JP2005166781A - 圧電体デバイス及び液体吐出ヘッド並びにこれらの製造方法、薄膜形成装置。 - Google Patents
圧電体デバイス及び液体吐出ヘッド並びにこれらの製造方法、薄膜形成装置。 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜を備えた圧電体デバイスを効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】 基板52の表面に、冷却装置14によりイオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制しながらイオンビームアシストレーザアブレーション法で形成した層を一部有し、全体として二軸配向した中間膜55を形成し、前記中間膜上に下部電極542を形成し、前記下部電極上に圧電体膜543を形成し、前記圧電体膜上に上部電極541を形成する。下部電極、圧電体膜は、エピタキシャル成長によって形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板52の表面に、冷却装置14によりイオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制しながらイオンビームアシストレーザアブレーション法で形成した層を一部有し、全体として二軸配向した中間膜55を形成し、前記中間膜上に下部電極542を形成し、前記下部電極上に圧電体膜543を形成し、前記圧電体膜上に上部電極541を形成する。下部電極、圧電体膜は、エピタキシャル成長によって形成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は圧電体膜とこれを挟んで配置される一対の電極を備えた圧電体デバイス、この圧電体デバイスを備えた液体吐出ヘッド及び液体吐出装置に係り、特に、優れた配向性を有する圧電体膜を備えた圧電体デバイス等に関する。
圧電体デバイスに用いられる圧電体膜として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、化学式ABO3で示すことのできる複合酸化物が知られている。例えばAには鉛(Pb)、Bにジルコニウム(Zr)とチタン(Ti)の混合を適用したチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が知られている。
この圧電体膜の特性向上のため、結晶配向を所望の向きに揃える試みが種々行われている。
酸化物超伝導体の分野では、イオンビームアシストを併用したスパッタ法による面内配向膜の形成が提案されている(特開平6−145977号)。また、冷却装置を用いて基材を冷却し、成膜時の温度を300℃以下とすることも提案されている(特開平10−231122号公報)。
特開平6−145977号公報
特開平10−231122号公報
しかし、結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜を効率よく得ることは困難であった。
本発明は、結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜を備えた圧電体デバイスを効率良く製造する方法を提供することを目的とする。
本発明による圧電体デバイスの製造方法は、基板上に、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成した層を一部有し、全体として二軸配向した中間膜を形成し、前記中間膜上にエピタキシャル成長によって下部電極を形成し、前記下部電極上にエピタキシャル成長によって圧電体膜を形成し、前記圧電体膜上に上部電極を形成することを特徴とする。
上記製造方法において、イオンビームアシストレーザアブレーション法により前記層を形成する際に、冷却装置を用いてイオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制することが望ましい。この冷却装置としては、例えば、水、液体窒素などの冷媒を用いたもの、ペルチェ素子、冷凍機などが好適である。
上記製造方法において、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成する前記層が、フルオライト型酸化物、あるいはパイロクロア型酸化物であることが望ましい。
上記製造方法において、イオンビームアシストレーザアブレーション法により前記層を形成する際に、アブレーションプルームの中心軸が基板の法線方向にほぼ平行であり、イオンビームの照射方向が基板の法線方向とほぼ55度の角度をなすことが望ましい。
本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、上記の製造方法により圧電体デバイスを形成する工程と、前記圧電体デバイスの前記圧電体膜の変形によって内容積が変化するキャビティを、前記圧電体デバイスの前記基板に形成する工程と、を備えている。
本発明の液体吐出装置の製造方法は、上記の製造方法により形成された液体吐出ヘッドを用いることを特徴とする。
本発明の圧電体デバイスは、基板上に、中間膜、下部電極、圧電体膜及び上部電極を形成してなる圧電体デバイスであって、前記中間膜は、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成した層を一部有し、全体として二軸配向していることを特徴とする。
本発明の液体吐出ヘッドは、上記の圧電体デバイスを備えた液体吐出ヘッドであって、前記基板に、前記圧電体膜の変形によって内容積が変化するキャビティを形成したことを特徴とする。
本発明の液体吐出装置は、上記の液体吐出ヘッドを備えている。
本発明の薄膜形成装置は、基板上にイオンビームを照射可能なイオン源と、前記基板に対向するターゲットにレーザー光を照射しターゲット構成粒子のプルームを発生可能なレーザー光発生装置と、前記イオンビームの照射に伴う前記基板の温度上昇を抑制する冷却装置と、を備えている。
<1.圧電体デバイスの構成>
図1は、本発明の圧電体デバイス及びこれを用いた液体吐出ヘッドの実施形態を示す断面図である。
図1は、本発明の圧電体デバイス及びこれを用いた液体吐出ヘッドの実施形態を示す断面図である。
図1に示す圧電体デバイス54は、基板52、基板52上の中間膜55、中間膜55上の下部電極542、下部電極542上の圧電体膜543、および圧電体膜543上の上部電極541を有している。
<1−1.基板>
基板52は、下部電極542等を支持する機能を有するものであり、平板状をなす部材で構成されている。
基板52は、下部電極542等を支持する機能を有するものであり、平板状をなす部材で構成されている。
基板52としては、例えば、Si基板、SOI(Si on Insulator)基板等を用いることができる。この場合、その表面が自然酸化膜又は熱酸化膜であるSiO2膜や、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの各種金属材料等で覆われているものを用いることができる。
