TWI321555B - - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與作為透鏡等光學零件之材料而發揮功效之透 光性陶£及其製造方法、以及使用其之光學零件及光學裝 置有關者。

【先前技摘J 先前，就搭载於攝像系光學機器等光學裝置的透鏡等之 光學零件之材料而言，譬如，如專利文獻丨及專利文獻2所 記載般，係使用玻璃、塑膠或鈮酸鋰（UNb〇3)等之單結 晶。 玻璃及塑膠由於透光率高且容易加工為所期望之形狀， 因此主要係使用於透鏡等之光學零件。另一方面，uNb〇3 等之單結晶係利用光電特性及複折射，而主要被使用於光 導波路等之光學零件。在使用此類光學零件之光拾取頭等 之光學裝置方面，小型化、薄型化已成為一項需求。 然而，在先前之玻璃及塑膠方面，由於其折射率未達 1.9，因此，使用其之光學零件、光學裝置在小型化、薄 型化上有其限度。又，尤其在塑膠方面，由於在具有耐濕 性差之缺點的同時並可能產生複折射，因而亦具有難以用 高效率使入射光穿透及聚光之缺點。 另一方面，LiNb〇3等之單結晶係譬如其折射率為較高之 2_3。然而，LiNb〇3等之單結晶由於會產生複折射，故難 以使用於透鏡等之光學零件，而具有用途受限之缺點。 作為不產生複折射且光學特性良好（亦即，可提供直線 I15240.doc 1321555 穿透率及折射率）之材料，專利文獻3揭示了以 Ba(Mg’Ta)〇3系鈣鈦礦為主成分之透光性陶瓷。再者專 利文獻4則揭示了以Ba(Zn，Ta)〇3系鈣鈦礦為主成分之透光 性陶瓷。 在專利文獻3所記載之透光性陶瓷方面，折射率、阿貝 數等光學特性係可藉由以4價元素之sn及/或Zr取代Mg及/ 或Ta之一部分，而產生變化。 又’在專利文獻4所揭示之透光性陶瓷方面，亦可以同 樣方式，使折射率、阿貝數產生變化。 然而，在專利文獻3及專利文獻4所揭示之透光性陶瓷方 面’卻具有阿貝數低、作為光學零件及光學裝置之用途受 限的問題。

