TWI360377B - - Google Patents

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TWI360377B
TWI360377B TW096141010A TW96141010A TWI360377B TW I360377 B TWI360377 B TW I360377B TW 096141010 A TW096141010 A TW 096141010A TW 96141010 A TW96141010 A TW 96141010A TW I360377 B TWI360377 B TW I360377B
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conductive particles
electrode
connection
electrodes
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TW096141010A
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Kazuyoshi Kojima
Kouji Kobayashi
Motohiro Arifuku
Nichiomi Mochizuki
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

1360377 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關電路連接構造物。 【先前技術】
液晶顯示器與Tape Carrier Package ( TCP)之連接、 可撓性電路基板（Flexible printed circuit: FPC)與 TCP 之連接、或FPC與印刷配線板之連接的電路構件彼此間之 連接時，使用將導電粒子分散於黏著劑之電路連接材料（ 例如：各向異性導電性連接劑）。又，最近，將半導體矽 晶片實裝於基板時，爲了連接電路構件彼此，不使用線接 合，而直接將半導體矽晶片對向實裝於基板上，即所謂的 覆晶實裝。該覆晶實裝時，電路構件彼此連接係使用各向 異性導電性黏著劑等之電路連接材料（例如：專利文獻 1 〜5 ) 〇 專利文獻1 :特開昭5 9- 1 2043 6號公報 專利文獻2 :特開昭6 0 - 1 9 1 2 2 8號公報 專利文獻3 :特開平1 - 2 5 1 7 8 7號公報 專利文獻4:特開平7-90237號公報 專利文獻5 :特開2001-189171號公報 專利文獻6 :特開2005 - 1 6643 8號公報 近年來，伴隨電子機器的小型化、薄型化，形成於電 路構件之電路發展爲高密度化，鄰接電極間之間隔、電極 寬度變成非常狹窄的傾向。電路電極之形成係在基板全面 1360377 形成電路之基礎的金屬，於應形成電路電極之部份塗佈光 阻，經硬化，以酸或鹼蝕刻其他部份，但是上述高密度化 之電路時，其形成於整體基板之金屬的凹凸較大時，凹部 與凸部之餽刻時間不同，因此無法進行精密的蝕刻，導致 鄰接電路間短路或斷線的問題。故高密度電路之電極表面 ，要求凹凸小，亦即電極表面平坦。 惟，利用上述先行技術之電路連接材料連接這種相對 向之平坦電路電極彼此時，電路連接材料中所含有之導電 粒子與平坦電極之間殘留黏著劑樹脂，在對向電路電極之 間無法確保充分之電連接與長期信賴性。因此作爲了解決 此問題，而提案可將貯存彈性率及平均熱膨脹係數在特定 之範圍，且於表面側具備多個突起部，最外層具有金（Au )之導電粒子之電路連接材料用於連接對向電路電極彼此 (專利文獻6 )。 使用此電路連接材料所連接之電路連接構造物，於對 向電路電極間雖可確保充分之電連接及長期信賴性，而但 是仍需在對向電路電極彼此間可達成更良好的電連接，同 時可進一步提高電路電極間之電特性之長期信賴性。 【發明內容】 本發明係鑑於上述先行技術之問題點，以提供一種可 達成對向電路電極彼此間良好的電連接，同時可有效提高 電路電極間之電特性的長期信賴性之電路連接構造物爲其 目的。 -6 - 1360377 本發明者爲解決該課題，進行精密硏討之結果發現， 造成該課題之原因係特別於含於形成電路連接構件之電路 連接材料中之導電粒子最外層之材質及電路連接構造物中 之電路電極之厚度。亦即，含於先行技術之電路連接材料 之導電粒子最外層爲Au之金屬膜，電路連接時，即使於 突起貫通導電粒子與平坦電極間之黏著劑組成物，該Au 爲較軟之金屬，因此對於電路電極而言，出現導電粒子最 外層的變形，導電粒子仍不易吸取電路電極。又，對向電 路電極之厚度太薄時，電路連接構件壓延時，含於電路連 接材料中之導電粒子表面之突起部貫通電路電極，恐與電 路基板接觸，因此減少電路電極與導電粒子之接觸面積， 提昇了連接電阻。本發明者，爲解決該課題，進一步進行 精密硏討後，結果發現，使導電粒子之最外層材料以比 Au更硬之金屬取代，且使對向電路電極之厚度作成一定 値以上後，可解決該課題，進而完成本發明。 亦即，本發明電路連接構造物係具備在第1電路基板 之主面上形成有第1電路電極之第1電路構件，與第1電 路構件對向配置’在第2電路基板主面上形成第2電路電 極之第2電路構件，被設置於第1電路構件之主面與第2 電路構件之主面之間，以電連接第1及第2電路電極之電 路連接構件的電路連接構造物中，其特徵爲第1及第2電 路電極之厚度爲50iim以上，電路連接構件爲將含有黏著 劑組成物與表面側具備多個突起部之導電粒子的電路連接 材料予以硬化處理所得者，導電粒子之最外層爲鎳或鎳合 l36〇377 金。 藉由此電路連接構造物，相較於導電粒子最外層爲 Au，且第1及第2電路電極之至少1方的厚度爲未達 5Onm者，其介由導電粒子之對向第1及第2電路電極爲 更良好的電連接，同時可進一步提高電路電極間之電特性 之長期信賴性。亦即，即使於導電粒子與第1或第2電路 電極之間滲入黏著劑組成物之硬化物，而於導電粒子表面 側設置多個突起部，因此經由該導電粒子加於黏著劑組成 物硬化物之壓力相較於無突起部之導電粒子，其充分變大 ，故，導電粒子之突起部可輕易貫通黏著劑組成物之硬化 物，又，藉由某種程度吸入電路電極後，可增加導電粒子 與電路電極之接觸面積。且，導電粒子最外層之鎳（Ni) 或鎳合金比Au更硬，因此導電粒子之最外層對於第1及 第2之電路電極而言，更容易吸取，更可增加導電粒子與 電路電極之接觸面積，藉由此，可取得更良好的電連接及 電特性之長期信賴性。第1及第2電路電極之厚度更爲 5 Onm以上時，導電粒子之突起部可進一步防止減少貫通 第1或第2電路電極之接觸面積。爲此可取得電路電極彼 此間良好的電連接。而，介由導電粒子之第1及第2電路 電極間之良好電連接狀態可有效提高黏著劑組成物之硬化 物長期保持後電特性之長期信賴性^ 該電路連接構造物中，該第1或第2之電路電極至少 任一最外層爲含有銦-錫氧化物（以下稱ITO)或銦-鋅氧 化物（以下稱IZO)者宜。如此，電路電極具有由IT〇或 -8 - 1360377 IZO所成之最外層後，相較於具有由 Au、Ag、Sn、Pt族 之金屬、A1或Cr等所成之最外層之電極，其較具有抗基 質金屬之氧化的優點。 又，該電路連接構造物中，導電粒子之突起部高度爲 5 0~5 0 0nm，鄰接之突起部間的距離爲lOOOnra以下者宜。 導電粒子之突起部高度及鄰接之突起部間的距離爲上述範 圍內，導電粒子之突起部可更容易貫通黏著劑組成物之硬 化物，可取得更良好的電連接及電特性之長期信賴性。 藉由本發明之電路連接構造物，可達成對向電路電極 彼此間良好的電連接，同時可有效提高電路電極間之電特 性之長期信賴性。 【實施方式】 〔發明實施之最佳形態〕 以下，參考附圖，進行本發明理想實施形態之詳細說 明。另外，圖面說明中，相同要點中附有相同符號，省略 重複說明。又，圖示之方便上，圖面之尺寸比率並不一定 與說明一致。且，本發明並未受限於以下實施形態。 〔電路連接構造物〕 首先，針對本發明之電路連接構造物之實施形態進行 說明。 