CN113433607B - 一种双带通滤光片及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于光学薄膜技术领域，具体涉及一种双带通滤光片及其制作方法。它解决了现有双带通设计膜层不规律、膜层效果不佳及容易造成产品不良等问题。本双带通滤光片包括基底、设于基底一侧的双带通膜系和另一侧的AR膜系，双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；双带通膜系的膜系结构为由(0.5LH0.5L)^13和1.5(0.5LH0.5L)^10两个膜堆互相堆叠而成，AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层，AR膜系的膜系结构为(0.5LH0.5L)^13。本滤光片具有工艺简单、产品质量好、滤光片性能佳的优点。

Description

一种双带通滤光片及其制作方法
技术领域
本发明属于光学薄膜技术领域，涉及一种双带通滤光片，特别是一种双带通滤光片及其制作方法。
背景技术
带通滤光片是光谱特性曲线透射带两侧邻接截止带的滤光片。带通滤光片根据光谱特性大致分为宽带滤光片和窄带滤光片两种，两种滤光片通常都是组合而成的，应用了光波干涉原理制备带通滤光片，且带通滤光片在各个领域得到了广泛应用。
双带通滤光片是单个滤光片具有两个带通，只用一片滤光片就能够实现两个特定波段的截取，能够选择两个或两个以上区域范围内的波段通过，双带通滤光片具有高峰值透射率和较深的截止，从而有效地抑制了光晕和温漂，拓宽了滤光片的应用。通常应用于安全监控、机器视觉检测、智能家居、智能交通等领域，特别是在无人机监测方面，双通带滤光片有着越来越广泛的应用。
现有在生产加工双带通滤光片时有采用光刻和镀膜工艺相结合的方式，用光刻工艺在基片上划分不同区域，一片区域镀制可见光透射红外光截止滤光膜，另一片区域镀制3D窄带滤光膜，实现两种膜系结合的双通滤光片。如公开的公告号为CN111552017A，名称为一种新型的双带通滤光片的制备方法的技术方案，该技术方案包括如下步骤：S1、预处理：挑选合适的玻璃片，放入超声波清洗机中清洗，通过离心干燥机甩干，检查玻璃片表面有无瑕疵，并在玻璃片正面表面划分若干彼此交替排布的A区与B区；S2、一次前处理：对玻璃片进行镀膜前准备工作；S3、A区镀膜：在所有的A区区域镀可见光透过红外截止滤光膜；S4、一次后处理：对镀膜后的玻璃片进行后续处理；S5、二次前处理：对玻璃片进行镀膜前准备工作；S6、B区镀膜：在所有的B区区域镀3D结构光940nm窄带滤光膜；S7、二次后处理：对镀膜后的玻璃片进行后续处理；S8、背面AR镀膜：在玻璃片背面镀宽屏增透AR膜；S9、清洗、检验：将成品放入超声波清洗机中，洗净甩干，取出检查外观是否合格。但该技术方案公开的加工流程较为复杂，单面镀膜工序较多，生产周期长，滤光片生产成本高。
随着工艺的改进及技术的发展，目前有些采用如下制备方法，包括如下步骤：a、清洁基底，并用离子源轰击2min～6min；b、将基底放入真空室内，抽真空至9×10-3Pa～2×10-4Pa，加热基底至100℃～200℃，恒温时间30min～60min；c、镀制第1层膜层，用SiO2膜料进行蒸镀，电子枪高能轰击材料，腔室充入Ar和O2气体，用离子源辅助，蒸发速率为0.8nm/s-1.2nm/s，使SiO2膜料离子沉积在基底上，采用晶振仪监控的方法确定第1层膜层的厚度；d、镀制第2层膜层，用TiO2膜料进行蒸镀，蒸发速率为0.2nm/s-0.5nm/s，腔室充入Ar和O2气体，用离子源辅助，使TiO2膜料沉积在基底上，采用晶振仪和光控结合监控的方法确定第2层膜层的厚度；e、依次重复步骤c和步骤d，直至镀完整个膜系；f、相同方法镀制另一面膜层。但该制备方法仍存在着如下问题：双带通设计膜层不规律，有很多薄层，用晶振和光控监控膜层效果不佳，实际镀膜光谱和设计光谱差异较大，容易造成产品不良。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术问题，提出了一种双带通滤光片及其制作方法。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种双带通滤光片，其特征在于：包括基底、设于基底一侧的双带通膜系和设于基底另一侧的AR膜系，所述双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述双带通膜系的膜系结构为由(0.5LH0.5L)^13和1.5(0.5LH0.5L)^10两个膜堆互相堆叠而成，所述双带通膜系的过渡带中心波长为740nm，所述(0.5LH0.5L)^13中的13为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数，所述1.5(0.5LH0.5L)^10中的10为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数；所述AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层，所述AR膜系的膜系结构为(0.5LH0.5L)^13，所述AR膜系的过渡带中心波长为740nm；上述双带通膜系和AR膜系各自膜系结构中的H为代表1个基本厚度的高折射率膜层，L代表1个基本厚度的低折射率膜层，0.5L代表0.5个基本厚度的低折射率膜层，1个H或1个L对应的基本厚度代表该膜层在参考波长处具有1/4光学厚度。
