TW200525005A - Circuit connection material, film-shaped circuit connection material using the same, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof - Google Patents
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- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
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Description
•200525005 Λ (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電路連接材料、使用該材料的薄膜狀的 • 電路連接材料、電路構件之連接構造及其製造方法。 Μ 【先前技術】 於液晶顯示用玻璃面板，藉由COG(Chip-〇n-Glass •)構裝或C〇F ( Chip-On-Flex)構裝等而構裝液晶驅動用 IC。在C Ο G構裝，使用包含導電粒子的電路連接材料而 將液晶驅動用IC直接接合於玻璃面板上。在c Ο F構裝， 於具有金屬配線的可撓帶（F1 e X i b 1 e T a p e )接合液晶驅動 用I C，使用含有導電粒子的電路連接材料而將這些接合於 玻璃面板。 然而’伴隨近年的液晶顯示的高精細化，爲液晶驅動 用I C的電路電極的金凸塊（g 〇 1 d b u m p )係狹間距（p i t c h % )化、狹面積化’所以有像電路連接材料中的導電粒子爲 流出於相鄰的電路電極間，使短路產生的問題。另外，於 相鄰的電路電極間導電粒子流出，則有像已捕捉於金凸塊 與玻璃面板之間的電路連接材料中的導電粒子數減少，相 ^ 對的電路電極間的連接阻抗上昇而產生連接不良的問題。 於是，作爲解決這些問題的方法，開發：以於電路連 接材料的至少一面形成絕緣性的黏著層，防止於COG構 裝或COF構裝的接合品質下降的方法（例如：參照日本 專利文獻1 )、或將導電粒子的全表面以絕緣性的皮膜被 200525005 (2) 覆的方法（例如：參照日本專利文獻2)。 曰本專利文獻1 :日本特開平8-2793 7 1號公報 日本專利文獻2:日本特許第2794009號公報（第2 ^ 圖） 【發明內容】 〔發明欲解決的課題〕 • 然而’以於電路連接構件的一面形成絕緣性的黏著層 的方法，在凸塊面積爲未滿3 000 # m2，爲了得到安定的 連接阻抗而增加導電粒子數的情況，關於相鄰電路電極間 的絕緣性還有改良的餘地。另外，以將導電粒子的全表面 以絕緣性的皮膜被覆的方法，有相對的電路電極間的連接 阻抗上昇，不能得到安定的電氣阻抗的問題。 於是’本發明係’其目的爲提供：可充分的減低相對 的電路電極間的連接阻抗，而且，在相鄰的電路電極間可 • 充分的提局絕緣性的電路連接材料、使用這些的薄膜狀電 路連接材料、電路構件的連接構造及其製造方法。 〔爲了解決課題的手段〕 爲了解決上述的課題，本發明的電路連接材料係爲了 將於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第 一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二 電路電極的第一電路構件，以使第一及第二電路電極相對 的狀態而連接的電路連接材料，含有黏著劑組成物、及導 200525005 (3) 電粒子的表面之一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子 ，絕緣性微粒子的質量爲導電粒子的質量的 2/1000〜26/1000 ° • 使此電路連接材料，存在於第一及第二電路構件之間 ， ，經由第一及第二電路構件而加熱及加壓、硬化處理，得 到電路構件的連接構造、和於得到的電路構件的連接構造 ，相對的電路電極間的連接阻抗充分的被降低，一起充分 φ 的提高相鄰的電路電極間的絕緣性。 在此，若絕緣性微粒子的質量未滿導電粒子的質量的 2/1 000，則導電粒子變爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的 被被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路 基板的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微 粒子的質量超過導電粒子的質量的2 6/ 1 0 0 0，則絕緣性微 粒子變爲過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子爲即使連 接相對的電路電極相互間，亦增大於電路基板的厚度方向 φ 的連接阻抗。 另外，本發明的電路連接材料係爲了將於第一電路基 板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和 m 於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二 ~ 電路構件，以使第一及第二電路電極相對的狀態而連接的 電路連接材料，黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部 含有藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，導電粒子爲具 有由高分子化合構成的核體，絕緣性微粒子的質量爲核體 質量的 7/1000〜86/1000。 -200525005 (4) 使此電路連接材料，存在於第一及第二電路構件之間 ，經由第一及第二電路構件而加熱及加壓、硬化處理，得 到電路構件的連接構造、和於得到的電路構件的連接構造 〃 ，相對的電路電極間的連接阻抗充分的被降低一起，充分 . 的提高相鄰的電路電極間的絕緣性。 在此，若絕緣性微粒子的質量未滿核體的質量的 7 / 1 0 0 0，則導電粒子變爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的 φ 被被覆。因此’相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路 基板的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微 粒子的質量超過核體的質量的86/ 1 000，則絕緣性微粒子 變爲過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子爲即使連接相 對的電路電極相互間，亦增大於電路基板的厚度方向的連 接阻抗。 另外，本發明的電路連接材料係爲了將於第一電路基 板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、和 Φ 於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極的第二 電路構件，如相對第一及第二電路電極的連接的電路連接 材料，含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之一部藉由 ir 絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，被覆粒子的比重爲導電 粒子的比重的97/ 1 00〜99/ 1 00。 使此電路連接材料，存在於第一及第二電路構件之間 ’經由第一及第二電路構件而加熱及加壓、硬化處理，得 到電路構件的連接構造、和於得到的電路構件的連接構造 ’相對的電路電極間的連接阻抗充分的被降低一起，充分 -8 - •200525005 (5) 的提高相鄰的電路電極間的絕緣性。 在此，若被覆粒子的比重未滿導電粒子的比重的 9 7/ 1 00，則絕緣性微粒子變爲過剩的被覆導電粒子。因此 ^ ，導電粒子爲即使連接相對的電路電極相互間，亦增大於 . 電路基板的厚度方向的連接阻抗。一方面，若被覆粒子的 比重超過導電粒子的比重的99/ 1 00，則導電粒子變爲不能 藉由絕緣性微粒子而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電 φ 極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性變爲不 充分。 另外，於被覆粒子，若導電粒子的表面的5〜60%藉由 絕緣性微粒子而被被覆爲理想。 若被覆導電粒子的表面未滿5 %，則因爲導電粒子變 爲不能藉由絕緣性微粒子而充分的被被覆，比起在表面 5 %以上被被覆的情況，相鄰電路電極間的絕緣性，亦即於 電路基板的面方向的絕緣性變爲不充分。一方面，若導電 φ 粒子的表面超過60%而被被覆，則因爲絕緣性微粒子過剩 的被覆導電粒子，所以導電粒子即使連接相對的電路電極 間，比起在被覆表面6 0 %以下的情況，增大於電路基板的 厚度方向的連接阻抗。 ~ 另外，若絕緣性微粒子的平均粒徑爲導電粒子的平均 粒徑的1/40〜1/10爲理想。 如絕緣性微粒子的平均粒徑在上述範圍內，比起在平 均粒徑脫離了該範圍的情況，導電粒子的表面變爲容易藉 由多數的絕緣性微粒子而被覆，若使用如此的電路連接材 -9 - •200525005 (6) 料而製造電路構件的連接構造，則可更提高相鄰的電路電 極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性。 另外，絕緣性微粒子係由自由基聚合性物質的聚合物 ^ 構成爲理想。在此情況，因爲絕緣性微粒子變爲容易附著 ^ 於導電粒子的表面，所以若使用如此的電路連接材料而製 造電路構件的連接構造，則可更提高相鄰的電路電極間的 絕緣性，亦即於電路基板的面方向的絕緣性。 • 另外，黏著劑組成物係含有自由基聚合性物質、和由 加熱而產生遊離自由基的硬化劑爲理想。藉由包含如此的 黏著劑組成物的電路連接材料，第一及第二電路構件係於 加熱時容易被連接。 另外’上述電路連接材料係若更含有由苯氧基（ phenoxy )樹脂構成的薄膜形成材料爲理想。由此，爲可 能將電路連接材料加工至薄膜狀。另外，電路連接材料難 以產生破裂、破碎、或發黏等的問題，變爲容易操作電路 φ 連接材料。 另外’苯氧基樹脂係若含有起因於在分子內的多環芳 香族化合物的分子構造爲理想。由此，可得於黏著性、相 溶性、耐熱性、機械強度等優良的電路連接材料。 另外’多環芳香族化合物係若爲芴（Fluorene)爲理 想。 3外’本發明的薄膜狀電路連接材料係將本發明的電 路連接材料形成爲薄膜狀而成。由此，電路連接材料難以 產生破裂、破碎、或發黏等的問題，變爲容易操作電路連 -10- -200525005 (7) 接材料。 