JPH0933719A - 誘電体多層膜フィルタの製造方法とその製造装置 - Google Patents
誘電体多層膜フィルタの製造方法とその製造装置Info
- Publication number
- JPH0933719A JPH0933719A JP20754395A JP20754395A JPH0933719A JP H0933719 A JPH0933719 A JP H0933719A JP 20754395 A JP20754395 A JP 20754395A JP 20754395 A JP20754395 A JP 20754395A JP H0933719 A JPH0933719 A JP H0933719A
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- JP
- Japan
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- substrate
- refractive index
- film
- vapor deposition
- films
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の膜圧縮歪みを除去
【解決手段】 イオンアシスト法等の蒸着装置内に,公
転ドームを配置し,その回転中心の回りに放射状に多数
の自転ジグを遊嵌する自転ジグ内の基板ホルダに基板を
水平保持させる。表側面への蒸着プロセスを複数に分断
し,各プロセス毎に基板を反転させ,裏側面に等価屈折
率膜をその都度蒸着する。 【効果】 膜圧縮歪みをそのつど除去できる。高品質膜
を作成できる。
転ドームを配置し,その回転中心の回りに放射状に多数
の自転ジグを遊嵌する自転ジグ内の基板ホルダに基板を
水平保持させる。表側面への蒸着プロセスを複数に分断
し,各プロセス毎に基板を反転させ,裏側面に等価屈折
率膜をその都度蒸着する。 【効果】 膜圧縮歪みをそのつど除去できる。高品質膜
を作成できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信の波長多重通
信システムなどに使用される狭帯域バンドパスフィルタ
の製造方法に関する。
信システムなどに使用される狭帯域バンドパスフィルタ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンアシスト法,イオンプレーティン
グ法,スパッタリング法等の真空蒸着装置内に,多数の
基板を放射状に載置する公転ドームを配置し,必要に応
じて基板を自転させている。狭帯域バンドパスフィルタ
の場合,基板片面のみに極めて厚い多層膜(バルク)が
蒸着されるため,薄膜の圧縮応力による基板への歪みは
無視できない(第2図)。この基板の曲率を除去すべ
く,本発明者は基板の裏側面にほぼ同じ厚さの等価屈折
率膜を蒸着する方式を提案した(特願平3−315307号)
。一方,基板の両面に所定の薄膜を蒸着する場合に,
生産性を高めるために公転ドーム上で基板を反転される
蒸着装置も開発されている。
グ法,スパッタリング法等の真空蒸着装置内に,多数の
基板を放射状に載置する公転ドームを配置し,必要に応
じて基板を自転させている。狭帯域バンドパスフィルタ
の場合,基板片面のみに極めて厚い多層膜(バルク)が
蒸着されるため,薄膜の圧縮応力による基板への歪みは
無視できない(第2図)。この基板の曲率を除去すべ
く,本発明者は基板の裏側面にほぼ同じ厚さの等価屈折
率膜を蒸着する方式を提案した(特願平3−315307号)
。一方,基板の両面に所定の薄膜を蒸着する場合に,
生産性を高めるために公転ドーム上で基板を反転される
蒸着装置も開発されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】等価屈折率ユニットと
は,二酸化珪素等の低屈折率薄膜(L)と,二酸化チタ
ンやアルミナ等の高屈折率薄膜(M)との対称三層膜
(L/M/L),(M/L/M)であり,LとMの膜厚
調整により基板と同じ屈折率になる。基板の裏側面にこ
の等価屈折率ユニットを繰り返し積層して等価屈折率膜
を形成する。屈折率が基板と同じのためバンドパスフィ
ルタ特性は劣化しない。しかし,基板の表側面に全ての
多層膜を蒸着後してから反転し,裏側面にこの等価屈折
率膜を蒸着する方式のため,多層膜蒸着工程中に基板は
膜から圧縮応力を受けて次第に反っていく。第2図に示
すように中心部以外では蒸発源との距離及び蒸着物質の
基板に対する入射角が刻々と変化する。基板の中心部以
外はフィルタとして採用できないことになる(第3図の
点曲線特性)。
は,二酸化珪素等の低屈折率薄膜(L)と,二酸化チタ
ンやアルミナ等の高屈折率薄膜(M)との対称三層膜
(L/M/L),(M/L/M)であり,LとMの膜厚
調整により基板と同じ屈折率になる。基板の裏側面にこ
の等価屈折率ユニットを繰り返し積層して等価屈折率膜
