KR20060098339A - 도포· 현상장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 도포·현상장치에 관한 것으로서 캐리어블럭에 반입된 기판을 처리 블럭에 반송해 도포막을 형성한 후 인터페이스 블럭을 개재하여 노광 장치에 반송하고 상기 인터페이스 블럭을 개재하여 돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블럭에서 현상 처리하고 캐리어블럭에 반송하는 도포·현상 장치에 있어서 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭에 대해서 적층되고 캐리어 블럭과 인터페이스블럭의 사이에 도포막이 형성된 기판을 캐리어 블럭측으로부터 인터페이스 블럭 측에 직통 반송하는 반송 수단을 설치한다. 이와 같이 구성하는 것으로 도포막 형성용의 블럭과 현상용의 블럭이 메인터넌스안에서도 검사용 기판을 노광 장치에 반송할 수 있으므로 노광 장치의 상태를 검사 할 수 있는 노광 장치의 메인터넌스를 원하는 타이밍으로 실시하는 할 수 있는 도포·현상 장치의 기술을 제공한다.

Description

도포· 현상장치{COATING AND DEVELOPING SYSTEM}
도 1은 본 발명과 관련되는 도포·현상 시스템을 도포·현상 장치에 적용한 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 상기 도포·현상 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 상기 도포·현상 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 4는 상기 도포·현상 장치에 있어서의 DEV층의 현상 유니트 ; 선반 유니트; 메인 아암 및 배기 유니트를 나타내는 사시도이다.
도 5는 상기 도포·현상 장치에 있어서의 현상 유니트를 나타내는 평면도와 종단 단면도이다.
도 6은 상기 DEV층의 종단 측면도이다.
도 7은 상기 DEV층에 있어서의 셔틀 아암의 이동부의 구성의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 8은 상기 도포·현상 장치에 있어서의 인터페이스 아암의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 9는 상기 도포·현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타낸 모식도이다.
도 10은 본 발명과 관련되는 다른 도포·현상 장치의 구성을 나타낸 평면도 이다.
도 11은 상기 도포·현상 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 12는 상기 도포·현상 장치에 설치된 검사 블럭의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 13은 상기 도포·현상 장치에 설치된 보조 블럭의 각부의 배치를 나타내는 종단 평면도이다.
도 14는 상기 검사 블럭에 소수화 유니트를 설치한 도포·현상 장치의 구성의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 15는 상기 도포·현상 장치의 종단 평면도이다.
본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용의 유리 기판 등의 기판에 대해서 레지스트를 도포하고 노광 후의 기판을 현상하는 도포·현상 장치에 관한다.
일반적으로 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다) 등의 기판에 레지스트 패턴을 구하는 일련의 처리는 레지스트액의 도포나 현상을 실시하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용해 행해진다.
기술과 같은 도포·현상 장치로서 예를 들면 특허 문헌 1에는 노광 처리전에 웨이퍼에 도포 처리를 가하는 모듈을 수납하는 도포막 형성용의 블럭과 노광 처리 후에 웨이퍼에 현상 처리를 가하는 모듈을 수납하는 현상용의 블럭이라든지 상하에 배치되어 각 블럭의 일단은 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 포트에 접속되어 각 블럭의 타단은 인터페이스블럭을 개재하여 노광 장치에 접속된 구성을 가지는 도포·현상 장치가 나타나고 있다. 해당 도포·현상 장치에 있어서는 이러한 구성을 가지는 것으로 도포 공정과 현상 공정이 분리되어 행해지기 때문에 수율의 향상이 도모된다.
노광 장치는 최근 해상도가 좋아지고 현재는 예를 들면 ArF(불소화 아르곤)등을 광원으로서 이용하는 것으로 수십 nm(나노미터) 정도의 해상 선폭으로 노광 처리를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다. 그러나 기압이나 기 후등에 의한 주위 환경의 몇 안 되는 변화에 의해 예를 들면 광학계의 보지 부재등이 팽창 수축해 빛의 초점 위치에 민감하게 영향을 주어 레지스트 패턴의 마무리를 크게 좌우 한다. 이 때문에 항상 안정된 노광 처리를 실시하기 위해서는 예를 들면 하루에도 빈번하게 노광 장치를 체크해 조정할 필요가 있다.
한편 공장의 운전 코스트를 억제하기 위해서 클린 룸의 청정 레벨을 낮게 하는 경향이 있는 것으로부터 노광 장치의 상태검사는 노광 장치의 메인터넌스용 문을 열지 않고 도포·현상 장치의 캐리어 블럭으로부터 시험용의 웨이퍼를 처리 블럭의 반송계를 개재하여 노광 장치에 반송하여 행해진다. 그러나 상기 특허 문헌 1에 기재의 도포·현상 장치에 있어서는 시험용의 웨이퍼를 노광 장치에 반송하기 위해서 는 도포막 형성용의 블럭 혹은 현상용의 블럭을 이용해야 하기 때문에 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭에 대해서 메인터넌스를 실시하고 있는 경우나 이들의 블럭에 불편함이 발생했을 경우 등에 있어서는 정기 혹은 부정기의 노광 장치의 상태검사 및 조정을 할 수 없게 된다. 이 때문에 도포막 형성용의 블럭이나 현상용의 블럭의 메인터넌스 작업 종료를 기다려 시험용의 웨이퍼를 노광 장치에 반송해 상태검사 조정을 실시하게 되기 때문에 블럭의 메인터넌스 후에 신속하게 제품 웨이퍼에 대해서 프로세스를 실시하지 못하고 결과적으로 수율의 저하의 한 요인이 되어 버린다.
한층 더 또 반도체의 제조 라인을 신설하는 경우 등에 있어 장치의 시작의 단축화는 중요한 테마이다. 그러나 특허 문헌 1의 장치 구성에서는 도포막 형성용의 블럭 혹은 현상용의 블럭의 반송계의 조정을 완료하지 않으면 노광 장치의 조정을실시하지 못하고 한편 노광 장치의 조정은 조정 항목이 많이 게다가 미묘한 조정이 필요한 것으로부터 긴 시간이 걸려 이러한 것으로부터 장치 시작의 단축화가 어려운 상황에 있다.
특허 문헌 1: 일본국 특허 제 3337677호 공보
본 발명은 이러한 사정 아래에 이루어진 것이고 그 목적은 노광 장치의 메인터넌스를 원하는 타이밍으로 실시할 수가 있는 도포·현상 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 도포·현상 장치는 캐리어 블럭에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블럭으로 수수 이 처리 블럭에서 감광 재료막을 포함한 도포막을 형성한 후 인터페이스 블럭을 개재하여 노광 장치에 반송해 상기 인터페이스 블럭을 개재하여 돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블럭에서 현상 처리해 상기 캐리어 블럭에 수수하는 도포·현상 장치에 있어서:
a) 상기 처리 블럭은 각각 캐리어 블럭측으로부터 인터페이스 블럭 측에 성장해 감광 재료로 이루어지는 도포막을 포함한 막을 형성하기 위한 도포막 형성용의 블럭과 이 도포막 형성용의 블럭에 대해서 적층된 현상용의 블럭을 구비하고,
b) 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열 유니트와 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 이들 유니트간에 기판을 반송하는 블럭용의 반송 수단을 구비하고,
c) 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭에 대해서 적층되어 캐리어블럭과 인터페이스 블럭의 사이에 기판의 직통 반송을 행하기 위한 직통 반송 수단이 설치되고,
d) 도포막이 형성된 기판은 상기 직통 반송 수단을 통해서 캐리어블럭측으로부터 인터페이스블럭 측에 반송되는 것을 특징으로 한다.
상기 도포막 형성용의 블럭은 레지스트막을 형성하기 위한 블럭과 레지스트막의 아래 쪽에 반사 방지막을 형성하기 위한 블럭과 상기 레지스트막의 위쪽에 반사 방지막을 형성하기 위한 블럭의 적층체를 포함하고 있어도 좋고 또 현상용의 블럭이 도포막 형성용의 블럭의 하부 측에 설치되고 있어도 좋다.
상기 직통 반송 수단은 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭은 구획된 반송 블럭내를 이동하도록 구성되고 있어도 좋고 이 경우 예를 들면 상기 반송 블럭은 현상용의 블럭과 도포막 형성용의 블럭의 사이에 설치되고 있다. 또 이 반 송 블럭에 있어서 예를 들면 해당 반송 블럭의 내부에 기체를 도입해 반송 블럭 내부를 양압으로 하기 위한 기체 도입구가 설치되고 있다.
본 발명의 도포·현상 장치는 도포막 형성용의 블럭에 있어서의 블럭용의 반송 수단 현상용의 블럭에 있어서의 블럭용의 반송 수단 및 직통 반송 수단에 의해 기판의 수수를 할 수 있도록 각각 배치되어 서로 적층된 복수의 수수스테이지와 이들 수수 스테이지간으로 기판의 수수를 실시하는 것이 가능하도록 승강자유로운 승강 반송수단을 구비하여도 좋고 또한 기판으 반송을 제어하는 제어부를 구비하고 이 제어부는 노광장치의 상태를 검사하기 위한 시험기판을 캐리어 블럭으로부터 직통 반송수단을 개재하여 노광장치에 반송하는 반송모드를 선택할 수 있도록 구성하여도 좋다.
또한 본 발명의 도포 · 현상장치는 상기 처리블럭과 인터페이스블럭간에 도포막형성 후 노광처리전 및/또는 노광처리후 현상처리전의 처리를 실시하는 유니트와 이들 유니트 상기 처리 블럭 및 인터페이스 블럭의 사이에 기판을 반송하기 위한 수수 아암을 구비한 보조 블럭을 설치하고 상기 직통 반송 수단은 상기 처리 블럭을 통과하는 제 1의 직통 반송 수단과 상기 보조 블럭을 통과하는 제 2의 직통 반송 수단을 포함하고 있어도 좋고 그 외에는 예를 들면 상기 캐리어 블럭과 처리 블럭의 사이에 기판의 검사를 행하기 위한 검사 유니트와 검사 유니트 및 캐리어블럭 및 처리 블럭의 사이에 기판을 반송하는 수수 아암을 구비한 검사 블럭을 설치하고 상기 직통 반송 수단은 상기 검사 블럭을 통과하는 제 3의 직통 반송 수단과 상기 처리 블럭을 통과하는 제 1의 직통 반송 수단을 포함하고 있어도 괜찮다.
본 발명에 의하면 처리 블럭을 각각 캐리어 블럭측으로부터 인터페이스 블럭 측에 연장하는 도포막 형성용의 블럭과 현상용의 블럭의 적층체에 의해 구성하고 있으므로 설치 스페이스가 작게 하여 처리하고 그리고 캐리어 블럭과 인터페이스 블럭의 사이에 기판의 직통 반송을 전용에 실시하기 위한 직통 반송 수단을 설치하고 있기 때문에 노광 장치 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭의 메인터넌스를 동시에 실시할 수가 있어 메인터넌스 시간의 단축을 도모할 수 있다. 또 도포막 형성용의 블럭과 현상용의 블럭이 메인터넌스안에서도 혹은 예를 들면 배기계에 트러블이 발생하는 등에 의해 이들 블럭에 트러블이 일어나고 있어도 노광 장치의 상태를 검사하기 위한 시험 기판을 직통 반송 수단에 의해 캐리어블럭측으로부터 노광 장치에 반송하는 것이 가능하므로 노광 장치의 상태의 검사를 원하는 타이밍으로 실시할 수가 있다. 이 때문에 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭이 운전 가능한 상태가 된 후 신속하게 제품 기판의 처리로 이행할 수가 있어 수율의 저하를 억제할 수가 있다. 또 장치의 설치 활성시에 있어서 직통 반송 수단의 조정을 해 두면 이 직통 반송 수단에 의해 시험 기판의 반송을 실시하는 것으로 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭의 각 반송 수단의 조정 작업과 분리하여 노광 장치의 조정을 실시할 수가 있고 노광 장치의 조정이 완료하고 있으면 이어서 현상 조건의 설정을 실시할 수가 있고 결과적으로 장치의 활성시간을 단축할 수 있다.
이하 본 발명과 관련되는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템의 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 1은 이 시스템의 하나의 실시의 형태에 있어서 의 평면도를 나타내고 ; 도 2는 동일 개략 사시도 ; 도 3은 동일 개략 측면도이다. 이 도포·현상 장치는 대기 환경안의 클린 룸내에 설치되어 있고 기판 예를 들면 웨이퍼인 웨이퍼 (W)가 13매 밀폐 수납된 캐리어 (20)을 반입출하기 위한 캐리어 블럭 (S1)과 복수 예를 들면 4개의 블럭 (B1~B4) 및 반송 블럭 (M1)를 세로로 배열하여 구성된 처리 블럭 (S2)와 인터페이스블럭 (S3)와 노광 장치 (S4)를 구비하고 있다.
상기 캐리어 블럭 (S1)에는 상기 캐리어 (20)을 복수 재치 가능한 재치대 (21)과 이 재치대 (21)로부터 볼대 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (22)와 개폐부 (22)를 개재하여 캐리어 (20)으로부터 웨이퍼 (W)를 꺼내기 위한 트랜스퍼 아암 (C)가 설치되고 있다. 이 트랜스퍼 아암 (C)는 후술 하는 블럭 (B1) 및 (B2)의 수수 스테이지 (TRS1~2)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 진퇴 자유롭게 ; 승강 자유롭게; 수직축 주위에 회전 자유롭게 캐리어 (20)의 배열 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.
캐리어 블럭 (S1)의 안쪽 측에는 프레임체 (24)로 주위를 둘러싸는 처리 블럭 (S2)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (S2)는 이 예에서는 하부측으로부터 현상 처리를 행하기 위한 제 1의 블럭(DEV층, B1); 반송 블럭 (M1); 레지스트막의 하층 측에 형성되는 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 2의 블럭(BCT층, B2) ; 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제 3의 블럭(COT층, B3); 레지스트막의 상층 측에 형성되는 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 4의 블럭(TCT층, B4) 로 서 할당되어 있다. 이들 블럭 (B1~B4) 및 반송 블럭 (M1)은 캐리어 블럭 (S1)으로부터 인터페이스 블럭 (S3)으로 향해 성장하고 있다. 여기서 상기 (DEV층, B1)이 현상용의 블럭 (BCT층, B2) (COT층, B3) (TCT층, B4) 가 감광 재료 예를 들면 레지스트로 이루어지는 도포막을 형성하기 위한 도포막 형성용의 블럭에 해당한다. ㄸ또한 각 블럭간은 칸막이판(베이스체)에 의해 구획되고 있다.
다음으로 제 1 ~제 4의 블럭(B , (B1~B4))의 구성에 대해서 설명하지만 본 실시형태에 있어서 이들 블럭 (B1~B4)에는 공통부분이 많이 포함되어 잇고 각 블럭 (B)는 대략 동일한 레이아웃으로 구성되고 있다. 거기서 (DEV층, B1)을 예로하여 도 1을 참조하면서 설명한다. (DEV층, B1)의 중앙부에는 횡방향 상세하게는 (DEV층, B1)의 긴방향(도안 Y방향)에 캐리어블럭 (S1)과 인터페이스블럭 (S3)을 접속하기 위한 웨이퍼 (W)의 반송용 통로 (R1)이 형성되고 있다.
이 반송용 통로 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)측에서 봐서 앞측(캐리어블럭 (S1)측)으로부터 안쪽 측에 향해 우측에는 액처리 유니트로서 현상액의 도포 처리를 행하기 위한 복수의 도포부를 구비한 현상 유니트 (3)이 반송용 통로 (R1)를 따라 설치되고 있다. 또 캐리어블럭 (S1)측에서 봐서 앞측으로부터 안쪽 측에 향해 좌측에는 차례로 가열·냉각계의 열계 처리 유니트를 다단화 한 4개의 선반유니트 (U1, U2, U3, U4)가 반송용 통로 (R1) 에 따라서 설치되어 있다. 즉 현상유니트 (3)과 선반유니트 ((U1~U4))가 반송용 통로 (R1)을 개재하여 대향하여 배열되고 있다. 선반 유니트 ((U1~U4))는 현상 유니트 (3)에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 열계 처리 유니트가 2단으로 적층되고 있고 또 그 선반 유니트 ((U1~U4))의 하부에는 배기 유니트 (5)가 적층되고 설치되고 있다(도 4).
상술의 열계 처리 유니트안에는 예를 들면 노광 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하거나 현상 처리 후의 웨이퍼 (W)를 건조시키기 위해서 가열 처리하거나 하는 가열 유니트 (4)나 이 가열 유니트 (4)에 있어서의 처리 뒤에 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트 등이 포함되어 있다. 또한 본 실시 형태에서는 해당 (DEV층, B1)에 있어서의 선반 유니트 (U1, U2, U3)로서 가열 유니트 (4)가 2단으로 적층되어 선반 유니트 (U4)로서 냉각유니트 (2)가 2단으로 적층되고 있다.
도 5를 이용하여 상기 현상유니트 (3)의 구성에 대해서 간단하게 설명하면 상기 현상유니트를 구성하는 프레임체 (30)의 내부에는 3개의 웨이퍼 보지부를 이루는 스핀 척 (31)이 배열되고 있고 각 스핀 척 (31)은 구동부 (32)에 의해 수직축 주위에 회전 자유롭게 한편 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또 스핀 척 (31)의 주위에는 컵 (33)이 설치되고 해당 컵 (33)의 저면에는 배기관이나 드레인관 등을 포함한 배액부(도시하지 않음)가 설치되고 있다. 도중 34는 약액 공급 노즐이고 이 약액 공급 노즐 (34)는 승강 자유롭게 설치되고 또 구동부 (35)에 의해 가이드 (36)을 따라 Y방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.
이 현상 유니트 (3)에서는 웨이퍼 (W)는 후술의 메인 아암 (A1)에 의해 반송용 통로 (R1)에 접해 설치된 반송구 (37)을 개재하여 프레임체 (30)내에 반입되어 스핀 척 (31)에 수수된다. 또한 도안 38은 프레임체 (30)내에의 파티클의 유입을 막기 위해서 반송구 (37)에 설치된 개폐 자유로운 셔터이다. 그리고 공급 노즐 (34)로부터 해당 웨이퍼 (W)의 표면에 현상액이 공급되어 웨이퍼 (W)의 표면에 현 상액의 액막을 형성시켜 그 후 도시하지 않는 세정액 공급 기구로부터의 세정액에 의해 웨이퍼 (W)표면의 현상액이 세정되어 그 후 웨이퍼 (W)를 회전시켜 건조되는 것으로 현상 처리가 종료한다.
이어서 선반 유니트 (U1~U3)를 구성하는 가열 유니트 (4)에 대해서 간단하게 설명하면 도 6중 40은 프레임체이고 프레임체 (40)의 내부에는 기초대 (41)이 설치되어 있다. 도중 42는 웨이퍼 (W)의 반송구이고 반송용 통로 (R1)에 접해 설치되고 있다. 도중 43은 조열(粗熱)냉각용의 냉각 플레이트이고 도중 44는 열판이다. 냉각 플레이트 (43)은 기초대 (41)에 있어서 열판 (44)상에 이동 가능하도록 구성되고 있다. 도중 45는 정류(整流)용의 플레이트이다. (47, 48)은 승강기구 (47a, 48a)에 의해 구동되는 승강 핀이다. 승강 핀 (47)이 승강함으로써 메인 아암 (A1)와 냉각 플레이트 (43)의 사이에 웨이퍼 (W)가 수수되어 승강 핀 (48)에 의해 열판 (44)와 냉각 플레이트 (43)의 사이에 웨이퍼 (W)가 수수되는 구성으로 되어 있다.
또한 선반 유니트 (U4)를 구성하는 냉각 유니트의 자세한 설명은 생략 하지만 가열 유니트 (4)와 동일하게 반송용 통로 (R1)로 향해 반송구 (42)가 개구된 프레임체 (40)을 구비하고 그 프레임체 (40) 내부에는 예를 들면 수냉 방식의 냉각 플레이트를 구비한 구성의 장치가 이용된다.