另外，本發明的電路構件的連接構造係具備：於第一 電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構 ^ 件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極 • 的第二電路構件、設置於第一電路基板的主面與第二電路 基板的主面之間，在使第一及第二電路電極相互相對的狀 態，連接第一及第二電路構件相互間的電路連接構件的電 φ 路構件的連接構造；電路連接構件係由本發明的電路連接 材料的硬化物構成，第一電路電極與第二電路電極爲經由 被覆粒子而被電氣的連接。 在如此的電路構件的連接構造，可充分降低相對的電 路電極間的連接阻抗，同時充分提高相鄰的電路電極間的 絕緣性。 另外，在施加5 0V的直流電壓於相鄰的電路電極間的 情況，若相鄰的電路電極間的阻抗値爲1 Ο9 Ω以上爲理想 •。 如藉由如此的電路構件的連接構造，因爲於其動作時 相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即於電路基板的面方向的 絕緣性爲非常高，所以變爲能充分防止相鄰的電路電極間 ^ 的短路。 另外，第一及第二電路構件之中至少一方爲1C晶片 (chip )爲理想。 另外，第一電路電極與第二電路電極之間的連接阻抗 爲1 Ω以下爲理想。以如此的電路構件的連接構造係可充 -11 - •200525005 (8) 分降低相對的電路電極間的連接阻抗，亦即電路基板的厚 度方向的連接阻抗。 另外，上述電路構件的連接構造係第一及第二電路電 ^ 極之中至少一方，若具有以從由金、銀、錫、鉑族的金屬 ^ 及銦錫氧化物構成的群選擇至少一種而構成的電極表面層 爲理想。 另外，上述電路構件的連接構造係第一及第二電路構 • 件之中至少一方，若具有以從由氮化砂、砂化合物及聚亞 醯胺樹脂構成的群選擇至少一種而構成的基板表面層爲理 想。由此，比起在基板表面層爲不以上述材料構成的情況 ，更提高電路構件與電路連接構件的黏著強度。 另外’本發明的電路構件的連接構造的製造方法係具 備：於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電極的 第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數的第 二電路電極的第二電路構件之間，在使第一電路電極與第 • 二電路電極相對的狀態，使本發明的電路連接材料存在的 製程、和藉由加熱及加壓電路連接材料而使其硬化的製程 〇 如使用此製造方法，可充分降低相對的電路電極間的 連接阻抗’而且，可得相鄰的電路電極間的絕緣性充分的 提高的電路構件的連接構造。 〔發明的效果〕 如藉由本發明，可提供：於COG構裝或COF構裝， -12- •200525005 (9) 在相對的電路電極間可得安定的低阻抗的電氣連接， ’在相鄰電路電極可抑制短路產生率的電路連接材料 用此的薄膜狀電路連接材料、電路構件的連接構造及 1 造方法。 “ 另外，如藉由本發明，可提供：相鄰的電路電極 亦即即使對凸塊間距離狹窄的驅動用I C，亦連接信賴 的電路連接材料、使用此的薄膜狀電路連接材料、電 # 件的連接構造及其製造方法。 【實施方式】 以下，說明關於本發明的電路連接材料、使用該 的薄膜狀的電路連接材料、電路構件之連接構造及其 方法的實施形態。而且，全圖面中，於同一要素使用 符號’省略重複的說明。 9 〔第1實施形態〕 (電路構件的連接構造） 第1圖爲表示本發明的電路構件的連接構造（以 稱爲「連接構造」）的第1實施形態的剖面圖。本實 態的連接構造1 0係具備：相互相對的電路構件20 ( 電路構件）和電路構件3 0 (第二電路構件），於電路 20與電路構件30之間，設置連接這些的電路連接構{_ 〇 電路構件2 0係具備：電路基板2 1 (第一電路基 而且 、使 其製 間， 性高 路構 材料 製造 同一 下， 施形 第一 構件 牛60 板） -13- 200525005 (10) 、和已形成於電路基板2 1的主面2 1 a上的複數的電路電 極22 (第一電路電極）。複數的電路電極22係例如配置 爲條紋狀。一方面，電路構件3 0係具備：電路基板3 1 ( 一 第二電路基板）、已形成於電路基板3 1的主面3 1 a上的 . 複數的電路電極3 2 (第二電路電極）。複數的電路電極 3 2亦例如：配置至條紋狀。 作爲電路構件2 0、3 0的具體例，可舉出：半導體晶 φ 片、阻抗體晶片或電容晶片等的晶片零件或印刷基板等的 基板。作爲連接構造1 0的連接形態，亦有：1C晶片與晶 片搭載基板的連接、電氣電路相互的連接、於COG構裝 或COF構裝的1C晶片與玻璃基板或與可撓帶（Flexible Tape )的連接等。 特別是，電路構件20、30之中至少一方若爲1C晶片 爲理想。 電路電極22係由形成於電路基板21的主面21a上 φ 的電極部23、和形成於電極部23上的電極表面層24構成 ;電路電極3 2，亦由形成於電路基板3 1的主面3 1 a上的 電極部3 3、和形成於電極部3 3上的電極表面層3 4構成。 ^ 在此，電極表面層24、34係若將以各個金、銀、錫、鉑 " 族的金屬或者銦錫氧化物（ITO )或這些二種以上的組合 構成爲理想。亦即，電路電極22、3 2係以各個具有金、 銀、錫、鉑族的金屬或者銦錫氧化物（IΤ Ο )或這些二種 以上的組合構成的電極表面層24、34於電極部23、33上 爲理想。 -14- 200525005 (11) 電路構件3 0係於電路基板3 1及電路電極3 2上具有 基板表面層3 5。在此，基板表面層3 5係若以氮化矽、矽 化合物或者聚亞醯胺樹脂或這些二種以上的組合而構成爲 ^ 理想。亦即’電路構件3 0係若具有以氮化矽、矽化合物 ^ 或者聚亞醯胺樹脂或這些二種以上的組合而構成的基板表 面層35爲理想。基板表面層35係鍍覆（coating )電路基 板3 1及電路電極3 2、或附著於電路基板3 1及電路電極 φ 3 2。由此基板表面層3 5，提高電路構件3 0與電路連接構 件60的黏著強度。 特別是，電路構件 3 0或電路基板3 1爲可撓帶（ Flexible Tape)的情況，基板表面層35若由聚亞醯胺樹 脂等的有機絕緣物質構成爲理想。另外，在電路基板3 1 爲玻璃基板的情況，基板表面層3 5係若以氮化矽、矽化 合物、聚亞醯胺樹脂或者矽樹脂或這些二種以上的組合而 構成爲理想。 φ 電路連接構件60，設置於電路基板2 1的主面2 1 a與 電路基板3 1的主面3 1 a之間，以使電路電極2 2、3 2相對 的狀態連接電路構件20、30相互間。另外’電路連接構 ^ 件6 0係具備絕緣構件4 0和被覆粒子5 0。被覆粒子5 0爲 • 爲了電氣的連接電路電極22和電路電極32之物’以導電 粒子5 1和被覆導電粒子5 1的表面5 1 a的一部分的絕緣性 微粒子52而構成。於本實施形態’絕緣性微粒子52的質 量爲導電粒子51的質量的2/1000〜26/1〇〇〇。 如藉由如此的連接構造1 0，相對的電路電極2 2、3 2 -15- • 200525005 (12) 間的連接阻抗充分的降低而且安定化，同時相鄰的電路電 極2 2、3 2間的絕緣性亦充分提局。 若絕緣性微粒子5 2的質量未滿導電粒子5 1的質量的 - 2/1 000，則導電粒子51變爲不能藉由絕緣性微粒子52而 - 充分被覆。因此，相鄰的電路電極22、3 2間的絕緣性， 亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性變爲不充分。 一方面，若絕緣性微粒子52的質量超過導電粒子5 1的質 φ 量的26/1 000，則絕緣性微粒子52變爲過剩的被覆導電粒 子5 1。因此，導電粒子5 1即使連接相對的電路電極22、 3 2相互間，亦增大於電路基板2 1、3 1的厚度方向的連接 阻抗。 若著眼於相鄰的電路電極22、3 2間的絕緣性，則於 連接構造1 0，在於相鄰的電路電極2 2、3 2間施加了 5 0 V 的直流電壓的情況，相鄰的電路電極22、3 2間的阻抗値 爲1 Ο9 Ω以上爲理想。在如此的連接構造1 〇，因爲於該動 φ 作時相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即於電路基 板2 1、3 1的面方向的絕緣性非常高，所以變爲能充分的 防止相鄰的電路電極2 2、3 2間的短路。 ^ 若著眼於相鄰的電路電極22、3 2間的連接阻抗，則 • 於連接構造1 0，電路電極22與電路電極32之間的連接阻 抗爲1 Ω以下爲理想。在如此的連接構造1 〇，可充分降低 相對的電路電極22、3 2間的連接阻抗，亦即於電路基板 2 1、3 1的厚度方向的連接阻抗。 另外，於被覆粒子5 0，絕緣性微粒子5 2的平均粒徑 -16- •200525005 (13) di若爲導電粒子51的平均粒徑de的1/40〜1/10爲理想。 平均粒徑1及de係以藉由各種顯微鏡而觀察的絕緣性微 粒子5 2及導電粒子51的長徑，作爲關於各粒子1 〇個以 * 上而各個測定而得的測定値之平均値。另外，作爲用於觀 . 察的顯微鏡，適於使用掃描型電子顯微鏡。 如絕緣性微粒子5 2的平均粒徑d i在上述範圍內，比 平均粒徑ch爲於該範圍外的情況，導電粒子5 1的表面 φ 5 1 a變爲容易藉由多數的絕緣性微粒子5 2而覆蓋，在如此 的連接構造1 〇，可更提高相鄰的電路電極22、3 2間的絕 緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性。 作爲導電粒子5 1，可舉出由 Au、Ag、Ni、Cu、鉛錫 合金等構成的金屬粒子或由碳等構成的粒子等。導電粒子 5 1若爲熱熔融金屬粒子爲理想。在此情況，因爲由連接電 路電極22、3 2相互間時的加熱及加壓而導電粒子5 1容易 變形，增加導電粒子5 1與電路電極22、3 2的接觸面積， * 提高連接信賴性。 絕緣性微粒子52若爲由自由基聚合性物質的聚合物 構成爲理想。在此情況，因爲絕緣性微粒子52變爲容易 附著於導電粒子5丨的表面5 1 a，在如此的連接構造1 〇， * 可更提高相鄰的電路電極2 2、3 2間的絕緣性，亦即於電 路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性。 自由基聚合性物質爲具有藉由自由基而聚合的官能基 的物質’作爲如此的自由基聚合性物質係可舉出：丙烯酸 (acrylate )(亦包含對應的丙烯酸甲酯（methacry late ) -17- 200525005 (14) ，以下相同）化合物，亞醯胺（Male imide )化合物等。 自由基聚合性物質爲以單體或寡聚物的狀態使用亦佳，另 外，爲亦能倂用單體和寡聚物。 