KR100497623B1

KR100497623B1 - 램프히터의 근적외선 투과용 다층 박막 증착 시스템 및 그 방법

Info

Publication number: KR100497623B1
Application number: KR1020040109249A
Authority: KR
Inventors: 이원범
Original assignee: (주)브이씨티
Priority date: 2004-12-21
Filing date: 2004-12-21
Publication date: 2005-07-01
Also published as: CN101084570A; WO2006068355A1

Abstract

본 발명은 석영관 램프히터의 표면에 가시광선 차단 근적외선 투과 다층박막 필터를 증착하는 시스템에 있어서: 상기 램프히터가 설치되어 근적외선 투과 다층박막 진공증착 작업이 진행되는 진공챔버; 상기 진공챔버의 일측에 형성된 공기배관을 통해 챔버 내부를 진공상태로 조성하는 저진공펌프 및 고진공펌프; 상기 진공챔버와 고진공펌프, 상기 진공챔버와 저진공펌프, 및 상기 고진공펌프와 저진공펌프 사이에 각각 연결되어 공기배출을 차단 또는 연결시키는 진공밸브; 상기 진공챔버 내부에 설치되어 회전체 형상의 램프히터 표면 전체에 일정한 굴절률과 두께로 증착물질이 근적외선 투과 다층막으로 증착되도록 램프히터를 공자전시키는 공자전지그; 상기 진공챔버 내부에 배치되어 증착물질을 용융시켜 램프히터의 표면으로 증발, 증착시키는 전자총; 상기 진공챔버 내부에 배치되어 램프히터의 표면에 증착되는 박막의 두께를 감지하는 박막두께감지센서; 상기 박막두께감지센서를 통해 박막의 증착상태를 감지하여 미리 입력된 증착관련 설정데이터에 따라 근적외선 투과 다층박막이 증착되도록 전자총의 파워와 증착물질의 포켓 선정 등을 제어하는 박막증착콘트롤러; 및 소정의 입력정보와 설정 프로그램에 따라 상기 진공펌프, 진공밸브, 공자전지그, 전자총, 박막증착콘트롤러와 같은 주변기기를 순차적으로 동작 또는 정지시켜 근적외선 투과 다층박막 증착 작업을 자동 제어하는 메인콘트롤러;를 구비함으로써, 석영관 램프히터 표면에 가시광선 차단 근적외선 투과 다층박막을 코팅하기 전에 이온총으로 이온빔을 조사하여 석영관 램프히터 표면을 클리닝하여 증착 물질의 부착력을 향상시킴과 아울러 전자총에 의해 석영관 램프히터 표면에 증착되고 있는 박막에 이온빔을 조사하여 충격을 주어 박막의 기둥을 부심으로서 박막의 조밀도를 높여 고열과 충격에 의한 다층박막의 파손이 감소되며, 이에 따라 내구성이 강하고 내열성이 우수한 가시광선차단 근적외선 투과 다층박막을 형성할 수 있는 석영관 램프히터의 표면에 근적외선 투과 다층박막을 증착시키는 시스템 및 그 방법을 제공한다.

Description

램프히터의 근적외선 투과용 다층 박막 증착 시스템 및 그 방법{DEPOSITION DEVICE AND METHOD FOR NEAR INFRARED TRANSMITTING MULTI-LAYERED THIN FILM ON THE SURFACE OF QUARTZ LAMP HEATER}

본 발명은 석영관 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템에 관한 것으로, 특히 투명한 석영관 램프히터의 표면에 근적외선만을 선택적으로 투과시키기 위한 다층 박막을 형성하는 기술로, 진공챔버 내부에서 전자총과 이온총을 이용하여 석영관 램프히터의 표면에 근적외선 투과용 다층박막 필터를 증착시키는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.

빛은 전자기파의 일종으로 파장에 따라, 도 1에 도시한 바와 같이, 인간의 눈으로 인식할 수 있는 400nm 내지 800nm 영역의 가시광선과, 가시광선 보다 파장이 짧은 자외선, 가시광선 보다 파장이 긴 적외선, 그 밖에 자외선보다도 파장이 짧은 쪽의 X-ray 및 γ-ray와, 적외선 보다 파장이 긴 마이크로웨이브 및 라디오파 등으로 분류된다.

빛은 파장이 짧아질수록 큰 에너지를 가지며, 따라서 자외선과 같이 짧은 파장의 빛은 에너지가 높아서 물체에 흡수될 경우 색소를 탈색시키거나 살균력이 크며 화학변화를 일으키기 때문에 화학선이라고 불리기도 한다. 물론, X-ray나 γ-ray 와 같이 자외선 보다 더 짧은 빛은 더 큰 에너지를 갖는다. 반면에 적외선은 가시광선보다 파장이 더 길고 그 에너지는 낮으며, 물체에 흡수될 경우 화학변화를 일으키기 보다는 열로 변환되기 때문에 열선이라고 부르기도 한다.

모든 물체는 전자기파를 방사함으로서 주위와 에너지를 교환하고 있으며, 열적 평형상태에서 방출되는 복사를 열복사라고 한다.

태양은 표면온도가 약 6000K로서 그 복사광 분포곡선의 모양은, 도 2에 도시한 바와 같으며, 최대 분포 복사선은 λmax＝450nm의 값을 갖는다. 가열된 백열램프의 필라멘트 온도는 인가된 전압에 따라 다르나, 일반적으로 3000K 이하의 온도를 가진다. 따라서, λmax은 태양광 보다 더 긴 파장으로 이동하여 적외선영역의 열선이 주로 방출된다.

백열램프의 복사광 분포곡선(도 2 참조)을 살펴보면 적외선과 같은 열복사선 뿐만 아니라 가시광선 영역의 빛도 함께 방출됨을 알 수 있다. 이는 피사체를 가열하기 위한 목적으로 만들어지는 가열램프의 관점에서 보면 인가된 전기에너지가 전부 열에너지로 전환되는 것이 아니라 가시광선 형태의 에너지로 손실됨을 의미한다. 또한, 적외선 보다 파장이 짧은 빛은 에너지가 더 크기 때문에 피가열체에 화학변화를 일으킬 가능성을 높여 조직을 손상시킬 가능성이 증가한다.

