TWI323276B

TWI323276B -

Info

Publication number: TWI323276B
Application number: TW094100507A
Authority: TW
Inventors: Jun Taketatsu; Itsuo Watanabe; Yasushi Gotou; Kazuo Yamaguchi; Masaki Fujii; Aya Fujii
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date: 2004-01-07
Filing date: 2005-01-07
Publication date: 2010-04-11
Also published as: TWI320427B; KR20080065314A; KR100996035B1; CN101944659B; KR100865204B1; TW200951201A; TWI320575B; SG158842A1; TW200525005A; WO2005066298A1; EP1702968A1; KR100908370B1; EP1702968A4; KR20070012337A; US20100025089A1; TW200945373A; CN101944659A; CN103409082A; TW200942596A; KR100981483B1

Description

1323276 ⑴ 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於電路連接材料、使用該材料的薄膜狀的電路連接材料、電路構件之連接構造及其製造方法。【先前技術】

於液晶顯示用玻璃面板’藉由COG ( Chip-On-Glass )構裝或COF ( Chip-On-Flex )構裝等而構裝液晶驅動用 1C。在COG構裝，使用包含導電粒子的電路連接材料而將液晶驅動用1C直接接合於玻璃面板上。在C0F構裝，於具有金屬配線的可撓帶（Flexible Tape)接合液晶驅動用1C’使用含有導電粒子的電路連接材料而將這些接合於玻璃面板。然而’伴隨近年的液晶顯示的高精細化，爲液晶驅動用1C的電路電極的金凸塊（gold bump)係狹間距（pitch ^ )化、狹面積化，所以有像電路連接材料中的導電粒子爲流出於相鄰的電路電極間，使短路產生的問題。另外，於相鄰的電路電極間導電粒子流出，則有像已捕捉於金凸塊 -與玻璃面板之間的電路連接材料中的導電粒子數減少，相 . 對的電路電極間的連接阻抗上昇而產生連接不良的問題。於是，作爲解決這些問題的方法，開發：以於電路連接材料的至少一面形成絕緣性的黏著層，防止於COG構裝或COF構裝的接合品質下降的方法（例如：參照日本專利文獻1 )、或將導電粒子的全表面以絕緣性的皮膜被 -5- ⑧ (2) 1323276 覆的方法（例如：參照日本專利文獻2)。日本專利文獻1 :日本特開平8 _2 7 9 3 7丨號公報曰本專利文獻2:日本特許第2794009號公報（第2 【發明內容】〔發明欲解決的課題〕

然而’以於電路連接構件的一面形成絕緣性的黏著層的方法’在凸塊面積爲未滿3〇〇〇//m2，爲了得到安定的連接阻抗而增加導電粒子數的情況，關於相鄰電路電極間的絕緣性還有改良的餘地。另外，以將導電粒子的全表面以絕緣性的皮膜被覆的方法，有相對的電路電極間的連接阻抗上昇’不能得到安定的電氣阻抗的問題。於是’本發明係’其目的爲提供：可充分的減低相對 , 的電路電極間的連接阻抗’而且，在相鄰的電路電極間可 Φ充分的提高絕緣性的電路連接材料、使用這些的薄膜狀電路連接材料、電路構件的連接構造及其製造方法。〔爲了解決課題的手段〕爲了解決上述的課題’本發明的電路連接材料係爲了將於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件，以使第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電路連接材料，含有黏著劑組成物、及導 -6- (3) 1323276 電粒子的表面之一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，絕緣性微粒子的質量爲導電粒子的質量的 . 2/1000-26/1000° . 使此電路連接材料，存在於第一及第二電路構件之間 i ' ，經由第一及第二電路構件而加熱及加壓、硬化處理，得到電路構件的連接構造、和於得到的電路構件的連接構造，相對的電路電極間的連接阻抗充分的被降低，一起充分 ^ 的提高相鄰的電路電極間的絕緣性。在此，若絕緣性微粒子的質量未滿導電粒子的質量的 2/1 000，則導電粒子變爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微粒子的質量超過導電粒子的質量的2 6/ 1 000，則絕緣性微粒子變爲過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子爲即使連接相對的電路電極相互間，亦增大於電路基板的厚度方向 φ 的連接阻抗。另外，本發明的電路連接材料係爲了將於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和 - 於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二 . 電路構件，以使第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電路連接材料，黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部含有藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，導電粒子爲具有由高分子化合構成的核體，絕緣性微粒子的質量爲核體質量的 7/1000〜86/1000 。 (4) 1323276 使此電路連接材料，存在於第一及第二電路構件之間 ’經由第一及第二電路構件而加熱及加壓、硬化處理，得 - 到電路構件的連接構造、和於得到的電路構件的連接構造 I · , ’相對的電路電極間的連接阻抗充分的被降低一起，充分 » ' 的提高相鄰的電路電極間的絕緣性。在此’若絕緣性微粒子的質量未滿核體的質量的 7/1 00 0 ’則導電粒子變爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的 ^ 被被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微粒子的質量超過核體的質量的8 6/ 1 000，則絕緣性微粒子變爲過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子爲即使連接相對的電路電極相互間，亦增大於電路基板的厚度方向的連接阻抗。另外，本發明的電路連接材料係爲了將於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和 φ 於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件，如相對第一及第二電路電極的連接的電路連接材料，含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部藉由 - 絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，被覆粒子的比重爲導電粒子的比重的97/1 00~99/1 00。使此電路連接材料，存在於第一及第二電路構件之間，經由第一及第二電路構件而加熱及加壓、硬化處理，得到電路構件的連接構造、和於得到的電路構件的連接構造，相對的電路電極間的連接阻抗充分的被降低一起，充分 -8- (5) 1323276 的提高相鄰的電路電極間的絕緣性。

在此，若被覆粒子的比重未滿導電粒子的比重的 9 7/ 1 0 0，則絕緣性微粒子變爲過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子爲即使連接相對的電路電極相互間，亦增大於電路基板的厚度方向的連接阻抗。一方面，若被覆粒子的比重超過導電粒子的比重的99/ 1 00，則導電粒子變爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性變爲不充分。另外，於被覆粒子，若導電粒子的表面的5〜60%藉由絕緣性微粒子.而被被覆爲理想。若被覆導電粒子的表面未滿5 %，則因爲導電粒子變爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的被被覆，比起在表面 5 %以上被被覆的情況，相鄰電路電極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若導電 φ 粒子的表面超過60%而被被覆，則因爲絕緣性微粒子過剩的被覆導電粒子，所以導電粒子即使連接相對的電路電極間，比起在被覆表面60%以下的情況，增大於電路基板的 .厚度方向的連接阻抗。另外，若絕緣性微粒子的平均粒徑爲導電粒子的平均粒徑的1/40〜1/10爲理想。如絕緣性微粒子的平均粒徑在上述範圍內，比起在平均粒徑脫離了該範圍的情況，導電粒子的表面變爲容易藉由多數的絕緣性微粒子而被覆，若使用如此的電路連接材 -9- (7) 1323276 接材料。另外，本發明的電路構件的連接構造係具備：於第一 -電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構 . 件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極 » ' 的第二電路構件、設置於第一電路基板的主面與第二電路基板的主面之間，在使第一及第二電Μ電極相互相對的狀態，連接第一及第二電路構件相互間的電路連接構件的電 0 路構件的連接構造；電路連接構件係由本發明的電路連接材料的硬化物構成，第一電路電極與第二電路電極爲經由被覆粒子而被電氣的連接。在如此的電路構件的連接構造，可充分降低相對的電路電極間的連接阻抗，同時充分提高相鄰的電路電極間的絕緣性。另外，在施加5 0V的直流電壓於相鄰的電路電極間的情況，若相鄰的電路電極間的阻抗値爲1 Ο9 Ω以上爲理想