在上述的一种双带通滤光片中，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。
在上述的一种双带通滤光片中，所述的双带通膜系和所述AR膜系均通过磁控溅射方法镀膜完成。
一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S01，将超声清洗干净的玻璃基底放入镀膜治具中，并转入洁净的低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下；
步骤S02，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下；
步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底一侧表面；
步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧表面沉积双带通膜系，双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；
步骤S05，将镀好的干净单面玻璃基底放入低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下；
步骤S06，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下；
步骤S07，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底另一侧表面；
步骤S08，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧表面沉积AR膜系，AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；
步骤S09，玻璃基底自然冷却至室温后得到双带通滤光片。
在上述的一种双带通滤光片制作方法中，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层；所述步骤S04包括：
步骤S41，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；
步骤S42,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；
步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后第二层；
步骤44，重复步骤S41完成最后一层。
在上述的一种双带通滤光片制作方法中，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层；所述步骤S08包括：
步骤S81，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；
步骤S82,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；
步骤S83，按此方式循环步骤S81-S82直到最后第二层；
步骤84，重复步骤S81完成最后一层。
在上述的一种双带通滤光片制作方法中，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。
在上述的一种双带通滤光片制作方法中，所述的步骤S03具体为：用射频源发出的等离子体轰击基底一侧表面1～5min，射频源功率为2～4kw，射频源工作气体为Ar气和O2气，Ar气气体流量为200～500sccm，O2气气体流量为200～400sccm；靶材材料为高纯喷涂Nb靶和Si靶，靶材功率为7kw～11kw，靶材气体为Ar气，靶材气体流量为每对靶材100～400sccm。
在上述的一种双带通滤光片制作方法中，所述的步骤S07具体为：用射频源发出的等离子体轰击基底一侧表面1～5min，射频源功率为2～4kw，射频源工作气体为Ar气和O2气，Ar气气体流量为200～500sccm，O2气气体流量为200～400sccm；靶材材料为高纯喷涂Nb靶和Si靶，靶材功率为7kw～11kw，靶材气体为Ar气，靶材气体流量为每对靶材100～400sccm。
在上述的一种双带通滤光片制作方法中，制作的双带通滤光片能够实现0°入射光下300nm-385nm波段截止Tave<1％，可见光400nm-640nm波段高透Tave>90％，670nm-900nm波段截止Tave<1％，930nm-962nm波段高透Tave>95％，1000nm-1100nm波段截止Tave<1％；30°入射光下可见光蓝移<25nm，可见光仍然具有高透，红外光蓝移<38.5nm，红外光仍然具有高透。
与现有技术相比，本双带通滤光片及其制作方法具有如下几个优点：
1、采用磁控溅射工艺，产品的尺寸的不受限制，工序流程简单。
2、双带通设计属于非规整膜堆，磁控溅射镀膜精度比蒸发溅射镀膜精度高，产品光谱易实现，从而使实际镀膜光谱和设计光谱差异很小，保证产品质量。
