TWI344452B - - Google Patents

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1344452 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於—種作為透鏡U學零件而有用之透光性 陶究及其製造方法、以及使用其之光學零件及光學裝置。 【先前技術】 自先前以來，作為光學拾取器等光學裝置中所搭載之透 鏡等光學零狀材料，例如，如專利讀i及專利文獻2所

揭不’使用有玻璃或塑料、或者銳酸鐘（⑽吵）等單晶。 玻璃及塑料之透光率較高’容易加工為所期望之形狀， 故而主要用於透鏡等光學零件。另一方面，利用光電特性 及雙折射’使LiNb03單晶主要用於光波導等光學零件。業 者要求使用如此之光學零件的光學拾取器等光學裝置進一 步小型化及薄型化。 然而，先前之玻璃及塑料，因其折射率為2〇〇以下，故 而於使用冑該等玻璃及塑料之光學零件$光學冑置中小型 化或薄型化受到限制。X，塑料不僅具有耐濕性不良之缺 點’而且亦會產生雙折射，故而亦具有難以使入射光有效 透射及進行聚光之缺點。 另一方面，例如LiNb〇3單晶之折射率較高為2 3，但具 有雙折射，故而難以用於透鏡等光學零件中，且有用二 限制之缺點。 '又 作為不會產生雙折射，且可賦予良好光學特性的材料， 例如如專利文獻3所揭示，眾所周知有Ba(Mg、丁幻系及 〜（Ζη、Ta)〇3系透光性陶瓷。該等顯示出2〇1以上之3折射 116086.doc 1344452 率（以下，只要無特別限制， — 〜表不波長633 nm之折射 率）。 又，最近有要求作為光學特性 ^ ^ ^ 伯彳不之一的異常色散性 △ 0g，F較大。所謂具有里f A" 有異吊色散性係指具有與通常之光學 玻璃不同之波長色散性，詳細情 度况下文表述。若異常色散 性Δθβ，Ρ較大，則利於色差校 仅止 以下，於本說明書中， 異常色散性以負值表示，故所嘈g a 文所明異常色散性較大表示其絕

對值較大。 然而，專利文3 Φ滅· - 馱3肀所揭不之Ba(Mg、Ta)〇3系及

Ba(Zn、Ta)〇3系透光性陶瓷採用以通式ab〇3表示之鈣欽 礦構造’但尤其採用其B位元素包含2種以上元素組合的複 合鈣鈦礦構造。即，主要藉由以接近丨：2之莫耳比存在包 含Mg及/或Zn之2價金屬元素、與包含丁3及/或Nbi5價金 屬元素，而大致保持電中性。進而，可藉由以Sn、&等4

價兀素取代作為B位元素之Mg、TaA /或Zn，而使折射率 或阿貝數等光學特性產生變化。 然而’專利文獻3中所揭示之透光性陶瓷中存在異常色 散性Aeg’F較小之問題。例如，Ba{(Sn、Zr)Mg、Ta}03系 之 Aeg，F為-0.013 ’ Ba(Zr、Zn、Ta)03 系之 Aeg，F為-0.006，