專利文獻1:日本特開平5·127〇78號公報（全頁、圖U 專利文獻2:曰本特開平7_244865號公報（請求項6、段 落「0024」） 專利文獻3:曰本特開2〇〇4-75 512號公報（全頁、全圖） 專利文獻4:曰本特開2004-75516號公報（全頁、全圖） (發明所欲解決之問題） 有基於此，本發明係有鑒於上述實情而研發者，其目的 在於，提供一種高阿貝數之透光性陶瓷及其製造方法。 又，本發明之其他目的在於，提供一種使用上述透光性 陶瓷而構成之光學零件及使用此光學零件之光學裝置。 【發明内容】 與本發明有關之透光性陶瓷係以如下組成之鈣鈦礦型化合 115240.doc 1321555 物為主成分者：以通式：{LadSrhbBaaCa^mAli.cGaJ.y (TauNbcOyhOw(其中’滿足 〇<χ$ΐ ， 0<y^0.6 ， 0.4$y/xS0_6，OSagl，OSbSl，OScgl，OSdgl 及 0.9刍vgl.l之各條件，w係用於保持電性中性之正數）所表 示。 在與本發明有關之透光性陶瓷方面，如更予以限定，係 以如下者為佳：y/x係在〇.45$y/x$〇.55之範園；且v係在 0_95$ν‘1·02之範圍；以及X係在〇.2Sx$i之範圍。 與本發明有關之透光性陶瓷，理想狀態為波長633 nm之 可見光之試樣厚度0.4 mm的直線穿透率（以下，如無特別 預告時’則僅稱為「直線穿透率））為20%以上。 又’與本發明有關之透光性陶瓷為多晶體時，可特別發 揮顯著之效果。 本發明亦適合於製造上述透光性陶瓷之方法。與本發明 有關之透光性陶瓷之製造方法，其特徵在於包含如下步 驟：準備未焙燒之陶瓷成形體，其係使陶瓷原料粉末成形 為特定形狀而成者；準備與上述陶瓷原料粉末實質上相同 組成之同時焙燒用組合物；及一面使同時焙燒用組合物與 未焙燒之陶瓷成形體接觸，一面於氧濃度為9〇體積％以上 之氣體環境中，焙燒未焙燒之陶瓷成形體。 在與本發明有關之透光性陶瓷之製造方法中，理想者為 同時焙燒用組合物係粉末狀態；焙燒步驟係在將未焙燒之 陶瓷成形體埋入同時焙燒用組合物之粉末之狀態下實施 者0 115240.doc ^21555 本發明係更進而適用於包含前述透光性陶瓷之光學零 件’及搭載有此光學零件之光學裝置。 (發明之效果） 依據與本發明有關之透光性陶瓷，由於折射率高達2 〇1 以上，故有利於透鏡等光學零件之小型化。又，依據本發 明之透光性陶瓷，由於阿貝數達30以上之極高值，特別是 作為處理廣波長範圍之可見光之攝像系光學機器，譬如照 相機或攝影機等機器的透鏡材使用，則在色像差修正或球 面像差修正上有用。 【實施方式】 與本發明有關之透光性陶瓷係以AB〇3所表示之鈣鈦礦 結構者’ A部位元素、B部位元素及氧之莫耳比係接近 1:1:3 。具體而言，係依照需要，以（Sr,Ba，Ca) {(Al，Ga)(Ta，Nb)}〇3系鈣鈦礦化合物取代LaAl〇3系妈欽礦 化合物之化合物》(Sr，Ba，Ca){(Al，Ga)(Ta，Nb)}〇3s(Ai，Ga) 及（Ta，Nb)以接近1:1之莫耳比所構成之複合鈣鈦礦。 本發明之透光性陶瓷之組成式，係以{Lai χ (Sri-a-bBaaCab)x}{(Ali_cGac)i.y(Tai-dNb(j)y}vOw(其中，滿足 〇<x$l ♦ 0<y^0.6 > 0.4^y/x^0.6 » O^a^l > O^b^l OScgl，OgdSl及0.9Sv$l.l之各條件，w係用於保持電 性中性之正數）表示。La、Sr、Ba及Ca係作為舞鈦礦結構 之A部位為主而占據，Al、Ga、Ta及Nb係作為錦鈦礦姓構 之B部位為主而占據。然而，此類元素如為若干量的話， 115240.doc 在無損本發明之目的的範圍内，則存在於結晶外或存在於 其他部位亦可。 又，X係表示A部位中之取代量，y係表示B部位中之取 代量，此兩者為了保持鈣鈦礦結構之電性十性，有必要使 y/χ接近〇.5之值。事實上，當y/x處於〇 4gy/xg〇 6之範圍 外時，則直線穿透率呈未達20。/。，因此並不理想。 同樣的，為了保持妈鈦礦結構，v之值有必要為接近i之 值。當乂處於〇.9SvgL1之範圍外時，則直線穿透率呈未 達20% ’因此並不理想。 再者’如更予以限定’當y/x處於〇 45Sy/xg〇 55之範 圍，且V處於O.MSvShOZ之範圍，進而x處於〇.2gxgi之 範圍之情形時，則直線穿透率為5〇%以上，此為理想狀 態。 又，在與本發明有關之透光性陶瓷中，在無損本發明之 目的之範圍N，如含有在製造上難以避免可能混入之雜質 亦可。就含於作為原料使用之氧化物或碳酸鹽之雜質、於 製作步驟中混入之雜質而言，譬如有：Fe2〇3、ΙΑ、 W03、Bl203、Sb2〇5、p2〇5 及 Cu〇，以及 γ2〇3 等稀土 類元 素氧化物等。 