を形成する。屈折率が基板と同じのためバンドパスフィ
ルタ特性は劣化しない。しかし,基板の表側面に全ての
多層膜を蒸着後してから反転し,裏側面にこの等価屈折
率膜を蒸着する方式のため,多層膜蒸着工程中に基板は
膜から圧縮応力を受けて次第に反っていく。第2図に示
すように中心部以外では蒸発源との距離及び蒸着物質の
基板に対する入射角が刻々と変化する。基板の中心部以
外はフィルタとして採用できないことになる(第3図の
点曲線特性)。
【0004】
【課題を解決するための手段】基板表側面に異なる薄膜
を交互に積層しその裏側面にはこの基板とほぼ同じ屈折
率を有し且つ表側面の蒸着膜厚にほぼ等しい等価屈折率
膜を蒸着するバンドパスフィルタに於いて,基板表側面
への積層プロセスを複数の工程に分け,裏側面への等価
屈折率膜の蒸着プロセスも同じように複数の工程に分
け,各工程は基板が自転しつつ公転する状態で実行し,
各工程毎に基板をその都度反転させ,基板の表側面と裏
側面にほぼ同じ厚さの蒸着膜を順次繰り返し積層して狭
帯域バンドパスフィルタを製造する。
を交互に積層しその裏側面にはこの基板とほぼ同じ屈折
率を有し且つ表側面の蒸着膜厚にほぼ等しい等価屈折率
膜を蒸着するバンドパスフィルタに於いて,基板表側面
への積層プロセスを複数の工程に分け,裏側面への等価
屈折率膜の蒸着プロセスも同じように複数の工程に分
け,各工程は基板が自転しつつ公転する状態で実行し,
各工程毎に基板をその都度反転させ,基板の表側面と裏
側面にほぼ同じ厚さの蒸着膜を順次繰り返し積層して狭
帯域バンドパスフィルタを製造する。
【0005】
【発明の実施の形態】イオンアシスト法の真空蒸着装置
1は,複数の自転ジグ2を公転中心の回りに放射状に配
置した公転ドーム3と,遊嵌状態の自転ジグ2の外周面
歯に噛合する自転用内歯リング4と,この自転ジグ内に
水平保持される基板5を反転するマジックハンドと,高
エネルギー電子線をターゲット材に照射して蒸発させる
電子銃6と,イオン銃7と,モーター8と一体の公転用
歯車9とで構成される。上部投光器10の直下にモニタ
ガラス11と受光器12を配置する。自転ジグ2内には
基板5を水平保持する基板ホルダ13が反転可能に取付
けられている。以下に蒸着工程を説明する。H,L,
A,は二酸化チタン,二酸化珪素,アルミナ,五酸化タ
ンタル等の誘電体である。各層の光学膜厚はλ/4に採
る。公転用歯車9の回転により公転ドーム3はゆっくり
と回転し,多数の自転ジグ2は公転する。自転用内歯リ
ング4に噛合する各自転ジグ2は,公転しながら自転す
る。自転ジグ2内の基板ホルダ13に基板5を水平に取
り付ける。基板5はBK光学硝子で屈折率は1.5 。波長
(λ)1550nmで半値幅1nmのファブリペロータ
イプダブルキャビティバンドパスフィルタを作成した。 工程:基板表側面を蒸発源に向け,H/L/H/L/
H/L/H/Lの8層を順次積層する。Hは高屈折率薄
膜,Lは低屈折率薄膜である。 工程:公転ドーム3を停止し,マジックハンドで基板
5を反転させる。 工程:基板裏側面に,二酸化珪素(L)とアルミナ
(M)の対称三層膜(L/M/L)の等価屈折率ユニッ
トを20ユニット蒸着する。L(n :1.45 )の膜厚は7
0nm,M( n:1.62) の膜厚は33nmに採る。等価屈
折率(n0)は1.5 と基板5に等しい。この等価屈折率膜の
厚さは,前記工程の蒸着膜厚にほぼ等しいため,膜圧
縮歪みは修正される。 工程:工程を実行し,基板5の表側面に,H/L/
H/L/H/L/H/2Aを順次蒸着する。AはHとL
の中間屈折率薄膜である。(特許第1,777,505 号を参
照) 。 以後は,工程,,,,・・・と繰り返す。この
方法で作成した狭帯域バンドパスフィルタの干渉縞を第
4図に示す。基板歪みは殆どないことが理解される。基
板直径30mm以内の波長ムラ特性は,第3図の実曲線
の如く広範囲にわたって所定の中心透過波長が得られ
る。
1は,複数の自転ジグ2を公転中心の回りに放射状に配
置した公転ドーム3と,遊嵌状態の自転ジグ2の外周面
歯に噛合する自転用内歯リング4と,この自転ジグ内に
水平保持される基板5を反転するマジックハンドと,高
エネルギー電子線をターゲット材に照射して蒸発させる
電子銃6と,イオン銃7と,モーター8と一体の公転用
歯車9とで構成される。上部投光器10の直下にモニタ
ガラス11と受光器12を配置する。自転ジグ2内には
基板5を水平保持する基板ホルダ13が反転可能に取付
けられている。以下に蒸着工程を説明する。H,L,
A,は二酸化チタン,二酸化珪素,アルミナ,五酸化タ
ンタル等の誘電体である。各層の光学膜厚はλ/4に採
る。公転用歯車9の回転により公転ドーム3はゆっくり
と回転し,多数の自転ジグ2は公転する。自転用内歯リ
ング4に噛合する各自転ジグ2は,公転しながら自転す
る。自転ジグ2内の基板ホルダ13に基板5を水平に取
り付ける。基板5はBK光学硝子で屈折率は1.5 。波長
