TWI332994B - - Google Patents

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1332994 六、發明說明： ’ 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光學薄膜蒸鍍裝置及光學薄膜之製 造方法，尤其關於具備用以對基體照射離子之離子源之光 學薄膜蒸鍍裝置及光學薄膜之製造方法。 【先前技術】 *從以往至♦，已知有於真空容器内面向基板表面蒸發 薄膜材料時，藉由對堆積於基板上之蒸㈣照射離子來進 行緻密化之蒸鍍裝置（即離子賴驗裝置）。於如此之蒸鐘 裝置中，較低能量之離子束（氣體離子）係經離子源照射於基 體，料中和電子（電子）經中和器照射於基板。藉由此構 成，可中和因離子束而蓄積於基板上之電荷中和，同時藉 由離子束之運動能量可製作緻密之光學薄膜(例如專利文獻 1)。 根據專利文獻i所示之技術，如圖7所示，由蒸㈣ 父互地蒸發高折射率物質與低折射率物質並積層之以 ^多層膜所構成之光學薄膜。在分別成膜出高折射率物 或1 ^折射率物質時’藉由從離子源138所照射之氬離子 =氣離子來使㈣於基板114 ^發物f緻密化 精由從中和器140所昭射 了 板保持具等發生帶電。 子來防止基板m或基 之二專Γ獻1所示之技術中係揭示-種在面對基板114 P真空容益底面側配置有蒸鍍源134與離子源138 1332994 之構成之蒸鑛裝置。此種構成之裝置中，4了將膜厚分布 保持-^ ’蒸㈣134與基板保持具（基板114)之距離必須 配合基板保持具之大小而定為一定之比率。因&，在具備 具較大直徑之基板保持具之蒸鑛裝置中，若將蒸鑛源八134 與基板H4配置在適當之距離，則基板保持具與離子源138 之距離便相隔配置，故離子助鍍之效果降低。 為了解決此種問題，有人提案一種藉由將離子源安裝 於較蒸鍍源更接近基板保持具之真空容器之側面位置，來 提高離子助鍵效果、防止成膜效率的降低之技術（參照專利 文獻2〜4)。 專利文獻1 :日本專利特開2007_248828號公報 專利文獻2 :日本專利特開2〇〇〇_129421號公報 專利文獻3 :日本專利特開2〇〇4_13 1783號公報 專利文獻4.日本專利特開2〇〇6_〇45632號公報 【發明内容】

根據上述專利文獻2〜4所姐-> a . 所揭不之技術，係藉由於較蒸 鍍源更接近基板保持且之位署—〜“ # 亏八之位置 '或於較蒸鍍源更接近基板 保持具之位置即真空裳5§夕相丨 令器之側面附近安裝離子源，而可一 定程度地防止離子助鍍效果或雜工姑,· 艰政果或離子鍍（1011 Plating)所致之成 膜效率降低。詳而言之，步诚 。之根據上述專利文獻2〜4所示之技 術’雖可將離子源所照射1 , 子束在保持高能量狀態之下 照射於基板’但更期待獲得較高離子助錄之效果。‘ 另方面就組合向折射率物質與低折射率物質所得 之光學薄膜的一例而言，可舉出遮斷特定波長之光，並使 ▲卜之波長的光穿透之截止濾光片。戴止濾光片等之光學 薄膜方面’穿透光之損失越少且白濁越少則為越良好之光 :薄膜，此膜質之指標係使用反射率與穿透率之和之値 (%)。而-般而言’該値越接近⑽％則為越良好之光學薄 、因此期望種反射率與穿透率之和之値接近1〇〇%， 且如上所述般能確保較高成膜效率之光學薄膜的形成裝

j而上述專利文獻2所揭示之技術方面，基板保 具為平面，故其問題點在於從真空容器側部所具備之離 源所獲得之離子助鑛效果對基板難以均句，而其結果所 之光學薄膜的膜質難以均句。又，專利文獻3及4之基 保持具雖為弯狀，但並未具體揭示關於離子源所照射之 子束相對於所設置之基板之角度等'離子源與基板保持 的位置關係。因此，以專利文獻3及4所揭示之技術雖