接著，針對與本發明有關之透光性陶瓷之製造方法作說 明。 在製造透光性陶瓷方面，係準備未焙燒之陶瓷成形體， 而其係使陶瓷原料粉末成形為特定形狀而成者；並且，準 備與此陶究原料粉末為實質上相同組成之同時焙燒用組合 115240.doc -9- 物0接著》音1 &如下步驟：在使同時焙燒用組合物與未培 燒之陶竟成形艚垃*〇 接觸的同時，於氧濃度為90體積％以上之 氣體％境中’將未培燒之陶Μ形體予以培燒。 、在上述製造方法中，同時培燒用組合物係指，將原料予 以預燒、粉碎而製得之粉末；而該原料係以與上述陶瓷成 形體成為相同組成方式作調整者。藉由此同時焙燒用組合 物可抑制上述陶宪成形體中之揮發成分在培燒時揮發。因 此，焙燒步驟係以在將未焙燒之陶瓷成形體埋入同時焙燒 用組合物之粉末之狀態下實施為佳。再者，同時焙燒用組 合物並不限定於粉末，如為成形體或焙燒體亦可。 二同時焙燒用組合物係以具有與用於上述陶瓷成形體之陶 瓷原料粉末相同組成者為佳，但如為實質上相同組成即 可。同時焙燒用組合物與用於未焙燒之陶瓷成形體之陶瓷 原料粉末為實質上相同組成係指，含有同一結構元素之同 等之組成系；如非完全同一之組成比率亦可。又同時焙 燒用組合物並非必須具有可賦予透光性之組成不可。 再者’培燒步驟之壓力如為大氣壓或其以下均可。亦 即並無需為HIP(Hot Isostatic Press:熱均壓）等加壓氣體 環境。 又’與本發明有關之透光性陶瓷可使用於透鏡等光學零 件，譬如，可利用於分別在圖1至圖5中所示之雙凸透鏡 W、雙凹透鏡11、凹凸透鏡12、光路長度調整板13及球狀 透鏡14。 又，針對搭載此種光學零件之光學裝置，以光拾取頭為 115240.doc 例作說明。 如圖6所示般，光拾取頭9係針對光碟或小型光碟等記錄 媒體1’照射連貫之光（雷射光8)，從其反射光將記錄於記 錄媒體1之資訊予以再生者。 在此種光拾取頭9中，係設置把來自作為光源之半導體 雷射5的雷射光8變換為平行光之準直透鏡4;在該平行光 之光路上係設置半透鏡3。此半透鏡3係使來自準直透鏡4 之入射光通過並前進’但對於來自記錄媒體1之反射光， 則藉由反射將其前進方向譬如作90度變更者。 又，在光拾取頭9中’係設置用於將來自半透鏡3之入射 光聚光於記錄媒體1之記錄面上的對物透鏡2。又，此對物 透鏡2係用於以良好效率把來自記錄媒體1之反射光傳遞至 半透鏡3者。被射入反射光之半透鏡3係藉由反射而使相位 變化，藉此而變更上述反射光之前進方向。 此外，在光拾取頭9中’係設置用於把變更後之反射光 予以聚光之聚光透鏡6。以及，在反射光之聚光位置，係 設置用於將來自反射光之資訊予以再生之受光元件7。 在包含此種結構之光拾取頭9中，與本發明有關之透光 性陶瓷由於其直線穿透率及F值均高，故有利於使用於譬 如對物透鏡2、半透鏡3、準直透鏡4及聚光透鏡6之各素 材。 此外，就光學裝置之其他例而言，以單眼反射式照相機 用之光學系作說明。 如圖7所示般，作為單眼反射式照相機用之光學系而被 115240.doc 1321555 廣泛使用之高斯型透鏡光學系2〇，係包含7片透鏡21〜27。 尤其，如將與本發明有關之高阿貝數之透光性陶瓷使用於 相互夾著光圈28而配置之透鏡22及透鏡25，則可以良好精 度進行色像差修正。 接著，依據實驗例，針對與本發明有關之透光性陶瓷作 說明。 [實驗例1] 就原料而言’係準備各為高純度之La(〇H)3、BaCC)3、& C03、CaC03、Al2〇3、Ta2〇5 及 Nb2〇5之各粉末。接著，將 各原料粉末秤量，以球磨機進行2〇小時之濕式混合，以製 得如表1及表2所示之各試樣；而該各試樣係以通式： {Lab^SrLbBaaCabUKAlbcGacV/TabdNbdWvOW其中， w係用於保持電性中性之正數）所表示者。在將此混合物乾 燥後，以13 00°C進行3小時預燒，而製得預燒粉體。在預 燒後，w之值係約成為3。 [表1] 試 樣 編 號 X a 「- b y C d y/x V 1 0.05 0.0 0.0 0.025 0 0 0.505 1.000 2 0.10 0.0 0.0 0.051 0 0 0.505 1.000 3 0.15 0.0 0.0 0.076 0 0 0.505 1.000 4 0.20 0.0 0.0 0.101 0 0 0.505 1.000 5 0.25 0.0 0.0 0.126 0 0 0.505 1.000 6 0.30 0.0 0.0 0.152. 0 0 0.505 1.000 7 0.35 0.0 0.0 0.177 0 0 0.505 1.000 8 0.40 0.0 0.0 0.202 0 0 0.505 1.000 9 0.40 0.1 0.0 0.202 0 0 0.505 1.000 115240.doc -12- 1321555