또 배기 유니트 (5)는 프레임체 (50)에 있어서 반송용 통로 (R1)에 접해 개구된 흡인구 (51)과 프레임체의 내부의 배기실 (53)내를 흡인 배기하는 배기관 (54)를 구비하고 배기실 (53)이 부압화되는 것으로 반송용 통로 (R1)에 있어서의 기체를 흡인해 파티클의 제거를 도모하고 있다.
이어서 상기 반송용 통로 (R1)에 설치된 블럭용의 반송 수단인 메인 아암 (A1)에 대해서 설명한다. 이 메인 아암 (A1)은 선반 유니트 ((U1~U4))의 각 처리 유니트 현상 유니트 (3) 후술 하는 선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 및 선반 유니트 (U6)의 수수 스테이지의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 구성되고 있다. 메인 아암 (A1)은 예를 들면 웨이퍼 (W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 2개의 아암체 (61,62)를 구비하고 있고 이들 아암체 (61,62)는 반송 기체 (63)상을 서로 독립하여 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 또 반송 기체 (63)은 승강 기체 (64)상에 수직축 주위에 회전 자유롭게 설치되고 있다.
도중 65는 메인 아암 (A1)를 횡방향으로 가이드하기 위한 가이드 레일이다. 또한 도중 66은 상기 반송용 통로 (R1)의 배기를 실시하기 위해서 가이드 레일 (65)상에 설치된 구멍이고 상기 흡인구 (51)과 겹치도록 천공되고 있다. 도중 67은 승강 가이드 레일이고 해당 승강 가이드 레일 (67)을 따라 승강 기체 (64)는 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이 승강 가이드 레일 (67)의 하단부는 예를 들면 가이드 레일 (65)의 아래쪽을 들어가 상기 배기 유니트 (5)의 배기실 (53)내에서 해당 승강 가이드 레일 (67)을 상기 가이드 레일 (65)를 따라 이동시키기 위한 구동 벨트 (55)에 연결되고 있다.
여기서 반송 블럭 (M1)에 대해서 도 2; 도 6및 도 7을 참조하면서 설명해 둔다. (DEV층, B1)와 (BCT층, B2)의 사이에는 웨이퍼 (W)를 캐리어블럭 (S1)로부터 인 인터페이스블럭 (S3)에 직행해 반송하는 반송 블럭 (M1)이 형성되고 있다. 이 반송 블럭 (M1)은 (DEV층, B1)의 반송용 통로 (R1)와는 칸막이판 (70a)에 의해 구 분된 반송 영역 (M2)와 직통 반송 수단인 셔틀 아암 (7)을 포함하고 있다. 해당 셔틀 아암 (7)은 이동부 (7A)와 구동부 (7B)에 의해 구성되고 이동부 (7A)는 반송 영역 (M2)를 따라 이동할 수 있도록 설치되고 있다. 이동부 (7A)는 예를 들면 웨이퍼 (W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 아암체 (71)을 구비하고 있고 이 아암체 (71)은 반송 기체 (72)상을 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 또 반송 기체 (72)는 이동 기체 (73)상에 수직축 주위로 회전 자유롭게 설치되고 있다. 또한 이 예에서는 아암체 (71) ; 반송 기체 (72) 및 이동 기체 (73)에 의해 이동부 (7A)가 구성된다. 또한 크기로 한정되지 않으면 반송 기체 (72)를 승강시키는 기구가 설치되고 있어도 괜찮다.
구동부 (7B)는 프레임체 (70)을 구비하고 있어 프레임체 (70) 내부의 배기실 (70a)에는 상기 이동부 (7A)를 이동시키기 위한 구동부(미도시)가 포함되어 있다. 프레임체 (70)의 전면에는 상기 이동부 (7A)를 횡방향으로 가이드하기 위한 가이드 레일 (74)가 횡방향으로 연장하도록 설치되고 있고 이와 같이 구성되는 것으로 셔틀 아암 (7)은 후술의 선반 유니트 (U5)에 설치된 수수 스테이지 (TRS1B)와 선반 유니트 (U6)에 설치된 수수 스테이지 (TRS5B)의 사이에 웨이퍼 (W)가 직행하여 반송되어 수수를 하도록 구성되고 있다.
또 해당 프레임체 (70)은 반송 영역 (M2)에 접해 개구된 흡인구 (75)를 구비하고 있고 해당 흡인구 (75)와 겹치도록 상기 가이드 레일 (74)에는 횡방향으로 간격을 두고 구멍 (74a)가 설치되고 있다. 반송 영역 (M2)에 접하는 측을 앞측으로 하면 상기 배기실 (70a)의 안쪽 측에는 횡방향으로 간격을 두고 복수지점; 배기구 (77)이 개구하고 있고 배기구 (77)에는 배기실 (70a)내를 흡인 배기하기 위한 배기관 (78)이 접속되고 있다. 해당 배기관 (78)을 개재하여 배기실 (70a)가 부압화되는 것으로 반송 영역 (M2)에 있어서의 기체가 배기실 (70a)에 유입하는 구성이 되어 있다.
또 반송 영역 (M2)에는 예를 들면 각형의 프레임체를 구비한 기체 도입부 (79)가 횡방향으로 예를 들면 해당 반송 영역 (M2)전역을 커버 하도록 설치되고 있다. 해당 프레임체에는 예를 들면 횡방향으로 일정한 간격을 두고 반송 영역 (M2)에 접하는 기체 도입구(미도시)가 설치되고 있어 기체 도입부 (79)안을 유통하는 청정 기체가 해당 기체 도입구를 개재하여 예를 들면 반송 영역 (M2) 전역에 방사형상으로 공급되도록 구성되고 있다. 이와 같이 기체 도입구로부터 반송 영역 (M2)에 청정 기체가 공급되는 한편 상기 배기실 (70a)를 개재하여 반송 영역 (M2)의 배기를 하는 것으로 반송 영역 (M2)에 있어서의 파티클의 제거가 도모되고 있다. 또 예를 들면 이러한 청정 기체의 공급과 배기의 밸런스를 취해 반송 영역 (M2)에 있어서의 압력이 클린 룸내의 압력보다 약간 높은 압력(양압)이 되도록 콘트롤 되는 것으로 해당 도포·현상 장치의 외부로부터 기류를 타며 해당 반송 영역 (M2)에 파티클이 유입하는 것이 제어되고 있다.
반송용 통로 (R1) 및 반송 영역 (M2)에 있어서의 캐리어 블럭 (S1)와 인접하는 영역은 제 1의 웨이퍼 수수 영역 (R2)로 이루어져 있고 이 영역 (R2)에는 도 1및 도 3에 나타나는 바와 같이 메인 아암 (A1)와 셔틀 아암 (7) 및 트랜스퍼 아암 (C)가 액세스 할 수 있는 위치에 선반 유니트 (U5)가 설치됨과 동시에 이 선반 유 니트 (U5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 승강 반송 수단인 수수 아암 (D1)을 구비하고 있다.
이 선반 유니트 (U5)에 있어서 블럭 (B1)에는 수수 스테이지 (TRS1B) ;수수 스테이지 (TRS1)이 상단으로부터 이 순서로 설치되고 있고 수수 스테이지 (TRS1B)에는 트랜스퍼 아암 (C) ; 상기 셔틀 아암 (7) 및 수수 아암 (D1)을 액세스 할 수 있도록 구성되고 있다. 수수 스테이지 (TRS1)에는 메인 아암 (A1); 트랜스퍼 아암 (C) 및 수수 아암 (D1)를 액세스 할 수 있도록 구성되고 있다. 해당 수수 스테이지 (TRS1) 및 수수 스테이지 (TRS1B)의 구조로서는 예를 들면 사방형의 프레임체내를 구비하고 해당 프레임 체내에는 웨이퍼 (W)를 재치 하는 것으로 웨이퍼 (W)의 온도를 예정한 온도로 조절하는 기구를 구비한 스테이지가 설치되고 또 해당 스테이지상을 돌출자유로운 핀이 설치되고 있다. 예를 들면 프레임체의 각 아암으로 향하는 측면으로 설치된 반송구를 개재하여 각 아암이 상기 프레임체내에 진입해 상기 핀을 개재하여 스테이지로부터 부상한 웨이퍼 (W)의 이면을 각 아암이 보지할 수가 있다. 또한 상기 핀을 개재하여 플레이트상에 각 아암에 의해 반송된 웨이퍼 (W)가 재치되도록 하는 구조를 구비하고 있다.
또한 이 예에서는 도 3에 나타나는 바와 같이 블럭 (B2~B4)에는 각 2기의 수수 스테이지 (TRS2~TRS4)가 설치되고 있지만 각 TRS는 모든 서술한것과 같은 구조를 가지고 있고 수수 스테이지 (TRS2~TRS4)는 각층에 설치된 메인 아암(A2~A4) 및 수수 아암 (D1)와 웨이퍼 (W)의 수수가 가능하도록 구성되고 있다. 또 TRS2에는 이들의 아암의 그 밖에 트랜스퍼 아암 (C)와도 웨이퍼의 수수를 할 수 있도록 구성되 고 있다. 그런데 각 TRS의 수는 한정되는 것은 아니고 각 블럭에 대응해 2개 이상 설치되고 있어도 괜찮다.
상기 수수 아암 (D1)는 B1로부터 B4의 각층을 이동하여 각층에 설치된 수수 스테이지 (TRS1~TRS4) 및 수수 스테이지 (TRS1B)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수가 있도록 진퇴 자유롭게 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또 상기 수수 스테이지 (TRS1) (TRS2)및 수수 스테이지 (TRS1B)는 이 예에서는 트랜스퍼 아암 (C)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 하도록 구성되고 있다.
또한 (DEV층, B1)의 반송용 통로 (R1) 및 반송 블럭 (M1)의 반송 영역 (M2)의 인터페이스블럭 (S3)와 인접하는 영역은 제 2의 웨이퍼 수수 영역 (R3)으로 되고 있어 이 영역 (R3)에는 도 3에 나타나는 바와 같이 선반 유니트 (U6)가 설치되고 있다. 선반 유니트 (U6)는 도 3에 나타나는 바와 같이 수수 스테이지인 (TRS5B) (TRS5)가 위로부터 이 순서로 설치되고 있고 수수 스테이지 (TRS5B)는 셔틀 아암 (7)과 인터페이스 아암 (B)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수 있도록 구성되고 있다. 또 수수 스테이지 (TRS5)는 메인 아암 (A1) 및 인터페이스 아암 (B)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수 있도록 구성되고 있다. 수수 스테이지 (TRS5B) (TRS5)는 예를 들면 서술한 수수 스테이지 (TRS1B)와 같은 구조를 가지고 있고 웨이퍼 (W)의 냉각 기능을 구비하고 수수된 웨이퍼 (W)의 온조관리를 할 수 있도록 구성되고 있다.