如藉由如此的電路構件的連接構造，因爲於其動作時相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性爲非常高，所以變爲能充分防止相鄰的電路電極間的短路。另外，第一及第二電路構件之中至少一方爲1C晶片 (chip)爲理想。另外，第一電路電極與第二電路電極之間的連接阻抗爲1 Ω以下爲理想。以如此的電路構件的連接構造係可充 -11 - (8) 1323276 分降低相對的電路電極間的連接阻抗，亦即電路基板的厚度方向的連接阻抗。 .另外，上述電路構件的連接構造係第一及第二電路電 ^ 極之中至少一方，若具有以從由金、銀、錫、鉑族的金屬 ' 及銦錫氧化物構成的群選擇至少一種而構成的電極表面層爲理想。另外，上述電路構件的連接構造係第一及第二電路構 φ 件之中至少一方，若具有以從由氮化矽、矽化合物及聚亞醯胺樹脂構成的群選擇至少一種而構成的基板表面層爲理想。由此’比起在基板表面層爲不以上述材料構成的情況，更提高電路構件與電路連接構件的黏著強度。另外’本發明的電路構件的連接構造的製造方法係具備：於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件之間，在使第一電路電極與第二電路電極相對的狀態’使本發明的電路連接材料存在的製程、和藉由加熱及加壓電路連接材料而使其硬化的製程〇 - 如使用此製造方法’可充分降低相對的電路電極間的 . 連接阻抗’而且，可得相鄰的電路電極間的絕緣性充分的提高的電路構件的連接構造。〔發明的效果〕如藉由本發明’可提供：於COG構裝或C0F構裝， ⑧ -12- (9) 1323276 在相對的電路電極間可得安定的低阻抗的電氣連接，而且 ’在相鄰電路電極可抑制短路產生率的電路連接材料、使用此的薄膜狀電路連接材料、電路構件的連接構造及其製造方法β » • 另外，如藉由本發明，可提供：相鄰的電路電極間，亦即即使對凸塊間距離狹窄的驅動用1C，亦連接信賴性高的電路連接材料、使用此的薄膜狀電路連接材料、電路構 0件的連接構造及其製造方法。【實施方式】以下’說明關於本發明的電路連接材料、使用該材料的薄膜狀的電路連接材料、電路構件之連接構造及其製造方法的實施形態。而且，全圖面中，於同一要素使用同— 符號，省略重複的說明。 Φ 〔第1實施形態〕 (電路構件的連接構造）第1圖爲表示本發明的電路構件的連接構造（以下， -稱爲「連接構造」）的第丨實施形態的剖面圖。本實施形 . 態的連接構造1 0係具備：相互相對的電路構件2 0 (第一電路構件）和電路構件30 (第二電路構件），於電路構件 20與電路構件30之間，設置連接這些的電路連接構件6〇〇電路構件20係具備：電路基板21 (第一電路基板） ⑧ -13- (10) 1323276 、和已形成於電路基板2 1的主面2 1 a上的複數的電路電極22(第一電路電極）。複數的電路電極22係例如配置 • 爲條紋狀。一方面，電路構件3 0係具備：電路基板3 1 ( ' 第二電路基板）、已形成於電路基板31的主面31a上的 ' 複數的電路電極32 (第二電路電極）。複數的電路電極 3 2亦例如：配置至條紋狀。作爲電路構件2 0、3 0的具體例，可舉出：半導體晶 #片、阻抗體晶片或電容晶片等的晶片零件或印刷基板等的基板。作爲連接構造10的連接形態，亦有：IC晶片與晶片搭載基板的連接、電氣電路相互的連接、於COG構裝或COF構裝的1C晶片與玻璃基板或與可撓帶（Flexible Tape)的連接等。特別是，電路構件20、3 0之中至少一方若爲1C晶片爲理想。電路電極22係由形成於電路基板21的主面21a上 |的電極部23'和形成於竃極部23上的電極表面層24構成 :電路電極32，亦由形成於電路基板31的主面31a上的電極部33、和形成於電極部33上的電極表面層34構成。 . 在此，電極表面層24、34係若將以各個金、銀、錫、鉑族的金屬或者銦錫氧化物（ITO )或這些二種以上的組合構成爲理想。亦即，電路電極22、32係以各個具有金、銀、錫、舶族的金屬或者銦錫氧化物（ITO )或這些二種以上的組合構成的電極表面層24、34於電極部23、33上爲理想。 -14- (11) 1323276 電路構件3 0係於電路基板3 1及電路電極3 2上具有基板表面層35。在此，基板表面層35係若以氮化矽、矽化合物或者聚亞醯胺樹脂或這些二種以上的組合而構成爲理想。亦即，電路構件3 0係若具有以氮化矽、矽化合物或者聚亞醯胺樹脂或這些二種以上的組合而構成的基板表面層35爲理想。基板表面層35係鍍覆（coating)電路基

板3 1及電路電極3 2、或附著於電路基板3 1及電路電極 32。由此基板表面層35，提高電路構件30與電路連接構件60的黏著強度。特別是，電路構件3 0或電路基板3 1爲可撓帶（ Flexible Tape)的情況，基板表面層35若由聚亞醯胺樹脂等的有機絕緣物質構成爲理想。另外，在電路基板3 1 爲玻璃基板的情況，基板表面層3 5係若以氮化矽、矽化合物、聚亞醯胺樹脂或者矽樹脂或這些二種以上的組合而構成爲理想。電路連接構件60，設置於電路基板21的主面21a與電路基板3 1的主面3 1 a之間’以使電路電極22、32相對的狀態連接電路構件2 0、3 0相互間。另外，電路連接構件60係具備絕緣構件40和被覆粒子50。被覆粒子50爲爲了電氣的連接電路電極22和電路電極32之物，以導電粒子51和被覆導電粒子51的表面51a的一部分的絕緣性微粒子5 2而構成。於本實施形態’絕緣性微粒子5 2的質量爲導電粒子51的質量的2/1000〜26/1000。如藉由如此的連接構造1 〇，相對的電路電極22、3 2 -15- (12) 1323276 間的連接阻抗充分的降低而且安定化，同時相鄰的電路電極22、32間的絕緣性亦充分提高。

若絕緣性微粒子52的質量未滿導電粒子51的質量的 2/1 000，則導電粒子51變爲不能藉由絕緣性微粒子52而充分被覆。因此，相鄰的電路電極22、3 2間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微粒子52的質量超過導電粒子51的質量的2 6/ 1 000，則絕緣性微粒子5 2變爲過剩的被覆導電粒子5 1。因此，導電粒子5 1即使連接相對的電路電極2 2、 3 2相互間，亦增大於電路基板2 1、3 1的厚度方向的連接阻抗。若著眼於相鄰的電路電極22、3 2間的絕緣性，則於連接構造10 ’在於相鄰的電路電極22、32間施加了 50V 的直流電壓的情況，相鄰的電路電極22、32間的阻抗値爲109Ω以上爲理想。在如此的連接構造1〇，因爲於該動作時相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性非常高，所以變爲能充分的防止相鄰的電路電極22、32間的短路。若著眼於相鄰的電路電極22、3 2間的連接阻抗，則於連接構造10，電路電極22與電路電極32之間的連接阻抗爲1Ω以下爲理想。在如此的連接構造1〇’可充分降低相對的電路電極2 2、3 2間的連接阻抗，亦即於電路基板 21、31的厚度方向的連接阻抗。另外，於被覆粒子5 0，絕緣性微粒子5 2的平均粒徑 -16- (13) 1323276 , _· di若爲導電粒子51的平均粒徑de的1/40〜1/1 0爲理想。平均粒徑1及de係以藉由各種顯微鏡而觀察的絕緣性微粒子52及導電粒子5 1的長徑，作爲關於各粒子1 0個以上而各個測定而得的測定値之平均値。另外，作爲用於觀察的顯微鏡，適於使用掃描型電子顯微鏡。

如絕緣性微粒子52的平均粒徑di在上述範圍內，比平均粒徑1爲於該範圍外的情況，導電粒子51的表面 5 1 a變爲容易藉由多數的絕緣性微粒子5 2而覆蓋，在如此的連接構造1 〇，可更提高相鄰的電路電極22、3 2間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性。作爲導電粒子51，可舉出由人1!、八§、：^、（：11、鉛錫合金等構成的金屬粒子或由碳等構成的粒子等。導電粒子 51若爲熱熔融金屬粒子爲理想。在此情況，因爲由連接電路電極22、3 2相互間時的加熱及加壓而導電粒子5 1容易變形，增加導電粒子51與電路電極22、32的接觸面積，提高連接信賴性。絕緣性微粒子52若爲由自由基聚合性物質的聚合物構成爲理想。在此情況，因爲絕緣性微粒子52變爲容易附著於導電粒子51的表面5 1 a，在如此的連接構造1 0，可更提高相鄰的電路電極2 2、3 2間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、31的面方向的絕緣性。自由基聚合性物質爲具有藉由自由基而聚合的官能基的物質，作爲如此的自由基聚合性物質係可舉出：丙烯酸 (acrylate )(亦包含對應的丙烯酸甲酯（methacry 1 ate ) -17- ⑧ (14) 1323276 ，以下相同）化合物’亞醯胺（M a 1 e i m i d e )化合物等。自由基聚合性物質爲以單體或寡聚物的狀態使用亦佳，另外，爲亦能倂用單體和寡聚物。