圖1代表本發明電路連接構造物之第1實施形態之槪 略截面圖。本實施形態之電路連接構造物1係具備彼此對 -9- 1360377 向之第1電路構件30及第2電路構件40，於第1電路構 件30與第2電路構件40之間，設置有連接此等之電路連 • 接構件1〇。電路連接構件10係將含有黏著劑組成物與表 面側具備多個突起部14之導電粒子12的電路連接材料予 • 以硬化處理所得者。因此，電路連接構件10爲含有絕緣 • 性物質11與導電粒子12。其中，絕緣性物質11係由黏著 劑組成物之硬化物所構成。 φ 第1電路構件30具備有電路基板（第1電路基板） 31與於電路基板31之主面31a上所形成之電路電極（第 1電路電極）32。第2電路構件40係具備電路基板41與 電路基板41之主面41a上面所形成之電路電極（第1電 路電極）42。 • 電路基板31，41中，電路電極32，42之表面呈平坦 - 者宜。另外，本發明中「電路電極之表面爲平坦」係指電 路電極表面之凹凸爲20nm以下者謂之。 Φ 其中，電路電極32，42之厚度爲5 Onm以上。電路電 極32、42之厚度爲50nm以上則，於第1電路構件30與 第2電路構件40進行電路連接材料之加壓時，將可充分 防止於電路連接材料中導電粒子12之表面側之突起部14 ' 與貫通電路電極32，42之電路基板31、41進行接觸。其 結果，相較於電路電極32，42之厚度未達50nm時，其較 增加電路電極32，42與導電粒子12之接觸面積，降低連 接電阻。 又，電路電極32，42之厚度由製造成本面等觀之， -10-
1360377 以lOOOnm以下爲宜，更佳者爲500nm以下。 作爲電路電極32，42之材質者，如：Au、Ag， Pt族之金屬或ITO、IZO、Al、CR之例，電路電極 42之材質特別爲ITO、IZO時，其電連接明顯優異 電路電極32，42亦可整體以上述材質構成者，最夕 可以上述材質構成之。 電路基板31，41之材質並未特別限定，一般| 絕緣性物質、玻璃或聚矽氧。 作爲第1電路構件30及第2電路構件40之具® 如：半導體晶片、電阻物晶片、電容器晶片等之晶戶 、印刷基板等之基板例。此等電路構件3 0、4 0中， 多數（不同情況下，亦可爲單數）設置電路電極（霄 子）32、42。又，作爲電路連接構造物之形態亦有 片與晶片搭載基板之連接構造物、電氣電路相互間這 造物之形態。 又，第1電路構件30中，更可於第1電路電極 電路基板31之同設置絕緣層，第2電路構件40中， 進一步於第2電路電極42與電路基板41之間設置箱 。絕緣層只要以絕緣材料所構成者即可，並未特別陆 一般由有機絕緣性物質、二氧化矽或氮化矽所構成。 而，該電路連接構造物1中，對向電路電極32 路電極42介由導電粒子12進行電連接。亦即，導霄 12係直接接觸電路電極32、42雙方。具體而言，_ 子12之突起部14貫通絕緣性物質11後，接觸第1 S η ' 32， ，又， 卜層亦 I有機 I例者 Γ零件 通常 i路端 I c晶 I接構 32與 亦可 邑緣層 !定， 與電 ΐ粒子 善電粒 電路 -11 - 1360377 電極32，第2電路電極42。 因此，電路電極32，42之間的連接電阻充分降低， 可使電路電極32，42之間呈良好的電連接。故可使電路 電極32、42之間的電流流動順暢，可充分發揮電路擁有 的機能。 導電粒子12多數突起部14中之一部份突起部14爲 吸入電路電極32或電路電極42者宜。此時，更增加導電 粒子12之突起部14與電路電極32，42之接觸面積，可 進一步減少連接電阻。 電路連接構造物1中，其第1電路電極32，第2電路 電極42之至少一方的表面積爲15000/zm2以下，且於第1 電路電極32與第2電路電極42之間平均導電粒子數爲3 個以上者宜。其中，平均導電粒子數係指每1個電路電極 之導電粒子數的平均値。此時，可充分降低對向電路電極 32，42之間的連接電阻。又，平均導電粒子數爲6個以上 時，可進一步達成良好的連接電阻。此乃對向電路電極32 ，42之間的連接電阻充分降低所致。又，電路電極32, 42間之平均導電粒子數爲2個以下時，連接電阻變得太高 ，恐無法正常運作電子電路。 以下，針對電路連接構件1 0進行詳細說明。電路連 接構件10爲薄膜狀，如上述可將含有表面側具備突起部 14之導電粒子12與黏著劑組成物之電路連接材料予以硬 化處理所取得者。 -12- 1360377 (導電粒子）首先，針對導電粒子12之構成進行詳 細說明。導電粒子12係由具備導電性之粒子（本體部） 與於該粒子表面所形成之多數突起部14所構成。其中， 多數突起部14係以具備導電性之金屬所構成。圖2之（a )係代表本發明電路連接構造物中含於電路連接構件之導 電粒子之一例截面圖，（b)係代表導電粒子之其他例之 截面圖。 圖2(a)所代表之導電粒子12係以核體21與形成於 核體21表面之金屬層22所構成。核體21係以中核部21a 與形成於中核部21a之表面上的突起部21b所構成，金屬 層2^係於其表面側具備多個突起部14。金屬層22係被覆 核體21，對應於突起部2ib之位置而突起，該突起部份爲 突起部14。 核體21爲由有機高分子化合物所成者宜。此時，核 體21相較於由金屬所成之核體，成本較低，相對於熱膨 脹、壓延連結時之尺寸變化而言，其彈性變形範圍較廣， 因此更適用於電路連接材料。 作爲構成核體21之中核部21a之有機高分子化合物 者’如：丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯並鳥糞胺樹脂、聚 矽氧樹脂、聚丁二烯樹脂或此等共聚物之例，此等亦可使 用交聯者。另外，核體21之中核部21a之平均粒徑可依 其用途等適當設定之，一般以l~10#m者宜，較佳者爲 2〜8 " m，更佳者爲3~5 v m。當平均粒未達1 // m時，則 出現粒子之二次凝聚，與鄰接之電路的絕緣性將不足。反 -13- 1360377 之，平均粒徑超出10/zm，則依其尺寸導致與鄰接電路之 絕緣性傾向不足。 作爲構成核體21之突起部21b之有機高分子化合物 者，如：丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯並鳥糞胺樹脂、聚 矽氧樹脂、聚丁二烯樹脂或此等共聚物之例，此等亦可使 用交聯者。構成突起部21b之有機高分子化合物可與構成 中核部21a之有機高分子化合物相同，亦可爲相異》 核體21可藉由於中核部21a表面吸附多個具有小於 中核部21a直徑之突起部21b形成之。作爲將突起部21b 吸附於中核部21a之表面之方法者，如：將雙方或單方粒 子以矽烷、鋁、鈦等之各種偶合劑及黏著劑之稀釋溶液於 表面處理後，混合兩者進行附著之方法等例。 作爲金屬層22之材質者，爲Ni或Ni合金，作爲鎳 合金者，如：Ni-B、Ni-W、Ni-B、Ni-W-Co、Ni-Fe、及 Ni-Cr等例。由其堅硬面，容易吸入電路電極32，42之觀 點視之，以Ni爲宜。金屬層22係將此等金屬相對於核體 21，使用無電解鍍敷法，經由鍍敷可形成之。無電解鍍敷 法大致分爲間歇式與連續滴入式，惟使用任意方式可形成 金屬層22。 金屬層22之厚度（鍍敷厚度）以50〜170nm者宜，更 佳者爲50~150nm。金屬層22之厚度於此範圍時，則更可 降低電路電極32、42間的連接電阻。金屬層22之厚度未 達50nm時，則將導致鍍敷之缺損傾向，反之超出170nm 則於導電粒子間出現凝結，恐於鄰接之電路電極間出現短 -14- 1360377 路。又，本發明之導電性粒子12有部份露出核體21之情 況。此時，由連接信賴性面視之，相對於核體21之表面 積而言，金屬層22之被覆率爲7 0 %以上者宜，更佳者爲 80%以上；特別90%以上爲最佳。 導電粒子12之突起部14之高度Η爲50-500nm者宜 ，更佳者爲100〜300nm。又，鄰接之突起部14間之距離S 爲1000 nm以下者宜，更佳者爲500 nm以下。 又，鄰接之突起部14間之距離S係於導電粒子12與 電路電極32，42之間置入黏著劑組成物，爲使導電粒子 12與電路電·極32，42充分接觸，以50nm以上者宜。