また、基板52は、各種樹脂基板、各種金属基板、各種ガラス基板等で構成されていてもよい。この場合、基板52としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルペンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ボリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の各種樹脂材料、または、各種金属基板、各種ガラス材料等で構成される基板を用いることができる。
これらのSi基板、SOI基板、各種樹脂基板、各種金属基板、各種ガラス基板等は、いずれも、汎用的な基板である。このため、基板52として、これらの基板を用いることにより、圧電体デバイスの製造コストを削減することができる。
基板52の平均厚さは、特に限定されないが、10μm〜1mm程度であるのが好ましく、100〜600μm程度であるのがより好ましい。基板52の平均厚さを、前記範囲内とすることにより、圧電体デバイスは、十分な強度を確保しつつ、その薄型化(小型化)を図ることができる。
<1−2.中間膜>
基板52上には、薄膜よりなる中間膜55が形成されている。
中間膜55のうちの一部の層は、基板を冷却してイオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制しながらイオンビームアシストレーザアブレーション法を行うことにより二軸配向するように形成されたものである。一部の層が二軸配向し、その後エピタキシャル成長させることにより、中間膜55全体が、その表面で二軸配向するようになる。さらに、このような中間膜55上には、下部電極542をエピタキシャル成長させることができる。
基板52上には、薄膜よりなる中間膜55が形成されている。
中間膜55のうちの一部の層は、基板を冷却してイオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制しながらイオンビームアシストレーザアブレーション法を行うことにより二軸配向するように形成されたものである。一部の層が二軸配向し、その後エピタキシャル成長させることにより、中間膜55全体が、その表面で二軸配向するようになる。さらに、このような中間膜55上には、下部電極542をエピタキシャル成長させることができる。
このような中間膜55の組成は特に限定されないが、このうちイオンビームアシストレーザアブレーション法により二軸配向させる層については、フルオライト型あるいはパイロクロア型の金属酸化物が好ましい。
これらの金属酸化物は、イオンビームアシストレーザアブレーション法により二軸配向して形成することが可能であるほか、下部電極542をエピタキシャル成長させるのに適している。
フルオライト型の金属酸化物としては、例えば、REx(Zr1-yCey)1-xO2-0.5x(0.0≦x≦1.0、0.0≦y≦1.0、RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)のいずれかあるいは固溶体が挙げられるが、YSZ、ZrO2、CeO2、UO2、又は、これらを含む固溶体等が好ましく、これらの中でも、特に、YSZ、ZrO2、CeO2、又はこれらの固溶体のうち少なくとも1種を用いるのが好ましい。
パイロクロア型の金属酸化物としては、例えば、パイロクロア構造のRE2(Zr1-yCey)2O7(0.0≦y≦1.0、RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)のいずれかあるいは固溶体が挙げられるが、La2Zr2O7、Nd2Zr2O7、Sm2Zr2O7、Eu2Zr2O7、Gd2Zr2O7、等が好ましく、これらの中でも、特に、Nd2Zr2O7、Sm2Zr2O7、Gd2Zr2O7、の少なくとも1種を用いるのが好ましい。
また、中間膜55は、立方晶(100)配向であるのが好ましい。中間膜55を立方晶(100)配向とすることにより、下部電極542をエピタキシャル成長させることができる。
<1−3.下部電極>
中間膜55上には、下部電極542が形成されている。前述したように、中間膜55は、二軸配向しているので、この中間膜55上に、下部電極542を形成することにより、下部電極542は、配向方位が揃ったものとなる。特に、下部電極542は、中間膜55上にエピタキシャル成長により形成することが望ましい。このような下部電極542を形成することにより、圧電体デバイスは、各種特性が向上する。
中間膜55上には、下部電極542が形成されている。前述したように、中間膜55は、二軸配向しているので、この中間膜55上に、下部電極542を形成することにより、下部電極542は、配向方位が揃ったものとなる。特に、下部電極542は、中間膜55上にエピタキシャル成長により形成することが望ましい。このような下部電極542を形成することにより、圧電体デバイスは、各種特性が向上する。
この下部電極542の組成は、例えば、Pt、Ir、Ti、Rh、Ruなどの金属材料で構成することが望ましい。これら金属材料の層を複数形成してもよい。例えば、20nm厚のTi/20nm厚のIr/140nm厚のPtという層構造で下部電極を構成する。これらの金属材料は、良好な導電性を有している。
また、下部電極542の組成は、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含むものでもよい。この場合、好ましくはペロブスカイト構造を有する金属酸化物を主材料とするものである。
ペロブスカイト構造を有する金属酸化物としては、例えば、M2RuO4(M=Ca、Sr、Ba)、RE2NiO4(RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)、REBa2Cu3Ox(RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)、MRuO3(M=Ca、Sr、Ba)、(RE、M)CrO3(RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、M=Ca、Sr、Ba)、(RE、M)MnO3(RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、M=Ca、Sr、Ba)、(RE、M)CoO3(RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、M=Ca、Sr、Ba)、RENiO3(RE=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)、のいずれかあるいは固溶体を含むことが望ましい。特に、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、SrVO3、(La,Sr)MnO3、(La,Sr)CrO3、(La,Sr)CoO3、LaNiOx、YBa2Cu3Oxまたは、これらを含む固溶体等が好ましく、特に、SrRuO3、LaNiOx、YBa2Cu3Ox、または、これらを含む固溶体のうちの少なくとも1種であるのが好ましい。これらのペロブスカイト構造を有する金属酸化物は、導電性や化学的安定性に優れている。このため、下部電極542も、導電性や化学的安定性に優れたものとすることができる。
