TWI289871B - Multi-chamber manufacturing apparatus and method of fabricating a light emitting device - Google Patents

Multi-chamber manufacturing apparatus and method of fabricating a light emitting device Download PDF

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Description

1289871 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種多室製造裝置，用於將能夠藉由蒸 發形成膜的材料（此後稱爲蒸發材料）之膜形成，以及一 種以EL元件爲代表的發光裝置的製造方法。特別是本發 明亦關於到一種使用有機材料作爲蒸發材料並且是很有效 的製造發光裝置的技術。注意，在本說明書中，“發光裝 置一詞係指影像顯示裝置、發光裝置或光源（包括照明 P又備）。包括在發光裝置定義範疇內的還有：其中有連接 器如FPC (柔性印刷電路）、TAB (帶自動接合）或TCP (帶載體封裝）被附加到發光裝置的模組；其中在TAB 帶或TCP的尖端提供印刷線路板的模組；以及其中ic ( 積體電路）藉由C 0 G (玻璃上晶片）法直接被安裝到發 光元件的模組。 【先前技術】 最近幾年，對使用EL元件作爲自發光元件的發光裝 置的硏究變得很活躍。特別是使用有機材料作EL元件的 發光裝置吸引了更多關注。此發光裝置被稱爲有機EL顯 示器（OELD)或有機發光二極體（OLED)。 注意EL元件具有包含藉由施加電場獲得發光（電致 發光）的有機化合物的層（此後稱爲EL層）、陽極和陰 極。有機化合物發光的類型包括從單重激發態返回到基態 的發光（熒光）和從三重激發態返回到基態的發光（磷光 (2) 1289871 )。兩種類型的發光都可被應用到藉由根據本發明的膜形 成裝置和膜形成方法生産的發光裝置。 與液晶顯示裝置不一樣，發光裝置是自發光型的，由 此不會引起視角問題。更爲特別的是發光裝置作爲戶外用 顯示器比液晶顯示器更適合。因此提出了各種形式的發光 裝置的應用。 EL元件具有EL層被夾在一對電極間的結構，並且 EL層通常具有疊層結構。疊層結構的典型例子是由“電 洞傳送層/發光層/和電子傳送層”構成的疊層結構。由於 它的發光效率相當高，現在正在硏究和開發中的大部分發 光裝置採用該結構。 作爲替代的，可使用另一種疊層結構，其中··電洞注 入層、電洞傳送層、發光層和電子傳送層按所述順序層疊 在陽極上；或電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳 送層和電子注入層按所述順序層疊在陽極上。熒光顔料等 也可被摻雜到發光層。此外，上述所有層可只使用低分子 量材料形成，或可只使用高分子量材料形成。 此外’用於形成EL層的EL材料大致分爲低分子量 (單體基）材料和局分子量（聚合物基）材料，而低分子 量材料主要藉由蒸發形成膜。 EL材料極易退化，因爲EL材料容易由於氧或水分的 存在而被氧化。因此膜形成後不能進行光微影步驟。爲形 成圖案’在膜形成的同時必須使用具有開口部分的掩模（ 此後稱爲蒸發掩模）劃分圖案區。因此，大部分昇華的有 (3) 1289871 機EL材料粘附到膜形成室的內壁或防粘附遮罩板（防止 蒸發材料粘附到膜形成室內壁的保護板）上。結果，蒸發 裝置需要定期維護，如去除膜形成室內壁和防粘附遮罩板 上的粘附物質的淸洗處理，由此使得在維護期間必須暫時 停止用於大規模生産的製造線。 爲了改善膜厚度均勻性，習知的蒸發裝置在基底和蒸 發源間有較大間隔，從而裝置本身具有較大尺寸。而且， 習知的蒸發裝置具有一種結構，如圖22所示，其中基底和 蒸發源間的間隔設定在1 m或1 m以上，並且使基底旋轉以 獲得具有均勻厚度的膜。此外，蒸發裝置具有使基底旋轉 這樣一種結構，從而限制蒸發裝置獲得大面積基底。而且 ，基底和蒸發源之間的間隔大，結果膜形成速度減小並且 膜形成室需要的排氣時間更長，由此降低了生産量。 此外，在習知蒸發裝置中，昂貴的EL材料的利用率 極低，低到約1 %或更低。因此發光裝置的製造成本極高 〇 EL材料極爲昂貴，每克價格高於每克黃金的價格。 因此希望盡可能高效使用EL材料。但是在習知蒸發裝置 中，昂貴的E L材料的利用率很低。 【發明內容】 本發明是考慮到上述問題做出的，因此具有提供能夠 入改?直数-的展^率、均勻性極好、産量極高的蒸發裝 置和製造裝置的目的。 1289871 (4) 由於蒸發在真空中進行，使膜形成室達到真空狀態花 很長時間，並且對於每一步每個膜形成室所需時間不同。 因此，很難將製造技術設計爲自動化步驟，由此限制了生 産率的提高。特別是需要花很長時間藉由蒸發沉積和層疊 含有機化合物的層，由此存在對減少每個基底的處理時間 的限制。考慮到上述問題，本發明具有另一個減少每個基 底的處理時間的目的。 此外，本發明的另一個目的是提供一種能夠不需暫時 停止製造線而維護膜形成室的製造設備。 此外，根據本發明，提供藉由蒸發有效地在具有大尺 寸如 320mm x400mm、370mm x 470mm、 、5 5 0mm x 6 5 0mm 、600mm x 7 20mm ' 6 80mm x 8 80mm ' lOOOmmx 1200mm、 1100mmxl250mm或1150mmxl300mm的大面積基底上沉 積EL材料的方法。 此外，根據本發明，提供一種能夠防止雜質混入EL 材料的製造系統。 根據本發明，提供具有多個膜形成室的多室製造裝置 ，包括對第一基底進行蒸發的第一膜形成室和對第二基底 進行蒸發的第二膜形成室，其特徵在於多個有機化合物層 在各個膜形成室被平行層疊，由此減少了每個基底的處理 時間。更特別的是第一基底從轉移室裝入第一膜形成室後 ’對第一基底的表面進行蒸發，而當第二基底從轉移室裝 入第二膜形成室後，也對第二基底的表面進行蒸發。在圖 1中，四個膜形成室被連接到轉移室102。因此如圖6A所 (5) 1289871 示’表示了從基底裝載到基底卸載順序的一個實例，四個 基底被裝入各個膜形成室並連續進行平行蒸發是可行的。 根據本發明，爲了保持大規模生産中生産周期〜致， 多個室至少提供作爲蒸發室和加熱室，而單個室可作爲提 供另一個具有相對短的處理時間的室。因此本發明允許進 行有效的大規模生産。 根據本說明書所揭不的第一結構，提供一種多室製造 裝置，包括： 裝載室； 與裝載室相連的轉移室；以及 與轉移室相連的多個膜形成室，其中： 多個膜形成室每一個都連接到用於使膜形成室內部成 爲真空狀態的真空排氣處理室，而且每個膜形成室都包括 用於將掩模和基底進行位置對準的對準機構，蒸發源，和 用於加熱蒸發源的機構；和 在多個膜形成室的至少兩個中，平行對裝入各個膜形 成室中的基底的表面進行蒸發。 此外，不僅可提供多個在其中形成有機化合物層的膜 形成室，而且可分別提供多個其中在有機化合物層上形成 電極（陰極或陽極）的膜形成室、密封室和預處理室，並 且各形成處理可以類似地平行進行。因此根據本說明書所 揭示的第二種結構，提供一種多室製造裝置，包括： 裝載室； 連接到裝載室的轉移室； (6) 1289871 連接到轉移室的多個膜形成室，以及 ‘ 多個密封室，其中： - 多個膜形成室每一個都連接到用於使膜形成室內部成 爲真空狀態的真空排氣處理室，而且每個膜形成室都包括 用於將掩模和基底進行位置對準的對準機構，蒸發 '源’ ^ 用於加熱蒸發源的機構；和 在多個膜形成室的至少兩個中，平行對裝入各個0莫开多 成室中的基底的表面進行蒸發；和 肇 每個基底被分配給多個密封室中的一個以在其中密# 〇 此外，根據本發明，即使基底處理數量略微減少’也 可實現有效蒸發處理。例如，如圖6Β所示，表示從基底 的裝載到基底的卸載順序的一個實例，即使當第四膜形成 室正在進行維護時也可以在第一到第三膜形成室中順序進 行蒸發而不必暫停生產線。因此，根據本說明書所揭示的 本發明的第三結構，提供一種多室製造裝置，包括： 參 裝載室； 連接到裝載室的轉移室；以及 連接到轉移室的多個膜形成室，其中： > 多個膜形成室每一個都連接到用於使膜形成室內部成 - 爲真空狀態的真空排氣處理室，而且每個膜形成室都包括 - 用於將掩模和基底進行位置對準的對準機構，蒸發源，和 用於加熱蒸發源的機構；和 在多個膜形成室的至少兩個中，平行對裝入各個膜形 -10- (7) 1289871 成室中的基底表面進行蒸發，並且在多個膜形成室中至少 一個中，膜形成室的內部在進行淸洗。 此外，在形成單色發光裝置的情況下，如表示從基底 的裝載到基底的卸載的順序的圖2A所示，電洞傳送層（ 稱爲HTL)、發光層和電子傳送層（稱爲ETL)在同一膜 形成室中被連續層疊，由此提高了産量。當電洞傳送層、 發光層和電子傳送層在同一膜形成室被連續層疊時，如圖 9A和9B所示，可在一個膜形成室提供多個蒸發源支架（ 每個蒸發源支架沿X方向或Y方向移動）。藉由使用圖 9A和9B中的蒸發裝置，可提高蒸發材料的利用效率。 上述各個結構的特徵在於在多個膜形成室的至少兩個 中，平行進行含相同有機化合物的層的蒸發處理。 此外，如表示從基底的裝載到基底的卸載的順序的實 例的圖6A所示，基底的傳送路徑被劃分成與連接到每個 轉移室的膜形成室編號相同的路徑編號，從而可依次進行 有效膜形成。注意圖3中的箭頭表示用於一個基底從基底 裝載到基底卸載的路徑的實例。