會獲得離子助鍍效果，但並未揭示與離子源之安裝位置 關之離子助鑛效果的程度。 因此，以往技術方面，難以獲得較高之離子助鍍效果， 同時難以獲得具有均勻膜質且高光學特性之光學薄膜。 本發明之目的在於提供一種光學薄膜蒸鍍裝置，其係 具備離子源，並且可獲得更高之離子助鍍效果，且膜質岣 勻具有良好之光學特性。 = 又’本發明之另-目的在於提供一種光學薄膜蒸鍍骏 置，其可謀求光學薄膜之製造花費的降低同時製造高 月t* 6 IS] 之光學薄膜，及提供一稀劁、皮4 膜之製造方4。 '、 ^化費低廉且高性能之光學薄 本發明人等為了解決上述課題努力探討之結果，藉由 子所照射之軸線以相對於基體表面之垂直線具有既定 又的方式入射來進行成膜處理，則獲得可得高於以往之 子照射效果此一新穎發現而完成本發明。 上述課題可藉由本發明之光學薄膜蒸鍍裝置獲得解 >、，該光學薄膜蒸鍍裝置係於真空容器内將蒸鍵物質蒸錢 於基體，其特徵在於具備以下構成： 配置於該真空容器内且用以保持該基體之弯型基體保 持手段、 用以使該基體保持手段旋轉之旋轉手段、 設置成面對該基體之蒸鍍手段、 用以對該基體照射離子之離子源、 用以對該基體照射電子之中和器，其中， 該離子源係配置於以下位置：從該離子源照射出離子 之軸線相對於該基體保持手段所保持之基體表面之垂直線 :最：角度為r以上且40。以下之位置，且該基體保持手 又〃旋轉軸中〜之父點與該離子源中心之垂直方向的距離 相對於該基體保持手段之直徑的比為〇 5以上χ i 2以下之 範圍。 如上所述，一種蒸鍍裝置，其係交互蒸鍍高折射率物 質與低折射率物質來形成光學薄膜，且具備以下構成： 用以將基體保持於真空容器内之穹狀基體保持手段、 用以使該基體保持手段旋轉之旋轉手段、 設置成面對該基體之蒸鍍手段、 用以對該基體照射離子之離子源、 用以對該基體照射電子之中和器，其中， 離子源係以從離子源照射出離子之軸線相對於基體保 持手段之旋轉軸線具有既定角度的方式安裝著。 而從離子源照射出離子之軸線相對於基體表面之垂直 線所成之最大角度藉由設計4 8。以上4〇。以下，則與離子 束以大致接近直角之角度碰撞於基體之以往的光學薄膜蒸馨 鍍裝置相比，離子束碰撞時可使剪切方向的應力對於基體 表面作用。亦即，賦予至蒸鍍物質之能量大且使得堆積於 基體表面之蒸鍍物質移動而平滑化、緻密化及使薄膜組織 句勻化之效果向。因此’可以更小電力或更短時間成膜出 均勻膜質之光學薄膜，進一步謀求膜質的改善。 又，如上所述，基體表面之垂直線與離子束之軸線所 成之最大角度若為8°以上且40。以下’則所照射之離子不 會被基體保持手段所遮蔽，故成膜於基體上之薄膜均勻，# 且可獲得膜質良好之光學薄膜。 相對於此，上述角度以外，例如基體表面之垂直線與 離子束之軸線所成之最大角度大於4〇。時，尤其是使用彎曲 之基體保持手段時’離子束會受到基體保持手段所遮蔽， 故所得之光學薄膜的膜質在基體上會變得不均勻。另一方 面基體表面之垂直線與離子束之軸線所成之角度小於8。 時，因為離子源與基板之距離會變遠，故離子助鍍效果會 m 8 1332994 變，故不佳。 再者’離子源之安裝位置藉由配置成基體保持手段與 旋轉轴中心之交點與該離子源中心之垂直方向的距離相對 於該基體保持手段之直徑的比為0 5〜1.2，則離子束不會受 到基體保持手段所遮蔽，易於均勻地照射於基體。其結果， 離子助鍍效果高，且可成膜出具有良好光學特性之光學薄 臈。 因此，藉由將基體表面之垂直線與離子束之軸線所成 之最大角度定為8。以上且40。以下，則即使是使用有凹凸 之基體（例如，凹透鏡等透鏡形狀之基體）時，離子束亦不會 被基體的-部分所遮蔽，故可成為可成膜出良好膜質之光 學薄膜之蒸鍍裝置。 此時，如請求項2所述，較佳為該離子源配置於該真 空容器之側面。 藉由離子源配置於真空容器

之側面，則可將離 ’同時可易於將離子束對基板之入射 大角度。藉由此構成，可將離子束之 且賦予至蒸鑛物質之能量大且可進一 面之蒸鍍物質的清淨化或平滑化、將 果。亦即，可使保持較高能量狀態之 適當之入射角度碰撞，故成膜於基板 成均勻性提升。又，因這樣離子源配 而可保持既定之離子束入射角度 應變之降低。其結果可成為可製造折 1332994 射率變動小（均勻性高）、光吸收係數小之光學元件之光學薄 膜蒸鍍裝置。 又’此時，離子源配置於真空容器之側面且基體表面 之垂直線與離子束的軸線所成之最大角度為上述角度以 外，尤其是大於40。的情況時，其構成便成為離子源配置於 蒸鍍對象即基體附近，故會暴露於飛散之蒸鍍物質而離子 源受到污染。因此，雖然必須要進行頻繁的離子源調整， 但因為在上述角度範圍（8。以上、4〇。以下），則離子源可與 基體相距適當距離來配置，故因蒸鍍物質所致之污染附著 情況少，因此，本發明之光學薄膜蒸鍍裝置其調整簡便。 "又此時，如請求項3所述，該離子源較佳為配置成： 從基板到該離子源為止之距離為從離子源所照射之該離子 的平均自由行程以下。 U此，藉由離子源配置成從基板到離子源 ::離子源所照射之離子的平均自由行程以下，則即j 徑之基板保持具的蒸鑛農置，其從離子源 二=:部分會以無碰撞狀態到達基板，故可將 子上=離子束照射於基板。再者，藉由將離 力或更短時Η η 幾政果大，且可以更低電 薄膜胺哲…仃成臈。進一步可成為可提升所得之光學 溥骐膜質之蒸鍍裝置。 〇付（元子 又，如請求項4所述，該離子 出該離子之離句切、心連接以照射 容器之連接部、用以將至少該離子二離=體與該真空 之原#氧體供給於該真 m 10 /η 該真空導入部；且藉由變更該連接部而可相對 基體表面之垂直線調整照射該離子之角度。 因此’離子源具備設置於真* 的連接邱%上 直於具二合盗與離子源本體之間 安裝自 1 了任忍地調整離子源之 制離子朿的指女裝於真工谷盗之側面，可抑 對成膜區域均句分布，触、成使離子電流密度 控制， ，離子電流密度分布可均勻地

可形成料^ 4鑛物f Μ成膜，且 攻膜貝良好之光學薄膜之蒸鍍裝置。 此時，如請求項5所述，該連 該真处交, 邊連接邛較佳為具有固定於 '工谷益側之支架和以既定角 度之制動構件之構成。 Α該離子源本體傾斜 藉由作成上述構成，離子昭射 須適當變更制動堪杜。二 更時，作業者僅 為作業性良好之光學薄膜賴裝置。子"、、射角度’可成

子泝相隔既：长項6所述’較佳為該中和器設置於與該離 卞雄相隔既定距離之位置。 之位：此目I藉由將中和器配置於與該離子源相隔既定距離 ^不會損失從離子源所照射之離子、^和器所 ^子，且可提供可有效成膜之光學薄膜蒸鑛裝置。 再者，如請求項7所述，較佳爲 持手段之旋轉方向設置減個。〃 4該基體保 保持=轉=!板保持具構成為可旋轉且離子源沿基板 °《置複數個’則可更易於進行照射於基板 1332994 離子束的分布調整，尤其，在 】蒗 隹大虫瘵鍍裝置中可易於調整 照射於基板之離子束的密度分布。 又 述課題，根據請求項8之光學薄膜之製造方法 亦即使用請求項…所記載之光學薄膜蒸鍍裝置來製 作’可獲得解決。 因此藉由使用请求項1至7之光學薄膜蒸鍍裝置， 可製造均勻膜厚且具有優異光學特性之光學薄膜。 根據請求項i之光學薄膜蒸鐘裝置，賦予至蒸鑛物質