근래 들어, 태양의 복사열에 가까운 적외선으로서, 파장이 0.8㎛ 내지 1.4㎛ 정도이며, 공기를 가열하지 않고 물체에만 복사로 전달되는 단파장의 적외선인 근적외선을 이용하는 분야에 대한 관심이 증가하고 있다.

좀 더 상세히 설명하면, 필라멘트와 같은 발열체에서 발열되어 석영관(quartz tube)과 같은 투명램프를 투과하여 방사되는 상기한 바와 같은 근적외선은 열효율이 높고, 인체에 무해하며, 무공해성임과 더불어, 눈부심이 적으며, 순간 가열특성이 우수한 등 가열용도로 사용시 많은 장점을 가지고 있어서, 가정용/사무용/농축산업용/산업용의 난방기, 농업용/어업용/산업용의 건조기와 가열기, 및 의료기기 등의 분야로 그 적용분야가 급속히 확산되고 있는 추세이다.

이와 같은 추세에 따라 좀 더 효율적인 근적외선을 얻고자하는 움직임이 발생하게 되었으며, 그 예로서, 가열램프와 같은 가열수단에서 근적외선만을 선택적으로 투과시키기 위한 목적으로 투명의 석영관과 같은 램프(substrate)의 표면에 빛을 선택적으로 투과시키는 코팅을 적용하는 기술을 들 수 있다.

즉, 램프의 표면에 고융점의 굴절율이 서로 다른 물질을 교대로 증착하여 다층박막을 적절하게 형성시키면, 발열체에서 발생된 빛 중에서 원하지 않는 파장의 빛은 반사시키고 원하는 파장의 빛만을 투과시킬 수 있게 되는 것이다. 도 3에 도시한 도면을 참조하면, 근적외선을 선택적으로 투과시키는 근적외선투과 필터의 원리를 쉽게 알 수 있을 것이다.

종래기술에 따른 코팅기술의 일예로서, 미국특허 제4663557호는 특정 파장영역의 빛을 선택적으로 투과시키고 기타 나머지 파장영역의 빛은 반사시키는 광학적 코팅 기술을 소개하고 있다. 좀 더 상세히 설명하면, 투명램프의 표면에 SiO₂와 Ta₂O₅ 또는 TiO₂를 진공증착방법을 사용하여 교대로 적층시킨 다층박막을 구비함으로써, 고온의 환경에서 가시광선의 투과율을 극대화 시키고, 적외선 및 기타 전자기파의 반사율을 극대화시킨 광학필터에 대하여 기재하고 있다.

이와 같은 종래기술은 고온의 작동환경(500℃ 내외의 열원)에서의 적용성을 감안한 기술임에도 불구하고, 근적외선 석영관 램프 히터의 용도가 아니고 고온의 환경 하에서 장시간 사용할 경우 박막의 조밀도와 부착력 약화로 인하여 다층박막이 쉽게 손상될 수 있다는 관점을 고려했을 때, 램프의 표면온도가 900℃ 이상이나 되는 가열램프 용도의 근적외선 투과 필터로 적용하기에는 내구성 측면에서 부적합한 문제점이 있었다.

즉, 근적외선 투과 다층박막 필터를 위한 광학박막의 설계와 진공 증착기술은 증착물질의 열특성 및 진공증착조건에 관하여 좀 더 정확히 파악해야만 하며, 그 중에서도 고온 환경에서 박막의 열 특성과 피증착체인 석영 램프의 열특성이 달라 다층박막이 손상되는 문제점과 부착력이 약해 박막이 약한 충격에도 쉽게 벗겨지는 문제점을 해결해야만 하는 것이다.

본 발명의 목적은 투명한 석영관 램프히터의 표면에 근적외선만 투과시키는 박막필터를 다층으로 증착함으로써 근적외선만을 선택적으로 투과시킬 수 있는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템 및 그 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은, 석영관 램프히터의 표면온도가 900℃ 정도의 고온에서도 근적외선 투과 다층박막 필터층이 파손되지 않는 강한 내구성과 부착력을 갖는 고내열성 근적외선 투과 다층박막 필터를 증착하기 위한 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템 및 그 방법을 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은, 석영관 램프히터의 표면에 가시광선 차단 근적외선 투과 다층박막 필터를 증착하는 시스템에 있어서: 상기 램프히터가 설치되어 근적외선 투과 다층박막 진공증착 작업이 진행되는 진공챔버; 상기 진공챔버의 일측에 형성된 공기배관을 통해 챔버 내부를 고진공상태로 조성하는 고진공펌프; 상기 진공챔버의 타측에 형성된 공기배관을 통해 챔버 내부를 저진공상태로 조성하는 저진공펌프; 상기 진공챔버와 고진공펌프, 상기 진공챔버와 저진공펌프, 및 상기 고진공펌프와 저진공펌프 사이에 각각 연결되어 공기배출을 차단 또는 연결시키는 진공밸브; 상기 진공챔버 내부에 설치되어 원기둥형 또는 전구형과 같은 회전체 형상의 다양한 램프히터가 세팅되되, 상기 램프히터의 표면 전체에 일정한 굴절률과 두께로 증착물질이 근적외선 투과 다층막으로 증착되도록 램프히터를 공자전시키는 공자전지그; 상기 진공챔버 내부에 배치되어 증착물질을 용융시켜 램프히터의 표면으로 증발, 증착시키는 전자총; 상기 진공챔버 내부에 배치되어 램프히터의 표면에 증착되는 박막의 두께를 감지하는 박막두께감지센서; 상기 박막두께감지센서를 통해 박막의 증착상태를 감지하여 미리 입력된 증착관련 설정데이터에 따라 근적외선 투과 다층박막이 증착되도록 전자총의 파워와 증착물질의 포켓 선정 등을 제어하는 박막증착콘트롤러; 및 소정의 입력정보와 설정 프로그램에 따라 상기 진공펌프, 진공밸브, 공자전지그, 전자총, 박막증착콘트롤러와 같은 주변기기를 순차적으로 동작 또는 정지시켜 근적외선 투과 다층박막 증착 작업을 자동 제어하는 메인콘트롤러;로 이루어진 것을 특징으로 한다.