另 外，導電粒子12之突起部14之高度Η及鄰接之突起部 1 4間之距離S可藉由電子顯微鏡進行測定》 另外，導電粒子12爲如圖2(b)所示，核體21亦可 以中核部21a構成之。換言之，圖2之（a)所示之導電 粒子12之突起部21b未設置亦可。圖2之（b)所示之導 電粒子12係使核體21之表面進行金屬鍍敷，可藉由形成 金屬層22於核體21之表面後取得。 其中，針對爲形成突起部14之鍍敷法進行說明。如 :突起部14可藉由於鍍敷反應途中，追加高於最先使用 之鍍敷液的較高濃度之鍍敷液後，作成濃度不均之鍍敷液 後，形成之。又，調整鍍敷液之pH者，如：使鎳鍍敷液 之pH爲6，可取得瘤狀之金屬層亦即具有突起部14之金 屬層22 (望月等、表面技術，Vol. 48，Νο·4、429〜432頁 、1 997 )。另外，作爲賦予鍍敷浴穩定性之配位劑者，使 1360377 用甘氨酸時’出現平滑之金屬層（被膜），相對於使用酒 石酸、DL -蘋果酸時’可取得瘤狀被膜，亦即具有突起部 • 14之金屬層22 (荻原等，非晶質鍍敷，V〇1.36，第35〜37 頁’ 1 994 ;荻原等，電路實裝學會誌，Vol.lO，No.3、 1 48-1 52 頁、1 995 )。 • 金屬層22可由單一之金屬層所成，亦可爲複數金屬 層所成者。 (黏著劑組成物）接著，針對上述黏著劑組成物進行 詳細說明。 黏著劑組成物爲具有絕緣性及黏著性。作爲黏著劑組 成物者，以（1)含有環氧樹脂與環氧樹脂之潛在性硬化 • 劑之組成物’（2 )含有自由基聚合性物質與經由加熱產 • 生游離自由基之硬化劑之組成物，或（1 )與（2 )之混合 組成物者宜。 • 首先’針對（1)之含有環氧樹脂與環氧樹脂之潛在 性硬化劑之組成物進行說明。 作爲該環氧樹脂例者如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚漆用酚醛型環氧樹 脂、甲酚漆用酚醛型環氧樹脂、雙醛A漆用酚醛型環氧樹 脂、雙醛F漆用酚醛型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、縮水 甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、隱藏型環氧 樹脂、三聚異氰酸酯型環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂等 例。此等環氧樹脂亦可被鹵化，氫化均可。此等環氧樹脂 -16- 1360377 亦可倂用2種以上。 作爲該環氧樹脂之潛在性硬化劑者，只要可硬化環氧 樹脂者即可’作爲該潛在性硬化劑例者如：陰離子聚合性 之觸媒型硬化劑 '陽離子聚合性之觸媒型硬化劑，加成聚 〇型之硬化劑等例。此等可單獨或作成2種以上之混合物 使用之。此等中，由其速硬化性良好，無需考量化學當量 之面視之，又以陽離子或陽離子聚合性之觸媒型硬化劑爲 較佳。 作爲陰離子或陽離子聚合性之觸媒型硬化劑者如：咪 哩系、醯肼系、三氟化硼-胺錯合物、鎏鹽、胺醯亞胺、 一胺基馬來腈、密胺及其衍生物、聚胺之鹽、二氰二醯胺 等例’亦可使用此等之轉化物。作爲加成聚合型之硬化物 者，如：聚胺類、聚硫醇、聚酚、酸酐等例。 配合叔胺類、咪唑類爲陰離子聚合型之觸媒型硬化劑 時’環氧樹脂於160 °C〜200 °C之中溫下，加熱數10秒〜數 小時後硬化之。因此，較可延長可使用時間（適用期）爲 理想者。 作爲陽離子聚合型之觸媒型硬化劑者，如：藉由能量 線照射，使環氧樹脂硬化之感光性鑰鹽（芳香族重氮鑰鹽 、芳香族鎏鹽等爲主要使用者）者宜。又，能量線照射以 外經由加熱活化，使環氧樹脂硬化者，有脂肪族鎏鹽等。 此種硬化劑具有速硬化性之特徵，爲理想者。 將此等潛在性硬化劑以聚胺基甲酸乙酯系或聚酯系等 之高分子物質、鎳、銅等之金屬薄膜及矽酸鈣等之無機物 -17- 1360377 被覆後，作成微膠囊化者可延長可使用時間，爲理想者。 接著，針對（2)之含有自由基聚合性物質與藉由加 熱產生游離自由基之硬化劑之組成物進行說明。 自由基聚合性物質係具有藉由自由基聚合之官能基之 物質。作爲此自由基聚合性物質者如：丙烯酸酯（亦含對 應之甲基丙烯酸酯。以下相同）化合物、丙烯醯氧基（亦 含對應之甲基丙烯醯氧基。以下相同）化合物、馬來酸酐 縮亞胺化合物、檸康醯亞胺樹脂、靛酚醯亞胺樹脂等例。 自由基聚合性物質可爲單體或低聚物狀態、亦可倂用單體 與低聚物。 作爲該丙烯酸酯化合物之具體例者，如：丙烯酸甲酯 、丙烯酸乙酯、異丙烯酸丙酯、異丙烯酸丁酯、乙二醇二 丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸 酯、四羥甲基丙烷四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基 丙烷、2，2-雙〔4-(丙烯醯氧基甲氧基）苯基〕丙烷、 2,2-雙〔4-(丙烯醯氧基聚乙氧基）苯基〕丙烷、二環戊 烯丙烯酸酯、三環癸烯丙烯酸酯、三（丙烯醯氧基乙基） 三聚異氰酸酯、十一烷丙烯酸酯等例。此等可單獨或混合 2種以上使用之。又，必要時亦可適當使用氫醌、甲醚氫 醌類等之聚合停止劑。更由提昇耐熱性之觀點視之，該丙 烯酸酯化合物又以具有至少1種選自二環戊烯基、三環癸 烯基及三嗪環所成群之取代基者宜。 該馬來酸酐縮亞胺化合物係於分子中至少含有2個以 上之馬來酸酐縮亞胺基者。作爲該馬來酸酐縮亞胺化合物 -18- 1360377 之例者，如：1-甲基-2,4 -雙馬來酸酐縮亞胺苯、： 苯撐雙馬來酸酐縮亞胺、N，N’-p-苯撐雙馬來酸酐 、N，N’-m -甲苯撑雙馬來酸酐縮亞胺、>1，>1’-4,4-聯 馬來酸酐縮亞胺、N，N’-4,4- ( 3,3’-二甲基聯苯撐） 酸酐縮亞胺、N，N’-4,4- ( 3，3’-二甲基二苯基甲烷） 酸酐縮亞胺、N，N’-4,4- (3,3，-二乙基二苯基甲烷） 酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-4，4-二苯基甲烷雙馬來酸酐縮 ^[，1^’-4,4-二苯基丙烷雙馬來酸酐縮亞胺、：^,1<1’-3,3 雙馬來酸酐縮亞胺、Ν，Ν’-4,4-二苯醚雙馬來酸酐縮 2,2_雙（4- ( 4_馬來酸酐縮亞胺苯氧基）苯基）丙怎 雙（3-s-丁基·4,8-(4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基）苯 烷、1，1-雙（4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基）苯基 、4，4’-環亞己烯-雙（1-(4-馬來酸酐縮亞胺苯氧 環己苯、2,2-雙（4- ( 4_馬來酸酐縮亞胺苯氧基） 六氟丙烷之例。此等可單獨或混合2種以上使用之 該檸康醯亞胺樹脂係於分子中聚合至少具有1 醯亞胺基之檸康醯亞胺化合物所成者。作爲檸康醯 合物者’如：苯基檸康醯亞胺、1-甲基·2,4 -雙檸康 苯、N，N’-m-苯撐雙檸康醯亞胺、Ν，Ν’·ρ-苯撐雙檸 胺、Ν，Ν’-4,4 -聯苯撐雙檸康醯亞胺、ν，Ν，-4,4- ( 3 基聯苯撐）雙檸康醯亞胺、Ν,Ν’- 4,4- (3,3 -二甲基 甲烷）雙檸康醯亞胺、Ν，Ν’-4,4- (3,3-二乙基二苯 )雙檸康醯亞胺、N，N’-4,4-二苯基甲烷雙檸康醯 虬1^’-4,4-二苯基丙烷雙檸康醯亞胺、；^，；^，-4,4-二苯 Ν，Ν ’ · m， 縮亞胺 苯撐雙 雙馬來 雙馬來 雙馬來 亞胺、 -二苯磺 亞胺、 ΐ ' 2,2- 基）丙 )癸烷 基）-2- 苯基） 〇 個檸康 亞胺化 醯亞胺 康醯亞 ,3-二甲 二苯基 基甲烷 亞胺、 醚雙檸 -19- 1360377 康醯亞胺、N，N’-4,4-二苯磺雙檸康醯亞胺、2,2_雙（4_ ( 4 -檸康醯亞胺苯氧基）苯基）丙烷、2,2 -雙（3+丁基- 3.4- (4·檸康醯亞胺苯氧基）苯基）丙院、1,丨_雙（4·(4_ 檸康醯亞胺苯氧基）苯基）癸烷、4,4’-環亞己嫌-雙（1_ (4-檸康醯亞胺苯氧基）苯氧基）-2-環己苯、2,2-雙（4-(4 -棒康驢亞胺苯氧基）苯基）六氟丙烷之例。