲线28描绘的第一情形A的EL峰值波长与发射出黄色磷光-绿色磷光发光层的固有颜色的PL峰值波长的乘积。
被描绘的第五个曲线,即,第五曲线26是描绘根据第二情形B的白光OLED的EL峰值波长与根据情形C的白光OLED的PL峰值波长的乘积的曲线。即,第五曲线26是描绘在由第二曲线20和第三曲线22描绘的情形B和情形C中的EL峰值波长与发射出黄色磷光-绿色磷光发光层的固有颜色的PL峰值波长的乘积的曲线。
当第四曲线24和第五曲线26彼此比较时,可以看出,第四曲线24在550nm的波长展现出比第五曲线26更高的光的强度,同时在530nm到620nm的波长范围展现出比第五曲线26更低的光的强度,如在图7B中所例示的。换句话说,可以看出,第五曲线26在550nm的波长展现出比第四曲线24更低的光的强度,同时在530nm到620nm的波长范围展现出比第四曲线24更高的光的强度,如在图7B中所例示的。
即,因为530nm的波长是绿光波长并且620nm的波长是红光波长,所以当在530nm的波长的光的强度较高时,绿光的固有颜色能够被发射,并且如此,获得增强的颜色再现范围,并且当在620nm的波长的光的强度较高时,红光的固有颜色能够被发射,并且如此,获得增强的颜色再现范围。
图8是说明根据本发明的第一实施方式和第二实施方式的第一发光层和第二发光层的位置的截面图。
如在图8中所示,在第二堆叠中的第一发光层的位置通过下面的表达式1来表示,并且在第二堆叠中的第二发光层的位置通过下面的表达式2来表示。
[表达式1]
[表达式2]
在表达式1和2中,“H’”表示从第一发光层至达到第二电极的位置的厚度,并且“H”表示从第二发光层至达到第二电极的位置的厚度。另外,“n”表示折射率,并且“λ”表示掺杂剂的PL峰值波长。
图9描绘根据本发明的第一实施方式或第二实施方式的白光OLED的EL峰值波长和根据比较示例的白光OLED的EL峰值波长。
在图9中,第一曲线10描绘根据比较示例的白光OLED的EL峰值波长,该白光OLED包括具有蓝色荧光发光层的第一堆叠和具有黄色磷光-绿色磷光发光层的第二堆叠。
第二曲线20描绘根据本发明的第一实施方式或第二实施方式的白光OLED的EL峰值波长,该白光OLED包括:具有蓝色荧光发光层的第一堆叠、具有黄色磷光-绿色磷光发光层和第一基质的第一发光层、和具有黄色磷光-绿色磷光发光层和第二基质的第二发光层。
如在图9中所示,第一曲线10在550nm的波长展现出高的光强度,同时在525到530nm的波长范围和在610到625nm的波长范围展现出低的光强度。
另一方面,第二曲线12在550nm的波长展现出低的光强度,同时在525到530nm的波长范围和在610到625nm的波长范围展现出高的光强度。
如上所述,525到530nm的波长范围是绿光波长范围,而610到625nm的波长范围是红光波长范围。
发光效率与FWHM区域成正比。参考图9,在第二曲线12中的FWHM区域比第一曲线10的宽。当FWHM区域增加时,展现出增加的光强度。即,FWHM区域与光强度成正比。
因此,当FWHM区域增加时,525到530nm的波长范围的区域和610到625nm的波长范围的区域增加,并且如此,在所述波长范围中的光强度增加。
因此,当FWHM区域增加时,在525到530nm的波长范围中的光强度增加,因为525到530nm的波长范围的区域增加,并且如此,实现了颜色再现范围的增强,因为绿光的固有颜色可以被展现。当FWHM区域增加时,在610到625nm的波长范围中的光强度也增加,因为610到625nm的波长范围的区域增加,并且如此,实现了颜色再现范围的增强,因为红光的固有颜色可以被展现。
如上所述,第二曲线展现出优良的颜色再现范围,原因在于,它展现出在绿光波长范围中的高强度以及在红光波长范围中的高强度。根据增强的颜色再现范围,实现了面板功效的增强。即,采用根据本发明的白光OLED的显示装置展现出28.40的面板功效,而采用根据比较示例的白光OLED的显示装置展现出28.21的面板功效。因此,采用根据本发明的白光OLED的显示装置的面板功效相对于采用根据比较示例的白光OLED的显示装置的面板功效增强大约10%。
根据以上描述明显的是,使用根据本发明的白光OLED,可以增强颜色再现范围和面板功效。
[第三实施方式]
根据本发明的第一实施方式,通过调节在第一发光层226a中的掺杂剂的剂量和在第二发光层226b中的掺杂剂的剂量不同,可以减少衰减现象,其中,当发光层的电流量增加时,发光层的亮度降低。
然而,本发明不限制于该构造。例如,通过由第一基质和第二基质的混合物形成第一发光层226a,由第一基质和第三基质的混合物形成第二发光层226b,同时均衡在第一发光层226a中的掺杂剂和在第二发光层226b中的掺杂剂的剂量,可以减少衰减现象,其中,当发光层的电流量增加时,发光层的亮度降低。
图10是根据本发明的第三实施方式的白光OLED的能带图。
与参考图4描述的结构类似地,根据本发明的第三实施方式的白光OLED具有如下的结构,其中,空穴注入层214、第一空穴传输层224a、第二空穴传输层224b、至少两个发光层226a和226b、和电子传输层228被顺序地堆叠在第一电极240和第二电极230之间。然而,根据本发明的第三实施方式的白光OLED与根据本发明的第一实施方式的白光OLED的不同之处在于至少两个发光层226a和226b的基质和剂量。
即,根据本发明的第三实施方式的白光OLED的至少两个发光层226a和226b具有相同的基质和不同的基质,同时具有相同的掺杂剂,并且至少两个发光层226a和226b的掺杂剂具有相同的剂量。在下文中,将结合如下的示例来描述所述至少两个发光层226a和226b,即,在所述示例中,所述至少两个发光层226a和226b由第一发光层226a和第二发光层226b构成。
如在图10中所例示的,第一发光层226a包含第一基质Host A、第二基质Host C和黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。第二发光层226b包含第一基质Host A、第三基质HostB和黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。第一发光层226a和第二发光层226b通过共同沉积相同剂量的相同掺杂剂来形成。第一发光层226a和第二发光层226b的第一基质HostA、第二基质Host C和第三基质Host B具有不同的HOMO能级和不同的LUMO能级。