之能量較大，且使堆積於基板表面之蒸鍍物質移動並使之 平滑化、緻密化及薄膜組織均勻化之效果高，可有效地謀 求膜質之改善。 根據請求項2之光學薄膜蒸锻裝置，可適度地保持離 子束對基板之入射角度，且可有效提升成膜於基板之薄膜 組織的均勻性。 根據請求項3之光學薄膜蒸鍍裝置，因為可使保持為 較高能量狀態之離子束碰撞於基板表面，故離子助鍍效果 大，可以較低電力或較短時間進行成膜，有效地謀求膜質 改善。 、 根據請求項4之光學薄膜蒸鍍裝置，可抑制離子束的 知失至最小限度’並且可調整成使離子電流密度對成膜區 域均勻分布。 ' 根據請求項5之光學薄膜蒸鍍裝置，可簡單地變更離 子照射角度。 根據請求項6之光學薄膜蒸鍍裝置，不會損失從離子 [S 1 12 1332994 源所照射之離子或從中和器所照射之電子，可有效率地進 行成膜。 根據請求項7之光學薄膜蒸鍍裝置’可容易地調整照 射於基板之離子束的分布。 根據請求項8之光學薄膜之製造方法，製造花費較低 廉且可製造具有優異特性之光學薄膜。 【實施方式】 以下參照圖式說明本發明之實施形態。又，以下所說 月之構件、配置等係本發明具體化之一例，本發明並不受 限於此’當然可依據本發明之主旨進行各種改變。 圖1係表示本發明之一實施形態之光學薄膜蒸鍍裝置i 的不意剖面圖。光學薄膜蒸鍍裝置1係從離子源38照射離 子束（氣體離子）至基板同時可進行成膜處理之離子助鍍蒸 鍍裝置，直立圓筒狀之真空容器1〇的内部上方係保持有作 為基體保持手段之基板保持具12。真空容器1〇内部之下方 係配置有作為蒸鍍手段之蒸鍍源34。又，離子源38及中和 器40係配置於真空容器10内部之侧面。 一真空容器10之内側係經由未圖示之排氣手段排氣至既 疋之墨力（例如3xl〇-2〜1〇-4pa左右）。 4乍為基體保掊年段之基妬徭技且1 1 m μ

π 又 < 木圑不之馬達 14係以成膜面朝下之方 旋轉的方式保持； 不鏽鋼製構件， 的輸出軸。複數個作為基體之基板 13 1332994 式支持於基板保持具12之下面。. 士土板14係一種表面經成膜而附著有介電體膜、吸收膜 之樹脂（例如聚醯亞胺）、或者石英等具有透光性之構件。本 實施形態中雖使用圓板狀者作為基板14，但形狀並不限定 於此，只|是可於表面形成薄膜者亦可為例如透鏡形狀' 圓筒狀、圓環狀等其他形狀。 々真空谷益10係周知成膜裝置通常所使用之具有大致圓 筒狀的不鏽鋼製容器，並接地成為接地電位。 真空容器10係設有未圖示之排氣口並且透過排氣口連 接於未圖不之真空泵。又，真空容器10係形成有用以將氣 體導入至内部之氣體導入管（未圖示）。 蒸鍍源34係配置於真空容器1〇内之下側，且藉由電 子束加熱方式將高折射率物質 '低折射率物質加熱並朝基 板14放出之蒸發手段。蒸鍍源34之上方安裝有可開關操 作之！·夬門34a。快門34a係以未圖示之控制器適當地控制開 關。 本實施形態中所成膜之光學過濾器係藉由交互地積層 高折射率物質與低折射率物質來進行成膜，而對一種或複 數種蒸發物質所構成之光學過濾器的成膜亦可使用本發 明，於該場合可適當改變蒸發源之個數及配置。 再者，本實施型態中所製作之光學過濾器的具體例， 可舉例如短波長濾光鏡（S WPF， short wave pass filter)與紅 亦可使用長波長濾光鏡、 外線遮斷過濾器，而除此以外， 帶通濾波器、全波長濾光鏡（neutral density mter)等薄膜元 1332994 件。 離子源38係具備：用以照射離子之離子源本體、用以 將離子源本體設置於真空容器1〇之連接部（接合件44)、用 以將至少所照射之離子的原料氣體導人至真空容^ 内部 之0導入部（未圖示之凸緣’ flange)。真空導入部亦具備 作為用以導人除了氣體以外、亦導人電氣、冷卻水之饋通 thr〇Ugh)部分之功能。離子源38係朝基板14放出離 子〇⑽）者，從反應氣體（例如〇2)或稀有氣體（例如Ar)之電 漿引出帶電之離子(CV’Ar+)，並藉由加速電壓加速而射 出。又，離子源38的上方係、安裝有可經未圖示之控制器適 當控制開關之快門38a。 一 t和器40係將電子（〇朝基板丨斗放出者從^等稀 有氣體之電漿引出電子，並藉加速電壓加速來射出電子。 此處所射出之電子會將附著於基板14表面之離子中和。 本實施形態之光學薄膜蒸錢裝置】中，中和器4〇係斑 離子源38相隔既定距離而配置。中和器4〇之安裝位置只 要是可將電子照射於基板14並中和之位置即可。 接著，說明離子源38之安裝方法與位置。 離子源38係透過作為連接部之接合件料安裝於真空 容器ίο之側面。藉由離子源38安裝於真空容器ig之側面， 從離子源38所照射之離子束會以較短之飛行距離到達基板 故可抑制、碰撞於基14時之離子的運動能量降低。 又，本實施形態中，離子源38雖配置於真空容器1〇 之側面，但只要滿足後述之安裝角◎、安裝高度h，則亦 15 1332994 可具備於底面。 此處，藉由將離子源38安裝於真空容器1〇之側面， 則離子束會具有角度而入射至基板14。藉由入射於基板14 之離子束具有角度，則確認到會伴隨而來極大之優點。亦 即，如後所述，發現到藉由使保持為高運動能量狀態之離 子束從傾斜方向碰撞於基板14表面，可獲得使更大能量作 用於堆積於基板14表面之蒸鍍物質等 '高於以往之離子助 鍍效果。

又，於本實施形態中，離子源38係以超出離子源38 本體長度的方式配置於較蒸鍍源34之配置位置更加接近基 板14之位4 X ’雖然為了使離子源3 8之安裂變得更力口 容易而真空容器10之側面的一部分形成為傾斜狀，但安裝 離子源38之位置可為任意。其中，所謂“離子源％之本 體長度”，係指離子源38(離子搶）之電極到離子源38所設 置之真空容器10的壁面（側壁）為止之距離。