此等可單 獨或混合2種以上使用之。 該魅酣醯亞胺樹脂係於分子中聚合至少含有1個靛酚 醯亞胺基之靛酌醯亞胺化合物所成者。作爲靛酚醯亞胺化 合物例者’如：苯基靛酚醯亞胺、1-甲基-2，4-雙靛酚酿亞 胺苯、N，N’-m·苯撐雙靛酚醯亞胺、N，N，-p-苯撐雙靛酚縮 亞胺、N，N’-4,4-聯苯撐雙靛酚醯亞胺、n，N，-4,4- ( 3,3-二 甲基聯苯擦）雙靛酚醯亞胺、1^，1<[’-4,4-(3,3-二甲基二苯 基甲烷）雙靛酚醯亞胺、N，N’-4,4- ( 3,3-二乙基二苯基甲 烷）雙靛酚醯亞胺、Ν，Ν’·4,4-二苯基甲烷雙靛酚醯亞胺、 1^，1^’-4,4-二苯基丙烷雙靛酚醯亞胺、：^，：^’-4,4-二苯酸雙靛 酚醯亞胺、Ν，Ν’-4,4-二苯磺雙靛酚醯亞胺、2,2-雙（4-( 4-靛酚醯亞胺苯氧基）苯基）丙烷、2,2-雙（3-s-丁基- 3.4- (4-靛酚醯亞胺苯氧基）丙烷、1，1-雙（4-(4-靛酚醯 亞胺苯氧基）苯基）癸烷、4，4’-環亞己烯-雙（1-(4-靛酚 醯亞胺苯氧基）苯氧基）-2-環己苯、2,2-雙（4-(4-靛酚 醯亞胺苯氧基）苯基）六氟丙烷之例。此等可獨或混合2 種以上使用之。 又，於該自由基聚合性物質中倂用具有下述化學式（ -20- 1360377 I)所示之磷酸酯構造物之自由基聚合性物質者宜。此時 ，對於金屬等之無機物表面爲提昇黏著強度，電路連接材 料以電路電極彼此之黏著者宜。 [化1] Ο O CH3 (Π (H〇)^-P—OCH2CH2-O-C-C—CH2 〔該式中，η代表1〜3之整數〕。 具有該磷酸酯構造物之自由基聚合性物質係藉由磷酸 酐與2-羥乙基（甲基）丙烯酸酯之反應所得。作爲具有磷 酸酯構造物之自由基聚合性物質例者，具體例有單（2 -甲 基丙烯醯氧基乙基）酸性磷酸酯、二（2-甲基丙烯醯氧基 乙基）酸性磷酸酯等。此等可單獨或混合2種以上使用之 具有該化學式（I)所示之磷酸酯構造物之自由基聚 合性物質之配合量，相對於自由基聚合性物質與必要時所 配合之薄膜形成材料之合計100質量份而言，爲0.01〜50 質量份者宜，更佳者爲0.5~5質量份。 該自由基聚合性物質亦可倂用丙烯酸烯丙酯。此時， 丙烯酸烯丙酯之配合量相對於自由基聚合性物質與必要時 所配合之薄膜形成材料之合計100質量份而言，爲0.1〜10 質量份者宜，更佳者爲0.5〜5質量份。 經由加產生游離自由基之硬化劑係藉由加熱分解而 產生游離自由基之硬化劑。作爲該硬化劑例者，如：過氧 化化合物、偶氮系化合物等例。該硬化劑係依目的之連接 -21 - 1360377 溫度、連接時間、適用期等進行適當選取。由高反應性與 適用期之提昇觀點視之’以其半衰期1〇小時之溫度爲40 °C以上，且半衰期1分鐘之溫度爲180 °C以下之有機過氧 化物者宜，更佳者爲半衰期10小時之溫度爲60 °C以上’ 且半衰期1分鐘之溫度爲170°C以下之有機過氧化物。
該硬化劑之配合量使連接時間作爲25秒以下時，爲 取得足夠的反應率，相對於自由基聚合性物質與必要時所 配合之薄膜形成材料之合計量100質量份時，爲2〜10質 量份者宜，更佳者爲4〜8質量份。另外，未限定連接時間 時之硬化劑配合量相對於自由基聚合性物質與必要時所配 合之薄膜形成材料之合計量100質量份時，爲0.05〜20質 量份者宜，更佳者爲〇.1~1〇質量份。 作爲經由加熱產生游離自由基之硬化劑其更具體例者 如：二醯基過氧化物、過氧化二碳酸酯、過氧化酯過氧化 縮酮、二烷基過氧化物、過氧氫化物、矽烷基過氧化物等 例。又，由抑制電路電極32、42之腐蝕面視之，硬化劑 以硬化劑中所含有氮離子、有機酸之濃度爲5000ppm以下 者宜’更佳者爲加熱分解後所產生之有機酸爲極少者。作 爲該硬化劑之具體例如：過氧化酯、二烷基過氧化物、過 氧氫化物、矽烷基過氧化物等例，其中更以選取可取得高 反應性之過氧化酯者爲更佳。另外，該硬化劑可適當混合 使用之。 作爲過氧化酯例者，如··過氧化異丙苯基新癸酸酯、 1，1，3,3-過氧化四甲基丁基新癸酸酯、丨_環己基-丨―甲基乙 -22- 1360377 基過氧化新癸酸酯、t-過氧化己基新癸酸酯、t-過氧化丁 基三甲基乙酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基2-乙基己酸 酯、2,5·二甲基-2,5-二（2-乙基己醯過氧基）己烷、1·環 己基-1-甲基乙基過氧基·2-乙基己酸酯、t-過氧化己基-2-乙基己酸酯、t-過氧化丁基-2-乙基己酸酯、t-過氧化丁基 異丁酸酯、M-雙（t-過氧化丁基）環己烷、t·過氧化己基 異丙基單碳酸酯、t-過氧化丁基-3,5,5-三甲基己酸酯、t-過氧化丁基月桂酸酯、2,5-二甲基-2,5-二（m-甲苯撐過氧 基）己烷、t-過氧化丁基異丙基單碳酸酯、t-過氧化丁基-2-乙基己基單碳酸酯、t-過氧化己基苯甲酸酯、t-過氧化 丁基乙酸酯等例。 作爲二烷基過氧化物者，如：α，α 雙（t-過氧化丁 基）二異丙苯、二異丙苯過氧化物、2,5-二甲基-2，5-二（ t-過氧化丁基）己烷、t-丁基異丙苯過氧化物等例。 作爲過氧氫化物例者，如：二異丙苯過氧氫化物、異 丙苯過氧氫化物等例。 作爲二醯基過氧化物例者，如：異丁基過氧化物、 2,4 -二氯苯甲醯過氧化物、3，5,5 -三甲基己醯基過氧化物、 辛醯基過氧化物、月桂醯基過氧化物、硬脂醯基過氧化物 、琥珀銑酵過氧化物、過氧化苯甲醯甲苯、苯甲醯過氧化 物等例。 作爲過氧基二碳酸酯例者，如：二-η-過氧化丙基二碳 酸酯、過氧化二異丙基二碳酸酯、雙（4-t-丁基環己基） 過氧基二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基過氧基二碳酸酯、二 -23- 1360377 (2-乙基己基過氧基）二碳酸酯、二甲氧基丁基過氧基二 碳酸酯、二（3-甲基-3-甲氧基丁基過氧基）二碳酸酯等例 〇 作爲過氧化縮酮例者，如：l，l-雙（t-過氧化己基）-3，3,5-三甲基環己烷、1，1-雙（t-過氧化己基）環己烷、 1,1-雙（t-過氧化丁基）-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-( t-過 氧化丁基）環月桂烷、2,2-雙（t-過氧化丁基）癸烷等例 〇 作爲矽烷基過氧化物例者，如：t-丁基三甲基矽烷基 過氧化物、雙（t-丁基）二甲基矽烷基過氧化物、t-丁基 三乙烯矽烷基過氧化物、雙（t-丁基）二乙烯矽烷基過氧 化物、三（t-丁基）乙烯矽烷基過氧化物、t-丁基三烯丙 基矽烷基過氧化物、雙（t-丁基）二烯丙基矽烷基過氧化 物、三（t-丁基）烯丙基矽烷基過氧化物等例。 此等硬化劑可單獨或混合2種以上使用之，亦可混合 分解促進劑、抑制劑等進行使用。又，將此等硬化劑以聚 胺基甲酸乙酯系、聚酯系之高分子物質等進行被覆，作成 微膠囊化亦可。微膠囊化之硬化劑可延長適用期，故爲理 想者。 黏著劑組成物中，亦可於必要時添加薄膜形成材料使 用之。薄膜形成材料係指’將液狀物固形化，使構成組成 物作成薄膜形狀時’易於該薄膜之使用，賦予不易裂化、 割損、黏腻之機械特性等，於一般狀態（常溫常壓）下可 作爲薄膜之使用。作爲薄膜形成材料者，如：苯氧基樹脂 -24- 1360377 '聚乙烯甲縮醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯丁縮醛樹脂 、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂、聚胺基甲酸乙酯 樹脂等例。其中又以苯氧基樹脂之黏著性、互溶性、耐熱 性、機械強度良好，爲較佳者。 苯氧基樹脂係使2官能酚類與環氫鹵丙烷進行反應至 高分子化爲止、或使2官能環氧樹脂與2官能酚類藉由加 成聚合後取得之樹脂。苯氧基樹脂係如2官能苯酚類1莫 耳與環氫鹵丙烷〇·98 5〜1.015莫耳於鹼金屬氫氧化物等之 觸媒存在下、非反應性溶媒中，以40 °C〜120 °C之溫度，進 行反應後可取得。