JP4401880B2 - 多重バンドパスフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、複数の波長域に透過帯域を有する多重バンドパスフィルタに関する。

周知の通り、光通信の光ファイバ伝送方式における波長多重システムにおいては、１本の光ケーブルに、例えば光が有効利用される干渉フィルタを用いたフィルタ形のバンドパスフィルタである光合波器を介し、複数の異なる波長域の光を同時に伝搬させ、光合波器と同様構成の光分波器を介して各波長域の光に分離し、所要の光信号を効率的に伝送することが行われている。しかし、良好な伝送を確保するためには、複数の波長域に対応したバンドパスフィルタを用意し、合波、分波を行う必要がある。

例えば、４波長λ_１、λ_２、λ_３、λ_４を含む光の中から２つの波長λ_２、λ_３を分波する光分波器１０１は、図４３に示すように、４本の光ファイバ１０２を、ガラスブロック１０３の対向する両面にそれぞれスぺーサ１０４、レンズ１０５を介して設け、また所定位置のスぺーサ１０４とガラスブロック１０３の間に、分波する波長λ_２、λ_３に対応する第１のバンドパスフィルタ１０６、第２のバンドパスフィルタ１０７を配した構成となる。そして、光分波器１０１では、図中に光軸を一点鎖線、送光方向を矢印で示すように、１つの光ファイバ１０２から送り込まれた４波長λ_１、λ_２、λ_３、λ_４を含む光から、第１のバンドパスフィルタ１０６部分で波長λ_２の光が分波され、第２のバンドパスフィルタ１０７部分で波長λ_３の光が分波される。なお、光合波器は、送光方向が逆となるだけで、光分波器１０１と同様に構成される。

このため、１本の光ケーブルに同時に複数の異なる波長域の光を伝搬させる場合においても、各波長域に対応するバンドパスフィルタを用意しなくてすむと共に、良好な光信号の伝送も行うことができるようにすることが望まれている。そして、こうした要求に対し、１つのフィルタにより複数の異なる波長域の光、例えば２つの異なる波長域の光を透過させることができる２つの透過帯域を有するものが提示されている（例えば、特許文献１参照）。このような１つのフィルタにより複数の異なる波長域の光を合波、分波することができるフィルタに対しては、各波長域間のアイソレーションが不十分であるとクロストークが生じ、通信の品質を低下させてしまうため、こうした点からは各波長域間のアイソレーションをより十分に大きく、信頼性を高いものとすることが求められる。

一方、カラーＴＶ等におけるカラー画像の撮像においては、撮像対象を青色、緑色、赤色の光に分解し、各色に対応して設けた素子によって青、緑、赤の各色画像信号を得るようにしている。そして、撮像対象を青色、緑色、赤色の光に分解するために色分解プリズムと各色用のトリミングフィルタが使用される。トリミングフィルタは、色分解プリズムに設けられたダイクロイック膜だけでは不足する色分解を、より完全なものとするために用いられるもので、こうしたトリミングフィルタにも、１つのフィルタでもって例えば青色、緑色、赤色の各波長域を透過させることができる複数の透過帯域を有するものがある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。

また、このように１つのフィルタで、青、緑、赤の各波長域を透過させることができるものにおいても、各透過帯域間のアイソレーションを十分大きく取る必要があり、1つのフィルタでも、より確実な分離が行え、再現時に忠実な色再現がなし得るような色分解が行えるものであることが求められている。
特公平５−２６１６２号公報 特公昭６０−３８６８２号公報 特公昭６０−３８６８３号公報

上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは、複数の透過帯域間のアイソレーションが十分に大きく、1つのフィルタによっても複数の異なる波長域の光の分離がより確実に行え、例えば光通信の波長多重システムにおいては、通信の品質の低下をきたさずに合波、分波が行える信頼性の高い多重バンドパスフィルタを提供することにある。また画像とカラー分野においては、三原色に関係するフィルタを提供することにある。

本発明の多重バンドパスフィルタは、
対象光に透明な基板上に、それぞれ屈折率及び材質の異なる２種類の誘電体を、光学膜厚が参考とする波長の４分の１を１単位として積層した、ミラー層、キャビティ層及び必要に応じマッチング層を設け、複数のファブリペロー干渉計構造を形成してなる薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタであって、
前記薄膜積層部が、前記誘電体の膜をＸ，Ｙとし、前記ミラー層をＭ、前記キャビティ層をＣ、前記マッチング層をＴとしたときに、これらの積層関係の基本式が、
［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ
または、［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ］^ｋ
但し、ｉ，ｋ：２以上の整数
であり、
Ｍは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の奇数倍である単層、または異なる誘電体Ｘ，Ｙによる奇数倍の［（２ｐ＋１）Ｘ，（２ｑ＋１）Ｙ，……］で示される交互層（但し、ｐ，ｑ，……は０または正の整数）、
Ｃは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の偶数倍である単層、または異なる誘電体Ｘ，Ｙによる偶数倍の［（２ｒ）Ｙ，（２ｓ）Ｘ，……］で示される交互層（但し、ｒ，ｓ，……は０または正の整数）、
Ｔは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の奇数倍である単層、である構成となっているか、
または、前記基本式の構造の任意位置に、厚さが参考波長の４分の１の偶数倍の誘電体Ｘ，Ｙの少なくとも一方を、単独挿入してなることを特徴とするものであり、
さらに、前記薄膜積層部が、前記基板側または表面側の少なくとも一方に、該薄膜積層部外との整合を取るためのマッチング層を有していることを特徴とするものであり、
さらに、前記薄膜積層部外との整合を取るためのマッチング層が、前記［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋの基本ブロックと同数の前記誘電体の膜でなることを特徴とするものであり、
さらに、前記参考波長が１４５０ｎｍであり、前記ｉが２、前記ｋが２以上であることを特徴とするものであり、
さらに、前記薄膜積層部が、前記ミラー層Ｍ、前記キャビティ層Ｃを構成する前記誘電体Ｘの一部または前記誘電体Ｙの一部を、前記誘電体Ｘ，Ｙと異なる第３の誘電体と入れ替えた構成、または、前記誘電体Ｘの一部または前記誘電体Ｙの一部を、前記誘電体Ｘ，Ｙと異なる前記第３の誘電体、第４の誘電体と入れ替えた構成となっていることを特徴とするものであり、
また、対象光に透明な基板上に、それぞれ屈折率及び材質の異なる２種類の誘電体を、光学膜厚が参考とする波長の４分の１を１単位として積層した、ミラー層、キャビティ層及びマッチング層を設け、複数のファブリペロー干渉計構造を形成してなる薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタであって、
前記参考波長が可視光であり、前記薄膜積層部が、前記誘電体の膜をＸ，Ｙとし、前記ミラー層をＭとしたときに、
［Ｍ_０（２ｅＹ）Ｍ_１（２ｆＹ）Ｍ_２（２ｇＹ）Ｍ_３（Ｙ）］^ｋ
または、［Ｍ_４（２ｅＹ）（２ｆＸ）（２ｇＹ）Ｍ_５（Ｙ）］^ｋ
または、［Ｍ_６（２ｅＹ）Ｍ_７（２ｆＸ）Ｍ_８（２ｇＹ）Ｍ_９（Ｘ）］^ｋ
但し、Ｍ_０〜Ｍ_５がＸ、ＸＹＸ、ＸＹＸＹＸ、ＸＹＸＹＸＹＸのいずれかであり、Ｍ_６、Ｍ_８がＹＸ、ＹＸＹＸ、ＹＸＹＸＹＸのいずれかであり、Ｍ_７、Ｍ_９がＸＹ、ＸＹＸＹ、ＸＹＸＹＸＹのいずれかであり、ｅ，ｆ，ｇが1以上、ｋが２以上の整数の構成となっていて、形成される透過率特性曲線の３ピークの中心波長が、それぞれ青、緑、赤の三原色の波長であることを特徴とするものであり、
また、対象光に透明な基板上に、誘電体でなり光学膜厚が（５３２／４）ｎｍである高屈折率膜と、この高屈折率膜よりも低屈折率の誘電体でなり光学膜厚が（５３２／４）ｎｍである低屈折率膜とを交互に積層してなる薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタであって、
前記薄膜積層部が、前記高屈折率膜と低屈折率膜の一方をＸ、他方をＹとしたときに、
［Ｘ（２Ｙ）Ｘ（２Ｙ）Ｘ（２Ｙ）Ｘ（Ｙ）］^ｋ
但し、ｋが２以上の整数の構成となっていることを特徴とするものであり、
さらに、前記高屈折率膜がＸであり、前記低屈折率膜がＹであり、前記ｋが６であることを特徴とするものであり、
さらに、前記高屈折率膜がＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかでなり、前記低屈折率膜がＳｉＯ_２でなることを特徴とするものである。