바람직하게는 상기 진공챔버 내부에 배치되어 램프히터의 표면에 증착되는 박막으로 이온빔을 조사하여 박막을 가격함에 따라 증착 조밀도를 높이는 이온총을 더 구비한 것을 특징으로 한다.

구체적으로, 상기 진공챔버는 수직 원통형으로 형성되고, 수직 원통형의 진공챔버 상단에 램프히터를 공자전시키는 공자전지그가 설치되고, 상기 램프히터는 돔형태의 공자전지그에 설치되어 램프히터의 표면에 다층박막을 증착할 경우 돔형태의 공자전지그에 의해 공자전되며, 전자총과 이온총은 진공챔버의 하단에 배치되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 진공챔버가 수평 원통형으로 형성되고, 수평 원통형의 진공챔버에 램프히터를 공자전시키는 공자전지그가 설치되고, 상기 램프히터는 공자전지그에 설치되어 램프히터의 표면에 다층박막을 증착할 경우 공자전지그에 의해 공자전되며, 전자총과 이온총은 진공챔버의 중앙하단부에 배치되는 것을 특징으로 한다.

그리고, 상기 박막증착콘트롤러의 증착관련 설정데이터는 증착물질의 조밀도, 증착물질의 용융 파워, 소크(Soak)파워, 라이징(Rising)타임, 소크(Soak)타임, 포켓(Pocket), 증착물질의 순서, 증착율, 및 증착두께로 이루어진 것을 특징으로 하며, 증착물질은 SiO₂를 기본물질로 사용하되 Fe₂O₃, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, CeO₂ 및 Ta₂O₅ 중 적어도 하나 이상을 선택하여 교대로 증착한 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 기술적 방법은, 석영관 램프히터의 표면에 가시광선은 차단하고 근적외선을 투과시키는 다층박막 필터를 증착하는 방법에 있어서: 공자전지그에 설치된 석영관 램프히터를 공자전지그와 함께 진공챔버 내부에 투입 설치하고 증착물질을 전자총의 용기에 넣는 단계; 상기 진공챔버 내부를 자동으로 저진공과 고진공 상태로 만드는 단계; 상기 진공챔버가 고진공상태가 되면 자동으로 전자총의 파워를 켜고 산소와 아르곤과 같은 반응가스를 진공챔버에 공급하는 단계; 상기 공자전지그를 제어하여 램프히터를 일정속도로 공자전시키는 단계; 상기 램프히터를 공자전시키면서 미리 설정된 증착 프로그램대로 램프히터 표면에 근적외선 투과 다층박막을 증착하되, 박막증착콘트롤러는 박막두께감지센서로부터 실시간 증착정보를 제공받아 증착정보에 따라 전자총을 제어하여 근적외선 투과 다층박막을 자동으로 증착하는 단계; 및 상기 근적외선 투과 다층박막이 입력된 프로그램대로 증착되었을 경우 진공챔버를 대기상태로 전환하고, 근적외선 투과 다층박막이 코팅된 램프히터를 챔버 외부로 반출하는 단계;를 수행하는 것을 특징으로 한다.

상기 증착단계에서 증착 프로그램은, 증착물질의 조밀도, 증착물질의 용융파워, 소크(Soak)파워, 라이징(Rising)타임, 소크(Soak)타임, 포켓(Pocket), 증착물질의 증착순서, 증착율, 및 증착두께에 관한 데이터를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 램프히터의 표면에 박막을 증착하기 전에 램프히터의 표면으로 이온빔을 조사하여 램프히터의 표면을 클리닝하는 단계를 더 수행하여 박막의 부착력을 증가시키며, 상기 램프히터의 표면에 박막을 증착시킬 때 이온총을 이용하여 램프히터의 표면에 증착되고 있는 박막으로 이온빔을 조사하여 박막의 조밀도와 램프히터와 박막의 부착력을 높이는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 더욱 상세하게 설명하고자 한다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 의한 석영관 램프히터의 표면에 근적외선 투과 다층박막을 증착하는 시스템을 도시한 것이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 이온총의 세부 구조를 도시한 도면으로, 진공챔버(100), 석영관 램프히터(110), 공자전지그(120), 전자총(130), 이온총(150), 박막두께감지센서(170), 고진공펌프(180), 저진공펌프(190), 진공밸브(181, 182, 185, 191), 가스공급 조절밸브(131, 149), 박막증착콘트롤러(200; Thin film thickness monitor and Deposition controller), 메인콘트롤러(300) 등으로 이루어져 있다.

상기 진공챔버(100)는 내부에 설치된 석영관 램프히터(110)의 표면에 근적외선만을 투과시키기 위한 박막필터를 코팅하는 작업을 위한 밀폐 공간이고, 램프히터(110)는 석영관으로 소정의 공자전지그(120)에 체결되어 공자전되면서 근적외선 투과 다층박막 필터가 표면에 증착되며, 전자총(130)은 챔버 내부에 설치되어 증착물질(140)을 용융시켜 램프히터(110)의 표면으로 증발시키도록 구성되어 있고, 이온총(150)은 진공챔버(100) 내부에 배치되어 석영관 램프히터(110)의 표면에 증착되는 박막으로 이온빔을 조사하여 박막을 가격함에 따라 박막의 조밀도와 램프히터와 박막의 부착력을 높이도록 구성되어 있고, 박막두께감지센서(170)는 진공챔버(100) 내부에 배치되어 석영관 램프히터(110)의 표면에 증착되는 박막의 상태를 감지하도록 구성되어 있고, 고진공펌프(180)와 저진공펌프(190)는 진공챔버(100)의 일측에 형성된 공기배관을 통해 진공챔버(100) 내부를 진공상태로 조성하도록 구성되어 있고, 박막증착콘트롤러(200; Thin film thickness monitor and Deposition controller)는 박막두께감지센서(170)로부터 박막의 증착 정보를 감지하여 박막증착콘트롤러(200)에 입력된 증착 프로그램대로 박막이 증착되도록 전자총(130)의 작동을 제어하게 되어 있고, 메인콘트롤러(300)는 소정의 입력정보와 설정 프로그램에 따라 공자전지그(120), 전자총(130), 이온총(150), 가열수단(160), 고진공펌프(180), 저진공펌프(190), 가스공급 조절밸브(131, 149) 및 진공밸브(181, 182, 185, 191) 등의 작동을 제어하여 석영관 램프히터(110)의 표면에 근적외선 투과 다층박막이 코팅되도록 구성되어 있다.그리고, 도면부호 120은 상기 진공챔버 내부에 설치되어 원기둥형 또는 전구형과 같은 회전체 형상의 다양한 램프히터가 세팅되되, 상기 램프히터의 표면 전체에 다층박막이 일정한 두께와 굴절률로 코팅되도록 석영관 램프히터(110)를 공자전시키는 공자전지그이고, 부호 160은 씨즈히터(sheath heater) 또는 할로겐램프히터 등과 같은 가열수단으로 진공챔버(100) 내의 소정 부위에 적어도 1개 이상 설치되며 메인콘트롤러(300)의 제어에 따라 작동하여 석영관 램프히터(110)의 표면을 상온에서부터 400℃까지 선택 가열하게 되는데, 증착 작업시 증착물질이 증착되고 있는 석영관 램프히터(110)의 표면을 가열하여 증착 효율을 높이게 되고, 또한 부호 181, 185 및 191은 고진공펌프(180)와 진공챔버(100), 고진공펌프(180)와 저진공펌프(190), 및 저진공펌프(190)와 진공챔버(100) 간의 에어라인을 각각 메인콘트롤러(300)의 제어에 따라 작동하여 개폐하는 진공 밸브들이다.