又，作爲苯氧基樹脂者，由樹脂之機械 特性、熱特性之觀點視之，特別是使2官能性環氧樹脂與 2官能性酚類之配合當量比爲環氧基/酚羥基=1/0.9〜1/1.1 ’於鹼金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等 觸媒之存在下，沸點爲120 °C以上之醯胺系、醚系、酮系 、內酯系、醇系等之有機溶劑中，反應因形成份爲50質 量份以下之條件下加熱至50~20(TC，進行加成聚合反應後 取得者宜。 作爲該2官能環氧樹脂者，如：雙酚A型環氧樹脂、 雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型環氧 樹脂、聯苯基二縮水甘油醚、甲基取代聯苯基二縮水甘油 醚等例。2官能酚類爲具有2個酚性羥基者。作爲2官能 酚類之例者如：氫醌類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酌 S、雙酚芴、甲基取代雙酚芴、二羥基聯苯基、甲基取代 二羥基聯苯基等之雙酚類等例。苯氧基樹脂亦可藉由自由 -25- 1360377 基聚合性之官能基，其他反應性化合物進行改性（ 氧基改性）。苯氧基樹脂可單獨或混合2種以上使 黏著劑組成物亦可進一步含有將丙烯酸、丙烯 甲基丙烯酸酯及丙烯腈中至少1個爲單體成份之聚 共聚物。其中，由應力緩和良好面視之，又以併用 甘油醚基之縮水甘油基丙烯酸酯、含縮水甘油基甲 酸酯之共聚物系丙烯酸橡膠爲較佳者。此等丙烯酸 重量平均分子量以20萬以上較可提高黏著劑之凝晃 導電粒子1 2之配合量，相對於黏著劑組成物 積份而言，爲0.1〜30體積份者宜，該配合量可依 行調整。由防止經由過剩導電粒子1 2電路電極3 2 間產生短路之觀點視之，該導電粒子12之配 〇 . 1〜1 〇體積份更理想。 黏著劑組成物中亦可含有橡膠微粒子、塡充劑 劑、促進劑、抗老化劑、著色劑、難燃化劑、觸變 合劑、酚樹脂、蜜胺樹脂、異氰酸酯類等。 該橡膠微粒子只要具有所配合之導電粒子12 粒徑2倍以下之平均粒徑，且具有導電粒子1 2及 組成物於室溫（25 °C )下之貯存彈性率1 /2以下之 性率即可。特別是，橡膠微粒子之材質爲聚矽氧、 乳酸、SBR、NBR、聚丁二烯橡膠之微粒子可單獨 2種以上適用之。三維交聯之該微粒子具良好的耐 、容易分散於黏著劑組成物。 黏著劑組成物中含有該塡充劑時，可提昇連接 如：環 闬之。 酸酯、 合物或 含縮水 基丙烯 橡膠之 力。 100體 用途進 、42之 合量爲 、軟化 劑、偶 之平均 黏著劑 貯存彈 丙烯酸 或混合 溶劑性 信賴性 -26- 1360377 等爲理想者。塡充劑只要其最大徑爲導電粒子12之粒徑 1 /2以下即可使用之。塡充劑粒徑若大於導電粒子則恐阻 . 礙導電粒子之偏平化。又，併用未具導電性之粒子時，其 塡充劑只要未具導電性粒子之直徑以下即可使用。塡充劑 • 之配合量相對於黏著劑組成物100體積份而言，爲5〜6 0 體積份者宜。當配合量超出60體積份則連接信賴性之提 昇效果達飽和狀態，反之未達5體積份時，則塡充劑添加 ^ 效果不足。 作爲該偶合劑例者，以含有乙烯基、丙烯基、環氧基 或異氰酸酯基之化合物可提昇黏著劑爲理想者。 另外，薄膜狀之電路連接材料係於支撐體（PET (聚 對苯二甲酸乙二醇酯）薄膜等）上面利用塗佈裝置（未示 • 圖）塗佈該電路連接材料，藉由所定時間之熱風乾燥後， - 可製作之。 φ 〔電路連接構造物之製造方法〕 接著，針對上述電路連接構造物1之製造方法進行說 明。 首先’準備具有上述第1電路電極32之第1電路構 件30、與具有第2電路電極42之第2電路構件40、與電 路連接材料。作爲電路連接材料者，如：準備呈薄膜狀成 形之電路連接材料（以下稱薄膜狀電路連接材料）。薄膜 狀電路連接材料爲含有該黏著劑組成物與導電粒子12者 。薄膜狀電路連接材料之厚度爲l〇~50ym者宜。 -27- 1360377 接著’於第1電路構件30之上面載置薄膜狀電路連 接材料。再將第2電路構件4〇載置於第1電路電極32與 第2電路電極42呈相向之薄膜狀電路連接材料上面。藉 由此’可使薄膜狀電路連接材料介在於第1電路構件30 與第2電路構件4〇之間。此時，薄膜狀電路連接材料爲 薄膜狀，容易使用之。因此，藉由此薄膜狀電路連接材料 使第1電路構件30與第2電路構件40進行連接時，可輕 易介存於其間，容易進行該第1電路構件30與第2電路 構件4〇之連接作業。 接著，介由第1電路構件30與第2電路構件40，使 薄膜狀電路連接材料進行加熱，同時加壓，硬化處理，於 第1及第2之電路構件30，40之間形成電路連接構件10 。硬化處理可依一般方法進行之，該方法依黏著劑組成物 適當選取之。此時，電路連接材料中之導電粒子12最外 層爲Ni時，由於Ni比Au堅硬，因此相對於第1或第2 之電路電極32，42而言比較最外層爲Au之導電粒子，其 突起部14更爲深入吸取，更增加其導電粒子12與電路電 極32，42之接觸面積。又，使第1及第2之電路電極32 ，42之厚度作成5〇mm以上之後，其導電粒子12之突起 部14可防止貫通第1或第2電路電極32，42之接觸面積 的減少。而，使電路連接材料硬化處理後，黏著劑組成物 硬化後，實現對於第1電路構件30及第2電路構件40之 高度連接強度，可長期保持導電粒子12與第1及第2電 路電極32，42緊密接觸的狀態。 -28- ^360377 因此，不管第1及/或第2之電路電極32，42之表面 是否有凹凸，均可有效降低對向第1及第2電路電極32, 42間之連接電阻，可達成第1電路電極32與第2電路電 極42之良好的電連接’同時可充分提昇第1及第2電路 電極32，42間的電特性長期信賴性。 另外，上述實施形態中，利用薄膜狀電路連接材料， 製造電路連接構造物1，而亦可使用形成薄膜狀前之電路 連接材料，取代薄膜狀電路連接材料。此時，將電路連接 材料溶於溶媒中，使該溶液塗佈於任意之第1電路構件30 或第2電路構件40上，進行乾燥後，仍可介存於第1及 第2之電路構件30，40之間。 〔實施例〕 • 以下，列舉實施例及比較例，進行本發明內容之更具 體的說明，惟本發明並未受限於下述實施例。 φ (導電粒子之製作）變更四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、 二乙烯苯及苯乙烯單體之混合比，利用聚合引發劑之苯甲 醯過氧化物進行懸浮聚合，將所得聚合物予以分級後，取 得具有約5 m粒徑之核體。 ' 針對取得核體之表面進行無電解Ni鍍敷處理，取得 具有均勻厚度100nm之Ni層（金屬層）之導電粒子No.1 〇 又，將導電粒子No.l中Au之鍍敷改爲僅25nm之厚 度，形成具均勻厚度之Au層，取得導電粒子No. 3。 -29- 1360377 進一步取代導電粒子No.2中Au之鏟敷，形成具有多 數突起部之Au層，取得導電粒子No.4。 利用電子顯微鏡（日立製作所製，S-8 00 )，觀察上 述各導電粒子No.l〜No.4，測定與突起部平均高度鄰接之 突起部間之平均距離。結果示於表1。 〔表1〕 導電粒子 最外層 突起之高度（nm) 突起間之距離（nm) No. 1 Ni 無突起 無突起 No. 2 Ni 1 00 500 No. 3 Au 無突起 無突起 No. 4 Au 100 500