10 0.40 0.0 0.1 0.202 0 0 0.505 1.000 11 0.40 0.0 0.0 0.202 0 0.1 0.505 1.000 12 0.50 0.0 0.0 0.253 0 0 0.505 1.000 13 0.60 0.0 0.0 0.303 0 0 0.505 1.000 14 0.70 0.0 0.0 0.354 0 0 0.505 1.000 15 0.80 0.0 0.0 0.404 0 0 0.505 1.000 16 0.85 0.0 0.0 0.429 0 0 0.505 1.000 17 0.90 0.0 0.0 0.455 0 0 0.505 1.000 18 1.00 0.0 0.0 0.505 0 0 0.505 1.000 19 1.00 0.0 0.0 0.550 0 0 0.55 1.000 20 1.00 0.0 0.0 0.580 0 0 0.58 1.000 21 1.00 0.0 0.0 0.600 0 0 0.6 1.000 22 1.00 0.0 0.0 0.620 0 0 0.62 1.000 23 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.508 0.894 24 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.508 0.903 25 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.489 0.947 26 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.483 0.958 27 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.491 0.969 28 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.506 0.969 29 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.512 0.977 30 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.486 0.980 31 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.5 0.980 32 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.507 0.980 33 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.488 0.984 34 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.504 0.986 35 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.512 0.986 36 0.41 0.0 0.0 0.199 0 0 0.488 0.988 37 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.491 0.988 38 0.41 0.0 0.0 0.201 0 0 0.493 0.988 39 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.506 0.988 40 0.40 0.0 0.0 0.160 0 0 0.395 0.992 41 0.40 0.0 0.0 0.164 0 0 0.405 0.992 42 0.40 0.0 0.0 0.168 0 0 0.415 0.992 43 0.40 0.0 0.0 0.180 0 0 0.445 0.992 115240.doc 13- 1321555

