JP2003055098A - 窒化ガリウム結晶育成用材料、窒化ガリウム結晶の製造方法、窒化ガリウム結晶および積層体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】均質で高品質の窒化ガリウム結晶を成長させる
のに適した、育成用材料を提供する。 【解決手段】窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長さ
せるための育成用材料が、組成式〔Ａ_１−ｙ（Ｓｒ
_１−ｘＢａ_ｘ）_ｙ〕〔（Ａｌ_１−ｚＧａ_ｚ）_１−ｕ・Ｄ
_ｕ〕Ｏ_３（Ａは、希土類元素である；Ｄは、ニオブおよ
びタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であ
る；ｙ＝０．３〜０．９８；ｘ＝０〜１；ｚ＝０〜１；
ｕ＝０．１５〜０．４９；ｘ＋ｚ＝０．１〜２）の立方
晶系のペロブスカイト構造複合酸化物を基本組成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム結晶
を育成するための育成用材料、特に育成用基板に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】窒化ガリウム薄膜結晶は、優れた青色発
光素子として注目を集めており、発光ダイオードにおい
て実用化され、光ピックアップ用の青紫色半導体レーザ
ー素子としても期待されている。窒化ガリウム結晶をエ
ピタキシャル成長させるための育成用基板の材質として
は、サファイア、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＬｉＡｌＯ
_３、ＬｉＧａＯ_３に加えて、ＬａＡｌＯ_３，ＬａＧａＯ
_３，ＮｄＧａＯ_３等のペロブスカイト型複合酸化物が検
討されてきた。

【０００３】特に、「ＧａＮ薄膜結晶用基板材料として
の（ＲＥ，Ｓｒ）（Ａｌ，Ｔａ）Ｏ_３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｎ
ｄ）単結晶の作製」（第４４回人工結晶討論会講演要旨
集第１９頁、１９９９年１１月９日発行）および「Grow
th and Characterization of (La, Sr) (Al, Ta) O3 si
ngle crystals as substrates for GaN epitaxial grow
th」（Journal of Crystal Growth １９４、第２０９
頁、１９９８年１１月１５日発行日）においては、（Ｌ
ａ・Ｓｒ）（Ａｌ・Ｔａ）Ｏ_３単結晶上にＧａＮ薄膜結
晶をエピタキシャル成長させている。具体的には、（Ｌ
ａ・Ｓｒ）（Ａｌ・Ｔａ）Ｏ３ 単結晶をチョクラルス
キー法によって育成し、単結晶基板を得ている。そし
て、ＧａＮ結晶の格子定数を３．１６〜３．１９オング
ストロームとしたときに、この単結晶とＧａＮ単結晶と
の格子定数の相違が、０．０４〜１．０１％と非常に小
さい値をとるものと考察している。更に、この単結晶基
板上にＧａＮ結晶をＨＶＰＥ法を用いて育成し、厚さ３
００μｍの透明な厚膜結晶を得ている。また、冷却過程
において基板が破砕し、ＧａＮ膜結晶にクラックが発生
することがあると記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、高品質で均質
なＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させるという最終目
的から見ると、未だ最適な基板組成が得られていない。
例えば（Ｌａ_０．３Ｓｒ_０．７）（Ａｌ_０．６５Ｔａ
_０．３５）Ｏ_３の組成の場合には、この複合酸化物の立
方晶（１１１）面と窒化ガリウムの六方晶（０００１）
面との格子定数を比較すると、複合酸化物の方が約１．
５％小さい値である。サファイア基板の場合には格子定
数差が１０％以上に及ぶため、サファイア基板に比べる
と、格子不整合は大幅に改善されている。しかし、（Ｌ
ａ_{０． ３}Ｓｒ_０．７）（Ａｌ_０．６５Ｔａ_０．３５）Ｏ
_３の組成の基板上に窒化ガリウム結晶を育成した場合に
も、窒化ガリウム結晶中の転位密度は、１０^９のレベル
であり、サファイア基板を使用した場合と同等であるこ
とが分かった。また、育成後の窒化ガリウムエピタキシ
ャル結晶にクラックが入り易く、大型のエピタキシャル
結晶が得られないという問題があり、量産に向かない。