Ba{(Sn、Zr)Mg、Nb}〇3 系之△❹^為 _〇 00〇。 專利文獻1 :曰本專利特開平5_127078號公報（全頁、圖1) 專利文獻2 :曰本專利特開平7_244865號公報（請求項 6、段落編號0024) H6086.doc 專利文獻3 :國際公開第02/49984號手冊（全頁 '全圖） [發明所欲解決之問題] 本發明係馨於上述情況而成者，其目的在於提供—種透 先性陶究及其製造方法，該透光性陶究具有較高之直線透 先率及較高之折射率，並且不僅實f上無雙折射且 色散性亦較大。 、 本發明之其他目的在於提供—種以較小之外形尺寸可發 揮所期望之光學特性之光學零件，進而提供—種使用該光 學零件之光學裝置。 【發明内容】 本發明之透光性陶杳，1M # J ^具特微在於：以通式：AxBy〇w (其中’ 之條件，且w係用以保持電^ ί之，數）表示之燒綠石型化合物作為主成分，且該主成 分之晶系為立方晶纟。此處應注意的是，本發明之透光性 陶免係具有燒綠石構造之H使該陶㈣得透光性之必 須條件為晶系係立方晶系。 如上述所示，晶系是否為立方晶系，取決於上述 之各個元素的種類’較好的是八為3價之金屬元素，Β為4 價之金屬元素。尤其更好的是Α係自"、γ、⑸、Yb及“ 中所選擇之至少-#，B係自了卜Sn、〜腿中所選擇之 至少一種。 本《明之透光性陶瓷’較好的是波長633 nm之可見光 “式料厚度0.4 mm之直線透光率(以下，僅稱作「直線 透光率」）為20%以上，顯示較高之直線透光率。 I16086.doc 1344452 又，本發明之透光性陶瓷，為進一步抑制雙折射，而希 望為多晶體。 又，本發明係關於一種製造如上所述之透光性陶瓷 法》 方 本發明之透光性陶瓷之製造方法，其特徵在於：於第^ 只轭態樣中具備，準備將陶瓷原料粉末成形為特定形狀而 成之未燒成的陶瓷成形體之步驟；及將未燒成之陶瓷成卅 φ 體於氧氣濃度為98體積％以上之氣體環境中進行燒成之+ 驟。 ν 、 本發明之透光性陶瓷之製造方法，其特徵在於：於第2 實施態樣中具備，準備將陶瓷原料粉末成形為特定形狀而 成之未燒成的陶瓷成形體之步驟；準備與上述陶瓷原料粉 末實質上為相同組成之同時燒成用組合物的步驟；及—面 使同時燒成用組合物接觸未燒成之陶瓷成形體，一面於氧 氣濃度為90體積％以上之氣體環境中燒成未燒成之陶瓷成 φ 形體之步驟。 若比較上述製造方法之第丨及第2實施態樣，則於第】實 施恕樣中，並未使用同時燒成用組合物，但將燒成時之氣 體環境的氧氣濃度提高為98體積。/。以上。另—方面，於第 2貫施態樣中’使用同時燒成用組合物，一面將其接觸未 燒成之陶瓷成形體，一面實施燒成步驟。該情形時，燒成 時之氣體環i兄的氧氣濃度下限可降低為較低之9〇體積〇/〇。 再者，比較所得之透光性陶瓷之直線透光率，則應用利用 第2實施態樣之製造方法者，可進一步提高所獲得之透光 116086.doc 性陶瓷之直線透光率。 貫施本發明之透光性陶瓷的製造方法之上述第2實施態 ，之tt升y時，軏好的是同時燒成用組合物為粉末狀態，以 於同時燒成用組合物中埋人未燒成之H成形體之狀態實 施燒成步驟。 進而，本發明亦關於一種包含上述透光性陶瓷之光學零 件、及I合載有該光學零件之光學裝置。 [發明之效果] 1藉由本發明’可獲得—種不僅具有較高之直線透光率及 較南之折射率’並·0實質上並無雙折射，且具有較大之異 吊色散性之透光性陶瓷。故而，可獲得_種小型、可發揮 所期望之光學特性，且有用於照相機等之白色光學系統之 色差校正之光學零件。 【實施方式】 本發明之透光性陶究之主成分係以通式：AXBy0w(其 中滿足1.00 S χ/y S 1 · 1 〇之條件，且w係用以保持電中性 之正數）表示之燒綠石型化合物。該燒綠石構造之陶竞 中，晶系為立方晶系時，可賦予陶瓷透光性。 並且，根據本發明之透光性陶究，可實質上無雙折射， 且賦予較高之直線透光率及較高之折射率，並且可使所賦 予之異常色散性大於例如專利文獻3中揭示之透光性陶 瓷。 此處’就異常色散性加以說明…般而言，較多之光學 玻璃巾’部分色散比eg，F與阿貝數〜之間存在大致直線關 I J6086.doc 1344452 係，將如此之破璃種類稱作正常部分色散玻璃（正常玻 璃）。另一方面，將位置偏離該直線關係之玻璃種類稱作 異常部分色散玻璃（異常玻璃）。