TWI321251B - Retardation film, polarizing element, liquid crystal panel, and liquid crystal display apparatus - Google Patents

Description

以丄251 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種相位差薄膜及使用相位差薄膜 光凡件，暨液晶顯示裝置。 、 【先前技術】 -、液晶顯示裝置係因薄、輕、低耗電等特徵而受到關注 並j泛應用於：行動電話或手錶等攜帶機器；個人電腦e •硯^筆記型電腦等〇A機器；攝影機或液晶電視等家^ 電器等方面。此係因根據技術的革新而克服：因觀看書、 之角度而改變顯示特性；或在高溫或極低溫下盔：a :點H當料多樣化，則在制途上所要求； 也不同。例如，關於傳統的液晶顯示裝置方面，牲^ 係白色/黑色顯示之對比度在斜向上為 ，^ 義係來自黑色墨水印刷在報紙、雜誌'等之白紙上 度°然而’關於S]定式大卿色電㈣途方面，由 人同時觀看螢幕，因而被要求即使從不同視角觀看，、二 可清晰觀看的顯示。具體而言，白色/黑色顯示之對比 係例如必須為20以上。又’當顯示器大型化，觀看書^ 二人即便不動’在觀看畫面四個角落時’因從不同視；方 =所親2的晝面需—致，故於液晶面板之整個畫面上， 重要的疋沒有對比或色彩不均且顯示均_。 於此，關於液晶顯示裝置方面’採用了 以改進視角特性。但採用傳統相位 差㈣ 裝置係斜向對比度降低，或因影像色彩（也稱作 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94】46485 1321251 隨視角而變化，故有在液晶面板的整個螢幕上顯示 :”。又’若長時間打開液晶顯示裝置的背 因: ^的收縮應力或背光的熱，而導致相位差值偏移或不: ‘性之問題。 〜化登幕的顯示均句 .先前係提出有將具有在短波長下顯示較小相位差值之 也稱作逆波長分散特性)的高分子薄膜的延伸薄膜 為相位差薄膜（例如，曰本專.利特開2 、 =特開2〇〇H9⑽號公報)，如可列： 二木之聚奴酸酯共聚物為主要成分的高分子薄膜 缚膜（日本專利特開2〇〇2_ 221 622號公 以 :旨為主要成分的高分子薄膜的延伸薄膜(曰)本=素 薄：係二743號公報:等。然而，該等高分子薄膜的延伸 勺 '而在Γ易因為㈣而產生相位差值的偏移或不均 而在使用錢晶顯示裝置時，無法得到均勾顯 蟪。又，έ亥等南分子薄膜的 * ° 之光學特性（例如，相位差====獲得所期望 【發明内容】 值成折射率分佈)的問題。 本發明係為了解決上述問題而完成者，盆 一種光彈性係數的絕對值小、 7 在於如供 加工性優異、可改善液晶顯示長2特性、成形 性的薄型相位差薄膜。 Τ彳或顯不均句 為了解決上述問題，本案發明人 果發現該目的能夠透過下述的偏光元件及液:面::達t 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 , 0 1321251 成上述目的，並完成本發明。 本發明之相位差薄膜係由在23。〇下利用波長55〇 nm之 光所測量之光彈性係數的絕對值（m2/N)為5〇χ1 0—,2以下之 高分子薄膜的延伸薄膜所構成，其滿足下式（1)和（2): Re[450 ] < Re[550] < Re[650] · . ·(1) Rth[550] < Re[550] ...(2) 式中，^[450]、1^[550]和尺6[650]係在23。(：下利用波長 450 nm、550 rim和650 nin之光所分別測量之面内相位差 值，Rth[ 550]係在23°C下利用波長550 nm之光所測量之 居度方向的相位差值。 ，上述相位差薄臈之厚度為20 /zm 在較佳實施形態中 〜200 /z m。 上述相位差薄膜之Re[ 550 ]為20 上述相位差薄膜之Re[450] / 在較佳實施形態中 nm〜400 nm 〇 在較佳實施形態中

Re[ 550 ]為 〇. 70〜0. 99 在較佳實施形態中，上述相位差薄膜之Nz係數超過〇 且小於在更佳實施形態中’上述相位差薄膜之抓⑽ 為 1〇 nm〜200 nm。 在較佳實施形態中’上述高分子薄膜的玻璃轉移溫度 (Tg)為 90°C〜185°C。 在較佳實施形態中，上述高分子薄膜係將具有以下式（^ 所代表之化學結構的聚縮醛系樹脂作為 二 巧土要成分而含有： 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/94146485 7 丄 说1 ..♦⑴ R4 在式（I)中，R1代表氫原子或碳數卜8的直鏈狀、支鏈 狀或％狀的烷基、取代或非取代的苯基、取代或非取代的 <基、取代或非取代的g基、或取代或非取代的菲基 (phenanthreny 1) ; R2、R3和R4各自獨立地代表氫原子、 反數1 4的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烧基、碳數1〜4的直 鏈或支鏈的烷氧基、齒原子、鹵化烷基、硝基、胺基、羥 基、氰基或硫醇基（thiol);但R2和R3不同時為氫原子。 在較佳實施形態中，上述高分子薄膜係將具有以下式 (Π)所代表之化學結構的聚乙烯基縮醛系樹脂作為主要 成分而含有：

在式（II)中，R1代表氫原子或碳數U的直鏈狀、支 鏈狀或環狀的烷基、取代或非取代的苯基、取代或非取代 的萘基、取代或非取代的蒽基、或取代或非取代的菲基； R2、R3和R4各自獨立地代表氫原子、碳數卜4的直鏈狀、 支鏈狀或環狀的烷基、碳數1〜4的直鏈或支鏈的烷氧基、 齒原子、鹵化烷基、硝基、胺基、羥基、氰基或硫醇基； 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 g 但Μ和R3不同時為氫原子；丨代表1以上的整數。 二較佳實施形態中，上述高分子薄膜係將具有以下式 ()所代表之化學結構的聚乙烯基縮I系

成分而含有： I I

f式(III)中’ m、朽和R6係各自獨立地代表氫原子 ，石反數1〜8 ό勺直鏈狀、支鏈狀或環狀的絲、取’非 代的笨基、取代或非取代的蔡基、取代或非取代的H 或取代f非取代的菲基；R2、们和R4各自獨立地代表氯 •原子、石厌數1〜4的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烧基、碳數 4的直鏈或支鏈的烧氧基、鹵原子、鹵化燒基、硝基、 月女基、规基、氰基或硫醇基；但R2和R3不同時為氫原子. •以係代表氫原子，碳數卜8之直鍵狀、支鍵狀或環狀的’ 烧基、卡基、石夕烧基、鱗基、醯基、苯甲醯基或磺醯基； 1、m和n係代表1以上的整數。在更佳實施形態中，在 將上述卜m和合作為1〇〇m〇u時，丨為5〜3〇m〇i%， .m 為 2〇〜80 mol%，並且 n 為 j〜7〇 m〇1%。 根據本發明的另—實施態樣，係提供-種偏光元件。此 -偏光兀件係具有相位差薄膜和偏光片。此相位差薄膜係由 .在23Ϊ下利用波長55〇⑽之光所測量之光彈性係數的 對值〇πν_5〇χ1〇-,2以下之高分子薄膜的延伸薄膜所構 312XP/發明說明書(補件V95掃4146485 9 成，其滿足下式（1)和（2):

Re[450] < Re[550] < Re[650] ...(1)

Rth[550] < Re[550] ...(2) 式中，Re[450]、Re[550]和Re[650]係在23°C下利用波長 450 nm、550 nm和650 nm之光所分別測量之面内相位差 值，Rth[550 ]係在23。(：下利用波長550 nm之光所測量之 居度方向的相位差值。 在較佳實施形態中，上述相位差薄膜和上述偏光片被直 接層合。亦或，上述相位差薄膜和上述偏光片透過黏著層 而層合。 在較佳貫施形態中，在上述相位差薄膜和上述偏光片之 間更具有保護層。 根據本發明的另一實施態樣，係提供一種液晶面板。此 液晶面板係具備具有相位差薄膜和偏光片之偏光元件與 液晶單元。偏光元件的該相位差薄膜係由在23〇c下利用 波長550 nm之光所測量之光彈性係數的絕對值（^/…為 50x1 〇 12以下之高分子薄膜的延伸薄膜所構成，其滿足下 式（1)和（2):

Re[450] < Re[550] < Re[650] ...(1)

Rth[550] < Re[550] ...(2) 式中，Re[450]、Re[550]和Re[ 650]係在23°C下利用波長 450 nm、550 nm和650 nm之光所分別測量之面内相位差 值，Rth[550]係在23〇C下利用波長55〇 nm之光所測量之 厚度方向的相位差值。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 10 ^^1251 元實施形態中，上述偏光元件被配置在上述液晶單 兩側。貝彳’亦& ’上述偏光元件被配置在上述液晶單元的 佳實施形態中’上述液晶單元之驅動模式係選自 ^式、VA模式、IPS模式、均勻型㈣模式、 和HAN模式之群中。 ' 根據本發明的另—實施態樣，提供—種液晶顯示裝置。 ^液晶顯不裝置係上述液晶面板。 根據本發明，則可實際獲得光彈性係數小，且滿足下式 =)和（2)的相位差薄膜。其結果係可得到具有優異顯示特 ㈣液晶顯示裝置，且可防止採用傳統相位差薄膜時成為 問題之液晶顯不裝置的晝面顯示不均。迄今尚未獲得光彈 性係數的絕對值小’且滿足下式⑴和⑺的相位差薄膜。 反之，若根據本發明，則將具有既定收縮率的收縮性薄膜 貼附到以特定結構的聚乙烯縮醛為主要成分之 、 膜的兩側，並透過加熱延伸，而可實際獲得光彈性係數的 絕對值小，且具有所期望之光學特性的相位差薄膜。上述 高分子薄膜係具有優異的成形加工性、延伸性和相位差值 的穩定性。又，因延伸配向性優異’故相較於傳統薄膜， 以相對極小的厚度，而可達成所期望之相位差值（例如， A / 2或又/ 4的相位差值）。

Re[450] < Re[ 550 ]〈 Re[650] .·.⑴

Rth[ 550 ] < Re[550] ... (2) 其中，Re[450]、Re[ 550]和Re[650]係在231下利用波長 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 11 1321251 450 nm、550 nm和650 nm之光所分別測量之面内相位差 -值’ [550]係在23°C下利用波長550 nm之光所測量之 厚度方向的相位差值。 【實施方式】 、A.相位差薄膜 • _ A — 1.相位差薄膜的概述 本發明之相位差薄膜係由在23下利用波長55〇 nm之 光所測量之光彈性係數的絕對值（m2/N)為5〇χ1 〇-”以下之 籲咼分子薄膜的延伸薄膜所構成’其滿足下式（丨）和（2 ): Re[450] < Re[550] < Re[650] ...(1)