【０００５】本発明の課題は、均質で高品質の窒化ガリ
ウム結晶を成長させるのに適した育成用材料を提供する
ことである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、窒化ガリウム
結晶をエピタキシャル成長させるための育成用材料であ
って、組成式〔Ａ_１−ｙ（Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘ）_ｙ〕
〔（Ａｌ_１−ｚＧａ_ｚ）_１−ｕ・Ｄ_ｕ〕Ｏ_３（Ａは、希
土類元素である；Ｄは、ニオブおよびタンタルからなる
群より選ばれた一種以上の元素である；ｙ＝０．３〜
０．９８；ｘ＝０〜１；ｚ＝０〜１；ｕ＝０．１５〜
０．４９；ｘ＋ｚ＝０．１〜２）の立方晶系のペロブス
カイト構造複合酸化物を基本組成とすることを特徴とす
る、窒化ガリウム結晶育成用材料に係るものである。

【０００７】また、本発明は、前記材料上に窒化ガリウ
ム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする、
窒化ガリウム結晶の製造方法に係るものである。

【０００８】また、本発明は、前記材料上にエピタキシ
ャル成長したことを特徴とする、窒化ガリウム結晶に係
るものである。

【０００９】また、本発明は、前記材料と、この材料上
に形成された窒化ガリウム結晶とを備えていることを特
徴とする、積層体に係るものである。

【００１０】以下、本発明を更に詳細に説明する。前述
の文献には、（ＲＥ・Ｓｒ）（Ａｌ・Ｔａ）Ｏ_３を基本
骨格とした混晶ペロブスカイト型化合物が、窒化ガリウ
ム結晶のエピタキシャル成長用の基板として開示されて
いる（ＲＥはＬａまたはＮｄである）。このような化合
物ばＬａＡｌＯ_３のＬａ（Ａサイト）の一部をＳｒで置
換し、Ａｌ（Ｂサイト）の一部をＴａで置換することに
よって得られる。ここで、酸化数の関係で、Ｓｒ置換量
は、Ｔａ置換量の２倍となる。例えば、ＴａによるＡｌ
の置換割合が０．３５（３５原子％）である場合には、
（Ｌａ_０．３Ｓｒ_０．７）（Ａｌ_０．６５Ｔ
ａ_０．３５）Ｏ_３の組成となる。この様な関係は、Ａサ
イトが他の希土類元素の場合でも基本的には同等であ
る。例えば、（Ｎｄ_０．４Ｓｒ_０．６）（Ａｌ_０．７Ｔ
ａ_０．３）Ｏ３を基本組成として結晶が育成されてい
る。またＢサイトをＮｂとした場合は、（Ｎｄ_０．１４
Ｓｒ_{０ ．８６}）（Ａｌ_０．５７Ｎｂ_０．４３）Ｏ_０．３
の組成が育成されている。

【００１１】ここで、本発明者は、（Ａ・Ｓｒ）（Ａｌ
・Ｂ）Ｏ_３（Ａは希土類元素、典型的にはＬａおよび／
またはＮｄであり、ＢはＮｂまたはＴａである）を基本
組成とした混晶ペロブスカイト型化合物において、Ｓｒ
（Ａサイト）の少なくとも一部を、イオン半径が大きい
Ｂａに置換することを想到した。また、Ａｌ（Ｂサイ
ト）の少なくとも一部をＧａに置換することを想到し
た。これによって、ペロブスカイト構造を維持したま
ま、窒化ガリウムとの格子不整合を低減することに成功
した。

【００１２】ここで上記の元素置換によるペロブスカイ
ト基本骨格の格子定数に与える影響を考える。Ａサイト
においては、Ｌａのイオン半径が大きいことから、別の
元素による置換によって格子定数を増加させることは難
しい。Ｂサイトを占めるＮｂとＴａとの間では、置換に
よる効果は小さい。そこで、Ｓｒサイトを、Ｓｒよりも
イオン半径が１０％以上大きいＢａに置換することを想
到した。これによって格子定数として最大約２％の増加
効果を期待できる。また、同様にＡｌサイトをＧａに置
換することにより、格子定数の増大効果が得られるはず
である。