即,如在图10中所示,第一基质Host A的LUMO能级高于或等于电子传输层228的LUMO能级。第一基质Host A的HOMO能级为-6.0到-5.0eV。第一基质HostA具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的高空穴迁移率。在第一基质Host A的LUMO能级和电子传输层228的LUMO能级之间的差异为+0.05到+0.2eV。
第二基质Host C的HOMO能级低于或等于第二空穴传输层224b的HOMO能级。第二基质Host C的LUMO能级为-2.5到-2.3eV。第二基质Host C具有9.0×10-4到1.0×10-3cm2/Vs的高空穴迁移率。在第二基质Host C的HOMO能级和第二空穴传输层224b的HOMO能级之间的差异为-0.05到-0.5eV。
第三基质Host B的HOMO能级低于或等于第二空穴传输层224b的HOMO能级。第三基质Host B的LUMO能级为-2.5到-2.3eV。第三基质Host B具有9.0×10-4到1.0×10-3cm2/Vs的高空穴迁移率。在第三基质Host B的HOMO能级和第二空穴传输层224b的HOMO能级之间的差异为-0.05到-0.5eV。
在该情形中,第三基质Host B的空穴迁移率应该高于第二基质Host C的。第一基质Host A、第二基质Host C和第三基质Host B的三重态能级为2.0到3.0eV。
基于第一发光层226a和第二发光层226b的相应一个的体积,在第一发光层226a和第二发光层226b中的每一个掺杂剂的剂量为8%到25%。
[第四实施方式]
同时,可以实现具有包括OLED结构的多堆叠结构的白光OLED,该OLED结构具有参考图10描述的特征。
图11是例示根据本发明的第四实施方式的白光OLED的立体图。图11的白光OLED具有包括白光OLED结构的多堆叠结构的,该白光OLED结构具有参考图4和图10描述的特征。
如在图11中所例示的,根据本发明的第四实施方式的白光OLED具有包括第一堆叠210、第一电荷生成层222、第二堆叠220、第二电荷生成层260、第三堆叠270的多堆叠结构。包括多堆叠结构的如此的OLED包括在不同堆叠中的不同颜色的发光层。在该情形中,通过混合从堆叠中的各个发光层发射的光束,实现白光。图11例示了其中从第一发光层218、第二发光层226a、第三发光层226b和第四发光层270b发射的光束向下射出的底部发光。然而,根据本发明的实施方式,OLED可以按照顶部发光或两侧发光的形式来发射光。因此,关于发光类型没有限制。
第一电极240是阳极,并且由诸如透明导电氧化物(TCO)(例如,铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))这样的透明导电材料制成。
第二电极230是阴极,并且由反射金属材料制成。反射金属材料可以包括铝(Al)、金(Au)、钼(MO)、铬(Cr)、铜(Cu)、LiF、或铝和LiF的合金。
第一堆叠210具有如下的结构,其中,空穴注入层(HIL)214、第三空穴传输层(HTL)216a、第四空穴传输层216b、第三发光层(ETL)218和第二电子传输层(ETL)212被顺序地堆叠在第一电极240和第一电荷生成层222之间。在该情形中,第三发光层218包括基质和作为掺杂剂的蓝色荧光材料,以发射蓝光。
第一电荷生成层222被形成在堆叠210和220之间,以调节在堆叠210和220之间的电荷平衡。第一电荷生成层222包括:N型有机层222a,布置为与第一堆叠210相邻,以将电子注入到第一堆叠210中;和P型有机层222b,布置为与第二堆叠220相邻,以将空穴注入到第二堆叠220中。
第二堆叠220具有参考图4描述的结构。即,第二堆叠220具有如下的结构,其中,第一空穴传输层224a、第二空穴传输层224b、至少两个发光层226a和226b、和第一电子传输层228被顺序地堆叠在电荷生成层222和第二电荷生成层260之间。所述至少两个发光层226a和226b包含相同的基质和不同的基质,同时包含相同的掺杂剂,如参考图10所描述的。因为第一发光层226a和第二发光层226b的构造与图4和图10中的相同,如此,将不给出其描述。
第二电荷生成层260包括:N型有机层260a,布置为与第二堆叠220相邻,以将电子注入到第二堆叠220中;和P型有机层260b,布置为与第三堆叠270相邻,以将空穴注入到第三堆叠270中。
第三堆叠270具有如下的结构,其中,第五空穴传输层270a、第四发光层270b和第三电子传输层270c被顺序地堆叠在第二电荷生成层260和第二电极之间。在该情形中,第四发光层270b包括基质和作为掺杂剂的蓝色荧光材料,以发射蓝光。
具有上述构造的根据本发明的第四实施方式的白光OLED具有与参考图7A、图7B、图8和图9描述的特征相似的特征。
根据以上描述明显的是,根据本发明的有机发光显示装置可以包括包含至少两个磷光发光层的白光发光装置。所述至少两个发光层可以包括不同的基质,同时包括相同的掺杂剂。在所述至少两个发光层中的掺杂剂的剂量可以是不同的。因此,通过调节在所述至少两个发光层中的掺杂剂的剂量不同,可以减少或消除衰减现象,其中,当发光层的电流量增加时,发光层的亮度降低。
另外,根据本发明的有机发光显示装置可以实现FWHM区域的增加,因为它包括具有不同基质的至少两个发光层。当FWHM区域增加时,绿色波长的光强度和红色波长的光强度增加,如此,可以实现颜色再现范围的增强。根据增强的颜色再现范围,还可以实现面板功效的增强。
所述至少两个发光层中的被布置为与空穴传输层相邻的一个发光层的HOMO能级低于或等于该空穴传输层的HOMO能级。因此,可以实现空穴的平稳注入。
所述至少两个发光层中的被布置为与电子传输层相邻的另一个发光层的LUMO能级高于或等于该电子传输层的LUMO能级。因此,可以实现空穴的平稳注入。
同时,根据本发明的有机发光显示装置可以包括白光发光装置,该白光发光装置包括至少两个磷光发光层,所述至少两个磷光发光层分别包含不同的基质和相同的基质的混合物,同时包含相同的掺杂剂。在所述至少两个发光层中的掺杂剂的剂量可以是相同的。因此,通过均衡在所述至少两个发光层中的掺杂剂的剂量,可以减少或消除衰减现象,其中,当发光层的电流量增加时,发光层的亮度降低。