Λ 作爲丙烯酸化合物的具體例，可舉出：丙烯酸甲酯、 - 丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、乙二醇二丙 烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (trimethylolpropane triacrylate)、四經甲基甲院四丙；(:希 _ 酸酯（tetramethylolmethane tetracrylate) 、2-羥基 1，3 -二 丙烯氧基丙烷、2,2_雙〔4-(丙烯氧基甲氧基）苯基〕丙 烷、2,2-雙〔4-(丙烯氧基聚乙氧基）苯基〕丙烷、二環 戊烯基丙烯酸酯、三環癸烷基丙烯酸酯、三（丙烯醯氧基 乙基）異氰酸酯（tris-(acryloyloxyethyl) isocyanuate、 丙烯酸胺基甲酸酯等，這些可單獨或混合2種以上而使用 。另外，依必要而使用對苯二酉分（hydroquinone)、甲基 酉迷對苯二酣（methyl ether hydroquin one)等聚合禁止劑 # 的亦佳，另外，由使耐熱性提高之點，丙烯酸酯化合物爲 具有由二環戊嫌基、三環癸院基（tricyclo decanyl)、及 三氮（triazine)環構成的群中選擇至少1個取代基爲理 想。 ^ 亞醯胺化合物爲於分子中至少含有2個以上亞醯胺基 ，作爲如此的亞醯胺化合物，可舉出例如：1-甲基-2，4-雙 亞醯胺苯、N，N’-m-次苯基雙亞醯胺 （phenylene bismale imide ) 、N , N ’ - p -次苯基雙亞 |f 胺（p h e n y 1 e n e bismaleimide ) 、N，N ’ - m - 1，2 -二苯乙烯雙亞醯胺、N , N ’- -18- • 200525005 (15) 4.4- 二次苯基雙亞醯胺（1^卩116 1：^16 116 13丨5111&16丨1"11丨(16)、 1?^，-4,4-(3,3’-二甲基二次苯基）雙亞醯胺、>^’-4,4- (3,3，-二甲基二苯基甲烷）雙亞醯胺、N，N’-4,4-(3,3，-， 二乙基二苯基甲烷）雙亞醯胺、N，N’-4,4-二苯基甲烷雙亞 • 醯胺、N，N’-4,4-二苯基丙烷雙亞醯胺、N，N’-3,3’-二苯基 磺基雙亞醯胺（diphenyl sulfon bismaleimide) 、N，N、 4.4- 二苯醚雙亞醯胺、2,2-雙（4- (4-亞醯胺苯氧基）苯基 • )丙烷、2,2-雙（3-^丁基-4,8-(4-亞醯胺苯氧基）苯基 )丙烷、1，卜雙（4-(4-亞醯胺苯氧基）苯基）癸烷、 4,4’-環亞己基（cyclohexylidene)-雙（1- ( 4-亞醯胺苯氧 基）-2-環己基苯、2,2-雙（4-(4-亞醯胺苯氧基）苯基） 六氟丙烷等。這些可單獨或混合2種以上而使用。 另外，如第2圖所示地，導電粒子5 1爲具備：核體 5 1 X、和如被覆核體5 1 X的表面地形成的外層5 1 y亦佳。 而且，第2圖爲表示被覆粒子的一例的剖面圖。置換第1 • 圖的導電粒子51至第2圖的導電粒子51亦佳。 核體5 1 X由高分子化合物構成，作爲該高分子化合物 ，適於使用：聚苯乙烯、聚二乙烯苯（Polydivinyl benzene )、聚丙烯酸酯、環氧樹脂、酚樹脂、苯代三聚 ’ 氰胺（benzogiianamine )樹脂等的各種塑膠類、苯乙烯丁 二烯橡膠或矽橡膠等的各種橡膠類等。另外’將這些作爲 主成分，亦可使用架橋劑、硬化劑、老化防止劑等的各種 添加劑。在此情況，因爲由連接電路電極2 2、3 2相互間 時的加熱及加壓而導電粒子5 1容易變形’增加導電粒子 -19- •200525005 (16) 5 1與電路電極22 ' 3 2的接觸面積，提高連接信賴性。 於本實施形態，絕緣性微粒子5 2的質量爲核體5 1 X 的質量的7/1 000〜8 6/ 1 000。若絕緣性微粒子52的質量未 • 滿核體51x的質量的7/ 1 000，則導電粒子51變爲不能藉 • 由絕緣性微粒子5 2而充分的被被覆。因此，相鄰的電路 電極22、3 2間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方 向的絕緣性變爲不充分。一方面，若絕緣性微粒子5 2的 φ 質量超過核體51x的質量的86/1 000，則絕緣性微粒子52 變爲過剩的被覆導電粒子5 1。因此，導電粒子5 1即使連 接相對的電路電極22、32相互間，亦增大於電路基板2 1 、3 1的厚度方向的連接阻抗。 另外，核體5 1 X即使由非導電性的玻璃、陶瓷、塑膠 等構成亦佳。即使爲此情況，因爲由連接電路電極22、32 相互間時的加熱及加壓而導電粒子5 1容易變形，增加導 電粒子51與電路電極22、32的接觸面積，提高連接信賴 • 性。另外，導電粒子5 1若爲於非導電性的玻璃、陶瓷、 塑膠等構成的核體5 1 X表面上形成由貴金屬類構成的外層 5 1 y爲理想。 外層5 ly係爲了得到充分的可使用時間（pot life )， • 不使用Ni、Cu等的過渡金屬類構成者，若由Au、Ag、鈾 族等的貴金屬類構成爲理想，由Au構成爲更理想。另外 ，導電粒子5 1係將由Ni等的過渡金屬類構成的核體5 1 X 以由Au等的貴金屬類構成的外層5 1 y被覆亦佳。 貴金屬類的外層5 1 y的厚度若爲1 0 0埃（a n g s 11· 〇 m ) -20- •200525005 (17) 以上爲理想。在此情況，在電路電極2 2、3 2間可得良好 的連接阻抗。另外，於由Ni等的過渡金屬構成的核體5 1 X 的表面形成貴金屬類的外層5 1 y的情況，貴金屬類的外層 ’ 5 1 y的厚度若爲3 0 0埃以上爲理想。若貴金屬類的外層 • 5 1 y的厚度未滿3 0 0埃，則例如：於混合分散導電粒子5 1 時，於外層5 1 y產生缺損等。於產生此缺點等的情況，產 生由氧化還原作用的遊離自由基，有使電路連接材料的保 φ 存性下降的疑慮。然後，因爲對外層5 1 y的厚度變厚而外 層5 1 y的效果逐漸飽和，所以外層5 1 y的厚度若爲1微米 (micrometer)以下爲理想。 而且，對於在本發明的導電粒子5 1的質量的絕緣性 微粒子5 2的質量之比（質量比A )的値，及對核體5 1X 的質量的絕緣性微粒子5 2的質量之比（質量比B )的値 ，使用藉由熱分解氣相層析法而測定的値。熱分解氣相層 析法，已知可使用於各種塑膠或橡膠材料的定性分析及那 # 些共聚物或混合（blend )物的組成定量等（參照，寒川 喜三郎、大栗直毅編著、「熱分解氣相層析法入門」、 P12 1〜P176、技報堂出版公司）。 本發明者群發現，作爲測定質量比A及質量比B的値 " 的方法，使用了熱分解氣相層析法的結果，可得良好的定 量性。因此，在本發明，質量比A及質量比B的値，以使 用藉由熱分解氣相層析法的檢量線而求出的値。該時，被 使用的檢量線，非限定於與導電粒子5 1同一的材料、與 核體5 1 X同一的材料、或與絕緣性微粒子5 2同一的材料 -21 - • 200525005 (18) 而作成的檢量線，爲代用同樣的種類的塑膠類、橡膠類、 自由基聚合系物質的聚合物而作成的檢量線亦佳。 在質量比A及質量比B的値的測定而使用的熱分解氣 ’ 相層析法的最大値（peak )，特別不被限定，可使用來自 • 導電粒子5 1、核體5 1 X及絕緣性微粒子5 2的熱分解成分 的最大値。在那些熱分解成分之中，若使用構成塑膠類、 橡膠類、自由基聚合性物質的主單體的熱分解成分的最大 • 値’則因質量比A及質量比B的値的定量性提高而爲理想 (電路連接材料） 上述電路連接構件6 0，由電路連接材料的硬化物構成 。在此，說明關於電路連接材料。此電路連接材料，含有 被覆粒子及黏著劑組成物。另外，如後述地，電路連接材 料更含有薄膜形成材料、其他含有成分等亦佳。 <被覆粒子> 被含有於電路連接材料的被覆粒子爲與上述被覆粒子 50相同的構成。構成被覆粒子5〇的導電粒子5 1，對於黏 者劑組成物1 〇 〇體積份而添加〇. 1〜3 0體積份爲理想，宜 添加量係依用途而運用。而且，爲了防止由過剩的導電粒 子5 1的相鄰電路電極的短路等，將導電粒子5 1添加 〇 · 1〜1 〇體積份爲較理想。 -22- • 200525005 (19) <黏著劑組成物> 黏著劑組成物係若含有自由基聚合性物質、和藉由加 熱而產生遊離自由基的硬化劑爲理想。藉由含有如此的黏 • 著劑組成物的電路連接材料，電路構件2 0、3 0於加熱時 . 容易被連接。 作爲自由基聚合性物質，可例示與被使用於絕緣性微 粒子52的自由基聚合性物質相同之物。自由基聚合性物 φ 質係在單體或寡聚物的狀態而使用亦佳，另外，亦能倂用 單體或寡聚物。 藉由加熱而產生遊離自由基的硬化劑，爲藉由加熱而 分解而產生遊離自由基的硬化劑，作爲如此的硬化劑，可 舉出：過氧化化合物、偶氮系化合物等。如此的硬化劑， 藉由作爲目的的連接溫度、連接時間、可使用時間（pot life )等而適宜選定。這些尤其因爲能提高反應性、使可 使用時間提高，在半衰期1 0小時的溫度在4 0 °C以上，而 φ 且，半衰期1分鐘的溫度爲1 80°c以下的有機過氧化物爲 理想、在半衰期10小時的溫度在60 °C以上，而且，半衰 期1分鐘的溫度爲1 70 °C以下的有機過氧化物爲理想 硬化劑的配合量，以連接時間爲1 0秒以下的情況， ' 爲了得到充分的反應率，對於自由基聚合性物質和由必要 而配合的薄膜形成材料的和1 0 0重量份，爲0 .1〜3 〇重量 份爲理想、爲1〜20重量份爲較理想。 硬化劑的配合量在未滿〇. 1重量份，不能得到充分的 反應率，有在變爲難以得到良好的黏著強度或小的連接阻 -23- * 200525005 (20) 抗的傾向。若硬化劑的配合量超過3 0重量份，則黏著劑 組成物的流動性下降、同時連接阻抗上昇、有在黏著劑組 成物的可使用時間（ρ 〇 t 1 i f e )變短的傾向。 ， 更具體的係，作爲藉由加熱而產生遊離自由基的硬化 . 劑，可舉出：二過氧化醯、過氧化二碳酸鹽、過氧化酯、 過氧化縮酮、二烷基過氧化物、過氧化氫、矽基過氧化物 等。另外，由抑制電路電極22、3 2的觀點，硬化劑爲於 φ 硬化劑中含有的氯離子或有機酸的濃度爲5 000ppm以下爲 理想，而且於加熱分解後產生的有機酸少者爲理想。如此 的硬化劑，具體的係由過氧化酯、二烷基過氧化物、過氧 化氫、矽基過氧化物選定，由可得高反應性的過氧化酯選 定爲較理想。上述硬化劑可適宜混合而使用。 作爲二過氧化醯，可舉出··異丁基過氧化物、2,4_過 氧化二氯苯釀、3，5,5 -二甲基己釀過氧化物、過與化辛釀 、過氧化月桂醯、過氧化硬脂醯、過氧化琥珀醯（ 泰 succinic peroxide)、苯釀基過氧基甲本、過氧化本甲釀 〇 作爲過氧化二碳酸鹽，可舉出：二—η —丙基過氧基二碳 ’ 酸鹽、二異丙基過氧基二碳酸鹽、雙（4-t-丁基環己基） ' 過氧基二碳酸鹽、二-2-乙氧基甲氧基過氧基二碳酸鹽、二 (2 -乙基己基過氧基）二碳酸鹽、二甲氧基丁基過氧基二 碳酸鹽、二（3 -甲基-3甲氧基丁基過氧基）二碳酸鹽等。 作爲過氧化酯，可舉出：異丙苯基過氧基新癸酸酯、 1，1，3,3 -四甲基丁基過氧基新癸酸酯、1-環己基-卜甲基乙 -24- • 200525005 (21) 基過氧基新癸酸酯、t-己基過氧基新癸酸酯、t-丁基過氧 基丙酸酯、1，1，3,3·四甲基丁基過氧基-乙基己酮酯、 2,5 -二甲基-2,5 -二（2 -乙基己醯過氧基）己烷、卜環己基-. 