。。接合件44係離子源38之連接部並且係安裝於真空 益10之側面。其中，本實施形態中離子源％係設置於 空容器1〇之側壁，亦可設置於底面，此時接合件44亦 配f於真空容g 10之底面。接合件44係具備：固定於 工令益1G側之支架（braeket，未圖示）' 離子源38中以對 架可傾斜的方式支持離子源本體（未圖示）側之細桿（未f 示）、將離子源38之傾嵙谇田——Μ〜 度在疋位置之螺絲所構成3 制動構件（未圖示）作為主 Κ為主要構成要素。因此可隨意調節離 文裝角度。再者，藉由將支架配置於真空容器[ [S ] 16 ^32994 彳並固&於可調整位置之未圖示之底座价），則亦 可構成為不僅可調節安裝角纟、亦可調節高度方向、真空 谷之半徑方向的位置。其中，底座經上述支架抵接並 固疋而可將離子源38調整於適當之位置。離子源Μ之高 度方向、真空容器10之半徑方向的位置調整可經由將底座 移動於真空容器1G之上下方向及半徑方向來進行。

藉由變更離子源38之安裝高度h(之後稱為「安裝高度 h」）及真空谷态10之半徑方向的位置，可將離子源％與基 板14調整成適當之距離，並藉由變更安裝離子源π之角 度’而可調整碰撞於基板14之離子束的入射角度、位置。 亦即，藉由調整離子源38之高度方向、真空容器1〇 之半徑方向的位置、及安裝角度，可將離子束的損失抑制 在最小限度，並將離子電流密度調整成對成膜區域均勻分 布0 此處，所謂離子源3 8之安裝角度0 (之後稱為「安裝角 度Θ」）係指照射離子束之軸線、與設置於基板保持具 之基板14表面之垂直線所成之最大角度。如上所述，基板 保持具12會旋轉，故基板14的位置會變化，且隨之基板 14表面之垂直線與離子束所成之角度會變化，將此角度為 最大時定義為安裝角度0。又，本說明書中安裝角度0與 離子束照射角度為同義。 此女裝角度過大’則基板14表面與離子束所成之 角度會變小’其結果為即使碰撞於基板14亦不會對基板μ 帶來很大的效果，吾人認為因為離子束會被反射，故離子 17 1332994 助鍍的效果降低。 再者，安裝角度θ若較大，則尤其是在使用“之基 保持具12的情況時，離子束會受到基板保持且12之遮 蔽，故基板14上所成膜之光學薄膜賴質會變得不均勾。 又，當安裝角度0過大時，離子束會被形成 保持具㈣-料所料，㈣成料賴效率=基板 另一方面’當安裝角度"交小時，離子源38盥基板之 ㈣變遠’故離子助錄效果變小，而並不佳。亦I當此 :裝角度Θ較小時’離子束會以接近垂直於基板"表面之 度碰撞’故無法給予蒸鍍物質較大之能量，而將堆積之 蒸鍍層緻密化之效果會降低。 。因此如下所述，藉由將安裝角度0定為6。以上、7〇 較佳為8。以上、4〇。以下，則即使在使用有例如透 ^八凹凸之基板14時，離子束不會被基板14的一部 ^所遮蔽，而可成為可成膜出良好膜質之光學 裝置。 "、、又 又，使離子束從傾斜方向入射至基板14纟面之方法方 面’只要基板Μ與離子源38之距離為平均自由行程以下、 或相等’則不取決於距離即可確認到效果。亦即，只要是 來自離子源38之離子束可到達基板14之範圍，即可藉由 ^用使離子束從傾斜方向入射至基板14表面之方法獲^較 呵之離子助鍍效果。 〇又上述之安裝角度0只要為上述角度範圍，則當然 可依基板保持具12、真空容器⑺之大小或成膜材料來適當 1332994 地變更。 安裝高度h係設定使得離子源38與基板14之距離 適田距離。*裝高度以過高，則離子源38與基板14^ 距離會變近’故離子源38會容易因飛散之蒸鍍物質而受到 ""染另方面，安裝尚度h若過低，則基板14與離子 38之距離會變長且安裝角度0會變得過小。因&，安二 度h必須定為可獲得適當安裝角度^之位置。 门

關於離子源38之安裝位置，當將基板保持$ 12之孽 旋轉軸中心之交點、與離子源38之令心之垂直方向的妇 離、即從離子源到基板保持具中心為止之高度定為h，而來 基板保持具12之直徑定為D時，η對D之比，亦即助 之値較佳為〇.5〜12。例如，上述D及H係設定成以 之值。 衣