因此，根據本說明書所揭 示的本發明的第四個結構，提供一種多室製造裝置，包括 裝載室； 連接到裝載室的轉移室；以及 連接到轉移室的多個膜形成室，其中： 多個膜形成室每一個都連接到用於使膜形成室內部成 爲真空狀態的真空排氣處理室，而且每個膜形成室都包括 -11 - (8) 1289871 用於將掩模和基底進行位置對準的對準機構，蒸發源，和 用於加熱蒸發源的機構；和 裝入裝載室的多個基底在轉移室中分別被分配給多個[ 膜形成室中的一個以被裝入其中，並且每個基底沿不同路 徑中其編號與膜形成室編號相同的一條路徑進行處理。 此外，在形成全色發光裝置的情況下，如圖2B所示 ，電洞傳送層、發光層和電子傳送層可較佳的在同一膜形 成室被連續層疊。當電洞傳送層、發光層和電子傳送層在 同一膜形成室被連續層疊時，可使用如圖9A和9B所示的 膜形成裝置，即在一個膜形成室中蒸發裝置配備多個，至 少三個或三個以上蒸發源支架（每個蒸發源支架沿X方 向或Y方向移動）。注意如表示從基底裝載到基底卸載 順序的圖4所示，所有必需的有機層，例如電洞傳送層、 發光層和電子傳送層可在三個不同的膜形成室（一個膜形 成室用於紅色發光元件，一個膜形成室用於藍色發光元件 ’以及一個膜形成室用於綠色發光元件）被連續層疊。例 如將構成紅色發光元件的電洞傳送層、發光層和電子傳送 層藉由使用蒸發掩模（R)在第一室中被選擇性層疊；將 構成藍色發光元件的電洞傳送層、發光層和電子傳送層藉 由使用蒸發掩模（B)在第二室中被選擇性層疊；而將構 成綠色發光元件的電洞傳送層、發光層和電子傳送層藉由 使用蒸發掩模（G )在第三室中被選擇性層疊，由此實現 全色顯示。注意在圖4中，蒸發前在每個室進行掩模對準 以在預定區域進行膜形成。 -12- 1289871 Ο) 此外，在電洞傳送層、發光層和電子傳送層在一個室 中層疊的情況下，爲了實現全色顯示，例如，可適當選擇 用於給定色（R、G或B)最優的材料（成爲電洞傳送層 和電子傳送層的有機材料）。本發明的特徵也在於這些層 的膜厚可根據顔色改變。因此不同材料可用於全部總計九 種類型的層：用於R的電洞傳送層、發光層和電子傳送層 ;用於G的電洞傳送層、發光層和電子傳送層和用於b 的電洞傳送層、發光層和電子傳送層。注意成爲電洞傳送 層或電子傳送層的有機材料可作爲公用材料使用。 此外，在用於R、G和B的電洞傳送層、發光層和電 子傳送層在三個不同的膜形成室中層疊的情況下，用於每 一個基底的路徑的實例在圖5中用箭頭簡單表示。例如， 第一基底被裝入第一膜形成室後，含有用於紅色發光的有 機化合物的層被形成疊層膜，然後第一基底被卸載。隨後 ，第一基底裝入第二膜形成室後，含有用於綠色發光的有 機化合物的層被形成疊層膜；而第二基底被裝入第一膜形 成室後，含有用於紅色發光的有機化合物的層可層疊到第 二基底形膜形成。最後，第一基底被裝入第三膜形成室後 ，含有用於藍色發光的有機化合物的層被形成疊層膜，而 第二基底被裝入第二膜形成室後，第三基底被裝入第一膜 形成室，並且各層可順序被層疊到各個基底。 此外，本發明不限於其中電洞傳送層、發光層和電子 傳送層在同一膜形成室中連續層疊的結構。但是，電洞傳 送層、發光層和電子傳送層可在多個彼此連接的室中被層 -13- 1289871 (10) 暨。例如，構成綠色發光兀件的電洞傳送層在第一室形成 膜，構成綠色發光元件的發光層在第二室形成膜，而構成 綠色發光元件的電子傳送層在第三室形成膜。由此含有用 於綠色發光的有機化合物的層可形成疊層膜。 此外，作爲佈置在陰極和陽極之間的含有機化合物的 層的典型實例，上面說明了包含電洞傳送層、發光層和電 子傳送層的三層疊層結構。但是，對其沒有特別限制。可 使用另一種疊層結構，其中電洞注入層、電洞傳送層、發 光層和電子傳送層按所述順序層疊在陽極上；或電洞注入 層、電洞傳送層、發光層、電子傳送層和電子注入層按所 說順序層疊在陽極上。作爲替代的，可使用雙層結構或單 層結構。熒光顔料等也可添加到發光層中。而且發光層的 例子包括具有電洞傳送能力的發光層和具有電子傳送能力 的發光層。此外，所有上述層可只使用低分子量材料形成 ，或上述層中的一層或幾層可使用高分子量材料形成。注 意在本說明書中，在陽極和陰極間提供的層一般稱爲包含 有機化合物的層（EL層）。因此，上述電洞注入層、電 洞傳送層、發光層、電子傳送層和電子注入層都包含在 EL層中。此外，包含有機化合物的層（EL層）也可包含 無機材料如矽。 注意發光元件（EL元件）具有藉由施加電場得到發 光（電致發光）的含有機化合物的層（此後稱爲EL層） 、陽極和陰極。有機化合物發光的類型包括從單重激發態 返回到基態的發光（熒光）和從三重激發態返回到基態的 -14- (13) 1289871 室103a和103b在兩個基底上進行基本上彼此平行的處理 〇 其次，基底從裝備有基底傳送機構的轉移室118被傳 送到預備室101。在本實施例的製造裝置中，預備室101具 有基底反轉機構並能適當反轉基底。預備室101被連接到 真空排氣處理室並較佳的在該室經真空排氣後引入惰性氣 體，使壓力達到大氣壓。 其次，基底被傳送到與預備室101相連的轉移室102。 較佳的，轉移室102預先抽真空並保持真空狀態，以使其 含有盡可能少的水分和氧。 上述真空排氣處理室配備有磁懸浮渦輪分子泵、低溫 泵或乾泵。泵可使連接到預備室的轉移室達到1(Τ5〜1(Γ 6Pa的真空度。此外，來自泵一側和排氣系統的雜質的反 向擴散可受到控制。爲了不讓雜質進入設備內部，引入惰 性氣體如氮或稀有氣體。用作引入到設備的氣體是進入設 備內部前經過氣體淨化器淨化具有高純度的氣體。因此， 必需提供氣體淨化器，從而使氣體淨化具有高純度後再引 入蒸發裝置。因此，氣體內的氧、水分和其他雜質被預先 去除，由此可防止這些雜質進入設備內部。 其次，基底從轉移室102被傳送到第一膜形成室106A 、第二膜形成室106B、第三膜形成室l〇6C和第四膜形成 室106D。然後形成作爲電洞注入層、電洞傳送層和發光 層的低分子量有機化合物層。 就總體發光元件而言’可形成呈現單色（具體地爲白 (14) 1289871 色）發光或全色（具體地紅、綠和藍）發光的有機化合物 層。此處，將說明其中在各個膜形成室106A、106B、 106C和106D同時形成呈現白色發光的有機化合物層的實 例（每個膜形成處理大致平行進行）。 注意在呈現白色發光的有機化合物層是具有不同發光 顔色的發光層的疊層的情況下，有機化合物層大體上分爲 兩種：包含紅、綠和藍三原色的三波長型和利用藍色和黃 色或藍-綠和橙色的互補色間的關係的兩波長型。此處， 將說明其中使用三波長型獲得白色發光元件的實例。 首先，將說明各個膜形成室106A、106B、106C和 106D。膜形成室106A、106B、106C和106D各自具有可 移動蒸發源支架，蒸發源支架備有多個。在每個膜形成室 中，按下列狀態設置五個蒸發源支架：第一蒸發源支架具 有密封其中的用於形成白色發光層的芳香族二胺（稱爲 TPD );第二蒸發源支架中密封有用於形成白色發光層的 p-EtTAZ ;第三蒸發源支架中密封有用於形成白色發光層 的 Alqs ;第四蒸發源支架中密封有藉由將紅色發光顔料 尼羅紅添加到用於形成白色發光層的Alq3中而獲得的EL 材料；第五蒸發源支架中密封有Alq3。 EL材料較佳的藉由使用下列製造系統被放置在上述 膜形成室中。即較佳的，使用坩堝（典型地爲坩堝）來形 成膜，材料製造商預先在容器中儲存了 EL材料。此外， 較佳的’容器不暴露大氣放置。因此，較佳的當坩堝從材 料製造商運送過來時被密封在第二容器中，然後保持密封 -18- (15) 1289871 狀態裝入膜形成室。理想的是分別具有真空排氣裝置並且 被分別連接到膜形成室106A、106B、106C和l〇6D的安置 室126A、126B、126C和126D被抽真空或充入惰性氣體， 且掛渦在安置室中從第二容器中被取出，然後被放入膜形 成室。結果ί甘渦和儲存於i甘渦中的E L材料可免於污染。 注意金屬掩模可被儲備在安置室126A、126B、126C和 126D 中。 其次，將說明膜形成步驟。在膜形成室106A中，掩 模從上述安置室傳遞過來並按需要放置。然後第一到第五 蒸發源支架開始順序移動以對基底進行蒸發。更特別的是 來自弟~*蒸發源支架的TPD被加熱昇華並藉由蒸發沉積 在基底的整個表面上。之後，來自第二蒸發源支架的p-EtTAZ被昇華，來自第三蒸發源支架的Alq3被昇華，來自 第四蒸發源支架的Alq3 :尼羅紅被昇華，以及來自第五 蒸發源支架的Alq3被昇華，它們都藉由蒸發被沉積在基 底的整個表面上。 在使用蒸發法的情況下，較佳的在經真空排氣達到低 η 5 X l〇-3Torr ( 0.665Pa )或更低，較佳的 10·4 〜l(T6Pa 真 空度的膜形成室中進行蒸發。 注意在各個膜形成室提供上述其中設置有EL材料的 蒸發源支架，並且在各個膜形成室106B〜106D中，蒸發 以相同方式進行。換言之，可大致平行地對四個基底進行 相同的膜形成處理。圖7表示一條路徑的簡單實例，四個 基底中的兩個沿該路徑處理。結果，即使一給定的膜形成 (16) 1289871 室正在進行維護或淸洗，膜形成處理也可在其餘的膜形成 室中進行，由此減少了膜形成周期。因此，可提高發光裝 置的生産量。 其次，基底在不暴露大氣的情況下從轉移室102被傳 送到交接室105。並進一步從交接室105傳送到轉移室104a 其次，安裝在轉移室104a的傳送機構用來將基底傳 送到膜形成室l〇9a或膜形成室109b，然後在基底上形成 陰極。陰極可藉由兩層陰極層疊形成（下層和上層）。陰 極（下層）由使用電阻加熱蒸發形成的非常薄的金屬膜（ MgAg、Mgln、AlLi、CaN等其他合金膜，或藉由鋁和屬 於元素周期表1或2族的元素共同蒸發形成的膜）構成。陰 極（上層）由藉由濺射形成的透明導電膜（銦錫氧化物合 金（ITO )膜、氧化銦-氧化鋅合金（Ιη203·Ζη0 )膜、氧 化鋅（ΖηΟ )膜等）形成。因此，用於形成薄金屬膜的膜 形成室被較佳的安排在製造裝置中。 藉由上述步驟，形成了具有如圖17Α和17Β所示疊層 結構的發光元件。 其次，在不暴露大氣的情況下，基底從轉移室l〇4a 被傳送到膜形成室113a或11 3b，然後在基底上形成由氮 化矽膜或氮氧化矽膜構成的保護膜。此處，膜形成室113a 和113b各自包括矽靶、氧化矽靶或氮化矽靶。例如，藉 由使用矽靶和將膜形成室設爲氮氣或含氮和氬的氣氛可形 成氮化矽膜。圖1表示配備兩個膜形成室113a和113b，從 (17) 1289871 而可大致平行地對兩個基底形成保護膜的系統實例。 其次，在不暴露大氣的情況下，形成發光裝置的基底 從轉移室104a被傳送到交接室107，並進而從交接室1〇7 傳送到轉移室114。然後，形成發光裝置的基底從轉移室 114被傳送到第一密封室116a或第二密封室116b。注意在 第一密封室116a和第二密封室116b中，形成後面用於將 基底彼此結合或用於密封基底的密封件。圖1表示配備兩 個密封室11 6 a和11 6b，從而可大致平行地對兩個基底進 行結合處理的系統實例。 密封基底從外面被放置在第一儲備室130a或第二儲 備室130b中以備用。注意爲了去除水分和其他雜質，較 佳的，例如，在第一儲備室130a或第二儲備室13 0b內， 對密封基底作預先真空退火處理。如果在密封基底上形成 用於將密封基底和其上形成發光元件的基底結合起來的密 封件，密封件在第一儲備室130a或第二儲備室130b內形 成，並且其上形成密封件的密封基底然後被傳送到第一密 封室116a或第二密封室116b。注意可在第一密封室116a 或第二密封室116b中爲密封基底提供乾燥劑。而且第一 密封室130a和第二密封室130b可儲備蒸發時用的蒸發掩 模 。 其次，爲了對裝有發光裝置的基底除氣，在真空或在 惰性氣體氣氛中的退火處理完成後，裝有密封件的密封基 底和裝有發光裝置的基底被彼此結合在一起。而且，封閉 空間充入氮氣或惰性氣體。注意，此處表示出在密封基底 -21 - 1289871 (18) 上形成密封件的實例。但是，沒有特殊限制，並且密封件 · 可在形成有發光元件的基底上形成。 其次，藉由安裝在密封室11 6 a、1 1 6 b中的u V線照射 裝置用UV光照射結合的一對基底，由此使密封件固化。 注意此處用可UV固化和熱固性樹脂作密封件。但是，只 要將粘結劑用作密封件則對此沒有特別限制，並且可使用 只被UV線固化的樹脂。 此外，樹脂可代替惰性氣體塡充在封閉空間中。對於 向下發射型的情況，沒有光穿過陰極，從而塡充的樹脂材 料不特別限定，可使用可UV固化樹脂或不透明樹脂。但 是，對於向上發射型的情況，UV線穿過陰極對EL層造 成損傷，從而不能使用可U V固化樹脂。因此，對於向上 發射型的情況，較佳的使用透明熱固性樹脂作塡充樹脂。 其次，被結合的基底對從密封室116a、116b被傳送 到轉移室11 4，然後從轉移室11 4傳送到取出室11 9被由此 取出。 φ 此外，從取出室11 9被取出後，密封件被熱處理固化 。在使用向上發射型且用熱固性樹脂塡充封閉空間的情況 下，熱固性樹脂可在固化密封件的熱處理中同時被固化。 如上所述，使用圖1所示裝置可使發光元件在完全被 - 密封在封閉空間前不暴露大氣。結果，可生産具有高可靠 * 性的發光裝置。注意轉移室114可在真空和大氣壓下的氮 氣氛狀態之間交替變換。但是，轉移室102、104a和108 一直保持真空是理想的。 -22- 1289871 (19) 注意，雖然圖中未表示出，但是提供一個控制驅動單 元’它控制基底被移動到各個處理室所走的路徑，由此實 現全自動化系統。 而且’可將形成有作爲陽極的透明導電膜的基底裝入 如圖1所示的製造裝置中，並形成在和上述疊層結構相對 的方向上發射光的發光元件（具有一種結構，其中從朝向 TFT的透明陽極取出含有機化合物的層中産生的發光，此 後稱爲向下發射結構）。 在陽極和陰極都由透明或半透明材料構成的情況下， 也可以形成朝上表面和朝下表面取出含有機化合物的層中 産生的發光的結構（此後稱爲雙側發射結構）。 此外，圖21表示裝有兩個取出室的製造裝置的實例， 因爲在藉由同時平行處理兩個不同尺寸的基底生産元件的 情況下，需要多個取出室。圖21中也提供掩模儲備室和塗 覆室。注意在圖21中，使用和圖1相同的參考數字。 在圖21中，參考數字100t表示閘門，1003表示塗覆室 ，1013表示掩模儲備室，而參考數字1019a和1019b表示 取出室。 注意掩模儲備室1〇 13儲備有蒸發時用的蒸發掩模。進 行蒸發時蒸發掩模被適當地傳送到每個膜形成室，然後安 置在其中。特別地，很難在安置室儲備具有大面積的掩模 ，因而較佳的獨立提供如圖21所示的掩模儲備室。而且， 掩模儲備室10 13不僅可儲備蒸發掩模也可儲備’例如’基 底。 -23- (20) 1289871 此外，在塗覆室1003中’含局分子量材料的層可藉由 噴墨法或旋塗法形成。例如，作爲電洞注入層（陽極緩衝 層）的聚（亞乙基二氧基噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（ PEDOT/PSS)水溶液，聚苯胺/樟腦擴酸（PANI/CSA)水 溶液，PTPDES、Et-PTPDEK、PPBA等可被塗覆在第一電 極（陽極）的整個表面上，然後進行烘烤。 此外，藉由旋塗法形成的PEDOT/PSS膜覆蓋整個表 面。因此’較佳的選擇性去除膜覆蓋在基底端面和周邊、 終端部分、陰極和下層接線彼此連接的區域等的部分。例 如，較佳的在預處理室103a中使用掩模藉由〇2灰化進行 去除。 [實施例2] 圖8 A〜8C表示以基底和蒸發源彼此相對移動爲特徵 的膜形成系統。圖8A是X方向截面圖（沿虛線A-A’截 取的斷面），圖8B是Y方向截面圖（沿虛線B-B’截取 的斷面），圖8C是頂視圖。此外，圖8A、8B和8C表示 蒸發中的蒸發系統。 如圖8A〜8C所示的膜形成系統特徵在於在蒸發系統 中，裝有充滿蒸發材料的容器的蒸發源支架相對於基底以 一定間距移動，或基底相對蒸發源以一定間距移動。此外 ，較佳的，蒸發源支架以一定間距移動以與昇華的蒸發材 料的端部（邊緣）重合。 雖然可建立單個或多個蒸發源支架，但是當爲EL層 -24- (21) 1289871 的各個疊層膜提供蒸發源支架時’蒸發可高效連續進行。 此外，可在蒸發源支架安裝單個或多個容器，並且可安裝 充滿相同蒸發材料的多個容器。此外，當具有不同蒸發材 料的容器被安排時，可在基底上在混合昇華的蒸發材料的 情況下形形成膜（這稱爲共同蒸發）。 在圖8A〜8C中，膜形成室11包括基底支架12、裝有 蒸發快門15的蒸發源支架17、移動蒸發源支架的機構（未 示出）和用於産生低壓的機構。此外，膜形成室11安裝有 基底13和蒸發掩模14。此外，可藉由使用 CCD照相機（ 未示出）確認蒸發掩模的對準。蒸發源支架17安裝有充滿 蒸發材料18的容器。膜形成室11藉由産生低壓的機構抽真 空到低於5 X 10·3Τοη ( 0.665Pa )或更低真空度，較佳的 爲 1〇-4 〜10_6Pa。 此外，蒸發時，藉由電阻加熱先使蒸發材料昇華（汽 化）並在蒸發時打開快門15使其向基底13方向擴散。蒸發 的蒸發材料19向上擴散並藉由蒸發掩模14處提供的開口部 分有選擇地氣相沉積在基底13上。此外，較佳的，藉由控 制中心如個人電腦控制膜形成速度、蒸發支架的移動速度 和快門的開關。可藉由移動速度控制蒸發源支架的蒸發率 〇 此外，雖然未示出，但可在蒸發的同時藉由在膜形成 室11處提供的石英振蕩器測量沉積膜的膜厚。當使用石英 振蕩器測量沉積膜的膜厚的時候，沉積到石英振蕩器的膜 的質量變化可如共振頻率的變化一樣受到測量。 -25- 1289871 (22) 在圖8A〜8C所示的蒸發系統中 蒸發源支架1 7之間的間隔的距離d 30cm或更小，較佳的爲20cm或更/J ，由此大大提高蒸發材料的利用率和 在蒸發系統中，蒸發源支架17由 坩堝）、藉由均勻加熱元件安置在容 加熱器外側提供的絕緣層、包容上述 在外套桶外側的冷卻管和用於開關外 渦的開口部分的蒸發快門15。此外， 能夠處於加熱器固定到容器上的狀態 外，該容器由能夠承受高溫、高壓和 料、BN和A1N複合燒結體、石英或3 此外，在膜形成室11內部蒸發忽 方向或Υ方向移動同時保持水平狀 下，可使蒸發源支架17在二維平面上 9Α或圖9Β所示。此外，蒸發源支架 地與絕緣體之間間隔的相匹配。此外 狀以覆蓋第一電極2 1的端部。 此外，在圖9Α和9Β中，開始移 、C和D的時間可以是前一個蒸發源 。例如，將能夠傳送電洞的有機材米 處，作爲發光層的有機材料放置在蒸 送電子的有機材料放置在蒸發支架c 的材料放置在蒸發支架D，可以在同 ，蒸發時，基底13和 可減少到，典型地， 、，更佳的爲5〜15cm 産量。 容器（有代表性的爲 器外側的加熱器、在 部分的外套桶、纏繞 套桶開口部分包括坩 蒸發源支架17可以是 下被傳送的容器。此 低壓的BN燒結體材 Ϊ墨形成。 戾支架17配有可在X 態的機構。在此情況 作Z字形移動，如圖 17移動的間距可恰當 ，絕緣體10排列成條 f動蒸發源支架A、B 支架停止後或停止前 斗放置在蒸發支架A 發支架B處，能夠傳 ’以及作爲陰極緩衝 一室中連續層疊這些 -26- (23) 1289871 材料層。此外’當後一個蒸發源支架在氣相沉積膜固化前 開始移動，在具有疊層結構的EL層中，可在各個膜的介 面處形成蒸發材料混合的區域（混合區）。 根據本發明這樣相對移動基底和蒸發源支架A、B、 C和D ’不需延長基底和蒸發源支架間的距離就可實現裝 置的小尺寸形成。此外，由於蒸發系統尺寸小，在膜形成 室內部’昇華的蒸發材料對內壁或防粘附快門的粘附減少 ’並且可節約利用蒸發材料。此外，根據本發明的蒸發方 法’不必旋轉基底，因此可提供能夠處理大面積基底的蒸 發系統。此外，根據本發明，在X軸方向和γ軸方向相 對於基底移動蒸發源支架，可均勻形成氣相沉積膜。 此外’在蒸發源支架提供的有機化合物不一定是其中 的一個或一種，而可以是其中的多種。例如，除在蒸發源 支架作爲發光有機材料提供的一種材料外，可同時提供可 以作爲f参雜劑（慘雜材料）的其他有機化合物。較佳的， 設計要氣相沉積的有機化合物層由基質材料和具有激發能 比基質材料低的發光材料（摻雜材料）構成，從而摻雜劑 的激發能變得低於電洞傳送區的激發能和電子傳送層的激 發能。由此，可阻止摻雜劑的分子激子擴散，並可使摻雜 劑有效發光。此外，當摻雜劑是載子俘獲型材料時，也可 提高載子複合效率。此外，本發明包括一種情況，其中能 夠使一重激發能轉化成發光的材料作爲摻雜劑被添加到混 合區。此外，在形成混合區的過程中，可將濃度梯度提供 給混合區。 -27- (24) 1289871 此外’當在單個蒸發源支架上提供多個有機化合物時 ’較佳的’蒸發方向傾斜相交於被沉積物體的位置，從而 有機化合物可被混合在一起。此外，爲了進行共同蒸發， 蒸發源支架可被提供四種蒸發材料（例如，提供兩種基質 材料作爲蒸發材料A，兩種摻雜材料作爲蒸發材料b )。 此外’當圖素尺寸小（或各絕緣體間的間隔窄）時，藉由 將容器內部分成四份並進行各自適當蒸發的共同蒸發可形 成精細的膜。 此外，由於基底13和蒸發源支架17間的間距d被縮短 到，典型地，30cm或更小，較佳的爲5〜15cm，擔心蒸發 掩模1 4也被加熱。因此，較佳的蒸發掩模丨4使用加熱很難 變形的低熱膨脹率的金屬材料（例如，如鎢、鉬、鉻、鎳 或鉬之類的高熔點金屬或包含這些元素的合金，不銹鋼、 inconel、Hastelloy之類的材料）。例如，提出使用具有 4 2 %鎳和5 8 %鐵的低熱膨脹合金等。此外，爲了冷卻被加 熱的蒸發掩模，可爲蒸發掩模提供冷媒（冷卻水、冷卻氣 體）的循環機構。 此外，爲了淸除粘附到掩模的沉積物質，較佳的，藉 由電漿發生裝置在膜形成室內部産生電漿，使粘附到掩模 的沉積物質氣化並將蒸氣排出到膜形成室外。爲此目的， 單獨爲掩模提供電極，並將高頻電源20連接到掩模和電極 中任何一個。 此外，膜形成室包括氣體引入裝置用於引入一種或多 種選自由Ar、Η、F、NF3和〇組成的組的氣體，以及氣 1289871 (25) 體排出裝置用於排出氣化的沉積物質。藉由上述構造，維 護時可不接觸大氣而淸洗膜形成室內部。 淸洗可如下所述進行，室內氣氛被氮氣取代，並被真 空排氣，而且高頻電源（13·56ΜΗζ)可被連接到掩模或 電極，從而在掩模和電極（基底快門，未示出）間産生電 漿。然後，氬氣和氫氣分別按30sccm的流量引入室內， 室內氣氛被穩定，施加800W的RF電功率産生電漿，由 此掩模和室內壁可被淸洗。 此外，膜形成室11和真空室連接以使膜形成室內成爲 真空。真空處理室配有磁懸浮式渦輪分子泵、低壓泵或乾 泵。由此膜形成室11的最終真空度可達到10·5〜l〇_6Pa， 並且可控制雜質從泵側和排氣系統的反向擴散。爲了防止 雜質隨要引入的氣體被引入膜形成室11，使用惰性氣體氮 氣或稀有氣體。使用在引入設備前被氣體提純器高度純化 的引入氣體。因此，有必要提供氣體提純器，從而使氣體 被高度提純，之後再被引入膜形成室11。由此，可預先去 除包含在氣體中的氧、水分等雜質，可防止雜質被引入膜 形成室11。 此外，爲基底支架1 2提供永久磁鐵以用磁力固定含有 金屬的蒸發掩模，也用於固定介於其間的基底13。雖然此 處表示蒸發掩模和基底13緊密接觸的實例，但是可適當提 供其間有一定間隔固定的基底支架或蒸發掩模支架。 根據具有如上所述蒸發源支架移動機構的膜形成室， 不必延長基底和蒸發源支架間的距離，並且蒸發膜可均勻 -29- 1289871 (26) 形成。 [實施例3] 此處，將參考圖1 ΟA和1 0B詳細說明裝滿蒸發材料的 容器和容器周圍的蒸發源支架的構造。此外，圖10A和 10B表示快門打開狀態。 圖10 A表示安裝在蒸發源支架3 〇4的一個容器周圍的 截面圖，圖中顯示在蒸發源支架處提供的加熱機構303、 加熱機構的電源307、容器的蒸發材料302、在容器內部提 供的過濾器305和安置在在容器上部提供的開口部分上的 快門3 0 6。作爲加熱機構3 0 3 ’可使用電阻加熱、高頻或雷 射加熱，特別是可使用線圈電加熱。 此外，被加熱機構3 03加熱的蒸發材料3 02被昇華，昇 華的材料302從容器開口部分上升。在這種情況下，尺寸 等於或大於一恒定量（過濾器網）的昇華材料不能藉由在 容器內部提供的過濾器305，返回到容器並被再次昇華。 此外，過濾器305可用高導電材料形成並被加熱機構（未 示出）加熱。藉由加熱，可防止蒸發材料固化並粘附到過 濾器。 藉由具有提供這樣一種過濾器的構造的容器，具有均 勻尺寸的蒸發材料被氣相沉積，因此膜形成速度可被控制 ’並且可提供均勻膜厚，以及可以實現沒有不均勻性的均 勻蒸發。當然，當能夠實現沒有不均勻性的均勻蒸發時， 不一定必需提供過濾器。此外，容器形狀不限於圖1 0 A中 -30- (27) 1289871 的形狀。 - 其次，將參考圖10B，對具有不同於圖10A構造的塡 充蒸發材料的容器進行說明。 圖10B表示安裝在蒸發支架處的容器311、容器內的 蒸發材料312、在蒸發源支架處提供的第一加熱機構313、 第一加熱機構的電源3 1 8、安置在容器開口部分上面的快 門3 1 7、在開口部分上提供的平板3 1 6、圍繞過濾器提供的 第二加熱機構3 1 4和第二加熱機構的電源3 1 9。 φ 此外，被第一加熱機構313加熱的蒸發材料312昇華， 並且昇華的蒸發材料從容器3 11的開口部分上升。在此情 況下，尺寸等於或大於一恒定量的昇華材料不能藉由在容 器開口部分上提供的平板316和第二加熱機構314之間的間 隔，撞擊到平板3 1 6上並返回到容器內部。此外，由於平 板316被第二加熱機構314加熱，可防止蒸發材料固化並粘 附到平板316。此外，較佳的，平板31 6由高導電材料形成 。此外，可提供過濾器代替平板。 41 此外，作爲第一加熱機構3 1 3的加熱溫度（T i )，施 加一個高於蒸發材料的昇華溫度（TA )的溫度，第二加熱 機構3 1 4的加熱溫度（T2 )可低於第一加熱機構的加熱溫 度。這是由於曾經被昇華的蒸發材料易於昇華，因此不施 ' 加實際的昇華溫度蒸發材料就可昇華。即各加熱溫度可以 ‘ 是 Ti > > τ2> τΑ。 藉由這樣一種具有圍繞平板提供加熱機構的構造的容 器，具有均勻尺寸的蒸發材料被昇華，此外，被昇華的材 (28) 1289871 料藉由加熱機構的周圍區域，因此減少蒸發材料對平板的 粘附，另外，膜形成速度可被控制，並且可提供均勻膜厚 ，以及可以實現沒有不均句性的均句蒸發。自然的’當能 夠實現沒有不均勻性的均勻蒸發時’不一定需要提供平板 。此外，容器形狀不限於圖10A和10B中的形狀，例如， 可提供具有圖11A和11 B所示形狀的容器。 圖11A表示在蒸發源支架404處提供加熱機構402的一 個實例，圖中顯示容器403和405的形狀實例的截面圖，其 中每個容器的開口部分向其上側變窄。此外，將提純的蒸 發材料塡充在具有寬開口部分的容器中後，圖11A所示的 容器403或405的形狀可使用容器蓋等構成。此外，當向上 側變窄的容器的開口部分的直徑根據打算形成的蒸發材料 的尺寸確立時，可獲得類似於過濾器的效果。 此外，圖1 1 B表示在容器處提供加熱機構4 1 2的實例 。雖然容器413和4 15的形狀類似於圖11A中的形狀，但在 容器本身處提供加熱機構4 1 2。此外，加熱機構的電源可 在安裝到蒸發源支架的階段被設計成處於ON狀態。藉由 在容器本身處提供加熱機構這樣一種構造，甚至在容器具 有難於加熱的開口部分形狀的情況下，熱量也可以充分施 加到蒸發材料。 其次，將參考圖12A和12B說明蒸發源支架的一種具 體結構。圖1 2A和1 2B表示蒸發源支架的放大視圖。 圖12A表示對格狀蒸發源支架502提供四個充滿蒸發 材料的容器501以及在各個容器上提供快門503的構造實例 32- (29) 1289871 ’圖12B表示對線性形狀蒸發源支架512提供四個充滿蒸 發材料的容器5 1 1以及在各個容器上提供快門5 1 3的構造實 例。 可在圖12A或12B所示的蒸發源支架502或512處安裝 充滿相同材料的多個容器501或5 11，或可在蒸發源支架處 安裝單獨一個容器。此外，藉由安裝充滿不同蒸發材料（ 例如’基質材料和客體材料）的容器可進行共同蒸發。此 外’如上所述，藉由加熱容器蒸發材料被昇華，並且在基 底上形膜形成。 另外，如圖12A或12B所示，藉由在每個容器上提供 快門503或5 13，可控制是否由昇華的蒸發材料形膜形成。 此外，可在所有容器上只提供單獨一個快門。此外，藉由 該快門，可在不停止加熱不形成膜的蒸發源支架，即處於 等待狀態的蒸發源支架的情況下，減少不需要的蒸發材料 的昇華和擴散。此外，蒸發源支架的構造不限於圖12A或 12B所示的構造，個人可適當設計以實現本發明。 藉由上述蒸發源支架和容器，蒸發材料可被有效昇華 ’另外，膜在蒸發材料尺寸均勻的狀態下形成，因此形成 沒有不均勻性的均勻蒸發膜。此外，可在蒸發源支架處安 裝多個蒸發材料，因此可以容易地進行共同蒸發。此外， 不爲EL層中的每一個膜移動膜形成室，可在一次操作中 形成目標的EL層。 [實施例4] -33- !289871 (30) 參考圖1 3 ’說明將提純的蒸發材料塡充到上述容器中 ’運送該容器’之後將該容器直接安裝在本身是膜形成設 備的蒸發系統進行蒸發的製造方法的系統。 圖13表示製造商，典型地，用於生産和提純作爲蒸發 材料的有機化合物材料的材料製造商6 i 8 (典型地，材料 製造商），和發光裝置製造商619(典型地，生産廠商） ’它是具有蒸發系統的發光裝置製造商。 首先，執行從發光裝置製造商619發到材料製造商618 的訂單6 1 0。根據訂單6 1 0，材料製造商6 1 8提純以昇華蒸 發材料，並將粉狀高純度提純的蒸發材料6 i 2塡充到第一 容器611。之後，材料製造商618使第一容器隔絕大氣，從 而不使外部雜質粘附到容器內部或外部，並將第一容器 611放在第二容器621a和621b中密封以防止第一容器611 在淸潔環境室內部被污染。在密封第二容器621a和621b 時’較佳的，容器內部爲真空或塡充氮氣等惰性氣體。此 外，較佳的’在以超高純度提純或塡充蒸發材料6 1 2之前 ，淸潔第一容器611和第二容器621a和621b。此外，雖然 桌一谷器621a和621b可以是具有阻擋氧或水分混入其中 的阻擋特性的包裝膜，爲了能夠自動取出容器，較佳的， 第二容器由具有光阻擋特性的桶狀或盒狀堅固容器構成。 而後’第一容器611在被第二容器621a和621b密封的 狀態下從材料製造商6 1 8運送（6 1 7 )到發光裝置製造商 619 ° 在發光裝置製造商61 9處，第一容器6U在密封於第二 1289871 (31) 容器621a和621b中的狀態下直接被引進到可抽真空的處 理室613中。此外，處理室613是內部裝有加熱機構61 4和 基底保持裝置（未示出）的蒸發系統。 而後’處理室6 1 3內部被抽真空以産生氧或水分盡可 能減少的淸潔狀態，而後保持真空，從第二容器621a和 621b中取出第一容器611，與加熱機構614接觸安裝第一 容器6 1 1，則蒸發源被準備好。此外，被沉積物體（此處 爲基底）615與第一容器611相對安裝在處理室613處。 隨後，藉由加熱機構614加熱蒸發材料，在被沉積物 體615的表面上形成蒸發膜616。這樣提供的蒸發膜616不 含雜質，並且當發光元件使用蒸發膜616形成時，可實現 高可靠性和高亮度。 此外，形成膜後，剩餘在第一容器6 11中的蒸發材料 可在發光裝置製造商619處被昇華提純。膜形成後，第一 容器611被放在第二容器621a和621b中從處理室613取出 ’運送到提純室以昇華提純蒸發材料。在那裏，剩餘的蒸 發材料被昇華提純，並且高純度提純的粉狀蒸發材料被裝 入一個單獨的容器中。而後，在密封於第二容器的狀態下 ’蒸發材料被運送到處理室6 1 3進行蒸發處理。在此情況 下’較佳的，用於提純剩餘的蒸發材料的溫度（T3 )、蒸 發材料周圍升高的溫度（Τ4 )和被昇華提純的蒸發材料周 圍的溫度（Τ5 )間的關係滿足Τ 3 > Τ 4 > Τ 5。即在昇華提純 材料的情況下，當溫度朝塡充要被昇華提純的蒸發材料的 容器一側下降時，産生對流，則材料可被有效昇華提純。 -35- (32) 1289871 此外，可與處理室613接觸提供用於昇華提純蒸發材料的 提純室，則在不使用用於密封蒸發材料的第二容器的情況 下可運送已被昇華提純的蒸發材料。 如上所述，第一容器6 11在完全不接觸大氣的情況下 被安裝在作爲處理室6 13的蒸發室中而使蒸發能夠進行， 同時保持材料製造商塡充蒸發材料612時的純度。因此， 根據本發明，可實現提高産量的完全自動的製造系統，並 且可實現一個能夠避免雜質混入在材料製造商61 8處提純 的蒸發材料812的整體封閉系統。此外，蒸發材料612被材 料製造商根據訂單直接放在第一容器611中，因此只有必 需量的蒸發材料被提供到發光裝置製造商，相對昂貴的蒸 發材料可被有效使用。此外，第一容器和第二容器可再利 用，相當於減少了成本。 以下將參考圖14說明被運送容器的模式的具體實例。 被分成上部分（621a )和下部分（62 lb )的用於運送的第 二容器包括在第二容器的上部分提供的用於固定第一容器 的固定機構706、用於壓緊固定機構的彈簧7〇5、在第二容 器的下部分提供的用於構成氣體通道以保持第二容器被減 壓的氣體導入埠708、用於固定上部容器（621a)和下部 容器（621b )的〇形環707，以及保持片702。充滿被提 純的蒸發材料的第一容器6 i i被安裝在第二容器中。此外 ，第一容器可用包含不銹鋼的材料形成，第一容器可用含 鈦材料形成。 在材料製造商處，被提純的蒸發材料被塡充在第一容 -36- (33) 1289871 器611中。此外，第二容器的上部分621a和下部分621b藉 由〇形環707相配，上部容器621a和下部容器621b藉由保 持片702固定，且第一容器611被密封在第二容器內。之後 ，藉由氣體導入埠708使第二容器內部減壓並由氮氣取代 ，且第一容器611藉由調節彈簧705被固定機構7〇6固定。 可在第二容器內放置乾燥劑。當第二容器內部以這種方式 保持真空、低壓或氮氣中時，甚至少量的氧或水分都可避 免粘附到蒸發材料。 第一容器611在該狀態下被運送到發光裝置製造商619 並直接被安裝到處理室6 1 3。而後，藉由加熱蒸發材料被 昇華，並且形成蒸發膜616。 其次，參考圖15A和15B以及圖16A和16B說明將被 密封於第二容器運送的第一容器611安裝到膜形成室806的 機構。此外，圖15A和15B以及圖16A和16B表示運送中 的第一容器。 圖15A表示安裝室805的頂視圖，其中包括用於安裝 第一容器或第二容器的底座8 04、蒸發源支架803和用於運 送底座804、蒸發源支架803和第一容器的的運送機構802 ，而圖15B表示安裝室的透視圖。此外，安裝室805被安 排與膜形成室806相鄰，且安裝室的氣氛可藉由氣體導入 埠藉由用於控制氣體的機構控制。此外，本發明的運送機 構不限於如圖15A和15B所示的夾緊第一容器的側面來運 送的結構，而可由夾緊（拾取）第一容器的上部的結構構 成。 -37- (34) 1289871 第二容器在保持片702脫開狀態下被安排到安裝室805 的底座804上。隨後，藉由控制氣體的機構使安裝室805的 內部進入減壓狀態。當安裝室內部的壓力和第二容器內的 壓力彼此相等時，造成一種能夠輕易打開第二容器的狀態 。進一步，去掉第二容器的上部分621a，並藉由運送機構 802將第一容器611安裝在蒸發源支架803中。此外，雖然 未示出，但可適當提供用於放置被去掉的上部分621a的 部分。進一步，蒸發源支架803從安裝室805被移到膜形成 室 806。 而後’藉由蒸發源支架803上提供的加熱機構，蒸發 材料被昇華，並且膜開始形成。在形成膜的過程中，當在 蒸發源支架803處提供的快門（未示出）被打開時，昇華 了的蒸發材料向基底方向擴散並氣相沉積在基底上以形成 發光層（包括電洞傳送層、電洞注入層、電子傳送層和電 子注入層）。 此外，蒸發完成後，蒸發源支架803返回到安裝室805 ，並且安裝在蒸發源支架8 03處的第一容器611藉由運送機 構802被傳送到安裝在底座804的第二容器的下部容器（未 示出），並被上部容器6 2 1 a密封。在此情況下，較佳的 ’弟一^谷益、上部谷窃621a和下部容器被一·個已運送過 容器的組合體密封。在這種狀態下，使安裝室805處於大 氣壓下，並從安裝室取出第二容器，用保持片702固定並 運送到材料製造商618。 其次，將參考圖1 6A和1 6B說明將被第二容器密封運 (35) 1289871 送的多個第一容器安裝到多個蒸發源支架的機構，它不同 於圖1 5 A和1 5 B所示機構。 圖16A表示安裝室905的頂視圖，其中包括用於安裝 第一容器或第二容器的底座904、多個蒸發源支架903、多 個用於運送第一^容器的運送機構902和旋轉底座907，而圖 16B表示安裝室905的透視圖。此外，安裝室905被安排與 膜形成室906相鄰，且安裝室的氣體可被用於藉由氣體導 入埠控制氣體的機構控制。 藉由旋轉底座907和多個運送機構902，可有效完成將 多個第一容器611安裝到多個蒸發源支架903，並將多個第 一容器611從完成膜形成處理的多個蒸發源支架傳送到底 座904的操作。在此情況下，較佳的，將第一容器611安裝 到已被運送的第二容器。 此外，爲了有效運送開始蒸發用蒸發源支架和完成蒸 發的蒸發源支架，可提供具有旋轉功能的旋轉底座907。 此外，旋轉底座907的結構不限於上述結構，只要旋轉底 座907具有向右和上升方向移動的功能，當旋轉底座接近 安排在膜形成室906中的蒸發源支架時，多個第一容器就 可藉由運送機構90 2而提供在蒸發源支架。 根據由上述蒸發系統形成的蒸發膜，雜質可顯著地減 少’且當藉由使用蒸發膜完成發光元件時，可獲得高可靠 性和高亮度。此外，藉由這樣一種多室製造系統，被材料 製造商塡充的容器可被直接安裝到蒸發系統，因此可防止 氧或水分粘附到蒸發材料，進而可解決將來發光元件的超 -39- (36) 1289871 高純度形成之問題。此外，藉由再提純具有剩餘蒸發材料 的容器，可消除材料浪費。另外，第一容器和第二容器可 再利用，可實現低成本形成。 以下將利用下面所示實例更詳細地說明由上述結構構 成的本發明。 實例 此下根據附圖說明本發明的實例。此外，在所有用於 說明實例的說明中，相同的部分用共同符號表示，並且省 略重復的說明。 [實例1] 在本實例中，在具有絕緣表面的基底上形成TFT並 形成EL元件（發光元件）的實例顯示於圖17。本實例中 顯示被連接到圖素部分中的EL元件的一個TFT的橫截面 圖。
在具有絕緣表面的基底200上由絕緣膜如氧化矽膜、 氮化矽膜或氮氧化矽膜的疊層膜形成底絕緣膜20 1。雖然 底絕緣膜20 1在此處使用兩層結構，但它可使用具有單層 或兩層或兩層以上絕緣膜的結構。底絕緣膜的第一層是藉 由電漿CVD使用反應氣體SiH4、NH3和N20形成厚10〜 200nm (較佳的爲50〜100nm )的氮氧化矽膜。此處，形 成厚50nm的氮氧化砂膜（組分比：Si = 32%，0 = 27%， N = 24%和H = 17% )。底絕緣膜的第二層是藉由電漿CVD -40- (37) 1289871 使用反應氣體 SiH4和N2〇形成厚50〜200nm (較佳的爲 100〜15 0nm )的氮氧化矽膜。此處，形成厚l〇〇nm的氮 氧化矽膜（組分比：S i = 3 2 %，Ο = 5 9 %，N = 7 %和 Η = 2 % ) 〇 隨後’在底絕緣膜201上形成半導體層。該半導體層 之形成如下：藉由已知方法（濺射、LPCVD、電漿CVD 等）形成非晶半導體膜，然後，藉由已知結晶化法（雷射 結晶化法 '熱結晶化法或使用催化劑如鎳的熱結晶化法） 使膜結晶化，然後結晶半導體膜被定圖案成所需形狀。該 半導體層形成25〜80nm厚（較佳的爲30〜60nm)。結晶 半導體膜的材料雖然不受限制，較佳的由矽或矽鍺合金形 成。 在藉由雷射結晶化技術形成結晶半導體膜的情況下， 可以使用脈衝振蕩或連續振蕩型準分子雷射器、YAG雷 射器或YV04雷射器。在使用這種雷射器的情況下，較佳 的使用的方法是從雷射振蕩器發射的雷射被光學系統會聚 成線性形狀照射到半導體膜上。結晶化條件由實行本發明 者適當選擇。在使用準分子雷射器的情況下，脈衝振蕩頻 率爲30Hz，雷射能量密度爲1〇〇〜400mJ/cm2 (典型地， 200〜300 mJ/cm2)。同時，在使用YAG雷射器的情況下 ，較佳的使用它的二次諧波，且脈衝振蕩頻率爲1〜10kHz ，雷射能量密度爲300〜600mJ/cm2 (典型地，350〜500 mJ/cm2)。聚焦成寬度爲1〇〇〜ΙΟΟΟμιη，例如400μηι的線 性雷射被照射到整個基底，因此線性雷射光束的重疊比率 -41 - (38) 1289871 可取50〜98%。 然後，半導體層的表面被含氟化氫的鈾刻劑淸洗，以 形成覆蓋半導體層的閘極絕緣膜202。閘極絕緣膜202藉由 使用電漿CVD或濺射，由厚度40〜150nm的含矽絕緣膜 形成。在本實例中，藉由電漿CVD形成厚115nm的氮氧 化矽膜（組分比：Si = 32%，0 = 59%，N = 7% 和 H = 2% )。 當然，閘極絕緣膜202不限於氮氧化矽膜，而可以由含其 他形式矽的單層或絕緣膜的疊層構成。 淸洗閘極絕緣膜202的表面後，形成閘極電極210。 然後，提供P-型的雜質元素（如B)，此處，適量的 硼被添加到半導體以形成源區211和汲區212。添加雜質元 素後，爲了啓動雜質元素，進行加熱、強光輻射或雷射照 射。同時藉由啓動，可以恢復電漿對閘極絕緣膜的損傷或 在閘極絕緣膜和半導體層之間介面的電漿損傷。特別是將 YAG雷射器的二次諧波照射在主表面或背表面，由此在 大氣中於室溫到30(TC啓動雜質元素是非常有效的。YAG 雷射器是較佳的啓動裝置，因爲它較不需要維修。 在隨後的處理中，氫化完成後，形成由有機或無機材 料（例如光敏有機樹脂）製成的絕緣體213a，然後，氮化 鋁膜、表示爲AlNxOy的氮氧化鋁膜，或由氮化矽膜構成 的第一保護膜213b形成。表示爲AlNxOy的膜藉由從進氣 系統引入氧氣、氮氣或稀有氣體，由RF濺射使用A1N或 A1構成的靶形成。AlNxOy膜中的氮含量可在至少幾個 atom%範圍內，或2.5〜47.5atom% ;氧含量在至多 -42- (39) 1289871
47.5atom%範圍內，較佳的小於〇·01〜20 atom%。在其中 形成到達源區211或汲區212的接觸孔。其次’源極電極（ 接線）215和汲極電極214形成，以完成TFT ( p-通道TFT )。該TFT控制提供到Ο LED的電流（有機發光裝置） 〇 而且，本發明不限於本實例的TFT結構，如果需要 ，可以使用在通道區和汲區（或源區）之間具有LDD區 的輕摻雜汲極（LD D )結構。該結構由通道形成區和藉由 添加高濃度雜質元素形成的源區或汲區之間添加低濃度雜 質的區，被稱爲LDD區，形成。此外，它可以採用使 LDD區穿過閘極絕緣膜與閘極電極重疊的所謂的GOLD ( 閘極-汲極重疊LDD )結構。較佳的，閘極電極形成爲疊 層結構並被蝕刻成具有不同的上閘極電極和下閘極電極錐 度角，以使用閘極電極當作掩模，用自對準方式形成 LDD區和GOLD區。 同時，雖然此處用P-通道TFT作說明，不用說亦可 藉由用η-型雜質元素（P、As等）代替p-型雜質元素而 形成n_通道TFT。 儘管在本實例中以頂閘極TFT爲例進行說明，可不 考慮TFT結構而應用本發明。例如，本發明可被應用到 底閘（反向交錯）TFT和正向交錯TFT。 隨後，在圖素部分，與和汲區接觸的連接電極接觸的 第一電極2 1 7被按矩陣形狀排列。第一電極2 i 7當成發光元 件的陽極或陰極。然後，形成覆蓋第一電極217的端部的 -43- (40) 1289871 絕緣體（一般指堤壩、隔板、阻擋物、小丘等）216。對 於絕緣體216，使用光敏有機樹脂。在使用負性光敏丙烯 酸樹脂作絕緣體216的材料的情況下，例如，可較佳的製 備絕緣體2 1 6，即絕緣體2 1 6的上端部有具有第一曲率半徑 曲面，而絕緣體的下端部有具有第二曲率半徑曲面。第一 和第二曲率半徑每個可較佳的在0.2〜3μιη範圍內。此外 ，在圖素部分中形成含有機化合物的層218，然後在其上 形成第二電極219以完成EL元件。該第二電極219作爲EL 元件的陰極或陽極。 覆蓋第一電極217的端部的絕緣體216可由氮化鋁膜、 氧氮化鋁膜或氮化矽膜形成的第二保護膜覆蓋。 例如，圖1 7Β表示了使用正性光敏丙烯酸樹脂作絕緣 體21 6的材料的實例。絕緣體316a只在其上部具有有曲率 半徑的曲面。此外’絕緣體3 1 6 a可被由氮化銘膜、氧氮 化鋁膜或氮化矽膜形成的第二保護膜316b覆蓋。 例如，當第一電極217作爲陽極時，第一電極217的材 料可以是具有大功函數的金屬（即Pt、Cr、W、Ni、Zn、 Sn或In)。這樣的電極217的端部被絕緣體（一般指堤壩 、隔板、阻擋物、小丘等）2 1 6或3 1 6覆蓋，然後，使用實 施例1〜3所示的蒸發系統，沿絕緣體2 1 6或3 1 6移動蒸發源 進行真空蒸發。例如，爲了進行真空蒸發，膜形成室被真 空排氣直到達到5 X 10_3Tori* ( 0.665Pa )或更低的真空度 ，較佳的爲1〇-4〜l(T6Pa。真空蒸發前，藉由電阻加熱使 有機化合物氣化。當快門被打開用於真空蒸發時，氣化的 (41) 1289871 有機化合物擴散到基底上。氣化的有機化合物向上擴散， 然後藉由金屬掩模中形成的開口沉積在基底上。發光層（ 包括電洞傳送層、電洞注入層、電子傳送層和電子注入層 )被形成。 在藉由真空蒸發形成整體發射白光的含有機化合物的 層的情況下，它可以藉由沉積每個發光層形成。例如， Alq3膜、部分摻雜紅發光顔料尼羅紅的Alq3膜、p-EtTAZ 膜和TPD (芳香族二胺）依次層層疊獲得白光。 在使用真空蒸發的情況下，如實施例3所示，由材料 製造商預先在其中儲存了爲真空蒸發材料的EL材料的容 器（典型地，坩堝）被放置在膜形成室中。較佳的，坩堝 避免接觸空氣被放置在膜形成室中。從材料製造商運輸過 來的坩堝在運輸過程中較佳的被密封於第二容器中，並在 此狀態下被引入膜形成室。理想的是具有真空排氣裝置的 室被連接到膜形成室，坩堝在該室中於真空或惰性氣氛中 被從第二容器取出，然後坩渦被放置在膜形成室中。這樣 ，坩堝和儲存於坩堝中的E L材料免於污染。 第二電極219由具有小功函數的金屬（如Li、Mg或 Cs )和該薄膜上的透明導電膜（由銦錫氧化物（ιτο )合 金、銦鋅氧化物合金（In2〇3-ZnO )、氧化鋅（ZnO )等 構成）的疊層結構構成。爲獲得低電阻陰極，可在絕緣體 21 6或3 16上提供輔助電極。這樣獲得的發光元件發射白光 。此處，已經說明了其中藉由真空蒸發形成含有機化合物 的層218的實例。但是，根據本發明，它不限於具體方法 (42) 1289871 ，並且層21 8可使用塗覆法（旋塗法、噴墨法）形成。 在本實例中，雖然說明了沉積由低分子量材料製成的 層作爲有機化合物層的實例，但高分子量和低分子量材料 都可被沉積。 就發光的輻射方向而言，有兩種具有TFT的主動矩 陣發光裝置結構類型。一種結構是發光元件中産生的發光 可經由第二電極被觀察到，且該結構可用上述步驟製造。 另一種結構是發光元件中産生的發光經由第一電極後 被觀察者觀察到，較佳的，第一電極217用半透明材料製 備。例如，當第一電極21 7作爲陽極提供時，透明導電膜 (由銦錫氧化物（ITO )合金、銦鋅氧化物合金（Ιη203-ZnO)、氧化鋅（ZnO )等構成）被用作第一電極217的材 料，且其端部被絕緣體（一般稱爲堤壩、隔板、阻擋物、 小丘等）216覆蓋，隨後形成含有機化合物的層218。此外 ，在該層上，作爲陰極形成由金屬膜（即MgAg、Mgln、 AlLi、CaF2、CaN等合金，或藉由屬於元素周期表I和Π 族的元素和鋁共同真空蒸發形成的膜）構成的第二電極 219。此處，使用真空蒸發的電阻加熱法用於形成陰極， 從而可用真空蒸發掩模選擇性形成陰極。 藉由上述步驟形成第二電極2 1 9後，使用密封材料層 疊密封基底以將基底200上形成的發光元件封閉。 此處，參考圖18Α和18Β說明主動矩陣型發光裝置的 外觀圖。進一步，圖18A是表示發光裝置的頂視圖，而圖 18B是沿A-A’線切割圖18A得到的截面圖。