3、五氧化二铌镀膜工艺，磁控溅射五氧化二铌和二氧化硅材料结合易脱模，方便生产制作。
4、双通的设计，可见和红外双透过，其余杂散光截止，大角度也具有相同特性，大大提升了滤光片的性能，具体为实现0°入射光下300nm-385nm波段截止Tave<1％，可见光400nm-640nm波段高透Tave>90％,670nm-900nm波段截止Tave<1％，930nm-962nm波段高透Tave>95％,1000nm-1100nm波段截止Tave<1％，30°入射光下可见光蓝移<25nm，可见光仍然具有高透，红外光蓝移<38.5nm，红外光仍然具有高透的特性，从而满足实际需求。
附图说明
图1是双带通膜系的透射光谱。
图2是AR膜系的透射光谱。
图3是AR膜系和双带通膜系的双面光谱。
图4是双带通滤光片制作方法的流程图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
实施例一
本实施例公开的双带通滤光片，包括基底、设于基底一侧的双带通膜系和设于基底另一侧的AR膜系。
双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；双带通膜系的膜系结构为由(0.5LH0.5L)^13和1.5(0.5LH0.5L)^10两个膜堆互相堆叠而成，双带通膜系的过渡带中心波长为740nm，(0.5LH0.5L)^13中的13为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数，1.5(0.5LH0.5L)^10中的10为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数。双带通膜系中的低折射率膜层为二氧化硅膜层，高折射率膜层为五氧化二铌膜层。双带通膜系是通过磁控溅射方法镀膜完成。双带通膜系中的H为代表1个基本厚度的高折射率膜层，即代表1个基本厚度的五氧化二铌膜层；L代表1个基本厚度的低折射率膜层，即代表1个基本厚度的二氧化硅膜层，0.5L代表0.5个基本厚度的低折射率膜层，1个H或1个L对应的基本厚度代表该膜层在参考波长处具有1/4光学厚度。采用TFC软件对双带通膜系(即B面膜系)的结构进行优化，得到双带通膜系的各膜层参数如下表1所示，其中层数为1的膜层沉积在玻璃基底上，层数为47的膜层为双带通膜系的最外层。
表1-镀膜B面(即双带通膜系)的各膜层参数表：
Figure BDA0003090340680000071
Figure BDA0003090340680000081
得到的双带通膜系的透射光谱图如图1所示。
AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层，AR膜系的膜系结构为(0.5LH0.5L)^13，AR膜系的过渡带中心波长为740nm；具体到本实施例，AR膜系中的低折射率膜层为二氧化硅膜层，高折射率膜层为五氧化二铌膜层。AR膜系的膜系结构中的H为代表1个基本厚度的高折射率膜层，即代表1个基本厚度的五氧化二铌膜层，L代表1个基本厚度的低折射率膜层，即代表1个基本厚度的二氧化硅膜层，0.5L代表0.5个基本厚度的低折射率膜层，1个H或1个L对应的基本厚度代表该膜层在参考波长处具有1/4光学厚度。AR膜系通过磁控溅射方法镀膜完成。
采用TFC软件对AR膜系(即A面膜系)的结构进行优化，得到AR膜系的各膜层参数如下表2所示，其中层数为1的膜层沉积在玻璃基底上，层数为37的膜层为AR膜系的最外层。
表2-镀膜A面(即AR膜系)的各膜层参数表:
Figure BDA0003090340680000091
Figure BDA0003090340680000101
得到的AR膜系的透射光谱图如图2所示。
整体得到的双带通滤光片的双带通透射光谱图如图3所示。上述结构形成的双带通设计属于非规整膜堆，磁控溅射镀膜精度比蒸发溅射镀膜精度高，产品光谱易实现，从而使实际镀膜光谱和设计光谱差异很小，保证产品质量。同时，双通的设计，可见和红外双透过，其余杂散光截止，大角度也具有相同特性，大大提升了滤光片的性能，具体为实现0°入射光下300nm-385nm波段截止Tave<1％，可见光400nm-640nm波段高透Tave>90％,670nm-900nm波段截止Tave<1％，930nm-962nm波段高透Tave>95％,1000nm-1100nm波段截止Tave<1％，30°入射光下可见光蓝移<25nm，可见光仍然具有高透，红外光蓝移<38.5nm，红外光仍然具有高透的特性，从而满足实际需求。
实施例二
本实施公开一种双带通滤光片制作方法，如图4所示，包括如下步骤：
步骤S01，将超声清洗干净的玻璃基底放入镀膜治具中，并转入洁净的低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下。
步骤S02，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下。
步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底一侧表面；具体为：用射频源发出的等离子体轰击基底一侧表面1～5min，射频源功率为2～4kw，射频源工作气体为Ar气和O2气，Ar气气体流量为200～500sccm，O2气气体流量为200～400sccm；靶材材料为高纯喷涂Nb靶和Si靶，靶材功率为7kw～11kw，靶材气体为Ar气，靶材气体流量为每对靶材100～400sccm。