作爲丙烯酸化合物的具體例，可舉出：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (trimethylolpropane triacrylate)、四經甲基甲院四丙嫌酸酯（tetramethylolmethane tetracrylate) 、2 -淫基 1，3 -二丙烯氧基丙烷、2，2-雙〔4·(丙烯氧基甲氧基）苯基〕丙烷、2,2-雙〔4-(丙烯氧基聚乙氧基）苯基〕丙烷、二環戊烯基丙烯酸酯、三環癸烷基丙烯酸酯、三（丙烯醯氧基乙基）異氰酸酯（tris-(acryloyloxyethyl) isocyanuate、丙烯酸胺基甲酸酯等，這些可單獨或混合2種以上而使用。另外，依必要而使用對苯二酹（hydroquinone)、甲基醚對苯二酣（methyl ether hydroquinone)等聚合禁止劑的亦佳，另外，由使耐熱性提高之點，丙烯酸酯化合物爲具有由二環戊烧基、三環癸院基（tricyclo decanyl)、及三氮（triazine )環構成的群中選擇至少1個取代基爲理想。亞醯胺化合物爲於分子中至少含有2個以上亞醯胺基，作爲如此的亞醯胺化合物，可舉出例如：1-甲基-2,4-雙亞醯胺苯、N，N’-m-次苯基雙亞醯胺（phenylene bismaleimide ) 、N，N’-p-次苯基雙亞酿胺(phenylene bismaleimide ) 、N，N ’-m· 1，2-二苯乙烯雙亞醯胺、Ν,Ν ’- -18- ⑧ (15) 1323276 4,4· —次苯基雙亞酸胺（biphenylene bismaleimide )、 1>4’-4,4-(3,3’-二甲基二次苯基）雙亞醯胺、>^，>^-4,4- • (3,3’_二甲基二苯基甲烷）雙亞醯胺、n，N’_4,4-(3,3，-. 二乙基二苯基甲烷）雙亞醯胺、Ν,Ν’-4,4-二苯基甲烷雙亞 • 醯胺、Ν，Ν’-4,4-二苯基丙烷雙亞醯胺、Ν,Νυ’-二苯基擴基雙亞醯胺（diphenyl sulfon bismaleimide) 、Ν，Ν，-4,4-二苯醚雙亞醯胺、2,2-雙（4- (4-亞醯胺苯氧基）苯基 ^ )丙烷'2,2-雙（3-5-丁基-4,8-(4-亞醯胺苯氧基）苯基 )丙烷、1，1-雙（4-(4-亞醯胺苯氧基）苯基）癸烷、 4,4’-環亞己基（CyCl〇hexylidene)-雙（卜（4-亞醯胺苯氧基）-2-環己基苯、2,2-雙（4_ (4-亞醯胺苯氧基）苯基）六氟Pf院等。這些可單獨或混合2種以上而使用。另外’如第2圖所示地，導電粒子51爲具備：核體 5 1 X、和如被覆核體5 1 X的表面地形成的外層5 1 y亦佳。而且，第2圖爲表示被覆粒子的一例的剖面圖。置換第1 H 圖的導電粒子51至第2圖的導電粒子51亦佳。核體51x由高分子化合物構成，作爲該高分子化合物 ’適於使用：聚苯乙烧、聚二乙烧苯（polydivinyl benzene )、聚丙烯酸酯、環氧樹脂、酚樹脂、苯代三聚 _ 氰胺（benzoguanamine )樹脂等的各種塑膠類、苯乙烯丁二烯橡膠或矽橡膠等的各種橡膠類等。另外，將這些作爲主成分，亦可使用架橋劑、硬化劑、老化防止劑等的各種添加劑。在此情況，因爲由連接電路電極2 2、3 2相互間時的加熱及加壓而導電粒子5 1容易變形，增加導電粒子 -19- (16) 1323276 51與電路電極22、32的接觸面積，提高連接信賴性。於本實施形態，絕緣性微粒子5 2的質量爲核體5 J x .的質量的7/1 000〜86/1 000。若絕緣性微粒子52的質量未滿核體51x的質量的7/1 000，則導電粒子5 1變爲不能藉 ' 由絕緣性微粒子52而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極22、3 2間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微粒子5 2的質量超過核體5 lx的質量的8 6/1 0 00，則絕緣性微粒子52 變爲過剩的被覆導電粒子5 1。因此，導電粒子5 1即使連接相對的電路電極22、32相互間，亦增大於電路基板21 、：31的厚度方向的連接阻抗。另外，核體5 1 X即使由非導電性的玻璃、陶瓷、塑膠等構成亦佳。即使爲此情況，因爲由連接電路電極2 2、3 2 相互間時的加熱及加壓而導電粒子5 1容易變形，增加導電粒子51與電路電極22、32的接觸面積，提高連接信賴 _ 性。另外，導電粒子5 1若爲於非導電性的玻璃、陶瓷、塑膠等構成的核體51x表面上形成由貴金屬類構成的外層 5 1 y爲理想。 . 外層51y係爲了得到充分的可使用時間（pot life)，不使用Ni、Cu等的過渡金屬類構成者，若由Au、Ag、鈾族等的貴金屬類構成爲理想，由Au構成爲更理想。另外，導電粒子51係將由Ni等的過渡金屬類構成的核體51x 以由Au等的貴金屬類構成的外層5 1 y被覆亦佳。貴金屬類的外層51y的厚度若爲1〇〇埃（angstrom) -20- (18) 1323276 而作成的檢量線，爲代用同樣的種類的塑膠類、橡膠類' 自由基聚合系物質的聚合物而作成的檢量線亦佳。 • 在質量比A及質量比B的値的測定而使用的熱分解氣 , 相層析法的最大値 ( p e a k )，特別不被限定，可使用來自 ’ 導電粒子51、核體5 1 X及絕緣性微粒子5 2的熱分解成分的最大値。在那些熱分解成分之中，若使用構成塑膠類、橡膠類、自由基聚合性物質的主單體的熱分解成分的最大 9値’則因質量比A及質量比B的値的定量性提高而爲理想 (電路連接材料）上述電路連接構件60，由電路連接材料的硬化物構成。在此’說明關於電路連接材料。此電路連接材料，含有被覆粒子及黏著劑組成物。另外，如後述地，電路連接材料更含有薄膜形成材料、其他含有成分等亦佳。 <被覆粒子> 被含有於電路連接材料的被覆粒子爲與上述被覆粒子 50相同的構成。構成被覆粒子5〇的導電粒子5i，對於黏者劑組成物1 〇〇體積份而添加〇. i〜3 〇體積份爲理想，其添加量係依用途而運用。而且，爲了防止由過剩的導電粒子51的相鄰電路電極的短路等，將導電粒子51添加〇 · 1〜1 0體積份爲較理想》 -22- ⑧ (21) 1323276 基過氧基新癸酸酯' t-己基過氧基新癸酸酯、t-丁基過氧基丙酸酯、1，1,3, 3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酮酯、

2，5-二甲基-2,5-二（2-乙基己醯過氧基）己烷、1-環己基-1-甲基乙基過氧基-2-乙基己酮醋、t -己基過氧基-2-乙基己酮酯、t-丁基過氧基-2-乙基己酮酯、t-丁基過氧基異丁酸酯、1，1-雙（t-丁基過氧基）環己烷、t-己基過氧基異丙基單碳酸鹽、t-丁基過氧基-3,5,5-三甲基己酮酯、t-丁基過氧基月桂酸酯、2,5-二甲基- 2,5-二（m-甲基苯甲醯過氧基 )己烷、t-丁基過氧基異丙基單碳酸鹽、t-丁基過氧基-2-乙基己基單碳酸鹽、t-己基過氧基苯甲酸酯、t-丁基過氧基乙酸酯等。作爲過氧化縮酮，可舉出：Μ·雙（t·己基過氧基）-3,3,5-三甲基環己烷、1,卜雙（t-己基過氧基）環己烷、 M-雙（t-丁基過氧基）-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-( t· 丁基過氧基）環十二烷、2,2 -雙（t -丁基過氧基）癸烷等。作爲二烷基過氧化物’可舉出：α，α’-雙（t-丁基過氧基）二異丁基苯、二異丙苯基過氧化物、2,5_二甲基-2,5 -二（t -丁基過氧基）己院、1•丁基異丙苯基過氧化物等作爲過氧化氫，可舉出：二異丙基苯氫1過氧化物、異丙苯氫過氧化物。作爲矽基過氧化物，可舉出：丁基三甲基砂基過氧化物 '雙（t_ 丁基）二甲基砍基過氧化物、t -丁基二乙稀基矽基過氧化物、雙（t - 丁基）一乙烯基矽基過氧化物、 -25- (23) 1323276 物作爲薄膜形狀的情況，將此薄膜的操作變爲容易，m加不容易破裂、破碎、發黏的機械特性等，爲在通常的狀声琴 .(常溫常壓）可爲薄膜的操作。作爲薄膜形成材料， Y 出：苯氧基樹脂、聚乙烯醇縮甲醛（polyvinyl f(^mal ) '' 樹脂 '聚苯乙烯樹脂、聚乙烯縮丁醛、聚酯樹脂、聚釀胺 (Polyamide)樹脂、二甲苯（xylene)樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等。這些特別從於黏著性、相溶性、耐熱性、機械 0強度優良而言，苯氧基樹脂爲理想。苯氧基樹脂係使二官能基酸類和表鹵代醇（ epihalohydrin)反應至高分子量，或使2官能環氧樹脂和 2官能酚類聚合加成（polyaddition )而得到的樹脂。苯氧基樹脂係可藉由例如：將2官能酚類1莫耳和 epihalohydrin0_985〜1.015莫耳’於鹼金屬氫氧化物等的觸媒的存在下，在非反應性溶劑中、4 0〜1 2 0 °C的溫度使其反應而得。另外’作爲苯氧基樹脂，由樹脂的機械的特性