【００１３】本発明者は、具体的には、図１に示すよう
な格子定数の実測と予測とを実行した。図１において、
「ＧａＮ」は、ＧａＮの（０００１）面の格子定数の実
測値であり、約３．９１オングストロームである。「Ｌ
ＳＡＴ実測値」は、Ｌａ_０．３Ｓｒ_０．７Ａｌ_０．６５
Ｔａ_０．３５の組成の結晶の（１１１）面の格子パラメ
ータであるが、約３．８６オングストロームである。こ
こで、格子パラメータは、ＬＳＡＴ結晶の格子定数の１
／√６の値となる。「ＬＳＧＮ実測値」は、Ｌａ
_{０．１１９}Ｓｒ_{０．８９１}Ｇａ_{０．５４８}Ｎｂ
_{０．４２９}の組成の結晶の格子定数であるが、約
３．９３オングストロームである。このように、Ｌ
ａ−Ｓｒ−Ｇａ−Ｎｂ系の組成の格子定数は、Ｌａ−Ｓ
ｒ−Ａｌ−Ｔａ系組成の格子定数に比べて、ＧａＮの格
子定数に近づいている。

【００１４】また、図１のグラフにおいて下方には、Ｌ
ａ_０．３Ｓｒ_０．７Ａｌ _０．６５Ｔａ_０．３５の組成に
おいて、ＴａをＮｂによって置換した場合の格子定数の
予測値を示してある。Ｔａに対するＮｂの置換割合を増
大させた場合には、格子定数には大きい変化はなく、ほ
ぼ横ばいであることが予測されている。

【００１５】また、図１のグラフには、Ｌａ_０．３Ｓｒ
_０．７Ａｌ_０．６５Ｔａ _０．３５の組成において、Ｓｒ
をＢａによって置換した場合の格子定数の予測値を示し
てある。この場合には、ＢａによるＳｒの置換割合が増
加するのにつれて、複合酸化物の格子定数が増加する傾
向があり、ＧａＮの格子定数に接近することを予測し
た。また、この計算値は、実測値と０．０２オングスト
ロームのずれがあることもわかる。

【００１６】本発明者は、こうした材料からなる基板上
に実際に窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長させる
ことによって、大きい面積で、マクロ欠陥のない窒化ガ
リウムエピタキシャル結晶を育成できることを見いだし
た。この結晶の転移密度は１０３ 以下の水準に抑制す
ることが可能であった。

【００１７】Ａは、希土類元素である。希土類元素は、
スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プ
ラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユ
ーロピウム、ガドリウム、テルビウム、ジスプロシウ
ム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウ
ム、ルテチウムの十七元素を言う。この中で、ランタ
ン、セリウム、ネオジムが好ましく、ランタン、ネオジ
ムが特に好ましい。また、Ａに、二種類以上の希土類元
素が包含されていてよい。

【００１８】Ｄは、ニオブおよびタンタルからなる群よ
り選ばれた一種以上の元素である。Ｄは、ニオブのみで
もよく、タンタルのみでもよく、ニオブとタンタルとの
双方を含んでいて良い。ニオブとタンタルとの両者が含
まれている場合には、ニオブとタンタルとの原子数比率
は特に限定されない。

【００１９】ｙは、Ａサイトにおいて、ＳｒやＢａによ
るＡの置換割合を示す値であり、０．３〜０．９８であ
る。本発明の効果を達成する上で、ｙは、０．５以上で
あることが更に好ましく、０．９４以下であることが更
に好ましい。

【００２０】ｕは、Ｂサイトにおいて、ニオブおよび／
またはタンタルによるＡｌやＧａの置換割合を示す数値
であり、０．１５〜０．４９である。本発明の目的を達
成する上で、ｕは、０．２５以上であることが更に好ま
しく、０．４７以下であることが更に好ましい。