Rth[550] < Re[550] ...(2) 式中，Re[450]、Re[550]和[ 650 ]係在23°C下利用波長 450 nm、550 nm和650 nm之光所分別測量之面内相位差 值，Rth[ 550]係在23°C下利用波長550 nm之光所測量之 厚度方向的相位差值。 • 本發明之相位差薄膜係以配置在液晶單元的至少一側 上為其代表。其結果係可減少從液晶顯示裝置斜向的漏 光，可增加斜向對比度，且可縮小斜向色移。又，可被用 作波長板，例如，對於光波長（通常為可見光區域），面内 相位差值為大約1 /4的λ /4板或面内相位差值為大約j /2 的又/2板。但本發明的相位差薄膜不限於這些用途。 -一上述相位差薄膜的厚度可根據目的來適當選擇。在其一 -貫施形態'中，上述相位差薄膜的厚度最好為 20/zm 200#m’更佳為3〇"m〜180^。在被用作又/4板 12 312XJV 發明說明書(補件)/95·〇6/94146485 丄JZiZJ丄 的况下，上述相位差薄膜的厚度最好為140以m， -·特佳為6〇/^12〇"„1。在被用作λ/2板的情況下，上述 '相位差薄膜的厚度最好為130 Am〜230㈣，特佳為 150//m〜210//π^若在上述範圍，則能獲得具有優異的機 械強度或光學均勻性，且滿足下述A — 2部分所述的光學 -.特性的相位差薄膜。 A—2.相位差薄膜的光學特性 在本案說明書中，Re[550 ]係指在2yc下利用波長55〇 mn之光所測量之面内相位差值。Re[55〇]能夠透過式 Re[550]— (nx—ny)xci(其中，ηχ和ny分別代表在55〇⑽ 的波長下之相位差薄膜的慢軸方向和快軸方向的折射 率，d(nm)代表相位差薄膜的厚度）而求得。另外，慢軸係 指最大面内折射率的方向，快軸係指在面内之垂直於慢軸 .的方向。又，Re[450]和Re[ 650 ]分別代表在23。〇下利用 波長450 nm和650 nm之光所測量之面内相位差值。 φ 本發明之相位差薄膜的Re [ 550 ]係於一個實施形態中， 以20nm 400nm為佳，更佳為8〇nm〜35〇nm。在被用作几/4 板的情況下，Re[550 ]以i〇〇nm~180nm為佳，更佳為 llOnm〜170nm，特佳為，最佳為 220nm〜300nm為佳，更佳為23〇nm〜290nm，特佳為 -240nm〜28〇nm，最佳為250nm〜270mn。若上述Re[550]處於 *上述範圍内，則可增加液晶顯示裝置的斜向對比度。可透 過在延伸所使用之高分子薄膜時的延伸倍率或延伸溫度 3】2XP/發明說明書(補件)/9孓〇6/94146485 13 1321251 而控制上述Re[ 550]。 ' 通常，光學元件（或相位差薄膜）的相位差值可根據波長 而變化。將此稱作相位差薄膜的波長分散特性。本發明之 相位差溥膜係顯示波長越短而相位差值越小的特性（也稱 、為逆波長分散特性），並滿足式：Re[45〇]〈 Re[55〇] < .Re [ 650 ]。在本案說明書中，上述波長分散特性係可求自 於在23 C下利用波長450 nm和550 nm之光所測量之面 内相位差值之比：Re[45〇]/Re[55()]。 本發明的相位差薄膜的Re[45〇]/ Re[55〇]小於i。最好 $ 〇‘70〜〇‘99，更佳為0.76〜0 92，特佳為〇 8〇〜〇 88， 最佳為0.82〜0.86。上述Re[450]/Re[55〇]若處於上述範 圍，則在可見光之寬廣區域，相位差值為一定，故於使用 在液晶顯示裝置時，對漏光之光線不亦生成波長之偏差， 可進步細小液晶顯示裝置的斜向色移量^特別是在使用 於液晶顯不裝置B寺，在纟色區域内的漏光變小，而可防止 #顯示影像帶有藍色之現象。上述Re[45〇]/ Re[55〇]係可 透過例如後述樹脂的取代基種類或結構單元的莫耳比來 進仃调整。本發明的相位差薄膜的Re[55〇]/Re[65〇]亦小 於1。最好為0· 76〜0. 99，更佳為〇 80〜0 98，特佳為 〇.84〜0.97，最佳為〇.92〜〇.95。若1^[550 ]/1^[65〇]處 •二述範圍内’則可以在可見光之寬廣區域，相位差值為 疋，故於使用在液晶顯示裝置時，對漏光之光線不亦生 ·=波長之偏差’可進一步縮小液晶顯示裝置的斜向色移 里。特別是在使用於液晶顯示裳置時，在藍色區域内的漏 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 光又]而可防止顯示影像帶有紅色之現象。上述

Re[550]/ Re[65()]係亦可透過例如後述樹脂的取代基種 類或結構單元的莫耳比來進行調整。 土 nm 在本案說明書令，_ 55〇 ]係指在饥下利用波長55〇 ，1之先所測量之厚度方向的相位差值。_550]能夠透 .過式· Rth[55G]=(nx-nz)xd而求得，其中，ηχ和⑽分 別代表在550 nm波長下相位差薄膜的慢軸方向和厚度方 向的，射率’ d(nm)代表相位差薄膜的厚度。另外，慢軸 係指最大面内折射率的方向。 本勒明中要使用的相位差薄臈的咖[550]係滿足式： Rth[550] < Re[550]。透過設定在此範圍，而可適〜定 斜向相位差值，故可增大液晶顯示裂置的斜向對比I。上 述Rth[550]係根據相位差薄膜的&係數（後述）來選擇適 當範圍。在-實施形態中，Rth[55〇]最好為1〇nm〜2〇〇nm， 更佳為40 nm〜175 nm。在另一實施形態中，批[55〇]最 2 5，1〇°⑽，更佳為20，90 nm。在其他實施形 也中，Rth[550]最好為15 nm〜3〇〇 nm，更佳為6〇 ⑽。例如，在本發明的相位差薄膜被用作Nz係數為〇 5 的"4板的情況下，_5〇]最好為5〇 .9〇⑽，更 佳為55nm〜85nm，特佳為最佳為65nm〜75 ⑽。例如，在本發明的相位差薄膜被用作NZ係數為〇 5 的又/2板的情況下，Rth[55〇]最好為n〇nm〜i5〇nm.， 更佳為115 nm〜145 nm，特佳為12〇 ηπΜ4〇⑽，最佳為 125 nm〜135 nm。上述Rth[55〇]係可以透過以下方式進行 3 ΠΧΡ/發明說明書(補件)/95-〇6/94146485 15 丄丄 技制.在延伸所使用的高分子薄膜時，適當地調節延伸倍 '率或延伸溫度；或於後述收縮性薄膜所使用之情形下，適 當調節該收縮薄膜的收縮率。 本發明的相位差薄膜的以^“^/以“”叫小於^以 ‘ 〇· 70〜0. 99 為佳，更佳為 0. 76~0. 92，特佳為 〇· 8〇~〇 88， -最佳為0· 82〜0. 86。當上述Rth[450 ]/Rth[ 550 ]處於上述 範圍内，則在可見光之寬廣區域，相位差值為一定，故於 春使用在液晶顯示裝置時，對漏光之光線不亦生成波長之偏 差’可進一步縮小液晶顯示裝置的斜向色移量。特別是在 使用於液晶顯示裝置時’在藍色區域内的漏光變小，而可 防止顯示影像帶有藍色之現象。本發明的相位差薄膜的 只1：11[ 550]/1^11[ 650 ]也小於1。最好為〇.76〜0.99，更佳為 0. 80〜0· 98，特佳為〇· 84〜0. 97，最佳為〇. 92〜0. 95。若上 •述Rth[550]/ Rth[650]處於上述範圍内，則可以在可見 光之寬廣區域’相位差值為一定’故於使用在液晶顯示裝 鲁置日^ ’對漏光之光線不亦生成波長之偏差，可進一步縮小 液晶顯示裝置的斜向色移量。特別是在使用於液晶顯示裝 置時’在藍色區域内的漏光變小，而可防止顯示影像帶有 紅色之現象。

Re[550 ]和Rth[550]係可以使用分光橢圓偏光計「μ — 220」（曰本分光（股）製）來測量。折射率nx、ny和nz能 夠透過以下方式來測量：使用在23°C下波長550nm之面 内相位差值（Re )、將慢轴傾斜40度作為傾斜轴而所測量 的相位差值（R40)、光學元件（或相位差薄膜）的厚度（d) 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 16 1321251 及光學元件（或相位差薄膜）的平均折射率（n〇)，並藉由恭 腦數值計算從下式（iMiii)加以求得，然後，可從下式 (iv)計算出Rth。於此’（/>和ny’分別用下式（v)和（vi) 來表示。 • . .(ii) (iii) (iv)

Re = (nx— ny)xd R40=(nx—ny’ ）xd/cos(0)

(nx+ny+nz)/3=n0 Rth = (nx — nz)xd Φ = sin_1[sin(40°)/n0 ] ny’ =nyxnz [ny2xsin2( 0 ) + nz2xcos2( 0 )]1/2 在本案說明書中’ Rth [ 550 ]/Re [550 ]係指在23〇c下使 用波長550 nm的光所測量的厚度方向的相位差值和面内 相位差值之比（也稱作Nz係數）。 ' 如上所述’本發明的相位差薄膜係因滿足式：Rth[55(n < Re [ 550 ]，故其Nz係數小於1。本發明之相位差薄膜的 鲁Nz係數係以大於〇且小於】為佳。亦即，本發明的相位 差薄膜係以滿足式：〇 nm < Rth[55〇] < Re[55〇]為佳。 本發明之相位差薄膜的Nz係數係以〇· 2〜〇. 8更佳，特佳 為0.3〜0.7’最佳為〇.4〜0.6。藉由使心係數處於上述範 •圍内，而可以對斜向相位差值進行適當調整（例如，減少 •相位差值的角度依賴性），增加液晶顯示裝置的斜向對比 度0 士述相位差薄膜在23°C下使用波長550 nm之光所測量 的穿透率係以m以上為佳，更佳為85%以上，特佳為· 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 17 丄J厶丄丄 以上。 t，相位差薄膜在23〇c下使用波長550 nm之光所測量 之^彈性係數的絕對值：C[ 550](m2/N)係以50xl0_12以下 為仏可防止透過偏光片的收縮應力或液晶面板的背光的 ，所導致之發生在相位差薄膜之相位差值的偏移或不 句其、纟。果係可得到具有良好顯示均勻性的液晶顯示裝 =。上述相位差薄膜的C[550]係以ΐχΐ〇-12至40xl0-i2為 j，特佳為 3xl〇H2 至 30xl(T12,最佳為 5χ1(Γ12 至 25xl0·12。 藉由使C[ 550]處於上述範圍，則可獲得預期的相位差值， 且減少發生在相位差薄膜之相位差值的偏移或不均。 A—3.用於相位差薄膜的高分子薄膜 以熱可塑性樹脂為主要成分之高分子薄膜的延伸薄膜 被=作本發明的相位差薄膜。又’在本案說明書中，「延 伸薄膜」係指在適當溫度下對未延伸薄膜施加張力，或對 預先延伸過的膜施加張力，以增強在特定方 向的塑膠薄膜。 上述熱可塑性樹脂沒有特別限制，可以使用具有優異之 透明性、延伸性、配向性、機械強度和水分遮蔽性者。例 如，可列舉有：it用塑膠’例如聚乙烯、聚丙_、聚㈣ 烯、聚氯乙烯、纖維素酯、聚苯乙烯、ABS樹脂、As樹脂、 聚甲基丙烯酸曱酯、聚醋酸乙烯酯和聚偏二氣乙烯等；通 用工程塑膠，例如聚醯胺、聚縮醛、聚乙烯基縮醛、聚碳 酸酯、改質聚苯醚、聚對苯二曱酸丁二酯、聚對苯二甲酸 乙二酯等；及超級工程塑膠，例如聚苯硫醚、聚碾、聚醚 3】2X1V發明說明書(補件)/95-06/94】46485 18 丄 W1251 砜、聚醚醚酮、多芳酯、液晶聚合物、聚醯胺醯亞胺、聚 ’ 亞胺、聚四敦乙烯等。上述熱可塑性樹脂可以單獨使用 '或組合使用。又，上述熱可塑性樹脂係可在進行適當的聚 合物改質後使用。上述聚合物改質的例子包括共聚、交 ‘聯、分子末端、立體規則性等的改質。 "以上述熱可塑性樹脂為主.要成分之高分子薄膜的玻璃 轉移，皿度（Tg)最好為9〇。〇〜185°C，更佳為90eC〜150°C， 特佳為l〇(TC〜14(rc，最佳為U(rc〜13(rc。上述玻璃轉 移溫度（Tg)可以透過JIS κ 7121 ( : 1 987)的脱方法來 求得。 以上述熱可塑性樹脂為主要成分 田 * — >叫叫刀丁碍朕的口及水 =取好為G.G1%〜5%，更佳為Q Q5%〜4%，特佳為 ::圭：0.2%〜2%。若處於上述範圍，則可得到具有良好的 值穩定性的相位差薄膜。另外，上述相位差薄膜的 f水率可以透過川K湖（：漏）的方法來求得。又’ 述相位差薄膜的吸水率係可透過本發明中所使用之樹 類或經基之有無(或保留量)來適 乍為U以上述熱可塑性樹脂為主要成 二的方法，係可使用任何的適切成形加工法。例如，可專 形法、轉換成形法、射出成形法、擠出法、吹塑法、 如末成形法、FRP成形法及溶劑澆鑄法（SQlv + 等而選擇適杂去。盆士 "J"°^^(S〇lvent casting) Λ能夠得至丨：〃，特佳為擠出法或溶劑澆鑄法。因 高’且具有良好光學均勻性(例如，相 在面内及厚度方向均為均一之薄膜)的相位差薄 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95·94丨侧5 19 :;'r上述播出法係將含有作為主要成分的朽 月曰、可塑劑、添加劑等的樹脂組 :对 使用丁模具等，將其以薄膜狀擠出於洗轉㈣透過 稱支撐體）的表面上，並使冷卻以 ^土才(也 ‘地說’上述溶嶋法係將含有作為主要：=。具體 -塑劑、添加劑等的樹月成物、—$/，要成刀的树脂、可 _予以消 帶、轉鼓表面或高分子薄膜(例如，PET膜)等二:秀鋼， 支樓體）表面上，使溶劑蒸發以製造薄臈的方^。 ％ 用，高分子薄膜的條件係可根據樹脂的組成或種 、成㈣W適當料擇。在採料m 具有良好光學均句性之高分子薄膜的成形條件， =溫2為17代〜戰，捲_(冷卻鼓）溫度為阶 ，且以從向溫緩慢冷卻為佳。在溶劑洗禱 溶劑係例如有甲苯、乙酸乙醋、二氣甲燒、四氣=用= 曱亞砜、N，N-二曱基乙醯胺、N，N—二曱基甲醯胺、Μ』 -甲基。比咯咬g同、環戊酉同、環己_和甲基異丁基綱。上述 溶劑的乾燥溫度係以5(rc〜18(rc為佳，更佳為8rc〜i5〇 C，且最好從低溫緩慢升溫地乾燥。 一上述以熱可塑性樹脂為主要成分之高分子薄膜係可進 一步含有任何合適的添加劑。添加劑的具體例係有可塑 劑、熱穩定劑、光穩定劑、潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸 收劑、難燃劑、著色劑、抗靜電劑、相溶劑、交聯劑、增 黏劑和相位差調整劑等。所使用的添加劑種類和數量係可 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 20 1321251 :據目的而適當地設定。例如，將高分子薄 為⑽’上述添加劑之含量係…(重量比二 里;二為佳’更佳為0.05(重量比)〜8(重量比) 0. U重量比）〜5(重量比）。 。 為本發明的相位差薄膜是以含有由下式⑴所示化 ‘·:、:構之雜㈣樹脂為主要成分之高分子薄膜的延伸 =膜。上述聚縮I系樹脂係可透過例如在主鏈或側鍵上且 ^基之高分子樹脂和酸的縮合反應（亦稱縮酸化）而獲、 2。另外，在本案說明書中，使用與搭相同之幾基化合物 的酮，經過縮盤化所獲得的反應產物（亦稱縮嗣）亦包含在 上逑聚縮I系樹脂。由下式⑴所示化學結構係衍生自酸

在式（I)中.R1代表氫原子或碳數U之直鏈狀、支鏈 =或環狀的烧基、取代或非取代的苯基、取代或非取代的 奈基、取代或非取代的蒽基或取代或非取代的菲基。R2、 R3和R4係各自獨立，代表氫原子、碳數】〜4之直鏈狀、 支鏈狀或環狀的烷基、碳數丨〜4之直鏈或支鏈的烷氧基、 鹵原子、碳數1〜4的鹵化烷基、硝基、胺基、羥基、氰基 或硫醇基。又，R2和R3不同時為氫原子。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 21 在式（υ中，取代基R2、⑸和R4係用於控制該取代基 斤、建、”。之表環的立體構形（c〇nf 〇rmati〇nai )。更具體地 2推_在延伸以含有由式（I)所示之化學結構的聚乙 稀基駿系树脂為主要成分的高分子薄膜時，由於立 祕，而使該取代基可輕易構形在式⑴中之兩個氧原子之 二將上述苯環的平面結構配向成對連接該兩 個氧原子的虛擬線為約略垂直。本發明之相位差薄 系可能是透過配向在約略垂直於連接該兩個 =子之虛擬線的方向上之苯環的波長分散特性，盘主鍵 …構的波長分散特性間之相互作用而獲得。 上述式（I)中的m、R2、只3和R4係可以各自 曰 到上述聚縮i系樹月旨時，使與高分子薄膜的主鏈或側鏈1 (典型為笨甲'類)或酮(典型為苯乙鲷或 基的種類而適當選擇。取代氯原子 用鉍，在導入氫原子之外的取代基時，可以 了了乂 2—7=具體2例有:2—甲基苯甲酸、2'氯苯曱酸、 二：；乙氧基苯甲酸、2-(…基)苯曱 ^ 本醛、2,4—一說基苯甲醛、24—二石兰 基本曱醛鈉、鄰磺基苯甲醛二鈉、對二 ，一兴 -二甲基苯甲醛、2, 6—二氯苯甲醛、2 6二本甲醛、2’6 酸、2, 4’6-三甲基苯甲酸（米酸）、2 &卜—甲氧基苯甲 ':2,4,6-三氯苯甲駿等。苯乙_的具體；乙有基' 基本乙闕、2—胺基笨乙酮、2'氣笨乙 酮、2—羥基笨乙酮、2 4_ — 硝基本乙 甲基本乙酮、4、苯氧基— 312XP/發明說明書(補件)/95·06/94】46485 22 2, 2 —氯笨乙酮、2 —溴_ 4,一氯笨乙酮等。-笑其 的你丨早4 』寸一本基酮頰 , 匕括.2—曱基二苯基酮、2—胺基二笨基酮、2〜 『二j笨基_、4—硝基二苯基g同、2,4,—二氣二苯基_、 二—二羥基二苯基酮、4, 4，一二氣二苯基酮、4,4,一二 ‘經基二苯基S同、2 一羥基一4—曱氧基二苯基酮、2_氣〜 、氣二笨基酮等。其他還有：丨―萘醛、具有取代基 兹――奈醛、9—蒽醛' 具有取代基的9—蒽醛、萘乙酮、 > ^ 9醛、2,4,7—三硝基第_9—酮等。又，上述醛或 鋼係可以單獨使用或組合使用。x，上述駿或酮可以經過 適當的改質而使用。 上述式（I)中的R1係以氫原子或甲基為佳，更佳為氫原 子。上述式（I)中的R2和R3係以分別代表曱基、乙基、 鹵原子或鹵化烷基為佳，更佳為甲基。上述式（1)中的以 二乂虱原子、甲基、乙基、鹵原子或鹵化烧基為佳，更佳 為甲基^透過導入該等取代基，而可獲得具有優異光學特 性的相位差薄膜。 更佳的是本發明之相位差薄膜係以含有由下式（丨丨）所 不之化學結構的聚乙烯基縮醛系樹脂為主要成分之高分 子薄膜的延伸薄膜。該聚乙烯基縮醛系樹脂係例如可透過 聚乙烯醇系樹脂和醛或酮的縮合反應（也稱作縮醛化）而 獲得。藉由適當地延伸以含有由下式（π)所示之化學結構 的聚乙烯基縮醛系樹脂為主要成分的高分子薄膜，而可得 到顯示出逆波長分散特性，且具有優異的成形加工性、延 伸性的相位差薄膜。 312XP/發明說明書(補件)/95·06/94丨46485 23 1^21251

'在式（ίΙ)中：R1代表氫原子、碳數1〜8的直鏈狀、支 、鏈狀或環狀的烷基、取代或非取代的苯基、取代或非取代 的萘基、取代或非取代的蒽基、取代或非取代的菲基。R2、 R3和R4各自獨立地代表氫原子、碳數卜4的直鏈狀、支 •鏈狀或環狀的烷基、碳數1〜4的直鏈或支鏈的烷氧基、鹵 原子、碳數卜4的鹵化烷基、硝基、胺基、羥基、氰基或 硫醇基，而R2和R3不同時為氫原子。！代表！以上的整 數。 上述縮醛化係包含例如在強無機酸觸媒或強有機酸觸 媒的存在下，使聚乙烯醇系樹脂和駿或酮之間進行反應。 酸觸媒的具體例包括：鹽酸、硫酸、磷酸和對曱苯磺酸等。 籲縮醛化的反應溫度通常係高於〇。〇且於所使用之溶劑的沸 點以下，以lot：〜100〇c為佳，更佳為2(rc〜8(rc^若為上 述反應溫度，則能以高產率得到聚乙烯醇縮醛系樹脂。在 縮醛化中所使用之溶劑的具體例子包括：醇，例如曱醇、 _乙醇、丙醇和丁醇等；環式醚，例如4_二。号烷；非質子 性浴劑，例如N，N —二曱基曱醯胺、N —曱基吡咯啶酮和 '二曱基亞砜等。該等溶劑可以單獨使用或組合使用。又， ，可以將水和上述溶劑混合使用。 用作為上述聚乙烯基縮醛系樹脂之原料的聚乙烯醇系 3ΐ2χρ/發明說明書(補件)/95·06/94〗46485 24 1321251 樹脂係例如藉由將使乙烯酯系單體聚合所得之乙烯酯系 --聚合物皂化’把乙烯酯單元當成乙烯醇單元而獲得。上述 乙烯醋系單體的例子包括曱酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸 乙烯自旨、戊酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、安 ·-息香酸乙烯酯、新戊酸乙烯酯、柯赫酸乙烯酯（vinyl .versatate)等。其中，以醋酸乙烯酯為佳。 可以採用適當的平均聚合度作為被用作上述聚乙烯基 縮醛系樹脂之原材料的聚乙烯醇系樹脂的平均聚合度。平 籲均聚合度係以800〜3600為佳，更佳為1〇〇〇〜32〇〇，最佳 為1 5 0 0〜3 0 0 0。另外，聚乙稀醇系樹脂的平均聚合度係可 根據JIS K 6726( : 1994)的方法來測量。 要用於本發明之相位差薄膜的聚乙烯基縮醛系樹脂的 .縮醛化度係以4〇 m〇l%〜99 mol%為佳，更佳為5〇 m〇1%〜95 mol%，最佳為60 mol%〜90 mol%。藉由處於上述範圍，則 可取得具有優異的光學特性、成形加工性、延伸性和相位 暴差值之穩定性的相位差薄膜。 上述縮醛化度係指在透過縮醛化而可變換成縮醛單元 的乙烯醇單元中，實際上被縮醛化之乙烯醇單元的比率。 另外，聚乙烯醇系樹脂的縮醛化度可以從核磁共振光譜 (1Η — N M R )來測量。 特佳為本發明的相位差薄膜係以由下式（丨丨丨）所示之化 學結構的聚乙烯基縮I系樹脂為主要《分之高分子薄膜 '的延伸薄膜。該聚乙烯基縮醛系樹脂係可例如使用聚乙烯 醇系樹脂和兩種以上酸、兩種以上酌、或至少一種酸和至 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/94丨46485 1321251 少一種g同’透過縮合反應（也稱作縮醛化）而獲得。藉由適 當地延伸以含有由下式（111)所示之化學結構的聚乙烯基 縮醛系樹脂為主要成分的高分子薄膜，而可得到顯示出逆 波長刀政特性，且具有優異的成形加工性、延伸性和相位 .差值的穩定性的相位差薄膜。此外，此類薄膜係因延伸配 -向性亦優異，故可減少相位差薄膜的厚度。

在式（ΠΙ)中：R1、R5和R6各自獨立地代表氫原子、碳 數1〜8的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、取代或非取代的 苯基、取代或非取代的萘基、取代或非取代的慧基、取代 .或非取代的菲基。R2、R3和R4各自獨立地代表氫原子' 碳數1〜4的直鏈狀' 支鏈狀或環狀的烷基、碳數丨〜4的直 籲鏈或支鏈的烷氧基、鹵原子、碳數j〜4的鹵化烷基、硝基、 胺基、羥基、氰基或硫醇基。而R2和R3不同時為氫原子。 R7代表氫原子、碳數丨〜8的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷 基、苄基、矽烷基、磷酸基、醯基、苯曱醯基或磺醯基。 1、in和π各自代表1以上的整數。 在上述式（III)中，取代基“和R6係用於精細地控制 -將以含有由上述式（1II)所示之化學結構的聚縮醛系樹脂 ..為主要成分之高分子薄膜予以延伸而得之相位差薄膜的 波長分散特性。更具體地說，導入取代基R5和R6，從而 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 26 t延伸該高分子薄料，㈣取代基 為約略平行。本發明的如△ P ㈣料伸方向 ^gp, .相位差溥膜的波長分散特性係可透 連接上述兩 代美㈣6^放特性、主鏈結構的波長分散特性、取 .i=其分散特性之間的相互作用而獲得。 ’膜成 广朽和R6 ’從而可進-步提升該高分子薄 性Y / 〇工性、延伸性、相位差值的穩定性和延伸配向 系=和以各自根據例如於取得上述聚乙綱 笨二二 乙烯醇系樹脂之經基反應之酸(典型為 笨甲路）或酮（业别為贫 ! ^ 酮或二本基酮）的種類而適當地 k擇。鉍和酮的具體例子與上述相同。 上述R5係以氫原子或甲基為佳，更佳為氫原子。上述 U曱基或乙基為佳’更佳為乙基。透過導入這樣的 取代基，，則可得到具有優異的成形加工性、延伸性、相位 差值的穩定性和延伸配向性的相位差薄膜。 在山上述式（111)中，取代基R7係用於保護殘留的幾基 (封端處理(end cap treatment))，從而將吸水率調節到 適當值’並且增大樹脂在溶劑中的溶解度、成形加工性和 相位差值的穩定性。因此，根據所獲得的相位差薄膜的吸 水率或光子特性以及本發明之相位差薄膜所使用的用 途，可以不對該位置進行封端處理（亦即，R7可保持為气 原子）。 上述R7係例如在得到殘留羥基的聚乙烯基縮醛系樹脂 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 27 1321251 後，可與羥基反應形成取代基（即，可進行封端處理）的任 '何合適的基（典型為保護基）。上述保護基的具體例子包 •括：苄基、4一甲氧基苯甲基、曱氧基甲基、三曱基矽烷 基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙醯基、苯 甲醯基、曱磺醯基、雙—4—硝基苯基亞磷酸酯等。根據 ..與搜基反應的取代基種類，可以使用任何合適的反應條件 來作為封端處理之反應條件。例如，烷基化、苄基化、矽 烷基化、磷酸化和磺醯化等反應係可在4(N，N—二甲基胺 •基):比咬等觸媒的存在下，將具有殘留經基的聚乙稀基縮 醛系樹脂和目標取代基的氣化物在25〇c 〜1〇(rc下攪拌i 小時到20小時而進行。上述R7係以三甲基矽烷基、三乙 基矽烷基或第三丁基二甲基矽烷基為佳。使用這樣的取代 基，從而可得到即使在高溫多濕等環境中，亦可具有高度 透明性、優異相位差值之穩定性的相位差薄膜。 在上述式（III)中，1、m和n之比例可根據取代基的種 籲類和目的而適當地選擇。在將i、m和n的合計當作 100(mol%)時，係以丨為 5〜3〇(m〇1%)、m 為 2〇 8〇(m〇i%)、 η為卜70(m〇U)為佳。特佳係丨為1〇〜28(m〇1%)、m為 30〜75(mol%)、n 為卜5〇(m〇1%)。最佳係丨為 15〜25(m〇l%)、 .111為40〜70(恥1%)、11為1〇〜40(m〇1%)。藉由使處於上述範 圍，則可獲得顯示出逆波長分散特性，且具有特別優異的 成形加工性、延伸性、相位差值的穩定性和延伸配向性的 -相位差薄膜。 A—4.相位差薄膜的製造方法 3】2XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 28 "目位差薄膜能夠透過如τ方式獲得:將收缩性 ㈣附著到以熱可塑性樹脂為主要成分之高分子薄膜的 :側，然後使㈣式延伸機透過縱向單料伸法 Γ該收縮性薄㈣、詩在加熱延料，於與延伸方向、垂 的方向上鍉供收縮力，以提高厚度方向的折射率㈤。 2將收縮性薄膜附著到上述高分子薄膜兩側的方法，並 又特別限制，但k優異的操作性和經濟效率的角度考 慮’係以在上述高分子薄膜和上述收縮性薄膜之間，又設置 以丙烯I系聚合物作為基底聚合物的丙稀酸系黏著劑層 而黏接的方法。 麥考圖1描述本發明之相位差薄膜的製造方法例。圖1 _示本發明之相位差薄膜之典型製造步驟概念的示意 圖。高分子薄膜3G2係從第一傳送部3Q1傳送，透過層合 •輥307和308，使具備黏著劑層的收縮性薄膜如4和= f別附著到該高分子薄膜兩側。其—收縮性薄膜3〇4係從 鲁第二傳送部303傳送，而另一收縮性薄膜3〇6係從第三傳 送部305傳送。兩側附著有收縮性薄膜的高分子薄膜係透 過溫度控制手段309來保持恒溫，同時透過不同速度比的 輕310、311、312和313來賦予薄膜長邊方向的張力（同 .時透過收縮十生薄膜收縮，而亦在該高分子薄膜之厚度方向 給予張力），並供以延伸處理。在延伸處理後，具備黏著 *劑層之收縮性薄膜3〇4和306係在第一捲繞部314和第二 :捲繞部316處被捲繞起來，本發明之相位差薄膜318則於 第三捲繞部31 9被捲起。 312XP/發明說明書(補件)/95·06/94146485 29 4丄/;)丄 、上述收縮，薄膜係在14 0。。下之薄膜長邊方向的收縮 ::()最好為2. 7%〜9. 4%，寬度方向的收縮率：s(TD) 最好為4. 6%〜15. 8%。又，上述收縮性薄膜係寬度方向之 收縮率和。長邊方向之收縮率的差：mm) —s⑽最 為：9· 6/。若在上述範圍内，則能夠得到具有優異 光车句勻丨生，且滿足上述A — 1部份所載之光學特性的 相位差值。 上述收縮率S(MD)和s(TD)可根據JIS Z 1712( : 1997) =力…、收縮率A法來求得（不同的是：力口熱溫度從丄2 〇。匚 又為140 C，對s式驗片施加3 g負荷）。具體地說，分別 t縱（MD)、橫（TD)方向上各取寬2〇襲、長15〇 _的試 片並於各自中央部處以相隔大約1 〇 〇 mm的距離 L力‘》己，以製作試驗片。該試驗片係以施加3 g負荷之 狀〜、垂直懸掛在保持為14(TC ±3〇C之空氣循環式乾燥爐 ^ ^加熱15分鐘後，取出，在標準狀態（室溫）下靜置30 分鐘，隨後使用在JIS β 7507所規定之卡尺，測量標記 間=離，從而得到五個測量值的平均值，由S(%)=[(加 熱:之標記間距離（mm)—加熱後之標記間距離（mm) v加 熱剛之標記間距離（mm)]xl〇〇來計算。 上述收縮性薄膜係以雙軸延伸薄膜或單軸延伸薄膜等 延伸薄膜為佳。上述收縮性薄膜係例如可在同步雙軸延伸 機等以既疋倍率在縱及/或橫方向上對藉由擠出法而片 狀形成之未延伸薄膜進行延伸而獲得。另外，成形或延伸 條件係可根據所使用樹脂之組成、種類或目的而適當地選 3】2XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 30 1521251 擇。 —形成上述收縮性薄膜之材料係有聚酯、聚笨乙烯、聚乙 烯、聚丙烯、聚氣乙烯和聚偏二氯乙稀等。其中’從優異 的機械強度、熱穩定性、表面均勾性等角度來看，本^明 、所使用之收縮性薄膜係以使用雙軸延伸聚丙烯薄膜為^。 ·- 一又，只要能夠滿足本發明之目的，亦可適當選擇使用於 :般包裝用、食品包裝用、托板(pallet)包裝用、收縮標 織 '、帽形密封用和電絕緣用之用途所用的市售收縮性； 膜4等市f收縮性薄膜係可直接使用，亦可在施以延伸 處理或收縮處理等之2次加工後使用。市售收縮性薄膜的 具體例包括：王子製紙（股）製之商品名「ALPHAN系列」、 GUnze(股）製之商品名「ρΑΝατ〇ρ系列」、東麗（股）製之 商品名「TORAYFAN系列」、SUN · T0X(股）製之商品名「· ix-op系列」及tohcello(股）之商品名「T0HCELL0 〇p 系列」等。 鲁在對以上述熱可塑性樹脂為主要成分之高分子薄膜和 收縮性薄膜的層合體進行加熱延伸時之溫度控制手段内 的溫度（也稱延伸溫度）係可根據目標相位差值、要使用的 高分子薄膜的種類或厚度而適當地選擇。延伸溫度係相對 .於上述高分子薄膜的玻璃轉移點（Tg)，以Tg+lt>c〜Tg +

30°c之範圍為佳。此係因為相位差值易成均勻，且薄膜不 -易結晶化（白濁）。更具體地說，上述延伸溫度係以9〇t： 170 C為佳，更佳為i〇〇°c〜16〇。〇，最佳為11〇。〇〜i5〇°c。 玻璃轉移溫度（Tg)係可根據jis K 7121 ( : 1 987)之DSC 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 31

手段並沒有特別限制，可列舉有：使敎* 後的空氣循環#溫爐；使用微波或遠二 姜、』，溫度調節用的加熱輥、熱管輥、金 周知之加熱方法或溫度控制方法。 專 充二在對以上述熱可塑性樹脂為主要成分之高分子薄膜 :收、祕薄膜的層合體進行延伸時之延伸倍率(延伸户率) 戶標相位差值、要使用的高分子薄膜的種類、厚 地選擇。上述延伸倍率係以1.1倍规為 :’更佳為1.2倍〜2.0倍。又’延伸時的傳送速度沒有 寺別，制，但考慮到延伸裝置的機械精度、穩定性等，以 卡/分鐘〜分鐘為佳’更佳為1米/分鐘〜2。米/ W。若為上述延伸條件，則能夠得到不僅滿足目標光學 特性，且具有優異光學均勻性之相位差薄膜。 Β.偏光元件 ' Β — 1.偏光元件的概述 圖2Α〜2C係顯示本發明之偏光元件之較佳實施形態的 概略。J面圖。另外’睛留意為了清楚起見，而圖Μ，中 之各構件的長、寬和厚度之比例與實際不$。該偏光元件 10係具備有偏光片1和相位差薄膜2。在實際應用中，此 偏光兀件可以在上述偏光片i外側(未設相位差薄膜2的 一侧）具有任何合適的保護層。圖2A係顯示偏光元件1〇 在偏光片1 一側上具有相位差薄膜2(不透過黏著層）的形 態。根據此類形態，該相位差薄膜也充當偏光片一側的保 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 32 1321251 護層，而有助於偏光元件的薄型化。此類形態的偏 _如利用毛細現象，在偏光片和相位差薄膜之間導 機令乂’ it過該溶劑使偏光片和相位差薄膜熔接而製作。 圖2B係顯示偏光元件1〇在偏光片工一側上透過黏著層3 :具有相位差薄膜2之形態。若為如此形·態，則該相位曰差 涛膜也充當偏光片-側的保護層’而有助於偏光元件 型化又，可狻件即便在高溫多濕環境中，偏光片和相位 差薄膜也難以剝離的偏光元件。目2C係顯示偏光元件1〇 透，黏著層3在偏光片！的—側上具有保護層4，且透 黏著層5在該保護層4的一側（與偏光片〗相對的一側）

具f相位差薄膜2之形態。若為如此形態，則可獲得即便 在…皿多濕環境中’偏光片和相位差薄膜也難以剝離的偏 光元且因該偏光片的收縮應力，而得到不易產生該相 位差溥膜之相位差值得之偏移或不均的偏光元件。另外， 本發明的偏光元件不限於上述實施形態，例如，在圖2A〜2C 所示的各構件之間可以配置其他構件。以下，詳細說明關 於本發明之偏光元件的構件。 B—2.偏光片 在本案說明書中’偏光片係指能夠將自然光或偏光轉換 成任意偏光的光學薄膜。可用任何合適的偏光片當作用於 本發明之偏光板的偏光片。以使用能夠將自然光或偏光轉 換成直線偏光的薄膜。 上述偏光#可以具有任何合適的厚度1光片厚度通常 以〜80/ζπι為其代表，以10“〜5〇“為佳更佳為 312XP/發明說明書(補件)/95·06/94146485 33 ^21251 2〇#計40# m。若在上述範圍，則光學特性和機械強度優 、 異 〇 '< ^述偏光片在23°C下所測量之波長440nm的穿透率（亦 稱單軸穿透率）係以41%以上為佳，更佳為43%以上。另 、外，單軸穿透率的理論上限值為5〇%。又，偏光度最 、99.8%〜100%’更佳為99息1〇〇%。若在上述範圍内，則 能夠進-步增大使用於液晶顯示裝置時之正面方向的對 比度。 •上述早軸穿透率和偏光度係可以使用分光光度計[村上 色彩技術研究所（股）製之商品名「D〇T—3」]來測量。上 述偏光度之具體測量方法係可透過：測量上述偏光月的平 仃穿透率(H。)和垂直穿透率(H9。)’使用式:偏光度⑻樣 -Η9〇/(Ηβ H9fl) } 求得。上述平行穿透率⑹係 “將兩個同樣的偏光片重疊成使其吸收軸平行而所譽造、 :::型層合偏光片的穿透率值。又’上述垂直穿透；(H9。) 镰係屯將兩個同樣的偏光片重疊成使其吸收軸垂直而所製 造之垂直型層積偏光片的穿透率值。另外，該等穿透^ 根據JISZ8701 — 1982的2度視野（C源），而進行 修正的Y值。 ^又 -上述偏光片係以由含有二色性物質之聚乙烯醇系樹脂 為主要成分之高分子薄膜的延伸薄膜。上述以聚乙烯醇曰系 —樹脂為主要成分之高分子薄膜係例如可藉由日本專利特’、 ..開2000 — 31 5144號公報的[實施例丨]所載方法而製造。 上述聚乙烯醇系樹脂係例如藉由將使乙烯酯系單體聚 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 34 1321251 合所得之乙烯錯系聚合物皂化’把乙烯酯單元當成乙歸醇 單元而狻得。上述乙烯酯系單體的例子包括曱酸乙烯酯、 -·乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、戊酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、 硬脂酸乙烯酯、安息香酸乙烯酯、新戊酸乙烯酯、柯赫酸 .乙烯酯等。其中’以醋酸乙烯酯為佳。 上述聚乙烯醇系樹脂可以採用任何合適的平均聚合 度。平均聚合度係以1200〜3600為佳，更佳為16〇〇 3°2〇〇 最佳為1800〜_。另外，聚乙稀醇系樹脂的平均聚合戶 可以根據JISK6U6(:1 994)的方法來測量。 又 從偏光片的而…生考慮’上述聚乙烯醇系樹脂的皁化度 係以90.0mol%〜99.9mol%為佳，更佳為95 〇· 99.9m〇l%，最佳為 98.0m〇1^99 9m〇i%。

上述皂化度係指顯示在透過I ^ ^ 、县化而可轉換成乙烯醇單 位之乙烯酉日早兀之中，貫際上 單亓的+銮S w 乇亿成乙烯私早位之乙烯酯 、 ，‘乙烯醇系樹脂的皂化产可栌赭η ς

K 6726( : 1 994)來求得。 ^化度可根據JIS 使用在上述偏光片之以帝 高分子薄膜传以含有夕-醇系樹脂為主要成分的 门刀于糸以3有多疋醇作為 係可例舉有乙二醇、甘油、丙 上述多接 四乙二醇、三經甲基丙貌等。3=；^、三乙二醇、 用。在本發明中，從延伸性、=:獨使用或組合使 看，以使用乙二醇或甘油為佳。、、穩定性等角度來 將聚乙烯醇系樹月旨中的全固护八 的用量係以1〜30(重量比）為7刀田乍100，上述多元醇 土，更佳為3〜25(重量比）， 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95·〇6/94】46485 丄丄 取佳為5~20(重量比）。若在上述範圍，則能夠進一步增 ' 強染色性或延伸性。 、 任何合適的二色性物質均可被用作上述二色性物質。其 具體例子包括碘或二色性染料等。在本案說明書中，「二 ••色性」係指在光學軸方向及與其垂直之方向的兩個方向 -·上’光吸收不同的光學異向性。 上述二色性染料的例子包括紅BR、紅LR、紅R、粉紅 Lj 紅虹、棗紅GS、天藍LG、檸檬黃、藍br、藍2R、 /罙i RY、綠LG、紫羅蘭LB、紫羅蘭b、黑η、黑β、黑 GSP只3G、頁R、橙lr、橙3R、深紅gl、深紅KGL、剛 果、’工冗务、BK、SuPra藍G、Supra藍GL、直接天藍、直 接久牢也 S(Direct Fast Orange S)和久牢黑（Fast

Black)。 參照圖3說明偏光片之製造方法的例子。圖“系顯示本 發明中所使用偏光片之代表性製造步驟之概念的示意 圖。例如’以聚乙烯醇系樹脂為主要成分的高分子薄膜 201係奴运料輥2〇〇進料，浸入碘的水溶液浴2丨〇中，透 過不同速度比㈣⑴和212，將張力賦予在膜長邊方 向，同時進行膨脹和染色步驟。接著，浸入到含有顯和 破化鉀的水溶液浴22G巾，料列速度比的輕如和 222 ’將張力賦予在膜長邊方向’同時進行交聯處理。經 過父聯處理的㈣透㈣231和232，浸人到含有碰 =溶液浴咖_，錢行纽相。㈣水洗處理的膜 係透過乾燥手段240進行乾燥以調節其含水量，然後在捲 312XP/#§^|gH§^(^^y95.〇6/94146485 36 1321251 繞部260上被捲繞起來。偏光片25〇係可經過該等步驟， 並將以上迷聚乙烯醇系樹脂為主要成分的高分子薄膜延 伸為原始長度的5〜7倍而得之。 。上述偏光片係可以具有任何合適的含水量。含水量係以 • 5%〜4G%為佳，更佳為.观’最佳為2G%〜30%。 又除上述偏光片之外，本發明中所使用的偏光月亦可 用諸如払入一色性物質之高分子薄膜的延伸薄膜；使 :有二色性物質和液晶性化合物的液晶性組成物在特定 =上配向之賓/主型（guest_h〇st加以― 國專利第W3號）；及使溶致性液晶在特片(: 配向之E型偏光片（美國專利第6,〇49 428號）等。 β — 3.黏著層 參考圖:Β和圖2C’黏著層3和5係被配置在偏光片工 :相位差溥膜2之間、偏光片！和保護層4之間 4和相位差薄膜2之間，使用作為將各構件相互連接二 以黏者層4將各構件相互連接者的話，黯 制，例如可使用黏著劑層、H J限 ⑽"ayer)等。 接者劑層、固定塗佈層(一 ':何=黏著劑均可以用於形成上述黏著劑層之點 者刈农好為具有優異的透明性、埶轉宏 ^ 等的材料。其具體例子包^:疋性、低雙折射性 劑、熱炼性黏著劑、橡膠李點㈣、熱可塑性黏著 體反應型黏著劑、無機系黏著劑、^ 3劑'單 異的光學透明性、耐氣候性和耐熱性的角度而;= 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/94146485 3? 厶丄厶J丄 例子包括：以脂肪族系異氰酸酯為主要成分之單體反應型 黏著劑[三井武田化學（股）製之商品名「Takenate631」] 宽以具有乙醯乙醯基之改質聚乙烯醇為主要成分的水溶性 黏者劑[日本合成化學（股）製之商品名「G0HSEFiMER z系 列亡]。上述黏著劑層厚度係可根據被黏著體之樹脂種類' =力、使用環境等而決定其適#範圍。上述黏著劑層厚 佳為 0. 1 A m〜1 〇 # m。

接著劑均可以用作為形成上述接著劑層之 =材異的透明性、熱穩定性、低雙折射 型接著劑、熱炫型接著劑、液體硬化型接 =、硬化型接㈣丨以及在•巾使料接著料。從優 二透明：、合適的接著特性(例如濕潤性、撕 :者性）、優異的耐氣候性和对熱性的角度而士 好使用以丙烯酸聚合物為 〇如取 稱為丙稀酸系接著劑）//且物的溶劑型接著劑（也 著劑來作為接著劑層的光備有㈣酸系接 之商品名「SK- 2057子性雙面膠帶[綜研化學（股）製 1…。一為佳…為上5述接f劑層厚度係以 10…0"。 為，最佳為 任何合適的接著劑均 材料。最好為具有優異 等的材料。其具體例子 可用作為形成上述固定塗佈層的 的透明性、熱穩定性、低雙折射性 包括以聚酯、聚丙烯、聚胺基甲酸 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95·〇6/941464 38 :承偏—乳乙料為主要成分的熱彳塑性樹脂組成物。 述煞可塑性樹脂組成物中，最好使用以聚酯為主要 、二2、、且成物。更佳為以使聚胺基甲酸酯與聚酯共聚合之 貝承®曰為主要成分的組成物。此類改質聚醋係透過 =特開平8-122969號公報之段落[QG25hGG32]所載 衣造，上述改質聚酯的具體例係可舉出有東洋紡 (月又）製之商品名「VYLON UR系列」。 利用任何合適塗佈器之塗佈方法來作為形成上 杨者層的方法。上述塗佈器的具體例子包括反向輕塗佈 ；^紅輥塗佈器、凹版式塗佈器、到刀式塗佈器、棒式 二：二槽:f佈器、幕簾式塗佈器、喷注式塗佈器、； 板Ϊ式塗佈器、浸潰塗佈器、液滴塗佈器、到 极式鱼佈态、流延塗佈考喰 伸态贺務塗佈态、自旋塗佈器、擠 向㈡：、熱炼式塗佈器等。其令’本發明係以使用反 梓：：：益、正旋輥塗佈器 '凹版式塗佈器、棒式塗佈器、 =:器：幕簾式塗佈器、喷注式塗佈器和自旋塗佈器 且：有上述塗伟器的塗佈方法’則能夠形成薄， 且具有優異的表面均勻性之黏著層。 可以採用任何合適的方㈣作為將上述㈣層層 :構：(例如’偏光片、保護層或相位差薄膜)表二方 二==子包括熱熔層合法、非溶劑層合法' 濕式層 合ί等。在本發明中’於使用黏著劑層或固 疋塗佈層作為黏者層的情況下，以濕式層合法為佳，而在 使用接著㈣作為㈣層的m m層合法為佳。 312XP/發明說明書(補件)/95_〇6/94丨46485 39 -4 保護層 =使用具有優異的透明性、機械強度、熱穩定性、防 寺勺材料作為形成上述保護層的材料。其具體例子包 :·'、硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱 可„彈性體、生物降解性塑膠等。其中，以使用熱可塑 π:為佳。上述熱可塑性樹脂可以是非晶性聚合物或結 曰曰性♦合物。非晶性聚合物的優點在於優異的透明性。另 方面，、结晶性聚合物的優點在於優異的剛度、強度和 藥品性。 上述熱可塑性樹脂的例子包括：通用塑膠，例如聚乙 烯、聚丙烯、聚㈣烯、聚氯乙烯、纖維素乙酸醋、聚苯 乙=、ABS樹脂、AS樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙 烯酯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂等；通用工程塑料， 例如聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、改質聚苯醚、聚對苯二 :酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯等；及超級工程塑料 等，例如聚苯硫、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、多芳基酯、 液晶聚合物、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺和聚四氟乙烯等。 又，上述熱可塑性樹脂係可以在進行適當的聚合物改質後 使用。上述聚合物改質的例子包括共聚、分支（branch丨叫） 、交聯、分子末端、立體規則性等。另外，在本發明中， 上述保護層並不限於上述所示物質。 又’市售的高分子薄膜亦可被用作上述保護層。可例舉 有：富士軟片（股）製之商品名「FUJITAC」、日本Ze〇n(股") 製之商品名「ZEONOR」、JSR(股）製之商品名「ART〇N」等。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 40 亦了牛出有·曰本專利特開2001 — 01/37007)中所葡古八2 ^ 2 3529唬公報（wo ^平所载南分子潯膜，例如：含有 二基馬來酸亞胺所構成之交互共聚物及/或咐二 烯共聚物之樹脂組成物的高分子薄膜等。 月 1 #'可具有任何適#厚度。 為佳，更佳為于…為 異—m。若於上述範圍，則光學特性和機械強度優 C.液晶面板 C — 1，液晶面板的概述 立：Α〜=ί發明之較佳實施形態之液晶面板的概略 錢晶面板⑽係具財液晶單元5Μ =元件丨。。圖4一係在液晶單元5〇 一側上；； 曰二兀件1 〇(相位差薄膜2和偏光片1的層合體），在 5〇的另一側上具傷有任意的光學膜30(典型為 W層或另一相位差薄膜）和偏光片20。圖4八係顯示上 ^目位差缚膜2之慢轴實質上平行於偏光片1之吸收軸的 "兄’圖4B係顯示上述相位差薄膜2之慢抽實質上 於偏光片1之吸收軸的情況。圖4C係在液晶單元5〇的— 侧上具備有偏光元件1〇(相位差薄膜2和偏光片工的層人 體）和任意光學膜30(典型為保護層或另—相位差薄膜）: 亚於液晶早兀50的另一側上具備有偏光片2〇。圖示例中 雖顯示相位差薄膜2之慢軸實質上垂直於偏光片i之吸故 軸的情況’但亦可為實質上平行。㈣圖4A〜4C的形態， 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 則可使液晶面板的斜向漏光減少，且使液晶顯示裝置之斜 向對比度增加。圖4D係在液晶單元50的兩側上具備有偏 光π件10(10’ ），在上述液晶單元5〇的任一側上具備有 任意=光學膜30(典型為保護層或另一相位差薄膜）、。相 位，薄膜2係被配置成使其慢軸與偏光片1(1，）的吸收 輛只^上成45 。根據此類形態，則可將偏光元件10(1〇，） 當作圓偏振板。 另:卜，在本案說明書中’所謂「實質上平行」係包括相 仅差薄膜2的慢軸與偏光片丨的吸收軸所形成角度為〇。士 =〇°的情況，最好為〇。±1.〇。，更佳為〇。±〇 5。。又，所一 明「貫質上垂直」係包括相位差薄膜2的慢軸與偏光片^ 的吸收軸所形成角度為9〇。±2〇。的情況，最好為 9〇 ±1. 0 ，更佳為9〇。±〇. 5。。又，所謂「實質上成45。」 係包括相位差薄膜2的慢軸與偏光片丨的吸收軸所形成的 角度為45。±2. 0。的情況，最好為45。±1. 〇。，更佳為 45 ±〇· 5 。若由該等角度範圍偏離程度越大，則使用於液 晶顯不裝置時，有正面對比度和斜向對比度降低之傾向。 以下’詳細說明本發明之液晶面板的構件。 C — 2.液晶單元 用於本發明之液晶面板的液晶單元係具有一對基板及 夾在一對基板間之作為顯示媒體的液晶層。在一個基板 (主動矩陣基板）上配置有：控制液晶之電光特性的開關元 件（典型為TFT);為該開關元件提供閘極信號的掃描線及 提供源極信號的信號線（均未圖示）。在另一基板（濾色片 312XP/發明說明書(補件)/95_06/94146485 42 1021251 基板）上配置有濾色片。濾色片也可以配置在主動矩陣基 •板上《。基板對之間的間隔（單元間隙）係透過隔離物（未^ '·不）來控制。在基板之與液晶層鄰接側上設置有例如由聚 酿亞胺所形成的配向膜（未圖示）。 ·.液晶層係最好包含在未存在電場之狀態下，配向成由扭 •、轉配向（twisted alignment)、垂直配向、均句配向、彎 曲配向和混合配向所選出之至少一種分子配向狀態。上弓述 扭轉配向係指液晶分子相對於二基板面而配向成約略平 =，其配向方位在二基板間扭轉9〇。的狀態。在未存在電 琢的狀先、下，使用包含配向成扭轉配向之向列液晶之液晶 層的驅動模式之代表例係有扭轉•向列（TN)模式。上述垂 直配向係指液晶分子相對於兩個基板面而配向成約略垂 直的狀態。於未存在電場的狀態下，使用包含配向成垂直 配向之向列液晶之液晶層的驅動模式代表例係有粒子•配 向（VA)模式。上述均勻配向係指液晶分子相對於兩個基板 籲面*配向成約略平行的㈣。於未存在電場的狀態下，使 用包含配向成均勻配向之向列液晶之液晶層的驅動模式 之代表例係有面内切換模式（lps)或均勻型Ε(：β模式。上 述彎曲配向係指如下狀態：液晶分子相對於其—基板面為 -約略平行，隨著朝向液晶層中心而呈現相對於基板面為約 略垂直之角度，隨著從液晶層偏離而與其他基板平行之方 '式，連續變化之狀態。於未存在電場的狀態下，使用包含 "配向成彎曲配向之向列液晶之液晶層的驅動模式之代表 例係有光學補償彎曲（0CB)模式。上述混合配向係指如'下 發明說明書(補件)/95-06/94〗46485 43 工321251 狀恶.液晶分子相對於其一基板面為約略垂直，而相對於 其他基板面，為以相同方位平行配向之狀態（因此，液晶 分子的配向在兩個基板之間連續彎曲90。）。於未存在電 場的狀態下’使用包含配向成混合配向之液晶層的驅動模 、式之代表例係有混合配向•向列（HAN)模式。 ，. 根據目的而可採用任意向列液晶來作為上述向列液 晶。例如，向列液晶係介電係數異向性為正或負均可。關 於VA杈式的液晶顯不裝置，最好是使用介電係數異向性 為負之向列液晶。介電係數異向性為正之向列液晶的呈邮 例係有Merck公司製之商品名「zu_ 4535」。介電係= 向性為負之向列液晶的具體例係有Merck /、 盘非常光一折射又/上述向列液晶之常光折射率（n〇) 。非吊先折射率（ne)之差值（亦即，雙折射率（ 可根據上述液晶單元的回應速 ’、 通常以0.05〜。·30為佳。 穿透羊寺而任意設定， 丨可根據目的而採用任何合適的單 晶單元的單元間隙（基板間 ’、為上述液 。若於=:卜間隙最好為 且俨5丨ό上 、攻乾圍’則能夠減少回庫砗Η 且侍到良好的顯示特性。 夕U應％間， c 3.另一相位差薄膜 在本發明令，另—j 模式而使用任何合適根據液晶單元的驅動 爷略另一相位差薄膜）。夹“曰早兀的驅動模式，可以

寸肤J 參照圖4A1Γ» Q 3〇係被配置在液晶單元’另—相位差薄膜 ”偏先片20之間，或 312»V發明說明書(補件)/95侧】4 曰曰 44 1321251 單元50與相位差薄膜2(2，）之間。另外，在圖示例中， -雖僅配置一片另一相位差薄膜30於液晶單元50的一側， .然而，也可為兩片’或於該液晶單元兩側上分別配置一片 以上亦可。在使用兩片以上另一相位差薄膜的情況下，各 ••相位差薄膜可彼此相同或不同。 。。上述另一相位差薄膜30係使用於光學補償或消除液晶 早兀50的相位差值。圖5係說明使用另一相位差薄膜來 2除液晶單元之相位差值之方法的代表性概念圖。在本津 說明書中’所謂H液晶單元的相位差值」係指進行夫 予補彳貝，以使液晶單元與另一相位差薄膜的層合體實質上 具有nX=ny=nZ之關係的等向性折射率分佈。如圖6、所 消除折射率分佈為具有^〉ηχ〉ny之關係的 :曰曰早凡（典型為驅動模式為TN模式、OCB模式及議模 2液晶單元）之相位差值，係最好㈣將具有折射率分 :，，、nx > ny > nz之關係的另一相位差薄膜配 !與液晶單元的慢軸與另-相位差薄膜的慢軸垂直為了 二二圖不例中僅顯示折射率分佈具有nz> 之關k的情況，例如，即使在折射率分佈具有犯 二之關係的液晶單元、折射率分佈具有…- =㈣晶單元’亦可使用具有適當折射率分佈的另 位差缚膜，而消除液晶單元的相位差值。 可以選擇任何合適材料作為形成 ，。最好使用具有優異的透明性、機械強度、== 水特料的材料。其具體例子包括··以熱塑性樹脂為主 3 i2XP/發明說明書(補件)/95·06/94146485 45 f成分之高分子薄膜的延伸薄膜；以及使液晶化合物以任 意配置方式來配向，並使固定或硬化之光學薄膜。另外， 依照上述液晶單元的折射率分佈（結果係相位差值），另— 相位差薄膜之相位差值係可設定為任意合適之數值。 • c~ 4.各構件的配置方法 '根據目的，可採用任意合適的方法作為配置各構件（例 如，相位差薄膜、偏光片、液晶單元）的方法。最好為在 各構件之間設置黏著層（以黏著劑層或接著劑層為代 表），並使相對向之構件黏著。透過如此利用黏著層來充 滿各構件之間隙，則於組入液晶顯示裝置時，可防止各 件之光學軸之關係的偏離或各構件彼此磨損所致的損 傷。又，可以減少各構件之間隙的界面反射，並於使 液晶顯示裝置時’可增加正面方向及斜向之對比度。 層可以具有如同上述B_ 2部分所載者之同樣 厚度。又，關於形成黏著層之材料，亦能採用如同 .上述B — 2部分所載者之同樣材料。 D.液晶顯示裝置 本發明的液晶面板係可田认.、产曰 板（丁、7用於.液晶顯示裝置，例如個人 冤月1¾、液B日電視、行動雷 功电活攜朮貧汛終端（PDA)等；或 -衫像顯示裝置，例如有撫雷鉍芥龙筋-， !地1 匀機電致發先顯不器（有機EL)、投 衫機、投影電視或電毁雷 n人^ ^電視4。其中，本發明的液晶面板 k適合使用於液晶顯示穿 視。 衷置而特別適合使用在液晶電 圖6係本發明之較佳實 施形態之液晶顯示袭置的概略 3】2XP/發明說明書(補件)/95-06/94 M6485 46 1321251 剖面圖。此液晶顯示裝置150係具備有：液晶面板丨〇〇 ; ' 配置在液晶面板100兩側上的保護層60和60,；配置在保 · 護層60和60’外側的表面處理層70和70，；及配置在表面 處理層70’外側（背光側）上之亮度增強薄膜8〇、棱鏡片 ·· 11 〇、光導板120和燈130。經過硬塗處理、抗反射處理、 %防黏處理、擴散處理（也稱防眩處理）等之處理層被使用作 為上述表面處理層70、70，。又，具有偏光選擇層的偏光 分離薄膜（例如，住友3M(股）製之商品名「D-BEF系列」） _等被用作上述亮度增強膜80。透過使用上述光學構件， 而可得到顯示特性更高之顯示裝置。又，在另一實施形態 中’於滿足本發明之範圍内’因應所使用之液晶單元之驅 動模式或用途，而圖6所示光學構件係可省略其—部份， 或可用其他光學構件來代替。 . 參照下述實施例和比較例而更詳細地說明本發明。但 是，本發明不限於該等實施例。另外，實施例中的各分析 _ 方法係如下述。 (1)組成比的測量： 使用核磁共振光譜分析儀[日本電子（股）製之製品名 「LA400」](測量溶劑：DMSO-溶劑，頻率：400 MHz，觀 察核：4 ’測量溫度：25。(：），並由位於〇. 83ppm、0 95 —2. 0ppm、3. 5 — 5. 0ppm 及 6. 76ppm 之波峰來求取。 -(2)玻璃轉移溫度的測量： - 使用示差式掃描熱量計[精工（股）製之製品名「DS(： — 6200」]，並依照JIS κ 7121 ( : 1987)(塑膠之轉移溫度 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/94146485 47 ί Π二夕方、法來求取。具體地說’在氮氣環境下(氣體 里 min ’加熱10mg的粉末樣本（加熱速度為10 C =) ’進行2次測量，採用第二次數據。熱量計係使 用私準物質（銦）來進行溫度校正。 (3)厚度的測量方法： 在厚度未滿10#m時，使用薄膜用分光光度計[大塚電 子t股）製之製品名「瞬間複數測光系統MCPD_2000」]來

測里田厚度為10 # m以上時，使用Anr i tsu製數位千分 尺「KC— 351C型」來測量。 (4) 相位差值（Re、Rth)的測量方法： 使用糖圓分光儀「M- 220」（日本分光（股）製），利用在 23t下之波長550 nm的光來測量。另外，關於波長分散 測量’亦使用波長450 nm和650 nm的光。 (5) 薄膜之平均折射率的測量方法： 使用阿貝折射率計「DR-M4」（商品名，Atago(股）製），

根據利用在23°C下之波長589 nm的光所測得之折射率而 求得。 (6)穿透率的測量方法： 使用紫外可見光分光光度計rV—56〇」（曰本分光（股） 製）’利用在23T：下之波長550 nm的光來測量。 (Ό光彈性係數的測量方法： 使用橢圓分光儀「M— 220」（日本分光（股）製），夾住樣 〇口（尺寸為2 cmxl0 cm)兩端，施予應力（5N〜15N)之同時， 測量樣品中央之相位差值（23°C/波長550nm)，並由應力 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 48 1321251 與相位差值之函數斜率來計算出。 (8 )吸水率的測量： 根據JIS K 7209( : 2000)(塑膠的吸水率和沸騰吸水率 4驗方法）之方法來測量。試驗樣品為5〇關咖，厚 '度為 4 0 μ in 〜1 〇 〇 μ m。 ，·（ 9 )液晶顯示裝置之對比度的測量方法： 關於實施例4(後述）所製之液晶顯示裝置，係在23〇c之 日曰至中，將背光打開，並經過一段預定時間後，使用下述 _測里裝置且以下述方法來進行測量：在液晶顯示裝置上顯 示白色影像和黑色影像，使用「EZC〇ntrast 16〇d」（eldim 公司製），對極角78。方向上的全方位（360。）之顯示畫面 的XYZ顯示色彩系統的γ值進行測量。然後，從白色影像 的Y值（YW)和黑色影像的γ值（γβ)來計算全方位的對比度 '「YW/YB」，並以黑白濃淡色來描繪對比•等高（等高）圖。 另外’極角78。係指將顯示晝面的正面方向定為〇。時，傾 B斜角度78°的方向。 (1 0 )液晶顯示裝置之色移量的測量方法： 關於實施例4(後述）所製之液晶顯示裝置，係在23。(：之 暗室中’將背光打開，並經過一段預定時間後，使用下述 •測f裝置且以下述方法來進行測量：在液晶顯示裝置上顯 示黑色影像’使用「EZ Contrast 160D」（ELDIM公司製）’ •對極角78。方向上的全方位（360。）之XYZ顯示色彩系統的 X值及y值進行測量，並將測量值繪於Xy色度圖上。 [參考例1]樹脂的合成（i) 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 49 J厶丄z:)丄 將5.0§聚乙烯醇系樹脂「nh-18」（日本合成化學（股） 聚合度：，皂化度：99.0%)在105。〇下乾燥2小 恰後，溶解於95 ml二甲基亞砜（DMS〇)。將3. 78g的2, 4, 6 —^ =笨曱醛（meSltaldehyde)、h 81g 丙醛和 h 口 g 對 .曱笨石黃酸•-水合物加入其中，在机下授掉4小時。 ^所得反應產物滴加到溶解有2 35g碳酸氫納之水/乙醇 命液.2/1 (體積/體積）中，進行再沉澱。將其過濾，將所 =聚合物溶解於四氫D夫喃中，滴加到二乙基Si中，進行再 ’儿;I又將其過濾，使所得聚合物乾燥，從而獲得7.89g白 色水&物。透過Η - NMR測量上述白色聚合物之結果，係 ^如下式（iv)所示構造（1 : m: η= 22: 46 : 32)之聚乙烯 縮醛系树脂。又，藉由示差掃描熱量計來測量該白色聚合 物之玻璃轉移溫度的結果，為1〇21。

[參考例2 ]樹脂的合成（i i) ，將5 · 〇 g聚乙烯醇系樹脂「N jj —丨8」（曰本合成化學（股） •製，聚合度：1 800，皂化度：99. 0%)在l〇5°C下乾燥2小 時後，溶解於95 ml二曱基亞砜（DMS〇)。將2 〇2g的2 4 6 :—二甲笨曱醛（mesitaldehyde)、〇. 44g對甲苯磺酸•一 '水合物加入其中，在40°C下攪拌2小時。對其添加l341g 的l’l —二乙氧基乙烷（縮醛），再於4〇。〇下攪拌2小時。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 50 1021251 乙胺，反應終了。將所得反應產物(聚 折：知中’進行再沉澱。使該聚合物沉澱，透 匕、析（decantatlon)去除上清液後，再添加甲醇/水 =知：熱量計來測量該白色聚合物之玻 結果’為120¾。

(V) 從而對該聚合物進行清洗。將其過濾， 合物乾燥’獲得7.5Gg白色聚合物。透過1H—臓 :、里以色聚合物之結果，係為如下式(v)所示構造 一二.n=21 : 58 : 21)之聚乙烯縮醛系樹脂。又，藉由 [參考例3]高分子薄膜的製作（i) 將在參考例2中所獲得之聚乙婦縮I系樹脂（上述式 上1瓜η21·58·21)17. 7重量份溶解於甲苯1〇〇 —量份’從而調製溶液’使用雙輥筒（⑶嶋⑽打）將該 洛液均勻塗佈到厚度75_之聚對苯二曱酸乙二酯 「LUmirror S27—E」[東麗（股）製]表面上，在多室型空 氣循環式乾燥爐（誤差±1。〇中，由8rc、2Q分鐘，12〇 C 20分鐘’丨4〇 C、30分鐘而逐漸從低溫上升溫度，並 使乾:^，製付乾燥後厚度為155_、殘留揮發成分量為冗 的高分子薄膜。該高分子薄膜的穿透率為9 3%。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 51 [參考例4]樹脂的合成（iii) 將下述式（π)所示結構的單體A和下述式（v⑴所示結 冓的早體B’以A/B=32/68(m〇1/m〇1)的比率溶解在氮氧化 :水溶液中’添加少量氫硫化物。其次，將二氯甲烷加入， C下將光氣吹入6〇分鐘。將對_第三丁基苯酚加入 =得反應溶液中’進行乳化，然後，加入三乙胺，在3〇 :㈣3小時，從而完成反應。反應完成後，從反應溶 離出有機層1後蒸發出二氯曱烧，從而獲得乳白 。透過!H—麵測量所得聚合物之結果，係為組 成h、早體加入量大致相同之聚碳酸酯系樹脂。又，藉由 :差掃描熱量計來測量該聚合物之玻璃轉移溫度的結 果，為 227°C。

(VI)

[參考例5 ]向分子薄膜的製作（i i) 字在，考例4中所獲得的聚碳酸酯系樹 溶解在二氯甲烷（100重量份）中，使用雔 .=里伤） 里里伪J甲便用雙輥同均勻塗佈到 子又μ 謂苯二曱酸乙二_「Lumirror S27 — E [東 312XIV發明說明書(補件)/95·〇6/94146485 52 1321251 表面上，在多室型空氣循環式乾燥爐(誤差±ι :)中’由，C、2〇分鐘，6(rc、2〇分鐘谓、3〇分 =而逐低溫上升溫度，並使乾燥，製得乾燥後厚度為 膜:二發成分量為1%的高分子薄膜。該高分子薄 膜的牙透率為90%。 [參考例6]另一相位差薄膜的製作 ’2——氯4, 4，5, 5’一聯苯四羧酸二酐（4〇_〇1) 二私’—雙，氣甲基）—4,4’—二胺基聯苯（40mm〇I)作為 台原料（單體），透過傳統方法合成聚醯亞胺（重量平均 分子量為94，_’平均折射率為157, △為〇 〇7)。 =該聚酿亞胺（17.7重量份）溶解在甲基異丁基酮（1〇〇重 中’用棒式塗佈器於—方向上塗佈到三乙酿基纖維 素缚膜「Fiumcuz」[富士軟片（股）]表面上，在ΐ35+ι 之空氣循環式恒溫加熱爐中乾燥5分鐘，然後在15㈣ C之空氣循環式恒溫加熱爐中乾燥1〇分鐘，並使溶劑蒸 舍’付到具有上述三乙酿基纖維素薄膜層和上述聚酿亞胺 層（厚度3. lMm)的層合體。將該層合體作為層合相位差薄 膜X。層合相位差薄膜X的Re[55〇u 〇 2nm，Rth[55〇] 為 290nm 〇 [參考例7]偏光片的製作 在保持為3G°C±3°C：找合冑和。魏狀染色浴中， 使用輥式延伸機’對以聚乙烯醇為主要成分之高分子薄膜 「9P75R」（Kuraray(股）製，厚度為75_，平均聚合度 為2, 400’皂化度為99·9 mol%)進行染色並單軸延伸 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 53 1321251 2. 5倍。其次，在保持為6〇〇C±3〇C2含有硼酸和碘化鉀的 =液中，-邊進行交聯反應’一邊單軸延伸成為聚乙烯 醇薄膜之原長6倍。將所得薄膜在5(rc 土丨艺之空氣循環 式恒溫加熱爐中乾燥3〇分鐘，得到水分率23%:厚戶< 28从m、偏光度99, 9%、單軸穿透率43. 5%的偏光片^和 P2 〇 [參考例8] VA模式之液晶單元的製作 將液晶面板從包括V A模式（正常黑色模式）之液晶單元 的液晶顯示裝置「32V型TH_32Lxl〇」[松下電器產業（股） 製]中取出，去除配置在液晶單元上下之構件(接著層、偏 光板和相位差薄膜），清沣卜诂.、右曰DD , J /月/无上述液晶早兀的玻璃面（表 =)。在不施加電場的情況下，該液晶單元的咖[55〇]為 320 nm 。 [實施例1 ]相位差薄膜的製作（土） 隔著丙烯酸系接著劑（I声蛊彳ς 心于度為15 “"Ο ’將雙軸延伸聚丙 烯㈣「麵YFAN.高收縮型」（東麗（股）製，厚度 _m)附著到以與參考例3同樣方法所得之高分子薄^ (厚度155#m，平均折射率15〇，Re[55{)] = 2

Rth[ 550] = 2. Onm)的兩側。铁德，估 — …、设使用輥式延伸機，保持 薄膜之長邊方向’在141t:±lt之空氣循環式乾燥爐内（測 直距離:專膜背面3 cm處的溫度），進行延伸h 5倍 相位差薄膜A。表1集中顯示所得相 衣 、 7仵相位差溥膜A的特性和 下述貫施例2和比較例1之薄膜的 ^ 寻胰的特性。又，將上述相位 差溥膜A的一部分放置在8(Γ(： +1。 匕之空軋循锿式乾燥爐 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/94146485 $4 ^21251 令’測量100小時後之Re [ 550 ] ’結果Re [ 550 ]的變化未 滿2°/。，上述相位差薄膜A係顯示優良的相位差值穩定性。 表1 貫施例l 實施例2 比較例1 相位差薄膜 A B c 厚度（V m) 16 0 9 1 7 8 玻璃轉移溫度（°C ) 12 0 12 0 2 2 7 穿透率（％ ) 90 9 0 9 0 Re[ 4 5 0 ] (nm) 2 2 7 115 112 Re[550](nm) 2 7 0 13 7 13 8 Re[650](nm) 2 8 6 14 5 14 3 Re[450]/Re[5501 0.84 0.84 〇 8 1 Re[550]/Re[6501 0.94 0.94 0.96 Rth[450](nm) 114 5 8 111 Rth[550](nm) 13 5 6 8 13 7 Rth[650](nm) 1 43 7 3 14 2 Rth[450]/Rth[5501 0.84 0.85 〇 8 1 Rth[550]/Rthr6501 0.94 0 9 3 0 Q R N z係數 0.5 0.5 1 n C [ 5 9 0 ] x 1 O'12 (m2/N) 2 1 2 1 57 外，本例所使用之雙軸延伸聚丙烯薄膜在14〇 另...........................下之 ，縮率’MD方向為6.4%’TD方向為12·8%。丙稀酸系接 :劑係使用：以藉由溶液聚合而合成之丙烯酸異壬醋（重 i平均分子量為550’_)為基底聚合4勿；相對於該聚合 物1 00重量份’混合有3重量份的聚異氰酸酯化合物之交 ^劑「CORONATE L」（日本聚胺基曱酸酯（股）製）和1〇重 里份的觸媒「0L—1」[東京精細化學（股）製）者。 [實施例2 ]相位差薄膜的製作（丨i ) 除了延伸刖问分子溥膜厚度為9〇 # m ;延伸溫度從】 C變為138°C ;延伸倍率從15倍變為16倍之外，以與 312XP/發明說明書(補件)/95·06/94丨46485 1321251 表1顯示所得相 實施例1相同的方式製作相位差薄膜β 位差薄膜Β的特性。 [比較例1 ]相位差薄膜的製作（i i 土） 隔著丙烤酸系接著魯丨（里声$ 嬌舊膣「τηρ 又·、 # m)，將雙軸延伸聚丙 n職咖跡高收縮型」（東麗（股）製，厚度 了^者相與參考例5同#方法所得之高分子薄膜

RtUn 折射㈣.55，M55G>2.0⑽，

Rth[550] = 5. 〇nm)的兩側。然後 ^ 便用奏t式延伸機，保持 ，專Μ之長邊方向，在22(rc 士之空 量距離薄膜背面3處的、.田 、衣工乙、只、内（測 月dCm處的/皿度），進行延伸1.2倍，费杰 目」立㈣〇表丨顯續得相位差薄膜⑶特性。、 [貫施例3 ]偏光元件的製作（土） =在實中得到的相位差薄膜八隔著以具有乙酿乙 知基之改質聚乙烯醇為主要成分

79ΛΛ , ^ 文驭刀的黏者劑層「GOHSEFIMER 〇〇:(曰本合成化學(股)製，厚度 例7中得到的偏光片_一面上，使其慢轴 ，考 ::光片P1的吸收轴。將如此所製作之偏光元二 作偏光元件A。 u〜开田 [參考例9 ]偏光元件的製作（丨i) 將在參考例6中得到的相位差薄膜χ隔著 酿基之改質聚乙烯醇為主要成分的 副」U本合成化學（股）製，厚度i — 例7中得到的偏光片P2的-面上，使其慢轴平行(匕 於上逃偏光片P2的吸收軸。將如此所製作之偏光元件當 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 ,,

JO 1^21251 作偏光元件B。 [實施例4 ]液晶面板和液晶顯示裝置的製作 將在實施例3中得到的偏光元件a隔著丙烯酸系接著劑 層（厚度2 0从m )層合到在參考例8中得到之液晶單元視認 侧（Wewer side)表面，使得相位差薄膜A被配置在偏^ 片P1和液晶單元間，且上述液晶單元的長邊與上述偏光 片P1的吸收軸彼此平行。接著，將在參考例9中得到的 偏光元件B隔著丙烯酸系接著劑層（厚度為2〇㈣）層合 =上述液晶單元的背光側，使得層合相位差薄被配置 在偏光片Ρ2和上述液晶星开夕 .., 述履日日早兀之間，且上述液晶單元的短 邊與上述偏光片P2的吸收軸彼此平行。 將由此得到的液晶面板“接到背光單元，以作成液曰 顯不裝置A。在將背光立即打 日曰 良好均句性者。測量將背光^後之液晶面板係具有全面 比度和斜向色移量開10分鐘後之，向對 對比·等高圖，圖8顯示：:二夜晶:1示裝置之斜向的 比度90以上之白色顯示 广口 ？® 7 ’顯示對 散佈在顯示晝面的所有方二度極： 角78。、方位角36〇。之 ，]疋上下左右方向），而極 值：55.3，最小值：3()9^比度的平均值為44. 7(最大 圖形之上下左右方向 X，參照圖8’幾乎沒有朝 背光持續打開，目視觀察’斜向之色移量小。此外，將 觀察到顯示不均勻，洛aT 1、時後之顯示畫面，結果沒有 性。 日日颂不裝置A具有良好的顯示均句 312XP/發明說明書(補件V95-〇_64S5 57 1321251 [評估] 女貝知例1 4所示’將具有既定收縮率的收縮性薄膜附 著到以特定結構的聚乙烯縮縣主要成分的高分子薄膜 的兩面上，透過加熱延伸，可實際得到：以23。〇下波長 550nm之光所測量之光彈性係數的絕對值（mVN)為 η 以下，且同時滿足 Re[45〇]〈 Re[55〇]〈 Re[65〇]和

Rth[550] < Re[ 550]之關係的相位差薄膜。又，組入本發 明之相位差薄膜的液晶顯示裝置係顯示出良好的顯示特 性（咼對比度和低色移量），且即使在背光長時間打開，仍 具有良好的顯示均勻性。反之，比較例丨所示相位差薄膜 #滿足Re[450 ] < Re[ 550 ] < Re[65〇]的關係，但具有大 的光彈性係數的絕對值。又，關於與實施例相同的延伸方 法’並未能獲得Rth [ 55 0 ] < Re [ 5 50 ]的關係。 如上所述，若根據本發明的相位差薄膜，則光彈性係數 的、、息對值小，且顯示出逆波長分散特性，因此對改進液晶 顯示裝置的顯示特性方面非常有用。本發明的液晶面板可 以適用於液晶顯示裝置或液晶電視。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明之相位差薄膜之典型製造步驟概念 的不意圖。 圖2A~2C係顯示本發明之偏光元件之較佳實施形態代 表例的概略剖面圖。 圖3係顯示本發明中所使用之偏光片之典型製造步驟 概念的示意圖。 312XP/發明說明書(補件)/95-〇6/94]46485 58 丄丄 圖4A〜4D係屋黃千士 π "肩不本發明之較佳實施形態之液晶面板的 概略立體圖。 圖5係說明使用足 <Λ- X , ,a# ^ 另一種相位差薄膜來消除液晶單元之 相位差值之方法的代表性概念圖。 態之液晶顯示裝置的概略 圖6係本發明之較佳實施形 剖面圖。 圖7係實施例4中獲得液 ^(contrast· cont〇ur)1〇裝置之斜向的對比·等 的xy色 圖8係實施例4中獲得之液晶顯示裝置之 度圖。 【主要元件符號說明】 1 ' 偏光片 2 ' 2, 相位差薄膜 3 黏著層 4 保護層 5 黏著層 10 、 10， 偏光元件 20 偏光片 30 光學薄膜 50 液晶單元 60、60， 保護層 70、70， 表面處理層 80 亮度增強薄膜 100 液晶面板 312XP/發明說明書(補件)/95·〇6/94146485 59 1321251 110 棱鏡片 120 光導板 130 燈 150 液晶顯不裝置 200 送料輥 201 高分子薄膜 210 水溶液浴 211 、 212 輥 220 、 230 水溶液浴 221 、 222 輥 231 、 232 輥 240 乾燥手段 250 偏光片 260 捲繞部 301 第一傳送部 302 高分子薄膜 303 第二傳送部 304 、 306 收縮性薄膜 305 第三傳送部 307 、 308 層合輥 309 溫度控制手段 310〜313 輥 314 第一捲繞部 316 第二捲繞部 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146仙5 1321251

318 相位差薄膜 319 第三捲繞部 312XP/發明說明書(補件)/95-06/94146485 61

Claims (1)

1321251 NOV 2 0 2009 瞽换本. 十、申請專利範圍 1. 一種相位差薄膜，係包含在23°c下利用波長550 nm 之光所測量之光彈性係數的絕對值（m2/N)為50x10_12以下 之高分子薄膜的延伸薄膜，其滿足下式（1)和（2): Re[450] < Re[550] < Re[650] ---(1) Rth[550] < Re[550] ...(2) 式中，Re[450 ]、Re[550 ]和Re[650]係在23°C下利用波長 籲450 nm、550 nm和Θ50 nm之光所分別測量之面内相位差 值’ Rl：h[550]係在23°C下利用波長550 nm之光所測量之 厚度方向的相位差值，且 面内相位差值藉由式Re=(nx-ny)xd而求得，厚度方向 之相位差值藉由式Rth=(nx-nz)xd而求得，其中，ηχ為 相位差薄膜在最大面内折射率之方向的折射率，ny為在 同一平面中在垂直於相位差薄膜之最大面内折射率方向 的方向之折射率，⑽為相位差薄膜在厚度方向的折射率， φ d為相位差薄膜之厚度。 2. 如申請專利範圍第丨項之相位差薄膜，其中，上述相 位差薄膜之厚度為2〇 〜200 /zm。 3. 如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，上述相 位差薄膜之Re [550 ]為20 nm〜400 nm。 4·如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，上述相 位差薄膜之Re[450]/Re[550]為0.70〜〇.99。 目 5·如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，上述相 位差薄膜之Nz絲指在23。(：下使用波長55〇 nm的光所 94146485 62 1321251 測量的厚度方向的相位差值和面内相位差值之比 (Rth[ 550 ]/Re[550])，大於 〇 並且小於 1。 6.如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，上述相 位差薄膜之Rth[550 ]為1〇 nm〜200 nm。 7·如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，上述高 分子薄膜的玻璃轉移溫度（Tg)為9(TC〜1851。 8.如申s月專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，上述高 φ分子薄膜係將具有以下式（I)所代表之化學結構的聚縮醛 系樹脂作為主要成分而含有：

在式（I)中’ R1代表氫原子或碳數ι~8的直鏈狀、支鏈狀 #或環狀的烷基，取代或非取代的苯基，取代或非取代的萘 基，取代或非取代的蒽基，或取代或非取代的菲基 (Phenanthrenyl) ; R2、R3和R4各自獨立地代表氫原子， 碳數1〜4的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，碳數卜4的直 鏈狀或支鏈狀的烷氧基，鹵原子，齒化烷基，硝基，胺基， 輕基’氰基或硫醇基（thiol);但R2和R3不同時為氫原 9.如申請專利範圍第8項之相位差薄膜，其中，上述高 分子薄膜係將具有以下式（11)所代表之化學結構的聚乙 94146485 63 1321251 烯基縮醛系樹脂作為主要成分而含有：

在式（II)中’ R1代表氫原子或碳數1〜8的直鏈狀、支鏈 狀或環狀的烧基，取代或非取代的苯基，取代或非取代的 籲萘基’取代或非取代的蒽基，或取代或非取代的菲基；R2、 R3和R4各自獨立地代表氫原子，碳數1〜4的直鏈狀、支 鏈狀或環狀的烷基，碳數1〜4的直鏈或支鏈的烷氧基，鹵 原子，齒化烷基，硝基，胺基，羥基，氰基或硫醇基；但 R2和R3不同時為氫原子；1代表1以上的整數。 10.如申請專利範圍第9項之相位差薄膜，其中，上述 高分子薄膜係將具有以下式（III)所代表之化學結構的聚 乙稀基縮越系樹脂作為主要成分而含有：

^式U 11 ；)中’ Kl、R5和R6係各自獨立地代表氫原子或 碳j 1〜8的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，取代或非取代 的苯基’取代或非取代的萘基，取代或非取代的蒽基，或 取代，非取代的菲基；R2、R3和R4各自獨立地代表氣原 子反數1〜4的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，碳數卜4 94146485 64 1321251 的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基’鹵原子，鹵化烷基，硝基， 胺基，羥基，氰基或硫醇基；但R2和R3不同時為氫原子； R7係代表氫原子’碳數1〜8之直鍵狀、支鏈狀或環狀的 烷基，节基，矽烷基，磷酸基，醯基，苯甲醯基或磺醯基； 1、m和η係代表1以上的整數。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之相位差薄膜，其中，在將 上述1、m和η的總合作為100的以時’ 1為5〜3〇 m〇1%， 鲁 m 為 20〜80 mol%，η 為 1〜70 mol%。 12. —種偏光元件，係具有相位差薄膜和偏光片者其 特徵為， μ 該相位差薄膜係包含在23eC下利用波長550 nm之光所 測量之光彈性係數的絕對值（m2/N)為50xl〇-12以下之高分 子薄膜的延伸薄膜，其滿足下式（1)和（2): Re[450] < Re[550 ] < Re[ 650] . . ·(1) Rth[550] < Re[550] ...(2) #式中，Re[450 ]、Re[550]和Re[650]係在23t：下利用波長 450 rnn、550 nm和650 nm之光所分別測量之面内相位差 值，Rth[550]係在23〇C下利用波長55〇⑽ 厚度方向的相位差值，且 尤所利里之 面内相位差值藉由式Re=(nx_ny)xd而求得，厚度方向 之相位差值藉由式Rth=(nx-nz)xd而求得，其中，ηχ為 相位差薄膜在最大面内折射率之方向的折射率，叩為在 同-平面中在垂直於相位差薄膜之最大面内折射率方向 的方向之折射率，⑽為相位差薄膜在厚度方向的折射率， 94146485 65 1321251 3為相位差薄膜之厚度。 上述相 二3:如申請專利範圍第12項之偏光元件，其令 立差薄膜和上述偏光片被直接層合。 上述相 如申請專利範圍帛12項之偏光元件，並中 位差涛臈和上述偏光片透過點著層而層合。 在上述 广如申請專利範圍第12項之偏光元件，盆中 始立差薄膜和上述偏光片之間進一步具有保護層— 1膜/德一Λ液晶面板，係具備以下構成者：具有相位差薄 == 之偏光元件；以及液晶單元;其特徵為，該偏 ==相位差薄膜係包含在2代下利用波長55〇抓 之先所測置之光彈性係數的絕對值（心）為5〇><1〇_12以下 之向分子薄臈的延伸薄臈，其滿足下式（1)和（2): Re[450] < Re[550] < Re[650] ...(1) Kth[550] < Re[550] ...(2) 1中’㈣_、Re[55G]和Re[65_在坑下利用波長 450 nm、550挪和650⑽之光所分別測量之面内相位差 =_[55_在饥下利用波長55(^之域測量之 乂子度方向的相位差值，且 面内相位差值藉由式Re=(nx—ny)xd而求得厚度方向 之相位差值藉由式Rth=(nx-nz)xd而求得，其中，ηχ ^ 相位差溥膜在最大面内折射率之方向的折射率，Μ為在 同-平面中在垂直於相位差薄膜之最大面内折射率方向 的方向之折射率，nz為相位差薄膜在厚度方㈣折射率， d為相位差薄膜之厚度。 94146485 66 1321251 17. 如申請專利範圍第16項之液晶面板，其中，上述偏 光元件被配置在上述液晶單元的一侧。 18. 如申請專利範圍第16項之液晶面板，其中，上述偏 光元件被配置在上述液晶單元的兩側。 19. 如申請專利範圍第丨6項之液晶面板，其中，上述液 晶單元之驅動模式係選自TN模式、VA模式、⑽模式、 均勻型ECB模式、0CB模式和_模式之群中。

20. —種液晶顯示裝置，係具 主 液晶面板。 -備申-專利_ 16項之

94146485 67