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아울러, 상기 석영관 램프히터(110)는 도 6과 같이, 전기공급에 따라 열을 발생하는 텅스텐코일(111)과, 상기 텅스텐코일(111)을 외부로부터 진공 밀폐시키고 텅스텐코일(111)의 산화를 방지하는 질소(N), 헬륨(He) 등의 혼합가스가 주입된 석영관(115), 및 상기 석영관의 외측에 형성되며 텅스텐코일과 연결된 복수의 전극(117)으로 이루어져 있는 데, 진공챔버(100)에 내측에 설치된 공자전지그(120)의 자전축에 복수의 전극(117)이 고정 설치되어 공자전지그(120)의 회전에 따라 전극(117)을 축으로 일정 속도로 공자전되도록 설치되어 있다.

그리고, 전자총(130)과 이온총(150)은 공자전되는 석영관 램프히터(110)의 일정거리 하부에 각각 배치되어 있다.

상기 석영관 램프히터(110)의 표면에는 다층의 박막을 적층하여 근적외선만을 선택적으로 투과시킬 수 있도록 근적외선 투과 다층박막 필터를 형성하게 되며, 상기 석영관 램프히터(110)의 증착물질(140)은 SiO₂, Fe₂O₃, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, CeO₂, Ta₂O₅등으로 구성되는 그룹으로부터 SiO₂는 기본적으로 사용하고 그 외에 물질 중 적어도 하나 이상을 선택하여 증착시키게 된다. 상기 다수의 증착물질(140) 중 박막의 특성과 재료비의 측면에서 고려해 볼 때 바람직하기로는 SiO₂와 Fe₂O₃물질을 교대로 증착하는 것이 가장 좋다.

그리고, 상기 이온총(150)은 이온빔을 광폭으로 하여 석영관 램프히터(110)의 일면 전체로 동시에 조사하도록 구성되어 있다.

즉, 상기 이온총(150)은 보조증착 수단으로서, 전자총(130)에 의해 램프히터(110)의 표면에 증착 형성되는 박막을 이온빔으로 충돌시키는 증착 방식으로, 적당한 에너지와 전류밀도의 이온빔으로 증착되고 있는 박막에 충격을 주어 박막의 기둥을 부수면 조밀도가 커지므로 외부 환경에 강한 박막을 증착할 수가 있다.

상기 이온총(150)은 이온빔의 에너지와 이온빔 전류를 독립적으로 조절할 수 있고, 이동이 간편하며, 이온빔의 방향과 이온빔을 조사하는 면적의 위치와 크기를 변화시킬 수 있다. 상기 이온총(150)은 이온을 생성하는 방전 방법에 따라 열음극 이온총(150)으로는 가속 그리드가 있는 카프만(Kaufman) 이온총(150)과 그리드가 없는 엔드홀(end-hall)형 이온총(150)이 있는 데, 본 발명에서는 도 5와 같은 엔드홀 이온총(150)을 채용하였다.

그리드가 없는 엔드홀 이온총(150)은 이온빔 전류의 크기에 제약을 주고 이온빔을 평행하게 만드는 두개의 그리드가 없으므로, 이온빔 전류를 크게 증가시킬 수 있고, 이온빔은 넓게 퍼진다. 이온빔 에너지는 대략 50eV ~ 300eV로 낮으며, 에너지의 선폭이 매우 넓다.

도 5에 도시된 이온총(150)의 구성 및 작동을 살펴보면, 기체는 양극(152) 밑의 기체분배기(153)를 통해 균일하게 방전 챔버로 공급되며, 기체분배기(153) 밑에는 자석(156)이 위치하고 있다.

음극(154)에서 방출된 전자(-)는 전위가 높은 양극(152)을 향해 운동하고, 전자는 중성기체와 충돌하여 기체를 이온화시키며, 기체밀도가 양극(152) 주위에서 크므로 플라즈마는 양극(152) 주위에서 밀도가 높다. 전자가 자력선을 중심으로 나선 운동을 하며, 자력선을 따라 내려오므로 자기장에 평행한 성분의 전기 전도도는 자기장에 수직한 전도도 보다 매우 크다.

자기장에 수직한 방향의 전기 전도도가 작으므로 이 방향으로 전위차가 형성되며 자력선이 거의 등전위선을 이룬다. 즉 이온총(150)의 축 중심에서의 자력선은 음극 전위에 가깝고 중심에서 먼 양극 근처의 자력선은 양극 전위에 가까우므로 이온총(150)의 중심축에서 동경 방향으로 전위차가 생기게 된다.