離子源38與基板14之距離係期望為與從離子源“所 照射之離子的平均自由行程！相等或為其以下。例如若平 均自由行程l= 500mm時，離子源38與基板14之距離亦期 望為500mm以下。藉由將離子源38與基板14之距離定為 平均自由行程1以下，則可使得從離子源38所放出之離子 的半數以上以無碰撞狀態碰撞於基板14。因為可將具有較 19 1332994 高能量狀態之離子束照射於基板14，故離子助鍍之效果 大’並可以較低之電力或短時間來進行成膜。 又，所謂“離子源38與基板14之距離，，，係指從離 子源38之中心到基板保持具之成膜面側的中心為止之 距離。同樣地，所謂“蒸鍍源34與基板14之距離，，係指 從蒸鍍源34的中心到基板保持具12之成膜面侧的中心為 止之距離。 離子源38之安裝位置並不限定於真空容器1〇之側面 的位置，亦可藉由接合件44配置於離開真空容器ι〇側面 壁面之位置。接合件44因為亦可將離子源38的位置調整 成真空容态10之半徑方向，故可易於適當配置。 此情況時’因為可從更近之位置對基板14照射離子 束，故即使以較低之能量（消耗電力）亦可獲得良好之離子助 鑛效果X，大型之蒸錄襄置中，即使以真空度低之成膜 條件來進行成膜的情㈣，亦可適用本實施形態。再者，、 基板保持具12與真允交55 王盗10内側壁面之距離相隔開之m 鍍裝置中亦可較佳地適用本實施形態。 …、 當然亦可將離1 〇 子源38扠置於底部。此情況時， 台座設置於底部再將離子源38安裝於台座上。 了將 如上所述’因為即使以較低之離子 亦可獲得良好之離子助錢效二耗電力) 附著於基板14表面或…欠離子束之則里所造成之 表面或基板保持具12之蒸鍍物質 減少。亦即，可減少尨 負的孝J離會 减夕存在於真空容器1〇 行高精度之成臈。亦 ，、物而V進 藉由美升成膜步驟的良率而謀求 20 1332994 适花費之減>，同時製造高精度之光學過濾器。 再者，因為將離子源38安裝於真空容 離子束變得不會受到配置於蒸錢源34與基板14之間= 板(未圖示)的妨礙，故離子損失減少且可更有效率地 又，伴隨著離子束對基板14之人射角度增大，離子助 2之效果會緩緩提升，故藉由增大安裝角度θ可謀求消耗 力的降低、增加離子搶的壽命。詳細係基 例來說明。 接著，說明中和器40之安裝位置。 如上所述，中和器40之安裝位置只要是可 於基板14並中和之位置即可。然而，藉由將中…： 置於接近基板保持具12之位置，則可正確地朝向附著有從 離子源38所照射之離子之基板14區域照射電子。 又’中和器40若配置於離開離子源38既定距離之位 置，則與從離子源38朝向基板14移動中之離子直接反應 的情況少’可效率良好地中和基板M之電荷。因此，即使 將中和器40所施加之電流値定為低於以往光學薄膜蒸鑛裝 置之値，亦可較佳地中和基14。例如，高折射率膜或低 折射率膜等介電體膜之成臈時，因為可將電子充分地供給 表面故於基板14上對氧離子之靜電排斥力難 以=用’且氧離子變得容易朝基板14飛散。其結果將無法 使间折射率膜或低折射率膜等介電體膜完全氧化。 又，中和器40與離子源38之距離較佳為2〇〇mm左右’ 21 1332994 但可依所要之成膜條件適當地變更H藉由調整用以 支持離子源38之接合件44，則可適當地變更中和器4〇與 離子源3 8之距離。 〃 本實施形態之光學薄膜蒸鍍裝置i係由離子源π及中 和器40分別-個-個所構成’但亦可做成配置有複數個該 4而成之構成。亦可做成例如，沿旋轉之基板保持且12的 旋轉方向設有複數個離子源38與中和器40之構成。藉由

做成為此種構成，則於具備有大尺寸基板保持具丨2之大型 蒸鍵裝置中亦可更有效地使用本發明。 以下說明此光學薄膜蒸鍍裝置1之動作。 將基板14裝於真空容器1〇内之基板保持具12，並 真空容器10内排氣至既定麼力。然後使基板保持具Μ 轉既定旋轉數’同時以未圖示之加熱器將基板Μ之溫度 熱成既定溫度。 X > ▲然後將離子源38設定為可立即照射離子之待機運轉狀 態’並使蒸鍍源34為經快門34a之開動作而可立即放出蒸 發粒子之狀態。再於基板保持具12之旋轉數與基板以:φ /JEt度到達既定條件後實行蒸鑛步驟。 蒸鍍步驟係控制放出高折射率物質（例如，Ta2〇5、Ti〇2) 或低折射率物質（例如’ Si〇2)之蒸鑛源34的快門開關，使 馬折射率物質與低折射率物質交互地朝基板14放出。於放 出該等蒸鑛物質之間，使打開離子源38快門他所放出之 離子（例如’ CV、Ar+)碰撞於基板14，藉此使附著於基板 二鑛物質表面平滑化並緻密化。就由反覆進行該操作 tS ] 22 1332994 既定次數來形成多層膜。 此時，由於離子束之照射，於基板14會產生電荷的偏 離，但是此電荷偏離係藉由從中和器40朝基板14照射電 子來中和。 在此探討將離子源38安裝於真空容器1〇側面之效果。

就第1效果而言，離子源38與基板14之距離與以往 之光學薄膜蒸鍍裝置相比係較近，故可將保持高能量狀態 之離子束照射於基板14。因此吾人認為可以較低之電力或 較短之時間來進行成臈，且可進一步謀求膜質之改善。 就第2效果而言，離子束係相對於基板14具有既定角 度而入射，故相較於離子束以與基板14接近直角之角度碰 撞的情形，可使剪切方向之應力對基板14表面作用。亦即， 給予蒸鑛物質之能量較大，錢堆積於基板14表面之蒸鍛 物質移動之效果佳，因此吾人認為可以較低之消耗電力或 短時間來進行成膜’並可進一步謀求膜質之改善。 所謂膜質之改善係指謀求堆積於基板14之薄膜的清潔 化與平滑化或者薄膜組織之緻密化，由於構成基板Μ表面 所堆積之蒸㈣之分子（蒸鑛分子）到靜止於基板14上安定 之位置為止會移動而展現此插对里 兄此種效果。此時，藉由所照射之 離子束（離子）碰撞，赛鑛分+ ，、、刀子之移動會党到促進，故薄膜會 變付緻密且組成之均勻性舍 ^ ^ 霄杈升，同時可謀求薄膜組織之 應力應變之降低。 因此’藉由所成臈之组敏呈 織具有问均勻性，而可獲得办 射率逢動少且光吸收伟叙 係數為一疋以下並穩定之光學過遽 23 1332994 器。 本實施形態中，當安裝角度Θ為8。以上、40。以下之角 度範圍時，則可獲得較高之離子助鍍效果，因此可獲得消 耗電力降低、優異膜質之薄膜。詳細係基於實施例來說明。 〔實施例1〕 關於使用圖1所示之光學薄膜蒸鍍裝置丨來進行成膜 之結果係參照圖2來說明。圖2係表示安裝角度（離子束入 射角度與光學薄膜之穿透率+反射率之關係之圖，係表 示牙透率Τ +反射率R(波長；45〇〜55〇nm時之平均値）。 所測得之安裝角度0為8〜45。之範圍。安裝角度Θ係藉由調 整離子源3 8之安裝位置及接合件44來作變化。 又，圖2係表示成膜時離子束之能量密度為5〇111貿气@2 的情況。圖2中所評價之光學薄膜皆為以高折射率物質及 低折射率物質作為蒸鍍物質交互地成膜所成之光學薄膜。