以上の説明から明らかなように、本発明によれば、複数の透過帯域間のアイソレーションを十分に大きなものとすることができ、1つのフィルタによっても複数の異なる波長域の光の分離がより確実に行え、光通信の波長多重システムなどにおいて、通信の品質の低下をきたすことなく合波、分波が行え、信頼性の高いものとすることができる等の効果を有する。また青、緑、赤の三原色を同時透過するフィルタの提供が可能になるので、ディスプレー、デジタルカメラ等の画像関係、写真、カメラ等のカラー関係の光学に効果を奏する。

以下本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。本発明は、例えば図１に概略の断面図を示すように、多重バンドパスフィルタ１は、誘電体多層膜フィルタで、赤外光から紫外光の範囲に入る対象光に対して透明な基板２上に、それぞれ屈折率及び材質の異なる２種類以上の誘電体を、光学膜厚が参考とする波長の４分の１を１単位として積層した、ミラー部、キャビティ部及び必要に応じマッチング層を設け、複数のファブリペロー（ＦＰ）干渉計構造を形成してなる薄膜積層部３を設けて構成されている。そして、基板２には、無アルカリガラスやホウケイ酸ガラスの白板ガラス、二酸化ケイ素を主組成とする石英ガラスや水晶、また例えばＢＫ７（商品名）、ＷＭＳ−１３（商品名）、ＷＭＳ−１５（商品名）等の光学ガラス、サファイア、ＬｉＮｂＯ_３、ＣａＦ_２、シリコン、さらに半導体基板、合成樹脂、ガラスファイバ端面などの中から用途により選択される。

また、基板２上に設けられる薄膜積層部３の高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌは、例えばＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ、ＺｒＯ_２、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＨｆＯ_２、Ｇｅ、Ｎｄ_２Ｏ_６、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＣｅＯ_２、ＺｎＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２、ＬｉＦ、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＦ_３、ＭｇＯ、ＬａＦ_３、ＰｂＦ_２、ＮｄＦ_３など、あるいはこれらの混合材料の内から、少なくとも２種類を選択し、選択した材料を蒸着やスパッタリング、イオンプレーティングのＰＶＤ法（物理気相成長法）、例えば抵抗加熱蒸着、電子ビーム（ＥＢ）加熱蒸着、高周波加熱蒸着、レーザビーム加熱蒸着、イオン化スパッタ、イオンビームスパッタ、プラズマスパッタ、イオンアシスト法、ラジカルアシストスパッタの何れかを採用してそれぞれ交互に所定厚さに成膜し、積層がなされる。

そして、薄膜積層部３における誘電体膜の交互積層の構成は、次の通りとなっている。

すなわち、誘電体膜は、対象光が含まれる波長域の選択された参考波長をλとしたときに、それぞれの光学膜厚がλ／４となっていて、各誘電体膜をＸ，Ｙとし、ミラー層をＭ、キャビティ層をＣ、マッチングを層Ｔとしたときに、これらの積層関係の基本式が、
［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ
または、［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ］^ｋ
但し、ｉ，ｋ：２以上の整数
であり、
Ｍは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の奇数倍である単層、または異なる
誘電体Ｘ，Ｙによる奇数倍の［（２ｐ＋１）Ｘ，（２ｑ＋１）Ｙ，……］
で示される交互層（但し、ｐ，ｑ，……は、０または正の整数）、
（例えば、Ｘ、Ｙ、ＸＹＸ、ＹＸ、３ＸＹＸ５Ｙ、……等、）
Ｃは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の偶数倍である単層、または異なる
誘電体Ｘ，Ｙによる偶数倍の［（２ｒ）Ｙ，（２ｓ）Ｘ，……］で示され
る交互層（但し、ｒ，ｓ，……は０または正の整数）、
（例えば、２Ｘ、２Ｙ、２Ｘ４Ｙ、２Ｙ２Ｘ２Ｙ、……等、）
Ｔは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の奇数倍である単層、
（隣接する基本ブロック（単一の基本式構成）間の位相を整合するもの
で、Ｍ_０の始まりの層と、Ｍ_ｉの終わりの層が同じ物質である場合に、
この層が整合層として必要になる。）
である構成となっているか、
または、基本式の構造の任意位置に、厚さが参考波長の４分の１の偶数倍の誘電体Ｘ，Ｙの少なくとも一方を、単独または複数挿入してなる構成となっている。

なお、上記のミラー層Ｍ、キャビティ層Ｃ、マッチング層Ｔの積層関係の基本式
［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１Ｃ_２Ｍ_２……Ｍ_{（ｉ−１）}Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ には、複数のＦＰ干渉計構造の繰り返しが含まれており、ｉ≧２では、ミラー層Ｍは３以上、キャビティ層Ｃは２以上となり、基本ブロック（基本式の［ ］内の部分）内に２以上のＦＰ干渉計構造を持ち、例えばミラー層Ｍ_１は、Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１とＭ_１Ｃ_２Ｍ_２の両方のＦＰ干渉計構造で共用されている。

また、上記基本式でなる誘電体膜の交互積層の構成は、隣接するミラー層Ｍとキャビティ層Ｃのそれぞれの最外層の膜物質が異なったものでなければならない。このため、基本式の繰り返される基本ブロックの始めに位置するミラー層Ｍと、終わりに位置するミラー層Ｍの互いに隣接することになる膜物質が同じである場合には、そのまま繰り返されると、隣接する膜物質同士で偶数倍厚さの層となるので、これを避けるために、このような場合について、ＸまたはＹの奇数倍厚さの単層のマッチング層Ｔを入れる。

また、基本ブロック中のキャビティ層Ｃの数は、そのまま透過率特性曲線におけるピークの数となる。そして、参考波長が多重バンドパスフィルタの中心波長となるため、キャビティ層Ｃが奇数個の場合は、透過率特性曲線においては中心波長でピークが生じ、逆に偶数の場合は、ボトムが生じる。

さらに、多重バンドパスフィルタのスペクトル形状は、横軸を周波数としたときに、左右対称（実際は物質の屈折率の波長分散による影響で厳密には非対称となるが）となるため、横軸を波長にすると、中心より長波長側のピークは太く、短波長側のピークは細くなる。またキャビティ層Ｃの膜厚が大きければ透過ピークの半値幅が狭くなり、且つピークの間隔が狭くなる。ミラー層Ｍの層数は、多ければ多いほど透過ピークの半値幅が狭くなる。また基本ブロックの繰り返し回数ｋが多いほど、透過域と阻止域のアイソレーションが大きくなるため、それぞれを適正に設定することで、目的に応じた多重バンドパスフィルタを得ることができる。

