TWI261152B - Resist stripping agent and process of producing semiconductor devices using the same - Google Patents

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1261152 Α7 Β7 五、發明說明（π ί::謹明關扩_ :癒，於導體製_或ΐ $ _發積體 電？μ貌靡晶顯7 II ;:::才導裝置j κ戎電極_之光阻剝 +雜P :·/ &關r 種使甲光_剌離_製造，導· 先前技藝詳细說明 带於.半導體積體電路或液晶顯：〒器之半導體裝置，-般_言其像業已藉由如下之步驟而製得：即塗覆具有光 阻組成物之無機基材，將該光阻膜曝露於光下而圖形化 並接著顯影，利用經圖形化之光阻膜作為光罩來蝕刻該 無機基材之經曝露部分以形成瞬間電路（Minute Oi「cuits) ，Μ及從無機基材移除該光姐膜。或者，在形成瞬間電 路之後，將該光阻膜予以灰化並將該所殘留之光阻殘餘 物從無機基材移除。 日本專利公開號數6 2 - 4 9 3 5 5，6 2 - 9 5 5 3 1及5 - 2 7 3 7 6 8均 揭示藉由無水之無機含胺之剝離劑來移除光姐膜和光阻 殘餘物：然而，其所建議之無機含胺之剝離劑，對經蝕 刻後之光阻膜和經蝕刻和灰化後之光阻殘餘物而言，係 控有 格具 嚴求 更需 要而 需轉 在得 用使 應此 泛， 廣上 的造 漸製 漸置 已裝 : ， 體 力法導 能方坐.. 除密之 移精件 的之條 質來刻 劣近蝕 具制 ! la |~ —9 ί ϋ 8> -IB Β— - 1 n n n I ϋ f _r 一-°4I n n I ϋ n ϋ 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 法雜被 方複已 密有業 精具， 該像劑 .y f 旦物剝 亦餘之 ◊ 殘胺 膜阻含 阻光機 光之無 之得之 面面議 表it建 度灰所 硬漿等 高電咹 較和 中 勺 ήρ 發 刻成於 蝕組對 由學其 經ib現 ^ 膜 <示 乍 -f rl 殘 體 祖下氣 光況刻 較餘和 罠殘料 ,光m 贤 4 MK f 型衬 的壁機 甩1!_ 效之種 z 胺 t 機 無 的 離

移 A·.: 4xrJ JTJ 物形聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1261152 B7 五、發明說明（） 曰本專利公開號數6 4 - 8 1 ίΗ 9 , 6 4 ·，8 1 9 5 0 5 6 - 2 β R 1 1 9揭 〒含胺烷醇之水性剝離劑：然而；該等含瞭烷醇之水性 剝離麵，對於I述光__和光®殘餘物仍然不具充分的 移除能勺_ 用於f導體電路或液晶顯示器之半導體装置期基材（ 最近係經由無機材料而製得的：因此9需要開出耐此類 無材料的腐蝕作用之光姐剝離劑試劑， 本發明之一般目標，係在於解決上述先前技藝光阻剝 離劑之問題。 本發明之另一個目標，係在於提供一種光阻剝離劑， 其係於低溫下，在短時間內可輕易的移除塗覆於無機基 材上之光阻膜，但不會損及該由各種不同的無機材料所 製成之無機基材，並因此而確保製造出高精密電路。 本發明之又另一個目標，係在於提供一種光阻剝離劑 ,其係於低溫下，在短時間内可輕易的移除在蝕刻後所 遺留在無機基材上之光阻膜，但不會損及該由各種不同 的無機材料所製成之無機基材，並因此而確保可製得高 精密電路。 本發明之再另一個目標，係在於提供一種光胆剝離劑 ,其係於低溫下，在短時間內可輕易的移除在經蝕刻及 接著灰化後所遺留在無機基材上之光阻膜，但不會損及 該由各種不同的無機材料所製成之無機基材.並因此而 確保可製得高精密電路： 本發明之進一步目標，係在於提供一種利用該光姐剝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Ha OMmmme gl flu —i 3βν -ϋ ϋ· 8Bi i I i L.---*--訂--------s --------- 1261152 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（：；） 離劑來製造半導體裝置之方法。 發明槪述 鑑於前逑之目歷經廣泛之研究结果，本發明業已 發現一種包括醇胺（剝離性醇胺）之光阻剝離劑，其係可 輕易的而且迅速的移除經圖樣之光阻膜、和在經蝕刻後 所遺留之光阻殘餘物 Μ及在經蝕刻再灰化後所遺留之 光阻殘餘物，但不會損及該由各種不同的無機材料所製 成之無機基材，並因此而確保可製得高精密電路。基於 此等發規而業已達成本發明。 如斯之故，本發明係提供： (Α) 一種包括剝離性醇胺之光阻剝試劑，於剝離性醇胺 分子中係具有Μ如下式（I )所示之至少一個官能基： R1

\ I /Ν—C—OH (I) / Ρ 其中，R 1及R 2係個別為氫原子，C i -C 8烷基或 C丄-C 8烯基； (B ) —種製造半導體裝置之方法#其包括藉由該光阻剝 離劑來移除光姐膜之及或在經蝕刻後所遣留之光阻 殘餘物步驟；和 (C ) -種製造半導體裝置之方法，其包括藉由該光阻剝 離劑來移除光姐膜之及或在經蝕刻再灰化後所遺留 之光阻殘餘物步驟。 圖式簡要說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —,—.——** 丨訂—------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1261152 A7 B7I五、發明說明（{) 第]圖像橫斷面圖：其顯示具有經利用光砠膜作為光 罩而乾式_刻所形成的鋁〖/U ·· C U、電路圖樣之半導體裝 詈. 第2圖係橫斷面圖，其顯示使第1圖之半導體裝置W 氧等離子灰ib而移除光阻膜後之半導體裝置。 第3圖係橫斷面圖，其顯示具有利用光姐膜作為光罩 ，經Μ銨緦（IV )硝酸鹽溶液之濕式蝕刻所形成之鉻（C r ) 電路圖樣之液晶顯示裝置· 本發明詳细說明 本發明所使用之特定的光阻剝離性醇胺，係其分子中 至少一個官能基係如下式（I )所示： R1 C-OH (I) R2 其中，R 1及R 2係個別為氫原子，C丄- C 8烷基或C ! - C 3 烯基。較佳之Μ式『I )所示之官能基係為 ^H-CH 2 OH 和、''N-CHOH / 〆 I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