另外,根据本发明的有机发光显示装置可以实现FWHM区域的增加,因为它包括分别具有不同的基质和相同的基质的混合物的至少两个发光层。当FWHM区域增加时,绿色波长的光强度和红色波长的光强度增加,如此,可以实现颜色再现范围的增强。根据增强的颜色再现范围,还可以实现面板功效的增强。
因为实现了空穴和电子的平稳注入,所以可以增加装置的使用寿命。
本领域技术人员将清楚的是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,在本发明中可以进行各种修改和改变。因此,本发明意图覆盖本发明的修改和改变,只要它们落入随附权利要求书和它们的等价物的范围内即可。
该申请要求在2012年9月12日提交的韩国专利申请No.10-2012-0100935和在2013年8月13日提交的韩国专利申请No.10-2013-0095778的优先权,上述韩国专利申请通过引用被完全合并于此,如同在此完全阐述一样。

Claims (22)

1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;以及
顺序地堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层、空穴传输层、至少两个发光层和电子传输层,
其中,所述至少两个发光层分别包括不同的基质,同时分别掺杂有不同剂量的相同掺杂剂;并且
其中,所述至少两个发光层包括:
第一发光层,所述第一发光层包括第一基质,同时掺杂有黄色磷光-绿色磷光掺杂剂;以及
第二发光层,所述第二发光层包括与所述第一基质不同的第二基质,同时按照与所述第一发光层不同的剂量掺杂有与所述第一发光层相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一基质具有低于或等于所述空穴传输层的最高占有分子轨道HOMO能级的第一HOMO能级,并且所述第一HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级具有-0.05到-0.5eV的差异。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述第一HOMO能级为-6.0到-5.0eV,并且所述第一基质具有-2.5到-2.3eV的第一最低未占有分子轨道(LUMO)能级,同时具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的空穴迁移率。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,基于所述第一发光层的体积,所述第一发光层的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂以1%到10%的剂量被掺杂在所述第一发光层中。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发光层具有高于或等于所述电子传输层的最低未占有分子轨道LUMO能级的第二LUMO能级,并且所述第二LUMO能级与所述电子传输层的所述LUMO能级具有-0.05到-0.5eV的差异。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发光层具有-6.5到-5.0eV的第二最高占有分子轨道HOMO能级以及-3.0到-2.0eV的第二最低未占有分子轨道LUMO能级,并且所述第二基质具有9.0×10-5到1.0×10-3cm2/Vs的电子迁移率。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,基于所述第二发光层的体积,所述第二发光层的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂以10%到20%的剂量被掺杂在所述第二发光层中。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一基质和所述第二基质中的每一个均具有2.0到3.0eV的三重态能级。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,从所述第一发光层至达到所述第二电极的位置的厚度通过下面的表达式1来表示:
[表达式1]
其中,“H’”表示从所述第一发光层至达到所述第二电极的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述掺杂剂的光致发光峰值波长。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,从所述第二发光层至达到所述第二电极的位置的厚度通过下面的表达式2来表示:
[表达式2]
其中,“H”表示从所述第二发光层至达到所述第二电极的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述掺杂剂的光致发光峰值波长。
11.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;
第一堆叠,所述第一堆叠包括顺序地堆叠在所述第一电极上的空穴注入层、第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第二电子传输层;
第二堆叠,所述第二堆叠包括顺序地堆叠在所述第一堆叠和所述第二电极之间的第一空穴传输层、第二空穴传输层、至少两个发光层和第一电子传输层;以及
电荷生成层,所述电荷生成层被形成在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间,以调节在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的电荷平衡,
其中,所述至少两个发光层分别包括不同的基质,同时分别掺杂有不同剂量的相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
12.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;以及