(電路連接材料A之製作）由雙酚A型環氧樹脂與 分子內具有芴環構造物之酚化合物（4,4，- (9-亞芴基）-二苯基）合成苯氧基樹脂，將此樹脂以質量比計溶於甲苯 /乙酸乙酯=5 0/5 0之混合溶劑，作成固形成份40質量％之 溶液。 接著，準備作爲橡膠成份之丙烯酸橡膠（丙烯酸丁酯 40重量份-丙烯酸乙酯30重量份-丙烯腈30重量份-縮水 甘油基甲基丙烯酸酯3重量份之共聚物，重量平均分子量 8〇萬），將此丙烯酸橡膠以質量比計溶於甲苯/乙酸乙酯 = 5 0/50之混合溶劑，作成固形成份15質量％之溶液。 又，準備以質量比34: 49: 17計含有微膠囊型潛在 性硬化劑（微膠囊化之胺系硬化劑）與雙酚F型環氧樹脂 及萘型環氧樹脂之液狀的含有硬化劑之環氧樹脂（環氧當 -30- 1360377 量：202 )。 將該材料以固形成份質量下爲苯氧基樹脂/丙烯酸橡 膠/含硬化劑之環氧樹脂=20g/30g/50g之比例下進行配合 ’製成含有黏著劑組成物之液（環氧系）。相對於100質 量份之該含有黏著劑組成物之液而言，使導電粒子No.2 分散5質量份後，調製電路連接材料之液。 再將該含有電路連接材料之液利用塗佈裝置塗佈於單 面經過表面處理之厚度50μιη之聚對苯二甲酸乙二醇酯（ PET)薄膜上，藉由70 °C 3分鐘之熱風乾燥後，於PET薄 膜上取得厚度20;zm之薄膜狀電路連接材料A。 (電路連接材料B之製作）將50g之苯氧基樹脂（ union carbide股份公司製，商品名PKHC，平均重量分子 量 5,00〇)溶於甲苯/乙酸乙酯=50/50 (質量比）之混合溶 劑，作成固形成份40質量％之苯氧基樹脂溶液。將平均重 量分子量800之聚己內酯二醇400質量份、2-羥丙基丙烯 酸酯131質量份、作爲觸媒之二丁錫二月桂酸酯0.5質量 份及聚合停止劑之氫醌單甲醚1.0質量份進行攪拌，同時 加熱至50 °C混合之。 接著，於此混合液中滴入異佛爾酮二異氰酸酯222質 量份，更進行攪拌，同時昇溫至8 0 °C，進行胺基甲酸乙酯 化反應。確定異氰酸酯基之反應率爲99 %以上後’降低反 應溫度取得胺基甲酸乙酯丙烯酸酯。 再量取含有50g之上述所調整之苯氧樹脂溶液之固形 成份質量的苯氧基樹脂溶液與該49g之胺基甲酸乙酯丙烯 -31 - 1360377 酸酯以及lg之磷酸酯型丙烯酸酯以及5g之經由加熱產生 游離自由基之硬化劑的己基過氧基-2-乙基己酸酯進行混 合後，取得含有黏著劑組成物之液（丙烯酸系）。而’相 對於100質量份之該含有黏著劑組成物之液，使導電粒子 No.2分散5質量份後，調製含有該電路連接材料之液。 而，將該含有電路連接材料之液利用塗佈裝置塗佈於 單面經過表面處理之厚度50/zmPET薄膜上，經由70°C3 分鐘之熱風乾燥後，於PET薄膜上取得厚度20/zm之薄 膜狀電.路連接材料B。 (電路連接材料C之製作）使用導電粒子No .1取代 該電路連接材料A中之導電粒子No ·2除外，與電路連接 材料Α同法取得電路連接材料C。 (電路連接材料D之製作）使用導電粒子No.3取代 該電路連接材料A中之導電粒子n〇_；2除外，與電路連接 材料A同法取得電路連接材料d。 (電路連接材料E之製作）使用導電粒子No.4取代 該電路連接材料A中之導電粒子N〇 _2除外，與電路遵接 材料A同法取得電路連接材料e。 (實施例1)準備作爲第1電路構件之聚醯亞胺薄曝 (厚度38μη〇與具有由Sn鍍敷cu箔（厚度8//m)所 -32- 1360377 成之雙層構造物之可撓性電路板（以下稱FPC )。針對此 FPC之電路，作成線寬度18；wm，間距5()//ιη。 接著’準備作爲第2電路構件之表面上具備I TO電路 電極（厚度：50nm，表面電阻<20Ω )之玻璃基板（厚度 爲1.1mm)。針對該第2電路構件之電路，作成線寬度25 間距50/zm。再於該第2電路構件上貼附截切所定 尺寸（1.5x30mm)之電路連接材料 A，於70。(：，l.OMPa 下進行5秒鐘加熱，加壓之暫時連接。再剝離PET薄膜後 ’於FPC與第2電路構件配置挾著薄膜狀電路連接材料之 FPC，進行FPC與第2電路構件之電路的位置對合。接著 ，於180°C、3MPa、15秒之條件下，由FPC上方進行加 熱、加壓使FPC與第2電路構件進行正式連接。如此，取 得實施例1之電路連接構造物。 (實施例2 )準備與實施例1相同之FPC作爲第1電 路構件。再準備作爲第2電路構件之表面上具備IZO電路 電極（厚度：50nm，表面電阻<20 Ω )之玻璃基板（厚度 爲1.1mm)。針對此第2電路構件之電路，作成線寬度25 //m，間距50/zm。再與實施例1之連接方法同樣的進行 電路連接材料A之暫時連接、正式連接，取得實施例2之 電路連接構造物。 (實施例3 )準備與實施例1相同之FPC ’作爲第1 電路構件。再準備作爲第2電路構件之表面上具有Ιτ〇( -33- 1360377 最外層，厚度：50nm) /Cr (厚度：200iim)之雙層構成之 電路電極（表面電阻<2 0Ω)之玻璃基板（厚度爲1.1mm )。針對該第2電路構件之電路，作成線寬度25 #m，間 距50/zm»再與實施例1之連接方法同樣的進行電路連接 材料A之暫時連接、正式連接，取得實施例3之電路構件 構造物。 (實施例4)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之表面上具有ITO ( 最外層，厚度：50nm ) /Ti (厚度：l〇〇nm ) /A1 (厚度： 2 0 0nm ) /Ti (厚度：lOOnm )之4層構成之電路電極（表 面電阻<2 0Ω)之玻璃基板（厚度爲1.1 mm)。針對該第2 電路構件之電路作成線寬度25;zm，間距50//m。再與實 施例1之連接方法相同進行電路連接材料A之暫時連接、 正式連接，取得實施例4之電路連接構造物。 (實施例5 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著，準備作爲第2電路構件之表面具備A丨電 路電極（厚度：200nm，表面電阻<5Ω )之玻璃基板（厚 度爲1.1mm)。針對該第2電路構件之電路，作成線寬度 25/zm，間距50/zm。再與實施例1之連接方法相同進行 電路連接材料A之暫時連接、正式連接，取得實施例5之 電路連接構造物。 -34- 1360377 (實施例6 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之與實施例1相同之 具備I TO電路電極（厚度：5 Onm)之玻璃基板。再於第2 電路構件上貼附截切所定尺寸（1.5x30mm)之電路連接材 料B，於70°C，1 .OMPa下進行3秒鐘之加熱，加壓之暫 時連接。接著，剝離PET薄膜後，於FPC與第2電路構 件配置挾著薄膜狀電路連接材料之FPC，將FPC電路與第 2電路構件之電路進行位置的對位。再於17(TC、3 MPa、 10秒鐘之條件下，由FPC上方進行加熱、加壓，使FPC 與第2電路構件進行正式連接。如此取得實施例6之電路 連接構造物》 (實施例7)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之相同於實施例2之 具有IZO電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例6之 連接方法之電路連接材料B的暫時連接、正式連接，取得 實施例7之電路連接構造物。 (實施例8)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之相同於實施例3之 具有ITO/Cr電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例6 之連接方法之電路連接材料B的暫時連接、正式連接，取 得實施例8之電路連接構造物。 -35- 1360377 (實施例9 )準備作爲第i電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之相同於實施例4之 具有ITO/Ti/Al/Ti電路電極之玻璃基板。再進行相同於實 施例6之連接方法之電路連接材料B的暫時連接、正式連 接，取得實施例9之電路連接構造物》 (實施例10)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之相同於實施例5之 具有A1電路電極之玻璃基板。接著進行相同於實施例6 之連接方法之電路連接材料B的暫時連接、正式連接，取 得實施例10之電路連接構造物。 (比較例1 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之表面上具有ITO電 路電極（厚度：25nm，表面電阻<40 Ω )之玻璃基板（厚 度1.1 mm)。針對該第2電路構件之電路，作成線寬25 /zm、間距50 em。再進行相同於實施例1之連接方法之 電路連接材料A之暫時連接、正式連接，取得比較例1之 電路連接構造物。 (比較例2 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之相同於比較例1之 具有ITO電路電極（厚度：25nm )之玻璃基板。再進行 相同於實施例6之連接方法之電路連接材料B的暫時連接 -36- 1360377 ，正式連接，取得比較例2之電路連接構造物。 (比較例3)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 » 1之FPC。再準備作爲第2電路構件之相同於實施例1之 具有ITO電路電極（厚度：5 0nm )之玻璃基板。再進行 相同於實施例1之連接方法之電路連接材料C的暫時連接 ，正式連接，取得比較例3之電路連接構造物。 (比較例4 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例2 之具有IZO電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例1 之連接方法之電路連接材料C的暫時連接，正式連接，取 * 得比較例4之電路連接構造物。 (比較例5 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例3 之具有ITO/Cr電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施 例1之連接方法之電路連接材料C的暫時連接，正式連接 ，取得比較例5之電路連接構造物。 (比較例6)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例4 之具有ITO/Ti/Al/Ti電路電極之玻璃基板。再進行相同於 實施例1之連接方法之電路連接材料C的暫時連接，正式 -37- 1360377 連接，取得比較例6之電路連接構造物。 . (比較例7 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於比較例1 之具有ITO電路電極（厚度：25 nm)之玻璃基板。再進 行相同於實施例1之連接方法之電路連接材料C的暫時連 接，正式連接，取得比較例7之電路連接構造物。 (比較例8 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例5 之具有A1電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例1 之連接方法之電路連接材料C的暫時連接，正式連接，取 ' 得比較例8之電路連接構造物。 (比較例9 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 • 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例1 之具有ITO電路電極（厚度：50nm)之玻璃基板。再進 行相同於實施例1之連接方法之電路連接材料D的暫時連 ' 接，正式連接，取得比較例9之電路連接構造物。 (比較例1 〇 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例2 之具有IZO電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例1 之連接方法之電路連接材料D的暫時連接，正式連接，取 -38- 1360377 得比較例ι〇之電路連接構造物。 . (比較例1 1)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例3 之具有ITO/Cr電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施 例1之連接方法之電路連接材料D的暫時連接，正式連接 ，取得比較例1 1之電路連接構造物。 (比較例1 2 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例4 之具有ITO/Ti/Al/Ti電路電極之玻璃基板。再進行相同於 實旆例1之連接方法之電路連接材料D的暫時連接，正式 ' 連接，取得比較例12之電路連接構造物。 (比較例1 3 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 • 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於比較例1 之具有ITO電路電極（厚度：25 nm)之玻璃基板。再進 行相同於實施例1之連接方法之電路連接材料D的暫時連 接’正式連接’取得比較例13之電路連接構造物。 (比較例1 4 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例5 之具有A1電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例1 之連接方法之電路連接材料D的暫時連接，正式連接，取 -39- 1360377 得比較例14之電路連接構造物。 . (比較例15)準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例1 之具有ITO電路電極（厚度：5 0nm )之玻璃基板。再進 行相同於實施例1之連接方法之電路連接材料E的暫時連 接，正式連接，取得比較例15之電路連接構造物》 (比較例1 6 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例2 之具有IZO電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施例1 之連接方法之電路連接材料E的暫時連接，正式連接，取 ’ 得比較例16之電路連接構造物。 (比較例1 7 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例
1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例3 之具有ITO/Cr電路電極之玻璃基板。再進行相同於實施 例1之連接方法之電路連接材料E的暫時連接，正式連接 ，取得比較例17之電路連接構造物。 (比較例1 8 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於實施例4 之具有ITO/Ti/Al/Ti電路電極之玻璃基板。再進行相同於 實施例1之連接方法之電路連接材料E的暫時連接’正式 -40- 1360377 連接，取得比較例18之電路連接構造物。 _ (比較例1 9 )準備作爲第1電路構件之相同於實施例 1之FPC。接著準備作爲第2電路構件之相同於比較例1 之具有ITO電路電極（厚度：25nm )之玻璃基板。再進 行相同於實施例1之連接方法之電路連接材料E的暫時連 接，正式連接’取得比較例19之電路連接構造物。 (存在於電路電極上之導電粒子數）利用微分干擾顯 微鏡’以目測計數（n = 3 8 )存在於該電路連接構造物之電 路電極上的導電粒子數。其結果顯示，實施例1〜15，比較 例1~15之電路電極上的平均粒子數爲31〜3 8個之範圍內 ' ，未出現依電路連接材料、連接構件之不同，導電粒子數 . 之極端增減現象。 φ (連接電阻之測定）針對上述取得之實施例1〜1〇及 比較例1~15之電路連接構造物，利用複合計器測定FPC 之電路電極與第2電路構件之電路電極之間的連接電阻値 。連接電阻値係於初期（剛連接時）與於80°C、95%RH 之高溫高濕槽中保持250小時（高溫高濕處理）後所測定 之。表2顯示連接電阻値之測定結果及電阻變化率。表2 中連接電阻値係代表鄰接電路間之電阻3 7分之平均値X 與3倍標準偏差σ之値之和（χ + 3σ)。又，電阻增 加率係將由初期電阻値之高溫高濕處理後電阻値之增加量 -41 - 1360377 以百分率示之，具體而言，以下述式： ((處理後電阻値-初期電阻値）/初期電阻値）xl 00 所算取之。作爲連接信賴性之改善效果的判定者’當 電阻增加率未達1 0%時代表有改善效果’未達1 5% ’超出 10%者代表先行技術之水準、超出15%以上者代表無改善 效果（NG )。 -42- 1360377 〔表2〕