1_甲基乙基過氧基-2-乙基己酮酯、己基過氧基乙基己 • 酮酯、t -丁基過氧基-2-乙基己酮酯、卜丁基過氧基異丁酸 酯、1，1-雙（t_ 丁基過氧基）環己烷、t·己基過氧基異丙基 單碳酸鹽、t_ 丁基過氧基- 3,5,5-三甲基己酮酯、t-丁基過 φ 氧基月桂酸酯、2,5-二甲基-2，5_二（ηι-甲基苯甲醯過氧基 )己烷、t_ 丁基過氧基異丙基單碳酸鹽、t-丁基過氧基-2-乙基己基單碳酸鹽、t-己基過氧基苯甲酸酯、1-丁基過氧 基乙酸酯等。 作爲過氧化縮酮，可舉出：〗，卜雙（卜己基過氧基）-3,3,5-三甲基環己烷、υ-雙（t-己基過氧基）環己烷、 1，1-雙（1-丁基過氧基）-3,3,5-三甲基環己烷、1，1_(^丁 基過氧基）環十二院、2,2 -雙（t -丁基過氧基）癸院等。 • 作爲二院基過氧化物，可舉出：α，α’-雙（t -丁基過 氧基）二異丁基苯、二異丙苯基過氧化物、2,5-二甲基- 2, ％ —（卜丁基過氧基）己院、卜丁基異丙苯基過氧化物等 〇 作爲過氧化氫，可舉出：二異丙基苯氫過氧化物、異 丙苯氫過氧化物。 作爲矽基過氧化物，可舉出：t -丁基三甲基矽基過氧 化物、雙（t - 丁基）二甲基矽基過氧化物、t _ 丁基三乙烯 基砂基過氧化物、雙（t - 丁基）二乙烯基矽基過氧化物、 -25- 200525005 (22) 叁（t - 丁基）乙烯基5夕基過氧化物、t - 丁基三烯丙基矽基 過氧化物、雙（t -丁基）二烯丙基矽基過氧化物、叁（t_ 丁基）烯丙基矽基過氧化物。 * 這些硬化劑’可以單獨或混合2種以上而使用，混合 • 分解促進劑、抑制劑等而使用亦佳。另外，將此硬化劑以 聚胺基甲酸酯系、聚酯系的高分子物質等被覆而微膠囊化 ，因爲延長可使用時間而爲理想。 # 另外，上述的電路連接材料係若更含有由苯氧基樹脂 構成的薄膜形成材料爲理想。由此，變爲能加工電路連接 材料爲薄膜狀，可得薄膜狀電路連接材料。 第3圖爲表示本發明的薄膜狀電路連接材料的第1實 施形態的剖面圖。本實施形態的薄膜狀電路連接材料6 1， 具備：由上述黏著劑組成物構成的薄膜狀絕緣構件4丨、和 被覆粒子5 0。此薄膜狀電路連接材料6 1係以上述電路連 接材料形成至薄膜狀而成。 • 右電路連接材料含有薄膜形成材料，電路連接材料難 以產生破裂、破碎、或發黏等的問題，在通常的狀態（常 ,“吊壓）長爲谷易操作電路連接材料。再加上，薄膜狀電 ^路連接材料6 1，若被分割至含有藉由加熱而產生遊離自由 基的硬化劑的層和含有被覆粒子50的層的2層以上，則 可使用時間提高。 <薄膜形成材料> 所相凑fl吴形成材料，爲在固形化液狀物而將構成組成 -26- .200525005 (23) 物作爲薄膜形狀的情況，將此薄膜的操作變爲容易，施加 不容易破裂、破碎、發黏的機械特性等，爲在通常的狀態 (常溫常壓）可爲薄膜的操作。作爲薄膜形成材料，可舉 • 出··苯氧基樹脂、聚乙儲醇縮甲醛（polyvinyl formal ) . 樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯縮丁醛、聚酯樹脂、聚酶胺 (Polyamide)樹脂、二甲苯（xylene)樹脂、聚胺基甲酸 酯樹脂等。這些特別從於黏著性、相溶性、耐熱性、機械 φ 強度優良而言，苯氧基樹脂爲理想。 苯氧基樹脂係使二官能基酚類和表鹵代醇（ epihalohydrin)反應至高分子量，或使2官能環氧樹脂和 2官能酚類聚合加成（polyaddition )而得到的樹脂。苯氧 基樹脂係可藉由例如：將 2官能酣類 1莫耳和 epihalohydrinO.98 5〜1.015莫耳，於鹼金屬氫氧化物等的 觸媒的存在下，在非反應性溶劑中、40〜120 °C的溫度使其 反應而得。另外，作爲苯氧基樹脂，由樹脂的機械的特性 φ 或熱的特性之點，特別是將2官能性環氧樹脂與2官能性 酌類的配合當量比作爲環氧基/酌氫氧基=1/0.9〜1/1.1，在 鹼金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等的觸 媒存在下、在沸點爲1 20 °c以上的胺系、醚系、酮系、內 ' 酯系、醇系等的有機溶劑中，以反應固形分爲5 0重量份 以下的條件加熱至50〜200 °C而使其爲聚合加成反應而得者 爲理想。 作爲2官能環氧樹脂，可舉出：雙酚A型環氧樹脂、 雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型環氧 -27- •200525005 (24) 樹脂等。2官能酚類爲具有2個酚性氫氧基者，作爲如此 的2官能酚類，可舉出例如：雙酚A、雙酚F、雙酚AD、 雙酚S等的雙酚類等。 另外，苯氧基樹脂係若於其分子內含有起因於多環芳 香族化合物的分子構造爲理想。由此，可得於黏著性、相 溶性、耐熱性、機械強度等優良的電路連接材料。 作爲多環芳香族化合物，可舉出例如：萘（ Naphthalene)、聯苯、危（Acenaphthene)、荀、二苯駢 呋喃、蒽、菲等的二烴基化合物等。在此，多環芳香族化 合物若爲芴爲理想。而且，多環芳香族化合物若爲9，9 ’ -雙（4-羥苯基）芴爲特別理想。 而且，苯氧基樹脂係藉由自由基聚合性的官能基而變 性亦佳。另外，苯氧基樹脂即使單獨使用、混合2種以上 而使用亦佳。 φ <其他的含有成分> 本實施形態的電路連接材料爲，再加上包含將由丙烯 酸、丙烯酸酯、丙烯酸甲酯及丙烯腈構成的群選擇至少一 種作爲單體成分的聚合物或共聚物亦佳。在此由在應力緩 ^ 和優良’倂用包含含有環氧醚基的縮水甘油丙烯酸醋、或 縮水甘油丙烯酸甲酯的共聚物系丙烯橡膠爲理想。這些丙 Μ橡膠的分子量（重量平均分子量）爲由提高黏著劑的凝 集力之點上’爲20萬以上爲理想。 另外’於本實施形態的電路連接材料，亦可更含有塡 -28- 200525005 (25) 充劑、軟化劑、促進劑、老化防止劑、難燃化劑、色素、 溶搖（thixotropic )劑、偶合劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂 、異氰酸酯類等。 ’ 在於電路連接材料含有塡充劑的情況，以提高連接信 ， 賴性等爲理想。塡充劑如係其最大徑未滿導電粒子5 1的 平均粒徑則可使用。塡充劑的配合量爲對黏著劑組成物 1〇〇體積份而爲5〜60體積份爲理想。若配合量超過60體 # 積份，則有連接信賴性提高效果飽和的傾向，另一方面， 在未滿5體積份有塡充劑添加的效果變爲不充分的傾向。 作爲偶合劑，含有酮亞胺（ketimine )、乙烯基、丙 烯基、胺基、環氧基或異氰酸酯基的化合物，因爲提高黏 著性而爲理想。 具體的係作爲有胺基的矽烷偶合劑，可舉出：N- $ ( 胺乙基）r -胺丙基三甲氧基矽烷、N- /3 (胺乙基）r -胺 丙基甲基二甲氧基矽烷、r -胺丙基三乙氧基矽烷、N —苯 • 基-r -胺丙基三甲氧基矽烷等。作爲具有酮亞胺的矽烷偶 合劑’可舉出：於具有上述的胺基的砂院偶合劑，使丙醒| 、丁酮、甲基異丁基酮等的酮化合物反應而得之物。 接者’關於上述連接構造1 0的製造方法，使用第1 圖、第3圖及第4圖而說明。第3圖表示使用至連接構造 1 0的製造的薄膜狀的電路連接材料的剖面圖、第4圖爲表 示連接構造1 〇的製造方法的一製程的剖面圖。 (電路構件的連接構造的製造方法） -29- • 200525005 (26) 首先’準備電路構件20、30。一方面，準備 膜而成的薄膜狀電路連接材料6 1 (參照第3圖） 在電路構件2 0與電路構件3 0之間，使將上述白々 〜 材料成形至薄膜狀而成的薄膜狀電路連接材料< ， 亦即，在電路構件2 0與電路構件3 〇之間，，在 22與電路電極32爲相對的狀態，使薄膜狀電路 6 1存在。具體而言’例如：於電路構件3 〇上放 φ 電路連接材料6 1，接著於薄膜狀電路連接材料 電路構件2 0。此時，電路電極2 2與電路電極3 2 對地’配置電路構件20及電路構件3 〇。在此， 狀電路連接材料6 1爲薄膜而爲容易操作。因此 使薄膜狀電路連接材料61存在於電路構件2 0、 將電路構件20、30的連接作業變爲容易。 接著’經由電路構件2 0、3 0而加熱薄膜狀 材料6 1、同時加熱及加壓於第4圖的箭頭A及 # 施行硬化處理（參照第4圖），於電路構件20 成電路連接構件60 (參照第1圖）。硬化處理爲 般的方法進行，其方法係由黏著劑組成物而適宜 而且，在加熱及加壓時，由電路構件2 0、3 0的 ' 側，照射光而進行對準電路電極22、32的位置^ 若如此作用而製造連接構造1 〇，則可得充分 安定化相對的電路電極22、32間的連接阻抗、 提高相鄰電路電極22、3 2間的絕緣性的連接構矣 成形至薄 。接著， 電路連接 1存在。 電路電極 連接材料 上薄膜狀 6 1上放上 如相互相 因爲薄月吴 ，可容易 30間，可 電路連接 B方向而 、3 0間形 能藉由一 的選擇。 哪一方之 ;佳。 降低而且 同時充分 ί 1 0 〇 -30- • 200525005 (27) 〔第2實施形態〕 (電路構件的連接構造） 本實施形態的連接構造1 〇係具備：相互相對的電 • 構件20 (第一電路構件）和電路構件3 0 (第二電路構 • )，於電路構件20與電路構件3 0之間，設置連接這些 電路連接構件60。 電路構件20、30具有與第1實施形態相同的構造 φ 而且由相同的材料構成爲理想。 電路連接構件60係設置於電路基板2 1的主面2 1 a 電路基板3 1的主面3 1 a之間，如電路電極2 2、3 2相對 連接電路構件2 0、3 0相互間。另外，電路連接構件6 0 具備：絕緣構件40、 導電粒子5 1的表面5 1 a的一部 藉由絕緣性微粒子5 2被覆的被覆粒子5 0。於本實施形 ，被覆粒子 50的比重爲，導電粒子 51的比重 9 7/1 00〜99/1 00。經由此被覆粒子 50，電氣的連接電路 • 極22與電路電極32。 在此，電路連接構件6 0，因爲由後述的電路連接材 的硬化物構成，所以在連接構造1 0，可充分的降低相對 電路電極22、32間的連接阻抗、同時亦充分提高相鄰 路電極2 2、3 2間的絕緣性。 (電路連接材料） 關於本實施形態的電路連接材料，含有黏著劑組成 及被覆粒t 5 0。若使此電路連接材料存在於電路構件 路 件 的 與 地 係 分 態 的 電 料 的 電 物 -31 - 20 • 200525005 (28) 、3 0之間，經由電路構件2 0、3 0而加熱及加壓、硬化處 理，而得到連接構造1 0，則於得到的連接構造1 0，充分 的降低相對的電路電極2 2、3 2間的連接阻抗、同時充分 • 提高相鄰電路電極2 2、3 2間的絕緣性。 <黏著劑組成物> 作爲黏著劑組成物，可例示與在第1實施形態的黏著 φ 劑組成物相同之物。 <被覆粒子> 被覆粒子5 0爲導電粒子5 1的表面5 1 a的一部分藉由 絕緣性微粒子5 2而被被覆。於本實施形態的被覆粒子5 0 的比重爲導電粒子51的比重的97/1 00〜99/ 1 00。 