また、基本ブロックの中で、マッチング層Ｔを除いたミラー層Ｍ及びキャビティ層Ｃの各膜厚のみを数字の列として取り出したときに、この数字の列が左右対称である場合に、基本ブロックのピーク透過率は最も高くなる。

例えば、［Ｍ₀Ｃ₁Ｍ₁Ｃ₂Ｍ₂（Ｔ）］で、Ｍ₀＝（ＸＹＸ）、Ｍ₁＝（ＸＹＸＹＸ）、Ｍ₂＝（ＸＹＸ）、Ｃ₁＝Ｃ₂＝（２Ｙ）、Ｔ＝Ｙのとき、数字の列は、［１１１２１１１１１２１１１］となり、ピーク透過率は最も高くなる。

例えば、［Ｍ₀Ｃ₁Ｍ₁Ｃ₂Ｍ₂］で、Ｍ₀＝Ｍ₂＝（ＸＹ）、Ｍ₁＝（ＹＸＹＸ）、Ｃ₁＝（４Ｘ）、Ｃ₂＝（４Ｙ）のとき、数字の列は、［１１４１１１１４１１］となり、ピーク透過率は最も高くなる。

また、挿入する誘電体Ｘ，Ｙの膜厚は、偶数倍と限定している。挿入に際し、ミラー層Ｍに挿入したときには、キャビティ層Ｃの数は変らないためピークの数が変らず、ピークの位置と半値幅が若干変る。キャビティ層Ｃの周りに挿入したときには、ピークの数を増やすことが可能となる。

例えば、（ＸＹＸ）に（２Ｙ）を挿入すると、（Ｘ３ＹＸ）となり、ピークの数は変らない。

例えば、（Ｘ２Ｙ２ＸＹ）の中央に（２Ｘ）または（２Ｙ）のいずれか１つを挿入すると、（Ｘ２Ｙ４ＸＹ）または（Ｘ４Ｙ２ＸＹ）となり、キャビティ層Ｃの数は変らない。たたし、（２Ｘ）と（２Ｙ）を同時に挿入すると、（Ｘ２Ｙ２Ｘ２Ｙ２ＸＹ）となり、全てのキャビティ層Ｃに挿入すれば、ピークの数が増えることになる。

またさらに、基本ブロックのキャビティ層Ｃ、ミラー層Ｍ、マッチング層の一部が、誘電体Ｘ，Ｙと異なる第３の誘電体、第４の誘電体と入れ替えた場合には、ピークの数は変らないが、ピークの位置と半値幅が変化する。

また、このように構成された多重バンドパスフィルタ１は、例えば基本式でｉ＝２である薄膜積層部３が離れた２つの波長域の光（波長がλ_２、λ_４の光）をそれぞれ透過させるよう２つの透過帯域を有する２ピーク特性ものであると、多重バンドパスフィルタ１によって、図２に示すような合波、分波を行うことができる。すなわち、合波は、図２(ａ)に示すように多重バンドパスフィルタ１の表面に波長λ_２、λ_４の光を所定の入射角、例えば０度から３０度で入射させ、また、これに直交するよう裏面側から波長λ_１、λ_３、λ_５の光を所定の入射角で入射させると共にフィルタを透過させることで、合波した波長λ_１、λ_２、λ_３、λ_４、λ_５の光を得ることができる。また分波は、図２(ｂ)に示すように多重バンドパスフィルタ１の表面に波長λ_１、λ_２、λ_３、λ_４、λ_５の光を所定の入射角で入射させると、これと同方向に波長λ _２ 、λ _４ の光が透過し、また直交する方向に波長λ_１、λ_３、λ_５の光が反射して分波がなされる。

以下、上述の構成を有する薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタの各実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。

先ず第１の実施形態を図３乃至図１４により説明する。図３は基本構造を示す断面図であり、図４は基本構造における透過率特性を示す図であり、図５は第１実施例を示す断面図であり、図６は第１実施例における透過率特性を示す図であり、図７は第２実施例を示す断面図であり、図８は第２実施例における透過率特性を示す図であり、図９は第３実施例における透過率特性を示す図であり、図１０は第４実施例を示す断面図であり、図１１は第４実施例における透過率特性を示す図であり、図１２は第１の変形形態における透過率特性を示す図であり、図１３は第２の変形形態における透過率特性を示す図であり、図１４は第３の変形形態における透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記の基本式の
［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ において、
全てのＭとＣがそれぞれ同じ（Ｍ_０＝Ｍ_１＝……＝Ｍ_ｉ、Ｃ_１＝……＝Ｃ_ｉ）であって、
［Ｍ（ＣＭ）^ｉＴ］^ｋ と記されるものであり、
そのうちのｉ＝２の、図３及び図４に示すような基本構造、透過率特性を有するものをもとにしてなるもので、２つの透過帯域を有する。そして、その基本構造は、次に述べるように構成されている。

すなわち、図３及び図４において、２ａは屈折率ｎ＝１．５２のガラスでなる基板で、その上面には薄膜積層部３ａが設けられたものとなっている。薄膜積層部３ａは、高屈折率膜Ｈが、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、また低屈折率膜Ｌが、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、そして、これら高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを交互に積層し、図３に示すように基本式におけるＸ、ＹをＨ、Ｌとした膜構成となっている。

また、薄膜積層部３ａは、高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとが、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍと、こうしたミラー層Ｍの間に光学膜厚が（２×λ／４）の低屈折率膜Ｌで、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃを位置させるようにし、さらにキャビティ層Ｃとミラー層Ｍの組み合わせを２つ繰り返し配置するようにした後に、基板２ａ側に１層の低屈折率膜Ｌでなるマッチング層Ｔを配置した構成となっていて、１つの基本ブロック４ａを構成している。そして、その基本ブロック４ａは、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^１ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図４に示すように参考波長λ＝１４５０ｎｍで透過率が低く、その両側に高透過率の透過帯域を有する２ピーク特性となる。

そして、本実施形態における以下の各実施例は、基板２ａ上にこうした基本ブロック４ａを繰り返すように設けたものである。

次に、本実施形態の第１実施例を図５及び図６により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ１ａ_１は、基板２ａ上に設けた薄膜積層部３ａ_１が、上述の基本ブロック４ａを２回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^２ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図６に示すように参考波長λで透過率が低く、その両側に高透過率の波長域を有する２ピーク特性となる。そして、高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて十分に分離され、透過帯域間のアイソレーションも大きく、本実施例の多重バンドパスフィルタ１ａ_１は、略１３８０ｎｍと１５４０ｎｍの２つの波長域に透過帯域を有するものである。

次に、本実施形態の第２実施例を図７及び図８により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ１ａ_２は、基板２ａ上に設けた薄膜積層部３ａ_２が、上述の基本ブロック４ａを３回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^３ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図８に示すように参考波長λで透過率が１桁の数％と低く、第１実施例と同様に、その両側に高透過率の波長域を有する２ピーク特性となる。そして、高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて第１実施例よりもさらに十分に分離され、透過帯域間のアイソレーションも大きなものとなって、略１３８０ｎｍと１５４０ｎｍの２つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