或熱的特性之點’特別是將2官能性環氧樹脂與2官能性酚類的配合當量比作爲環氧基/酚氫氧基=1/0.9〜1/1.1，在鹼金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等的觸媒存在下、在沸點爲120 °C以上的胺系、醚系、酮系、內酯系、醇系等的有機溶劑中，以反應固形分爲50重量份以下的條件加熱至50〜20(TC而使其爲聚合加成反應而得者爲理想。作爲2官能環氧樹脂，可舉出：雙酚a型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚Ad型環氧樹脂、雙酚S型環氧 -27- (24) 1323276 樹脂等。2官能酚類爲具有2個酚性氫氧基者，作爲如此的2官能酚類’可舉出例如：雙酚a、雙酚F、雙酚ad、 • 雙酚S等的雙酚類等。 •曾 . 另外’苯氧基樹脂係若於其分子內含有起因於多環芳 ' 香族化合物的分子構造爲理想。由此，可得於黏著性、相溶性、耐熱性、機械強度等優良的電路連接材料。作爲多環芳香族化合物，可舉出例如：萘（孀_ Naphthalene )、聯苯、苊（Acenaphthene )、芴' 二苯駢呋喃、蔥、菲等的二烴基化合物等。在此，多環芳香族化合物若爲芴爲理想。而且，多環芳香族化合物若爲9,9，_ 雙（4·羥苯基）芴爲特別理想。而且，苯氧基樹脂係藉由自由基聚合性的官能基而變性亦佳。另外’苯氧基樹脂即使單獨使用、混合2種以上而使用亦佳。 g <其他的含有成分> 本實施形態的電路連接材料爲，再加上包含將由丙煤酸、丙烯酸酯、丙烯酸甲酯及丙烯腈構成的群選擇至少一種作爲單體成分的聚合物或共聚物亦佳。在此由在應力緩 .和優良’倂用包含含有環氧醚基的縮水甘油丙烯酸酯、或縮水甘油丙稀酸甲醋的共聚物系丙嫌橡膠爲理想。這些丙烯橡膠的分子量（重量平均分子量）爲由提高黏著劑的凝集力之點上，爲2 0萬以上爲理想。另外’於本實施形態的電路連接材料，亦可更含有塡 -28 - (25) 1323276 充劑、軟化劑、促進劑、老化防止劑、難燃化劑、色素、溶搖（thlX〇tr〇pic )劑、偶合劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂 .、異氰酸酯類等。在於電:路連接材料含有塡充劑的情況，以提高連接信 $員性等爲S想》塡充劑如係其最大徑未滿導電粒子5】的 ¥ $粒徑則可使用。塡充劑的配合量爲對黏著劑組成物 100體積份而爲5〜60體積份爲理想。若配合量超過60體 ••積份，則有連接信賴性提高效果飽和的傾向，另—方面，在未滿5體積份有塡充劑添加的效果變爲不充分的傾向。作爲偶合劑’含有酮亞胺（keti mine) '乙燃基、丙稀基、胺基、環氧基或異氰酸酯基的化合物，因爲提高黏著性而爲理想。具體的係作爲有胺基的矽烷偶合劑，可舉出：N-；S ( 胺乙基）r-胺丙基三甲氧基矽烷、N·^ (胺乙基）r-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、τ-胺丙基三乙氧基矽烷、N -苯 ^基-r-胺丙基三甲氧基矽烷等。作爲具有酮亞胺的矽烷偶合劑，可舉出：於具有上述的胺基的矽烷偶合劑，使丙酮、丁酮、甲基異丁基酮等的酮化合物反應而得之物。 :接著，關於上述連接構造1〇的製造方法，使用第1 • 圖、第3圖及第4圖而說明。第3圖表示使用至連接構造 10的製造的薄膜狀的電路連接材料的剖面圖、第4圖爲表示連接構造10的製造方法的一製程的剖面圖。 (電路構件的連接構造的製造方法） -29- (26) 1323276 » % • · 首先，準備電路構件2〇、3〇。—方面，準備成形至薄膜而成的薄膜狀電路連接材料61 (參照第3圖）。接著，；在電路構件20與電路構件30之間，使將上述的電路連接 • 材料成形至薄膜狀而成的薄膜狀電路連接材料61存在。 • 亦即’在電路構件20與電路構件30之間，，在電路電極 • 22與電路電極32爲相對的狀態，使薄膜狀電路連接材料 61存在。具體而言，例如：於電路構件3〇上放上薄膜狀 ••電路連接材料61，接著於薄膜狀電路連接材料61上放上電路構件20。此時，電路電極22與電路電極32如相互相對地，配置電路構件20及電路構件30。在此，因爲薄膜狀電路連接材料61爲薄膜而爲容易操作。因此，可容易使薄膜狀電路連接材料61存在於電路構件2 0、3 0間，可將電路構件20、30的連接作業變爲容易。接著’經由電路構件20 ' 30而加熱薄膜狀電路連接材料61、同時加熱及加壓於第4圖的箭頭A及B方向而 ^施行硬化處理（參照第4圖），於電路構件2 0、3 0間形成電路連接構件60(參照第1圖）。硬化處理爲能藉由一般的方法進行，其方法係由黏著劑組成物而適宜的選擇。 _·. 而且，在加熱及加壓時，由電路構件20、30的哪一方之側，照射光而進行對準電路電極22、32的位置亦佳。若如此作用而製造連接構造1 〇，則可得充分降低而且安定化相對的電路電極22、32間的連接阻抗、同時充分提高相鄰電路電極22、32間的絕緣性的連接構造1 〇 ° -30- (27) 1323276 〔第2實施形態〕 (電路構件的連接構造）本實施形態的連接構造1 〇係具備：相互相對的電 . 構件20 (第一電路構件）和電路構件30 (第二電路構 > )，於電路構件20與電路構件3 0之間，設置連接這些電路連接構件60。電路構件20、3 0具有與第1實施形態相同的構造而且由相同的材料構成爲理想。電路連接構件60係設置於電路基板21的主面21a 電路基板3 1的主面3 1 a之間，如電路電極2 2、3 2相對連接電路構件2 0、3 0相互間。另外，電路連接構件6 0 具備··絕緣構件40、導電粒子51的表面51a的一部藉由絕緣性微粒子52被覆的被覆粒子50。於本實施形，被覆粒子 50的比重爲，導電粒子51的比重 9 7/1 0 0〜99/1 〇〇。經由此被覆粒子50，電氣的連接電路 % 極22與電路電極32。在此’電路連接構件60，因爲由後述的電路連接材的硬化物構成，所以在連接構造1 〇，可充分的降低相對 •-電路電極22、32間的連接阻抗、同時亦充分提高相鄰路電極22、32間的絕緣性。 (電路連接材料）關於本實施形態的電路連接材料，含有黏著劑組成及被覆粒于50。若使此電路連接材料存在於電路構件路件的與地係分態的電料的電物 -31 - ⑧ 20 (28) 1323276 # 、 •’ 、3 0之間，經由電路構件2 0、3 0而加熱及加壓、硬化處理，而得到連接構造1 〇 ’則於得到的連接構造1 0 ’充分 • 的降低相對的電路電極2 2、3 2間的連接阻抗、同時充分 " 提高相鄰電路電極22、32間的絕緣性。 • · • <黏著劑組成物> 作爲黏著劑組成物，可例示與在第1實施形態的黏著劑組成物相同之物。 <被覆粒子> 被覆粒子50爲導電粒子51的表面51a的一部分藉由絕緣性微粒子52而被被覆。於本實施形態的被覆粒子50 的比重爲導電粒子51的比重的97/100〜99/100。若被覆粒子 5 0的比重未滿導電粒子 5 1的比重的 9 7/ 1 00，則絕緣性微粒子52變爲過剩的被覆導電粒子5 1 _ 。