또 처리 블럭 (S2)에 있어서의 선반 유니트 (U6)의 안쪽 측에는 인터페이스블럭 (S3)을 개재하여 노광 장치 (S4)가 접속되고 있다. 인터페이스블럭 (S3)에는 처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)와 노광 장치 (S4)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 인터페이스 아암 (B)가 구비되고 있다. 이 인터페이스 아암 (B)는 예를 들면 도 8에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)의 이면측 중앙 영역을 지지하기 위한 1개의 아암 (201)이 기초대 (202)를 따라 진퇴 자유롭게 설치되고 있다. 상기 기초대 (202)는 승강대 (203)에 회전 기구 (204)에 의해 수직축 주위로 회전 자유롭게 장착되고 승강 레일 (205)를 따라 승강 자유롭게 설치되고 있다. 이렇게 해 아암 (201)은 진퇴 자유롭게; 승강 자유롭게; 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
또한 기술의 수수 아암 (D1)도 수직축 주위로 회전하지 않는 외는 인터페이스 아암 (B)와 동일하게 구성되고 있다.
이 인터페이스 아암 (B)는 처리 블럭 (S2)와 노광 장치 (S4)의 사이에 개재하는 웨이퍼 (W)의 반송 수단을 이루는 것이고 이 실시 형태에서는 유니트 (U6)의 수수 스테이지 (TRS5B)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하고 노광 장치 (S4)로 반입하는 한편 노광 장치 (S4)로부터 웨이퍼 (W)를 수취 스테이지 (TRS5)에 수수하도록 구성되고 있다.
이어서 다른 블럭에 대해서 간단하게 설명한다. (BCT층, B2) (COT층, B3) (TCT층, B4)는 (DEV층, B1)와 대략 동일하게 구성되고 있고 차이로서는 액처리 유니트의 약액으로서 현상액 대신에 반사 방지막용의 약액 혹은 레지스트막 형성용의 약액(레지스트액)이 이용되는 점 ; 약액의 도포의 수법이 다른 점을 들 수 있고 또 선반 유니트 ((U1~U4))를 구성하는 가열계 냉각계의 유니트에 있어서의 처리 조건 이 다른 점 또 인터페이스 (S3)측에 선반 유니트 (U6)가 배치되어 있지 않은 점 등을 들 수 있다. 또 예를 들면 블럭 (B2~B4)의 어느 쪽인가에 웨이퍼 (W)의 주변부를 노광하는 주변 노광 유니트가 설치되고 있고 (COT층, B3)의 선반 유니트 ((U1~U4))에는 웨이퍼 (W)에 대해서 소수화 처리를 실시하는 유니트가 포함되어 있다.
또 이 도포·현상 장치는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 프로그램 격납부를 가지는 제어부 (100)을 구비하고 있다. 프로그램 격납부에는 후술 하는 바와 같은 해당 도포·현상 장치의 작용 즉 웨이퍼 (W)의 처리 ; 웨이퍼 (W)의 수수 ; 배기 및 기류의 제어 반송 경로의 레시피의 관리 등이 실시되도록 명령이 짜여진 예를 들면 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 격납된다. 그리고 해당 프로그램이 제어부 (100)으로 독출됨으로써 제어부 (100)은 해당 도포·현상 장치의 작용을 제어한다. 또한 이 프로그램은 예를 들면 하드 디스크 ;콤팩트 디스크 ;마그넷 옵티컬 디스크 등의 기록 매체에 수납된 상태로 프로그램 격납부에 격납된다.
또한 상기 반송 경로의 레시피는 처리 종별에 따른 웨이퍼 (W)의 반송 경로(웨이퍼 (W)가 놓여지는 수수 스테이지나 유니트 등의 모듈의 차례)를 지정한 것이고 그 처리 종별마다 작성되어 있고 조작자가 이 처리 종별을 선택할 수 있어 선택한 레시피가 프로그램으로부터 제어부 (100)에 독출되도록 구성되고 있다. 또 제품 웨이퍼에 대한 처리 종별의 그 밖에 노광 장치를 체크 하기 위한 웨이퍼 (W)를 노광 장치에 반송하기 위한 처리 모드가 선택할 수 있게 되어 있고 이 처리 모드(노광 체크 모드)를 선택하면 셔틀 아암 (7)에 의해 웨이퍼 (W)가 캐리어 블럭 (S1)로 부터 인터페이스 블럭 (S3)에 반송되고 또 셔틀 아암 (7)에 의해 인터페이스블럭 (S3)으로부터 캐리어 블럭 (S1)로 돌아가게 되어 있다.
여기서 이 도포·현상 장치에 있어서의 작용에 대해서 먼저 레지스트막의 상하에 각각 반사 방지막을 형성하는 경우에 있어서의 웨이퍼 (W)의 흐름의 예에 대해서 설명한다. 외부로부터 캐리어 (20)이 캐리어 블럭 (S1)에 반입되어 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 이 캐리어 (20)내로부터 웨이퍼 (W)가 꺼내진다. 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)로부터 선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 (TRS2)를 개재하여 (BCT층, B2)의 메인 아암 (A2)에 수수된다. 그리고 (BCT층, B2)에서는 메인 아암 (A2)에 의해 냉각 유니트→반사 방지막 형성 유니트(도시하고 있지 않지만 도 5에 있어서의 현상 유니트 (3)에 대응하는 유니트이다)→가열 유니트→선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 (TRS2)의 순서로 반송되어 하부 반사 방지막이 형성된다.
계속되어 수수 스테이지 (TRS2)의 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)에 의해 (COT층, B3)의 수수 스테이지 (TRS3)에 반송되고 그 다음에 해당 (COT층, B3)의 메인 아암 (A3)에 수수된다. 그리고 (COT층, B3)에서는 메인 아암 (A3)에 의해 웨이퍼 (W)는 냉각 유니트→레지스트 도포 유니트(도시하고 있지 않지만 도 5에 있어서의 현상 유니트 (3)에 대응하는 유니트이다)→가열 유니트의 순서로 반송되어 하부 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된 후 주변 노광 유니트에 반송되어 주변부가 노광되고 또한 선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 (TRS3)에 반송된다.
그 다음에 수수 스테이지 (TRS3)의 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)에 의해 (TCT층, B4)의 수수 스테이지 (TRS4)에 반송되고 해당 (TCT층, B4)의 메인 아암 (A4)에 수수된다. 그리고 (TCT층, B4)에서는 메인 아암 (A4)에 의해 냉각 유니트→제 2의 반사 방지막 형성 유니트(도시하고 있지 않지만 도 5에 있어서의 현상 유니트 (3)에 대응하는 유니트이다)→가열 유니트의 순서로 반송되어 레지스트막의 상층에 상부 반사 방지막이 형성된 후에 선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 (TRS4)에 반송된다.
수수 스테이지 (TRS4)의 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)에 의해 수수 스테이지 (TRS1B)에 반송된다. 그 다음에 셔틀 아암 (7)의 이동부 (7A)가 웨이퍼 (W)를 수취하고 인터페이스 블럭 (S3)측에 방향을 바꿈과 동시에 인터페이스 블럭 (S3)측에 이동하고 웨이퍼 (W)가 수수 스테이지 (TRS5B)에 반송된다. 이 스테이지 (TRS5B)상에 재치된 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 노광 장치 (S4)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리를 한다.
노광 처리 후의 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 선반 유니트 (U6)의 수수 스테이지 (TRS5)에 반송되어 이 스테이지 (TRS5)상의 웨이퍼 (W)는 (DEV층, B1)의 메인 아암 (A1)에 수취되고 해당 (DEV층, B1)에서 선반 유니트 ((U1~U4))에 포함되는 가열 유니트→냉각 유니트→현상 유니트 (3)→가열 유니트→냉각 유니트의 순서로 반송되어 소정의 현상 처리를 한다. 이렇게 해 현상 처리를 한 웨이퍼 (W)는 선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 (TRS1)에 반송되고 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 캐리어 블럭 (S1)에 재치되어 있는 원래의 캐리어 (20)에 되돌려진다.
도 9는 이상 설명한 웨이퍼 (W)의 반송 경로를 모식적으로 나타낸 것이다. 웨이퍼 (W)는 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4)간을 이동해 도포막이 형성되고(스텝 1) 그 후 셔틀 아암 (7)에 의해 처리 블럭 (S2)에 있어서의 캐리어블럭 (S1)측으로부터 인터페이스측 (S3)으로 반송 블럭 (M1)를 경유해 반송되고 또한 노광 장치 (S4)에 운반된다(스텝 2). 노광 처리를 끝낸 웨이퍼 (W)는 노광 장치 (S4)로부터 (DEV층, B1)를 통과해 현상 처리를 받아 캐리어 블럭 (S1)에 되돌려진다(스텝 3).
다음에 노광 장치 (S4)의 메인터넌스를 실시하기 위해서 블럭 (B2~B4)의 각층을 통하지 않고 해당 노광 장치 (S4)에 웨이퍼 (W)를 반송하는 경우의 반송 경로에 대해서 설명한다. 먼저 제어부 (100)에 의해 노광 체크 모드가 선택된다. 모드의 선택 후 외부로부터 캐리어 (20)이 캐리어블럭 (S1)에 반입되어 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 이 캐리어 (20)내로부터 예를 들면 레지스트가 도포된 테스트 웨이퍼 (W)가 꺼내진다. 해당 테스트 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)로부터 수수 스테이지 (TRS1B)에 수수되고 셔틀 아암 (7)의 이동부 (7A)에 의해 수수 스테이지 (TRS5B)에 직통해 반송된다. 이 수수 스테이지 (TRS5B)상의 테스트 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 노광 장치 (S4)에 반송되고 해당 테스트 웨이퍼 (W)를 이용해 노광 장치 (S4)의 예를 들면 포커스 정밀도 교정 ; 위치 정밀도 교정 ; 렌즈 굴절 확인; 렌즈 투과율 확인 ;광학계 이물 부착 확인 등의 메인터넌스 작업을 한다.