또한, 자기장이 이온총(150)의 길이 방향으로 균일하지 않아 발생하는 플라즈마 전위차도 이온을 축방향으로 가속시키는데 기여한다. 동 도면에서와 같이 양극(152) 근처에서의 자기유도(Ba)가 음극(154) 근처에서의 자기유도(Bc)보다 크므로 전하는 자기장이 강한 곳에서 약한 곳으로 힘을 받는다.

두 지점 사이의 플라즈마 전위차(ΔV)는 아래 수학식 1과 같다.

ΔV = k_B((Te/e)ln(Ba/Bc))

가 되며, Te는 전자 온도이다. 양극(152) 근처의 플라즈마 전위가 음극(154) 근처보다 높으므로 이온빔은 음극(154) 방향으로 가속되어 나간다.

이와 같이 양이온을 가속시키는 전기장은 양극(152)과 음극(154) 사이의 전압에 의한 축방향 성분과 자력선 사이의 동경 방향 성분으로 나눌 수 있다. 축방향 전기장이 동경 방향 전기장보다 매우 크므로 대부분의 이온은 양극(152)에서 음극(154) 방향으로 가속된다.

또한, 양극(152) 근처의 이온은 동경방향 전위차 때문에 전위가 낮은 중심축 방향으로 가속되며 축을 지나 반대편으로 가면 다시 전위가 높아져 중심 축 방향으로 되돌아오게 된다. 이온빔 가속 운동은 축방향과 동경방향 두 성분을 가지고 있으나, 축방향 성분이 크므로 이온빔은 석영관 램프히터(110)를 향해 운동하며 넓게 퍼지게 된다. 이온이 공간적으로 서로 다른 전위에서 생성되고 이온 생성과 가속이 같은 곳에서 일어나므로 이온빔 에너지는 양극 전압의 대략 60% 정도이고, 에너지 선폭이 매우 넓다.

이와 같은 엔드홀 이온총(150)은 이온빔 에너지가 200eV 이하로 낮고 에너지 선폭이 크며, 이온빔 전류가 매우 크다. 또한 이온빔의 발산이 크므로 넓은 영역에 이온빔을 조사할 수 있다.

그리고, 그리드 광학계를 사용하지 않으므로 이온총(150)의 제작 및 조작이 비교적 간단하다. 엔드홀 이온총(150)은 카프만 이온총(150)에 비하여 이온에너지가 작고 넓게 퍼지기 때문에 이온빔 보조증착에서 박막에 상해를 주지 않으며, 증착 전 석영관 램프히터(110)의 이온빔 세척에 사용할 수 있다.

이온빔을 이용한 보조증착에서 이온빔과 박막의 표면 원자와의 상호 작용은 열적대못(thermal spike), 연쇄충돌(cascaded collision), 분자 동역학(molecular dynamics) 등으로 설명할 수 있다.

상기 열적대못 이론은 이온빔 에너지가 박막의 원자를 국소적으로 열처리하고 재배치시키는 이온빔 열처리 이론이다. 높은 에너지의 이온이 박막의 표면을 뚫고 들어가면서 원자와 충돌하여 에너지를 잃는다. 이때 이온에너지는 원자의 진동에너지로 바뀌어 국소적으로 온도가 올라가며 이를 열적대못이라 한다. 열적대못의 온도는 공간적으로 열전달식에 의하여 전파되며 박막의 원자를 열처리하여 위치를 재배치시킨다. 열적대못 이론은 이온빔에 의한 빈 공간의 감소는 보여 주었으나 박막이 조밀해지는 것은 설명하지 못하고 있다.

연쇄충돌 이론에서는 수백 eV 에너지의 이온이 박막의 표면 원자와 충돌하여 박막 안으로 수원자 층 정도의 깊이를 들어가는 것으로 설명한다. 들어간 이온은 연쇄적으로 표면 근처의 원자와 충돌하며 원자를 산란시키거나 포논을 발생시키거나 빈자리를 만든다.

박막의 표면 원자는 이온과의 비탄성 충돌에 의하여 에너지와 운동량을 전달받아 표면에서 튀어나오거나 박막 안으로 산란되어 들어간다.

산란된 원자는 바로 밑에 있는 원자와 충돌을 하게 되며, 이러한 원자끼리의 연쇄적 충돌이 계속 일어나 빈 공간을 둘러싸고 있는 원자에 전달되면, 이 원자는 빈공간 안으로 밀려들어가 빈 공간을 채우게 된다. 이온에너지가 충분하면 표면 아래의 원자층이 표면보다 더 조밀해 지고, 표면에는 채워지지 않은 구멍이 생기게 되어 표면의 조밀도가 작아진다. 이때 새로 기판에 날아오는 원자 일부가 비어있는 표면의 구멍을 채우게 되므로 표면의 조밀도가 증가한다. 이러한 과정이 계속되어 박막이 성장하면 조밀한 박막을 형성하며 이를 연쇄충돌 이론이라 한다.

조밀한 박막을 증착하기 위해서는 이온빔에 의해 박막 안으로 전방 산란된 원자수가 튀어나온 원자 수보다 많아야 한다. 한 개의 이온에 의해 박막 바깥으로 튀어나온 원자수를 스퍼터링 수율을 Sy라 할 때, 1/γ이 Sy보다 커서 1/γ= Sa/Si≫Sy 이어야 한다. 또한 한 개의 이온 당 연쇄충돌에 의해 재배치된 원자의 수가 X일 때 원자가 균일하게 잘 섞여 빈 공간없이 조밀한 박막을 증착하기 위해서는 1/γ이 Sy 보다 크고, X가 1/γ보다 커야 한다.

연쇄충돌 이론은 이온빔에 의한 원자의 확산 과정을 포함하지 않은 근사 이론이며, 이온빔의 운동량 전달에 의해 박막의 원자가 연쇄적으로 전방 산란되어 빈 공간을 채우고 조밀해 지는 과정을 잘 보여주고 있다.

연쇄충돌 이론을 개선한 분자 동역학 이론에서는 원자와 원자, 이온과 표면 원자 사이의 상호 작용에 의한 원자의 운동을 뉴턴 방정식을 이용하여 시간에 따라 추적하며, 다음과 같은 이온빔의 다양한 역할을 알려주고 있다.