羥基 N-乙 ,羥 胺- X 基U 甲i 基 ， 甲胺 羥基 4甲 : 如基 為例甲 例：羥 實胺二 2醇 N 胺族 Μ 醇脂 1 性性胺 離雛基 剝剝甲 亥 ο -In /I.V Η 胺 基 甲 基 甲 羥基 Ν乙 ，羥 胺- a 基 ，-'一 一 ,一 Nj Ν 基基 . 乙甲胺 羥羥基 X ,基 N胺甲 ,基羥 胺ffl二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 二 基 甲 基 甲 基 Η 乙 羥胺L S Γ Nj 胺 基 乙 羥 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（：） 乙基）一乙基胺> N , N ····:二1 -羥乙基）乙基胺，N -羥 甲基丙基胺^ N -羥甲基二丙基胺，N $ N -二羥甲基丙 基胺，^ h X ··輕Z基）丙基胺，N σ -羥乙基丨二丙基 胺U -(二1 ‘羥乙基）丙基胺，Ν -羥甲基丁基胺， Ν -羥甲基二丁基胺：Ν，Ν -二羥甲基丁基胺，(α~羥 乙基）丁基胺，Ν - ( σ…羥乙基）二丁基胺，Ν , Ν -(二-α -羥乙基）丁基胺s Ν羥甲基戊基胺，Ν -羥甲基二戊基 胺，N，N -二羥甲基戊基胺，N ~ ( α——羥乙基）戊基胺， Ν -羥甲基己基胺，Ν -羥甲基二己基胺，Ν，Ν -二羥甲 基己基胺，Ν-(α_羥乙基）己基胺，Ν -羥甲基庚基胺， Ν-羥甲基二庚基胺，Ν,Ν -二羥甲基庚基胺，Ν -羥甲基 辛基胺，羥甲基二辛基胺，Ν，Ν -二羥甲基岳荐胺， Ν -（ α -羥乙基）辛基胺，Ν -羥甲基甲基乙基胺，Ν - ( α -羥乙基）甲基乙基胺，Ν -羥甲基甲基丙基胺，Ν - ( α -· 羥乙基）甲基丙基胺，Ν -羥甲基甲基丁基胺，Ν - ( d -羥乙基）甲基丁基胺，N -羥甲基甲基戊基胺，N - ( α -羥乙基）甲基戊基胺，Ν -羥甲基甲基乙基丁基胺，Ν -(ex -羥乙基）乙基丁基胺，Ν -羥甲基乙醇胺（C A S Ν 〇 · 6 5 1 8 4 ™ 1 2 - 5 )， Ν » ( α -羥乙基）乙醇胺，Ν , N -二羥甲基 乙醇胺，Ν，Ν -(二™ σ -羥乙基）二乙醇胺，Ν -羥甲基-Ν -甲基乙醇胺，N ™ ( d ~羥乙基）-Ν -甲基乙胺胺，Ν -羥 頌基+丙基乙醇胺，U 〇(羥乙基-丙基乙醇胺， N -羥甲基-N - 丁基乙醇胺，Η - ( α -羥乙基）-N - 丁基乙 醇胺 > 〖1-羥甲基異丙醇胺（CAS Νο.76733 - 35-2), Ν - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） n i is a— —i n Is n -«1 ϋ · R^i n mml· ϋ ·ϋ 一 口V I n I- .^1 ϋ I ϋ 1 ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A/ B7五、發明說明（^ ) fa 羥乙基）異丙醇胺、N J〜二羥甲基異丙醇胺，N , N Γ - .，σ —羥乙基）異丙醇胺，N -羥甲基二異丙醇胺、 Μ -H羥乙基1異丙醇胺，N -羥甲基N -乙基異丙醇胺 ,Ν - ( α -羥乙基》〜Ν -乙基異丙醇胺，.Ν -羥甲基-Ν -丙 基異丙醇胺，Ν - ( σ ~羥乙基）~ Ν -丙基異丙醇胺，Ν -羥 甲基-Ν ~ 丁基異丙醇胺，Ν - ( -羥乙基）〜Ν _ 丁基異丙 醇胺：Ν ·羥甲基胺乙氧乙醇 Ν Μσ-羥乙基）胺乙氧 乙醇，Ν，Ν -二羥甲基胺乙氧乙醇，Ν，Ν -(二-α -羥乙 基）胺乙氧乙醇、Ν -羥甲基胺_ 2 -甲基丙醇、Ν - ( α -羥 乙基）胺-2-甲基丙醇，Ν,Ν_二羥甲基胺-2-甲基丙醇， Κ及Ν , Ν -（二-α -羥乙基）胺-2 -甲基丙醇； 脂族醇聚胺，例如Ν -羥甲基伸乙基二胺（C A S Ν 〇 · 4 1 4 3 4 - 2 4 - 6 )，N - ( α -羥乙基）伸乙基二胺，N , N -二羥 甲基伸乙基二胺（C A S Ν 〇 . 7 0 4 9 5 - 3 8 - 4 ), Ν -羥甲基伸 丁基二胺（C A S H 〇 . 6 6 2 1 0 - 8 3 _ 1 ) , N -羥甲基伸丙基二 胺（C A S N 〇 . 6 6 2 1 0 - 8 2 ~ 0 ) . N , N ^ 二羥甲基伸丁 基二胺 ,N , N -二羥甲基伸丁基二胺，N，N，N ’ -三羥甲基伸丁 基二胺，N , N , N f，N5 -四羥甲基伸丁基二胺，N，N ’ -二 羥甲基伸丙基二胺，N，N -二羥甲基伸丙基二胺，N , N， N ’ -三羥甲基伸丙基二胺，N , N , N ’，N ’ -四羥甲基伸丙 基二胺，N , N -(二_ σ »羥乙基）伸乙基二胺、HN’ -二羥甲基伸乙基二胺，H N ^ (三…ϊ -羥乙基）伸乙 馨二胺，N U Ί -四羥甲基伸乙基二胺，H 、 Η i四1 _羥乙基）伸乙基二胺，N -羥甲基-甲基伸 **' 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —"i 訂---------