實施例/比 電路 黏著 導電粒子 第1之電 第2電路電極 連接， 電阻(Ω) 電阻增 較例 接續 劑組 No. 突起 最外層 路電極 構成 厚度 初期 處理後 加率 材料 成物 之厚度 (nm) (%) 實施例1 ITO電路 50 118.3 122.6 3.6 實施例2 環 ΙΖΟ電路 50 85.1 88.7 4.2 實施例3 A 氧 2 有 Ni ίμτη no/cmn 250 67.3 71.1 5.6 實施例4 系 IT(YTi/Al/Ti 電路 450 65.0 68.2 4.9 實施例5 A1電路 200 23.1 23.9 3.5 實施例6 丙 ITO電路 50 121.6 126.3 3.9 實施例7 烯 1ZO電路 50 88.4 92.5 4.6 實施例8 B 酸 2 有 Ni 8/zm ITO/Cr®g§ 250 66.5 69.1 3.9 實施例9 系 ITO/Ti/Al/Ti 電路 450 67.8 70.9 4.6 實施例10 A1電路 200 23.3 24.1 3.4 環 比較例1 A 氧 2 有 Ni 8^m ITO電路 25 185.2 203.8 10.0 系 丙 比較例2 B 烯 2 有 Ni Ββχη ITO電路 25 189.0 206.9 9.5 酸 系 比較例3 ITO電路 50 126.3 152.6 20.8 比較例4 環 IZO電路 50 92.6 115.5 24.7 比較例5 C 氧 1 無 Ni 8^m ITO/Cr^g§ 250 75.1 92.3 22.9 比較例6 系 ITO/Ti/Al/Ti 電路 450 71.1 94.2 32.5 比較例7 ITO電路 25 193.8 244.4 26.1 比較例8 A1電路 200 26.0 32.7 25.8 比較例9 ITO電路 50 121.7 140.8 15.7 比較例10 環 IZO電路 50 86.4 103.3 19.6 比較例Π D 氧 3 5E y»、、 Au 8/zm ITO/Cr電路 250 73.4 83.4 13.6 比較例12 系 ITO/Ti/Al/Ti 電路 450 66.8 81.1 21.4 比較例13 ITO電路 25 188.6 208.9 10.8 比較例14 A1電路 200 23.9 28.5 19.2 比較例15 ITO電路 50 118.7 135.2 13.9 比較例16 環 IZO電路 50 85.8 99.4 15.9 比較例17 E 氧 4 有 Au 8#m ITO/Cr電路 250 70.4 82.2 16.8 比較例18 系 ITO/Ti/Al/Ti 電路 450 66.3 77.3 16.5 比較例19 ITO電路 25 185.9 205.7 10.7 -43- 1360377 由表2結果顯示，使用具備突起部，且含有最外層爲 鎳之導電粒子之電路連接材料進行連接時，不管構成電路 連接材料之黏著性組成物之種類，第1及第2之電路電極 厚度均爲50ηιη以上之電路連接構造物（實施例1〜10 )相 較於第2電路電極厚度爲未達50nm (比較例1及2)，其 初期電阻値及高溫高濕處理後之電阻增加率之値均降低， 證明改善連接信賴性。 另外，使用含有具備突起部之導電粒子之電路連接材 料所連接之電路連接構造物（實施例1〜10 )相較於使用未 具突起部之導電粒子時（比較例3〜14)，其初期電阻値及 高溫高濕處理後之電阻增加率之値均降低、證明具改善連 接信賴性。 進一步使用含有最外層爲鎳之導電粒子之電路連接材 料所連接之電路連接構造物（實施例1〜5)，相較於使用 最外層爲Au之導電粒子時（比較例15〜19)，其初期電 阻値及高溫高濕處理後之電阻增加率之値均降低，證明具 有改善連接信賴性。 由表2顯示，第1及第2之電路電極厚度均爲50nm 以上，且使用含有具有突起部之最外層爲鎳之導電粒子之 電路連接材料所連接之電路連接構造物爲具有降低初期電 阻値及電阻增加率之效果，相較於使用未滿足上述要點之 電路連接材料所連接之電路連接構造物，其較可達成更良 好的電連接及電特性的長期信賴性。 由以上證明，藉由本發明之電路連接構造物，可達成 -44 - 1360377 對向電路電極彼此間良好的電連接，同時可有效提高電路 電極間電特性之長期信賴性。 〔產業上可利用性〕 本發明之電路連接構造物可達成對向電路電極彼此間 良好的電連接，同時可有效提高電路電極間電特性之長期 信賴性。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕代表本發明電路連接構造物之一實施形態的 截面圖。 〔圖2〕（a)代表本發明電路連接構造物中含於電路 - 連接構件之導電粒子之一例的截面圖，（b)代表本發明 電路連接物中含於電路連接構件之導電粒子另例之截面圖 〇 【主要元件符號說明】 1 :電路連接構造物 1 0 :電路連接構件 • 1 1 :絕緣性物質 1 2 :導電粒子 14 :突起部 21 :核體 2 1 a :中核部 -45- 1360377 21b:核體之突起部 22 :金屬層 3 0 :第1電路構件 3 1 :第1電路基板 31a:第1電路基板之主面 32 :第1電路電極 40 :第2電路構件 41 :第2電路基板 41a:第2電路基板之主面 42 :第2電路電極 H:突起部14之高度 S :鄰接突起部1 4間之距離 -46 -

Claims (1)

1360377 第09614 ΙΌ 1Ό號奪利审請案中文申請專利範圍修正本 十、申請專利範園 年月日婊(更)正替游.! 1. 一種電路連接構造物，其係具備： 在第一電路基板之主面上形成有第一電路電極之第一 電路構件；
與前述第一電路構件對向配置，在第二電路基板主面 上形成第二電路電極之第二電路構件； 被設置於前述第一電路構件之主面與前述第二電路構 件之主面之間，以電連接前述第一及第二電路電極之電路 連接構件的電路連接構造物， 其特徵係前述第一及第二電路電極之厚度爲5 Onm以 上，前述電路連接構件爲將含有黏著劑組成物與表面側具 備複數之突起部之導電粒子的電路連接材料予以硬化處理 所得者，前述導電粒子之最外層爲鎳或鎳合金，
前述導電粒子之前述複數之突起部中，一部份的突起 部深入前述第一或第二之電路電極中， 前述導電粒子之前述突起部的高度爲50〜5 OOnm， 前述第一或第二電路電極中任一的至少最外層含有 銦-錫氧化物， 前述導電粒子係由核體與形成於該核體表面上之金屬 層所構成，前述核體係由有機高分子化合物所構成。 2.—種電路連接構造物，其係具備： 在第一電路基板之主面上形成有第一電路電極之第一 1360377
伯>4、)止祕. 電路構件； 與前述第一電路構件對向配置，在第二電路基板主面 上形成ί三電路電極之第二電路構件： • · . . 被設置於前述第一電路構件之主面與前述第二電路構 件之主面之間，以電連接前述第一及第二電路電極之電路 連接構件的電路連接構造物， 其特徵係前述第一或第二電路電極之厚度爲50nm以 上，前述電路連接構件爲將含有黏著劑組成物與表面側具 備複數之突起部之導電粒子的電路連接材料進行硬化處理 所得者，前述導電粒子之最外層爲鎳或鎳合金， 前述導電粒子之前述複數之突起部中，一部份的突起 部深入前述第1或第2之電路電極中， 前述導電粒子之前述突起部的高度爲50〜5 OOnm， 前述第一或第二電路電極中任一的至少最外層含有 銦-鋅氧化物， 前述導電粒子係由核體與形成於該核體表面上之金屬 層所構成，前述核體係由有機高分子化合物所構成^ 3.如申請專利範圍第1或2項之電路連接構造物， 其中鄰接之前述突起部間之距離爲10OOnm以下。
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