ペロブスカイト構造を有する下部電極542は、例えば、立方晶(100)、正方晶(001)、菱面体晶(100)、擬立方晶(100)配向、擬立方晶(110)配向、擬立方晶(111)配向等でエピタキシャル成長しているもののいずれであってもよいが、これらの中でも、特に、立方晶(100)配向または擬立方晶(100)配向でエピタキシャル成長しているものが好ましい。
また、下部電極542の平均厚さは、特に限定されないが、10〜300nm程度とするのが好ましく、50〜150nm程度とするのがより好ましい。これにより、下部電極542は、電極としての機能を十分に発揮することができる。
<1−4.圧電体膜>
この下部電極542上には、圧電体膜543が形成されている。下部電極542は、前述の通り配向方位が揃っているので、この下部電極542上に圧電体膜543を形成することにより、圧電体膜543は、配向方位が揃ったものとなる。特に、圧電体膜543は、下部電極上にエピタキシャル成長により形成することが望ましい。
この下部電極542上には、圧電体膜543が形成されている。下部電極542は、前述の通り配向方位が揃っているので、この下部電極542上に圧電体膜543を形成することにより、圧電体膜543は、配向方位が揃ったものとなる。特に、圧電体膜543は、下部電極上にエピタキシャル成長により形成することが望ましい。
圧電体膜543は、各種圧電体材料で構成することができるが、ペロブスカイト構造を有する圧電体材料を含むものが好ましく、ペロブスカイト構造を有する圧電体材料を主材料とするものがより好ましい。さらに、ペロブスカイト構造を有する圧電体材料としては、正方晶(001)配向でエピタキシャル成長しているもの、菱面体晶(100)配向でエピタキシャル成長しているもののいずれであってもよいが、特に、菱面体晶(100)配向でエピタキシャル成長しているものが好ましい。これにより、電界歪み特性等の各種特性が向上する。
このペロブスカイト構造を有する圧電体材料としては、例えば、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)、(Pb,La)(Zr,Ti)O3(PLZT)、(Ba,Sr)TiO3(BST)、BaTiO3、KNbO3、Pb(Zn,Nb)O3(PZN)、Pb(Mg,Nb)O3(PMN)、PbFeO3、PbWO3のようなペロブスカイト構造の金属酸化物、SrBi2(Ta,Nb)2O9、(Bi,La)4Ti3O12のようなBi層状化合物、または、これらを含む固溶体(PMN−PT、PZN−PT等)が挙げられるが、これらの中でも、特に、PZT、BST、または、PMN−PT、PZN−PT等のリラクサ材料が好ましい。更に、Pb(M1/3N2/3)O3(M=Mg、Zn、Co、Ni、Mn、N=Nb、Ta)、Pb(M1/2N1/2)O3(M=Sc、Fe、In、Yb、Ho、Lu、N=Nb、Ta)、Pb(M1/2N1/2)O3(M=Mg、Cd、Mn、Co、N=W、Re)、Pb(M2/3N1/3)O3(M=Mn、Fe、N=W、Re)、のいずれかあるいは混相からなるリラクサ材料PMNと、Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT、0.0≦x≦1.0)との固溶体PMNy−PZT1-yを含むことが望ましい。これにより、圧電体デバイス54は、各種特性が特に優れたものとなる。
なお、下部電極542が、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含むもの(特に、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を主材料とするもの)である場合、このペロブスカイト構造を有する金属酸化物は、ペロブスカイト構造を有する圧電体材料との格子不整合が小さい。このため、下部電極542上には、圧電体膜543を、容易かつ確実に、正方晶(001)配向でエピタキシャル成長させることができる。また、得られる圧電体膜543は、下部電極542との接合性が向上する。
また、圧電体膜543の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、100〜3000nm程度であるのが好ましく、500〜2000nm程度であるのがより好ましい。圧電体膜543の平均厚さを、前記範囲とすることにより、圧電体デバイス54の大型化を防止しつつ、各種特性を好適に発揮し得る圧電体デバイスとすることができる。
<1−5.上部電極>
圧電体膜543上には、上部電極541が形成されている。
この上部電極541の構成材料としては、例えば、Pt、Ir、Au、Ag、Ru、または、これらを含む合金等のうちの、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
圧電体膜543上には、上部電極541が形成されている。
この上部電極541の構成材料としては、例えば、Pt、Ir、Au、Ag、Ru、または、これらを含む合金等のうちの、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、上部電極541の平均厚さは、特に限定されないが、10〜300nm程度であるのが好ましく、50〜150nm程度であるのがより好ましい。
<2.圧電体デバイスの製造方法>
次に、図2に基づき、圧電体デバイスの製造方法について説明する。
以下に示す圧電体デバイス54の製造方法は、基板52上に中間膜55を形成する工程(中間膜形成工程)と、中間膜55上に下部電極542を形成する工程(下部電極形成工程)と、下部電極542上に圧電体膜543を形成する工程(圧電体膜形成工程)と、圧電体膜543上に上部電極541を形成する工程(上部電極形成工程)と、圧電体膜及び上部電極をパターニングする工程(パターニング工程)とを有している。以下、各工程について、順次説明する。
次に、図2に基づき、圧電体デバイスの製造方法について説明する。
以下に示す圧電体デバイス54の製造方法は、基板52上に中間膜55を形成する工程(中間膜形成工程)と、中間膜55上に下部電極542を形成する工程(下部電極形成工程)と、下部電極542上に圧電体膜543を形成する工程(圧電体膜形成工程)と、圧電体膜543上に上部電極541を形成する工程(上部電極形成工程)と、圧電体膜及び上部電極をパターニングする工程(パターニング工程)とを有している。以下、各工程について、順次説明する。
まず、基板52を用意する。この基板52には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に使用される。
[1C]中間膜形成工程
次に、基板52上に中間膜55を形成する。これは、例えば、次のようにして行うことができる。
次に、基板52上に中間膜55を形成する。これは、例えば、次のようにして行うことができる。
図3は、中間膜の形成工程に使用する成膜装置の概略説明図である。まず、基板52を基板ホルダーに装填して、真空装置内に設置する。
なお、真空装置内には、基板52に対向して、前述したような中間膜55の構成元素を含む第1ターゲット11が所定距離、離間して配置されている。なお、第1ターゲット11としては、目的とする中間膜55の組成と同一の組成または近似組成のものが好適に使用される。