【００２１】ｘは、ＢａによるＳｒの置換割合を示す数
値であり、ｚは、ＧａによるＡｌの置換割合を示す数値
である。本発明においては、複合酸化物の（１１１）面
の格子パラメータを窒化ガリウム結晶の（０００１）面
の格子パラメータに近づけるという観点から、ｘとｚと
の総和を０．３以上とすることが更に好ましく、１以下
とすることが更に好ましい。

【００２２】また、ＢａによってＳｒが置換されている
場合（ｘが０より大きい場合）には、ｚは０であってよ
い（Ｇａを含有していなくともよい）。この場合には、
ｘは０．４以上であることが好ましく、０．６以上であ
ることが更に好ましい。また、ｘは、０．８以下である
ことが更に好ましい。

【００２３】ＧａによってＡｌが置換されている場合
（ｚが０より大きい場合）には、ｘは０であってよい
（Ｂａを含有していなくともよい）。この場合には、ｚ
は０．３以上であることが好ましく、０．５以上である
ことが更に好ましい。また、ｚは、０．７以下であるこ
とが更に好ましい。

【００２４】本発明の育成用材料は、Ｌａ，Ａｌ，Ｔ
ａ、Ｂａ，Ｓｒの各化合物を溶融させることで、チョク
ラルスキー法によって製造可能である。これら金属の化
合物は、酸化物、炭酸塩であることが好ましい。また、
本発明の材料において、原材料に由来する不可避的不純
物や、結晶の格子定数を著しく変化させない程度の不純
物は許容される。

【００２５】本発明の育成用材料の組成は、化学定量分
析やＸ線定量分析によって測定可能である。

【００２６】好適な実施形態においては、室温と、窒化
ガリウムの育成温度との間のいずれかの温度において、
育成用材料と窒化ガリウム結晶との格子定数差を０．３
％以内に制御する。このような精度での格子整合は、従
来実現できていない。これにより、窒化ガリウム結晶の
転位密度が、従来のサファイア基板を使用した場合に比
べて４−６桁減り、１０^３〜１０^５のレベルを実現でき
た。

【００２７】窒化ガリウム結晶の育成温度は特に限定さ
れないが、８００〜１５００℃の温度範囲内であること
が好ましい。この場合には、室温と、８００〜１５００
℃の育成温度との間のいずれかの温度において、育成用
材料と窒化ガリウム結晶との格子定数差を０．３％以内
に制御する。

【００２８】次に、窒化ガリウム結晶の熱膨張係数は６
×１０^{− ６}／℃であり、本発明の育成用材料の熱膨張
係数は１０×１０^{− ６} ／℃程度である。このため、
例えば、窒化ガリウム結晶と育成用材料との間の格子定
数差が、室温において０％であった場合には、育成温度
１０００℃では、育成用材料の格子定数が、窒化ガリウ
ム結晶の格子定数よりも約０．４％大きくなる。従っ
て、高温での結晶育成を行う場合には、室温での格子定
数差と、高温での格子定数差とを考慮する必要があり、
即ち育成用材料と窒化ガリウムとの熱膨張差を考慮する
ことが望ましい。

【００２９】特に、良質の結晶を得る上で、育成温度に
おける窒化ガリウム結晶と本発明材料との格子定数差が
小さいことが好ましく、０．３％以下であることが特に
好ましい。この場合には、室温における格子定数差は、
育成温度における格子定数差に比べて大きくなる。な
お、室温においては、窒化ガリウム結晶にクラックなど
の欠陥が生成しない程度に、室温における両者の格子定
数差を小さくすることが好ましい。

【００３０】格子定数は、Ｘ線回折装置（フィリップス
社製ＭＲＤ回折計）によって測定する。

【００３１】窒化ガリウム結晶のエピタキシャル成長方
法は限定されず、次の方法を例示できる。 （１）超高圧法： ０．７〜１．３ＧＰａの超高圧窒
素雰囲気中で、１４００〜１５５０℃のＧａ融液中で結
晶を育成する。 （２）Ｎａフラックス法： ３〜１０ＭＰａの高圧
窒素雰囲気下で、６００〜８００℃のＮａ−Ｇａ融液中
で結晶を育成する。 （３）ＨＶＰＥ法：金属ガリウムを原料とし、８００〜
１１００℃でアンモニア、塩化水素、窒素の混合ガスを
流して基板上に窒化ガリウムを成膜する。