步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧表面沉积双带通膜系，双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；
其中，低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层；步骤S04具体包括：
步骤S41，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；
步骤S42,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；
步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后第二层；
步骤44，重复步骤S41完成最后一层。
步骤S05，将镀好的干净单面玻璃基底放入低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下。
步骤S06，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下。
步骤S07，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底另一侧表面；具体为：用射频源发出的等离子体轰击基底一侧表面1～5min，射频源功率为2～4kw，射频源工作气体为Ar气和O2气，Ar气气体流量为200～500sccm，O2气气体流量为200～400sccm；靶材材料为高纯喷涂Nb靶和Si靶，靶材功率为7kw～11kw，靶材气体为Ar气，靶材气体流量为每对靶材100～400sccm。
步骤S08，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧表面沉积AR膜系，AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；
其中，低折射率膜层为二氧化硅膜层，高折射率膜层为五氧化二铌膜层；步骤S08具体包括：
步骤S81，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；
步骤S82,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；
步骤S83，按此方式循环步骤S81-S82直到最后第二层；
步骤84，重复步骤S81完成最后一层。
步骤S09，玻璃基底自然冷却至室温后得到双带通滤光片；得到的双带通滤光片能够实现0°入射光下300nm-385nm波段截止Tave<1％，可见光400nm-640nm波段高透Tave>90％，670nm-900nm波段截止Tave<1％，930nm-962nm波段高透Tave>95％，1000nm-1100nm波段截止Tave<1％；30°入射光下可见光蓝移<25nm，可见光仍然具有高透，红外光蓝移<38.5nm，红外光仍然具有高透。
本实例的制作方法采用磁控溅射工艺，产品的尺寸的不受限制，工序流程简单；双带通设计属于非规整膜堆，磁控溅射镀膜精度比蒸发溅射镀膜精度高，产品光谱易实现，从而使实际镀膜光谱和设计光谱差异很小，保证产品质量；五氧化二铌镀膜工艺，磁控溅射五氧化二铌和二氧化硅材料结合易脱模，方便生产制作；双通的设计，可见和红外双透过，其余杂散光截止，大角度也具有相同特性，大大提升了滤光片的性能。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (9)

1. 一种双带通滤光片，其特征在于：包括基底、设于基底一侧的双带通膜系和设于基底另一侧的AR膜系，所述双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述双带通膜系的膜系结构为由(0.5LH0.5L)^13 和1.5(0.5LH0.5L)^10两个膜堆互相堆叠而成，所述双带通膜系的过渡带中心波长为740nm，所述(0.5LH0.5L)^13中的13为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数，所述1.5(0.5LH0.5L)^10中的10为基本膜堆0.5LH0.5L的周期数；所述AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层，所述AR膜系的膜系结构为(0.5LH0.5L)^13，所述AR膜系的过渡带中心波长为740nm；上述双带通膜系和AR膜系各自膜系结构中的H为代表1个基本厚度的高折射率膜层，L代表1个基本厚度的低折射率膜层，0.5L代表0.5个基本厚度的低折射率膜层，1个H或1个L对应的基本厚度代表该膜层在参考波长处具有1/4光学厚度；
所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。
2.根据权利要求1所述的一种双带通滤光片，其特征在于，所述的双带通膜系和所述AR膜系均通过磁控溅射方法镀膜完成。