顺序地堆叠在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层、空穴传输层、至少第一发光层和第二发光层以及电子传输层,
其中,所述第一发光层包括第一基质和第二基质,所述第二发光层包括所述第一基质和第三基质,并且所述第一发光层和所述第二发光层被掺杂有相同剂量的相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述第一基质具有高于或等于所述电子传输层的最低未占有分子轨道LUMO能级的第一LUMO能级,并且所述第一LUMO能级与所述电子传输层的所述LUMO能级具有+0.05到+0.2eV的差异。
14.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述第一基质具有-6.0到-5.0eV的第一最高占有分子轨道HOMO能级,同时具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的空穴迁移率。
15.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述第二基质具有低于或等于所述空穴传输层的最高占有分子轨道HOMO能级的第二HOMO能级,并且所述第二HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级具有-0.05到-0.5eV的差异。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置,其中,所述第二基质具有-2.5到-2.3eV的第二最低未占有分子轨道LUMO能级,同时具有9.0×10-4到1.0×10-3cm2/Vs的空穴迁移率。
17.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述第三基质具有低于或等于所述空穴传输层的最高占有分子轨道HOMO能级的第三HOMO能级,并且所述第三HOMO能级与所述空穴传输层的所述HOMO能级具有-0.05到-0.5eV的差异。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置,其中,所述第三基质具有-2.5到-2.3eV的第三最低未占有分子轨道LUMO能级,同时具有9.0×10-4到1.0×10-3cm2/Vs的空穴迁移率。
19.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述第三基质具有比所述第二基质更高的空穴迁移率,并且所述第一基质、所述第二基质和所述第三基质中的每一个均具有2.0到3.0eV的三重态能级。
20.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,基于相应的所述第一发光层或所述第二发光层的体积,所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个的所述黄色磷光-绿色磷光掺杂剂以8%到25%的剂量被掺杂在相应的所述第一发光层或所述第二发光层中。
21.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
形成在基板上同时彼此相对的第一电极和第二电极;
第一堆叠,所述第一堆叠包括顺序地堆叠在所述第一电极上的空穴注入层、第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第二电子传输层;
第二堆叠,所述第二堆叠包括顺序地堆叠在所述第一堆叠和所述第二电极之间的第一空穴传输层、第二空穴传输层、至少两个的第一发光层和第二发光层、以及第一电子传输层;
第一电荷生成层,所述第一电荷生成层被形成在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间,以调节在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的电荷平衡,
第三堆叠,所述第三堆叠包括堆叠在所述第二堆叠和所述第二电极之间的第五空穴传输层、第四发光层和第三电子传输层;以及
第二电荷生成层,所述第二电荷生成层被形成在所述第二堆叠和所述第三堆叠之间,以调节在所述第二堆叠和所述第三堆叠之间的电荷平衡,
其中,所述第一发光层包括第一基质和第二基质,所述第二发光层包括所述第一基质和与所述第二基质不同的第三基质,并且所述第一发光层和所述第二发光层被掺杂有相同剂量的相同的黄色磷光-绿色磷光掺杂剂。
22.根据权利要求21所述的有机发光显示装置,其中,所述第三发光层和所述第四发光层中的每一个均包括基质和作为掺杂剂的蓝色荧光材料,以发射蓝光。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102165234B1 (ko) * 2014-04-25 2020-10-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
CN104157672B (zh) * 2014-07-18 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板预制基板、蒸镀方法、阵列基板、显示装置
KR102381626B1 (ko) * 2014-12-17 2022-04-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10020458B2 (en) * 2014-12-18 2018-07-10 Lg Display Co., Ltd. White organic light-emitting display device
KR102256498B1 (ko) * 2015-07-24 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6340616B2 (ja) * 2015-07-28 2018-06-13 株式会社Joled 有機el素子、および有機el表示パネル