若被覆粒子5 0的比重未滿導電粒子5 1的比重的 9 7/ 1 00，則絕緣性微粒子52變爲過剩的被覆導電粒子5 1 # 。因此，導電粒子5 1爲即使連接相對的電路電極2 2、3 2 相互間，亦增大於電路基板2 1、3 1的厚度方向的連接阻 抗。一方面，若被覆粒子5 0的比重超過導電粒子5 1的比 重的99/ 1 00，則導電粒子5 1變爲不能藉由絕緣性微粒子 5 2而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極2 2、3 2間的 絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕緣性變爲 不充分。 另外，於被覆粒子5 0，若導電粒子5 1的表面5 1 a的 5〜6 0%藉由絕緣性微粒子52而被被覆爲理想。 -32- • 200525005 (29) 若被覆導電粒子的表面5 1 a未滿5 %，則因爲導電粒 子5 1變爲不能藉由絕緣性微粒子5 2而充分的被被覆，比 起在表面51a爲5%以上被被覆的情況，相鄰電路電極22 • 、3 2間的絕緣性，亦即於電路基板2 1、3 1的面方向的絕 • 緣性變爲不充分。一方面，若導電粒子5 1的表面5 1 a超 過6 0%而被被覆，則因爲絕緣性微粒子52過剩的被覆導 電粒子5 1，所以導電粒子5 1即使連接相對的電路電極2 2 φ 、3 2間，比起在被覆表面5 1 a爲6 0 %以下的情況，增大於 電路基板2 1、3 1的厚度方向的連接阻抗。 導電粒子5 1及絕緣性微粒子5 2係具有與第1實施形 態相同的構造’而且由相同的材料構成爲理想。 <薄膜形成材料> 本貫施形態的電路連接材料，再加上含有與在第丨實 施形態的薄膜形成材料相同的者爲理想。由此，變爲能加 ® 工電路連接材料至薄膜狀，可得薄膜狀電路連接材料。 <其他的含有成分> 本實施形態的電路連接材料，再加上含有與在第丨實 施形態的其他的含有成分相同者爲理想。 (電路構件的連接構造的製造方法） 作爲本實施形態的電路構件的連接構造的製造方法係 與在第1實施形態的的電路構件的連接構造的製造方法相 -33- * 200525005 (30) 同的方法爲理想。 以上，詳細的說明關於本發明的合適的實施形態，而 本發明不被限定於上述各實施形態。 • 例如：在上述第1及第2實施形態，若於連接構造i 〇 • 電路電極22、32都有電極表面層24、34，而電路電極22 、3 2的任一方若有電極表面層亦佳。另外，電路電極 2 2 、32都沒有電極表面層亦佳。亦即，在上述第1及第2實 鲁 施形態，電路電極22、32都具有電極表面層24、34，而 電路電極22、32之中至少一方若有電極表面層亦佳。 另外’在上述第1及第2實施形態，若於連接構造！ 〇 電路構件3 0具有基板表面層3 5，而若僅電路構件2 0具有 基板表面層亦佳。另外，電路構件2 0、3 0若都具有基板 表面層亦佳。而且，電路構件20、30若都不具有基板表 面層亦佳。亦即，在上述第1及第2實施形態，若電路構 件30具有基板表面層35，而若電路構件20、30之中至少 鲁一方具有基板表面層亦佳。 另外’在上述第1及第2實施形態，使用薄膜狀電路 連接材料6 1而製造連接構造1 〇，而不限於薄膜狀電路連 接材料6 1，使用不包含其的薄膜形成材料的電路連接材料 亦佳。即使在此情況，使電路連接材料溶解於溶劑，如將 其溶液塗佈於電路構件20、30任一而使其乾燥，可於電 路構件20、30間使電路連接材料存在。 另外，在上述第1及第2實施形態，不管電路連接材 料含有導電粒子5 1、不含有導電粒子5 1亦佳。爲此情況 -34- •200525005 (31) 亦藉由相對的電路電極22、3 2各個直接接觸而得到電氣 的連接。而且，於含有導電粒子5 1的情況，比起於不含 有導電粒子5 1的情況，可得較安定電氣的連接。 . 實施例 以下，將本發明的內容，使用實施例而更具體的說明 ，而本發明不被限定於這些實施例。 φ (實施例1 ) (1 )被覆粒子的製作 首先，於平均粒徑5 // m的架橋聚苯乙烯粒子（PSt ) 的表面，以無電解電鍍設置厚度〇.2//m的鎳層，而且藉 由於該鎳層的外側設置厚度〇. 04 // m的金層，得到相當於 導電粒子51的電鍍塑膠粒子（PSt-M)。將此電鍍塑膠粒 子的表面的一部，藉由相當於絕緣性微粒子52的甲基丙 烯酸甲酯的聚合物，亦即藉由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA φ )而被覆，得到以平均粒徑0.2 // m的絕緣性微粒子被覆 的平均粒徑5.2 // m的被覆粒子A。被覆粒子A係導電粒 子的表面的2 0 %被被覆，被覆後的比重爲對被覆前的比重 成爲如98/ 1 00地被覆。而且，平均粒徑爲從以藉由描掃 * 型電子顯微鏡的觀察而得到的測定値而被算出者。 (2 )熱分解氣相層析法測定 首先，爲了作成關於質量比A (對導電粒子的質量的 絕緣性微粒子的質量之比）的檢量線而進行熱分解氣相層 析法測定。於測定結果，作爲電鍍塑膠粒子（PSt_M )的 -35- 200525005 (32) 熱分解成分的最大値（ΜΑ ) ’使用了苯乙烯的最大値（ peak)面積1st。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMM A ) 的熱分解成分的最大値（peak ) ’使用了甲基丙Μ酸甲酯 • ( ΜΜΑ )的最大値面積Imma。由這些算出了最大値面積 . 比（IMMA/Ist)。 另外，電鍍塑膠粒子（PSt-M )的質量WPST-M係相當 於導電粒子51的質量’聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)的質 φ 量WPMMA係相當於絕緣性微粒子52的質量。由此算出了 質量比 A(Wpmma/WPst-m)。然後’關於最大値面積比（ )與質量比 A ( WPMMA/WPST_M )的關係’作成了 表示於第5圖的檢量線。第5圖的檢量線係具有著良好的 直線性。 接著，爲了作成關於質量比B (對核體的質量的絕緣 性微粒子的質量之比）的檢量線而進行熱分解氣相層析法 測定。於測定結果，作爲架橋聚苯乙烯粒子（PSt )的熱 # 分解成分的最大値（peak )，使用了苯乙烯的最大値（ peak)面積1st。另外，作爲聚甲基丙燒酸甲酯（PMMA) 的熱分解成分的最大値（peak )，使用了甲基丙烯酸甲酯 (MMA )的最大値面積IMMA。由這些算出了最大値面積 比（Imma/Isi)。 另外，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )的質量WpMMA係 相當於絕緣性微粒子52 ·的質量，架橋聚苯乙烯粒子（PSt )的質量WPSt係相當於核體5 lx的質量。由這些算出了 質量比B(WPMMA/WpSt)。然後’關於最大値面積比（ -36- *200525005 (33) IMMA/Ist )與質量比質量比B ( WPMMA/WPSt )的關係，作 成了表不於第6圖的檢量線。％ 6圖的檢量線係具有者良 好的直線性。 • 然後，關於被覆粒子A，以表示於表1的測定條件而 • 進行熱分解氣相層析法測定，算出了最大値面積比（ IMMA/Ist )。然後，根據此最大値面積比，將質量比A由 第5圖的檢量線算出的結果，質量比A爲9/1 000、將質量 φ 比B由第6圖的檢量線算出的結果，質量比B爲29/ 1 000 (參照表2 )。 〔表1〕 型式或測定條件 熱分解裝置 曰本分析工業公司製居里點熱裂解儀- JHP-5 型 氣相層析儀 Agilent公司製6890N型 偵測器 火焰離子化偵測器 管柱 Agilent公司製毛細層析管HP_5 MS (內徑 〇.25mm、長 30ηι) 管柱昇溫條件 由50°C至3 00 °C，以每分鐘lOt：昇溫後， 保持1 0分鐘 載子氣體 氨（管柱內流量1ml/分） 注入法 分流注入法（分流比5 0 : 1 ) -37- 200525005 (34) 〔表2〕 實施例1 (被覆粒子A) 實施例2 (被覆粒子B) 實施例3 (被覆粒子C) 比較例1 (導電粒子） 比較例2 (被覆粒子E) 質量比A 9/1000 18/1000 11/1000 0/1000 30/1000 質量比B 29/1000 58/1000 34/1000 0/1000 101/1000 (3 )電路連接材料的製作 • 首先，由雙酚A型環氧樹脂和雙酚A ( bisphenol A) 合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲 80°C的苯氧基樹 月旨。將此苯氧基樹脂5 0g，溶解於在重量比爲甲苯（沸點 110.6°C、SP 値 8.90) / 乙酸丁酯（沸點 77.1°C、SP 値 9.1 0 ) =5 0/5 0的混合溶劑，作爲固形分40重量％的溶液。 然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊 條基二醇二丙嫌酸酯（dicyclopentenyldialcoholdiacrylate )3 9g、磷酸酯（phosphate )型丙烯酸酯 lg、第三己基過 氧基-2-乙基己嗣醋（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate )5 g的溶液。 接著，使被覆粒子A配合分散5體積％於上述溶液而 調整溶液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表 面處理一面的厚度80//m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯） 薄膜，由在70 °C 10分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚 度1 0 // m的第1薄膜材料。 另外，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二 環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ -38- 200525005 (35) dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g 、磷酸酯 （ phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮 酯(t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate) 5g 的別的溶液 • 。