次に、本実施形態の第３実施例を図９により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ１ａ_３（図示せず）は、その膜構成については、基板２ａ上に設けた薄膜積層部３ａ_３（図示せず）が、上述の基本ブロック４ａを４回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^４ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。そして、その透過率特性は、図９に実線で示すように、参考波長λで透過率が略０％と低く、第１実施例と同様に、その両側に高透過率の波長域を有する２ピーク特性となる。また、図９に点線で損失を示すように、高透過帯域とその間の低透過帯域とでは２６ｄＢの差がある。このように高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて第２実施例よりもさらに十分に分離され、透過帯域間のアイソレーションも十分に大きなものとなって、略１３８０ｎｍと１５４０ｎｍの２つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

さらに、本実施形態の第４実施例を図１０及び図１１により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ１ａ_４は、その膜構成については、基板２ａ上に設けた薄膜積層部３ａ_４が、上述の基本ブロック４ａを５回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^５ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。そして、その透過率特性は、図１１に実線で示すように、参考波長λで透過率が０％と低く、第１実施例と同様に、その両側に高透過率の波長域を有する２ピーク特性となる。また、図１１に点線で損失を示すように、高透過帯域とその間の低透過帯域とでは３４ｄＢの差がある。このように高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、基本ブロック４ａの繰り返し回数が増すにともない分離性が向上し、透過率からみて第３実施例よりも分離され、透過帯域間のアイソレーションも十分に大きなものとなって、略１３８０ｎｍと１５４０ｎｍの２つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

次に、本実施形態の第１の変形形態を説明する。図１２は本変形形態における透過率特性を示す図である。本変形形態の多重バンドパスフィルタ１ｂ（図示せず）は、上記した第４実施例のように、基板２ａ上に設けた薄膜積層部３ｂ（図示せず）が、次に述べる基本ブロック４ｂを５回繰り返すように設けた構成となっている。すなわち、基本ブロック４ｂは、ミラー層Ｍが光学膜厚λ／４の１層の屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２でなる高屈折率膜Ｈのみで低屈折率膜Ｌがなく、キャビティ層Ｃが２Ｌで示される光学膜厚（２×λ／４）の屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２でなる低屈折率膜Ｌ、さらに基板２ａ側に光学膜厚λ／４の１層のキャビティ層Ｃと同じ材料の低屈折率膜Ｌでなるマッチング層Ｔを配置した構成のものである。そして、薄膜積層部３ｂの構成は、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^５ （但し、Ｍ＝Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図１２に実線で示すように参考波長λで透過率が１桁の数％と低く、その両側に第４実施例よりも透過波長範囲の広い高透過率の波長域を有する２ピーク特性のフィルタとすることができる。なお、図１２中における点線は、第４実施例の透過率特性である。

次に、本実施形態の第２の変形形態を説明する。図１３は本変形形態における透過率特性を示す図である。本変形形態の多重バンドパスフィルタ１ｃ（図示せず）は、上記した第４実施例のように、基板２ａ上に設けた薄膜積層部３ｃ（図示せず）が、次に述べる基本ブロック４ｃを５回繰り返すように設けた構成となっている。すなわち、基本ブロック４ｃは、上記各実施例と同じ光学膜厚λ／４の高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを、Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍと、こうしたミラー層Ｍの間に光学膜厚が（２×λ／４）の低屈折率膜Ｌで、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃを位置させるようにし、さらにキャビティ層Ｃとミラー層Ｍの組み合わせを２つ繰り返し配置するようにした後に、基板２ａ側に１層の低屈折率膜Ｌでなるマッチング層Ｔを配置した構成で、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^５ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図１３に実線で示すように参考波長λで透過率が０％と低く、その両側に上記した第４実施例よりも透過波長範囲が狭く、略１４００ｎｍと１５００ｎｍの２つの波長域に高透過率の波長域を有する２ピーク特性のフィルタとすることができる。なお、図１３中における点線は、第４実施例の透過率特性である。

次に、本実施形態の第３の変形形態を説明する。図１４は本変形形態における透過率特性を示す図である。本変形形態の多重バンドパスフィルタ１ｄ（図示せず）は、上記した第４実施例のように、基板２ａ上に設けた図示しない薄膜積層部３ｄ（図示せず）が、次に述べる基本ブロック４ｄを５回繰り返すように設けた構成となっている。すなわち、基本ブロック４ｄは、上記各実施例と同じ光学膜厚λ／４の高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍと、こうしたミラー層Ｍの間に光学膜厚が（４×λ／４）の低屈折率膜Ｌで、第４実施例の２倍の膜厚となり、４Ｌで示されるキャビティ層Ｃを位置させるようにし、さらにキャビティ層Ｃとミラー層Ｍの組み合わせを２つ繰り返し配置するようにした後に、基板２ａ側に１層の低屈折率膜Ｌでなるマッチング層Ｔを配置した構成で、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^５ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝４Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図１４に実線で示すように参考波長λで透過率が０％と低く、その両側に上記した第４実施例よりも透過域の波長範囲がやや狭く、１４００ｎｍと１５００ｎｍの２つの波長域に高透過率の波長域を有する２ピーク特性のフィルタとすることができる。なお、図１４中における点線は、第４実施例の透過率特性である。

次に、第２の実施形態を図１５乃至図２１により説明する。図１５は基本構造を示す断面図であり、図１６は基本構造における透過率特性を示す図であり、図１７は第１実施例を示す断面図であり、図１８は第１実施例における透過率特性を示す図であり、図１９は第２実施例における透過率特性を示す図であり、図２０は第３実施例における透過率特性を示す図であり、図２１は第４実施例における透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記第１の実施形態と同様に、基本式の
［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ において、
全てのＭとＣがそれぞれ同じ（Ｍ_０＝Ｍ_１＝……＝Ｍ_ｉ、Ｃ_１＝……＝Ｃ_ｉ）であって、
［Ｍ（ＣＭ）^ｉＴ］^ｋ と記されるものであり、
そのうちのｉ＝３の、図１５及び図１６に示すような基本構造、透過率特性を有するものをもとにしてなるもので、３つの透過帯域を有する。そして、その基本構造は、次に述べるように構成されている。

すなわち、図１５及び図１６において、２ａは屈折率ｎ＝１．５２のガラスでなる基板で、その上面には薄膜積層部５ａが設けられたものとなっている。薄膜積層部５ａは、高屈折率膜Ｈが、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、また低屈折率膜Ｌが、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、そして、これら高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを交互に積層し、図１５に示すように基本式におけるＸ、ＹをＨ、Ｌとした膜構成となっている。

また、薄膜積層部５ａは、高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとが、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍと、こうしたミラー層Ｍの間に光学膜厚が（２×λ／４）の低屈折率膜Ｌで、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃを位置させるようにし、さらにキャビティ層Ｃとミラー層Ｍの組み合わせを３つ繰り返し配置するようにした後に、基板２ａ側に１層の低屈折率膜Ｌでなるマッチング層Ｔを配置した構成となっていて、１つの基本ブロック６を構成している。そして、その基本ブロック６は、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^１ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図１６に示すように参考波長λ＝１４５０ｎｍと、その両側に低透過率帯域を間に設けて高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。

そして、本実施形態における以下の各実施例は、基板２ａ上にこうした基本ブロック６を繰り返すように設けたものである。

次に、本実施形態の第１実施例を図１７及び図１８により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ７ａ_１は、基板２ａ上に設けた薄膜積層部５ａ_１が、上述の基本ブロック６を２回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^２ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図１８に示すように参考波長λと、その両側に低透過率帯域を間に設け、略等間隔位置に高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。そして、３つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて十分に分離され、透過帯域間のアイソレーションも大きなものとなり、本実施例の多重バンドパスフィルタ７ａ_１は、略１３４０ｎｍと１４５０ｎｍ、１５８０ｎｍの３つの波長域に透過帯域を有するものである。