因此，導電粒子5 1爲即使連接相對的電路電極2 2、3 2 相互間，亦增大於電路基板2 1、3 1的厚度方向的連接阻抗。一方面，若被覆粒子50的比重超過導電粒子51的比 · 重的99/1 00，則導電粒子5 1變爲不能藉由絕緣性微粒子 • 52而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性變爲不充分。另外’於被覆粒子50，若導電粒子51的表面51a的 5〜60%藉由絕緣性微粒子52而被被覆爲理想 (29) 1323276 若被覆導電粒子的表面5 1 a未滿5% ’則因爲導電粒子51變爲不能藉由絕緣性微粒子52而充分的被被覆’比 .起在表面5 la爲5%以上被被覆的情況’相鄰電路電極22 ·. 、32間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若導電粒子51的表面5U超過60%而被被覆，則因爲絕緣性微粒子52過剩的被覆導電粒子51，所以導電粒子51即使連接相對的電路電極22 ^ 、32間，比起在被覆表面51a爲60%以下的情況，增大於電路基板21、31的厚度方向的連接阻抗。導電粒子5 1及絕緣性微粒子5 2係具有與第1實施形態相同的構造，而且由相同的材料構成爲理想。 <薄膜形成材料> 本實施形態的·電路連接材料，再加上含有與在第1實施形態的薄膜形成材料相同的者爲理想。由此，變爲能加 _工電路連接材料至薄膜狀’可得薄膜狀電路連接材料。 <其他的含有成分> ·- 本實施形態的電路連接材料，再加上含有與在第1實施形態的其他的含有成分相同者爲理想。 (電路構件的連接構造的製造方 '法）作爲本實施形態的電路構件的連接構造的製造方法係與在第1貫施形態的的電路構件的連接構造的製造方法相 -33- ⑤ (30) 1323276 同的方法爲理想。以上，詳細的說明關於本發明的合適的實施形態，而 •本發明不被限定於上述各實施形態。 ·· • 例如：在上述第1及第2實施形態，若於連接構造1 〇 _ 電路電極22、32都有電極表面層24、34，而電路電極22 、32的任一方若有電極表面層亦佳。另外，電路電極22 、32都沒有電極表面層亦佳。亦即，在上述第1及第2實隹·施形態’電路電極22、32都具有電極表面層24、34，而電路電極22、32之中至少一方若有電極表面層亦佳。另外’在上述第1及第2實施形態，若於連接構造i 〇電路構件30具有基板表面層35，而若僅電路構件20具有基板表面層亦佳。另外，電路構件20、30若都具有基板表面層亦佳。而且’電路構件20、30若都不具有基板表面層亦佳。亦即’在上述第1及第2實施形態，若電路構件30具有基板表面層35，而若電路構件20、30之中至少 % —方具有基板表面層亦佳。另外，在上述第1及第2實施形態，使用薄膜狀電路連接材料61而製造連接構造1〇，而不限於薄膜狀電路連 : 接材料6 1，使用不包含其的薄膜形成材料的電路連接材料 ·. 亦佳。即使在此情況，使電路連接材料溶解於溶劑，如將其溶液塗佈於電路構件20、30任一而使其乾燥，可於電路構件20、30間使電路連接材料存在。另外’在上述第1及第2實施形態，不管電路連接材料含有導電粒子5 1、不含有導電粒子51亦佳。爲此情況 -34- ⑧ 1323276 * : * (31) 亦藉由相對的電路電極22、32各個直接接觸而得到電氣的連接。而且，於含有導電粒子5 1的情況，比起於不含 . 有導電粒子5 1的情況，可得較安定電氣的連接。 ·» 實施例 - 以下，將本發明的內容，使用實施例而更具體的說明，而本發明不被限定於這些實施例。 ^ (實施例1 ) (1 )被覆粒子的製作首先，於平均粒徑的架橋聚苯乙烯( PSt) 的表面，以無電解電鍍設置厚度的鎳層，而且藉由於該鎳層的外側設置厚度〇 . 〇 4 v m的金層，得到相當於導電粒子51的電鍍塑膠粒子（PSt-M )。將此電鍍塑膠粒子的表面的一部，藉由相當於絕緣性微粒子5 2的甲基丙烯酸甲酯的聚合物，亦即藉由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA ^ )而被覆，得到以平均粒徑〇 · 2〆m的絕緣性微粒子被覆的平均粒徑5.2 # m的被覆粒子A。被覆粒子A係導電粒子的表面的20%被被覆，被覆後的比重爲對被覆前的比重 - 成爲如98/ 1 00地被覆。而且，平均粒徑爲從以藉由描掃 ·. 型電子顯微鏡的觀察而得到的測定値而被算出者。 (2 )熱分解氣相層析法測定首先，爲了作成關於質量比A(對導電粒子的質量的絕緣性微粒子的質量之比）的檢量線而進行熱分解氣相層析法測定。於測定結果，作爲電鍍塑膠粒子（PSt-M )的 (32) 1323276 * 熱分解成分的最大値（Peak )，使用了苯乙烯的最大値（ peak)面積Is,。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA) •的熱分解成分的最大値（peak)，使用了甲基丙烯酸甲酯 . (MMA)的最大値面積Imma。由這些算出了最大値面積· 比（Imma/Isi)。另外，電鍍塑膠粒子（PSt-M )的質量WPST-M係相當於導電粒子51的質量，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )的質量WPMMA係相當於絕緣性微粒子52的質量。由此算出了質量比A(Wpmma/Wpst.m)。然後，關於最大値面積比（ I]VIMA/Ist)與質量比 A ( WpmMa/WpsT-M)的關係，作成了表示於第5圖的檢量線。第5圖的檢量線係具有著良好的直線性。接著，爲了作成關於質量比B (對核體的質量的絕緣性微粒子的質量之比）的檢量線而進行熱分解氣相層析法測定。於測定結果，作爲架橋聚苯乙烯粒子（P s t )的熱 #分解成分的最大値（peak )，使用了苯乙烯的最大値（ peak)面積IS1。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA) 的熱分解成分的最大値（peak )，使用了甲基丙烯酸甲酯 : (MMA)的最大値面積iMMA。由這些算出了最大値面積比（IMMA/Ist)。另外’聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)的質量\^^八係相當於絕緣性微粒子52 ·的質量，架橋聚苯乙烯粒子（PSt )的質量WPSt係相當於核體51x的質量。由這些算出了質量比B ( WPMMA/WPSl )。然後，關於最大値面積比（ -36- (33) 1323276 】MMA/ISt )與質量比質量比B ( WPMMA/WPSl )的關係，作成了表不於弟6圖的檢量線。第6圖的檢量線係具有著良 . 好的直線性。 " 然後，關於被覆粒子A，以表示於表1的測定條件而 '· 進行熱分解氣相層析法測定，算出了最大値面積比（ IMMA/Ist )。然後，根據此最大値面積比，將質量比A由第5圖的檢量線算出的結果，質量比A爲9/1 000、將質量比B由第6圖的檢量線算出的結果，質量比B爲2 9 / 1 0 0 0 (參照表2 )。