[表2] 試 樣 編 號 X a b y c d y/x V 44 0.40 0.0 0.0 0.188 0 0 0.464 0.992 45 0.40 0.0 0.0 0.198 0 0 0.489 0.992 46 0.40 0.0 0.0 0.199 0 0 0.491 0.992 47 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.494 0.992 48 0.40 0.0 0.0 0.201 0 0 0.496 0.992 49 0.40 0.0 0.0 0.202 0 0 0.499 0.992 50 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.501 0.992 51 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.509 0.992 52 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.517 0.992 53 0.38 0.0 0.0 0.200 0 0 0.525 0.992 54 0.40 0.0 0.0 0.220 0 0 0.544 0.992 55 0.40 0.0 0.0 0.224 0 0 0.553 0.992 56 0.40 0.0 0.0 0.240 0 0 0.593 0.992 57 0.40 0.0 0.0 0.244 0 0 0.603 0.992 58 0.40 0.0 0.0 0.199 0 0 0.494 0.996 59 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.497 0.996 60 0.40 0.0 0.0 0.201 0 0 0.499 0.996 61 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.506 0.998 62 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.514 0.998 63 0.40 0.0 0.0 0.198 0 0 0.495 1.000 64 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.5 1.000 65 0.41 0.0 0.0 0.200 0 0 0.488 1.004 66 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.503 1.004 67 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.519 1.004 68 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.506 1.008 69 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.494 1.012 70 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.497 1.016 71 0.39 0.0 0.0 0.200 0 0 0.513 1.016 72 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.506 1.029 73 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.5 1.503 74 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.5 1.087 75 0.40 0.0 0.0 0.200 0 0 0.5 1.111 76 0.40 0.5 0.0 0.202 0 0 0.499 0.992 77 0.40 1.0 0.0 0.202 0 0 0.499 0.992 78 0.40 0.0 0.5 0.202 0 0 0.499 0.992 79 0.40 0.0 1.0 0.202 0 0 0.499 0.992 115240.doc -14- 80 0.40 0.0 0.0 0.202 0 0.5 0.499 0 992 81 0.40 0.0 0.0 0.202 0 1 0.499 0 992 82 0.39 0.0 0.0 0.200 0.1 0 0.509 0 992 83 0.39 0.0 0.0 0.200 0.2 0 0.509 0 992 84 0.39 0.0 0.0 0.200 0.5 0 0.509 〇 992 S5 0.39 0.0 0.0 0.200 1 0 0.509 0.992 接著’將上述預燒粉體與水及有機接合劑一起置入球磨 1321555 機之中，進行16小時之濕式粉碎。在有機接合劑方面係使 用乙基纖維素。 接著’在使上述粉碎物乾燥後’使之通過5〇網目之網 (篩）進行造粒，將所製得之粉末，以196 MPa之壓力按壓 作加壓成形，藉此而形成直徑30 mm及厚度2 mm之圓板狀 之未焙燒之陶瓷成形體。 接著，將上述未焙燒之陶瓷成形體埋入與其中所含之陶 究原料粉末為相同組成之粉末中。將此已被埋入之成形體 置入培燒爐，在大氣壓環境中予以加熱，實施脫接合劑處 理。然後’在昇溫的同時將氧注入爐内，於最高溫度 1600〜1700°C下，使焙燒氣體環境中之氧濃度上昇至約98 體積％。在此，在最高溫度方面’係依據材料組成適當選 擇最適當溫度’譬如，試樣8之情形係16751：。維持此焙 燒溫度及氧濃度，將成形物作20小時焙燒而製得焙燒趙。 再者，焙燒時之全壓係設為1氣壓。 將以上述方式所製得之焙燒體施予鏡面加工，而形成完 成後厚度0.4 mm之圓板狀之透光性陶瓷之試樣β 針對上述試樣之各個’測定在可見光區域（更具體而 言’在波長λ為633 nm)之直線穿透率及折射率。在直線穿 115240.doc 1321555 透率之測定上，係使用島津製作所製分光光度計（uv_ 2500)。在折射率之測定上，係使該咖_公司製分光麵 合器（MODEL2010)。 此外，以分光輕合器測定405 nm、532 nm、謂舰之折 射率，使用此3波長之折射率之值， 卞心徂以波長與折射率之關 係式（式1)异出常數A、B及C，以灰屮*士且* Μ水出波長與折射率之關 係。 式 1:η=Α/λ4+Β/λ2+0：(η為折射率、；Ε