將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚 • 度80//m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在7〇 °C 1 〇分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到在厚度丨〇 # m而 由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。 • 將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（ Laminater )黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4 )電路構件的連接構造的製作 首先，作爲第一電路構件，準備配置了凸塊面積5 0 // mx50//m、間距l〇〇/im、高度20//m的金凸塊的1C晶 片。接著，作爲第二電路構件，準備於厚度1 . 1 mm的玻璃 基板上蒸鍍銦錫氧化物（IT0)的電路而形成的IT0基板 (表面阻抗<20Ω/Π)。 • 然後，使上述薄膜狀電路連接材料存在於1C晶片與 I TO基板之間，將1C晶片、薄膜狀電路連接材料及ΙΤ0 基板以石英玻璃和加壓頭挾持，以 200 °C、100MPa 10 秒鐘加熱及加壓。如此作用，經由薄膜狀電路連接材料連 • 接1C晶片與IT0基板。此時，於IT0基板上事先將薄膜 狀電路連接材料的一方的黏著面以7〇°C ' 〇·5 MPa 5秒 鐘加熱及加壓而黏上。之後，剝離PET薄膜，將薄膜狀電 路連接材料的他方的黏著面與1C晶片連接。如以上作用 ，製作電路構件的連接構造A。 - 39- 200525005 (36) (實施例2 ) (1 )被覆粒子的製作 • 首先，於平均粒徑5 // m的架橋聚苯乙烯粒子（PSt) • 的表面，以無電解電鍍設置厚度〇. 2 // m的鎳層’而且藉 由於該鎳層的外側設置厚度〇 · 〇 4 // m的金層’得到相當於 導電粒子51的電鍍塑膠粒子（PSt-M)。將此電鍍塑膠粒 φ 子的表面的一部，藉由相當於絕緣性微粒子52的聚甲基 丙烯酸甲酯（PMMA )而被覆，得到以平均粒徑0.2 // m的 絕緣性微粒子被覆的平均粒徑5 · 2 // m的被覆粒子B。被 覆粒子B係導電粒子的表面的40%被被覆，被覆後的比重 爲對被覆前的比重成爲如97/ 1 00地，導電粒子藉由絕緣 性微粒子而被被覆。而且，平均粒徑爲從以藉由描掃型電 子顯微鏡的觀察而得到的測定値而被算出。另外關於被覆 率與實施例1同樣的測定。 • ( 2 )熱分解氣相層析法測定 關於被覆粒子B，以表示於表丨的測定條件而進行熱 分解氣相層析法測定。將質量比A由第5圖的檢量線算出
•I 的結果，質量比A爲1 8 /1 ο ο 〇、將質量比B由第6圖的檢 量線算出的結果’質量比B爲5 8 / 1 0 0 0 (參照表2 )。 (3 )電路連接材料的製作 首先，由雙酚A型環氧樹脂和9,9，-雙（4-羥苯基） 芴，合成玻璃轉移（glasstransition )溫度爲8 0 °C的苯氧 基樹脂。將此苯氧基樹脂5 〇 g，溶解於在重量比爲甲苯（ -40- 200525005 (37) 沸點 1 10.6°C、SP 値 8.90 ) / 乙酸丁酯（沸點 77.lt：、SP 値9 · 1 0 )= 5 0 / 5 0的混合溶劑，作爲固形分4 0重量％的溶 液。然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二 • 環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ - dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 3 9g 、磷酸酯（ phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮 酯(t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate ) 5g 的溶液 〇 φ 接著，使被覆粒子B配合分散5體積％於上述溶液而 調整溶液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表 面處理一面的厚度80 // m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯） 薄膜，由在70 °C 10分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚 度1 0 // m的第1薄膜材料。 另外，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二 環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 3 9 g 、磷酸酉旨 ( φ phosphate )型丙烯酸酯1 g、第三己基過氧基-2-乙基己酮 酉旨(t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanonate ) 5g 的別的溶液。 將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚度 8 0 // m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在7(rC 10 * 分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到在厚度1 〇 # m而由黏 著劑組成物購成的第2薄膜材料。 將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（ L ami n at er )黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4 )電路構件的連接構造的製作 -41 - ^ 200525005 (38) 使用上述的薄膜狀電路連接材料，與實施例1相同而 製作電路構件的連接構造B。 - (實施例3 ) . (1 )被覆粒子的製作 作爲被覆粒子C，使用積水化學公司製的AUL-704GD 。被覆粒子C的核體5 1 X係由聚丙烯酸酯系的塑膠構成， φ 導電粒子5 1的平均粒徑爲4 // m。絕緣性微粒子52係由 聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )構成，其平均粒徑爲0.2// m 〇 (2 )熱分解氣相層析法測定 首先，爲了作成關於質量比A的檢量線而進行熱分解 氣相層析法測定。於測定時，作爲具有由聚丙烯酸酯系的 塑膠構成的核體5 1 y的導電粒子5 1，使用了積水化學公司 製的 AUL-704 ( P Ac-M )。 φ 於測定結果，作爲AUL-704 ( PAc-M )的熱分解成分 的最大値（p e a k )，使用聚丙烯酸酯（A c )的最大値（ peak )面積IAC。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA ) ' 的熱分解成分的最大値（peak )，使用了甲基丙烯酸甲酯 * (MMA)的最大値面積Imma。由這些算出了最大値面積 比（Imma/Isi)。 另外，AUL-704 (PAc-M)的質量W PAc-M係相當於 導電粒子51的質量，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)的質量 WPMMA係相當於絕緣性微粒子52的質量。由這些算出了 -42- 200525005 (39) 質量比A ( WPMMA/W PAe_M )。然後，關於最大値面積比 (IMMA/Ist)與質量比A ( WpmMa/W PAC-Μ)的關係’作成 了表示於第7圖的檢量線。第7圖的檢量線係具有著良好 ’ 的直線性。 - 接著，爲了作成關於質量比B的檢量線而進行熱分解 氣相層析法測定。於測定時，使用了爲聚丙烯酸酯粒子之 積水化學公司製的LP-704 (PAc)。 φ 於測定結果，作爲LP-704 ( PAc )的熱分解成分的最 大値，使用了聚丙烯酸酯（Ac)的最大値（peak)面積 IAC。另外，作爲聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )的熱分解成 分的最大値（peak )，使用了甲基丙烯酸甲酯（MMA )的 最大値面積IMMA。由這些算出了最大値面積比（IMMA/IAC )° 另外，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )的質量WPMMA係 相當於絕緣性微粒子52的質量，LP-704 ( PAc )的質量 # WPAc相當於核體51x的質量。由這些算出了質量比B ( wPMMA/w PAe)。然後，關於最大値面積比（Imma/ IAC) 與質量比B ( WPMMA/W PAe )的關係，作成了表示於第8 圖的檢量線。第8圖的檢量線係具有著良好的直線性。 然後’關於被覆粒子C，以表示於表1的測定條件進 行熱分解氣相層析法測定的結果，得到表示於第9圖的裂 解色譜圖。丙烯酸酯（Ac)與甲基丙烯酸甲酯（MMA) 的最大値面積比（IMMA/IAC )爲1 : 90。使用此値，將質 量比A由第7圖的檢量線算出的結果，質量比a爲 -43- 200525005 (40) 1 1 /1 000，將質量比B由第8 量比B爲3 4/ 1 000 (參照表2、 ®的檢量線算出的結果
(3 )電路連接材料的製作
除了代替於實施例1的被覆粒子A而使用被覆粒子C 以外’與貫施1相同’得到：層構成的薄膜狀電路連接 材料。 (4 )電路構件的連接構造的製作 φ 使用上述的薄膜狀電路連接材料，與實施例丨相同而 製作電路構件的連接構造c。 (比較例1 ) (1 )導電粒子的製作 使用表面不以絕緣性微粒子被覆的導電粒子。亦即， 導電粒子的被覆率爲0%。 (2 )熱分解氣相層析法測定 φ 表示質量比A及質量比B的算出結果於表2。 (3 )電路連接材料的製作 除了代替於實施例1的被覆粒子A，而使用不以絕緣 ’ 性微粒子被覆的導電粒子以外，與實施例1相同，得到二 # 層構成的薄膜狀電路連接材料。 (4 )電路構件的連接構造的製作 使用上述的薄膜狀電路連接材料’與實施例1相同而 製作電路構件的連接構造D。 -44- ^200525005 (41) (比較例2 ) (1 )被覆粒子的製作 首先，於平均粒徑5 // m的架橋聚苯乙烯粒子（PSt ) • 的表面，以無電解電鍍設置厚度〇. 2 // m的鎳層，而且藉 • 由於該鎳層的外側設置厚度〇 . 04 // m的金層’得到電鍍塑 膠粒子（PSt-M )。將此電鍍塑膠粒子的表面的一部，藉 由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )而被覆，得到以平均粒徑 φ 〇·2// m的絕緣性微粒子被覆的平均粒徑5.2// m的被覆粒 子E。而且，平均粒徑爲從以藉由描掃型電子顯微鏡的觀 察而得到的測定値而被算出。 (2 )熱分解氣相層析法測定 關於被覆粒子E，以表示於表！的測定條件而進行熱 分解氣相層析法測定。將質量比A由第5圖的檢量線算出 的結果，質量比A爲3 0/1 000、將質量比B由第6圖的檢 量線算出的結果，質量比B爲1 〇 1 /1 〇 〇 〇 (參照表2 )。 φ ( 3 )電路連接材料的製作