이온빔이 표면에서 빈 공간을 싸고 있는 표면 원자와 충돌하여 표면 원자를 뜯어내면 빈 공간이 열리고 새로 도착하는 원자가 채운다. 또한 이온에너지와 운동량 전달에 의하여 표면원자는 박막 안으로 산란되고 연쇄충돌된 원자들은 위치가 재배치되므로 기둥 구조가 부셔지고 빈공간이 채워져 조밀도가 증가한다.

이온 충돌에 의해 표면 원자의 이동도가 증가하고 표면 확산이 일어나며 국소적 온도 증가가 나타나 빈공간이 감소하고 조밀도가 증가하며 재결정화가 이루어진다.

도 7a 및 도 7b는 본 발명에 의한 석영관 램프히터의 표면에 근적외선 투과 다층박막 필터를 증착하는 과정을 도시한 플로우챠트로서, 도 4a 내지 도 5를 참조하여 살펴보고자 한다.

먼저, 사용자는 증착물질(140)의 광학상수를 증착장비에서 사전에 증착실험을 통해 구해서 근적외선 투과 다층박막을 설계하여 설계한 내용을 박막증착콘트롤러(200)에 입력하여 설정한다(S1). 사용자는 석영관 램프히터(110)를 공자전지그(120)에 설치한 다음 공자전지그(120)와 함께 진공챔버(100)에 투입함과 아울러 증착물질(SiO₂, Fe₂O₃)을 도가니에 담아서 지정된 전자총(130)의 포켓(Pocket)에 넣고 진공챔버의 도어(Door)를 닫는다(S2).

이어, 작업을 시작하면 메인콘트롤러(300)에 입력된 프로그램에 의해 진공밸브(181, 182, 185, 191)가 순차적으로 작동되어 진공챔버(100)를 저진공 상태를 거쳐 고진공 상태로 만듦과 아울러 가열수단(160)을 작동시켜 석영관 램프히터(110)의 표면을 대략 400℃ 정도로 선택 가열한다(S3).

작업시간을 절약하기 위해 작업을 처음 시작할 때 고진공펌프(180)와 저진공펌프(190)를 석영관 램프히터(110)를 진공챔버(100)에 투입하기 전에 작동시키고 그 이후 고진공펌프(180)와 저진공펌프(190)는 계속 작동되며 진공밸브(181, 182, 185, 191)만 온/오프시켜 진공챔버(100)를 고진공 상태로 만든다.

진공챔버(100)가 메인콘트롤러(300)에 입력된 고진공 범위에 도달되면(S4), 메인콘트롤러(300)에 의해 전자총 주변의 반응가스(O₂또는 Ar)의 공급조절밸브(131)와 이온총(150)의 이온가스(Ar)의 공급조절밸브(149)가 열려 설정치대로 반응가스가 계속 주입되고, 메인콘트롤러(300)의 자동 프로그램에 의해 전자총(130)의 전원(Power)이 켜진(S5) 다음, 공자전지그(120)에 의해 석영관 램프히터(110)는 공자전이 시작됨과 동시에 이온총(150)에 의해 전자빔을 공자전되는 석영관 램프히터(110)의 표면에 고루 조사시켜 석영관 램프히터(110)의 표면을 클리닝함으로써, 이후 진행될 석영관 램프히터(110) 표면과 박막과의 부착력을 증가시키게 된다(S6).

이어, 박막증착콘트롤러(200)에 입력된 증착 프로그램대로 공자전되는 석영관 램프히터(110)의 표면에 고르게 근적외선 투과 다층박막이 증착되도록 박막증착콘트롤러(200)에 의해 전자총(130)의 작동을 제어하며 석영관 램프히터(110)의 표면에 근적외선 투과 박막을 증착시킴과 동시에 이온총(150)으로 석영관 램프히터(110)의 표면에 증착되는 박막에 이온빔을 조사하여 박막을 잘게 부숴 박막의 조밀도를 높인다(S7).

상기 석영관 램프히터(110)의 표면에 박막을 증착시킴에 따라 박막증착콘트롤러(200)는 박막두께감지센서(170)에서 실시간 증착정보를 감지하고, 증착물질의 조밀도, 증착물질의 용융 파워, 소크(Soak)파워, 라이징(Rising)타임, 소크(Soak)타임, 포켓(Pocket), 증착물질의 순서, 증착율 및 증착두께와 같은 입력 프로그램에 따라 전자총(130)의 파워, 전자총에 설치된 증착물질의 포켓 지정, 및 전자총의 셔터(Shutter) 등을 조절하여 석영관 램프히터(110)의 표면에 목적의 근적외선 투과 다층박막이 형성되면(S8), 전자총(130)의 전원과 이온총(150)의 전원이 꺼지고 진공밸브(181)가 닫히고 벤트밸브(182)가 열려 진공챔버(100)의 고진공이 깨지고 대기 상태로 돌아가면 공자전지그(120)와 함께 근적외선 투과 다층박막이 코팅된 근적외선 석영관 램프히터(110)를 반출함으로써 작업이 종료된다(S9).

다시 작업을 시작하려면 S1 또는 S2부터 시작하고 S2 이후부터는 설정 프로그램에 의해 자동으로 작업이 진행된다.

본 발명에 따른 증착장치의 다른 실시예로서, 상기한 바와 같은 증착장치에서 이온총(150)을 제외하고, 전자총(130)만으로 구성되는 단순 전자총(130) 방식의 다층박막 증착장치도 제공될 수 있다.

물론, 전자총(130)과 이온총(150)을 모두 채용할 경우에 증착장치로 형성되는 박막이 더욱 우수한 물리적 특성을 구비함은 당연하다고 할 것이다.

도 8b는 전자총(130)을 베이스로 하고 이온총(150)을 보조로 사용하여 제작된 박막을 진공 상태와 공기 상태에서 스펙트럼 분석한 것이고, 도 8a는 전자총(130)만을 사용하여 제작된 박막을 진공상태와 공기상태에서 분석한 것이다.

