1296824 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明之技術領域是關於對例如半導體晶圓或液晶顯 示器用之玻璃基板等之基板，塗佈光阻，並將曝光後之基 板予以顯像的塗佈、顯像裝置。 【先前技術】 一般，在半導體晶圓（以下稱爲晶圓）等之基板上取得 光阻圖案的一連串處理，是使用將曝光裝置連接於用以執 行光阻液塗佈或顯像之塗佈、顯像裝置的系統而執行。 就以上述之塗佈、顯像裝置而言，例如於專利文獻1 揭示著具有在上下配置著於收納有於曝光處理前對晶圓施 予塗佈處理之模組的塗佈膜形成用之區塊，和於曝光後對 晶圓施予顯像處理之模組的顯像用之區塊，各區塊之一端 是被連接於負載及卸載晶圓的埠，各區塊之另一端是經由 介面區塊而被連接於曝光裝置之構成的塗佈、顯像裝置。 於該塗佈、顯像裝置中，由於具有如此之構成，分開執行 塗佈工程和顯像工程，故可以謀求提昇產能。 曝光裝置隨著近年來解像度提昇，現在例如將ArF(氟 化氬）等當作光源使用，可以數十nm左右之解像線寬來執 行曝光處理，。但是，由於氣壓或天候等周圍環境之些許變 化，使得例如光學系之保持構件等膨脹、收縮，對光之焦 點位置敏感影響，極大影響光阻圖案完成。因此，爲了經 常執行安定之曝光處理，即使例如在1天中也必須頻繁地 (2) (2)1296824 確認及調整曝光裝置。 另外，爲了抑制工場之運轉成本，而降低無塵室之潔 淨水準的傾向，以致曝光裝置之狀態檢查是不打開曝光裝 置之維修用門，從塗佈、顯像裝置之載體區塊經由處理區 塊之搬送系統將試驗用之晶圓搬送至曝光裝置而執行。但 是，於上述專利文獻1所記載之塗佈、顯像裝置中，由於 爲了將試驗用之晶圓搬送至曝光裝置，必須利用塗佈膜形 成用區塊或顯像用區塊，在對塗佈膜形成用區塊及顯像用 區塊執行維修之時或在該些區塊發生不良狀態之時等，則 無法執行定期或不定期之曝光裝置之狀態檢查或調整。因 此，等待塗佈膜形成用區塊或顯像用區塊之維修作業完成 ，將試驗用之晶圓搬送至曝光裝置而執行狀態檢查、調整 ’故無法於區塊之維修後馬上對製品晶圓執行至成，其結 果成爲降低產量之原因。 又，於新增設半導體之製造生產線時等，短縮裝置啓 動則成爲重要課題。但是，專利文獻1之裝置構成中，當 完成塗佈膜形成用之區塊或顯像用之區塊之搬送系統時， 不執行曝光裝置之調整，另外，曝光裝置之調整由於調整 項目多並且必須微妙調整，故需花費較長時間，如此一來 有難以短縮裝置啓動之狀況。 〔專利文獻1〕日本專利第3 3 3 7677號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕
-6 - (3) (3)1296824 本發明是鑒於如此事情而所創造出者，其目的是提供 可以所期望之時機執行曝光裝置之維修的塗佈、顯像裝置 〔用以解決課題之手段〕 本發明之塗佈、顯像裝置，是屬於將藉由載體被搬入 至載體區塊之基板交接至處理區塊，在該處理區塊形成含 有感光材料膜之塗佈膜後，經由介面區塊搬送至曝光裝置 ，並將經由上述介面區塊而返回之曝光後基板，在上述處 理區塊予以顯像處理而交接至上述載體區塊的塗佈、顯像 裝置，其特徵爲： (a) 上述處理區塊是各從載體區塊側延伸至介面區塊側 ，具備有用以形成包含有由感光材料所構成之塗佈膜的塗 佈膜形成用區塊；和相對於該塗佈膜形成用區塊被疊層的 顯像用區塊’ (b) 上述塗佈膜形成用區塊及顯像用區塊是具備有用以 將藥液塗佈在基板之液處理單元；加熱基板之加熱單元； 冷卻基板之冷卻單元；和在該些單元之間搬送基板之區塊 用搬送手段， (〇設置有相對於上述塗佈膜形成用區塊及顯像用區塊 被疊層，用以在載體區塊側和介面區塊之間執行基板直達 搬送的直達搬送手段， (d)形成有塗佈膜之基板是透過上述直達搬送手段而從 載體區塊被搬送至介面區塊。 -7- (4) (4)1296824 上述塗佈膜形成用區塊即使包含有用以形成光阻膜之 區塊、用以在光阻膜之下側形成反射防止膜之區塊，和用 以在上述光阻膜之上側形成反射防止膜之區塊的疊層體亦 可，或者顯像用之區塊即使被設置在塗佈膜形成用區塊的 下方側亦可。 上述直達搬送手段即使被構成在被區分成上述塗佈膜 形成用區塊及顯像用區塊之搬送區塊內移動亦可，此時例 如上述搬送區塊是被設置於顯像用區塊和塗佈膜形成用區 塊之間。再者，在該搬送區塊中，例如設置有用以將氣體 導入至該搬送區塊而使搬送區塊成爲陽壓之氣體導入口。 本發明之塗佈、顯像裝置即使具備有：各被配置成可 以藉由塗佈膜形成用區塊中之區塊用之搬送手段、顯像用 區塊中之區塊用之搬送手段以及直達搬送手段交接基板， 並且互相被疊層之多數交接工作台；和以能夠在該交接工 作台之間執行基板交接的方式，進行升降自如的升降搬送 手段亦可，再者，具備有控制基板之搬送的控制部，該控 制部即使被構成能夠選擇從載體區塊經由直達搬送手段將 用以檢查曝光裝置之狀態的試驗基板搬送至曝光裝置的搬 送模式亦可。 再者，本發明之塗佈、顯像裝置，是於上述處理區塊 和介面區塊之間，設置有輔助區塊，該區塊具備有執行塗 佈膜形成後曝光處理前及/或曝光處理後顯像處理前之處 理的單元；和用以在該些單元、上述處理區塊及介面區塊 之間，搬送基板之交接機器臂，上述直達搬送手段包含有 -8- (5) (5)1296824 通過上述處理區塊之第1直達搬送手段；和通過上述輔助 區塊之第2直達搬送手段亦可，其他即使例如在上述載體 區塊和處理區塊之間，設置有檢查區塊，該區塊具備有用 以執行基板檢查之檢查單元；在檢查單元及載體區塊以及 處理區塊之間搬運基板之交接機器臂，上述直達搬送手段 包含有通過上述檢查區塊之第3直達搬送手段；和通過上 述處理區塊之第1直達搬送手段亦可。 若藉由本發明，因藉由將處理區塊從各個載體區塊側 延伸至介面區塊側之塗佈膜形成用區塊和顯像體區塊之疊 層體所構成，故設置空間爲小，又因在載體區塊和介面區 塊之間設置有用以專門執行基板直達搬送的直達搬送手段 ，故可以同時執行曝光裝置、塗佈膜形成用之區塊及顯像 用區塊之維修，以達到縮短維修時間。再者，即使塗佈膜 形成用區塊和顯像用區塊在維修中，或是因排氣系統產生 問題等，而使區塊引起故障，亦可藉由直達搬送手段使用 以檢查曝光裝置狀態之試驗基板從載體區塊側搬送至曝光 裝置，故可以以所期望之時機實施曝光裝置狀態之檢查。 因此，塗佈膜形成用區塊及顯像用區塊成爲可運轉狀態之 後，則可以馬上移至製品基板之處理，可以抑制產量下降 。再者，於裝置安裝完成時，若事先調整直達搬送手段， 藉由該直達搬送手段執行試驗基板之搬送，則可以分離塗 佈膜形成用區塊及顯像用區塊之各搬送手段之調整作業而 執行曝光裝置之調整，若完成曝光裝置調整時，接著可以 執行顯像條件之設定，其結果可以短縮裝置開始運轉時間 -9- (6) Ϊ296824 【實施方式】 ‘ 以下，針對將曝光裝置連接於本發明所涉及之塗佈、 顯像裝置之系統之實施型態予以說明。第1圖是表示該系 統之〜實施型態之平面圖，第2圖是表示同槪略斜視圖， φ 第3圖是同槪略側面圖。該塗佈、顯示裝置是被設置於大 器環境中之無塵室，具備有用以搬入搬出13片基板例如 晶匱I W被密閉收納的載體20之載體區塊S 1，和將複數個 例如4個區塊B1〜B4及搬送區塊Ml縱向配列而所構成之 ^ 處理區塊S2，和介面區塊S3和曝光裝置S4。 • 在上述載體區塊S1設置有可多數載置上述載體之載 置台21，和由該載置台21觀看被設置在前方壁面之開關 部22，和用以經由開關部22自載體20取出晶圓W之傳 • 輸機器臂C。該傳輸機器臂C是以在後述之區塊B1及B2 之交接台TRS1〜2之間執行晶圓W之交接的方式，構成可 在載體20之配列方向進退自如、升降自如、於垂直軸旋 轉自如地移動。 在載體區塊S1之後方側連接有以框體24包圍周圍之 處理區塊S2。處理區塊S2在該例是從下方側被分配成用 以執行顯像處理之第1區塊（DEV層）B1、搬送區塊Ml、 $以執行被形成於光阻膜之下層側之反射防止膜（以下稱 爲「下部反射防止膜」）之形成處理的第2區塊（BCT層 )B2、用以執行光阻液之塗佈處理的第3區塊（COT層）B 3 -10- (7) (7)1296824 、用以執行被形成在光阻膜之上層側的反射防止層（以下 ’稱爲「上部反射防止膜」）之形成處理的第4區塊（TCT 層）B4。該些區塊B1〜B4及搬送區塊Ml是從載體區塊S1 朝向介面區塊S3延伸。在此，上述DEV層B1相當於顯 像用區塊，BCT層B2、COT層B3、TCT層B4相當於用 以形成由感光材料例如光阻所構成之塗佈膜的塗佈膜形成 用區塊。並且，各區塊間是藉由隔板（基體）所區分。 接著，雖然針對第1〜第4之區塊B(B1〜B4)之構成予 以說明，但是在本實施型態中，在該些區塊B1〜B4多含有 共同部份，各區塊B是由大略相同之佈局所構成。在此， 以DEV層B1爲例一面參照第〗圖一面予以說明。該DEV 層B 1之中央部於橫方向，詳細而言即是DEV層B 1之長 度方向，形成有用以連接載體區塊S 1和介面區塊S3之晶 圓W之搬送用通路R1。 由該搬送用通路R1之載體區塊S 1側觀看，由前方側 (載體區塊S 1側）朝向後方側，在右側沿著搬送用通路R1 設置有具備有用以執行顯像液之塗佈處理之多數個塗佈部 的顯像單元3以當作液處理單元。再者，從載體區塊S 1 側觀看，從政前方朝向後方側，在左側沿著搬送用通路 R 1依序設置有使加熱、冷卻系統之熱系統處理單元多段 化的4個棚架單元Ul、U2、U3、U4。即是，經由搬送用 通路R 1顯像單元3和棚架單元U 1〜U4是相向被配列。棚 架單元U1〜U4是兩段疊層用以執行在顯像單元3中所執 行之處理的前處理及後處理之熱系統處理單元，在該棚架 -11 - (8) 1296824 單元U1〜U4下部疊層設置有排氣單元5(第4圖）。 於上述熱系統處理單元中，包含有例如加熱處理曝光 後之晶圓W，或爲了使顯像處理後之晶圓W乾燥而施予 加熱處理之加熱單元4 ;或用以於該加熱單元4處理後將 晶圓 W調整成特定溫度之冷卻單元等。並且，於本實施 型態中，作爲該DEV層B1中之棚架Ul、U2、U3是兩段 疊層加熱單元4，以兩段疊層冷卻單元以作爲棚架單元U4 〇 當使用第5圖針對上述顯像單元3之構成予以簡單說 明時，則在構成該顯像單元之框體3 0內部配列有構成3 個晶圓保持部之旋轉吸盤3 1，各旋轉吸盤3 1是被構成藉 由驅動部32可在垂直軸旋轉自如，並且升降自如。再者 ，在旋轉吸盤32之周圍設置有凹槽33，在該凹槽33之底 面設置有包含有排氣管或卸排泄管等之排液管（無圖式）。 圖中3 4爲藥夜供給噴嘴，該藥夜供給噴嘴3 4是被設置成 升降自如，再者構成能夠藉由驅動部3 5沿著導件3 6在Y 方向移動自如。 該顯像單元3中，晶圓W是藉由後述之主機器臂A 1 而經由面向搬送用通路R所設置之搬送口 37，被搬入至 框碰30內，交給旋轉吸盤31。並且，圖中38爲爲了防止 顆粒流入框體3 0內而設置在搬送口 3 7之開關自如的快門 。然後，自供給噴嘴3 4供給顯像液至該晶圓W表面，在 晶圓W之表面形成顯像液之液膜，之後藉由來自無圖式 之洗淨液供給機構之洗淨液，清洗晶圓W表面之顯像液 -12- (9) 1296824 ，之後藉由使晶圓W旋轉予以乾燥，而完成顯像處理。 接著，當針對構成棚架單元U1〜U3之加熱單元4予 以簡單說明時，圖6中40爲框體，在框體40之內部設置 有基台41。圖中42爲晶圓W之搬送口，面對搬送用通路 R1而被設置，圖中43爲粗散熱用之冷卻板，圖中44爲 熱板。冷卻板43是在基台41中，構成可在熱板44上移 動。圖中45爲整流用之平板。47、48爲藉由升降機構 47a、48a所驅動之升降插銷。構成升降插銷47藉由升降 ，在主機器臂A 1和冷卻板43之間交接晶圓W，藉由升降 插銷48在熱板44和冷卻板43之間交接晶圓W之構成。 並且，雖然省略構成棚架單元U4之冷卻單元之詳細 說明，但是與加熱單元4相同，使用具備有朝向搬送通路 R1開口搬送口 42之框體40，在該框體40內部具備有水 冷方式之冷卻板之構成的裝置。 再者，排氣單元5是藉由在框體50中具備有面對搬 送用通路R 1開口之吸引口 5 1，和吸引排氣框體內部之排 氣室53內的排氣管54的排氣室53被負壓化，而吸引搬 送用通路R1之氣體以達到除去顆粒。 接著，針對被設置在上述搬送用通路R1之區塊用之 搬送手段的主機器臂A1予以說明。該主機器臂A1是被 構成在後述棚架單元U5之交接台和棚架單元U6之交接 台之間，執行晶圓W之交接。主機器臂A1是具備有用以 支撐晶圓W之背面側邊緣區域的兩條機器臂體6 1、62， 該些機器臂體61、62是使搬送基體6 3 2互相獨立構成進 -13· (10) 1296824 退自如。再者，搬送基體63是被設置成在升降基體64上 順著垂直軸旋轉自如。 圖中65爲用以將主機器臂A1引導至橫方向之導軌。 並且，圖中66是爲了執行是灞搬送用通路R1之排氣，被 設置在導軌65上之孔，穿孔成與上述吸引口 51重疊。圖 中67是升降導軌，沿著該升降導軌67升降基體64是構 成升降自如。該升降導軌67之下端部是潛入導軌65之下 方，用以在上述排氣單元5之排氣室53內，使該升降導 軌67沿著上述導軌65而卡合於用以移動之驅動皮帶55。 在此，針對搬送區塊Μ1 —面參照第2圖、第6圖及 第7圖一面予以說明。在DEV層Β1和BCT層Β2之間， 形成有將晶圓W從載體區塊S1前進搬送至介面區塊S3 的搬送區塊Ml。該搬送區塊Ml是包含有藉由隔板70a區 隔成DEV層B1之搬送用通路R1之搬送區域M2和直達 搬送手段之穿梭機器臂7。該穿梭機器臂7是藉由移動部 7A和驅動部7B所構成，移動部7A是被設置成可以沿著 搬送區域M2而移動。移動部7A是具備有用以支撐例如 晶圓W之背面側邊緣區域之機器臂體7 1，該機器臂體7 1 是構成在搬送基板72上進退自如。再者，搬送基體72是 被設置成在移動基體73上繞著垂直軸旋轉自如。並且， 於該例中，藉由機器臂體71、搬送基體72及移動基體73 構成移動部7A。並且，若不限定大小，即使設置有使搬 送基體72予以升降之機構亦可。 驅動部7B是具有框體70，在框體70內部之排氣室 -14- (11) 1296824 7 0a包含有用以使上述移動部7A移動的驅動部（無圖式）。 在框體70之前面，以延伸至橫方向之方式，設置有用以 將上述移動部7A引導至橫方向之導軌74，藉由如此構成 ’穿梭機器臂7是被構成在設置於後述棚架單元U5之交 接台TRS1B和設置於棚架單元U6之交接台TRS5B之間 ，使晶圓W能夠前進搬送、交接。 再者，該框體70是具備有面對搬送區域M2而開口之 吸引口 75，以與該吸引口 75重疊之方式，在上述導軌74 於橫方向隔著間隔設置有孔74a。當使面對於搬送區域M2 之側設爲前面側時，則在上述排氣室70a之後方側，於橫 方向隔著間隔開口有多數處排氣口 77，在排氣口 77連接 有用以吸引排氣排氣室7〇a內之排氣管。經由該排氣管78 排氣室7〇a成爲負壓化，成爲搬送區域M2中之氣體流入 至排氣室70a之構成。 再者，在搬送區域M2是在橫方向，具備有例如角形 框體之氣體導入部79被設置成覆蓋例如該搬運區域M2全 區域。在該框體例如於橫方向，設置有隔著一定間隔而面 對於搬送區域M2之氣體導入口（無圖式），構成流通氣體 導入部79中之乾淨氣體經由該氣體導入口而呈放射狀被 供給至搬送區域M2全區域。如此一來，乾淨氣體自氣體 導入口供給至搬送區域M2，另外經由上述排氣室7〇a而 執行搬送區域M2之排氣，以達成除去搬送區域M2之顆 粒。再者，例如取如此乾淨氣體之供給和排氣之均衡，控 制成搬送區域M2中之壓力成爲比無塵室內之壓力些許高 -15- (12) 1296824 之壓力（陽壓），依此抑制顆粒從該塗佈、顯像裝置之外部 隨著氣流進入至該搬送區域M2。 與搬送用通路R1及搬送區域M2中之載體S1鄰接之 區域，是成爲第]晶圓交接區域R2，在該區域R2，在該 區域R2如第1圖及第3圖所示搬於主機器臂A1穿梭機器 臂7及傳輸機器臂C可以存取之位置設置有棚架單元U5 ，並且具備有用以對該棚架單元U5執行晶圓W之交接之 t 升降搬送手段的交接機器臂D1。 於該棚架單元中U5中，在區塊B1從上段起依序設置 有交接台TRS1B、交接台TRS1，在交接台TRS1B是被構 成可以存取傳輸機器臂C、上述穿梭機器臂7及交接機器 臂D1。於交接機器臂TRS1是被構成存取主機器臂A1、 傳輸機器臂C及交接機器臂D1。作爲該交接機器臂TRS1 及交接台TRS 1 B構造，是例如具備有方形之框體，於該 I 框體內載置晶圓，設置有將晶圓W之溫度調節至預定溫 度之機構的平台，再者，設置有在該平台上突出自如之插 銷。例如，具備有經由朝向框體之各機器臂的側面而設置 之搬送口各機器臂進入至上述框體內，並且各機器臂可以 保持經由上述插銷自平台浮起之晶圓W之背面，再者載 置經由上述插銷由各機器臂被搬送至平板上之晶圓W的 構造。 並且，於該例中，如第3圖所示搬，在區塊B 2〜B 4， 雖然δ又置有各兩個父接台TRS2〜TRS4，但是各TRS全部 具有先目II所述之構造’父接台TRS2〜TRS4是被構成被設 -16- (13) 1296824 置在各層之主機器臂A2〜A4及交接機器臂D1可以交接晶 圓W。再者，於TRS2是被構成除該些機器臂之外，傳輸 機器臂C也可以父接晶圓。但是各TRS之數量並不限定 ，即使對應於各區塊設置成兩個以上亦可。 上述交接機器臂D1是自B1移動B4之各層，構成可 以進退自如及升降自如，以使可以相對於被各設置在各層 之交接台TRS1〜TRS4及交接台TRS1B，執行晶圓W之交 接。再者，上述交接台TRS1、TRS2及交接台TRS1B在 該例中，是被構成在傳輸機器臂C之間執行晶圓W之交 接。 又，與DEV層B1之搬送用通路R1及搬送區塊Ml 之搬送區域M2之介面區塊S3連接之區域，爲第2晶圓 交接區域R3，在該區域R3如第3圖所示設置有棚架單元 U6。棚架單元U6示如第3圖所示般，從上方依序設置屬 於交接台之TRS5B、TRS5，交接台TRS5B是被構成在穿 梭機器臂7和介面機器臂B之間可以執行晶圓W之交接 。再者，交接台TRS 5是被構成在主機器臂A1及介面機 器臂B之間可以執行晶圓 W之交接。交接台TRS5B、 TRS5是具有與例如先前所述之交接台TRS1B相同之構造 ，具備有晶圓W之冷卻機構，構成可以調溫管理所交接 之晶圓W。 再者，在處理區塊S2之棚架單元U6之後方側，經由 介面區塊S3離皆有曝光裝置S4。在介面機器臂S3具備 有對處理區塊S2之棚架單元U6和曝光裝置S4執行晶圓 -17- (14) 1296824 W之交接的介面機器臂B。該介面機器臂B是如第8 示般，沿著基台202進退自如地設置有用以支撐晶I 之背面側中央區域的1根機器臂201。上述基台202 升降台203被安裝成藉由旋轉機構204旋轉自如地旋 垂直軸，被設置成沿著升降軌道2 05升降自如。如此 ，機器臂20 1是被構成進退自如、升降自如、旋轉於 軸自如。 B 並且，先前所述之交接機器臂D 1除不構成旋轉 直軸之外，其他構成與介面機器臂B相同。 該介面機器臂B爲構成存在於處理區塊S2和曝 置S4之間的晶圓W之搬送手段，於該實施型態中， 成自單元U6之交接台TRS5B接收到晶圓W，搬入至 裝置，另外自曝光裝置S4接收晶圓W，而交接至 TRS5 〇 _ 接著，針對其他區塊予以簡單說明。BCT層B2、 層B3、TCT層B4是構成與DEV層B1大略相同，就 而言，可舉出使用反射防止膜用之藥夜或是光阻膜形 之藥液（光阻液）取代顯像液來當作液處理單元之藥夜 ，及藥液塗佈手法不同之點，再者，可舉出構成棚架 ϋ 1〜U 4之加熱系統、冷卻系統之單元之處理條件不同 ，還有在介面S3側不配置棚架單元U6之點等。再者 例如區塊B2〜B4中之認一者設置有曝光晶圓w之邊 的邊緣曝光單元，在COT層B3之棚架單元U1〜U4包 對晶圓W執行疏水化處理之單元。 圖所 B w 是在 轉於 一來 垂直 於垂 光裝 是構 曝光 平台 COT 差異 成用 之點 單元 之點 ，在 緣部 含有 -18- (15) 1296824 再者，該塗佈、顯像裝置是具備有擁有由例如電腦所 構成之程式儲存部的控制部1 00。在程式儲存部中儲存有 匯集命令的例如由軟體所構成之程式，以實施後述該塗佈 、顯像裝置之作用，即是晶圓W之處理、晶圓W之交接 、排氣及氣流之控制、搬送路徑之處理方法管理。然後， 藉由控制1 00讀出該程式，控制部1 00式控制該塗佈、顯 像裝置之作用。並且，該程式是在被收納於硬碟、光碟、 光磁碟等之記錄媒體的狀態，被儲存於程式儲存部。 並且，上述搬送路徑之處理方法是構成指定因應處理 種別之晶圓W之搬送路徑（放置晶圓W之交接台或單元等 之模組的順序），依照該處理類別被作成，操作者可以選 擇該處理類別，被控制部1 00自程式讀出所選擇之處理方 法。再者，除對製品晶圓之處理種類之外，亦可以選擇用 以將檢查曝光裝置之晶圓W搬送至曝光裝置之處理模式 ，當選擇該模式（曝光模式），藉由穿梭機器臂7晶圓W從 載體區塊S1被搬送至介面區塊S3，再者，藉由穿梭機器 臂7從介面區塊S3返回至載體區塊S1。 在此’針對該塗佈、顯像裝置中之作用，首先針對在 光阻膜上下各形成反射防止膜之時晶圓的流程予以說明。 載體20自外部被搬入至載體區塊S1，藉由傳輸機器臂C 自該載體2 0內取出晶圓w。晶圓W是自傳輸機器臂C經 由棚架單元U5之交接台TRS2被交接至BCT層B2之主 機器臂A2。然後，在BCT層B2中，藉由主機器臂A2， 以冷卻單元—反射防止膜形成單元（無圖式，爲第5圖中 -19- (16) 1296824 之對應於顯像單元3之單元加熱單元―棚架單元u 5之 交接台TRS2之順序被搬送，形成下部反射防止膜。 接著’交接台TRS2之晶圓w是藉由交接機器臂D1 被搬送至COT層B3之交接台TRS3，接著，被交接至該 COT層B3之主機器臂A3。然後，在COT層B3中，藉由 主機器臂A3，晶圓W是以冷卻單元—光阻塗佈單元（無圖 式’爲第5圖中之對應於顯像單元3之單元加熱單元 之順序被搬送，在下部反射防止膜之上層形成光阻膜之後 ’被搬送至週邊曝光單元而曝光週邊部，並且被搬送至棚 架單元U5之交接台TRS3。 接著，交接台TRS3之晶圓W是藉由交接機器臂D1 ，被搬送至TCT層Β4之交接台TRS4，被交接至該TCT 層Β4之主機機器臂Α4。然後，在TCT層Β4中，藉由主 機器臂Α4，以冷卻單元—第2反射防止膜形成單元（無圖 式，爲第5圖中之對應於顯像單元3之單元加熱單元 順序被搬送，而在光阻膜之上層形成上部反射防止膜之後 ，被搬送至棚架單元U5之交接台TRS4。 交接台TRS4之晶圓是藉由交接機器臂D1被搬送至 交接台TRS 1 Β。接著，穿梭機器臂7之移動部7Α接收晶 圓W，改變成像介面區塊S3側’並且移動至介面區塊S3 側，晶圓W則被搬送至交接台TRS5B。被載置在該平台 TRS5B上之晶圓W是藉由介面機器臂B而被搬送至曝光 裝置S4，在此執行特定之曝光處理。 曝光處理後之晶圓W是介面區塊機器臂B被搬送至 -20- (17) 1296824 棚架單元U6之交接台TRS5，該平台TRS5之晶圓W 交接至DEV層B1之主機器臂A1，在該DEV層，以 有棚架單元U1〜U4的加熱單元—冷卻單元—顯像單元 加熱單元—冷卻單元之順序被搬送，執行特定之顯像 。如此一來，執行顯像處理之晶圓W是被搬送至棚 元U5之交接台TRS1，藉由傳輸機器臂C，返回至被 於體區塊S1之原來的載體20。 第9圖是模式性表示以上所說明之晶圓 W之搬 徑。晶圓W是移動塗佈膜形成用之區塊B2〜B4間， 塗佈膜（步驟1 )，之後，藉由穿梭機器臂7自處理區ί 中之載體區塊S 1側經由搬送區塊朝向介面側S3搬送 且，搬運至曝光裝置S4(步驟S2)。完成曝光處理之 W是從曝光裝置S4通過DEV層B1，接受顯像處理 返回至載體區塊S1(步驟3)。 接著，針對爲了執行曝光裝置S4之維修，不通 塊B2〜B4之各層，將晶圓W搬送至曝光裝置S4之時 送路徑予以說明。首先，藉由控制部1 〇〇選擇曝光蝕 式。於模式選擇後，載體20自外部被搬入至載體區专 ，藉由傳輸機器臂C從該載體2 0內取出塗佈有例如 之測試晶圓W。該測試晶圓W是從傳輸機器臂C被 至交接台TRS1B，藉由穿梭機器臂7之移動部7A， 交接台TRS5B而被搬送。該交接台TRS5B上之測試 W是藉由介面機器臂b而被搬送至曝光裝置S4，使 測試晶圓W，執行曝光裝置S4之例如聚焦精度校正 是被 包含 處理 架單 載置 送路 形成 t S2 ，並 晶圓 ，而 過區 的搬 刻模 I S 1 光阻 轉交 直達 晶圓 用該 、位 -21 - (18) 1296824 置精度校正、透鏡歪斜確認、透鏡透過率確認、光學系附 著異物確認等之維修作業。 爲了執行維修所使用之測試晶圓W是從曝光裝置S4 藉由介面機器臂B而被搬送至交接台TRS5B，並藉由穿梭 機器臂7之移動部7A，直達搬送至交接台TRS1B。被載 置於該交接台TRS 1 B之測試晶圓W是藉由傳輸機器臂C 而返回載體20。 本實施型態之塗佈、顯像裝置因藉由自各個載體區塊 S1側延伸至介面區塊S3側之塗佈膜形成用區塊B2〜B4和 顯像用區塊B1的疊層體構成處理區塊S2，故即使設置空 間小亦可，又在DEV層B1和BCT層B2之間設置搬送區 塊Ml，因在該搬送區塊Ml內，於載體區塊S1和介面區 塊S3之間設置有用以專門執行晶圓W之直達搬送之穿梭 區塊S1，故可以同時執行曝光裝置S4、塗佈膜形成用之 區塊B2〜B4及顯像用之區塊B1之維修，以謀求短縮維修 時間。再者，塗佈膜形成用區塊B2〜B4和顯像用區塊B1 即使在維修中由於在例如排氣系統發生問題，導致該些區 塊故障，亦可以經由搬送區塊Ml之穿梭機器臂7’將用 以檢查曝光裝置S4之狀態之晶圓W ’從載體區塊S 1側搬 送至曝光裝置S4，故可以在所欲之時機實施檢查曝光裝 置S4之狀態。因此，塗佈膜形成用區塊B2〜B4及顯像用 區塊B 1成爲可運轉之狀態後，可以馬上移至製品晶圓w 之處理，可以抑制產量下降。於裝置安裝完蝕’若先完成 調整直達穿梭機器臂7時，藉由該穿梭機器臂7執行試驗 -22- (19) 1296824 晶圓W之搬送，可以與塗佈膜形成用之區塊B2〜B4及顯 像用之區塊B1所具備之主機器臂A1〜A4之調整作業分離 ，執行曝光裝置S4之調整，若完成曝光裝置S4之調整時 ，接著則可以執行顯像條件之設定，其結果可以短縮裝置 開始運轉時間。 再者，在本實施型態中，於塗佈膜形成用之區塊 B2〜B4之下方側設置顯像用之區塊B1，於該區塊B1和區 塊B2之間因設置有具備有穿梭機器臂7之搬送區塊Ml， 故可以縮小介面區塊S3之介面機器臂B之升降行程。因 此，可以謀求藉由該介面機器臂B所構成之搬送手段之小 型化。 於本發明中，各區塊之疊層數或疊層之順序並不限定 於上述例，即使將塗佈膜形成用區塊例如從下方側朝上方 側依照TCT層、COT層、BCT層順序予以配列亦可。再 者，即使將塗佈膜形成用區塊配置於下方側，在該上方配 置顯像處理用區塊亦可。再者，例如不形成反射防止膜， 僅在晶圓W形成光阻膜之時，即使爲僅設置有COT層當 作塗佈膜形成用區塊的構成亦可。並且，塗佈膜形成用區 塊即使在一層之中執行下側反射防止膜之形成、光阻膜之 形成、上側反射防止膜之形成亦可，即使多數段疊層如此 之層而構成塗佈、顯像裝置亦可。再者，在DEV層B1中 先前所述之顯像單元3例如被兩段疊層亦可。 在此，於先前所述之實施型態中，爲了防止顆粒落入 搬送通路R1，藉由隔板70a區隔DEV層B1之搬送用通 -23- (20) 1296824 路R1和搬送區塊Ml之搬送區域M2，但是即使爲不設置 該隔板70a之構成亦可。於此時，即使例如該移動部7A 之移動區域（搬送區域）被設定在上述主機器臂A1比可移 動之區域（搬送區域）之上限位置中之該主機器臂A1之上 端部份稍微上方，構成主機器臂A 1和移動部7 A互相不 干涉亦可。 再者，屬於直達搬送手段之穿梭機器臂7之構成並不 限於先前所述之實施例中之構成，即使例如穿梭機器臂7 不設置機器臂體71在搬送基體72上進退之機構，藉由搬 送基體72旋轉，在TRS1B或者TRS5B藉由插銷而抬起之 晶圓W之下方潛入機器臂體71，藉由插銷之下降，構成 機器臂體71接收到晶圓W，在TRS1B和TRS5B搬送晶圓 W 〇 再者，作爲直達搬送手段，因即使不經由用以執行塗 佈或者顯像之單元，將晶圓W從載體區塊S 1側直達搬送 至介面區塊S 3側亦可，故不限於以上說明之機器臂搬送 ，例如，即使藉由使用無端皮帶之傳輸帶構成，並且切口 交接台TRS1B及TRS5B而形成C字形，在該缺口空間爲 傳輸帶之兩端部，構成被載置於該些中一方之交接台上的 晶圓 W是放置在上述無端皮帶上，被搬送至另一方之交 接台上亦可。或是即使將在沿著橫方向之兩側具備有防止 晶圓W落下之導軌的斜坡，在交接台TRS1B和TRS5B之 間，設置成低於TRS5B側，在該斜底面配列使氣體噴出 至TRS5B側之孔穴，構成藉由該氣體之壓力和晶圓W自
-24 - (21) Ϊ296824 重，將晶圓W推至TRS5B側亦可。 並且’本發明之直達搬送手段雖然爲用以從載體區塊 不經由用以執行塗佈或是顯像之單元而直達搬送者，但是 即使於該直達搬送手段之搬送路徑中，存有週邊曝光裝置 或檢查單元之時，也包含例如經由該些裝置內，在直達搬 送手段和載體區塊側之搬送手段或者介面區塊側之搬送手 段之間執行基板交接之情形。 再者，本發明之塗佈；顯像裝置即使如下述般構成亦 可。針對該實施型態使用第1 0圖至第1 3圖予以說明時， 該塗佈、顯像裝置101是載體區塊S1和處理區塊S2之間 ’設置有對晶圓W用以執行特定檢查的檢查區塊S5，並 且於處理區塊S 2和介面區塊S 3之間設置有輔助區塊S 6 。該輔助區塊S 6內設置有塗佈用以防止於液浸曝光時之 液體浸入至光阻之保護膜的撥水性保護膜塗佈單元（ITC)( 以下，稱爲「保護膜塗佈單元（IT C)」），和用以除去該撥 水性保護膜之撥水性保護膜除去單元（ITR)(以下，稱爲「 保護膜除去單元（ITR)」。再者，在介面區塊S3設置有於 液浸曝光前後用以洗淨晶圓W之洗淨單元（RD)。 在此，當針對液浸曝光簡單說明時，該液浸曝光之目 的是以藉由在基板表面形成使光透過之液層的狀態下予以 曝光，來提昇曝光之解像度，利用例如使光透過純水中， 在水中因光之波長變短，193n m之ArF之波長在水中實質 爲134nm之特徵，執行曝光。 但是，液浸曝光因在光阻表面形成液層，故光阻溶出 -25- (22) 1296824 成液相側，該溶出成分則殘留於晶圓w上，於曝光處理完 成後，自晶圓W排出被形成於晶圓W表面之液層時，在 晶圓表面則有殘留液滴般之微小水滴的可能。如此一來， 當光阻之溶出份或液滴殘存於晶圓W時，上述溶出份附 著於晶圓W，則成爲屬於缺陷原因的顆粒發生，於曝光處 理後之加熱處理時引起自上述溶出份所發生之顆粒附著或 溶著，對於圖案之線寬造成影響，由於存有液滴於曝光處 B 理後之加熱處理時，在晶圓面內發生溫度差，熱處理之面 內均勻性變差，液滴與空氣反映，成爲發生晶圓 W表面 之水印的原因。 因此，在液浸曝光處理中，於對晶圓 W塗佈光阻液 之後執行液浸曝光之前，爲了抑制光阻之溶出，並且使液 浸曝光時之液體難以殘留於晶圓W表面，在晶圓W表面 塗佈撥水性之保護膜，該處理是由保護膜塗佈單元（ITC) 所執行。再者，當在塗佈該保護膜之狀態下執行顯像處理 > 時，由於顯像液，使得無法溶解光阻，故必須於顯像處理 之前除去該保護膜，該處理是由保護膜除去單元（ITR)所 執行。又爲了更確實除去附著於晶圓W之光阻液之溶出 成分，或液浸曝光時之液體水滴，於執行液浸曝光後，洗 淨晶圓W表面，該洗淨是由洗淨單元（RD)所執行。 於該塗佈、顯像裝置1〇1之處理區塊S2，兩段疊層 DEV層Bl，DEV層Bl、B1之上段側是當作搬送區塊Ml 被構成。並且，在第11圖中，爲了便於圖示在棚架U5、 U6，於每單元區塊B1〜B4上各僅描畫出1個上段側之交 -26- (23) 1296824 接台TRS1〜TRS5。 接著，針對檢查區塊s 5之構成也一面參照第1 2圖一 面予以說明。該檢查區塊s 5是具備有例如框體1 1 1，藉 由該框體1Π自周圍被區劃。當將載體區塊S1側設爲前 方側，將處理區塊S2設爲後方側時，在空體1 1 1之內部 之前方側中央部設置有用以從載體區塊S 1之傳輸機器臂 C接收晶圓W之交接台的TRS1 1。該交接台TRS1 1之下 方，設置有例如5段疊層可以收容特定片數晶圓w之緩 衝單元BU，該5個緩衝單元爲可以收容例如共1〇〜20片 左右之晶圓W。在DEV層B1接收顯像處理之晶圓w是 藉由後述之機器臂11〇,搬入至各緩衝單元BU暫時性被 存放。再者，在該緩衝單元BU，存取傳輸機器臂C，在 此將所收容之晶圓W搬送至載體2 0。 該檢查區塊S 5之框體1 1 1內，從前方側觀看後方側 是在左右各設置有檢查單元112、113。在此，以檢查單元 1 1 2、1 1 3而言，在該例中，雖然模式性記載有兩個檢查單 元，但是更具體是因應檢查種類而決定配置數量。又，如 該例所示，設置有兩個檢查單元112、113，即使該一方爲 例如用以檢查基板表面狀態，用以檢查被形成於基板的塗 佈膜之膜厚的膜厚檢查單元，另一方爲以CCD照相機等 之攝影手段攝影晶圓W表面而解析該畫像之檢查單兀亦 可。其他之檢查單元是檢查顯像缺陷或光阻圖案之線寬等 〇 並且，該些檢查單元112、113除先前所述之檢查單 -27- “9 (24) 1296824 元之外，亦可以使用將下述裝置予以單元化者，該裝置爲 從用以檢測出在曝光裝置所產生之圖案位置偏離的失焦檢 查裝置、用以檢測出光阻液之塗佈不均的塗佈不均檢測裝 置、用以檢測出顯像處理不良之顯像不良檢測裝置、用以 檢測附著於基板之顆粒數的顆粒數檢測裝置、用以檢測出 發生在光阻塗佈後之基板的彗星形象的彗星形象檢測裝置 、回濺檢測裝置、用以檢測基板表面之缺陷的缺陷檢測裝 ® 置、用以檢測出殘存於顯像處理後之基板的浮渣檢測裝置 、用以檢測光阻塗佈處理及/或顯像處理之不良的不良檢 測裝置、用以測量形成在基板上之光阻膜之線寬的線寬測 . 量裝置、用以檢查曝光後基板和光罩重疊精度之重疊檢查 裝置等之檢查裝置中，因應所期望檢查之種類而所選擇出 之撿查裝置。 在檢查區塊S5之框體1 1 1內之後方側中央部，設置 有升降自如、進退自如並且繞垂直軸旋轉之晶圓 W交接 ® 收機器臂110，該交接機器臂1 10是存取於緩衝單元BU 而可以在該些各單元間，交接晶圓W。再者，交接機器臂 1 1 0爲可以在該些之各單元間交接晶圓W。再者，交接機 器臂110是成爲也可以存取於處理區塊S2之各交接台 TRS1，藉由該交接機器臂110在檢查區塊S5和處理區塊 S2之間執行接受顯像處理之晶圓W之交接。 再者，當將設置於處理區塊S2之搬送區塊Ml之穿 梭機器臂7設爲第1穿梭機器臂時，在交接機器臂丨〗〇上 方設置有構成升降自如、進退自如並且繞垂直軸旋轉自如 -28- (25) 1296824 之晶圓W之搬送機構之第2直達搬送手段之穿梭機器臂 120，該第2穿梭機器臂120是於從處理方法中選擇曝光 檢查模式時，用以在上述交接台TRS11和處理區塊B2之 棚架單元U5之TRS1B之間搬送晶圓W者。並且，在檢 查單元1 1 2、1 1 3之上方，設置有收納用以使顯像裝置1 0 1 之各單元予以動作之電裝零件117。 接著，針對輔助區塊S 6予以說明。該輔助區塊S 6是 具備有例如框體400，藉由該框體400自周圍被區隔。在 框體400內部由載體區塊S 1觀看在後側和右側和左側， 各設置有棚架單元U7、U8、U9。例如，在上述棚架單元 U7，兩個TRS12、TRS13、兩個TRS14是從下方依序被重 疊，該是屬於用以在介面區塊S3之介面機器臂B之間執 行晶圓W之交接的交接台。並且，該些交接台TRS 12〜14 是構成與例如交接台TRS1〜5相同。 棚架單元U8是被分割成上下，例如在該棚架單元U8 之被分割的上部側，疊層有兩個保護膜塗佈單元（ITC)4 01 。在該一方，於棚架單元U8之被分割的下部側，疊層有 例如兩個保護膜除去單元（ITR)402。棚架單元U9是多段 疊層例如用以執行於塗佈膜形成後曝光處理前的檢查，或 曝光處理後顯像處理或顯像處理後之檢查的檢查單元，或 先前所述之冷卻單元（COL)、加熱單元（CHP)等之加熱、冷 卻系之單元等。並且，於第11圖中，爲了方便各以一個 記載棚架單元U7之交接台TRS12、TRS14。 例如，於該例中，兩個保護膜除去單元402是被設置 -29- (26) 1296824 在對應於各個處理區塊S2之兩個DEV層Bl、B1之位置 上，兩個保護膜塗佈單元401是被設置在各對應於BCT 層B2和COT層B3之位置上。 再者，於該例中，棚架單元U7之兩個交接台TRS 12 是被設在保護膜除去單元402之位置上，再者，兩個交接 台TRS 14是被設置在對應於保護膜塗佈單元402之位置上 ，再者兩個交接台TRS14是被設置在保護膜單元401之位 置上。例如，交接台TR S 1 4是於將晶圓W從輔助區塊S 6 交接至介面區塊S 3時所使用，例如交接台τ R S 1 2是於將 晶圓W從介面區塊S3交接至輔助區塊S6之時被使用。 再者，交接台TRS 13是被設置在對應於搬送區塊Ml之位 置，藉由後述戳縮機器臂F執行晶圓W之交接。 然後，在輔助區塊S6，上下兩段設置交接機器臂F1 、F2，上方側之交接機器臂F1是構成對輔助區塊S6之棚 架單元U7〜U9之各部執行晶圓W之交接，例如，構成對 棚架單元U8之兩個保護膜塗佈單元4〇1、棚架單元U7之 交接台TRS14、棚架單元U9之對應各部執行晶圓w之交 接。 再者，下方側之交接機器臂F2是在處理區塊S2之各 DEV層B 1之間執行晶圓W之交接，並且構成對該輔助區 塊S6之棚架單元U7〜U9之各部執行晶圓w之交接，例如 構成對處理區塊S2之棚架單元U6之各接收台TRS5、棚 架單元U 8之兩個保護膜去單元4 0 2、棚架單元U 7之接收 台TRS 12和棚架單元U9之對應的各部，執行晶圓w之交 -30- (27) (27)1296824 接。 該接收機器臂FI、F2是被構成與主機器臂A1〜A5相 同，沿被安裝於臨著用以支撐棚架單元U8之無圖示的台 部之機器臂FI、F2之搬送區域的Y軸軌道405，被構成 例如圖中Y方向移動自如、進退自如、升降自如、繞垂直 軸旋轉自如。 再者，在交接機器臂F 1、F2之間設置有構成進退自 如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如之第3直達搬送手段的 穿梭機器臂F，藉由該穿梭機器臂F在處理區塊S2之交 接機器臂TRS5B，和該輔助區塊S6之棚架單元U8之交接 台TRS 13之間執行晶圓W之交接。 在介面區塊S3中，在介面機器臂B可以存取之位置 ，疊層有用以於液浸曝光後洗淨晶圓W之例如兩個洗淨 單元（RD)403。 並且，於介面區塊S3之上方側，設置有ULPA過濾 器406，藉由該ULPA過濾器406供給除去塵埃等之清淨 空氣於介面區塊S3內。 接著，針對上述保護膜塗佈單元40 1、保護膜除去單 元4 02、洗淨單元403之構造予以簡單說明。該些各單元 是構成與例如先前所述之處理區塊S3之光阻塗佈大略相 同，差異爲構成晶圓W之保持部之旋轉吸盤是以各一個 設置在各單元之框體內。再者，其他差異爲以用以在保護 膜塗佈單元40 1中形成保護膜用之藥液，用以在保護膜除 去單元402中除去在上述保護膜塗佈單元401所形成之保 -31 - (28) 1296824 護膜的剝離液，用以在洗淨單元403洗淨完成液浸曝光處 理之晶圓W的洗淨液，取代光阻液而供給至晶圓W。 於上述，第1圖之實施型態中，被設置在搬送區塊 Ml之穿梭機器臂7雖然爲構成在載體區塊S1和介面區塊 S 3之間執行直達搬送之直達搬送手段者，但是於該實施 型態中，是藉由被設置在檢查單元S5的穿梭機器臂120 、被設置在搬送區塊Μ之穿梭機器臂7及被設置在輔助區 ® 塊36之穿梭機器臂F而構成直達搬送手段。 具有如此構成之塗佈、顯像裝置1 〇 1中，與先前所述 之實施型態之塗佈、顯像裝置相同，對每處理類別作成搬 ^ 送路徑之處理方法，操作者可以選擇該處理類別，構成自 程式所讀出之處理方法至控制部1 〇〇。再者，除對製品處 理方法之處理類別之外，可以選擇用以將確認曝光裝置用 之晶圓 W搬送至曝光裝置之處理模式，當選擇該處理模 式（曝光確認模式）時，藉由3個穿梭機器臂120、7、F， ® 晶圓W從載體區塊S1被直達搬送至介面區塊S3，再者， 藉由3個穿梭機器臂120、7、F，晶圓W從介面區塊S3 以直通方式返回至載體區塊S1。 在如此構成之塗佈、顯像裝置1 〇 1中，執行液浸曝光 處理，接著於該曝光處理後執行洗淨處理之時，晶圓 W 例如依照載體20—載體區塊S1—傳輸機器臂C—交接台 TRS11—穿梭機器臂120—交接台TRS1B之順序，從載體 區塊S1通過檢查區塊S5而搬送至處理區塊S2。接著， 晶圓W是依照交接機器臂Dl->交接台TRS2 — BCT層Β2 -32- (29) 1296824 —COT層B3— TCT層B4—TRS4之順序被搬送，接著， 以交接機器臂D1—交接機器台TRS1B—穿梭機器臂7—棚 架單元U6之交接台TRS5B—穿梭機器臂F—交接台 TRS13之順序被搬送至輔助區塊S6，接著以交接機器臂 F1—棚架單元U8之保護膜塗佈單元401—輔助區塊S6之 交接機器臂Fl->棚架單元U7之交接台TRS14—介面區塊 S36之介面機器臂B—曝光裝置S4之路徑而被搬送，接受 曝光處理。 曝光後之晶圓W是以介面區S3之介面機器臂Be洗 淨單元403 —介面機器臂B —輔助區塊S6之棚架單元U7 之交接台TRS12—交接機器臂F2—棚架單元U8之保護膜 塗佈單元402—交接機器臂F2—處理區塊S2之棚架單元 U6之交接台TRS5— DEV層B1—棚架單元U5之TRS1之 路徑而被搬送。 接著，晶圓W是如先前所述，藉由交接機器臂i j 〇 經由緩衝單元BU或是直接被搬送至各缺陷檢查單元112 、1 1 3，當檢查結束時，藉由交接機器臂1 1 〇被搬送至緩 衝單元BU。然後，被收容至緩衝單元BU之晶圓W是藉 由傳輸機器臂C而返回至載體20。並且檢查單元112、 113中含有膜厚檢查單元之時，針對在COT層B3塗佈光 阻之後的晶圓W執行膜厚檢查。再者，緩衝單元BU在該 例中，除了於載體區塊S 1之傳輸機器臂C之間執行交接 晶圓之任務外，也持有於例如對每特定片數執行晶圓W 之檢查時，晶圓W待機，確保每批中晶圓W之搬送順序 •33- (30) 1296824 的任務。 接著，針對爲了執行曝光裝置S4之維修，不通過區 塊B1〜B4，將晶圓W搬送至該曝光裝置S4之時的搬送路 徑予以說明。首先，藉由控制部1 0 0選擇曝光蝕刻模式。 模式選擇後，例如收納有被塗佈光阻之測試晶圓W的載 體20從外部被搬入至載體區塊S1。然後，載體20內之 測試區塊W是依照傳輸機器臂C—交接台TRS 1 1 —穿梭機 ® 器臂120->棚架單元U5之交接台TRS1B—穿梭機器臂7 — 棚架單元U6之交接台TRS5B—穿梭機器臂F—棚架單元 U7之交接台TRS13—介面機器臂B—曝光裝置S4之順序 . 被交接，執行與先前所述之實施型態相同的維修作業。維 修作業後之測試晶圓W是以和被搬入至該曝光裝置S4時 之程序相反的程序，而返回至載體。 在上述實施型態中，因構成具備有檢查區塊S5之塗 佈、顯像裝置，並且將該檢查區塊S5設置在在體區塊S1 ® 和處理區塊S2之間，故可以共同之操作器監視光阻之塗 佈、曝光、顯像、檢查，可以謀求操作器之省數化，並且 _ 於藉由檢查辨識到任何缺陷時，則可以快速執行特定原因 或排除原因之下一個動作。 再者，於該實施型態中，在被設置於處理區塊S2 5和 介面區塊S 3之間的輔助區塊S 6，因設置有於執行液浸曝 光時所需之單元的保護膜塗佈單元40 1或保護膜除去單元 402藉由安裝該輔助區塊S6，可以不變更處理區塊S2之 佈局，對應於執行液浸曝光之時和不執行液浸曝光之時。 -34- (31) 1296824 此時於不執行液浸曝光之時，則以經過不進入跳過輔助 S6內之方式搬送晶圓w即可。 但是，檢查區塊S5之第2穿梭機器臂丨20和處理區 塊S 2之第1穿梭機器臂7之間的交接雖然在上述例中藉 由共同交接台TRS1B而所執行，但是藉由第1穿梭機器 臂7執行交接之平台和藉由第2穿梭機器臂120而執行交 接臂之平台互相不同，即使於交接機器臂D 1執行互相不 同平台間之晶圓W之搬送時，第1穿梭機器臂7及第2 穿梭機器臂120是執行直達搬送。 並且，被設置於顯像裝置101中之各區塊的各交接台 TRS之數量及各單元之數量並不限定於此。再者，檢查區 塊S 5或輔助區塊S 6中之任一個即使爲被設置在先前所述 的塗佈、顯像裝置上亦可。 於先前所述之實施型態中，在COT層B3之棚架單元 U1〜U4雖然包含有對晶圓W執行疏水化處理之單元（ADH) ，但是即使取代在COT層B3設置該疏水化單元，如第14 圖〜第15圖所示般，設置在先前所述之檢查區塊S5上亦 可，當具體說明時，該第14圖〜第1 5圖所示之塗佈、顯 像裝置102之檢查區塊S5雖然與上述塗佈、顯像裝置 之檢查區塊S5構成大略相同，但是在交接台TRS1 1 上方例如3個疊層設置有疏水化單元1 1 8。再者，從載體 區塊S1側觀看在該檢查區塊S 5之前左側設置有例如與處 理區塊S 2之交接機器臂D1相同，構成升降自如、進退自 如且繞垂直軸旋轉自如之交接機器臂Π 9，該交接機器臂 -35- (32) 1296824 119是被構成可以存取於交接台TRS11及各疏水化單元 118° 在如此所構成之塗佈、顯像裝置1 02中，接受曝光處 理之晶圓W是依照載體20—載體區塊S1—傳輸機器臂C —交接台TRS1 1—交接機器臂1 19—疏水化單元1 18—交 接機器臂1 19—交接台TRS1 1—穿梭機器臂120—交接台 TRS1B之順序，從載體區塊S1通過檢查區塊S5而搬送至 處理區塊B 2。疏水化處理示於例如塗佈光阻之前被執行 ，雖然此時適用不塗佈下側反射防止膜之製程，但是即使 於塗佈下側反射防止膜之前亦可。晶圓W除疏水化處理 用之搬送以外，是以與顯像裝置1 0 1相同路徑被搬送，接 受曝光處理。並且，施有曝光處理之晶圓W受到顯像處 理而返回至載體20之時的晶圓W，是藉由與先前所述之 塗佈、顯像裝置1 〇 1相同之路徑被搬送。 再者，選擇曝光確認模式之時，測試晶圓W是與和 先前所述之塗佈；顯像裝置1 0 1相同之路徑被搬送。 如此一來，於檢查區塊S 5設置疏水化單元1 1 8之時 ，比起在各單位區塊B2〜B4之棚架單元U1〜U4設置疏水 化單元之時，可以減輕各單位區塊之主機器臂A2〜A4之 負荷。 於以上中，於具備有檢查區塊S5及輔助區塊S6中之 至少一方的塗佈、顯像裝置中，針對檢查區塊S5及輔助 區塊S 6，不設置穿梭機器臂，於曝光確認時，即使採用 藉由通常處理時所使用之交接機器臂搬送之構成時，設置 -36- (33) 1296824 在處理區塊S2之穿梭機器臂7是相當於用以在載體區塊 S1和介面區塊S3之間執行基板之直達搬送之直達搬送手 段。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示將本發明所涉及之塗佈、顯像裝置適用 於塗佈、顯像系統之實施型態的平面圖。 第2圖是表示上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。 第3圖是表示上述塗佈、顯像裝置之側部截面圖。 第4圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之DEV層之顯 像單元、棚架單元、主機器臂及排氣單元之斜視圖。 第5圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之顯像單元的平 面圖和縱斷剖面圖。 第6圖上述DEV層之縱斷側面圖。 第7圖是表示上述DEV層中之穿梭機器臂之依動部 之構成之一例的斜視圖。 第8圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之介面機器臂之 一例的斜視圖。 第9圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之晶圓之搬送路 徑的模式圖。 第1 〇圖是表示本發明所涉及之其他塗佈、顯像裝置 之構成的平面圖。 第Π圖是表示上述塗佈、顯像裝置之側部剖面圖。 第〗2圖是表示被設置於上述塗佈、顯示裝置之檢查 -37- (34) 1296824 區塊之構成的斜視圖。 第13圖是表示被設置於上述塗佈、顯像裝置之輔助 區塊之各部之配置的縱斷平面圖。 第14圖是表示在上述檢查區塊設置疏水化單元之塗 佈、顯像裝置之構成之一例的平面圖。 第15圖是上述塗佈、顯像裝置之縱斷平面圖。 ®【主要元件符號說明】 W :半導體晶圓 S 2 :處理區塊 S3 :介面區塊 S 4 :曝光裝置 A1〜A5 :主機器臂 B :介面機器臂 C :傳輸機器臂 ® D1 :交接機器臂 Μ 1 :搬送區塊 R1 :搬送用區塊 U1〜U9 :棚架單元 7、120、F:穿梭機器臂 1 〇 〇 :控制部 1 0 1、1 0 2 :塗佈、顯像裝置 -38-