次いで、レーザー光10を第1ターゲット11に照射すると、第1ターゲット11から酸素原子および金属原子を含む原子が叩き出され、プルーム12が発生する。換言すれば、このプルーム12が基板52に向かって照射される。そして、このプルーム12は、基板52上に接触するようになる。
このレーザー光10は、好ましくは波長が150〜300nm程度、パルス長が1〜100ns程度のパルス光とされる。具体的には、レーザー光10としては、例えば、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、XeClエキシマレーザーのようなエキシマレーザー、YAGレーザー、YVO4レーザー、CO2レーザー等が挙げられる。これらの中でも、レーザー光としては、特に、ArFエキシマレーザーまたはKrFエキシマレーザーが好適である。ArFエキシマレーザーおよびKrFエキシマレーザーは、いずれも、取り扱いが容易であり、また、より効率よく原子を第1ターゲットから叩き出すことができる。
このとき、アブレーションプルーム12の中心軸が、図3に示すように、基板52の法線方向にほぼ平行になるように、位置関係を調整することが好ましい。
また、イオンビームアシストレーザアブレーション法で二軸配向させる層を形成する場合には、これとほぼ同時に、基板52の表面に対して、イオンビーム17を所定角度傾斜させて照射する。
このとき、基板52の表面に照射するイオンビーム17としては、特に限定されないが、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのような不活性ガスのうちの少なくとも1種のイオン、または、これらのイオンと酸素イオンとの混合イオン等が挙げられる。
このイオンビームのイオン源16としては、例えば、Kauffmanイオン源等を用いるのが好ましい。このイオン源を用いることにより、イオンビームを比較的容易に生成することができる。
また、イオンビーム17の照射方向が基板表面の法線方向に対してなす角度(前記所定角度)は、図3に示すように、ほぼ55°、例えば53°以上57°以下、特に54°以上56°以下とするのが好ましい。このような照射角度に設定して、イオンビーム17を基板52の表面に照射することにより、立方晶(100)配向で、かつ、二軸配向した中間膜55を形成することができる。
このとき、イオンビーム照射に伴って基板温度が上昇すると、中間膜55の配向方向が制御困難になるため、図3に示すように、水、液体窒素などの冷媒を用いた冷却装置14、あるいはペルチェ素子、冷凍機などの冷却装置を用いて、温度上昇を抑制する。図3の例は冷媒15を用いたものである。
このような中間膜55の形成における各条件は、中間膜55が面内配向し得るものであればよく、例えば、次のようにすることができる。
レーザー光の周波数は、30Hz以下とするのが好ましく、15Hz以下とするのがより好ましい。
レーザー光のエネルギー密度は、0.5J/cm2以上とするのが好ましく、2J/cm2以上とするのがより好ましい。
イオンビーム加速電圧は、100〜300V程度とするのが好ましく、150〜250V程度とするのがより好ましい。
また、イオンビームの照射量は、1〜30mA程度とするのが好ましく、2〜10mA程度とするのがより好ましい。
基板52の温度は、冷却装置14によって、イオンビーム照射による温度上昇が抑えられてはいるが、70℃以下とするのが好ましく、30℃以下とするのがより好ましい。
基板52と第1ターゲット11との距離は、30mm〜100mm程度とするのが好ましく、50〜80mm程度とするのがより好ましい。
また、真空装置内の圧力は、133×10-1Pa(1×10-1Torr)以下とするのが好ましく、133×10-3Pa(1×10-3Torr)以下とするのがより好ましい。
真空装置内の雰囲気は、不活性ガスと酸素との混合比を、体積比で100:1〜2:1程度とするのが好ましく、20:1〜5:1程度とするのがより好ましい。
また、このとき、レーザー光およびイオンビームの照射時間を適宜設定することにより、中間膜55の厚さを前述したような範囲に調整することができる。このレーザー光およびイオンビームの照射時間は、前記各条件によっても異なるが、通常、100分以上とするのが好ましく、150分以上とするのがより好ましい。
中間膜55のうち、イオンビームアシストレーザアブレーション法によって二軸配向させる層の形成における各条件を、それぞれ、前記範囲とすると、より効率よく二軸配向させることができる。
例えば、イオンビーム17の基板52の表面に対する照射角度(基板52の法線方向とのなす角度)を55°、レーザー光の周波数を10Hz、レーザー光のエネルギー密度2J/cm2、イオンビーム加速電圧を200V、イオンビームの照射量を8mA、基板52の温度を100℃、基板52と第1ターゲットとの距離を70mm、真空装置内の圧力を133×10-3Pa(1×10-3Torr)、不活性ガスと酸素との混合比を体積比で10:1、レーザー光及びイオンビームの照射時間を165分、の条件で、1μm厚のYSZを中間膜55として堆積した場合、図4に示すように、立方晶(100)配向であるYSZの(111)面のXRDφスキャンの半値幅は、27°であった。
更に、基板温度以外の条件は変更せず、基板52を水を用いて冷却し、イオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制することにより、基板温度だけを変化させた場合、表1に示すように、基板温度の下降に伴って、YSZの(111)面のXRDφスキャンの半値幅は、27°より更に小さくなり、面内配向度が向上した。液体窒素を用いて冷却した場合も同様の結果が得られた。
[2C]下部電極形成工程
次に、中間膜55上に下部電極542を形成する。この下部電極542は、例えば、次のようにして形成することができる。
次に、中間膜55上に下部電極542を形成する。この下部電極542は、例えば、次のようにして形成することができる。
なお、下部電極542の形成に先立って、前記第1ターゲットに代わり、基板52上の中間膜55に対向して、前述したような下部電極542の構成元素を含む第2ターゲットが所定距離、離間して配置される。なお、第2ターゲットとしては、目的とする下部電極542の組成と同一の組成または近似組成のものが好適に使用される。
前記工程[1C]に引き続き、中間膜55上に、下部電極を構成する各種金属原子(及び該当する場合には酸素原子)を含む原子が叩き出され、プルームが発生する。そして、このプルームが中間膜55の表面(上面)に接触する。
このプルームは、前記第2ターゲット表面に、前記工程[1C]と同様に、レーザー光を照射することにより、第2ターゲットから各種金属原子等を含む原子を叩きだして、発生させるのが好ましい。
このようなレーザー光は、前記工程[1C]と同様に、ArFエキシマレーザーまたはKrFエキシマレーザーが好適である。
また、下部電極542の形成における各条件は、各種金属原子が、所定の比率(例えば、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物における組成比)で、中間膜55上に到達し、下部電極542を形成し得るものであればよく、例えば、次のようにすることができる。