ϋ LI n I ί ϋ n I n I

--ϋ I 3—i ϋ an ii n B··· el n I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（） 胺 二 基 乙 基 甲 經 胺 二 基 乙 伸 基 甲 胺 二 基 乙 伸 基 甲 ί Ν ί 基 甲 羥 基 甲 羥 ! α Ν 胺 二 基 乙 伸 基 甲 乙 伸 基 甲 ~ Ν 基 甲 羥 三 胺二 基 基 甲 羥 胺 二 基 乙 伸 基 乙 基 甲 羥 胺 二 基 乙 伸 基 乙 羥 1 α 基 甲 胺 二 基 乙 伸 基 甲 二 基 甲 羥 胺 二 基 乙 伸 基 乙 三 基 甲 羥 乙 三 胺二 基 乙 伸 基 胺二 基 乙 伸 基 乙 I Ν I 基 甲 羥 胺二 基 乙 伸 基 乙 I Ν I 基 甲 羥二 基 甲 羥 三 胺二 基 乙 伸 基 甲 基 甲 羥 胺二 基 乙 伸 基 乙 基 甲 羥二 胺二 基 乙 伸 基 乙 甲 羥 基胺 胺二 基 乙 伸 基 乙 三 胺二 基 丙 伸 基 甲 羥 二 基 丙 伸 基 甲 羥 伸 基 甲 羥 三 胺二 基 丙 胺二 基 丙 伸 基 甲 羥 四 甲 羥 伸 基 胺二 基 伸 基 甲 羥 基 胺 胺二 基 丁 伸 基 甲 羥 三 伸 基 甲 羥 四 基 胺 胺 三 基 乙 伸二 基 甲 羥 乙 伸二 基 甲 羥 —--------：——^丨訂---------^_^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 胺 基 丙 烯 ; 基 胺甲 二羥 乙 Ν 三如 基例 甲 ： 羥胺 Ν 醇 和族 旨 胺和 三飽 基未 ⑵ 胺 基 丙 烯二 基 基甲 甲羥 羥N- I α , ( 胺 Ν-基 ，丙 胺烯 基丨 丙 烯 基 甲 基 甲 羥 胺基 醇甲 環羥 性 N T離、 基剝咯 和 胺 基 丙 烯 基 甲 基 甲 羥 胺 基 丙 烯 羥二 甲 羥 例 咯 基 甲 LTU 叶 I } Ν •，基 、 胺甲咯 基羥吡 丙™基 α 烯 ί 甲 基4二 乙、- Ν-略 - lift 基 甲 羥 基 甲 羥 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7____ 五、發明說明（^ ) 羥甲基-三甲基吡咯、N ~羥甲基™甲基吡咯、N - ( α:-羥 甲基）吡啶 Ν -羥甲基-甲基吡啶、Ν -羥甲基-二甲基 叶t啶.Ν -羥甲基咪唑 Ν -羥甲基三唑、Ν -羥甲基四唑 N -羥甲基哌啶、N -羥甲基2 ™甲基哌啶、N -羥甲基2 , 6 -二甲基哌啶、N -羥甲基哌阱、N - ( α -羥甲基）哌阱 、Ν -羥甲基甲基哌哄、Ν -羥甲基嗎啉及和Ν ™ ( α ~羥甲 基）嗎咐；和 ⑷脂族醇乙醚胺：例如Ν -羥甲基甲氧乙基胺、Ν - ( α -羥 甲基）甲氧乙基胺、H,N-二羥甲基甲氧乙基胺、Ν-羥 甲基甲氧丙基胺、Ν,Ν-二羥甲基甲氧丙基胺、N-羥甲 基乙氧乙基胺、Ν-(α-羥甲基）乙氧乙基胺、Ν,Ν-二 羥甲基乙氧乙基胺、羥甲基乙氧丙基胺、Ν,Ν-二羥 甲基乙氧丙基胺。 剝離性醇胺，較宜為Μ下式（H )所示之化合物： 3 Rl R^N—C-OH (II) 其中R 1及R 2之定義係如上述，R3係為Ci-Cio烷基 C 1 - C 烯基、胺基、C : - C ίο羥烷基、C ι_ - C 10胺基烷 基、（C 1 - C K )烷基）苯基、苯基（C丄_ C ίο )烷基、C丄- C i0 烷氧基、（C丄-C 10 )烷氧（C l ~ C ic )烷基、羥基（C 1 - C ίο ) 烷氧（C i - C u' )烷基、C i - (: 10烷基胺基、胺基（C i ~ C幻) 烷氧（C i - C ί :)烷基、羥基（C » C ]£、）烷基胺基（C :L ~ C犯) -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1-------Γ^ill---"I 訂---------線— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1261152 A7 B7 五、發明說明（ 基 烷 氫 為 Η 或 基 基 胺 基 烯 基 烷 羥 胺 基 烷 基 基 笨 基 苯 基 烷 基 烷 基 氧 烷 氧 烷 基 羥 基 烷 基 C 丄 ί- ((;氧 氧烷 烷丨 胺基 、 烷 基} 胺c,c 基- -丄 烷(C cir* ~If C Λ. 、 基 基烷 烷> 及 R结 -Mu BE 0 鍵 氮所 有胺 具狀 起環 一 之 4 碳 IR個 及 2 il ~ R 到 或 1 ; 有 基具 烷成 丨形 % 1™可 C 為 係 基 胺R4 式 下 如 為 Η 係20 胺 Η I C 醇 | 離R3. 擊 的 佳 更

R 及 離 剝 3 R 的 ， 佳 中更 其 胺 醇 乙 基 甲 羥 I Η 為 。 係 述 ， 上例 如施 係實 義之 定胺 之醇 4 性 胺 醇 丙 異 基 甲 羥 胺 醇 乙 基 甲 羥 胺基 醇甲 乙羥 基Ν-甲 ， 羥胺 二醇 Η-乙 二 基 甲 羥 醇 乙 基 乙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 ~ ϋ ϋ L— ϋ 一°JI n I ϋ I 1 胺 Ν 醇 ， 乙胺 基二 胺基 基乙 甲伸 羥基 N-甲 ，羥 胺 Η 胺 ， 二胺 基 二 乙基 伸乙 基伸 甲基 羥甲 二羥 ，一三 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 胺 伸 基 甲 Ν羥 ,二 胺 - 二 Ν 基Ν 乙 ， 伸胺 基二 甲基 羥丙 四伸 ·-基 J甲 Ν羥 胺二 基 丁 伸 基 甲 羥 基 胺 胺二 基 丁 伸 基 甲 羥二 基 丁 伸 基 甲 羥三 1 Ν Ν Ν- Ν胺 ·- 二 胺基 二 丙 基伸 丙基 伸 甲 胺二 基 丁 伸 基 甲 羥 四 Ν 胺 基 甲 二 基 甲 羥 Ν 基 Ν 丙 , 伸 胺基 二 甲 基羥 丙四 伸" 基 甲Ν 羥Ν Ν 基 乙 伸二 基 甲 羥二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 基 甲 羥 胺胺 羥 1261152 A7 B7 五、發明說明（1 1 W甲基一.田基胺，Η , Μ .、—羥罕基田基胺，Μ , Η -—羥甲基 伸乙基二胺，Ν , Η -二羥甲基甲基胺，Η ·〜羥甲基二田基胺 .Ν Κ.::羥甲基甲基胺，羥甲基二田基胺，N JI -二羥 甲基乙基胺，Ν -羥甲基丙基胺，Ν -羥甲基丁基胺t Ν -羥 甲基哌阱及N〜羥甲基胺嗎啉在某些例子中，剝雛性醇 胺係顧式ί I )所示，鑑於等之高移除能力^其中R 4係 為氫。 Κ上所述之剝離性醇胺，係單獨戌Μ兩個或更多個之 組合來使用。當該剝離性醇胺為液時，其可Κ直接當作 光阻剝離劑使用，而不用Μ溶劑稀釋之。如果需要的話 ，該光阻剝離劑可Μ作成包括剝離性醇胺和至少為添加 胺、有機溶劑、抗腐蝕試劑、水和四級氫氧胺化物之一 之組物，Μ形成剝離劑。 可使用於本發明之該添加胺，其可以是烷基胺、乙基 胺、聚胺物、羥基胺和環狀胺物。 該烷基胺可Κ是脂族一级胺，例如甲基胺、乙基胺、 η »丙基胺、異丙胺、η - 丁基胺第二丁基胺、異丁基胺 t - 丁基胺、戊基胺、2 -胺基戊烷、3 -胺基戊烷、1 -胺 基-2 -甲基丁烷、2 —胺基~ 2 -甲基丁烷 3 —胺基-2-甲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —i alt ^nn 1 s —3 R— i -•Φ衣 -------訂·----------^--, I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基 丁烷 胺 基- 2 -甲基丁 烷 己 基 胺 5- -胺基-2 ~ 甲 1 丁烷 '庚 基 胺 1宰基 m '壬 基 胺 癸 基 胺 --基 胺 :: 基胺 1·. i 基胺 卜四 基 胺 十 五 基 胺 1...'六 基 胺 ,I·· 山基 胺 和Η U 1、基 胺； 脂 族 — 级 烷 基 胺 ,例 如二. 甲 基 鞍二 乙基 胺 , ::丙基 胺 異 丙 基 胺 丁基 胺、 — i ·— 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（ 胺 胺 基 一 胺 基 庚 胺 基