(λ)1550nmで半値幅1nmのファブリペロータ
イプダブルキャビティバンドパスフィルタを作成した。 工程:基板表側面を蒸発源に向け,H/L/H/L/
H/L/H/Lの8層を順次積層する。Hは高屈折率薄
膜,Lは低屈折率薄膜である。 工程:公転ドーム3を停止し,マジックハンドで基板
5を反転させる。 工程:基板裏側面に,二酸化珪素(L)とアルミナ
(M)の対称三層膜(L/M/L)の等価屈折率ユニッ
トを20ユニット蒸着する。L(n :1.45 )の膜厚は7
0nm,M( n:1.62) の膜厚は33nmに採る。等価屈
折率(n0)は1.5 と基板5に等しい。この等価屈折率膜の
厚さは,前記工程の蒸着膜厚にほぼ等しいため,膜圧
縮歪みは修正される。 工程:工程を実行し,基板5の表側面に,H/L/
H/L/H/L/H/2Aを順次蒸着する。AはHとL
の中間屈折率薄膜である。(特許第1,777,505 号を参
照) 。 以後は,工程,,,,・・・と繰り返す。この
方法で作成した狭帯域バンドパスフィルタの干渉縞を第
4図に示す。基板歪みは殆どないことが理解される。基
板直径30mm以内の波長ムラ特性は,第3図の実曲線
の如く広範囲にわたって所定の中心透過波長が得られ
る。
【0006】自転ジグ2には基板ホルダ13を反転させ
る際にその中心となる回転軸とプランジャーが作られて
いる。リング状の基板ホルダはプランジャーと当合する
ピボットを有する。基板ホルダ13の回転手段はマジッ
クハンドに限定されるものでない。
る際にその中心となる回転軸とプランジャーが作られて
いる。リング状の基板ホルダはプランジャーと当合する
ピボットを有する。基板ホルダ13の回転手段はマジッ
クハンドに限定されるものでない。
【0007】
【発明の効果】要するに,本発明は基板表側面への積層
プロセスを複数の工程に分け,裏側面への等価屈折率膜
の蒸着プロセスも同じように複数の工程に分け,各工程
毎に基板をその都度反転させ,基板の表側面と裏側面に
ほぼ同じ厚さの蒸着膜を順次繰り返し積層するため,膜
圧縮歪みをその都度除去しつつ多層膜を蒸着できる。蒸
発源との距離や蒸発物質の入射角が殆ど一定に保たれる
ため,高精度膜の生産が可能となった。
プロセスを複数の工程に分け,裏側面への等価屈折率膜
の蒸着プロセスも同じように複数の工程に分け,各工程
毎に基板をその都度反転させ,基板の表側面と裏側面に
ほぼ同じ厚さの蒸着膜を順次繰り返し積層するため,膜
圧縮歪みをその都度除去しつつ多層膜を蒸着できる。蒸
発源との距離や蒸発物質の入射角が殆ど一定に保たれる
ため,高精度膜の生産が可能となった。
【図1】真空蒸発装置の説明図である。
【図2】蒸着薄膜の膜圧縮歪みによって基板が反ってい
く状態を示す説明図である。
く状態を示す説明図である。
【図3】基板中心からの距離と透過波長の関係を示す波
長ムラ特性図である。
長ムラ特性図である。
【図4】干渉縞である。
1 真空蒸着装置 2 自転ジグ 3 公転ドーム 4 自転用歯車 5 基板 6 電子銃 7 イオン銃 13 基板ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳澤昭二 神奈川県秦野市菩提69番3号
Claims (3)
- 【請求項1】 基板表側面に,高屈折率薄膜と低屈折率
薄膜を交互に蒸着積層し,裏側面には,基板とほぼ同じ
屈折率を有し且つ表側の蒸着膜厚にほぼ等しい等価屈折
率膜を蒸着して基板歪みを修正する誘電体多層膜フィル
タに於いて,基板表側面への積層プロセスを複数の工程
に分け,裏側面への等価屈折率膜の蒸着プロセスも同じ
ように複数の工程に分け,各工程毎に基板をその都度反
転させ,基板の表側面と裏側面にほぼ同じ厚さの蒸着膜
を順次繰り返し積層する,誘電体多層膜フィルタの製造
方法。 - 【請求項2】 基板表側面に異なる薄膜を交互に積層し
その裏側面にはこの基板とほぼ同じ屈折率を有し且つ表
側面の蒸着膜厚にほぼ等しい等価屈折率膜を蒸着するバ
ンドパスフィルタに於いて,基板表側面への積層プロセ
スを複数の工程に分け,裏側面への等価屈折率膜の蒸着
プロセスも同じように複数の工程に分け,各工程は基板
が自転しつつ公転する状態で実行し,各工程毎に基板を
その都度反転させ,基板の表側面と裏側面にほぼ同じ厚
さの蒸着膜を順次繰り返し積層する,誘電体多層膜フィ
ルタの製造方法。 - 【請求項3】 イオンアシスト法等の真空蒸着装置内
に,複数の自転ジグを公転中心の回りに放射状に配置し
た公転ドームと,遊嵌状態の自転ジグの外周面歯に噛合
する自転用内歯リングと,この自転ジグ内に水平保持さ
れる基板を反転する反転手段と,薄膜物質を蒸発させる
電子銃等の蒸発源を配置し,基板歪みを修正すべく複数
回この基板を反転させ,基板裏側面にほぼ同じ厚さの等
価屈折率膜を反転の都度蒸着する,誘電体多層膜フィル