レーザー光の周波数は、30Hz以下程度とするのが好ましく、15Hz以下程度とするのがより好ましい。
レーザー光のエネルギー密度は、0.5J/cm2以上とするのが好ましく、2J/cm2以上とするのがより好ましい。
中間膜55が形成された基板52の温度は、300〜800℃程度とするのが好ましく、400〜700℃程度とするのがより好ましい。
中間膜55が形成された基板52と第2ターゲットとの距離は、30〜100mmとするのが好ましく、50〜80mm程度とするのがより好ましい。
また、真空装置内の圧力は、1気圧以下が好ましく、そのうち、酸素分圧は、例えば、酸素ガス供給下で133×10-3Pa(1×10-3Torr)以上とするのが好ましく、原子状酸素ラジカル供給下で133×10-5Pa(1×10-5Torr)以上とするのが好ましい。
また、このとき、レーザー光の照射時間を適宜設定することにより、下部電極542の平均厚さを前述したような範囲に調整することができる。このレーザー光の照射時間は、前記各条件によっても異なるが、通常、30〜90分程度とするのが好ましく、60分程度とするのがより好ましい。
下部電極542の形成における各条件を、それぞれ、前記範囲とすると、効率よく下部電極542を形成することができる。
例えば、レーザー光の周波数を10Hz、レーザー光のエネルギー密度を2J/cm2、基板52の温度を600℃、基板52と第2ターゲットとの距離を70mm、酸素分圧を酸素ガス供給下で133×10-2Pa(1×10-2Torr)、レーザー光の照射時間を60分、の条件で、100nm厚のSrRuO3を下部電極542として堆積した場合、擬立方晶(100)配向であるSrRuO3の擬立方晶(101)面のXRDφスキャンの半値幅は、25°であった。
このとき、中間膜55をイオンビームアシストレーザアブレーション法で堆積させるときの基板温度だけ変化させた場合、上掲表1に示すように、基板温度の下降に伴って、SrRuO3の擬立方晶(101)面のXRDφスキャンの半値幅は、25°よりさらに小さくなり、面内配向度が向上した。
以上のようにして、下部電極542が得られる。
なお、上記の方法に限らず、下部電極542は、CVD法、スパッタ法、ゾルゲル法などの方法によりエピタキシャル成長させて形成してもよい。
[3C]圧電体膜形成工程
次に、下部電極542上に圧電体膜543を形成する。これは、例えば、次のようにして行うことができる。
次に、下部電極542上に圧電体膜543を形成する。これは、例えば、次のようにして行うことができる。
なお、圧電体膜543の形成に先立って、前記第2ターゲットに代わり、基板52に対向して、前述したような圧電体膜543の構成元素を含む第3ターゲットが所定距離、離間して配置される。なお、第3ターゲットとしては、目的とする圧電体膜543の組成と同一の組成または近似組成のものが好適に使用される。
前記工程[2C]に引き続き、下部電極542上に、酸素原子および各種金属原子を含む原子のプルームを照射する。そして、このプルームが下部電極542の表面(上面)に接触することにより、ペロブスカイト構造を有する圧電体材料(前述した通りである)を含む圧電体膜543が、例えば正方晶(001)配向でエピタキシャル成長により膜状に形成される。
このプルームは、前記第3ターゲット表面に、前記工程[1C]と同様に、レーザー光を照射することにより、第3ターゲットから酸素原子および各種金属原子を含む原子を叩きだして、発生させるのが好ましい。
このようなレーザー光は、前記工程[1C]と同様に、ArFエキシマレーザーまたはKrFエキシマレーザーが好適である。
また、圧電体膜543の形成における各条件は、各種金属原子が、所定の比率(すなわち、ペロブスカイト構造を有する圧電体材料における組成比)で、下部電極542上に到達し、圧電体膜543を形成し得るものであればよく、例えば、次のようにすることができる。
レーザー光の周波数は、30Hz以下とするのが好ましく、15Hz以下とするのがより好ましい。
レーザー光のエネルギー密度は、0.5J/cm2以上とするのが好ましく、2J/cm2以上とするのがより好ましい。
下部電極542が形成された基板52の温度は、300〜800℃程度とするのが好ましく、400〜700℃程度とするのがより好ましい。
下部電極542が形成された基板52と第3ターゲットとの距離は、30〜100mmとするのが好ましく、50〜80mm程度とするのがより好ましい。
また、真空装置内の圧力は、1気圧以下が好ましく、そのうち、酸素分圧は、例えば、酸素ガス供給下で133×10-3Pa(1×10-3Torr)以上とするのが好ましく、原子状酸素ラジカル供給下で133×10-5Pa(1×10-5Torr)以上とするのが好ましい。
また、このとき、レーザー光の照射時間を適宜設定することにより、圧電体膜543の平均厚さを前述したような範囲に調整することができる。このレーザー光の照射時間は、前記各条件によっても異なるが、通常、60分以上とするのが好ましく、120分以上とするのがより好ましい。
圧電体膜543の形成における各条件を、それぞれ前記範囲とすると、効率よく圧電体膜543を形成することができる。
例えば、レーザー光の周波数を10Hz、レーザー光のエネルギー密度を2J/cm2、基板52の温度を600℃、基板52と第3ターゲットとの距離を70mm、酸素分圧を酸素ガス供給下で133×10-2Pa(1×10-2Torr)、レーザー光の照射時間を180分、の条件で、1μm厚のPb(Zr0.55Ti0.45)O3(PZT)を圧電体膜543として堆積した場合、(100)配向のPZTの(101)面のXRDφスキャンの半値幅は、23°であった。
このとき、中間膜55をイオンビームアシストレーザアブレーション法で堆積させるときの基板温度だけ変化させた場合、上掲表1に示すように、基板温度の下降に伴って、PZTの(101)面のXRDφスキャンの半値幅は、23°よりさらに小さくなり、面内配向度が向上した。
以上のようにして、圧電体膜543が得られる。
なお、上記の方法に限らず、圧電体膜543は、CVD法、スパッタ法、ゾルゲル法などの方法によりエピタキシャル成長させて形成してもよい。
[4C]上部電極の形成工程
次に、図2[4C]に示すように、圧電体膜543上に上部電極541を形成する。具体的には、上部電極541として白金(Pt)等を100nmの膜厚に直流スパッタ法で成膜する。
次に、図2[4C]に示すように、圧電体膜543上に上部電極541を形成する。具体的には、上部電極541として白金(Pt)等を100nmの膜厚に直流スパッタ法で成膜する。
[5C]パターニング工程
次に、図2[5C]に示すように、圧電体膜543及び上部電極541を所定形状に加工して圧電体デバイスを形成する。具体的には、上部電極541上にレジストをスピンコートした後、所定形状に露光、現像してパターニングする。残ったレジストをマスクとして上部電極541、圧電体膜543をイオンミリング等でエッチングする。