異常色散性之大小，以距 離標準線之部分色散比的偏差表示，該標準線為正常玻璃 之基準且連接K7與F2而獲得。 部分色散比eg，F以式1表示。 式 1 : eg，F = (ng-nF)/(nF_nc) (式中，η表示折射率，下標表示入射光之波長。其中，呂 線之波長為 435.83 nm，F線之波長為 486.13 nm，c線之波 長為 656.27 nm) 又’阿貝數以式2表示。 式2 : Yd=(nd-l)/(nF-nc) (式中，η表示折射率，下標表示入射光之波長。其中，d 線之波長為587.56 nm) 即，所謂異常色散性較高係指折射率之波長色散與通常 之玻璃光學材料不同，且可用於光學系統之色差校正。 本發明之透光性陶瓷，其異常色散性表現為負 值’根據後述實驗例，表現為_〇·026〜_〇 〇17，其數值較 大。因此，於突出光學系統色差校正之光學系統中，本發 明之透光性陶瓷較為優異。 於表示作為本發明之透光性陶瓷主成分的燒綠石型化合 物之通式：AxByOw中，1.00各x/yg no之條件為用以呈現 透光性之條件。若x/y偏離該條件’則直線透光率將變低 為不足20%。 116086.doc •10· 1344452 本發明之透光性陶瓷中，又，主成分之晶系為立方晶系 係用以獲得透光性之必須條件。是否成為立方晶系取決於 AxByOwiA與B的各個元素之種類。該情形時，較好的是a 為3價金屬元素，B為4價金屬元素，更好的是a係選自 La、Y、Gd、Yb及Lu中之至少一種，B係選自丁i、Sn、 及Hf中之至少一種。又，理想的是本發明之透光性陶瓷為 多晶體。 • 再者’本發明之透光性陶瓷之組成中，亦可於不破壞本 發明目的之範圍内’含有不可避免混入之雜質。例如，作 , 為用作原料之氧化物或氫氧化物中所含有之雜質或製作牛 驟中所混入之雜質，可列舉Si〇2、Fe2〇3、B2〇5、a12〇3、 W2〇5、Bi2〇3、Sb2〇5及 CuO等。 其次’就本發明之透光性陶瓷之製造方法加以說明。透 ^ 光性陶瓷之製造方法中有2個典型實施態樣。 第1貫施樣中，為製造透光性陶曼，實施下述步驟， • 即準備將陶瓷原料粉末成形為特定形狀而成之未燒成的陶 瓷成形體，繼而將未燒成之陶瓷成形體於氧氣濃度為外體 積％以上之氣體環境中進行燒成。 第2實施H樣巾，為製造透光性陶充，實施下述步驟， 即準備將陶究原料粉末成形為特定形狀而成之未燒成的陶 瓷成形II，並且準備與該陶究原料粉末實質上為相同組成 之同時燒成用組合物。繼而—面使同時燒成用組合物接觸 未燒成之陶瓷成形體，一面於氧氣濃度為90體積％以上之 氣體環境中燒成未燒成之陶瓷成形體。 116086.doc 1J44452 上述之製造方法中，所謂同時燒成用組合物係指 將以與上述陶究成形體為相同之組成的方式而調整之Μ :=、粉碎而獲得之粉末。藉由該同時燒SI: 因此广述陶是成形體中之揮發成分於燒成時揮發。 因此，較好的是以於同時燒成用組合物之粉末中 f之陶究成形體之狀態實施燒成步驟。再者，同時燒心 、’且合物並不限於粉末，亦可為成形體或燒結體。 較好的是同時燒成用組合物具有與用於上㈣ 之陶竞原料粉末相同之組成，實質上為相同組成亦可。同 :燒成用組合物與用於未燒成之陶究成形體之陶兗原料粉 末貫質上為相同組成，係指包含同_構成元素之相同組成 ^亦可並非全部相同之細成比率。χ，同時燒成用組合 物亦可並不具有賦予透光性之組成。 比較如上之第！及第2實施態樣時，第1實施態樣中並不 須要使用同時燒成用組合物，但燒成時之氣體環境的氧氣 濃度必須提高至9嶋％以上。另-方面，第2實施態樣 中’藉由使用同時燒成用組合物，可將氧氣濃度之下限進 一步降低為90體積。/。。X，比較所獲得之透光性陶究之直 線透光率時，第2實施態樣較之第【實施態樣可進一步提 1¾ 〇 再者，第i及第2實施態樣之任—者中，燒成步驟之壓力 亦可為大氣壓或其以下。即，並非必須為服(如 Isostatic press ;熱均壓）等加壓氣體環境。 又，本發明（透光性陶免表現較高之直線透㈣，但若 12 H6086.doc 1344452 :表面形成抗反射膜（八尺膜=八如^^^^的膜），則可進_ 步提高直線透光率。期望該抗反射膜為包含MgQ等介電體 主膜例如，直線透光率為75 2%，且折射率為2鳴8之 情形時’根據Fresnel(菲涅耳)之法則，直線透光率之理論 最大值為77.9%。此時’相對理論值之相對透光率為