タの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20754395A JPH0933719A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 誘電体多層膜フィルタの製造方法とその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20754395A JPH0933719A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 誘電体多層膜フィルタの製造方法とその製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0933719A true JPH0933719A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16541476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20754395A Pending JPH0933719A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 誘電体多層膜フィルタの製造方法とその製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0933719A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003075629A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Koshin Kogaku Kogyo Kk | 多キャビティバンドパスフィルタ及びその製造方法 |
WO2006006363A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Daishinku Corporation | 光学フィルタおよび光学フィルタの製造方法 |
WO2006068355A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Vct Co., Ltd. | Device and method of depositing near infra red transmitting multi-layered thin film on surface of quartz lamp heater |
WO2009157273A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 撮像光学系及び撮像用レンズの製造方法 |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP20754395A patent/JPH0933719A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003075629A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Koshin Kogaku Kogyo Kk | 多キャビティバンドパスフィルタ及びその製造方法 |
JP4653912B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2011-03-16 | 光伸光学工業株式会社 | 多キャビティバンドパスフィルタ及びその製造方法 |
WO2006006363A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Daishinku Corporation | 光学フィルタおよび光学フィルタの製造方法 |
WO2006068355A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Vct Co., Ltd. | Device and method of depositing near infra red transmitting multi-layered thin film on surface of quartz lamp heater |
WO2009157273A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 撮像光学系及び撮像用レンズの製造方法 |
JPWO2009157273A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2011-12-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 撮像光学系及び撮像用レンズの製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050809 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |