TWI448750B - Antireflective circular polarizers and organic EL displays for organic EL displays - Google Patents

Antireflective circular polarizers and organic EL displays for organic EL displays Download PDF

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TWI448750B
TWI448750B TW100144860A TW100144860A TWI448750B TW I448750 B TWI448750 B TW I448750B TW 100144860 A TW100144860 A TW 100144860A TW 100144860 A TW100144860 A TW 100144860A TW I448750 B TWI448750 B TW I448750B
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Takashi Shimizu
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Description

有機EL顯示器用之抗反射圓偏光板及有機EL顯示器
本發明係有關含有經延伸之高分子薄膜之相位差薄膜。
近幾年來，隨著顯示器之普及，其等所用之光學薄膜之各種要求機能亦隨之增加。因此，要求以新穎材料或新穎製程之薄膜開發。
除薄膜性能以外，為對應於顯示器之大型化．薄型化或生產量之增大，有必要大量生產廣寬度且薄型之薄膜。生產如此薄層薄膜之際，就行走性方面或加工性、製品信賴性方面而言，薄膜強度成為重要的設計參數。
就行走性方面，由於為了大量生產而連續生產長條狀之薄膜，通常之例為邊使薄膜與各種輥接觸邊搬送輥。此時，於薄膜易產生彎折或皺摺之際，藉由於寬度方向施加力，會有薄膜於長度方向裂開之問題。且，薄膜延著輥搬送時，若其曲率較大，則薄膜會於寬度方向裂開。再者，薄膜端面之狹縫加工後或於端面施加衝擊之際薄膜亦同樣會於寬度方向裂開。如此，為使薄膜穩定地行走，有必要於長度方向及寬度方向同時具有充分之薄膜強度。
就薄膜之加工性方面，若薄膜強度弱，則會有薄膜以片狀切割時之力或薄膜彼此或薄膜貼合於面板時之彎曲，且薄膜自面板返工(rework)時之彎曲等，而於薄膜上發 生裂開等之斷裂之問題。
就製品信賴性方面，在高溫．高濕環境下或在溫度．濕度變化激烈之條件下，會有無法追隨偏光器或其他層合薄膜之收縮或膨脹而產生龜裂，使畫面顯示變不均之情況。
因此，為了大量生產寬度廣且薄型之薄膜，有必要改善行走性、加工性、製品信賴性之方面之薄膜脆性。
尤其若述及有機EL顯示器，於有機EL顯示器中，使用具有抗反射用之λ/4相位差板之圓偏光板。且為使反射色處於中性，則須要逆波長分散型之相位差板。欲對應於滿足亦為有機EL顯示器之特徵之高畫質．薄型化且有將來普及性之可能性之大型化，逆波常分散型之薄型λ/4相位差板必須為寬度廣。為引出逆分散性，例如若調整共聚物時之主鏈及側鏈量，而增加側鏈量時，薄膜變得易脆。因此，延伸性亦變差，而難以進行為了薄型化或大型化之設計。
作為光學薄膜之一有相位差薄膜。作為相位差薄膜之一，如例如專利文獻1、2所示，已開發具有相位差值於長波長之光測定者較大之特性(亦稱為逆波長分散特性)者，但該等文獻並未探討有關如上述之薄膜脆度之改善。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利第3984277號
〔專利文獻2〕國際公開第2010/64721號公報
本發明係為解決如此課題而完成者，其目的係提供一種行走性、加工性、製品信賴性優異之相位差薄膜。本發明係基於可利用表示相位差薄膜之光學特性之值，來評價構成相位差薄膜之經延伸高分子薄膜之耐折強度等之強度之見解而完成者。
本發明人等為解決前述課題而積極檢討之結果，發現利用以下所示之相位差薄膜可達成上述目的，因而完成本發明。
本發明之相位差薄膜，係包含經延伸之高分子薄膜之相位差薄膜，且滿足下述式(1)至(3)：0.70<Re〔450〕/Re〔550〕<0.97………(1)
1.5×10-3 <△n<6×10-3 ………(2)
1.13<NZ<1.50………(3)(式中，Re〔450〕及Re〔550〕分別為於23℃以波長450nm及550nm之光測定之相位差薄膜之面內相位差值，△n為使相位差薄膜之慢軸方向、快軸方向之折射率分別設為nx、ny時之nx-ny的面內雙折射，NZ為將nz設為相位差薄膜之厚度方向之折射率時之厚度方向雙折射的nx-nz與面內雙折射的nx-ny之比)。
較佳之實施形態中，在23℃以波長550nm之光測定之相位差薄膜之光彈性係數之絕對值(m2 /N)為50×10-12 以下。
較佳之實施形態中，在23℃以波長550nm之光測定之相位差薄膜之光彈性係數之絕對值(m2 /N)為10×10-12 ~45×10-12 。
較佳之實施形態中，例如由共聚物所構成之前述高分子薄膜係脂肪族聚合物且以具有延伸配向性之主鏈、與在側鏈上具有於260~380nm具有吸收端之單元，且以該側鏈之面相對於主鏈延伸方向交叉之高分子聚體作為主成分之高分子薄膜。
依據本發明之另一樣態，提供一種偏光板。該偏光板至少具有上述相位差薄膜及偏光器。
較佳之實施形態中，上述偏光板為圓偏光板。
依據本發明之另一樣態，提供一種顯示面板裝置。該顯示面板裝置至少具有前述偏光板。
本發明之相位差薄膜藉由滿足式0.70<Re〔450〕/Re〔550〕<0.97………(1)
1.5×10-3 <△n<6×10-3 ………(2)
1.13<NZ<1.50………(3)(式中，Re〔450〕及Re〔550〕分別為於23℃以波長450nm及550nm之光測定之相位差薄膜之面內相位差值， △n為使相位差薄膜之慢軸方向、快軸方向之折射率分別設為nx、ny時之nx-ny的面內雙折射，NZ為將nz設為相位差薄膜之厚度方向之折射率時之厚度方向雙折射的nx-nz與面內雙折射的nx-ny之比)，而顯示逆波長分散特性，同時行走性、加工性及製品信賴性優異。具有如此特性之相位差薄膜對於改善相位差薄膜之生產效率或顯示面板裝置之顯示特性極為有用。
 <1.相位差薄膜>
本發明之相位差薄膜為使高分子薄膜延伸所得者。本說明書中，相位差薄膜意指於面內及/或厚度方向具有雙折射者。
本說明書中，所謂Re〔550〕意指於23℃以波長550nm之光測定之面內相位差值。Re〔550〕可藉由使在波長550nm下之相位差薄膜之慢軸方向、快軸方向之折射率分別設為nx、ny，d(nm)設為相位差薄膜之厚度時，以式：Re〔550〕=(nx-ny)×d而求得。又，所謂慢軸意指面內折射率最大之方向。
本發明之nx-ny的面內雙折射△n較好為1.5×10-3 ~6×10-3 ，更好為1.5×10-3 ~5×10-3 ，又更好為2.0×10-3 ~4.5×10-3 。例如，上述相位差薄膜使用作為λ/4板時，上述△n較好為3.5×10-3 。上述相位差薄膜製造中之延伸步驟包含固定端延伸例如橫向延伸步驟或斜向延伸步驟，藉由調整其 延伸倍率、延伸溫度及延伸速度等使△n成為上述範圍，藉此可製造比以往寬度更廣之相位差薄膜，而可對應於大型顯示器，因材料之有效活用亦可降低成本設計。依情況而定，由於藉由延伸更容易調整△n，故製膜條件例如溫度、速度、厚度等亦可適當變更。△n不在上述範圍內時，相位差展限性變差，亦無法進行廣寬度延伸。且△n在該範圍內時，調整至適宜相位差變容易，而可配合顯示裝置設計相位差，藉此可提供正面特性或視角特性優異之顯示裝置。又，△n在該範圍內時，可容易地將相位差薄膜厚度設計為非常薄，亦使組裝於薄型顯示裝置變容易。相反地，△n小於該範圍時，則會必須使薄膜厚度過度變大。
上述相位差薄膜較好於23℃以波長550nm之光測定之面內相位差值(Re〔550〕)大於以波長450nm之光測定之面內相位差值(Re〔450〕)。具有如此波長分散特性之相位差薄膜，前述比例若在該範圍，則波長越長越能展現相位差，在可見光領域之各波長中可獲得理想的相位差特性。例如，使用於有機EL顯示器時，藉由製作具有如此波長依存性之相位差薄膜作為λ/4板，與偏光板貼合，可製作圓偏光板等，色相之波長依存性少，可實現中性偏光板及顯示裝置。另一方面，前述比例在該範圍外時，反射色相之波長依存性變大，於偏光板或顯示裝置會產生著色問題。又，使用於液晶顯示裝置時，依觀看角度而定產生之光漏現象或顯示畫面帶有藍色調之現象(發藍現象) 可獲得改善。
上述相位差薄膜之Re〔550〕與Re〔450〕之比(Re〔450〕/Re〔550〕)較好小於1，更好為0.50~0.99，特好為0.70~0.97，最好為0.75~0.95。藉由使Re〔450〕/Re〔550〕在上述範圍，於例如將上述相位差薄膜使用於顯示面板裝置時，可獲得更優異之顯示特性。
上述相位差薄膜較好於23℃以波長550nm之光測定之面內相位差值(Re〔550〕)小於以波長650nm之光測定之面內相位差值(Re〔650〕)。具有如此波長分散特性之相位差薄膜，於紅色區域之相位差值成為一定，例如使用於液晶顯示裝置時，依觀看角度而定產生之光漏現象或顯示畫面帶有紅色調之現象(發紅現象)可獲得改善。
上述相位差薄膜之Re〔550〕與Re〔650〕之比(Re〔650〕/Re〔550〕)較好大於1，更好為1.01~1.20，最好為1.02~1.15。藉由使Re〔650〕/Re〔550〕在上述範圍，於例如將上述相位差薄膜使用於有機EL顯示器時，可獲得更優異之顯示特性。
本說明書中，Rth意指厚度方向之相位差值。可藉由將相位差薄膜之慢軸方向、厚度方向之折射率分別設為nx、nz，d(nm)設為相位差薄膜之厚度時，以式：Rth=(nx-nz)×d而求得。又，慢軸意指面內折射率最大之方向。
上述Rth，可對應於目的選擇適宜、適當之值。上述Rth為10nm以上，較好為50nm~500nm。例如上述相位差 薄膜使用作為λ/2板時，上述Rth較好為200nm~400nm，更好為250nm~290nm。或者，上述相位差薄膜使用作為λ/4板時，上述Rth較好為100nm~200nm，更好為130nm~150nm。
Re〔450〕、Re〔550〕、Re〔650〕可使用Axometrics公司製之製品名「AxoScan」測定。
本說明書中，NZ意指厚度方向雙折射的nx-nz與面內雙折射的nx-ny之比(亦稱為Nz係數)。
本發明之相位差薄膜之NZ為1.13~1.50。較好為1.14~1.40。上述相位差薄膜製造中之延伸步驟包含固定端延伸例如橫向延伸步驟或斜向延伸步驟，藉由調整其延伸倍率、延伸溫度及延伸速度使NZ成為上述範圍，可顯著提高相位差薄膜之耐折強度(可撓性)。依情況而定，由於藉由延伸可更容易調整NZ，因此製膜條件例如溫度、速度、厚度等亦可適當變更。
例如進行通常之縱向延伸時，由於對於薄膜長度方向之延伸，寬度方向並未固定，故會引起寬度收縮。因此，成為分子更於單軸方向配向之狀態，作為折射率關係，成為例如nx>ny=nz。此情況下，延伸方向的薄膜長度方向之耐折強度雖較強，但寬度方向之耐折強度非常弱。為解決此問題，在於相對於延伸方向交叉之角度方向發生限置寬度之力的狀態(例如橫向單軸延伸時，相對於延伸方向的薄膜寬度方向為直角的薄膜長度方向之長度發生一定的力)，施以延伸，可使分子不僅於延伸方向配向，亦於與 延伸方向交叉之角度方向配向，作為折射率關係，可成為nx>ny>nz。藉此，可高程度地兼具延伸方向之耐折強度與寬度方向之耐折強度。
上述相位差薄膜之透過率較好為80%以上，更好為85%以上，最好為90%以上。
上述相位差薄膜之在23℃之光彈性係數之絕對值：C(m2 /N)為50×10-12 以下。可防止因偏光器之收縮應力或顯示面板之熱或周圍環境(耐濕．耐熱)而對相位差薄膜施加力，藉此所發生之相位差值變化，其結果，可獲得具有良好顯示均一性之顯示面板裝置。較好，上述相位差薄膜之C為10×10-12 ~45×10-12 ，最好為3×10-12 ~40×10-12 。藉由使C在上述範圍，可減低施加於上述相位差薄膜之力時所發生之相位差值變化或不均。且，光彈性係數與△n易處於折衝關係，若在該光彈性係數範圍，則不會減低相位差展現性，可確保顯示品質。
<2.相位差薄膜之製造方法>
一個實施形態中，本發明之相位差薄膜係藉由使高分子薄膜延伸並配向而製作。
至於使上述高分子薄膜延伸之方法，可依據目的，採用任意之適當延伸方法。至於適於本發明之上述延伸方法，舉例有例如橫向單軸延伸方法、縱橫同時雙軸延伸方法、縱橫逐次雙軸延伸方法等。至於延伸手段，可使用拉幅延伸機、雙軸延伸機等之任意適當延伸機。較好上述延伸 機具備溫度控制手段。加熱進行延伸時，亦可使延伸機之內部溫度連續變化，亦可使之非連續變化。步驟可以一次或分為兩次以上進行。延伸方向宜於薄膜寬度方向(TD方向)或斜向方向延伸。
使上述高分子薄膜延伸之溫度(延伸溫度)，可依據目的選擇適宜且適當值。較好，延伸係在對於高分子薄膜之玻璃轉移溫度(Tg)為Tg-20℃~Tg+30℃之範圍進行。藉由選擇如此條件，相位差值易變均一且薄膜不易結晶化(白濁)。具體而言，上述延伸溫度為90℃~210℃，更好為100℃~200℃，最好為100℃~180℃。又，玻璃轉移溫度可依據JIS K 7121(1987)利用DSC法求得。
至於控制上述延伸溫度之手段，可採用任意適當手段。至於上述溫度控制手段，可舉例有循環有熱風或冷風之空氣循環式恆溫烘箱、利用微波或遠紅外線之加熱器、溫度調節用之經加熱輥、加熱管輥、金屬帶等。
使上述高分子薄膜延伸之倍率(延伸倍率)，可對應目的適當選擇。上述延伸倍率較好超過1倍且為6倍以下，更好為超過1.5倍且為4倍以下，最好為超過2.0倍且為3倍以下。又，延伸時之傳送速度並未特別限制，但基於機械精度、安定性等，較好為0.5m/分~30m/分，更好為1m/分~20m/分。若為上述延伸條件，則不僅可獲得目的之光學特性亦可獲得光學均一性優異之相位差薄膜。
<3.相位差薄膜之用途>
本發明之相位差薄膜可使用於任意適當用途。至於代表性用途，舉例有液晶顯示裝置之λ/4板、λ/2板、光學補償薄膜等。此外，舉例有液晶顯示裝置、有機EL顯示器及電漿顯示器等之平板顯示器用之抗反射薄膜。
<4.相位差薄膜中使用之高分子薄膜>
至於本發明之相位差薄膜，係使用以熱可塑性樹脂為主成分之高分子薄膜之延伸薄膜。較好使用例如為共聚物所構成之脂肪族性聚合物且以具有延伸配向性之主鏈、與在側鏈上具有於260~380nm具有吸收端之單元，且以該側鏈之面相對於主鏈延伸方向交叉之高分子聚體作為主成分之高分子薄膜之延伸薄膜。更好使用為纖維素系樹脂、聚酯系、聚乙烯醇系、聚乙烯縮醛系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚醚系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚原冰片烯系、聚烯烴系、丙烯酸系、胺基甲酸酯系、丙烯酸胺基甲酸酯系、乙酸酯系等之透明樹脂等之樹脂，以於主鏈方向導入作成長的剛直環構造或結晶性構造之片段，於側鏈具有吸收端波長為260~380nm之芳香族基之高分子聚物作為主成份之高分子薄膜之延伸薄膜。該高分子聚物中，該片段或芳香族基可共聚合亦可經摻合。
為使高分子薄膜具有如申請專利範圍第1項之式(1)表示之逆波長分散特性，作為側鏈只要具有波長分散急遽之單元即可，為此，只要至少具有一個以上之芳香族基作為側鏈即可。吸收端波長若大於380nm，則進入可見光 區域，會產生著色等缺陷。又，若於比260nm短之短波長側，則側鏈之分散趨近平坦分散，故高分子聚體之波長分散性變緩。因此，認為側鏈若具有吸收端波長為260~380nm之芳香族基，則不會產生著色等缺陷，使側鏈之雙折射之波長依存性急遽，作為高分子聚物全體，效率良好地顯示逆波長分散特性。
又，一般而言光彈性係數係起因於材料構造之芳香族性，於脂環式之COP系(環烯烴系)較低，芳香族之PC(聚碳酸酯)系較高。因此，就降低光彈性係數而言，只要提高聚合物之脂肪族性即可，但作為取捨而會使配向性降低。因此，為實現提高如申請專利範圍第1項之式(2)所示之配向性，可考慮於脂肪族聚合物中亦導入配向性高的構造之片段，具體為於主鏈方向導入會成為長的剛直環構造或結晶性構造之片段(segment)。又，具有在更長波長側有吸收波長之側鏈成分可使高分子聚物之配向性增大。
本說明書中，所謂「延伸薄膜」意指在適當溫度對未延伸之薄膜施加張力，或對預先延伸之薄膜進而施加張力，而提高分子於特定方向之配向之塑膠薄膜。
一個實施形態中，本發明之相位差薄膜含有至少具有以下述通式(I)表示之重複單位之聚合物。
上述聚合物可例如使至少兩種醛化合物及/或酮化合物與聚乙烯醇系樹脂縮合反應而得。上述通式(I)所示之聚合物中，l、m、n、o之各基本單位之排列順序並無特別限制，可為交替、無規或嵌段之任一者。
上述通式(I)中，R1 表示氫原子、鹵素原子、碳數1~4之直鏈或分支之烷基、碳數1~4之直鏈或分支之鹵化烷基、碳數1~4之直鏈或分支之烷氧基、烷氧羰基、醯氧基、胺基、醯胺基、硝基、氰基或羥基(但，R1 不為氫原子)。上述R1 為取代在萘環之2位之取代基。較好，上述R1 為甲氧基。
上述R1 係用以控制該取代基所鍵結之萘環之立體構像所用。更具體言之，推定該取代基藉由立體障礙而易於在上述通式(I)中之兩個氧原子之間予以構像。因此，上述萘環之平面構造於將該兩個氧原子連結之假想線上實質上正交配向。藉由使用如此聚合物，可獲得透明性以及加工性優異之相位差薄膜。
上述通式(I)中，基本單位；l可藉由例如使聚乙烯 醇系樹脂與1-萘醛類或1-萘酮類之縮合反應而獲得。上述1-萘醛類可採用適當且適宜者。至於上述1-萘醛類，舉例有例如2-甲氧基-1-萘甲醛、2-乙氧基-1-萘甲醛、2-丙氧基-1-萘甲醛、2-甲基-1-萘甲醛、2-羥基-1-萘甲醛等。上述1-萘酮類可採用適當且適宜者。至於上述1-萘酮類，舉例有例如2-羥基-1-萘乙酮、8’-羥基-1’-苯并萘甲酮等。該等中較好為2-甲氧基-1-萘甲醛(該情況下，上述通式(I)中，R1 為甲氧基，A及B為氫原子)。
上述1-萘醛類可利用任意適當之合成法獲得。至於上述1-萘醛類之合成法，舉例有如日本特開平9-040600號公報或日本特開平9-110775號公報所記載般，使經取代或未取代之萘甲酸與任意之醇反應，獲得經取代或未取代之萘甲酸酯後，將其以鹵化二異丁基鋁或氫化雙(2-甲氧基乙氧基)鋁鈉等之還原劑還原之方法。上述1-萘醛類亦可直接使用市售者。
上述1-萘酮類可藉由任意適當合成法獲得。至於上述1-萘酮類之合成法，舉例有例如使經取代或未取代之萘甲酸與適當磷酸鹵化物或亞硫醯氯反應獲得鹵化醯後，將其進而與親核試劑反應之方法。或者亦可使用日本專利第2846418號之參考例1所記載之方法。
上述通式(I)中，R2 為氫原子、碳數1~4之直鏈或分支烷基、碳數5~10之經取代或未取代之環烷基、經取代或未取代之苯基、經取代或未取代之萘基或經取代或未取代之雜環基。於上述R2 中導入如此取代基之聚合物對 通用溶劑(例如丙酮、乙酸乙酯、甲苯等)之溶解性優異。較好，上述R2 為碳數1~4之直鏈或分支烷基。
上述通式(I)中，基本單位；m可藉由例如使聚乙烯醇系樹脂與任意之醛化合物或酮化合物之縮合反應而得。至於醛化合物舉例有甲醛、乙醛、1,1-二乙氧基乙烷(縮醛)、丙醛、正丁醛、異丁醛、環己烷羧醛、5-原冰片烯-2-羧醛、3-環己烯-1-羧醛、二甲基-3-環己烯-1-羧醛、苯甲醛、2-氯苯甲醛、對-二甲胺基苯甲醛、第三丁基苯甲醛、3,4-二甲氧基苯甲醛、2-硝基苯甲醛、4-氰基苯甲醛、4-羧基苯甲醛、4-苯基苯甲醛、4-氟苯甲醛、2-(三氟甲基)苯甲醛、1-萘甲醛、2-萘甲醛、6-甲氧基-2-萘甲醛、3-甲基-2-噻吩羧醛、2-吡啶羧醛、吲哚-3-羧醛等。
至於酮化合物，舉例有丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、第三丁基酮、二丙基酮、烯丙基乙基酮、苯乙酮、對-甲基苯乙酮、4’-胺基苯乙酮、對-氯苯乙酮、4’-甲氧基苯乙酮、2’-羥基苯乙酮、3’-硝基苯乙酮、對-(1-哌啶基)苯乙酮、苯并苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、4-硝基二苯甲酮、2-甲基二苯甲酮、對-溴二苯甲酮、環己基(苯基)甲酮、2-萘丁酮、1-萘乙酮等。
上述通式(I)中，R3 表示氫原子、碳數1~4之直鏈或分支烷基、苄基、矽烷基、磷酸基、醯基、苯甲醯基或磺醯基。
上述R3 係藉由保護殘存之羥基(亦稱為封端處理)而用以將吸水率調整為適當值所用。吸水率小時，例如使 用上述聚合物作為相位差薄膜時，可獲得具有高透明性且相位差之安定性優異者。本發明之聚合物，依據使用用途或目的而定，該取代基亦可不經封端處理(亦即R3 直接為氫原子)。至於上述R3 ，可使用例如獲得殘存羥基之聚合物後，與羥基反應形成取代基所得之(亦即可經封端處理)任意適當基(代表性為保護基)。
上述保護基舉例為例如苄基、4-甲氧基苯基甲基、甲氧基甲基、三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙醯基、苯甲醯基、甲烷磺醯基、雙-4-硝基苯基磷酸酯等。上述R3 較好為三甲基矽烷基、三乙基矽烷基或第三丁基二甲基矽烷基。藉由使用該等取代基，可獲得即使於高溫多濕下之環境下亦具有透明性且相位差安定性優異之相位差薄膜。
上述封端處理之反應條件，依據與羥基反應之取代基種類而定，可採用適宜、適當條件。例如烷化、苄基化、矽烷基化、磷酸化、磺醯化等反應，可使殘存羥基之聚合物與成為目的之取代基之氯化物，在4-(N,N-二甲基胺基)吡啶等之觸媒存在下，在25℃~100℃攪拌1小時~20小時而進行。
上述通式(I)中，基本單位；o可使用經取代或未取代之苯甲醛作為醛化合物而導入。藉由使用如此聚合物，可獲得透明性更優異之相位差薄膜。
上述通式(I)中，R4 表示氫原子、鹵素原子、碳數1~4之直鏈或分支烷基、碳數1~4之直鏈或分支鹵化烷基 、碳數1~4之直鏈或分支烷氧基、烷氧羰基、醯氧基、胺基、硝基、氰基或羥基。上述R4 為取代於苯環之鄰位、間位或對位之取代基。
上述通式(I)中，基本單位l、m、n及o之比例，可依據目的適宜、適當選擇。上述基本單位；l之比例較好為1莫耳%~20莫耳%，更好為5莫耳%~15莫耳%。上述基本單位；m之比例較好為25莫耳%~50莫耳%，更好為30莫耳%~50莫耳%。上述基本單位；n之比例較好為10莫耳%~55莫耳%，更好為15莫耳%~50莫耳%。上述基本單位；o之比例較好為1莫耳%~20莫耳%，更好為5莫耳%~15莫耳%。
再者，構成單位l與構成單位m及o之合計之比例〔l/(m+o)〕〔莫耳/莫耳〕較好為0.10~0.50，更好為0.12~0.40，最好為0.15~0.30。藉由使基本單位；l、m、n及o之比例成為上述範圍，例如含有上述聚合物之相位差薄膜顯示兼具透明性、相位差之展現性、逆波長分散特性之優異特性。
上述聚合物之重量平均分子量較好為1,000~1,000,000，更好為3,000~500,000，最好為5,000~300,000。藉由使重量平均分子量成為上述範圍，可獲得機械強度優異之相位差薄膜。又，上述重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析(GPC)法以聚苯乙烯為標準試料而算出。至於分析裝置，可使用TOSOH製「HLC-8120GPC」(管柱：TSKgel Super HM-H/H4000/H3000/H2000，管柱尺寸：各6.0mm I.D.×150mm，溶離液：四氫呋喃，流量：0.6ml/min，檢測器：RI，管柱溫度：40℃，注入量：20μl)。
上述聚合物之玻璃轉移溫度較好為90℃~190℃，更好為100℃~170℃，最好為110℃~160℃。藉由使玻璃轉移溫度成為上述範圍，可獲得耐熱性優異之相位差薄膜。
又，玻璃轉移溫度可依據JIS K 7121(1987)以DSC法求得。
含有上述聚合物之高分子薄膜可進而含有任意適當之添加劑。作為上述添加劑，舉例有例如可塑劑、熱安定劑、光安定劑、滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、難燃劑、抗靜電劑、相溶化劑、交聯劑以及增黏劑等。上述添加劑之使用量，可對應目的而適宜、適當選擇。上述添加劑之使用量相對於上述聚合物100重量份，較好為超過0且10(重量比)以下，更好為超過0且為5(重量比)以下。
上述高分子薄膜之厚度，可對應目的而適宜、適當選擇。上述厚度較好為10μm~300μm，更好為20μm~200μm，最好為30μm~150μm。若為上述範圍，則可獲得機械強度及厚度均一性優異者。
上述高分子薄膜之透過率較好為85%以上，更好為90%以上。
上述高分子薄膜之光彈性係數之絕對值(C(m2 /N))較好為1×10-12 ~50×10-12 ，更好為10×10-12 ~45×10-12 。藉由使用光彈性係數之絕對值為上述範圍者，可獲得例如顯示均一性優異之液晶顯示裝置。
另一實施形態中，本發明之相位差薄膜為以下述通式(II)表示之構造之聚乙烯縮醛系樹脂為主成分之高分子薄膜之延伸薄膜。該聚乙烯縮醛系樹脂可藉由使用聚乙烯醇系樹脂與兩種以上之醛、兩種以上之酮、或至少一種醛與至少一種酮，以縮合反應(亦稱為縮醛化)而獲得。若為以含有下述通式(II)表示之構造之聚乙烯縮醛系樹脂為主成份之高分子薄膜之延伸薄膜，則可獲得顯示逆波長分散特性、成形加工性、延伸性、相位差值之安定性優異之相位差薄膜。又，由於延伸配向性亦優異，故可使相位差薄膜之厚度變薄。
(通式(II)中，R5 、R9 及R10 分別獨立表示氫原子或碳數1~8之直鏈狀、分支狀或環狀烷基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之蒽基、或可具有取代基之菲基，R6 、R7 及R8 分別獨立表示氫原子、碳數1~4之直鏈狀、分支狀或環狀烷基、碳數1~4之直鏈狀或分支狀烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、硝基、胺基、羥基、氰基或硫醇基；但R6 及R7 不同時為氫原子；R11 表示氫原子、碳數1~8之直鏈狀、分支狀或環狀烷基、苄基、矽烷基、磷酸基、醯基、苯甲醯基或磺醯基；l、m 及n表示1以上之整數)。
上述通式(II)中，R9 及R10 取代基係用以更緻密控制使以包含以上述通式(II)表示之構造之聚乙烯縮醛系樹脂為主成分之高分子薄膜延伸所得之相位差薄膜之波長分散特性所用者。更具體而言，藉由於R9 及R10 導入取代基，在該高分子薄膜延伸之際，可獲得該取代基相對於延伸方向大致平行之配向。本發明之相位差薄膜之波長分散特性認為係由配向於與連結前述之2個氧原子的假想線大致正交之方向之苯環的波長分散特性，主鏈構造之波長分散特性與此處所述之於R9 及R10 中導入之取代基之波長分散特性之相互作用而得者。又，亦可更提高該高分子薄膜之成形加工性、延伸性、相位差值之安定性及延伸配向性。
上述R9 及R10 可依據例如獲得上述聚乙烯縮醛系樹脂之際，與醇反應之醛(代表性為苯甲醛類)或酮(代表性為苯乙酮類或二苯甲酮類)之種類而適宜選擇。至於醛及酮之具體例，可如前述。
至於上述R9 較好為氫原子或甲基，最好為氫原子。至於上述R10 較好為甲基或乙基，最好為乙基。藉由導入如此取代基，可獲得成形加工性、延伸性、相位差值之安定性及延伸配向性極優異之相位差薄膜。
上述通式(II)中，R11 之取代基係用以藉由保護殘存之羥基(亦稱為封端處理)而將吸水率調整至適當值，並提高樹脂對於溶劑之溶解性、成形加工性及相位差值之安定性所用者。因此，依據所得相位差薄膜之吸水率或光 學特性、且使用本發明之相位差薄膜之用途而定，R11 可不經封端處理，亦可直接為氫原子。
上述R11 可藉由使用於獲得殘存羥基之聚乙烯縮醛系樹脂後形成公知之與羥基反應之取代基者(代表性為保護基)利用封端處理而得。作為上述保護基之具體例，舉例有苄基、4-甲氧基苯基甲基、甲氧基甲基、三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙醯基、苯甲醯基、甲烷磺醯基、雙-4-硝基苯基磺酸酯等。至於封端處理之反應條件，係依據與羥基反應之取代基種類而定，可採用適宜、適當之反應條件。例如烷化、苄基化、矽烷基化、磷酸化、磺醯化等反應，可使殘存羥基之聚乙烯縮醛系樹脂與成為目的之取代基之氯化物，在4-(N,N-二甲基胺基)吡啶等之觸媒存在下，在25℃~100℃攪拌1小時~20小時而進行。至於上述R11 ，較好為選自三甲基矽烷基、三乙基矽烷基及第三丁基二甲基矽烷基之一種矽烷基。藉由使用該等取代基，可獲得即使在高溫多濕下等之環境中亦保有高透明性、相位差值之安定性優異之相位差薄膜。
上述通式(II)中，l、m及n之比例，可依據取代基種類或目的而適宜選擇。較好l、m及n之合計設為100(莫耳)%時，l為5~30(莫耳%)，m為20~80(莫耳%)，n為1~70(莫耳%)，特佳係l為10~28(莫耳%)，m為30~75(莫耳%)，n為1~50(莫耳%)，最好係l為15~25(莫耳%)，m為40~70(莫耳%)，n為10~40 (莫耳%)。藉由成為上述範圍，可獲得顯示逆波長分散特性，且成形加工性、延伸性、相位差值之安定性以及延伸配向性極為優異之相位差薄膜。
<5.高分子薄膜之製造方法>
含有上述聚合物之高分子薄膜可藉由任意適當之成形加工法獲得。至於上述成形加工法，舉例有例如壓縮成形法、轉模成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP成形法、溶劑澆鑄法等。較好上述成形加工法為溶劑澆鑄法或擠出成形法。上述溶劑澆鑄法具體而言，為將例如含有成為主成分之聚合物及添加劑之組成物溶解於溶劑中之濃溶液(原液)進行脫泡，於環型不鏽鋼帶或旋轉滾筒之表面上，澆鑄成薄片狀，蒸發溶劑而成形薄膜之方法。又，上述擠出成形法具體而言，為例如將含有成為主成分之聚合物及添加劑之組成物加熱熔融，使用T模嘴等將其於澆鑄輥表面上擠出成薄片狀並冷卻而形成薄膜之方法。藉由採用上述方法，可獲得厚度均一性優異之高分子薄膜。
<6.偏光板>
於一個實施形態中，本發明之偏光板至少具有上述相位差薄膜及偏光器。圖1為本發明之較佳實施形態中使用相位差薄膜之偏光板之概略剖面圖。圖1(a)之偏光板在偏光器1之一側具有任意保護層2，於另一側具有相位差 薄膜4。圖1(b)之偏光板於偏光器1之一側具有光學薄膜3，於另一側具有相位差薄膜4。圖1(c)之偏光板於偏光器1之一側具有任意保護層2，於另一側具有任意保護層2’，該保護層2’之與具備該偏光器1之側相反之側上，進而具備相位差薄膜4。圖1(d)之偏光板於偏光器1之兩側具備光學薄膜3及3’，於該光學薄膜3’之與具備該偏光器1之側相反之側上，進而具備相位差薄膜4。上述任意保護層2及2’可各為相同亦可相異。又，上述光學薄膜3及3’可各為相同亦可相異。
至於本發明之偏光板之一例，上述偏光板之上述偏光器之吸收軸方向與相位差薄膜之慢軸方向實質上平行或實質上正交。本說明書中，所謂「實質平行」包含偏光器之吸收軸方向與相位差薄膜之慢軸方向所成之角度為0°±2.0°之情況，較好為0°±1.0°，又更好為0°±0.5°。又所謂「實質正交」包含偏光器之吸收軸方向與相位差薄膜之慢軸方向所成之角度為90°±2.0°之情況，較好為90°±1.0°，又更好為90°±0.5°。依據如此形態，於正面方向中，並無對於液晶顯示裝置之顯示特性帶來之相位差薄膜之雙折射之影響，另一方面，於斜向方向，藉由相位差薄膜之雙折射而光學補償液晶胞。其結果，可獲得於正面方向及於斜向方向之對比度均高之液晶顯示裝置。
至於本發明之偏光板之一例，為上述偏光板之上述偏光器之吸收軸方向與相位差薄膜之慢軸方向實質上為45°。本說明書中，所謂「實質上為45°」包含偏光器之吸收 軸方向與相位差薄膜之慢軸方向所成之角度為45°±3.0°之情況，較好為45°±1.0°，又更好為45°±0.5°。依據如此形態，可獲得於可見光之寬廣區域，直線偏光可變換成圓偏光(或圓偏光變換成直線偏光)之優異圓偏光板。
實用上，於上述偏光器及與其鄰接之各構件(任意保護層、光學薄膜、相位差薄膜)之間，設有接著層或黏著層(未圖示)，而使偏光器與各構件黏貼。如此，藉由於偏光器之至少一側上配置本發明之相位差薄膜，可獲得例如顯示均一性優異之顯示裝置。
尚述偏光器若為可將自然光或偏光變換成直線偏光者，則可採用適宜、適當者。上述偏光器較好為以含有碘或二色性染料之聚乙烯醇系樹脂為主成分之延伸薄膜。
上述二色性物質可採用任意適當者。本說明書中所謂「二色性」意指在光學軸方向及與其正交方向之兩方向之光吸收不同之光學向異性。
本發明中使用之以聚乙烯醇系樹脂為主成分之高分子薄膜，亦可直接使用市售薄膜。至於市售之以聚乙烯醇系樹脂為主成分之高分子薄膜舉例為例如KURARAY(股)製之商品名「KURARAY VINYLON FILM」、TOHCELL(股)製之商品名「TOHCELL VINYLON FILM」、日本合成化學工業(股)製之商品名「日合VINYLON FILM」等。
關於偏光器之製造方法之一例，參考圖2加以說明。圖2為顯示本發明所用之偏光器之代表製造步驟之概念之 示意圖。例如，將以聚乙烯醇系樹脂為主成分之高分子薄膜301自抽出部300抽出，浸漬於碘水溶液浴310中，邊以速度比不同之輥311及312於薄膜長度方向施加張力，邊供給至膨潤及染色步驟。接著，浸漬於含硼酸及碘化鉀之水溶液浴320中，邊以速度比不同之輥321及322於薄膜長度方向施加張力，邊供給至交聯處理。經交聯處理之薄膜利用輥331及332，浸至於含碘化鉀之水溶液浴330中並供於水洗處理。經水洗處理之薄膜，以乾燥手段340乾燥，藉此將水分率調節至例如10%~30%，以捲取部360捲取。偏光器350可藉由經過該等步驟，使以上述聚乙烯醇系樹脂為主成分之高分子薄膜延伸至其原長度之5倍~7倍而獲得。
至於上述任意之保護層，可採用適宜、適當者。上述保護層係使用以防止偏光器收縮或膨脹，防止因紫外線引起之劣化。至於成為如此薄膜之主成分之材料具體例，舉例有聚乙醯基纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚原冰片烯系、聚烯烴系、丙烯酸系、乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦舉例有丙烯酸系、胺基甲酸酯系、丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。除此之外，亦舉例有例如矽氧烷系聚合物等之玻璃質系聚合物。又，個別保護層可為相同亦可相異。
上述保護層較好為透明且無著色。具體而言，於厚度 方向之相位差較好為-90nm~+90nm，更好為-80nm~+80nm，最好為-70nm~+70nm。
至於上述保護層之厚度，只要可獲得上述較佳厚度方向之相位差，則可採用任意之適當厚度。具體上，保護層之厚度較好為100μm以下，更好為80μm以下，最好為40μm以下。
參考圖1，可於任意之保護層2及2’以及光學薄膜3及3’之表面上形成任意表面處理層。至於上述表面處理層，係使用施以硬塗層處理、抗靜電處理、防止反射處理(亦稱為抗反射處理)、擴散處理(亦稱為防眩處理)等之處理層。該等表面處理層之使用目的係防止畫面汙損或損傷，防止室內之螢光燈或太陽光線照入畫面而引起之難以辨識顯示畫面。上述表面處理層通常係使用於基底薄膜表面上固著形成上述處理層之處理劑者。上述基底薄膜，亦可兼作為上述表護層或光學薄膜。再者，上述表面處理層亦可為例如將硬塗層處理層層合於抗靜電處理層上之多層構造。上述表面處理層亦可直接使用市售之表面處理層。至於施以硬塗層處理及抗靜電處理之市售薄膜舉例有KONICA MINOLTA OPTO(股)製之商品名「KC8UX-HA」。至於施以抗反射處理之市售表面處理層舉例有例如日本油脂(股)製之ReaLook系列。
<7.顯示面板裝置>
一個實施形態中，本發明之顯示面板裝置具有上述偏 光板及如液晶顯示面板或有機EL顯示面板之顯示面板。偏光板與顯示面板可直接接著，亦可介隔如觸控面板或其他光學構件之任意構件而配置。
〔實施例〕
本發明中，使用以下實施例進一步說明。又，本發明並非僅限於該等實施例者。又，實施例所用之各分析方法如下。
(1)組成比之測定：使用核磁共振光譜儀〔日本電子(股)製，製品名「LA400」〕(測定溶劑：氘化DMSO，頻率：400MHz，觀測核：1 H，測定溫度：70℃)求得。
(2)厚度之測定方法：厚度未達10μm時，使用薄膜用分光光度計〔大塚電子(股)製，製品名「瞬間多測光系統MCPD-2000」〕測定。厚度為10μm以上時，使用ANRITSU至之數位微米計「KC-351C型」測定。
(3)薄膜之折射率測定方法：使用阿貝(Abbe)折射率計〔ATAGO(股)製，製品名「DR-M4」〕，由在23℃以波長589nm之光測定之折射率求得。
(4)相位差值(Re、Rth)之測定方法：使用〔Axometrics公司製，製品名「AxoScan」〕，於23℃之室內測定。
(5)透過率之測定方法：使用分光光度計〔村上色彩技術研究所(股)製，製品名「DOT-3」〕，在23℃以波長550nm之光測定。
(6)耐折強度(次)之測定方法：依據JIS P 8115，對於樣品尺寸100mm×15mm，以荷重200g，使用〔TESTER產業(股)製，BE202MIT耐折度試驗機〕對於自延伸薄膜於長邊切出薄膜之長度方向(MD方向)時及於長邊切出薄膜之寬度方向(TD方向)時之兩方向進行測定。
(7)光彈性係數之絕對值(C〔550〕)之測定方法：使用分光橢圓偏振器〔日本分光(股)製，製品名「M-220」〕，挾持樣品(尺寸2cm×10cm)之兩端邊施加應力(5~15N)邊測定樣品中央之相位差值(23℃)，由應力與相位差值之函數斜率算出。
(8)顯示面板裝置之反射光譜之測定方法：使用分光測色計〔KONICA MINOLOTA CENTERING(股)製，製品名「CM-2600d」〕，於23℃之室內測定反射分光光譜。
(9)顯示面板裝置之加熱試驗之測定方法：於加熱試驗之前，利用分光測色計〔KONICA MINOLOTA CENTERING(股)製，製品名「CM-2600d」〕，測定顯示面板裝置之顯示畫面上之45點色度。測定點設為於將顯示畫面上均一地以縱、橫各分割5、9劃而 成之45區分區域之中心部分。又，以目視評價顯示畫面全體之反射色之均一性。隨後，該顯示面板裝置在85℃之恆溫烘箱中保存96小時(加熱試驗)後，同樣測定顯示畫面上之45點之色度。進而以目視評價顯示畫面全體之反射色之均一性。
〔實施例1〕
8.8g之聚乙烯醇系樹脂〔日本合成化學(股)製，商品名「NH-18」〕(聚合度=1800，皂化度=99.0%)於105℃乾燥2小時後，溶解於167.2g之二甲基亞碸(DMSO)中。於其中，添加2.98g之2-甲氧基-1-萘甲醛及0.80g之對-甲苯磺酸1水合物，在40℃攪拌1小時。於反應溶液中，添加3.18g之苯甲醛，在40℃攪拌1小時後，再添加4.57g之二甲基縮醛，在40℃攪拌3小時。隨後，添加2.13g之三乙胺使反應結束。所得粗生成物以1L甲醇進行再沉澱。將經過濾之聚合物溶解於四氫呋喃中，再以甲醇進行再沉澱。將其過濾、乾燥，獲得11.9g之白色聚合物。該聚合物以1H-NMR測定後，具有以下述式(III)表示之重複單位，l：m：n：o之比例(莫耳比)為10：25：52：11。且，光彈性係數之絕對值(C)為27×10-12 (m2/N)。
將上述聚合物溶解於甲基乙基酮(MEK)中，以塗佈器塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度70μm)上，以130℃之空氣循環式乾燥烘箱乾燥後，自聚對苯二甲酸乙二酯薄膜剝取，製作厚度135μm之薄膜。將該薄膜以延伸機，在130℃之空氣循環式乾燥烘箱內於橫向單軸延伸2.1倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)A-1。所得相位差薄膜A-1之特性示於表1。
〔實施例2〕
除將延伸前之薄膜厚度設為150μm以代替135μm，延 伸溫度設為133℃以代替135℃，延伸倍率設為2.2倍以代替2.1倍之外，以與實施例1同樣之方法製作延伸薄膜(相位差薄膜)A-2。所得相位差薄膜A-2之特性示於表1。
〔實施例3〕
除將延伸前之薄膜厚度設為130μm以代替135μm，延伸溫度設為130℃以代替135℃，延伸倍率設為2.8倍以代替2.1倍之外，以與實施例1同樣之方法製作延伸薄膜(相位差薄膜)A-3。所得相位差薄膜A-3之特性示於表1。
〔實施例4〕
除將薄膜之製膜溫度設為90℃以代替130℃，將延伸前之薄膜厚度設為100μm以代替135μm，延伸溫度設為125℃以代替135℃，延伸倍率設為2.5倍以代替2.1倍之外，以與實施例1同樣之方法製作延伸薄膜(相位差薄膜)A-4。所得相位差薄膜A-4之特性示於表1。
〔實施例5〕
除將延伸前之薄膜厚度設為142μm以代替135μm，延伸溫度設為139℃以代替135℃，延伸倍率設為1.9倍以代替2.1倍之外，以與實施例1同樣之方法製作延伸薄膜(相位差薄膜)A-5。所得相位差薄膜A-5之特性示於表 1。
〔實施例6〕
除添加8.81g之乙醛以代替二甲基縮醛，且2-甲氧基-1-萘甲醛之使用量設為2.89g以外，以與實施例1同樣之方法獲得11.7g之白色聚合物。該聚合物以1HNMR測定後，具有以下述式(IV)表示之重複單位，l：m：n：o之比例(莫耳比)為11：54：28：7。
將上述聚合物溶解於甲基乙基酮(MEK)，以塗佈器塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度70μm)上，以空氣循環式乾燥烘箱乾燥後，自聚對苯二甲酸乙二酯薄膜剝取，製作厚度95μm之薄膜。將該薄膜以延伸機，在130℃之空氣循環式乾燥烘箱內於橫向單軸延伸2.5倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)B。所得相位差薄膜B之特性示於表1。
〔實施例7〕
8.8g之聚乙烯醇系樹脂〔日本合成化學(股)製，商品名「NH-18」〕(聚合度=1800，皂化度=99.0%)於105 ℃乾燥2小時後，溶解於167.2g之二甲基亞碸(DMSO)中。於其中，添加2.98g之2-甲氧基-1-萘甲醛及0.80g之對-甲苯磺酸1水合物，在40℃攪拌1小時。於反應溶液中，添加3.18g之苯甲醛，在40℃攪拌1小時後，再添加10.4g之2,2-二甲氧基丙烷，在40℃攪拌3小時。隨後，添加2.13g之三乙胺使反應結束。所得粗生成物以1L甲醇進行再沉澱。將經過濾之聚合物溶解於四氫呋喃中，再以甲醇進行再沉澱。將其過濾、乾燥，獲得18.8g之白色聚合物。該聚合物以1H-NMR測定後，具有以下述式(V)表示之重複單位，l：m：n：o之比例(莫耳比)為13：31：43：13。
將上述聚合物溶解於甲基乙基酮(MEK)，以塗佈器塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度70μm)上，以130℃之空氣循環式乾燥烘箱乾燥後，自聚對苯二甲酸乙二酯薄膜剝取，製作厚度170μm之薄膜。將該薄膜以延伸機，在130℃之空氣循環式乾燥烘箱內於橫向單軸延伸2.1倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)C。所得相位差薄膜C之特性示於表1。
〔實施例8〕
將環己烷二甲醇(以下簡稱為CHMD)67.35份、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀(以下簡稱BCF)90.94份、碳酸二苯基酯154.61份及作為觸媒之氫氧化四甲基銨1.8×10-2 份及氫氧化鈉1.6×10-4 份在氮氣環境下於180℃加熱溶解。隨後，以30分鐘將減壓度調整至13.4kPa。隨後，以60℃/小時之速度進行升溫至260℃，於該溫度保持10分鐘後，以1小時將減壓度設為133Pa以下。以合計6小時攪拌進行反應。
反應結束後，添加觸媒量之4倍莫耳之十二烷基苯磺酸似丁基鏻鹽，使觸媒失活後，自反應槽底部以氮氣加壓下排出，邊以水槽冷卻邊以切片機切割獲得粒片(寡聚碳酸酯)。
接著，於TECHNOVEL製之15mm雙軸擠出機上，安裝寬度150mm、肋帶寬度500μm之T模嘴與薄膜捲取裝製，藉由將所得寡聚碳酸酯進行薄膜形成而獲得厚度120μm之透明擠出薄膜。將該薄膜以延伸機，在126℃之空氣循環式乾燥烘箱內於橫向單軸延伸2.1倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)D-1。所得相位差薄膜D-1之特性示於表1。
〔實施例9〕
除將延伸前之薄膜厚度設為160μm以代替120μm，延伸溫度設為118℃以代替126℃，延伸倍率設為2.4倍以代替2.1倍之外，以與實施例8同樣之方法製作延伸薄膜 (相位差薄膜)D-2。所得相位差薄膜D-2之特性示於表1。
〔實施例10〕
5.0g之聚乙烯醇系樹脂〔日本合成化學(股)製，商品名「NH-18」〕(聚合度=1800，皂化度=99.0%)於105℃乾燥2小時後，溶解於95ml之二甲基亞碸(DMSO)中。於其中，添加2.02g之2,4,6-三甲基苯甲醛(mesitaldehyde)及0.44g之對-甲苯磺酸1水合物，在40℃攪拌2小時。於其中，添加13.41g之1,1-二乙氧基乙烷(乙醛)，進而在40℃攪拌2小時。隨後，添加1.18g之三乙胺使反應結束。於所得反應生成物(聚合物)中滴加甲醇溶液，進行再沉澱。使該聚合物沉降，以傾析法去除上澄液後，進而添加甲醇/水=1/1(體積/體積)，洗淨該聚合物。將使其過濾所得之之聚合物乾燥，獲得7.50g白色聚合物。上述白色聚合物以1H-NMR測定後，為以下述式(VI)表示之構造(l：m：n=21：58：21)之聚乙烯縮醛系樹脂。
將所得聚乙烯縮醛系樹脂(17.7重量份)溶解於甲苯 (100重量份)中，以科瑪塗佈器均勻塗佈於厚度75μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜〔TORAY(股)製，商品名「LUMILA-S27-E」〕之表面上，於多室型空氣循環式乾燥機中，以80℃ 20分鐘、120℃ 20分鐘、140℃ 30分鐘自低溫緩慢升溫邊乾燥，乾燥後厚度為160μm。將該薄膜以延伸機，在141℃之空氣循環式乾燥烘箱內於橫向單軸延伸2.1倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)E。所得相位差薄膜E之特性示於表1。
〔比較例1〕
將厚度130μm之環烯烴系樹脂薄膜〔JSR(股)製，商品名「ARTON薄膜FEKP130」〕以延伸機，在147℃之空氣循環式乾燥烘箱內於橫向單軸延伸2.0倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)F。所得相位差薄膜F之特性示於表1。
〔比較例2〕
除將延伸前之薄膜厚度設為140μm以代替135μm，延伸溫度設為145℃以代替135℃，延伸倍率設為1.4倍以代替2.1倍之外，以與實施例1同樣之方法製作延伸薄膜(相位差薄膜)G。所得相位差薄膜G之特性示於表1。
〔比較例3〕
除將延伸前之薄膜厚度設為100μm以代替135μm，延 伸溫度設為130℃以代替135℃，延伸方向及倍率設為2.0倍縱向單軸延伸以代替2.1倍於橫向單軸延伸之外，以與實施例1同樣之方法製作延伸薄膜(相位差薄膜)H。所得相位差薄膜H之特性示於表1。
〔比較例4〕
將聚碳酸酯系樹脂〔帝人化成(股)，商品名「PUREACE「WR(S)」」〕溶解於二氯甲烷中，作成溶液後，塗佈於PET上，在130℃乾燥後，獲得厚度130μm之薄膜。將該薄膜以延伸機，在150℃之空氣循環式乾燥烘箱內於縱向單軸延伸1.8倍，製作延伸薄膜(相位差薄膜)I。所得相位差薄膜I之特性示於表1。
將上述實施例1~10及比較例1~4所得之相位差薄膜各與偏光板〔日東電工公司製，商品名「NPF TEG1465DUHC」〕(黏著劑層除外之層厚為112μm)以使相位差薄膜之慢軸與偏光器之吸收軸成為45度之方式，介隔丙烯酸系黏著劑(20μm)貼合，以作成圓偏光板。將此圓偏光板介隔同樣之丙烯酸系黏著劑(20 μm)貼合於有機EL面板〔LG顯示器公司製，商品名「15EL9500」〕之辨識側，作成顯示面板裝置。使用分光測色計〔KONICA MINOLOTA CENTERING(股)製，製品名「CM-2600d」〕測定所得顯示面板裝置之反射分光光譜。又，評價所用之有機EL面板係預先將貼合於表面之抗反射薄膜剝離後使用。結果示於表1，且關於實施例1及比較例 1、2示於圖3。又，針對所得顯示面板裝置，利用分光測色計〔KONICA MINOLOTA CENTERING(股)製，製品名「CM-2600d」〕，測定顯示畫面上之45點色度(反射色相)。測定點設為於將顯示畫面上均一地以縱、橫各分割5、9劃而成之45區分區域之中心部分。又，將該顯示面板裝置在85℃之恆溫烘箱中保存96小時(加熱試驗)後，同樣測定顯示畫面上之45點之色度。進而以目視評價顯示畫面全體之反射色之均一性。結果示於表1，且關於實施例1及比較例4則於圖4中以x、y色度圖以及照片予以顯示。圖4所示之x、y色度圖，係將顯示畫面上之45點之色度作為色度座標(x,y)予以作圖，該作圖之變化大者，顯示畫面內之色度變化亦大，作為顯示裝置並不佳。
〔評價〕
如圖3所示，實施例1在全部可見光區域中之反射獲得抑制，外觀之反射色為黑色，可知具有作為用於顯示器之抗反射用圓偏光板之相位差薄膜之優異特性。
又，關於其他實施例2~10亦獲得同樣結果。另一方面，關於比較例1、2，於短波長側、長波長側之反射較大，外關之反射色為藍色、紅色，可知並不適合作為用於顯示器之抗反射用圓偏光板之相位差薄膜。
如表1所示，於實施例1~10中，相位差薄膜之耐折強度於MD方向及TD方向均超過100次，但比較例3及 4，相位差薄膜之TD方向之耐折強度大幅低於100次，可知薄膜較脆。又，可知於實施例1~9，相位差薄膜之寬度方向之延伸倍率為1.5倍以上，寬度方向之有效使用率變大使成本效益增高，但比較例2則低於1.5倍，成本效益低。
如圖4所示，比較例4中，藉由加熱試驗，色度座標(x,y)自(0.3,0.3)附近之中性色相變化至座標數值小的藍色色相，顯示畫面內之色度變化變大。另一方面，實施例1中，即使加熱試驗後，色度座標(x,y)作圖之變化亦小，顯示畫面內之色度變化抑制在較小。其他實施例2~10亦獲得同樣結果。再者，如照片所示，比較例4中，因加熱而使反射色在顯示畫面內變不均一，相對地，實施例1中，即使加熱仍保有顯示畫面內之反射色均一。其他實施例2~10亦獲得同樣結果。由以上，可知實施例1~10具有作為顯示器之抗反射用圓偏光板用之相位差薄膜之優異特性。
以上，本發明雖係關於特定實施形態以圖示加以詳細說明，但本發明之保護範圍並不限定於圖示之實施形態之細部，而係由申請專利範圍之記載所決定之範圍予以決定者。
1‧‧‧偏光器
2,2’‧‧‧任意保護薄膜
3,3’‧‧‧光學薄膜
4‧‧‧相位差薄膜
11‧‧‧偏光板
300‧‧‧抽出部
310‧‧‧碘水溶液浴
320‧‧‧含硼酸與碘化鉀之水溶液浴
330‧‧‧含碘化鉀之水溶液浴
340‧‧‧乾燥機構
350‧‧‧偏光器
360‧‧‧捲取部
圖1為本發明之較佳實施形態中使用相位差薄膜之偏光板之概略剖面圖。
圖2為顯示本發明所用之偏光器之代表性製造步驟之概念之示意圖。
圖3為顯示具備使用實施例1、比較例1及比較例2所得之相位差薄膜之偏光板之顯示面板裝置之反射光譜之圖表。
圖4為顯示具備使用實施例1及比較例4所得之相位差薄膜之偏光板之顯示面板裝置之加熱試驗結果之照片及色度圖。
1‧‧‧偏光器
2,2’‧‧‧任意保護薄膜
3,3’‧‧‧光學薄膜
4‧‧‧相位差薄膜
11‧‧‧偏光板

Claims (4)

  1. 一種有機EL顯示器用之抗反射圓偏光板，其為包含：偏光器、與含經延伸之高分子薄膜之相位差薄膜，前述相位差薄膜為，滿足下述式(1)至(3)：0.70<Re〔450〕/Re〔550〕<0.97．．．(1) 1.5×10-3 <△n<6×10-3 ．．．(2) 1.13<NZ<1.50．．．(3)(式中，Re〔450〕及Re〔550〕分別為於23℃以波長450nm及550nm之光測定之相位差薄膜之面內相位差值，△n為使相位差薄膜之慢軸方向、快軸方向之折射率分別設為nx、ny時之nx-ny的面內雙折射，NZ為將nz設為相位差薄膜之厚度方向之折射率時之厚度方向雙折射的nx-nz與面內雙折射的nx-ny之比)；且前述高分子薄膜係脂肪族性聚合物且以具有延伸配向性之主鏈、與在側鏈上具有於260~380nm具有吸收端之單元，且以該側鏈之面相對於主鏈延伸方向交叉之高分子聚體作為主成分之高分子薄膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機EL顯示器用之抗反射圓偏光板，其中在23℃以波長550nm之光測定之相位差薄膜之光彈性係數之絕對值(m2 /N)為50×10-12 以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機EL顯示器用之抗反 射圓偏光板，其中在23℃以波長550nm之光測定之相位差薄膜之光彈性係數之絕對值(m2 /N)為10×10-12 ~45×10-12 。
  4. 一種有機EL顯示器，其特徵為具備如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機EL顯示器用之抗反射圓偏光板、與有機EL面板，且前述EL顯示器用之抗反射圓偏光板被配置於前述有機EL面板的辨識側。
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