胺 基 HH 基 甲 胺 基 基 胺 基 異 基 甲 胺 基 胺 基 基 ΠΒ 基 里' P 基 甲 胺 第 基 基 甲 胺 基 胺第 基基 丙乙 基 ' 乙胺 基 胺丙 基 異 戊基 異乙 基 甲胺 CM,. , 基 胺J 基基 戊乙 基 . 甲胺 , 基 胺丙 基 異 r«‘；|¥ 基胺 乙基 , 異 胺基 基丙 異 基 乙 胺 基 和 胺 基 丁 基 丙 胺 基 胺 基 甲三 如 例 胺 級三 族 脂 及Μ 基 乙 甲胺 二基 、 丙 胺二 基甲 戊和 三 胺 、 基 胺乙 基二 丁基 三甲 Λ 、 按 陵 HQ By 基基 丙丙 三基 " 甲 胺二 基 、 甲胺 三基 乙 胺基 如醇乙 例乙二 、 基基 胺丙甲 醇 N N 是 、 、 Μ 胺胺 可醇醇 其乙乙 , 基三 胺乙、 加Ν-胺 添、醇 為胺乙 作醇二 而乙、 明基胺 發甲醇 本 Ν 乙 於、基 用胺丁 使醇 i 可乙、 , 胺 醇N- 乙、 二胺 基醇 丙丙 異異 、 基 胺甲 醇i 乙 、 二胺 基醇 乙乙 .、 丙 胺異 醇三 乙 、 二胺 基醇 乙丙 N-異 、二 胺 、 醇胺 胺 醇 丙 異 基 乙 胺 醇 丙 異 基 丙 醇 ί 3 I 丙 基 胺 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 醇 i H—! I 丙 基 胺 2 基 甲 胺 I 11 Λ 醇 I 1—_ I 丙 基 胺 ! 2 I 基 乙 酉 i 2 - 丙 基 胺 i 1 I 基 甲 I N ' 醇 I 2 1 丙 基 丙 基 胺 ί 1Χ I 基 乙 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 乙丙 H-基 、 胺 醇 3 I I T基 丁 甲 基N--胺 、 2 醇 I - 基T 甲 丁 ί Ν 基 、 胺 醇 3 - ^~/ 0 丁 I 基Τ 胺 丁 2 基 、 胺 醇2"· -"2基 基 , 胺 一 2 基T 乙丁醇 N基2 丁 基T 、 胺 丁 醇 1 ¥ 1 ‘胺-醇卜 己 7 基 丙胺 基d -1基甲 丁乙cf 醇 基。 胺 3 醇 2 Ϊ 基 胺 2基.1 丙胺 基2 醇 Ef ' 1, 丙 基 甲 辛 基 胺 醇 i 訂--------- „— 醇 甲 Γ 醇 i 基 4 ,胺- 白? 酉 1.: 庚 T基 戊胺 基3-胺 一 擊. IX βρ 丙 基 胺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 R7 五、發明說明（Ί 一醇 2 -胺基丙. . .I 二醇、二（氧甲基）胺甲烷、I 2 -二胺基丙-3〜醇I ί.…3 -二胺基丙-2 -醇和2〜2 -胺基乙氧） :::,醇 該聚胺可Μ是伸乙二胺、伸丙基二胺、伸丁基二胺、 Ξ三伸甲基二胺四伸甲基二胺‘ 1 , 3〜二胺基丁烷 2,3- 二胺基丁烷 五伸甲基二胺，2 t 4 -二胺基戊烷、六伸甲 基二胺·七伸甲基二胺八伸甲基二胺、九伸甲基二胺 、N -甲基伸乙基二胺、N，N -二甲基伸乙基二胺、三甲基 伸乙基二胺、1，2 , 3 -三胺基丙烷、三（2 ~胺乙基）胺、四 (胺甲基）甲烷、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙 基五胺、七伸乙基八胺和九伸乙基十胺。 該羥基胺可以是羥基胺、N -甲羥基胺、N -乙羥基胺和 N，N -二乙基羥基胺。 該環狀胺可Μ是吡咯、2 -甲基吡咯、2 -乙基吡咯、3 -乙基吡咯、2 * 3 -二乙基吡咯、2，4 -二乙基吡咯、3，4 -二 乙基吡咯 2，3，4 -三乙基吡咯、2 , 3 , 5 -三乙基吡咯、2 -_咯啉、11咯啶、2 -甲基吡咯啶、3 -甲基吡咯啶、Btt唑 、咪唑、1 , 2，3 -三唑、1，2，3 , 4 -四唑、吼啶、2 -甲基六 氫吡啶、3 -甲基六氫吡啶、4 -甲基六氫吡啶、2，4 -二甲 基六氫哌啶、2 , 6 -二甲基六氫哌啶 3 , 5 -二甲基六氫哌 啶 Htt阱 2 -田基吡阱、2 « 5 -二甲基_阱'2,6-二甲基 咐阱和嗎啉， Μ上逑之添加胺之中，特別合宜的是甲基胺 '乙基胺 •丙基胺、丁基胺 '乙醇胺 Ν -甲基乙醇胺' Ν ~乙基乙 1 4 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------^丨---ill-----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1261152 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 伸. 有 醇甲、二 醯單、基乙如基則唑0:、醚 巨 胺 沒 ο 二單醚、；、胺甲、例乙劑咪J5物甲 而 胺基 並II乙醇乙醚醚胺iiN-醇則二溶2--0 化單 "i Hu 醇羥 上 1 二單乙乙薩乙、基劑、酮E-JI氧醇 分 乙 I 量 ο 醇乙醇單二甲基胺甲溶51啶ii硫二 成 胺 總為二 二二醇醇基甲醯如物基唑 “gr基乙 要 !,基 其宜乙，、丙二二甲單乙例化甲眯y g 甲二 必 ^ 乙 ，更，醚、乙乙二、基則氧二 、,3内 二、 之 "I伸 比巨如甲醚二二、胺乙劑硫：_1];是酮醚劑 丨二 數，例單甲、和胺醯二溶；如基EI的啶丁離 ? _ 耳 ο ，醇單醚醚醯乙、醇醇例甲®ip 宜咯單剝 胺嗎莫10劑二醇甲甲甲.、胺；二則伸ir❹ 合吡醇胆5~ 胺基和之到溶乙二單二基胺醯酮丙劑四 。 較基二光 Ϊ 醇 了 哄胺01類、丙醇醇甲醯乙烷和溶和-0)-2酯 f甲丙是 丙伸吡加 ο 醚醚、二 二單甲基咯醇5Ifia-2基內中N-H 必 異 .· 添為是丁 醚丙乙、基乙吡 二；E)基丙戊之.和是 基 J 胺胺和宜 Μ 單丁二 二胺乙單基乙物 U 乙異 I 劑胺醚不 胺基基胺較可醇單、 、醯二、乙、化 π 異二 U 溶醯乙並 I 氧 ^ 和 _ 丙羥醇而劑二醇醚醚甲、胺Ν~醇氧II二 3if加乙單劑 乙伸基性 溶乙二丁丁 如胺醯和丙硫 | 3 1ΛΙ添基醇溶 Η Kl 離制機、乙單單則醯甲酮異基(21,和 e 之甲.機 基 胺二剝限有醚二醇醇劑甲基烷、甲聯 ：、\ 述二 丙有 胺基 i 該格該乙、二二溶基甲咯醇二、如嗣-「卜；Ν Π 該 醇乙 Η 嚴 輩醚丙丙胺乙二吡基 ：_ 例啶 π Ν I S -------I.---------11 訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 κ. Β7 五、發明說明（l1) 如果使用的話，係可W _ A W光隨剝離劑之5到801之 量 抗_劑佳.可.W選自於_類醇醣、芳番族羥it合物' Z炔醇、羧基it合物及其酐和三唑化合物所組成之群 類本發明所使用之抗蝕劑並沒有限制，如果使闬的話 ,其甩量較宜是Μ光剝離劑重量計之1到3 5 % ： _類可Μ是具有3到6個碳原子2單醣，例如甘油醒 、異赤藻醣、阿拉伯醣、木醣、核醣、核酮醣、木酮醣 、葡萄醣、甘酮醣、乳釀、塔格醣、阿洛釀、阿卓_、 古洛醣、艾杜醣、塔洛醣、山梨醣、畢塞醣和果醣，Μ 及雙醣類如繭醣。 醣醇類可Μ是異赤藻醣醇、赤藻醣醇、側金盞醇、赤 藻醣醇、阿拉伯醇、木醣醇、太洛醇、葡萄糖醇、甘露 醇、艾杜醇、甜醇和肌醇。 芳羥化合物可Μ是酚、甲酚、二甲笨酚、兒荼酚、間 苯二酚、氫酲、五倍子酚、1，2 , 4 -苯三醇 水楊醇、對 羥苄基醇、對羥苯基酚、對胺基酚、二胺基酚、胺基間 苯二酚、對羥基苯酸、鄰羥基苯酸、2，4 »二羥基苯酸、 2乃-二羥基苯酸、3 , 4 -二羥基笨酸和3 , 5 -二羥基苯酸及 五倍子酸。 乙炔醇可Κ是2 - 丁炔-U 4 -二醇、3 , 5 -二甲基〜1 -己炔 - 3 -醇，2 -甲基-3 - :Γ炔- 2 -二醇、3 -甲基-1 »戊炔-3 -醇 3 , β -二甲基....4 -辛炔〜3，6 - 二醇，2,4,7,9-四甲基-5™ 癸炔—4，7 -二醇，2 , 5 -二甲基·· 3 -己炔- 2 , 5 -二醇： —1 β - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1261152 A7 ____B7__ 五、發明說明（D) 羧基化含物及其酐可以是甲酸、乙酸，丙酸、丁酸、 異丁酸、草酸，丙二酸、琥珀酸·戊二酸、順丁烯二酸 福馬啉酸苯甲酸酞酸 1，2，3 苯三羧酸、經乙酸 二羥乙酸 '乳酸、蘋果酸、檸檬酸、乙酐*酞酸酐' 順丁烯二酸酐、琥珀酸酐、和水楊酸 三唑化合物可Μ是笨三唑、鄰甲苯三唑·間甲笨三唑 對甲笨三唑、羧基苯三唑、1 -羥苯三唑、氮苯三唑和 二羥丙基苯三唑。 在上述抗蝕劑中，較宜是山梨醣醇、木醣醇、兒茶酚 、五倍子酸、2 - 丁炔-1 , 4 -二醇、酞酸酐、水楊酸和苯 三唑。該抗蝕劑可以單獨或組合二個或多個使用。 本發明之光阻剝離劑係可以含有或不含水。假如使用 水的話，雖然在光阻剝離劑中之水之濃度，係由考慮蝕 刻條件、灰化條件等而決定，但其較宜是Μ光阻剝雛劑 計之5到60% 。 可Μ加入四級胺氫氧化合物（例如四甲基胺氫氧化物 (Τ Η Α Μ Π Μ進一步提昇移除光阻物，特別是在蝕刻或灰 化後之光阻殘餘物：假如使用的話，該T M A Η之用量較宜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