KR102331042B1 (ko) * 2015-08-31 2021-11-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170043136A (ko) * 2015-10-12 2017-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102574052B1 (ko) * 2015-11-19 2023-09-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102500231B1 (ko) * 2016-03-31 2023-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR20180013536A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN106856225B (zh) 2016-12-15 2019-10-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
KR20180079040A (ko) 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102365022B1 (ko) 2017-09-12 2022-02-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102283121B1 (ko) * 2018-08-10 2021-07-28 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20200080882A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치
US20200212314A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device and apparatus including the same
KR20210051303A (ko) * 2019-10-30 2021-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 금속 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치
KR20210111941A (ko) * 2020-03-03 2021-09-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102363914B1 (ko) 2020-08-20 2022-02-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
KR20220127421A (ko) * 2021-03-10 2022-09-20 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
KR20220165539A (ko) * 2021-06-08 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521360B2 (en) * 1999-06-08 2003-02-18 City University Of Hong Kong White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique
JP4329305B2 (ja) * 2001-08-27 2009-09-09 株式会社デンソー 有機el素子
US7158161B2 (en) * 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
US20060257684A1 (en) * 2002-10-09 2006-11-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US6967062B2 (en) * 2003-03-19 2005-11-22 Eastman Kodak Company White light-emitting OLED device having a blue light-emitting layer doped with an electron-transporting or a hole-transporting material or both
US20070252516A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices including organic EIL layer
KR101176540B1 (ko) 2005-12-02 2012-08-24 삼성전자주식회사 다결정 실리콘 tft 및 이를 적용한 유기발광디스플레이
JP5093879B2 (ja) * 2006-03-20 2012-12-12 国立大学法人京都大学 ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子
EP2329544B1 (en) * 2008-09-04 2017-05-17 Universal Display Corporation White phosphorescent organic light emitting devices
KR101584990B1 (ko) * 2008-12-01 2016-01-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101351410B1 (ko) * 2009-09-29 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
TWI425076B (zh) * 2011-11-01 2014-02-01 Ind Tech Res Inst 咔唑衍生物及包含此衍生物之有機發光二極體

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