【００３２】上記したいずれの成膜方法においても、格
子定数マッチングの効果は顕著であり、直径２０ｍｍ以
上の酸化物基板の上にクラックフリーで窒化ガリウムエ
ピタキシャル結晶が育成できた。

【００３３】

【実施例】（実施例１）Ｌａ，Ａｌ，Ｔａの酸化物とＢ
ａ，Ｓｒの炭酸塩を出発原料として、チョコラルスキー
法により、イリジウムルツボから、約２０００℃で単結
晶を育成した。直径６０ｍｍ、長さ６０ｍｍの円柱形状
の単結晶バルク体を＜１１１＞方位で育成し、このバル
ク体から、直径５５ｍｍ、厚さ１ｍｍのウエハーを５０
枚切り出した。育成されたウエハーの結晶組成は（Ｌａ
_０．３Ｓｒ_０．４Ｂａ_０．３）（Ａｌ_０．６５Ｔａ
_０．３５）Ｏ_３であった。

【００３４】このウエハーを高圧容器内部にセットし、
超高圧法により、窒化ガリウム単結晶をエピタキシャル
成長させた。窒素雰囲気圧は１ＧＰａとし、Ｇａ融液の
温度は約１５００℃とした。この結果、平均で６００μ
ｍ厚さのエピタキシャル膜を育成できた。ウエハーは、
５０枚とも、クラック等のマクロ欠陥が全く無い状態で
容器から取り出すことができた。得られた各積層体か
ら、それぞれ複合酸化物を平面研削加工により除去し、
外周研削加工を施した。この結果、得られた窒化ガリウ
ム基板は、直径５０ｍｍ、厚さ５００μｍであり、その
基板特性を評価したところ、転位密度が１０^４以下であ
ることを確認した。

【００３５】（比較例１）従来組成である（Ｌａ_０．３
Ｓｒ_０．７）（Ａｌ_０．６５Ｔａ_０．３５）Ｏ_３を基板
とし、実施例１と同様に窒化ガリウム結晶をエピタキシ
ャル成長させた。この結果、取り出しにはすべての基板
が１０ｍｍサイズの形状に割れていた。また、窒化ガリ
ウム基板の特性を評価したところ、転位密度が１０^９程
度であることを確認した。

【００３６】（実施例２）実施例１と出発組成を変え、
（Ｌａ_０．３Ｓｒ_０．２Ｂａ_０．５）（Ａｌ_{０． ６５}Ｔ
ａ_０．３５）Ｏ_３の基板を育成した。この基板を容器内
部にセットし、Ｎａフラックス法により窒化ガリウム単
結晶をエピタキシャル成長させた。Ｎａ−Ｇａ融液の温
度は７５０℃とした。この結果、平均で６５０μｍ厚さ
のエピタキシャル膜を育成できた。基板は、５０枚と
も、クラック等のマクロ欠陥も全く無い状態で容器から
取り出すことができた。実施例１と同様に加工した。得
られた窒化ガリウム基板は、直径５０ｍｍ、厚さ５００
μｍであり、その基板特性を評価したところ、転位密度
が１０^４以下であることを確認した。

【００３７】（比較例２）従来組成である（Ｌａ_０．３
Ｓｒ_０．７）（Ａｌ_０．６５Ｔａ_０．３５）Ｏ_３を基板
として、実施例２と同様にエピタキシャル成長させたと
ころ、取りだし時にはすべての基板が１０ｍｍサイズの
形状に割れていた。またこの基板の特性を評価したとこ
ろ、転位密度が１０^１０程度であることを確認した。