- Ηϋ si LI ϋ ϋ Li 一一 0▼ I —ϋ ·ϋ ϋ ϋ II ϋ -ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 佳 較 話 的 。 物 5%成 到組 3 t ο做 之如 計假 劑劑 0 0 彔彔 阻蛆 光光 Μ 該 是 醇 性 0 剝 合 混備 的製 當而 適合 在混 性 物理 加物 添 法 盥方 之 之 一 ΠΜ 1Ϊ, 一 已 少 所 至藝 的技 到項 提本 所 % f*ί 先中 與具 胺器 用 使 一', 所、1Γ: 常到 通溫 室 下 r 中 置 裝 曲豆 MW 導 半 製 在 除 移 在 係 物 光 與 材 基 之 物 餘 殘 阻 光 和 膜 胆 光 具 該 將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____

五、發明說明（I 光阻剝離_接觸 因為該光__離劑在6 Ο Γ或更低時顯 示充分的去除能力，則該去除較宜是在足Μ保護半導體 裝置免於被_離劑_除之僅可能低的溫度Τ進行其接 觸時間_端賴其本性和光阻膜厚度及光阻殘餘物W 5其 他該等技藝之相似因子而定/通常是0 5到3 0分鐘。 經由本發明所製造而適用於半導體裝置之無機基材之 材料，可Μ是導體或半導體材料，如矽、非晶形矽、聚 矽、二氧化矽、矽氮化物、鋁、鋁合金、綱、銅合金、 鈦、鈦鎢合金、鈦氮化物、鎢、钽、钽化合物、钽合金 、鉻，鉻氧化物、鉻合金、絪-錫-氧化物（ΙΤΟ)。半導 體化合物如鎵_砷、鎵-磷和絪-膦、和用於基材之玻璃。 在本發明之製造半導體裝置之方法中，下層基樣或材 料之非光罩部份，係利用經圖樣化之光阻膜予以、蝕刻， 而在蝕刻期間所形成之光阻殘餘物，係Μ前面所提到的 光阻剝離劑而予Κ移除。該光阻殘餘物可以在接續於蝕 刻之灰化之後，而經由光阻剝離劑而予i从移除： 在本文中所用以、參照之”灰化”係指一種光姐移除方法 ，在其中該由有機聚合物所製成的光阻，係在氧等離子 中燃燒而揮發成C 0和C 0 2 :更特別的是，將要被處理的 基材置於電極對間之室中，然後導入灰化氣體並將之密 封於該室中1 _加高頓電壓於電極上時β _產生該灰 化氣體之等離子此光阻則與等離？和基材表面的基材 上之活化離子5應而揮發。 在W本發明之光姐剝離劑予Μ移除處理之後$則將該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I i ϋ n ϋ ·ϋ ί 1 n a— I ϋ · ϋ ϋ I n 1— ϋ 一 口 τ I I ϋ I n II ϋ ϋ t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1261152 A7 __B7_五、發明說明（1 ) 經處理的基材Μ任何 種之有機溶麵（如酒精和水）予Μ 洗滌= 參照如下之實例，本發明將被描述的更加詳细然而 ,值得意注的，Μ下之實例僅是用Μ舉例說明，而非意 慾對本發明加Μ限制= 實洌1 - 1 6和比較例1 - 9 第1圖係橫斷面圖，其顯示將進一步處理之半導體裝 置，其中基材1係經氧化物膜2塗覆，而鋁（A 1 - C u )電 路圖3則係藉由利用光胆膜4作為光罩將鋁（A卜以）膜 予Μ乾式蝕刻，而形成於該氧化物2之上。在乾式蝕刻 期間，則形成光阻殘餘物5 。 如第2圖所示之半導體裝置，係浸漬於具有表1和表 2所示之化學組成物之光姐剝離劑中，歷一預定之時期 ，經Μ異丙醇沖洗、乾燥並於掃瞄式電子顯微鏡（S Ε Μ) 下觀察Μ評量光阻膜4和光阻殘餘物之移除作用，Κ及 對鋁（Α丨-C u )電路圖3之腐蝕作用。其结果係示於表1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 由除完幾部大蝕 表經移 A B c D.^ 和 中 此 成 達 來 驟 步 定 額 之 列用 下作 量 -一口 ---------^"1----i^w^ i i L---l—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 约 9 除 移 除全 移完 全 乎 除移 移 ％ 多歹 ί:!> 5 更 9 戈 T5V Ρ X ο ο 8 8 約?( ( 留 留保 保份用 份§Γ作 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（ 域 、 、 區域域 域触區區 區腐餘蝕 ㈣經腐腐 腐之經經 經3°之 ΠΜ- f, ayA,ui i 至 Γ·: Ur' 1%1 到過，. i. 量 φ 3 0 > 蝕 -,:/ 評 ^腐_蝕能 £ 無腐腐可 脔份扮 重 T 無部部嚴 ： 留 ffi 為 目份 部 大 失 損睹 份光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-a an --i— 1^3 I i if i^i 一口、I 1-- ·ϋ ϋ 1 II R 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（[3) 表1rl Ξ N-羥甲基乙醇胺 乙醇胺 ^二甲基氧化硫 Θ二甲基甲醯胺 0二甲基乙醯胺 α二乙二醇單丁醚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 實施例

剝離試劑 剝離性醇胺 種類 al a 1 a 1 al a 1 a 1 重量1 100 70 40 40 40 40 添加胺 種類 - ~ bl bl bl bl 重量％ - 40 40 40 40 有機溶劑 種類 - si si s2 s3 s4 重量％ - 30 20 20 20 20 抗蝕劑 種類 - 一 - - - - 重量％ υ ^ η - 一 - - - 一 Π 2 U 重量％ 一 - 一 一 一 一 剝離條件 溫度（°c) 70 65 55 55 55 55 時間（分） 10 10 5 5 5 5 移除作用 光阻4 A A A A A A 光阻殘餘物5 A A A A A A 腐蝕作用 A卜Cu電路3 A A A A A A 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1261152 A7 _____ B7 五、發明說明（2 ")

表1 - 9 剝離試劑 η 8 實施例 9 10 11 剝離性醇胺 種類 a 1 al a 1 3 2 ^ 2 重量％ 30 15 30 35 35 添加胺 種類 bl bl bl bl bl 重量％ 50 65 30 25 25 有機溶劑 種類 - 一 s4 s3 s3 重量％ - 一 15 15 15 抗蝕劑 種類 cl cl cl cl c2 重量％ 5 5 5 5 3 Η 2 0 重量％ 15 15 20 20 22 剝離條件 溫度（υ > 55 55 55 55 55 時間（分） 3 3 3 3 3 移除作用 光阻4 A A Λ A A 光阻殘餘物5 A a A A A 腐蝕作用 M-Cu電路3 A A A A A I I -------- I ^--------11^--------« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -τι- Η-羥甲基乙醇胺 31 Ν-羥甲基-Ν·-甲基乙醇胺 1乙醇胺 W二甲基乙醯按 二乙二醇單丁醚 M葡萄糖醇 兒荼酚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明( 表:卜3 實施例 13 14 1.5 16 | 胺 醇 ％ X 9- %. % 劑性類量胺類量溶類量劑類量 試離種重加種重機種重蝕種重 離剝 添有抗i _ Η 2 Ο 華暑命 剝離條件~ 溫度（°C ) 時間（分） 移除作用 光阻4 光阻殘餘物5 腐蝕作用 Μ - Cu電路3

a3 ai a 4 a 5 al 15 9 r, u r- 15 15 bl b2 bl bl bl 05 25 70 65 65 s3 -- 一‘ 一 15 - 一 - cl cl cl c2 c3 5 5 3 5 5 15 20 22 15 15 55 55 55 55 55 3 3 3 3 3 A A A A A A A A A A A A & A A • I ϋ f I I n I -ϋ n -I i · I ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 胺 醇 胺乙Λ-醇基啉胺胺 乙胺甲嗎醯醯 基基羥基乙乙醇 甲甲二甲胺基基糖酚醇 羥羥N-羥醇甲甲萄茶_ i乙i二葡兒木 — U 4 Γ) t >^ — 12; Eia.a'a.b b 3 CC- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（u) 表2 比較例 4 5 6 7 8 钊離試劑 SIJ離性醇胺 種類 重量名 添加胺 種類 bl bl bl bl bl bl b2 bl bl 重量黑 100 70 80 70 60 60 60 75 60 有機溶劑 種類 - si si s3 s4 s3 s3 一 s3 重量％ - 30 20 30 15 15 15 一 15 抗蝕劑 種類 麵 — 一 一 cl c2 cl cl c2 重量％ U Π 一 - - - 5 3 5 3 3 π 2 U 重量％ 一 - - 一 20 22 20 22 22 剝離條件 溫度（°c) 70 65 55 55 55 55 55 55 80 時間(分） 10 10 10 10 3 3 3 3 10 移除作用 光阻4 D C C C B B C B B 光阻殘餘物5 D D D D C C D D C 腐蝕作用 A卜Cu電路3 A A Λ A A A A c --- ------：--------a------訂--------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 娜 w乙醇胺 Ν»甲基乙醇胺 v二甲基氧化硫 ^二甲基乙醯胺 M二乙二醇單丁醚 ^葡萄糖醇 兒荼酚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 Α7 Β7 五、發明說明（） 23 實例1 7 - 3 1和比較例1 0 - 1 7 第2圖係橫斷面圖，其顯示將將第〗圖之半導體裝置 經Μ氧等離子灰化Μ移除光阻膜4後之半導體裝置：該 光_殘餘物5係保留而不被氧等離子移除，F旦僅有頂 部部份變形K使得其逐漸向鋁霄路圖3之周圍擴展。 如第2圖所示經灰化後之半導體裝置，係浸濱於具有 表？和表4所示之化學組成物之光阻剝離劑中，歷一預 定之時期，經Μ異丙醇沖洗、乾燥並基於上述栢同額定 步驟，於掃瞄式電子顯微鏡（S Ε Μ )下觀察以評量光阻膜 4和光阻殘餘物之移除作用，Μ及對鋁（A 1 - C u )電路圖 * 3之腐蝕作用。其结果係示於表3和表4中。 經Μ超純水沖洗並乾燥之後，該電路圖3上之腐蝕作 用係置於掃瞄式電子顯微鏡（S Ε Μ )下評量。其结果係示 於表3和表4中。 I --------r I-----------"I 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 Α7 Β7 五、發明說明（d)