且皆成膜為使用τ&2〇5作為高折射率物質、Si〇2作為低折射 率物質之36層所構成之短波長濾光鏡（Sh〇rt Wave Filter : SWPF)之多層膜。 SS 圖2中之各光學薄膜的成膜條件係如下所述。又， 鍵結與Si-0鍵結之鍵結能量相異，且§丨及τ 原子量相 異，故如下所述，TkO5與Si〇2係以相異之成臈條件進行成 基板：BK7(折射率n= 1.52) 膜材料·· Ta2〇5(高折射率膜），SiCh(低折射率獏） Ta2〇5 之成膜速度·· l.lnm/sec 1332994

Sl〇2之成膜速度：i.5nm/sec

TazOVSiO2蒸發時之離子源條件 導入氣體.氧氣60sccm 離子加速電壓：800V 離子電流：850mA 離子束能量密度：5〇mW/cm2 安裝角度Θ : 8〜45。 中和器之條件 中和器電流：1000mA 放電氣體：氬lOsccm 根據圖2,安裝角度θ=8〜40。之範圍時所製 膜’其穿透率Τ+反射率R穩定且顯示較高的値。層 針對圖2所示之多層膜’以具體之穿透率τ+反射率r 之値加以比較，則安裝角度。時為99 4%、時 為99.5%，相對於此，安裝角度卜43。時為96 9%，由圖2 亦可明瞭：安裝角度Θ大於40。之範圍時，穿透率τ+反射 率R之値係變小。經由圖2可知，穿透率τ+反射率尺之 値超過99%之範圍，則安裝角度0 = 8〜4〇。為止，藉由定為 此文裝角度Θ之範圍則離子助錢效果可提升並可成膜出良 好光學特性之多層膜。 〔實施例2〕 接著，關於使用圖1所示之光學薄膜蒸鍍裝置1來進 行成膜之結果係參照圖3來說明《圖3係表示安裝角度（離 子束入射角度與光學薄膜之穿透率+反射率之關係之 25

阖，係表示波長A = 5S 择之安裝角度Θ為〇〜85、r二透率T+反射率R。所測 子源38之安裝位置。：裝角度“系藉由調整離 久接合件44來作變化。 :對於將離子束之能量密度定$ 5〇 上述實施例1’實施例2，，係 ^進：， 如下所述，並將安裝角产…離子束之…度設定成 度θ俜蕤由梱敕私.又疋為〇〜85來進行成膜。安裝角 化。、a ' 子源38之安裝位置及接合件44來作變

使用又τ·，：：Γ6層之膜所構成之實施例^實施例Η 27 12 ^折射率物質、Si〇2作為低折射率物^ 層所構成之赤外線遮斷過濾器之多層膜。 實施例2之成膜條件係如下所述。 基板.BK7(折射率η=ι·52) 膜材料：Ti2〇5(高折射率膜），Si〇2(低折射率膜） ThOs/SiO2蒸發時之離子源條件 導入氣體：氧氣60sccm

離子加速電壓：200〜1200V 離子電流：200〜l〇〇〇mA 離子束能量密度：5〜150mW/cm2 安裝角度0 : 0〜8 5。（共16個條件） 中和器之條件

中和器電流：1000mA 放電氣體：氬lOsccm 又’ ThOs/SiO2之成膜速度係依安裝角度θ之値變化之 m 26 1332994 値。因此’為了使Ti2〇5/Sl〇k成膜速度為一定，係因應安 裝角度0之値’適宜地在上述條件範圍内將離子加速電壓 及離子電流作變化。 因此，上述之成膜條件中’安裝角度θ為6〜70。之範圍 内時，則確認到穿透率τ+反射率汉之値獲得改善之效果。 亦即，藉由使離子束具有既定角度入射於基板14，則可獲 得光的吸收係數為一定以下且具有優異膜質之光學過濾 器。

又，上述之成膜條件中，吾人發現即是在將離子源％ 配置於真空容器10底部側的情況時，安裝角度Θ = 6〜70。 為範圍内則可獲得良好膜質之薄膜，故不論離子源38與基 :Μ之距離如何’只要是可使離子束具有既定角度入射於 土板14之方法即可獲得具有良好膜質之薄膜。 / ，確認到隨著安裝角度0的增大離子助鍍的效果會 緩緩提升之效果。亦即，因為確認到伴隨安裝角度β的增 最適之離子加速電壓及離子電流會緩緩降低之現象， 、藉由將$裝角纟Θ設^:為較大而可謀求膜冑的改善亦可 減'’肖耗電力、增加離子槍之壽命。 β a因此，上述實施例丨及2之測定結果顯示，安裝角度 Θ田至少波長Λ = 550nm時較佳為6〜70。，再者當安裝角度 8 40時，波長45〇nm〜55〇nm之範圍時穿透率τ+反射 率R之値高而更佳。 果=者針對所得之光學薄膜施以純水煮沸試驗之結 ，安裝角度Θ = 45。以上時所得之光學薄膜方面，觀測到 27 1332994 波長偏移，另一方面當安裝角度θ=8，。時所得之光學薄 膜並未觀察到波長偏移。此表示將安裝角度“45。以上時 所得之光學薄膜在通常的環境中使_，因大氣中的水分 吸收而造成當初之光學特性變化。 因此’顯示安裝角度θ=8〜40。時，因離子助鍍而可有 效地抑制(或防止)上述之波長偏移可能。而可瞭解到：藉由 定為上述之安裝角度0之範圍’尤其波長偏移會受到抑 制’離子助鍍之效果顯著地屐現。 〔實施例3、比較例1〕 將使用圖1所示之光學薄臈蒸錢裝置】來進行成膜之 實施例1(安裝角度0 = 40。）與經以往光學薄膜蒸鑛裝置（圖 7参照）來進行成臈之比較例！（安裝角度0==〇。）加以比較來 說明。又，所謂安裝角度=〇。係指離子源38與基板保持具 12之曲率中心為一致的情況。 實施例1及比較例1皆以高折射率物質及低折射率物 質作為蒸鐘物質交互地成膜。又’實施例t及比較例丄皆 成膜為使用TkO5作為高折射率物質、Si〇2作為低折射率物 質之36層所構成之短波長濾光鏡（Sh〇rt Waye pass Filter : SWPF)之多層膜。 又’關於所製作之SWPF多層膜的光學特性之測定結 果係示於圖4、圖5。 實施例3之成膜條件係如下所述。又，Ta_〇鍵結與 鍵結之鍵結能量相異，且Si及Ta之原子量相異，故如下所 述，Ta2〇5與Si〇2係以相異之成膜條件進行成膜。 ts ] 28 1332994 基板· ΒΚ7(折射率n = 1.52) 膜材料：TaaO〆高折射率膜），Si〇2(低折射率臈） Ta2〇5之成膜速度：〇.5nm/sec Si〇2之成膜速度：i.〇nm/sec Ta2〇5蒸發時之離子源條件 導入氣體：氧氣60sccm氬7sccm 離子加速電壓：500V 離子電流：500mA • 安裝角度0 : 40。