%.5%。其表示試料内部中幾乎無透過損& β因此若於 試料表面形成抗反射膜’則可使獲得之直線透光率大致為 理論值。 又，本發明之透光性陶瓷可用於透鏡等光學零件中，例 如，可利用於圖1至圖5分別所示之雙凸透鏡丨〇、雙凹透鏡 U、凹凸透鏡12'光路長度調整板13、及球狀透鏡14中。 又，關於搭載有如此之光學零件之光學裝置，以光學拾 取器為例進行說明。如圖6所示，光學拾取器9係對光碟或 迷你磁碟等記錄媒體丨照射作為同調光之雷射光8，自其反 射光再生記錄媒體1中所記錄之資訊。

如此之光學拾取器9中，設置有將來自光源、即半導體 雷射5之雷射光8轉換為平行光之準直透鏡4,於該平行光 之光路上設置有半反射鏡該半反射鏡3使來自準直透鏡 4之入射光通過且使其直線前進，但關於來自記錄媒體1之 反射光’藉由反射使其前進方向改變例如大約9〇度。 又，光學拾取器9上設置有用以將來自半反射鏡3之入射 光聚光於記錄媒體1之記錄面上之物鏡2。又，該物鏡2係 用以將來自記錄媒體i之反射光有效地面向半反射鏡3傳迭 者。反射光所入射之半反射鏡3中，因反射而相位產生變

U6086.doc 1344452 化’藉此改變上述反射光之前進方向。 進而，光學拾取器9上設置有用以聚集經改變之反射光 的聚光透鏡6。並且，反射光之聚光位置上設置有用以再 生來自反射光之資訊的受光元件7。 於如此構成之光學拾取器9中，將本發明之透光性陶瓷 作為物鏡2之原材料而使用之情形時，本發明之透光性陶 瓷的折射率較大，故而可使光學拾取器9小型化或薄型 化。 其次’根據實驗例說明本發明之透光性陶兗。 [實驗例1] 準備各高純度之La(〇H)3、Y2〇3、Gd2〇3、Yb2Q3、 LhO3、Sn〇2、Zr〇2、Ti〇2及Hf〇2之各粉末作為原料。並 且’稱量各原料’用球磨機濕式混合2〇小時，以獲得以通 式· AxByOw(其中，w係用以保持電中性之正數）表示之表1 所示之各試料。使該混合物乾燥後，以13〇〇t煅燒3小 時’獲得锻燒粉體。般燒後’ VV之值大約成為7。 再者，表1之「B元素種類與含量」欄中，B元素種類為 1種之情形時，其含量與y值相同，元素種類為2種之情形 時，各含量之和為y的值。 其次，將上述煅燒粉末與水及有機黏合劑一起放入球磨 機中，濕式粉碎12小時。使用乙基纖維素作為有機黏合 劑。再者，除乙基纖維素外’若係如聚乙烯醇等具備作^ 陶瓷成形體用之黏合劑的功能，且燒成步驟中達到燒成二 度前，於500°C左右下與大氣中之氧反應而氣化為二 116086.doc 1344452 破或水蒸氣等而消失者，亦可用作#機黏合劑。 其次，使上述粉碎物乾燥後，通過5〇網目之網（篩）進行 造粒，以196 MPa之壓力擠壓所獲得之粉末進行模壓: 形，藉此獲得直徑30 _及厚度2 _之圓板狀 陶究成形體。 成 其次’將上述未燒成之陶究成形體投人燒㈣中，於大 氣氣體ί衷境中進行加熱、脫黏合劑處理。繼續，—面升溫 一面向燒成爐内注入氧氣，於最高溫度域之16〇〇〜17〇〇它 下’使燒成氣體；裒境之氧氣濃度上升至大約98體積％。此 處，關於最冑溫度，根據材料組成適當選擇最佳之溫度， 例如試料6之情形時’為1675t。維持該燒成溫度及氧氣 濃度，將上述成形物燒成20小時而獲得燒結體。再者，燒 成時之總壓為1個大氣壓。 鏡面加工如此所獲得之燒結體，加工為厚度〇4 mm之圓 板狀’作為透光性陶瓷之試料。 對於上述各個試料，測定波長λ為633 nm之直線透光 率。該直線透光率之敎中使用島津製作所製造之分光光 度计（UV 25 00)。再者，本發明之目標直線透光率為以 上。 又，亦使用Metricon公司製造之稜鏡耦合器 (MODEL2010)測定波長;^為4()9 nm、532㈣及印⑽之折 射率並且，使用s亥等3波長（409 nm、532 nm及833 nm) 之折射率之值，根據波長與折射率之關係式（Cauchy式）： 式3’算出常數a、b及c’求得波長與折射率的關係。 H6086.doc 15 1344452 式3 : n=aa4+ba2+c(n為折射率，人為波長，^、b&c為 常數） 根據該式求得算出阿貝數（γ<1)所需要之3波長（F線： 486·Π nm、d線：587.56 nm、C線：656.27 nm)之折射 率’根據上述阿貝數之定義式：式2算出阿貝數。 進而，根據上述式3求得g線（435.83 nm)之折射率^，根 據上述式1算出部分色散比eg，F。 異常色散性Aeg’F之算出中，使用業者所悉知之以下方 法。即，將K7與F2作為基準玻璃種類，eg，F_Yd圖中，求得 將連接該等2個玻璃種類之直線與、各個試料的0g，F差作 為 Δθ£，ρ 〇 以上’各試料之633 nm下之直線透光率、d線下之折射 率nd、阿貝數、異常色散性之結果示於表1。