實施例 18 19 20 21

剝離試劑 剝離性醇胺 種類 a 1 al a 1 a 1 8 1 al 重量1 100 70 40 40 40 40 添加胺 種類 一 - bl bl bl bl 重量黑 - 一 40 40 40 40 有機溶劑 種類 一 si si s2 s3 s4 重量％ - 30 20 20 20 20 抗蝕劑 種類 - - - 一 - •一 重量％ π ^ Π - 一 - 一 - - π 2 U 重量％ - - 一 一 一 一 剝離條件 溫度（°c) 100 80 55 55 55 55 時間（分） 10 8 5 5 5 5 移除作用 光阻殘餘物5 A A A A A A 腐蝕作用 A] -Cu電路3 A A A A A A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3i N-羥甲基乙醇胺 w乙醇胺 51二®基氧化硫 〃二申基甲_胺 4 一田基乙醯胺 Μ 一乙二醇單丁醚 -!1〇 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例 23 24 25 26 27 剝離試劑 剝離性醇胺 種類 a 1 a 1 a 1 a2 a2 重量％ 30 15 30 35 35 添加胺 種類 bl bl bl bl bl 重量％ 50 65 30 25 25 有機溶劑 種類 一 一 s4 s3 s3 重量％ - - 15 15 15 抗蝕劑 種類 cl cl cl cl c2 重量％ 5 5 5 5 3 Η 2 0 重量％ 15 15 20 20 22 剝離條件 溫度（°C ) 55 55 55 55 55 時間（分） 3 3 3 3 3 移除作用 光阻殘餘物5 A A A A A 腐蝕作用 /U-Cu電路3 A A A A Λ -27- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 五、發明說明（25) 表3-2 3 1 N-羥甲基乙醇胺 ^ N™羥甲基-N-甲基乙醇胺 Μ乙醇胺 W二甲基乙醯胺 54二乙二醇單丁醚 葡萄糖醇 d兒荼鼢 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（ 一 5 瞭 物 3 醇 ·％ %靜 ％ % % C 士 餘 ϊ 劑性類量胺類量溶類量劑類量量件(°±用殘用U1 一試離種重加種重機種重蝕種重α重條度間作姐作-C |離剝 添 有 抗Η2離溫時除光蝕Α1 一剝 剝移腐 表3- 實施例 28 2S r% i U 31 a3 a 1 a 4 a 5 15 35 15 bl b2 bl b 1 65 25 70 65 s3 15

cl cl cl c2 5 5 3 5 15 20 22 15 55 55 55 55 3 3 3 3 A A A A A A A 3 N-羥甲基乙醇胺 33 N-羥甲基胺 34 Ν,Ν-二羥甲基乙醇胺 Ν-羥甲基嗎啉 M乙醇胺 P N-甲基乙醯胺 〃二甲基乙醯胺 ~葡萄糖醇 兒茶酚 ---------1!—·^ ——訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 Α7 Β7 五、發明說明（u) 表4 比較例 13 14 15 16 17 剝離試劑 剝離性醇胺 種類 重量％ 添加胺 種類 bl bl bl bl bl bl b2 bl 重量％ 100 70 80 70 60 60 60 75 有機溶劑 種類 - si si s3 s4 s3 s3 - 重量％ - 30 20 30 15 15 15 一 抗蝕劑 種類 - — - 一 cl c2 cl cl 重量％ π η - - 一 ~ 5 3 5 3 Π 2 U 重量％ - — 一 — 20 22 20 22 剝離條件 溫度（tr) 100 80 55 55 55 55 55 55 時間(分） 10 8 5 5 3 3 3 3 移除作用 光阻殘餘物5 D D D D C C D D 腐蝕作用 /U-Cu電路3 A A A. A A A A Λ --------!11 费——.I"-訂--------* 線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -29- μ乙醇胺 Ν-·甲基乙醇胺 〜二甲基氧化硫 μ二甲基乙醯胺 >二乙二醇單丁醚 :ί葡萄糖醇 1兒荼酚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 __ B7五、發明說明（） 28 實例3 2 - 4 4和比較例H 2 5 第3圖係液晶顯示装置之橫斷面圖，其中鉻（〗電路 圖7 ,其係經由Μ銨緦（IV )硝酸鹽和過氯酸之溶液，Μ 光胆膜8作為光罩來灝式蝕刻該下層之鉻_ >而形成於 玻璃基材6上 在灝式蝕刻期間β該光阻膜8之表面層 ^變成變硬化之光阻膜9丨 如第2圖所示經灝式蝕刻後之液晶顯示裝置，係浸漬 於具有表5和表6所示之化學組成物之光阻剝離劑中， 歷一預定之時期，經以異丙醇沖洗、乾燥並基於上述相 同額定步驟，於掃瞄式電子顯微鏡（S Ε Μ )下觀察Μ評量 光阻膜8和光阻膜9 。其結果係示於表5和表6中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·ϋ ai h Hi ϋ n mi 一 —ϋ ϋ I i^i ^1· n. _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 Α7 Β7 五、發明說明（29)

實施例 32 33 34 35 36 剝離試劑 剝離性醇胺 種類 al a6 a.7 a 8 a9 重量黑 100 100 100 100 100 添加胺 種類 - 一 ~ 一 一 重量％ — 一 一 - 有機溶劑 種類 - 一 - - - 重量％ 一 一 - 一 一 抗蝕劑 種類 - 一 - 一 - 重量％ - - - 一 — Η 2 0 重量％ - - - - - 剝離條件 溫度（°C) 40 40 40 40 40 時間（分） 10 8 15 10 15 移除作用 光阻膜8 A A A A A 硬化光阻膜9 A A A A A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 d N-羥甲基乙醇胺 4 N-羥甲基伸乙基醯胺 巧M-(〇(-經甲基）乙醇胺 Μ N~羥甲基丁基胺 Μ .·羥甲基異丙醇胺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明) 表5-2

