JP4858040B2 - レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 - Google Patents
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Description
エチレンジアミンを25℃にし、これに、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを浸漬した。9分50秒後にはレジストは完全に除去されていた。
80%エチレンジアミン水溶液を25℃にし、これに、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを浸漬した。10分間浸漬してもレジストは完全に除去されなかった。
表1に記載の組成で、エチレンジアミンを含むレジスト除去液を調製した。この液に、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを表1記載の温度で浸漬した。レジストが完全に除去されるまでの時間を表1にあわせて示す。
表1記載の組成で、エチレンジアミンを含まないレジスト除去液を調製した。この液に、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを表1記載の温度で浸漬した。レジストが完全に除去されるまでの時間を表1にあわせて示す。
Claims (3)
- 基板工程において砒素がドープされたレジストを除去するための組成物であって、エチレンジアミンと、ケトン類、グリコールエーテル類、及びニトリル類からなる群より選ばれる1種又は2種以上の有機溶媒を含み、有機溶媒の含有量が20重量%以下であることを特徴とするレジスト除去用組成物。
- 請求項1に記載のレジスト除去用組成物を使用し、20〜120℃の範囲で、基板工程において砒素がドープされたレジストを除去することを特徴とするレジストの除去方法。
- 請求項2に記載の方法によりレジストを除去した後、有機溶媒で洗浄することを特徴とするレジストの除去方法。
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