次に、本実施形態の第２実施例を図１９により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ７ａ_２（図示せず）は、基板２ａ上に設けた薄膜積層部５ａ_２（図示せず）が、上述の基本ブロック６を３回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^３ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図１９に示すように参考波長λと、その両側に透過率が数％と低い低透過率帯域を間に設け、第１実施例と同様に、略等間隔位置に高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。そして、３つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて第１実施例よりもさらに十分に分離され、透過帯域間のアイソレーションも大きなものとなって、略１３４０ｎｍと１４５０ｎｍ、１５８０ｎｍの３つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

次に、本実施形態の第３実施例を図２０により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ７ａ_３（図示せず）は、その膜構成については、基板２ａ上に設けた薄膜積層部５ａ_３（図示せず）が、上述の基本ブロック６を４回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^４ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図２０に示すように参考波長λと、その両側に透過率が略０％の低透過率帯域を間に設け、第１実施例と同様に、略等間隔位置に高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。そして、３つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて第２実施例よりもさらに十分に分離され、透過帯域間のアイソレーションも十分に大きなものとなって、略１３４０ｎｍと１４５０ｎｍ、１５８０ｎｍの３つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

さらに、本実施形態の第４実施例を図２１により説明する。本実施例の多重バンドパスフィルタ７ａ_４（図示せず）は、その膜構成については、基板２ａ上に設けた薄膜積層部５ａ_４（図示せず）が、上述の基本ブロック６を５回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^５ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図２１に示すように参考波長λと、その両側に透過率が０％の低透過率帯域を間に設け、第１実施例と同様に、略等間隔位置に高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。そして、３つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、基本ブロック６の繰り返し回数が増すにともない分離性が向上し、透過率からみて第３実施例よりも分離され、透過帯域間のアイソレーションも十分に大きなものとなって、略１３４０ｎｍと１４５０ｎｍ、１５８０ｎｍの３つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

次に、第３の実施形態の青、緑、赤の各波長域を透過させる多重バンドパスフィルタを図２２乃至図２４により説明する。図２２は基本構造を示す断面図であり、図２３は本実施形態の断面図であり、図２４は本実施形態の透過率特性を示す図である。

本実施形態は、図２２に示すような基本構造を有するものをもとにしてなるもので、３つの透過帯域を有する。そして、その基本構造は、次に述べるように構成されている。

すなわち、図２２において、２ａは屈折率ｎ＝１．５２のガラスでなる基板で、その上面には薄膜積層部８が設けられたものとなっている。薄膜積層部８は、高屈折率膜Ｈが、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝５３２ｎｍの１／４であり、また低屈折率膜Ｌが、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝５３２ｎｍの１／４であり、そして、これら高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを交互に積層し、図２２に示すように基本式におけるＸ、ＹをＨ、Ｌとした膜構成となっている。

また、薄膜積層部８は、ミラー層Ｍが光学膜厚λ／４の１層の高屈折率膜Ｈのみで低屈折率膜Ｌがなく、キャビティ層Ｃが２Ｌで示される光学膜厚（２×λ／４）の低屈折率膜Ｌ、さらに基板２ａ側に光学膜厚λ／４の１層の低屈折率膜Ｌでなるマッチング層Ｔを配置した構成となっていて、１つの基本ブロック９を構成している。そして、その基本ブロック９は、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^１ （但し、Ｍ＝Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示され、また、その透過率特性は、参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）と、その両側に低透過率帯域を間に設けて高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となっている。さらに、ミラー層Ｍが１層の高屈折率膜Ｈａのみであるため、透過帯域幅が広いものとなっている。

こうした基本構造をもとにして、本実施形態の多重バンドパスフィルタ１０は、図２３に示すように基板２ａ上に設けた薄膜積層部８ａが、上述の基本ブロック９を６回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ（ＣＭ）^３Ｔ］^６ （但し、Ｍ＝Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。また、その透過率特性は、図２４に示すように参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）と、その両側に低透過率帯域を間に設け、青（４７３ｎｍ）、赤（６３３ｎｍ）をそれぞれ透過させる３つの高透過率の透過帯域を有するものとなる。また各透過帯域は、透過率からみて十分に分離されており、１つのフィルタで青、緑、赤色を高いアイソレーションのもとに、一括して透過させることができる。

次に、第４の実施形態を図２５乃至図２７により説明する。図２５は本実施形態の断面図であり、図２６は本実施形態の膜構成を示す図であり、図２７は本実施形態の透過率特性を示す図である。なお、本実施形態は、その基本構造が第１の実施形態の基本構造と同じであるため、第１の実施形態の各図面を同時に参照して説明する。

図２５及び図２６において、多重バンドパスフィルタ１１は、屈折率ｎ＝１．５２のガラスでなる基板２ａ上に、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２でなる高屈折率膜Ｈと、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２でなる低屈折率膜Ｌとを交互に６０層積層して形成した薄膜積層部１２を備えている。この薄膜積層部１２の高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌの配列順は、概略第１の実施形態の第４実施例と同じくし、基本ブロック４ａを５回繰り返す、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^５ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
の形態を取っている。

しかし、本実施形態においては、薄膜積層部１２が、その主部を構成する１３層目から４８層目の基本構造が第１の実施形態の基本構造と同じで、光学膜厚がそれぞれ参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４である高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを、基本ブロック４ａが３回繰り返されるよう設けた構成となっており、主部については、
［Ｍ（ＣＭ）^２Ｔ］^３ （但し、Ｍ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｃ＝２Ｌ、Ｔ＝Ｌ）
で示される。

そして、主部の積層方向外側部分に設けられた薄膜積層部１２の表面側となる空気側の１層目から１２層目と、基板２ａ側の４９層目から６０層目とは、それぞれ薄膜積層部１２外との整合を取る空気側マッチング層１３、基板側マッチング層１４となっており、両マッチング層１３，１４の高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌは、各膜厚が基本ブロック４ａと異なるように形成されている。すなわち、参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４の光学膜厚を基準として図２６に示すように、それぞれ適正に光学膜厚を補正した値となっている。

このように両マッチング層１３，１４の高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌの各膜厚を適正に補正し最適化することで、その透過率特性は、図２７に示すように２つの透過帯域の確実な分離が得られ、透過帯域間のアイソレーションも十分に大きなものとなると共に、図１１に示される第１の実施形態の第４実施例における透過率特性よりも、各透過帯域内の１３５０ｎｍ〜１４００ｎｍの波長域、１５１０ｎｍ〜１５６０ｎｍの波長域でフラットな透過特性を得ることができる。なお、フラットな透過特性を得るために、本実施形態では基本構造部分両側の空気側、基板側それぞれ１２層の膜厚を適正値とするよう補正したが、補正する層数はこれに限るものでなく、また空気側マッチング層１３、基板側マッチング層１４を構成する層数、補正値も必要に応じて適宜設定する。