〔表1〕型式或測定條件熱分解裝置曰本分析工業公司製居里點熱裂解儀- JHP-5 型氣相層析儀 Agilent公司製68 90N型偵測器火焰離子化偵測器管柱 Agilent公司製毛細層析管HP-5 MS (內徑 0.25mm、長 30m) 管柱昇溫條件由50°C至300°C，以每分鐘10°C昇溫後，保持1 0分鐘載子氣體氮（管柱內流量lml/分）注入法分流注入法（分流比5 0 : 1 ) ⑧ (34) 1323276 〔表2〕實施例1 (被覆粒子A) 實施例2 (被覆粒子B) 實施例3 (被覆粒子C) 比較例1 (導電粒子）比較例2 (被覆粒子E) 質量比A 9/1000 18/1000 11/1000 0/1000 30/1000 質量比B 29/1000 58/1000 34/1000 0/1000 101/1000 (3)電路連接材料的製作

首先，由雙酚A型環氧樹脂和雙酚A(bisphen〇l A) 合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲80°C的苯氧基樹脂。將此苯氧基樹脂50g，溶解於在重量比爲甲苯（沸點 1 1 0.6°C、SP 値 8·90 ) / 乙酸丁酯（沸點 77.1 °C、SP 値 9.1 0 ) =5 0/5 0的混合溶劑，作爲固形分40重量％的溶液。然後’調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊稀基二醇二丙嫌酸醋（dicyclopentenyldialcoholdiacrylate )39g、磷酸酯（phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2 -乙基己嗣醋（t - h e X y 1 p e r ο X y - 2 - e t h y 1 h e X a η ο n a t e )5 g的溶液》接著’使被覆粒子A配合分散5體積％於上述溶液而調整溶液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚度80#m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在70 °C 10分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚度10/zm的第1薄膜材料。另外，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂6〇g、二環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ -38- (35) 1323276 dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g 、磷酸醋 ( phosphate)型丙烯酸酯 lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮酯（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate) 5g 的別的溶液。將此溶液’使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚度80//m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在70 °C 10分的熱風乾燥’於PET薄膜上得到在厚度ΐ〇#ηι而由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。

將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（ Laminatei·)黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4)電路構件的連接構造的製作首先，作爲第一電路構件，準備配置了凸塊面積50；α mx5〇em、間距lOOym、高度20/ζηι的金凸塊的1C晶片。接著’作爲第二電路構件，準備於厚度l.lmm的玻璃基板上蒸鍍銦錫氧化物（ITO)的電路而形成的ITO基板 (表面阻抗<20 Ω /□)。

然後’使上述薄膜狀電路連接材料存在於1C晶片與 ITO基板之間’將1C晶片、薄膜狀電路連接材料及ITO 基板以石英玻璃和加壓頭挾持，以200°C、1 OOMPa 10 秒鐘加熱及加壓。如此作用，經由薄膜狀電路連接材料連接1C晶片與ITO基板。此時，於IT◦基板上事先將薄膜狀電路連接材料的一方的黏著面以70 °C ' 0.5 MPa 5秒鐘加熱及加壓而黏上。之後，剝離PET薄膜，將薄膜狀電路連接材料的他方的黏著面與1C晶片連接。如以上作用 ’製作電路構件的連接構造A。 -39- ⑧ (36) 1323276 (實施例2) (1 )被覆粒子的製作

首先，於平均粒徑5ym的架橋聚苯乙烯粒子（PSt) 的表面，以無電解電鍍設置厚度0.2 的鎳層，而且藉由於該鎳層的外側設置厚度〇 . 〇 4 y m的金層，得到相當於導電粒子51的電鍍塑膠粒子（PSt-M )。將此電鍍塑膠粒子的表面的一部，藉由相當於絕緣性微粒子5 2的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )而被覆，得到以平均粒徑0.2 # m的絕緣性微粒子被覆的平均粒徑5.2//m的被覆粒子B。被覆粒子B係導電粒子的表面的40%被被覆，被覆後的比重爲對被覆前的比重成爲如97/100地，導電粒子藉由絕緣性微粒子而被被覆。而且，平均粒徑爲從以藉由描掃型電子顯微鏡的觀察而得到的測定値而被算出。另外關於被覆率與實施例1同樣的測定。 (2 )熱分解氣相層析法測定關於被覆粒子B，以表示於表1的測定條件而進行熱分解氣相層析法測定。將質量比A由第5圖的檢量線算出的結果，質量比A爲1 8/ 1 000、將質量比B由第6圖的檢量線算出的結果，質量比B爲5 8 / 1 0 0 0 (參照表2 )。 (3)電路連接材料的製作首先’由雙酚A型環氧樹脂和9,9’-雙（4-羥苯基）芴’合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲801的苯氧基樹脂。將此苯氧基樹脂50g，溶解於在重量比爲甲苯（ -40- ⑧ (37) 1323276 沸點 1 1 Ο . 6 °c、S P 値 8 · 9 Ο ) / 乙酸丁酯（沸點 7 7 . l°c ' S P 値9.1 0 ) =5 0/5 0的混合溶劑，作爲固形分40重量％的溶液。然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g、憐酸醋（ phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮醒(t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate) 5g 的溶液〇

接著’使被覆粒子B配合分散5體積％於上述溶液而調整溶液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚度80// m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在7〇°C 10分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚度l〇em的第1薄膜材料。另外，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g、磷酸醋（ % phosphate)型丙烯酸酯ig、第三己基過氧基-2·乙基己酮酯（t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanonate) 5g 的別的溶液。將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚度 80 μ m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在7(rci〇 .分的熱風乾燥’於PET薄膜上得到在厚度1〇ym而由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（ Laminater )黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4)電路構件的連接構造的製作 -41 - (38) 1323276 使用上述的薄膜狀電路連接材料，與實施例丨相同而製作電路構件的連接構造B。 • (實施例3) ' (1 )被覆粒子的製作作爲被覆粒子C’使用積水化學公司製的aul-704GD 。被覆粒子C的核體51χ係由聚丙烯酸酯系的塑膠構成， •導電粒子5 1的平均粒徑爲4 β m。絕緣性微粒子52係由聚甲基丙烧酸甲酯（PMMA )構成，其平均粒徑爲0.2#m (2 )熱分解氣相層析法測定首先’爲了作成關於質量比A的檢量線而進行熱分解氣相層析法測定。於測定時，作爲具有由聚丙烯酸酯系的塑膠構成的核體51y的導電粒子51，使用了積水化學公司製的 AUL-704 ( P Ac-M )。

於測定結果，作爲AUL-704 ( PAc-M )的熱分解成分的最大値（peak )，使用聚丙烯酸酯（Ac)的最大値（ peak )面積IAC。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA ) 的熱分解成分的最大値（peak)，使用了甲基丙烯酸甲酯 (MMA )的最大値面積IMMA。由這些算出了最大値面積比（lMMA/】st)。另外，AUL-704 (PAc-M)的質量W PAc-M係相當於導電粒子51的質量，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)的質量 WPMMA係相當於絕緣性微粒子52的質量。由這些算出了 -42- ⑤ (39) 1323276 « > 質量比A ( WPMMA/W PAe-M )。然後，關於最大値面積比 (Imma/Is1)與質量比A(WPMma/W PAe.M)的關係，作成了表示於第7圖的檢量線。第7圖的檢量線係具有著良好的直線性。接著’爲了作成關於質量比B的檢量線而進行熱分解氣相層析法測定。於測定時，使用了爲聚丙烯酸酯粒子之積水化學公司製的LP-704 (PAc)。

於測定結果，作爲LP-704 ( P Ac )的熱分解成分的最大値’使用了聚丙烯酸酯（Ac)的最大値（peak)面積 Iac。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )的熱分解成分的最大値（peak )，使用了甲基丙烯酸甲酯（MMA)的最大値面積IMMA。由這些算出了最大値面積比（Imma/Iac 另外，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)的質量相當於絕緣性微粒子52的質量，LP-704 (PAc)的質量 g WPAc相當於核體51x的質量。由這些算出了質量比B( Wpmma/W PAc)。然後，關於最大値面積比（IMMA/ iAC) 與質量比B ( WPMMA/W PAe )的關係，作成了表示於第8 圖的檢量線。第8圖的檢量線係具有著良好的直線性。然後’關於被覆粒子C，以表示於表1的測定條件進行熱分解氣相層析法測定的結果，得到表示於第9圖的裂解色譜圖。丙烯酸酯（Ac)與甲基丙烯酸甲酯（MM A ) 的最大値面積比（Imma/Iac )爲1 : 90。使用此値，將質量比A由第7圖的檢量線算出的結果，質量比a爲 ⑧ -43- (40) 1323276 » 1 1 /1 000，將質量比B由第8圖的檢量線算出的結果，質量比B爲34/1000 (參照表2)。 (3)電路連接材料的製作除了代替於實施例1的被覆粒子A而使用被覆粒子C 以外，與實施例1相同，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4)電路構件的連接構造的製作

使用上述的薄膜狀電路連接材料，與實施例1相同而製作電路構件的連接構造C。 (比較例1 ) (1 )導電粒子的製作使用表面不以絕緣性微粒子被覆的導電粒子。亦即導電粒子的被覆率爲0%。 (2 )熱分解氣相層析法測定表示質量比A及質量比b的算出結果於表2。 (3 )電路連接材料的製作除了代替於實施例1的被覆粒子A，而使用不以絕緣性微粒子被覆的導電粒子以外，與實施例1相同，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4)電路構件的連接構造的$十乍使用上述的薄膜狀電路連接材料，與實施例〗相同而製作電路構件的連接構造D。 -44 - ⑧ (41) 1323276