Si〇2蒸發時之離子源條件 導入氣體.氧氣50sccm 離子加速電壓：500V 離子電流：500mA 安裝角度Θ : 40° 中和器之條件 中和器電流：1000mA β 放電氣體：就lOsccm 比較例1之成膜條件係如下所述。又，Ta_〇鍵結與Si 〇 鍵結之鍵結能量相異，且Si及Ta之原子量相異，故如下所 述，Ta2〇5與Si〇2係以相異之成膜條件進行成膜。 基板：BK7(折射率n = 1.52) 膜材料：TazOd高折射率膜），Si〇2(低折射率膜）

Ta2〇5之成膜速度：〇.5nm/sec Si〇2之成膜速度：l.〇nm/sec 29 1332994

Ta2〇5蒸發時之離子源條件 導入氣體.氧氣60sccm氬7sccm 離子加速電壓：5〇〇v 離子電流：500mA 安裝角度0 : 0。

Si〇2蒸發時之離子源條件 導入氣體：氧氣50sccm 離子加速電壓：5〇〇V 離子電流：500mA # 安裝角度0 : 0。 中和器之條件 中和器電流：1000mA 放電氣體：氬l〇sccm 在此說明比較例1所使用之以往的光學薄膜蒸鍍裝置 與實施例3所使用之光學薄膜蒸鍍裝置丨中無碰撞狀態之 下之離子到達機率。 貫施例3及比較例1中之真空狀態，當假設為〇2氣體 _ 環境、250 C、2.5x10 2Pa時，則平均自由行程i皆為5〇〇mm。 以往之光學薄膜蒸鍍裝置從離子源3 8到基板保持具丨2中 ^為止之距離（距離d)為1〇12mm，另一方面，光學薄膜蒸 錢裝置1之距離d為43 9mm，故以往之光學薄膜蒸鍵裝置 在無碰撞之下的離子到達機率為丨3 %，相對於此，光學薄 膜蒸鍍裝置1則為41 %。 亦即，使離子源38之條件為相同情況下加以比較，則 [S ] 30 1332994 光學薄膜蒸鍍裝置1與以往之光學薄膜蒸鍍裝置相比，約3 倍的離子會以不會碰撞到氣體分子之狀態到達基板14。因 此光學薄膜蒸鍍裝置1中照射於基板14之離子具有高於以 往光學薄膜蒸鍍裝置之運動能量。 圖4係表示實施例3與比較例1之光學過濾器穿透分 光特性（穿透率）之圖，將400〜100Onm波長λ的光照射於所 製作之SWPF多層膜，並將該穿透率τ對波長λ作圖所得 者。

根據圖4，在波長又為400〜550nm的範圍時，雖除連 部分之波長區域未討論’但實施例3中所製作之多層藤 相車父於比較例1之多層膜，穿透率Τ'展現較高的值。 具體而έ，若以波長又==480nm時之穿透率τ來作比 較’則比較例1之多層膜的穿透率T為91.5%，實施例： 之多層膜的穿透率丁為94 5%。又，若以波長又：別咖時 之穿透率T來作比較，則比較例1之多層膜的穿透率T為 92.1% ’實施例3之多層膜的穿透率T為94.3%。 因此，相較於安裝角度Θ =0。時所成膜出之比較例] 的夕層膜’ t裝角度θ = 4〇。時所成膜出之實施例3的多層 臈展現具有較高的穿透率Τ。 座Τ = 5係表不實施例3與比較例1之光學過渡器的穿透 所製：：R之和，係將4〇0〜1 〇〇〇nm波長λ的光照射於 =二率時之 根據圖5在皮長反；；率酬波長又作圖所得者。 波長λ為400〜800nm之範圍實施例3 31 1332994 再者，實施例i中所製作之多層膜與比較例 膜相比，穿透率τ+反射率R展現較平坦之推移。例如= 較例1中所製作之多層膜方面，在波長；i為副nm之附近 料到穿料了+反射率R之下降，”關丨中所製作之 ^層膜則未確認到那樣的下降情況。

若以波長A =48Gnm時之穿透率τ+反射率 則比較例1之多層膜的穿透率τ+反射率，為96 9%、實二 之多層膜的穿透率Τ+反射率"99 6%。又，若以： 長55〇nm時之穿透率τ+反射率R加以比較，則比較例 1之多層膜的穿透率丁為97.4%、實施例3之多層膜的穿透 率^反射率R為99.6%。再者，實施例3之多層膜，在穿 Τ +反射帛値為波長範圍時’較平坦 (一定），而比較例k多層膜則當接近長波長區域，穿料 τ+反射率R之値越有變動。

夕因此，顯示相較於安裝角度0=〇。時成膜出之比較例！ 之多層臈’安裝角度0=4〇。時所成膜出之實施例3之多層 :其穿透率Τ+反射率汉之値較高，且實施例3之多層膜係 榼跨較廣波長範圍而保持穩定之光學特性。 因此，相較於以往裝置所製作之多層臈（比較例υ，本 發明之光學薄膜蒸鑛裝置Μ製作之多層膜（實施例3)，在 波長λ為400〜550nm-圍内時穿透率τ會提升且穿透率丁 +反射率R之値亦顯著地提升。又，實施例3,在較廣的波

32 1332994 長區域中展現較平坦之穿透率τ+反射率R。 亦即，上述實施例3的光學薄膜，其折射率的變動少 且為光吸收係數為-定以下且具有穩定之特性並具有優異 優光學特性之多層膜。 〔實施例4、5〕 圖6係表示實施例4、5之光學薄膜之穿透率τ與反射 率R之和的圖，係於所製作之多層膜照射4〇〇〜i〇〇〇nm的波 長又的光，將於該波長之穿透率丁加上反射率”斤得之値 (穿透率T+反射率R)對波長λ作圖所得者。實施例㈠ 皆以高折射率物質及低折射率物f作為蒸鑛物質交互地成 膜。又，實施例1及比較例i皆成膜為使用以办作為高折 射率物質、Si〇2作為低折射率物質之％層所構成之短波長 遽光鏡（Short Wave Pass Filter : SWPF)之多層膜。 又，關於所製作t SWPF多層膜的光學特性之測定結 果係示於圖6。 實施例4、5之成膜條件係如下所述◊又，Ta_〇鍵結與 si-o鍵結之鍵結能量相異，且Si及Ta之原子量相異，故 如下所述，TkO5與Sl〇2係以相異之成膜條件進行成膜。 基板· BK7(折射率n=l.52) 膜材料：Ta2〇5(高折射率膜），Si〇2(低折射率膜）