次に、図2[5C]に示すように、圧電体膜543及び上部電極541を所定形状に加工して圧電体デバイスを形成する。具体的には、上部電極541上にレジストをスピンコートした後、所定形状に露光、現像してパターニングする。残ったレジストをマスクとして上部電極541、圧電体膜543をイオンミリング等でエッチングする。
ここで、製造された圧電体デバイスの圧電定数を評価したところ、d31=200pC/Nであった。これは中間膜55の形成にイオンビームを用いない場合の値d31=160pC/Nに比べて大きく、圧電特性が向上したことを示している。
更に、中間膜55をイオンビームアシストレーザアブレーション法で堆積させるときの基板温度だけを変化させて製造した場合、上掲表1に示すように、基板温度の下降に伴って、d31は、200pC/Nより更に大きくなり、面内配向度の向上に伴って、圧電特性が向上した。
以上のような工程[1C]〜[5C]を経て、圧電体デバイス54が製造される。
<3.インクジェット式記録ヘッドの構成>
本発明の圧電体デバイスを備える液体吐出ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドについて説明する。
本発明の圧電体デバイスを備える液体吐出ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドについて説明する。
図5は、本発明のインクジェット式記録ヘッドの実施形態を示す分解斜視図である。前述の図1は、図5に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を断面図で表したものである。なお、図5は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。
図5に示すインクジェット式記録ヘッド50(以下、単に「ヘッド50」と言う。)は、ノズル板51と、インク室基板52と、振動板53と、振動板53に接合された圧電素子(振動源)54とを備え、これらが基体56に収納されている。なお、このヘッド50は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。
ノズル板51は、例えばステンレス製の圧延プレート等で構成されている。このノズル板51には、インク滴を吐出するための多数のノズル511が形成されている。これらのノズル511間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。
このノズル板51には、インク室基板52が固着(固定)されている。このインク室基板52は、ノズル板51、側壁(隔壁)522および後述する振動板53により、複数のインク室(キャビティ、圧力室)521と、インクカートリッジ631から供給されるインクを一時的に貯留するリザーバ523と、リザーバ523から各インク室521に、それぞれインクを供給する供給口524とが区画形成されている。
これらのインク室521は、それぞれ短冊状(直方体状)に形成され、各ノズル511に対応して配設されている。各インク室521は、後述する振動板53の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
このインク室基板52を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種プラスチック基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド50の製造コストを低減することができる。
また、これらの中でも、母材としては、(110)配向シリコン単結晶基板を用いるのが好ましい。この(110)配向シリコン単結晶基板は、異方性エッチングに適しているのでインク室基板52を、容易かつ確実に形成することができる。
このインク室基板52の平均厚さは、特に限定されないが、10〜1000μm程度とするのが好ましく、100〜500μm程度とするのがより好ましい。
また、インク室521の容積は、特に限定されないが、0.1〜100nL程度とするのが好ましく、0.1〜10nL程度とするのがより好ましい。
一方、インク室基板52のノズル板51と反対側には、振動板53が接合され、さらに振動板53のインク室基板52と反対側には、複数の圧電素子54が、中間膜であるバッファ層55を介して設けられている。
また、振動板53の所定位置には、振動板53の厚さ方向に貫通して連通孔531が形成されている、この連通孔531を介して、後述するインクカートリッジ631からリザーバ523に、インクが供給可能となっている。
各圧電素子54は、それぞれ、下部電極542と上部電極541との間に圧電体膜543を介挿してなり、各インク室521のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子54は、後述する圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動(振動、変形)するよう構成されている。
これらの圧電素子54は、それぞれ、振動源として機能し、振動板53は、圧電素子54の振動により振動し、インク室521の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
基体56は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体56にインク室基板52が固定、支持されている。
このようなヘッド50は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子54の下部電極542と上部電極541との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体膜543に変形が生じない。このため、振動板53にも変形が生じず、インク室521には容積変化が生じない。したがって、ノズル511からインク滴は吐出されない。
一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子54の下部電極542と上部電極541との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体膜543に変形が生じる。これにより、振動板53が大きくたわみ、インク室521の容積変化が生じる。このとき、インク室521内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル511からインク滴が吐出される。
1回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極542と上部電極541との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子54は、ほぼ元の形状に戻り、インク室521の容積が増大する。なお、このとき、インクには、後述するインクカートリッジ631からノズル511へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用している。このため、空気がノズル511からインク室521へと入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ631からリザーバ523を経てインク室521へ供給される。