도 8b와 같이 전자총(130)과 이온총(150)을 이용하여 석영관 램프히터(110)의 표면에 근적외선 투과 다층박막 필터를 형성하였을 경우에는 이온빔의 충격이 박막필터의 조밀도를 증가시켜 진공상태와 공기상태의 사이의 스펙트럼 이동이 도 8a와 같이 전자총(130)만으로 근적외선 투과 다층박막을 형성하였을 경우 보다 작음을 알 수 있다.

상기 진공과 공기 중에서의 실험에서 알 수 있는 바와 같이, 전자총(130)과 이온총(150)을 이용한 증착장치를 사용하여 형성한 다층 박막은 단순 전자총(130) 방식의 증착장치를 사용하여 형성한 다층 박막과 비교했을 때, 높은 조밀도의 박막증착이 가능하여 높은 굴절율을 갖는 다층 박막을 형성할 수 있으며, 박막 표면의 평활성이 우수하고, 흡수율이 낮으며, 부착력이 강하여 고품질의 고내열성 박막형성이 가능함을 알 수 있다. 즉 부착력이 강하다는 것은 고열과 충격에 의한 박막의 파손이 감소되며, 따라서 내구성이 강하고 내열성이 우수한 박막을 제공할 수 있다는 것이다.

한편, 본 발명에 적용된 증착물질(140)로는 SiO₂, Fe₂O₃, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, CeO₂, Ta₂O₅ 등의 증발재료를 포함한 매우 다양한 종류의 재료를 사용할 수 있는 데, 예를 들면 SiO₂를 기본물질로 사용하되 Fe₂O₃, TiO₂, Al₂O₃, CeO₂, Ta₂O₅ 또는 ZrO₂등으로 구성되는 증착물질 그룹으로부터 선택된 하나의 물질 이상을 사용하여 교대로 증착함에 따라 석영관 램프히터 표면에 매우 다양한 종류의 근적외선 투과 다층 박막을 형성할 수 있는 장점을 갖는다.

그밖에도, 박막 형성 속도가 빠르고, 다양한 증착물질(140)의 사용이 가능하며, 저온에서 박막증착이 가능하고, 침수차단성이 우수하며, 대량 생산시스템 구축시 높은 경제성을 갖는 등 매우 많은 장점을 갖는다.

근적외선 투과 고내열성 다층박막 증착장치 및 증착방법을 제공함으로써, 도 9의 가시광선 차단 및 근적외선 투과율을 도시한 그래프에서 보듯이 고내열성 근적외선 투과 다층박막 필터를 제공할 수 있게 되고, 따라서 석영관 램프히터의 표면온도가 900℃ 정도이고, 0.8㎛ 내지 2.0㎛ 대역의 파장 투과율이 93% 이상이며, 가시광선 투과율이 2% 이하인 고효율의 근적외선 석영관 램프히터를 제공할 수 있게 된다.

도 9의 그래프는 아래 표 1과 같이 증착물질 SiO₂와 Fe₂O₃를 사용하여 다층박막을 형성한 후 측정한 스펙트럼 결과이다.

박막층수	Pass Band	Stop Band	두께
12층	93.25%	1.44%	1100nm
20층	95%	0.5%	1350nm

또한, 난방이나 건조용도의 근적외선 석영관 가열램프뿐만 아니라, 반도체, LCD, PDP, 광학산업 등의 진공증착이 필요한 분야의 생산 공정에 적용되어 고품질의 박막형성이 가능하게 된다.

이상과 같이 본 발명에서는 전자총을 기본으로 하고 이온총을 보조로 이용한 증착장치를 사용하여 석영관 램프히터 표면에 형성한 근적외선 투과 다층 박막은 단순 전자총 방식의 증착장치를 사용하여 형성한 다층 박막과 비교했을 때, 높은 조밀도의 박막증착이 가능하여 높은 굴절률을 갖는 다층 박막을 형성할 수 있으며, 박막 표면의 평활성이 우수하고, 흡수율이 낮으며, 부착력이 강하여 고품질의 고내열성 박막형성이 가능한 이점이 있다.

즉, 박막을 석영관 램프히터의 표면에 증착하기 전에 이온총으로 이온빔을 램프히터의 표면에 조사하여 미리 클리닝함에 따라 석영관 램프히터의 표면과 증착물질의 부착력을 향상시킴과 아울러 이온총으로 이온빔을 증착되는 박막에 조사하여 박막의 조밀도를 높임으로써, 고열과 충격에 의한 박막의 파손이 감소되며, 이에 따라 내구성이 강하고 램프의 표면온도가 900℃ 정도에서 견디는 내열성이 우수한 박막을 제공할 수 있는 이점이 있다.

도 1은 일반적인 파장에 따른 전자기파의 분류를 도시한 도면이다.

도 2는 일반적인 태양과 백열램프 복사선의 파장에 따른 분포곡선을 도시한 그래프이다.

도 3은 일반적인 근적외선 필터를 이용한 근적외선 램프히터의 원리를 도시한 그래프이다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 근적외선 투과 다층박막 필터 증착 시스템을 개략적으로 도시한 개념도이다.

도 5는 본 발명에 의한 이온총의 세부 구성을 도시한 도면이다.

도 6은 본 발명에 적용된 근적외선 석영관 램프히터의 외관을 도시한 도면이다.

도 7a 및 도 7b는 본 발명에 의한 근적외선 투과 다층박막 필터 증착 과정을 도시한 플로우챠트이다.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 서로 다른 실시예에 의한 진공-공기 사이의 박막의 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도 9는 본 발명에 의한 증착물질 SiO₂와 Fe₂O₃를 사용하여 다층 박막필터를 증착한 후 측정한 결과로서 가시광선 차단 및 근적외선 투과율을 나타내는 스펙트럼을 도시한 그래프이다.* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 100: 진공챔버 110: 램프히터120: 공자전 지그 130: 전자총

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140: 증착물질 150: 이온총

160: 가열수단 170: 박막두께감지센서180: 고진공펌프 190: 저진공펌프200: 박막증착콘트롤러 300: 메인콘트롤러

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Claims

석영관 램프히터의 표면에 표면온도 900℃ 정도의 고온에서 견디는 가시광선 차단 근적외선 투과 다층박막 필터를 증착하는 시스템에 있어서:

상기 램프히터가 설치되어 램프히터의 온도 조절이 가능하고 400℃까지 고온에서 근적외선 투과 다층박막 진공증착 작업이 진행되는 진공챔버;

상기 진공챔버의 일측에 형성된 공기배관을 통해 챔버 내부를 고진공상태로 조성하는 고진공펌프;

상기 진공챔버의 타측에 형성된 공기배관을 통해 챔버 내부를 저진공상태로 조성하는 저진공펌프;

상기 진공챔버와 고진공펌프, 상기 진공챔버와 저진공펌프, 및 상기 고진공펌프와 저진공펌프 사이에 각각 연결되어 공기배출을 차단 또는 연결시키는 진공밸브;

상기 진공챔버 내부에 설치되어 원기둥형 또는 전구형과 같은 회전체 형상의 다양한 램프히터가 세팅되되, 상기 램프히터의 표면 전체에 일정한 굴절률과 두께로 증착물질이 근적외선 투과 다층막으로 증착되도록 램프히터를 공자전시키는 공자전지그;

상기 진공챔버 내부에 배치되어 증착물질을 용융시켜 램프히터의 표면으로 증발, 증착시키는 전자총;

상기 진공챔버 내부에 배치되어 램프히터의 표면에 증착되는 박막으로 이온빔을 조사하여 박막을 가격함에 따라 박막의 조밀도를 높이는 이온총;

상기 진공챔버 내부에 배치되어 램프히터의 표면에 증착되는 박막의 두께를 감지하는 박막두께감지센서;

상기 박막두께감지센서를 통해 박막의 증착상태를 감지하여 미리 입력된 증착관련 설정데이터에 따라 근적외선 투과 다층박막이 증착되도록 전자총의 파워와 증착물질의 포켓 선정 등을 제어하는 박막증착콘트롤러; 및

소정의 입력정보와 설정 프로그램에 따라 상기 진공펌프, 진공밸브, 공자전지그, 전자총, 이온총, 박막증착콘트롤러와 같은 주변기기를 순차적으로 동작 또는 정지시켜 근적외선 투과 다층박막 증착 작업을 자동 제어하는 메인콘트롤러;를 포함한 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템.
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청구항 1에 있어서,

상기 진공챔버는 수직 원통형으로 형성되고, 수직 원통형의 진공챔버 상단에 램프히터를 공자전시키는 공자전지그가 설치되고, 상기 램프히터는 돔형태의 공자전지그에 설치되어 램프히터의 표면에 다층박막을 증착할 경우 돔형태의 공자전지그에 의해 공자전되며, 전자총과 이온총은 진공챔버의 하단에 배치되는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템.
청구항 1에 있어서,

상기 진공챔버가 수평 원통형으로 형성되고, 수평 원통형의 진공챔버에 램프히터를 공자전시키는 공자전지그가 설치되고, 상기 램프히터는 공자전지그에 설치되어 램프히터의 표면에 다층박막을 증착할 경우 공자전지그에 의해 공자전되며, 전자총과 이온총은 진공챔버의 중앙하단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템.
청구항 1에 있어서,

상기 박막증착콘트롤러의 증착관련 설정데이터는 증착물질의 조밀도, 증착물질의 용융 파워, 소크(Soak)파워, 라이징(Rising)타임, 소크(Soak)타임, 포켓(Pocket), 증착물질의 순서, 증착율, 및 증착두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템.
청구항 1에 있어서,

상기 램프히터의 증착물질은 SiO₂를 기본물질로 사용하되, Fe₂O₃, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, CeO₂ 및 Ta₂O₅ 로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 사용하여 교대로 증착한 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 시스템.
석영관 램프히터의 표면에 가시광선은 차단하고 근적외선을 투과시키는 다층박막 필터를 증착하는 방법에 있어서:

공자전지그에 설치된 석영관 램프히터를 공자전지그와 함께 진공챔버 내부에 투입 설치하고 증착물질을 전자총의 용기에 넣는 단계;

상기 진공챔버 내부를 자동으로 저진공 상태로 조성한 후 고진공 상태로 만드는 단계;

상기 진공챔버가 고진공상태가 되면 자동으로 전자총의 파워를 켜고 산소와 아르곤과 같은 반응가스를 진공챔버에 공급하는 단계;

상기 공자전지그를 제어하여 램프히터를 일정속도로 공자전시키는 단계;

상기 램프히터를 공자전시키면서 미리 설정된 증착 프로그램대로 램프히터 표면에 근적외선 투과 다층박막을 증착하되, 박막증착콘트롤러는 박막두께감지센서로부터 실시간 증착정보를 제공받아 증착정보에 따라 전자총을 제어하여 근적외선 투과 다층박막을 자동으로 증착하는 단계; 및

상기 근적외선 투과 다층박막이 입력된 프로그램대로 증착되었을 경우 진공챔버를 대기상태로 전환하고, 근적외선 투과 다층박막이 코팅된 램프히터를 챔버 외부로 반출하는 단계;를 수행하는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 방법.
청구항 7에 있어서,

상기 증착단계에서 증착 프로그램은, 증착물질의 조밀도, 증착물질의 용융파워, 소크(Soak)파워, 라이징(Rising)타임, 소크(Soak)타임, 포켓(Pocket), 증착물질의 증착순서, 증착율, 및 증착두께에 관한 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 방법.
청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,

상기 증착 프로그램에 따라 박막증착콘트롤러는 전자총의 파워, 전자총에 설치된 증착물질의 포켓 지정 및 전자총의 셔터(Shutter)를 조절 제어하는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 방법.
청구항 7에 있어서,

상기 램프히터의 표면에 박막을 증착하기 전에 램프히터의 표면으로 이온빔을 조사하여 램프히터의 표면을 클리닝하는 단계를 더 수행하여 박막의 부착력을 증가시키는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 방법.
청구항 7에 있어서,

상기 램프히터의 표면에 박막을 증착시킬 때, 이온총을 이용하여 램프히터의 표면에 증착되고 있는 박막으로 이온빔을 조사하여 박막의 조밀도를 높이는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 램프히터의 근적외선 투과용 다층박막 증착 방법.