Ta2〇5之成膜速度：〇.5nm/sec Si〇2之成膜速度：l.〇nm/sec Ta2〇5蒸發時之離子源條件 導入氣體：氧氣60sccm氬7sccm 33 1332994 離子加速電壓：5〇〇v 離子電流：50〇mA 安裝角度0 : 45。

Sl〇2蒸發時之離子源條件 導入氣體：氧氣5〇sccm 離子加速電壓：5〇〇v 離子電流：5〇〇mA 安裝角度0 : 40。 中和器之條件

中和器電流：l〇〇〇mA 放電氣體：氬l〇sccm 圖6中係顯示在安裝角度θ A > 為2 7 (實知例4)、1 〇。p

施例5)此二條件下成腺屮夕之 J 卜攻膜出之多層膜的測定結果。皆A力 長；I = 400〜600nm之範圍時，穿透 /； 处牛τ+反射率R之値大》 99%，且光學特性良好之多層膜。 。

—因此，安裝角度Θ設定為8〜4〇。（特定之成膜條件、与 定使用％境為對象之光學薄膜時Α 出之多層膜， 時為6〜7〇 )之範圍内所成月 T+反射 以具有既 —定以下 尤其在波長Λ == 400〜60〇nm之範圍時，穿透率 率R之値高’大致為一定。亦即，藉由將離子束 疋角度方式入射至基板14,可獲得光吸收係數為 且具有優異膜質之光學過濾器。 又’即使是將離子源3 8配置於真空玄, 情況時，在女裝角度θ = 8〜40 V鞞宕之忐胺政从 (特疋之成膜條件、特定使用 34 1332994 %境為對象之光學薄膜時為6〜7(Γ)之範圍内，則獲得光學 特眭不會因大氣中的水分發生變化，良好膜質之薄膜。因 此，若將離子源38與基板μ之距離訂為等同於平均自由 仃程1或其以下，再使離子束以具有既定角度之方式入射至 基板14所成之構成，則不論離子源38與基板^之距離為 何’皆可獲得具有良好膜質之薄膜。

▲又’此時’隨著安裝角度Θ的增大可確認到離子助鑛 效果緩緩提升之效果。亦即，隨著安裝角度㈣增大而確 認到最適之離子加速電壓及離子電流會緩緩下降的情況減 二’ 4由將安裝角度0設定為較高，則膜質改善之外亦 可謀求消耗電力的降低或離子源38的長壽化。 【圖式簡單說明】 薄膜蒸鍍裝置之示意 圖1，係本發明一實施形態之光學 剖面圖。 圖2,係表示離子束入射角度β 與光學薄膜之穿透率 反射率之關係之圖。 圖3,係表示離子束入射角度0 反射率之關係之圖。 圖4’係表示實施例3與比較例i之光學薄膜穿透率 與光學薄膜之穿透率 圖 之 膜的穿透率 圖5’係表示實施例3與比較例光學薄 反射率之圖。 圖6 ’係表示實施例4、 之光學薄膜的穿透率+反射 35 1332994 率之圖。 圖7，係以往之光學薄膜蒸鍍裝置之示意剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 光學薄膜蒸鍍裝置 10， 100 真空容器 12 基板保持具（基體保持手段） 14， 114 基板（基體） 34， 134 蒸鑛源 34a ，38a 快門 38， 138 離子源 40， 140 中和器 44 接合件（連接部） θ 安裝角度（離子束入射角度） Η 從離子源到基板保持具中心為止之高度 h 安裝高度 D 基板保持具之直徑 d 從離子源到基板保持具中心為止之距離 T 穿透率 R 反射率 λ 波長 1 平均自由行程

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Claims (1)

1. 七、申請專利範圍：， 1. 一種光學薄膜蒸鑛裝置，其係於真空容器内將蒸鍛物 質蒸鍍於基體， 其特徵在於具備以下構成： 配置於該真空容器内且用以保持該基體之穹型基體保 待手段、 用以使该基體保持手段旋轉之旋轉手段、 設置成面對該基體之蒸錢手段、 用以對該基體照射離子之離子源、 用以對該基體照射電子之中和器，其中， 該離子源係配置於以下位置：從該離子源照射出離子 之軸線相對於該基體保持手段所保持之基體表面之垂直線 的最大角度為8。以上且40。以下之位置，且該基體保持手 奴與旋轉軸中心之交點與該離子源中心之垂直方向的距離 相對於該基體保持手段之直徑的比為〇 5以上且12以下之 範圍。 2. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜蒸鍍裝置，其中， 該離子源係配置於該真空容器之側面。 3. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜蒸鍍裝置，其中， j^, 己置成該離子源與該基體之距離為從該離子源所昭射之 該離子的平均自由行程以下。 … 4. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜蒸鍍裝置，其中， 該離子源係具備： 用以照射出該離子之離子源本體、 37 用以連接該離子源本體， 用以脾5丨— 體與該真空容器之連接部' 用以將至少該離子 A 真空導入部；1 ’、枓乳體供給於該真空容器内之 藉由變更該連接部而可相 整照射該離子之角f 十於該基體表面之垂直線調 5·如中請專利範圍第4項之光學薄膜紐 s亥連接部具有： T ’ 固定於該真空容器側之支架、 該 該 第

   以既定角度固定該離子源本體之傾斜度之制動構件。 6’如中請專利範圍第1項之光學薄膜諸裝置，其中， 中和器係設置於與該離子源相隔既定距離之位置。 7·如申請專利範圍第i項之光學薄膜蒸鑛裝置，其中， 離子源係沿該基體保持手段之旋轉方向設置複數個。 8.-種光學薄膜之製造方法’其係使用冑申請專利範圍 1至7項中任一項之光學薄膜蒸鍍裝置。

   八、圖式： (如次頁） 38