3.一种双带通滤光片制作方法，用于上述权利要求1-2中任一所述双带通滤光片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S01，将超声清洗干净的玻璃基底放入镀膜治具中，并转入洁净的低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下；
步骤S02，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下；
步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底一侧表面；
步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧表面沉积双带通膜系，双带通膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；
步骤S05，将镀好的干净单面玻璃基底放入低真空腔室并抽真空至5.0E-0Pa以下；
步骤S06，将玻璃基底搬入高真空腔室并抽真空至7.0E-04pa以下；
步骤S07，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底另一侧表面；
步骤S08，采用磁控溅射方法在玻璃基底另一侧表面沉积AR膜系，AR膜系包括从内往外交替叠加的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；
步骤S09，玻璃基底自然冷却至室温后得到双带通滤光片；
所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。
4.根据权利要求3所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层；所述步骤S04包括：
步骤S41，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；
步骤S42,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；
步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后第二层；
步骤44，重复步骤S41完成最后一层。
5.根据权利要求3或4所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，所述步骤S08包括：
步骤S81，进行二氧化硅膜层沉积，2对靶材工作，第二射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第二射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，二氧化硅膜层沉积速率为0.4-0.6nm/s；
步骤S82,进行五氧化二铌膜层沉积，1对靶材工作，第一射频氧化源工作，工作气体Ar流量为100-800sccm，O2流量为100-400sccm,溅射源功率为8kw-12kw，第一射频氧化源的功率为2kw-4.5kw，五氧化二铌膜层沉积速率为0.2-0.3nm/s；
步骤S83，按此方式循环步骤S81-S82直到最后第二层；
步骤84，重复步骤S81完成最后一层。
6.根据权利要求5所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，所述的低折射率膜层为二氧化硅膜层，所述高折射率膜层为五氧化二铌膜层。
7. 根据权利要求5所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，所述的步骤S03具体为：用射频源发出的等离子体轰击基底一侧表面1～5 min，射频源功率为2～4kw，射频源工作气体为Ar气和O2气，Ar气气体流量为200～500sccm，O2气气体流量为200～400sccm；靶材材料为高纯喷涂Nb靶和Si靶，靶材功率为7kw～11kw，靶材气体为Ar气，靶材气体流量为每对靶材100～400sccm。
8. 根据权利要求5所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，所述的步骤S07具体为：用射频源发出的等离子体轰击基底一侧表面1～5 min，射频源功率为2～4kw，射频源工作气体为Ar气和O2气，Ar气气体流量为200～500sccm，O2气气体流量为200～400sccm；靶材材料为高纯喷涂Nb靶和Si靶，靶材功率为7kw～11kw，靶材气体为Ar气，靶材气体流量为每对靶材100～400sccm。
9.根据权利要求8所述的一种双带通滤光片制作方法，其特征在于，制作的双带通滤光片能够实现0°入射光下300nm-385nm波段截止Tave<1%，可见光400nm-640nm波段高透Tave>90%，670nm-900nm波段截止Tave<1%，930nm-962nm波段高透Tave>95%，1000nm-1100nm波段截止Tave<1%；30°入射光下可见光蓝移<25nm，可见光仍然具有高透，红外光蓝移<38.5nm，红外光仍然具有高透。
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