• I (比較例2) (1 )被覆粒子的製作 . 首先，於平均粒徑5ym的架橋聚苯乙烯粒子（PSt) " 的表面，以無電解電鍍設置厚度0.2//m的鎳層，而且藉由於該鎳層的外側設置厚度〇.〇4 μ m的金層，得到電鍍塑膠粒子（PSt-M )。將此電鍍塑膠粒子的表面的一部，藉由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )而被覆，得到以平均粒徑〇.2//m的絕緣性微粒子被覆的平均粒徑5.2/zm的被覆粒子E。而且，平均粒徑爲從以藉由描掃型電子顯微鏡的觀察而得到的測定値而被算出。 (2 )熱分解氣相層析法測定關於被覆粒子E，以表示於表1的測定條件而進行熱分解氣相層析法測定。將質量比A由第5圖的檢量線算出的結果，質量比A爲3 0/ 1 000、將質量比B由第6圖的檢量線算出的結果，質量比B爲1 0 1 / 1 0 0 0 (參照表2 )。

(3)電路連接材料的製作除了代替於實施例1的被覆粒子A而使用被覆粒子E 以外’與實施例1相同，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4)電路構件的連接構造的製作使用上述的薄膜狀電路連接材料，與實施例1相同而製作電路構件的連接構造E。 (相對的電路電極間的連接阻抗的測定） -45- 1323276 »

• I (42) 關於電路構件的連接構造A〜E，對初期（連接之後）的連接阻抗，將在-40°C30分鐘及100°C30分鐘的溫度循 . 環槽中保持500循環（cycle)後的連接阻抗，使用2端子測定法而以萬用電表（multimeter )測定。將結果表示於表3。在此，所謂連接阻抗意味著相對的電路電極間的阻 - 抗。 _ (相鄰的電路電極間的絕緣阻抗的測定）關於電路構件的連接構造A〜E，將施加了直流（DC ) 50V的電壓一分鐘後的絕緣阻抗，使用2端子測定法而以萬用電表（multimeter )測定。將結果表示於表3。在此，所謂絕緣阻抗意味著相鄰的電路電極間的阻抗。〔表3〕實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 (連接構造 (連接構造漣接構造 (連接構造 (連接構造 A) B) C) D) E) 連接阻抗初期（Ω) <1 <1 <1 <1 2 溫度循環後 <1 <1 <1 <1 >20 (Ω) 絕緣阻抗（Ω) >10 丨2 >1012 >1012 <104 >1012

在實施例1~3的電路構件的連接構造a〜C，於初期、溫度循環後任一連接阻抗都被抑制而十分低，絕緣阻抗亦

-46- (43) 1323276 變得十分高。對此，在比較例1的電路構件的連接構造D，比起連 . 接構造A〜C，絕緣阻抗變低。另外，比較例2的電路構件 ' 的連接構造E，於初期、溫度循環後任一比起連接構造 A〜C而連接阻抗都變高。上述實施例1〜3及比較例1、2爲關於第1實施形態。由以上，在使用第1實施形態的電路連接材料而製造電 •路構件的連接構造的情況，於得到的電路構件的連接構造，確認相對的電路電極間的連接阻抗充分降低、而且可安定化、同時可充分提高相鄰的電路電極間的絕緣性。 (實施例4) 首先，由雙酚A型環氧樹脂和雙酚A(bisphen〇l A) 合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲 80°C的苯氧基樹脂。將此苯氧基樹脂5 Og，溶解於在重量比爲甲苯（沸點 ^ ll〇.6°C、SP 値 8.90 ) /乙酸丁酯（沸點 77.1 °C、SP 値 9.1 0 ) =50/50的混合溶劑，作爲固形分40重量％的溶液❶ 然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊 : 嫌基二醇二丙稀酸醋（dicyclopentenyldialcoholdiacrylate .)39g、磷酸酯（phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2 -乙基己酮醋（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate )5 g的溶液。一方面，使用由自由基聚合性物質（丙烯酸酯單體）的聚合物構成的絕緣性微粒子，被覆後的比重爲對被覆前 -47- (44) 1323276 的比重而成爲98/1 00地被覆導電粒子的表面的20%，得到了被覆粒子。而且，導電粒子爲於由聚苯乙烯構成的核 .體的表面，具有厚度〇.2/zin的鎳層，於此鎳層的外側具 . 有厚度〇.〇4//m的金層。另外，作爲導電粒子，使用了平 '' 均粒徑爲5 // m的導電粒子。使此被覆粒子配合分散5體積。/〇於上述溶液而調整溶液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理 g —面的厚度SOym的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在70 °C 1〇分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚度1〇 # m的第1薄膜材料。另外’調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g 、磷酸醋（ phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基_2_乙基己酮醋（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate) 5g 的別的溶液。將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚度80 " m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在7〇 °Cl〇分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到在厚度1〇#m而 :由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。 . 將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（

Laminater)黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (實施例5 ) 首先，由雙酚A型環氧樹脂和9、9‘-雙（4 -經苯基） -48- ⑧ (45) 1323276 芴，合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲80°C的苯氧基樹脂。將此苯氧基樹脂50g，溶解於在重量比爲甲苯（

. 沸點 1 1 〇_6°C、SP 値 8.90 ) /乙酸丁酯（沸點 77.1 °C、SP . 値9 . 1 0 )= 5 0 / 5 0的混合溶劑，作爲固形分4 0重量％的溶 ·· 液。然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 3 9 g 、碟酸醋（ phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮酯(t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate ) 5g 的溶液。一方面，使用由自由基聚合性物質（丙烯酸酯單體） , 的聚合物構成的絕緣性微粒子，被覆後的比重爲對被覆前的比重而成爲97/ 1 00地被覆導電粒子的表面的40%，得到了被覆粒子。而且，導電粒子爲於由聚苯乙烯構成的核體的表面，具有厚度〇 · 2 m的鎳層，於此鎳層的外側具有厚度〇.〇4#m的金層。另外，作爲導電粒子，使用了平均粒徑爲5 β m的導電粒子。使此被覆粒子配合分散5體積％於上述溶液而調整溶液。然後’將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理：一面的厚度80#m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜， • 由在70 °C 10分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚度1 〇 μ m的第1薄膜材料。另外’調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g 、憐酸醋（ -49- ⑧ (46) 1323276 ► · I ' phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基_2·乙基己酮醋（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate) 5g 的別的溶液 .。將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚 . 度8〇Vm的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在70 ' °C 10分的熱風乾燥’於PET薄膜上得到在厚度10#m而由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（ Laminater)黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (比較例3 ) 除了代替於實施例4的被覆粒子，使用了不以絕緣性微粒子被覆的導電粒子以外，與實施例4相同而得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。亦即，導電粒子的被覆率爲 0%。 ^ (比較例4) 除了代替於實施例4的被覆粒子，使用了以下的被覆粒子以外’與實施例4相同而得到二層構成的薄膜狀電路 :連接材料。使用由自由基聚合性物質（丙烯酸酯單體）的聚合物構成的絕緣性微粒子，被覆後的比重爲對被覆前的比重而成爲95/100地被覆導電粒子的表面的70%，得到了被覆粒子。而且’導電粒子爲於由聚苯乙烯構成的核體的表面，具有厚度〇.2#m的鎳層，於此鎳層的外側具有厚度 -50 - (47) 1323276 0.04〆m的金層。另外，作爲導電粒子，使用了平均粒徑爲5vm的導電粒子。 (電路構件的連接構造的製作） ' 首先，作爲第一電路構件，準備配置了凸塊面積50# mx50//m'間距100/zm、高度20μηι的金凸塊的1C晶片。接著，作爲第二電路構件，準備於厚度1.1mm的玻璃基板上蒸鍍銦錫氧化物（ITO )的電路而形成的ITO基板 (表面阻抗<20Ω /□)。然後’使實施例4、5及比較例3、4的薄膜狀電路連接材料存在於1C晶片與ΙΤΟ基板之間，將1C晶片、薄膜狀電路連接材料及ΙΤΟ基板以石英玻璃和加壓頭挾持，以 2 00°C、lOOMPa 10秒鐘加熱及加壓。如此作用，經由薄膜狀電路連接材料連接1C晶片與ITO基板。此時，於 ITO基板上事先將薄膜狀電路連接材料的一方的黏著面以 70°c、〇.5MPa 5秒鐘加熱及加壓而黏上。之後，剝離PET 薄膜，將薄膜狀電路連接材料的他方的黏著面與1C晶片連接。 : 如以上作用’製作了電路構件的連接構造F〜I。而且電路構件的連接構造F〜I爲使用各個實施例4、5及比較例3、4的薄膜狀電路連接材料而製作。 (比重的測定）關於實施例4、5及比較例3、4的薄膜狀電路連接材 -51 - ⑧ (48) 1323276 ,* « 料的各個，將被覆前的導電粒子及被覆後的被覆粒子，各個取樣3.5cc，在室溫、氦氣氣氛中以比重計（島津製作所公司製，ACCUpyc 1 330-0 1 )而測定比重，求出對被覆前 @導電粒子的比重的被覆後的被覆粒子之比重（比重比）。將結果表不於表4。 (相對的電路電極間的連接阻抗的測定）