除了代替於實施例1的被覆粒子A而使用被覆粒子E 以外，與實施例1相同，得到二層構成的薄膜狀電路連接 材料。 '(4 )電路構件的連接構造的製作 使用上述的薄0吴狀電路連接材料，與實施例1相同而 製作電路構件的連接構造E。 (相對的電路電極間的連接阻抗的測定） -45- 200525005 (42) 關於電路構件的連接構造A〜E，對初期（連接之後） 的連接阻抗，將在-40°C 30分鐘及100°C 30分鐘的溫度循 環槽中保持5 00循環（cycle )後的連接阻抗，使用2端子 • 測定法而以萬用電表（multimeter )測定。將結果表示於 - 表3。在此，所謂連接阻抗意味著相對的電路電極間的阻 抗。 (相鄰的電路電極間的絕緣阻抗的測定） 關於電路構件的連接構造A〜E，將施加了直流（DC ) 5 0 V的電壓一分鐘後的絕緣阻抗，使用2端子測定法而以 萬用電表（multimeter )測定。將結果表示於表3。在此 ，所謂絕緣阻抗意味著相鄰的電路電極間的阻抗。 〔表3〕 實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 (連接構造 (連接構造 (連接構造 (連接構造 (連接構造 A) B) C) D) E) 連接阻抗 初期（Ω) <1 <1 <1 <1 2 溫度循環後 <1 <1 <1 <1 >20 (Ω) 絕緣阻抗（Ω) >1012 >1012 >1012 <104 >1012 在實施例1〜3的電路構件的連接構造A〜C，於初期、 溫度循環後任一連接阻抗都被抑制而十分低，絕緣阻抗亦 -46 - ^ 200525005 (43) 變得十分局。 對此，在比較例1的電路構件的連接構造D，比起連 接構造A〜C ’絕緣阻抗變低。另外，比較例2的電路構件 • 的連接構造E，於初期、溫度循環後任一比起連接構造 . A〜C而連接阻抗都變高。 上述實施例1〜3及比較例1、2爲關於第1實施形態 。由以上，在使用第1實施形態的電路連接材料而製造電 Φ 路構件的連接構造的情況，於得到的電路構件的連接構造 ，確認相對的電路電極間的連接阻抗充分降低、而且可安 定化、同時可充分提高相鄰的電路電極間的絕緣性。 (實施例4 ) 首先，由雙酚A型環氧樹脂和雙酚A ( bisphenol A ) 合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲 80°C的苯氧基樹 月旨。將此苯氧基樹脂5 0g，溶解於在重量比爲甲苯（沸點 φ 1 10.6°C、SP 値 8.90 ) /乙酸丁酯（沸點 77.1 °C、SP 値 9.1 0 ) =5 0/5 0的混合溶劑，作爲固形分40重量％的溶液。 然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二環戊 少希基二醇二两儲酸酯（dicyclopentenyldialcoholdiacrylate )39g、磷酸酯（phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過 氧基-2-乙基己酮酯（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate )5 g的溶液。 一方面，使用由自由基聚合性物質（丙烯酸酯單體） 的聚合物構成的絕緣性微粒子，被覆後的比重爲對被覆前 -47- 200525005 (44) 的比重而成爲98/ 1 00地被覆導電粒子的表面的20%，得 到了被覆粒子。而且，導電粒子爲於由聚苯乙烯構成的核 體的表面，具有厚度0 · 2 // m的鎳層，於此鎳層的外側具 • 有厚度〇·〇4 // m的金層。另外，作爲導電粒子，使用了平 • 均粒徑爲5 // m的導電粒子。 使此被覆粒子配合分散5體積％於上述溶液而調整溶 液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理 φ 一面的厚度80 μ m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜， 由在70 °C 1〇分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚度10// m的第1薄膜材料。 另外’ g周整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二 環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 3 9g 、憐酸酯 ( phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮 酉旨（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate ) 5g 白勺另[J 的、溶、液 •。將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的厚 度80//m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在7〇 °C 1 〇分的熱風乾燥，於P E T薄膜上得到在厚度〗〇 #爪而 由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。 將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機（ Laminater )黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料。 (實施例5 ) 首先，由雙酚A型環氧樹脂和9、9 ‘ -雙（4 -羥苯基） -48- ，200525005 (45)
芴，合成玻璃轉移（glasstransition)溫度爲80°C的苯氧 基樹脂。將此苯氧基樹脂5 0g，溶解於在重量比爲甲苯（ 沸點 110.6°C ' SP 値 8.90) / 乙酸丁酯（沸點 77.1°C、SP ， 値9.1 0 ) =5 0/5 0的混合溶劑，作爲固形分40重量％的溶 • 液。然後，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂60g、二 環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g 、碟酸酯（ φ Phosphate )型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己酮 酯（t- hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate ) 5g 的溶液 ° 一方面，使用由自由基聚合性物質（丙烯酸酯單體） 的聚合物構成的絕緣性微粒子，被覆後的比重爲對被覆前 的比重而成爲 97/ 1 00地被覆導電粒子的表面的 40%，得 到了被覆粒子。而且，導電粒子爲於由聚苯乙烯構成的核 體的表面，具有厚度0.2 // m的鎳層，於此鎳層的外側具 有厚度〇.〇4//m的金層。另外，作爲導電粒子，使用了平 φ 均粒徑爲5 // m的導電粒子。 使此被覆粒子配合分散5體積％於上述溶液而調整溶 液。然後，將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理 一面的厚度80 // m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜， * 由在70 °c 10分的熱風乾燥，於PET薄膜上得到厚度10 // m的第1薄膜材料。 另外，調整爲以固形分重量比爲苯氧基樹脂6 0 g、二 環戊烯基二醇二丙烯酸酯（ dicyclopentenyldialcoholdiacrylate ) 39g 、磷酸醋( -49- ^200525005 (46) phosphate)型丙烯酸酯lg、第三己基過氧基-2-乙基己 酯（t_ hexyl peroxy-2- ethyl hexanonate) 5g 的別的溶 。將此溶液，使用塗佈裝置而塗佈於已表面處理一面的 • 度80//m的PET (聚乙烯對苯二甲酸酯）薄膜，由在 • °C 1 〇分的熱風乾燥，於P E T薄膜上得到在厚度1 0 // m 由黏著劑組成物購成的第2薄膜材料。 將上述的第1薄膜材料及第2薄膜材料以貼膜機 φ Laminatei·)黏合，得到二層構成的薄膜狀電路連接材料 (比較例3 ) 除了代替於實施例4的被覆粒子，使用了不以絕緣 微粒子被覆的導電粒子以外，與實施例4相同而得到二 構成的薄膜狀電路連接材料。亦即，導電粒子的被覆率 0%。 (比較例4 ) 除了代替於實施例4的被覆粒子，使用了以下的被 粒子以外，與實施例4相同而得到二層構成的薄膜狀電 連接材料。 使用由自由基聚合性物質（丙烯酸酯單體）的聚合 構成的絕緣性微粒子，被覆後的比重爲對被覆前的比重 成爲95/ 1 00地被覆導電粒子的表面的 70%，得到了被 粒子。而且，導電粒子爲於由聚苯乙烯構成的核體的表 ，具有厚度〇 · 2 μ m的鎳層，於此鎳層的外側具有厚 酮 液 厚 70 而 ( 性 層 爲 覆 路 物 而 覆 面 度 -50- 200525005 (47) 0· 04 // m的金層。另外，作爲導電粒子，使用了平均粒徑 爲5 // m的導電粒子。 (電路構件的連接構造的製作） 首先，作爲第一電路構件，準備配置了凸塊面積5 0 // m X 5 0 // m、間距1 0 0 // m、高度2 0 // m的金凸塊的IC晶 片。接著’作爲第二電路構件，準備於厚度1 · 1 m m的玻璃 基板上蒸鍍銦錫氧化物（ITO)的電路而形成的ITO基板 (表面阻抗<20Ω /□)。 然後，使實施例4、5及比較例3、4的薄膜狀電路連 接材料存在於1C晶片與ΙΤΟ基板之間，將1C晶片、薄膜 狀電路連接材料及ΙΤΟ基板以石英玻璃和加壓頭挾持，以 2 00 °C、1 00MPa 1 0秒鐘加熱及加壓。如此作用，經由薄 膜狀電路連接材料連接1C晶片與ITO基板。此時，於 I TO基板上事先將薄膜狀電路連接材料的一方的黏著面以 70°C、0.5MPa 5秒鐘加熱及加壓而黏上。之後，剝離PET 薄膜，將薄膜狀電路連接材料的他方的黏著面與1C晶片 連接。 如以上作用，製作了電路構件的連接構造F〜I。而且 ，電路構件的連接構造F〜I爲使用各個實施例4、5及比 較例3、4的薄膜狀電路連接材料而製作。 (比重的測定） 關於實施例4、5及比較例3、4的薄膜狀電路連接材 -51 · ^ 200525005 (48) 料的各個，將被覆前的導電粒子及被覆後的被覆 個取樣3 · 5 c c，在室溫、氨氣氣氛中以比重計（ 所公司製，A c c u p y c 1 3 3 0 - 0 1 )而測定比重，求ί± 1 的導電粒子的比重的被覆後的被覆粒子之比重（ • 。將結果表示於表4。 (相對的電路電極間的連接阻抗的測定） φ 關於電路構件的連接構造F〜I，對初期（連 的連接阻抗，將在-40°C30分鐘及100°C30分鐘 環槽中保持5 00循環（cycle )後的連接阻抗，使 測定法而以萬用電表（multimeter )測定。將結 表5 °在此，所謂連接阻抗意味著相對的電路電 抗。 (相鄰的電路電極間的絕緣阻抗的測定） 關於電路構件的連接構造F〜I，將施加了直 5 0V的電壓一分鐘後的絕緣阻抗，使用2端子測 萬用電表（multimeter )測定。將結果表示於表 ’所謂絕緣阻抗意味著相鄰的電路電極間的阻抗 粒子，各 島津製作 對被覆前 比重比） 接之後） 的溫度循 用2端子 果表示於 極間的阻 流（DC ) 定法而以 5。在此 -52- * 200525005 (49) 〔表4〕 實施例4 實施例5 比較例3 比較例4 被覆前後的比重比 98/100 97/100 95/100 被覆率（％) 20 40 0 70 〔表5〕 實施例4 (連接構造F) 實施例5 (連接構造G) 比較例3 (連接構造Η) 比較例4 (連接構造I) 連接阻抗 初期(Ω) <1 <1 <1 2 溫度循環後(Ω) <1 <1 <1 >20 絕緣阻抗(Ω) >1012 >1012 <104 >1012 在使用實施例4、5的薄膜狀電路連接材料而得到的 電路構件的連接構造F、G，初期，於溫度循環後的任一 ，連接阻抗都被抑制而十分低，絕緣阻抗亦變得十分高。 • 對此，在使用比較例3的薄膜狀電路連接材料而得到 的電路構件的連接構造Η，比起連接構造F、G而絕緣阻 抗變低。另外，使用比較例4的薄膜狀電路連接材料而得 到的電路構件的連接構造I，初期，於溫度循環後的任一 ，都比起連接構造F、G而連接阻抗變高。 上述實施例4、5及比較例3、4爲關於第2實施形態 。由以上，在使用第2實施形態的電路連接材料而製造電 路構件的連接構造的情況，確認於得到的電路構件的連接 構造，相對的電路電極間的連接阻抗充分降低、而且可充 -53- •200525005 (50) 分提高相鄰的電路電極間的絕緣性。 【圖式簡單說明】 - 〔第1圖〕第1圖爲表示本發明的電路構件的連接構 . 造的一實施形態的剖面圖。 〔第2圖〕第2圖爲表示使用於本發明的電路連接材 料的被覆粒子的一例的剖面圖。 φ 〔第3圖〕第3圖爲表示本發明的薄膜狀電路連接材 料的一實施形態的剖面圖。 〔第4圖〕第4圖爲表示本發明的電路構件的連接構 造的製造方法的一製程的剖面圖。 〔第5圖〕第5圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 1、2及比較例2的質量比A的檢量線（c a 1 i b r a t i ο n c u r v e )的線圖。 〔第6圖〕第6圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 φ 1、2及比較例2的質量比B的檢量線的線圖。 〔第7圖〕第7圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 3的質量比A的檢量線的線圖。 〔第8圖〕第8圖爲表示爲了求出於本發明的實施例 3的質量比B的檢量線的線圖。 〔第9圖〕第9圖爲得到關於在本發明的實施例3的 被覆粒子C，進行熱分解氣相層析法（g a s c h r 〇 m a t 〇 g r a p h y )測定的結果的裂解色譜圖（p y r o g r a m )。 -54-
200525005 (51) 【主要元件符號說明】 1 〇 :電路構件的連接 20 :電路構件（第一 21 :電路基板（第一 2 1 a :主面 22 :電路電極（第一 24,34:電極表面層 3 0 :電路構件（第二 3 1 :電路基板（第二 3 1a·主面 3 2 :電路電極（第二 3 5 :基板表面層 5 0 :被覆粒子 5 1 :導電粒子 5 1 X :核體 5 1 y :外層 5 1 a :表面 5 2 :絕緣性微粒子 6 0 :電路連接構件 6 1 :薄膜狀電路連接 構造 電路構件） 電路基板） 電路電極） 電路構件） 電路基板） 電路電極） 材料 -55-
Claims (1)
- •200525005 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種電路連接材料，係供於第一電路基板的主面 上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、 _ 和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極 . 的第二電路構件， 以使前述第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電 路連接材料， # 其特徵爲：含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之 一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子， 前述絕緣性微粒子的質量爲前述導電粒子的質量的 2/1000〜26/1000 ° 2 · 一種電路連接材料，係供於第一電路基板的主面 上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、 和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極 的第二電路構件， # 以使前述第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電 路連接材料， 其特徵爲：含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之 一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子， _ 前述導電粒子爲具有由高分子化合構成的核體， 前述絕緣性微粒子的質量爲前述核體質量的 7/1000〜86/1000 ° 3 . —種電路連接材料，係供於第一電路基板的主面 上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、 -56- •200525005 (2) 和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極 的第二電路構件， 以使前述第一及第二電路電極相對的狀態而連接的電 路連接材料， 其特徵爲：含有黏著劑組成物、及導電粒子的表面之 一部藉由絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子， 前述被覆粒子的比重爲前述導電粒子的比重的 97/ 1 00〜99/1 00 〇 4 .如申請專利範圍第3項所記載的電路連接材料， 其中：於前述被覆粒子，前述導電粒子的表面的5〜60%藉 由前述絕緣性微粒子而被被覆。 5 ·如申請專利範圍第1項至第4項任一項所記載的 電路連接材料，其中：前述絕緣性微粒子的平均粒徑爲前 述導電粒子的平均粒徑的1 /4〇〜1 /1 〇。 6 ·如申請專利範圍第1項至第5項任一項所記載的 電路連接材料，其中：前述絕緣性微粒子係由自由基聚合 性物質的聚合物構成。 7.如申請專利範圍第1項至第6項任一項所記載的 電路連接材料’其中：前述黏著劑組成物係含有自由基聚 合丨生物質、和由加熱而產生遊離自由基的硬化劑。 8·如申請專利範圍第1項至第7項任一項所記載的 電路連接材料，其中：更含有由苯氧基（phenoxy )樹脂 構成的薄膜形成材料。 9·如申請專利範圍第8項所記載的電路連接材料， -57- 200525005 (3) 其中：前述苯氧基樹脂係含有起因於在分子內的多環芳香 族化合物的分子構造。 10.如申請專利範圍第9項所記載的電路連接材料， 其中·則述多^我方香族化合物係爲荀（Fluorene)。 - 1 1 · 一種薄膜狀電路連接材料，其特徵爲：將如申請 專利範圍第1項至第1 0項任一項所記載的電路連接材料 形成至薄膜狀。 # 12· —種電路構件的連接構造，係具備：於第一電路 基板的主面上形成複數的第一電路電極的第一電路構件、 和於第二電路基板的主面上形成複數的第二電路電極 的第二電路構件、 設置於前述第一電路基板的前述主面與前述第二電路 基板的前述主面之間，在使前述第一及第二電路電極相互 相對的狀態’連接前述第一及第二電路構件相互間的電路 連接構件的電路構件的連接構造， ® #特徵爲··前述電路連接構件係由如申請專利範圍第 1項至第1 0項任一項所記載的電路連接材料的硬化物構成 前述第一電路電極與前述第二電路電極爲經由前述被 覆粒子而被電氣的連接。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載的電路構件的連 接構造’其中：在施加50V的直流電壓於相鄰的前述電路 電極間的情況，相鄰的前述電路電極間的阻抗値爲1 Ο9 Ω 以上。 -58- •200525005 (4) 1 4.如申請專利範圍第1 2項或第1 3項所記載的電路 構件的連接構造，其中：前述第一及第二電路構件之中至 少一方爲1C晶片（chip)。 • 1 5 ·如申請專利範圍第1 2項至第1 4項任一項所記載 , 的電路構件的連接構造，其中：前述第一電路電極與前述 第二電路電極之間的連接阻抗爲1 Ω以下。 1 6 ·如申請專利範圍第丨2項至第1 5項任一項所記載 φ 的電路構件的連接構造，其中：前述第一及第二電路電極 之中至少一方，具有以從由金、銀、錫、鉑族的金屬及銦 錫氧化物構成的群選擇至少一種而構成的電極表面層。 17.如申請專利範圍第12項至第16項任一項所記載 的電路構件的連接構造，其中：前述第一及第二電路構件 之中至少一方，具有以從由氮化矽、矽化合物及聚亞醯胺 樹脂構成的群選擇至少一種而構成的基板表面層。 1 8 · —種電路構件的連接構造的製造方法，其特徵爲 • :具備：於第一電路基板的主面上形成複數的第一電路電 極的第一電路構件、和於第二電路基板的主面上形成複數 的第二電路電極的第二電路構件之間，在使前述第一電路 電極與前述第二電路電極相對的狀態，使如申請專利範圍 第1項至第1 0項任一項所記載的的電路連接材料存在的 製程、和藉由加熱及加壓前述電路連接材料而使其硬化的 製程。 -59-
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