實施例 剝離試劑 37 38 39 40 41 42 剝離性醇胺 種類 a 1 a! a 1 a 1 a 6 a 1 重量％ 40 40 4〇 2〇 20 20 添加胺 種類 bl bl b2 bl b3 bl 重量％ 40 40 40 35 45 35 有機溶劑 種類 si s3 s3 s4 s3 s3 重量％ 20 20 20 15 15 15 抗蝕劑 種類 ~ - - cl 重量％ π ^ η - - - 一 5 Π 2 U 重量黑 一 一 一 30 20 25 剝離條件 溫度（¾ ) 40 40 40 40 40 40 時間（分） 5 5 5 3 1 3 移除作用 光阻膜8 ή A A A A A 硬化光阻膜9 A A A A A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ~ N-羥甲基乙醇胺 # N_羥甲基伸乙基隨胺 bl乙醇胺 ^乙N —甲基己月安 Μ伸乙基二胺 二甲基氧化硫 Μ二甲基乙醯胺 #二乙二醇單丁醚 d葡萄糖醇 -32 -ϋ n ϋ· I 1 1 αϋ n n 1 .1- 1 >ϋ Β^— -ϋ 8— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（ 表 44 瞭 膜 ΠΠΒ 037 醇 ％ %劑 ％ % % 8阻 OC分 劑性類量胺類量溶類量劑類量 量件ί ί用膜光 試離種重加種重機種重蝕種重20重條度間作阻化 雛剝 添 有 抗Η2離溫時除光硬 剝 剝移 2

C 20 b5 35 s 4 15 28 4 0 —--------1.———*—.—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

醇 乙 基 ί乙醇醇 甲胺~基二糖酚 羥基(2甲乙萄荼 N-羥2-二一 一葡兒 I 4 f 9 4 I 3 -P 」) 5 5C 乙 基 隨單 氧 硫丁 醇 乙 胺[)醚 -33* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1261152 A7 B7 五、發明說明（） 表6 比較例 18 19 20 21 22 23 24 25

剝離試劑 剝離性醇胺 種類 重量％ 添加胺 種類 bl b3 b6 b7 bl b3 b5 bl 重量％ 100 100 100 100 70 60 55 55 有機溶劑 種類 - - - - si s3 s4 s4 重量％ - - - - 30 20 15 15 抗蝕劑 種類 - - - 一 一 一 cl - 重量％ π ^ Π 一 一 - - - 2 ~ ΓΙ 2 U 重量％ — - - 一 — 20 28 30 剝離條件 溫度（Τύ 40 40 40 40 40 40 40 40 時間(分） 10 8 10 15 5 3 3 3 移除作用 光阻膜8 C C D C D C C C 硬化光阻膜9 D C D D D D D D i --------- I ---------- 丨訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 乙醇胺 9伸乙基胺 吖2-〖2-胺基乙氧）乙醇 丁胺 1異丙胺 ^二甲基氧ib硫 &二甲基乙醯胺 A二乙二醇單丁醚 M葡萄糖醇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _34隹 1261152 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（33) 實例4 5 在5 Ο Γ下，將實例]7 - 3 1所使用之半導體裝置，浸於 _離劑中歷3分鐘，經Μ異丙醇沖洗、乾燥並置於S E Μ ^觀察該剝離劑係包括Μ重量計2 5 I之Η ~羥甲基乙醇 胺 Μ重量計3 5 $之乙醇胺 Κ重量計1 5 I之乙二醇單 丁醚、W重量計7%之葡萄糖醇、Μ重量計0 . 5%之ΤΜΑΗ和 Μ重量計1 7 , 5 %之水：由S Ε Μ之觀察结果，可知其確定 了任何一個半導體裝置之光阻殘餘5 ，係完全移除而在 (Α卜Cu)電路圖上並沒有腐蝕作用。 誠如Μ上之描述，本發明之光阻剝離劑，係具有優洪 之移除能力、而旦易於在低溫下、歷短時間內，將光阻 膜和光阻殘餘移除。此外，在光阻殘餘移除期間，該光 阻剝離劑並沒有對不同材料製成之無機基材導致腐蝕作 用。由於此等特性，此光阻剝離劑，在半導體裝置製造 係為有用的。 符號之說明 1 無基材 2 氧化物膜 3 鋁（A〗-C u )電路圖 4 光阻膜 5 光阻殘餘物 6 玻璃基材 7 鉻（C r )電路圖 S 光阻膜 9 硬化之光阻膜 -3 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· ^^1 ί LT n ^^1 II ϋ 一口、I Hi -ϋ 1·1 I i·—

Claims (1)

1261152 六、申請專利範圍f 第89103253號「光阻剝離劑及使用其製造半導體裝置之 方法」專利案 (93年6月25日修正） A申請專利範圍： 1 . 一種光阻剝離劑，其包括選自於由下列所組成群類之 化合物之剝離性醇胺： N -羥甲基乙醇胺、N -羥甲基異丙醇胺、Ν,Ν -二羥甲基 乙醇胺、Ν-羥甲基二乙醇胺，Ν-羥甲基甲基乙醇 胺、Ν -羥甲基-Ν-乙基乙醇胺，Ν -羥甲基胺基乙氧乙 酉学、Ν，Ν' - 一邀甲基伸乙基一胺、Ν -經甲基伸乙基二 胺、Ν，Ν-二羥甲基伸乙基二胺、Ν，Ν，Ν，-三羥甲基伸乙 基二胺、Ν，Ν，Ν’，Ν· -四羥甲基伸乙基二胺、Ν_羥甲基 伸丁基二胺、Ν-羥甲基伸丙基二胺、ν,Ν，-二羥甲基伸 丁基二胺、Ν，Ν-二羥甲基伸丁基二胺、ν，Ν,Ν，-三經甲 基伸丁基二胺、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四羥甲基伸丁基二胺、 Ν，Ν' -一經甲基伸丙基二胺、Ν，Ν -二經甲基伸丙基二 胺、Ν，Ν，Ν'-二經甲基伸丙基二胺、ν，ν，Ν，，Ν，-四經甲 基伸丙基—胺、Ν -經甲基二伸乙基三胺、ν，Ν'-二經甲 基二伸乙基三胺、Ν_羥甲基甲基胺、Ν，Ν_二羥甲基甲 基fee、Ν -經甲基一乙基胺、N -羥甲基乙基胺、n -經甲 基一乙基胺、N，N -二羥甲基丁基胺、羥甲基丙基 胺、N-羥甲基丁基胺、N-羥甲基哌哄及N_羥甲基胺嗎 啉； 一 1 一 r

i 1261152 、申請專利範圍 添加胺，其係選自於甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙醇 胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二乙醇胺、異丙 醇胺、2 - ( 2 -胺基乙氧基）乙醇、伸乙二胺、羥基胺、 N，N -二乙基羥基胺、哌哄及嗎啉所組成群類；且剝離 醇胺及添加胺之莫耳比爲〇 . 〇 1到1 〇〇 ; 水溶性溶劑，其係選自於二甲基硫甲化物、N，N -二甲 基甲醯胺、N-N二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、二乙 二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、及 二丙二醇單丁醚所組成之群類，且其含量基於光阻剝 離劑計爲5到80重量％ ;以及 基於光阻剝離劑之重量計爲1到35重量％之抗蝕劑， 其中該抗蝕劑係至少選自於醣類、醣醇、芳香族羥基 合物、乙炔醇、有機羧酸化合物及其酐、以及三唑所 組成群類之一種化合物。 2 .如申請專利範圍第1項之光阻剝離劑，其進一步包括 基於光阻剝離劑之重量計爲5到60重量％之水。 3 .如申請專利範圍第 1項之光阻剝離劑，其中該抗蝕劑 係葡萄糖醇或兒茶酚。 4 .如申請專利範圍第1項之光阻剝離劑，其進一步包括 適量的四甲基胺氫氧化物。 -2-