このようにして、ヘッド50において、印刷させたい位置の圧電素子54に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の(所望の)文字や図形等を印刷することができる。
<4.インクジェット式記録ヘッドの製造方法>
次に、ヘッド50の製造方法の一例について説明する。前述したようなヘッド50は、例えば、次のようにして製造することができる。
次に、ヘッド50の製造方法の一例について説明する。前述したようなヘッド50は、例えば、次のようにして製造することができる。
−10− まず、インク室基板52となる母材と、振動板53とを貼り合わせ(接合して)、これらを一体化させる。
この接合には、例えば、母材と振動板53とを圧着させた状態で熱処理する方法が好適に用いられる。かかる方法によれば、容易かつ確実に、母材と振動板53とを一体化させることができる。
この熱処理条件は、特に限定されないが、100〜600℃×1〜24時間程度とするのが好ましく、300〜600℃×6〜12時間程度とするのがより好ましい。なお、接合には、その他の各種接着方法、各種融着方法等を用いてもよい。
−20− 次に、振動板53上に、バッファ層55を介して圧電素子54を形成する。これは、前述した工程[1C]〜[5C]と同様にして行うことができる。
−30− 次に、インク室基板52となる母材の圧電素子54に対応した位置に、それぞれインク室521となる凹部を、また、所定位置にリザーバ523および供給口524となる凹部を形成する。
具体的には、インク室521、リザーバ523および供給口524を形成すべき位置に合せて、マスク層を形成した後、例えば、平行平板型反応性イオンエッチング、誘導結合型方式、エレクトロンサイクロトロン共鳴方式、ヘリコン波励起方式、マグネトロン方式、プラズマエッチング方式、イオンビームエッチング方式等のドライエッチング、5重量%〜40重量%程度の水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の高濃度アルカリ水溶液によるウェットエッチングを行う。
これにより、母材を、その厚さ方向に振動板53が露出する程度にまで削り取り(除去し)、インク室基板52を形成する。なお、このとき、エッチングされずに残った部分が、側壁522となり、また、露出した振動板53は、振動板としての機能を発揮し得る状態となる。
なお、母材として、(110)配向シリコン基板を用いる場合には、前述の高濃度アルカリ水溶液を用いることにより、母材は、容易に異方性エッチングされるので、インク室基板52の形成が容易となる。
−40− 次に、複数のノズル511が形成されたノズル板51を、各ノズル511が各インク室521となる凹部に対応するように位置合わせして接合する。これにより、複数のインク室521、リザーバ523および複数の供給口524が画成される。
この接合には、例えば、接着剤による接着等の各種接着方法、各種融着方法等を用いることができる。
−50− 次に、インク室基板52を基体56に取り付ける。以上のようにして、インクジェット式記録ヘッド50が得られる。
<5.インクジェットプリンタ>
本発明のインクジェット式記録ヘッドを備えた液体吐出装置であるインクジェットプリンタについて説明する。
本発明のインクジェット式記録ヘッドを備えた液体吐出装置であるインクジェットプリンタについて説明する。
図6は、本発明のインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、以下の説明では、図6中、上側を「上部」、下側を「下部」と言う。
図6に示すインクジェットプリンタ60は、装置本体62を備えており、上部後方に記録用紙Pを設置するトレイ621と、下部前方に記録用紙Pを排出する排出口622と、上部面に操作パネル67とが設けられている。
操作パネル67は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部(図示せず)と、各種スイッチ等で構成される操作部(図示せず)とを備えている。
また、装置本体62の内部には、主に、往復動するヘッドユニット63を備える印刷装置(印刷手段)64と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置64に送り込む給紙装置(給紙手段)65と、印刷装置64および給紙装置65を制御する制御部(制御手段)66とを有している。
制御部66の制御により、給紙装置65は、記録用紙Pを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Pは、ヘッドユニット63の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット63が記録用紙Pの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Pへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット63の往復動と、記録用紙Pの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
印刷装置64は、ヘッドユニット63と、ヘッドユニット63の駆動源となるキャリッジモータ641と、キャリッジモータ641の回転を受けて、ヘッドユニット63を往復動させる往復動機構642とを備えている。
ヘッドユニット63は、その下部に、多数のノズル511を備えるインクジェット式記録ヘッド50と、インクジェット式記録ヘッド50にインクを供給するインクカートリッジ631と、インクジェット式記録ヘッド50およびインクカートリッジ631を搭載したキャリッジ632とを有している。
なお、インクカートリッジ631として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック(黒)の4色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。この場合、ヘッドユニット63には、各色にそれぞれ対応したインクジェット式記録ヘッド50が設けられることになる。
往復動機構642は、その両端をフレーム(図示せず)に支持されたキャリッジガイド軸643と、キャリッジガイド軸643と平行に延在するタイミングベルト644とを有している。
キャリッジ632は、キャリッジガイド軸643に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト644の一部に固定されている。
キャリッジモータ641の作動により、プーリを介してタイミングベルト644を正逆走行させると、キャリッジガイド軸643に案内されて、ヘッドユニット63が往復動する。そして、この往復動の際に、インクジェット式記録ヘッド50から適宜インクが吐出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。
給紙装置65は、その駆動源となる給紙モータ651と、給紙モータ651の作動により回転する給紙ローラ652とを有している。