在基底1110 (43) 1289871 上形成了源極訊號側驅動電路1101、圖素部分1102和閘極 訊號線驅動電路1103。被密封基底1104、密封材料1105和 基底1110包圍的內側構成空間1107。 此外，用於傳送輸入到源極訊號側驅動電路1101和閘 極訊號側驅動電路1103的接線11 08從用於構成外部輸入端 的FPC (柔性印刷電路）1109接收視頻訊號或時鐘訊號。 雖然此處只表示出FPC，但FPC可附於印刷接線板（PWB )。本說明書的發光裝置不僅包括發光裝置的主體，也包 括其上附加FPC或PWB的狀態。 其次，將參考圖18B說明截面結構。在基底1110上形 成驅動器電路和圖素部分，且此處表示出作爲驅動電路的 源訊號線驅動電路1101和圖素部分1102。 此外，源訊號線驅動電路1101由CMOS電路結合n-通道型TFT 1123和p-通道型TFT 1124形成。此外，用於 形成驅動器電路的TFT可由公知的CMOS電路、PMOS電 路或NMOS電路形成。此外，雖然根據本實例，表示出由 基底上的驅動器電路形成的整合型驅動器，但整合型驅動 器不是必需的，而且驅動器電路可不在基底上而在基底外 形成。 此外，圖素部分1102由多個圖素組成，每個圖素包括 開關TFT 1111、電流控制TFT 1112和電連接到電流控制 TFT 1112的汲極的第一電極（陽極）1113。 此外，在第一電極（陽極）1113兩端形成絕緣層1114 ，並且在第一電極（陽極）1113上形成有機化合物層1115 (44) 1289871 。有機化合物層1115藉由使用實施例1和2所示設備，沿絕 緣膜1114移動蒸發源而形成。此外，在有機化合物層1115 上形成第二電極（陰極）1116。結果包含第一電極（陽極 )1112、有機化合物層1115和第二電極（陰極）1116的發 光元件1118被形成。此處，發光元件1118表示發白光的實 例，並因此配備包含成色層1131和遮光層1132 (爲簡化起 見，外塗層此處未示出）的濾色器的實例。 在圖19A〜19C中，濾色器在密封基底1104的側面形 成，由於它是一種從發光元件發射的光經由第二電極被觀 察到的結構，但是，在從發光元件發射的光經由第一電極 被觀察到的結構的情況下，濾色器在基底1110的側面形成 〇 第二電極（陰極）1116也用作被所有圖素共用的接線 ，並藉由連接接線1108被電連接到FPC 1109。第三電極（ 輔助電極）1117在絕緣層1114上形成以實現使第二電極具 有低電阻。 此外，爲了封閉在基底1110上形成的發光元件1118， 密封基底1104藉由密封材料1105被粘接。可提供由樹脂膜 構成的襯墊以確保密封基底1104和發光元件1118之間的間 距。密封材料1105的內側上的空間1107充滿惰性氣體或氮 氣等。密封材料1105較佳的使用環氧類樹脂。此外，密封 材料1 1 05較佳的爲盡可能少滲水或滲氧的材料。此外，空 間1107的內部可包含具有吸收氧或水分效果的物質。 此外，根據本實例，作爲構成密封基底1104的材料， 1289871 (45) 除玻璃基底或石英基底外，可使用含FRP (玻璃纖維強化 塑膠）、PVF (聚氟乙烯）、Mylar、聚酯或丙烯酸樹脂 的塑膠基底。再者，可以使用密封材料H05粘接密封基底 1 1 04，之後藉由密封材料密封覆蓋側面（暴露面）。 藉由如上所述封閉發光元件，可使發光元件與外界徹 底隔絕，並且可防止加速有機化合物層退化的物質如水分 或氧從外面侵入。因此，可提供高可靠性的發射裝置。 此外，本實例可與實施例1〜4任意結合。 [實例2] 作爲使用根據本發明製造的發光裝置的電子裝置的實 例如：視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器（頭置顯示 器）、導航系統、音頻再生裝置（如汽車音響和音頻元件 )、膝上型電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端（如移動電腦 '行動電話、攜帶型遊戲機和電子書），以及裝有記錄媒 體的影像再生裝置（具體地，帶有能再生記錄媒體，如數 位通用光碟（DVD )中的資料的顯示裝置的裝置以顯示資 料的影像）。寬視角對於攜帶型資訊終端是特別重要的， 因爲它們的螢幕在觀看時通常是傾斜的。因此攜帶型資訊 終端較佳的採用使用發光元件的發光裝置。這些電子裝置 的具體實例顯示於圖20 A〜20H。 圖20A表示一種發光裝置，其中包括外殻2001、支持 座2002、顯示單元2003、揚聲器單元2004、視頻輸入端 2005等。根據本發明製造的發光裝置可被應用到顯示單元 -49- (46) 1289871 2003。此外，圖20A中所示的發光裝置可藉由本發明完成 。由於具有發光元件的發光裝置是自發光型，該裝置不需 要背光並且能製造比液晶顯示裝置更薄的顯示單元。發光 裝置指用於顯示資訊的所有發光裝置，包括用於個人電腦 的、用於TV廣播接收的和用於廣告的顯示裝置。 圖20B表示數位靜態相機，它包括主體2101、顯示單 元2102、影像接收單元2103、操作鍵2104、外部連接璋 2105、快門2106等。根據本發明製造的發光裝置可被應用 到顯示單元2102。圖16B所示的數位相機可藉由本發明完 成。 圖20C表示膝上型電腦，它包括主體2201、外殻2202 、顯示單元2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、指標滑鼠 2206等。根據本發明製造的發光裝置可被應用到顯示單元 2203。圖20C所示的膝上型電腦可藉由本發明完成。 圖20D表示移動電腦，它包括主體230 1、顯示單元 2302、開關2303、操作鍵2304、紅外線埠2305等。根據本 發明製造的發光裝置可被應用到顯示單元2302。圖20D所 示的移動電腦可藉由本發明完成。 圖20E表示帶有記錄媒體的攜帶型影像再生裝置（具 體地是DVD播放器）。該裝置包括主體2401、外殼2402 、顯示單元A2403、顯示單元B2404、記錄媒體（DVD等 )讀取單元24〇5、操作鍵24〇6、揚聲器單元2407等。顯示 單元A2403主要顯示影像資訊，而顯示部分B2404主要顯 示文字資訊。根據本發明製造的發光裝置可被應用到顯示 -50- (47) 1289871 單元A2403和B2404。帶有記錄媒體的影像再生裝置也包 括家用視頻遊戲機。圖20E所示的DVD播放器可藉由本 發明完成。 圖20F表示護目鏡型顯示器（頭置顯示器），它包括 主體2501、顯示單元2502和鏡臂單元2503。根據本發明製 造的發光裝置可被應用到顯示單元2502。圖20F所示的護 目鏡型顯示器可藉由本發明完成。 ‘ 圖20G表示視頻相機，它包括主體2601、顯示單元 2602、外殼2603、外部連接埠2604、遙控接收單元2605、 影像接收單元2606、電池2607、聲音輸入單元2608、操作 鍵260 9等。根據本發明製造的發光裝置可被應用到顯示單 元2602。圖20G所示的視頻相機可藉由本發明完成。 圖20H表示行動電話，它包括主體2701、外殼2702、 顯示單元2703、聲音輸入單元2704、聲音輸出單元2705、 操作鍵2706、外部連接璋2707、天線2708等。根據本發明 製造的發光裝置可被應用到顯示單元2703。如果顯示單元 2703在黑色背景上顯示白色文字，則行動電話耗電量少。 圖20H所示的行動電話可藉由本發明完成。 如果將來發光材料的更亮亮度成爲可行的，則藉由用 透鏡等放大包含影像資訊的輸出光並投射光，發光裝置可 被用於前投影儀或後投影儀。 這些電子裝置現在用不斷增加的頻率顯示藉由電子通 信線路如網際網路和CATV (有線電視）發送的資訊，特 別是動畫資訊。由於發光材料具有非常快的回應速度，此 (48) 1289871 發光裝置適合用於動態影像。 根據本發明，可提供一種包含多個用於進行蒸發技術 的膜形成室的製造裝置，膜形成室排成一排。因此，膜形 成技術在多個膜形成室中大致平行進行，由此可提高發光 裝置的生産量並減少每個基底的處理時間。 此外，根據本發明，儘管基底的處理數量被略微減少 ，但可以在不暫停生產線的情況下對一個或多個膜形成室 進行維護。 【圖式簡單說明】 在附圖中： 圖1表示根據本發明的實施例1的製造裝置的實例； 圖2A和2B分別表示用於根據實施例1的製造裝置的 順序的實例； 圖3表示根據實施例1的用於基底的傳送路徑的實例； 圖4表示用於根據實施例1的製造裝置的順序的另一個 實例； 圖5表示根據實施例1用於基底的傳送路徑的實例； 圖6 A和6 B表示用於根據實施例1的製造裝置的順序 的另一個實例； 圖7表示根據實施例1用於兩個基底的傳送路徑的實例 圖8A〜8C表示根據本發明的實施例2的蒸發裝置； 圖9A和9B表示根據本發明的實施例2的蒸發裝置； (49) 1289871 IBIOA和10B表示根據本發明的實施例3的容器的實 例； 圖11A和11B表示根據本發明的實施例3的容器的其 他實例； 圖12A和12B表示根據本發明的實施例3的蒸發源的 支架的實例； 圖13表示根據本發明的實施例4的製造系統； 圖14表示根據本發明的實施例*的傳送容器； 圖15A和15B表示根據本發明的實施例4的蒸發裝置 ， 圖16A和16B表示根據本發明的實施例4的蒸發裝置 ， 圖17A和17B表示根據本發明的實例1的發光裝置； 圖18A和18B表示根據本發明的實例1的發光裝置； 圖19A〜19C表示根據本發明的實例1的發光裝置； Η 20A〜20H分別表示使用本發明的電子裝置的實例 圖21表示根據本發明的實施例1的製造裝置的另一個 實例；和 圖22表示習知的蒸發裝置。 [圖號說明] 100a，100s ^ pg 119 取出室 (50) 1289871 104a,102,114,118 轉移 15,107 交接 101 預備 106A 第一 106B 第二 106C 第三 106D 第四 109a,109b,113a,113b 膜形 120a,120b 處理 126A,126B ， 126C，126D 安置 103a,103b 預處 116a 第一 116b 第二 130a 第一 130b 第二 120a,120b 盒室 121 托盤 122 淸潔 1003 塗覆 1013 掩模 1019a,1019b 取出 11 膜形 12 基底 13 基底 室 室 · 室 膜形成室 膜形成室 膜形成室 膜形成室 成室 φ 室 室 理室 密封室 密封室 儲備室 儲備室 放置台 室 室 儲備室 _ 室 - 成室 支架 -54- 蒸渡掩模 蒸渡快門 蒸渡源支架 蒸發材料 蒸渡的蒸渡材料 高頻電源 蒸鍍材料 加熱機構 蒸鍍源支架 過濾器 快門 電源 容器 蒸鍍材料 第一加熱機構 第二加熱機構 平板 快門 電源 電源 加熱機構 容器 蒸鍍源支架 加熱機構 -55- (52)1289871 413,415 容器 501 容器 502 蒸鍍源支架 503 快門 511 容器 512 蒸鍍源支架 5 13 快門 618 材料製造商 619 發光裝置製造商 610 訂單 611 第一容器 612 蒸鍍材料 621a,621b 第二容器 613 可抽真空的處理室 614 加熱機構 615 被沈積物體 616 蒸鍍膜 812 蒸鍍材料 705 彈簧 706 固定機構 707 〇形環 708 氣體導入埠 702 保持件 802 運送機構 -56 蒸鍍源支架 底座 安裝室 膜形成室 運送機構 蒸鍍源支架 底座 安裝室 膜形成室 旋轉底座 基底 底絕緣膜 閘極絕緣膜 閘極電極 源區 汲區 絕緣體 第一保護膜 汲極電極 源極電極 絕緣體 第一電極 層 第二電極 -57- 絕緣體 第二保護膜 源極訊號側驅動電路 圖素部份 閘極訊號側驅動電路 密封基底 密封材料 空間 基底 接線
FPC
η通道型TFT P通道型TFT 開關TFT 電流控制TFT 第一電極 絕緣層 有機化合物層 第二電極 發光元件 成色層 遮光層 外殼 支持座 -58- (55)1289871
2003 顯示單元 2004 揚聲器單元 2005 視頻輸入端 2102 主體 2102 顯示單元 2103 影像接收單元 2104 操作鍵 2105 外部連接埠 2106 快門 2201 主體 2202 外殼 2203 顯示單元 2204 鍵盤 2205 外部連接埠 2206 指標滑鼠 2301 主體 2302 顯示單元 2303 開關 2304 操作鍵 2305 紅外線埠 2401 主體 2402 外殼 2403 顯示單元A 2404 顯示單元B -59 (56) 1289871 2405 記 錄 媒 體 讀 取單元 2406 操 作 鍵 2407 揚 聲 器 單 元 2501 主 體 2502 顯 示 單 元 2503 鏡 臂 單 元 2601 主 體 2602 顯 示 單 元 2603 外 殼 2604 外 部 連 接 埠 2605 遙 控 接 收 單 元 2606 影 像 接 收 單 元 2607 電 池 2608 音 頻 輸 入 單 元 2609 操 作 鍵 2701 主 體 2702 外 殼 2703 顯 示 單 元 2705 頻 輸 入 單 元 2706 音 頻 輸 出 單 元 2707 操 作 鍵 2708 天 線

Claims (1)

1289871 ⑴ Ύ\( X ^ "· ： ^ 拾、申請專利範圍 _—— 乂,」:」 第921 1 35 1 5號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年3月20日修正 1· 一種多室製造裝置，包含： 一裝載室； 連接到裝載室的轉移室；和 連接到轉移室的多個膜形成室， 其中各個膜形成室各自連接到一真空排氣處理室，以 設定各個膜形成室內部壓力獨立於其它膜形成室內部壓力 其中各個膜形成室包括用於將掩模和基底進行位置對 準的對準機構、蒸發源、和用於加熱蒸發源的加熱機構， 其中加熱機構包括第一加熱機構和第二加熱機構，其 中在第一加熱機構和第二加熱機構之間提供快門，和 其中在多個膜形成室的至少兩個中，對裝入各個膜形 成室中的基底的表面進行平行蒸發。 2. —種多室製造裝置，包含： 一裝載室； 連接到裝載室的轉移室； 連接到轉移室的多個膜形成室；和 多個密封室， 其中各個膜形成室各自連接到一真空排氣處理室，以 設定各個膜形成室內部壓力獨立於其它膜形成室內部壓力 煩«委員^7::9本.##^^.-.^^後^原嚷«内容 1289871 (2) 其中各個膜形成室包括用於將掩模和基底進行位置對 準的對準機構、蒸發源支架，安裝在蒸發源支架上的容器 ’在容器內側的過濾器、和用於加熱蒸發源的加熱機構， ， 其中在多個膜形成室的至少兩個中，對裝入各個膜形 . 成室中的基底的表面進行平行蒸發，和 其中各個基底被指定至一密封室以在其中被密封。 3. —種多室製造裝置，包含： φ 一裝載室； 連接到裝載室的轉移室；和 連接到轉移室的多個膜形成室， 其中各個膜形成室各自連接到一真空排氣處理室，以 設定各個膜形成室內部壓力獨立於其它膜形成室內部壓力 其中多個膜形成室的每一個包括用於將掩模和基底進 行位置對準的對準機構、蒸發源支架，安裝在蒸發源支架 · 上的容器，在容器內側的過濾器、和用於加熱蒸發源的加 熱機構，和 其中在多個膜形成室的至少兩個中，對裝入各個膜形 成室中的基底的表面進行平行蒸發，並且在多個膜形成室 ^ 中至少一個中，該膜形成室的內部進行清洗。 4·如申請專利範圍第1至3中任一項的多室製造裝置， 其中在多個膜形成室的至少兩個中，平行進行含相同有機 化合物的層的蒸發處理。 -2 - 1289871 (3) 5. —種多室製造裝置，包含： 一裝載室； 連接到裝載室的轉移室；和 連接到轉移室的多個膜形成室， ▲ 其中各個膜形成室各 >自連接到一真空排氣處理室，以 . 設定各個膜形成室內部壓力獨立於其它膜形成室內部壓力 其中各個膜形成室包括用於將掩模和基底進行位置對 肇 準的對準機構、蒸發源、和用於加熱蒸發源的機構， 其中加熱機構包括第一加熱機構和第二加熱機構，其 中在第一加熱機構和第二加熱機構之間提供快門，和 其中被裝入裝載室的多個基底在轉移室被分別分配給 多個膜形成室中的一個而被裝入其中，並且每個基底沿其 編號與膜形成室編號相同的不同的路徑之一進行處理。 6. —種藉由使用一蒸發系統製造發光裝置的方法，該 蒸發系統包括多個用於形成有機化合物層的膜的第一沉積 · 室和多個用於形成導電膜的第二沉積室，該方法包含的步 驟有： 在多個第一沉積室平行形成有機化合物層； 藉由使用運送機構，在不暴露大氣的情況下，將有機 化合物層從第一沉積室移動到第二沉積室；和 在第二沉積室中，與有機化合物層接觸形成導電膜。 7·—種藉由使用一蒸發系統製造發光裝置的方法，該 蒸發系統包括用於在基底上形成有機化合物層的膜的第一 -3- 1289871 (4) 到第四沉積室，用於形成導電膜的第五沉積室，用於形成 保護膜的第六沉積室，以及用於將基底和密封基底粘接在 •-起的第七沉積室，該方法包含的步驟有： 在第一到第四沉積室中在基底上同時形成有機化合物 - 層，並在不暴露大氣的情況下將基底從第一到第四沉積室 . 中的任意一個移動到第五沉積室；和 在第五沉積室中，在有機化合物層上形成導電膜； 在不暴露大氣的情況下將基底從第五沉積室移動到第 · 六沉積室； 在第六沉積室中，在導電膜上形成保護膜； 在不暴露大氣的情況下將基底從第六沉積室移動到第 七沉積室；和 在第七沉積室中，用密封件將基底和密封基底粘接在 一起。 8.—種多室製造裝置，包含： —裝載室； · 連接到裝載室的轉移室； 連接到轉移室的多個膜形成室， 其中各個膜形成室包括用於將掩模和基底進行位置對 準的對準機構，和用以加熱蒸發源的加熱機構， ^ 其中該加熱機構包括第一加熱機構和第二加熱機構， 其中在第一加熱機構和第二加熱機構間提供快門，和 其中在多個膜形成室的至少兩個中，對裝入各個膜形 成室中的基底的表面進行平行蒸發。 -4- (5) . 1289871 9. 一種多室製造裝置，包含： 一裝載室； 連接到裝載室的轉移室； 用以退火一基底的預處理室； - 連接到轉移室的多個膜形成室；和 . 多個密封室， 其中各個膜形成室包括用於將掩模和基底進行位置對 準的對準機構，蒸發源支架，安裝在蒸發源支架上的容器 鲁 ，在容器內側的過濾器，和用以加熱蒸發源的加熱機構， 其中在多個膜形成室的至少兩個中，對裝入各個膜形 成室中的基底的表面進行平行蒸發，和 其中各個基底被指定至一密封室以受到密封。 10·如申請專利範圍第3項的多室製造裝置，其中藉由 使用包括一或多種氣體的電漿或選自以Ar、H、F、NF3、 和〇所組成之群元素以進行清洗。 11· 一種多室製造裝置，包含： _ 第一轉移室，其連接至裝載室和第一組多個膜形成室 9 第二轉移室，其連接至第二組多個膜形成室；和 第三轉移室，其連接至多個處理室，至多個密封室， 和至取出室， 其中第二轉移室連接至第一轉移室和第三轉移室， 其中第一組多個膜形成室包含蒸發室，和 其中第二組多個膜形成室包含濺鑛室或CVD室。 -5- 1289871 • ' 第92113515號專利申請案 中文圖式修正頁民國96年1月22日呈 游I 748826 /3〇 a
I30b /26£) IZU /3/^ /3/b 第1圖 1289871
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