耵午人為波長、A、Β及c為 常數） 從此式求出在阿貝數㈤|出上所需之於3波長（F線； 486.13 nm、_;587.56 nm656.27 nm^_ 率，以從阿貝數之定義式（式2)將阿貝數予以算出。 式 2:vd=(nd-i)/(nF_nc) (nd、nF、及〜分別為d線、F線及c線之折射率） 以上述方式所求出之直線穿透率、 斫射率、阿貝數之測

定結果’係如表3及表4所示。 115240.doc 16 1321555

[表3] 試樣 直線穿透率 折射率 阿貝數 編號 (%) nd Vd 1 25.0 2.059 43.6 2 38.0 2.057 42.9 3 42.3 2.054 42.2 4 53.8 2.051 41.4 5 59.1 2.049 40.8 6 65.8 2.047 40.0 7 67.7 2.045 39.4 8 70.9 2.043 38.8 9 53.2 2.044 38.8 10 59.5 2.042 38.8 11 71.3 2.045 38.2 12 73.2 2.039 37.8 13 73.5 2.033 36.2 14 72.8 2.029 34.8 15 73.0 2.024 33.5 16 71.5 2.022 32.8 17 70.1 2.020 32.1 18 68.5 2.015 30.8 19 59.5 2.017 30.8 20 43.2 2.018 30.8 21 27.2 2.019 30.8 22 7.2 2.019 30.8 23 3.5 2.041 38.8 24 21.5 2.041 38.8 25 36.4 2.041 38.7 26 51.7 2.041 38.7 27 55.8 2.041 38.4 28 54.4 2.044 28.3 29 51.8 2.043 38.2 30 59.4 2.042 38.0 31 65.2 2.043 38.6 32 54.8 2.043 38.7 33 63.3 2.042 38.9 34 62.3 2.042 38.8 35 61.5 2.043 38.9 36 68.5 2.042 39.2 37 69.6 2.042 38.9 38 71.8 2.042 39.0 115240.doc -17- 1321555

39 70.9 2.043 38.8 40 3.8 2.041 39.0 41 21.3 2.041 39.1 42 30.2 2.041 39.1 43 45.5 2.041 39.1 [表4] 試樣 直線穿透率 折射率 阿貝數 編號 (%) nd vd 44 53.0 2.043 39.1 45 69.4 2.042 39.1 46 70.7 2.042 39.1 47 72.7 2.043 38.6 48 73.3 2.042 39.0 49 73.2 2.043 39.1 50 72.8 2.043 39.0 51 73.6 2.043 38.8 52 62.5 2.043 38.9 53 56.0 2.044 39.0 54 50.8 2.043 38.8 55 42.1 2.043 38.8 56 31.5 2.044 38.8 57 17.2 2.044 38.7 58 61.9 2.042 39.1 59 67.2 2.042 38.9 60 66.8 2.042 39.0 61 67.5 2.042 39.0 62 73.4 2.043 39.0 63 67.9 2.042 39.0 64 70.7 2.042 39.0 65 51.4 2.043 38.2 66 60.8 2.043 38.7 67 67.9 2.043 38.6 68 60.9 2.042 38.7 69 55.3 2.041 38.8 70 53.3 2.041 38.8 71 50.4 2.043 38.5 72 30.3 2.042 38.6 73 23.1 2.042 38.6 74 20.1 2.042 38.6 115240.doc •18- 1321555 75 3.8 2.042 38.6 76 32.5 2.045 38.8 77 20.2 2.046 38.8 78 48.2 2.043 38.7 79 23.1 2.044 38.7 80 65.3 2.048 36.5 81 58.2 2.051 34.2 82 71.8 2.044 38.8 83 69.5 2.045 38.7 84 52.5 2.049 38.6 85 27.2 2.050 38.5 如為表1及表2所示之滿足0<χ$1，0<yS0.6，

〇.4Sy/x$〇.6，osd，OgbSl，OScgl，O^dgl 及 〇·9 Svg l.l之各條件的本發明之範圍内的試樣i〜21、 24〜39、41〜5 6及5 8〜74及76〜85 ’則如表3及表4所示般，折 射率nd為2.01以上、阿貝數…為30以上。又，直線穿透率 為2 0 %以上。