給紙ローラ652は、記録用紙Pの送り経路(記録用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ652aと駆動ローラ652bとで構成され、駆動ローラ652bは給紙モータ651に連結されている。これにより、給紙ローラ652は、トレイ621に設置した多数枚の記録用紙Pを、印刷装置64に向かって1枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ621に代えて、記録用紙Pを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
制御部66は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置64や給紙装置65等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部66は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子(振動源)54を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置64(キャリッジモータ641)を駆動する駆動回路、給紙装置65(給紙モータ651)を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うCPUとを備えている。
また、CPUには、例えば、インクカートリッジ631のインク残量、ヘッドユニット63の位置、温度、湿度等の印刷環境等を検出可能な各種センサが、それぞれ電気的に接続されている。
制御部66は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。CPUは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子54、印刷装置64および給紙装置65は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Pに印刷が行われる。
<6.その他>
以上、本発明の圧電体デバイス、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタについて、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
以上、本発明の圧電体デバイス、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタについて、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の圧電体デバイス、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを構成する各部は、同様の機能を発揮する任意のものと置換、またはその他の構成を追加することもできる。
また、例えば、圧電体デバイスおよびインクジェット式記録ヘッドの製造方法では、それぞれ、任意の工程を追加することもできる。
また、前記実施形態のインクジェット式記録ヘッドの構成は、例えば、各種工業用液体吐出装置の液体吐出機構に適用することもできる。この場合、液体吐出装置では、前述したようなインク(イエロー、シアン、マゼンダ、ブラック等のカラー染料インク)の他、例えば、液体吐出機構のノズル(液体吐出口)からの吐出に適当な粘度を有する溶液や液状物質等が使用可能である。
10…レーザー光、11…ターゲット、12…アブレーションプルーム、14…冷却装置、15…冷媒、16…イオン源、17…イオンビーム、50…インクジェット式記録ヘッド、51…ノズル板、511…ノズル、52…インク室基板、521…インク室、522…側壁、523…リザーバ、524…供給口、53…振動板、531…連通孔、54…圧電素子、541…上部電極、542…下部電極、543…圧電体膜、55…中間膜(バッファ層)、56…基体、60…インクジェットプリンタ、62…装置本体、621…トレイ、622…排紙口、63…ヘッドユニット、631…インクカートリッジ、632…キャリッジ、64…印刷装置、641…キャリッジモータ、642…往復動機構、643…キャリッジガイド軸、644…タイミングベルト、65…給紙装置、651…給紙モータ、652…給紙ローラ、652a…従動ローラ、652b…駆動ローラ、66…制御部、67…操作パネル、P…記録用紙
Claims (10)
- 基板上に、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成した層を一部有し、全体として二軸配向した中間膜を形成し、前記中間膜上にエピタキシャル成長によって下部電極を形成し、前記下部電極上にエピタキシャル成長によって圧電体膜を形成し、前記圧電体膜上に上部電極を形成する、圧電体デバイスの製造方法。
- 請求項1において、
イオンビームアシストレーザアブレーション法により前記層を形成する際に、冷却装置を用いてイオンビーム照射に伴う温度上昇を抑制することを特徴とする、圧電体デバイスの製造方法。 - 請求項1又は請求項2において、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成する前記層が、フルオライト型酸化物、あるいはパイロクロア型酸化物であることを特徴とする、圧電体デバイスの製造方法。
- 請求項1乃至請求項3の何れか一項において、イオンビームアシストレーザアブレーション法により前記層を形成する際に、アブレーションプルームの中心軸が基板の法線方向にほぼ平行であり、イオンビームの照射方向が基板の法線方向とほぼ55度の角度をなすことを特徴とする、圧電体デバイスの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の製造方法により圧電体デバイスを形成する工程と、
前記圧電体デバイスの前記圧電体膜の変形によって内容積が変化するキャビティを、前記圧電体デバイスの前記基板に形成する工程と、
を備えた液体吐出ヘッドの製造方法。 - 請求項5に記載の製造方法により形成された液体吐出ヘッドを用いることを特徴とする、液体吐出装置の製造方法。
- 基板上に、中間膜、下部電極、圧電体膜及び上部電極を形成してなる圧電体デバイスであって、前記中間膜は、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成した層を一部有し、全体として二軸配向していることを特徴とする、圧電体デバイス。
- 請求項7に記載の圧電体デバイスを備えた液体吐出ヘッドであって、前記基板に、前記圧電体膜の変形によって内容積が変化するキャビティを形成した、液体吐出ヘッド。
- 請求項8に記載の液体吐出ヘッドを備えた液体吐出装置。
- 基板上にイオンビームを照射可能なイオン源と、前記基板に対向するターゲットにレーザー光を照射しターゲット構成粒子のプルームを発生可能なレーザー光発生装置と、前記イオンビームの照射に伴う前記基板の温度上昇を抑制する冷却装置と、を備えた薄膜形成装置。
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