메인터넌스를 위해서 사용된 테스트 웨이퍼 (W)는 노광 장치 (S4)로부터 인터페이스 아암 (B)에 의해 수수 스테이지 (TRS5B)에 반송되어 셔틀 아암 (7)의 이동부 (7A)에 의해 수수 스테이지 (TRS1B)에 직통으로 반송된다. 이 수수 스테이지 (TRS1B)에 재치된 테스트 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 캐리어 (20)에 되돌려진다.
본 실시 형태에 있어서의 도포·현상 장치는 처리 블럭 (S2)를 각각 캐리어블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 블럭 (S3)측에 연장하는 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4)와 현상용의 블럭 (B1)의 적층체에 의해 구성하고 있으므로 설치 스페이스가 작게 끝나고 그리고 (DEV층, B1)와 (BCT층, B2)의 사이에 반송 블럭 (M1)를 설치해 그 반송 블럭 (M1)내에는 캐리어블럭 (S1)와 인터페이스블럭 (S3)의 사이에 웨이퍼 (W)의 직통 반송을 전용으로 실시하는 셔틀 아암 (7)이 설치되고 있기 때문에 노광 장치 (S4)l 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4) 및 현상용의 블럭 (B1)의 메인터넌스를 동시에 실시하는 할 수 있고 메인터넌스 시간의 단축을 도모할 수 있다.
또 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4)와 현상용의 블럭 (B1)이 메인터넌스안에서도 예를 들면 배기계에 트러블이 발생하는 등에 의해 이들 블럭에 트러블이 일어나고 있어도 노광 장치 (S4)의 상태를 검사하기 위한 웨이퍼 (W)를 반송 블럭 (M1)의 셔틀 아암 (7)을 개재하여 캐리어블럭 (S1)측으로부터 노광 장치 (S4)에 반송하는 것이 가능하므로 노광 장치 (S4)의 상태의 검사를 원하는 타이밍으로 실시할 수 있다. 이 때문에 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4) 및 현상용의 블럭 (B1)이 운전 가능한 상태가 된 후 신속하게 제품 웨이퍼 (W)의 처리로 이행할 수가 있어 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또 장치의 설치 활성시에 있어서 직통 셔틀 아암 (7)의 조정을 선행해 완료해 두면 이 셔틀 아암 (7)에 의해 시험 웨이퍼 (W)의 반송을 실시하는 것으로 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4) 및 현상용의 블럭 (B1)에 대비할 수 있었 던 메인 아암 (A1)~A4의 조정 작업과 분리 노광 장치 (S4)의 조정을 실시할 수가 있고 노광 장치 (S4)의 조정이 완료하고 있으면 계속하여 현상 조건의 설정을 실시할 수가 있어 결과적으로 장치의 활성시간을 단축할 수 있다.
또 본 실시 형태 있어서는 도포막 형성용의 블럭 (B2~B4)의 하부 측에 현상용의 블럭 (B1)를 설치하고 그 블럭 (B1)과 (B2)의 사이에 셔틀 아암 (7)을 구비한 반송 블럭 (M1)를 설치하고 있으므로 인터페이스 블럭 (S3)의 인터페이스 아암 (B)의 승강 스트로크를 작게 할 수 있다. 따라서 이 인터페이스 아암 (B)에 의해 구성되는 반송 수단의 소형화를 도모할 수가 있다.
본 발명에서는 각 블럭의 적층수나 적층의 차례는 상술의 예에 한정되지 않고 도포막 형성용의 블럭을 예를 들면 하부측으로부터 윗쪽 측에 향해 차례로 TCT층 ; COT층 ; BCT층이 되도록 배열해도 괜찮다. 또 도포막 형성용의 블럭을 하부 측에 배치하고 그 위에 현상 처리용의 블럭을 배치해도 괜찮다. 또 예를 들면 반사 방지막을 형성하지 않고 레지스트막만을 웨이퍼 (W)에 형성하는 경우는 도포막 형성용의 블럭으로서는 COT층만이 설치된 구성으로서도 좋다. 또한 도포막 형성용의 블럭은 일층안에서 하측 반사 방지막의 형성;레지스트막의 형성 ;상측 반사 방지막의 형성을 실시하도록 해도 좋고 이러한 층을 복수단 적층해 도포·현상 장치를 구성해도 괜찮다. 또 (DEV층, B1) 에 있어서 기술의 현상 유니트 (3)이 예를 들면 2단 적층되어도 괜찮다.
그런데 기술의 실시 형태에 있어서는 반송 통로 (R1)에의 파티클의 낙하를 방지하기 위하여 (DEV층, B1)의 반송용 통로 (R1)와 반송 블럭 (M1)의 반송 영역 (M2)는 칸막이판 (70a)에 의해 구획되고 있지만 이 칸막이판 (70a)를 설치하지 않는 구성으로 해도 좋다. 이 경우 예를 들면 해당 이동부 (7A)의 이동 영역(반송 영역)은 상기 메인 아암 (A1)이 이동 가능한 영역(반송 영역)의 상한 위치에 있어서의 해당 메인 아암 (A1)의 상단 부분보다 약간 윗쪽으로 설정되고 메인 아암 (A1)과 이동부 (7A)는 서로 간섭하는 경우 없이 구성해도 괜찮다.
또 직통 반송 수단인 셔틀 아암 (7)의 구성으로서는 기술의 실시예로 나타낸 구성에 한정되지 않고 예를 들면 셔틀 아암 (7)은 반송 기체 (72)상을 아암체 (71)이 진퇴 하는 기구를 설치하지 않고 반송 기체 (72)가 선회하는 것으로 (TRS1B) 혹은 (TRS5B)에서 핀에 의해 들어올려진 웨이퍼 (W)아래에 아암체 (71)이 잠입 핀의 하강에 의해 아암체 (71)이 웨이퍼 (W)를 수취하여 (TRS1B)와 (TRS5B)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송하는 바와 같은 구성으로서도 좋다.
또 직통 반송 수단으로서는 캐리어 블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 블럭 (S3)측에 도포 혹은 현상을 행하기 위한 유니트를 개재하지 않고 직통으로 웨이퍼 (W)를 반송할 수 있으면 좋기 때문에 이상 설명한 바와 같은 아암반송에 한정하지 않고 예를들면 엔드레스 벨트를 이용한 벨트 콘베어에 의해 구성함과 동시에 수수 스테이지 (TRS1B) 및 (TRS5B)를 노치하여 예를들면 コ 자형으로 형성하고 그 노치 공간에 벨트 콘베어의 양단부를 위치시켜 이들 한쪽의 수수 스테이지상에 재치된 웨이퍼 (W)가 상기 엔드레스 벨트에 놓여지고 다른쪽의 수수 스테이지상에 반송되도록 구성하여도 좋다. 혹은 횡방향에 다른 양측에 웨이퍼 (W)의 낙하방지용의 가이드레일을 구비한 슬로프를 수수 스테이지 (TRS1B)과 (TRS5B)간에 TRS5B측이 낮아 지도록 설치하여 상기 슬로프 바닥에 TRS5B측에 에어를 분출하도록 구멍을 배열시켜 해당 에어의 압력과 웨이퍼 (W)의 자중(自重)에 의해 TRS5B 측에 웨이퍼 (W)가 밀어 내지는 바와 같은 구성으로 해도 좋다.
또한 본 발명의 직통 반송 수단은 캐리어블럭으로부터 인터페이스블럭에 도포 혹은 현상을 행하기 위한 유니트를 개재없이 직통으로 반송하기 위한 것이지만 이 직통 반송 수단의 반송 경로안에 예를 들면 주변 노광 장치나 검사유니트 반송 수단의 사이에 기판의 수수가 행해지는 경우도 포함한 의미이다.
또 본 발명의 도포·현상 장치는 이하와 같이 구성해도 괜찮다. 이 실시의 형태에 대해서 도 10~도 13을 이용해 설명하면 이 도포·현상 장치 (101)은 캐리어 블럭 (S1)과 처리 블럭 (S2)의 사이에 웨이퍼 (W)에 대해서 소정의 검사를 행하기 위한 검사 블럭 (S5)가 설치됨과 동시에 처리 블럭 (S2)와 인터페이스블럭 (S3)의 사이에 보조 블럭 (S6)이 설치되고 있다. 이 보조 블럭 (S6)내에는 액침노광될 때의 액체가 레지스트에 침투되는 것을 막기 위한 보호막을 도포하는 발수성 보호막도포 유니트(ITC) (이하 「보호막도포 유니트(ITC)」라고 한다)와 이 발수성 보호막을 제거하기 위한 발수성 보호막제거 유니트(ITR) (이하 「보호막제거 유니트(ITR)」라고 한다)가 설치되고 있다. 또 인터페이스 블럭 (S3)에는 액침노광의 전후에 웨이퍼 (W)를 세정하기 위한 세정 유니트(RD)가 설치되고 있다.
여기서 액침노광에 대해서 간단하게 설명하면 이 액침노광이라는 것은 기판의 표면에 빛을 투과시키는 액층을 형성한 상태로 노광함으로써 노광의 해상도를 올리는 것을 목적으로 함으로써 예를 들면 빛을 순수한 물안을 투과시켜 수중에서 는 빛의 파장이 짧아지기 때문에 193 nm의 ArF의 파장이 수중에서는 실질 134 nm가 된다 라고 하는 특징을 이용해 노광을 실시하는 것이다.
그런데 액침노광에서는 레지스트의 표면에 액층을 형성하기 위해 레지스트가 액상측에 용출하여 그 용출성분이 웨이퍼 (W)상에 남아 버리거나 노광 처리 종료후에 웨이퍼 (W)의 표면에 형성된 액층을 웨이퍼 (W)로부터 배출할 때에 웨이퍼 표면에 액체방울인 자잘한 물방울이 잔류할 우려가 있다. 이와 같이 레지스트의 용출분이나 액체방울이 웨이퍼 (W)에 잔존하면 상기 용출분이 웨이퍼 (W)에 부착해 결함 원인이 되는 파티클의 발생 요인이 되거나 노광 처리 후의 가열 처리시에 상기 용출분으로부터 발생하는 파티클이 고착이나 용착을 일으켜 버려 패턴의 선폭에 영향을 미치거나 액체방울의 존재로 노광 처리 후의 가열 처리시에 웨이퍼 (W)의 면내 에 있어서 온도차가 발생해 열처리의 면내 균일성이 악화되거나 액체방울이 공기와 반응해 웨이퍼 (W)표면의 워터마크의 발생 원인이 된다고 하는 문제가 있다.
이 때문에 액침노광 처리에서는 웨이퍼 (W)에 레지스트액을 도포한 후 액침노광을 행하기 전에 레지스트의 용출을 억제함과 동시에 액침노광시의 액체를 웨이퍼 (W)표면에 남기 어렵게 하기 위해서 발수성의 보호막을 웨이퍼 (W)표면에 도포하고 있어 이 처리가 보호막도포 유니트(ITC)에서 행해진다. 또 이 보호막이 도포된 상태로 현상 처리를 실시하면 현상액에 의해 레지스트가 용해할 수 없게 되기 때문에 현상 처리전에 이 보호막을 제거할 필요가 있어 이 처리가 보호막제거 유니트(ITR)에서 행해진다. 또한 더욱 확실히 웨이퍼 (W)에 부착한 레지스트액의 용출성분이나 액침노광시의 액체인 물방울을 제거하기 위해서 액침노광 처리를 행한 후 에 웨이퍼 (W)의 표면을 세정하고 있고 이 세정이 세정 유니트(RD)에서 행해진다.
이 도포·현상 장치 (101)의 처리 블럭 (S2)에는 (DEV층, B1)이 2단 적층되고 있고 (DEV층, B1 ; B1)의 상단측이 반송 블럭 (M1)로서 구성되고 있다. 또한 도 11에서는 도시의 편의상 선반유니트 (U5, U6)에는 단위 블럭 (B1~B4)마다 각각 1개의 상단측의 수수 스테이지 (TRS1~TRS5)만을 그리고 있다.
이어서 검사 블럭 (S5)의 구성에 대해서 도 12도 참조하면서 설명한다. 이 검사 블럭 (S5)는 예를 들면 프레임체 (111)을 구비하고 이 프레임체 (111)에 의해 주위로부터 구획되고 있다. 캐리어 블럭 (S1)측을 앞측; 처리 블럭 (S2)측을 안측으로 하면 프레임체 (111)의 내부의 앞측 중앙부에는 캐리어블럭 (S1)의 트랜스퍼 아암 (C)로부터 웨이퍼 (W)를 받기 위한 수수 스테이지인 (TRS11)가 설치되고 있다. 이 수수 스테이지 (TRS11)는 기술의 (TRS1~5)와 동일하게 구성되고 있다. 또 이 스테이지 (TRS11)의 하부에는 소정 매수의 웨이퍼 (W)를 수용할 수 있는 버퍼유니트 (BU)가 예를 들면 5단 적층되어 설치되고 있고 이들 5개의 버퍼유니트는 예를 들면 합계 10~20매 정도의 웨이퍼 (W)를 수용할 수 있게 되어 있다. (DEV층, B1)로 현상 처리를 받은 웨이퍼 (W)는 후술의 110의 아암에 의해 예를 들면 각 버퍼 유니트 (BU)에 반입되고 일시적으로 저축할 수 있다. 또 이 버퍼 유니트 (BU)에는 트랜스퍼 아암 (C)가 액세스 하고 여기에 수용되고 있는 웨이퍼 (W)를 캐리어 (20)으로 반송 하도록 되어 있다.
이 검사 블럭 (S5)의 프레임체 (111)내에 있어서 앞측으로부터 안측을 봐서 좌우에 검사 유니트 (112, 113)이 각각 설치되고 있다. 여기서 검사 유니트 (112, 113)으로서는 이 예에서는 모식적으로 2개의 검사 유니트를 기재하고 있지만 더욱 구체적으로는 검사의 종류에 따라 배치수를 결정할 수 있게 된다. 또한 이 예와 같이 2개의 검사 유니트 (112, 113)을 설치하고 그 한쪽이 예를 들면 기판 표면의 상태를 검사하기 위한 기판에 형성된 도포막의 막두께를 검사하기 위한 막두께 검사 유니트이고 다른족이 웨이퍼 (W)의 표면을 CCD 카메라 등의 촬상 수단으로 촬상하여 그 화상을 해석하는 검사 유니트로서도 좋다. 이 다른족의 검사 유니트에서는 현상 결함이나 레지스트 패턴의 선폭 등이 검사된다.
또한 이들 검사 유니트 (112, 113)으로서는 기술한 바와 같은 검사 유니트의 그 밖에도 예를 들면 노광 장치에서 생기는 패턴의 위치 차이를 검출하기 위한 디포커스 검사 장치; 레지스트액의 도포 얼룩짐을 검출하기 위한 도포 얼룩짐 검출 장치; 현상 처리의 불량을 검출하기 위한 현상 불량 검출 장치;기판에 부착한 파티클수를 검출하기 위한 파티클수 검출 장;, 레지스트 도포 후의 기판에 발생하는 코메트를 검출하기 위한 코메트 검출 장치; 스플래쉬 백 검출 장치; 기판 표면의 결함을 검출하기 위한 결함 검출 장치 ; 현상 처리 후의 기판에 잔존하는 레지스트잔사를 검출하기 위한 잔사 검출 장치 ; 레지스트 도포 처리 및/또는 현상 처리의 불편을 검출하기 위한 불편 검출 장치; 기판상에 형성된 레지스트막의 선폭을 측정하기 위한 선폭 측정 장치; 노광 후의 기판과 포토마스크의 중복맞춤 정밀도를 검사하기 위한 중복맞춤 검사 장치 등의 검사 장치중에서 원하는 검사의 종류에 따라 선택되는 검사 장치를 유니트화한 것을 이용할 수가 있다.
검사 블럭 (S5)의 프레임체 (111)내의 안측 중앙부에는 승강 자유롭게; 진퇴 자유롭게 또한 수직축 주위에 회전 자유로운 웨이퍼 (W)의 수수 아암 (110)이 설치되고 있고 이 수수 아암 (110)은 검사 유니트 (112, 113) ; 버퍼 유니트 (BU)에 각각 액세스 해 이들의 각 유니트간에 웨이퍼 (W)를 수수할 수가 있게 되어 있다. 또 수수 아암 (110)은 처리 블럭 (S2)의 각 수수 스테이지 (TRS1)에도 액세스 할 수 있게 되어 있고 이 수수 아암 (110)에 의해 검사 블럭 (S5)와 처리 블럭 (S2)의 사이에 현상 처리를 받은 웨이퍼 (W)의 수수가 실행된다.
또 처리 블럭 (S2)의 반송 블럭 (M1)에 설치된 셔틀 아암 (7)을 제 1의 셔틀 아암으로 하면 수수 아암 (110)의 윗쪽에는 승강 자유롭게 ;; 진퇴 자유롭게 또한 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성된 웨이퍼 (W)의 반송 기구인 제 2의 직통 반송 수단인 셔틀 아암 (120)이 설치되고 있고 이 제 2의 셔틀 아암 (120)은 레시피중에서 노광 체크 모드를 선택했을 때에 상기 수수 스테이지 (TRS11)와 처리 블럭 (B2)의 선반 유니트 (U5)의 (TRS1B)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송하기 위한 것이다. 또한 검사 유니트 (112, 113)의 윗쪽에는 도포·현상 장치 (101)의 각 유니트를 작동시키기 위한 전장 부품이 수납된 전장 유니트 (117)이 설치되고 있다.
다음에 보조 블럭 (S6)에 대해서 설명한다. 이 보조 블럭 (S6)은 예를 들면 프레임체 (400)을 구비하고 이 프레임체 (400)에 의해 주위로부터 구획되고 있다. 프레임체 (400)의 내부에 있어서 캐리어 블럭 (S1)로부터 봐서 안측과 우측과 좌측에는 각각 선반 유니트 (U7, U8, U9)가 설치되고 있다. 예를 들면 상기 선반 유니트 (U7)에는 인터페이스블럭 (S3)의 인터페이스 아암 (B)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지인 2개의 (TRS12);(TRS13);(TRS14)가 아래로부터 이 순서로 적층되고 있다. 또한 이들 수수 스테이지 (TRS12~14)는 예를 들면 수수 스테이지 (TRS1~5)와 동일하게 구성되고 있다.
선반 유니트 (U8)은 상하로 분할되고 있고 예를 들면 그 선반 유니트 (U8)의 분할된 상부 측에는 예를 들면 2개의 보호막도포 유니트(ITC, 401)이 적층되고 있다. 그 한쪽에서 선반 유니트 (U8)의 분할된 하부 측에는 예를 들면 2개의 보호막제거 유니트(ITR, 402)가 적층되고 있다. 선반 유니트 (U9)에는 예를 들면 도포막형성 후 노광 처리전에 실시하는 검사나 ; 노광 처리 후 현상 처리전이나 ; 현상 처리 후의 검사를 행하기 위한 검사 유니트나 ; 기술의 냉각 유니트(COL); 가열 유니트(CHP) 등의 가열, 냉각계의 유니트 등이 다단으로 적층하여 설치되고 있다. 또한 도 11에서는 도시의 편의상 선반유니트 (U7)의 수수 스테이지 (TRS12, TRS14)는 각각 한개씩 기재하고 있다.
예를 들면 이 예에서는 2개의 보호막제거 유니트 (402)는 각각 처리 블럭 (S2)의 2개의 (DEV층, B1 ; B1)에 대응하는 위치에 설치되고 2개의 보호막도포 유니트 (401)은 (BCT층, B2)와 (COT층, B3)에 각각 대응하는 위치에 설치되고 있다.
또 이 예에서는 선반 유니트 (U7)의 2개의 수수 스테이지 (TRS12)는 보호막제거 유니트 (402)에 대응하는 위치에 설치되고 또 2개의 수수 스테이지 (TRS14)는 보호막도포 유니트 (401)에 대응하는 위치에 설치되고 있다. 예를 들면 수수 스테이지 (TRS14)는 보조 블럭 (S6)로부터 인터페이스블럭 (S3)에 웨이퍼 (W)를 수수할때에 이용되고 예를 들면 수수 스테이지 (TRS12)는 인터페이스 블럭 (S3)로부터 보조 블럭 (S6)으로 웨이퍼 (W)를 수수할 때에 이용되도록 되어 있다. 또 수수 스테 이지 (TRS13)은 반송 블럭 (M1)에 대응하는 위치에 설치되고 후술의 셔틀 아암 (F)에 의해 웨이퍼 (W)의 수수를 실행한다.
그리고 보조 블럭 (S6)에는 상하에 2단으로 수수 아암 (F1);(F2)가 설치되고 있고 윗쪽측의 수수 아암 (F1)는은 보조 블럭 (S6)의 선반 유니트 (U7~U9)의 각부에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하도록 구성되고 예를 들면 선반 유니트 (U8)의 2개의 보호막도포 유니트 (401)과 선반 유니트 (U7)의 수수 스테이지 (TRS14)와 선반 유니트 (U9)의 대응하는 각부에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 구성되고 있다.
또 아래쪽측의 수수 아암 (F2)는 처리 블럭 (S2)의 각 (DEV층, B1)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행함과 동시에 해당 보조 블럭 (S6)의 선반 유니트 (U7~U9)의 각부에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하도록 구성되고 예를 들면 처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)의 각 수수 스테이지 (TRS5)와 선반 유니트 (U8)의 2개의 보호막제거 유니트 (402)와 선반 유니트 (U7)의 수수 스테이지 (TRS12)와 선반 유니트 (U9)의 대응하는 각부에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 구성되고 있다.
이 수수 아암 (F1);(F2)는 예를 들면 메인 아암 (A1~A5)와 동일하게 구성되고 선반 유니트 (U8)을 지지하는 도시하지 않는 받침부의 아암 (F1);(F2)의 반송 영역에 임하는 면에 장착된 Y축레일 (405)를 따라 예를 들면 도중 Y방향으로 이동 자유롭게; 진퇴 자유롭게; 승강 자유롭게; 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
또 수수 아암 (F1);(F2)의 사이에는 진퇴 자유롭게; 승강 자유롭게 ; 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성된 제 3의 직통 반송 수단인 셔틀 아암 (F)가 설치되고 이 셔틀 아암 (F)에 의해 처리 블럭 (S2)의 U6의 수수 스테이지 (TRS5B)와 이 보조 블럭 (S6)의 선반 유니트 (U8)의 수수 스테이지 (TRS13)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수가 행해진다.
인터페이스블럭 (S3) 에 있어서는 인터페이스 아암 (B)를 액세스 할 수 있는 위치에 액침노광 후에 웨이퍼 (W)를 세정하기 위한 예를 들면 2개의 세정 유니트(RD, 403)이 적층되어 설치되고 있다.
또한 인터페이스 블럭 (S3)의 윗쪽 측에는 ULPA 필터 (406)가 설치되고 있어 이 ULPA 필터 (406)에 의해 이물 진애 등이 제거된 청정 공기가 인터페이스 블럭 (S3)내에 공급되게 되어 있다.
이어서 상기 보호막도포 유니트 (401); 보호막제거 유니트 (402); 세정 유니트 (403)의 구조에 대해서 간단하게 설명한다. 이것들의 각 유니트는 예를 들면 기술의 처리 블럭 (S2)의 레지스트 도포 유니트와 대략 동일하게 구성되고 있어 차이로서는 웨이퍼 (W)의 보지부를 이루는 스핀 척은 각각 각 유니트의 프레임체내에 한개씩 설치되고 있다. 또 그 외의 차이로서 보호막도포 유니트 (401)에 있어서는 보호막형성용의 약액이; 보호막제거 유니트 (402)에 있어서는 상기 보호막도포 유니트 (401)로 형성된 보호막을 제거하기 위한 박리액이; 세정 유니트 (403)에 있어서는 액침노광 처리를 끝낸 웨이퍼 (W)를 세정하기 위한 세정액이; 각각 레지스트액 대신에 웨이퍼 (W)에 공급되게 되어 있다.
이상에 있어서 도 1의 실시 형태에서는 반송 블럭 (M1)에 설치된 셔틀아암 (7)은 캐리어 블럭 (S1)와 인터페이스 블럭 (S3)의 사이의 직통 반송을 실시하는 직통 반송 수단을 구성하는 것이었지만 이 실시 형태에서는 검사 유니트 (S5)에 설치된 셔틀 아암 (120);반송 블럭 (M1)에 설치된 셔틀 아암 (7) 및 보조 블럭 (S6)에 설치된 셔틀 아암 (F)에 의해 직통 반송 수단이 구성된다.
이러한 구성을 가지는 도포·현상 장치 (101)에 있어서도 기술의 실시 형태의 도포·현상 장치와 동일하게 그 처리 종별마다 반송 경로의 레시피가 작성되고 있어 조작자가 이 처리 종별을 선택할 수 있고 선택한 레시피가 프로그램으로부터 제어부 (100)에 독출되도록 구성되고 있다. 또 제품 웨이퍼에 대한 처리 종별의 그 밖에 노광 장치를 체크하기 위한 웨이퍼 (W)를 노광 장치에 반송하기 위한 처리 모드를 선택할 수 있게 되어 있고 이 처리 모드(노광 체크 모드)를 선택하면 3개의 셔틀 아암 (120); (7) ;(F)에 의해 웨이퍼 (W)가 캐리어 블럭 (S1)로부터 인터페이스블럭 (S3)에 직통 반송되고 또 이들 3개의 셔틀 아암 (120); (7) ;(F)에 의해 웨이퍼 (W)가 인터페이스블럭 (S3)로부터 캐리어블럭 (S1)에 직통으로 되돌려지게 되어 있다.
이러한 구성의 도포·현상 장치 (101)에 있어서 액침노광 처리를 실시하고 그 다음에 해당 노광 처리 후에 세정 처리를 행하는 경우에는 예를 들면 웨이퍼 (W)는 캐리어 (20)→캐리어블럭 (S1)→트랜스퍼 아암 (C)→수수 스테이지 (TRS11)→셔틀 아암 (120)→수수 스테이지 (TRS1B)의 순서로 캐리어블럭 (S1)로부터 검사 블럭 (S5)를 통과하고 처리 블럭 (S2)로 반송된다. 이어서 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)→수수 스테이지 (TRS2)→(BCT층, B2)→(COT층, B3)→(TCT층, B4)->TRS4의 순서로 반송되고 그 다음에 수수 아암 (D1)→수수 스테이지 (TRS1B)→셔틀 아암 (7)→선반 유니트 (U6)의 수수 스테이지 (TRS5B)→셔틀 아암 (F)→수수 스테이지 (TRS13)의 순서로 보조 블럭 (S6)에 반송되고 그 다음에 수수 아암 (F1)→선반 유니트 (U8)의 보호막도포 유니트 (401)→보조 블럭 (S6)의 수수 아암 (F1)→선반 유니트 (U7)의 수수 스테이지 (TRS14)→인터페이스블럭 (S3)의 인터페이스 아암 (B)→노광 장치 (S4)의 경로로 반송되어 노광 처리를 받는다.
노광 후의 웨이퍼 (W)는 인터페이스블럭 (S3)의 인터페이스 아암 (B)→세정 유니트 (403)→인터페이스 아암 (B)→보조 블럭 (S6)의 선반 유니트 (U7)의 수수 스테이지 (TRS12)→수수 아암 (F2)→선반 유니트 (U8)의 보호막제거 유니트 (402)→수수 아암 (F2)→처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)의 수수 스테이지 (TRS5)→(DEV층, B1)→선반 유니트 (U5)의 (TRS1)의 경로에서 반송된다.
이어서 웨이퍼 (W)는 기술한 것처럼 검사 블럭 (S5)의 수수 아암 (110)에 의해 버퍼 유니트 (BU)를 개재하여 혹은 직접 각 결함검사 유니트 (112, 113)에 반송되어 검사가 끝나면 수수 아암 (110)에 의해 버퍼 유니트 (BU)에 반송된다. 그리고 버퍼 유니트 (BU)에 수용된 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 캐리어 (20)에 되돌려진다. 또한 검사 유니트 (112, 113)안에 막두께 검사 유니트가 포함되는 경우에는 (COT층, B3)에서 레지스트가 도포 된 후의 웨이퍼 (W)에 대해서 막두께 검사를 한다. 또 버퍼유니트 (BU)는 이 예에서는 캐리어 블럭 (S1)의 트랜스퍼 아암 (C)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 역할의 그 밖에 예를 들면 소정 매수마다 웨이퍼 (W)의 검사를 실시하는 경우에는 검사를 실시하지 않는 웨이퍼 (W)가 대기하여 로트안의 웨이퍼 (W)의 반송 순서를 확보하는 역할 등도 가지고 있다.
다음에 노광 장치 (S4)의 메인터넌스를 실시하기 위해서 블럭 (B1~B4)의 각층을 통하지 않고 해당 노광 장치 (S4)에 웨이퍼 (W)를 반송하는 경우의 반송 경로에 대해서 설명한다. 먼저 제어부 (100)에 의해 노광 체크 모드가 선택된다. 모드의 선택 후 외부로부터 예를 들면 레지스트가 도포된 테스트 웨이퍼 (W)가 수납된 캐리어 (20)이 캐리어 블럭 (S1)에 반입된다. 그리고 캐리어 (20)내의 테스트 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)→수수 스테이지 (TRS11)→셔틀 아암 (120)→선반 유니트 (U5)의 수수 스테이지 (TRS1B)→셔틀 아암 (7)→선반 유니트 (U6)의 수수 스테이지 (TRS5B)→셔틀 아암 (F)→선반 유니트 (U7)의 수수 스테이지 (TRS13)→인터페이스 아암 (B)→노광 장치 (S4)의 순서로 수수져 기술의 실시 형태와 같은 메인터넌스 작업을 한다. 메인트넌스 작업 후의 테스트 웨이퍼 (W)는 이 노광 장치 (S4)에 반입될 때의 순서와는 역의 순서로 캐리어 (20)에 되돌려진다.
상술의 실시의 형태에서는 검사 블럭 (S5)를 구비한 도포·현상 장치를 구성하고 이 검사 블럭 (S5)를 캐리어 블럭 (S1)과 처리 블럭 (S2)의 사이에 설치했으므로 레지스트의 도포; 노광; 현상; 검사를 공통의 오퍼레이터로 감시할 수가 있으므로 오퍼레이터의 성수화를 도모할 수가 있는 위에 검사에 의해 어떠한 결함이 인정되었을 때에 신속하게 원인의 특정이나 원인의 배제 등의 다음의 액션을 일으킬 수가 있다.
또 이 실시의 형태에서는 처리 블럭 (S2)와 인터페이스 블럭 (S3)의 사이에 설치된 보조 블럭 (S6)에 액침노광을 행하는 경우에 필요한 유니트인 보호막도포 유니트 (401)나 보호막제거 유니트 (402)를 설치했으므로 이 보조 블럭 (S6)를 짜넣는 것으로 처리 블럭 (S2)의 레이아웃을 변경하는 경우 없이 액침노광을 행하는 경우와 액침노광을 실시하지 않는 경우로 대응할 수가 있다. 이 완료 액침노광을 행하지 않는 경우에는 보조 블럭 (S6)내를 그냥 지나치도록 웨이퍼 (W)를 반송하면 좋다.
그런데 검사 블럭 (S5)의 제 2의 셔틀 아암 (120)과 처리 블럭 (S2)의 제 1의 셔틀 아암 (7)의 사이의 수수는 상술의 예에서는 공통의 수수 스테이지 (TRS1B)에 의해 행해지고 있지만 제 1의 셔틀 아암 (7)에 의해 수수를 하는 스테이지와 제 2의 셔틀 아암 (120)에 의해 수수를 하는 스테이지가 서로 달라 서로 다른 스테이지간의 웨이퍼 (W)의 반송을 수수 아암 (D1)이 실시하는 경우에서도 제 1의 셔틀 아암 (7) 및 제 2의 셔틀 아암 (120)은 직통 반송을 실시하고 있게 된다.
또한 기술의 도포·현상 장치 (101)에 있어서의 각 블럭에 설치된 각 수수 스테이지 (TRS)의 수 및 각 유니트의 수는 기술의 예에 한정되지 않는다. 또 검사 블럭 (S5) 또는 보조 블럭 (S6)중 한쪽이 기술의 도포·현상 장치에 설치되고 있는 바와 같은 구성으로서도 좋다.
기술의 실시 형태에 있어서는 (COT층, B3)의 선반 유니트 (U1~U4)에는 웨이퍼 (W)에 대해서 소수화 처리를 실시하는 유니트(ADH)가 포함되어 있지만 이 소수화 유니트를 (COT층, B3)에 설치하는 대신에 도 14~도 15에 나타나는 바와 같이 기 술의 검사 블럭 (S5)에 설치해도 좋다. 구체적으로 설명하면 이 도 14~15에 나타내는 도포·현상 장치 (102)의 검사 블럭 (S5)는 상기 도포·현상 장치 (101)의 검사 블럭 (S5)와 대략 동일하게 구성되고 있지만 수수 스테이지 (TRS11)의 윗쪽에는 소수화 유니트 (118)이 예를 들면 3개 적층되어 설치되고 있다. 또 캐리어블럭 (S1)측에서 봐서 이 검사 블럭 (S5)의 앞 좌측에는 예를 들면 처리 블럭 (S2)의 수수 아암 (D1)과 동일하게 ; 승강 자유롭게 ; 진퇴 자유롭게 또한 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성된 수수 아암 (119)가 설치되고 있어 이 수수 아암 (119)는 수수 스테이지 (TRS11) 및 각 소수화 유니트 (118)에 액세스 할 수 있도록 구성되고 있다.
이와 같이 구성된 도포·현상 장치 (102)에 있어서 노광 처리를 받는 웨이퍼 (W)는 캐리어 (20)→캐리어 블럭 (S1)→트랜스퍼 아암 (C)→수수 스테이지 (TRS11)→수수 아암 (119)→소수화 유니트 (118)→수수 아암 (119)→수수 스테이지 (TRS11)→셔틀 아암 (120)→수수 스테이지 (TRS1B)의 순서로 캐리어 블럭 (S1)로부터 검사 블럭 (S5)를 통과해 처리 블럭 (B2)로 반송된다. 소수화 처리는 예를 들면 레지스트를 도포하기 전에 행해지고 그 경우 하측의 반사 방지막을 도포하지 않는 프로세스에 적용되지만 하측의 반사 방지막을 도포하기 전에 실시하도록 해도 괜찮다. 웨이퍼 (W)는 소수화 처리를 위한 반송 이외는 기술의 도포·현상 장치 (101)과 같은 경로에서 반송되고 노광 처리를 받는다. 또한 노광 처리를 받은 웨이퍼 (W)가 현상 처리를 받아 캐리어 (20)에 되돌려지는 경우 웨이퍼 (W)는 기술의 도포·현상 장치 (101)과 동일한 경로에 의해 반송된다.
또 노광 체크 모드가 선택된 경우 테스트 웨이퍼 (W)는 기술의 도포·현상 장치 (101)과 동일한 경로에서 반송된다.
이와 같이 소수화 유니트 (118)을 검사 블럭 (S5)에 설치하는 경우 각 단위 블럭 (B2~B4)의 선반 유니트 (U1~U4)에 소수화 유니트를 설치하는 경우에 비해 각 단위 블럭의 메인 아암 (A2~A4)의 부하를 줄일 수가 있다.
이상에 있어서 검사 블럭 (S5) 및 보조 블럭 (S6) 가운데 적어도 한쪽을 구비한 도포·현상 장치에 있어서 검사 블럭 (S5) 및 보조 블럭 (S6)에 대해서는 셔틀 아암을 설치하지 않고 노광 체크 때에도 통상 처리시에 이용되는 수수 아암에 의해 반송하는 구성을 채용한 경우에도 처리 블럭 (S2)에 설치한 셔틀 아암 (7)은 캐리어블럭 (S1)과 인터페이스블럭 (S3)의 사이에 기판의 직통 반송을 행하기 위한 직통 반송 수단에 상당하는 것이다.

Claims (10)

  1. 캐리어 블럭에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블럭에 수수하고 이 처리 블럭에서 감광 재료막을 포함한 도포막을 형성한 후 인터페이스 블럭을 개재하여 노광 장치에 반송하고 상기 인터페이스 블럭을 개재하여 돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블럭에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블럭으로 수수하는 도포·현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블럭은 각각 캐리어 블럭측으로부터 인터페이스블럭측에 연장하고 감광 재료로 이루어지는 도포막을 포함한 막을 형성하기 위한 도포막 형성용의 블럭과 이 도포막 형성용의 블럭에 대해서 적층된 현상용의 블럭을 구비하고,
    b) 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열 유니트와 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 이들 유니트간에 기판을 반송하는 블럭용의 반송 수단을 구비하고,
    c) 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭에 대해서 적층되어 캐리어블럭과 인터페이스 블럭의 사이에 기판의 직통 반송을 행하기 위한 직통 반송 수단이 설치되고,
    d) 도포막이 형성된 기판은 상기 직통 반송 수단을 통해서 캐리어블럭측으로부터 인터페이스블럭 측에 반송되는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 도포막 형성용의 블럭은 레지스트막을 형성하기 위한 블럭과 레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하기 위한 블럭과 상기 레지스트막의 상측에 반사 방지막을 형성하기 위한 블럭의 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    현상용의 블럭이 도포막 형성용의 블럭의 아래쪽측에 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 직통 반송 수단은 상기 도포막 형성용의 블럭 및 현상용의 블럭은 구획된 반송 블럭내를 이동하도록 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 반송 블럭은 현상용의 블럭과 도포막 형성용의 블럭 사이에 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 반송 블럭의 내부에 기체를 도입하는 것으로 반송 블럭 내부를 양압으로 하는 기체 도입부를 구비한 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  7. 청구항 1, 2, 5 또는 6중 어느 한항에 있어서,
    도포막 형성용의 블럭에 있어서의 블럭용의 반송 수단 현상용의 블럭에 있어서의 블럭용의 반송 수단 및 직통 반송 수단에 의해 기판의 수수를 할 수 있도록 각각 배치되고 서로 적층된 복수의 수수 스테이지와 이들 수수 스테이지간에서 기판의 수수를 실시할 수 있도록 승강 자유로운 승강 반송 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  8. 청구항 1, 2, 5 또는 6중 어느 한항에 있어서,
    기판의 반송을 제어하는 제어부를 구비하고 이 제어부는 노광 장치의 상태를 검사하기 위한 시험 기판을 캐리어블럭으로부터 직통 반송 수단을 개재하여 노광 장치에 반송하는 반송 모드를 선택할 수 있도록 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  9. 청구항 1, 2, 5 또는 6중 어느 한항에 있어서,
    상기 처리 블럭과 인터페이스 블럭의 사이에 도포막 형성 후 노광 처리전 및/또는 노광 처리 후 현상 처리전의 처리를 실시하는 유니트와 이들 유니트와 상기 처리 블럭 및 인터페이스블럭의 사이에 기판을 반송하기 위한 수수 아암을 구비한 보조 블럭을 설치하고,
    상기 직통 반송 수단은 상기 처리 블럭을 통과하는 제 1의 직통 반송 수단과 상기 보조 블럭을 통과하는 제 2의 직통 반송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
  10. 청구항 1, 2, 5 또는 6중 어느 한항에 있어서,
    상기 캐리어 블럭과 처리 블럭의 사이에 기판의 검사를 행하기 위한 검사 유니트와 검사 유니트 및 캐리어블럭 및 처리 블럭의 사이에 기판을 반송하는 수수 아암을 구비한 검사 블럭을 설치하고,
    상기 직통 반송 수단은 상기 검사 블럭을 통과하는 제 3의 직통 반송 수단과 상기 처리 블럭을 통과하는 제 1의 직통 반송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
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