尤其’由於試樣4〜19、26~39、44〜54 ' 58〜71及80〜84更 滿足 0·2$χ$ΐ.〇 ，〇.45Sy/x^0.55 ，0.95^ν^1.02 « OSaSO.l，osbgo 1及〇$。$〇.5之各條件，故獲得直線穿 透率為50%以上之高值。 相對的，試樣22、23、40、57及75係y/x超出0.4〜0_6之 範圍或v超出〇.9〜1·1之範圍，因此直線穿透率未達20%。 [實驗例2] 接著’針對表1所示試樣8，測定於λ=5 87.562 nm(d線）之 TE模式及TM模式上之折射率…，得知兩者均為2 〇43且未 產生複折射》 以上’使本發明關聯於實驗例而作了具體說明，但本發 明之實施樣態並不受限於上述實驗例般之樣態。譬如’原 115240.doc •19· 料之形態並不限於氧化物或碳酸鹽、氫氧化物，如為於作 為培燒體之階段可製得所期望之特性之原料，則何種形態 均可。又，在焙燒氣體環境方面’上述實驗例之約98體積 %之氧濃度之值，係在所使用之實驗設備之條件下之最理 想者。因此，並不限於約98體積％，只要能確保約9〇體積 %以上之氧濃度，可知可獲得含有所期望之特性的焙燒 體。 【圖式簡單說明】 圖1係使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光學零 件之作為第1例之雙凸透鏡10之剖面圖。 圖2係使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光學零 件之作為第2例之雙凹透鏡11之刮面圖。 圖3係使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光學零 件之作為第3例之凹凸透鏡12之剖面圖。 圖4係使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光學零 件之作為第4例之光路長度調整板13之剖面圖。 圖5係使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光學零 件之作為第5例之球狀透鏡14之剖面圖。 圖6係搭載使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光 學零件之作為光學裝置之一例之光拾取頭9之圖解正面 圖。 圖7係搭載使用與本發明有關之透光性陶瓷而構成之光 學零件之作為光學裝置之一例之高斯型透鏡光學系20之圖 解側面圖。 115240.doc •20- 1321555

【主要元件符號說明】 1 記錄媒體 2 對物透鏡 3 半透鏡 4 準直透鏡 5 半導體雷射 6 聚光透鏡 7 受光元件 8 雷射光 9 光拾取頭 10 雙凸透鏡 11 雙凹透鏡 12 凹凸透鏡 13 光路長度調整板 14 球狀透鏡 20 高斯型透鏡光學系 21 〜27 透鏡 115240.doc •21 -

Claims (1)

1321555 十、申請專利範圍： 1 · 一種透光性陶瓷’其係以如下組成之鈣鈦礦型化合物為 主成分者：以通式：{La“x(Sri abBaaCab)x}{(Ali cGac)i y (TauNDylvOw(其中’滿足 〇<d ，〇〈yg〇 6， 0.4^y/x^0.6 > O^a^l , 〇^b^l , O^c^l > 0.9Sv^l_l之各條件，w係用於保持電性中性之正數）所 表示。 2. 如請求項1之透光性陶瓷，其中 前述y/x在0.45$y/xg〇.55之範圍；前述v在 0.95SvS1.02之範圍；且前述範圍。 3. 如請求項I或2之透光性陶瓷，其中 波長633 nm之可見光之試樣厚度〇4 mm的直線穿透率 為20%以上。

5·

如請求項1或2之透光性陶瓷，其中係多晶體。 一種透光性陶究之製造方法，其係製造如請求項15戈2之 透光性陶瓷之方法，且包含如下步驟： 其係將陶瓷原料粉末成形 準備未焙燒之陶瓷成形體 為特定形狀而成者； 同組成之同時焙燒 準備與前述陶瓷原料粉末實質上相 用組合物；及 形體桩銪 ^Λ百您〈阄瓷成 面於氧濃度為90體積。/。以上 中，培燒前述未料之㈣成形^ 乳體環境 6·如請求項5之透光性陶瓷之製造方法 丹τ則；4同時培 115240.doc 1321555 燒用組合物係粉末狀態；前述焙燒步驟係在將前述未焙 燒之陶瓷成形體埋入前述同時焙燒用組合物之粉末的^ 態下實施者。 7. 一種光學零件 者。 其係包含如請求項1或2之it光性陶瓷 其係搭載有 8· —種光學裝置 〇

115240.doc