關於電路構件的連接構造F~I，對初期（連接之後）的連接阻抗，將在-40°C30分鐘及100°C30分鐘的溫度循環槽中保持500循環（CyCle)後的連接阻抗，使用2端子測定法而以萬用電表（multimeter)測定。將結果表示於表5 °在此，所謂連接阻抗意味著相對的電路電極間的阻抗。 (相鄰的電路電極間的絕緣阻抗的測定）關於電路構件的連接構造F〜I，將施加了直流（DC ) 50V的電壓一分鐘後的絕緣阻抗，使用2端子測定法而以萬用電表（multimeter )測定。將結果表示於表5。在此，所謂絕緣阻抗意味著相鄰的電路電極間的阻抗。 ⑧ (49) 1323276 * · $ * 〔表4〕實施例4 實施例5 比較例3 比較例4 被覆前後的比重比 98/100 97/100 95/100 被覆率（％) 20 40 0 70 〔表5〕實施例4 (連接構造F) 實施例5 漣接構造G) 比較例3 (連接構造Η) 比較例4 (連接構造I) 連接阻抗初期(Ω) <1 <1 <1 2 溫度循環後(Ω) <1 <1 <1 >20 絕緣阻抗(Ω) >1012 >1012 <104 >1012

在使用實施例4、5的薄膜狀電路連接材料而得到的電路構件的連接構造F、G，初期，於溫度循環後的任一 ’連接阻抗都被抑制而十分低，絕緣阻抗亦變得十分高。對此，在使用比較例3的薄膜狀電路連接材料而得到的電路構件的連接構造Η，比起連接構造F、G而絕緣阻抗變低。另外，使用比較例4的薄膜狀電路連接材料而得到的電路構件的連接構造I，初期，於溫度循環後的任一，都比起連接構造F、G而連接阻抗變高。上述實施例4、5及比較例3、4爲關於第2實施形態。由以上’在使用第2實施形態的電路連接材料而製造電路構件的連接構造的情況，確認於得到的電路構件的連接構造’相對的電路電極間的連接阻抗充分降低、而且可充 -53- ⑧ (50) 1323276 分提高相鄰的電路電極間的絕緣性。【圖式簡單說明】〔第1圖〕第1圖爲表示本發明的電路構件的連接構造的一實施形態的剖面圖。〔第2圖〕第2圖爲表示使用於本發明的電路連接材料的被覆粒子的一例的剖面圖。

〔第3圖〕第3圖爲表示本發明的薄膜狀電路連接材料的一實施形態的剖面圖。〔第4圖〕第4圖爲表示本發明的電路構件的連接構造的製造方法的一製程的剖面圖。〔第5圖〕第5圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 1、2及比較例2的質量比A的檢量線（calibration curve )的線圖。〔第6圖〕第6圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 1、2及比較例2的質量比B的檢量線的線圖° 〔第7圖〕第7圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 3的質量比A的檢量線的線圖。〔第8圖〕第8圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 3的質量比B的檢量線的線圖。〔第9圖〕第9圖爲得到關於在本發明的實施例3的被覆粒子C，進行熱分解氣相層析法（gas chromatography )測定的結果的裂解色譜圖（Pyrogram)。 ⑧ (51) 1323276 【主要元件符號說明】 1 0 :電路構件的連接構造 20 :電路構件（第一電路構件） 2 1 :電路基板（第一電路基板） 2 1 a :主面 22:電路電極（第一電路電極） 24,34:電極表面層

30:電路構件（第二電路構件） 3 1 :電路基板（第二電路基板） 3 1 a :主面 32:電路電極（第二電路電極） 3 5 :基板表面層 5 0 :被覆粒子 5 1 :導電粒子 5 1 X :核體

5 1 a :表面 5 2 :絕緣性微粒子 6 0 :電路連接構件 6 1 :薄膜狀電路連接材料 -55- ⑧

Claims

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十、申請專利範圍第94 1 00507號專利申請案中文申請專利範圍修正本：— .，.，民國98年6月Π白修正: 1. 一種電路連接材料，係供於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、

和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件，以使前述第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電路連接材料，其特徵爲：含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，前述絕緣性微粒子的質量爲前述導電粒子的質量的 2/1000-26/1000° 2. —種電路連接材料，係供於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件，以使前述第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電路連接材料，其特徵爲：含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，前述導電粒子爲具有由高分子化合構成的核體， 1323276 前述絕緣性微粒子的質量爲前述核體質量的 7/1000-86/1000° 3. —種電路連接材料，係供於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件' 和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件，以使前述第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電路連接材料，其特徵爲：含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，前述被覆粒子的比重爲前述導電粒子的比重的 97/100〜99/100 ° 4 ·如申請專利範圍第3項所記載的電路連接材料，其中：於前述被覆粒子，前述導電粒子的表面的5〜60%藉由前述絕緣性微粒子而被被覆。 5. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項所記載的電路連接材料，其中：前述絕緣性微粒子的平均粒徑爲前述導電粒子的平均粒徑的1/4 0〜1/1〇。 6. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項所記載的電路連接材料，其中：前述絕緣性微粒子係由自由基聚合性物質的聚合物構成。 7 ·如申請專利範圍第1項至第3項任一項所記載的電路連接材料，其中：前述黏著劑組成物係含有自由基聚合性物質、和由加熱而產生游離自由基的硬化劑。 -2- 1323276 8 ·如申請專利範圍第1項至第3項任一項所記載的電路連接材料，其中：更含有由苯氧基（phen〇xy)樹脂構成的薄膜形成材料。 9 _如申請專利範圍第8項所記載的電路連接材料，其中：前述苯氧基樹脂係含有起因於在分子內的多環芳香族化合物的分子構造。

1 0 .如申請專利範圍第9項所記載的電路連接材料，其中：前述多環芳香族化合物係爲芴（Fluorene)。 11. 一種薄膜狀電路連接材料，其特徵爲：將如申請專利範圍第1項至第1 〇項任一項所記載的電路連接材料形成至薄膜狀。 1 2 · —種電路構件的連接構造，係具備：於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件、設置於前述第一電路基板的前述主面與前述第二電路基板的前述主面之間，在使前述第一及第二電路電極相互相對的狀態，連接前述第一及第二電路構件相互間的電路連接構件的電路構件的連接構造，其特徵爲：前述電路連接構件係由如申請專利範圍第 1項至第10項任一項所記載的電路連接材料的硬化物構成前述第一電路電極與前述第二電路電極爲經由前述被覆粒子而被導電連接。 -3 - 1323276 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載的電路構件的連接構造’其中：在施加50V的直流電壓於相鄰的前述電路電極間的情況，相鄰的前述電路電極間的阻抗値爲1 0 9 Ω 以上。 14.如申請專利範圍第12項或第13項所記載的電路構件的連接構造，其中：前述第一及第二電路構件之中至少一方爲IC晶片（c h i p )。 1 5 ·如申請專利範圍第1 2項所記載的電路構件的連接構造，其中：前述第一電路電極與前述第二電路電極之間的連接阻抗爲1 Ω以下。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項所記載的電路構件的連接構造，其中：前述第一及第二電路電極之中至少一方，具有以從由金、銀、錫、鉛族的金屬及銦錫氧化物構成的群選擇至少一種而構成的電極表面層。 1 7.如申請專利範圍第1 2項所記載的電路構件的連接構造，其中：前述第一及第二電路構件之中至少—方，具有以從由氮化矽、矽化合物及聚亞醯胺樹脂構成的群選擇至少一種而構成的基板表面層。 18. —種電路構件的連接構造的製造方法，其特徵爲 :具備：於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二電路構件之間，在使前述第一電路電極與前述第二電路電極相對的狀態’使如申請專利範圍第1項至第10項任一項所記載的的電路連接材料存在的 -4- 1323276 製程、和藉由加熱及加壓前述電路連接材料而使其硬化的製程。

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