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116086.doc 1344452 :】中，試料編號上附有*號者為本發明範圍以外者。 發明之犯圍内之全部試料，可獲得2〇%以上之直線透 光率、2.03以上之折射率，

賴7之較大值。 性顯示L 相對於此，本發明範圍外之試料卜4及9中，力不在^.⑼ OW1.1G範圍内，故而直線透光率較低為未滿观。 表1所示之試料中，就獲得最高直線透光率之試料6,評

價可見光之波長帶㈣5〇〜之直線透光率的波長依 存性。其結果示於圖7。

再者’顯示最高直線透光率之試料6中，⑴_下之直 ，《光率，如表〗所示，為75_2%，折射率為2 〇868。一般 而言’直線透光率之測定中’光自空氣中垂直於試料入 射’故而光於試料之表面與背面(即，試料與空氣之界面) 反射。折射率為2·顯之情形時，除去試料表背面之反射 的直線透光率之理論最大值為77 9%。試料6之情形時，測 定之直線透光率為75.2%，故而相對於理論值之相對透光 率為96.5% ^此表示試料内部幾乎無透過損失。因此，例 如，若於試料6之表面上形成上述抗反射膜，則可使獲得 之直線透光率大致成為理論值。 [實驗例2] 上述貫驗例1中所製作之武料6之組成相同，且將燒成 溫度分別改變為1625。(：及170CTC而製作燒結體。該等試料 之製作中，除改變燒成溫度外，適用與實驗例丨中製作試 料6時相同之條件。 U6086.doc - 1344452 並且’利用與實驗例1之情形相同之評價方法，評價改 變燒成溫度後之各試料的直線透光率、折射率及阿貝數。 其評價結果示於表2。表2中，亦同時表示上述實驗例J中 所獲付之试料6 (燒成溫度：16 7 5 °C )之評價結果。 [表2] 燒成溫度 直線透光率 (%) 633 n m 折射率 nd 阿貝數 Yd 1625〇C 73.4 2.0866 32.4 1675〇C 1700°C 75.2 —----—-- 63.9 2.0866 ~~2.0866~~ 32.4

自表2瞭解到，關於直線透光率，燒成溫度為16饥及 1700°C之各試料略微劣於燒成溫度為1675t之試料，但充 分顯示有鄕以上之值。又，關於折射率及阿貝數，即使 改變燒成溫度’亦顯示有相互相等之值。藉此可知，本發 明之透光性陶瓷亦可通過改變燒成溫度製作。 [實驗例3]