次に、第５の実施形態を図２８乃至図３１により説明する。図２８は基本構造を示す図で、図２８（ａ）は膜構成を示す図、図２８（ｂ）は断面図であり、図２９は本実施形態の膜構成を示す図であり、図３０は本実施形態の断面図であり、図３１は本実施形態の透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記の基本式の ［Ｍ_０（Ｃ_１Ｍ_１）……（Ｃ_ｉＭ_ｉ）Ｔ］^ｋ において、
（Ｃ_ｉＭ_ｉ）の個数が５の場合で、Ｍ_１≠Ｍ_２≠Ｍ_３、Ｃ_１≠Ｃ_２≠Ｃ_３であって、
［Ｍ_１（Ｃ_１Ｍ_２）（Ｃ_２Ｍ_３）（Ｃ_３Ｍ_３）（Ｃ_２Ｍ_２）（Ｃ_１Ｍ_１）Ｔ］^ｋ と記されるものであり、図２８に示すような基本構造を有するものをもとにしてなるもので、Ｃ_３を中心にしてミラー層Ｍとキャビティ層Ｃが対称に配され、５つの透過帯域を有する。そして、その基本構造は、次に述べるように構成されている。

すなわち、図２８において、屈折率ｎ＝１．５２のガラスでなる基板２ａ上に形成される薄膜積層部１５は、高屈折率膜Ｈが、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、また低屈折率膜Ｌが、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、そして、これら高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを交互に積層し、基本式におけるＸ、ＹをＨ、Ｌとした膜構成となっている。

また、薄膜積層部１５を構成する基本ブロック１６は、表面側（空気側）からＨ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_１、４Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_１、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_２、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_２、Ｈのみのミラー層Ｍ_３、６Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_３、Ｈのみのミラー層Ｍ_３、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_２、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_２、４Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_１、Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_１、Ｌのマッチング層Ｔの順に積層されたものとなる。

そして、多重バンドパスフィルタ１７を形成する際には、図２９及び図３０に示すように、例えば基本ブロック１６を３回繰り返すように形成した薄膜積層部１５ａを基板２ａ上に設けて構成する。

このようにして構成された多重バンドパスフィルタ１７の透過率特性は、図３１に示すように、参考波長λと、その両側、さらにその外側に透過率が０％の低透過率帯域を間に設け、不等間隔で離間する高透過率の透過帯域を有する５ピーク特性となる。そして、５つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて十分に分離されたものとなって、略１３１０ｎｍと１３９０ｎｍ、１４５０ｎｍ、１５２０ｎｍ、１６３０ｎｍの５つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

次に、第６の実施形態を図３２乃至図３５により説明する。図３２は基本構造を示す図で、図３２（ａ）は膜構成を示す図、図３２（ｂ）は断面図であり、図３３は本実施形態の膜構成を示す図であり、図３４は本実施形態の断面図であり、図３５は本実施形態の透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記の基本式の ［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ において、
（Ｃ_１Ｍ_１）、……、（Ｃ_ｉＭ_ｉ）の数が５の場合で、全てのＭが同じ（Ｍ＝Ｍ_０＝Ｍ_１＝……＝Ｍ_５）で、Ｃ_１≠Ｃ_２≠Ｃ_３であって、
［Ｍ（Ｃ_１Ｍ）（Ｃ_２Ｍ）（Ｃ_３Ｍ）（Ｃ_２Ｍ）（Ｃ_１Ｍ）Ｔ］^ｋ と記されるものであり、
図３２に示すような基本構造を有するものをもとにしてなるもので、Ｃ_３を中心にしてミラー層Ｍとキャビティ層Ｃが対称に配され、５つの透過帯域を有する。そして、その基本構造は、次に述べるように構成されている。

すなわち、図３２において、屈折率ｎ＝１．５２のガラスでなる基板２ａ上に形成される薄膜積層部１８は、高屈折率膜Ｈが、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、また低屈折率膜Ｌが、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、そして、これら高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを交互に積層し、基本式におけるＸ、ＹをＨ、Ｌとした膜構成となっている。

また、薄膜積層部１８は１つの基本ブロック１９でなり、表面側（空気側）からＨ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ、４Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_１、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_２、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ、６Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_３、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_２、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ、４Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_１、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ、Ｌのマッチング層Ｔの順に積層されたものとなる。

そして、多重バンドパスフィルタ２０を形成する際には、図３３及び図３４に示すように、例えば基本ブロック１９を３回繰り返すように形成した薄膜積層部１８ａを基板２ａ上に設けて構成する。

このようにして構成された多重バンドパスフィルタ２０の透過率特性は、図３５に示すように、参考波長λと、その両側、さらにその外側に透過率が略０％の低透過率帯域を間に設け、離間して高透過率の透過帯域を有する５ピーク特性となる。そして、５つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて十分に分離されたものとなって、略１３５０ｎｍと１３９０ｎｍ、１４５０ｎｍ、１５２０ｎｍ、１５７０ｎｍの５つの波長域に透過帯域を有するものとなる。

次に、第７の実施形態を図３６乃至図３９により説明する。図３６は基本構造を示す図で、図３６（ａ）は膜構成を示す図、図３６（ｂ）は断面図であり、図３７は本実施形態の膜構成を示す図であり、図３８は本実施形態の断面図であり、図３９は本実施形態の透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記の基本式の ［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ において、
全てのＭとＣがそれぞれ異なっている（Ｍ_０≠Ｍ_１≠……≠Ｍ_ｉ、Ｃ_１≠……≠Ｃ_ｉ）場合で、
［Ｍ_１ｃ（Ｃ_１ｃＭ_２ｃ）……（Ｃ_ｉｃＭ_ｉｃ＋１）Ｔ］^ｋ と記されるものであり、
そのうちのｉｃ＝３の、図３６に示すような基本構造を有するものをもとにしてなるもので、３つの透過帯域を有する。そして、その基本構造は、次に述べるように構成されている。すなわち、図３６において、光学ガラス、例えばＢＫ７（商標）でなる基板２ｂ上に形成される薄膜積層部２１は、高屈折率膜Ｈが、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、また低屈折率膜Ｌが、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で、その光学膜厚が参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４であり、そして、これら高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌとを交互に積層し、基本式におけるＸ、ＹをＨ、Ｌとした膜構成となっている。

また、薄膜積層部２１は１つの基本ブロック２２でなり、表面側（空気側）から基板側に向けて順に、Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_１ｃ、２Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_１ｃ、Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_２ｃ、４Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_２ｃ、Ｈのみでなるミラー層Ｍ_３ｃ、６Ｌで示されるキャビティ層Ｃ_３ｃ、Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈと交互に積層されたミラー層Ｍ_４ｃ、Ｌのマッチング層Ｔが積層されものである。そして、その透過率特性（図示せず）は、３つのキャビティ層Ｃを有することから参考波長λ＝１４５０ｎｍと、その両側に低透過率帯域を間に設けて高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。

そして、本実施形態の多重バンドパスフィルタ２３は、図３７及び図３８に示すように、基板２ｂ上に設けた薄膜積層部２１ａが、上述の基本ブロック２２を３回繰り返すように設けた構成となっており、
［Ｍ_１ｃ（Ｃ_１ｃＭ_２ｃ）（Ｃ_２ｃＭ_３ｃ）（Ｃ_３ｃＭ_４ｃ）Ｔ］^３
但し、Ｍ_１ｃ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｍ_２ｃ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ、Ｍ_３ｃ＝Ｈ、
Ｍ_４ｃ＝Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ
Ｃ_１ｃ＝２Ｌ、Ｃ_２ｃ＝４Ｌ、Ｃ_３ｃ＝６Ｌ、
Ｔ＝Ｌ
で示される。また、その透過率特性は、図３９に示すように参考波長λと、その両側に低透過率帯域を間に設け、不等間隔で離間する高透過率の透過帯域を有する３ピーク特性となる。そして、３つの高透過率の波長域が、低透過率の波長域に対し、透過率からみて十分に分離されたものとなり、本実施例の多重バンドパスフィルタ２３は、略１３６０ｎｍと１４５０ｎｍ、１５６０ｎｍの３つの波長域に透過帯域を有するものである。