【００３８】（実施例３）実施例１と出発組成を変え、
（Ｎｄ_０．１Ｓｒ_０．９）（Ａｌ_０．３Ｇａ_{０． ３５}Ｎ
ｂ_０．４５）Ｏ_３の基板を育成した。この基板をチャン
バ内部にセットし、ＨＶＰＥ法により窒化ガリウム単結
晶をエピタキシャル成長させた。この結果、平均で８０
０μｍ厚さのエピタキシャル膜を育成できた。基板は、
５０枚とも、クラック等のマクロ欠陥も全く無い状態で
容器から取り出すことができた。実施例１と同様に加工
した。得られた窒化ガリウム基板は、直径５０ｍｍ、厚
さ６００μｍであり、その基板特性を評価したところ、
転位密度が１０^５以下であることを確認した。

【００３９】（比較例３）従来組成である（Ｎｄ
_０．１４Ｓｒ_０．８６）（Ａｌ_０．５７Ｎｂ_０．４３）
Ｏ_３を基板として、実施例３と同様にエピタキシャル成
長させた。取りだし時には、すべての基板が、１０ｍｍ
サイズの形状に割れていた。またこの基板の特性を評価
したところ、転位密度が１０^９程度であることを確認し
た。

【００４０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、均
質で高品質の窒化ガリウム結晶を成長させるのに適し
た、育成用材料を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】各材料の格子定数の予測値および実測値を示す
グラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今枝 美能留 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 小田 修 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 AA03 BE15 CC04 EA02 EA03 ED06 FJ03 HA12 LA01 LA05 5F045 AA02 AB14 AC12 AC13 AC15 AD12 AD13 AD14 AD15 BB12 BB13 CA10 CA12 DA63 5F053 AA03 AA50 DD20 FF01 GG01 HH05 LL02 LL03 RR03 RR11

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長さ
   せるための育成用材料であって、組成式〔Ａ_１−ｙ（Ｓ
   ｒ_１−ｘＢａ_ｘ）_ｙ〕〔（Ａｌ_１−ｚＧａ_ｚ）_{１ −ｕ}・
   Ｄ_ｕ〕Ｏ_３（Ａは、希土類元素である；Ｄは、ニオブお
   よびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素で
   ある；ｙ＝０．３〜０．９８；ｘ＝０〜１；ｚ＝０〜
   １；ｕ＝０．１５〜０．４９；ｘ＋ｚ＝０．１〜２）の
   立方晶系のペロブスカイト構造複合酸化物を基本組成と
   することを特徴とする、窒化ガリウム結晶育成用材料。
2. 【請求項２】請求項１記載の材料上に窒化ガリウム結晶
   をエピタキシャル成長させることを特徴とする、窒化ガ
   リウム結晶の製造方法。
3. 【請求項３】組成式〔Ａ_１−ｙ（Ｓｒ_１−ｘＢ
   ａ_ｘ）_ｙ〕〔（Ａｌ_１−ｚＧａ_ｚ）_１−ｕ・Ｄ_ｕ〕Ｏ_３
   （Ａは、希土類元素である；Ｄは、ニオブおよびタンタ
   ルからなる群より選ばれた一種以上の元素である；ｙ＝
   ０．３〜０．９８；ｘ＝０〜１；ｚ＝０〜１；ｕ＝０．
   １５〜０．４９；ｘ＋ｚ＝０．１〜２）の立方晶系のペ
   ロブスカイト構造複合酸化物を基本組成とする育成用材
   料上にエピタキシャル成長したことを特徴とする、窒化
   ガリウム結晶。
4. 【請求項４】組成式〔Ａ_１−ｙ（Ｓｒ_１−ｘＢ
   ａ_ｘ）_ｙ〕〔（Ａｌ_１−ｚＧａ_ｚ）_１−ｕ・Ｄ_ｕ〕Ｏ_３
   （Ａは、希土類元素である；Ｄは、ニオブおよびタンタ
   ルからなる群より選ばれた一種以上の元素である；ｙ＝
   ０．３〜０．９８；ｘ＝０〜１；ｚ＝０〜１；ｕ＝０．
   １５〜０．４９；ｘ＋ｚ＝０．１〜２）の立方晶系のペ
   ロブスカイト構造複合酸化物を基本組成とする育成用材
   料と、この育成用材料上に形成された窒化ガリウム結晶
   とを備えていることを特徴とする、積層体。