您用興貰驗例 之陶免成形體進行燒成時，準備與該陶究成形體相同麵 之粉末作為同時燒成用組合物， 切於將未燒成之陶瓷成开j 埋入該粉末中之狀態下實施燒成步驟，此外應㈣實驗 1中製作試料6之情形相同之條件，獲得試料燒結體。 並且：關於使用該同時燒成用組合物進行燒成之試料 利用與實驗例1之情形相同 ’ ± #汗仏方法，測定直線透 率。其測定結果示於表3。表3 Φ ,,^ ^ 表3中，亦同時顯示上述實驗 斤&付之試料6(同時燒成用組 切·不使用）之直線 ! 16086.doc •19- 1344452 光率。 [表3]

‘自表3可知，根據使用有同時燒成用組合物之試料，所 獲得之直線透光率高於並未使用同時燒成用組合物 料。 。式 [產業上之可利用性] 本叙明之透光性陶瓷之直線透光率較高，折射率較大， 折射率及阿貝數之調整範圍較廣，不僅實質上無雙折射： 且異常色散性純高。因此，尤其可餘應用在重點 色差校正之光學系統中。 【圖式簡單說明】 圖1係表不使用本發明之透光性陶竞而構成的光學零件 之第1例、即雙凸透鏡1〇之剖面圖。 圖係表不使用本發明之透光性陶究而構成的光學零件 之第2例、即雙凹透鏡u之剖面圖。 圖係表不使用本發明之透光性陶究而構成之光學零件 之第3例、即凹β透鏡12之剖面圖。 2係表不使用本發明之透光性m構成之光學零件 之第4例、即光路長度調整板13之剖面圖。 Γ系表示使用本發明之透光性陶以構成之光學零件 之第5例、即球狀透鏡14之剖面圖。 1160S6.doc

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圖6係圖解地表 而構成之光學零件 正視圖。 示作為搭裁有使用本發明之透光麻 的光學裝置# 之一例 '即光學拾取器9之 實=1表示實驗例中所製作之、作為本發明之範圍p 【主要透究之直線透光率的波長依存性之圖。 L王要7L件符號說明】 _ 1 2 記錄媒體 物鏡 半反射鏡 準直透鏡 半導體雷射 聚光透鏡 受光元件 雷射光 光學拾取器 雙凸透鏡 11 12 13 14 雙凹透鏡 凹凸透鏡 光路長度調整板 球狀透鏡 116086.doc

Claims (1)

1344452 第095Μ2300號專利申請案 中文申清專利範圍替換本(99年12月） ， 十、申請專利範圍·· * 1- 一種透光性陶瓷，其係將通式：AxBy〇w(其中，上述八係 選自La、γ、Gd ' Yb及Lu中之至少一種，上述B係選自 Tl、Sn、Zr及Hf中之至少一種，滿足i 〇〇g x/y$ i 1〇之 條件，且w係用以保持電中性之正數）所表示之燒綠石型 化a物作為主成分，且上述主成分之晶系為立方晶系之 燒結體。 2·如凊求項1之透光性陶瓷，其中上述Λ為3價金屬元素， 上述Β為4價金屬元素。 3·如請求項1之透光性陶瓷，其中波長為633 nm之可見光 在厚度0.4 mm試料中直線透光率為2〇%以上。 4·如吻求項1之透光性陶瓷，其為多晶體。 5. 一種透光性陶瓷之製造方法，其係製造如請求項1至4中 任一項之透光性陶瓷的方法，其具備： 準備將陶瓷原料粉末成形為特定形狀所形成之未燒成 陶瓷成形體之步驟；及 將上述未燒成陶瓷成形體於氧氣濃度為98體積％以上 之氣體環境中進行燒成之步驟。 6. -種透光性陶究之製造方法，其係製造如請求们至*中 任項之透光性陶竟之方法，其具備： 準備㈣究原才斗粉末成形為特定形狀所形 陶瓷成形體之步驟： ^成 準備組成與上述陶究原料粉末實質上相 用組合物的步驟；及 70 116086-1000l04.doc -1344452 面使上述同時燒成用組合物接觸上述未燒成陶瓷成 Μ ^ —面於氧氣濃度為90體積％以上之氣體環境中燒 成上述未燒成陶瓷成形體之步驟。 如清求項6之透光性陶瓷之製造方法，其中上述同時燒 成用組合物為粉末狀態，上述燒成步驟係於將上述未燒 成陶資•成形體埋入於上述同時燒成用組合物中之狀態下 實施。 116086M000104.doc