次に、第８の実施形態を図４０により説明する。図４０は本実施形態の透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記のマッチング層Ｔのない基本式の ［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ］^ｋ において、ミラー層Ｍが偶数倍の層となっており、キャビティ層Ｃが２Ｘと２Ｙを混合使用しているもので、 ［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１Ｃ_２Ｍ_２］^ｋ と記されるものであり、Ｍ_０＝Ｍ_２＝ＸＹ、Ｍ_１＝ＹＸ、Ｃ_１＝２Ｘ、Ｃ_２＝２Ｙ、ｋ＝５であって、図示しない薄膜積層部が、基本構造の［（ＸＹ）（２Ｘ）（ＹＸ）（２Ｙ）（ＸＹ）］を５回繰り返した［（ＸＹ）（２Ｘ）（ＹＸ）（２Ｙ）（ＸＹ）］^５ の構成を有し、２つの透過帯域を有する。

そして、図示しないが、基板上に形成される薄膜積層部は、例えばＸは、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４とした高屈折率膜Ｈでなり、Ｙは、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝１４５０ｎｍの１／４とした低屈折率膜Ｌでなるものとなっている。

このような構成を有する本実施例の多重バンドパスフィルタは、その透過率特性が図４０に示すようになっており、略１３００ｎｍから１４００ｎｍ、１５２０ｎｍから１６４０ｎｍの２つの波長域に透過帯域を有するものである。

次に、第９の実施形態を図４１により説明する。図４１は本実施形態の透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記の基本式の ［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ において、キャビティ層Ｃが偶数倍のＸとＹでなるＣ_１＝Ｃ_３＝２Ｘ、Ｃ_２＝２Ｙであり、マッチング層ＴがＴ＝Ｘであり、ミラー層ＭがＭ_０＝Ｍ_３＝ＹＸＹのみで、Ｍ_１とＭ_２が無い構成のものとなっていて、［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１Ｃ_２Ｍ_２Ｃ_３Ｍ_３（Ｔ）］^ｋ と記され、さらに［Ｍ_０Ｃ_１Ｃ_２Ｃ_３Ｍ_３（Ｔ）］^ｋ と記されるもので、基本構造は［（ＹＸＹ）（２Ｘ）（２Ｙ）（２Ｘ）（ＹＸＹ）（Ｘ）］となる。本実施形態は、図示しない薄膜積層部が、このような基本構造を６回繰り返した［（ＹＸＹ）（２Ｘ）（２Ｙ）（２Ｘ）（ＹＸＹ）（Ｘ）］^６ の構成を有し、３つの透過帯域を有する。

そして、図示しないが、基板上に形成される薄膜積層部は、例えばＸは、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした高屈折率膜Ｈでなり、Ｙは、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした低屈折率膜Ｌでなるものとなっている。

このように参考波長λを、緑（５３２ｎｍ）とした本実施例の多重バンドパスフィルタは、その透過率特性は、図４１に示すように参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）と、その両側に低透過率帯域を間に設け、青の波長域、赤の波長域をそれぞれ透過させる３つの高透過率の透過帯域を有するものとなる。

次に、第１０の実施形態を図４２により説明する。図４２は透過率特性を示す図である。

本実施形態は、上記の第９の実施形態における薄膜積層部の［（ＹＸＹ）（２Ｘ）（２Ｙ）（２Ｘ）（ＹＸＹ）（Ｘ）］^６ の構成のうち、ミラー層Ｍの１つのＹを誘電体Ｘ，Ｙと異なる第３の誘電体Ｖに入れ替え、キャビティ層Ｃの１つの２Ｘを２Ｖに入れ替えたもので、［（ＹＸＶ）（２Ｘ）（２Ｙ）（２Ｖ）（ＹＸＶ）（Ｘ）］^６ の構成を有するもので、第９の実施形態と同様に、３つの透過帯域を有する。

そして、図示しないが、基板上に形成される薄膜積層部は、例えばＸは、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした高屈折率膜Ｈでなり、Ｙは、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした低屈折率膜Ｌでなるものとなり、Ｖは、屈折率ｎ＝１．６３の誘電体材料のＡｌ_２Ｏ_３で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした中間屈折率膜Ｂでなるものとなっている。

このように参考波長λを、緑（５３２ｎｍ）とした本実施例の多重バンドパスフィルタは、その透過率特性は、図４２に実線で示すように参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）と、その両側に低透過率帯域を間に設け、青の波長域、赤の波長域をそれぞれ透過させる３つの高透過率の透過帯域を有するものとなる。

次に、第１１の実施形態を図４２により説明する。

本実施形態は、上記の第１０の実施形態における薄膜積層部の［（ＹＸＹ）（２Ｘ）（２Ｙ）（２Ｘ）（ＹＸＹ）（Ｘ）］^６ の構成のうち、１つのミラー層ＭのＹ，Ｘを誘電体Ｘ，Ｙと異なる第３、第４のの誘電体Ｚ，Ｗに入れ替え、キャビティ層Ｃの１つの２Ｘを２Ｚに入れ替えたもので、［（ＺＷＹ）（２Ｘ）（２Ｙ）（２Ｚ）（ＹＸＹ）（Ｘ）］^６ の構成を有するもので、第１０の実施形態と同様に、３つの透過帯域を有する。

そして、図示しないが、基板上に形成される薄膜積層部は、例えばＸは、屈折率ｎ＝２．２２の誘電体材料のＴｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした高屈折率膜Ｈでなり、Ｙは、屈折率ｎ＝１．４４の誘電体材料のＳｉＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした低屈折率膜Ｌでなるものとなり、Ｚは、屈折率ｎ＝２．０７の誘電体材料のＺｒＯ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした第３屈折率膜Ｄでなるものとなり、Ｗは、屈折率ｎ＝１．３８の誘電体材料のＭｇＦ_２で形成し、その光学膜厚を参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）の１／４とした第４屈折率膜Ｅでなるものとなっている。

このように参考波長λを、緑（５３２ｎｍ）とした本実施例の多重バンドパスフィルタは、その透過率特性は、図４２に点線で示すように参考波長λ＝５３２ｎｍ（緑）と、その両側に低透過率帯域を間に設け、青の波長域、赤の波長域をそれぞれ透過させる３つの高透過率の透過帯域を有するものとなる。なお、第１０、第１１の実施形態で、Ｘ，Ｙと入れ替えたＶ，Ｚ，Ｗの屈折率が、元のＸ，Ｙの屈折率と、その差が大きければ大きいほど半値幅及びピーク位置の変化は大きなものとなる。

なお、本発明は、上記の実施形態に限るものでなく、参考波長、キャビティ層Ｃの数、各ミラー層Ｍ及びキャビティ層Ｃの高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌの数、基本ブロックの繰り返し回数、基板材料、誘電体膜材料等を適宜設定することで、所要とする特性を有する多重バンドパスフィルタとすることができる。また、必要に応じて第４の実施形態におけると同様に、基本ブロックを繰り返し積層した積層構造の表面側（空気側）、基板側の少なくとも一方側に、表面媒質、基板とのマッチングを取るマッチング層を設けるようにしてもよい。さらに、上記各実施形態では、Ｘを高屈折率膜Ｈとし、Ｙを低屈折率膜Ｌとしたが、Ｘを低屈折率膜Ｌとし、Ｙを高屈折率膜Ｈとしてもよい。また基本ブロック中の一部を異なる第３、第４の物質と入れ替えてもよい。

本発明の実施の形態を示す概略の断面図である。 本発明の実施の形態に係る使用形態を説明する図で、図２(ａ)は合波用の多重バンドパスフィルタを示す図、図２(ｂ)は分波用の多重バンドパスフィルタを示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る基本構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態における基本構造の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第１実施例を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態における第１実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第２実施例を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態における第２実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第３実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第４実施例を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態における第４実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第１の変形形態の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第２の変形形態の透過率特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態における第３の変形形態の透過率特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る基本構造を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態における基本構造の透過率特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態における第１実施例を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態における第１実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態における第２実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態における第３実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態における第４実施例の透過率特性を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る基本構造を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第４の実施形態を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態の膜構成を示す図である。 本発明の第４の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第５の実施形態に係る基本構造を示す図で、図２８（ａ）は膜構成を示す図、図２８（ｂ）は断面図である。 本発明の第５の実施形態の膜構成を示す図である。 本発明の第５の実施形態を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第６の実施形態に係る基本構造を示す図で、図３２（ａ）は膜構成を示す図、図３２（ｂ）は断面図である。 本発明の第６の実施形態の膜構成を示す図である。 本発明の第６の実施形態を示す断面図である。 本発明の第６の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第７の実施形態に係る基本構造を示す図で、図３６（ａ）は膜構成を示す図、図３６（ｂ）は断面図である。 本発明の第７の実施形態の膜構成を示す図である。 本発明の第７の実施形態を示す断面図である。 本発明の第７の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第８の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第９の実施形態における透過率特性を示す図である。 本発明の第１０及び第１１の実施形態における透過率特性を示す図である。 従来技術を示す断面図である。

符号の説明

２，２ａ，２ｂ…基板
３，３ａ，５ａ，８ａ，１２，１５ａ，１８ａ，２１ａ…薄膜積層部
４ａ，６，９，１６，１９，２２…基本ブロック
１３…空気側マッチング層
１４…基板側マッチング層
Ｃ…キャビティ層
Ｌ…低屈折率膜
Ｈ…高屈折率膜
Ｍ…ミラー層
Ｔ…マッチング層

Claims (9)

1. 対象光に透明な基板上に、それぞれ屈折率及び材質の異なる２種類の誘電体を、光学膜厚が参考とする波長の４分の１を１単位として積層した、ミラー層、キャビティ層及び必要に応じマッチング層を設け、複数のファブリペロー干渉計構造を形成してなる薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタであって、
   前記薄膜積層部が、前記誘電体の膜をＸ，Ｙとし、前記ミラー層をＭ、前記キャビティ層をＣ、前記マッチング層をＴとしたときに、これらの積層関係の基本式が、
   ［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋ
   または、［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ］^ｋ
   但し、ｉ，ｋ：２以上の整数
   であり、
   Ｍは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の奇数倍である単層、または異なる
   誘電体Ｘ，Ｙによる奇数倍の［（２ｐ＋１）Ｘ，（２ｑ＋１）Ｙ，……］
   で示される交互層（但し、ｐ，ｑ，……は０または正の整数）、
   Ｃは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の偶数倍である単層、または異なる
   誘電体Ｘ，Ｙによる偶数倍の［（２ｒ）Ｙ，（２ｓ）Ｘ，……］で示され
   る交互層（但し、ｒ，ｓ，……は０または正の整数）、
   Ｔは、膜の光学厚さが参考波長の４分の１の奇数倍である単層、
   である構成となっているか、
   または、前記基本式の構造の任意位置に、厚さが参考波長の４分の１の偶数倍の誘電体Ｘ，Ｙの少なくとも一方を、単独挿入してなることを特徴とする多重バンドパスフィルタ。
2. 前記薄膜積層部が、前記基板側または表面側の少なくとも一方に、該薄膜積層部外との整合を取るためのマッチング層を有していることを特徴とする請求項1記載の多重バンドパスフィルタ。
3. 前記薄膜積層部外との整合を取るためのマッチング層が、前記［Ｍ_０Ｃ_１Ｍ_１……Ｃ_ｉＭ_ｉ（Ｔ）］^ｋの基本ブロックと同数の前記誘電体の膜でなることを特徴とする請求項２記載の多重バンドパスフィルタ。
4. 前記参考波長が１４５０ｎｍであり、前記ｉが２、前記ｋが２以上であることを特徴とする請求項１及び請求項２記載の多重バンドパスフィルタ。
5. 前記薄膜積層部が、前記ミラー層Ｍ、前記キャビティ層Ｃを構成する前記誘電体Ｘの一部または前記誘電体Ｙの一部を、前記誘電体Ｘ，Ｙと異なる第３の誘電体と入れ替えた構成、または、前記誘電体Ｘの一部または前記誘電体Ｙの一部を、前記誘電体Ｘ，Ｙと異なる前記第３の誘電体、第４の誘電体と入れ替えた構成となっていることを特徴とする請求項１記載の多重バンドパスフィルタ。
6. 対象光に透明な基板上に、それぞれ屈折率及び材質の異なる２種類の誘電体を、光学膜厚が参考とする波長の４分の１を１単位として積層した、ミラー層、キャビティ層及びマッチング層を設け、複数のファブリペロー干渉計構造を形成してなる薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタであって、
   前記参考波長が可視光であり、前記薄膜積層部が、前記誘電体の膜をＸ，Ｙとし、前記ミラー層をＭとしたときに、
   ［Ｍ_０（２ｅＹ）Ｍ_１（２ｆＹ）Ｍ_２（２ｇＹ）Ｍ_３（Ｙ）］^ｋ
   または、［Ｍ_４（２ｅＹ）（２ｆＸ）（２ｇＹ）Ｍ_５（Ｙ）］^ｋ
   または、［Ｍ_６（２ｅＹ）Ｍ_７（２ｆＸ）Ｍ_８（２ｇＹ）Ｍ_９（Ｘ）］^ｋ
   但し、Ｍ_０〜Ｍ_５がＸ、ＸＹＸ、ＸＹＸＹＸ、ＸＹＸＹＸＹＸのいずれかであり、Ｍ_６、Ｍ_８がＹＸ、ＹＸＹＸ、ＹＸＹＸＹＸのいずれかであり、Ｍ_７、Ｍ_９がＸＹ、ＸＹＸＹ、ＸＹＸＹＸＹのいずれかであり、ｅ，ｆ，ｇが1以上、ｋが２以上の整数の構成となっていて、形成される透過率特性曲線の３ピークの中心波長が、それぞれ青、緑、赤の三原色の波長であることを特徴とする多重バンドパスフィルタ。
7. 対象光に透明な基板上に、誘電体でなり光学膜厚が（５３２／４）ｎｍである高屈折率膜と、この高屈折率膜よりも低屈折率の誘電体でなり光学膜厚が（５３２／４）ｎｍである低屈折率膜とを交互に積層してなる薄膜積層部を備えた多重バンドパスフィルタであって、
   前記薄膜積層部が、前記高屈折率膜と低屈折率膜の一方をＸ、他方をＹとしたときに、
   ［Ｘ（２Ｙ）Ｘ（２Ｙ）Ｘ（２Ｙ）Ｘ（Ｙ）］^ｋ
   但し、ｋが２以上の整数の構成となっていることを特徴とする多重バンドパスフィルタ。
8. 前記高屈折率膜がＸであり、前記低屈折率膜がＹであり、前記ｋが６であることを特徴とする請求項７記載の多重バンドパスフィルタ。
9. 前記高屈折率膜がＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかでなり、前記低屈折率膜がＳｉＯ_２でなることを特徴とする請求項８記載の多重バンドパスフィルタ。

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